KR20160081861A - Gate driver and display device including thereof - Google Patents
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Abstract
게이트 라인의 일단에 연결된 제N 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터 및 상기 게이트 라인의 타단에 연결된 보상 회로부를 포함하고, 상기 제N 스테이지는 Q 노드의 전압에 의해 제어되어 제1 클럭 신호를 제1 게이트 구동 신호로 출력하고, 상기 보상 회로부는 상기 제N 스테이지의 다음 스테이지가 출력하는 제2 게이트 구동신호에 의해 제어되어 상기 제1 게이트 구동 신호를 방전시키는 게이트 구동회로.A shift register including an N-th stage connected to one end of a gate line, and a compensation circuit portion connected to the other end of the gate line, wherein the N-th stage is controlled by a voltage of a Q- And the compensation circuit portion is controlled by a second gate driving signal output from a next stage of the Nth stage to discharge the first gate driving signal.
Description
본 발명은 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치에 관한 발명이다.The present invention relates to a gate driving circuit and a display device including the same.
휴대폰(Mobile Phone), 노트북, 컴퓨터와 같은 각종 포터플기기(potable device) 및, HDTV 등의 고해상도, 고품질의 영상을 구현하는 정보전자장치가 발전함에 따라, 이에 적용되는 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 수요가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등이 활발히 연구되었지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현, 대면적 화면의 실현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시장치(LCD)가 각광을 받고 있다.2. Description of the Related Art [0002] With the development of information electronic devices for realizing high-resolution and high-quality images such as portable telephones (portable phones), notebooks, computers, and HDTVs, flat panel displays Devices are increasingly in demand. As such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and an organic light emitting diode (OLED) have been actively studied. However, And realization of a large area screen, a liquid crystal display (LCD) is in the spotlight at present.
액정표시장치는 액정표시패널과, 액정표시패널의 데이터 라인에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동회로와, 액정표시패널의 게이트 라인에 게이트 펄스를 공급하기 위한 게이트 구동회로와, 데이터 구동회로 및 게이트 구동회로를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러를 구비한다. 이러한, 액정표시장치는 일반적으로 게이트 및 데이터 구동회로를 집적회로 형태로 형성하여 TCP또는 COF 테이프와 같이 액정표시패널에 부착하여 사용한다. 이로 인해서 부품소자 수가 증가하고, 부품소자 수의 증가에 따른 공정 증가로 공정비용이 상승하여 액정표시장치를 경량화 및 소형화 하는데 문제점이 되고 있어, 게이트 구동회로를 액정표시패널에 형성하는 GIP(Gate Driver-IC in panel) 방식의 액정표시장치가 제안되었다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel, a data driving circuit for supplying data to the data lines of the liquid crystal display panel, a gate driving circuit for supplying gate pulses to the gate lines of the liquid crystal display panel, And a timing controller for controlling the signal line. Such a liquid crystal display device generally has a gate and a data driver circuit formed in the form of an integrated circuit and attached to a liquid crystal display panel such as TCP or COF tape. As a result, the number of component elements is increased and the process cost is increased due to an increase in the number of component elements. This leads to a problem of weight reduction and miniaturization of the liquid crystal display device. Thus, a gate driver -IC in panel) type liquid crystal display device has been proposed.
내장회로를 구비한 액정표시장치에서 데이터 구동회로는 칩 형태로 형성하여 TCP 또는 COF 테이프와 같이 액정표시패널에 부착하여 형성되고, 액정표시패널의 표시영역에는 액정셀을 정의하는 다수의 게이트 및 데이터 라인이 교차되어 형성되어 있고, 표시영역의 외곽에서 다수의 박막 트랜지스터로 구성되는 GIP 방식의 게이트 구동회로가 구비되어 있다.In a liquid crystal display device having a built-in circuit, a data driver circuit is formed in a chip form and attached to a liquid crystal display panel such as a TCP or a COF tape. A display region of the liquid crystal display panel includes a plurality of gates and data And a gate driving circuit of a GIP system including a plurality of thin film transistors is provided outside the display area.
상기 게이트 구동회로는 게이트 배선을 구동하기 위한 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있고, 상기 쉬프트 레지스터는 종속 접속된 복수개의 스테이지를 구비한다. The gate driving circuit may include a shift register for driving a gate wiring, and the shift register includes a plurality of stages connected in cascade.
도 1은 종래의 게이트 구동회로를 구비한 액정표시패널을 나타낸 도면이고, 도 2는 대형 화면을 표시하기 위해 액정표시패널을 복수개 연결한 도면이다. 그리고 도 3은 도 2와 같이 양측 GIP 구조의 대형 화면을 나타난 도면이다.FIG. 1 is a view showing a conventional liquid crystal display panel having a gate driving circuit, and FIG. 2 is a view showing a plurality of liquid crystal display panels connected to display a large screen. And FIG. 3 is a view showing a large screen of a two-side GIP structure as shown in FIG.
종래의 게이트 구동회로(21, 22)는 액정표시패널(10)의 양쪽에 부착된 양측 GIP 구조이기 때문에 양쪽 베젤(Bezel)이 같은 폭으로 설계된다. 이 때 광고판 등 대형 화면을 표시하기 위해 액정표시패널(10)을 복수개 연결하는 경우 도 3과 같이 액정표시패널(10)들간의 연결 부위는 베젤이 두 배로 커져 화면 단절이 생기는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 하나의 액정표시패널의 한쪽에만 게이트 구동회로를 실장한 편측 GIP 구조에서는 편측에 가중되는 패널 로드(Load)에 다른 신호 지연 현상으로 GIP 특성이 약화되어 제품의 구동이 안되는 문제점이 있다.Since the conventional
본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치는, 게이트 구동 신호 파형이 입단부에서 패널의 끝인 말단부까지 도달하면 딜레이(Delay) 차가 심해져서 말단부에서의 패널 특성이 정상품에서 요구하는 스펙(Spec)을 벗어나게 되는 문제와 대형 화면 제품의 베젤의 증가 문제를 해결하기 위하여 편측 GIP 구동을 함과 동시에 신호 지연을 줄여주기 위해서 편측 GIP 구동 반대편에서 신호를 인가하여 딜레이가 심한 게이트 구동 신호 파형을 저전위전압으로 당겨주는 최소한의 트랜지스터와 클럭 신호를 이용하여 신호 지연에 다른 게이트 구동 신호의 파형의 폴링 타임을 낮출 수 있는 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.The gate driving circuit and the display device including the gate driving circuit according to the embodiment of the present invention have a delay characteristic when the waveform of the gate driving signal reaches the terminal end of the panel from the entrance end, In order to solve the problem of getting out of specification and increasing the bezel of a large screen product, a signal is applied on the opposite side of the single side GIP driving to reduce the signal delay while driving the single side GIP, The present invention can provide a gate driving circuit capable of lowering a polling time of a waveform of a gate driving signal different from a signal delay by using a minimum transistor and a clock signal that pulls a waveform to a low potential voltage and a display device including the gate driving circuit.
게이트 라인의 일단에 연결된 제N 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터 및 상기 게이트 라인의 타단에 연결된 보상 회로부를 포함하고, 상기 제N 스테이지는 Q 노드의 전압에 의해 제어되어 제1 클럭 신호를 제1 게이트 구동 신호로 출력하고, 상기 보상 회로부는 상기 제N 스테이지의 다음 스테이지가 출력하는 제2 게이트 구동신호에 의해 제어되어 상기 제1 게이트 구동 신호를 방전시키는 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것으로써, 편측 GIP 구동을 통해 패널의 베젤을 낮추고, 게이트 구동 회로 반대편에서 신호를 인가하여 딜레이가 심한 게이트 구동 신호 파형을 저전위전압으로 당겨줌으로써 폴링 타임을 낮추어 신호 지연을 보상할 수고, 하나의 화상을 분할하여 표시하는 대형 화상 표시장치에서 표시패널 연결 부위의 베젤을 축소하여 화상의 품질을 높일 수 있다.A shift register including an N-th stage connected to one end of a gate line, and a compensation circuit portion connected to the other end of the gate line, wherein the N-th stage is controlled by a voltage of a Q- And the compensation circuit portion is controlled by a second gate driving signal output from the next stage of the Nth stage to discharge the first gate driving signal and a display device including the gate driving circuit. , The bezel of the panel is lowered by driving the unilateral GIP and the signal is applied on the opposite side of the gate driving circuit to pull the gate driving signal waveform with a delay to a low potential voltage to compensate the signal delay by lowering the polling time, In a large-sized image display apparatus which displays divided images, a bezel Cattle and can increase the quality of the image.
본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치는 편측 GIP 구동을 통해 패널의 베젤을 낮출 수 있는 효과가 있다.The gate driving circuit and the display device including the same according to the embodiment of the present invention can reduce the bezel of the panel by driving the unilateral GIP.
또한, 본 발명에 따른 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치는 게이트 구동 회로 반대편에서 신호를 인가하여 딜레이가 심한 게이트 구동 신호 파형을 저전위전압으로 당겨줌으로써 폴링 타임을 낮추어 신호 지연을 보상할 수 있는 효과가 있다.Also, the gate driving circuit and the display device including the same according to the present invention can apply a signal at the opposite side of the gate driving circuit to pull the gate driving signal waveform with a large delay to a low potential voltage, thereby compensating the signal delay by lowering the polling time It is effective.
또한, 본 발명에 따른 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치는 하나의 화상을 분할하여 표시하는 대형 화상 표시장치에서 표시패널 연결 부위의 베젤을 축소하여 화상의 품질을 높일 수 있는 효과가 있다.Further, the gate driving circuit and the display device including the same according to the present invention can reduce the bezel at the connecting portion of the display panel in the large-sized image display device which displays one image by dividing one image, thereby improving the quality of the image.
