KR20150045077A - Light emitting device package and backlight unit having it - Google Patents
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Abstract
본 발명은 조명이나 디스플레이 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트유닛에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광을 발생시키는 제 1 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광을 발생시키는 제 2 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광을 발생시키는 제 3 발광 장치; 및 상기 제 1 발광 장치의 제 1 색 광과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 색 광 및 상기 제 3 발광 장치의 제 3 색 광이 혼합되어 제 4 색 광으로 변환되도록 상기 기판의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면을 둘러싸는 형상으로 형성되는 광 경로 안내 부재;를 포함하고, 상기 제 1 발광 장치는, 제 1 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 2 발광 장치는, 제 2 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 3 발광 장치는, 제 3 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 플립칩(flip chip) 형태일 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package and a backlight unit having the same, which can be used for lighting or display applications, A first light emitting device mounted at a first position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the first light emitting device generating a first color light; A second light emitting device mounted on a second location of the substrate to be electrically connected to the substrate, the second light emitting device generating a second color light; A third light emitting device mounted at a third position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the third light emitting device generating a third color light; And the first color light of the first light emitting device, the second color light of the second light emitting device, and the third color light of the third light emitting device are mixed to be converted into the fourth color light, And a light path guide member formed to surround the seating surface including the first position, the second position, and the third position, wherein the first light emitting device includes a first LED chip, The second light emitting device includes a second LED chip, and the third light emitting device includes a third LED chip, and the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip And may be in the form of a flip chip.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 조명이나 디스플레이 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. Further, such an LED is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged in various forms, can be modularized for various purposes, and can be applied to various lighting devices and display devices.
종래의 발광 소자 패키지는 LED 칩이 레터럴 칩(Lateral Chip) 형태인 경우, 신호전달부재로 금 와이어(Gold Wire)를 사용하기 때문에 컵(Cup) 내부 전체를 봉지재로 채워야 하는 등 일부 원자재의 사용이 불가피하였다.In the conventional light emitting device package, when the LED chip is in the form of a lateral chip, since the gold wire is used as a signal transmitting member, the entire inside of the cup must be filled with the sealing material, Use was inevitable.
또한, 종래의 멀티칩(Multi-Chip) 관련하여 RGB 칩들을 조합하여 백색광을 구현하는 경우, 컵들이 각각의 칩들 주위에 별로로 제작되고, 칩들이 단순 나열되어 색변환(Color conversion) 효율이 떨어지는 위치적 결함 등이 있었다.In addition, when white light is realized by combining RGB chips related to a conventional multi-chip, cups are manufactured around each chip, and the chips are simply listed to reduce color conversion efficiency And positional defects.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 색변환율을 크게 향상시키고, 컬러 디밍(dimming) 및 색 연출을 가능하게 하며, 광량과 광효율을 크게 높여서 시인성이 좋은 디스플레이나 조명의 용도로 활용할 수 있게 하는 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a color display device capable of significantly improving a color conversion rate, enabling color dimming and color rendering, greatly increasing a light quantity and a light efficiency, And a backlight unit having the light emitting device package. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광을 발생시키는 제 1 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광을 발생시키는 제 2 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광을 발생시키는 제 3 발광 장치; 및 상기 제 1 발광 장치의 제 1 색 광과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 색 광 및 상기 제 3 발광 장치의 제 3 색 광이 혼합되어 제 4 색 광으로 변환되도록 상기 기판의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면을 둘러싸는 형상으로 형성되는 광 경로 안내 부재;를 포함하고, 상기 제 1 발광 장치는, 제 1 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 2 발광 장치는, 제 2 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 3 발광 장치는, 제 3 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 플립칩(flip chip) 형태일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a substrate; A first light emitting device mounted at a first position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the first light emitting device generating a first color light; A second light emitting device mounted on a second location of the substrate to be electrically connected to the substrate, the second light emitting device generating a second color light; A third light emitting device mounted at a third position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the third light emitting device generating a third color light; And the first color light of the first light emitting device, the second color light of the second light emitting device, and the third color light of the third light emitting device are mixed to be converted into the fourth color light, And a light path guide member formed to surround the seating surface including the first position, the second position, and the third position, wherein the first light emitting device includes a first LED chip, The second light emitting device includes a second LED chip, and the third light emitting device includes a third LED chip, and the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip And may be in the form of a flip chip.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 모두 동일 파장의 빛을 발생시키는 것일 수 있다.Also, according to an aspect of the present invention, the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip may generate light of the same wavelength.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 블루 LED 칩이고, 상기 제 2 발광 장치는, 상기 제 2 LED 칩의 블루 광을 인가받아 레드 형광을 발산하는 레드 형광체;를 더 포함하고, 상기 제 3 발광 장치는, 상기 제 3 LED 칩의 블루 광을 인가받아 그린 형광을 발산하는 그린 형광체;를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip are blue LED chips, and the second light emitting device emits blue light of the second LED chip And a red phosphor emitting red fluorescence, wherein the third light emitting device further comprises a green phosphor which emits green fluorescence by receiving the blue light of the third LED chip.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 레드 형광체 및 상기 그린 형광체는, 상기 제 2 LED 칩과 상기 제 3 LED 칩 각각에 접착되는 접착 시트 또는 상기 제 2 LED 칩과 상기 제 3 LED 칩 각각에 도포되는 도포층일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the red phosphor and the green phosphor are coated on the adhesive sheet bonded to the second LED chip and the third LED chip, respectively, or on the second LED chip and the third LED chip, respectively Or the like.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판은, 상기 제 1 발광 장치의 개별적인 디밍(dimming) 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 1-1 전극 및 제 1-2 전극; 상기 제 2 발광 장치의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 2 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 2-1 전극 및 제 2-2 전극; 및 상기 제 3 발광 장치의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 3 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 3-1 전극 및 제 3-2 전극;을 포함할 수 있다.In addition, according to an aspect of the present invention, the substrate may include a first electrode connected to the first electrode and a second electrode of the first light emitting device so as to enable individual dimming control of the first light emitting device, And a 1-2 electrode; A second-first electrode and a second-second electrode respectively connected to the first electrode and the second electrode of the second light emitting device so as to enable individual dimming control of the second light emitting device; And a third-1 electrode and a third-second electrode respectively connected to the first electrode and the second electrode of the third light emitting device so as to enable individual dimming control of the third light emitting device.