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KR20180016623A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

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KR20180016623A
KR20180016623A KR1020187003303A KR20187003303A KR20180016623A KR 20180016623 A KR20180016623 A KR 20180016623A KR 1020187003303 A KR1020187003303 A KR 1020187003303A KR 20187003303 A KR20187003303 A KR 20187003303A KR 20180016623 A KR20180016623 A KR 20180016623A
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KR
South Korea
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substrate
processing
heating
section
roller
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KR1020187003303A
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도모나리 스즈키
진 니시카와
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
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Abstract

기판처리장치는, 띠 모양으로 형성된 기판에 대해, 각각 처리를 행하는 복수의 처리부와, 복수의 처리부에서의, 공통 서브 프로세스를 실행할 수 있는 제1 처리부를 수용하는 제1 처리실과, 복수의 처리부 가운데, 제2 처리부를 수용하는 제2 처리실과, 제1 처리실 및 제2 처리실의 각각에 기판을 반송하는 반송부를 구비한다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것이다.
본원은 2011년 4월 25일에 출원된 일본국 특원2011-097122호에 근거하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
디스플레이 장치 등의 표시장치를 구성하는 표시소자로서, 예를 들면 액정표시소자, 유기전계발광(유기EL) 소자가 알려져 있다. 현재, 이들 표시소자에서는 각 화소에 대응하여 기판 표면에 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 형성하는 능동적 소자(액티브 디바이스)가 주류로 되어 가고 있다.
근래에는, 시트 모양의 기판(예를 들면 필름부재 등)상에 표시소자를 형성하는 기술이 제안되어 있다. 이와 같은 기술로서, 예를 들면 롤·투·롤(roll·to·roll) 방식(이하, 간단히 「롤 방식」이라고 표기함)으로 불리는 수법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 롤 방식은 기판공급 측의 공급용 롤러에 감겨진 1매의 시트 모양의 기판(예를 들면, 띠 모양의 필름부재)을 송출(送出)함과 아울러 송출된 기판을 기판회수 측의 회수용 롤러로 권취(卷取)하면서, 공급용 롤러와 회수용 롤러와의 사이에 설치된 처리부(유니트)에 의해 기판에 소망의 가공을 시행해 가는 것이다.
그리고, 기판이 송출되고 나서 권취될 때까지 동안에, 예를 들면 복수의 반송 롤러 등을 이용하여 기판이 반송되고, 복수의 처리부를 이용하여 TFT를 구성하는 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체막, 소스·드레인 전극 등을 형성하며, 기판의 피처리면에 표시소자의 구성요소를 차례차례 형성한다.
[특허문헌 1] 국제공개 제2006/100868호 팜플렛
그렇지만, 상기의 공정에서는 전체 길이 수백 미터라고 하는 긴 반송경로가 필요하게 될 가능성이 있으며, 예를 들면 공장 등의 한정된 스페이스에서 각 처리부를 효율적으로 배치하는 것이 요구된다.
본 발명에 관한 태양은, 효율적으로 처리부를 배치하는 것이 가능한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 태양에 따르면, 띠 모양으로 형성된 기판에 대해, 각각 처리를 행하는 복수의 처리부와, 복수의 처리부에서의, 공통 서브 프로세스를 실행할 수 있는 제1 처리부를 수용하는 제1 처리실과, 복수의 처리부 가운데, 제2 처리부를 수용하는 제2 처리실과, 제1 처리실 및 제2 처리실의 각각에 기판을 반송하는 반송부를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명에 관한 태양에 의하면, 처리부의 스페이스를 효율적으로 이용할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 관한 기판처리장치의 전체 구성을 나타내는 도면.
도 2는 본 실시형태에 관한 기판처리장치의 기판처리부의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 실시형태에 관한 가열유니트의 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 본 실시형태에 관한 가열유니트의 구성을 나타내는 사시도.
도 5는 본 실시형태에 관한 가열장치의 구성을 나타내는 사시도.
도 6은 본 실시형태에 관한 처리실에 배치되는 가열장치의 레이아웃의 예를 나타내는 도면.
도 7은 가열장치의 레이아웃의 예를 나타내는 비교도.
도 8은 본 실시형태에 관한 진동제거장치의 구성을 나타내는 측면도.
도 9는 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 10은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 11은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 12는 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 13은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 14는 본 실시형태에 관한 처리실끼리의 사이의 구성을 나타내는 도면.
도 15는 본 실시형태에 관한 유체제거장치의 구성을 나타내는 도면.
이하, 도면을 참조하여, 본 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 기판처리장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(100)는 띠 모양의 기판(예를 들면, 시트 모양의 필름부재)(S)을 공급하는 기판공급부(2)와, 기판(S)의 표면(피처리면)(Sa)에 대해서 처리를 행하는 기판처리부(3)와, 기판(S)을 회수하는 기판회수부(4)와, 이들 각부를 제어하는 제어부(CONT)를 가지고 있다. 기판처리부(3)는 기판공급부(2)로부터 기판(S)이 송출되고 나서, 기판회수부(4)에 의해서 기판(S)이 회수될 때까지 동안에, 기판(S)의 표면에 각종 처리를 실행하기 위한 기판처리장치(100)를 구비한다. 이 기판처리장치(100)는 기판(S)상에 예를 들면 유기EL소자, 액정표시소자 등의 표시소자(전자 디바이스)를 형성하는 경우에 이용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 XYZ좌표계를 설정하고, 이하에서는 적절히 이 XYZ좌표계를 이용하여 설명을 행한다. XYZ좌표계는, 예를 들면, 수평면을 따라서 X축 및 Y축이 설정되며, 연직방향을 따라서 위쪽 방향으로 Z축이 설정된다. 또, 기판처리장치(100)는, 전체적으로 X축을 따라서, 그 마이너스 측(-측)으로부터 플러스 측(+측)으로 기판(S)을 반송한다. 그 때, 띠 모양의 기판(S)의 폭방향(단척(短尺)방향)은 Y축방향으로 설정된다.
기판처리장치(100)에서 처리대상이 되는 기판(S)으로서는, 예를 들면 수지필름이나 스테인리스강 등의 박(箔)(호일)을 이용할 수 있다. 예를 들면, 수지필름은 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 아세트산 비닐 수지 등의 재료를 이용할 수 있다.
기판(S)은, 예를 들면 200℃ 정도의 열을 받아도 치수가 변함없게 열팽창계수가 작은 것이 바람직하다. 예를 들면, 무기(無機)필러를 수지필름에 혼합하여 열팽창계수를 작게 할 수 있다. 무기필러의 예로서는, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등을 들 수 있다.
기판(S)의 폭방향(단척방향)의 치수는 예를 들면 1m ~ 2m 정도로 형성되어 있고, 길이방향(장척(長尺)방향)의 치수는 예를 들면 10m 이상으로 형성되어 있다. 물론, 이 치수는 일례에 불과하고, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 기판(S)의 Y방향의 치수가 50㎝ 이하라도 상관없고, 2m 이상이라도 상관없다. 또, 기판(S)의 X방향의 치수가 10m 이하라도 상관없다.
기판(S)은 가요성을 가지도록 형성되어 있다. 여기서 가요성이란, 기판에 자중(自重) 정도의 힘을 가해도 전단(剪斷)하거나 파단(破斷)하거나 하지 않고, 이 기판을 휠 수 있는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 자중 정도의 힘에 의해서 굴곡 하는 성질도 가요성에 포함된다. 또, 상기 가요성은 이 기판의 재질, 크기, 두께, 또는 온도 등의 환경 등에 따라 바뀐다. 또한, 기판(S)으로서는, 1매의 띠 모양의 기판을 이용해도 상관없지만, 복수의 단위 기판을 접속하여 띠 모양으로 형성되는 구성으로 하여도 상관없다.
