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KR20180090427A - Organic insulation material comprising thin film having aluminum alkoxide and method of fabricating the same - Google Patents

Organic insulation material comprising thin film having aluminum alkoxide and method of fabricating the same Download PDF

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KR20180090427A
KR20180090427A KR1020170015178A KR20170015178A KR20180090427A KR 20180090427 A KR20180090427 A KR 20180090427A KR 1020170015178 A KR1020170015178 A KR 1020170015178A KR 20170015178 A KR20170015178 A KR 20170015178A KR 20180090427 A KR20180090427 A KR 20180090427A
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KR
South Korea
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thin film
precursor
insulating material
organic insulating
substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020170015178A
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Korean (ko)
Inventor
박진성
최동원
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
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Abstract

유기 절연 소재의 제조 방법이 제공된다. 상기 유기 절연 소재의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 제1 전구체를 제공하는 단계, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 제2 전구체를 제공하는 단계, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응하여 형성된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing an organic insulating material is provided. The method of making an organic insulating material includes the steps of providing a substrate, providing a first precursor on the substrate, providing a second precursor on the substrate provided with the first precursor, And forming an insulating thin film on the substrate including the aluminum alkoxide formed by the reaction of the second precursor.

Description

알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법. {Organic insulation material comprising thin film having aluminum alkoxide and method of fabricating the same}An organic insulating material comprising an insulating thin film containing an aluminum alkoxide, and a method for producing the same. {Organic insulation material comprising thin film having aluminum alkoxide and method of fabricating the same}

본 발명은 유기 절연 소재 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.The present invention relates to an organic insulating material and a manufacturing method thereof, and relates to an organic insulating material including an insulating thin film including an aluminum alkoxide and a manufacturing method thereof.

최근 Flexible 전자소자, Wearable 전자소자 덩 기존 소재 및 소자들이 갖고 있는 고유 특성 외에 새로운 기능이 추가된 새로운 전자소자에 대한 요구가 꾸준하게 증가하고 있다. 이에 따라, 언급한 전자소자들에 사용될 수 있는 얇고 유연한 소재에 대한 관심도 지속적으로 증가하고 있다. 상기 전자소자들에 사용되려면, 외부 응력에도 강하고, 얇은 두께에서도 물성이 구현될 수 있어야 한다. 이러한 특징들을 만족시키기 위한 소재로서, 현재까지 무기박막이 사용된 절연체에 관해 많은 연구가 이루어지고 있었다. 하지만, 무기박막 절연체는, 우수한 절연특성을 나타내는 반면, 상기 절연특성을 구현하기 위해서는 두께가 두꺼워져야 하고, 두께가 두꺼워 지면 외부 응력에 취약해지는 단점을 보이고 있다. Recently, there is a steady increase in demand for new electronic devices with new functions in addition to the inherent characteristics of flexible electronic devices, wearable electronic devices, and existing materials and devices. As a result, interest in thin and flexible materials that can be used in the aforementioned electronic devices is continuously increasing. In order to be used in the above electronic devices, it is required to be strong against external stress and realize physical properties even at a thin thickness. As a material for satisfying these characteristics, much research has been conducted on an insulator using an inorganic thin film. However, the inorganic thin film insulator exhibits excellent insulation characteristics, but it has to be thick in order to realize the above insulation characteristics, and becomes weak to external stress when the thickness becomes thick.

이에 따라, Flexible 전자소자, Wearable 전자소자 등에 사용되는 절연체에 관한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한 민국 특허 공개 공보 10-0789559(출원번호: 10-2006-0130983, 출원인: 삼성전자주식회사)에는, 정공주입 전극, 정공수송층, 발광층, 무기물 전자수송층, 및 전자주입 전극을 순차적으로 포함하며, 상기 전자주입 전극과 무기물 전자수송층 사이에 절연층을 포함하는 무기 전계발광 소자, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자를 제공한다. Accordingly, various technologies related to insulators used for flexible electronic devices, wearable electronic devices, and the like have been developed. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-0789559 (Application No.: 10-2006-0130983, filed by Samsung Electronics Co., Ltd.) discloses a technique of sequentially supplying a hole injecting electrode, a hole transporting layer, a light emitting layer, an inorganic electron transporting layer, And an insulating layer between the electron injecting electrode and the inorganic electron transporting layer, a method of manufacturing the same, and an electronic device including the inorganic electroluminescent device.

이 밖에도, 다양한 전자소자에 사용될 수 있는 절연체에 관한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다.In addition, technologies relating to insulators that can be used in various electronic devices are being continuously researched and developed.

대한 민국 특허 공개 공보 10-0789559Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-0789559

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 절연 특성이 향상된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an organic insulating material including an insulating thin film containing an aluminum alkoxide having improved insulating properties and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 두께가 얇은 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an organic insulating material including an insulating thin film containing a thin aluminum alkoxide and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 다양한 종류의 기판에 적용이 가능한 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an organic insulating material including an insulating thin film containing an aluminum alkoxide applicable to various kinds of substrates and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 고신뢰성의 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an organic insulating material including an insulating thin film containing aluminum alkoxide of high reliability and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 유기 절연 소재의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method for manufacturing an organic insulating material.

일 시시 예에 따르면, 상기 유기 절연 소재의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 두 개 이상의 수산화기(hydroxyl group)를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체를 제공하고, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 절연 박막을, 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to one example embodiment, the method of making an organic insulating material includes the steps of providing a substrate, providing a first precursor comprising aluminum on the substrate, and depositing, on the substrate provided with the first precursor, Providing a second precursor comprising an alcohol having at least two hydroxyl groups, wherein the first precursor and the second precursor react with each other to form an insulating thin film containing aluminum alkoxide, To form a second layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 유기 절연 소재의 제조 방법은, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막에 물을 제공하는 단계, 및 물이 제공된 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method of manufacturing the organic insulating material may further include providing water to the insulating thin film including aluminum alkoxide, and heat treating the insulating thin film provided with water.

일 실시 예에 따르면, 상기 유기 절연 소재의 제조 방법은, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method of manufacturing the organic insulating material may further include a step of heat-treating the insulating thin film containing aluminum alkoxide.

일 실시 예에 따르면, 열처리된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막은, 열처리 되기 전보다 절연 특성이 향상되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the insulating thin film comprising the heat-treated aluminum alkoxide may include an improvement in the insulating property before the heat treatment.

일 실시 예에 따르면, 상기 절연 박막을 형성하는 단계는, 80℃ 초과 100℃ 미만인 온도에서 수행되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of forming the insulating thin film may include performing at a temperature higher than 80 ° C but lower than 100 ° C.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 전구체는, DEG(diethyl glycol)인 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the second precursor may include DEG (diethyl glycol).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전구체를 제공하는 시간은, 상기 제2 전구체를 제공하는 시간보다 짧은 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the time for providing the first precursor may be shorter than the time for providing the second precursor.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 유기 절연 소재를 제공한다. In order to solve the above technical problem, the present invention provides an organic insulating material.

일 실시 예에 따르면, 상기 유기 절연 소재는, 기판, 및 상기 기판 상에 배치되고, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체 및 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체가 서로 반응하여 형성된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the organic insulating material comprises a substrate, and an aluminum alkoxide formed on the substrate and formed by reacting a first precursor including aluminum and a second precursor including an alcohol having two or more hydroxyl groups, And an insulating thin film including the insulating film.

일 실시 예에 따르면, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막의 두께는, 20nm 이하인 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the thickness of the insulating thin film including aluminum alkoxide may be 20 nm or less.

일 실시 예에 따르면, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막은, 30V 보다 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 갖는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the insulating thin film comprising aluminum alkoxide may have a breakdown voltage higher than 30V.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 절연 소재의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 두 개 이상의 수산화기(hydroxyl group)를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체를 제공하고, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 절연 박막을, 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 절연 소재의 제조 방법은, 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 절연 소재는, 20nm 이하의 얇은 두께에서도 우수한 절연 특성(예를 들어, 30V 이상의 파괴전압)을 나타낼 수 있고, 열처리 전보다 열처리 후 향상된 절연 특성을 나타내며, 다양한 기판 상에 적용될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 절연 소재는, Flexible 전자소자, Wearable 전자소자와 같이 외부 환경 변화를 많이 받게 되는 전자소자에도 용이하게 적용될 수 있다. A method of manufacturing an organic insulating material according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a substrate, providing a first precursor containing aluminum on the substrate, and depositing, on the substrate provided with the first precursor, Providing a second precursor comprising an alcohol having at least two hydroxyl groups, wherein the first precursor and the second precursor react with each other to form an insulating thin film containing aluminum alkoxide, To form a second layer. In addition, the manufacturing method of the organic insulating material may further include a step of heat-treating the insulating thin film. Accordingly, the organic insulating material can exhibit excellent insulating properties (for example, breakdown voltage of 30 V or more) even at a thin thickness of 20 nm or less, exhibits improved insulating properties after heat treatment before heat treatment, and can be applied on various substrates . Accordingly, the organic insulating material can be easily applied to electronic devices such as flexible electronic devices and wearable electronic devices, which are subject to a great change in external environment.