또한, 본 발명에 따른 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치는 보상 회로부에 서로 다른 저전위전원을 구비함으로써, 게이트 출력시 발생되는 리플을 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the gate driving circuit and the display device including the same according to the present invention are provided with different low potential power sources in the compensation circuit portion, so that the ripple generated at the gate output can be removed.
도 1은 종래의 게이트 구동회로를 구비한 액정표시패널을 나타낸 도면.
도 2는 대형 화면을 표시하기 위해 액정표시패널을 복수개 연결한 도면.
도 3은 도 2와 같이 양측 GIP 구조의 대형 화면을 나타난 도면.
도 4는 제1 실시예에 따른 편측 게이트 구동회로를 구비한 표시패널을 포함하는 표시장치의 블록도.
도 5는 표시패널의 보상 회로부를 구체화한 도면.
도 6은 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터을 구성하는 복수개의 스테이지의 연결관계를 나타낸 도면.
도 7 제N 스테이지의 회로도.
도 8은 제N 스테이지의 회로를 구동시키기 위한 개시 신호 및 클럭 신호와 그에 따른 Q 및 QB 노드 전압을 나타낸 도면.
도 9는 제1 실시예에 따른 게이트 구동회로의 제N 스테이지와 보상 회로부를 나타낸 회로도.
도 10은 제N 스테이지의 제n 게이트 구동신호, 제N+2의 제n+4 게이트 구동신호 및 제1 클럭 신호와 제5 클럭 신호를 나타낸 파형도.
도 11은 종래의 편측 GIP 구조에서의 게이트 구동신호의 파형과 실시예에 따른 편측 GIP 및 보상 회로부 구조에서의 게이트 구동신호의 파형을 나타낸 파형도.
도 12는 종래의 편측 GIP 구조에서의 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이를 통해 화소의 홀딩 전압을 비교한 파형도.
도 13은 실시예에 따른 편측 GIP 및 보상 회로부 구조에서의 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이를 통해 화소의 홀딩 전압을 비교한 파형도.
도 14는 베젤을 축소한 표시패널을 연결하여 대형 표시장치를 구성하여 화면을 표시한 도면.
도 15는 제2 실시예에 따른 게이트 구동회로의 제N 스테이지와 보상 회로부를 나타낸 회로도.
도 16은 제2 실시예에 따른 게이트 출력 파형을 나타낸 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a conventional liquid crystal display panel having a gate driving circuit. FIG.
2 is a view showing a plurality of liquid crystal display panels connected to each other to display a large screen;
Fig. 3 is a diagram showing a large screen of a two-side GIP structure as shown in Fig.
4 is a block diagram of a display device including a display panel having a one-sided gate drive circuit according to the first embodiment;
5 is a diagram of a compensation circuit section of a display panel;
6 is a diagram showing a connection relationship of a plurality of stages constituting a shift register according to the first embodiment;
7 is a circuit diagram of the N stage.
8 is a diagram showing a start signal and a clock signal for driving a circuit of an Nth stage and accordingly a Q and a QB node voltage;
9 is a circuit diagram showing an N stage of the gate driving circuit according to the first embodiment and a compensation circuit portion.
10 is a waveform diagram showing an n-th gate driving signal of the N-th stage, (n + 2) th gate driving signal, and a first clock signal and a fifth clock signal;
11 is a waveform diagram showing a waveform of a gate driving signal in a conventional unilateral GIP structure and a waveform of a gate driving signal in a unidirectional GIP and compensation circuit structure according to the embodiment.
FIG. 12 is a waveform chart comparing a holding voltage of a pixel through a voltage difference between the entrance of the gate line and the end of the gate line in the conventional unilateral GIP structure. FIG.
13 is a waveform chart comparing a holding voltage of a pixel through a voltage difference between a gate line end portion and a gate line end portion in a unilateral GIP and compensation circuit structure according to the embodiment.
Fig. 14 is a diagram showing a screen in which a large-sized display device is constructed by connecting display panels with a bezel reduced. Fig.
15 is a circuit diagram showing a Nth stage and a compensation circuit portion of a gate driving circuit according to a second embodiment;
16 is a graph showing a gate output waveform according to the second embodiment.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동회로와 이를 포함하는 표시장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the embodiments disclosed herein but may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. The dimensions and relative sizes of the layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration.
소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being another element or "on" or "on ", it includes both intervening layers or other elements in the middle, do. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly above ", it does not intervene another device or layer in the middle.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부 (lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해 되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함 할 수 있다.The terms spatially relative, "below," "lower," "above," "upper," and the like, And may be used to easily describe the correlation with other elements or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/ 또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprise "and / or" comprising ", as used in the specification, means that the presence of stated elements, Or additions.
<표시장치><Display device>
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 편측 게이트 구동회로를 구비한 표시패널을 포함하는 표시장치의 블록도이고, 도 5는 표시패널의 보상 회로부를 구체화한 도면이다.FIG. 4 is a block diagram of a display device including a display panel having a one-side gate driving circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 illustrates a compensation circuit portion of the display panel.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 표시장치는 화상을 표시하는 표시패널(100)과, 외부시스템으로부터 타이밍 신호를 인가 받아 각종 제어신호를 생성하는 타이밍 콘트롤러(400)와, 제어신호에 대응하여 표시패널(100)을 제어하는 게이트 및 데이터 구동회로(200,300)를 포함하고, 게이트 구동회로(200)는 상기 게이트 구동회로(200)의 신호 지연을 보상하기 위한 보상 회로부(500)를 포함할 수 있다.4, the display device of the present invention includes a
또한 상기 게이트 구동회로(200)는 복수개의 스테이지로 구성된 쉬프트 레지스터(210)를 구비할 수 있다. The
상기 표시패널(100)은 글라스를 이용한 기판 상에 K개의(K는 자연수) 게이트 배선(GL)과 다수의 데이터 배선(DL)이 매트릭스 형태로 교차되고, 교차 지점에 다수의 화소(110)를 정의한다. 각 화소(110)에는 박막트랜지스터(TFT)와 액정캐패시터(Clc) 및 스토리지캐패시터(Cst)가 구비되며, 모든 화소(110)들은 하나의 표시영역(A/A)을 이루게 된다. 화소(110)가 정의되지 않은 영역은 비표시영역(N)으로 구분되고 상기 비표시영역(N)에는 게이트 구동회로가 배치될 수 있고, 또 다른 비표시영역(N_C)에는 보상 회로부(500)가 배치될 수 있다.The
타이밍 콘트롤러(400)는 외부시스템으로부터 전송되는 영상신호(RGB)와, 클럭신호(DCLK), 수평동기신호(Hsync), 수직동기신호(Vsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE)등의 타이밍 신호를 인가 받아 게이트 구동회로(200) 및 데이터 구동회로(300)의 제어신호를 생성한다.The
여기서, 수평동기신호(Hsync)는 화면의 한 수평선을 표시하는 데 걸리는 시간을 나타내는 신호이고, 수직동기신호(Vsync)는 한 프레임의 화면을 표시하는 데 걸리는 시간을 나타내는 신호이다. 또한, 데이터 인에이블 신호(DE)는 표시패널(100)에 정의된 화소에 데이터전압을 공급하는 기간을 나타내는 신호이다.Here, the horizontal synchronization signal Hsync is a signal indicating the time taken to display one horizontal line of the screen, and the vertical synchronization signal Vsync is a signal indicating the time taken to display a frame of one frame. The data enable signal DE is a signal indicating a period during which the data voltage is supplied to the pixel defined in the
또한, 한편, 도시되어 있지 않지만 타이밍 콘트롤러(400)는 외부의 시스템과 소정의 인터페이스를 통해 연결되어 그로부터 출력되는 영상관련 신호와 타이밍신호를 잡음없이 고속으로 수신하도록 설계되어 있다. 이러한 인터페이스로는 LVDS(Low Voltage Differential Signal)방식 또는 TTL(Transistor-Transistor Logic) 인터페이스 방식 등이 있다.Also, though not shown, the
또한, 타이밍 콘트롤러(400)는 입력되는 타이밍 신호에 동기하여 게이트 구동회로(200)의 제어신호(GCS) 및 데이터 구동회로(300)의 제어신호(DCS)를 생성한다.The
그 밖에 타이밍 콘트롤러(400)는 게이트 구동회로(200)의 각 스테이지의 구동 타이밍을 결정하는 복수의 클록신호를 생성하고, 게이트 구동회로(200) 및 보상 회로부(500)에 제공한다. 그리고, 타이밍 콘트롤러(400)는 입력 받은 영상데이터(RGB DATA)를 데이터 구동회로(300)가 처리 가능한 형태로 정렬 및 변조하여 출력한다. 여기서, 정렬된 영상데이터는 화질개선을 위한 색좌표 보정 알고리즘이 적용된 형태일 수 있다. 또한 상기 게이트 구동회로(200)의 제어신호(GCS)로써 게이트 개시신호(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock) 및 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable)등이 있다.In addition, the
다음으로, 데이터 구동회로(300)는 타이밍 콘트롤러(400)로부터의 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse; SSP)를 소스 쉬프트 클럭(Source Shift Clock; SSC)에 따라 쉬프트시켜 샘플링 신호를 발생한다. 그리고, 데이터 구동회로(300)는 소스 쉬프트 클럭(SSC)에 따라 입력되는 영상 데이터를 샘플링 신호에 따라 래치하여, 데이터 신호로 변경한 후, 소스 출력 인에이블(Source Output Enable; SOE) 신호에 응답하여 수평 라인 단위로 데이터 신호를 데이터라인(DL)들에 공급한다. 이를 위해 데이터 구동회로(300)는 데이터 샘플링부, 래치부, 디지털 아날로그 변환부 및 출력버퍼 등을 포함할 수 있다.Next, the
다음으로, 게이트 구동회로(200)는 타이밍 콘트롤러(400)로부터 전송되어 온 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP)를 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock; GSC)에 따라 쉬프트시켜, 순차적으로 게이트 라인(GL 1 내지 GL n)에 게이트하이전압(VGH)을 갖는 스캔 펄스를 공급하며, 게이트하이전압(VGH)의 스캔 펄스가 공급되지 않는 나머지 기간 동안에는 게이트 라인(GL 1 내지 GL n)에 게이트로우전압(VGL)을 공급하게 된다.Next, the