기판공급부(2)는, 예를 들면 롤 모양으로 감겨진 기판(S)을 기판처리부(3)에 송출하여 공급한다. 이 경우, 기판공급부(2)에는 기판(S)을 감는 축부나 당해 축부를 회전시키는 회전구동장치 등이 마련된다. 이 외, 예를 들면 롤 모양으로 감겨진 상태의 기판(S)을 덮는 커버부 등이 마련된 구성이라도 상관없다. 또한, 기판공급부(2)는 롤 모양으로 감겨진 기판(S)을 송출하는 기구에 한정되지 않고, 띠 모양의 기판(S)을 그 길이방향으로 차례차례 송출하는 기구를 포함하는 것이면 된다.
기판회수부(4)는 기판처리부(3)가 구비하는 기판처리장치(100)를 통과한 기판(S)을 예를 들면 롤 모양으로 권취하여 회수한다. 기판회수부(4)에는, 기판공급부(2)와 마찬가지로, 기판(S)을 감기 위한 축부나 당해 축부를 회전시키는 회전구동원, 회수한 기판(S)을 덮는 커버부 등이 마련되어 있다. 또한, 기판처리부(3)에서 기판(S)이 패널 모양으로 절단되는 경우 등에는 예를 들면 기판(S)을 겹친 상태로 회수하는 등, 롤 모양으로 감은 상태와는 다른 상태에서 기판(S)을 회수하는 구성이라도 상관없다.
기판처리부(3)는 기판공급부(2)로부터 공급되는 기판(S)을 기판회수부(4)로 반송함과 아울러, 반송의 과정에서 기판(S)의 피처리면(Sa)에 대해서 처리를 행한다. 기판처리부(3)는 처리장치(10) 및 반송장치(반송부)(20)를 가지고 있다.
처리장치(10)는 기판(S)의 피처리면(Sa)에 대해서 예를 들면 유기EL소자를 형성하기 위한 각종 장치를 가지고 있다. 이와 같은 장치로서는, 예를 들면 피처리면(Sa)상에 격벽을 형성하기 위한 격벽형성장치, 전극을 형성하기 위한 전극형성장치, 발광층을 형성하기 위한 발광층 형성장치 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 액적(液滴)도포장치(예를 들면 잉크젯형 도포장치 등), 성막(成膜)장치(예를 들면 도금장치, 증착(蒸着)장치, 스퍼터링(sputtering) 장치), 노광장치, 현상장치, 표면개질(改質)장치, 세정장치 등을 들 수 있다. 이들 각 장치는 기판(S)의 반송경로를 따라서 적절히 마련된다. 본 실시형태에서는, 처리장치(10)로서, 예를 들면 도포장치(41), 가열장치(51 ~ 53), 노광장치(EX), 현상장치(42), 세정장치(43), 도금장치(44)(이상, 도 2 이후에서 상세히 설명) 등이 이용된 구성을 예로 들어 설명한다.
반송장치(20)는 기판처리부(3) 내에서 기판(S)을 안내하는 복수의 안내롤러(안내부)(R)(도 1에서는, 2개의 롤러만을 예시)를 가지고 있다. 안내롤러(R)는 기판(S)의 반송경로를 따라서 배치되어 있다. 복수의 안내롤러(R) 중 적어도 일부의 안내롤러(R)에는 회전구동기구(미도시)가 장착되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 반송장치(20)에서의 반송경로의 길이는, 예를 들면 전체 길이 수백 미터 정도로 되어 있다.
도 2는 기판처리부(3)의 일부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 기판처리부(3)는 3개의 처리실(11 ~ 13)을 가지고 있다. 처리실(11 ~ 13)은 구획부(14)에 의해서 나누어져 있다.
구획부(14)는 처리실(11)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14a)와, 처리실(11)의 천장부 및 처리실(12)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14b)와, 처리실(12)의 천장부 및 처리실(13)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14c)와, 처리실(13)의 천장부를 구성하는 구획부재(14d)를 구비한다.
처리실(11)은 복수의 처리실 안에서 중력방향의 최하부(가장 -Z측)에 배치되어 있다. 처리실(11)은 기판(S)에 대해서 액체를 이용한 처리(웨트(wet)처리)를 행하는 처리공간을 형성하고 있다. 처리실(11)에는, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리장치(10)로서, 기판(S)에 도포하기 위한 레지스트액을 수용하는 레지스트액 수용용기(41a)를 구비하는 도포장치(41)와, 기판(S)에 현상처리를 행하기 위한 현상액을 수용하는 현상액 수용용기(42a)를 구비하는 현상장치(42)와, 기판(S)을 세정하는 세정액을 수용하는 세정액 수용용기(43a)를 구비하는 세정장치(43)와, 세정처리 후의 기판(S)에 대해서 패턴을 형성하기 위한 도금액을 수용하는 도금액 수용용기(44a)를 구비하는 도금장치(44)가 마련되어 있다. 또한, 처리실(11)에는, 상술한 액체에 한정하지 않고, 각종 액체를 사용하는 처리장치를 수용하는 것이 가능하다.
도포장치(41)는 당해 도포장치(41)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R2) 및 도포처리가 종료한 기판(S)을 도포장치(41) 내로부터 처리실(11)로 반출하는 안내롤러(R3)를 가진다. 기판(S)의 반송방향에 관한 안내롤러(R2)의 상류 측에는 기판공급부(2)로부터 공급된 기판(S)을 도포장치(41)로 안내하는 안내롤러(R1)가 배치되어 있다. 현상장치(42)에는 당해 현상장치(42)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R20) 및 현상처리가 종료한 기판(S)을 현상장치(42) 내로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R21)를 가진다. 기판(S)의 반송방향에 관한 안내롤러(R20)의 상류 측에는 처리실(12)의 가열장치(52)로부터 안내롤러(R17)를 통하여 기판(S)을 현상장치(42)로 안내하는 안내롤러(R18 및 R19)가 배치되어 있다.
기판(S)의 반송방향에서의 안내롤러(R21)의 하류 측에는 기판(S)을 현상장치(42)로부터 세정장치(43)로 안내하는 안내롤러(R22 및 R23)가 배치되어 있다. 또한, 이들 안내롤러(R1, R18, R19, R22 및 R23)는 처리실(11) 내에 배치되어 있다.
세정장치(43)에는 당해 세정장치(43)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R24) 및 세정처리가 종료한 기판(S)을 세정장치(43) 내로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R25)가 구비되어 있다. 도금장치(44)에는 당해 도금장치(44)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R28)와, 도금처리가 종료한 기판(S)을 도금장치(44)로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R29)가 구비되어 있다.
구획부재(14a)에는 도시하지 않은 회수장치에 접속된 폐액(廢液)회수유로의 일부를 구성하는 복수의 회수관(폐액회수부, 회수부)(45)이 마련되어 있다. 회수관(45)의 일단부는 도포장치(41), 현상장치(42) 및 세정장치(43)의 각각에 접속되고, 타단부는 회수장치에 접속된 도시하지 않은 폐액회수유로에 접속되어 있다. 각 회수관(45)은 도포장치(41), 현상장치(42) 및 세정장치(43)에서 폐액이 된 레지스트액, 현상액 및 세정액을 폐액회수유로를 통하여 회수장치로 배출한다. 회수관(45)에는 도시하지 않은 개폐밸브 등이 마련되어 있다. 제어부(CONT)는 당해 개폐밸브의 개폐의 타이밍을 제어 가능하다. 본 실시형태에서는, 중력방향의 최하부의 처리실(11)에 웨트처리용의 장치가 마련되어 있기 때문에, 이들 장치와 회수장치와의 사이의 폐액회수유로의 유로계(流路系)의 길이를 억제할 수 있다.