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판은, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치의 동시 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치의 제 1 전극과, 상기 제 2 발광 장치의 제 1 전극 및 상기 제 3 발광 장치의 제 1 전극에 연결되는 제 1 통합 전극; 및 상기 제 1 발광 장치의 제 2 전극과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 전극 및 상기 제 3 발광 장치의 제 2 전극에 연결되는 제 2 통합 전극;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the substrate may include a first electrode of the first light emitting device and a second electrode of the first light emitting device so that the first light emitting device, the second light emitting device, A first integrated electrode connected to the first electrode of the second light emitting device and the first electrode of the third light emitting device; And a second integrated electrode connected to a second electrode of the first light emitting device, a second electrode of the second light emitting device, and a second electrode of the third light emitting device.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광 경로 안내 부재는, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치가 안착된 안착면의 테두리를 둘러싸고, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치의 상방을 개방시킨 형태의 개구가 형성되는 봉지재일 수 있다.Further, according to an aspect of the present invention, the optical path guide member surrounds the rim of the seating surface on which the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device are placed, And the second light emitting device and the third light emitting device are opened.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 서로 나란하게 3열 배치되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device may be arranged in three rows side by side.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 삼각을 이루어서 3점 배치되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device may be arranged at three points with a triangular shape.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 각각 복수개가 설치되고, 교대로 원형을 이루어서 다점 배치되는 것일 수 있다.Further, according to the idea of the present invention, a plurality of the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device may be respectively provided and alternately arranged in a circular shape and multipoint.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 백라이트유닛은, 기판; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광을 발생시키는 제 1 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광을 발생시키는 제 2 발광 장치; 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광을 발생시키는 제 3 발광 장치; 및 상기 제 1 발광 장치의 제 1 색 광과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 색 광 및 상기 제 3 발광 장치의 제 3 색 광이 혼합되어 제 4 색 광으로 변환되도록 상기 기판의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면을 둘러싸는 형상으로 형성되는 광 경로 안내 부재;를 포함하고, 상기 제 1 발광 장치는, 제 1 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 2 발광 장치는, 제 2 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 3 발광 장치는, 제 3 LED 칩;을 포함하고, 상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 플립칩 형태일 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit having a light emitting device package, the backlight unit including: a substrate; A first light emitting device mounted at a first position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the first light emitting device generating a first color light; A second light emitting device mounted on a second location of the substrate to be electrically connected to the substrate, the second light emitting device generating a second color light; A third light emitting device mounted at a third position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the third light emitting device generating a third color light; And the first color light of the first light emitting device, the second color light of the second light emitting device, and the third color light of the third light emitting device are mixed to be converted into the fourth color light, And a light path guide member formed to surround the seating surface including the first position, the second position, and the third position, wherein the first light emitting device includes a first LED chip, The second light emitting device includes a second LED chip, and the third light emitting device includes a third LED chip, and the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip May be in the form of a flip chip.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 플립칩을 사용하여 와이어를 생략하고, 칩에 접착 시트나 도포층 형태의 형광체를 직접 접촉시키며, 칩들을 삼각 배치 또는 원형 배치하여 색변환율을 크게 향상시키고, 각각의 칩들을 개별 제어하여 컬러 디밍(dimming) 및 색 연출을 가능하게 하며, 출력되는 광 주파수의 반치폭을 넓게 하여 광량과 광효율을 크게 높여서 시인성이 좋은 빠찡코 게임 등의 디스플레이 용도로 활용할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, a wire is omitted using a flip chip, a chip is directly contacted with an adhesive sheet or a phosphor in the form of a coating layer, and the chips are arranged in a triangular arrangement or a circle, For dimming and color rendering by individually controlling each chip and by broadening the half width of the output optical frequency to thereby greatly increase the light quantity and the light efficiency, It has an effect that can be utilized. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 IV-IV 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 3의 다른 일례에 따른 접착 시트를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 4의 다른 일례에 따른 접착 시트를 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 다양한 전극 배치 형태를 나타내는 평면도들이다.
도 11은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
2 is a plan view of the light emitting device package of FIG.
3 is a cross-sectional view showing a III-III cross-sectional view of the light emitting device package of FIG.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package of FIG. 1 taken along line IV-IV.
5 is a plan view illustrating a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another example of Fig.
7 is a cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another example of Fig.
Figs. 8 to 10 are plan views showing various electrode arrangements. Fig.
11 is a plan view showing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 IV-IV 절단면을 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light
먼저, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 기판(10)과, 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2)와, 제 3 발광 장치(E3) 및 광 경로 안내 부재(30)를 포함할 수 있다.1 to 4, a light
여기서, 상기 기판(10)은, 상술된 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)와 전기적으로 연결되는 것으로서, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2)와, 제 3 발광 장치(E3) 및 광 경로 안내 부재(30)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 전도성을 갖는 재료나 절연성 재료로도 제작될 수 있다.The
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)를 개별적으로 제어할 수 있도록 전극분리선을 기준으로 복수개의 전극쌍들로 나누어져서 구성되는 구리나 알루미늄 등의 금속재질인 리드프레임일 수 있다.For example, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은, 한 쌍의 제 1-1 전극(11-1) 및 제 1-2 전극(11-2), 한 쌍의 제 2-1 전극(12-1) 및 제 2-2 전극(12-2) 및 한 쌍의 제 3-1 전극(13-1) 및 제 3-2 전극(13-2)을 포함할 수 있다.More specifically, for example, as shown in FIGS. 1 to 4, the
도 2에 도시된 바와 같이, 이러한, 상기 제 1-1 전극(11-1) 및 제 1-2 전극(11-2)은, 제 1 콘트롤러(CTL1)를 이용하여 상기 제 1 발광 장치(E1)의 개별적인 디밍(dimming) 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 1 전극(B1) 및 제 2 전극(B2)에 각각 연결될 수 있다.2, the first 1-1 electrode 11-1 and the 1-2 first electrode 11-2 are connected to the first light emitting device E1 (1) by using the first controller CTL1, The first electrode B1 and the second electrode B2 of the first light emitting device E1 may be connected to the first electrode B1 and the second electrode B2, respectively.
