KR20150072155A - Solid electrolytic capacitor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고체 전해 캐패시터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 내부 리드 프레임을 형성하지 않는 구조로써 정전 용량을 향상시키면서 동시에 등가직렬저항(ESR)을 감소시켜 저 ESR을 구현하고, 면저항 감소로 인해 접합력이 향상되며, 기판에 실장 시 실장 면적을 확대할 수 있는 고체 전해 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to a solid electrolytic capacitor, and more particularly to a solid electrolytic capacitor having a structure in which an internal lead frame is not formed, thereby realizing a low ESR by reducing the equivalent series resistance (ESR) while improving the capacitance, And a solid electrolytic capacitor capable of increasing a mounting area when mounted on a substrate.
Description
본 발명은 고체 전해 캐패시터에 관한 것이다.
The present invention relates to solid electrolytic capacitors.
고체 전해 캐패시터는 전기를 축적하는 기능 이외에 직류 전류를 차단하고 교류 전류를 통과시키려는 목적으로 사용되는 전자부품 중의 하나로서, 이러한 고체 전해 캐패시터 중 대표적으로 탄탈륨 캐패시터가 제작되고 있다.
Solid electrolytic capacitors are one of the electronic components used for the purpose of shutting off the direct current and passing the alternating current in addition to the function of accumulating electricity. Tantalum capacitors among these solid electrolytic capacitors are typically manufactured.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.Tantalum (Ta) is a metal widely used in industries such as electricity, electronics, machinery and chemical industry as well as aerospace and military fields due to its mechanical or physical characteristics such as high melting point and excellent ductility and corrosion resistance.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
These tantalum materials are widely used as anode materials for small capacitors due to their ability to form stable anodic oxide coatings. Recently, the use of tantalum materials has rapidly increased due to the rapid development of IT industry such as electronic and information communication. to be.
캐패시터는 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용된다.
A capacitor is a component that approaches two planar electrodes insulated from each other, sandwiches a dielectric between the electrodes, and charges and accumulates electric charges by attraction. In order to obtain electrostatic capacitance by interposing electric charge and electric field in a space surrounded by two conductors .
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2)을 형성하며, 상기 이산화망간층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 인쇄회로기판(PCB)의 실장을 위하여, 상기 본체에 양극 및 음극을 형성하고 몰딩부를 형성하여 완성하게 된다.The tantalum capacitor using the above-mentioned tantalum material is a structure using a gap formed when the tantalum powder is sintered and solidified, and forms tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) on the surface of the tantalum by anodic oxidation Forming a manganese dioxide layer (MnO 2 ) as an electrolyte on the dielectric layer, forming a carbon layer and a metal layer on the manganese dioxide layer to form a body, mounting the printed circuit board (PCB) A positive electrode and a negative electrode are formed on the main body and a molding part is formed.
탄탈륨 캐패시터는 일반 산업 기기용은 물론 정격 전압 사용 범위가 낮은 응용회로에 사용되며, 특히 주파수 특성이 문제되는 회로나 휴대 통신 기기의 노이즈 감소를 위하여 많이 사용된다.
Tantalum capacitors are used not only for general industrial appliances but also for applications with low rated voltage range. Especially, they are widely used for noise reduction of circuits and portable communication devices with problem of frequency characteristics.
종래의 탄탈륨 캐패시터는 탄탈륨 소재와 전극을 연결하기 위하여, 내부 리드 프레임을 형성하거나 프레임 없이 단자를 외부로 추출하는 구조를 사용한다.Conventional tantalum capacitors use a structure in which an internal lead frame is formed to connect a tantalum material and an electrode, or a terminal is extracted to the outside without a frame.
이때, 내부 리드 프레임을 사용하는 구조의 경우, 양극과 음극을 구성하는 리드 프레임에 의해 몰딩부 내 탄탈륨 소재가 차지하는 공간이 줄어들며, 정전 용량은 탄탈륨 소재의 체적에 비례하므로 이 경우 정전 용량 제한의 문제점이 있을 수 있다.
At this time, in the case of the structure using the internal lead frame, the space occupied by the tantalum material in the molding portion is reduced by the lead frame constituting the anode and the cathode, and the capacitance is proportional to the volume of the tantalum material. This can be.