또한, 상술된 바와 같이, 상기 제2 전구체는 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하여, 하나의 수산화기를 갖는 전구체(예를 들어, EG)를 사용하는 경우와 비교하여, 높은 성장 속도를 나타내어, 상기 유기 절연 소재의 제조 시간이 절약될 수 있다.Further, as described above, the second precursor includes an alcohol having two or more hydroxyl groups and exhibits a high growth rate as compared with the case of using a precursor having one hydroxyl group (for example, EG) The manufacturing time of the organic insulating material can be saved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 절연 소재의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재에 인가되는 전압에 따른 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 비교 예 1에 따른 박막의 성장 속도를 비교하는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 비교 예 1에 따른 박막의 DFT(density functional theory)-calculated mechanism을 나타내기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 다양한 환경에서 DFT(density functional theory)-calculated mechanism을 나타내기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 두께 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면을 촬영한 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재의 두께 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 실시 예 1 및 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들의 시간에 따른 변화를 나타내는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들을 촬영한 사진이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 물질들의 함량 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 실시 예들 및 비교 예에 따른 유기 절연 소재들의 수증기 투과율을 테스트하기 위한 장치를 나타내기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예들 및 비교 예에 따른 유기 절연 소재들의 수증기 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 환경 변화에 대한 특성을 나타내는 그래프이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic insulating material according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are graphs showing characteristics according to a voltage applied to the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention. FIG.
FIGS. 3A and 3B are graphs for comparing growth rates of an organic insulating material according to Example 1 of the present invention and a thin film according to Comparative Example 1. FIG.
FIG. 4 is a view showing the DFT (density functional theory) -calculated mechanism of the organic insulating material according to Example 1 of the present invention and the thin film according to Comparative Example 1. FIG.
FIG. 5 is a view showing a density functional theory (DFT) -calculated mechanism in various environments of the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention.
6 is a graph showing a change in thickness of an organic insulating material according to Example 1 of the present invention.
7 and 8 are photographs of the surface of an insulating thin film included in the organic insulating material according to Example 1 of the present invention.
9 is a graph showing the thickness variation of the organic insulating material according to the second embodiment of the present invention.
10A and 10B are graphs showing changes with time of the organic insulating materials according to the first and second embodiments of the present invention.
11 is a photograph of organic insulating materials according to Example 2 of the present invention.
12A and 12B are graphs showing changes in contents of materials included in the organic insulating material according to the second embodiment of the present invention.
13 is a view showing an apparatus for testing water vapor transmission rate of organic insulating materials according to embodiments of the present invention and a comparative example.
14 is a graph showing the water vapor transmission rates of organic insulating materials according to Examples and Comparative Examples of the present invention.
15A and 15B are graphs showing the characteristics of the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention with respect to environmental changes.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 출원 명세서에서, "절연 특성"이라는 용어는 절연물(insulator)의 파괴 전압(breakdown voltage)를 포함하는 의미로 해석된다. Further, in the present specification, the term "insulation characteristic" is interpreted to mean a breakdown voltage of an insulator.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 절연 소재의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic insulating material according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판이 준비될 수 있다(S110). 일 실시 예에 따르면, 상기 기판은, 실리콘 기판일 수 있다. 또는, 이와는 달리, 상기 기판은, 반도체 기판, 화합물 반도체 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 또는 금속 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은, 실리콘 기판 상의 PEN(polyethylenenaphthalate)층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate may be prepared (S110). According to one embodiment, the substrate may be a silicon substrate. Alternatively, the substrate may be a semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate, a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. For example, the substrate may comprise a PEN (polyethylenenaphthalate) layer on a silicon substrate.

상기 기판은, 불활성 가스와 함께 열처리될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 불활성 가스는, 질소(N2) 가스일 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 불활성 가스는, 아르곤(Ar) 가스일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 불활성 가스는, 50sccm(standard cubic centimeter per minute)으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 불활성 가스는, 0.3Torr의 압력으로 제공될 수 있다. The substrate may be heat-treated with an inert gas. According to one embodiment, the inert gas may be nitrogen (N 2 ) gas. According to another embodiment, the inert gas may be argon (Ar) gas. According to one embodiment, the inert gas may be provided at a standard cubic centimeter per minute (50 sccm). According to one embodiment, the inert gas may be provided at a pressure of 0.3 Torr.

상기 기판이 챔버 내에 배치되고, 상기 기판 상에, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체가 제공될 수 있다(S120). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전구체는, TMA(trimethyl aluminum)일 수 있다. The substrate is disposed in a chamber, and a first precursor containing aluminum may be provided on the substrate (S120). According to one embodiment, the first precursor may be trimethyl aluminum (TMA).

상기 제1 전구체가 제공된 후, 상기 챔버 내에 퍼지(purge) 가스가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 퍼지 가스는, 질소 가스일 수 있다. After the first precursor is provided, a purge gas may be provided in the chamber. According to one embodiment, the purge gas may be nitrogen gas.

상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 두 개 이상의 수산화기(hydroxyl group, OH-)를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체가 상기 챔버 내에 제공될 수 있다(S130). 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 전구체는, DEG(diethyl glycol)일 수 있다. On the substrate, wherein the first precursor is provided, two or more hydroxyl groups (hydroxyl group, OH -) it is the second precursor comprises an alcohol having a may be provided in the chamber (S130). According to one embodiment, the second precursor may be DEG (diethyl glycol).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전구체의 증기압은 상기 제2 전구체의 증기압보다 높을 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전구체를 제공하는 시간은, 상기 제2 전구체를 제공하는 시간보다 짧을 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전구체는 0.2초의 시간 동안 제공되고, 상기 제2 전구체는 1초의 시간 동안 제공될 수 있다. According to one embodiment, the vapor pressure of the first precursor may be higher than the vapor pressure of the second precursor. Accordingly, the time for providing the first precursor may be shorter than the time for providing the second precursor. According to one embodiment, the first precursor is provided for a time of 0.2 seconds, and the second precursor may be provided for a time of one second.

상기 제2 전구체가 제공된 후, 상기 챔버 내에 상기 퍼지 가스가 제공될 수 있다. 상기 퍼지 가스를 제공하는 시간은, 상기 제1 전구체를 제공하는 시간 및 상기 제2 전구체를 제공하는 시간보다 길 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 퍼지 가스는 10초의 시간 동안 제공될 수 있다. After the second precursor is provided, the purge gas may be provided in the chamber. The time to provide the purge gas may be longer than the time to provide the first precursor and the time to provide the second precursor. According to one embodiment, the purge gas may be provided for a time of 10 seconds.

상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체는 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 절연 박막이, 상기 기판 상에 형성될 수 있다(S140). 일 실시 예에 따르면, 상기 절연 박막을 형성하는 단계는, 80℃ 초과 100℃ 미만인 온도에서 수행되는 것을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드를 형성하는 반응은, <화학식 1>로 표현될 수 있다. The first precursor and the second precursor react with each other and an insulating thin film containing aluminum alkoxide may be formed on the substrate (S140). According to one embodiment, the step of forming the insulating thin film may include performing at a temperature higher than 80 ° C but lower than 100 ° C. According to one embodiment, the reaction that the first precursor and the second precursor react with each other to form an aluminum alkoxide may be represented by the following formula (1).

