KR20250145457A - Circuit board, Method for manufacturing circuit board, and electronic component package - Google Patents
Circuit board, Method for manufacturing circuit board, and electronic component packageInfo
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Abstract
개시된 회로 기판은, 제1 절연층부 및 상기 제1 절연층부 상에 적층된 제2 절연층부를 포함하고, 상기 제2 절연층부의 일부와 상기 제1 절연층부를 관통하는 캐비티를 갖는 절연층, 상기 제2 절연층부에 적어도 일부 매립되는 회로층, 및 상기 제2 절연층부 내에서 상기 캐비티의 가장자리를 따라 배치되는 금속 패턴층을 포함하고, 상기 절연층은, 상기 캐비티의 바닥면을 구성하는 제1 면 및 상기 캐비티의 측면을 구성하는 제2 면을 가지며, 상기 금속 패턴층은, 상기 제2 면에서 상기 절연층으로부터 노출되며 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함한다.The disclosed circuit board includes a first insulating layer portion and a second insulating layer portion laminated on the first insulating layer portion, an insulating layer having a cavity penetrating a portion of the second insulating layer portion and the first insulating layer portion, a circuit layer at least partially embedded in the second insulating layer portion, and a metal pattern layer disposed along an edge of the cavity within the second insulating layer portion, wherein the insulating layer has a first surface constituting a bottom surface of the cavity and a second surface constituting a side surface of the cavity, and the metal pattern layer includes a plurality of metal layers exposed from the insulating layer at the second surface and including different metals.
Description
본 개시는 회로 기판, 회로 기판의 제조 방법, 및 전자 부품 패키지에 관한 것이다.The present disclosure relates to a circuit board, a method for manufacturing a circuit board, and an electronic component package.
회로 기판의 두께를 줄이기 위하여, 회로 기판에 캐비티를 형성하고, 캐비티 내에 다양한 전자 부품들을 배치하고 있다. 이때, 회로 기판은 캐비티를 통해 표면이 노출되어 전자 부품이 실장될 수 있는 패드를 구비하는 것이 요구된다.To reduce the thickness of a circuit board, a cavity is formed within the circuit board and various electronic components are placed within the cavity. At this time, the circuit board must have pads on its surface, exposed through the cavity, onto which electronic components can be mounted.
그러나 이러한 캐비티를 포함하는 회로 기판에서, 패드 외관 품질 등의 구조적인 문제점 발생할 수 있고, 동일 층에서 캐비티 가공을 위한 스토퍼와 실장 패드를 동시에 구현하는데 어려움이 있다.However, in circuit boards including such cavities, structural problems such as pad appearance quality may occur, and it is difficult to simultaneously implement stoppers and mounting pads for cavity processing on the same layer.
본 개시의 일 측면은 동일 층에서 캐비티를 형성하기 위한 스토퍼층 및 캐비티에서 노출되는 패드 구조를 형성할 수 있고, 박형화된 회로 기판 및 전자 부품 패키지를 제공하고자 한다.One aspect of the present disclosure is to provide a thin circuit board and electronic component package capable of forming a stopper layer for forming a cavity in the same layer and a pad structure exposed in the cavity.
그러나, 본 발명의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제에 한정되지 않고 본 발명에 포함된 기술적 사상의 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.However, the problems to be solved by the embodiments of the present invention are not limited to the problems described above and can be expanded in various ways within the scope of the technical ideas included in the present invention.
실시예에 따른 회로 기판은, 제1 절연층부 및 상기 제1 절연층부 상에 적층된 제2 절연층부를 포함하고, 상기 제2 절연층부의 일부와 상기 제1 절연층부를 관통하는 캐비티를 갖는 절연층, 상기 제2 절연층부에 적어도 일부 매립되는 회로층, 및 상기 제2 절연층부 내에서 상기 캐비티의 가장자리를 따라 배치되는 금속 패턴층을 포함하고, 상기 절연층은, 상기 캐비티의 바닥면을 구성하는 제1 면 및 상기 캐비티의 측면을 구성하는 제2 면을 가지며, 상기 금속 패턴층은, 상기 제2 면에서 상기 절연층으로부터 노출되며 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함한다.A circuit board according to an embodiment includes a first insulating layer portion and a second insulating layer portion laminated on the first insulating layer portion, an insulating layer having a cavity penetrating a portion of the second insulating layer portion and the first insulating layer portion, a circuit layer at least partially embedded in the second insulating layer portion, and a metal pattern layer disposed along an edge of the cavity within the second insulating layer portion, wherein the insulating layer has a first surface constituting a bottom surface of the cavity and a second surface constituting a side surface of the cavity, and the metal pattern layer includes a plurality of metal layers exposed from the insulating layer at the second surface and including different metals.
상기 복수의 금속층은 동일한 물질에 대해 서로 다른 식각 선택비를 가질 수 있다.The above multiple metal layers may have different etch selectivities for the same material.
상기 금속 패턴층은 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하도록 상기 캐비티의 모서리 영역에 배치될 수 있다.The metal pattern layer may be arranged in a corner region of the cavity to connect the first surface and the second surface.
상기 금속 패턴층은 구리를 포함하는 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 니켈을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.The above metal pattern layer may include a first metal layer including copper, and a second metal layer disposed on the first metal layer and including nickel.
상기 회로층은 상기 제1 절연층부 상에 배치된 제1 도전층, 및 상기 제1 도전층 상에 적층된 제2 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층의 일면은 상기 제2 금속층의 일면과 실직적으로 동일한 평면 상에 배치될 수 있다.The circuit layer includes a first conductive layer disposed on the first insulating layer portion, and a second conductive layer laminated on the first conductive layer, and one surface of the second conductive layer can be disposed on substantially the same plane as one surface of the second metal layer.
상기 회로층은 상기 제1 금속층과 동일한 물질을 포함하는 제1 도전층을 포함할 수 있다.The circuit layer may include a first conductive layer comprising the same material as the first metal layer.
상기 제1 면에서 상기 제2 절연층부로부터 노출되는 제1 패드를 더 포함할 수 있다.The first surface may further include a first pad exposed from the second insulating layer portion.
상기 제1 패드는 상기 절연층에 일부 매립될 수 있다.The above first pad may be partially embedded in the insulating layer.
상기 제1 절연층부를 기준으로 상기 적층 방향으로의 거리에 있어서, 상기 제1 패드의 상기 제2 절연층부로부터 노출된 면은 상기 회로층의 상기 제1 절연층부와 대향하는 면 보다 멀리 위치할 수 있다.With respect to the distance in the stacking direction based on the first insulating layer portion, the surface of the first pad exposed from the second insulating layer portion may be located further away than the surface facing the first insulating layer portion of the circuit layer.
상기 적층 방향으로의 두께에 있어서, 상기 제1 패드의 두께는 상기 회로층의 두께보다 작을 수 있다.In the thickness in the above lamination direction, the thickness of the first pad may be smaller than the thickness of the circuit layer.
상기 회로층은 구리를 포함하는 제1 도전층, 및 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층을 포함할 수 있다.The circuit layer may include a first conductive layer including copper, and a second conductive layer disposed on the first conductive layer.
상기 제1 도전층은 무전해 도금층을 포함할 수 있다.The above first conductive layer may include an electroless plating layer.
상기 금속 패턴층은 상기 제2 면으로부터 내측으로 오목하게 위치할 수 있다.The above metal pattern layer may be positioned concavely inward from the second surface.
상기 절연층의 상기 캐비티가 위치하는 일면에서 상기 절연층으로부터 노출되는 제1 패드를 더 포함할 수 있다.The insulating layer may further include a first pad exposed from the insulating layer on one side where the cavity is located.
실시예에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 제1 절연층부 상에 제1 금속을 포함하여 제1 스토퍼층을 형성하고, 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함하여 상기 제1 스토퍼층 상에 제2 스토퍼층을 형성하고, 상기 제2 스토퍼층 상에 제1 패드를 형성하고, 상기 제1 패드가 매립되도록 상기 제1 절연층부 상에 적층하여 제2 절연층부를 형성하고, 상기 제1 스토퍼층의 면적보다 더 작은 면적만큼 상기 제1 스토퍼층 상의 상기 제1 절연층부를 제거하여 제1 캐비티 형성부를 형성하고, 상기 제1 스토퍼층의 상기 제1 캐비티 형성부 내에 노출된 부분을 제거하여 제2 캐비티 형성부를 형성하고, 그리고 상기 제2 스토퍼층의 상기 제2 캐비티 형성부 내에 노출된 부분을 제거하여 캐비티를 형성한다.A method for manufacturing a circuit board according to an embodiment comprises: forming a first stopper layer including a first metal on a first insulating layer portion; forming a second stopper layer on the first stopper layer including a second metal different from the first metal; forming a first pad on the second stopper layer; forming a second insulating layer portion by laminating the first pad on the first insulating layer portion so that the first pad is buried; forming a first cavity forming portion by removing the first insulating layer portion on the first stopper layer by an area smaller than an area of the first stopper layer; forming a second cavity forming portion by removing a portion of the first stopper layer exposed within the first cavity forming portion; and forming a cavity by removing a portion of the second stopper layer exposed within the second cavity forming portion.
상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것은, 동일한 물질에 대해 상기 제1 금속과 상이한 식각 선택비를 갖는 상기 제2 금속을 포함하여 상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the second stopper layer may include forming the second stopper layer by including the second metal having a different etching selectivity from the first metal for the same material.
상기 제2 캐비티 형성부를 형성하는 것은, 상기 제1 스토퍼층의 노출된 부분을 제거하고 상기 제1 캐비티 형성부의 가장자리를 따라 남은 제1 금속층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the second cavity forming portion may include removing an exposed portion of the first stopper layer and forming the remaining first metal layer along an edge of the first cavity forming portion.
상기 캐비티를 형성하는 것은, 상기 제2 스토퍼층의 노출된 부분을 제거하고 상기 제2 캐비티 형성부의 가장자리를 따라 남은 제2 금속층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the cavity may include removing an exposed portion of the second stopper layer and forming a remaining second metal layer along an edge of the second cavity forming portion.
상기 제1 스토퍼층을 형성하는 것은, 구리를 포함하는 상기 제1 스토퍼층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것은, 니켈을 포함하는 상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the first stopper layer may include forming the first stopper layer including copper, and forming the second stopper layer may include forming the second stopper layer including nickel.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 회로층을 형성하는 것은, 상기 제1 절연층부 상에 제1 도전층을 형성하고, 그리고 상기 제1 도전층 상에 상기 제2 스토퍼층의 일면과 실질적으로 동일한 레벨의 일면을 갖도록 제2 도전층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.The method may further include forming a circuit layer on the first insulating layer portion, and forming the circuit layer may include forming a first conductive layer on the first insulating layer portion, and forming a second conductive layer on the first conductive layer so as to have one surface at substantially the same level as one surface of the second stopper layer.
상기 제1 도전층을 형성하는 것은, 상기 제1 스토퍼층과 동일한 물질을 포함하여 상기 제1 도전층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the first conductive layer may include forming the first conductive layer by including the same material as the first stopper layer.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 제1 패드를 형성하는 것은, 상기 회로층의 상기 제1 절연층부와 대향하는 면보다 상기 제1 패드의 상기 제2 절연층부로부터 노출된 면이 높은 레벨을 갖도록 제1 패드를 형성하는 것을 포함할 수 있다.The method may further include forming a circuit layer on the first insulating layer portion, and forming the first pad may include forming the first pad such that a surface of the first pad exposed from the second insulating layer portion has a higher level than a surface of the circuit layer facing the first insulating layer portion.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 제1 패드를 형성하는 것은, 상기 적층 방향으로의 두께에 있어서, 상기 회로층의 두께보다 작은 두께를 갖도록 상기 제1 패드를 형성하는 것을 포함할 수 있다.The method may further include forming a circuit layer on the first insulating layer, and forming the first pad may include forming the first pad to have a thickness in the lamination direction that is smaller than a thickness of the circuit layer.
상기 제1 패드 상에 표면처리층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.It may further include forming a surface treatment layer on the first pad.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 회로층을 형성하는 것은, 구리를 포함하여 제1 도전층을 형성하고, 그리고 상기 제1 도전층 상에 제2 도전층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.The method may further include forming a circuit layer on the first insulating layer, and forming the circuit layer may include forming a first conductive layer including copper, and forming a second conductive layer on the first conductive layer.
상기 제1 도전층을 형성하는 것은, 무전해 도금층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the first conductive layer may include forming an electroless plating layer.
상기 제1 스토퍼층을 식각하여 상기 제2 절연층부의 측면보다 내측으로 들어가도록 제1 금속층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.It may further include etching the first stopper layer to form a first metal layer so as to be recessed inward from the side surface of the second insulating layer portion.
상기 제2 스토퍼층을 식각하여 상기 제2 절연층부의 측면보다 내측으로 들어가도록 제2 금속층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.It may further include etching the second stopper layer to form a second metal layer so as to be recessed inward from the side surface of the second insulating layer portion.
상기 제1 절연층부와 상기 제2 절연층부를 포함하고 일면에 상기 캐비티가 형성된 절연층을 형성하고, 그리고 상기 절연층의 상기 일면에서 상기 절연층으로부터 노출되도록 제2 패드를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an insulating layer including the first insulating layer portion and the second insulating layer portion and having the cavity formed on one surface thereof, and forming a second pad on the one surface of the insulating layer so as to be exposed from the insulating layer.