한편, 본 발명에 적용되는 게이트 구동회로(200)는, 패널과 독립되게 형성되어, 다양한 방식으로 패널과 전기적으로 연결될 수 있는 형태로 구성될 수 있으나, 상기 게이트 구동회로(200)는 표시패널(100)의 기판 제조 시 박막패턴 형태로 비표시영역(N)상에 게이트-인-패널(Gate-In-Panel, GIP)방식으로 내장될 수 있다. 이 경우 게이트 구동회로(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)로는 클럭 신호(CLK) 및 쉬프트 레지스터의 첫 번째로 구동하는 스테이지의 구동을 위한 게이트 개시신호(Gate Start Pulse VST)가 될 수 있다.The
또한 게이트 구동회로(200)는 하나가 두 개의 게이트 구동신호(Vg)를 출력하는 Qb노드 공유의 더블출력구조(double output)스테이지로 구성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the
<보상 회로부><Compensation Circuit Section>
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(100)은 일 측에 배치된 게이트 구동회로(200)와 타측에 배치된 보상 회로부(500)를 포함하고, 상기 게이트 구동회로(200)와 상기 보상 회로부(500)는 게이트 라인(GL)을 통해 연결될 수 있다. 즉, 상기 게이트 라인(GL)을 기준으로 상기 게이트 라인(GL)의 일 측은 상기 게이트 구동회로(200)와 연결되고 타측은 상기 보상 회로부(500)와 연결될 수 있다.5, a
상기 보상 회로부(500)는 복수개의 보상부(501)를 포함할 수 있고, 상기 보상부(501)들 각각은 제1 내지 제3 박막트랜지스터(Ta, Tb, Tc)를 포함할 수 있다. The
상기 제1 박막트랜지스터(Ta)는 N 노드 상의 전압에 의해 제어되고, 드레인 단자가 게이트 라인(GL)에 연결되고 소스 단자가 저전위전원(VSS)에 연결됨으로써, 상기 N 노드가 하이 논리 레벨이 되면 턴온하여, 상기 게이트 라인(GL) 상의 전위를 저전위전원(VSS)의 낮추는 기능을 할 수 있다. 그리고 상기 제2 박막 트랜지스터(Tb)는 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))에 의해 동작하고, 드레인 단자 상의 임의의 클럭 신호(CLKB)을 N 소스 단자인 N 노드로 제공하는 기능을 할 수 있다. 따라서 상기 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))가 하이 논리 레벨일 때 상기 제2 박막 트랜지스터(Tb)는 턴온되고, 그 때의 임의의 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨인 경우 N 노드의 전압은 하이 논리 레벨이 될 수 있다. 그리고 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)는 임의의 클럭 신호(CLK)에 의해 동작하고 드레인 단자인 N 노드 상의 전압을 소스 단자인 저전위전원(VSS)으로 변동하는 기능을 할 수 있다.The first thin film transistor Ta is controlled by the voltage on the N-node, the drain terminal is connected to the gate line GL, and the source terminal is connected to the low potential power supply VSS so that the N-node is at the high logic level The potential of the gate line GL can be lowered to the low potential power supply VSS. The second thin film transistor Tb is operated by the gate driving signal Vg (m) on an arbitrary gate line G (m) and outputs an arbitrary clock signal CLKB on the drain terminal to the N source terminal N nodes can be provided. Therefore, when the gate drive signal Vg (m) on the arbitrary gate line G (m) is at the high logic level, the second thin film transistor Tb is turned on, and the arbitrary clock signal CLKB at that time is turned on. The voltage of the N-node may be a high logic level. The third thin film transistor Tc is operated by an arbitrary clock signal CLK and can function to vary the voltage on the N-node which is the drain terminal to the low potential power supply VSS which is the source terminal.
또한 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자로 공급되는 클럭 신호(CLKB)와 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되는 클럭 신호(CLK)는 서로 반대의 논리 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되는 클럭 신호(CLK)를 제1 클럭 신호(CLK)라고 하고, 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자로 공급되는 클럭 신호(CLKB)을 제2 클럭 신호(CLKB)라 하면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨일 때 상기 제2 클럭 신호(CLKB) 로우 논리 레벨이 될 수 있다. 다만, 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨일 때 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 로우 논리 레벨로 고정되는 것은 아니고, 상기 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))가 로우 논리 레벨이라면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨이 되어도 무방하다.The clock signal CLKB supplied to the drain terminal of the second thin film transistor Tb and the clock signal CLK supplied to the gate terminal of the third thin film transistor Tc may have opposite logic levels . The clock signal CLK supplied to the gate terminal of the third thin film transistor Tc is referred to as a first clock signal CLK and the clock signal CLK supplied to the drain terminal of the second thin film transistor Tb (CLKB) may be a second logic level when the first clock signal CLK is at a high logic level, if the second clock signal CLKB is a second clock signal CLKB. The first clock signal CLK is not fixed to the low logic level when the second clock signal CLKB is at the high logic level and the gate driving signal G (m) Vg (m)) is a low logic level, the first clock signal CLK may be a high logic level.
이와 같이 상기 게이트 구동회로(200)로부터 출력된 게이트 구동 신호는 상기 게이트 라인(GL)을 통해 화소(110)의 박막트랜지스터(TFT)를 턴온시켜, 데이터 라인(DL) 상의 데이터 신호가 스토리지커패시터(Cst)에 충전되도록 하고, 상기 스토리지커패시터(Cst)에 데이터 신호가 충전이 되면, 상기 보상 회로부(500)는 상기 게이트 라인(GL) 상의 잔류하는 게이트 구동 신호를 방전시켜 상기 박막트랜지스터(TFT)가 요구되는 시점에 턴 오프 되도록 할 수 있다.The gate driving signal outputted from the
<스테이지의 연결 관계><Connection relation of stage>
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터을 구성하는 복수개의 스테이지의 연결관계를 나타낸 도면이다. 6 is a diagram illustrating a connection relationship between a plurality of stages constituting a shift register according to an embodiment of the present invention.
설명의 편의를 위해 복수개의 스테이지 중 N((N은 자연수로 제N 스테이지는 N 번째 스테이지를 의미한다)번째 스테이지를 첫번째 스테이지로 보고, 제N+1 및 제N+2 스테이지를 두 번째 그리고 세번째 스테이지로 보고 설명한다.For convenience of explanation, N (N is a natural number, Nth stage means Nth stage) of the plurality of stages is referred to as a first stage, and Nth + 1 and N + 2 stages are referred to as second and third Look at the stage and explain.
도 6을 참조하면, 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(210)는 도 4와 같은 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)에 포함된 쉬프트 레지스터이다.Referring to FIG. 6, the
상기 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(210)를 구성하는 복수개의 스테이지로써 제 N, N+1, N+2 스테이지 도시하였다. The N, N + 1, N + 2 stages are shown as a plurality of stages constituting the
상기 N, N+1, N+2 스테이지 각각은 클럭 신호 배선(CLK)으로부터 적어도 복수개의 클럭 신호를 인가 받을 수 있다. Each of the N, N + 1, and N + 2 stages may receive at least a plurality of clock signals from the clock signal line CLK.
상기 클럭 신호 배선(CLK)에는 8개의 클럭 신호(CLK1~CLK8) 라인이 형성되어 8개의 클럭 신호(CLK1~CLK8)를 제공하여 게이트 구동회로(200)는 8상 구조가 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 2상, 4상 또는 6상 구조의 게이트 구동부에도 본 발명의 기술적 사상을 적용할 수 있다.The eight clock signals CLK1 to CLK8 are formed in the clock signal line CLK to provide eight clock signals CLK1 to CLK8 so that the
또한, 도시되어 있지는 않지만 각 스테이지들(N, N+1, N+2)에는 게이트 구동회로(200)를 구동하기 위한 통상의 고전윈전원(VDD) 및 저전위전원(VSS)이 공급될 수 있다. 그리고, 각 스테이지들(N, N+1, N+2)은 하나의 스테이지내의 박막트랜지스터를 소정개 공유하고 QB 노드(미도시)를 우수 및 기수번째로 나누어 두 개의 출력단에 교번하여 하이레벨의 게이트 구동신호(Vg(n) ~ Vg(n+1))을 출력하는 더블 출력구조로 구성될 수 있다.Although not shown, a normal high voltage power source VDD and a low potential power source VSS for driving the
첫번째 스테이지인 제N 스테이지에는 제1 및 제2 개시신호(VST1, 2)가 시작신호로서 입력되며, 또한 제1 및 제2 클록신호 (CLK1, CLK2)에 동기하여 제1 및 제2 게이트 구동신호(Vg(n), Vg(n+1))를 순차적으로 출력할 수 있다. 또한, 제N 스테이지는 제N+2 스테이지의 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))를 리셋신호로 입력 받을 수 있다. 그리고 두 번째 스테이지인 제N+1 스테이지에는 클럭 신호 배선으로부터 제공되는 클럭 신호가 제1 및 제2 개시신호(VST1, 2)가 될 수 있고, 제N+2 스테이지부터는 전 전 단 스테이지의 출력 신호가 제1 및 제2 개시신호(VST1, 2)로 기능할 수 있다. 즉, 각 스테이지는 다음 다음 단의 스테이지의 두 번째 게이트 구동신호를 리셋신호로 입력 받아 로우 논리 레벨의 게이트 구동신호를 출력하고, 게이트 구동 신호를 다음 다음 단 스테이지의 시작신호로 공급하게 된다.The first and second start signals VST1 and VST2 are input as a start signal to the Nth stage which is the first stage and the first and second gate driving signals VST1 and VST2 are inputted in synchronization with the first and second clock signals CLK1 and CLK2, (Vg (n), Vg (n + 1)). Also, the Nth stage can receive the (n + 5) th gate drive signal Vg (n + 5) of the (N + 2) th stage as a reset signal. In the (N + 1) th stage, which is the second stage, the clock signal provided from the clock signal wiring may be the first and second start signals VST1 and VST2. In the (N + 2) Can function as the first and second start signals VST1 and VST2. That is, each stage receives the second gate driving signal of the next stage in the next stage as a reset signal, outputs the gate signal of the low logic level, and supplies the gate driving signal to the start signal of the next stage of the next stage.
