KR20230100144A - Device for polishing a wafer - Google Patents
Device for polishing a wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230100144A KR20230100144A KR1020210189784A KR20210189784A KR20230100144A KR 20230100144 A KR20230100144 A KR 20230100144A KR 1020210189784 A KR1020210189784 A KR 1020210189784A KR 20210189784 A KR20210189784 A KR 20210189784A KR 20230100144 A KR20230100144 A KR 20230100144A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bracket
- wafer
- light
- wafers
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
- H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
-
- H10P72/0608—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H10P72/0428—
-
- H10P72/7602—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
실시예는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a wafer polishing apparatus.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정은, 단결정 잉곳(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장 공정과, 단결정 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱 공정과, 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐, 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 외주 그라인딩(Edge Grinding) 공정과, 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하는 랩핑(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정 공정으로 이루어진다.The manufacturing process of a silicon wafer includes a single crystal growth step for making a single crystal ingot, a slicing step for slicing the single crystal ingot to obtain a thin disk-shaped wafer, and cracking and distortion of the wafer obtained by the slicing step. To prevent this, an edge grinding process for processing the outer periphery, a lapping process for removing damage due to mechanical processing remaining on the wafer, a polishing process for mirror surface of the wafer, , It consists of a cleaning process to remove abrasives or foreign substances attached to the polished wafer.
웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 1차적인 연마 공정으로서 양면 연마 공정(DSP: Double Side Polishing)이 수행 될 수 있으며 이후, 마무리 연마 공정(FP: Final Polishing)이 수행 될 수 있다. As a primary polishing process for improving flatness of a wafer, a double side polishing process (DSP) may be performed, followed by a final polishing process (FP).
마무리 연마 공정은 연마기에 의해 수행된다.The finish polishing process is performed by a polishing machine.
웨이퍼 연마 장치는 카세트 투입 --> 웨이퍼 유무 감지 --> 웨이퍼 로딩 --> 연마 공정 수행 --> 카세트 반출의 순서로 진행된다.The wafer polishing apparatus proceeds in the order of inserting the cassette --> detecting the existence of a wafer --> loading the wafer --> performing the polishing process --> taking out the cassette.
종래에 웨이퍼 유무 감지를 위한 센서(1)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 서로 인접한 발광부(2)와 수광부(3)를 구비한 반사형 센서(1)이다. 즉, 발광부(2)에서 발광된 광이 웨이퍼(10)의 에지 측면에 반사되고 그 반사된 광이 수광부(3)로 수광됨으로써, 웨이퍼(10)의 존재 유무가 감지된다. As shown in FIGS. 1 and 2 , a
하지만, 종래의 센서(1)는 도 2 및 도 3a에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(10)의 에지 측면에 초순수(DIW)가 잔류하는 경우, 광이 초순수(DIW, 11)에 의해 난반사되거나 굴절되거나, 웨이퍼(10)에 의해 반사된 광이 수광부(3)으로 수광되지 않아, 웨이퍼(10) 유무 감지 에러가 발생된다. 즉, 웨이퍼(10)가 위치되므로, 웨이퍼(10)에 의해 반사된 광이 수광부(3)에 의해 수광되어 웨이퍼(10)가 있음으로 감지되어야 하지만, 상술한 바와 같이 초순수(11)에 의한 난반사나 굴절율에 의해 수광부(3)에 의해 반사 광이 수광되지 않아 웨이퍼(10)가 없음으로 감지될 수 있다. 이러한 경우, 해당 웨이퍼가 연마기로 전달되지 못해 연마가 수행되지 않아 폐기된다. However, in the
아울러, 종래의 센서(1)는 도 2 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 카세트에 웨이퍼(10)가 뒤틀리어 수납된 경우, 웨이퍼(10)의 에지 측면에 의해 광이 제대로 반사되지 않거나 설사 반사된다 하더라도 다른 방향으로 진행되고 수광부(3)로 수광되지 않아 웨이퍼(10)의 유무 감지 에러가 발생된다.In addition, in the
실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.Embodiments are aimed at solving the foregoing and other problems.