실시예에 따른 전자 부품 패키지는, 캐비티를 가지며, 상기 캐비티 내에서 절연층으로부터 노출된 패드부를 포함하는 회로 기판, 및 상기 패드부와 연결되도록 상기 캐비티 내에 실장되는 전자 부품을 포함하고, 상기 회로 기판은, 상기 캐비티를 갖는 절연층, 상기 절연층에 적어도 일부분 매립되는 회로층, 및 상기 절연층 내에서 상기 캐비티의 가장자리를 따라 배치되는 금속 패턴층을 포함하고, 상기 절연층은 상기 캐비티의 바닥면을 구성하는 제1 면, 및 상기 캐비티의 측면을 구성하는 제2 면을 가지며, 상기 금속 패턴층은, 상기 제2 면에서 상기 절연층으로부터 노출되며, 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함한다.An electronic component package according to an embodiment comprises a circuit board having a cavity and including a pad portion exposed from an insulating layer within the cavity, and an electronic component mounted within the cavity to be connected to the pad portion, wherein the circuit board comprises an insulating layer having the cavity, a circuit layer at least partially embedded in the insulating layer, and a metal pattern layer arranged along an edge of the cavity within the insulating layer, wherein the insulating layer has a first surface constituting a bottom surface of the cavity and a second surface constituting a side surface of the cavity, and the metal pattern layer includes a plurality of metal layers exposed from the insulating layer at the second surface and including different metals.
상기 금속 패턴층은 구리를 포함하는 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 니켈을 포함하는 제2 금속층을 포함할 수 있다.The above metal pattern layer may include a first metal layer including copper, and a second metal layer disposed on the first metal layer and including nickel.
실시예에 따른 회로 기판, 회로 기판의 제조 방법, 및 전자 부품 패키지에 의하면, 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 식각 정지층으로 이용하여 보다 용이하게 캐비티 구조 및 캐비티에서 노출되는 패드 구조를 형성할 수 있고, 얇은 두께를 갖는 회로 기판을 제공할 수 있어 회로 기판이 장착되는 전자 제품을 박형화할 수 있다.According to the circuit board, the method for manufacturing the circuit board, and the electronic component package according to the embodiment, a plurality of metal layers including different metals can be used as an etching stop layer to more easily form a cavity structure and a pad structure exposed in the cavity, and a circuit board having a thin thickness can be provided, thereby making it possible to reduce the thickness of an electronic product on which the circuit board is mounted.
도 1은 일 실시예에 따른 회로 기판의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 회로 기판의 A 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3 은 도 1에 나타낸 회로 기판의 B 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 16은 일 실시예에 따른 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 일 실시예에 따른 전자 부품 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a circuit board according to one embodiment.
Fig. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of the circuit board shown in Fig. 1.
Fig. 3 is an enlarged cross-sectional view of part B of the circuit board shown in Fig. 1.
FIGS. 4 to 16 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a circuit board according to one embodiment.
Fig. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating an electronic component package according to one embodiment.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다. 또한, 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings so that those skilled in the art can easily practice the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description have been omitted to clearly explain the present invention, and the same reference numerals have been used throughout the specification to refer to the same or similar components. In addition, some components in the attached drawings are exaggerated, omitted, or schematically depicted, and the size of each component does not entirely reflect the actual size.
첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The attached drawings are only intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical ideas disclosed in this specification are not limited by the attached drawings, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms that include ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by these terms. These terms are used solely to distinguish one component from another.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Furthermore, when we say that a layer, membrane, region, plate, or other part is "above" or "on" another part, this includes not only cases where it is "directly above" the other part, but also cases where there are other parts in between. Conversely, when we say that a part is "directly above" another part, we mean that there are no other parts in between. Furthermore, saying that a part is "above" or "on" a reference part means that it is located above or below the reference part, and does not necessarily mean that it is located "above" or "on" the opposite direction of gravity.
명세서 전체에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, terms such as "comprises" or "has" should be understood to indicate the presence of a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but not to exclude in advance the possibility of the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. Therefore, when a part is said to "comprise" a certain component, this does not mean that other components are excluded, but rather that other components may be included, unless specifically stated otherwise.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.Additionally, throughout the specification, when we say "in plan", we mean when the target portion is viewed from above, and when we say "in cross section", we mean when the target portion is viewed from the side in a cross-section cut vertically.
또한, 명세서 전체에서, "연결된다"라고 할 때, 이는 둘 이상의 구성요소가 직접적으로 연결되는 것만을 의미하는 것이 아니고, 둘 이상의 구성요소가 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 연결되는 것, 물리적으로 연결되는 것뿐만 아니라 전기적으로 연결되는 것, 또는 위치나 기능에 따라 상이한 명칭들로 지칭되었으나 일체인 것을 의미할 수 있다.Additionally, throughout the specification, when we say "connected," this does not only mean that two or more components are directly connected, but also that two or more components are indirectly connected through other components, that they are electrically connected as well as physically connected, or that they are referred to by different names depending on location or function but are one.
명세서 전체에서, '실질적으로 동일'이라는 의미는 수치적으로 정확하게 동일한 것뿐만 아니라, 동일한 크기 또는 수준으로 설계되었지만 제조 공정상의 허용 오차 또는 재료의 특성에 따른 공차 범위 내에서 미세한 차이가 있더라도 통상의 기술자에 의해 동일한 것으로 간주될 수 있는 것까지 포함하는 것이다.Throughout the specification, the term "substantially identical" includes not only those that are numerically exactly identical, but also those that are designed to be the same size or level but may have slight differences within tolerances due to manufacturing process tolerances or material properties that would be considered identical by a person skilled in the art.
이하에서는, 도 1 및 도 2를 참조하여, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)에 대해 설명한다.Hereinafter, a circuit board (10A) according to one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
도 1은 일 실시예에 따른 회로 기판의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다. Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a circuit board according to one embodiment.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 제1 절연층부(111)와 제2 절연층부(112)를 포함하는 절연층(110), 제1 회로층(121), 및 금속 패턴층(200)을 포함할 수 있다. 제2 절연층부(112)는 제1 절연층부(111) 상에 적층될 수 있다. 절연층(110)은 제2 절연층부(112)의 일부와 제1 절연층부(111)를 관통하는 캐비티(110a)를 가질 수 있다. 제1 회로층(121)은 제2 절연층부(112)에 적어도 일부 매립될 수 있다. 금속 패턴층(200)은 제2 절연층부(112) 내에서 캐비티(110a)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 절연층(110)은, 캐비티(110a)의 바닥면을 구성하는 제1 면(S1) 및 캐비티(110a)의 측면을 구성하는 제2 면(S2)을 가질 수 있다. 금속 패턴층(200)은, 제2 면(S2)에서 절연층(110)으로부터 노출되며 각각 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a circuit board (10A) according to one embodiment may include an insulating layer (110) including a first insulating layer portion (111) and a second insulating layer portion (112), a first circuit layer (121), and a metal pattern layer (200). The second insulating layer portion (112) may be laminated on the first insulating layer portion (111). The insulating layer (110) may have a cavity (110a) penetrating a portion of the second insulating layer portion (112) and the first insulating layer portion (111). The first circuit layer (121) may be at least partially embedded in the second insulating layer portion (112). The metal pattern layer (200) may be disposed along an edge of the cavity (110a) within the second insulating layer portion (112). The insulating layer (110) may have a first surface (S1) constituting the bottom surface of the cavity (110a) and a second surface (S2) constituting the side surface of the cavity (110a). The metal pattern layer (200) may include a plurality of metal layers, each of which contains a different metal, and is exposed from the insulating layer (110) at the second surface (S2).
절연층(110)은 복수의 층이 적층된 구조일 수 있다. 일 예로, 절연층(110)은 제1 절연층부(111), 제2 절연층부(112), 및 제3 절연층부(113)를 포함할 수 있다. 제2 절연층부(112)는 제1 절연층부(111)의 일면 상에 적층될 수 있다. 제3 절연층부(113)는 제1 절연층부(111)의 타면 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층부(113)는 제2 절연층부(112)와 대향하도록 배치될 수 있다.The insulating layer (110) may have a structure in which multiple layers are laminated. For example, the insulating layer (110) may include a first insulating layer portion (111), a second insulating layer portion (112), and a third insulating layer portion (113). The second insulating layer portion (112) may be laminated on one surface of the first insulating layer portion (111). The third insulating layer portion (113) may be disposed on the other surface of the first insulating layer portion (111). The third insulating layer portion (113) may be disposed to face the second insulating layer portion (112).
절연층(110)은 절연재료를 포함할 수 있다. 절연재료는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이러한 수지와 함께 무기필러, 유기필러 및/또는 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, and/or Glass Fabric)를 포함하는 재료를 포함할 수 있으며, 감광성 재료 및/또는 비감광성 재료일 수 있다. 일 예로, 절연재료로 SR(Solder Resist), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine), RCC(Resin Coated Copper)의 절연재, CCL(Copper Clad Laminate)의 절연재 등이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 기타 고분자 소재가 포함될 수 있다. 한편, 절연층(110)의 재료로 이들 수지에 실리카 등의 무기필러와 유리섬유 등의 보강재가 포함된 것이 이용될 수도 있다. 예를 들어, 프리프레그(prepreg)가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 1에서는 절연층(110)을 세개의 층으로 표현하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 절연층(110)은 단수 또는 복수의 절연층부를 포함할 수 있다.The insulating layer (110) may include an insulating material. The insulating material may include a thermosetting resin such as an epoxy resin, a thermoplastic resin such as a polyimide, or a material including an inorganic filler, an organic filler, and/or glass fiber (glass cloth, and/or glass fabric) together with such a resin, and may be a photosensitive material and/or a non-photosensitive material. For example, insulating materials such as SR (Solder Resist), ABF (Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT (Bismaleimide Triazine), RCC (Resin Coated Copper), and CCL (Copper Clad Laminate) may be used, but are not limited thereto, and other polymer materials may be included. Meanwhile, a material of the insulating layer (110) may be used that includes an inorganic filler such as silica and a reinforcing material such as glass fiber in these resins. For example, prepreg may be used, but is not limited thereto. In addition, in FIG. 1, the insulating layer (110) is represented as three layers, but is not limited thereto, and the insulating layer (110) may include one or more insulating layer sections.
일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 복수의 회로층을 포함할 수 있다. 일 예로, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124) 각각은 절연층(110) 내에 매립되거나 절연층(110) 상에 배치될 수 있다.A circuit board (10A) according to one embodiment may include a plurality of circuit layers. For example, a circuit board (10A) according to one embodiment may include first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124). Each of the first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124) may be embedded in an insulating layer (110) or disposed on the insulating layer (110).
제1 회로층(121)은 제1 절연층부(111)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제1 회로층(121)은 제2 절연층부(112)에 적어도 일부 매립될 수 있다. 제2 회로층(122)은 제2 절연층부(112) 상에 위치할 수 있다. 제2 회로층(122)은 절연층(110)의 일면 상에 위치할 수 있다. 제3 회로층(123)은 제3 절연층부(113)의 일면 상에 위치할 수 있다. 제3 회로층(123)은 제1 절연층부(111)에 적어도 일부 매립될 수 있다. 제4 회로층(124)은 제3 절연층부(113)의 타면에 위치할 수 있다. 제4 회로층(124)은 절연층(110)의 타면에서 적어도 일부 노출될 수 있다. 제4 회로층(124)은 제3 절연층부(113)에 적어도 일부 매립될 수 있다. The first circuit layer (121) may be disposed on one surface of the first insulating layer portion (111). The first circuit layer (121) may be at least partially embedded in the second insulating layer portion (112). The second circuit layer (122) may be located on the second insulating layer portion (112). The second circuit layer (122) may be located on one surface of the insulating layer (110). The third circuit layer (123) may be located on one surface of the third insulating layer portion (113). The third circuit layer (123) may be at least partially embedded in the first insulating layer portion (111). The fourth circuit layer (124) may be located on the other surface of the third insulating layer portion (113). The fourth circuit layer (124) may be at least partially exposed on the other surface of the insulating layer (110). The fourth circuit layer (124) can be at least partially embedded in the third insulating layer (113).
제1 회로층(121)의 일부는 다른 기판 또는 부품과의 연결을 위한 패드로서 기능할 수 있다. 제1 회로층(121)은 제2 절연층부(112)의 타면에서 절연층(110)의 외부로 노출되는 제1 패드(121a)를 포함할 수 있다. 제1 패드(121a)는 제2 절연층부(112)에 일부 매립될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 패드(121a)가 제1 절연층부(111)의 일면 상에 배치되어 일면으로부터 돌출하는 것도 가능하다. A portion of the first circuit layer (121) may function as a pad for connection with another substrate or component. The first circuit layer (121) may include a first pad (121a) that is exposed to the outside of the insulating layer (110) on the other surface of the second insulating layer portion (112). The first pad (121a) may be partially embedded in the second insulating layer portion (112), but is not limited thereto, and the first pad (121a) may also be disposed on one surface of the first insulating layer portion (111) and protrude from the one surface.
제2 회로층(122)의 일부는 다른 기판 또는 부품과의 연결을 위한 패드로서 기능할 수 있다. 제2 회로층(122)은 제2 절연층부(112)의 일면에서 절연층(110)의 외부로 노출되는 제2 패드(122a)를 포함할 수 있다. 제2 패드(122a)는 절연층(110)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제2 패드(122a)는 제2 절연층부(112)의 일면 상에 배치되어 일면으로부터 돌출할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제2 패드(122a)가 절연층부(112)에 일부 매립되는 것도 가능하다. A portion of the second circuit layer (122) may function as a pad for connection with another substrate or component. The second circuit layer (122) may include a second pad (122a) that is exposed to the outside of the insulating layer (110) on one surface of the second insulating layer portion (112). The second pad (122a) may be disposed on one surface of the insulating layer (110). The second pad (122a) may be disposed on one surface of the second insulating layer portion (112) and protrude from the one surface, but is not limited thereto, and the second pad (122a) may also be partially embedded in the insulating layer portion (112).