처리실(12)은 처리실(11)의 위쪽(+Z측)에 배치되어 있다. 처리실(12)은 기판(S)에 대해서 가열처리를 행하는 처리공간을 형성하고 있다. 처리실(12)에는, 처리장치(10)로서, 기판(S)을 가열하는 가열장치(51 ~ 53)가 마련되어 있다. 가열장치(51)는 도포장치(41)에 의해서 레지스트액이 도포된 기판(S)을 가열하여, 레지스트액을 건조시킨다. 가열장치(52)는 처리실(13)의 노광장치(EX)를 통과한 기판(S)을 다시 가열하여, 레지스트액을 건조시킨다. 가열장치(52)는 가열장치(51)의 가열온도와 다른 온도, 예를 들면, 가열장치(51)의 가열온도보다 높은 온도로 기판(S)을 가열하고 있다. 가열장치(53)는 현상장치(42)에 의해서 현상처리가 행해지고, 또한 세정장치(43)에 의해서 세정된 후의 기판(S)을 가열하여, 기판(S)의 표면을 건조시킨다.
기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(51)의 상류 측에는 처리실(11) 내의 도포장치(41)를 통과한 기판(S)을 당해 가열장치(51)로 안내하는 안내롤러(R4)가 배치되어 있다. 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(51)의 하류 측에는 안내롤러(R5, R6 및 R7)가 반송경로를 따라서 배치되어 있으며, 이들 안내롤러(R5, R6 및 R7)에 의해서 처리실(13) 내의 노광장치(EX)로 기판(S)을 안내하고 있다.
기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(52)의 상류 측에는 처리실(13)의 노광장치(EX)를 통과한 기판(S)을 안내롤러(R13)를 통하여 당해 가열장치(52)로 안내하는 안내롤러(R14, R15 및 R16)가 반송경로를 따라서 배치되어 있다. 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(52)의 하류 측에는 처리실(11)의 현상장치(42)로, 안내롤러(R18 및 R19)를 통하여 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R17)가 배치되어 있다.
기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(53)의 상류 측에는 세정장치(43)를 통과한 기판(S)을 당해 가열장치(53)로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R26)가 배치되어 있다. 또, 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(53)의 하류 측에는 처리실(11) 내의 도금장치(44)로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R27)가 배치되어 있다. 또, 안내롤러(R27)의 +X측에는 다음의 공정으로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R30)가 배치되어 있다. 이들 안내롤러(R4, R5, R6, R7, R14, R15, R16, R17, R26, R27 및 R30)는 처리실(12) 내에 배치되어 있다.
구획부재(14b)에는, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에서, 기판(S)을 통과시키기 위한 복수의 접속부(15 ~ 19)가 마련되어 있다. 접속부(15 ~ 19)는, 예를 들면, 구획부재(14b)를 Z방향으로 관통하는 관통구멍이다. 각 접속부(15 ~ 19)는 기판(S)이 통과 가능한 치수로 형성되어 있다. 기판(S)은 접속부(15 ~ 19)를 통과하는 것에 의해서 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 걸쳐 이동한다.
안내롤러(R3) 및 안내롤러(R4)는 기판(S)이 접속부(15)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R17) 및 안내롤러(R18)는 기판(S)이 접속부(16)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R25) 및 안내롤러(R26)는 기판(S)이 접속부(17)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R27) 및 안내롤러(R28)는 기판(S)이 접속부(18)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R29) 및 안내롤러(R30)는 기판(S)이 접속부(19)를 통과하도록 안내한다. 이와 같이, 반송장치(20)는 기판(S)이 접속부(15 ~ 19)를 통과하도록 당해 기판(S)을 안내한다.
또한, 접속부(15 ~ 19)를 사이에 두고 배치된 상기의 안내롤러(R3, R4, R17, R18, R25 ~ R30)가, 예를 들면 기판(S)의 온도를 조정하는 온도조절장치를 가지는 구성이라도 상관없다. 이 구성에 의해, 가열장치(51 ~ 53)의 전후에서 기판(S)의 온도조정이 가능하게 된다.
다음으로 가열장치(51 ~ 53)의 상세한 구성에 대해서 설명한다. 가열장치(51 ~ 53)는 각각 하나 또는 복수의 가열유니트(50)를 가지고 있다. 도 3은 가열유니트(50)의 구성을 나타내는 측단면도이다. 도 4는 가열유니트(50)의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 가열유니트(50)는 케이스(60) 및 케이스(60) 내를 가열하는 가열부(70)를 가지고 있다.
케이스(60)는 한 쌍의 제1 벽부(우측벽부(60d) 및 좌측벽부(60c))와, 한 쌍의 제2 벽부(상벽부(60f) 및 하벽부(60e))에 의해서, 내부 공간을 형성하는 직사각형의 환상(環狀, 고리 모양)이다. 그리고, 케이스(60)에 형성된 내부 공간은 기판수용실(수용실)(62)로서 기능한다. 케이스(60)의 한쪽의 제1 벽부(좌측 측벽부)(60c)에는 기판반입구(반입구)(61)가 형성되고, 케이스(60)의 다른 쪽의 제1 벽부(우측 측벽부)(60d)에는 기판반출구(반출구)(63)가 형성되어 있다. 또, 케이스(60)의 한쪽의 단면(-Y측의 단면)을 제1 개구단(60a)으로 하고, 케이스(60)의 다른 쪽의 단면(Y측의 단면)을 제2 개구단(60b)으로 한다. 케이스(60)의 제1 개구단(60a) 및 제2 개구단(60b)에는 복수의 가열유니트(50)를 연결시키기 위한 연결부(미도시)가 마련되어 있다.
케이스(60)의 제1 개구단(60a) 및 제2 개구단(60b)은 기판수용실(62)을 밀폐하는 덮개부가 장착 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 가열유니트(50)를 하나만 이용하는 경우에는 개구단(60a 및 60b)의 단면을 폐색하는 것에 의해서 밀폐공간을 형성하는 것이 가능하다. 또, 복수의 가열유니트(50)를 연결함으로써, 단체(單體)의 가열유니트(50)를 이용하는 경우에 비해 큰 밀폐공간을 형성할 수 있다. 이 경우에는 연결방향의 끝단에 배치되는 가열유니트(50)의 단면을 덮개부로 폐색하는 것이 가능하게 되어 있다.
기판반입구(61) 및 기판반출구(63)는 기판(S)이 통과 가능한 치수로 형성되어 있다. 즉, 기판반입구(61) 및 기판반출구(63)의 Z방향의 치수는 기판(S)의 두께보다도 크게 형성되어 있다. 또, 기판반입구(61) 및 기판반출구(63)의 Y방향의 치수는 기판(S)의 단수(短手, 길이가 짧은)방향의 치수보다도 크게 형성되어 있다.
기판수용실(62)에는 기판(S)을 안내하는 되접기롤러(되접기부)(64 ~ 67)가 마련되어 있다. 되접기롤러(64 ~ 67)는 도시하지 않은 지지부재에 의해서 케이스(60)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 되접기롤러(64 및 66)는 기판수용실(62)의 +X측의 단부, 즉 우측 측벽부(60d) 측에 배치되어 있다. 되접기롤러(65 및 67)는 기판수용실(62)의 -X측의 단부, 즉 좌측 측벽부(60c) 측에 배치되어 있다. 되접기롤러(64, 65, 66 및 67)는 이 순서로 케이스(60)의 상부(+Z측)으로부터 하부(-Z측)으로 향해서 배치되어 있다.
되접기롤러(64)는 기판반입구(61)로부터 반입되어 +X방향으로 진행하는 기판(S)을 -X방향으로 되접는다. 되접기롤러(65)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 -X방향으로 진행하는 기판(S)을 +X방향으로 되접는다. 되접기롤러(66)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 +X방향으로 진행하는 기판(S)을 -X방향으로 되접는다. 되접기롤러(65)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 -X방향으로 진행하는 기판(S)을 +X방향으로 되접는다.