실시예의 다른 목적은 웨이퍼의 에지 측면이 불량하거나 웨이퍼가 비틀어지더라도 웨이퍼의 유무 감지의 에러가 발생하지 않아 신뢰성을 제고할 수 있는 웨이퍼 연마 장치를 제공하는 것이다.Another object of the embodiments is to provide a wafer polishing apparatus capable of improving reliability because an error in detecting the existence of a wafer does not occur even if the edge side of the wafer is defective or the wafer is twisted.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this section, and include those that can be grasped through the description of the invention.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 연마 장치는, 각각 복수의 웨이퍼가 수납된 적어도 하나 이상의 제1 카세트가 적재되는 적어도 하나 이상의 제1 스테이지 -상기 제1 카세트는 상기 복수의 웨이퍼의 일부가 노출되는 개구를 가짐-; 상기 제1 카세트에 수납된 복수의 웨이퍼 각각을 연마하는 연마기; 상기 연마가 완료된 웨이퍼가 수납되기 위한 제2 카세트가 적재되는 제2 스테이지; 상기 제1 카세트에 수납된 복수의 웨이퍼 각각을 상기 연마기로 전달하는 로봇; 및 상기 복수의 웨이퍼 각각의 존재 유무를 감지하는 센서를 포함한다. 상기 센서는, 상기 개구의 제1 측에 설치되어, 광을 발광하는 발광부; 상기 개구의 제2 측에 설치되어, 상기 발광된 광을 수광하는 수광부; 제1 브라켓; 상기 제1 브라켓에 체결되어 제1 방향을 따라 제1 간격이 조절되는 제2 및 제3 브라켓; 및 상기 제2 브라켓에 체결되어 제2 방향을 따라 제2 간격이 조절되는 제4 및 제5 브라켓을 포함한다.According to one aspect of the embodiment to achieve the above or other object, the wafer polishing apparatus includes at least one first stage on which at least one first cassette in which a plurality of wafers are stored is loaded - the first cassette is the plurality of has an opening through which a portion of the wafer of is exposed; a polishing machine for polishing each of the plurality of wafers accommodated in the first cassette; a second stage on which a second cassette for accommodating the polished wafer is loaded; a robot transferring each of the plurality of wafers accommodated in the first cassette to the polishing machine; and a sensor for detecting the presence or absence of each of the plurality of wafers. The sensor may include a light emitting unit installed on a first side of the opening and emitting light; a light receiving unit installed on a second side of the opening to receive the emitted light; a first bracket; second and third brackets fastened to the first bracket to adjust a first interval along a first direction; and fourth and fifth brackets fastened to the second bracket to adjust a second interval along a second direction.
상기 수광부에 의해 기준값에 해당하는 광량이 수광되도록 상기 제1 간격이 조절될 수 있다. The first interval may be adjusted so that an amount of light corresponding to a reference value is received by the light receiving unit.
상기 제2 브라켓은, 상기 제1 브라켓의 제1 측에 체결되고, 복수의 홀을 포함하는 제2-1 브라켓; 및 상기 제2-1 브라켓으로부터 절곡되어 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 복수의 홀을 포함하는 제2-2 브라켓을 포함할 수 있다. The second bracket may include a 2-1 bracket fastened to a first side of the first bracket and including a plurality of holes; and a 2-2 bracket that is bent from the 2-1 bracket and extends along the second direction and includes a plurality of holes.
상기 제3 브라켓은, 상기 제1 브라켓의 제2 측에 체결되고, 복수의 홀을 포함하는 제3-1 브라켓; 및 상기 제3-1 브라켓으로부터 절곡되어 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 복수의 홀을 포함하는 제3-2 브라켓을 포함할 수 있다. The third bracket may include a 3-1 bracket fastened to a second side of the first bracket and including a plurality of holes; and a 3-2 bracket bent from the 3-1 bracket to extend along the second direction and including a plurality of holes.
상기 제1 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제2-1 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 간격이 조절되거나, 상기 제1 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제3-1 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 간격이 조절될 수 있다.The first interval is adjusted along the first direction using the plurality of holes of the first bracket and the plurality of holes of the 2-1 bracket, or the plurality of holes of the first bracket and the plurality of holes of the first bracket The first distance may be adjusted along the first direction using the plurality of holes of the 3-1 bracket.
상기 제2-2 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제4 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 간격이 조절되거나, 상기 제3-2 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제5 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 간격이 조절될 수 있다.The second interval is adjusted along the second direction using the plurality of holes of the 2-2 bracket and the plurality of holes of the 4th bracket, or the plurality of holes of the 3-2 bracket The second interval may be adjusted along the second direction using the plurality of holes of the fifth bracket.
상기 복수의 웨이퍼 각각의 에지 영역은 상기 광의 진행 경로 상에 위치될 수 있다. An edge area of each of the plurality of wafers may be located on a traveling path of the light.
상기 광의 진행 경로가 상기 에지 영역에 위치하도록 제2 간격이 조절될 수 있다. A second interval may be adjusted so that the light travel path is located in the edge area.
웨이퍼 연마 장치는 제어부를 포함한다. 상기 제어부는 웨이퍼 정보에 기초하여 웨이퍼 로딩 명령을 생성하고, 상기 로봇은 상기 웨이퍼 로딩 명령에 따라 상기 제1 카세트에 적재된 복수의 웨이퍼 각각을 연마기로 전달할 수 있다. The wafer polishing apparatus includes a control unit. The control unit may generate a wafer loading command based on wafer information, and the robot may transfer each of the plurality of wafers loaded in the first cassette to the polishing machine according to the wafer loading command.
웨이퍼 연마 장치는 주변 광을 차단하기 위해 상기 수광부 주위에 설치된 차단부를 포함한다.The wafer polishing apparatus includes a blocking portion installed around the light receiving portion to block ambient light.