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Al-3CH3 + OH-2CH2-O-2CH2-OH = 2CH3-Al-O-2CH2-O-2CH2-OH + CH4 Al-3CH 3 + OH-2CH 2 -O-2CH 2 -OH = 2CH 3 -Al-O-2CH 2 -O-2CH 2 -OH + CH 4

보다 구체적으로, 일 실시 예에 따라 상기 절연 박막을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 0.2초 동안 상기 제1 전구체를 제공하는 단계, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 10초 동안 상기 퍼지 가스를 제공하는 단계, 상기 퍼지 가스가 제공된 상기 기판 상에, 1초 동안 상기 제2 전구체를 제공하는 단계, 상기 제2 전구체가 제공된 상기 기판 상에 10초 동안 다시 상기 퍼지 가스를 제공하는 단계를 포함할 수 있다. More specifically, the step of forming the insulating thin film, according to one embodiment, comprises the steps of: providing the first precursor for 0.2 second on the substrate; depositing the first precursor on the substrate provided with the first precursor, Providing the second precursor for one second on the substrate provided with the purge gas, providing the purge gas again for 10 seconds on the substrate provided with the second precursor, .

상기 기판 상에 제1 전구체를 제공하는 단계, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 상기 퍼지 가스를 제공하는 단계, 상기 퍼지 가스가 제공된 상기 기판 상에 상기 제2 전구체를 제공하는 단계, 상기 제2 전구체가 제공된 상기 기판 상에 다시 상기 퍼지 가스를 제공하는 단계는, 유닛 공정(unit process)으로 정의될 수 있다. 상기 유닛 공정은 80℃ 초과 100℃ 미만의 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 유닛 공정이 80℃ 이하의 온도 또는 100℃ 이상의 온도에서 수행되는 경우, 상기 유닛 공정이 80℃ 초과 100℃ 미만의 온도에서 수행되는 경우 와 비교하여 상기 절연 박막의 성장 속도(growth rate)가 현저하게 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 유닛 공정이 80℃ 이하의 온도 또는 100℃ 이상의 온도에서 수행되는 경우, 상기 절연 박막의 형성이 용이하지 않을 수 있다.Providing a first precursor on the substrate, providing the purge gas on the substrate provided with the first precursor, providing the second precursor on the substrate provided with the purge gas, Providing the purge gas again on the substrate provided with the two precursors may be defined as a unit process. The unit process may be carried out at a temperature of greater than 80 &lt; 0 &gt; C but less than 100 &lt; 0 &gt; C. For example, when the unit process is performed at a temperature of 80 ° C or lower or a temperature of 100 ° C or higher, the growth rate of the insulating film rate can be significantly reduced. Accordingly, when the unit process is performed at a temperature of 80 ° C or lower or a temperature of 100 ° C or higher, the formation of the insulating thin film may not be easy.

알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막의 두께는 상기 유닛 공정의 반복 횟수에 따라 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 유닛 공정의 반복 횟수와 상기 절연 박막의 두께는 비례할 수 있다. 다시 말해, 상기 유닛 공정의 반복 횟수가 증가할수록, 상기 절연 박막의 두께는 두꺼워질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막의 두께는, 20nm 이하인 것을 포함할 수 있다.The thickness of the insulating thin film including the aluminum alkoxide can be adjusted according to the number of repetition of the unit process. According to one embodiment, the number of repetitions of the unit process and the thickness of the insulating thin film may be proportional. In other words, as the number of repetition of the unit process increases, the thickness of the insulating thin film may become thicker. According to one embodiment, the thickness of the insulating thin film including aluminum alkoxide may be 20 nm or less.

알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막이 열처리될 수 있다. 이에 따라, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막의 절연 특성이 향상될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 열처리된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막은, 30V 보다 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 갖는 것을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 절연 박막을 열처리하는 것은, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막에 물을 제공하는 단계, 및 물이 제공된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. The insulating thin film including the aluminum alkoxide can be heat-treated. Thus, the insulating property of the insulating thin film including the aluminum alkoxide can be improved. According to one embodiment, the insulating thin film comprising the heat-treated aluminum alkoxide may have a breakdown voltage higher than 30V. According to one embodiment, heat treating the insulating thin film may include providing water to the insulating thin film including aluminum alkoxide, and heat treating the insulating thin film including aluminum alkoxide provided with water .

또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 절연 박막을 열처리하는 것은, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막을 대기 중에서 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. Alternatively, according to another embodiment, the heat treatment of the insulating thin film may include heat treating the insulating thin film containing aluminum alkoxide in the air.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 절연 소재는, 알루미늄을 포함하는 상기 제1 전구체, 및 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하는 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 형성된 알루미늄 알콕사이드를 갖는 상기 절연 박막을 포함할 수 있다. 상기 절연 박막은, 20nm 이하의 얇은 두께에서도 우수한 절연 특성(예를 들어, 30V 이상의 파괴전압)을 나타낼 수 있고, 다양한 기판 상에 적용될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 절연 소재는, Flexible 전자소자, Wearable 전자소자와 같이 외부 환경 변화를 많이 받게 되는 전자소자에도 용이하게 적용될 수 있다.An organic insulating material according to an embodiment of the present invention includes the insulating thin film having an aluminum alkoxide formed by reacting the first precursor including aluminum and the second precursor including an alcohol having two or more hydroxyl groups can do. The insulating thin film can exhibit excellent insulating properties (for example, breakdown voltage of 30 V or more) even at a thin thickness of 20 nm or less and can be applied on various substrates. Accordingly, the organic insulating material can be easily applied to electronic devices such as flexible electronic devices and wearable electronic devices, which are subject to a great change in external environment.

또한, 상기 실시 예에 따른 유기 절연 소재는, 80℃ 초과 100℃ 미만의 낮은 온도에서 상기 절연 박막이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 절연 박막의 성장 속도가 향상되어, 제조 시간이 현저하게 감소될 수 있다. In addition, the insulating thin film may be formed at a temperature lower than 100 deg. C and higher than 80 deg. Accordingly, the growth rate of the insulating thin film is improved, and the manufacturing time can be remarkably reduced.

또한, 상술된 바와 같이, 상기 제2 전구체는 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하여, 하나의 수산화기를 갖는 EG를 전구체로 사용하는 경우와 비교하여, 높은 성장 속도를 나타내어, 상기 유기 절연 소재의 제조 시간이 절약될 수 있다. Also, as described above, the second precursor includes an alcohol having two or more hydroxyl groups, and exhibits a high growth rate as compared with the case where EG having one hydroxyl group is used as a precursor, Manufacturing time can be saved.

이하, 상술된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 절연 소재의 구체적인 실험 제조 예 및 특성 평가 결과가 설명된다. Hereinafter, specific experimental production examples and characteristics evaluation results of the organic insulating material according to the embodiment of the present invention will be described.

실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 제조Production of organic insulating material according to Example 1

PEN(polyethylenenaphthalate)층을 포함하는 실리콘 기판이 준비된다. 상기 기판 상에, 질소 가스를 50sccm 및 0.3Torrr의 압력으로 제공하고, 90℃의 온도로 가열하였다. 알루미늄을 포함하는 제1 전구체로 TMA(trimethyl aluminum)를 준비했다. 상기 기판 상에 0.2초의 시간 동안 TMA를 제공하였다. 상기 TMA가 제공된 상기 기판 상에 10초의 시간 동안 질소 가스를 제공하여 퍼지 공정을 수행하였다. 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체로 DEG(diethyl glycol)를 준비했다. 퍼지 공정이 수행된 상기 기판 상에, 1초의 시간 동안 DEG를 제공하였다. 상기 DEG가 제공된 상기 기판 상에 10초의 시간 동안 질소 가스를 다시 제공하여 퍼지 공정을 수행하여 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 제조하였다. 다시 말하면, TMA 제공 단계, 퍼지 단계, DEG 제공 단계, 및 퍼지 단계를 복수회 수행하여, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 실시 예 1에 따른 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재가 제조되었다. 상기 절연 박막을 제조하는 공정은, 분자층 증착법(molecular layer deposition)으로 수행되었다. A silicon substrate including a PEN (polyethylenenaphthalate) layer is prepared. On this substrate, nitrogen gas was supplied at a pressure of 50 sccm and 0.3 Torr, and heated to a temperature of 90 캜. TMA (trimethyl aluminum) was prepared as a first precursor containing aluminum. TMA was provided on the substrate for a period of 0.2 second. The purge process was performed by providing nitrogen gas on the substrate provided with the TMA for 10 seconds. DEG (diethyl glycol) was prepared as a second precursor containing an alcohol having two or more hydroxyl groups. On the substrate on which the purge process was performed, DEG was provided for 1 second. A nitrogen purge was performed again on the substrate provided with DEG for 10 seconds to perform a purging process to produce an insulating thin film containing aluminum alkoxide. In other words, the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, and the purge step were performed a plurality of times to prepare an organic insulating material containing an insulating thin film according to Example 1 containing aluminum alkoxide. The process of fabricating the insulating thin film was performed by molecular layer deposition.

