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KR20140117944A - Method of fabriciationg a membrane structure and an apparatus for culturing comprising the same - Google Patents

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KR20140117944A
KR20140117944A KR1020130032926A KR20130032926A KR20140117944A KR 20140117944 A KR20140117944 A KR 20140117944A KR 1020130032926 A KR1020130032926 A KR 1020130032926A KR 20130032926 A KR20130032926 A KR 20130032926A KR 20140117944 A KR20140117944 A KR 20140117944A
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KR
South Korea
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membrane
culture
etch stop
culture medium
cell
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020130032926A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이대식
양승경
박정원
정문연
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12MAPPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M23/00Constructional details, e.g. recesses, hinges
    • C12M23/20Material Coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C12MAPPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치는 배양액을 저장하는 배양액 저장부와 상기 배양액 저장부와 연결되고 상기 배양액을 공급하는 배양액 주입구를 포함하는 하부 구조체, 상기 하부 구조체 상에 상기 배양액 저장부에 인접하고 복수 개의 기공들을 통해 상기 배양액 저장부로부터 배양액을 흡수하는 멤브레인을 포함하는 멤브레인 구조체, 및 상기 멤브레인 구조체 상에 상기 멤브레인에 세포를 제공하는 세포 주입구와 상기 세포 주입구와 연결되고 상기 세포를 배출시키는 세포 배출구를 갖는 상부 구조체를 포함한다.A cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention includes a lower structure including a culture medium storage portion for storing a culture medium, a culture medium injection port connected to the culture medium storage portion and supplying the culture medium, And a membrane for absorbing the culture solution from the culture medium reservoir through a plurality of pores adjacent to the membrane structure; and a membrane electrode assembly including a cell inlet for providing cells to the membrane on the membrane structure, And an upper structure having a cell outlet.

Description

멤브레인 구조체의 제조 방법 및 멤브레인 구조체를 사용한 세포배양 장치{Method of fabriciationg a membrane structure and an apparatus for culturing comprising the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a membrane structure and a cell culture apparatus using the membrane structure,

본 발명은 미세 다공성 멤브레인 구조체의 제조 방법 및 멤브레인 구조체를 사용한 세포배양 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a microporous membrane structure and a cell culture apparatus using the membrane structure.

세포배양은 일반적으로 다세포 생물의 개체로부터 무균적으로 조직을 떼내서, 용기 내에서 배양 및 증식시키는 것이다. 세포배양 방법에 따라 단일 세포로부터 세포 집단의 배양, 작은 기관의 배양, 식물 조직의 배양, 및 동물 조직의 배양 등으로 나누어진다. 세포배양은 바이러스 백신의 제조, 신약 개발, 인공 기관 개발, 동물 세포의 유전자 조작 등에 의한 의약품 생산 또는 식물의 세포 융합에 의한 육종학 등의 다양한 분야에서 행해지고 있다. Cell culture is generally aseptically removed from a multicellular organism and cultured and propagated in the vessel. According to the cell culture method, the cell culture is divided into single cell culture, small organ culture, plant tissue culture, and animal tissue culture. Cell culture is performed in various fields such as production of antivirus, development of new drugs, development of artificial organs, production of medicines by gene manipulation of animal cells, or breeding by cell fusion of plants.

세포 배양을 위해서는 세포가 배양될 수 있는 일정한 공간과 세포에 영양분을 공급하는 배양액과 배양액을 저장하는 배양 저장 공간이 필요하다. 특히, 배양액, 가스물질, 및 자극물질들은 배양액 저장 공간에 주입되어 세포배양에 사용된 후, 세포조직을 신선한 상태로 유지하기 위해서, 적절한 주기로 교환해주어야 한다. Cell culture requires a certain space in which cells can be cultured, a culture medium that supplies nutrients to the cells, and a culture storage space that stores the culture medium. In particular, the culture medium, the gaseous substance, and the stimulating substance are injected into the culture medium storage space and used in the cell culture, and then exchanged at appropriate intervals to keep the cell tissue fresh.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 세포에 효과적인 배양액 공급이 가능한 멤브레인 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a membrane structure capable of supplying an effective culture medium to cells.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 효과적인 배양액 공급이 가능한 멤브레인 구조체를 포함하는 세포배양 장치에 관한 것이다.Another object of the present invention is to provide a cell culture apparatus including a membrane structure capable of supplying an effective culture liquid.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치는 배양액을 저장하는 배양액 저장부와 상기 배양액 저장부와 연결되고 상기 배양액을 공급하는 배양액 주입구를 포함하는 하부 구조체, 상기 하부 구조체 상에 상기 배양액 저장부에 인접하고 복수 개의 기공들을 통해 상기 배양액 저장부로부터 배양액을 흡수하는 멤브레인을 포함하는 멤브레인 구조체, 및 상기 멤브레인 구조체 상에 상기 멤브레인에 세포를 제공하는 세포 주입구와 상기 세포 주입구와 연결되고 상기 세포를 배출시키는 세포 배출구를 갖는 상부 구조체를 포함한다.A cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention includes a lower structure including a culture medium storage portion for storing a culture medium, a culture medium injection port connected to the culture medium storage portion and supplying the culture medium, And a membrane for absorbing the culture solution from the culture medium reservoir through a plurality of pores adjacent to the membrane structure; and a membrane electrode assembly including a cell inlet for providing cells to the membrane on the membrane structure, And an upper structure having a cell outlet.