실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Effects of the wafer polishing apparatus according to the embodiment are described as follows.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 발광부와 수광부가 광의 진행 경로 상에 위치되도록 하여, 웨이퍼의 에지 측면이 불량하거나 웨이퍼가 비틀어지더라도 웨이퍼의 유무 감지의 에러가 발생하지 않아 신뢰성을 제고할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, since the light emitting unit and the light receiving unit are positioned on the path of light, even if the edge side of the wafer is defective or the wafer is twisted, an error in detecting the existence of the wafer does not occur, thereby improving reliability. There is an advantage to being
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 센서에 제1 내지 제5 브라켓을 구비하여, 제1 방향을 따라 제1 간격 또는 제2 방향을 따라 제2 간격을 조절함으로써, 항상 광의 진행 경로가 웨이퍼의 에지 영역에 위치되도록 하여 잘못된 판단에 의해 웨이퍼가 폐기되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the sensor is provided with the first to fifth brackets, and the first distance along the first direction or the second distance along the second direction is adjusted so that the traveling path of light always extends to the edge of the wafer. There is an advantage in that the wafer can be prevented from being discarded due to an erroneous decision by being located in the region.
실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.A further scope of applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description that follows. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, it should be understood that the detailed description and specific embodiments, such as preferred embodiments, are given by way of example only.
도 1은 종래의 센서를 도시한 측면도이다.
도 2는 종래의 센서를 도시한 평면도이다.
도 3a은 웨이퍼 유무 감지 에러를 보여주는 일 예시도이다.
도 3b는 웨이퍼 유무 감지 에러를 보여주는 다른 예시도이다.
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 도시한 도면이다.
도 5는 제1 실시예에 따른 센서 어셈블리를 도시한 측면도이다.
도 6은 제1 실시예에 따른 센서를 도시한 평면도이다.
도 7은 제2 실시예에 따른 센서를 도시한 평면도이다.
도 8는 도 7의 A 영역을 확대한 단면도이다.1 is a side view showing a conventional sensor.
2 is a plan view showing a conventional sensor.
3A is an exemplary view showing a wafer presence detection error.
3B is another exemplary view showing a wafer presence detection error.
4 is a diagram illustrating a wafer polishing apparatus according to an embodiment.
5 is a side view showing the sensor assembly according to the first embodiment.
6 is a plan view showing a sensor according to the first embodiment.
7 is a plan view showing a sensor according to a second embodiment.
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of area A of FIG. 7 .
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 '모듈' 및 '부'는 명세서 작성의 용이함이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes 'module' and 'unit' for the components used in the following description are given or used interchangeably in consideration of ease of writing the specification, and do not themselves have a meaning or role that is distinct from each other. In addition, the accompanying drawings are for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the accompanying drawings. Also, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being 'on' another element, this includes being directly on the other element or other intervening elements may be present therebetween. do.
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a wafer polishing apparatus according to an embodiment.