또한, 제N+2 스테이지는 제n+4 및 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+4), Vg(n+5))를 출력하고, 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))를 제N 스테이지의 리셋신호로 공급하게 된다. The (N + 2) -th stage outputs the (n + 4) th and (n + 5) th gate driving signals Vg +5) to the reset signal of the N-th stage.
<스테이지의 회로도 및 스테이지의 동작 관계>≪ Schematic diagram of stage and operation relationship of stage >
도 7 제N 스테이지의 회로도이고, 도 8은 제N 스테이지의 회로를 구동시키기 위한 개시 신호 및 클럭 신호와 그에 따른 Q 및 QB 노드 전압을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a circuit diagram of the N-th stage, and FIG. 8 is a diagram showing a start signal and a clock signal for driving the circuit of the N-th stage and corresponding Q and QB node voltages.
도 8을 참조하면, 게이트 구동신호(Vg)는 하이 논리 레벨 및 로우 논리 레벨의 두 전압 레벨을 가질 수 있고, 하나의 프레임(1 frame)동안 하이 논리 레벨로 1~4 수평기간(1~4H)마다 순차적으로 게이트 배선(GL)에 출력될 수 있다. 여기서, 인접한 게이트 배선(GL)으로 출력되는 게이트 구동신호(Vg)는 1~3 수평기간(1~3H)씩 중첩되게 되며, 데이터 신호(Vdata)가 하나의 수평선 상의 화소들에 대하여 1 수평기간(1H)씩 인가될 수 있다.8, the gate driving signal Vg may have two voltage levels of a high logic level and a low logic level, and may have one to four horizontal periods (1 to 4H ) To the gate line GL sequentially. Here, the gate driving signal Vg output to the adjacent gate line GL is overlapped by 1 to 3 horizontal periods (1 to 3H), and the data signal Vdata is supplied to the pixels on one horizontal line in one horizontal period (1H).
도 6, 7 그리고 도 8을 참조하면, 본 발명의 게이트 구동회로에 포함되는 제N 스테이지(N)는 제n 게이트 구동신호(Vg(n))를 출력하는 우수단(ODD) 및 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))를 출력하는 기수단(EVEN)으로 이루어질 수 있다. 특히, 예시된 제N 스테이지(N)의 우수단(ODD)의 QB1_ODD 노드와 기수단(EVEN)의 QB2_ODD 노드는 서로 공유하고, 우수단(ODD)의 QB1_EVEN 노드와 기수단(EVEN)의 QB2_EVEN 노드는 서로 공유할 수 있도록 하여 박막트랜지스터의 개수가 저감된 더블 출력 구조로서, 우수단(ODD) 및 기수단(EVEN)에 구비되는 박막트랜지스터의 개수가 각각 13개씩 총 26개가 된다. 또한, 우수단(ODD) 및 기수단(EVEN)은 공유되는 QB1, 2_ODD 노드와 QB1, 2_EVEN 노드의 연결구조 이외에 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.6, 7 and 8, the N stage N included in the gate driving circuit of the present invention includes an odd stage (ODD) for outputting an n-th gate driving signal Vg (n) And a radix EVEN for outputting one gate driving signal Vg (n + 1). In particular, the QB1_ODD node of the odd stage ODD and the QB2_ODD node of the odd stage EVEN of the exemplified N stage N share each other, and the QB1_EVEN node of the odd stage ODD and the QB2_EVEN node of the odd stage EVEN share each other The number of thin film transistors provided in the odd stage and the odd stage EVEN is twenty-four, for example, 13, respectively. In addition, the ODD and EVEN may have the same structure in addition to the connection structure of the shared QB1 and 2_ODD nodes and the QB1 and 2_EVEN nodes.
제1_1 박막트랜지스터(T1_1)는 제1 개시신호(VST1)에 의해 턴-온되어 전원전압(VDD)으로 Q1노드를 충전하고, 제1_2 박막트랜지스터(T1_2)는 제2 개시신호(VST2)에 의해 턴-온되어 전원전압(VDD)으로 Q2노드를 충전할 수 있다.The first_1T thin film transistor T1_1 is turned on by the first start signal VST1 to charge the node Q1 with the power source voltage VDD and the first thin film transistor T1_2 is turned on by the second start signal VST2 The node Q2 can be charged with the power supply voltage VDD.
제2_1 박막트랜지스터(T2_1)는 다음 다음 단 게이트 구동신호(VNEXT= Vg(n+5))를 인가 받아 Q1노드를 접지전압(VSS)으로 방전시킬 수 있고, 제2_2 박막트랜지스터(T2_2)는 다음 다음 단 게이트 구동신호(VNEXT= Vg(n+5))를 인가 받아 Q2노드를 접지전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다.The second thin film transistor T2_1 can discharge the node Q1 to the ground voltage VSS by receiving the next next gate driving signal VNEXT = Vg (n + 5), and the second thin film transistor T2_2 can It is possible to discharge the node Q2 to the ground voltage VSS by receiving the next stage gate driving signal VNEXT = Vg (n + 5).
제4-1 박막트랜지스터(T4_1)는 QB1_ODD 노드가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2 노드를 방전시킬 수 있고, 제4-2 박막트랜지스터(T4_2)는 QB2_ODD 노드가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2 노드를 방전시킬 수 있다.The 4-1 thin film transistor T4_1 is turned on when the QB1_ODD node is charged to discharge the nodes Q1 and Q2 and the 4-2 thin film transistor T4_2 becomes conductive as the QB2_ODD node is charged, Can be discharged.
제3_1 박막트랜지스터(T3_1)는 QB1_EVEN 노드가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2노드를 방전시킬 수 있고, 제3_2 박막트랜지스터(T3_2)는 QB2_EVEN 노드가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2노드를 방전시킬 수 있다.The 3_1th thin film transistor T3_1 may conduct as the QB1_EVEN node is charged to discharge the Q1 and Q2 nodes and the 3_2 thin film transistor T3_2 may conduct as the QB2_EVEN node is charged to discharge the Q1 and Q2 nodes have.
제6_1 및 제6_2 박막트랜지스터(T6_1, T6_2)는 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)이 교번으로 하이레벨로 천이됨에 따라, 제7_1 및 제7_2 박막트랜지스터(T7_1, T7_2)를 턴-온시킨다. The sixth and sixth_2 thin film transistors T6_1 and T6_2 turn on the seventh and seventh thin film transistors T7_1 and T7_2 as the good power supply voltage VDD_O and the odd power source voltage VDD_E alternately go high level - Turn it on.
또한, 제7_1 및 제7_2 박막트랜지스터(T7_1, T7_2)는 하이레벨의 우수 전원전압(VDD_O) 또는 기수 전원전압(VDD_E)을 통해 QB1, 2_ODD 노드 또는 QB1, 2_ EVEN 노드를 충전하게 된다. The 7_1 and 7_2 thin film transistors T7_1 and T7_2 are charged with the QB1 and 2_ODD nodes or the QB1 and 2_EVEN nodes through the high level power source voltage VDD_O or the power source voltage VDD_E.
또한, 제5_1 박막트랜지스터(T5_1)는 Q1노드(Q1)가 충전되면 Q2노드(Q2)를 방전시킬 수 있고, 제5_2 박막트랜지스터(T5_2)는 Q2노드(Q2)가 충전되면 Q1노드(Q1)를 방전시키는 역할을 할 수 있다.The fifth transistor T5_1 may discharge the Q2 node Q2 when the Q1 node Q1 is charged and the Q2 node Q1 may discharge the Q2 node Q2 when the fifth transistor T5_2 is charged. Thereby discharging the battery.
제9_1 박막트랜지스터(T9_1)는 제1 개시신호(VST1)가 인가됨에 따라, QB1, 2_ODD 노드를 접지전압(VSS)으로 방전시키고, 제9_2 박막트랜지스터(T9_2)는 제2 개시신호(VST2)가 인가됨에 따라, QB1, 2_EVEN 노드를 접지전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. 그리고 제10_1, 2 박막트랜지스터(T10_1, 2)는 Q1노드 또는 Q2노드가 충전됨에 따라, QB1, 2_ODD 노드 또는 QB1, 2_EVEN 노드 방전시킬 수 있다. 그리고 제8_1, 2 박막트랜지스터(T8_1, 2)는 Q1노드 또는 Q2노드가 충전됨에 따라, 제7_1, 2 트랜지스터(T7_1, 2)를 턴-오프하는 역할을 할 수 있다.The ninth thin film transistor T9_1 discharges the QB1 and 2_ODD nodes to the ground voltage VSS as the first start signal VST1 is applied and the ninth thin film transistor T9_2 discharges the second start signal VST2 As it is applied, the QB1, 2_EVEN node can be discharged to the ground voltage (VSS). The 10_1th and 2th thin film transistors T10_1 and T2_1 can discharge the QB1 and 2_ODD nodes or the QB1 and 2_EVEN nodes as the Q1 node or the Q2 node is charged. The 8_1 and the 2-thin film transistors T8_1 and T2 may function to turn off the seventh and the second transistors T7_1 and T2 as the Q1 node or the Q2 node is charged.
제1 풀업 트랜지스터(Tup_1)는 풀-업 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, Q1노드가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 제1 클록신호(CLK1)를 제n 게이트 구동신호(Vg(n))로서 출력할 수 있다. 이 때 상기 Q1 노드의 전압은 제1 클록신호(CLK1)의 하이 논리 레벨에 의하여 부트스트랩(bootstrap)될 수 있다. 또한, 제2 풀업 트랜지스터(Tup_2)는 Q2노드가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 제2 클록신호(CLK2)를 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))로서 출력할 수 있다. 이 때 상기 Q2 노드의 전압은 제2 클록신호(CLK2)의 하이 논리 레벨에 의하여 부트스트랩될 수 있다.The first pull-up transistor Tup_1 functions as a pull-up buffer and is turned on as the node Q1 is charged to output the first clock signal CLK1 of high level to the nth gate driving signal Vg (n)). At this time, the voltage of the node Q1 may be bootstrapped by the high logic level of the first clock signal CLK1. The second pull-up transistor Tup_2 is turned on as the node Q2 is charged to output the high-level second clock signal CLK2 as the (n + 1) -th gate driving signal Vg (n + 1) have. At this time, the voltage of the node Q2 may be bootstrapped by the high logic level of the second clock signal CLK2.
제11_1, 2 박막트랜지스터(T11_1, 2)는 풀-다운 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, QB1_ODD 노드가 충전됨에 따라, 제n 게이트 구동신호(Vg(n))을 로우레벨로 출력되도록 하고, 동시에 제n 게이트 구동신호(Vg(n+1))가 로우레벨을 유지하도록 할 수 있다. 또한, 제12_1, 2 박막트랜지스터(T12_1, 2)는 QB1, 2_EVEN 노드가 충전됨에 따라, 제n 게이트 구동신호(Vg(n))을 로우레벨을 유지하도록 하고, 동시에 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))가 로우레벨로 출력되도록 할 수 있다.The 11th and 11th thin film transistors T11_1 and T112 function as a pull-up buffer and output the n-th gate driving signal Vg (n) to a low level as the QB1_ODD node is charged And at the same time, the n-th gate driving signal Vg (n + 1) can be maintained at the low level. The ninth gate driving signal Vg (n) is maintained at a low level as the QB1 and 2_EVEN nodes are charged, and the (n + 1) th gate driving signal Vg (Vg (n + 1)) can be output at a low level.
전술한 구조에 따른 게이트 구동회로의 스테이지의 구동을 설명하면 다음과 같다.The driving of the stage of the gate driving circuit according to the above structure will be described as follows.
먼저, 하이레벨의 제1 개시신호(VST1)가 입력됨에 따라, 우수단(ODD)의 제1_1 박막트랜지스터(T1_1)가 턴-온 되어 Q1노드가 하이 논리 레벨로 충전되고, 제5_1 박막트랜지스터(T5_1) 및 제9_1 박막트랜지스터(T9_1)가 턴-온되어 QB1, 2_ODD 노드 및 QB1, 2_EVEN 노드가 방전된다. 이때, 우수 전원전압(VDD_O)은 하이 논리 레벨 상태로서 제6_1 박막트랜지스터(T6_1)는 다이오드 상태이나, 제5_1 박막트랜지스터(T5_1)에 의해 전류가 흐르게 되어 제7_1 및 제7_2 박막트랜지스터(T7_1, T7_2)는 턴-오프 상태를 유지하게 된다.As the first start signal VST1 of high level is inputted, the first 1_1th thin film transistor T1_1 of the odd stage is turned on to charge the node Q1 to the high logic level, T5_1 and the ninth transistor T9_1 are turned on so that the nodes QB1 and 2_ODD and the nodes QB1 and 2_EVEN are discharged. At this time, the even-numbered power source voltage VDD_O is a high logic level state, and the 6_1th thin film transistor T6_1 is in a diode state, and the 7_1th and 7th thin film transistors T7_1 and T7_2 Is maintained in the turn-off state.
다음으로, 하이 논리 레벨의 제1 클록신호(CLK1)가 인가되면 제1 풀업 트랜지스터(Tup_1)의 게이트-소스전압이 변동되어 하이 논리 레벨의 제n 게이트 구동신호(Vg(n))가 출력되게 된다.Next, when the first clock signal CLK1 of the high logic level is applied, the gate-source voltage of the first pull-up transistor Tup_1 is changed to output the nth gate driving signal Vg (n) of the high logic level do.
이어서, 하이 논리 레벨의 제2 개시신호(VST2)가 입력됨에 따라, 기수단(EVEN)의 제1_2 박막트랜지스터(T1_2)가 턴-온되어 Q2노드가 하이 논리 레벨로 충전되고, 제5_2 박막트랜지스터(T5_2) 및 제9_2 박막트랜지스터(T9_2)는 턴-온되어 QB1, 2_ODD 노드 및 QB1, 2_EVEN 노드는 방전상태가 유지된다. 다음으로 하이 논리 레벨의 제2 클록신호(CLK2)가 인가되면 제2 풀업 트랜지스터(Tup_2)의 게이트-소스전압이 변동되어 하이 논리 레벨의 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))가 출력되게 된다. 여기서, 제2 개시신호(VST2) 및 제2 클록신호(CLK2)는 제1 개시신호(VST1) 및 제1 클록신호(CLK1)신호와 1 수평기간(1H)기간이 지연되어 4 수평기간(4H)동안 하이레벨로 천이되는 신호로서, 결국 제n 게이트 구동신호(Vg(n))와 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))는 3 수평기간(3H)이 중첩되도록 출력된다.Then, as the second start signal VST2 of the high logic level is input, the first thin film transistor T1_2 of the odd stage EVEN is turned on to charge the node Q2 to the high logic level, and the fifth thin film transistor T5_2 and the 9_2 th thin film transistor T9_2 are turned on so that the discharge states of the QB1 and 2_ODD nodes and the QB1 and 2_EVEN nodes are maintained. When the second clock signal CLK2 of the high logic level is applied, the gate-source voltage of the second pull-up transistor Tup_2 fluctuates and the (n + 1) th gate drive signal Vg (n + Is output. Here, the second start signal VST2 and the second clock signal CLK2 are delayed by one horizontal period (1H) period with the first start signal VST1 and the first clock signal CLK1, The nth gate driving signal Vg (n) and the (n + 1) th gate driving signal Vg (n + 1) are outputted so that the three horizontal periods 3H overlap each other .
3수평기간(3H)이 경과되면, 도시되어 있지는 않지만, 제N+2 스테이지로부터 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))이 다음 다음 단 스테이지 신호(Vnext)로서 제2_1 박막트랜지스터(T2_1)에 인가되며, Q1노드는 방전될 수 있다. 이때, 우수 전원전압(VDD_O)은 하이 논리 레벨 상태이고, 제8_1 박막트랜지스터(T8_1)는 턴-오프 되므로, 제7_1 박막트랜지스터(T7_1)가 턴-온되어 QB1_ODD 노드를 우수 전원전압(VDD_O)으로 충전하게 된다. 이에 따라, 제11_1 박막트랜지스터(T11_1)가 턴-온되어 제n 게이트 구동신호(Vg(n))를 로우 논리 레벨로 천이시키게 된다. 또한 (Vg(n+5))이 다음 다음 단 스테이지 신호(Vnext)로서 제2_2 박막트랜지스터(T2_2)에도 인가되며, Q2노드는 방전될 수 있다. 이때, 기수 전원전압(VDD_E)은 하이 논리 레벨 상태이고, 제8_2 박막트랜지스터(T8_2)는 턴-오프 되므로, 제7_2 박막트랜지스터(T7_2)가 턴-온되어 QB2_ODD 노드를 기수 전원전압(VDD_E)으로 충전하게 된다. 이에 따라, 제11_2 박막트랜지스터(T11_2)가 턴-온되어 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))를 로우 논리 레벨로 천이시키게 된다. 상기의 제11_1, 2 박막트랜지스터(T11_1, 2) 및 제12_1, 2 박막트랜지스터(T12_1, 2)는 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)에 의해 그 턴-온 및 턴-오프 시점이 결정된다.(N + 5) from the (N + 2) th stage to the (n + 5) th gate driving signal Vg (T2_1), and the node Q1 can be discharged. At this time, since the even supply voltage VDD_O is in the high logic level state and the eighth transistor T8_1 is turned off, the seventh thin film transistor T7_1 is turned on to turn the QB1_ODD node to the good power supply voltage VDD_O Charging. Thus, the 11 < 11 > th thin film transistor T11_1 is turned on to transition the nth gate driving signal Vg (n) to a low logic level. Further, (Vg (n + 5)) is also applied to the second thin film transistor T2_2 as the next next stage signal Vnext, and the Q2 node can be discharged. At this time, since the ninth power source voltage VDD_E is in the high logic level state and the eighth transistor T8_2 is turned off, the seventh transistor T7_2 is turned on to turn the QB2_ODD node to the ninth power source voltage VDD_E Charging. Thus, the 11_2 th thin film transistor T11_2 is turned on to transition the (n + 1) th gate driving signal Vg (n + 1) to a low logic level. The 11th and 11th thin film transistors T11_1 and 2 and the 12th and 2th thin film transistors T12_1 and T23 are turned on and off at the turn-on and turn-off timings by the unipolar power supply voltage VDD_O and the radix power supply voltage VDD_E Is determined.
<게이트 구동회로와 보상 회로부의 동작 관계>≪ Operation relationship between gate drive circuit and compensation circuit part >
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로의 제N 스테이지와 보상 회로부를 나타낸 회로도이다. 그리고 도 10은 제N 스테이지의 제n 게이트 구동신호, 제N+2의 제n+4 게이트 구동신호 및 제1 클럭 신호와 제5 클럭 신호를 나타낸 파형도이다.9 is a circuit diagram showing the N stage of the gate driving circuit and the compensation circuit portion according to the embodiment of the present invention. And FIG. 10 is a waveform diagram showing an n-th gate driving signal of the N-th stage, an (n + 2) th gate driving signal, and a first clock signal and a fifth clock signal.
도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 클럭 신호(CLK1)가 하이 논리 레벨이 될 때, 우수단(ODD)의 Q1 노드는 부트스트랩되면서 제n 게이트 구동신호(Vg(n))가 제n 게이트 라인(GL n)으로 출력되고, 동시에 상기 제1 클럭 신호(CLK1)가 보상 회로부(500)를 구성하는 제1 보상부(501)의 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되어 N 노드는 저전위전원(VSS)으로 방전되므로 상기 N 노드의 일부 충전된 전압에 의하여 제1 박막트랜지스터(Ta)의 턴온으로 인하여 게이트 라인 상의 n 게이트 구동신호(Vg(n)가 방전되지 않도록 한다. 그리고 제N+2 스테이지로 공급되는 제5 클럭 신호(CLK5)가 하이 논리 레벨로 천이하면 제N+2 스테이지의 Q1 노드가 부트스트랩되면서 상기 제N+2 스테이지로부터 제n+4 게이트 구동신호(Vg(n+4))가 출력되고, 상기 제n+4 게이트 구동신호(Vg(n+4))는 제1 보상부(501)의 제2 박막트랜지스터(Tb)의 게이트 단자로 공급되면서 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)는 턴온되고, 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자에 공급되는 하이 논리 레벨의 제5 클럭 신호(CLK5)가 N 노드로 공급되면서 상기 제1 박막트랜지스터(Ta)는 턴온되어 제N 스테이지의 제n 게이트 라인(GL n)은 방전하게 된다. 그리하여 제n 게이트 구동신호(Vg(n))가 빠르게 저전위전원으로 천이할 수 있다. 그리고 제2 보상부(502)는 제1 보상부(501)에서 설명한 방식대로 제N+2 스테이지에 공급되는 제6 클럭 신호(CLK6)가 상기 제N+2 스테이지의 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))가 되면서 상기 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))에 의해 상기 제2 보상부(502)의 제2 박막트랜지스터(Tb)가 턴온하고 그 때 하이 논리 레벨의 제6 클럭 신호(CLK6)가 상기 제2 보상부(502)의 제1 박막트랜지스터(Ta)를 턴온시켜 제N 스테이지의 제n+1 게이트 라인(GL n+1)은 방전하게 된다. 그리하여 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))가 빠르게 저전위전원으로 천이할 수 있다.8, 9, and 10, when the first clock signal CLK1 becomes a high logic level, the Q1 node of the odd stage ODD is bootstrapped and the nth gate driving signal Vg (n) The first clock signal CLK1 is output to the gate terminal of the third thin film transistor Tc of the
한편 제N 스테이지에 공급되는 제1 클럭 신호(CLK)와 상기 제N 스테이지와 연결된 보상부에 포함된 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자에 공급되는 제2 클럭 신호(CLKB)의 관계를 살펴보면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨이 될 때 상기 제2 클럭 신호(CLKB)는 로우 논리 레벨을 유지하고, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 로우 논리 레벨로 천이하면, 상기 제2 클럭 신호(CLKB)는 하이 논리 레벨로 천이하는 관계를 가진다. 이와 같은 클럭 신호의 타이밍을 통해 게이트 구동 신호(Vg)를 출력한 이후 방전되는 시점에서 빠르게 방전될 수 있도록 할 수 있다. 그리고 이 경우 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 게이트 단자에 공급되는 클럭 신호는 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨을 유지할 때 동기하여 하이 레벨 논리가 되는 게이트 구동 신호에만 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리가 되는 시 구간과 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리가 되는 시 구간 사이의 시구간(T) 사이에서 하이 논리 레벨이 되는 게이트 구동 신호면 본 발명의 보상 회로부(500)는 정상적으로 동작할 수 있다.The relationship between the first clock signal (CLK) supplied to the Nth stage and the second clock signal (CLKB) supplied to the drain terminal of the second thin film transistor (Tb) included in the compensator connected to the Nth stage , The second clock signal (CLKB) maintains a low logic level when the first clock signal (CLK) becomes a high logic level, and when the first clock signal (CLK) transitions to a low logic level, 2 clock signal CLKB has a relationship of transitioning to a high logic level. The gate driving signal Vg is output through the timing of the clock signal, and then discharged rapidly at the time of discharging. In this case, the clock signal supplied to the gate terminal of the second thin film transistor Tb is not limited to the gate driving signal which becomes the high level logic in synchronization with the second clock signal CLKB at the high logic level, , A gate driving signal side (CLK) having a high logic level between a time period during which the first clock signal (CLK) becomes high logic and a time period (T) between a time period during which the second clock signal (CLKB) The
도 11은 종래의 편측 GIP 구조에서의 게이트 구동신호의 파형과 실시예에 따른 편측 GIP 및 보상 회로부 구조에서의 게이트 구동신호의 파형을 나타낸 파형도이다. 그리고 도 12는 종래의 편측 GIP 구조에서의 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이를 통해 화소의 홀딩 전압을 비교한 것이고, 도 13은 실시예에 따른 편측 GIP 및 보상 회로부 구조에서의 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이를 통해 화소의 홀딩 전압을 비교한 것이다. 또한 도 14는 베젤을 축소한 표시패널을 연결하여 대형 표시장치를 구성하여 화면을 표시한 도면이다.11 is a waveform diagram showing waveforms of gate drive signals in a conventional unipolar GIP structure and waveforms of gate drive signals in a unidirectional GIP and compensation circuit structure according to the embodiment. 12 is a graph comparing the holding voltage of a pixel through a voltage difference between a gate line end portion and a gate line end portion in a conventional unilateral GIP structure, and FIG. 13 is a graph showing the relationship between a unidirectional GIP and a compensation circuit structure And compares the holding voltage of the pixel with the voltage difference between the entrance of the gate line and the end of the gate line. Fig. 14 is a diagram showing a screen in which a large-sized display device is constituted by connecting display panels in which a bezel is reduced.
도 11을 참조하면, 종래 편측 GIP의 게이트 구동신호의 폴링 타임은 2.49us인데 반해 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)로부터 출력되는 게이트 구동신호의 폴링 타임은 1.75us인 바 폴링 타임이 줄어드는 효과가 있음을 알 수 있다. 또한 도 12 및 도 13을 참조하면, 종래의 편측 GIP 구조에서의 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이는 188mV인데 반해 실시예에 따라 게이트 구동회로(200)와 보상 회로부(500)를 적용한 경우 게이트 라인의 입단부와 게이트 라인의 말단부의 전압 차이는 51mV로 줄어드는 것을 알 수 있다. 그에 따라 표시패널(100) 좌우의 휘도 차이가 줄어든 효과를 얻을 수 있다. 또한 도 14와 같이 종래의 도 3과 비교하여 베젤의 축소에 따라 하나의 화상을 분할하여 표시하는 복수개의 표시패널(100) 들 간의 연결 부위의 베젤을 축소함으로써 대형 화상을 표시하는데 고 품위의 화상을 실현할 수 있는 표시장치를 구현할 수 있다. 즉, 3개의 트랜지스터(T1, Tb, T3)만을 구비한 보상 회로부(500)는 GIP 구조 대비 좁은 베젤이 요구되는 바 이러한 보상 회로부(500)를 표시패널(100)의 일 측에 배치함으로써, 표시패널(100)의 베젤을 축소시킬 수 있다.11, the polling time of the gate driving signal of the conventional unidirectional GIP is 2.49 us while the polling time of the gate driving signal outputted from the
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)와 이를 포함하는 표시장치는, 게이트 구동 신호 파형이 입단부에서 패널의 끝인 말단부까지 도달하면 딜레이(Delay) 차가 심해져서 말단부에서의 패널 특성이 정상품에서 요구하는 스펙(Spec)을 벗어나게 되는 문제를 게이트 라인(GL)의 말단부에 배치된 보상 회로부(500)를 통해 게이트 구동신호(Vg)가 늘어져 폴링 타임이 길어지는 문제를 해결할 수 있고, 대형 화면 제품의 베젤의 증가 문제는 편측 GIP 구동을 통해 동시에 해결할 수 있으며, 표시패널(100) 좌우의 신호 지연의 편차를 줄여 화질을 향상시킬 수 있다.As described above, the
한편 본 발명에 따른 실시예는 기존 대비 게이트 라인들의 갯수는 2배로 늘리는 대신 데이터라인들의 갯수를 1/2배로 줄여 필요로 하는 데이터 드라이브 IC의 개수를 반으로 줄여 기존과 동일 해상도를 구현하는 DRD(Double Rate Driving) 구동방식에도 적용 가능하다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, instead of doubling the number of gate lines compared to the prior art, the number of data lines is reduced by a factor of 1/2 to reduce the number of data drive ICs required by half, Double Rate Driving) driving method.
도 15는 제2 실시예에 따른 게이트 구동회로의 제N 스테이지와 보상 회로부를 나타낸 회로도이고, 도 16은 제2 실시예에 따른 게이트 출력 파형을 나타낸 그래프이다. FIG. 15 is a circuit diagram showing the Nth stage and the compensation circuit of the gate driving circuit according to the second embodiment, and FIG. 16 is a graph showing a gate output waveform according to the second embodiment.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 게이트 구동회로의 타측에 배치된 보상 회로부(501, 502)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 구동회로와 상기 보상 회로부(501, 502)는 게이트 라인(GLn, GLn+1)을 통해 연결될 수 있다. Referring to FIG. 15, the
상기 보상부(501, 502)들 각각은 제1 내지 제3 박막트랜지스터(Ta, Tb, Tc)를 포함할 수 있다. Each of the
상기 제1 박막트랜지스터(Ta)는 N 노드 상의 전압에 의해 제어되고, 드레인 단자가 게이트 라인(GL)에 연결되고 소스 단자가 제3 저전위전원(VSS3)에 연결됨으로써, 상기 N 노드가 하이 논리 레벨이 되면 턴온하여, 상기 게이트 라인(GLn, GLn+1) 상의 전위를 제1 저전위전원(VSS1)의 낮추는 기능을 할 수 있다. 그리고 상기 제2 박막 트랜지스터(Tb)는 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))에 의해 동작하고, 드레인 단자 상의 임의의 클럭 신호(CLKB)을 N 소스 단자인 N 노드로 제공하는 기능을 할 수 있다. 따라서 상기 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))가 하이 논리 레벨일 때 상기 제2 박막 트랜지스터(Tb)는 턴온되고, 그 때의 임의의 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨인 경우 N 노드의 전압은 하이 논리 레벨이 될 수 있다. 그리고 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)는 임의의 클럭 신호(CLK)에 의해 동작하고 드레인 단자인 N 노드 상의 전압을 소스 단자인 제2 저전위전원(VSS2)으로 변동하는 기능을 할 수 있다.The first thin film transistor Ta is controlled by the voltage on the N-node, the drain terminal is connected to the gate line GL, and the source terminal is connected to the third low potential power supply VSS3, Level, the potential on the gate lines GLn and GLn + 1 can be lowered to the first low potential power source VSS1. The second thin film transistor Tb is operated by the gate driving signal Vg (m) on an arbitrary gate line G (m) and outputs an arbitrary clock signal CLKB on the drain terminal to the N source terminal N nodes can be provided. Therefore, when the gate drive signal Vg (m) on the arbitrary gate line G (m) is at the high logic level, the second thin film transistor Tb is turned on, and the arbitrary clock signal CLKB at that time is turned on. The voltage of the N-node may be a high logic level. The third thin film transistor Tc is operated by an arbitrary clock signal CLK and can function to vary the voltage on the N-node which is the drain terminal to the second low potential power supply VSS2 which is the source terminal.
또한 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자로 공급되는 클럭 신호(CLKB)와 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되는 클럭 신호(CLK)는 서로 반대의 논리 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어 상기 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되는 클럭 신호(CLK)를 제1 클럭 신호(CLK)라고 하고, 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자로 공급되는 클럭 신호(CLKB)을 제2 클럭 신호(CLKB)라 하면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨일 때 상기 제2 클럭 신호(CLKB) 로우 논리 레벨이 될 수 있다. 다만, 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨일 때 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 로우 논리 레벨로 고정되는 것은 아니고, 상기 임의의 게이트 라인(G(m))상의 게이트 구동 신호(Vg(m))가 로우 논리 레벨이라면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨이 되어도 무방하다.The clock signal CLKB supplied to the drain terminal of the second thin film transistor Tb and the clock signal CLK supplied to the gate terminal of the third thin film transistor Tc may have opposite logic levels . The clock signal CLK supplied to the gate terminal of the third thin film transistor Tc is referred to as a first clock signal CLK and the clock signal CLK supplied to the drain terminal of the second thin film transistor Tb (CLKB) may be a second logic level when the first clock signal CLK is at a high logic level, if the second clock signal CLKB is a second clock signal CLKB. The first clock signal CLK is not fixed to the low logic level when the second clock signal CLKB is at the high logic level and the gate driving signal G (m) Vg (m)) is a low logic level, the first clock signal CLK may be a high logic level.
이와 같이 상기 게이트 구동회로로부터 출력된 게이트 구동 신호는 상기 게이트 라인(GLn, GLn+1)을 통해 화소(110)의 박막트랜지스터(TFT)를 턴온시켜, 데이터 라인(DL) 상의 데이터 신호가 스토리지커패시터(Cst)에 충전되도록 하고, 상기 스토리지커패시터(Cst)에 데이터 신호가 충전이 되면, 상기 보상 회로부(500)는 상기 게이트 라인(GLn, GLn+1) 상의 잔류하는 게이트 구동 신호를 방전시켜 상기 박막트랜지스터(TFT)가 요구되는 시점에 턴 오프 되도록 할 수 있다.The gate driving signal outputted from the gate driving circuit turns on the TFT of the pixel 110 through the gate lines GLn and GLn + 1 so that the data signal on the data line DL is applied to the storage capacitor The
제2 실시예에 따른 보상회로부는 서로 다른 전압을 가지는 2개의 저전위전원을 사용하여 구성할 수 있다. 제2 저전위전원(VSS2)는 약 -15V 정도 가질 수 있다. 제2 저전위전원(VSS2)의 전압값은 이에 한정되지 않는다. 제3 저전위전원(VSS3)은 -6V 내지 -13V를 가질 수 있으며, 약 -7V 정도 가질 수 있다. 제3 저전위전원(VSS3)의 전압값은 이에 한정되지 않는다.The compensation circuit according to the second embodiment can be constructed by using two low potential power sources having different voltages. And the second low potential power supply VSS2 may have about -15 V or so. The voltage value of the second low potential power supply VSS2 is not limited thereto. The third low potential power supply VSS3 may have a voltage of -6V to -13V and may have a voltage of about -7V. The voltage value of the third low potential power supply VSS3 is not limited thereto.
제3 저전위전원(VSS3)은 제2 저전위전원(VSS2)값 보다 크게 형성될 수 있다. 제3 저전위전원(VSS3)는 제1 저전위전원(VSS1)과 제2 저전위전원(VSS2) 사이 값으로 형성될 수 있다. 제1 저전위전원(VSS1)의 전압값은 -5V를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 저전위전원(VSS1)은 게이트 구동부에 적용될 수 있으나, 제2 저전위전원(VSS2)이 적용될 수도 있다. 제3 저전위전원(VSS3)은 게이트 출력의 리플(Ripple)을 방지할 수 있다. The third low potential power supply VSS3 may be formed to be larger than the second low potential power supply VSS2. The third low potential power supply VSS3 may be formed between the first low potential power supply VSS1 and the second low potential power supply VSS2. The voltage value of the first low potential power supply VSS1 may be -5 V, but is not limited thereto. The first low potential power supply VSS1 may be applied to the gate driver, but the second low potential power supply VSS2 may be applied. The third low potential power supply VSS3 can prevent ripple of the gate output.
도 16에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 같이, 보상 회로부에 제2 저전위전원(VSS2)만이 연결될 경우, 게이트 구동회로의 제1 저전위전원(VSS1)과의 전압차에 의해 리플이 발생된다. 따라서, 제2 실시예와 같이, 제1 저전위전원(VSS1)과 제2 저전위전원(VSS2) 사이의 전압값을 가지는 제3 저전위전원(VSS3)을 보상 회로에 적용할 경우, 제1 실시예에서 발생되는 리플을 보다 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.16, when only the second low potential power supply VSS2 is connected to the compensation circuit portion as in the first embodiment, the voltage difference between the first low potential power supply VSS1 and the first low potential power supply VSS1 of the gate driving circuit, . Therefore, when the third low potential power supply VSS3 having the voltage value between the first low potential power supply VSS1 and the second low potential power supply VSS2 is applied to the compensation circuit as in the second embodiment, There is an effect that the ripple generated in the embodiment can be removed more effectively.
제1 저전위전원(VSS1)이 제2 저전위전원(VSS2)의 전압값 보다 크기 때문에 제3 저전위전원(VSS3) 대신 제1 저전위전원(VSS1)을 사용할 수 있으나, 이 경우, 제1 박막 트랜지스터(Ta)의 전위를 빨리 끌어내지 못하는 단점이 있다.The first low potential power supply VSS1 may be used instead of the third low potential power supply VSS3 because the first low potential power supply VSS1 is larger than the voltage value of the second low potential power supply VSS2. The potential of the thin film transistor Ta can not be drawn quickly.
도 15로 돌아가서, 게이트 구동회로와 보상 회로부의 동작 관계를 살펴보면, 제1 클럭 신호(CLK1)가 하이 논리 레벨이 될 때, 우수단(ODD)의 Q1 노드는 부트스트랩되면서 제n 게이트 구동신호(Vg(n))가 제n 게이트 라인(GLn)으로 출력되고, 동시에 상기 제1 클럭 신호(CLK1)가 보상 회로부(500)를 구성하는 제1 보상부(501)의 제3 박막트랜지스터(Tc)의 게이트 단자로 공급되어 N 노드는 제2 저전위전원(VSS2)으로 방전되므로 상기 N 노드의 일부 충전된 전압에 의하여 제1 박막트랜지스터(Ta)의 턴온으로 인하여 게이트 라인 상의 n 게이트 구동신호(Vg(n))가 방전되지 않도록 한다. 그리고 제N+2 스테이지로 공급되는 제5 클럭 신호(CLK5)가 하이 논리 레벨로 천이하면 제N+2 스테이지의 Q1 노드가 부트스트랩되면서 상기 제N+2 스테이지로부터 제n+4 게이트 구동신호(Vg(n+4))가 출력되고, 상기 제n+4 게이트 구동신호(Vg(n+4))는 제1 보상부(501)의 제2 박막트랜지스터(Tb)의 게이트 단자로 공급되면서 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)는 턴온되고, 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자에 공급되는 하이 논리 레벨의 제5 클럭 신호(CLK5)가 N 노드로 공급되면서 상기 제1 박막트랜지스터(Ta)는 턴온되어 제N 스테이지의 제n 게이트 라인(GL n)은 방전하게 된다. 그리하여 제n 게이트 구동신호(Vg(n))가 빠르게 제2 저전위전원(VSS2)으로 천이할 수 있다. 그리고 제2 보상부(502)는 제1 보상부(501)에서 설명한 방식대로 제N+2 스테이지에 공급되는 제6 클럭 신호(CLK6)가 상기 제N+2 스테이지의 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))가 되면서 상기 제n+5 게이트 구동신호(Vg(n+5))에 의해 상기 제2 보상부(502)의 제2 박막트랜지스터(Tb)가 턴온하고 그 때 하이 논리 레벨의 제6 클럭 신호(CLK6)가 상기 제2 보상부(502)의 제1 박막트랜지스터(Ta)를 턴온시켜 제N 스테이지의 제n+1 게이트 라인(GL n+1)은 방전하게 된다. 그리하여 제n+1 게이트 구동신호(Vg(n+1))가 빠르게 제3 저전위전원(VSS3)으로 천이할 수 있다.15, when the first clock signal CLK1 becomes the high logic level, the Q1 node of the odd stage ODD is bootstrapped and the nth gate driving signal The first clock signal CLK1 is output to the nth gate line GLn and the third thin film transistor Tc of the
한편 제N 스테이지에 공급되는 제1 클럭 신호(CLK)와 상기 제N 스테이지와 연결된 보상부에 포함된 제2 박막트랜지스터(Tb)의 드레인 단자에 공급되는 제2 클럭 신호(CLKB)의 관계를 살펴보면, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 레벨이 될 때 상기 제2 클럭 신호(CLKB)는 로우 논리 레벨을 유지하고, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 로우 논리 레벨로 천이하면, 상기 제2 클럭 신호(CLKB)는 하이 논리 레벨로 천이하는 관계를 가진다. 이와 같은 클럭 신호의 타이밍을 통해 게이트 구동 신호(Vg)를 출력한 이후 방전되는 시점에서 빠르게 방전될 수 있도록 할 수 있다. 그리고 이 경우 상기 제2 박막트랜지스터(Tb)의 게이트 단자에 공급되는 클럭 신호는 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 레벨을 유지할 때 동기하여 하이 레벨 논리가 되는 게이트 구동 신호에만 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리가 되는 시 구간과 상기 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리가 되는 시 구간 사이의 시구간(T) 사이에서 하이 논리 레벨이 되는 게이트 구동 신호면 본 발명의 보상 회로부(500)는 정상적으로 동작할 수 있다.The relationship between the first clock signal (CLK) supplied to the Nth stage and the second clock signal (CLKB) supplied to the drain terminal of the second thin film transistor (Tb) included in the compensator connected to the Nth stage , The second clock signal (CLKB) maintains a low logic level when the first clock signal (CLK) becomes a high logic level, and when the first clock signal (CLK) transitions to a low logic level, 2 clock signal CLKB has a relationship of transitioning to a high logic level. The gate driving signal Vg is output through the timing of the clock signal, and then discharged rapidly at the time of discharging. In this case, the clock signal supplied to the gate terminal of the second thin film transistor Tb is not limited to the gate driving signal which becomes the high level logic in synchronization with the second clock signal CLKB at the high logic level, , A gate driving signal side (CLK) having a high logic level between a time period during which the first clock signal (CLK) becomes high logic and a time period (T) between a time period during which the second clock signal (CLKB) The
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술할 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10 종래의 액정표시패널
100 표시패널
110 화소
200 게이트 구동회로
210 쉬프트 레지스터
300 데이터 구동회로
400 타이밍 콘트롤러
500 보상 회로부
501 제1 보상부
502 제2 보상부10 Conventional liquid crystal display panel
100 display panel
110 pixels
200 gate drive circuit
210 Shift registers
300 data drive circuit
400 timing controller
500 compensation circuit portion
501 first compensation unit
502 Second compensator
Claims (14)
상기 게이트 라인의 타단에 연결된 보상 회로부;를 포함하고,
상기 제N 스테이지는 Q 노드의 전압에 의해 제어되어 제1 클럭 신호를 제1 게이트 구동 신호로 출력하고,
상기 보상 회로부는 상기 제N 스테이지의 다음 스테이지가 출력하는 제2 게이트 구동신호에 의해 제어되어 상기 제1 게이트 구동 신호를 방전시키는 게이트 구동회로.A shift register including an N-th stage connected to one end of a gate line; And
And a compensation circuit part connected to the other end of the gate line,
Wherein the N stage is controlled by a voltage of a Q node to output a first clock signal as a first gate driving signal,
Wherein the compensation circuit part is controlled by a second gate driving signal output by a next stage of the Nth stage to discharge the first gate driving signal.
상기 제1 클럭 신호가 하이(High) 논리 레벨에서 로우(Low) 논리 레벨로 천이하면 상기 제2 클럭 신호는 로우 논리 레벨에서 하이 논리 레벨로 천이하는 게이트 구동회로.The method according to claim 1,
Wherein the second clock signal transitions from a low logic level to a high logic level when the first clock signal transitions from a high logic level to a low logic level.
상기 제2 게이트 구동 신호는 상기 제1 클럭 신호가 하이 논리 레벨을 유지하는 시 구간과 상기 제2 클럭 신호가 하이 논리 레벨을 유지하는 시 구간 사이에서 하이 논리 레벨이 되는 게이트 구동회로.3. The method of claim 2,
Wherein the second gate driving signal has a high logic level between a time interval in which the first clock signal maintains a high logic level and a time interval in which the second clock signal maintains a high logic level.
상기 보상 회로부는,
제1 및 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 트랜지스터는 N 노드 상의 전압에 의해 제어되어 상기 게이트 라인에 제3 저전위전원을 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 게이트 구동 신호에 의해 제어되어 상기 제2 클럭 신호를 상기 N 노드로 공급하는 게이트 구동회로.The method according to claim 1,
Wherein the compensation circuit section comprises:
A first transistor including a first transistor and a second transistor,
Wherein the first transistor is controlled by a voltage on an N-node to supply a third low potential power to the gate line,
And the second transistor is controlled by the second gate driving signal to supply the second clock signal to the N-node.
상기 보상 회로부는,
제3 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제3 트랜지스터는 상기 제1 클럭 신호에 의해 제어되어 상기 N 노드에 상기 제2 저전위전원을 공급하는 게이트 구동회로.5. The method of claim 4,
Wherein the compensation circuit section comprises:
Further comprising a third transistor,
And the third transistor is controlled by the first clock signal to supply the second low potential power to the N-node.
상기 제3 저전위전원의 전압값은 제2 저전위전원의 전압값 보다 큰 게이트 구동회로.6. The method of claim 5,
And the voltage value of the third low potential power supply is larger than the voltage value of the second low potential power supply.
상기 게이트 구동회로는 제1 저전위전원을 더 포함하고, 상기 제3 저전위전원은 제1 저전위전원과 제2 저전위전원의 전압값 사이를 가지는 게이트 구동회로.The method according to claim 6,
Wherein the gate driving circuit further comprises a first low potential power supply, and the third low potential power supply has a voltage value between the first low potential power supply and the second low potential power supply.
제3 저전위전원은 -6V 내지 -13V를 가지는 게이트 구동회로.8. The method of claim 7,
And the third low potential power source is a gate drive circuit having -6V to -13V.
상기 쉬프트 레지스터가 일 측에 배치되고, 상기 보상 회로부가 타 측에 배치된 표시패널;을 포함하는 표시장치.A gate driving circuit according to claim 1; And
And a display panel in which the shift register is disposed on one side and the compensation circuit section is disposed on the other side.
상기 제1 클럭 신호가 하이(High) 논리 레벨에서 로우(Low) 논리 레벨로 천이하면 상기 제2 클럭 신호는 로우 논리 레벨에서 하이 논리 레벨로 천이하는 표시장치.10. The method of claim 9,
Wherein the second clock signal transitions from a low logic level to a high logic level when the first clock signal transitions from a high logic level to a low logic level.
상기 제2 게이트 구동 신호는 상기 제1 클럭 신호가 하이 논리 레벨을 유지하는 시 구간과 상기 제2 클럭 신호가 하이 논리 레벨을 유지하는 시 구간 사이에서 하이 논리 레벨이 되는 표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein the second gate driving signal has a high logic level between a time interval in which the first clock signal maintains a high logic level and a time interval in which the second clock signal maintains a high logic level.
상기 보상 회로부는,
제1 및 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 트랜지스터는 N 노드 상의 전압에 의해 제어되어 상기 게이트 라인에 제3 저전위전원을 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 게이트 구동 신호에 의해 제어되어 상기 제2 클럭 신호를 상기 N 노드로 공급하는 표시장치.10. The method of claim 9,
Wherein the compensation circuit section comprises:
A first transistor including a first transistor and a second transistor,
Wherein the first transistor is controlled by a voltage on an N-node to supply a third low potential power to the gate line,
And the second transistor is controlled by the second gate driving signal to supply the second clock signal to the N-node.
상기 보상 회로부는,
제3 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제3 트랜지스터는 상기 제1 클럭 신호에 의해 제어되어 상기 N 노드에 상기 제2 저전위전원을 공급하는 표시장치.13. The method of claim 12,
Wherein the compensation circuit section comprises:
Further comprising a third transistor,
And the third transistor is controlled by the first clock signal to supply the second low potential power to the N-node.
상기 표시패널은 복수개 구비되고,
상기 표시패널은 하나의 영상을 분할하여 표시하는 표시장치.10. The method of claim 9,
A plurality of display panels are provided,
Wherein the display panel divides and displays one image.
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