제4 회로층(124)의 일부는 다른 기판 또는 부품과의 연결을 위한 패드로서 기능할 수 있다. 제4 회로층(124)은 제3 절연층부(113)의 타면에서 절연층(110)의 외부로 노출되는 제3 패드(124a)를 포함할 수 있다. 제3 패드(124a)는 제3 절연층부(113)에 일부 매립될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 패드(124a)가 제3 절연층부(113)의 타면 상에 배치되어 타면으로부터 돌출하는 것도 가능하다.A portion of the fourth circuit layer (124) may function as a pad for connection with another substrate or component. The fourth circuit layer (124) may include a third pad (124a) that is exposed to the outside of the insulating layer (110) on the other surface of the third insulating layer portion (113). The third pad (124a) may be partially embedded in the third insulating layer portion (113), but is not limited thereto, and the third pad (124a) may also be disposed on the other surface of the third insulating layer portion (113) and protrude from the other surface.
제1 패드(121a)는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 제1 패드(121a)는 단일 층으로 이루어질 수 있다. 제2 패드(122a)는 무전해 도금층과 전해 도금층을 포함할 수 있다. 제2 패드(122a)는 복수의 층을 포함할 수 있다. 제3 패드(124a)는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 제3 패드(124a)는 단일 층으로 이루어질 수 있다. The first pad (121a) may include an electrolytic plating layer. The first pad (121a) may be formed as a single layer. The second pad (122a) may include an electroless plating layer and an electrolytic plating layer. The second pad (122a) may include multiple layers. The third pad (124a) may include an electrolytic plating layer. The third pad (124a) may be formed as a single layer.
도 1에는, 제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124)이 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 도시된 것보다 더 많은 수의 회로층이 배치될 수도 있고, 더 적은 수의 회로층이 배치될 수도 있다.In Fig. 1, first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124) are illustrated, but the present invention is not limited thereto, and a greater number of circuit layers than illustrated may be arranged, or a smaller number of circuit layers may be arranged.
제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124) 각각은 회로 기판(10A) 내부의 신호를 전달할 수 있다. 제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124) 각각의 재료로는 금속 물질이 사용될 수 있다. 금속 물질에는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 포함될 수 있다. 제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124) 각각은 그라운드 패턴, 파워 패턴, 신호 패턴 등과 같은 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 이들 패턴은 각각 라인(line), 플레인(plane), 또는 패드 (pad) 형태를 가질 수 있다. 복수의 회로층 중 최외층에 위치하는 회로층의 경우, 다른 기판 또는 부품과의 연결을 위한 패드로서 기능할 수 있다. Each of the first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124) can transmit a signal inside the circuit board (10A). A metal material can be used as a material for each of the first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124). The metal material can include copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), lead (Pb), titanium (Ti), or an alloy thereof. Each of the first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124) can perform various functions according to the design, such as a ground pattern, a power pattern, a signal pattern, etc. Each of these patterns can have a line, a plane, or a pad shape. In the case of a circuit layer located on the outermost layer among the plurality of circuit layers, it can function as a pad for connection with another substrate or component.
제1 내지 제4 회로층(121, 122, 123, 124) 각각은 배선 형성 공정, 예를 들면, AP(Additive Process), SAP(Semi AP), MSAP(Modified SAP), TT(Tenting) 등의 공정으로 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 회로층(121, 122, 123) 각각은 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 제4 회로층(124)은 전해 도금층을 포함할 수 있다.Each of the first to fourth circuit layers (121, 122, 123, 124) may be formed by a wiring formation process, for example, an Additive Process (AP), a Semi AP (SAP), a Modified SAP (MSAP), a Tenting (TT), etc. Each of the first to third circuit layers (121, 122, 123) may include a seed layer, which is an electroless plating layer, and an electrolytic plating layer formed based on the seed layer. The fourth circuit layer (124) may include an electrolytic plating layer.
제1 회로층(121)은 제1 절연층부(111)의 일면 상에 배치된 제1 도전층(1211)과 제1 도전층(1211) 상에 적층된 제2 도전층(1212)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(1211)은 무전해 도금층을 포함할 수 있고, 제2 도전층(1212)은 전해 도금층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 회로층(122)은 제2 절연층부(112) 상에 배치된 제3 도전층(1221), 및 제3 도전층(1221) 상에 적층된 제4 도전층(1222)을 포함할 수 있다. 제3 도전층(1221)은 무전해 도금층을 포함할 수 있고, 제4 도전층(1222)은 전해 도금층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 회로층(123)은 제3 절연층부(113) 상에 배치된 제5 도전층(1231), 및 제5 도전층 상에 적층된 제6 도전층(1232)을 포함할 수 있다. 제5 도전층(1231)은 무전해 도금층을 포함할 수 있고, 제6 도전층(1232)은 전해 도금층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 무전해 도금층은 화학동도금층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 일 예로 스퍼터링층일 수 있다.The first circuit layer (121) may include a first conductive layer (1211) disposed on one surface of the first insulating layer portion (111) and a second conductive layer (1212) laminated on the first conductive layer (1211). The first conductive layer (1211) may include an electroless plating layer, and the second conductive layer (1212) may include an electrolytic plating layer, but is not limited thereto. The second circuit layer (122) may include a third conductive layer (1221) disposed on the second insulating layer portion (112), and a fourth conductive layer (1222) laminated on the third conductive layer (1221). The third conductive layer (1221) may include an electroless plating layer, and the fourth conductive layer (1222) may include an electrolytic plating layer, but is not limited thereto. The third circuit layer (123) may include a fifth conductive layer (1231) disposed on the third insulating layer portion (113), and a sixth conductive layer (1232) laminated on the fifth conductive layer. The fifth conductive layer (1231) may include an electroless plating layer, and the sixth conductive layer (1232) may include an electrolytic plating layer, but is not limited thereto. The electroless plating layer may be a chemical copper plating layer, but is not limited thereto, and may be, for example, a sputtering layer.
일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 제2 절연층부(112)를 관통하며 제1 회로층(121)과 제2 회로층(122)을 전기적으로 연결하는 제1 비아 전극(131), 제1 절연층부(111)을 관통하며 제1 회로층(121)과 제3 회로층(123)을 전기적으로 연결하는 제2 비아 전극(132), 및 제3 절연층부(113)를 관통하며 제3 회로층(123)과 제4 회로층(124)을 전기적으로 연결하는 제3 비아 전극(133)을 포함할 수 있다. 도 1에서는, 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133)이 각각 단수로 도시되어 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133)은 각각 복수로 제공될 수 있다.A circuit board (10A) according to one embodiment may include a first via electrode (131) penetrating the second insulating layer portion (112) and electrically connecting the first circuit layer (121) and the second circuit layer (122), a second via electrode (132) penetrating the first insulating layer portion (111) and electrically connecting the first circuit layer (121) and the third circuit layer (123), and a third via electrode (133) penetrating the third insulating layer portion (113) and electrically connecting the third circuit layer (123) and the fourth circuit layer (124). In FIG. 1, the first to third via electrodes (131, 132, 133) are each illustrated as a single number, but this is not limited thereto, and the first to third via electrodes (131, 132, 133) may each be provided in multiple numbers.
제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133) 각각의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133) 각각은 설계 디자인에 따라서 신호용 비아, 그라운드용 비아, 파워용 비아 등을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133) 각각은 비아홀이 금속물질로 충전된 것일 수 있고, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 복수의 비아 전극 각각은 도금 공정으로 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133)은 각각 일면의 폭이 타면의 폭보다 작은 테이퍼 형상을 가질 수 있다.A metal material may be used as the material of each of the first to third via electrodes (131, 132, 133). The metal material may include copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), lead (Pb), titanium (Ti), or an alloy thereof. Each of the first to third via electrodes (131, 132, 133) may include a signal via, a ground via, a power via, etc., depending on the design. Each of the first to third via electrodes (131, 132, 133) may be a via hole filled with a metal material, or a metal material may be formed along the wall surface of the via hole. Each of the plurality of via electrodes may be formed by a plating process. For example, the first to third via electrodes (131, 132, 133) may each have a tapered shape in which the width of one side is smaller than the width of the other side.
한편, 도 1에는 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)이 제1 내지 제3 비아 전극(131, 132, 133)을 포함하는 것으로 도시되나, 절연층(110)의 구성 및 회로층의 설계에 따라, 비아 전극이 배치되는 비아층은 단일 층으로 구성될 수도 있고, 더 많은 층으로 구성될 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 1, a circuit board (10A) according to one embodiment is illustrated as including first to third via electrodes (131, 132, 133), but depending on the configuration of the insulating layer (110) and the design of the circuit layer, the via layer in which the via electrodes are arranged may be composed of a single layer or may be composed of more layers.
일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 제1 보호층(141) 및 제2 보호층(142)을 포함할 수 있다. 제1 보호층(141) 및 제2 보호층(142) 각각은 내부 구성요소를 외부의 물리적 화학적 손상 등으로부터 보호할 수 있다. A circuit board (10A) according to one embodiment may include a first protective layer (141) and a second protective layer (142). Each of the first protective layer (141) and the second protective layer (142) may protect internal components from external physical and chemical damage, etc.
제1 보호층(141)은 절연층(110)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제1 보호층(141)은 절연층(110)의 일면을 덮으며 제2 회로층(122)의 적어도 일부를 노출하도록 개구될 수 있다. 제1 보호층(141)은 적어도 하나의 개구부를 가질 수 있다. 제1 보호층(141)은 감광성 수지재를 포함할 수 있다. 제1 보호층(141)은 솔더 레지스트층일 수 있다.The first protective layer (141) may be disposed on one surface of the insulating layer (110). The first protective layer (141) may cover one surface of the insulating layer (110) and may be opened to expose at least a portion of the second circuit layer (122). The first protective layer (141) may have at least one opening. The first protective layer (141) may include a photosensitive resin material. The first protective layer (141) may be a solder resist layer.
제2 보호층(142)은 절연층(110)의 타면 상에 배치될 수 있다. 제2 보호층(142)은 절연층(110)의 타면을 덮으며 제4 회로층(124)의 적어도 일부를 노출하도록 개구될 수 있다. 제2 보호층(142)은 적어도 하나의 개구부를 가질 수 있다. 제2 보호층(142)은 감광성 수지재를 포함할 수 있다. 제2 보호층(142)은 솔더 레지스트층일 수 있다.The second protective layer (142) may be disposed on the other surface of the insulating layer (110). The second protective layer (142) may cover the other surface of the insulating layer (110) and may be opened to expose at least a portion of the fourth circuit layer (124). The second protective layer (142) may have at least one opening. The second protective layer (142) may include a photosensitive resin material. The second protective layer (142) may be a solder resist layer.
일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 절연층(110)의 외부로 노출된 회로층의 일 부분을 커버하는 제1 내지 제3 표면처리층(151, 152, 153)을 포함할 수 있다. 제1 표면처리층(151)은 제1 패드(121a) 상에 배치될 수 있다. 제2 표면처리층(152)은 제2 패드(122a) 상에 배치될 수 있다. 제3 표면처리층(153)은 제3 패드(124a) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 표면처리층(151, 152, 153)은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au) 중 어느 하나의 금속을 포함할 수 있으며, 이들의 금속층이 복수로 구현될 수도 있다. 한편, 이에 한정되지 않고 표면처리층은 유기물을 포함할 수도 있다. 제1 내지 제3 표면처리층(151, 152, 153)은 제1 내지 제3 패드(121a, 122a, 124a)와 제1 내지 제3 패드(121a, 122a, 124a) 상에 실장되는 구성의 결합력 및 신호 전달력을 향상시킬 수 있다.A circuit board (10A) according to one embodiment may include first to third surface treatment layers (151, 152, 153) that cover a portion of a circuit layer exposed to the outside of an insulating layer (110). The first surface treatment layer (151) may be disposed on a first pad (121a). The second surface treatment layer (152) may be disposed on a second pad (122a). The third surface treatment layer (153) may be disposed on a third pad (124a). The first to third surface treatment layers (151, 152, 153) may include any one metal selected from the group consisting of nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au), and these metal layers may be implemented in multiple forms. Meanwhile, the present invention is not limited thereto, and the surface treatment layer may include an organic material. The first to third surface treatment layers (151, 152, 153) can improve the bonding strength and signal transmission strength of the first to third pads (121a, 122a, 124a) and the configuration mounted on the first to third pads (121a, 122a, 124a).
절연층(110)은 제2 절연층부(112)의 일부와 제1 절연층부(111)를 관통하는 캐비티(110a)를 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)은 제2 절연층부(112) 내에서 캐비티(110a) 주위에 배치되는 금속 패턴층(200)을 포함할 수 있다. 절연층(110)은 캐비티(110a)의 바닥면을 구성하는 제1 면(S1) 및 캐비티(110a)의 측면을 구성하는 제2 면(S2)을 가질 수 있다. 제1 면(S1)에서 제1 패드(121a)가 제2 절연층부(112)로부터 노출될 수 있다.The insulating layer (110) may have a cavity (110a) penetrating a portion of the second insulating layer portion (112) and the first insulating layer portion (111). A circuit board (10A) according to one embodiment may include a metal pattern layer (200) disposed around the cavity (110a) within the second insulating layer portion (112). The insulating layer (110) may have a first surface (S1) forming a bottom surface of the cavity (110a) and a second surface (S2) forming a side surface of the cavity (110a). A first pad (121a) may be exposed from the second insulating layer portion (112) on the first surface (S1).
금속 패턴층(200)은 제2 면(S2)에서 절연층(110)으로부터 노출될 수 있다. 금속 패턴층(200)은 복수의 금속층을 포함할 수 있다. 복수의 금속층은 각각 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. The metal pattern layer (200) may be exposed from the insulating layer (110) on the second surface (S2). The metal pattern layer (200) may include a plurality of metal layers. Each of the plurality of metal layers may include different metals.
이하에서는, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)의 금속 패턴층(200)에 대해 보다 자세히 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 3, the metal pattern layer (200) of the circuit board (10A) according to one embodiment will be described in more detail.