또한, 상기 제 2-1 전극(12-1) 및 제 2-2 전극(12-2)은, 제 2 콘트롤러(CTL2)를 이용하여 상기 제 2 발광 장치(E2)의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 1 전극(B1) 및 제 2 전극(B2)에 각각 연결될 수 있다.The second-first electrode 12-1 and the second-second electrode 12-2 are controlled so that the individual dimming control of the second light emitting device E2 can be performed using the second controller CTL2 May be respectively connected to the first electrode (B1) and the second electrode (B2) of the second light emitting device (E2).
또한, 상기 제 3-1 전극(13-1) 및 제 3-2 전극(13-2)은, 제 3 콘트롤러(CTL3)를 이용하여 상기 제 3 발광 장치(E3)의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 1 전극(B1) 및 제 2 전극(B2)에 각각 연결될 수 있다.The third-first electrode 13-1 and the third-second electrode 13-2 are controlled so that the individual dimming control of the third light emitting device E3 can be performed using the third controller CTL3 May be connected to the first electrode (B1) and the second electrode (B2) of the third light emitting device (E3), respectively.
따라서, 상술된 상기 제 1 콘트롤러(CTL1)와, 상기 제 2 콘트롤러(CTL2) 및 상기 제 3 콘트롤러(CTL3)를 이용하면, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)들 각각을 개별적으로 디밍(dimming)하여 다양한 색상이나 밝기로 색을 혼합하여 연출할 수 있다.Therefore, when the first controller CTL1, the second controller CTL2, and the third controller CTL3 are used, the first light emitting device E1, the second light emitting device E2, The third light emitting devices E3 may be individually dimmed so that the colors can be mixed and displayed in various colors or brightness.
한편, 상기 기판(10)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)를 외부 전원과 연결시키도록 각종 배선층이 형성되는 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.On the other hand, the
이외에도, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있고, 이외에도 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The
또한, 상기 기판(10)에는 도시하지 않았지만 배선층이 전도층 패턴의 형태로 설치될 수 있다. 이러한 배선층은 열전도성이 우수하고 비교적 저렴한 재질인 구리, 알루미늄 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, although not shown in the figure, the wiring layer may be provided in the form of a conductive layer pattern. The wiring layer may be made of at least one selected from copper, aluminum, and combinations thereof, which are excellent in thermal conductivity and relatively inexpensive materials.
이 때, 이러한 패턴 형성 방법은 열압착 가공, 도금 가공, 접착 가공, 스퍼터링 가공이나, 기타 식각 가공, 프린팅 가공, 스프레이 가공 등의 방법이 이용될 수 있다.At this time, such a pattern forming method may be thermocompression processing, plating processing, adhesive processing, sputtering processing, other etching processing, printing processing, spray processing and the like.
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광 장치(E1)는, 상기 기판(10)과 전기적으로 연결되도록 상기 기판(10)의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광(L1)을 발생시키는 장치로서, 제 1 LED 칩(C1)을 포함할 수 있다.1 to 4, the first light emitting device E1 is mounted at a first position of the
또한, 상기 제 2 발광 장치(E2)는, 상기 기판(10)과 전기적으로 연결되도록 상기 기판(10)의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광(L2)을 발생시키는 장치로서, 제 2 LED 칩(C2)을 포함할 수 있다.The second light emitting device E2 is mounted on the
또한, 상기 제 3 발광 장치(E3)는, 상기 기판(10)과 전기적으로 연결되도록 상기 기판(10)의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광(L3)을 발생시키는 장치로서, 제 3 LED 칩(C3)을 포함할 수 있다.The third light emitting device E3 is mounted at a third position of the
여기서, 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)은 와이어가 필요 없는 플립칩 형태일 수 있다.Here, the first LED chip C1, the second LED chip C2, and the third LED chip C3 may be in the form of a flip chip that does not require wires.
또한, 예를 들어서, 생산성, 조립성, 단가 등을 고려하여 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)은 모두 동일 파장의 빛을 발생시키는 칩들을 적용할 수 있는 것으로서, 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)은 블루 LED 칩(B)일 수 있다.For example, the first LED chip C1, the second LED chip C2, and the third LED chip C3 all have the same wavelength in consideration of productivity, assemblability, unit cost, and the like The first LED chip C1, the second LED chip C2, and the third LED chip C3 may be a blue LED chip B, as shown in FIG.
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 발광 장치(E2)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)의 블루 광을 인가받아 레드 형광을 발산하는 레드 형광체(RP)를 더 포함하고, 상기 제 3 발광 장치(E3)는, 상기 제 3 LED 칩(C3)의 블루 광을 인가받아 그린 형광을 발산하는 그린 형광체(GP)를 더 포함할 수 있다.1 to 4, the second light emitting device E2 further includes a red phosphor (RP) that emits red fluorescence by receiving the blue light of the second LED chip C2 The third light emitting device E3 may further include a green phosphor GP that emits blue light of the third LED chip C3 and emits green fluorescence.
더욱 구체적으로 예시하면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 레드 형광체(RP) 및 상기 그린 형광체(GP)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3) 각각에 접착되는 접착 시트(SH)일 수 있다.3 and 4, the red phosphor RP and the green phosphor GP are formed on the second LED chip C2 and the third LED chip C3, respectively, (SH) to be adhered to the adhesive sheet (SH).
이외에도, 상기 레드 형광체(RP) 및 상기 그린 형광체(GP)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3) 각각에 도포되는 도포층일 수 있다.In addition, the red phosphor RP and the green phosphor GP may be coating layers applied to the second LED chip C2 and the third LED chip C3, respectively.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 작동 과정을 설명하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 상기 제 1 발광 장치(E1)는 상기 제 1 LED 칩(C1)에서 발생되는 블루 광 계열의 제 1 색 광(L1)을 발생시킬 수 있다.4, the operation of the light emitting
또한, 상기 제 2 발광 장치(E2)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)에서 발생되는 블루 광 계열의 빛을 상기 레드 형광체(RP)를 이용하여 다시 레드 광 계열의 제 2 색 광(L2)을 발생시킬 수 있다.The second light emitting device E2 emits light of the blue light system generated from the second LED chip C2 to the second color light L2 of the red light system by using the red phosphor RP, Can be generated.