따라서, 되접기롤러(64 ~ 67)에 의해서 안내되는 기판(S)은 Z방향으로 보았을 때에 당해 기판(S)의 되접기편(일부)끼리가 겹침과 아울러, 당해 되접기편끼리가 비접촉이 된 상태로 배치된다. 이 때문에, 기판(S)의 피처리면(Sa)의 상태를 유지하면서, 기판수용실(62)에 기판(S)이 효율적으로 수용된다.
되접기롤러(64 ~ 67) 중 적어도 1개에는, 예를 들면 모터 등의 도시하지 않은 회전구동기구가 접속되어 있다. 제어부(CONT)는 당해 회전구동기구의 회전수 및 회전의 타이밍을 조정 가능하다. 따라서, 가열유니트(50)마다 기판(S)의 반송속도를 조정 가능하게 되어 있다.
또, 되접기롤러(64 ~ 67) 중 적어도 1개를 X방향, Y방향 및 Z방향 중 어느 한쪽으로 이동 가능하게 해도 상관없다. 이 경우, 제어부(CONT)가 되접기롤러(64 ~ 67)의 이동을 제어하는 것에 의해, 가열유니트(50)마다 기판(S)의 반송경로를 조정 가능하게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 케이스(60) 내에 4개의 되접기롤러를 배치했지만, 기판(S)의 가열시간에 따라서, 그 수를 증감하는 것도 가능하다.
도 5는 가열장치(51 ~ 53)의 구성을 예시하는 도면이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 가열장치(51 ~ 53)는 Y방향으로 복수 늘어서 배치된 복수의 가열유니트(50)를 가지고 있다. 당해 복수의 가열유니트(50)는 인접하는 가열유니트(50)끼리가 연결된 상태로 되어 있다. 또한, 도 5에서는 가열유니트(50)의 제1 개구단(60a)의 덮개부를 생략하고 있다.
가열유니트(50)를 연결함으로써, 기판수용실(62)끼리가 연통하게 된다. 따라서, 가열유니트(50)를 연결함으로써, 기판(S)의 반송경로가 복수 마련된 하나의 가열로(爐)를 구성하는 것이 가능하게 된다. 가열부(70)는 복수의 가열유니트(50)에 대해서 공통되어서 마련되는 구성으로 하여도 되고, 가열유니트(50)의 각각에 대해서 개별적으로 마련되는 구성으로 하여도 된다.
가열부(70)가 복수의 가열유니트(50)에 대해서 공통되어서 마련되는 경우, 가열부(70)는 하나의 가열로로서 형성된 복수의 기판수용실(62)을 한데 모아서 가열할 수 있다. 이 때문에, 다른 반송경로를 통하여 반송되는 복수의 기판(S)이 하나의 가열로에서 가열부(70)에 의해서 한데 모아서 가열되게 된다. 이 때문에, 가열처리의 효율화를 도모할 수 있다. 또한, 가열부(70)를 가열유니트(50)마다 각각 마련하는 구성의 경우, 가열유니트(50)마다 가열온도나 가열의 타이밍을 조정하도록 해도 상관없다. 또, 가열부(70)로서는 발열기구나, 전자파를 조사하는 조사부(미도시) 등을 이용할 수 있다.
도 6은 처리실(12)에서의 가열장치(51 및 52)의 배치를 나타내는 도면이다.
도 6에 나타내는 구성에서는, 처리실(12)에서 복수의 가열유니트(50)를 연결시킨 가열장치(51)가 Y방향으로 복수(3개) 늘어서 배치된 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 가열유니트(50) 혹은 가열장치(51)를 Y방향으로 늘어놓아 배치시킴으로써, 도 7에 나타내는 가열유니트(50)를 X방향으로 늘어놓아 배치시킨 구성에 비해, 처리실(12)의 스페이스를 절약할 수 있다.
도 2로 돌아와, 처리실(13)은 처리실(12)의 위쪽(+Z측)에 배치되어 있다. 처리실(13)은 기판(S)에 대해서 노광처리를 행하는 처리공간이다. 처리실(13)에는, 처리장치(10)로서, 노광장치(EX)가 마련되어 있다. 노광장치(EX)는 도포장치(41)에서 기판(S)에 도포된 레지스터층에 마스크의 패턴을 통한 노광광을 조사한다. 처리실(13)에는 노광장치(EX)의 노광광이 조사되는 위치로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R10 및 R11)가 배치되어 있다.
구획부재(14c)에는 개구부(90)가 형성되어 있다. 개구부(90)는 구획부재(14c)를 Z방향으로 관통하여 형성되어 있다. 기판(S)은 안내롤러(R8 및 R9)에 의해, 당해 개구부(90)를 통하여 처리실(12)로부터 처리실(13)로 안내된다. 또, 기판(S)은 안내롤러(R12 및 R13)에 의해, 당해 개구부(90)를 통하여 처리실(13)로부터 처리실(12)로 안내된다. 이와 같이, 개구부(90)는 기판(S)이 통과하는 부분이다.
개구부(90)의 내부에는 반송장치(20)(예를 들면, 안내롤러(R8 ~ R13) 등)에 의해서 안내되는 기판(S)의 진동을 제거하는 진동제거장치(조정기구)(91)가 마련되어 있다. 진동제거장치(91)는 기판(S)의 장력을 해소하고, 기판(S)의 진동전달성을 저하시킴으로써, 기판(S)에 전달된 진동을 제거하는 구성으로 되어 있다. 그래서, 본 실시형태에서의 진동제거장치(91)는 기판(S)의 장력을 해소하기 위한 장력해소기구(92 및 93)를 가지고 있다. 또한, 진동제거장치(91)는 기판(S)의 진동을 완전하게 없애지 않고 , 처리장치를 허용할 수 있는 정도로 진동이 저감할 수 있으면 된다. 따라서, 장력해소기구는 장력저감기구로 칭할 수도 있다.
장력해소기구(92)는 노광장치(EX)(안내롤러(R10))보다도 기판(S)의 반송방향의 상류 측에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 장력해소기구(92)는 안내롤러(R8)와 안내롤러(R9)와의 사이에 배치되어 있다. 장력해소기구(93)는 노광장치(EX)(안내롤러(R11))보다도 기판(S)의 반송방향의 하류 측에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 장력해소기구(93)는 안내롤러(R12)와 안내롤러(R13)와의 사이에 배치되어 있다.
도 8은 장력해소기구(92 및 93)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 장력해소기구(92 및 93)는 방향전환롤러(94a 및 94b)(방향전환부(94))와, 닙(NIP)롤러(95a 및 95b)(닙부(95))를 가지고 있다. 방향전환롤러(94a 및 94b)는 기판(S)이 중력방향(-Z방향)으로 느슨해지도록 기판(S)의 반송방향을 전환한다. 구체적으로는, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)와 방향전환롤러(94b)와의 사이의 부분(Sb)이 느슨해진 상태가 된다. 또, 방향전환롤러(94a)에는 온도조정기구(기판온도조절부)(94c)가 마련되어 있다. 온도조정기구(94c)에 의해, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)에 접촉하는 부분의 온도가 조정되게 된다. 또한, 당해 온도조정기구(94c)는 생략 가능하다.
닙롤러(95a)는 방향전환롤러(94a)와의 사이에 기판(S)을 끼우는 위치에 마련되어 있다. 닙롤러(95b)는 방향전환롤러(94b)와의 사이에 기판(S)을 끼우는 위치에 마련되어 있다. 닙롤러(95a 및 95b)는 회전구동부(96)에 접속되어 있다. 회전구동부(96)는 닙롤러(95a 및 95b)의 회전의 타이밍이나 회전수를 개별적으로 조정한다. 이 때문에, 느슨함 부분(Sb)이 형성된 상태에서 기판(S)을 반송할 수 있다.
또, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)에서 끼인 부분과, 기판(S) 중 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)에서 끼인 부분과의 사이에서, 반송속도가 다르도록 기판(S)을 반송할 수 있다. 따라서, 느슨함 부분(Sb)의 치수를 조정하면서 기판(S)을 반송할 수 있다.
이와 같이 장력해소기구(92 및 93)가 느슨함 부분(Sb)을 형성하여 기판(S)의 장력을 해소시킴으로써, 방향전환롤러(94a) 및 닙롤러(95a)의 상류 측으로부터의 진동은 저감되게 된다. 이 때문에, 장력해소기구(92 및 93)를 사이에 둔 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에서는, 기판(S)의 진동의 전달이 억제되게 된다. 따라서, 처리실(13)에 배치된 노광장치(EX)에서는 처리실(11)이나 처리실(12)에서의 진동의 영향을 받지 않고 노광처리가 행해지게 된다. 이와 같은 장력해소기구(92 및 93)가 구획부재(14c)에 배치되어 있기 때문에, 기판처리부(3)의 처리실(11 ~ 13)의 스페이스를 효율적으로 이용할 수 있다.
다음으로, 상기와 같이 구성된 기판처리장치(100)를 이용하여 유기EL소자, 액정표시소자 등의 표시소자(전자 디바이스)를 제조하는 공정을 설명한다. 기판처리장치(100)는, 제어부(CONT)의 제어에 따라서, 당해 표시소자를 제조한다.
우선, 도시하지 않은 롤러에 감겨진 기판(S)을 기판공급부(2)에 장착한다. 제어부(CONT)는 이 상태로부터 기판공급부(2)로부터 당해 기판(S)이 송출되도록, 도시하지 않은 롤러를 회전시킨다. 그리고, 기판처리부(3)를 통과한 당해 기판(S)을 기판회수부(4)에 마련된 도시하지 않은 롤러로 권취시킨다.
제어부(CONT)는 기판(S)이 기판공급부(2)로부터 송출되고 나서 기판회수부(4)로 권취될 때까지 동안에, 기판처리부(3)의 반송장치(20)에 의해서 기판(S)을 당해 기판처리부(3) 내에서 적절히 반송시킨다. 제어부(CONT)는 우선 기판(S)을 기판처리부(3)의 처리실(11)로 반입시킨다. 이하, 제어부(CONT)에 의한 동작을 설명한다.
처리실(11)로 반입된 기판(S)은, 도 2에 나타내는 안내롤러(R1)를 경유하여 도포장치(41)로 반입된다. 도포장치(41)에서는, 기판(S)은 안내롤러(R2)에 의해서+X방향으로 반송된다. 반송의 과정에서, 기판(S)의 피처리면(Sa)에는 감광제의 도포막이 형성된다. 도포장치(41)에서 처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R3)의 안내에 의해서 접속부(15)를 통하여 처리실(12)로 반송된다.
처리실(12)로 반입된 기판(S)은 안내롤러(R4)를 거쳐 가열장치(51)의 기판반입구(61)로부터 기판수용실(62)로 반입된다(도 3 참조). 기판수용실(62)에서는, 기판(S)이 복수 회 절곡된 상태에서 기판(S)이 가열되고, 이 반송 상태에서 기판(S)의 가열이 행해진다. 이 때문에, 기판수용실(62)의 스페이스를 효율적으로 이용한 가열처리가 행해지게 된다. 가열장치(51)에서는, 가열에 의해 기판(S)에 형성된 도포막을 건조시킨다. 가열처리가 행해진 후, 기판반출구(63)로부터 반출된 기판(S)은 안내롤러(R5, R6 및 R7)를 통하여 개구부(90)로 반송된다.
개구부(90)에 도달한 기판(S)은 안내롤러(R8)에 의해서 장력해소기구(92)로 반입된다. 장력해소기구(92)에서는 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)에 의해 끼인 부분과, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)에 의해 끼인 부분과의 사이에서 반송속도를 다르게 하는 것에 의해, 기판(S)에 느슨함 부분(Sb)이 형성된다.
느슨함 부분(Sb)이 형성된 후, 방향전환롤러(94a 및 94b)와 닙롤러(95a 및 95b)에 의한 기판(S)의 반송속도를 동일하게 한다. 이 동작에 의해, 느슨함 부분(Sb)이 형성된 상태에서 기판(S)이 장력해소기구(92)로부터 반출된다. 당해 기판(S)은 안내롤러(R9)를 거쳐 처리실(13)로 반송된다.
처리실(12) 측으로부터 기판(S)을 통하여 전달되는 진동은 기판(S)의 느슨함 부분(Sb)에서 진동이 제거된다. 이 때문에, 기판(S)을 통하여 처리실(13)에 진동이 전달되는 것이 억제되게 된다. 또한, 방향전환롤러(94a)에 온도조정기구(94c)가 마련되어 있는 경우에는, 당해 방향전환롤러(94a)에서 기판(S)의 온도 조정이 행해진다. 여기에서는, 예를 들면 노광처리에 적절한 온도로 조정된다.
처리실(13)로 반입된 기판(S)은 안내롤러(R10 및 R11)에 의해서 반송된다. 당해 기판(S)에 대해서는 노광장치(EX)에 의해서 노광처리가 행해진다. 노광처리에 의해, 기판(S)의 피처리면(Sa)에 형성된 도포막 중 소정의 영역이 감광된다. 노광처리가 완료한 기판(S)은, 개구부(90)에 삽입된 후, 안내롤러(R12)를 거쳐 장력해소기구(93)로 반입된다.
장력해소기구(93)에서는, 상기의 장력해소기구(92)와 마찬가지로, 기판(S)에 느슨함 부분(Sb)이 형성된다. 따라서, 처리실(12) 측으로부터 기판(S)을 통하여 전달되는 진동은 기판(S)의 느슨함 부분(Sb)에서 진동이 제거된다. 한편, 상술한 바와 같이, 장력해소기구(92)에서도 느슨함 부분(Sb)이 형성되어 있다. 이 때문에, 기판(S) 중 처리실(13)에 배치되는 부분은 장력해소기구(92) 및 장력해소기구(93)의 양쪽에서 처리실(12)로부터의 진동의 전달이 제거된 상태가 된다.
안내롤러(R8 ~ R13)나 가열장치(51, 52) 등의 진동이 기판(S)에 전해지면, 노광장치(EX)의 노광광 조사위치에서 기판(S)이나 다른 부위가 진동하는 경우가 있어, 노광 정밀도가 저하할 가능성이 있다. 이 때문에, 진동제거장치(91)를 이용하여 노광장치(EX)를 걸치는 부분에서의 기판(S)의 진동을 제거함으로써, 노광 정밀도의 저하가 억제된다.
처리실(13)로부터 처리실(12)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R14, R15 및 R16)를 통하여 가열장치(52)로 반입된다. 가열장치(52)에서는 감광된 도포막에 대한 가열처리가 행해진다. 가열처리가 행해진 후, 가열장치(52)로부터 반출된 기판(S)은 안내롤러(R17)를 통하여 접속부(16)에 삽입되며, 접속부(16)를 경유하여 처리실(11)로 반송된다.
처리실(11)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R18 및 R19)를 경유하여 현상장치(42)로 반입된다. 현상장치(42)에서는 기판(S)은 현상액에 잠기면서 안내롤러(R20)에 의해서 반송되고, 반송의 과정에서 현상처리가 행해진다. 현상처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R21)에 의해서 현상장치(42)로부터 반출되고, 안내롤러(R22 및 R23)를 통하여 세정장치(43)로 반입된다.
세정장치(43)에서는, 기판(S)은 세정액에 잠기면서 안내롤러(R24)에 의해서 반송되며, 반송의 과정에서 세정처리가 행해진다. 세정처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R25)에 의해서 세정장치(43)로부터 반출된 후, 접속부(17)를 통하여 처리실(12)로 반송된다.
처리실(12)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R26)를 통하여 가열장치(53)로 반입된다. 가열장치(52)에서는 세정된 기판(S)을 건조시키기 위한 가열처리나, 도포막을 가열하기 위한 가열처리 등이 행해진다. 당해 가열처리가 행해진 후, 가열장치(53)로부터 반출된 기판(S)은, 안내롤러(R27)의 안내에 의해서, 접속부(18)를 경유하여 처리실(11)로 반송된다.
처리실(11)로 반송된 기판(S)은 도금장치(44)로 반입된다. 도금장치(44)에서는, 기판(S)은 도금액에 잠기면서 안내롤러(R28)에 의해서 반송되고, 반송의 과정에서 도금처리가 행해진다. 도금처리가 행해진 기판(S)에는 소정의 패턴이 형성된다. 도금처리 후의 기판(S)은 안내롤러(R29)에 의해서 도금장치(44)로부터 반출되며, 접속부(19)를 통하여 처리실(12)로 반송된다. 처리실(12)에서는 안내롤러(R30)를 통하여 도시하지 않은 가열장치로 반입되어 가열처리가 행해진다.
이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판(S)에 대해서 각각 다른 종류의 처리를 행하는 처리부(3)를 배치하고, 또한, 이 처리부(3) 가운데, 서로 공통되는 처리공정(공통 서브 프로세스)을 가지는 처리부(3)를 동일한 처리실 내에 배치하도록 했다. 또한, 기판(S)이 각 처리실(11 ~ 13) 내를 걸쳐 반송 가능하게 되도록, 또한, 기판(S)이 각각의 처리실(11 ~ 13)에 대해서 복수 회씩 출입하도록, 당해 기판(S)을 반송하는 반송장치(20)을 구비하기 때문에, 기판처리부(3)의 스페이스를 효율적으로 이용하는 것이 가능하게 된다.
예를 들면, 본 실시형태와 같이, 표시소자의 구성요소를 형성하는 경우, 가열처리가 빈번히 행해지기 때문에, 가열장치의 대수가 다수 마련되게 된다. 본 실시형태와 같이 하나의 처리실(12)에 가열장치를 한데 모아서 배치시키는 경우, 열에너지를 효율적으로 이용할 수 있다. 또, 가열장치가 배치되는 처리실(12)을 Z방향의 중앙의 계층에 배치시키고, 당해 처리실(12)을 사이에 두고 처리실(11)(웨트처리) 및 처리실(13)(노광처리)을 배치시키는 구성으로 했으므로, 가열장치에 액세스하기 쉬운 구성이 된다. 이 때문에, 장치 전체의 기판(S)의 반송경로를 단축시킬 수 있다. 또, 처리실(12)에서, 가열장치가 X방향 및 Y방향과 겹쳐지도록 복수 늘어서 배치되어 있기 때문에, 처리실(12)의 스페이스를 절약할 수 있다. 이 때문에, 기판처리장치(100)를 설치하기 위해서 필요로 하는 부지의 면적을 억제할 수 있다.
또, 도 2에서는, 처리장치(10)로서, 도포장치, 가열장치, 노광장치, 현상장치, 세정장치, 도금장치의 조합을 예로 설명했지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 또, 이 처리장치(10)를 X방향 또는 Y방향으로 복수 배치시켜도 된다. 즉, 안내롤러(R30)를 통하여, 다른 처리장치(10)의 도포장치에 기판(S)을 반송시켜, 상기의 동작을 반복 행하는 것에 의해, 기판(S)에 표시소자의 구성요소가 차례차례 형성된다. 이 경우, 복수의 처리장치(10)를 복수 배치시켰을 경우, 복수의 노광장치(EX)의 노광 정밀도나 해상도를 서로 다른 것으로 해도 된다.
이 처리장치(10)를 Y방향으로 복수 배치했을 경우, 상술한 바와 같이, 도 5에 나타내는 복수의 가열유니트(50), 즉, 인접하는 가열유니트(50)를 연결한 구성을 이용할 수 있다.
본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가할 수 있다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는, 진동제거장치(91)의 구성으로서는, 도 8에 나타내는 장력해소기구(92 및 93)를 이용한 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 진동제거장치(91)로서, 예를 들면 도 9 ~ 도 11에 각각 나타내는 구성이라도 상관없다.
도 9는 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동흡수기구(192 및 193)를 나타내고 있다.
진동흡수기구(192 및 193)는 방향전환롤러(194a 및 194b)(방향전환부(194))와, 진동흡수부(196)를 가지고 있다.
진동흡수부(196)는 롤러(196a)와, 롤러 지지부(196b)와, 스프링 부재(196c)와, 벽부(196d)를 가지고 있다.
롤러(196a)는 방향전환롤러(194a)와 방향전환롤러(194b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(196a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 롤러(196a)는 롤러 지지부(196b) 및 스프링 부재(196c)를 통하여 벽부(196d)에 장착되어 있다. 이 때문에, 기판(S)의 진동은, 당해 일부분(Sc)에 있어서, 롤러(196a) 및 스프링 부재(196c)에 의해서 흡수된다.
도 10은 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동흡수기구(292 및 293)를 나타내고 있다.
당해 진동흡수기구(292 및 293)는 방향전환롤러(294a 및 294b)(방향전환부(294))와, 진동흡수부(297)를 가지고 있다. 진동흡수부(297)는 롤러(297a)와, 당해 롤러(297a)의 원통면에 형성된 진동흡수층(297b)을 가지고 있다.
롤러(297a)는 방향전환롤러(294a)와 방향전환롤러(294b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(297a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 진동흡수층(297b)은, 예를 들면 솔보세인(solbothane) 등의 진동 흡수성 재료가 이용되고 있다. 도 10에 나타내는 구성에서는, 롤러(297a)에 형성된 진동흡수층(297b)에 의해서 기판(S)의 진동이 흡수되기 때문에, 간단한 구성으로 마무리되게 된다.
도 11은 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동부여기구(392 및 393)를 나타내고 있다.
진동부여기구(392 및 393)는 방향전환롤러(394a 및 394b)(방향전환부(394))와, 진동발생부(398)를 가지고 있다. 진동발생부(398)는 롤러(398a)와, 당해 롤러(398a)를 진동시키는 진동조정부(398b)와, 기판(S) 중 롤러(398a)의 하류 측의 위치에서의 진동을 검출하는 센서(398c)를 가지고 있다.
롤러(398a)는 방향전환롤러(394a)와 방향전환롤러(394b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(398a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 진동조정부(398b)는 센서(398c)의 검출결과에 근거하여, 기판(S)의 진동을 없애는 진동을 발생시킨다. 따라서, 도 11에 나타내는 구성에서는, 롤러(398a)에서 기판(S)의 진동을 없애는 것에 의해, 기판(S)의 진동의 전달을 억제할 수 있다.
또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 상기 장력해소기구(92)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)가 처리실(13)에 배치되며, 상기 장력해소기구(93)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)가 처리실(13)에 배치되고, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.
마찬가지로, 도 9에 나타내는 진동흡수기구(192)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(194a)와 롤러(196a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(194b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(193)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(194a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(196a)와 방향전환롤러(194b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다. 또, 벽부(196d)로서는, 예를 들면 구획부재(14b) 등을 이용할 수 있다.
또, 도 10에 나타내는 진동흡수기구(292)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(294a)와 롤러(297a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(294b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(293)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(294a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(297a)와 방향전환롤러(294b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.
또한, 도 11에 나타내는 진동부여기구(392)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(394a)와 롤러(398a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(394b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(393)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(394a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(398a)와 방향전환롤러(394b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.
또, 도 8에 나타내는 장력해소기구(92 및 93)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a) 및 닙롤러(95a)와, 방향전환롤러(94b) 및 닙롤러(95b)가 처리실(12) 및 처리실(13) 중 적어도 한쪽에 배치된 구성이라도 상관없다. 도 13에는 방향전환롤러(94a 및 94b)와 닙롤러(95a 및 95b)가 처리실(13)에 배치된 구성을 나타낸다.
또, 상기 실시형태에서는, 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에 진동제거장치(91)가 마련된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다.
예를 들면, 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에는, 도 14에 나타내는 바와 같이, 진동제거장치(91)에 더하여, 이물의 이동을 억제하는 이물이동 억제장치(84)나, 기체 및 액체의 이동을 규제하는 유체이동 규제장치(85), 기판(S)의 온도를 조정하는 온도조절장치(기판온도조절부)(86) 등이 마련된 구성이라도 상관없다.
도 14에서는, 기판(S)의 반송방향의 상류 측으로부터 하류 측으로, 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86)및 진동제거장치(91)의 순서로 배치되어 있다. 또, 상기의 진동제거장치(91), 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86) 중 적어도 하나는, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 배치되어도 상관없다.
이물이동 억제장치(84)는 에어커튼 형성부(84a) 및 스테이지(84b)를 가지고 있다. 이물이동 억제장치(84)는 스테이지(84b)에 의해서 지지된 기판(S)에 대해서 에어커튼 형성부(84a)에 의해서 에어커튼을 형성한다. 당해 에어커튼에 의해, 기판(S)상의 이물이 제거된다.
또, 유체이동 규제장치(85)는 상류 측 롤러(85a), 하류 측 롤러(85b) 및 기체 분사부(85c)를 가지고 있다. 도 15는 유체이동 규제장치(85)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 유체이동 규제장치(85)는 상류 측 롤러(85a)와 하류 측 롤러(85b)에 걸린 상태로 반송되는 기판(S)에 대해서, 기체 분사부(85c)로부터 기체를 분사한다.
기체 분사부(85c)는, 예를 들면 상류 측 롤러(85a)와 하류 측 롤러(85b)에 걸린 상태의 기판(S)에 대해서, -Y측의 위치, +X측의 위치 및 -Y방향과 +X방향과의 사이의 위치 중 적어도 1개에 배치되어 있다. 기판(S)에 대해서 기체를 분사하는 것에 의해, 당해 기체에 의해서 기판(S)의 표면에 부착한 액체 혹은 기판의 표면에 감도는 기체를 제거할 수 있다.
또, 도 14에 나타내는 바와 같이, 온도조절장치(86)는 유체가 제거된 기판(S)의 온도 조정을 행한다. 온도조절장치(86)는 롤러(86a) 및 온도조절기구(86b)를 가지고 있다. 상기 실시형태에서는 방향전환롤러(94a)에 온도조정기구(94c)가 마련된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것과는 별도로, 기판(S)의 온도 조정이 가능하게 된다.
또한, 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86), 진동제거장치(91)의 각각은 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에 배치되는 구성에 한정되지 않고, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 배치되는 구성이라도 상관없다.
또, 상기 실시형태에서는, 처리실(11 ~ 13)을 Z방향으로 계층적으로 배치하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리실(11 ~ 13)이 X방향 또는 Y방향으로 늘어놓아서 배치된 구성이라도 상관없다. 또, 처리실(11 ~ 13)의 각각이 독립한 장치 혹은 공장으로서 형성되었을 경우라도, 본 발명의 적용은 가능하다.
또, 상기 실시형태에서는, 기판(S)의 피처리면(Sa)이 중력방향에 수직인 방향(XY평면에 평행한 방향)을 향하도록 기판(S)을 반송시키는 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 기판(S)의 피처리면(Sa)이 중력방향에 평행한 방향을 향한 상태(기판(S)을 세운 상태)로 기판(S)을 반송시키는 구성으로 하여도 상관없다. 이 경우, 장력해소기구(92 및 93)에서 기판(S)을 중력방향으로 휘게 하는 경우, 기판(S)의 피처리면(Sa)을 부분적으로 중력방향에 수직인 방향을 향하는 구성으로 할 수 있다.
또, 도 2에서는, 처리장치(10)로서, 도포장치, 가열장치, 노광장치, 현상장치, 세정장치, 도금장치의 조합을 예로 설명했지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 또, 이 처리장치(10)를 X방향 또는 Y방향으로 복수 배치시켜도 된다. 즉, 안내롤러(R30)를 통하여, 다른 처리장치(10)의 도포장치에 기판(S)을 반송시켜, 상기의 동작을 반복 행하는 것에 의해, 기판(S)에 표시소자의 구성요소가 차례차례 형성된다. 이 경우, 복수의 처리장치(10)를 복수 배치시켰을 경우, 복수의 노광장치(EX)의 노광 정밀도나 해상도를 서로 다른 것으로 해도 된다. 이 처리장치(10)를 Y방향으로 복수 배치했을 경우, 상술한 바와 같이, 도 5에 나타내는 복수의 가열유니트(50), 즉, 인접하는 가열유니트(50)를 연결한 구성을 이용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 처리실(11 ~ 13)의 실내의 압력을 각각 독립적으로 조정하는 구성으로 해도 된다.
예를 들면, 노광장치(EX)를 수용하는 처리실(13)에는 광학계의 표면에 부착하는 이물(파티클)이 다른 처리실, 예를 들면 처리실(12)로부터 침입하지 않도록, 처리실(13)의 실내의 압력을 처리실(12)의 압력보다 높게 해 두는 것이 바람직하다. 또, 처리실(11)에서는, 복수의 액체를 사용하므로, 이들 액체가 처리실(12) 내에 침수하지 않도록, 처리실(13)의 실내의 압력을 처리실(12)의 압력보다 높게 해 두는 것이 바람직하다.
또, 3개의 처리실의 압력은, 3개의 처리실 가운데, 처리실(13)의 압력을 가장 높게 하고, 처리실(11)의 압력을 가장 낮게 하며, 처리실(12)을 처리실(13)과 처리실(11)의 사이의 압력으로 설정해도 된다.
S … 기판 CONT … 제어부
EX … 노광장치 R(R1 ~ R30) … 안내롤러(안내부)
3 … 기판처리부(처리부) 10 … 처리장치
41 … 도포장치 42 … 현상장치
43 … 세정장치 44 … 도금장치
11 ~ 13 … 처리실(제1 처리실, 제2 처리실, 제3 처리실)
15 ~ 19 … 접속부 20 … 반송장치(반송부)
45 … 폐액회수부(회수관, 회수부) 51 ~ 53 … 가열장치
60 … 챔버 61 … 기판반입구(반입구)
62 … 기판수용실(수용실) 63 … 기판반출구(반출구)
70 … 가열부 84 … 이물이동 억제장치
85 … 유체이동 규제장치 86 … 온도조절장치(기판온도조절부)
91 … 진동제거장치(조정기구) 92, 93 … 장력해소기구
96 … 회전구동부 100 … 기판처리장치
192, 193 … 진동흡수기구 292, 293 … 진동흡수기구
392, 393 … 진동부여기구

Claims (10)

  1. 가요성을 가지는 띠 모양의 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 기판상에 전자 디바이스를 형성하는 기판처리장치로서,
    액체를 이용하여 장척 방향으로 반송되는 상기 기판을 웨트처리하기 위한 제1 처리부와, 상기 웨트처리 후에 장척 방향으로 반송되는 상기 기판을 내부에 반입하여 가열처리하는 가열유니트를 포함하는 제2 처리부와, 상기 가열처리 후에 장척 방향으로 반송되는 상기 기판에 상기 전자 디바이스의 패턴을 형성하기 위한 제3 처리부와, 상기 기판이 상기 제1 처리부, 상기 제2 처리부, 및 상기 제3 처리부의 순서로 통과하도록, 상기 기판을 장척 방향으로 반송하는 반송부를 구비하는 처리장치가 상기 장척 방향과 교차하는 상기 기판의 폭방향으로 복수 배치될 때,
    상기 폭방향으로 인접한 복수의 상기 제2 처리부의 상기 가열유니트를 서로 연결하고, 상기 기판의 반송경로가 복수 마련되는 하나의 가열로로서 구성하며, 상기 하나의 가열로로서 형성된 내부 공간을 가열하는 가열부를 구비하는 기판처리장치.
  2. 가요성을 가지는 띠 모양의 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 기판상에 전자 디바이스를 형성하는 기판처리장치로서,
    액체를 이용하여 장척 방향으로 반송되는 상기 기판을 웨트처리하기 위한 제1 처리부와, 상기 웨트처리 후에 장척 방향으로 반송되는 상기 기판을 내부에 반입하여 가열처리하는 가열유니트를 포함하는 제2 처리부와, 상기 가열처리 후에 장척 방향으로 반송되는 상기 기판에 상기 전자 디바이스의 패턴을 형성하기 위한 제3 처리부와, 상기 기판이 상기 제1 처리부, 상기 제2 처리부, 및 상기 제3 처리부의 순서로 통과하도록, 상기 기판을 장척 방향으로 반송하는 반송부를 구비하는 처리장치가 상기 장척 방향과 교차하는 상기 기판의 폭방향으로 복수 배치될 때,
    상기 폭방향으로 인접한 복수의 상기 제2 처리부의 상기 가열유니트에 공통되어서 마련되며, 상기 가열유니트의 각각의 내부 공간을 한데 모아서 가열하는 가열부를 구비하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제3 처리부에는, 상기 전자 디바이스의 패턴을 상기 기판에 노광하기 위한 노광장치가 마련되며,
    상기 제1 처리부에는, 상기 노광장치로 노광처리되기 전의 상기 기판의 표면에 감광제에 의한 도포막을 형성하는 도포장치가 마련되는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 처리부에는, 상기 제3 처리부의 상기 노광장치에서 노광처리된 후의 상기 기판을 액체로 처리하는 웨트처리장치가 더 마련되는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 제1 처리부에 마련되는 상기 도포장치, 상기 제2 처리부에 포함되는 상기 가열유니트, 상기 제3 처리부에 마련되는 상기 노광장치, 및 상기 제1 처리부에 마련되는 상기 웨트처리장치의 순서로 상기 기판을 장척 방향으로 반송하는 복수의 롤러를 포함하는 기판처리장치.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5 에 있어서,
    상기 웨트처리장치는, 현상액을 사용하여 상기 기판을 현상하는 현상장치, 세정액을 사용하여 상기 기판을 세정하는 세정장치, 도금액을 사용하여 상기 기판상에 패턴을 형성하는 도금장치 중 어느 하나인 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 처리부에 포함되는 상기 가열유니트는, 상기 제1 처리부에 마련되는 상기 도포장치에 의해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 반입하여 가열하는 제1 가열유니트와, 상기 제1 처리부에 마련되는 상기 웨트처리장치에 의해 처리된 상기 기판을 반입하여 가열하는 제2 가열유니트를 포함하는 기판처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 제1 처리부에 마련되는 상기 웨트처리장치에서 처리된 상기 기판이, 상기 제2 처리부에 포함되는 상기 제2 가열유니트에 반입되도록, 상기 기판을 장척 방향으로 반송하는 복수의 롤러를 포함하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 처리부와 상기 제3 처리부를 중력방향으로 늘어서 배치하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 처리부는, 상기 중력방향에 관해서 상기 제2 처리부 및 상기 제3 처리부의 하부에 배치되며, 상기 제1 처리부에서의 상기 웨트처리로 발생하는 폐기물을 회수하는 회수부를 구비하는 기판처리장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108873613B (zh) * 2013-06-14 2020-11-13 株式会社尼康 扫描曝光装置以及扫描曝光方法
TWI636344B (zh) * 2014-09-04 2018-09-21 日商尼康股份有限公司 處理系統及元件製造方法
JP7055467B2 (ja) * 2017-09-08 2022-04-18 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
JP7142494B2 (ja) * 2018-06-25 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7707042B2 (ja) * 2021-11-26 2025-07-14 株式会社オーク製作所 露光装置
NL2035799B1 (en) * 2023-09-14 2025-03-25 Tracxon B V Compact and versatile system arrangements for manufacturing of foil based electronic devices

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000303178A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JP2003205264A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Fuji Photo Film Co Ltd 多層塗布膜の製造装置
WO2006100868A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機化合物層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP2009063889A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、重合性化合物、樹脂及びパターン形成方法
JP2010062012A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10314635A (ja) * 1997-05-19 1998-12-02 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH1197333A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Toshiba Microelectronics Corp レジスト廃液回収装置
JPH11204411A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Nikon Corp 塗布現像露光装置
JP2000236105A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および装置
JP2002358024A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JP2003229356A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6566032B1 (en) * 2002-05-08 2003-05-20 Eastman Kodak Company In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive
JP2003192127A (ja) * 2002-12-03 2003-07-09 Takehide Hayashi フラットパネル枚葉搬送システム
JP2004186469A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 帯状連続基材およびそれを用いた半導体装置ならびに製造方法
DE102004006131B4 (de) * 2004-02-07 2005-12-15 Applied Films Gmbh & Co. Kg Bandbeschichtungsanlage mit einer Vakuumkammer und einer Beschichtungswalze
JP2005260040A (ja) * 2004-02-12 2005-09-22 Sony Corp ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
JP2006294484A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8136911B2 (en) * 2005-07-05 2012-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Patterning apparatus, method for making organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
JP2007149482A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4771816B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007207469A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Konica Minolta Holdings Inc 積層体の製造方法、積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
ES2361661T3 (es) * 2006-03-26 2011-06-21 Lotus Applied Technology, Llc Dispositivo y procedimiento de deposición de capas atómicas y método de revestimiento de substratos flexibles.
JP2008252049A (ja) * 2006-05-18 2008-10-16 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 処理液処理装置及びこれを備えた基板処理装置
JP5109301B2 (ja) * 2006-07-27 2012-12-26 富士電機株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2008204890A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法、これを用いる照明又は表示装置
JP5182610B2 (ja) * 2007-10-11 2013-04-17 富士電機株式会社 薄膜太陽電池の製造装置
JP5104301B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2009174002A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Fujifilm Corp 熱処理方法、およびバリアフィルム
JP4756076B2 (ja) * 2009-02-24 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP5494648B2 (ja) * 2009-03-13 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
JP2010277755A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法
US8379186B2 (en) * 2009-07-17 2013-02-19 Nikon Corporation Pattern formation apparatus, pattern formation method, and device manufacturing method
US8801307B2 (en) * 2009-09-25 2014-08-12 Nikon Corporation Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element
JP5494124B2 (ja) * 2010-03-30 2014-05-14 大日本印刷株式会社 パターン形成方法、カラーフィルターの製造方法、およびパターン形成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000303178A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JP2003205264A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Fuji Photo Film Co Ltd 多層塗布膜の製造装置
WO2006100868A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機化合物層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP2009063889A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、重合性化合物、樹脂及びパターン形成方法
JP2010062012A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子

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