실시 예 2에 따른 유기 절연 소재 제조Production of organic insulating material according to Example 2

상술된 실시 예 1에 따른 상기 절연 박막이 준비된다. 상기 절연 박막 상에, TMA 제공 단계, 퍼지 단계, H2O 제공 단계, 및 퍼지 단계를 복수회 수행하여, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막 상에 Al2O3 절연막이 적층된 구조를 갖는 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재를 제조했다. The insulating thin film according to Embodiment 1 described above is prepared. A step of performing a TMA providing step, a purge step, an H 2 O supplying step and a purge step on the insulating thin film a plurality of times to form an Al 2 O 3 insulating film on the insulating thin film including aluminum alkoxide An organic insulating material according to Example 2 was prepared.

실시 예 3에 따른 유기 절연 소재 제조Production of organic insulating material according to Example 3

PEN층을 포함하는 실리콘 기판이 준비된다. 상기 기판 상에, 상술된 실시 예 2에 따른 Al2O3 절연막 제조 공정, 상술된 실시 예 1에 따른 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막 제조 공정, 및 상술된 실시 예 2에 따른 Al2O3 절연막 제조 공정을 각각 복수회 수행하여, Al2O3 절연막, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막, 및 Al2O3 절연막이 순차적으로 적층된 실시 예 3에 따른 유기 절연 소재를 제조했다. A silicon substrate including a PEN layer is prepared. On the substrate, an Al 2 O 3 insulating film manufacturing process according to the above-described Embodiment 2, an insulating thin film manufacturing process including the aluminum alkoxide according to the above-described Embodiment 1, and an Al 2 O 3 insulating film according to the above- by performing plural times of the manufacturing process, respectively, Al 2 O 3 insulating film, the insulating film including the aluminum alkoxide, and Al 2 O 3 insulating film was prepared in the organic insulating material according to example 3 it is sequentially stacked.

비교 예 1에 따른 박막 제조Thin film manufacturing according to Comparative Example 1

상술된 실시 예 1에 따른 절연 박막을 제조하되, 상기 제2 전구체로 EG(ethyl glycol)을 사용하여, 비교 예 1에 따른, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 박막을 제조했다. A thin film containing aluminum alkoxide according to Comparative Example 1 was prepared using the EG (ethyl glycol) as the second precursor by preparing the insulating thin film according to Example 1 described above.

비교 예 2에 따른 박막 제조Thin film production according to Comparative Example 2

PEN(polyethylenenaphthalate)가 증착된 실리콘 기판이 준비된다. 상기 기판 상에, 0.2초의 시간 동안 상기 제1 전구체를 제공하였다. 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 10초의 시간 동안 질소 가스를 제공하여 퍼지 공정을 수행하였다. 퍼지 공정이 수행된 상기 기판 상에, 0.2초의 시간 동안 물(H2O)을 제공하였다. 상기 물이 제공된 상기 기판 상에 10초의 시간 동안 질소 가스를 다시 제공하고 퍼지 공정을 수행하여, 비교 예 2에 따른, Al2O3 를 포함하는 박막을 제조했다. A silicon substrate on which PEN (polyethylenenaphthalate) is deposited is prepared. On the substrate, the first precursor was provided for a period of 0.2 second. The purge process was performed by providing nitrogen gas on the substrate provided with the first precursor for 10 seconds. On the substrate on which the purge process was performed, water (H 2 O) was provided for a period of 0.2 second. A nitrogen gas was again supplied for 10 seconds on the substrate provided with the water and a purging process was performed to produce a thin film containing Al 2 O 3 according to Comparative Example 2.

상술된 실시 예 1 내지 실시 예 3, 비교 예 1 및 비교 예 2에 따른 유기 절연 소재 및 박막의 구조가 아래 <표 1>을 통해 정리될 수 있다. The structure of the organic insulating material and the thin film according to the above-described Examples 1 to 3, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 can be summarized in Table 1 below.

구분division 구조rescue 실시 예 1Example 1 알루미늄 알콕사이드 절연 박막(DEG 사용)을 포함하는 유기 절연 소재Organic insulating material including aluminum alkoxide insulation thin film (using DEG) 실시 예 2Example 2 알루미늄 알콕사이드 절연 박막(DEG 사용)/Al2O3 절연막을 포함하는 유기 절연 소재Organic insulating material including Aluminum alkoxide insulation film (using DEG) / Al 2 O 3 insulation film 실시 예 3Example 3 Al2O3 절연막/알루미늄 알콕사이드 절연 박막(DEG 사용)/Al2O3 절연막을 포함하는 유기 절연 소재Al 2 O 3 insulating film / organic insulating material containing aluminum alkoxide insulating film (using DEG) / Al 2 O 3 insulating film 비교 예 1Comparative Example 1 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 박막(EG 사용)Thin films containing aluminum alkoxide (using EG) 비교 예 2Comparative Example 2 Al2O3 를 포함하는 박막Al 2 O 3 Lt; RTI ID = 0.0 &gt;

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재에 인가되는 전압에 따른 특성을 나타내는 그래프이다. FIGS. 2A and 2B are graphs showing characteristics according to a voltage applied to the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention. FIG.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 100℃의 온도에서 5nm, 10nm, 20nm, 및 40nm의 두께로 제조된 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재들에 대해 각각 100℃의 온도에서 1시간 동안 열처리 한 뒤, -5V 에서 5V까지의 전압(V) 및 0V 에서 100V까지의 전압(V)을 인가하고 이에 따른 전류(A)를 측정하였다. 도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 5nm, 10nm, 및 20nm의 두께를 갖는 경우, 1E-11A 내지 1E-14A 범위의 전류를 나타내었고, 40nm의 두께를 갖는 경우, 1E-7A 내지 1E-11A 범위의 전류를 나타내었다. 또한, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 5nm, 10nm, 및 20nm의 두께를 갖는 경우, 0V에서 100V까지의 전압이 인가되더라도 실질적으로 절연 특성을 유지하지만, 40nm의 두께에서 30V 이상의 전압이 인가되는 경우, 절연 파괴(dielectric breakdown)현상이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 20nm 이하의 두께로 제조하는 경우, 30V보다 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 갖는 것을 알 수 있다. 결과적으로, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 20nm 이하의 두께로 제조하는 것이 효율적이라는 것을 알 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2B, the organic insulating materials according to Example 1, which were manufactured at a thickness of 5 nm, 10 nm, 20 nm, and 40 nm at a temperature of 100 ° C., were heat-treated at a temperature of 100 ° C. for 1 hour Then, a voltage (V) of -5 V to 5 V and a voltage (V) of 0 V to 100 V were applied and the current (A) was measured. As can be seen in Figures 2a and 2b, the case having the above-described embodiment the organic insulating material according to 1, 5nm, a thickness of 10nm, and 20nm, 1E -11 A to 1E showed a current of -14 A range, 40nm in the case of a thickness, showing the current of 1E 1E -7 a to -11 a range. In addition, the organic insulating material according to Example 1 has a thickness of 5 nm, 10 nm, and 20 nm, and maintains the substantially insulating property even when a voltage of 0 V to 100 V is applied. However, When applied, it was confirmed that a dielectric breakdown phenomenon occurred. Accordingly, it can be seen that the organic insulating material according to the first embodiment has a breakdown voltage higher than 30 V when the thickness is 20 nm or less. As a result, it can be seen that the organic insulating material according to the first embodiment is efficiently produced with a thickness of 20 nm or less.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 비교 예 1에 따른 박막의 성장 속도를 비교하는 그래프이다. FIGS. 3A and 3B are graphs for comparing growth rates of an organic insulating material according to Example 1 of the present invention and a thin film according to Comparative Example 1. FIG.

도 3a를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 상기 비교 예 1에 따른 박막의 DEG 및 EG 농도에 따른 성장 속도(growth rate, nm/cycle)를 측정하였다. 도 3a에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 상기 DEG 농도가 증가함에 따라 성장 속도가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 하지만, 상기 비교 예 1에 따른 박막은, 상기 EG 농도가 증가하더라도 실질적으로 성장 속도가 증가하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 상기 비교 예 1에 따른 박막보다 성장 속도가 빠른 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 유기 절연 소재를 제조하는 경우, 상기 DEG를 사용하는 것이 효율적이며, 상기 DEG 농도에 따라, 상기 유기 절연 소재의 성장 속도를 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다. 3A, the growth rate (nm / cycle) of the organic insulating material according to Example 1 and the thin film according to Comparative Example 1 was measured according to the DEG and EG concentrations. As can be seen from FIG. 3A, the organic insulation material according to Example 1 showed an increase in growth rate as the DEG concentration increased. However, it was confirmed that the growth rate of the thin film according to Comparative Example 1 did not substantially increase even when the EG concentration was increased. It was also confirmed that the organic insulating material according to Example 1 had a higher growth rate than the thin film according to Comparative Example 1. Accordingly, it can be seen that the use of the DEG is efficient when the organic insulating material is manufactured, and the growth rate of the organic insulating material can be controlled according to the DEG concentration.

도 3b를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 상기 비교 예 1에 따른 박막의 성장 온도(growth temperature, ℃)에 따른 성장 속도(growth rate, nm/cycle)를 측정하였다. 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 절연 박막이 80℃ 이하의 온도 또는 100℃ 이상의 온도에서 형성되는 경우, 80℃ 초과 100℃ 미만의 온도에서 형성되는 경우 와 비교하여 상기 절연 박막의 성장 속도(growth rate)가 현저하게 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 80℃ 이하의 온도 또는 100℃ 이상의 온도에서는 상기 절연 박막의 형성이 용이하지 않은 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 3B, the growth rate (nm / cycle) of the organic insulating material according to Example 1 and the thin film according to Comparative Example 1 was measured according to the growth temperature (° C.). As can be seen from FIG. 3B, when the insulating thin film is formed at a temperature of 80 ° C or lower or 100 ° C or higher, the growth rate of the insulating thin film ) Was remarkably decreased. Thus, it can be seen that the insulating thin film is not easily formed at a temperature of 80 ° C or lower or a temperature of 100 ° C or higher.

또한, 상기 실시 예 1에 따라 DEG를 이용한 유기 절연 소재는, 온도에 따른 상기 절연 박막의 성장 속도가 조절이 가능한 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 상기 비교 예 1에 따라 EG를 이용한 박막은, 온도에 따른 상기 박막의 성장 속도가 실질적으로 변화가 없는 것을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the organic insulating material using DEG according to Example 1 can control the growth rate of the insulating thin film according to the temperature. However, according to Comparative Example 1, it was confirmed that the growth rate of the thin film with EG was not substantially changed with the temperature.

도 4는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재 및 비교 예 1에 따른 박막의 DFT(density functional theory)-calculated mechanism을 나타내기 위한 도면이다. FIG. 4 is a view showing the DFT (density functional theory) -calculated mechanism of the organic insulating material according to Example 1 of the present invention and the thin film according to Comparative Example 1. FIG.

도 4의 (a)를 참조하면, 상기 비교 예 1에 따른 박막이 포함하는 알루미늄 알콕사이드의 형성 에너지(Eform, eV)를 측정하기 위하여, hydroxyl-terminated methyl aluminum(CH3-Al-2OHs)에 EG가 결합하는 mechanism을 나타내었다. 상기 비교 예 1에 따른 박막이 포함하는 알루미늄 알콕사이드의 형성 에너지는 <수학식 1>로부터 계산될 수 있다. 4 (a), hydroxyl-terminated methyl aluminum (CH 3 -Al-2 OH s ) was used to measure the formation energy (E form , eV) of the aluminum alkoxide included in the thin film according to Comparative Example 1, And the mechanism of EG binding. The formation energy of aluminum alkoxide included in the thin film according to Comparative Example 1 can be calculated from Equation (1).

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

Eform = E(EG-Al-2OHs) + E(CH4) - E(EG) - E(CH3-Al-2OHs) E form = E (EG-Al -2OHs) + E (CH 4) - E (EG) - E (CH 3 -Al-2OHs)

도 4의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 비교 예 1에 따른 박막이 포함하는 알루미늄 알콕사이드는, hydroxyl-terminated methyl aluminum이 포함하는 methyl group 자리에 EG가 치환되어 형성된다. 이에 따라, 상기 비교 예 1에 따른 박막이 포함하는 알루미늄 알콕사이드의 형성 에너지는, -1.21eV로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. As can be seen from FIG. 4 (a), the aluminum alkoxide included in the thin film according to Comparative Example 1 is formed by replacing EG in the methyl group site included in the hydroxyl-terminated methyl aluminum. As a result, it was confirmed that the formation energy of aluminum alkoxide included in the thin film according to Comparative Example 1 was -1.21 eV.

도 4의 (b)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 형성 에너지를 측정하기 위하여, hydroxyl-terminated methyl aluminum에 1개의 DEG, TMA, 및 2개의 DEG가 순차적으로 결합하는 mechanism을 나타내었다. hydroxyl-terminated methyl aluminum에 1개의 DEG가 결합되어 형성되는 제1 중간 생성물의 형성 에너지는 <수학식 2>로부터 계산될 수 있다. Referring to FIG. 4 (b), in order to measure the formation energy of the insulating thin film included in the organic insulating material according to the first embodiment, one DEG, TMA, and two DEGs are sequentially formed on the hydroxyl- As shown in Fig. The formation energy of the first intermediate product formed by coupling one DEG to the hydroxyl-terminated methyl aluminum can be calculated from Equation (2).

<수학식 2> &Quot; (2) &quot;

Eform = E(DEG-Al-2OHs) + E(CH4) - E(DEG) - E(DEG-Al-2OHs) E form = E (DEG-Al -2OHs) + E (CH 4) - E (DEG) - E (DEG-Al-2OHs)

상기 제1 중간 생성물에 TMA가 결합되어 형성되는 제2 중간 생성물의 형성 에너지는 <수학식 3>으로부터 계산될 수 있다. The formation energy of the second intermediate product formed by combining TMA with the first intermediate product can be calculated from Equation (3).

<수학식 3> &Quot; (3) &quot;

Eform = E(2CH3-Al-DEG-Al-2OHs) + E(CH4) - E(TMA) - E(DEG-Al-2OHs) E form = E (2CH 3 -Al -DEG-Al-2OHs) + E (CH 4) - E (TMA) - E (DEG-Al-2OHs)

상기 제2 중간 생성물에 2개의 DEG가 결합되어 형성되는 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 형성 에너지는 <수학식 4>로부터 계산될 수 있다. The formation energy of the insulating thin film including the organic insulating material according to the first embodiment in which two DEGs are combined with the second intermediate product can be calculated from Equation (4).

<수학식 4> &Quot; (4) &quot;

Eform = E(DEG-Al-DEG-Al-2OHs) + E(2CH4) - E(2DEG) - E(2CH3-Al-DEG-Al-2OHs) E form = E (DEG-Al -DEG-Al-2OHs) + E (2CH 4) - E (2DEG) - E (2CH 3 -Al-DEG-Al-2OHs)

도 4의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 중간 생성물은, hydroxyl-terminated methyl aluminum이 포함하는 methyl group 자리에 DEG가 치환되어 형성된다. 또한, 상기 제2 중간 생성물은, 상기 제1 중간 생성물이 포함하는 central -O- 와 TMA가 결합하여 형성된다. 또한, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막은, 상기 제2 중간 생성물이 포함하는 2개의 methyl group 자리에 2개의 DEG가 치환되어 형성된다. 이에 따라, 상기 제1 중간 생성물의 형성 에너지는 -1.27 eV, 상기 제2 중간 생성물의 형성 에너지는 +0.10 eV, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 형성 에너지는 -1.41 eV로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. As shown in FIG. 4 (b), the first intermediate product is formed by replacing DEG in the methyl group site of the hydroxyl-terminated methyl aluminum. Also, the second intermediate product is formed by combining central -O- and TMA contained in the first intermediate product. The insulating thin film included in the organic insulating material according to Example 1 is formed by substituting two DEGs in two methyl group sites included in the second intermediate product. Thus, the forming energy of the first intermediate product is -1.27 eV, the forming energy of the second intermediate product is +0.10 eV, the forming energy of the insulating thin film included in the organic insulating material according to the first embodiment is -1.41 eV As shown in Fig.

도 5는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 다양한 환경에서 DFT(density functional theory)-calculated mechanism을 나타내기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view showing a density functional theory (DFT) -calculated mechanism in various environments of the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention.