상기 상부 구조체는 상기 멤브레인 상에 배치되고 세포 배양부를 구획하는 격벽을 더 포함할 수 있다.The upper structure may further include a partition disposed on the membrane and partitioning the cell culture section.

상기 격벽에 노출된 상기 멤브레인의 측벽은 상기 멤브레인의 하부면으로부터 수직인 형태, 테이퍼 형태, 또는 오목한 형태를 가질 수 있다.The side walls of the membrane exposed to the septum may have a vertical, tapered, or concave shape from the lower surface of the membrane.

상기 멤브레인 구조체는 상기 배양액 저장부의 양 옆에 상기 하부 구조체 상에 배치되어 멤브레인을 지지하는 지지대, 및 상기 지지대와 상기 멤브레인 사이에 개재된 식각 방지 패턴을 더 포함할 수 있다.The membrane structure may further include a support for supporting the membrane, the support structure being disposed on both sides of the culture solution reservoir and on the lower structure, and an etch stop pattern interposed between the support and the membrane.

상기 멤브레인은 1? 내지 20?의 두께를 가질 수 있다.The membrane is a 1? To 20 < RTI ID = 0.0 >. ≪ / RTI >

상기 기공들은 0.5? 내지 20?의 직경을 가질 수 있다.The pores are 0.5? To < RTI ID = 0.0 > 20. ≪ / RTI >

상기 멤브레인은 SOI(silicon on insulator), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 조합된 물질, 고분자 물질, 유리 또는 금속물질을 포함할 수 있다.The membrane may comprise a silicon on insulator (SOI), silicon oxide, silicon nitride, a combination of silicon oxide and silicon nitride, a polymeric material, a glass or a metal material.

본 발명의 일 실시예에 따른 멤브레인 구조체의 제조 방법은 반도체 기판 상에 식각 방지막을 형성하는 것, 상기 식각 방지막 상에 멤브레인 막을 형성하는 것, 상기 멤브레인 막을 패터닝하여 상기 식각 방지막의 상부면을 노출시키는 홀들을 갖는 멤브레인을 형성하는 것, 상기 반도체 기판의 하부면을 식각하여 상기 식각 방지막의 일부분을 노출시키는 지지대를 형성하는 것, 및 상기 지지대에 노출된 상기 식각 방지막을 패터닝하여 상기 홀들을 관통하는 식각 방지 패턴을 형성하는 것을 포함한다.A method of fabricating a membrane structure according to an embodiment of the present invention includes forming an etch stop layer on a semiconductor substrate, forming a membrane layer on the etch stop layer, patterning the membrane layer to expose an upper surface of the etch stop layer, Etching the lower surface of the semiconductor substrate to form a support for exposing a portion of the etch stop layer; and patterning the etch stop layer exposed on the support to etch through the holes, Preventing pattern.

상기 식각 방지 패턴을 형성한 후에, 상기 식각 방지 패턴을 제거하여 상기 멤브레인의 표면을 완전히 노출시키는 것; 및 상기 멤브레인의 표면을 친수성으로 표면 개질하는 것을 포함할 수 있다.Removing the etch stop pattern to completely expose the surface of the membrane after forming the etch stop pattern; And hydrophilically surface-modifying the surface of the membrane.

친수성으로 표면 개질하는 것은 상기 멤브레인 표면에 산소 플라즈마 처리하는 것 또는 계면 활성제가 들어가 있는 화학용제를 코팅하는 것을 포함할 수 있다.Hydrophilic surface modification may include oxygen plasma treatment of the membrane surface or coating of a chemical agent containing a surfactant.

상기 식각 방지막은 상기 반도체 기판과 식각 선택성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The etch stop layer may be formed of a material having etch selectivity with the semiconductor substrate.

상기 식각 방지막은 친수성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The etch stop layer may be formed of a material having hydrophilicity.

상기 멤브레인 막은 1? 내지 20?의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The membrane membrane is a 1? To 20 < RTI ID = 0.0 >. ≪ / RTI >

상기 멤브레인은 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 수행하여 형성될 수 있다.The membrane may be formed by performing a wet etching or a dry etching process.