또한, 상기 제 3 발광 장치(E3)는, 상기 제 3 LED 칩(C3)에서 발생되는 역시 블루 광 계열의 빛을 상기 그린 형광체(GP)를 이용하여 다시 그린 광 계열의 제 3 색 광(L3)을 발생시킬 수 있다.The third light emitting device E3 also emits light of the blue light system generated from the third LED chip C3 to the third color light L3 Can be generated.
그러므로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 1 색 광(L1)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 2 색 광(L2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 3 색 광(L3)이 RGB로 혼합되어 제 4 색 광(L4)인 백색 또는 주광색으로 색변환될 수 있다.4, the first color light L1 of the first light emitting device E1, the second color light L2 of the second light emitting device E2, and the third color light L2 of the second light emitting device E2, The third color light L3 of the third color light E3 may be mixed into RGB and converted into a white color or a daylight color of the fourth color light L4.
여기서, 상기 제 1 발광 장치(E1)의 블루 광은, 비교적 널리 보급되어 저렴한 단가를 형성하고 있는 블루 LED 칩에서 발생된 빛을 그대로 이용하는 것으로서, 주파수의 반치폭이 좁아서 색재현성이 좋아 디스플레이 용도로 좋으나 광효율이 다소 낮을 수 있다. 하지만, 블루 광은 시인성이 우수하여 다소 낮은 광효율로도 우수한 식별력을 갖을 수 있다.Here, the blue light of the first light emitting device E1 is relatively widely used and utilizes the light generated from the blue LED chip forming a cheap unit price as it is. Since the half width of the frequency is narrow, The light efficiency may be somewhat low. However, blue light is excellent in visibility and can have excellent discriminating power even at a low light efficiency.
또한, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 레드 광은, 값비싼 레드 칩을 사용하지 않고도, 비교적 널리 보급되어 저렴한 단가를 형성하고 있는 블루 LED 칩에서 발생된 빛을 그대로 이용하지 않고, 이를 상기 레드 형광체(RP)로 주파수의 반치폭이 넓은 형광으로 변환하여 사용하는 것으로서, 광효율이 높아서 우수한 식별력을 갖을 수 있다.Further, the red light of the second light emitting device E2 can be formed by using the light emitted from the blue LED chip, which is relatively widespread and inexpensive, without using expensive red chips, It is converted into fluorescence having a half full width of the frequency by using the phosphor (RP) and used. As a result, the optical efficiency is high and excellent discrimination power can be obtained.
또한, 상기 제 3 발광 장치(E3)의 그린 광은, 값비싼 그린 칩을 사용하지 않고도, 비교적 널리 보급되어 저렴한 단가를 형성하고 있는 블루 LED 칩에서 발생된 빛을 그대로 이용하지 않고, 이를 상기 그린 형광체(GP)로 주파수의 반치폭이 넓은 형광으로 변환하여 사용하는 것으로서, 광효율이 높아서 우수한 식별력을 갖을 수 있다.Further, the green light of the third light emitting device E3 can be obtained without using a costly green chip, without using the light generated from the blue LED chip which is relatively widespread and low cost, It is converted into fluorescence having a half full width of the frequency by using the phosphor (GP), and it is high in light efficiency and can have excellent discrimination power.
한편, 상술된 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)은, 모두 동일한 파장의 블루 광을 방출하는 발광 소자일 수 있다. Meanwhile, the first LED chip C1, the second LED chip C2, and the third LED chip C3 described above may all be light emitting devices emitting blue light of the same wavelength.
여기서, 또한, 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)은 상기 기판(10)에 안착되는 것으로서, 도 1에서는 상기 기판(10) 위에 3개의 칩들이 안착된 상태를 예시하였다.1, the first LED chip C1, the second LED chip C2, and the third LED chip C3 are mounted on the
이외에도, 상기 기판(10)에는 복수개의 칩들이 안착될 수 있다. In addition, a plurality of chips may be mounted on the
이러한, 상기 발광 소자는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.The light emitting device may be formed of a semiconductor. For example, LEDs of blue, green, red, and yellow light emission, and LEDs of ultraviolet light emission, which are made of a nitride semiconductor, can be applied. The nitride semiconductor is represented by a general formula Al x Ga y In z N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? Z? 1, x + y + z = 1).
또한, 상기 발광 소자는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The light emitting element is formed by epitaxially growing a nitride semiconductor such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, or InGaAlN on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD can do. The light emitting device 20 may be formed using semiconductors such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP in addition to the nitride semiconductor. These semiconductors can be stacked in the order of an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting layer (active layer) may be a laminated semiconductor having a multiple quantum well structure or a single quantum well structure or a laminated semiconductor having a double hetero structure. In addition, the light emitting device 20 can be selected to have an arbitrary wavelength depending on the application such as display use and illumination use.
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO,
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있다.Further, although not shown, the light emitting element may be a flip chip type light emitting element having a signal transmitting medium such as a bump, a pad, or a solder.