도 5의 (a)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막이 multidimensional DEG chain으로 형성된 경우, 상기 multidimensional DEG chain이 물(H2O) 및 산소(O2)와 반응하는 mechanism을 나타내고, degradation 에너지(Edeg)를 측정하였다. 도 5의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 multidimensional DEG chain이 물과 반응하면, DEG 및 EG가 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 multidimensional DEG chain이 산소와 반응하면, formaldehyde(CH2O) 및 lactic acid(C3H6O3)가 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 DEG, EG, formaldehyde, 및 lactic acid의 Edeg는 각각 -0.19 eV, -0.17 eV, -0.55 eV, 및 -3.81 eV로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 5 (a), when the insulating thin film included in the organic insulating material according to the first embodiment is formed into a multidimensional DEG chain, the multidimensional DEG chain comprises water (H 2 O), oxygen (O 2 ) The reaction mechanism was indicated and the degradation energy (E deg ) was measured. As shown in FIG. 5 (a), when the multidimensional DEG chain reacted with water, it was confirmed that DEG and EG were formed. It was also confirmed that formaldehyde (CH 2 O) and lactic acid (C 3 H 6 O 3 ) were formed when the multidimensional DEG chain reacted with oxygen. Accordingly, the DEG, EG, formaldehyde, and lactic acid of the E deg was confirmed to appear in each of -0.19 eV, -0.17 eV, -0.55 eV , -3.81 eV and.

도 5의 (b)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막이 single DEG chain으로 형성된 경우, 상기 single DEG chain이 물(H2O) 및 산소(O2)와 반응하는 mechanism을 나타내고, degradation 에너지(Edeg)를 측정하였다. 도 5의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 single DEG chain이 물과 반응하면, DEG, EG, 및 Methylene glycol(CH2(OH2))이 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 single DEG chain이 산소와 반응하면, Acetic acid(C2H4O2) 및 Glycolic acid(C2H4O3)가 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 DEG, EG, Methylene glycol, Acetic acid, 및 Glycolic acid의 Edeg는 각각 +0.02 eV, -0.33 eV, -0.42 eV, -2.11 eV, 및 -2.18 eV로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 5B, when the insulating thin film included in the organic insulating material according to the first embodiment is formed into a single DEG chain, the single DEG chain includes water (H 2 O), oxygen (O 2 ) The reaction mechanism was indicated and the degradation energy (E deg ) was measured. As can be seen from FIG. 5 (b), it was confirmed that DEG, EG and Methylene glycol (CH 2 (OH 2 )) were formed when the single DEG chain reacted with water. In addition, it was confirmed that when the single DEG chain reacts with oxygen, acetic acid (C 2 H 4 O 2 ) and Glycolic acid (C 2 H 4 O 3 ) are formed. Accordingly, the DEG, EG, Methylene glycol, Acetic acid, Glycolic acid and the E deg was confirmed to appear in each of +0.02 eV, -0.33 eV, -0.42 eV , -2.11 eV, -2.18 eV and.

도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 두께 변화를 나타내는 그래프이다. 6 is a graph showing a change in thickness of an organic insulating material according to Example 1 of the present invention.

도 6을 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재를 제조 후 대기 중에 노출시키고, 노출된 시간에 따른 상기 유기 절연 소재의 두께 및 노출된 시간에 따른 refractive index를 측정하였다. 도 6에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 제조 후 1000분의 시간 동안 대기 중에 노출되는 경우 상기 유기 절연 소재의 두께가 90nm 에서 55nm까지 지속적으로 감소하고, 1000분의 시간 이후부터는, 상기 유기 절연 소재의 두께가 55nm로 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 제조 후 대기 중에 노출되어, 두께가 감소하더라도, refractive index가 실질적으로 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 6, the organic insulation material according to Example 1 was exposed to the atmosphere, and the refractive index according to the thickness and the exposed time of the organic insulation material according to the exposed time was measured. As can be seen from FIG. 6, when the organic insulating material according to Example 1 is exposed to the atmosphere for 1000 minutes after production, the thickness of the organic insulating material continuously decreases from 90 nm to 55 nm, From this point on, it was confirmed that the thickness of the organic insulating material was kept constant at 55 nm. In addition, it was confirmed that the organic insulation material according to Example 1 was exposed to the air after production, and the refractive index was kept substantially constant even though the thickness was reduced.

도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면을 촬영한 사진이다. 7 and 8 are photographs of the surface of an insulating thin film included in the organic insulating material according to Example 1 of the present invention.

도 7의 (a) 내지 (d)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면을, 상기 유기 절연 소재를 제조한 후 대기 중에 5분, 1시간, 6시간, 및 24시간 동안 노출시키고 AFM(atomic force microscope) 촬영하였다. 도 7의 (a) 내지 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면은, 상기 유기 절연 소재를 제조한 후 대기 중에 5분 노출 시킨 경우, 2.11nm의 rms roughness를 나타내고, 1시간 노출 시킨 경우, 5.45nm의 rms roughness를 나타내고, 6시간 노출 시킨 경우, 7.22nm의 rms roughness를 나타내고, 12시간 노출 시킨 경우, 8.62nm의 rms roughness를 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 7 (a) to 7 (d), the surface of the insulating thin film included in the organic insulating material according to Example 1 was formed in the air for 5 minutes, 1 hour, 6 hours , And exposed for 24 hours and AFM (atomic force microscope). 7 (a) to 7 (d), the surface of the insulating thin film included in the organic insulating material according to Example 1 was 2.11 nm shows rms roughness and shows rms roughness of 5.45 nm when exposed for 1 hour and shows rms roughness of 7.22 nm when exposed for 6 hours and rms roughness of 8.62 nm when exposed for 12 hours I could.

도 8의 (a)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재를 제조한 직후, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면을 FE-SEM(field emission scanning electron microscope) 촬영하였다. 도 8의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 상기 유기 절연 소재가 제조된 직후, 상기 절연 박막의 두께가 90nm로 형성되는 것을 확인 할 수 있었다. 8 (a), the surface of the insulating thin film included in the organic insulating material was photographed by FE-SEM (field emission scanning electron microscope) immediately after the organic insulating material according to Example 1 was manufactured. As can be seen from FIG. 8 (a), it was confirmed that the organic insulating material according to Example 1 had a thickness of 90 nm immediately after the organic insulating material was produced.

도 8의 (b) 내지 (d)를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재를 제조한 후 대기 중에 45일 동안 노출시키고, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면, 상기 절연 박막의 매끈한 부분, 및 상기 절연 박막의 다공성 부분에 대하여 FE-SEM 촬영하였다. 도 8의 (b) 내지 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 제조한 후 대기 중에 45일 동안 노출된 경우, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막의 표면 상에 다수의 구멍이 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 8 (b) to 8 (d), the organic insulating material according to Example 1 is manufactured and exposed to the atmosphere for 45 days, and the surface of the insulating thin film included in the organic insulating material, And a porous portion of the insulating thin film were taken by FE-SEM. 8 (b) to 8 (d), when the organic insulating material according to Example 1 was exposed to the atmosphere for 45 days after being manufactured, the surface of the insulating thin film included in the organic insulating material It can be seen that a plurality of holes are formed in the substrate.

도 9는 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재의 두께 변화를 나타내는 그래프이다. 9 is a graph showing the thickness variation of the organic insulating material according to the second embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재를 준비하되, 상기 Al2O3 절연막 제조 공정을 50회 수행하고, 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막 제조 공정의 수행 횟수에 따른 상기 유기 절연 소재의 두께를 측정하였다. 도 9에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 절연 박막 제조 공정의 수행 횟수가 증가할수록, 상기 유기 절연 소재의 두께가 점점 증가하는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 9, the organic insulating material according to the second embodiment is prepared, and the Al 2 O 3 insulating film manufacturing process is performed 50 times. The organic insulating material according to the second embodiment The thickness of the insulating material was measured. As can be seen from FIG. 9, the thickness of the organic insulating material according to the second embodiment increases gradually as the number of times of performing the insulating thin film manufacturing process increases.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 실시 예 1 및 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들의 시간에 따른 변화를 나타내는 그래프이다. 10A and 10B are graphs showing changes with time of the organic insulating materials according to the first and second embodiments of the present invention.

도 10a를 참조하면, 상기 실시 예 1 및 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들을 준비하되, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 DEG 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회 반복 수행하여 제조되었다. 또한, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 DEG 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회 반복 수행하여 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 제조한 후, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회, 100회, 200회, 300회, 및 400회 수행하여, 상기 절연 박막 상에 Al2O3 절연막이 적층된 구조로 제조되었다. Referring to FIG. 10A, the organic insulating materials according to the first and second embodiments are prepared. The organic insulating material according to the first embodiment includes the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, The purging step was repeated 50 times. In addition, the organic insulating material according to the second embodiment may be manufactured by repeating the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, and the purging step 50 times to produce an insulating thin film containing aluminum alkoxide, The TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purging step are performed 50 times, 100 times, 200 times, 300 times, and 400 times to form a structure in which an Al 2 O 3 insulating film is laminated on the insulating thin film .

이후, 준비된 상기 유기 절연 소재들을, 대기 중에 노출시키고, 대기 중에 노출된 시간에 따른 상기 유기 절연 소재의 두께 변화를 측정하였다. 도 10a에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1 및 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들은, 대기 중에 노출된 시간이 지날수록 상기 유기 절연 소재들의 두께가 감소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계의 반복 횟수가 증가할수록 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재의 두께의 감소량이 감소되는 것을 확인할 수 있었다.Thereafter, the prepared organic insulating materials were exposed to the atmosphere, and the thickness change of the organic insulating material was measured according to the exposure time in the atmosphere. As can be seen from FIG. 10A, it was confirmed that the thickness of the organic insulating materials according to Example 1 and Example 2 decreased as time passed through the air. In addition, the organic insulating material according to the second embodiment has a higher thickness than the organic insulating material according to the second embodiment as the number of repetitions of the TMA providing step, the purging step, the H 2 O providing step, The amount of decrease in the amount of water was decreased.

도 10b를 참조하면, 상술된 도 10a를 참조하여 설명된 유기 절연 소재들을, 대기 중에 노출시키고, 대기 중에 노출된 시간에 따른 상기 유기 절연 소재의 refractive index를 측정하였다. 도 10b에서 알 수 있듯이, 상기 Al2O3 절연막이 형성된 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들은, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재보다 refractive index가 증가된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들은, 상기 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계의 반복 횟수가 100회 이상인 경우, refractive index가 실질적으로 동일한 것을 확인할 수 있었다. Referring to Figure 10b, exposing the organic insulating material described with reference to Figure 10a above, in the air, to measure the refractive index of the organic insulating material according to the time exposed to the atmosphere. As can be seen from FIG. 10B, the organic insulation materials according to Example 2 having the Al 2 O 3 insulating film have a higher refractive index than the organic insulating materials according to Example 1. The organic insulation materials according to Example 2 have substantially the same refractive index when the number of repetitions of the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purging step is 100 or more I could confirm.

도 11은 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들을 촬영한 사진이다. 11 is a photograph of organic insulating materials according to Example 2 of the present invention.

도 11의 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재를 준비하되, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 DEG 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회 반복 수행하여 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 제조한 후, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 100회 및 200회 수행하여 제조하고, 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재들을 45일 동안 대기 중에 노출시킨 후 SEM 촬영하였다. 도 11의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 100회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 표면에 다수의 기공이 형성된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 도 11의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 200회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 표면이 매끄럽게 형성된 것을 확인할 수 있었다. 11 (a) and (b), the organic insulating material according to the second embodiment is prepared, and the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, and the purge step are repeated 50 times And then performing the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purging step 100 times and 200 times, thereby preparing an insulating thin film containing aluminum alkoxide according to the second embodiment Organic insulation materials were exposed to the atmosphere for 45 days and then SEM images were taken. As shown in FIG. 11 (a), the organic insulating material according to Example 2, in which the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purge step are performed 100 times, Of the pores were formed. 11 (b), the organic insulating material according to Example 2, in which the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purging step are performed 200 times, Was formed smoothly.

도 11의 (c) 및 (d)를 참조하면, 상술된 도 11의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명된 유기 절연 소재들을 45일 동안 대기 중에 노출시킨 후 FE-SEM 촬영하였다. 도 11의 (c)에서 알 수 있듯이, 상기 Al2O3 절연막 제조 공정을 100회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 절연 박막이 산화된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 도 11의 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 Al2O3 절연막 제조 공정을 200회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 절연 박막이 산화되지 않은 것을 확인할 수 있었다. 11 (c) and 11 (d), the organic insulating materials described with reference to FIGS. 11 (a) and 11 (b) were exposed to the atmosphere for 45 days and then subjected to FE-SEM imaging. As can be seen from FIG. 11 (c), it was confirmed that the insulating thin film was oxidized in the organic insulating material according to Example 2 in which the Al 2 O 3 insulating film manufacturing process was performed 100 times. 11 (d), it was confirmed that the insulating thin film was not oxidized in the organic insulating material according to Example 2 in which the Al 2 O 3 insulating film manufacturing process was performed 200 times.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재가 포함하는 물질들의 함량 변화를 나타내는 그래프이다. 12A and 12B are graphs showing changes in contents of materials included in the organic insulating material according to the second embodiment of the present invention.

도 12a를 참조하면, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 DEG 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회 반복 수행하여 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 제조한 후, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 100회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재를 준비하고, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 알루미늄(Al), 산소(O), 및 탄소(C)에 대해, Sputter time에 따른 Intensity를 측정하였다. 도 12a에서 알 수 있듯이, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 100회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 탄소의 함량이, sputter time이 2분 경과될 때까지는 지속적으로 감소하고, 2분 이후로는 없는 것을 확인할 수 있었다.12A, the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, and the purging step are repeated 50 times to produce an insulating thin film containing aluminum alkoxide. Then, the TMA providing step, the purge step , The H 2 O providing step, and the purging step are performed 100 times, and the aluminum (Al), oxygen (O), and carbon ( C), the intensity according to the sputter time was measured. 12A, the organic insulating material according to Example 2, in which the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purge step are performed 100 times, The carbon content was continuously decreased until the sputter time was 2 minutes, and it was confirmed that the carbon content was not after 2 minutes.

도 12b를 참조하면, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 DEG 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 50회 반복 수행하여 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 제조한 후, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 200회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재를 준비하고, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 알루미늄(Al), 산소(O), 및 탄소(C)에 대해, Sputter time에 따른 Intensity를 측정하였다. 도 12b에서 알 수 있듯이, 상기 TMA 제공 단계, 상기 퍼지 단계, 상기 H2O 제공 단계, 및 상기 퍼지 단계를 200회 수행한 상기 실시 예 2에 따른 유기 절연 소재는, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 탄소의 함량이, sputter time 0~2분의 구간에서는 지속적으로 감소하고, 2~5분의 구간에서는 지속적으로 증가하며, 5~7분의 구간에서는 다시 지속적으로 감소하다 7분이후로는 없는 것을 확인할 수 있었다. 12B, the TMA providing step, the purge step, the DEG providing step, and the purge step are repeated 50 times to produce an insulating thin film containing aluminum alkoxide, and then the TMA providing step, the purge step , The H 2 O providing step, and the purging step are repeated 200 times, and the aluminum (Al), oxygen (O), and carbon ( C), the intensity according to the sputter time was measured. As shown in FIG. 12B, the organic insulating material according to Example 2, in which the TMA providing step, the purge step, the H 2 O providing step, and the purge step are performed 200 times, The carbon content decreases continuously in the sputter time 0-2 minutes, continuously increases in the 2-5 minutes, decreases continuously in the 5-7 minutes, but not in 7 minutes I could.

도 13은 본 발명의 실시 예들 및 비교 예에 따른 유기 절연 소재들의 수증기 투과율을 테스트하기 위한 장치를 나타내기 위한 도면이고, 도 14는 본 발명의 실시 예들 및 비교 예에 따른 유기 절연 소재들의 수증기 투과율을 나타내는 그래프이다. FIG. 13 is a view for showing an apparatus for testing the water vapor transmission rate of organic insulating materials according to embodiments and a comparative example of the present invention, and FIG. 14 is a graph showing the water vapor permeability of the organic insulating materials according to the embodiments of the present invention and the comparative example .