도 4를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치(100)는 적어도 하나 이상의 제1 스테이지(110, 120), 로봇(130), 연마기(140) 및 제2 스테이지(150)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the
제1 스테이지(110, 120)는 복수의 웨이퍼가 수납된 제1 카세트(300)가 적재될 수 있다. The
도 4에는 2개의 제1 스테이지(110, 120)가 도시되고 있지만, 이보다 더 많은 스테이지가 구비될 수도 있다. Although two
예컨대, 적어도 하나 이상의 제1 스테이지(110, 120) 중 하나의 제1 스테이지 상에 제1 카세트(300)가 적재될 수 있다. For example, the
예컨대, 2개 이상의 제1 스테이지(110, 120)가 구비되는 경우, 2개 이상의 제1 스테이지(110, 120) 중 적어도 2개의 제1 카세트(300)가 대응하는 제1 스테이지 상에 적재될 수 있다. 이러한 경우, 하나의 제1 스테이지 상에 제1 카세트(300)에 수납된 복수의 웨이퍼가 연마기(140)로 전달 또는 로딩되는 동안 다른 하나의 제1 스테이지 상의 제1 카세트(300)에 수납된 복수의 웨이퍼는 대기 중에 있을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, when two or more
로봇(130)은 제1 카세트(300)에 수납된 복수의 웨이퍼를 연마기(140)로 전달할 수 있다. 예컨대, 복수의 웨이퍼는 연마기(140)로 순차적으로 전달될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
로봇(130)은 몸체(131) 및 아암(132)을 포함할 수 있다. The
몸체(131)는 Y축 방향을 따라 왕복 이동할 수 있다. 몸체(131)는 시계 방향 또는 반시계 방향을 따라 회전 이동할 수 있다. The
아암(132)은 몸체(131) 상에 설치되어 아암(132)의 길이 방향을 따라 전진 또는 후진할 수 있다. 아암(132)의 끝단에는 아암 플레이트(미도시)가 설치될 수 있다. 아울러, 아암(132)은 상하 방향(Z)을 따라 승강할 수 있다. The
예컨대, 몸체(131)가 Y축 방향을 따라 이동함으로써, 아암(132)이 2개의 제1 스테이지(110, 120) 중 하나의 제1 스테이지에 위치될 수 있다. 예컨대, 아암(132)이 아암(132)의 길이 방향을 따라 전진하여 제1 카세트(300) 상의 복수의 웨이퍼 중 하나의 웨이퍼 아래에 위치되고, 아암(132)이 상승된 후 후진함으로써, 해당 웨이퍼가 아암(132)에 의해 제1 카세트(300)로부터 인출될 수 있다. 이후, 몸체(131)가 회전 이동함으로써 아암(132)이 연마기(140)에 위치된 후, 아암(132)의 전진 및 하강함으로써 웨이퍼가 연마기(140)에 안착될 수 있다. 이러한 설명은 하나의 예시에 불과하며 다양한 방식으로 웨이퍼의 전달 또는 로딩이 가능하다. For example, by moving the
연마기(140)는 제1 카세트(300)에 수납되어 로봇(130)에 의해 전달된 웨이퍼를 연마할 수 있다. 이때, 연마는 마무리 연마(FP: Final Polishing)을 의미할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 마무리 연마는 기 공지된 기술이므로, 상세한 설명은 생략한다.The polishing
제2 스테이지(150)는 제2 카세트가 적재될 수 있다. 제2 카세트는 웨이퍼가 수납되지 않은 빈 공간을 가질 수 있다. 즉, 제2 카세트가 제2 스테이지(150)에 적재될 때, 제2 카세트에는 어떠한 웨이퍼도 수납되지 않은 상태일 수 있다. The
제2 카세트가 제2 스테이지(150)에 적재된 후, 연마기(140)에서 연마된 웨이퍼들이 제2 카세트에 수납될 수 있다. 도시되지 않았지만, 연마기(140)와 제2 스테이지(150) 사이에 또 다른 로봇이 설치되어, 이 로봇에 의해 연마기(140)에서 연마가 완료된 웨이퍼가 제2 스테이지(150)로 전달되어 제2 스테이지(150) 상에 적재된 제2 카세트에 수납될 수 있다. After the second cassette is loaded on the
제2 카세트에 설정된 개수에 해당하는 웨이퍼가 수납되면, 해당 제2 카세트는 제2 스테이지(150)로부터 다음 단계로 이동될 수 있다. When the set number of wafers is received in the second cassette, the second cassette may be moved from the
한편, 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치(100)는 적어도 하나 이상의 센서(200) 및 제어부(160)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the
도 5는 제1 실시예에 따른 센서 어셈블리를 도시한 측면도이다. 도 6은 제1 실시예에 따른 센서를 도시한 평면도이다.5 is a side view showing the sensor assembly according to the first embodiment. 6 is a plan view showing a sensor according to the first embodiment.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 실시예에 따른 센서(200)는 모터(111), 지지축(112) 및 센서(200)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 5 and 6 , the
지지축(112)은 모터(111)에 체결되어, 모터(111)의 구동에 의해 상하 방향(Z)을 따라 승강될 수 있다. 예컨대, 모터(111)는 스텝 모터일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 모터(111)가 정회전될 때 지지축(112)이 상승되고 역회전될 때 지지축(112)이 하강될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
센서(200)는 지지축(112)의 일측에 설치되어, 지지축(112)의 승강에 따라 함께 승강될 수 있다. 즉, 지지축(112)이 상승하면 센서(200)도 상승하고, 지지축(112)이 하강하면 센서(200)도 하강할 수 있다. The