한편, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 1 색 광(L1)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 2 색 광(L2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 3 색 광(L3)이 혼합되어 제 4 색 광(L4)으로 변환되도록 상기 기판(10)의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면(10a)을 둘러싸는 형상으로 형성될 수 있다.On the other hand, the light path guide
여기서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)가 안착된 안착면(10a)의 테두리를 둘러싸고, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 상방을 개방시킨 형태의 개구(30a)가 형성되고, 경사면(31)이 형성되는 광 반사성 봉지재 또는 화이트 봉지재 또는 투명 봉지재일 수 있다.1 to 4, the light path guide
여기서, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 기판(10)에 설치되는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 상기 발광 소자의 빛의 경로에 설치될 수 있다.1, the light path guide
또한, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 예를 들어서, 전체적으로 상면이 오목한 사각블록 형상일 수 있다. 이외에도 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 원형 블록, 삼각기둥 블록, 사각기둥 블록, 오각기둥 블록, 육각기둥 형상, 다각기둥 형상, 타원기둥 형상, 복합기둥 형상, 기하학적 형상 등 매우 다양한 형태일 수 있다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 상기 광 경로 안내 부재(30)의 형상은 도 1에 도시된 형상으로 국한되는 것은 아니다.1, the optical path guide
또한, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 상기 기판(10)에 몰딩 성형되거나, 디스펜싱 또는 스크린 프린팅될 수 있다.Further, the optical path guide
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the optical path guide
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 반사 물질을 함유시킬 수 있다. 즉, 상술된 바와 같이, 상기 광 경로 안내 부재(30)는, 반사성 이거나 투광성 봉지재일 수 있다.It is also possible to add a light reflective reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, . That is, as described above, the light path guide
또한, 이러한 상기 광 경로 안내 부재(30)의 형상은 매우 다양할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 상기 광 경로 안내 부재(30)의 형상은 도 1에 도시된 형상으로 국한되는 것은 아니다.In addition, the shape of the light path guide
또한, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 정전기나 전자파에 의해서 발광 소자에 발생되는 피해를 줄이기 위해서 상기 기판(10)에 별도의 제 1 제너 칩(Z1)(zener diode)과, 제 2 제너 칩(Z2)과 및 제 3 제너 칩(Z3)을 설치할 수 있다.The light emitting
예를 들어서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 제너 칩(Z1)은, 한 쌍의 상기 제 1-1 전극(11-1) 및 제 1-2 전극(11-2)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 제너 칩(Z2)은, 한 쌍의 상기 제 2-1 전극(12-1) 및 제 2-2 전극(12-2)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제 3 제너 칩(Z3)은, 한 쌍의 상기 제 3-1 전극(13-1) 및 제 3-2 전극(13-2)과 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIGS. 1 to 4, the first zener chip Z1 includes a pair of the first 1-1 electrode 11-1 and the 1-2 first electrode 11-2, And the second zener chip Z2 may be electrically connected to the pair of the second-first electrodes 12-1 and the second-second electrodes 12-2, The third zener chip Z3 may be electrically connected to a pair of the third-first electrode 13-1 and the third-second electrode 13-2.
따라서, 상기 제 1 제너 칩(Z1)과, 제 2 제너 칩(Z2)과 및 제 3 제너 칩(Z3)을 이용하여, 상술된 상기 제 1 LED 칩(C1)과, 상기 제 2 LED 칩(C2) 및 상기 제 3 LED 칩(C3)들을 정전기나 전자파로부터 안전하게 보호할 수 있다.Therefore, by using the first LED chip C1 and the second LED chip C1 described above using the first zener chip Z1, the second zener chip Z2 and the third zener chip Z3, C2 and the third LED chips C3 can be safely protected from static electricity or electromagnetic waves.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)는 서로 나란하게 3열 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)들 각각은 길이 방향이 서로 동일하여 일렬로 나란히 배치되거나, 길이 방향이 서로 상이하게 배치될 수도 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 2, the first light emitting device E1, the second light emitting device E2, and the third light emitting device E3 may be arranged in three rows side by side. Here, the first light emitting device E1, the second light emitting device E2, and the third light emitting device E3 may be arranged in a row in the same direction in the longitudinal direction, .
도 5는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a light emitting
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)는 삼각을 이루어서 3점 배치될 수 있다.As shown in FIG. 5, the first light emitting device E1, the second light emitting device E2, and the third light emitting device E3 may be arranged at three points with a triangle.
따라서, 이러한 삼각 배치 방식은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 사이의 거리 및 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 3 발광 장치(E3) 사이의 거리가 일렬 배치 방식 보다 더 가까울 수 있다.Therefore, in the triangular arrangement method, the distance between the first light emitting device E1 and the second light emitting device E2 and the distance between the first light emitting device E1 and the third light emitting device E3 The distance may be closer than the array method.
그러므로, 각 발광 장치들 간의 거리가 가까울 수록 색혼합에 유리하기 때문에 이러한 삼각 배치 방식을 이용한 본 발명의 발광 소자 패키지들은 색혼합에 유리하여 색표현력을 향상시키고, 정밀하고 섬세한 색표현이 가능하다.Therefore, the closer the distance between the light emitting devices is, the more advantageous for color mixing. Therefore, the light emitting device packages of the present invention using such a triangular arrangement method are advantageous for color mixing, thereby enhancing color expressing power and enabling accurate and delicate color representation.
도 6은 도 3의 다른 일례에 따른 접착 시트(SH)를 나타내는 단면도이고, 도 7은 도 4의 다른 일례에 따른 접착 시트(SH)를 나타내는 단면도이다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing an adhesive sheet SH according to another example of Fig. 3, and Fig. 7 is a cross-sectional view showing an adhesive sheet SH according to another example of Fig.
먼저, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 레드 형광체(RP)나 상기 그린 형광체(GP)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3)의 상면에 각각에 접착되는 상면 접착 시트(SH-1)를 갖는 접착 시트(SH)의 형태로 이루어질 수 있다.3 and 4, the red phosphor RP and the green phosphor GP are formed on the upper surfaces of the second LED chip C2 and the third LED chip C3, respectively, May be in the form of an adhesive sheet (SH) having an upper surface adhesive sheet (SH-1) to be adhered.
이외에도, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 레드 형광체(RP)나 상기 그린 형광체(GP)는, 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3)의 상면에 각각에 접착되는 상면 접착 시트(SH-1) 및 측면에 각각 접착되는 측면 접착 시트(SH-2)를 갖는 접착 시트(SH)의 형태로 이루어질 수 있다.6 and 7, the red phosphor RP and the green phosphor GP are formed on the upper surfaces of the second LED chip C2 and the third LED chip C3, respectively, May be in the form of an adhesive sheet SH having an upper surface adhesive sheet SH-1 to be adhered and a side adhesive sheet SH-2 adhered to the side surface, respectively.