도 13을 참조하면, 테스트 기판(100)이 준비된다. 상기 테스트 기판은 유리(glass) 기판을 사용하였다. 상기 테스트 기판(100) 상에 제1 전극(112) 및 제2 전극(114)이 준비된다. 상기 제1 전극(112)은 상기 테스트 기판(100) 상의 일 측면에 배치된다. 상기 제2 전극(114)은 상기 제1 전극(112)과 대향하도록 상기 테스트 기판(100) 상의 다른 측면에 배치된다. 상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)은 동일한 물질로 형성된다. 상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)은 알루미늄(Al) 전극을 사용하였다. 상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114) 사이에 테스트 층(test layer)를 배치하였다. 상기 테스트 층은, 칼슘(Ca) 층을 사용하였다. 상기 제1 전극(112) 상에 제1 스페이서(spacer, 132)를 배치하였다. 또한, 상기 제2 전극(114) 상에 제2 스페이서(134)를 배치하였다. 상기 제1 스페이서(132) 및 상기 제2 스페이서(134) 상에, 상기 제1 스페이서(132) 및 상기 제2 스페이서(134)를 연결하는 베리어 필름(barrier film, 140)을 배치하였다. 상기 베리어 필름은, PEN을 사용하였다. Referring to FIG. 13, a test substrate 100 is prepared. A glass substrate was used as the test substrate. A first electrode 112 and a second electrode 114 are prepared on the test substrate 100. The first electrode 112 is disposed on one side of the test substrate 100. The second electrode 114 is disposed on the other side of the test substrate 100 so as to face the first electrode 112. The first electrode 112 and the second electrode 114 are formed of the same material. The first electrode 112 and the second electrode 114 may be aluminum (Al) electrodes. A test layer was disposed between the first electrode 112 and the second electrode 114. The test layer used was a calcium (Ca) layer. A first spacer (132) is disposed on the first electrode (112). Also, a second spacer 134 is disposed on the second electrode 114. A barrier film 140 connecting the first spacer 132 and the second spacer 134 is disposed on the first spacer 132 and the second spacer 134. The barrier film used was PEN.

도 14를 참조하면, 도 13을 참조하여 상술된 테스트 장치에 포함된 베리어 필름 상에, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재(절연 박막 공정 200회), 상기 실시 예 3에 따른 유기 절연 소재(Al2O3 절연막 공정 200회/절연 박막 공정 400회/ Al2O3 절연막 공정 200회), 상기 비교 예 2에 따른 박막(Al2O3 절연막 공정 200회 및 400회)들을 적층 시킨 경우에 대해, 시간에 따른 1/Normalized resistance를 측정하였다. 14, on the barrier film included in the test apparatus described above with reference to FIG. 13, the organic insulating material (the insulating thin film process 200 times) according to the first embodiment, the organic insulating material The Al 2 O 3 insulating film process 200 times / the insulating thin film process 400 times / the Al 2 O 3 insulating film process 200 times), the thin film according to the comparative example 2 (200 times and 400 times of the Al 2 O 3 insulating film process) 1 / Normalized resistance over time was measured.

도 14에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 3에 따른 유기 절연 소재(Al2O3 절연막 공정 200회/절연 박막 공정 400회/ Al2O3 절연막 공정 200회)가 적층된 경우 시간에 따른 1/Normalized resistance 기울기가 가장 완만하게 줄어드는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 절연소재를 제조할 경우, 유기 절연 박막 및 무기 절연막이 혼합된 형태로 제조하는 것이 효율적이라는 것을 알 수 있다. As it can be seen in Figure 14, the exemplary embodiment the organic insulation according to the third material (1) according to the time when a (Al 2 O 3 insulating film step 400 times 200 times / insulating thin film process / Al 2 O 3 insulating film process 200 times) is laminated / It was confirmed that the slope of the normalized resistance was reduced most gently. Accordingly, it can be seen that when the insulating material is manufactured, it is efficient to manufacture the organic insulating thin film and the inorganic insulating film in a mixed form.

도 15a 및 도 15b는 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재의 환경 변화에 대한 특성을 나타내는 그래프이다. 15A and 15B are graphs showing the characteristics of the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention with respect to environmental changes.

도 15a 및 도 15b를 참조하면, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재를, 상기 유기 절연 소재 자체의 경우, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막에 10초의 시간 동안 물을 제공한 후 1시간 동안 열처리한 경우에 대해 전압에(V)에 따른 전류(A)를 측정하였다. 도 15a 및 도 15b에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막에 10초의 시간 동안 물을 제공한 후 1시간 동안 열처리한 경우, 가장 낮은 전류를 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 15A and 15B, the organic insulating material according to the first embodiment is applied to the insulating thin film containing the organic insulating material itself for 10 seconds after the organic insulating material itself is left for 1 hour The current (A) according to the voltage (V) was measured for the heat treatment. As can be seen from FIGS. 15A and 15B, in the organic insulating material according to the first embodiment, when the insulating thin film included in the organic insulating material is subjected to heat treatment for 1 hour after providing water for 10 seconds, . &Lt; / RTI &gt;

이에 따라, 본 발명의 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재를 제조하는 경우, 상기 유기 절연 소재가 포함하는 절연 박막에 10초의 시간 동안 물을 제공한 후 1시간 동안 열처리하는 것이 효율적인 유기 절연 소재의 제조 방법임을 알 수 있다. Accordingly, in the case of manufacturing the organic insulating material according to the first embodiment of the present invention, it is preferable that the insulating thin film included in the organic insulating material is provided with water for 10 seconds and then heat-treated for 1 hour. Method.

또한, 상기 실시 예 1에 따른 유기 절연 소재는, 열처리 되기 전과 비교하여 열처리 된 후 파괴 전압이 향상되는 것을 알 수 있다. It is also seen that the breakdown voltage of the organic insulating material according to Example 1 is improved after the heat treatment compared with that before the heat treatment.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100: 테스트 기판
112: 제1 전극
114: 제2 전극
120: 테스트 층
132: 제1 스페이서
134: 제2 스페이서
140: 베리어 필름100: Test substrate
112: first electrode
114: second electrode
120: test layer
132: first spacer
134: second spacer
140: barrier film

Claims (10)

기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 및
상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 두 개 이상의 수산화기(hydroxyl group)를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체를 제공하고, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 절연 박막을, 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
Preparing a substrate;
Providing, on the substrate, a first precursor comprising aluminum; And
Providing a second precursor comprising an alcohol having at least two hydroxyl groups on the substrate provided with the first precursor, wherein the first precursor and the second precursor react with each other to form an aluminum alkoxide, And forming an insulating thin film on the substrate.
제1 항에 있어서,
알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막에 물을 제공하는 단계; 및
물이 제공된 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Providing water to the insulating thin film comprising an aluminum alkoxide; And
And heat treating the insulating thin film provided with water.
제1 항에 있어서,
알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of heat-treating the insulating thin film containing aluminum alkoxide.
제2 항 또는 제3 항에 있어서,
열처리된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막은, 열처리 되기 전보다 절연 특성이 향상되는 것을 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the insulating thin film including the heat-treated aluminum alkoxide has improved insulation characteristics before the heat treatment.
제1 항에 있어서,
상기 절연 박막을 형성하는 단계는, 80℃ 초과 100℃ 미만인 온도에서 수행되는 것을 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the insulating thin film is performed at a temperature higher than 80 ° C and lower than 100 ° C.
제1 항에 있어서,
상기 제2 전구체는, DEG(diethyl glycol)인 것을 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the second precursor is DEG (diethyl glycol).
제1 항에 있어서,
상기 제1 전구체를 제공하는 시간은, 상기 제2 전구체를 제공하는 시간보다 짧은 것을 포함하는 유기 절연 소재의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the time for providing the first precursor is shorter than the time for providing the second precursor.
기판; 및
상기 기판 상에 배치되고, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체 및 두 개 이상의 수산화기를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체가 서로 반응하여 형성된 알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재.
Board; And
And an insulating thin film disposed on the substrate and including an aluminum alkoxide formed by reacting a first precursor including aluminum and a second precursor including an alcohol having two or more hydroxyl groups with each other.
제8 항에 있어서,
알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막의 두께는, 20nm 이하인 것을 포함하는 유기 절연 소재.
9. The method of claim 8,
Wherein the insulating thin film including aluminum alkoxide has a thickness of 20 nm or less.
제9 항에 있어서,
알루미늄 알콕사이드를 포함하는 상기 절연 박막은, 30V 보다 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 갖는 것을 포함하는 유기 절연 소재.
10. The method of claim 9,
Wherein said insulating thin film comprising an aluminum alkoxide has a breakdown voltage higher than 30V.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100789559B1 (en) 2006-12-20 2007-12-28 삼성전자주식회사 Inorganic electroluminescent device comprising an insulating layer, a method of manufacturing the same and an electronic device comprising the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220136065A (en) * 2021-03-30 2022-10-07 한양대학교 산학협력단 InON thin film and method for manufacturing same, and transistor comprising same

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