도 2는 도 1에 나타낸 회로 기판의 A 부분을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 3 은 도 1에 나타낸 회로 기판의 B 부분을 확대하여 도시한 단면도이다. Fig. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of the circuit board shown in Fig. 1. Fig. 3 is an enlarged cross-sectional view of part B of the circuit board shown in Fig. 1.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 금속 패턴층(200)은 제1 면(S1)과 제2 면(S2)을 연결하도록 배치될 수 있다. 금속 패턴층(200)은 캐비티(110a)의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 금속 패턴층(200)은 캐비티(110a)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 금속 패턴층(200)은 제1 면(S1)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 3, the metal pattern layer (200) may be arranged to connect the first surface (S1) and the second surface (S2). The metal pattern layer (200) may be arranged in a corner region of the cavity (110a). The metal pattern layer (200) may be arranged to surround the cavity (110a). The metal pattern layer (200) may be arranged to surround the first surface (S1).
금속 패턴층(200)은 제1 금속층(210) 및 제2 금속층(220)을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)은 제1 절연층부(111)의 일면 상에 위치할 수 있다. 제2 금속층(220)은 제1 금속층(210)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제2 금속층(220)의 일면은 제1 면(S1)과 접할 수 있다. The metal pattern layer (200) may include a first metal layer (210) and a second metal layer (220). The first metal layer (210) may be positioned on one surface of the first insulating layer portion (111). The second metal layer (220) may be disposed on one surface of the first metal layer (210). One surface of the second metal layer (220) may be in contact with the first surface (S1).
제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 각각은 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 각각은 동일한 물질에 대해 서로 다른 식각 선택비(Etching Selectivity)를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 금속층(210)은 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 제2 금속층(220)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)이 동일한 물질에 대해 서로 다른 식각 선택비를 갖도록 하는 금속들이면 어느 것이든 가능하다. 식각 선택비는 물질 Y의 식각 속도에 대한 물질 X의 식각 속도의 비를 의미할 수 있다. 여기서, 물질 X는 식각을 원하는 물질이고, 물질 Y는 식각을 원하지 않는 물질(마스크층 등)일 수 있다.Each of the first metal layer (210) and the second metal layer (220) may include different metals. Each of the first metal layer (210) and the second metal layer (220) may have different etching selectivities for the same material. For example, the first metal layer (210) may include copper (Cu), and the second metal layer (220) may include nickel (Ni), but is not limited thereto, and any metals that allow the first metal layer (210) and the second metal layer (220) to have different etching selectivities for the same material may be used. The etching selectivity may mean a ratio of the etching rate of material X to the etching rate of material Y. Here, material X may be a material that is desired to be etched, and material Y may be a material that is not desired to be etched (such as a mask layer).
일 예로, 제1 금속층(210)과 제1 도전층(1211)은 동일 공정을 통해 형성될 수 있다. 제1 금속층(210)은 제1 도전층(1211)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)과 제1 도전층(1211)은 구리(Cu)를 포함하는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 금속층(210)은 제3 도전층(1221), 및 제5 도전층(1231)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)과 제3 도전층(1221), 및 제5 도전층(1231)은 구리(Cu)를 포함하는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 제2 금속층(220)은 제1 도전층(1211)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 제2 금속층(220)은 제3 도전층(1221) 및 제5 도전층(1231)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.For example, the first metal layer (210) and the first conductive layer (1211) may be formed through the same process. The first metal layer (210) may include the same material as the first conductive layer (1211). The first metal layer (210) and the first conductive layer (1211) may include the same material including copper (Cu). In addition, the first metal layer (210) may include the same material as the third conductive layer (1221) and the fifth conductive layer (1231). The first metal layer (210), the third conductive layer (1221), and the fifth conductive layer (1231) may include the same material including copper (Cu). Therefore, the second metal layer (220) may include a different material from the first conductive layer (1211). The second metal layer (220) may include a different material from the third conductive layer (1221) and the fifth conductive layer (1231).
도 2 를 참조하면, 적층 방향과 수직한 방향으로, 금속 패턴층(200)은 제2 면(S2)보다 내측에 위치할 수 있다. 금속 패턴층(200)은 제2 면(S2)으로부터 내측으로 오목하게 위치할 수 있다. 금속 패턴층(200)의 가장자리는 제2 면(S2)으로부터 내측으로 들어간 부분을 포함할 수 있다. 캐비티(110a)를 향해 노출된 금속 패턴층(200)의 일면은 적층 방향과 나란한 기준선에 대해 경사진 경사면을 포함할 수 있다. 금속 패턴층(200)의 경사면은 곡면일 수 있다. 일 예로, 금속 패턴층(200)은 습식 식각 공정에 의해 곡면의 경사면을 가질 수 있다. 제1 금속층(210)의 가장자리는 제2 면(S2)으로부터 내측으로 들어간 형상일 수 있다. 캐비티(110a)를 향해 노출된 제1 금속층(210)의 일면은 적층 방향과 나란한 기준선에 대해 경사진 경사면을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)의 경사면은 곡면일 수 있다. 제2 금속층(220)의 가장자리는 제2 면(S2)으로부터 내측으로 들어간 형상일 수 있다. 캐비티(110a)를 향해 노출된 제2 금속층(220)의 일면은 적층 방향과 나란한 기준선에 대해 경사진 경사면을 포함할 수 있다. 제2 금속층(220)의 경사면은 곡면일 수 있다.Referring to FIG. 2, the metal pattern layer (200) may be positioned inward from the second surface (S2) in a direction perpendicular to the stacking direction. The metal pattern layer (200) may be positioned concavely inward from the second surface (S2). The edge of the metal pattern layer (200) may include a portion that is recessed inward from the second surface (S2). One surface of the metal pattern layer (200) exposed toward the cavity (110a) may include an inclined surface that is inclined with respect to a reference line parallel to the stacking direction. The inclined surface of the metal pattern layer (200) may be a curved surface. For example, the metal pattern layer (200) may have a curved inclined surface by a wet etching process. The edge of the first metal layer (210) may have a shape that is recessed inward from the second surface (S2). One side of the first metal layer (210) exposed toward the cavity (110a) may include an inclined surface inclined with respect to a reference line parallel to the stacking direction. The inclined surface of the first metal layer (210) may be a curved surface. The edge of the second metal layer (220) may have a shape that is recessed inward from the second surface (S2). One side of the second metal layer (220) exposed toward the cavity (110a) may include an inclined surface inclined with respect to a reference line parallel to the stacking direction. The inclined surface of the second metal layer (220) may be a curved surface.
도 3을 참조하면, 제2 도전층(1212)의 하부면(S1212)은 제2 금속층(220)의 하부면(S220)과 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 제2 도전층(1212)은 제2 금속층(220)과 실질적으로 동일한 평면 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(1212)의 하부면(S1212)은 제2 금속층(220)의 하부면(S220)과 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 실질적으로 동일한 거리에 위치할 수 있다. 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 제2 도전층(1212)의 하부면(S1212)까지의 거리(d1)는 제1 절연층부(111)의 상부면으부터 제2 금속층(220)의 하부면(S220) 까지의 거리(d2)와 실질적으로 동일할 수 있다.Referring to FIG. 3, the lower surface (S1212) of the second conductive layer (1212) may be disposed at substantially the same level as the lower surface (S220) of the second metal layer (220). The second conductive layer (1212) may be disposed on substantially the same plane as the second metal layer (220). The lower surface (S1212) of the second conductive layer (1212) may be positioned at substantially the same distance from the lower surface (S220) of the second metal layer (220) and the upper surface of the first insulating layer portion (111). The distance (d1) from the upper surface of the first insulating layer portion (111) to the lower surface (S1212) of the second conductive layer (1212) may be substantially the same as the distance (d2) from the upper surface of the first insulating layer portion (111) to the lower surface (S220) of the second metal layer (220).
제1 패드(121a)의 하부면(S121a)은 제1 회로층(121)의 하부면(S121)보다 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 적층 방향으로 먼 거리에 위치할 수 있다. 제1 절연층부(111)를 기준으로 적층 방향으로의 거리에 있어서, 제1 패드(121a)의 제2 절연층부(112)로부터 노출된 면은 제1 회로층(121)의 제1 절연층부(111)와 대향하는 면 보다 멀리 위치할 수 있다.The lower surface (S121a) of the first pad (121a) may be positioned at a greater distance in the stacking direction from the upper surface of the first insulating layer portion (111) than the lower surface (S121) of the first circuit layer (121). In terms of the distance in the stacking direction based on the first insulating layer portion (111), the surface of the first pad (121a) exposed from the second insulating layer portion (112) may be positioned further than the surface facing the first insulating layer portion (111) of the first circuit layer (121).
제1 패드(121a)의 하부면(S121a)은 제2 금속층(220)의 하부면(S220)보다 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 적층 방향으로 먼 거리에 위치할 수 있다. 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 제1 패드(121a)의 하부면(S121a)까지의 거리(d3)는 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 제2 금속층(220)의 하부면(S220)까지의 거리(d2) 보다 클 수 있다.The lower surface (S121a) of the first pad (121a) may be located at a greater distance in the stacking direction from the upper surface of the first insulating layer portion (111) than the lower surface (S220) of the second metal layer (220). The distance (d3) from the upper surface of the first insulating layer portion (111) to the lower surface (S121a) of the first pad (121a) may be greater than the distance (d2) from the upper surface of the first insulating layer portion (111) to the lower surface (S220) of the second metal layer (220).
제1 절연층부(111)를 기준으로 적층 방향으로의 거리에 있어서, 제1 패드(121a)의 제2 절연층부(112)로부터 노출된 면은 제2 금속층(220)의 제1 절연층부(111)와 대향하는 면 보다 멀리 위치할 수 있다.In terms of the distance in the stacking direction based on the first insulating layer portion (111), the surface exposed from the second insulating layer portion (112) of the first pad (121a) may be located further away than the surface facing the first insulating layer portion (111) of the second metal layer (220).
도 3을 참조하면, 적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 패드(121a)의 두께(t1)는 제1 회로층(121)의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 패드(121a)의 두께(t1)는 제2 도전층(1212)의 두께(t3)보다 작을 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 금속 패턴층(200)의 두께(t4)는 제1 회로층(121)의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 금속층(210)의 두께(t5)는 제1 도전층(1211)의 두께(t6)와 실질적으로 동일할 수 있다.Referring to FIG. 3, in terms of thickness in the stacking direction, the thickness (t1) of the first pad (121a) may be smaller than the thickness (t2) of the first circuit layer (121). In terms of thickness in the stacking direction, the thickness (t1) of the first pad (121a) may be smaller than the thickness (t3) of the second conductive layer (1212). In terms of thickness in the stacking direction, the thickness (t4) of the metal pattern layer (200) may be smaller than the thickness (t2) of the first circuit layer (121). In terms of thickness in the stacking direction, the thickness (t5) of the first metal layer (210) may be substantially the same as the thickness (t6) of the first conductive layer (1211).
일 실시예에 따른 회로 기판에 의하면, 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 식각 정지층으로 이용하여 보다 용이하게 캐비티 구조 및 캐비티에서 노출되는 패드 구조를 형성할 수 있고, 얇은 두께를 갖는 회로 기판을 제공할 수 있어 회로 기판이 장착되는 전자 제품 패키지를 박형화할 수 있다.According to a circuit board according to one embodiment, a plurality of metal layers including different metals can be used as etching stop layers to more easily form a cavity structure and a pad structure exposed in the cavity, and a circuit board having a thin thickness can be provided, thereby making it possible to reduce the thickness of an electronic product package on which the circuit board is mounted.
이하에서는, 도 4 내지 도 17을 참조하여, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)의 제조 방법에 대하여 설명한다. Hereinafter, a method for manufacturing a circuit board (10A) according to one embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 17.
도 4 내지 도 16은 일 실시예에 따른 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. FIGS. 4 to 16 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a circuit board according to one embodiment.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)을 제조하기 위한 기초 자재인 캐리어 보드를 준비할 수 있다. 캐리어 보드는 캐리어 절연층(510) 및 캐리어 절연층(510)의 일면에 배치된 캐리어 도전층(520)을 포함할 수 있다. 캐리어 도전층(520)은 캐리어 절연층(510)의 일면에 배치될 수 있고, 이와 다르게 양면에 모두 배치될 수 있다. 캐리어 절연층(510)의 양면에 캐리어 도전층(520)이 모두 배치되는 경우, 이하의 공정에서, 캐리어 보드가 제거되기 전까지, 캐리어 보드의 양측에서 각각 회로 기판의 제조 공정이 진행될 수 있다. 캐리어 도전층(520)은 캐리어 절연층(510)의 표면에 무전해 도금을 진행하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, a carrier board, which is a basic material for manufacturing a circuit board (10A) according to one embodiment, may be prepared. The carrier board may include a carrier insulating layer (510) and a carrier conductive layer (520) disposed on one surface of the carrier insulating layer (510). The carrier conductive layer (520) may be disposed on one surface of the carrier insulating layer (510), or alternatively, may be disposed on both surfaces. When the carrier conductive layer (520) is disposed on both surfaces of the carrier insulating layer (510), in the following process, a circuit board manufacturing process may be performed on both sides of the carrier board before the carrier board is removed. The carrier conductive layer (520) may be formed by performing electroless plating on the surface of the carrier insulating layer (510).
또한, 도 4를 참조하면, 캐리어 도전층(520) 상에 제4 회로층(124)을 형성할 수 있다. 제4 회로층(124)은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 일 예로, 제4 회로층(124)은 캐리어 도전층(520) 상에 포토레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정으로 포토레지스트를 패터닝한 후, 패터닝된 영역을 도금하여 채우고, 포토레지스트를 박리하여 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 회로 기판에서 패턴을 구성할 수 있는 공법이라면 제한없이 이용 가능하다. Also, referring to FIG. 4, a fourth circuit layer (124) can be formed on the carrier conductive layer (520). The fourth circuit layer (124) can be formed through a plating process. For example, the fourth circuit layer (124) can be formed by forming a photoresist on the carrier conductive layer (520), patterning the photoresist through an exposure and development process, filling the patterned area with plating, and then peeling off the photoresist. However, the present invention is not limited thereto, and any method capable of forming a pattern on a circuit board can be used without limitation.