여기서, 이러한 상기 접착 시트(SH)는 서로 별도로 재단되어 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3)의 상면 및 측면에 각각 별도로 접착되거나, 상기 제 2 LED 칩(C2)과 상기 제 3 LED 칩(C3)이 삽입될 수 있는 홈을 상기 접착 시트(SH)에 형성하여 동시에 접착되는 것도 가능하다.The adhesive sheet SH may be separately cut and adhered separately to the upper surface and the side surface of the second LED chip C2 and the third LED chip C3, A groove into which the third LED chip (C3) can be inserted is formed on the adhesive sheet (SH) and bonded together at the same time.
이러한, 상기 레드 형광체(RP)나 상기 그린 형광체(GP)는, 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.The red phosphors (RP) and the green phosphors (GP) may have the following composition formula and color.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.As a substitute for the phosphor, materials such as a quantum dot may be used. Alternatively, a fluorescent material and QD may be mixed with the LED or used alone.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Regand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the fluorescent material or the quantum dot may include at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the material in a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent material .
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
도 8 내지 도 10은 다양한 전극 배치 형태를 나타내는 평면도들이다.Figs. 8 to 10 are plan views showing various electrode arrangements. Fig.
도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)(400)(500)들의 기판(10)은, 제 1 통합 전극(14-1) 및 제 2 통합 전극(14-2)을 포함할 수 있다.8 to 10, the
여기서, 상기 제 1 통합 전극(14-1)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 동시 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 1 전극(B1)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 1 전극(B1) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 1 전극(B1)에 연결되는 전극일 수 있다.The first integrated electrode 14-1 is connected to the first light emitting device E1 and the second light emitting device E2 so that the first light emitting device E1 and the second light emitting device E2 and the third light emitting device E3 can be simultaneously controlled. An electrode connected to the first electrode B1 of the light emitting device E1 and the first electrode B1 of the second light emitting device E2 and the first electrode B1 of the third light emitting device E3 .
또한, 상기 제 2 통합 전극(14-2)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 2 전극(B2)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 2 전극(B2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 2 전극(B2)에 연결되는 전극일 수 있다.The second integrated electrode 14-2 is connected to the second electrode B2 of the first light emitting device E1 and the second electrode B2 of the second light emitting device E2, And an electrode connected to the second electrode B2 of the light emitting device E3.
따라서, 상기 제 1 통합 전극(14-1) 및 제 2 통합 전극(14-2)과 연결된 콘트롤러(미도시)를 이용하여 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)들 모두를 통합적으로 디밍(dimming)하여 다양한 밝기로 연출할 수 있다.Therefore, the first light emitting device E1, the second light emitting device E2, and the second light emitting device E2 are connected to each other using a controller (not shown) connected to the first integrated electrode 14-1 and the second integrated electrode 14-2. All of the third light emitting devices E3 can be integrally dimmed to produce various brightness.
도 11은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(600)를 나타내는 평면도이다.11 is a plan view illustrating a light emitting
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(600)는, 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)가 각각 3개씩 총 9개가 복수개가 설치되고, 이 것들이 교대로 원형을 이루어서 다점 배치될 수 있다.11, a light emitting
이 때, 상기 발광 소자 패키지(600)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 제 2 발광 장치(E2) 및 제 3 발광 장치(E3)들을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있도록 제 1 통합 전극(15-1) 및 제 2 통합 전극(15-2)을 포함할 수 있다.At this time, the light emitting
여기서, 상기 제 1 통합 전극(15-1)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 동시 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 1 전극(B1)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 1 전극(B1) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 1 전극(B1)에 연결되는 전극일 수 있다.Here, the first integrated electrode 15-1 may include a first integrated electrode 15-1 and a second integrated electrode 15-2 so that the first light emitting device E1 and the second light emitting device E2 and the third light emitting device E3 can be simultaneously controlled. An electrode connected to the first electrode B1 of the light emitting device E1 and the first electrode B1 of the second light emitting device E2 and the first electrode B1 of the third light emitting device E3 .
또한, 상기 제 2 통합 전극(15-2)은, 상기 제 1 발광 장치(E1)의 제 2 전극(B2)과, 상기 제 2 발광 장치(E2)의 제 2 전극(B2) 및 상기 제 3 발광 장치(E3)의 제 2 전극(B2)에 연결되는 전극일 수 있다. 이외에도 도시하지 않았지만, 각 발광 장치들과 각각 개별적으로 연결되는 개별 전극들도 적용될 수 있다. The second integrated electrode 15-2 is connected to the second electrode B2 of the first light emitting device E1 and the second electrode B2 of the second light emitting device E2, And an electrode connected to the second electrode B2 of the light emitting device E3. Although not shown in the drawing, individual electrodes individually connected to the respective light emitting devices can also be applied.
따라서, 이러한 원형 배치 방식은, 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 2 발광 장치(E2) 사이의 거리 및 상기 제 1 발광 장치(E1)와, 상기 제 3 발광 장치(E3) 사이의 거리가 일렬 배치 방식 보다 더 가까울 수 있다.Therefore, in this circular arrangement method, the distance between the first light emitting device E1 and the second light emitting device E2 and the distance between the first light emitting device E1 and the third light emitting device E3 The distance may be closer than the array method.
그러므로, 각 발광 장치들 간의 거리가 가까울 수록 색혼합에 유리하기 때문에 이러한 삼각 배치 방식을 이용한 본 발명의 발광 소자 패키지들은 색혼합에 유리하여 색표현력을 향상시키고, 정밀하고 섬세한 색표현이 가능하다.Therefore, the closer the distance between the light emitting devices is, the more advantageous for color mixing. Therefore, the light emitting device packages of the present invention using such a triangular arrangement method are advantageous for color mixing, thereby enhancing color expressing power and enabling accurate and delicate color representation.
한편, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 백라이트유닛은, 도 1 내지 도 11에서 설명된 상기 발광 소자 패키지들을 선택적으로 포함할 수 있는 것으로 상세한 설명은 생략한다.Meanwhile, a backlight unit having a light emitting device package according to some embodiments of the present invention may selectively include the light emitting device packages described in FIGS. 1 to 11, and a detailed description thereof will be omitted.