본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치는 배양액이 저장된 배양액 저장부가 세포가 제공되는 세포 배양부보다 아래에 배치된다. 상기 배양액은 상기 배양액 저장부로부터 상기 세포 배양부로 초박막의 멤브레인을 통해 공급되어 상기 세포들이 균일한 배양액을 공급받을 수 있다. In the cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention, the culture liquid storage portion storing the culture liquid is disposed below the cell culture portion provided with the cells. The culture solution is supplied from the culture solution storage part to the cell culture part through an ultra thin membrane, and the cells can be supplied with a uniform culture solution.

또한, 세포 배출구에 상기 세포가 상기 배양액과 반응하여 발생된 노폐물을 배출할 수 있다. 따라서, 상기 세포배양 장치 내에 상기 배양액의 오염을 방지하여 인체 내의 환경과 유사한 조건에서 상기 세포를 증식시킬 수 있다. In addition, the cell may be allowed to react with the culture liquid at the cell outlet, thereby discharging the generated waste. Therefore, it is possible to prevent contamination of the culture liquid in the cell culture apparatus, and to proliferate the cells under conditions similar to the environment in the human body.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치를 나타낸 사시도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤브레인 구조체의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤브레인 구조체의 패턴모양을 나타낸 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤브레인을 주사전자현미경(Scanning electronmicroscope)로 관찰한 사진이다.
1 is a cross-sectional view of a cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating a cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A to 3G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a membrane structure according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating pattern shapes of a membrane structure according to an embodiment of the present invention.
5 is a photograph of a membrane according to an embodiment of the present invention observed with a scanning electron microscope.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms 'comprises' and / or 'comprising' mean that the stated element, step, operation and / or element does not imply the presence of one or more other elements, steps, operations and / Or additions.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.In addition, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views, which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. For example, the etched area shown at right angles may be rounded or may have a shape with a certain curvature. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치를 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세포배양 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a perspective view illustrating a cell culture apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 세포배양 장치(100)는 하부 구조체(10), 멤브레인 구조체(20), 및 상부 구조체(30)를 포함한다. 상기 하부 구조체(10)는 배양액 저장부(12)와 배양액 주입구(14)를 포함한다. 상기 배양액 저장부(12)는 상기 하부 구조체(10)의 상부면이 오목한 부분으로 상기 배양액 저장부(12)의 바닥면이 상기 하부 구조체(10)의 상부면보다 아래에 위치한다. 따라서, 상기 배양액 저장부(12)는 세포를 배양하는데 사용되는 배양액이 채워질 수 있다. 상기 배양액 주입구(14)는 튜브 형태를 가지고 상기 배양액 저장부(12)로부터 상기 하부 구조체(10)의 측면으로 연장될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a cell culture apparatus 100 includes a lower structure 10, a membrane structure 20, and a superstructure 30. The lower structure 10 includes a culture liquid storage part 12 and a culture liquid inlet 14. The culture liquid storage part 12 is a concave part of the upper surface of the lower structure 10 and the bottom surface of the culture liquid storage part 12 is located below the upper surface of the lower structure 10. Therefore, the culture medium storage part 12 can be filled with the culture solution used for culturing the cells. The culture medium inlet 14 may have a tube shape and extend from the culture medium reservoir 12 to the side of the lower structure 10.

상기 하부 구조체(10)는 플라스틱, 고분자 물질(예를 들어, polydimethylsiloxane; PDMS) 또는 유리를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 하부 구조체(10)는 상기 하부 구조체(10)의 상부면을 패터닝하여 상기 배양액 저장부(12)와 상기 배양액 저장부(12)와 연장되는 상기 배양액 주입구(14)가 형성될 수 있다. 그리고, 상기 패터닝된 하부 구조체(10)의 상부면 표면은 산소 플라즈마 처리되어 친수성으로 표면개질될 수 있다.The substructure 10 may comprise plastic, polymeric materials (e.g., polydimethylsiloxane (PDMS), or glass). The lower structure 10 may be formed by patterning the upper surface of the lower structure 10 so that the culture solution storage part 12 and the culture solution injection part 14 extending to the culture solution storage part 12 . The upper surface of the patterned lower structure 10 may be subjected to an oxygen plasma treatment to be hydrophilically surface-modified.