한편, 종래의 프레임 없이 단자를 외부로 추출하는 구조의 경우 측면에 위치하는 음극 리드 프레임과 탄탈륨 소재의 접속을 위한 솔더가 형성되는 용접 거리를 확보해야 하는 등의 이유로 인해 탄탈륨 소재의 내부 용적률이 작아져 정전 용량 향상에 한계가 있었으며, 접촉하는 재료가 다수 존재함에 따라 다수의 접촉 재료에 의한 접촉 저항이 상승하므로 캐패시터의 ESR이 높아지는 문제점이 있었다.On the other hand, in the case of a structure for extracting the terminal to the outside without a conventional frame, the internal volume ratio of the tantalum material is small due to reasons such as securing a welding distance at which the solder for connecting the cathode lead frame and the tantalum material, There is a limit to the improvement of the electrostatic capacity and there is a problem that the ESR of the capacitor is increased due to the increase of the contact resistance due to a large number of contact materials as a large number of contact materials are present.
또한, 양극 와이어를 외부 단자로 직접 인출하여 연결함으로 인해서 접촉 면적이 작아져 면저항이 증가하고, 박리 현상이 증가하는 문제점이 있었다.
In addition, since the anode wire is drawn out directly to the external terminal and connected, the contact area is reduced, resulting in an increase in sheet resistance and an increase in peeling phenomenon.
아래의 특허문헌 1은 프레임 없이 단자를 외부로 추출하는 구조의 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이나, 낮은 ESR의 구현 및 면저항의 감소로 인한 접합력의 향상에는 한계가 있었다.
The following Patent Document 1 relates to a tantalum capacitor having a structure in which terminals are extracted to the outside without a frame, but there are limitations in achieving low ESR and improving adhesion due to reduction of sheet resistance.
본 발명의 일 실시형태는 내부 리드 프레임을 형성하지 않는 구조로써 정전 용량을 향상시키면서 동시에 등가직렬저항(ESR)을 감소시켜 저 ESR을 구현하고, 면저항 감소로 인해 접합력이 향상되며, 기판에 실장 시 실장 면적을 확대할 수 있는 구조의 고체 전해 캐패시터에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention is a structure in which an internal lead frame is not formed, thereby improving electrostatic capacitance and reducing equivalent series resistance (ESR), realizing low ESR, improving bonding force due to reduction of sheet resistance, To a solid electrolytic capacitor having a structure capable of increasing a mounting area.
본 발명의 일 실시형태는 탄탈 분말을 포함하며, 일 단부측에 탄탈 와이어가 형성된 캐패시터 본체; 상기 캐패시터 본체 하면에 형성되고, 절연층 및 상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 배선층을 포함하는 실장 기판; 상기 캐패시터 본체 및 탄탈 와이어를 둘러싸도록 형성된 몰딩부;를 포함하며, 상기 실장 기판은 절연층 내부를 관통하며, 상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 배선층을 전기적으로 연결하는 비아 전극을 포함하는 고체 전해 캐패시터를 제공한다.
One embodiment of the present invention is a capacitor comprising: a capacitor body including tantalum powder and having a tantalum wire formed on one end side; A mounting board formed on a lower surface of the capacitor body and including an insulating layer and wiring layers formed on upper and lower surfaces of the insulating layer; And a molding part formed to surround the capacitor body and the tantalum wire, wherein the mounting board penetrates the inside of the insulating layer and includes a via electrode for electrically connecting the wiring layer formed on the upper surface and the lower surface of the insulating layer, Thereby providing a capacitor.
상기 탄탈 와이어의 단부가 접속하며, 상기 실장 기판의 배선층과 연결되도록 형성된 박막 측면 전극을 포함할 수 있다.
And a thin film side electrode connected to an end of the tantalum wire and connected to the wiring layer of the mounting substrate.
상기 박막 측면 전극의 두께는 2㎛ 내지 5㎛일 수 있다.
The thickness of the thin film side electrode may be 2 탆 to 5 탆.
상기 박막 측면 전극은 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
The thin film side electrode may include at least one selected from the group consisting of chromium (Cr), copper (Cu), and titanium (Ti).
상기 박막 측면 전극의 표면에는 산화층이 형성될 수 있다.
An oxide layer may be formed on the surface of the thin film side electrode.
상기 산화층은 Al2O3 및 SiO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
The oxide layer may include at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 and SiO 2 .
상기 산화층의 두께는 5㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
The thickness of the oxide layer may be 5 占 퐉 to 10 占 퐉.
상기 박막 측면 전극과 탄탈 와이어 사이에는 크롬(Cr) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 접합층이 형성될 수 있다.