또한, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 백라이트유닛은, 도시하지 않았지만, 도광판을 더 포함할 수 있다.In addition, the backlight unit having the light emitting device package according to some embodiments of the present invention may further include a light guide plate (not shown).
여기서, 상기 도광판은, 상기 발광 장치(E1)(E2)(E3)들에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 장치(E1)(E2)(E3)들에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달하는 것으로서, 그 재질은, 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열을 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.Here, the light guide plate is installed in a path of light generated in the light emitting devices E1, E2, and E3, so that light emitted from the light emitting devices E1, E2, , And the material is polycarbonate series, polysulfone series, polyacrylate series, polystyrene series, polyvinyl chloride series, polyvinyl alcohol series, polynorbornene series, polyester, and the like. A translucent resin-based material can be applied. Further, the light guide plate may be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, or the like on the surface, or forming fine bubbles therein.
이러한 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 백라이트유닛은, 상기 발광 장치(E1)(E2)(E3)들이 상기 도광판의 하방에 설치되는 직하형 백라이트 유닛이거나, 상기 발광 장치(E1)(E2)(E3)들이 상기 도광판의 에지부분에 설치되는 에지형 백라이트 유닛일 수 있다.The backlight unit having the light emitting device package according to some embodiments of the present invention may be a direct type backlight unit in which the light emitting devices E1, E2, and E3 are installed below the light guide plate, ) E2 and E3 are provided at edge portions of the light guide plate.
그러므로, 본 발명에 따르면, 상기 발광 장치(E1)(E2)(E3)들에 비교적 저렴한 블루 LED인 플립칩을 사용하여 와이어를 생략하고, 칩에 접착 시트나 도포층 형태의 형광체를 직접 접촉시키며, 칩들을 삼각 배치 또는 원형 배치하여 색변환율을 크게 향상시키고, 각각의 칩들을 개별 제어하여 컬러 디밍(dimming) 및 색 연출을 가능하게 하며, 출력되는 광 주파수의 반치폭을 넓게 하여 광량과 광효율을 크게 높여서 시인성이 좋은 빠찡코 게임 등의 디스플레이 용도로 활용할 수 있다.Therefore, according to the present invention, a wire is omitted using a flip chip which is a relatively inexpensive blue LED for the light emitting devices (E1), (E2) and (E3), and the chip is directly contacted with the adhesive sheet or the phosphor in the form of a coating layer , The chips are arranged in a triangular arrangement or a circular shape to greatly improve the color conversion rate, and each chip is individually controlled to enable color dimming and color rendering, and the half width of the output optical frequency is widened to increase the light quantity and the light efficiency And can be used for display purposes such as a Pachinko game with high visibility.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 기판
10a: 안착면
11-1: 제 1-1 전극
11-2: 제 1-2 전극
12-1: 제 2-1 전극
12-2: 제 2-2 전극
13-1: 제 3-1 전극
13-2: 제 3-2 전극
14-1: 제 1 통합 전극
14-2: 제 2 통합 전극
15-1: 제 1 통합 전극
15-2: 제 2 통합 전극
L1: 제 1 색 광
L2: 제 2 색 광
L3: 제 3 색 광
L4: 제 4 색 광
E1: 제 1 발광 장치
E2: 제 2 발광 장치
E3: 제 3 발광 장치
30: 광 경로 안내 부재
30a: 개구
31: 경사면
C1: 제 1 LED 칩
C2: 제 2 LED 칩
C3: 제 3 LED 칩
Z1: 제 1 제너 칩
Z2: 제 2 제너 칩
Z3: 제 3 제너 칩
B: 블루 LED 칩
RP: 레드 형광체
GP: 그린 형광체
SH: 접착 시트
SH-1: 상면 접착 시트
SH-2: 측면 접착 시트
CTL1: 제 1 콘트롤러
CTL2: 제 2 콘트롤러
CTL3: 제 3 콘트롤러
B1: 제 1 전극
B2: 제 2 전극
100, 200, 300, 400, 500, 600: 발광 소자 패키지10: substrate
10a:
11-1: 1-1 electrode
11-2: 1-2 electrode
12-1: electrode 2-1
12-2: electrode 2-2
13-1: Electrode No. 3-1
13-2: electrode 3-2
14-1: first integrated electrode
14-2: second integrated electrode
15-1: first integrated electrode
15-2: second integrated electrode
L1: first color light
L2: second color light
L3: Third color light
L4: fourth color light
E1: First light emitting device
E2: Second light emitting device
E3: Third light emitting device
30: Optical path guide member
30a: opening
31:
C1: 1st LED chip
C2: second LED chip
C3: Third LED chip
Z1: 1st Zener chip
Z2: Second Zener chip
Z3: Third Zener chip
B: Blue LED chip
RP: Red phosphor
GP: green phosphor
SH: adhesive sheet
SH-1: Top Adhesive Sheet
SH-2: Side Adhesive Sheet
CTL1: first controller
CTL2: Second controller
CTL3: Third controller
B1: first electrode
B2: Second electrode
100, 200, 300, 400, 500, 600: Light emitting device package
Claims (11)
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광을 발생시키는 제 1 발광 장치;
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광을 발생시키는 제 2 발광 장치;
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광을 발생시키는 제 3 발광 장치; 및
상기 제 1 발광 장치의 제 1 색 광과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 색 광 및 상기 제 3 발광 장치의 제 3 색 광이 혼합되어 제 4 색 광으로 변환되도록 상기 기판의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면을 둘러싸는 형상으로 형성되는 광 경로 안내 부재;를 포함하고,
상기 제 1 발광 장치는, 제 1 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 2 발광 장치는, 제 2 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 3 발광 장치는, 제 3 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 플립칩(flip chip) 형태인, 발광 소자 패키지.Board;
A first light emitting device mounted at a first position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the first light emitting device generating a first color light;
A second light emitting device mounted on a second location of the substrate to be electrically connected to the substrate, the second light emitting device generating a second color light;
A third light emitting device mounted at a third position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the third light emitting device generating a third color light; And
The first color light of the first light emitting device, the second color light of the second light emitting device, and the third color light of the third light emitting device are mixed to be converted into the fourth color light, And a light path guide member formed to surround the seating surface including the second position and the third position,
The first light emitting device includes a first LED chip,
The second light emitting device includes a second LED chip,
The third light emitting device includes a third LED chip,
Wherein the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip are in the form of a flip chip.