한편, 제1 스테이지(110, 120) 상에 제1 카세트(300)가 적재될 수 있다. 제1 카세트(300)를 제1 스테이지(110, 120)에 고정하기 위해, 제1 스테이지(110, 120) 상에 적어도 하나 이상의 고정부(115)가 설치될 수 있다. 적어도 하나 이상의 고정부(115)에 의해 제1 카세트(300)가 제1 스테이지(110, 120) 상에 고정될 수 있다. 예컨대, 제1 카세트(300)에 수납된 웨이퍼(330)들이 연마기(140)로 전달되면, 해당 고정부(115)의 고정 해제에 의해, 제1 카세트(300)가 제거될 수 있다. Meanwhile, the
한편, 센서(200)는 모터(111)의 구동에 의해 상승되는 지지축(112)과 함께 상승될 수 있다. 센서(200)가 상승함에 따라, 센서(200)로부터 광이 발광되고, 이와 같이 발광된 광의 수신 여부에 따라 웨이퍼(330)의 존재 유무가 감지될 수 있다. 즉, 센서(200)는 제1 카세트(300)에 수납된 복수의 웨이퍼(330)에 대해 상부 방향(Z)을 따라 이동하면서, 복수의 웨이퍼(330) 각각의 존재 유무에 관한 웨이퍼 정보를 획득할 수 있다. Meanwhile, the
도 6에 도시한 바와 같이, 센서(200)는 발광부(210), 수광부(220), 제1 브라켓(231), 제2 및 제3 브라켓(232, 233) 및 제4 및 제5 브라켓(234, 235)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 6, the
예컨대, 발광부(210)는 제1 카세트(300)의 개구(310)의 제1 측에 설치되어 광을 발광할 수 있다. 예컨대, 수광부(220)는 제1 카세트(300)의 개구(310)의 제2 측에 설치되어 발광부(210)에서 발광된 광을 수광할 수 있다. 발광부(210)와 수광부(220)는 동일 선 상에 위치되며, 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 예컨대, 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 웨이퍼(330)가 존재하는 경우, 웨이퍼(330)에 의해 광이 차단되어 수광부(220)는 발광부(210)의 광을 수광하지 못하므로 웨이퍼(330)가 존재하는 웨이퍼 정보를 획득할 수 있다. 예컨대, 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 웨이퍼(330)가 존재하지 않는 경우, 웨이퍼(330)에 의해 광이 차단되지 않아 수광부(220)는 발광부(210)의 광을 수광하므로 웨이퍼(330)가 존재하지 않는 웨이퍼 정보를 획득할 수 있다. For example, the
예컨대, 발광부(210)와 수광부(220) 사이의 거리는 웨이퍼(330)의 직경(D)보다 크도록 하여, 웨이퍼(330)가 발광부(210) 및/또는 수광부(220)에 충돌되지 않을 수 있다. 즉, 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 웨이퍼(330)가 위치될 때, 발광부(210) 및 수광부(220) 각각은 웨이퍼(330)의 측면으로부터 이격될 수 있다. For example, the distance between the
예컨대, 발광부(210)에서 발광된 광이 수광부(220)로 진행됨에 따라 광의 진행 경로(250)가 정의될 수 있다. 즉, 광의 진행 경로(250)는 발광부(210)에서 수광부(220)로 진행되는 광의 경로로 정의될 수 있다. 발광부(210)에서 발광된 광 중에서 광의 진행 경로(250)를 따라 진행되는 광은 수광부(220)에 의해 수광되고, 나머지 광은 광의 진행 경로(250)를 이탈하므로 수광부(220)에 의해 수광되지 않는다. 수광부(220)는 광의 진행 경로(250)를 따라 진행되는 광의 양, 즉 광량을 바탕으로 웨이퍼(330)의 존재 유무를 검출할 수 있다. For example, as light emitted from the
예컨대, 복수의 웨이퍼(330) 각각의 에지 영역(335)은 광의 진행 경로(250) 상에 위치될 수 있다. 제1 카세트(300)의 일측부가 오픈되어 개구(310)가 형성되고, 이 개구(310)를 통해 복수의 웨이퍼(330)가 노출될 수 있다. 따라서, 제1 카세트(300)의 개구(310)에 의해 노출된 웨이퍼(330)의 일부 영역, 즉 에지 영역(335) 상에 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 정의된 광의 진행 경로(250)가 위치됨으로써, 웨이퍼(330)의 존재 유무가 정확하게 감지될 수 있다. For example, the
예컨대, 복수의 웨이퍼(330) 각각의 에지 영역(335)은 웨이퍼(330)의 에지 측면(331)로부터 웨이퍼(330)의 직경(D)의 1/8 위치에 해당하는 제1 직선(P1)과 개구(310) 위치에 해당하는 제2 직선(P2) 사이의 영역일 수 있다. 광의 진행 경로(250)가 웨이퍼(330)의 에지 측면(331)로부터 웨이퍼(330)의 직경(D)의 1/8 미만인 웨이퍼(330)를 가로지는 경우, 웨이퍼(330)의 굴곡면에 기인하여 일부 광이 수광부(220)로 수광되어, 웨이퍼(330)가 있음에도 불구하고 웨이퍼(330)가 없음으로 감지하는 에러가 발생될 수 있다. 광의 진행 경로(250)가 개구(310) 위치를 벗어나 제1 카세트(300)의 측부를 가로지는 경우, 발광부(210)의 광이 제1 카세트(300)의 측부를 통과할 수 없어, 감지 자체가 불가능하다. For example, the
제1 브라켓(231)은 지지축(112)의 일축에 설치될 수 있다. 예컨대, 제1 브라켓(231)은 센서(200)를 구성하는 모든 구성 요소를 지지하는 역할을 할 수 있다. 지지축(112)에 고정된 제1 브라켓(231)에 의해, 지지축(112)의 승강에 따라 센서(200)를 구성하는 모든 구성 요소가 함께 승강될 수 있다. 예컨대, 제1 브라켓(231)은 제1 방향(X)을 따라 형성된 복수의 홀(241a, 241b)을 포함할 수 있다. The
제2 브라켓(232)은 제1 브라켓(231)의 제1 측(231a)에 체결되고 제3 브라켓(233)은 제1 브라켓(231)의 제2 측(231b)에 체결되어, 제1 방향(X)을 따라 제1 간격(I1)이 조절될 수 있다. The
제2 브라켓(232)은 제1 브라켓(231)의 제1 측(231a)에 체결되고, 복수의 홀(242a)을 포함하는 제2-1 브라켓(232-1)과, 제2-1 브라켓(232-1)으로부터 절곡되어 제2 방향(Y)을 따라 연장되고, 복수의 홀(242b)을 포함하는 제2-2 브라켓(232-2)을 포함할 수 있다. The
제3 브라켓(233)은 제1 브라켓(231)의 제2 측(231b)에 체결되고, 복수의 홀(243a)을 포함하는 제3-1 브라켓(233-1)과, 제3-1 브라켓(233-1)으로부터 절곡되어 제2 방향(Y)을 따라 연장되고, 복수의 홀(243b)을 포함하는 제3-2 브라켓(233-2)을 포함할 수 있다. The
