KR830002903A - 플라즈마 분사방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 분사방법 및 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 1도는 본 발명의 개념을 실시하는 장치의 간단한 횡단면도,

제 2도는 노즐조립체를 통과하는 통로를 따라 여러가지 부분에서 플라즈마의 온도형태를 도시하는 개략도.

제 3도는 노즐조립체를 통과하는 통로를 따라 가루입자 및 플라즈마의 속도를 도시하는 도표

Claims (20)

1. 사용되는 재료가 높은 에너지 플라즈마흐름의 기질속으로 이송되는 방법에 있어서, 평균온도 보다 약 1/3만큼 큰 크기를 지니는 흐름의 중심에서의 온도 스파이크와 흐름을 가로 지르는 평균 온도에 의해서 특징지워지는 고온 플라즈마의 흐름을 제공하고, 감소된 평균 온도의 약 15퍼센트이내로 온도 스파이크의 크기를 감소시키고 제공된 흐름의 평균온도가 약 10 내지 15퍼센트로 감소시키며, 감소된 온도 플라즈마흐름 속으로 상기의 고온 능력 재료의 가루를 주입시키고, 긴 통로속에 플라즈마 흐름과 주입된 가루를 제한시키며, 긴 통로속의 주입된 가루를 가속시키고 가열시키며, 긴 통로속의 제공된 흐름의 평균온도를 최초에 제공된 평균 온도의 약 2/3로 감소시키며, 상기의 긴 통로로부터 가속되고 가열된 가루를 배출시키고 코팅되는 기질에 대해 상기 가루를 향하게 하는 것을 특징으로 하는 기질위에 고온 능력 재료를 사용하기 위한 방법.
2. 고온 플라즈마의 흐름을 제공하는 상기 과정이 11095℃를 초과하는 흐름의 중심에서 고온 스파이크와 약 8315℃의 흐름을 가로지르는 평균온도에 의해서 특징지워지는 흐름을 제공하는 과정을 지니고 제공된 흐름의 평균 온도를 감소시키는 상기의 과정이 제공된 흐름의 평균 온도를 약 7205℃로 감소시키고, 흐름의 중심의 온도 스파이크의 크기를 감소된 평균 온도의 약 1110℃ 속으로 감소시키는 과정을 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위의 1의 방법.
3. 상기의 고온 능력 재료의 가루 주입 과정전에 상기의 감소된 온도 플라즈마를 가속시키는 과정을 지니는 것을 특징으로 하는 청구 범위 1또는 2의 어떤 것의 방법.
4. 상기의 감소된 온도 플라즈마를 가속시키는 과정이 약 3353~4267m의 속도로 상기의 감소된 온도플라즈마를 가속시키는 과정을 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 3의 방법.
5. 기질위에 코팅재료의 입자를 침전시키고 코팅재료의 입자가 장치속에 발생된 플라즈마 흐름에 의해 가열되고 가속되는 방법에 있어서, 플란즈마 발생기가 약 15000℉(8315℃)인 평균 플라즈마 온도에서 그리고, 초당 약 610m인 흐름속의 평균 플라즈마 온속도에서 플라즈마 유수의 원주형 흐름을 발생시킬 수 있고, 냉각 가능한 노즐이 초당 약 610m의 평균 속도와 약 8315℃의 평균 온도를 지니는 상기의 플라즈마 유수를 수용하기에 적합한 긴 통로를 지니고, 상기 노즐이 플라즈마 흐름의 평균 온도를 감소시키기 위한 통로의 상단부의 장치와, 상기의 온도 감소 장치의 상단부의 플라즈마의 평균 속도의 초과된 평균 속도로 감소된 온도 플라즈마를 가속시키기 위한 상기의 온도 감소 장치의 바로 하부의 통로를 따르는 장치와, 코팅 재료의 입자를 상기의 냉각되고 가속된 플라즈마 속으로 주입시키기 위한 상기의 가속장치의 바로 하부의 통로를 따르는 장치 및 가소된 상태로 입자를 가열 시키기에 충분한 시간간격을 위해 냉각되고 가속된 플라즈마 흐름속의 상기 입자를 제한 시키기 위한 상기 의입자 주입장치의 바로 하부의 통로를 따르는 장치를 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 1~4의 방법을 수행하기 위한 플라즈마 발생기와 분사장치.
6. 상기 통로의 횡단면적이 온도감소장치에서 상기 통로의 횡단면적의 약1/4로 냉각된 플라즈마를 가속시키기위한 장치를 가로 지르며 감소되는 것을 특징으로 하는 청구범위 5의 장치.
7. 상기 제한 장치의 통로의 횡단면적이 상기 입자 주입장치의 통로의 횡단면적보다 약 6배 큰 것을 특징으로 하는 청구범위 6의 장치.
8. 상기 발생기가 전기 아아크가 플라즈마 발생과정 속에서 충돌하게 되고 발생된 플라즈마흐름이 흐를 수 있는 원통형벽을 지니는 핀틀형 음극과 양극을 지니며, 발생된 플라즈마의 온도를 감소 시키기 위한 상기 장치의 통로가 양극의 상기의 원통형벽에 의해서 경계지워진 횡단면적보다 큰 횡단면적을 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 7의 장치.
9. 온도 감소 장치의 상기 통로가 약 0.728cm의 직경인 원형 횡단면기하를 지니며 약 2.54cm의 측상길이를 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 7과 8의 어떤것의 장치.
10. 가속 장치의 상기 통로가 그 상단부에서 직경이 0.728cm인 원형횡단면 기하를 지니며 그 하단부에서 직경이 0.386cm인 원형 횡단면 기하를 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 9의 장치.
11. 입자 주입 장치의 상기 통로가 직경 0.386cm인 원형 단면 기하를 지니고 상기 코팅 재료의 입자가 상기의 냉각되고 가속된 플라즈마 속으로 흘러 들어가는 상기 통로를 따라 하나의 구멍을 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 10의 장치.
12. 상기 통로를 따라 직경상으로 마주보는 관계로 위치된 상기 구멍중 2개를 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 11의 장치.
13. 제한 장치의 상기 통로가 주입장치의 통로의 직경을 초과하는 직경의 원형 단면적기하를 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 11 또는 12의 어떤 것의 장치.
14. 제한 장치의 상기 통로가 약 0.939cm의 직경을 지니는 것을 특징으로 하는 청구범위 13의 장치.
15. 제한 장치의 상기 통로가 상기 코팅 입자가 주입되는 구멍의 하부에 약 2.54cm의 거리로 연장하는 것을 특징으로 하는 청구범위 13또는 14의 어떤것의 장치.
16. 제한 장치의 상기 통로가 상기 코팅 입자가 주입되는 구멍의 하부의 약 2.54의 거리로 연장하는 것을 특징으로 하는 청구범위 14의 장치.
17. 감소된 온도 플라즈마를 가속시키기 위한 상기 장치가 초당 3353~4267m의 속도로 상기의 감소된 온도 플라즈마를 가속시킬수 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 5-17중 어떤 것의 장치.
18. 사용되는 재료가 수반된 도면을 참조하여 지금까지 기술된 것 같이 높은 에너지 플라즈마 흐름속의 기질로 이송되는 기질위의 고온 능력 재료를 사용하기 위한 방법.
19. 수반된 도면을 참조로 지금까지 설명된 것 같은 플라즈마 발생기와 분사장치.
20. ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.