상기 하부 구조체(10) 상에 상기 멤브레인 구조체(20)가 배치될 수 있다. 상기 멤브레인 구조체(20)는 지지대(21), 식각 방지 패턴(23), 및 멤브레인(25)을 포함할 수 있다. 상기 지지대(21)는 상기 하부 구조체(10) 상에 상기 배양액 저장부(12)가 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 지지대(21)는 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 상기 지지대(21) 상에 산화 방지 패턴(23)이 형성될 수 있다. 상기 산화 방지 패턴(23)은 친수성 특성을 가질 수 있다. 상기 산화 방지 패턴(23)은 ITO(Indium Tin Oxide), 산화아연(ZnO), 실리콘 산화물(SiO2), 또는 이산화 티타늄(TiO2)을 포함할 수 있다. 상기 산화 방지 패턴(23) 상에 멤브레인(25)이 형성될 수 있다. 상기 멤브레인(25)은 기공들(27)을 가질 수 있다. 상기 기공들(27)은 상기 배양액 저장부(12)와 인접하게 배치될 수 있다. 상기 배양액 저장부(12)의 바닥면과 마주보는 상기 멤브레인(25)의 하부면은 친수성 성질을 가질 수 있다. 상기 멤브레인(25)은 약 1? 내지 약 20?의 두께를 가질 수 있다. 상기 기공들(27)의 직경은 약 0.5? 내지 약 20?일 수 있다. 상기 멤브레인(25)은 SOI(silicon on insulator), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 조합된 물질, 고분자 물질, 유리 또는 금속(예를 들어, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au))을 포함할 수 있다. The membrane structure 20 may be disposed on the lower structure 10. The membrane structure 20 may include a support 21, an anti-etching pattern 23, and a membrane 25. The supporter 21 may be formed to expose the culture medium reservoir 12 on the lower structure 10. The support 21 may include silicon (Si). An anti-oxidation pattern 23 may be formed on the support 21. The anti-oxidation pattern 23 may have a hydrophilic property. The oxidation preventing pattern 23 may include indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), silicon oxide (SiO 2 ), or titanium dioxide (TiO 2 ). A membrane 25 may be formed on the anti-oxidation pattern 23. The membrane (25) may have pores (27). The pores (27) may be disposed adjacent to the culture medium storage part (12). The lower surface of the membrane 25 facing the bottom surface of the culture medium reservoir 12 may have hydrophilic properties. The membrane (25) To about 20 < RTI ID = 0.0 >.≪ / RTI > The diameter of the pores 27 is about 0.5? To about 20 < / RTI > The membrane 25 may be formed of a material such as silicon on insulator (SOI), silicon oxide, silicon nitride, a combination of silicon oxide and silicon nitride, a polymer material, glass or metal (e.g., Cr, Ni, Gold (Au)).

상기 멤브레인 구조체(20) 상에 상부 구조체(30)가 배치될 수 있다. 상기 상부 구조체(30)는 격벽(31), 세포 주입구(33), 및 세포 배출구(35)를 포함할 수 있다. 상기 격벽(31)은 상기 멤브레인(25) 상에 배치될 수 있다. 상기 격벽(31)에 의해 구획된 공간은 세포들이 고정되어 상기 배양액에 의해 배양되는 세포 배양부(37)일 수 있다. 상기 격벽(31)은 하나 이상 형성되어 상기 세포 배양부(37) 각각에 다른 종류의 세포들이 배치될 수 있다. 상기 세포 배양부(37)는 상기 격벽(31)의 배치에 따라 직렬 또는 병렬로 배열될 수 있다. 상기 세포 주입구(33)는 상기 세포 배양부(37)와 연결될 수 있다. 상기 세포 주입구(33)는 상기 세포 배양부(37)에 고정되는 세포의 종류 수에 따라 형성될 수 있다. 상기 세포 배출구(35)는 상기 세포 배양부(37)와 연결될 수 있다. 따라서, 배양이 완료된 상기 세포들은 상기 배양액과 함께 상기 세포 배출구(35)로 배출될 수 있다.The upper structure 30 may be disposed on the membrane structure 20. The upper structure 30 may include a partition wall 31, a cell inlet 33, and a cell outlet 35. The partition 31 may be disposed on the membrane 25. The space partitioned by the partition 31 may be a cell culture unit 37 in which cells are fixed and cultured by the culture solution. One or more barrier ribs 31 may be formed to allow different types of cells to be disposed in each of the cell culture units 37. The cell culture units 37 may be arranged in series or in parallel according to the arrangement of the partitions 31. The cell inlet 33 may be connected to the cell culture unit 37. The cell inlet 33 may be formed according to the number of cells fixed to the cell culture unit 37. The cell outlet (35) may be connected to the cell culture unit (37). Therefore, the cultured cells can be discharged to the cell outlet 35 together with the culture solution.