도 5 를 참조하면, 캐리어 도전층(520)과 제4 회로층(124)이 매립되도록 제3 절연층부(113)를 형성할 수 있다. 제3 절연층부(113)는 Prepreg(PPG), ABF(Ajinomoto build-up film), RCC(Resin Coated Copper foil) 등의 재료를 이용하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, a third insulating layer portion (113) can be formed so that a carrier conductive layer (520) and a fourth circuit layer (124) are buried. The third insulating layer portion (113) can be formed using materials such as Prepreg (PPG), ABF (Ajinomoto build-up film), and RCC (Resin Coated Copper foil).
도 5를 참조하면, 제3 절연층부(113)를 관통하여 제3 비아홀(1331)을 형성할 수 있다. 제3 비아홀(1331)은 레이저, 기계적 드릴 가공 등에 의해 형성될 수 있다.Referring to Fig. 5, a third via hole (1331) can be formed by penetrating the third insulating layer (113). The third via hole (1331) can be formed by laser, mechanical drilling, or the like.
또한, 제3 절연층부(113)의 일면 상에 제5 도전층 형성층(P1231)을 형성할 수 있다. 제5 도전층 형성층(P1231)은 제3 절연층부(113)의 일면 상에 무전해 도금을 진행하여 형성될 수 있다. 도 5에서는, 무전해 도금층인 제5 도전층 형성층(P1231)이 제3 절연층부(113)의 일면 상에만 위치하는 것으로 도시되었지만, 제3 비아홀(133)의 내측면에도 무전해 도금층이 위치할 수 있다.In addition, a fifth conductive layer formation layer (P1231) may be formed on one surface of the third insulating layer portion (113). The fifth conductive layer formation layer (P1231) may be formed by performing electroless plating on one surface of the third insulating layer portion (113). In Fig. 5, the fifth conductive layer formation layer (P1231), which is an electroless plating layer, is illustrated as being positioned only on one surface of the third insulating layer portion (113), but an electroless plating layer may also be positioned on the inner surface of the third via hole (133).
도 6을 참조하면, 제5 도전층 형성층(P1231) 상에 제6 도전층(1232)을 형성할 수 있다. 제6 도전층(1232)은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제3 비아홀(1331)에 도전성 물질을 충전하여 제3 비아 전극(133)을 형성할 수 있다. Referring to Fig. 6, a sixth conductive layer (1232) can be formed on a fifth conductive layer formation layer (P1231). The sixth conductive layer (1232) can be formed through a plating process. In addition, a third via electrode (133) can be formed by filling a third via hole (1331) with a conductive material.
일 예로, 제6 도전층(1232) 및 제3 비아 전극(133)은 제5 도전층 형성층(P1231) 상에 포토레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정으로 포토레지스트를 패터닝한 후, 패터닝된 영역을 도금하여 채우고, 포토레지스트를 박리하여 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 회로 기판에서 패턴을 구성할 수 있는 공법이라면 제한없이 이용 가능하다. For example, the sixth conductive layer (1232) and the third via electrode (133) can be formed by forming a photoresist on the fifth conductive layer formation layer (P1231), patterning the photoresist through an exposure and development process, filling the patterned area with plating, and then peeling off the photoresist. However, this is not limited to this, and any method capable of forming a pattern on a circuit board can be used without limitation.
도 7을 참조하면, 제5 도전층 형성층(P1231)의 일부를 제거하여 제5 도전층(1231)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제5 도전층(1231)과 제6 도전층(1232)을 포함하는 제3 회로층(123)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제5 도전층(1231)은 플래쉬 에칭을 통해 제거될 수 있다.Referring to FIG. 7, a portion of the fifth conductive layer formation layer (P1231) may be removed to form a fifth conductive layer (1231). Accordingly, a third circuit layer (123) including the fifth conductive layer (1231) and the sixth conductive layer (1232) may be formed. For example, the fifth conductive layer (1231) may be removed through flash etching.
그리고, 제5 도전층(1231)과 제6 도전층(1232)이 매립되도록 제1 절연층부(111)를 형성할 수 있다. 제1 절연층부(111)는 Prepreg(PPG), ABF(Ajinomoto build-up film), RCC(Resin Coated Copper foil) 등의 재료를 이용하여 형성될 수 있다. And, a first insulating layer portion (111) can be formed so that the fifth conductive layer (1231) and the sixth conductive layer (1232) are buried. The first insulating layer portion (111) can be formed using materials such as Prepreg (PPG), ABF (Ajinomoto build-up film), and RCC (Resin Coated Copper foil).
또한, 도 7을 참조하면, 제1 도전층 형성층(P1211)과 제1 절연층부(111)를 관통하여 제2 비아홀(1321)을 형성할 수 있다. 제2 비아홀(1321)은 레이저, 기계적 드릴 가공 등에 의해 형성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 7, a second via hole (1321) can be formed by penetrating the first conductive layer forming layer (P1211) and the first insulating layer portion (111). The second via hole (1321) can be formed by laser, mechanical drilling, or the like.
그리고, 제1 절연층부(111)의 일면 상에 제1 도전층 형성층(P1211)을 형성할 수 있다. 제1 도전층 형성층(P1211)은 제1 절연층부(111)의 일면 상에 무전해 도금을 진행하여 형성될 수 있다. 도 7에서는, 무전해 도금층인 제1 도전층 형성층(P1211)이 제1 절연층부(111)의 일면 상에만 위치하는 것으로 도시되었지만, 제2 비아홀(1321)의 내측면에도 무전해 도금층이 위치할 수 있다.And, a first conductive layer formation layer (P1211) can be formed on one surface of the first insulating layer portion (111). The first conductive layer formation layer (P1211) can be formed by performing electroless plating on one surface of the first insulating layer portion (111). In Fig. 7, the first conductive layer formation layer (P1211), which is an electroless plating layer, is illustrated as being positioned only on one surface of the first insulating layer portion (111), but an electroless plating layer may also be positioned on the inner surface of the second via hole (1321).
도 8을 참조하면, 제1 도전층 형성층(P1211)의 일면 상에 마스크층(530)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 제2 스토퍼층(2200)이 형성될 영역을 제외한 부분에, 마스크층(530)을 형성할 수 있다. 마스크층(530)은 드라이 필름을 포함하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, a mask layer (530) may be formed on one surface of the first conductive layer formation layer (P1211). Specifically, the mask layer (530) may be formed in a portion excluding the area where the second stopper layer (2200) is to be formed. The mask layer (530) may be formed by including a dry film.
그리고, 제1 절연층부(111) 상에 제2 스토퍼층(2200)을 형성할 수 있다. 제2 스토퍼층(2200)은 제2 금속을 포함하여 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 금속은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 제2 스토퍼층(2200)은 제1 도전층 형성층(P1211) 상에 형성될 수 있다. 제1 도전층 형성층(P1211)은 제2 금속과 상이한 제1 금속을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 금속은 구리(Cu)를 포함할 수 있다. And, a second stopper layer (2200) can be formed on the first insulating layer portion (111). The second stopper layer (2200) can be formed including a second metal. For example, the second metal can include nickel (Ni). The second stopper layer (2200) can be formed on the first conductive layer forming layer (P1211). The first conductive layer forming layer (P1211) can include a first metal different from the second metal. For example, the first metal can include copper (Cu).
도 9를 참조하면, 제2 비아홀(1321)에 도전성 물질을 충전하여 제2 비아 전극(132)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 9, a second via electrode (132) can be formed by filling a conductive material into a second via hole (1321).
또한, 도 9를 참조하면, 마스크층(530)을 제거하고, 제1 도전층 형성층(P1211)의 일부와 제2 스토퍼층(2200) 상에 제2 도전층(1212)을 형성할 수 있다. 제2 도전층(1212)은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 제2 도전층(1212)의 하부면(S1212)이 제2 스토퍼층(2200)의 하부면과 실질적으로 동일한 레벨을 갖도록 제2 도전층(1212)을 형성할 수 있다. 제1 절연층부(111)의 상부면을 기준으로, 제2 도전층(1212)의 하부면(S1212)과 제2 스토퍼층(2200)의 하부면은 실질적으로 동일한 거리에 위치할 수 있다.Also, referring to FIG. 9, the mask layer (530) may be removed, and a second conductive layer (1212) may be formed on a portion of the first conductive layer forming layer (P1211) and the second stopper layer (2200). The second conductive layer (1212) may be formed through a plating process. The second conductive layer (1212) may be formed so that the lower surface (S1212) of the second conductive layer (1212) has substantially the same level as the lower surface of the second stopper layer (2200). Based on the upper surface of the first insulating layer portion (111), the lower surface (S1212) of the second conductive layer (1212) and the lower surface of the second stopper layer (2200) may be positioned at substantially the same distance.
일 예로, 제2 도전층(1212)은 제1 도전층 형성층(P1211) 상에 포토레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정으로 포토레지스트를 패터닝한 후, 패터닝된 영역을 도금하여 채우고, 포토레지스트를 박리하여 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 회로 기판에서 패턴을 구성할 수 있는 공법이라면 제한없이 이용 가능하다. For example, the second conductive layer (1212) can be formed by forming a photoresist on the first conductive layer formation layer (P1211), patterning the photoresist through an exposure and development process, filling the patterned area with plating, and then peeling off the photoresist. However, this is not limited to this, and any method capable of forming a pattern on a circuit board can be used without limitation.
여기서, 제1 패드(121a)를 포함하도록 제2 도전층(1212)을 형성할 수 있다. 제1 패드(121a)는 제2 스토퍼층(2200) 상에 형성될 수 있다. 제2 도전층(1212)은 제1 패드(121a)와 제1 패드(121a) 주위에 배치된 패턴부를 포함하도록 형성될 수 있다. 제1 패드(121a)는 제2 도전층(1212)의 일부를 포함하도록 형성될 수 있다.Here, a second conductive layer (1212) can be formed to include a first pad (121a). The first pad (121a) can be formed on the second stopper layer (2200). The second conductive layer (1212) can be formed to include the first pad (121a) and a pattern portion arranged around the first pad (121a). The first pad (121a) can be formed to include a portion of the second conductive layer (1212).
도 10을 참조하면, 제1 도전층 형성층(P1211)의 일부를 제거하여 제1 도전층(1211) 및 제1 스토퍼층(2100)을 형성할 수 있다. 제1 스토퍼층(2100)과 동일한 물질을 포함하여 제1 도전층(1211)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층부(111) 상에 제1 도전층(1211)과 제2 도전층(1212)을 포함하는 제1 회로층(121)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 10, a portion of the first conductive layer forming layer (P1211) may be removed to form a first conductive layer (1211) and a first stopper layer (2100). The first conductive layer (1211) may be formed by including the same material as the first stopper layer (2100). Accordingly, a first circuit layer (121) including the first conductive layer (1211) and the second conductive layer (1212) may be formed on the first insulating layer portion (111).
제1 패드(121a)는 제1 패드(121a)의 하부면(S121a)이 제1 회로층(121)의 하부면(S121)보다 높은 레벨에 위치하도록 형성될 수 있다. 제1 패드(121a)는 제1 패드(121a)의 하부면(S121a)이 제1 회로층(121)의 하부면(S121)보다 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 먼 거리에 위치하도록 형성될 수 있다. The first pad (121a) may be formed so that the lower surface (S121a) of the first pad (121a) is positioned at a higher level than the lower surface (S121) of the first circuit layer (121). The first pad (121a) may be formed so that the lower surface (S121a) of the first pad (121a) is positioned at a greater distance from the upper surface of the first insulating layer portion (111) than the lower surface (S121) of the first circuit layer (121).
일 예로, 제1 도전층(1211)은 플래쉬 에칭을 통해 제거될 수 있다.For example, the first challenge layer (1211) can be removed through flash etching.
제1 스토퍼층(2100)은 제1 금속을 포함하여 형성될 수 있다. 제1 금속은 동일한 물질에 대해 제2 금속과 상이한 식각 선택비를 갖는 물질일 수 있다. 제1 금속은 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 제1 스토퍼층(2100)은 제1 절연층부(111) 상에 형성될 수 있다. 제1 스토퍼층(2100)은 제2 스토퍼층(2200)과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 제1 스토퍼층(2100)은 제2 스토퍼층과 적층 방향으로 중첩할 수 있다. The first stopper layer (2100) may be formed by including a first metal. The first metal may be a material having a different etching selectivity from the second metal for the same material. The first metal may include copper (Cu). The first stopper layer (2100) may be formed on the first insulating layer portion (111). The first stopper layer (2100) may have a shape corresponding to that of the second stopper layer (2200). The first stopper layer (2100) may overlap the second stopper layer in the lamination direction.
도 11을 참조하면, 제1 회로층(121), 제1 스토퍼층(2100), 및 제2 스토퍼층(2200)이 매립되도록 제2 절연층부(112)를 형성할 수 있다. 제1 패드(121a)가 매립되도록 제1 절연층부(111) 상에 적층하여 제2 절연층부(112)를 형성할 수 있다. 제2 절연층부(112)는 Prepreg(PPG), ABF(Ajinomoto build-up film), RCC(Resin Coated Copper foil) 등의 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층부(111), 제2 절연층부(112), 및 제3 절연층부(113)를 포함하는 절연층(110)을 형성할 수 있다. 실시예에서는 절연층이 3개의 층을 포함하는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다.Referring to Fig. 11, a second insulating layer portion (112) can be formed so that a first circuit layer (121), a first stopper layer (2100), and a second stopper layer (2200) are embedded. A first pad (121a) can be laminated on the first insulating layer portion (111) to form a second insulating layer portion (112) so that it is embedded. The second insulating layer portion (112) can be formed using a material such as Prepreg (PPG), ABF (Ajinomoto build-up film), RCC (Resin Coated Copper foil), etc. Accordingly, an insulating layer (110) including a first insulating layer portion (111), a second insulating layer portion (112), and a third insulating layer portion (113) can be formed. In the embodiment, the insulating layer is illustrated as including three layers, but is not limited thereto.
또한, 도 11을 참조하면, 제3 도전층 형성층(P1221)과 제2 절연층부(112)를 관통하여 제1 비아홀(1311)을 형성할 수 있다. 제1 비아홀(1311)은 레이저, 기계적 드릴 가공 등에 의해 형성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 11, a first via hole (1311) can be formed by penetrating the third conductive layer forming layer (P1221) and the second insulating layer portion (112). The first via hole (1311) can be formed by laser, mechanical drilling, or the like.
그리고, 제2 절연층부(112)의 일면 상에 제3 도전층 형성층(P1221)을 형성할 수 있다. 제3 도전층 형성층(P1221)은 제2 절연층부(112)의 일면 상에 무전해 도금을 진행하여 형성될 수 있다. 도 11에서는, 무전해 도금층인 제3 도전층 형성층(P1221)이 제2 절연층부(112)의 일면 상에만 위치하는 것으로 도시되었지만, 제1 비아홀(1311)의 내측면에도 무전해 도금층이 위치할 수 있다.And, a third conductive layer formation layer (P1221) can be formed on one surface of the second insulating layer portion (112). The third conductive layer formation layer (P1221) can be formed by performing electroless plating on one surface of the second insulating layer portion (112). In Fig. 11, the third conductive layer formation layer (P1221), which is an electroless plating layer, is illustrated as being positioned only on one surface of the second insulating layer portion (112), but an electroless plating layer may also be positioned on the inner surface of the first via hole (1311).
도 11 및 도 12를참조하면, 제3 도전층 형성층(P1221) 상에 제4 도전층(1222)을 형성할 수 있다. 제4 도전층(1222)은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제1 비아홀(1311)에 도전성 물질을 충전하여 제1 비아 전극(131)을 형성할 수 있다. Referring to FIGS. 11 and 12, a fourth conductive layer (1222) can be formed on a third conductive layer formation layer (P1221). The fourth conductive layer (1222) can be formed through a plating process. In addition, a first via electrode (131) can be formed by filling a first via hole (1311) with a conductive material.
일 예로, 제4 도전층(1222) 및 제1 비아 전극(131)은 제3 도전층 형성층(P1221) 상에 포토레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정으로 포토레지스트를 패터닝한 후, 패터닝된 영역을 도금하여 채우고, 포토레지스트를 박리하여 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 회로 기판에서 패턴을 구성할 수 있는 공법이라면 제한없이 이용 가능하다. For example, the fourth conductive layer (1222) and the first via electrode (131) can be formed by forming a photoresist on the third conductive layer formation layer (P1221), patterning the photoresist through an exposure and development process, filling the patterned area with plating, and then peeling off the photoresist. However, the present invention is not limited thereto, and any method capable of forming a pattern on a circuit board can be used without limitation.
그리고, 도 12를 참조하면, 제3 도전층 형성층(P1221)의 일부를 제거하여 제3 도전층(1221)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제3 도전층(1221)과 제4 도전층(1222)을 포함하는 제2 회로층(122)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제3 도전층(1221)은 플래쉬 에칭을 통해 제거될 수 있다. And, referring to FIG. 12, a portion of the third conductive layer formation layer (P1221) may be removed to form a third conductive layer (1221). Accordingly, a second circuit layer (122) including the third conductive layer (1221) and the fourth conductive layer (1222) may be formed. For example, the third conductive layer (1221) may be removed through flash etching.
여기서, 제2 패드(122a)를 포함하도록 제2 회로층(122)을 형성할 수 있다. 제2 패드(122a)는 절연층(110)의 일면에서 절연층(110)으로부터 노출되도록 형성될 수 있다. 제2 회로층(122)은 제2 패드(122a)와 제2 패드(122a) 주위에 배치된 패턴부를 포함하도록 형성될 수 있다. 제2 패드(122a)는 제3 도전층(1221)의 일부와 제4 도전층(1222)의 일부를 포함하도록 형성될 수 있다. 제2 패드(122a)는 무전해 도금층과 전해 도금층이 적층되어 형성될 수 있다.Here, a second circuit layer (122) can be formed to include a second pad (122a). The second pad (122a) can be formed to be exposed from the insulating layer (110) on one surface of the insulating layer (110). The second circuit layer (122) can be formed to include the second pad (122a) and a pattern portion arranged around the second pad (122a). The second pad (122a) can be formed to include a portion of the third conductive layer (1221) and a portion of the fourth conductive layer (1222). The second pad (122a) can be formed by stacking an electroless plating layer and an electrolytic plating layer.
또한, 캐리어 절연층(510)과 캐리어 도전층(520)을 제거할 수 있다. 예를 들어, 캐리어 도전층(520)은 퀵 에칭을 통해 제거될 수 있다. 이에 따라, 절연층(110)의 타면에서 노출되는 제4 회로층(124)의 일 부분인 제3 패드(124a)를 형성할 수 있다. 다시 말해, 제4 회로층(124)은 제3 패드(124a)를 포함하도록 형성될 수 있다. 도 12에서는, 제4 회로층(124)이 절연층(110)의 타면에서 노출되는 것으로 도시되어 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제4 회로층(124)은 제3 패드(124a)와 제3 패드(124a) 주위에 배치된 패턴부를 포함하도록 형성될 수 있다. 제3 패드(124a)는 전해 도금층을 포함하도록 형성될 수 있다.In addition, the carrier insulating layer (510) and the carrier conductive layer (520) can be removed. For example, the carrier conductive layer (520) can be removed through quick etching. Accordingly, a third pad (124a), which is a portion of the fourth circuit layer (124) exposed on the other surface of the insulating layer (110), can be formed. In other words, the fourth circuit layer (124) can be formed to include the third pad (124a). In FIG. 12, the fourth circuit layer (124) is illustrated as being exposed on the other surface of the insulating layer (110), but is not limited thereto, and the fourth circuit layer (124) can be formed to include the third pad (124a) and a pattern portion disposed around the third pad (124a). The third pad (124a) can be formed to include an electroplating layer.
도 13을 참조하면, 제2 절연층부(112) 상에 제2 회로층(122)의 일부를 노출하도록 제1 보호층(141)을 형성할 수 있다. 제3 절연층부(113) 상에 제4 회로층(124)의 일부를 노출하도록 제2 보호층(142)을 형성할 수 있다. 제1 보호층(141) 및 제2 보호층(142)은 노광 및 현상 과정을 통해 형성될 수 있다. 제1 보호층(141)은 제2 회로층(122)의 일부를 노출하는 개구를 구비할 수 있다. 제2 보호층(142)은 제4 회로층(124)의 일부를 노출하는 개구를 구비할 수 있다. 제1 보호층(141)과 제2 보호층(142)은 솔더 레지스트층일 수 있다.Referring to FIG. 13, a first protective layer (141) may be formed on a second insulating layer portion (112) to expose a portion of a second circuit layer (122). A second protective layer (142) may be formed on a third insulating layer portion (113) to expose a portion of a fourth circuit layer (124). The first protective layer (141) and the second protective layer (142) may be formed through exposure and development processes. The first protective layer (141) may have an opening that exposes a portion of the second circuit layer (122). The second protective layer (142) may have an opening that exposes a portion of the fourth circuit layer (124). The first protective layer (141) and the second protective layer (142) may be solder resist layers.
도 14을 참조하면, 절연층(110)의 타면에서 제1 스토퍼층(2100)까지 절연층(110)의 일부를 제거하여 제1 캐비티 형성부(110a1)를 형성할 수 있다. 일 예로, 절연층(110)은 CO2 레이저를 통해 일부가 제거될 수 있다. 레이저 가공 시 제1 스토퍼층(2100)까지 가공함에 따라, 절연층(110)의 제1 스토퍼층(2100) 상에 위치하는 부분이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이를 위하여 제1 캐비티 형성부(110a1)의 적층방향과 수직한 방향에 따른 면적은 제1 스토퍼층(2100)의 면적보다 작을 수 있다. 다시 말해, 제1 캐비티 형성부의 적층방향과 수직한 방향에 따른 폭은 제1 스토퍼층(2100)의 폭보다 작을 수 있다. Referring to FIG. 14, a first cavity forming portion (110a1) may be formed by removing a portion of the insulating layer (110) from the other surface of the insulating layer (110) to the first stopper layer (2100). For example, a portion of the insulating layer (110) may be removed using a CO 2 laser. By processing up to the first stopper layer (2100) during laser processing, the portion of the insulating layer (110) located on the first stopper layer (2100) may be prevented from being damaged. To this end, the area of the first cavity forming portion (110a1) in a direction perpendicular to the stacking direction may be smaller than the area of the first stopper layer (2100). In other words, the width of the first cavity forming portion in a direction perpendicular to the stacking direction may be smaller than the width of the first stopper layer (2100).
도 15를 참조하면, 제1 스토퍼층(2100)의 제1 캐비티 형성부(110a1) 내에 노출된 부분을 식각하여 제거하여 제1 금속층(210)과 제2 캐비티 형성부(110a2)를 형성할 수 있다. 제2 캐비티 형성부(110a2)를 형성하는 것은 제1 스토퍼층(2100)의 노출된 부분을 제거하고 제1 캐비티 형성부(110a1)의 가장자리를 따라 남은 제1 금속층(210)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 제1 금속층(210)은 캐비티를 둘러싸도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 15, the exposed portion within the first cavity forming portion (110a1) of the first stopper layer (2100) may be etched and removed to form a first metal layer (210) and a second cavity forming portion (110a2). Forming the second cavity forming portion (110a2) may include removing the exposed portion of the first stopper layer (2100) and forming the remaining first metal layer (210) along the edge of the first cavity forming portion (110a1). The first metal layer (210) may be formed to surround the cavity.
식각 공정은 건식 식각(dry etching) 또는 습식 식각(wet etching)을 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예로, 제1 스토퍼층(2100)의 식각 대상인 영역을 제외한 나머지 영역에 에칭레지스트를 형성하고, 식각 대상인 제1 스토퍼층(2100)의 일부를 식각하여 제거할 수 있다. 에칭레지스트는 드라이 필름을 포함할 수 있다.The etching process may utilize dry etching or wet etching, but is not limited thereto. For example, an etching resist may be formed in an area other than the area to be etched of the first stopper layer (2100), and a portion of the first stopper layer (2100) to be etched may be removed by etching. The etching resist may include a dry film.
도 16을 참조하면, 제2 스토퍼층(2200)의 제2 캐비티 형성부(110a2) 내에 노출된 부분을 제거하여 제2 금속층(220)과 캐비티(110a)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)을 포함하는 금속 패턴층(200)을 형성할 수 있다. 캐비티(110a)를 형성하는 것은 제2 스토퍼층(2200)의 노출된 부분을 제거하고 제2 캐비티 형성부(110a2)의 가장자리를 따라 남은 제2 금속층(220)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 제2 금속층(220)은 캐비티(110a)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제2 금속층(220)은 제1 금속층(210)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 제2 금속층(220)은 적층 방향으로 제1 금속층(210)과 중첩하도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 16, a second metal layer (220) and a cavity (110a) can be formed by removing an exposed portion within the second cavity forming portion (110a2) of the second stopper layer (2200). Accordingly, a metal pattern layer (200) including the first metal layer (210) and the second metal layer (220) can be formed. Forming the cavity (110a) may include removing the exposed portion of the second stopper layer (2200) and forming the remaining second metal layer (220) along the edge of the second cavity forming portion (110a2). The second metal layer (220) may be formed to surround the cavity (110a). The second metal layer (220) may be formed at a position corresponding to the first metal layer (210). The second metal layer (220) can be formed to overlap the first metal layer (210) in the lamination direction.
제1 패드(121a)는 제1 패드(121a)의 하부면(S121a)이 제2 금속층(220)의 하부면(S220)보다 높은 레벨에 위치하도록 형성될 수 있다. 제1 패드(121a)는 제1 패드(121a)의 하부면(S121a)이 제2 금속층(220)의 하부면(S220)보다 제1 절연층부(111)의 상부면으로부터 먼 거리에 위치하도록 형성될 수 있다.The first pad (121a) may be formed so that the lower surface (S121a) of the first pad (121a) is positioned at a higher level than the lower surface (S220) of the second metal layer (220). The first pad (121a) may be formed so that the lower surface (S121a) of the first pad (121a) is positioned at a greater distance from the upper surface of the first insulating layer portion (111) than the lower surface (S220) of the second metal layer (220).
식각 공정은 건식 식각(dry etching) 또는 습식 식각(wet etching)을 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예로, 제1 스토퍼층(2100)의 식각 대상인 영역을 제외한 나머지 영역에 에칭레지스트를 형성하고, 식각 대상인 제1 스토퍼층(2100)의 일부를 식각하여 제거할 수 있다. 에칭레지스트는 드라이 필름을 포함할 수 있다.The etching process may utilize dry etching or wet etching, but is not limited thereto. For example, an etching resist may be formed in an area other than the area to be etched of the first stopper layer (2100), and a portion of the first stopper layer (2100) to be etched may be removed by etching. The etching resist may include a dry film.
일 예로, 제1 식각액을 이용하여 제1 스토퍼층(2100)을 식각하고, 제1 식각액과 다른 제2 식각액을 이용하여 제2 스토퍼층(2200)을 식각할 수 있다. 제1 스토퍼층(2100)과 제2 스토퍼층(2200)은 서로 다른 식각액에 의하여 선택적으로 제거가 가능한 금속 물질을 포함할 수 있으며, 상술한 바와 같이 예컨대 제1 스토퍼층(2100)은 제1 금속 포함하고, 제2 스토퍼층(2200)은 제1 금속과 상이한 식각 선택비를 갖는 제2 금속을 포함할 수 있다. 따라서, 서로 다른 식각 선택비를 갖는 금속을 이용하여 제1 스토퍼층(2100)과 제2 스토퍼층(2200)을 순차적으로 제거할 수 있어 제1 패드(121a)를 손상없이 절연층(110)으로부터 노출시킬 수 있다.For example, the first stopper layer (2100) can be etched using a first etchant, and the second stopper layer (2200) can be etched using a second etchant that is different from the first etchant. The first stopper layer (2100) and the second stopper layer (2200) can include metal materials that can be selectively removed by different etchants, and as described above, for example, the first stopper layer (2100) can include a first metal, and the second stopper layer (2200) can include a second metal having an etching selectivity different from that of the first metal. Therefore, the first stopper layer (2100) and the second stopper layer (2200) can be sequentially removed using metals having different etching selectivities, thereby exposing the first pad (121a) from the insulating layer (110) without damage.