Between the thin film side electrode and the tantalum wire, a bonding layer including at least one selected from the group consisting of Cr (Cr) and Ti (Ti) may be formed.
상기 실장 기판은 복수의 비아 전극을 포함하며, 상기 비아 전극은 직경이 50 내지 200㎛일 수 있다.
The mounting substrate may include a plurality of via electrodes, and the via electrodes may have a diameter of 50 to 200 mu m.
상기 절연층의 두께는 30 내지 50 ㎛일 수 있다.
The thickness of the insulating layer may be 30 to 50 탆.
본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터는 내부 리드 프레임을 형성하지 않는 구조로써 정전 용량을 향상시키면서 동시에 등가직렬저항(ESR)을 감소시켜 저 ESR을 구현하고, 면저항 감소로 인해 접합력이 향상되며, 기판에 실장 시 실장 면적을 확대할 수 있다.
The solid electrolytic capacitor according to an embodiment of the present invention has a structure in which an internal lead frame is not formed, thereby improving the electrostatic capacitance and reducing the equivalent series resistance (ESR) to realize a low ESR, , The mounting area can be enlarged upon mounting the board.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터의 개략적인 구조를 내타낸 투명 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터의 단면도이다.
1 is a transparent perspective view showing a schematic structure of a solid electrolytic capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
3 is a cross-sectional view of a solid electrolytic capacitor according to one embodiment of the present invention.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.It is to be understood that, although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Will be described using the symbols.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터의 개략적인 구조를 나타낸 투명 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터의 단면도이다.
FIG. 1 is a transparent perspective view showing a schematic structure of a solid electrolytic capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1, Sectional view of an electrolytic capacitor.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 캐패시터(100)는 캐패시터 본체(10), 상기 캐패시터 본체(10) 일단부에 형성된 탄탈륨 와이어(11), 상기 캐패시터 본체(10) 및 탄탈륨 와이어(11)를 둘러싸는 몰딩부(40) 및 상기 캐패시터 본체(10)가 장착된 실장 기판(60)을 포함한다.
1 to 3, a solid
캐패시터 본체(10)는 탄탈륨 재질을 이용하며 소결에 의해 성형될 수 있다. 또한, 캐패시터 본체(10)는 직육면체 형태로 형성될 수 있으며, 캐패시터 본체(10) 일단부로 인출되는 양극의 극성을 가지는 탄탈륨 와이어(11)를 포함할 수 있다.
The
이러한 캐패시터 본체(10)는 일 예로서 탄탈륨 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
For example, the
이때, 탄탈륨 와이어(11)는 상기 혼합 분말을 압축하기 전에 상기 탄탈륨 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.At this time, the
즉, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈륨 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입하여 원하는 크기의 탄탈륨 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈륨 소자를 약 1000 내지 2000℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결하여 제작할 수 있다.
That is, the
상기 캐패시터 본체(10)의 외표면은 음극화를 위하여 이산화망간(MnO2)의 음극층이 형성될수 있다. 또한, 상기 음극층 외부 표면에는 카본 및 은(Ag)이 도포되는 음극 보강층이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 카본은 캐패시터 본체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 전기 전도도가 높은 재료로서 본 기술 분야에서 도전층을 형성하는데 대체로 많이 사용되나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
A cathode layer of manganese dioxide (MnO 2 ) may be formed on the outer surface of the
몰딩부(40)는 탄탈륨 와이어(11)의 단부가 노출되게 한 상태에서 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 수지를 몰딩하여 형성될 수 있다.
The
상기 캐패시터 본체(10)의 하면에는 실장 기판(60)이 형성되어 음극 전극과 전기적으로 접속시킬 수 있다.A
상기 실장 기판(60)은 절연층(65) 및 절연층의 상면 및 하면에 형성된 배선층(61, 62)을 포함하며, 상기 절연층(65)의 상면 및 하면에 형성된 배선층(61, 62)은 절연층(65)을 관통하도록 형성된 비아 전극(68)에 의해서 전기적으로 연결될 수 있다.The
종래에 내부 리드 프레임을 형성하는 구조가 아닌 상기 실장 기판(60) 상에 캐패시터 본체(10)를 장착함으로써 탄탈륨 소재의 내부 용적률이 증가되고 정전 용량을 향상시킬 수 있으며, 상기 비아 전극(68)을 통해 전류가 내부로 직접 흐르게 되어 보다 저 ESR을 구현할 수 있다.