상기 세포배양 장치(100)는 얇은 두께를 갖는 상기 멤브레인(25)을 사용하여 상기 배양액 저장부(12)에 제공된 배양액이 상기 배양액 저장부(12) 상에 위치한 상기 세포 배양부(37)에 고정된 세포들로 균일하게 제공될 수 있다. 따라서, 상기 세포들은 상기 멤브레인(25)을 통해 균일한 배양액을 공급받을 수 있다. 아울러, 상기 세포배양 장치(100)는 세포 배출구(35)를 형성하여 상기 배양액 내에 세포로부터 발생되는 노폐물을 상기 세포 배출구(35)로 배출시킬 수 있다. 따라서, 상기 배양액의 오염을 방지하여 인체 내의 환경과 유사한 조건에서 상기 세포를 증식시킬 수 있다. The cell culture apparatus 100 uses the membrane 25 having a small thickness to immobilize the culture solution provided in the culture solution storage section 12 to the cell culture section 37 located on the culture solution storage section 12 Lt; RTI ID = 0.0 > cells. ≪ / RTI > Therefore, the cells can be supplied with a uniform culture liquid through the membrane 25. In addition, the cell culture apparatus 100 may form a cell discharge port 35 to discharge the waste matter generated from cells in the culture solution to the cell discharge port 35. Therefore, contamination of the culture liquid can be prevented, and the cells can be proliferated under conditions similar to the environment in the human body.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 다공성 멤브레인 구조체의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 다공성 멤브레인 구조체의 패턴모양을 나타낸 단면도들이다.3A through 3G are cross-sectional views illustrating a method of fabricating a microporous membrane structure according to an embodiment of the present invention. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating pattern shapes of a microporous membrane structure according to an embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판(1)을 준비한다. 상기 기판(1)은 실리콘 기판일 수 있다. 상기 기판(1) 상에 식각 정지막(3)을 형성한다. 상기 식각 정지막(3)은 상기 기판(1)과 식각 선택비를 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 식각 정지막(3)은 산화막으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO막(Indium Tin Oxide), 산화 아연막(ZnO), 실리콘 산화막(SiO2), 또는 이산화 티타늄막(TiO2)을 포함할 수 있다. 상기 식각 정지막(3)은 친수성 특성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 식각 정지막(3)은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 또는 원자 층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 수행하여 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 3A and 3B, a substrate 1 is prepared. The substrate 1 may be a silicon substrate. An etching stopper film (3) is formed on the substrate (1). The etch stop layer 3 may be formed of a material having an etch selectivity with respect to the substrate 1. The etch stop layer 3 may be formed of an oxide film, for example, an indium tin oxide (ITO) film, a zinc oxide film (ZnO), a silicon oxide film (SiO 2 ), or a titanium dioxide film (TiO 2 ) . The etch stop layer 3 may be formed of a material having a hydrophilic property. The etch stop layer 3 may be formed by a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or an atomic layer deposition method.

도 3c 및 도 3d를 참조하면, 상기 식각 정지막(3) 상에 멤브레인 막(5)을 형성한다. 상기 멤브레인 막(5)은 약 1? 내지 약 20?의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 멤브레인막은 물리 기상 증착법(Physical Vapor Depositio; PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposion; CVD), 또는 열 산화법을 수행하여 형성될 수 있다. 상세하게, 상기 물리 기상 증착법은 예를 들어, 전자빔 증착법(E-beam Deposition) 또는 스퍼터링 증착법(Sputtering Deposition)일 수 있고, 상기 화학 기상 증착법은 예를 들어, 저압 증착법(Low Pressure CVD) 또는 플라즈마 기상 증착법(Plasma Enhanced CVD)일 수 있다. 상기 멤브레인 막(5)은 SOI(silicon on insulator)막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 조합된 물질막, 고분자막, 유리막 또는 금속막(예를 들어, 크롬막(Cr), 니켈막(Ni), 금막(Au))을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 3C and 3D, a membrane 5 is formed on the etch stop layer 3. The membrane membrane 5 is about 1? To about 20 < RTI ID = 0.0 >. ≪ / RTI > The membrane may be formed by physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), or thermal oxidation. For example, the physical vapor deposition may be an E-beam deposition method or a sputtering deposition method. The chemical vapor deposition method may be performed by, for example, a low pressure CVD method or a plasma- (Plasma Enhanced CVD). The membrane 5 may be formed of a silicon on insulator (SOI) film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a material film in which silicon oxide and silicon nitride are combined, a polymer film, a glass film or a metal film (for example, Film (Ni), gold film (Au)).