또한, 도 16과 함께 도 1을 참조하면, 절연층(110)의 외부로 노출된 회로층의 일 부분을 커버하도록 제1 내지 제3 표면처리층(151, 152, 153)을 형성하여, 도 1에서와 같은 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)을 형성할 수 있다. 제1 패드(121a) 상에 제1 표면처리층(151)을 형성할 수 있다. 제2 패드(122a) 상에 제2 표면처리층(152)을 형성할 수 있다. 제3 패드(124a) 상에 제3 표면처리층(153)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제3 표면처리층(151, 152, 153)은 ENEPIG(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold), ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) 방식 등으로 형성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 1 together with FIG. 16, the first to third surface treatment layers (151, 152, 153) may be formed to cover a portion of the circuit layer exposed to the outside of the insulating layer (110), thereby forming a circuit board (10A) according to an embodiment as in FIG. 1. The first surface treatment layer (151) may be formed on the first pad (121a). The second surface treatment layer (152) may be formed on the second pad (122a). The third surface treatment layer (153) may be formed on the third pad (124a). For example, the first to third surface treatment layers (151, 152, 153) may be formed using an ENEPIG (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold) method, an ENIG (Electroless Nickel Immersion Gold) method, or the like.
적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 패드(121a)는 제1 회로층(121)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 패드(121a)는 제2 도전층(1212)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 금속 패턴층(200)은 제1 회로층(121)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 적층 방향으로의 두께에 있어서, 제1 금속층(210)은 제1 도전층(1211)의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.In terms of thickness in the stacking direction, the first pad (121a) may be formed to have a thickness smaller than the thickness of the first circuit layer (121). In terms of thickness in the stacking direction, the first pad (121a) may be formed to have a thickness smaller than the thickness of the second conductive layer (1212). In terms of thickness in the stacking direction, the metal pattern layer (200) may be formed to have a thickness smaller than the thickness of the first circuit layer (121). In terms of thickness in the stacking direction, the first metal layer (210) may be formed to have a thickness substantially the same as the thickness of the first conductive layer (1211).
도 16과 함께, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 금속층(210)은, 제1 스토퍼층(2100)이 식각되어 형성됨에 따라, 제2 절연층부(112)의 측면보다 내측으로 들어가도록 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 금속층(210)은 습식 식각 공정에 의해 곡면의 경사면을 가질 수 있다. 제1 금속층(210)은 캐비티(110a)를 향해 노출된 일면이 적층 방향과 나란한 기준선에 대해 경사진 경사면을 포함하도록 형성될 수 있다. 제1 금속층(210)은 곡선형으로 경사진 경사면을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 제2 금속층(220)은, 제2 스토퍼층(2200)이 식각되어 형성됨에 따라, 제2 절연층부(112)의 측면보다 내측으로 들어가도록 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 금속층(220)은 습식 식각 공정에 의해 곡면의 경사면을 가질 수 있다. 제2 금속층(220)은 캐비티(110a)를 향해 노출된 일면이 적층 방향과 나란한 기준선에 대해 경사진 경사면을 포함하도록 형성될 수 있다. 제2 금속층(220)은 곡선형으로 경사진 경사면을 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1 and FIG. 2, along with FIG. 16, the first metal layer (210) may be formed to be recessed inwardly from the side surface of the second insulating layer portion (112) as the first stopper layer (2100) is etched and formed. For example, the first metal layer (210) may have a curved slope by a wet etching process. The first metal layer (210) may be formed such that one surface exposed toward the cavity (110a) includes a sloped slope with respect to a reference line parallel to the stacking direction. The first metal layer (210) may be formed to have a curved sloped slope. In addition, the second metal layer (220) may be formed to be recessed inwardly from the side surface of the second insulating layer portion (112) as the second stopper layer (2200) is etched and formed. For example, the second metal layer (220) may have a curved slope by a wet etching process. The second metal layer (220) may be formed such that one surface exposed toward the cavity (110a) includes a sloped slope with respect to a reference line parallel to the stacking direction. The second metal layer (220) may be formed to have a curved sloped slope.
일 실시예에 따른 회로 기판의 제조 방법에 의하면, 각각 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 식각 정지층으로 이용함으로써, 공정의 효율성을 높일 수 있고 보다 용이하게 캐비티에서 패드가 노출되도록 형성할 수 있고, 이에 따라 회로 기판을 보다 박형으로 형성할 수 있다.According to a method for manufacturing a circuit board according to one embodiment, by using a plurality of metal layers each containing a different metal as an etching stop layer, the efficiency of the process can be increased, and pads can be formed to be exposed more easily in a cavity, thereby forming a circuit board in a thinner shape.
이하에서는, 도 17을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 부품 패키지에 대해 설명한다. 도 17은 일 실시예에 따른 전자 부품 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.Hereinafter, an electronic component package according to one embodiment will be described with reference to FIG. 17. FIG. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating an electronic component package according to one embodiment.
도 17을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 부품 패키지(20)는, 제1 회로 기판(10)을 포함할 수 있다. 제1 회로 기판(10)은 상술한 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)을 포함할 수 있다. 이하에서, 제1 회로 기판(10)에 대한 설명은 상술한 일 실시예에 따른 회로 기판(10A)에 관한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.Referring to FIG. 17, an electronic component package (20) according to one embodiment may include a first circuit board (10). The first circuit board (10) may include the circuit board (10A) according to the above-described embodiment. Hereinafter, the description of the first circuit board (10) may be equally applied to the description of the circuit board (10A) according to the above-described embodiment.
일 실시예에 따른 전자 부품 패키지(20)는, 제1 회로 기판(10), 제2 회로 기판(21), 전자 부품(22), 봉합재(23), 전도성부재(24), 및 전극(25)을 포함할 수 있다. 제2 회로 기판(21)은 제1 회로 기판(10)과 연결될 수 있다. 제1 회로 기판(10)은 캐비티(110a)를 가지며, 캐비티(110a) 내에서 절연층(110)으로부터 노출된 제1 패드(121a)를 포함할 수 있다. 전자 부품(22)은 제1 회로 기판(10)의 패드부와 연결되도록 제1 회로 기판(10)의 일면에 실장될 수 있다. 전자 부품(22)은 캐비티(110a)의 내부에 수용될 수 있다. 봉합재(23)는 제1 및 제2 회로 기판(10, 21) 사이에 배치될 수 있다. 봉합재(23)는 전자 부품(22)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 전도성부재(24)는 제1 및 제2 회로 기판(10, 21)을 전기적으로 연결할 수 있다. 전극(25)은 제1 회로 기판(10)과 전자 부품(22)을 전기적으로 연결할 수 있다. An electronic component package (20) according to one embodiment may include a first circuit board (10), a second circuit board (21), an electronic component (22), an encapsulant (23), a conductive member (24), and an electrode (25). The second circuit board (21) may be connected to the first circuit board (10). The first circuit board (10) may have a cavity (110a) and may include a first pad (121a) exposed from an insulating layer (110) within the cavity (110a). The electronic component (22) may be mounted on one surface of the first circuit board (10) so as to be connected to the pad portion of the first circuit board (10). The electronic component (22) may be accommodated within the cavity (110a). The encapsulant (23) may be disposed between the first and second circuit boards (10, 21). The sealant (23) can cover at least a portion of the electronic component (22). The conductive member (24) can electrically connect the first and second circuit boards (10, 21). The electrode (25) can electrically connect the first circuit board (10) and the electronic component (22).
제2 회로 기판(21)은 전자 부품(22)이 실장되는 회로 기판으로, 절연층, 배선층, 비아층 및 솔더레지스트층을 포함할 수 있다. The second circuit board (21) is a circuit board on which electronic components (22) are mounted, and may include an insulating layer, a wiring layer, a via layer, and a solder resist layer.
일 예로, 전자 부품(22)은 소자 수백 내지 수백만 개 이상이 하나의 칩 안에 집적화된 집적회로(IC: Integrated Circuit) 다이일 수 있다. 예를 들면, 전자 부품(22)은 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 필드 프로그램어블 게이트 어레이(FPGA), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 프로세서칩, 구체적으로는 어플리케이션 프로세서(AP: Application Processor)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외에도 기타 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리나, 아날로그-디지털 컨버터, 또는 ASIC(application-specific IC) 등의 로직 등일 수도 있다. 필요에 따라서는, 전자 부품(22)은 칩 형태의 수동부품, 예를 들면, MLCC(Multi-Layer Ceramic Capacitor)와 같은 칩 형태의 커패시터, PI(Power Inductor)와 같은 칩 형태의 인덕터 등일 수 있다. 전자 부품(22)은 봉합재(23)에 의해 덮일 수 있으며, 적어도 일면이 봉합재(23)와 물리적으로 접할 수 있다.For example, the electronic component (22) may be an integrated circuit (IC) die in which hundreds to millions of elements are integrated into a single chip. For example, the electronic component (22) may be a processor chip such as a central processor (e.g., a CPU), a graphic processor (e.g., a GPU), a field programmable gate array (FPGA), a digital signal processor, an encryption processor, a microprocessor, a microcontroller, or the like, specifically, an application processor (AP), but is not limited thereto, and may also be memory such as other volatile memories (e.g., DRAM), non-volatile memories (e.g., ROM), flash memories, or logic such as an analog-to-digital converter or an application-specific IC (ASIC). If necessary, the electronic component (22) may be a chip-type passive component, for example, a chip-type capacitor such as an MLCC (Multi-Layer Ceramic Capacitor), a chip-type inductor such as a PI (Power Inductor), etc. The electronic component (22) can be covered by a sealant (23), and at least one side can be in physical contact with the sealant (23).
봉합재(23)는 제1 회로 기판(10)의 일면 및 전자 부품(22)의 외면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 또한, 봉합재(23)는 캐비티(110a)의 적어도 일부를 채울 수 있으며, 이에 따라 전자 부품(22)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예를 들면, 봉합재(23)는 전자 부품(22)의 상면, 하면, 및 측면 각각의 적어도 일부와 물리적으로 접촉할 수 있다. 봉합재(23)는 경화 전 상태에서 유동성을 가지므로, 전자 부품(22)의 외면을 따라 흘러 캐비티(110a) 내부를 채울 수 있다. The sealant (23) can cover at least a portion of one surface of the first circuit board (10) and the outer surface of the electronic component (22). In addition, the sealant (23) can fill at least a portion of the cavity (110a), thereby covering at least a portion of the upper surface of the electronic component (22). For example, the sealant (23) can physically contact at least a portion of each of the upper surface, lower surface, and side surface of the electronic component (22). Since the sealant (23) has fluidity before being cured, it can flow along the outer surface of the electronic component (22) and fill the interior of the cavity (110a).
봉합재(23)의 재료로는 절연물질이 사용될 수 있으며, 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지나 폴리이미드와 같은 열가소성 수지가 이용될 수 있다. 또한, 이들 수지에 실리카 등의 무기필러가 포함된 것이 이용될 수도 있다. 예를 들면, 봉합재(23)의 재료로는 ABF(Ajinomoto Build-up Film)가 이용될 수 있다. ABF는 RCC(Resin Coated Copper) 형태로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서는, PIE(Photo Image-able Dielectric) 등의 감광성 재료가 이용될 수도 있다. 또한 봉합재(23)는 공지의 EMC(Epoxy Molding Compound)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.An insulating material may be used as the material of the sealant (23), and a thermosetting resin such as an epoxy resin or a thermoplastic resin such as a polyimide may be used as the insulating material. In addition, a resin containing an inorganic filler such as silica may be used. For example, ABF (Ajinomoto Build-up Film) may be used as the material of the sealant (23). ABF may be provided in the form of RCC (Resin Coated Copper), but is not limited thereto. If necessary, a photosensitive material such as PIE (Photo Image-able Dielectric) may be used. In addition, the sealant (23) may be a known EMC (Epoxy Molding Compound), but is not limited thereto.
전도성부재(24)는 제1 회로 기판(10)의 개구의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 전도성부재(24)는 제1 회로 기판(10)을 외부와 물리적 및/또는 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 전도성부재(24)는 제2 회로 기판(21)의 노출된 회로 패턴층과 제1 회로 기판(10)의 제3 패드(124a)를 전기적으로 연결할 수 있다. 전도성부재(24)는 각각 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금, 예를 들면, 솔더 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전도성부재(24)는 볼(ball), 랜드(land), 핀(pin) 또는 기둥 형상의 금속 포스트(Metal Post), 복수의 볼(ball)이 결합한 기둥 형상 등일 수 있다.The conductive member (24) may be arranged in at least a portion of the opening of the first circuit board (10). The conductive member (24) may physically and/or electrically connect the first circuit board (10) to the outside. For example, the conductive member (24) may electrically connect the exposed circuit pattern layer of the second circuit board (21) and the third pad (124a) of the first circuit board (10). The conductive members (24) may be formed of tin (Sn) or an alloy containing tin (Sn), for example, solder, but are not limited thereto. For example, the conductive member (24) may be a metal post in the shape of a ball, a land, a pin, or a pillar, or a pillar shape in which a plurality of balls are combined.