제4 브라켓(234)은 제2 브라켓(232)의 일측에 체결되고 제5 브라켓(235)은 제3 브라켓(233)의 일측에 체결되어, 제2 방향(Y)을 따라 제2 간격(I2)이 조절될 수 있다. The
제4 브라켓(234)은 제2-2 브라켓(232-2)의 일 측에 체결되고, 복수의 홀(244)을 포함할 수 있다. 제5 브라켓(235)은 제3-2 브라켓(233-2)의 일 측에 체결되고, 복수의 홀(245)을 포함할 수 있다. The
예컨대, 제1 브라켓(231)의 복수의 홀(241a)과 제2-1 브라켓(232-1)의 복수의 홀(242a)을 이용하여 제1 방향(X)을 따라 제1 간격(I1이 조절될 수 있다. 예컨대, 제1 브라켓(231)의 복수의 홀(241b)과 제3-1 브라켓(233-1)의 복수의 홀(243a)을 이용하여 제1 방향(X)을 따라 제1 간격(I1)이 조절될 수 있다.For example, by using the plurality of
예컨대, 제2-2 브라켓(233-2)의 복수의 홀(242b)과 제4 브라켓(234)의 복수의 홀(244)을 이용하여 제2 방향(Y)을 따라 제2 간격(I2)이 조절될 수 있디. 예컨대, 제3-2 브라켓(233-2)의 복수의 홀(243b)과 제5 브라켓(235)의 복수의 홀(245)을 이용하여 제2 방향(Y)을 따라 제2 간격(I2)이 조절될 수 있다. For example, by using the plurality of
예컨대, 제1 간격(I1)이 조절됨으로써, 수광부(220)에 의해 기준값에 해당하는 광량이 수광될 수 있다. 기준값은 웨이퍼(330)가 없음을 판정할 수 있는 기준값으로서, 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 웨이퍼(330)가 없는 상태에서 제1 간격(I1)이 조절되어 설정될 수 있다. 따라서, 발광부(210)와 수광부(220) 사이에 웨이퍼(330)가 없을 때, 수광부(220)에서 수광된 광량이 적어도 기준값 이상인 경우, 웨이퍼(330)가 없음을 나타내는 웨이퍼 정보가 획득될 수 있다. 실내 조명 등과 같은 주변광 또한 수광부(220)에 의해 수광되므로, 수광부(220)에서 수광된 광량이 기준값이거나 기준값 이상이 될 수 있다. For example, as the first interval I1 is adjusted, the
예컨대, 제2 간격(I2)이 조절됨으로써, 발광부(210)와 수광부(220) 사이의 광의 진행 경로(250)가 웨이퍼(330) 상에 정의된 에지 영역(335)에 위치될 수 있다. For example, by adjusting the second interval I2 , the
따라서, 실시예에 따르면, 센서(200)에 제1 내지 제5 브라켓(231 내지 235)을 구비하여, 제1 방향(X)을 따라 제1 간격(I1) 또는 제2 방향(Y)을 따라 제2 간격(I2)을 조절함으로써, 항상 광의 진행 경로(250)가 웨이퍼(330)의 에지 영역(331)에 위치되도록 하여 잘못된 판단에 의해 웨이퍼(330)가 폐기되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, according to the embodiment, the
한편, 제어부(160)는 상기 획득된 웨이퍼 정보에 기초하여 웨이퍼 로딩 명령을 생성하여, 상기 생성된 웨이퍼 로딩 정보를 로봇(130)으로 전송할 수 있다. 로봇(130)은 웨이퍼 로딩 명령에 따라 제1 카세트(300)에 적재된 복수의 웨이퍼(330) 각각을 연마기(140)로 전달할 수 있다. Meanwhile, the
따라서, 실시예에 따르면, 웨이퍼(330)의 에지 측면(331)이 불량하거나 웨이퍼(330)가 비틀어지더라도, 실시예의 센서(200)에 의해 웨이퍼(330)의 유무 감지의 에러가 발생하지 않아 신뢰성을 제고할 수 있다. Therefore, according to the embodiment, even if the
도 7은 제2 실시예에 따른 센서를 도시한 평면도이다. 도 8는 도 7의 A 영역을 확대한 단면도이다. 7 is a plan view showing a sensor according to a second embodiment. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of area A of FIG. 7 .
제2 실시예는 차단부(260)를 제외하고 제1 실시예와 동일하다. 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구성, 형상 및/기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The second embodiment is the same as the first embodiment except for the blocking
도 7 및 도 8를 참조하면, 제2 실시예에 따른 센서(200A)는 모터(111), 지지축(112) 및 센서(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , a
또한, 제2 실시예에 따른 센서(200A)는 차단부(260)를 포함할 수 있다. Also, the
차단부(260)는 주변 광을 차단하기 위해 수광부(220) 주위에 설치될 수 있다. 예컨대, 차단부(260)는 수광부(220)의 전방을 제외한 나머지 영역을 커버할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 차단부(260)는 수광부(220)에서 발광부(210)의 광을 수광하는 입구를 제외한 나머지 영역을 둘러쌀 수 있다. The blocking
예컨대, 차단부(260)는 알루미늄과 같은 금속 재질이나 거울과 같은 반사 재질일 수 있다. 예컨대, 차단부(260)는 광 흡수 재질일 수 있다. 예컨대, 차단부(260)는 플라스틱이나 수지 재질일 수 있다. For example, the blocking
차단부(260)에 의해 주변 광이 차단되므로, 수광부(220)는 오직 발광부(210)의 광만을 수광할 수 있어, 웨이퍼의 존재 유무 감지가 보다 정확해질 수 있다. Since ambient light is blocked by the blocking
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all respects and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent range of the embodiments are included in the scope of the embodiments.