상기 멤브레인 막(5)을 패터닝하여 멤브레인(25)을 형성할 수 있다. 상기 멤브레인(25)은 상기 멤브레인 막(5) 상에 하드 마스크 패턴(미도시)을 배치하여, 상기 하드 마스크 패턴에 노출된 상기 멤브레인 막(5)의 일부분을 식각할 수 있다. 이에 따라, 복수의 홀들(27)을 갖는 상기 멤브레인(25)을 형성할 수 있다. 상기 멤브레인(25)은 건식 식각(예를 들어, 반응성 이온 식각, 이온밀링) 또는 습식 식각을 상기 멤브레인 막(5)에 수행하여 형성될 수 있다. 상기 습식 식각은 예를 들어, KOH 용액 또는 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 용액을 사용할 수 있다. 도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 상기 멤브레인(25)은 다양한 형태의 패턴들을 가질 수 있다. 도 4a와 같이, 상기 홀들(27)에 의해 노출된 멤브레인의 측벽(25a)은 상기 식각 정지막에 수직일 수 있다. 상기 도 4b 및 도 4c와 같이, 상기 멤브레인의 측벽(25a)은 오목한 형태 또는 경사를 갖는 테이퍼 형태일 수 있다. 상기 멤브레인의 측벽(25a)이 테이퍼 형태일 경우, 도 4b와 같이, 상기 홀들(27)의 바닥면의 폭은 상기 홀들(27)의 상부의 폭보다 작을 수 있고, 도 4c와 같이, 상기 홀들(27)의 바닥면의 폭은 상기 홀들(27)의 상부의 폭보다 클 수 있다. 상기 홀들(27)은 멤브레인 구조체(20; 도 1 참조)에서 배양액이 배양액 저장부(12; 도 1 참조)에서 세포 배양부(37; 도 1 참조)로 흡수시키는 기공일 수 있다. 상기 홀들(27)은 약 0.5? 내지 약 20 ? 의 직경을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 홀들(27)은 일정한 간격을 갖도록 형성될 수 있다.The membrane 25 may be formed by patterning the membrane 5. The membrane 25 may arrange a hard mask pattern (not shown) on the membrane 5 to etch a portion of the membrane 5 exposed to the hard mask pattern. Thus, the membrane 25 having a plurality of holes 27 can be formed. The membrane 25 may be formed by performing a dry etching (e.g., reactive ion etching, ion milling) or wet etching on the membrane 5. The wet etching may use, for example, KOH solution or TMAH (Tetramethyl ammonium hydroxide) solution. Referring to FIGS. 4A-4D, the membrane 25 may have various types of patterns. 4A, the side walls 25a of the membrane exposed by the holes 27 may be perpendicular to the etch stop layer. As shown in FIGS. 4B and 4C, the side walls 25a of the membrane may have a concave or tapered shape. 4B, the width of the bottom surface of the holes 27 may be smaller than the width of the tops of the holes 27. When the side walls 25a of the membranes are tapered, The width of the bottom surface of the hole 27 may be larger than the width of the upper portion of the holes 27. The holes 27 may be pores that allow the culture fluid to be absorbed from the culture liquid reservoir 12 (see FIG. 1) into the cell culture section 37 (see FIG. 1) in the membrane structure 20 (see FIG. 1). The holes 27 are about 0.5? To about 20? As shown in FIG. The holes 27 may be formed to have a constant spacing.

도 3e를 참조하면, 상기 기판(1)의 하부면을 식각하여 지지대(21)를 형성할 수 있다. 상기 지지대(21)는 상기 기판(1)의 하부면 상에 식각 마스크 패턴(미도시)을 형성하고, 상기 식각 마스크 패턴에 노출된 상기 기판(1)의 하부면의 일부분을 식각하여 형성될 수 있다. 상기 기판(1)은 이방성 특징을 갖는 방향으로 건식 식각 또는 습식 식각으로 식각될 수 있다. 상기 건식 식각으로 수행될 경우, ICP-etcher를 사용할 수 있다. 상기 습식 식각으로 수행될 경우, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 용액을 사용할 수 있다. 상기 기판(1)은 상기 식각 정지막(3)의 하부면이 노출될 때까지 식각될 수 있다. 상기 기판(1)은 상기 식각 정지막(3)과 식각 선택비를 갖기 때문에 상기 기판(1)의 식각이 진행된 후 상기 식각 정지막(3)의 식각은 진행되지 않는다. Referring to FIG. 3E, the lower surface of the substrate 1 may be etched to form a support 21. The support 21 may be formed by forming an etch mask pattern (not shown) on the lower surface of the substrate 1 and etching a portion of the lower surface of the substrate 1 exposed to the etch mask pattern have. The substrate 1 may be etched by dry etching or wet etching in a direction having anisotropic characteristics. When the dry etching is performed, an ICP-etcher may be used. When the wet etching is performed, TMAH (Tetramethyl ammonium hydroxide) solution may be used. The substrate 1 may be etched until the bottom surface of the etch stop layer 3 is exposed. Since the substrate 1 has an etch selectivity with the etch stop layer 3, the etching of the etch stop layer 3 does not proceed after the etch of the substrate 1 proceeds.