The internal volume ratio of the tantalum material can be increased and the electrostatic capacity can be improved by mounting the
이때, 상기 절연층(65)은 유리 섬유(Fiber-glass) 또는 에폭시(epoxy)수지 등을 포함하여 형성될 수 있으나 이에 특별히 제한되지는 않으며, 절연층(65)의 두께는 30 내지 50㎛ 일 수 있다.The
상기 절연층(65)의 상면 및 하면에 형성되는 배선층(61, 62)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 등의 전도성 금속을 포함할 수 있으며, 물리적 증착 방법(Physical Vapor Deposition, PVD) 등의 공정으로 박막층을 형성한 후, 에칭 공정(Etching process)으로 형성할 수 있다. 상기 절연층(65)의 상면에 형성되는 배선층(61)은 양극 및 음극의 내부전극을 이루며, 절연층(65)의 하면에 형성되는 배선층(62)은 양극 및 음극의 외부전극이 될 수 있다. 상기 배선층(61, 62)의 두께는 4 내지 10㎛ 일 수 있다.
The
상기 절연층(65) 내부에는 절연층(65)을 관통하여 절연층(65) 상면의 내부전극 배선층(61)과 하면의 외부전극 배선층(62)을 연결하는 복수의 비아 전극(68)을 포함할 수 있다. The
상기 비아 전극(68)은 펀칭 공정(punching process) 또는 레이저 가공(laser drilling process)를 통하여 절연층(65)에 내부 홀을 형성하고 구리(Cu) 또는 은(Ag) 등의 전도성 페이스트를 충진하여 제조할 수 있으며, 상기 비아 전극의 직경은 50 내지 200 ㎛일 수 있다.
The
상기 음극부의 캐패시터 본체(10)는 접착층(70)에 의해서 절연층(65) 상면의 내부전극 배선층(61)에 결합되어 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 접착층(70)는 은(Ag), 금(Au), 납(Pd), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나 이상을 포함하는 점성이 있는 전도성 페이스트로 구성될 수 있으며, 상기 음극부의 캐패시터 본체(10)의 하면 일부분에 도포되어 대략 30 내지 300℃의 온도에서 경화시켜 형성할 수 있다.
The
상기 양극부의 탄탈륨 와이어(11)는 몰딩부(40)의 일 단면에 형성된 박막 측면 전극(90)과 전기적으로 접속될 수 있다.The
상기 박막 측면 전극(90)은 실장 기판(60)의 내부전극 배선층(61), 외부전극 배선층(62), 비아 전극(68) 등에 연결되게 형성될 수 있다. 이를 통해 전류가 박막 측면 전극(90)과 탄탈륨 와이어(11) 하부에 형성된 비아 전극(68)을 통해 흐를 수 있으며, 전류의 이동 경로가 증가되어 ESR을 더욱 저감시킬 수 있다.
The thin
상기 박막 측면 전극(90)은 스퍼터링(Sputtering) 등의 박막 증착 공정으로 형성할 수 있으나, 이에 특별히 제한되지는 않는다.The thin
박막 측면 전극(90)의 두께는 2㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 2㎛ 미만일 경우 전극이 불균일하게 형성되어 전극 연결성이 감소할 수 있으며, 5㎛를 초과할 경우 정전 용량 및 실장 면적이 감소될 수 있으며, 제조 비용이 증가될 수 있다.The thickness of the thin
박막 측면 전극(90)은 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 이상의 전도성 금속을 포함하여 형성될 수 있다.
The thin
상기 탄탈륨 와이어(11)를 박막 측면 전극(90)과 접속시키기 위하여 박막 측면 전극(90)과 탄탈륨 와이어(11) 사이에는 접합층(80)이 형성될 수 있다.A
상기 접합층(80)은 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti) 등을 포함하여 형성될 수 있으며, 20nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
The
상기 박막 측면 전극(90)의 표면에는 산화층(95)이 형성될 수 있다.An
상기 산화층(95)을 형성함으로써 박막 측면 전극(90)의 산화를 방지하고, 기판에 실장 시 납(Pb) 등의 솔더(solder)가 박막 측면 전극(90)으로 올라타는 현상을 방지하여 실장 면적을 확대할 수 있다.By forming the
상기 산화층(95)은 스퍼터링(Sputtering), 플라즈마 화학적 기상 증착법(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 등의 박막 증착 공정으로 형성할 수 있으나, 이에 특별히 제한되지는 않는다.The
상기 산화층(95)의 두께는 5㎛ 내지 10㎛일 수 있으며, Al2O3 및 SiO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
The thickness of the
본 발명은 실시 형태에 의해 한정되는 것이 아니며, 당 기술분야의 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환 및 변형이 가능하고 동일하거나 균등한 사상을 나타내는 것이라면, 본 실시예에 설명되지 않았더라도 본 발명의 범위 내로 해석되어야 할 것이고, 본 발명의 실시형태에 기재되었지만 청구범위에 기재되지 않은 구성 요소는 본 발명의 필수 구성요소로서 한정해석되지 아니한다.
It is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments and that various substitutions and modifications can be made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention Should be construed as being within the scope of the present invention, and constituent elements which are described in the embodiments of the present invention but are not described in the claims shall not be construed as essential elements of the present invention.
100 : 고체 전해 캐패시터 65 : 절연층
10 : 캐패시터 본체 68 : 비아 전극
11 : 탄탈륨 와이어 70 : 접착층
40 : 몰딩부 80 : 접합층
60 : 실장 기판 90 : 박막 측면 전극
61 : 내부전극 배선층 95 : 산화층
62 : 외부전극 배선층100: solid electrolytic capacitor 65: insulating layer
10: capacitor body 68: via electrode
11: tantalum wire 70: adhesive layer
40: molding part 80: bonding layer
60: mounting substrate 90: thin film side electrode
61: internal electrode wiring layer 95: oxide layer
62: external electrode wiring layer
Claims (10)
상기 캐패시터 본체 하면에 형성되고, 절연층 및 상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 배선층을 포함하는 실장 기판;
상기 캐패시터 본체 및 탄탈 와이어를 둘러싸도록 형성된 몰딩부;를 포함하며,
상기 실장 기판은 절연층 내부를 관통하며, 상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 배선층을 전기적으로 연결하는 비아 전극을 포함하는 고체 전해 캐패시터.
A capacitor body including tantalum powder and having a tantalum wire formed on one end side;
A mounting board formed on a lower surface of the capacitor body and including an insulating layer and wiring layers formed on upper and lower surfaces of the insulating layer;
And a molding part formed to surround the capacitor body and the tantalum wire,
Wherein the mounting substrate includes a via electrode penetrating the inside of the insulating layer and electrically connecting wiring layers formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer.
상기 탄탈 와이어의 단부가 접속하며, 상기 실장 기판의 배선층과 연결되도록 형성된 박막 측면 전극을 포함하는 고체 전해 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a thin film side electrode connected to an end of the tantalum wire and connected to the wiring layer of the mounting substrate.
상기 박막 측면 전극의 두께는 2㎛ 내지 5㎛인 고체 전해 캐패시터.
3. The method of claim 2,
Wherein the thin film side electrode has a thickness of 2 占 퐉 to 5 占 퐉.
상기 박막 측면 전극은 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 고체 전해 캐패시터.
3. The method of claim 2,
Wherein the thin film side electrode comprises at least one selected from the group consisting of chromium (Cr), copper (Cu), and titanium (Ti).
상기 박막 측면 전극의 표면에는 산화층이 형성된 고체 전해 캐패시터.
3. The method of claim 2,
And an oxide layer is formed on the surface of the thin film side electrode.
상기 산화층은 Al2O3 및 SiO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 고체 전해 캐패시터.
6. The method of claim 5,
Wherein the oxide layer comprises at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 and SiO 2 .
상기 산화층의 두께는 5㎛ 내지 10㎛인 고체 전해 캐패시터.
6. The method of claim 5,
Wherein the thickness of the oxide layer is 5 占 퐉 to 10 占 퐉.
상기 박막 측면 전극과 탄탈 와이어 사이에는 크롬(Cr) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 접합층이 형성되는 고체 전해 캐패시터.
3. The method of claim 2,
And a bonding layer including at least one selected from the group consisting of Cr (Cr) and Ti (Ti) is formed between the thin film side electrode and the tantalum wire.
상기 실장 기판은 복수의 비아 전극을 포함하며, 상기 비아 전극은 직경이 50 내지 200㎛인 고체 전해 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the mounting substrate includes a plurality of via electrodes, and the via electrodes have a diameter of 50 to 200 占 퐉.
상기 절연층의 두께는 30 내지 50 ㎛ 인 고체 전해 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer has a thickness of 30 to 50 占 퐉.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113921285A (en) * | 2020-07-10 | 2022-01-11 | 三星电机株式会社 | Solid Electrolytic Capacitors |
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