100: 웨이퍼 연마 장치
110, 120: 제1 카세트
111: 모터
112: 지지축
115: 고정부
130: 로봇
131: 몸체
132: 아암
140: 연마기
150: 제2 스테이지
160: 제어부
170, 170A: 센서 어셈블리
200: 센서
210: 발광부
220: 수광부
231: 제1 브라켓
231a: 제1 측
231b: 제2 측
232: 제2 브라켓
233: 제3 브라켓
234: 제4 브라켓
235: 제5 브라켓
241a, 241b, 242, 243, 244, 245: 홀
250: 광의 진행 경로
260: 차단부
300: 제1 카세트
310: 개구
330: 웨이퍼
331: 에지 측면
335: 에지 영역
D: 직경
I1, I2: 간격100: wafer polishing device
110, 120: first cassette
111: motor
112: support shaft
115: fixing part
130: robot
131: body
132 arm
140: grinder
150: second stage
160: control unit
170, 170A: sensor assembly
200: sensor
210: light emitting unit
220: light receiving unit
231: first bracket
231a: first side
231b: second side
232: second bracket
233: third bracket
234: fourth bracket
235: fifth bracket
241a, 241b, 242, 243, 244, 245: hole
250: path of light
260: blocking part
300: first cassette
310: opening
330: wafer
331: edge side
335: edge area
D: diameter
I1, I2: spacing
Claims (12)
상기 제1 카세트에 수납된 복수의 웨이퍼 각각을 연마하는 연마기;
상기 연마가 완료된 웨이퍼가 수납되기 위한 제2 카세트가 적재되는 제2 스테이지;
상기 제1 카세트에 수납된 복수의 웨이퍼 각각을 상기 연마기로 전달하는 로봇; 및
상기 복수의 웨이퍼 각각의 존재 유무를 감지하는 센서를 포함하고,
상기 센서는,
상기 개구의 제1 측에 설치되어, 광을 발광하는 발광부;
상기 개구의 제2 측에 설치되어, 상기 발광된 광을 수광하는 수광부;
제1 브라켓;
상기 제1 브라켓에 체결되어 제1 방향을 따라 제1 간격이 조절되는 제2 및 제3 브라켓; 및
상기 제2 브라켓에 체결되어 제2 방향을 따라 제2 간격이 조절되는 제4 및 제5 브라켓을 포함하는
웨이퍼 연마 장치.at least one first stage on which at least one first cassette accommodating a plurality of wafers is loaded, wherein the first cassette has an opening through which a portion of the plurality of wafers is exposed;
a polishing machine for polishing each of the plurality of wafers accommodated in the first cassette;
a second stage on which a second cassette for accommodating the polished wafer is loaded;
a robot transferring each of the plurality of wafers accommodated in the first cassette to the polishing machine; and
A sensor for detecting the presence or absence of each of the plurality of wafers;
The sensor,
a light emitting unit installed on a first side of the opening and emitting light;
a light receiving unit installed on a second side of the opening to receive the emitted light;
a first bracket;
second and third brackets fastened to the first bracket to adjust a first interval along a first direction; and
Including fourth and fifth brackets fastened to the second bracket and adjusting a second distance along a second direction
Wafer polishing equipment.
상기 수광부에 의해 기준값에 해당하는 광량이 수광되도록 상기 제1 간격이 조절되는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
The first interval is adjusted so that an amount of light corresponding to a reference value is received by the light receiving unit.
Wafer polishing equipment.
상기 제2 브라켓은,
상기 제1 브라켓의 제1 측에 체결되고, 복수의 홀을 포함하는 제2-1 브라켓; 및
상기 제2-1 브라켓으로부터 절곡되어 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 복수의 홀을 포함하는 제2-2 브라켓을 포함하는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
The second bracket,
a 2-1 bracket fastened to a first side of the first bracket and including a plurality of holes; and
A 2-2 bracket bent from the 2-1 bracket and extending along the second direction and including a plurality of holes;
Wafer polishing equipment.
상기 제3 브라켓은,
상기 제1 브라켓의 제2 측에 체결되고, 복수의 홀을 포함하는 제3-1 브라켓; 및
상기 제3-1 브라켓으로부터 절곡되어 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 복수의 홀을 포함하는 제3-2 브라켓을 포함하는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 3,
The third bracket,
a 3-1 bracket fastened to the second side of the first bracket and including a plurality of holes; and
Including a 3-2 bracket bent from the 3-1 bracket and extending along the second direction and including a plurality of holes
Wafer polishing equipment.