도 3f 및 도 3g를 참조하면, 상기 식각 정지막(3)을 패터닝(patterning) 또는 제거하여 멤브레인 구조체(20)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도 3f와 같이 상기 식각 정지막(3)이 친수성 물질인 경우, 상기 식각 정지막(3)을 패터닝하여 식각 방지 패턴(23)을 형성할 수 있다. 상기 식각 방지 패턴(23)은 습식 식각 또는 건식 식각을 수행하여 형성될 수 있다. 상기 식각 방지 패턴(23)은 상기 멤브레인(35)의 상기 홀들(27)을 관통하도록 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 도 3g와 같이 상기 식각 정지막(27)이 소수성 물질인 경우, 상기 식각 정지막(3)은 제거될 수 있다. 상기 식각 정지막(3)이 제거되어 상기 멤브레인(25)의 표면이 완전히 노출될 수 있다. 상기 멤브레인(25)의 표면은 소수성 특성을 가지고 있기 때문에 상기 표면의 습윤성(wettability)를 향상시키기 위하여 친수성으로 표면개질이 필요하다. 상기 멤브레인(25) 표면에 친수성 성질로 개질시키기 위한 방법은 예를 들어, 상기 멤브레인(25) 표면에 산소 플라즈마 처리를 통하여 표면을 개질하는 방법, 또는 계면 활성제가 들어가 있는 화학용제를 상기 멤브레인(25) 표면에 코팅하는 방법일 수 있다. Referring to FIGS. 3F and 3G, the etch stop layer 3 may be patterned or removed to form the membrane structure 20. According to one embodiment, when the etch stop layer 3 is a hydrophilic material, the etch stop layer 3 may be patterned to form the etch stop layer 23. The etch stop pattern 23 may be formed by wet etching or dry etching. The etch stopping pattern 23 may be formed to penetrate the holes 27 of the membrane 35. According to another embodiment, when the etch stop layer 27 is a hydrophobic material as shown in FIG. 3G, the etch stop layer 3 may be removed. The etch stop layer 3 may be removed and the surface of the membrane 25 may be completely exposed. Since the surface of the membrane 25 has a hydrophobic property, surface modification is required to improve the wettability of the surface. A method of modifying the surface of the membrane 25 with a hydrophilic property may be performed by, for example, a method of modifying the surface of the membrane 25 by oxygen plasma treatment or a method of applying a chemical agent containing a surfactant to the membrane 25 ) ≪ / RTI >

상기 멤브레인(25)은 반도체 공정을 이용하여 대면적의 초박막으로 형성될 수 있다. 따라서, 제작 단가를 크게 낮추면서도 대량 생산이 가능할 수 있다.The membrane 25 may be formed as an ultra-thin film of a large area using a semiconductor process. Therefore, mass production can be achieved while greatly reducing the manufacturing cost.

다시 도1를 참조하면, 상기 멤브레인 구조체(20)의 일면에 하부 구조체(10)를 부착시키고, 그것의 타면에 상부 구조체(30)를 부착시키는 접착 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 멤브레인 구조체(20)를 포함하는 세포배양 장치(100)를 형성할 수 있다. 상기 멤브레인 구조체(20)는 접착제 또는 열압공정으로 인하여 접착될 수 있다. Referring again to FIG. 1, a bonding process may be performed in which the lower structure 10 is attached to one surface of the membrane structure 20, and the upper structure 30 is attached to the other surface. Accordingly, the cell culture apparatus 100 including the membrane structure 20 can be formed. The membrane structure 20 may be bonded due to an adhesive or a hot press process.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤브레인을 주사전자현미경(Scanning electronmicroscope)로 관찰한 사진이다.5 is a photograph of a membrane according to an embodiment of the present invention observed with a scanning electron microscope.

도 5를 참조하면, 상기 멤브레인는 약 1? 이하의 얇은 두께와 약 1 ?의 직경을 갖는 기공을 갖는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5, the membrane is about 1? Or less and pores having a diameter of about 1 & tilde &

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and not restrictive in every respect.

10: 하부 구조체
12: 배양액 저장부
14: 배양액 주입구
20: 멤브레인 구조체
21: 지지대
23: 산화 방지 패턴
25: 멤브레인
27: 기공들
31: 격벽
33: 세포 주입구
35: 세포 배출구
37: 세포 배양부
100: 세포배양 장치
10:
12: Culture medium reservoir
14: Culture medium inlet
20: Membrane structure
21: Support
23: anti-oxidation pattern
25: Membrane
27: Voids
31:
33: cell inlet
35: cell outlet
37: Cell culture section
100: Cell culture apparatus

Claims (14)

배양액을 저장하는 배양액 저장부와 상기 배양액 저장부와 연결되고 상기 배양액을 공급하는 배양액 주입구를 포함하는 하부 구조체;
상기 하부 구조체 상에 상기 배양액 저장부에 인접하고 복수 개의 기공들을 통해 상기 배양액 저장부로부터 배양액을 흡수하는 멤브레인을 포함하는 멤브레인 구조체; 및
상기 멤브레인 구조체 상에 상기 멤브레인에 세포를 제공하는 세포 주입구와 상기 세포 주입구와 연결되고 상기 세포를 배출시키는 세포 배출구를 갖는 상부 구조체를 포함하는 세포배양 장치.
A lower structure including a culture liquid storage part for storing the culture liquid and a culture liquid injection port connected to the culture liquid storage part and supplying the culture liquid;
A membrane structure including a membrane adjacent to the culture medium reservoir on the lower structure and absorbing the culture medium from the culture medium reservoir through a plurality of pores; And
And an upper structure having a cell injection port for providing cells to the membrane on the membrane structure, and a cell discharge port connected to the cell injection port for discharging the cells.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 구조체는 상기 멤브레인 상에 배치되고 세포 배양부를 구획하는 격벽을 더 포함하는 세포배양 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the upper structure further comprises a partition disposed on the membrane and partitioning the cell culture section.
제 2 항에 있어서,
상기 격벽에 노출된 상기 멤브레인의 측벽은 상기 멤브레인의 하부면으로부터 수직인 형태, 테이퍼 형태, 또는 오목한 형태를 갖는 세포배양 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the sidewall of the membrane exposed to the partition wall has a vertical, tapered, or concave shape from the lower surface of the membrane.
제 1 항에 있어서,
상기 멤브레인 구조체는 상기 배양액 저장부의 양 옆에 상기 하부 구조체 상에 배치되어 멤브레인을 지지하는 지지대; 및
상기 지지대와 상기 멤브레인 사이에 개재된 식각 방지 패턴을 더 포함하는 세포배양 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the membrane structure comprises: a support disposed on both sides of the culture liquid storage part and supporting the membrane, the membrane structure being disposed on the lower structure; And
Further comprising an etch stop pattern interposed between the support and the membrane.
제 1 항에 있어서,
상기 멤브레인은 1? 내지 20?의 두께를 갖는 세포배양 장치.
The method according to claim 1,
The membrane is a 1? To 20 < [Lambda] >.
제 1 항에 있어서,
상기 기공들은 0.5? 내지 20?의 직경을 갖는 세포배양 장치.
The method according to claim 1,
The pores are 0.5? To 20 < [Lambda] >.
제 1 항에 있어서,
상기 멤브레인은 SOI(silicon on insulator), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 조합된 물질, 고분자 물질, 유리 또는 금속물질을 포함하는 세포배양 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the membrane comprises a silicon on insulator (SOI), silicon oxide, silicon nitride, a combination of silicon oxide and silicon nitride, a polymeric material, a glass or a metal material.
반도체 기판 상에 식각 방지막을 형성하는 것;
상기 식각 방지막 상에 멤브레인 막을 형성하는 것;
상기 멤브레인 막을 패터닝하여 상기 식각 방지막의 상부면을 노출시키는 홀들을 갖는 멤브레인을 형성하는 것;
상기 반도체 기판의 하부면을 식각하여 상기 식각 방지막의 일부분을 노출시키는 지지대를 형성하는 것; 및
상기 지지대에 노출된 상기 식각 방지막을 패터닝하여 상기 홀들을 관통하는 식각 방지 패턴을 형성하는 것을 포함하는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
Forming an etch stopping film on the semiconductor substrate;
Forming a membrane on the etch stop layer;
Patterning the membrane to form a membrane having holes exposing an upper surface of the etch stop layer;
Etching the lower surface of the semiconductor substrate to form a support for exposing a portion of the etch stopping layer; And
And patterning the etch stopping layer exposed on the support to form an etch stopping pattern passing through the holes.
제 8 항에 있어서,
상기 식각 방지 패턴을 제거하여 상기 멤브레인의 표면을 완전히 노출시키는 것; 및
상기 멤브레인의 표면을 친수성으로 표면 개질하는 것을 포함하는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Removing the etch stop pattern to fully expose the surface of the membrane; And
And hydrophilically surface-modifying the surface of the membrane.
제 9 항에 있어서,
상기 친수성으로 표면 개질하는 것은 상기 멤브레인 표면에 산소 플라즈마 처리하는 것 또는 계면 활성제가 들어가 있는 화학용제로 상기 멤브레인의 표면을 코팅하는 것을 포함하는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the hydrophilic surface modification comprises coating the surface of the membrane with an oxygen plasma treatment on the membrane surface or a chemical solvent containing a surfactant.
제 8 항에 있어서,
상기 식각 방지막은 상기 반도체 기판과 식각 선택성을 갖는 물질로 형성되는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the etch stop layer is formed of a material having etch selectivity with respect to the semiconductor substrate.
제 8 항에 있어서,
상기 식각 방지막은 친수성을 갖는 물질로 형성되는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the etch stop layer is formed of a material having hydrophilicity.
제 8 항에 있어서,
상기 멤브레인 막은 1? 내지 20?의 두께를 갖도록 형성되는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
The membrane membrane is a 1? To 20 < RTI ID = 0.0 >.≪ / RTI >
제 8 항에 있어서,
상기 멤브레인은 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 수행하여 형성되는 멤브레인 구조체의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the membrane is formed by performing a wet etching or a dry etching process.
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