상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 모두 동일 파장의 빛을 발생시키는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip both generate light of the same wavelength.
상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 블루 LED 칩이고,
상기 제 2 발광 장치는, 상기 제 2 LED 칩의 블루 광을 인가받아 레드 형광을 발산하는 레드 형광체;를 더 포함하고,
상기 제 3 발광 장치는, 상기 제 3 LED 칩의 블루 광을 인가받아 그린 형광을 발산하는 그린 형광체;를 더 포함하는 것인, 발광 소자 패키지.3. The method of claim 2,
The first LED chip, the second LED chip and the third LED chip are blue LED chips,
The second light emitting device may further include a red phosphor emitting blue light of the second LED chip and emitting red fluorescence,
And the third light emitting device further comprises a green phosphor which emits green fluorescence upon receiving the blue light of the third LED chip.
상기 레드 형광체 및 상기 그린 형광체는, 상기 제 2 LED 칩과 상기 제 3 LED 칩 각각에 접착되는 접착 시트 또는 상기 제 2 LED 칩과 상기 제 3 LED 칩 각각에 도포되는 도포층인, 발광 소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the red phosphor and the green phosphor are an adhesive sheet adhered to each of the second LED chip and the third LED chip or a coating layer applied to each of the second LED chip and the third LED chip.
상기 기판은,
상기 제 1 발광 장치의 개별적인 디밍(dimming) 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 1-1 전극 및 제 1-2 전극;
상기 제 2 발광 장치의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 2 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 2-1 전극 및 제 2-2 전극; 및
상기 제 3 발광 장치의 개별적인 디밍 제어가 가능하도록 상기 제 3 발광 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극에 각각 연결되는 제 3-1 전극 및 제 3-2 전극;
을 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein:
A first 1-1 electrode and a 1-2 first electrode connected to the first electrode and the second electrode of the first light emitting device so as to enable individual dimming control of the first light emitting device;
A second-first electrode and a second-second electrode respectively connected to the first electrode and the second electrode of the second light emitting device so as to enable individual dimming control of the second light emitting device; And
A third-first electrode and a third-second electrode respectively connected to the first electrode and the second electrode of the third light-emitting device so as to enable individual dimming control of the third light-emitting device;
Emitting device package.
상기 기판은,
상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치의 동시 제어가 가능하도록 상기 제 1 발광 장치의 제 1 전극과, 상기 제 2 발광 장치의 제 1 전극 및 상기 제 3 발광 장치의 제 1 전극에 연결되는 제 1 통합 전극; 및
상기 제 1 발광 장치의 제 2 전극과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 전극 및 상기 제 3 발광 장치의 제 2 전극에 연결되는 제 2 통합 전극;
을 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein:
The first electrode of the first light emitting device and the first electrode of the second light emitting device and the third light emitting device of the second light emitting device are arranged so that the first light emitting device, A first integrated electrode connected to the first electrode of the first electrode; And
A second integrated electrode connected to a second electrode of the first light emitting device, a second electrode of the second light emitting device, and a second electrode of the third light emitting device;
Emitting device package.
상기 광 경로 안내 부재는,
상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치가 안착된 안착면의 테두리를 둘러싸고, 상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치의 상방을 개방시킨 형태의 개구가 형성되는 봉지재인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The optical path guide member
The first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device, and the second light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device, Wherein the light emitting device package is an encapsulant in which an opening of a predetermined shape is formed.
상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 서로 나란하게 3열 배치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device are arranged in three rows in parallel with each other.
상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 삼각을 이루어서 3점 배치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device are arranged at three points with a triangle.
상기 제 1 발광 장치와, 상기 제 2 발광 장치 및 상기 제 3 발광 장치는 각각 복수개가 설치되고, 교대로 원형을 이루어서 다점 배치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the first light emitting device, the second light emitting device, and the third light emitting device are provided, and are alternately arranged in a circle and multipoint.
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 1 위치에 안착되고, 제 1 색 광을 발생시키는 제 1 발광 장치;
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 2 위치에 안착되고, 제 2 색 광을 발생시키는 제 2 발광 장치;
상기 기판과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 제 3 위치에 안착되고, 제 3 색 광을 발생시키는 제 3 발광 장치; 및
상기 제 1 발광 장치의 제 1 색 광과, 상기 제 2 발광 장치의 제 2 색 광 및 상기 제 3 발광 장치의 제 3 색 광이 혼합되어 제 4 색 광으로 변환되도록 상기 기판의 상기 제 1 위치와, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치를 포함하는 안착면을 둘러싸는 형상으로 형성되는 광 경로 안내 부재;를 포함하고,
상기 제 1 발광 장치는, 제 1 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 2 발광 장치는, 제 2 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 3 발광 장치는, 제 3 LED 칩;을 포함하고,
상기 제 1 LED 칩과, 상기 제 2 LED 칩 및 상기 제 3 LED 칩은 플립칩(flip chip) 형태인, 발광 소자 패키지를 갖는 백라이트유닛.
Board;
A first light emitting device mounted at a first position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the first light emitting device generating a first color light;
A second light emitting device mounted on a second location of the substrate to be electrically connected to the substrate, the second light emitting device generating a second color light;
A third light emitting device mounted at a third position of the substrate to be electrically connected to the substrate, the third light emitting device generating a third color light; And
The first color light of the first light emitting device, the second color light of the second light emitting device, and the third color light of the third light emitting device are mixed to be converted into the fourth color light, And a light path guide member formed to surround the seating surface including the second position and the third position,
The first light emitting device includes a first LED chip,
The second light emitting device includes a second LED chip,
The third light emitting device includes a third LED chip,
Wherein the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip are in the form of a flip chip.
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