상기 제1 브라켓의 복수의 홀과 상기 제2-1 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 간격이 조절되거나,
상기 제1 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제3-1 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 간격이 조절되는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 4,
The first interval is adjusted along the first direction using the plurality of holes of the first bracket and the plurality of holes of the 2-1 bracket,
The first distance is adjusted along the first direction using the plurality of holes of the first bracket and the plurality of holes of the 3-1 bracket.
Wafer polishing equipment.
상기 제2-2 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제4 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 간격이 조절되거나,
상기 제3-2 브라켓의 상기 복수의 홀과 상기 제5 브라켓의 상기 복수의 홀을 이용하여 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 간격이 조절되는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 5,
The second interval is adjusted along the second direction using the plurality of holes of the 2-2 bracket and the plurality of holes of the fourth bracket;
The second distance is adjusted along the second direction using the plurality of holes of the 3-2 bracket and the plurality of holes of the fifth bracket.
Wafer polishing equipment.
상기 복수의 웨이퍼 각각의 에지 영역은 상기 광의 진행 경로 상에 위치되는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
The edge area of each of the plurality of wafers is located on the traveling path of the light
Wafer polishing equipment.
상기 광의 진행 경로가 상기 에지 영역에 위치하도록 제2 간격이 조절되는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 7,
A second interval is adjusted so that the traveling path of the light is located in the edge area
Wafer polishing equipment.
상기 복수의 웨이퍼 각각의 에지 영역은 상기 웨이퍼의 에지 측면로부터 상기 웨이퍼의 직경의 1/8 위치에 해당하는 제1 직선과 개구 위치에 해당하는 제2 직선 사이의 영역인
웨이퍼 연마 장치.According to claim 7,
The edge area of each of the plurality of wafers is an area between a first straight line corresponding to 1/8 of the diameter of the wafer from the edge side of the wafer and a second straight line corresponding to the opening position
Wafer polishing equipment.
상기 센서는,
상기 복수의 웨이퍼에 대해 제3 방향으로 이동하여, 상기 복수의 웨이퍼 각각의 존재 유무에 관한 웨이퍼 정보를 획득하는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
The sensor,
Moving in a third direction with respect to the plurality of wafers to obtain wafer information about the presence or absence of each of the plurality of wafers
Wafer polishing equipment.
제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 획득된 웨이퍼 정보에 기초하여 웨이퍼 로딩 명령을 생성하고,
상기 로봇은,
상기 웨이퍼 로딩 명령에 따라 상기 제1 카세트에 적재된 복수의 웨이퍼 각각을 연마기로 전달하는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
Including a control unit,
The control unit,
Generating a wafer loading command based on the obtained wafer information;
the robot,
Transferring each of the plurality of wafers loaded in the first cassette to the polisher according to the wafer loading command.
Wafer polishing equipment.
주변 광을 차단하기 위해 상기 수광부 주위에 설치된 차단부를 포함하는
웨이퍼 연마 장치.According to claim 1,
Including a blocking unit installed around the light receiving unit to block ambient light
Wafer polishing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210189784A KR20230100144A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Device for polishing a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210189784A KR20230100144A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Device for polishing a wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230100144A true KR20230100144A (en) | 2023-07-05 |
Family
ID=87158690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210189784A Pending KR20230100144A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Device for polishing a wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230100144A (en) |
-
2021
- 2021-12-28 KR KR1020210189784A patent/KR20230100144A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109415837B (en) | Substrate holder and plating apparatus | |
| US20120283865A1 (en) | Methods of in-situ measurements of wafer bow | |
| JP6145415B2 (en) | Peeling method, program, computer storage medium, peeling apparatus and peeling system | |
| JP4744458B2 (en) | Substrate positioning device and substrate positioning method | |
| US12529556B2 (en) | Thickness measuring device and thickness measuring method to measure thickness of substrate | |
| WO2007136066A1 (en) | Basal plate deformation detecting system and deformation detecting method | |
| US9607389B2 (en) | Alignment apparatus | |
| JP2014116426A (en) | Substrate processing device, method of operating substrate device, and storage medium | |
| CN113043156B (en) | grinding device | |
| JP6090035B2 (en) | Liquid processing equipment | |
| KR100563123B1 (en) | Polishing device | |
| KR102690417B1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| US6950181B2 (en) | Optical wafer presence sensor system | |
| US8444129B2 (en) | Methods of verifying effectiveness of a put of a substrate onto a substrate support | |
| KR20230100144A (en) | Device for polishing a wafer | |
| KR102702408B1 (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| JP6196870B2 (en) | Wafer transfer device | |
| JP6444277B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2006222132A (en) | Grinder, method for judging size of workpiece holding portion | |
| CN211103385U (en) | Grinding device | |
| KR102904189B1 (en) | Grinding apparatus | |
| US20250262709A1 (en) | Method and apparatus for substrate notch sensing on cmp head for local planarization | |
| US20250014917A1 (en) | Separating apparatus, separating system and separating method | |
| US20240017375A1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| JPH05338737A (en) | Semi-conductor manufacturing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11 | Amendment of application requested |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-P10-P11-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |