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KR20180107613A - Electrode connection structure and touch sensor - Google Patents

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KR20180107613A
KR20180107613A KR1020170036169A KR20170036169A KR20180107613A KR 20180107613 A KR20180107613 A KR 20180107613A KR 1020170036169 A KR1020170036169 A KR 1020170036169A KR 20170036169 A KR20170036169 A KR 20170036169A KR 20180107613 A KR20180107613 A KR 20180107613A
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KR
South Korea
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pattern
electrode
pad electrode
oxide
layer
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KR1020170036169A
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Korean (ko)
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노성진
서민수
최병진
이철훈
조응구
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

An electrode connection structure of the present invention comprises: a pad electrode; a passivation layer including a contact hole partially exposing the pad electrode, and partially covering the pad electrode; a conductive capping pattern covering the pad electrode through the contact hole; an intermediate layer covering the conductive capping pattern; and a circuit structure located on the intermediate layer. Corrosion and damage to the pad electrode can be prevented through the conductive capping pattern.

Description

전극 접속 구조물 및 터치 센서{ELECTRODE CONNECTION STRUCTURE AND TOUCH SENSOR}ELECTRODE CONNECTION STRUCTURE AND TOUCH SENSOR < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 전극 접속 구조물 및 터치 센서에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전극 및 회로 연결을 위한 전극 접속 구조물 및 이를 활용하는 터치 센서에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode connection structure and a touch sensor. And more particularly, to an electrode connection structure for electrode and circuit connection and a touch sensor using the electrode connection structure.

최근 정보화 기술(IT)이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.As information technology (IT) has been developed in recent years, demands for the display field have been presented in various forms. For example, various flat panel display devices, such as a liquid crystal display device, a plasma display panel device, and a liquid crystal display device, which have features of thinning, light weight, and low power consumption, An electro luminescent display device, an organic light-emitting diode display device, and the like have been studied.

한편, 상기 표시 장치 상에 내장되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 스크린 패널(touch screen panel)이 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다. On the other hand, a touch screen panel, which is an input device built in the display device and capable of selecting an instruction content displayed on the screen as a human hand or an object and inputting a command of a user, Electronic devices in which a display function and an information input function are implemented together are being developed.

터치 스크린 패널은 터치 센서의 동작 방식에 따라, 정전 용량 방식, 광감지 방식, 저항막 방식 등으로 구분될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 센서의 경우, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱 패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다. 또한, 상기 센싱 패턴 각각과 연결된 배선들을 구동 회로와 연결시켜 상기 전기적 신호를 전달할 수 있다.The touch screen panel can be divided into a capacitive type, a light sensing type, and a resistive type according to the operation of the touch sensor. In the case of a capacitive touch sensor, when a human hand or an object touches, the conductive sensing pattern senses a change in the capacitance formed by the surrounding sensing patterns or the ground electrode, thereby converting the contact position into an electrical signal. In addition, the wirings connected to the sensing patterns may be connected to the driving circuit to transmit the electrical signals.

상기 배선들은 패드, 도전성 연결 부재 등과 같은 별도 구조물들을 통해 상기 구동회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 전기적 접속 공정 중 예를 들면, 패드 또는 배선의 부식, 변성이 발생되어 접속 불량이 초래되며, 이 경우 터치 스크린 패널의 동작 신뢰성이 열화될 수 있다.The wirings may be electrically connected to the driving circuit through separate structures such as pads, conductive connecting members, and the like. However, for example, corrosion or denaturation of pads or wirings may occur during the electrical connection process, resulting in poor connection, and in this case, operational reliability of the touch screen panel may deteriorate.

예를 들면, 한국공개특허 제2012-0067795호는 신호 라인들을 집약하여 외부 회로와 연결하는 평판 표시 패널의 패드 구조를 개시하고 있으나, 전술한 패드의 부식, 변성 방지를 위한 수단은 개시하지 못하고 있다.For example, Korean Unexamined Patent Publication No. 2002-0067795 discloses a pad structure of a flat panel display panel in which signal lines are concentrated and connected to an external circuit, but means for preventing corrosion and degeneration of the pad are not disclosed .

한국공개특허 제2012-0067795호Korea Patent Publication No. 2012-0067795

본 발명의 일 과제는 전기적 연결의 신뢰성이 향상된 전극 접속 구조물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an electrode connection structure with improved reliability of electrical connection.

본 발명의 일 과제는 상기 전극 접속 구조물의 적어도 일부를 포함하는 터치 센서를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a touch sensor including at least a part of the electrode connection structure.

본 발명의 일 과제는 상기 전극 접속 구조물을 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an image display device including the electrode connection structure.

1. 패드 전극; 상기 패드 전극을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 포함하며, 상기 패드 전극을 부분적으로 덮는 패시베이션 층; 상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극을 덮는 도전성 캡핑 패턴; 상기 도전성 캡핑 패턴을 덮는 중개층; 및 상기 중개층 상에 배치된 회로 구조물을 포함하는, 전극 접속 구조물.1. pad electrode; A passivation layer including a contact hole partially exposing the pad electrode, the passivation layer partially covering the pad electrode; A conductive capping pattern covering the pad electrode through the contact hole; An intermediate layer covering the conductive capping pattern; And a circuit structure disposed on the mediation layer.

2. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 전극 접속 구조물.2. The method of claim 1, wherein the conductive capping pattern comprises at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx) Wherein the electrode comprises at least one selected from the group consisting of tin oxide (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO) and indium gallium oxide Connection structure.

3. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 패드 전극과 접촉하는 전극 접속 구조물.3. The electrode connection structure of 1 above, wherein the conductive capping pattern is in contact with the pad electrode.

4. 위 3에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 패시베이션 층의 상면, 상기 콘택 홀의 측벽 및 상기 콘택 홀을 통해 노출된 상기 패드 전극의 상면을 따라 형성된, 전극 접속 구조물.4. The electrode connection structure according to claim 3, wherein the conductive capping pattern is formed along an upper surface of the passivation layer, a side wall of the contact hole, and an upper surface of the pad electrode exposed through the contact hole.

5. 위 1에 있어서, 상기 패드 전극은 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 전극 접속 구조물.5. The electrode connection structure of 1 above, wherein the pad electrode comprises a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially laminated.

6. 위 5에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 상면과 접촉하는, 전극 접속 구조물.6. The electrode connection structure according to item 5 above, wherein the conductive capping pattern contacts the upper surface of the second transparent conductive oxide pattern.

7. 위 1에 있어서, 상기 중개층은 도전성 수지, 도전성 페이스트, 도전성 볼 또는 이방성 도전 필름을 포함하는, 전극 접속 구조물.7. The electrode connection structure according to 1 above, wherein the intermediate layer comprises a conductive resin, a conductive paste, a conductive ball or an anisotropic conductive film.

8. 위 7에 있어서, 상기 중개층은 상기 도전성 캡핑 패턴의 상면을 전체적으로 덮으며 상기 콘택 홀의 나머지 부분을 채우는, 전극 접속 구조물.8. The electrode connection structure of claim 7, wherein the medial layer entirely covers an upper surface of the conductive capping pattern and fills the remaining portion of the contact hole.

9. 위 1에 있어서, 상기 회로 구조물은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 포함하는, 전극 접속 구조물.9. The electrode connection structure of 1 above, wherein said circuit structure comprises a flexible printed circuit board (FPCB).

10. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 배열된 센싱 전극들; 상기 베이스 층 상에 배치되며 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 패드 전극; 상기 베이스 층 상에서 상기 센싱 전극들을 덮으며, 상기 패드 전극을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 패시베이션 층; 및 상기 패시베이션 층 상에 배치되며, 상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극 상면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.10. Base layer; Sensing electrodes arranged on the base layer; A pad electrode disposed on the base layer and electrically connected to the sensing electrodes; A passivation layer covering the sensing electrodes on the base layer and including contact holes partially exposing the pad electrodes; And a conductive capping pattern disposed on the passivation layer and covering an upper surface of the pad electrode through the contact hole.

11. 위 10에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.11. The touch sensor of 10, wherein the conductive capping pattern comprises a transparent conductive oxide.

12. 위 10에 있어서, 상기 센싱 전극 및 상기 패드 전극은 각각 상기 베이스 층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.12. The touch sensor of claim 10, wherein the sensing electrode and the pad electrode each include a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked from the base layer.

13. 위 12에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 상면과 접촉하는, 터치 센서.13. The touch sensor of claim 12, wherein the conductive capping pattern contacts an upper surface of the second transparent conductive oxide pattern.

14. 위 10에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는 터치 센서.14. The touch sensor of claim 10, wherein the sensing electrode comprises a mesh pattern structure.

15. 위 10에 있어서, 상기 센싱 전극과 상기 패드 전극을 연결시키는 배선을 더 포함하는, 터치 센서.15. The touch sensor of claim 10, further comprising a wiring connecting the sensing electrode and the pad electrode.

16. 위 15에 있어서, 상기 배선은 상기 베이스 층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.16. The touch sensor of 15, wherein the wiring comprises a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern which are sequentially stacked from the base layer.

17. 위 10에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 중개층을 통해 회로 구조물과 전기적으로 연결되는, 터치 센서.17. The touch sensor of claim 10, wherein the conductive capping pattern is electrically connected to the circuit structure through the mediation layer.

18. 위 17에 있어서, 상기 중개층은 상기 패시베이션 층 상에서 상기 도전성 캡핑 패턴을 전체적으로 덮도록 배치되는, 터치 센서.18. The touch sensor of claim 17, wherein the mediation layer is disposed over the passivation layer as a whole to cover the conductive capping pattern.

19. 위 10에 있어서, 상기 베이스 층 또는 상기 패시베이션 층 중 적어도 하나는 유기 절연 물질을 포함하는, 터치 센서.19. The touch sensor of claim 10, wherein at least one of the base layer or the passivation layer comprises an organic insulating material.

20. 위 1 내지 9 중 어느 한 항의 전극 접속 구조물을 포함하는, 화상 표시 장치.20. An image display apparatus comprising the electrode connection structure according to any one of items 1 to 9 above.

본 발명의 실시예들에 따르는 전극 접속 구조물에 있어서, 패드 전극을 부분적으로 덮으며, 상기 패드 전극을 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 패시베이션 층이 형성되고, 상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극의 노출 면을 덮는 도전성 캡핑 패턴이 형성된다. 상기 도전성 캡핑 패턴에 의해 상기 패드 전극의 외부 노출에 의한 부식, 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 외부 환경에 대해 내구성, 신뢰성이 향상된 전기적 연결을 구현할 수 있다.In the electrode connection structure according to the embodiments of the present invention, a passivation layer is formed that partially covers the pad electrode and includes a contact hole exposing the pad electrode, and the exposed surface of the pad electrode through the contact hole A conductive capping pattern is formed. The conductive capping pattern can prevent corrosion or damage due to external exposure of the pad electrode. Therefore, it is possible to realize an electrical connection with improved durability and reliability against the external environment.

상기 전극 접속 구조물은 터치 센서의 배선 영역에 배치되어, 센싱 전극과의 전기적 신호 전달의 신뢰성이 향상될 수 있다. 상기 센싱 전극 및 패드 전극은 예를 들면, 제1 투명 도전성 산화물 패턴-금속 패턴-제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 복층 구조를 포함할 수 있으며, 이에 따라 투과도를 향상시키면서, 채널 저항이 감소된 터치 센서가 구현될 수 있다. The electrode connection structure is disposed in the wiring region of the touch sensor, so that the reliability of electrical signal transmission to the sensing electrode can be improved. The sensing electrode and the pad electrode may include a multilayer structure including, for example, a first transparent conductive oxide pattern-metal pattern-second transparent conductive oxide pattern, thereby improving the transmittance and reducing the channel resistance A touch sensor can be implemented.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 전극 접속 구조물을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 접속 구조물을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3 및 도 4는 각각 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrode connection structure according to exemplary embodiments;
2 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrode connection structure according to exemplary embodiments;
3 and 4 are a top view and a cross-sectional view, respectively, of a touch sensor according to exemplary embodiments.
5 is a schematic cross-sectional view showing an image display device according to exemplary embodiments.

본 발명의 실시예들은 패드 전극, 상기 패드 전극을 부분적으로 덮으며 상기 패드 전극을 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 패시베이션 층, 및 상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 패드 전극을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는 전극 접속 구조물을 제공한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 상기 전극 접속 구조물을 통해 전기적 연결의 신뢰성이 향상된 터치 센서 및 화상 표시 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention may include a pad electrode, a passivation layer partially covering the pad electrode and including a contact hole exposing the pad electrode, and a pad electrode electrically connected to the pad electrode through the contact hole, The present invention provides an electrode connection structure including a conductive capping pattern. Embodiments of the present invention also provide a touch sensor and an image display device having improved reliability of electrical connection through the electrode connection structure.

이하 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. And shall not be construed as limited to such matters.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 전극 접속 구조물을 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrode connection structure according to exemplary embodiments;

도 1을 참조하면, 전극 접속 구조물은 패드 전극(50) 및 도전성 캡핑 패턴(70)을 포함하며, 패드 전극(50)과 전기적으로 연결되는 중개층(90) 및 회로 구조물(95)을 포함할 수 있다.1, the electrode connection structure includes a pad electrode 50 and a conductive capping pattern 70 and includes a mediation layer 90 and a circuit structure 95 that are electrically connected to the pad electrode 50 .

패드 전극(50)은 베이스 층(20) 상에 배치될 수 있다. 베이스 층(20)은 패드 전극(50) 형성을 위한 지지층, 또는 하부 부재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 베이스 층(20)은 필름 타입의 부재 또는 기판을 포괄할 수 있으며, 또는 패드 전극(50)이 형성되는 대상체(예를 들면, 디스플레이 장치의 표시 패널)를 포괄할 수 있다.The pad electrode 50 may be disposed on the base layer 20. The base layer 20 is used to mean a supporting layer for forming the pad electrode 50, or a lower member. For example, the base layer 20 may encompass a film-type member or a substrate, or may encompass a target object (e.g., a display panel of a display device) on which the pad electrode 50 is formed.

베이스 층(20)은 예를 들면, 글래스, 플라스틱, 또는 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등과 같은 유연성 수지를 포함할 수 있다.The base layer 20 may be formed of, for example, glass, plastic or other materials such as polyimide (PI), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polymethylmethacrylate (PMMA), triacetylcellulose And may include the same flexible resin.

패드 전극(50)은 금속, 합금, 투명 도전성 산화물, 탄소계열 도전성 물질, 도전성 고분자 등을 포함할 수 있다. 신호 전달 속도 향상 및 저항 감소 측면에서 패드 전극(50)은 금속, 합금 및/또는 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The pad electrode 50 may include a metal, an alloy, a transparent conductive oxide, a carbon-based conductive material, a conductive polymer, and the like. The pad electrode 50 may include a metal, an alloy, and / or a transparent conductive oxide in terms of improving the signal transmission rate and decreasing the resistance.

예를 들면, 패드 전극(50)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 텔레늄(Te), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속, 또는 이들 금속의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다.For example, the pad electrode 50 may be formed of a metal such as Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Cr, (Ti), Ta, Fe, Co, Ni, Zr, Te, V, Nb, , Or an alloy of these metals (e.g., silver-palladium-copper (APC)).

패드 전극(50)은 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO)과 같은 상기 투명 도전성 산화물을 포함할 수도 있다.The pad electrode 50 may be formed of a material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide , A transparent conductive oxide such as tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), indium gallium oxide (IGO).

일부 실시예들에 있어서, 패드 전극(50)은 배선(40)과 일체로 연결되며, 배선(40)의 말단에 배치될 수 있다. 패드 전극(50)은 하나의 배선(40)과 연결될 수 있으며, 복수의 배선들(40)을 함께 병합할 수도 있다.In some embodiments, the pad electrode 50 is integrally connected to the wiring 40 and may be disposed at the end of the wiring 40. [ The pad electrode 50 may be connected to one wiring 40, and the plurality of wirings 40 may be combined together.

패시베이션 층(80)은 베이스 층(20) 상에서 패드 전극(50)을 부분적으로 덮도록 형성될 수 있다. 패시베이션 층(80)은 패드 전극(50)과 연결된 배선(40)을 함께 덮을 수 있다.The passivation layer 80 may be formed to partially cover the pad electrode 50 on the base layer 20. The passivation layer 80 may cover the wiring 40 connected to the pad electrode 50 together.

일부 실시예들에 있어서, 패시베이션 층(80)은 폴리실록산 계열, 아크릴 계열, 폴리이미드 계열 들의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 감광성 고분자를 포함할 수 있다.In some embodiments, the passivation layer 80 may comprise polysiloxane-based, acrylic-based, polyimide-based organic insulating materials. The organic insulating material may include a photosensitive polymer.

일부 실시예들에 있어서, 패시베이션 층(80)은 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수도 있다.In some embodiments, the passivation layer 80 may comprise an inorganic insulating material such as silicon oxide.

예시적인 실시예들에 따르면, 패시베이션 층(80)은 패드 전극(50)을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(85)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 콘택 홀(85)은 패시베이션 층(80)에 대해 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및/또는 현상 공정을 통해 형성될 수 있다.According to exemplary embodiments, the passivation layer 80 may include a contact hole 85 that partially exposes the pad electrode 50. For example, the contact hole 85 may be formed through an exposure process and / or a development process using a photomask with respect to the passivation layer 80.

일부 실시예들에 있어서, 콘택 홀(85)을 통해 패드 전극(50)의 상면이 부분적으로 노출될 수 있다.In some embodiments, the top surface of the pad electrode 50 may be partially exposed through the contact hole 85.

도전성 캡핑 패턴(70)은 콘택 홀(85)을 통해 패드 전극(50)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 도전성 캡핑 패턴(70)은 콘택 홀(85)의 측벽 상에 형성되어 패드 전극(50)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 도전성 캡핑 패턴(70)은 패시베이션 층(80)의 상면 상으로도 연장될 수 있다. 이 경우, 도전성 캡핑 패턴(70)은 패시베이션 층(80)의 상면, 콘택 홀(85)의 상기 측벽 및 패드 전극(50)의 상면을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.The conductive capping pattern 70 may be electrically connected to the pad electrode 50 through the contact hole 85. In some embodiments, the conductive capping pattern 70 may be formed on the sidewall of the contact hole 85 and directly contact the top surface of the pad electrode 50. [ The conductive capping pattern 70 may also extend over the top surface of the passivation layer 80. In this case, the conductive capping pattern 70 may be conformally formed along the upper surface of the passivation layer 80, the side wall of the contact hole 85, and the upper surface of the pad electrode 50.

예시적인 실시예들에 따르면, 도전성 캡핑 패턴(70)은 금속에 비해 향상된 내부식성을 갖는 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(70)은 ITO, IZO, IZTO, AZO, ZnOx, InOx, SnOx, CTO, GZO, ZTO, IGO 등을 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the conductive capping pattern 70 may comprise a transparent conductive oxide having improved corrosion resistance compared to metal. For example, the conductive capping pattern 70 may include ITO, IZO, IZTO, AZO, ZnOx, InOx, SnOx, CTO, GZO, ZTO, IGO, and the like.

패드 전극(50)은 도전성 캡핑 패턴(70)을 통해 외부 회로 부재와 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 패시베이션 층(80) 상에 도전성 캡핑 패턴(70)을 덮는 중개층(90)이 형성되며, 중개층(90) 상에는 회로 구조물(95)이 배치될 수 있다.The pad electrode 50 may be electrically connected to the external circuit member through the conductive capping pattern 70. According to exemplary embodiments, a mediation layer 90 is formed on the passivation layer 80 to cover the conductive capping pattern 70, and a circuit structure 95 may be disposed on the mediation layer 90.

이에 따라, 패드 전극(50)-도전성 캡핑 패턴(70)-중개층(90)-회로 구조물(95)을 포함하는 전극 접속 구조물이 구현될 수 있다.Accordingly, an electrode connection structure including the pad electrode 50, the conductive capping pattern 70, the intermediate layer 90, and the circuit structure 95 can be realized.

중개층(90)은 패시베이션 층(80) 상에서 도전성 캡핑 패턴(70)을 전체적으로 커버할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 중개층(90)에 의해 콘택 홀(85)의 나머지 부분이 채워질 수 있다. 예를 들면, 중개층(90)은 도전성 캡핑 패턴(70)을 덮도록 콘택 홀(85)을 채우면서 패시베이션 층(80)의 상면 일부를 덮을 수 있다.The mediation layer 90 may cover the conductive capping pattern 70 entirely on the passivation layer 80. In some embodiments, the remainder of the contact hole 85 may be filled by the mediation layer 90. For example, the mediation layer 90 may cover a portion of the top surface of the passivation layer 80 while filling the contact holes 85 to cover the conductive capping pattern 70.

예시적인 실시예들에 있어서, 중개층(90)은 도전성 페이스트, 도전성 수지 또는 도전성 볼(ball)을 사용하여 형성될 수 있다. 따라서, 접속 공정에서 중개층(90)에 의해 충격 완화 특성이 구현될 수 있고, 도전성 캡핑 패턴(70)을 덮으면서 콘택 홀(85)이 용이하게 충진될 수 있다.In the exemplary embodiments, the mediation layer 90 may be formed using a conductive paste, a conductive resin, or a conductive ball. Therefore, in the connecting process, the shock-absorbing property can be realized by the mediating layer 90, and the contact hole 85 can be easily filled while covering the conductive capping pattern 70. [

예를 들면, 중개층(90)은 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film: ACF)으로부터 형성될 수 있다.For example, the mediation layer 90 may be formed from an anisotropic conductive film (ACF).

이에 따라, 중개층(90)은 상기 도전성 페이스트, 도전성 수지, 도전성 볼 등을 코팅 또는 프린팅하여 형성된 구조물, 또는 상기 ACF를 부착시켜 형성된 구조물 등을 포괄할 수 있다.Accordingly, the mediating layer 90 may include a structure formed by coating or printing the conductive paste, the conductive resin, or the conductive ball, or a structure formed by attaching the ACF.

회로 구조물(95)은 패드 전극(50)을 구동 IC와 같은 외부 회로에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 회로 구조물(95)은 각종 배선, 와이어, 전극 등을 포함할 수 있으며, 일부 실시예들에 있어서 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board: FPCB)을 포함할 수 있다.The circuit structure 95 may electrically connect the pad electrode 50 to an external circuit such as a driving IC. The circuit structure 95 may include various wires, wires, electrodes, etc., and in some embodiments may include a flexible printed circuit board (FPCB).

회로 구조물(95)은 중개층(90)과 직접 접촉할 수 있으며, 중개층(90)에 의해 도전성 캡핑 패턴(70)과 물리적으로 이격될 수 있다.The circuit structure 95 may be in direct contact with the mediation layer 90 and may be physically spaced from the conductive capping pattern 70 by the mediation layer 90.

상술한 예시적인 실시예들에 따르면, 회로 구조물(95)과 접속되는 패드 전극(50)을 먼저 패시베이션 층(80)으로 부분적으로 커버하며, 노출되는 패드 전극(50) 부분은 도전성 캡핑 패턴(70)으로 보호할 수 있다. 따라서, 패드 전극(50)이 외부 환경 또는 중개층(90)에 직접적으로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 패드 전극(50)이 외부 공기, 수분, 또는 유기 물질과 같은 외부 부식유발 물질에 노출되어 산화, 부식, 손상되는 것을 방지할 수 있다.The exposed portion of the pad electrode 50 is partially covered by the passivation layer 80 and the exposed portion of the pad electrode 50 is covered by the conductive capping pattern 70. In this embodiment, ). ≪ / RTI > Therefore, it is possible to prevent the pad electrode 50 from being directly exposed to the external environment or the intermediate layer 90. Therefore, the pad electrode 50 can be prevented from being oxidized, corroded, or damaged by being exposed to an external corrosion-inducing substance such as outside air, water, or an organic substance.

또한, 도전성 캡핑 패턴(70)은 콘택 홀(85)의 내벽뿐만 아니라, 패시베이션 층(80)의 상면 상에도 형성될 수 있으며, 이에 따라 중개층(90)과의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 따라서, 패드 전극(50)의 부식을 방지하면서 저항 증가를 억제할 수 있다.The conductive capping pattern 70 may also be formed not only on the inner walls of the contact holes 85 but also on the upper surface of the passivation layer 80 so that the contact area with the mediate layer 90 can be increased. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the pad electrode 50 while suppressing the increase in resistance.

또한, 도전성 캡핑 패턴(70)은 중개층(90) 및 회로 구조물(95)의 접속 공정시 패드 전극(50)으로 인가되는 스트레스, 충격 등을 완화하는 버퍼 패턴으로도 기능할 수 있다. 따라서, 패드 전극(50)의 기계적 신뢰성이 함께 향상될 수 있다.The conductive capping pattern 70 may also function as a buffer pattern for relieving the stress, impact, etc. applied to the pad electrode 50 during the connection process of the intermediate layer 90 and the circuit structure 95. Therefore, the mechanical reliability of the pad electrode 50 can be improved as well.

도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 접속 구조물을 나타내는 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrode connection structure according to exemplary embodiments;

도 2를 참조하면, 패드 전극(50)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 패드 전극(50)은 베이스 층(20)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31), 금속 패턴(33) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)을 포함하는 3중층 구조를 가질 수도 있다.Referring to FIG. 2, the pad electrode 50 may have a multi-layer structure including different materials. In some embodiments, the pad electrode 50 includes a first transparent conductive oxide pattern 31, a metal pattern 33, and a second transparent conductive oxide pattern 35 sequentially stacked from the top surface of the base layer 20, Or a triple-layered structure including the three-layer structure.

제1 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴들(31, 35)은 ITO, IZO, IZTO, AZO, ZnOx, InOx, SnOx, CTO, GZO, ZTO, IGO 등을 포함할 수 있다. 금속 패턴(33)은 Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Cr, W, Ti, Ta, Fe, Co, Ni, Zn, Te, V, Nb, Mo과 같은 금속, 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.The first and second transparent conductive oxide patterns 31 and 35 may include ITO, IZO, IZTO, AZO, ZnOx, InOx, SnOx, CTO, GZO, ZTO and IGO. The metal pattern 33 is formed of a metal such as Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Cr, W, Ti, Ta, Fe, Co, Ni, Zn, Te, V, Nb, Mo, . ≪ / RTI >

예시적인 실시예들에 따르면, 저저항 금속을 포함하는 금속 패턴(33)이 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴들(31, 35)에 의해 샌드위치됨에 따라, 금속 패턴(33)의 산화 또는 부식이 보다 효과적으로 억제될 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31)에 의해 베이스 층(20)으로부터 확산되는 유기 물질이 차단될 수 있다. 또한, 금속 패턴(33) 상에는 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35) 및 도전성 캡핑 패턴(70)을 포함하는 복층의 외부 환경 배리어가 배치될 수 있다. 따라서, 금속 패턴(33)의 하부 부재 및 외부 환경으로부터 야기되는 부식 유발 물질이 실질적으로 차단될 수 있다.According to exemplary embodiments, as the metal pattern 33 including the low-resistance metal is sandwiched by the first and second transparent conductive oxide patterns 31 and 35, oxidation or corrosion of the metal pattern 33 Can be more effectively suppressed. For example, the organic material diffused from the base layer 20 by the first transparent conductive oxide pattern 31 can be blocked. Further, on the metal pattern 33, a multilayered external environmental barrier including the second transparent conductive oxide pattern 35 and the conductive capping pattern 70 may be disposed. Therefore, the corrosion-causing material caused by the lower member and the external environment of the metal pattern 33 can be substantially blocked.

일부 실시예들에 있어서, 도 1에 도시된 배선(40) 역시 패드 전극(50)과 실질적으로 동일한 다층 구조를 가질 수 있다.In some embodiments, the wire 40 shown in FIG. 1 may also have a substantially same multi-layer structure as the pad electrode 50.

도 3 및 도 4는 각각 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 평면도 및 단면도이다. 예를 들면, 도 3 및 도 4는 도 2를 참조로 설명한 전극 접속 구조물의 적어도 일부를 포함하는 필름 타입 터치 센서 또는 터치 스크린 패널을 도시하고 있다. 3 and 4 are a top view and a cross-sectional view, respectively, of a touch sensor according to exemplary embodiments. For example, FIGS. 3 and 4 illustrate a film-type touch sensor or touch screen panel that includes at least a portion of the electrode connection structure described with reference to FIG.

설명의 편의를 위해, 도 3에서는 층간 절연층(60), 패시베이션 층(80) 등의 도시가 생략되었다. 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일한 구성 및 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.For convenience of explanation, the illustration of the interlayer insulating layer 60, the passivation layer 80 and the like is omitted in Fig. A detailed description of the substantially same constitution and materials as those described with reference to Figs. 1 and 2 is omitted.

도 3 및 도 4를 참조하면, 터치 센서(10)는 베이스 층(20) 상에 배치된 센싱 전극들(30), 센싱 전극들(30)로부터 분기되는 배선들(40) 및 배선들(40)의 말단에 연결된 패드 전극들(50)을 포함할 수 있다.3 and 4, the touch sensor 10 includes sensing electrodes 30 disposed on the base layer 20, wirings 40 branched from the sensing electrodes 30, and wirings 40 And the pad electrodes 50 connected to the ends of the pad electrodes 50.

터치 센서(10) 또는 베이스 층(20)은 도 3에서 점선 사각형으로 표시된 제1 영역(A) 및 제2 영역(B)으로 구분될 수 있다. 센싱 전극들(30)은 터치 센서의 제1 영역(A)에 배열되며, 배선들(40) 및 패드 전극들(50)은 제2 영역(B)에 배치될 수 있다.The touch sensor 10 or the base layer 20 may be divided into a first area A and a second area B indicated by a dotted rectangle in FIG. The sensing electrodes 30 may be arranged in the first area A of the touch sensor and the wires 40 and the pad electrodes 50 may be arranged in the second area B.

제1 영역(A)은 예를 들면, 터치 지점을 검출하여 위치 정보를 생성하는 센싱 영역에 해당될 수 있다. 제2 영역(B)은 터치 센서(10)의 배선 영역 또는 트레이스 영역에 해당될 수 있다.The first area A may correspond to, for example, a sensing area for detecting touch points to generate position information. The second area B may correspond to a wiring area or a trace area of the touch sensor 10. [

일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극들(30)은 베이스 층(20) 상에 배열된 제1 센싱 전극들(30a) 및 제2 센싱 전극들(30b)을 포함할 수 있다.In some embodiments, the sensing electrodes 30 may include first sensing electrodes 30a and second sensing electrodes 30b arranged on the base layer 20.

제1 센싱 전극(30a)은 예를 들면, 다각형 형상의 단위 패턴들이 연결부를 통해 제1 방향을 따라 연결되며 연장할 수 있다. 따라서, 상기 상기 제1 방향의 제1 센싱 라인이 정의되며, 복수의 상기 제1 센싱 라인들이 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 베이스 층(20) 상면에 평행하며, 서로 수직하게 교차하는 두 방향을 지칭할 수 있다.For example, the first sensing electrodes 30a may extend and extend in a first direction through connection portions of polygonal unit patterns. Accordingly, a first sensing line in the first direction may be defined, and a plurality of the first sensing lines may be arranged in the second direction. For example, the first direction and the second direction may be parallel to the upper surface of the base layer 20, and may refer to two directions perpendicular to each other.

제2 센싱 전극(30b)은 예를 들면, 서로 물리적으로 이격된 다각형 형상의 단위 패턴들이 도 4에 도시된 바와 같이 브릿지 전극(39)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 상기 제2 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 전극(30b)의 상기 단위 패턴들은 상기 제2 방향으로 제1 센싱 전극(30a)의 상기 연결부를 사이에 두고 서로 마주보도록 배열될 수 있다.The second sensing electrodes 30b are electrically connected to each other by, for example, bridging electrodes 39 as shown in Fig. 4, so that polygonal unit patterns physically spaced from each other can be extended in the second direction have. For example, the unit patterns of the second sensing electrode 30b may be arranged to face each other with the connection portion of the first sensing electrode 30a in the second direction.

제2 센싱 전극들(30b)에 의해 제1 센싱 전극들(30a)과 절연이 유지되면서 상기 제2 방향으로 연장하는 제2 센싱 라인이 정의될 수 있다. 복수의 상기 제2 센싱 라인들이 상기 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.A second sensing line extending in the second direction while being insulated from the first sensing electrodes 30a by the second sensing electrodes 30b may be defined. A plurality of the second sensing lines may be arranged along the first direction.

일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극들(30)은 베이스 층(20)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31), 금속 패턴(33) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.In some embodiments, the sensing electrodes 30 may include a first transparent conductive oxide pattern 31, a metal pattern 33, and a second transparent conductive oxide pattern 35 sequentially stacked from the top surface of the base layer 20 ). ≪ / RTI >

센싱 전극(30)이 금속 패턴(33)을 포함함에 따라 채널 저항이 감소하여 센싱 감도가 향상될 수 있다. 또한, 센싱 전극(30)이 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴들(31, 35)을 포함함에 따라 터치 센서(10)의 투과도가 향상될 수 있으며, 금속 패턴(33)의 부식을 방지할 수 있다.As the sensing electrode 30 includes the metal pattern 33, the channel resistance is reduced and the sensing sensitivity can be improved. In addition, since the sensing electrode 30 includes the first and second transparent conductive oxide patterns 31 and 35, the transmittance of the touch sensor 10 can be improved and the corrosion of the metal pattern 33 can be prevented. .

일부 실시예들에 따르면, 센싱 전극(30)은 메쉬(mesh) 패턴 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극(30)에 포함된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31), 금속 패턴(33) 및/또는 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)은 상기 메쉬 패턴 구조로 형성될 수 있다.According to some embodiments, the sensing electrode 30 may comprise a mesh pattern structure. For example, the first transparent conductive oxide pattern 31, the metal pattern 33, and / or the second transparent conductive oxide pattern 35 included in the sensing electrode 30 may be formed in the mesh pattern structure.

메쉬 패턴은 네트(net) 또는 벌집(honeycomb) 형태의 내부 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메쉬 패턴은 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 포함할 수 있으며, 오목 다각형 메쉬 구조를 포함할 수도 있다.The mesh pattern may include an internal structure in the form of a net or a honeycomb. In addition, the mesh pattern may include a rectangular square mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, or the like, and may include a concave polygonal mesh structure.

센싱 전극(30)이 상기 메쉬 패턴 구조를 가짐에 따라, 굽힙 특성이 향상되어 유연성 및 신축성이 우수한 터치 센서(10)가 구현될 수 있으며, 터치 센서(10)의 투과도가 추가적으로 향상될 수 있다.As the sensing electrode 30 has the mesh pattern structure, the bending characteristic is improved, so that the touch sensor 10 having excellent flexibility and stretchability can be realized and the transmittance of the touch sensor 10 can further be improved.

각 센싱 라인들로부터 배선들(40)이 분기되어 제2 영역(B) 상에 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 배선들(40) 역시 센싱 전극(30)과 실질적으로 동일하거나 유사한 다층 구조를 가질 수 있다.The wirings 40 may be branched from the respective sensing lines and arranged on the second region B. [ In some embodiments, the wires 40 may also have a multi-layer structure that is substantially the same as or similar to the sensing electrode 30. [

배선들(40)의 말단부들은 예를 들면, 베이스 층(20)의 주변부에서 집합되어 패드 전극(50)과 연결될 수 있다. 패드 전극(50)은 센싱 전극(30)과 실질적으로 동일한 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31), 금속 패턴(33) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.The ends of the wirings 40 may be gathered at the periphery of the base layer 20 and connected to the pad electrode 50, for example. The pad electrode 50 may have a multilayer structure including a first transparent conductive oxide pattern 31 substantially identical to the sensing electrode 30, a metal pattern 33, and a second transparent conductive oxide pattern 35.

이 경우, 센싱 전극(30), 배선(40) 및 패드 전극(50)은 베이스 층(20) 상에 순차적으로 제1 투명 도전성 산화물 층, 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물 층을 형성한 후, 실질적으로 일괄 패터닝 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.In this case, the sensing electrode 30, the wiring 40 and the pad electrode 50 are formed by sequentially forming the first transparent conductive oxide layer, the metal layer and the second transparent conductive oxide layer on the base layer 20, May be simultaneously formed through a batch patterning process.

층간 절연층(60)은 베이스 층(20) 상에 형성되어 센싱 전극들(30)을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 층간 절연층(60)은 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 층간 절연층(60)은 에폭시 화합물, 아크릴 화합물, 멜라닌 화합물 등과 같은 열경화성 또는 광경화성 물질을 포함하는 유기 수지 조성물로부터 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 60 may be formed on the base layer 20 to cover the sensing electrodes 30 at least partially. The interlayer insulating layer 60 may include an inorganic insulating material such as silicon oxide, or a transparent organic material such as an acrylic resin. Preferably, the interlayer insulating layer 60 may be formed from an organic resin composition containing a thermosetting or photo-curable material such as an epoxy compound, an acrylic compound, a melanin compound and the like.

브릿지 전극(39)은 층간 절연층(60)을 관통하며, 상기 제2 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극(30b)의 단위 패턴들을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 브릿지 전극(39)에 의해 제2 센싱 전극(30b)의 상기 단위 패턴들이 제1 센싱 전극(30a)과 절연이 유지되면서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The bridge electrode 39 penetrates the interlayer insulating layer 60 and can electrically connect the unit patterns of the second sensing electrode 30b neighboring in the second direction. The unit patterns of the second sensing electrode 30b can be electrically connected to each other while being insulated from the first sensing electrode 30a by the bridge electrode 39. [

일 실시예에 있어서, 층간 절연층(60)은 브릿지 전극(39)이 형성된 영역에 선택적으로 프린팅된 패턴 구조를 가질 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 브릿지 전극(39) 역시 제1 투명 도전성 산화물 패턴(31), 금속 패턴(33) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.In one embodiment, the interlayer insulating layer 60 may have a pattern structure selectively printed on the region where the bridge electrode 39 is formed. In one embodiment, the bridge electrode 39 may also have a multi-layer structure including the first transparent conductive oxide pattern 31, the metal pattern 33, and the second transparent conductive oxide pattern 35.

패시베이션 층(80)은 제1 영역(A) 및 제2 영역(B) 상에서 공통적으로 연장하며, 센싱 전극들(30), 층간 절연층(60), 브릿지 전극(39) 및 패드 전극(50)을 함께 덮을 수 있다.The passivation layer 80 extends commonly on the first region A and the second region B and includes sensing electrodes 30, an interlayer insulating layer 60, a bridge electrode 39, and a pad electrode 50, Can be covered together.

예시적인 실시예들에 따르면, 제2 영역(B) 상에 형성된 패시베이션 층(80)을 부분적으로 제거하여, 패드 전극(50)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(85)이 형성될 수 있다.According to exemplary embodiments, the passivation layer 80 formed on the second region B may be partially removed to form a contact hole 85 that partially exposes the upper surface of the pad electrode 50 .

도 1 및 도 2를 참조로 설명한 바와 같이, 콘택 홀(85)을 통해 패드 전극(50)을 보호하는 도전성 캡핑 패턴(70)이 패시베이션 층(80) 상에 형성될 수 있다. 도전성 캡핑 패턴(70)은 투명 도전성 산화물을 포함하며, 패드 전극(50)에 포함된 제2 투명 도전성 산화물 패턴(35)의 상면과 접촉할 수 있다.A conductive capping pattern 70 that protects the pad electrode 50 through the contact hole 85 may be formed on the passivation layer 80, as described with reference to FIGS. The conductive capping pattern 70 includes a transparent conductive oxide and can contact the upper surface of the second transparent conductive oxide pattern 35 included in the pad electrode 50.

일부 실시예들에 있어서, 패시베이션 층(80) 상에 도전성 캡핑 패턴(70)을 덮는 중개층(90)이 형성되고, 중개층(90) 상에 회로 구조물(95)이 배치되어 패드 전극(50)을 구동 IC와 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(A)에서 생성된 터치 정보가 상기 구동 IC로 전달될 수 있다.In some embodiments, a mediation layer 90 is formed on the passivation layer 80 to cover the conductive capping pattern 70 and a circuit structure 95 is disposed on the mediation layer 90 to form the pad electrode 50 Can be connected to the driving IC. Accordingly, the touch information generated in the first area A can be transmitted to the driving IC.

상술한 바와 같이, 터치 센서(10)의 패드 전극(50)을 외부 회로와 연결시키기 위해 중개층(90)과 접합 공정 수행 시, 도전성 캡핑 패턴(70)이 패드 전극(50)을 보호할 수 있다. 또한, 패시베이션 층(80)에 의해 패드 전극(50)의 측부가 보호될 수 있다. 따라서, 패드 전극(50)이 외부 환경에 직접적으로 노출되는 것을 방지하며, 상기 외부 환경에 의한 부식, 손상을 억제할 수 있다.The conductive capping pattern 70 protects the pad electrode 50 during the bonding process with the intermediate layer 90 to connect the pad electrode 50 of the touch sensor 10 to the external circuit. have. In addition, the side of the pad electrode 50 can be protected by the passivation layer 80. Accordingly, the pad electrode 50 is prevented from being directly exposed to the external environment, and corrosion and damage due to the external environment can be suppressed.

도 5는 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view showing an image display device according to exemplary embodiments.

도 5를 참조하면, 상기 화상 표시 장치는 예를 들면 상부 커버(100a), 하부 커버(100b), 메인 보드(110), 표시 패널(120) 및 터치 센서(130)를 포함할 수 있다.5, the image display apparatus may include an upper cover 100a, a lower cover 100b, a main board 110, a display panel 120, and a touch sensor 130, for example.

상부 커버(100a)는 화상 표시 장치의 윈도우 기판을 포함할 수 있다. 하부 커버(100b)는 화상 표시 장치의 배면 커버일 수 있으며, 예를 들면 배터리 커버를 포함할 수 있다.The upper cover 100a may include a window substrate of an image display apparatus. The lower cover 100b may be a back cover of the image display device, and may include, for example, a battery cover.

메인 보드(110)는 예를 들면, 구동 회로, 신호 회로, 그라운드 회로 등이 형성된 인쇄 회로 기판(PCB)일 수 있다. 표시 패널(120)은 예를 들면, OLED 패널, LCD 패널 등을 포함할 수 있다.The main board 110 may be, for example, a printed circuit board (PCB) having a driving circuit, a signal circuit, a ground circuit, and the like. The display panel 120 may include, for example, an OLED panel, an LCD panel, and the like.

터치 센서(130)는 예를 들면, 도 4 및 도 5를 참조로 설명한 터치 센서 또는 터치 스크린 패널을 포함할 수 있다. 터치 센서(130)에 포함된 패드 전극은 회로 구조물(140)을 통해 메인 보드(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 구조물(140)은 예를 들면, FPCB를 포함하며, 상기 패드 전극 및 회로 구조물(140) 사이에는 도 1 또는 도 2를 참조로 설명한 바와 같이 도전성 캡핑 패턴 및 중개층이 배치될 수 있다.The touch sensor 130 may include, for example, a touch sensor or a touch screen panel described with reference to FIGS. The pad electrode included in the touch sensor 130 may be electrically connected to the main board 110 through the circuit structure 140. The circuit structure 140 includes, for example, an FPCB, and a conductive capping pattern and an intermediate layer may be disposed between the pad electrode and the circuit structure 140 as described with reference to FIG. 1 or FIG.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the present invention is not limited to the accompanying claims, It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made in the embodiments within the scope of the claims, and such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

실험예 1: 3중층 구조 패드 전극에 대한 부식 평가Experimental Example 1: Evaluation of corrosion on a triple layer structure pad electrode

글래스 기판 상에 표 1에 기재된 두께 및 재질로 패드 전극 및 도전성 캡핑 패턴을 형성하였다.A pad electrode and a conductive capping pattern were formed on the glass substrate with the thickness and the material shown in Table 1. [

실시예 1의 경우, 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 패드 전극을 형성하였다. 패드 전극의 너비는 30㎛가 되도록 패터닝되었다.In the case of Example 1, a pad electrode including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern was formed. The width of the pad electrode was patterned to be 30 mu m.

이후, 감광성 아크릴 계열 수지를 사용하여 상기 패드 전극을 덮는 패시베이션 층을 형성하고, 상기 패시베이션 층을 노광 및 현상 공정을 통해 부분적으로 제거하여 상기 패드 전극의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 형성하였다. 상기 콘택 홀의 측벽 및 상기 패드 전극 상면 상에 ITO를 증착하여 도전성 캡핑 패턴을 형성하였다.Thereafter, a passivation layer covering the pad electrode is formed using a photosensitive acrylic resin, and the passivation layer is partially removed through an exposure and development process to form a contact hole partially exposing the upper surface of the pad electrode. ITO was deposited on the side wall of the contact hole and the upper surface of the pad electrode to form a conductive capping pattern.

비교예 1의 경우, 실시예 1에서 도전성 캡핑 패턴이 생략된 것을 제외하고는 동일한 공정을 수행하였다. In the case of Comparative Example 1, the same process was performed except that the conductive capping pattern in Example 1 was omitted.

구분division 제1 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
The first transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
금속 패턴
(APC)(nm)
Metal pattern
(APC) (nm)
제2 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
The second transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
도전성 캡핑 패턴
(ITO)(nm)
Conductive capping pattern
(ITO) (nm)
실시예 1Example 1 4040 1010 140140 1010 비교예 1Comparative Example 1 4040 1010 140140 --

실시예 1 및 비교예 1의 패드 전극을 85℃ 및 상대습도 85% 조건에 방치하여 패드 전극의 부식이 관찰되는 시간을 측정하였다. 평가결과는 표 2에 나타낸다.The pad electrodes of Example 1 and Comparative Example 1 were left under the conditions of 85 캜 and 85% relative humidity, and the time for observing the corrosion of the pad electrode was measured. The evaluation results are shown in Table 2.

시간time 500hr500 hr 650hr650hr 800hr800hr 1000hr1000hr 실시예 1Example 1 XX XX XX XX 비교예 1Comparative Example 1 XX XX XX

표 2를 참조하면, 3중층 구조의 패드 전극 및 도전성 캡핑 패턴이 형성된 실시예 1의 경우, 1000시간 이후에도 패드 전극의 부식이 관찰되지 않았다. 비교예 1의 경우, 도전성 산화물 패턴이 생략됨에 따라 약 1,000시간 이후 패드 전극의 부식이 시작되었다.Referring to Table 2, in Example 1 in which the pad electrode having the triple-layer structure and the conductive capping pattern were formed, no corrosion of the pad electrode was observed after 1000 hours. In the case of Comparative Example 1, corrosion of the pad electrode started after about 1,000 hours as the conductive oxide pattern was omitted.

실험예 2: 금속 패턴 단일층 패드 전극에 대한 부식 평가Experimental Example 2: Evaluation of Corrosion on Metal Pattern Single Layer Pad Electrodes

글래스 기판 상에 표 3에 기재된 두께 및 재질로 패드 전극 및 도전성 캡핑 패턴을 형성하였다.A pad electrode and a conductive capping pattern were formed on the glass substrate with the thickness and material shown in Table 3.

실시예 2의 경우, 금속 패턴 단일 층으로 패드 전극을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 수행하였다. 비교예 2의 경우, 실시예 2에서 도전성 캡핑 패턴이 생략된 것을 제외하고는 동일한 공정을 수행하였다.In the case of Example 2, the same process as in Example 1 was performed except that the pad electrode was formed as a single layer of the metal pattern. In the case of Comparative Example 2, the same process was performed except that the conductive capping pattern was omitted in Example 2.

구분division 제1 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
The first transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
금속 패턴
(APC)(nm)
Metal pattern
(APC) (nm)
제2 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
The second transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
도전성 캡핑 패턴
(ITO)(nm)
Conductive capping pattern
(ITO) (nm)
실시예 2Example 2 -- 100100 -- 1010 비교예 2Comparative Example 2 -- 100100 -- --

시간time 500hr500 hr 650hr650hr 800hr800hr 1000hr1000hr 실시예 2Example 2 XX XX 비교예 2Comparative Example 2

표 4를 참조하면, 금속 패턴 단일층의 패드 전극 및 도전성 캡핑 패턴이 형성된 실시예 2의 경우, 800시간 까지 금속 패턴의 부식이 관찰되지 않았다. 도전성 캡핑 패턴이 생략된 비교예 2의 경우 500시간 경과 이전부터 급속히 금속 패턴의 부식이 관찰되었다.Referring to Table 4, in the case of Example 2 in which the pad electrode of the metal pattern single layer and the conductive capping pattern were formed, no corrosion of the metal pattern was observed up to 800 hours. In the case of Comparative Example 2 in which the conductive capping pattern was omitted, corrosion of the metal pattern was observed rapidly before 500 hours elapsed.

20: 베이스 층 30: 센싱 전극
31: 제1 투명 도전성 산화물 패턴 33: 금속 패턴
35: 제2 투명 도전성 산화물 패턴 39: 브릿지 전극
40: 배선 50: 패드 전극
60: 층간 절연층 70: 도전성 캡핑 패턴
80: 패시베이션 층 95: 콘택 홀
90: 중개층 95: 회로 구조물
100a: 상부 커버 100b: 하부 커버
110: 메인 보드 120: 표시 패널
130: 터치 센서 140: 회로 구조물
20: base layer 30: sensing electrode
31: first transparent conductive oxide pattern 33: metal pattern
35: second transparent conductive oxide pattern 39: bridge electrode
40: wiring 50: pad electrode
60: interlayer insulating layer 70: conductive capping pattern
80: passivation layer 95: contact hole
90: intermediate layer 95: circuit structure
100a: upper cover 100b: lower cover
110: main board 120: display panel
130: touch sensor 140: circuit structure

Claims (20)

패드 전극;
상기 패드 전극을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 포함하며, 상기 패드 전극을 부분적으로 덮는 패시베이션 층;
상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극을 덮는 도전성 캡핑 패턴;
상기 도전성 캡핑 패턴을 덮는 중개층; 및
상기 중개층 상에 배치된 회로 구조물을 포함하는, 전극 접속 구조물.
Pad electrodes;
A passivation layer including a contact hole partially exposing the pad electrode, the passivation layer partially covering the pad electrode;
A conductive capping pattern covering the pad electrode through the contact hole;
An intermediate layer covering the conductive capping pattern; And
And a circuit structure disposed on the mediation layer.
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 전극 접속 구조물.
The method of claim 1, wherein the conductive capping pattern is formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide (InOx) , At least one selected from the group consisting of tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), and indium gallium oxide (IGO) .
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 패드 전극과 접촉하는 전극 접속 구조물.
The electrode connection structure according to claim 1, wherein the conductive capping pattern contacts the pad electrode.
청구항 3에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 패시베이션 층의 상면, 상기 콘택 홀의 측벽 및 상기 콘택 홀을 통해 노출된 상기 패드 전극의 상면을 따라 형성된, 전극 접속 구조물.
The electrode connection structure according to claim 3, wherein the conductive capping pattern is formed along an upper surface of the passivation layer, a side wall of the contact hole, and an upper surface of the pad electrode exposed through the contact hole.
청구항 1에 있어서, 상기 패드 전극은 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 전극 접속 구조물.
The electrode connection structure according to claim 1, wherein the pad electrode comprises a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern which are sequentially stacked.
청구항 5에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 상면과 접촉하는, 전극 접속 구조물.
The electrode connection structure according to claim 5, wherein the conductive capping pattern contacts the upper surface of the second transparent conductive oxide pattern.
청구항 1에 있어서, 상기 중개층은 도전성 수지, 도전성 페이스트, 도전성 볼 또는 이방성 도전 필름을 포함하는, 전극 접속 구조물.

The electrode connection structure according to claim 1, wherein the mediation layer comprises a conductive resin, a conductive paste, a conductive ball or an anisotropic conductive film.

청구항 7에 있어서, 상기 중개층은 상기 도전성 캡핑 패턴의 상면을 전체적으로 덮으며 상기 콘택 홀의 나머지 부분을 채우는, 전극 접속 구조물.
8. The electrode connection structure of claim 7, wherein the mediation layer entirely covers an upper surface of the conductive capping pattern and fills the remaining portion of the contact hole.
청구항 1에 있어서, 상기 회로 구조물은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 포함하는, 전극 접속 구조물.
The electrode connection structure according to claim 1, wherein the circuit structure comprises a flexible printed circuit board (FPCB).
베이스 층;
상기 베이스 층 상에 배열된 센싱 전극들;
상기 베이스 층 상에 배치되며 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 패드 전극;
상기 베이스 층 상에서 상기 센싱 전극들을 덮으며, 상기 패드 전극을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 패시베이션 층; 및
상기 패시베이션 층 상에 배치되며, 상기 콘택 홀을 통해 상기 패드 전극 상면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
A base layer;
Sensing electrodes arranged on the base layer;
A pad electrode disposed on the base layer and electrically connected to the sensing electrodes;
A passivation layer covering the sensing electrodes on the base layer and including contact holes partially exposing the pad electrodes; And
And a conductive capping pattern disposed on the passivation layer and covering an upper surface of the pad electrode through the contact hole.
청구항 10에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.
11. The touch sensor of claim 10, wherein the conductive capping pattern comprises a transparent conductive oxide.
청구항 10에 있어서, 상기 센싱 전극 및 상기 패드 전극은 각각 상기 베이스 층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.
[12] The touch sensor of claim 10, wherein the sensing electrode and the pad electrode each include a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked from the base layer.
청구항 12에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 상면과 접촉하는, 터치 센서.
13. The touch sensor of claim 12, wherein the conductive capping pattern contacts the top surface of the second transparent conductive oxide pattern.
청구항 10에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는 터치 센서.
11. The touch sensor of claim 10, wherein the sensing electrode comprises a mesh pattern structure.
청구항 10에 있어서, 상기 센싱 전극과 상기 패드 전극을 연결시키는 배선을 더 포함하는, 터치 센서.
11. The touch sensor of claim 10, further comprising a wire connecting the sensing electrode and the pad electrode.
청구항 15에 있어서, 상기 배선은 상기 베이스 층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.
16. The touch sensor according to claim 15, wherein the wiring includes a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern which are sequentially stacked from the base layer.
청구항 10에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 중개층을 통해 회로 구조물과 전기적으로 연결되는, 터치 센서.
11. The touch sensor of claim 10, wherein the conductive capping pattern is electrically connected to the circuit structure through the mediation layer.
청구항 17에 있어서, 상기 중개층은 상기 패시베이션 층 상에서 상기 도전성 캡핑 패턴을 전체적으로 덮도록 배치되는, 터치 센서.
18. The touch sensor of claim 17, wherein the mediation layer is disposed over the passivation layer as a whole to cover the conductive capping pattern.
청구항 10에 있어서, 상기 베이스 층 또는 상기 패시베이션 층 중 적어도 하나는 유기 절연 물질을 포함하는, 터치 센서.
11. The touch sensor of claim 10, wherein at least one of the base layer or the passivation layer comprises an organic insulating material.
청구항 1 내지 9 중 어느 한 항의 전극 접속 구조물을 포함하는, 화상 표시 장치.An image display device comprising the electrode connection structure according to any one of claims 1 to 9.
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