전극(25)은 제1 회로 기판(10)의 캐비티(110a)에 배치될 수 있다. 전극(25)은 제1 회로 기판(10)을 전자 부품(22)과 물리적 및/또는 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 전극(25)은 전자 부품(22)의 패드부와 제1 회로 기판(10)의 제1 패드(121a)를 전기적으로 연결할 수 있다.An electrode (25) may be placed in a cavity (110a) of a first circuit board (10). The electrode (25) may physically and/or electrically connect the first circuit board (10) to an electronic component (22). For example, the electrode (25) may electrically connect a pad portion of the electronic component (22) to a first pad (121a) of the first circuit board (10).
일 실시예에 따른 전자 부품 패키지에 따르면, 전자 부품이 수용되는 제1 회로 기판의 캐비티 내부에 패드부가 위치함에 따라, 전자 부품의 실장 공간을 확보하면서도 박형의 패키지를 제공할 수 있다.According to an electronic component package according to one embodiment, a pad portion is positioned inside a cavity of a first circuit board in which an electronic component is accommodated, thereby providing a thin package while securing a mounting space for the electronic component.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 청구범위와 발명의 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims, the description of the invention, and the attached drawings, and it is obvious that this also falls within the scope of the present invention.
10A, 10B: 회로 기판
20: 전자 부품 패키지
22: 전자 부품
110: 절연층
110a: 캐비티
200: 금속 패턴층
210: 제1 금속층,
220: 제2 금속층
2100: 제1 스토퍼층
2200: 제2 스토퍼층10A, 10B: Circuit board
20: Electronic component packages
22: Electronic components
110: Insulation layer
110a: Cavity
200: Metal pattern layer
210: First metal layer,
220: Second metal layer
2100: First stopper layer
2200: Second stopper layer
Claims (31)
상기 제2 절연층부에 적어도 일부 매립되는 회로층, 및
상기 제2 절연층부 내에서 상기 캐비티의 가장자리를 따라 배치되는 금속 패턴층을 포함하고,
상기 절연층은, 상기 캐비티의 바닥면을 구성하는 제1 면 및 상기 캐비티의 측면을 구성하는 제2 면을 가지며,
상기 금속 패턴층은, 상기 제2 면에서 상기 절연층으로부터 노출되며 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는, 회로 기판.An insulating layer comprising a first insulating layer portion and a second insulating layer portion laminated on the first insulating layer portion, and having a cavity penetrating a portion of the second insulating layer portion and the first insulating layer portion,
A circuit layer at least partially embedded in the second insulating layer, and
Including a metal pattern layer arranged along the edge of the cavity within the second insulating layer,
The insulating layer has a first surface constituting the bottom surface of the cavity and a second surface constituting the side surface of the cavity,
A circuit board, wherein the metal pattern layer is exposed from the insulating layer on the second surface and includes a plurality of metal layers containing different metals.
상기 복수의 금속층은 동일한 물질에 대해 서로 다른 식각 선택비를 갖는, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board wherein the plurality of metal layers have different etching selectivities for the same material.
상기 금속 패턴층은 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하도록 상기 캐비티의 모서리 영역에 배치되는, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board, wherein the metal pattern layer is disposed in a corner region of the cavity to connect the first surface and the second surface.
상기 금속 패턴층은 구리를 포함하는 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 니켈을 포함하는 제2 금속층을 포함하는, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board, wherein the metal pattern layer comprises a first metal layer containing copper, and a second metal layer disposed on the first metal layer and containing nickel.
상기 회로층은 상기 제1 절연층부 상에 배치된 제1 도전층, 및 상기 제1 도전층 상에 적층된 제2 도전층을 포함하고,
상기 제2 도전층의 일면은 상기 제2 금속층의 일면과 실질적으로 동일한 평면 상에 배치된, 회로 기판.In paragraph 4,
The circuit layer includes a first conductive layer disposed on the first insulating layer portion, and a second conductive layer laminated on the first conductive layer,
A circuit board, wherein one side of the second conductive layer is disposed on substantially the same plane as one side of the second metal layer.
상기 회로층은 상기 제1 금속층과 동일한 물질을 포함하는 제1 도전층을 포함하는, 회로 기판.In paragraph 4,
A circuit board, wherein the circuit layer includes a first conductive layer comprising the same material as the first metal layer.
상기 제1 면에서 상기 제2 절연층부로부터 노출되는 제1 패드를 더 포함하는 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board further comprising a first pad exposed from the second insulating layer portion on the first surface.
상기 제1 패드는 상기 절연층에 일부 매립된, 회로 기판.In paragraph 7,
The circuit board, wherein the first pad is partially embedded in the insulating layer.
상기 제1 절연층부를 기준으로 상기 적층 방향으로의 거리에 있어서, 상기 제1 패드의 상기 제2 절연층부로부터 노출된 면은 상기 회로층의 상기 제1 절연층부와 대향하는 면 보다 멀리 위치하는, 회로 기판.In paragraph 7,
A circuit board, wherein, with respect to the first insulating layer portion, the surface of the first pad exposed from the second insulating layer portion is located further away than the surface of the circuit layer facing the first insulating layer portion.
상기 적층 방향으로의 두께에 있어서, 상기 제1 패드의 두께는 상기 회로층의 두께보다 작은, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board, wherein the thickness of the first pad is smaller than the thickness of the circuit layer in the above-mentioned stacking direction.
상기 회로층은 구리를 포함하는 제1 도전층, 및 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층을 포함하는, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board, wherein the circuit layer includes a first conductive layer containing copper, and a second conductive layer disposed on the first conductive layer.
상기 제1 도전층은 무전해 도금층을 포함하는, 회로 기판. In paragraph 11,
A circuit board, wherein the first conductive layer includes an electroless plating layer.
상기 금속 패턴층은 상기 제2 면으로부터 내측으로 오목하게 위치하는, 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board, wherein the metal pattern layer is positioned concavely inward from the second surface.
상기 절연층의 상기 캐비티가 위치하는 일면에서 상기 절연층으로부터 노출되는 제1 패드를 더 포함하는 회로 기판.In the first paragraph,
A circuit board further comprising a first pad exposed from the insulating layer on one surface of the insulating layer where the cavity is located.
상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함하여 상기 제1 스토퍼층 상에 제2 스토퍼층을 형성하고,
상기 제2 스토퍼층 상에 제1 패드를 형성하고,
상기 제1 패드가 매립되도록 상기 제1 절연층부 상에 적층하여 제2 절연층부를 형성하고,
상기 제1 스토퍼층의 면적보다 더 작은 면적만큼 상기 제1 스토퍼층 상의 상기 제1 절연층부를 제거하여 제1 캐비티 형성부를 형성하고,
상기 제1 스토퍼층의 상기 제1 캐비티 형성부 내에 노출된 부분을 제거하여 제2 캐비티 형성부를 형성하고, 그리고
상기 제2 스토퍼층의 상기 제2 캐비티 형성부 내에 노출된 부분을 제거하여 캐비티를 형성하는 회로 기판의 제조 방법.A first stopper layer is formed by including a first metal on the first insulating layer,
Forming a second stopper layer on the first stopper layer, including a second metal different from the first metal,
Forming a first pad on the second stopper layer,
A second insulating layer is formed by laminating the first pad on the first insulating layer so that the first pad is buried,
A first cavity forming portion is formed by removing the first insulating layer portion on the first stopper layer by an area smaller than the area of the first stopper layer,
A second cavity forming portion is formed by removing the exposed portion within the first cavity forming portion of the first stopper layer, and
A method for manufacturing a circuit board, wherein a cavity is formed by removing an exposed portion within the second cavity forming portion of the second stopper layer.
상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것은,
동일한 물질에 대해 상기 제1 금속과 상이한 식각 선택비를 갖는 상기 제2 금속을 포함하여 상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Forming the second stopper layer is as follows:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming a second stopper layer including a second metal having a different etching selectivity from the first metal for the same material.
상기 제2 캐비티 형성부를 형성하는 것은,
상기 제1 스토퍼층의 노출된 부분을 제거하고 상기 제1 캐비티 형성부의 가장자리를 따라 남은 제1 금속층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Forming the above second cavity forming part is:
A method for manufacturing a circuit board, comprising removing an exposed portion of the first stopper layer and forming a remaining first metal layer along an edge of the first cavity forming portion.
상기 캐비티를 형성하는 것은,
상기 제2 스토퍼층의 노출된 부분을 제거하고 상기 제2 캐비티 형성부의 가장자리를 따라 남은 제2 금속층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 17,
Forming the above cavity is,
A method for manufacturing a circuit board, comprising removing an exposed portion of the second stopper layer and forming a remaining second metal layer along an edge of the second cavity forming portion.
상기 제1 스토퍼층을 형성하는 것은,
구리를 포함하는 상기 제1 스토퍼층을 형성하는 것을 포함하고,
상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것은,
니켈을 포함하는 상기 제2 스토퍼층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 18,
Forming the above first stopper layer is:
Comprising forming the first stopper layer comprising copper,
Forming the second stopper layer is as follows:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming the second stopper layer containing nickel.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 회로층을 형성하는 것은,
상기 제1 절연층부 상에 제1 도전층을 형성하고, 그리고
상기 제1 도전층 상에 상기 제2 스토퍼층의 일면과 실질적으로 동일한 레벨의 일면을 갖도록 제2 도전층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Further comprising forming a circuit layer on the first insulating layer,
Forming the above circuit layer is,
Forming a first conductive layer on the first insulating layer, and
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming a second conductive layer on the first conductive layer so as to have one surface of substantially the same level as one surface of the second stopper layer.
상기 제1 도전층을 형성하는 것은,
상기 제1 스토퍼층과 동일한 물질을 포함하여 상기 제1 도전층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 20,
Forming the above first challenge layer is:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming the first conductive layer by including the same material as the first stopper layer.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 제1 패드를 형성하는 것은,
상기 회로층의 상기 제1 절연층부와 대향하는 면보다 상기 제1 패드의 상기 제2 절연층부로부터 노출된 면이 높은 레벨을 갖도록 제1 패드를 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Further comprising forming a circuit layer on the first insulating layer,
Forming the above first pad is:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming a first pad so that a surface exposed from the second insulating layer portion of the first pad has a higher level than a surface facing the first insulating layer portion of the circuit layer.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 제1 패드를 형성하는 것은,
상기 적층 방향으로의 두께에 있어서, 상기 회로층의 두께보다 작은 두께를 갖도록 상기 제1 패드를 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Further comprising forming a circuit layer on the first insulating layer,
Forming the above first pad is:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming the first pad so that the thickness in the lamination direction is smaller than the thickness of the circuit layer.
상기 제1 패드 상에 표면처리층을 형성하는 것을 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
A method for manufacturing a circuit board, further comprising forming a surface treatment layer on the first pad.
상기 제1 절연층부 상에 회로층을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 회로층을 형성하는 것은,
구리를 포함하여 제1 도전층을 형성하고, 그리고
상기 제1 도전층 상에 제2 도전층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Further comprising forming a circuit layer on the first insulating layer,
Forming the above circuit layer is,
Forming a first conductive layer including copper, and
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming a second conductive layer on the first conductive layer.
상기 제1 도전층을 형성하는 것은,
무전해 도금층을 형성하는 것을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 25,
Forming the above first challenge layer is:
A method for manufacturing a circuit board, comprising forming an electroless plating layer.
상기 제1 스토퍼층을 식각하여 상기 제2 절연층부의 측면보다 내측으로 들어가도록 제1 금속층을 형성하는 것을 더 포함하는 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
A method for manufacturing a circuit board further comprising etching the first stopper layer to form a first metal layer so as to be recessed inward from the side surface of the second insulating layer portion.
상기 제2 스토퍼층을 식각하여 상기 제2 절연층부의 측면보다 내측으로 들어가도록 제2 금속층을 형성하는 것을 더 포함하는 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 27,
A method for manufacturing a circuit board further comprising etching the second stopper layer to form a second metal layer so as to be recessed inward from the side surface of the second insulating layer portion.
상기 제1 절연층부와 상기 제2 절연층부를 포함하고 일면에 상기 캐비티가 형성된 절연층을 형성하고, 그리고
상기 절연층의 상기 일면에서 상기 절연층으로부터 노출되도록 제2 패드를 형성하는 것을 더 포함하는 회로 기판의 제조 방법.In paragraph 15,
Forming an insulating layer including the first insulating layer portion and the second insulating layer portion and having the cavity formed on one surface, and
A method for manufacturing a circuit board further comprising forming a second pad on one surface of the insulating layer so as to be exposed from the insulating layer.
상기 패드부와 연결되도록 상기 캐비티 내에 실장되는 전자 부품을 포함하고,
상기 회로 기판은,
상기 캐비티를 갖는 절연층,
상기 절연층에 적어도 일부분 매립되는 회로층, 및
상기 절연층 내에서 상기 캐비티의 가장자리를 따라 배치되는 금속 패턴층을 포함하고,
상기 절연층은 상기 캐비티의 바닥면을 구성하는 제1 면, 및 상기 캐비티의 측면을 구성하는 제2 면을 가지며,
상기 금속 패턴층은, 상기 제2 면에서 상기 절연층으로부터 노출되며, 서로 다른 금속을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는, 전자 부품 패키지.A circuit board having a cavity and including a pad portion exposed from an insulating layer within the cavity, and
Including an electronic component mounted within the cavity to be connected to the pad portion,
The above circuit board,
An insulating layer having the above cavity,
a circuit layer at least partially embedded in the insulating layer, and
Including a metal pattern layer arranged along the edge of the cavity within the insulating layer,
The insulating layer has a first surface forming the bottom surface of the cavity, and a second surface forming the side surface of the cavity,
An electronic component package, wherein the metal pattern layer is exposed from the insulating layer on the second surface and includes a plurality of metal layers containing different metals.
상기 금속 패턴층은 구리를 포함하는 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 상에 배치되고 니켈을 포함하는 제2 금속층을 포함하는, 전자 부품 패키지.
In paragraph 30,
An electronic component package, wherein the metal pattern layer comprises a first metal layer comprising copper, and a second metal layer disposed on the first metal layer and comprising nickel.
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