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KR20140099409A - Pattern transferring method using modification by self assembled monolayer - Google Patents

Pattern transferring method using modification by self assembled monolayer Download PDF

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KR20140099409A
KR20140099409A KR1020130012071A KR20130012071A KR20140099409A KR 20140099409 A KR20140099409 A KR 20140099409A KR 1020130012071 A KR1020130012071 A KR 1020130012071A KR 20130012071 A KR20130012071 A KR 20130012071A KR 20140099409 A KR20140099409 A KR 20140099409A
Authority
KR
South Korea
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substrate
mold
hydrophilic
pattern
solvent
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020130012071A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이재갑
이영규
정대균
Original Assignee
국민대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 국민대학교산학협력단 filed Critical 국민대학교산학협력단
Priority to KR1020130012071A priority Critical patent/KR20140099409A/en
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    • H10P76/204
    • H10P14/6319
    • H10P14/6514

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

The present application relates to a method for transferring a solvent pattern which comprises the steps of: forming a hydrophilic self-assembling monolayer having hydrophilicity to a substrate; obtaining a patterned mold; forming a hydrophilic solvent pattern on a surface of the patterned mold by applying a hydrophilic solvent to the patterned mold; and transferring the hydrophilic solvent pattern of the mold to the substrate by enabling the mold having the hydrophilic solvent pattern to come into contact with the substrate in which the hydrophilic self-assembling monolayer is formed.

Description

자기조립 단분자막의 표면 개질을 이용한 패턴의 전사 방법{PATTERN TRANSFERRING METHOD USING MODIFICATION BY SELF ASSEMBLED MONOLAYER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of transferring a pattern using a surface modification of a monolayer self-assembled monolayer,

본원은, 자기조립 단분자막을 이용하여 기재의 표면 개질을 이용한 동질 용매 패턴의 선택적 전사방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of selectively transferring a homogeneous solvent pattern using surface modification of a substrate using a self-assembled monolayer.

패턴을 형성하는 방법에는 포토 레지스트를 이용한 포토 리소그래피법, 금속 페이스트를 사용하는 실크 스크린법 등 다양한 방법이 있다. 하지만, 산업 기술이 점차 발달하면서 보다 간단하고, 편리하며, 저렴하게 패턴을 형성할 수 있는 방법이 요구되고 있다. 이러한 관점에서 최근 각광을 받고 있는 마이크로 컨택 프린팅(micro contact printing) 방법은 많은 장점을 가지고 있다.The pattern can be formed by various methods such as a photolithography method using a photoresist, a silk screen method using a metal paste, and the like. However, as industrial technology is gradually developed, a method of forming a pattern in a simpler, convenient and inexpensive manner is required. From this point of view, the micro contact printing method, which has recently become popular, has many advantages.

마이크로 컨택 프린팅 방법이란, 고분자로 제작된 틀을 사용하여 유기분자 또는 촉매활성이 있는 유기금속화합물을 틀에 묻혀 기재 위에 접촉을 통해 패턴을 형성하는 방법이다.The microcontact printing method is a method of forming a pattern by contacting a substrate with an organic molecule or an organometallic compound having catalytic activity by using a frame made of a polymer.

고분자로 제작된 틀은 표면 에너지가 낮고 화학적으로 안정하며 여러 모양으로 성형이 가능하다는 장점을 지니고 있어, 다양한 패턴을 기재 위에 쉽게 형성할 수 있으며, 이를 이용한 다양한 패턴 형성 기술들이 소개되어 있다.The polymer mold is advantageous in that it has low surface energy, is chemically stable, and can be formed into various shapes. Therefore, various patterns can be easily formed on a substrate, and various pattern forming techniques using the same are introduced.

그러나, 일반적으로 고분자의 표면은 소수성의 성질을 가지고 있으며 이러한 성질 때문에 다른 종류의 물질들과의 약한 접착력으로 인해 사용에 제약을 주기도 한다 [대한민국 등록특허 제2003-005891].
However, in general, the surface of a polymer has a hydrophobic property, and due to this property, its use is restricted due to weak adhesion with other kinds of materials [Korean Patent Registration No. 2003-005891].

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 자기조립 단분자막을 이용한 표면 개질 및 전사된 패턴의 접착력 향상 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is an object of the present invention to provide a method of improving surface adhesion and adhesion of a transferred pattern by using a self-assembled monolayer film.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 기재에 친수성 자기조립 단분자막을 형성하여 상기 기재의 표면을 개질하는 단계; 패턴된 몰드를 수득하는 단계; 상기 패턴된 몰드에 친수성 용매를 도포하여 상기 패턴된 몰드 표면에 친수성 용매 패턴을 형성하는 단계; 및, 친수성 자기조립 단분자막이 형성된 상기 기재에 친수성 용매 패턴이 형성된 상기 몰드를 접촉시켜, 상기 몰드의 친수성 용매 패턴을 상기 기재에 전사하는 단계를 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법을 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a hydrophilic self-assembled monolayer on a substrate to modify a surface of the substrate; Obtaining a patterned mold; Applying a hydrophilic solvent to the patterned mold to form a hydrophilic solvent pattern on the patterned mold surface; And a step of transferring the hydrophilic solvent pattern of the mold onto the substrate by contacting the mold having the hydrophilic self-assembled monolayer formed thereon with the mold having the hydrophilic solvent pattern formed thereon.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재는 쿼츠(quartz), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리카보네이트, PET, 폴리에테르설폰 또는 폴리이미드 기재를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the substrate comprises a substrate such as quartz, silicon wafer, glass, ceramic, glass-ceramic, metal, metal oxide, polycarbonate, PET, polyethersulfone or polyimide substrate , But is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 표면을 개질하는 단계 전에, 상기 기재의 표면에 UV를 조사하여 상기 기재의 표면에 OH-기를 형성시키는 단계를 추가 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, before the step of modifying the surface of the substrate, the method may further include the step of irradiating UV onto the surface of the substrate to form an OH- group on the surface of the substrate, no.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 친수성 자기조립 단분자막은 APS ((3-aminopropyl)trimethoxysilane), MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET ((3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine), EDA (N-[2-aminoethyl]-3-aminopropyl trimethoxysilane) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 자기조립 단분자막을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the hydrophilic self-assembled monolayer includes APS (3-aminopropyl) trimethoxysilane, MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET (3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, EDA (N- ] -3-aminopropyl trimethoxysilane), and combinations thereof. However, the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재에 상기 친수성 자기조립 단분자막을 형성하는 것은 딥핑 코팅 (dipping coating) 방법, 스핀 코팅 방법, 롤투롤 방법 또는 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present invention, the hydrophilic self-assembled monolayer may be formed on the substrate by a dipping coating method, a spin coating method, a roll-to-roll method, or a vapor deposition method. no.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 몰드는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the mold may be selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), polyurethane, polyimides, and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 친수성 용매는 PVP (poly(4-vinylphenol)), PMF (poly(melamine-co-formaldehyde)), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment, the hydrophilic solvent is selected from the group consisting of poly (4-vinylphenol), PMF (polyamine-co-formaldehyde), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) But are not limited to, those selected from solvents.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 친수성 용매는 기화기를 통한 표면 처리 방법, 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 도포될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the hydrophilic solvent may be applied by a surface treatment method through a vaporizer, a spin coating method, a roll-to-roll coating method, a spray coating method, a dip coating method or a flow coating method, no.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재와 상기 몰드를 접촉시키는 방식은 마이크로 컨택 프린팅(micro-contact printing) 방식, 임프린팅(Imprinting)방식, 롤 투 롤(Roll to Roll) 방식 또는 딥 펜 리소그라피(Dip pen lithography) 방식에 의해 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to an embodiment of the present invention, the method of contacting the substrate with the mold may be a micro-contact printing method, an imprinting method, a roll-to-roll method, or a dip pen lithography Dip pen lithography), but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 패턴된 몰드의 표면에 친수화 처리가 이루어지는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the patterned mold may include a hydrophilization treatment on the surface of the mold, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 몰드의 친수화처리는 상압 플라즈마 처리일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
According to one embodiment of the invention, the hydrophilization treatment of the mold may be an atmospheric plasma treatment, but is not limited thereto.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 자기조립 단분자막의 표면개질을 이용한 용매의 선택적인 전사 방법은 다음과 같은 유리한 효과를 나타낸다.According to the above-mentioned problem solving means of the present invention, the selective transfer method of the solvent using the surface modification of the self-assembled monolayer film has the following advantageous effects.

먼저, 자기조립 단분자막의 표면 개질을 이용함으로써 상기 용액과 기재 사이에 강한 접착력을 형성할 수 있다. 따라서 양호한 품질의 미세 패턴 전사를 실현할 수 있다.First, by using the surface modification of the self-assembled monolayer, a strong adhesive force can be formed between the solution and the substrate. Therefore, fine pattern transfer of good quality can be realized.

또한, 상기 표면 개질을 이용한 대면적 패턴이 가능하고, 다양한 전사 방법을 이용할 수 있다.In addition, a large area pattern using the surface modification can be used, and various transfer methods can be used.

또한, 용매를 이용하는 유기물질의 패턴이 가능해 포토리소그라피(photo lithography)의 대체 수단으로써의 방법을 제공할 수 있다.
In addition, patterns of organic materials using solvents are possible and can provide a method as an alternative means of photolithography.

도 1a 내지 도 1d 는 본원의 일 구현예에 따른 몰드의 제작 과정을 도시한 도면이다.
도 2a 및 도 2b 는 본원의 일 구현예에 따른 몰드의 친수화 과정을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d 는 본원의 일 구현예에 따른 동질 용매의 패턴 전사 방법을 도시한 도면이다.
도 4 는 본원의 일 구현예에 따른 자기조립 단분자의 형상을 나타낸 개념도이다.
도 5 는 종래의 자기조립 단분자막을 형성하지 않은 상태에서 컨택 프린팅 하였을 경우의 기재를 찍은 사진이다.
도 6 은 본원의 일 실시예에 따른 자기조립 단분자막을 형성한 상태에서 컨택 프린팅 하였을 경우의 기재를 찍은 사진이다.
도 7 은 본원의 일 실시예에 따른 용매 패턴의 전사를 나타내는 AFM 사진이다.
FIGS. 1A to 1D are views showing a process of manufacturing a mold according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a hydrophilization process of a mold according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A to 3D are diagrams showing a pattern transfer method of a homogeneous solvent according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a conceptual view showing the shape of self-assembled monomers according to one embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 5 is a photograph of a substrate when contact printing is performed without forming a conventional self-assembled monolayer. FIG.
FIG. 6 is a photograph of a substrate when contact printing is performed in a state where a self-assembled monolayer film according to an embodiment of the present invention is formed.
7 is an AFM photograph showing transfer of a solvent pattern according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term " combination thereof " included in the expression of the machine form means one or more combinations or combinations selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the machine form, And the like.

도 1a 및 도 1d 는 본원의 일 구현예에 따른 몰드의 형성 과정을 나타내는 단면도이다. FIGS. 1A and 1D are cross-sectional views illustrating a process of forming a mold according to an embodiment of the present invention.

도 1a 에 도시된 바와 같이, 기재(10)를 준비하고, 상기 기재(10)의 표면에 포토레지스트(20)막을 형성한다. 본원의 실시예에서는 상기 기재(10)로 실리콘 웨이퍼를 사용하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As shown in Fig. 1A, a substrate 10 is prepared and a photoresist film 20 is formed on the surface of the substrate 10. In the embodiment of the present invention, the silicon wafer is used as the substrate 10, but the present invention is not limited thereto.

먼저, 통상적인 방법에 따라 기재(10)를 세척하여 불순물을 제거하고 상기 기재(10)상에 포토레지스트(20)막을 형성한다. 이렇게 상기 기재(10)를 세척한 후, 포토레지스트(20)막을 형성하는 것은 상기 기재(10)상에 존재하는 유기물을 제거하기 위한 것이다. 상기 기재(10)상에 유기물이 존재하는 경우에는, 후속하는 포토레지스트(20) 형성 공정에서 균일한 포토레지스트(20) 막을 얻을 수 없는 문제가 있다. First, the substrate 10 is washed according to a conventional method to remove impurities, and a photoresist film 20 is formed on the substrate 10. After the substrate 10 is cleaned in this way, the formation of the photoresist film 20 is intended to remove organic substances present on the substrate 10. [ When organic matter is present on the substrate 10, there is a problem that a uniform photoresist film 20 can not be obtained in the subsequent photoresist 20 forming process.

상기 기재(10)는 강성 기재 또는 플렉서블 기재일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 강성 기재는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속 또는 금속 산화물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 플렉서블 기재는, 예를 들어, 폴리카보네이트, PET, 폴리에테르설폰 또는 폴리이미드일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The substrate 10 may be a rigid substrate or a flexible substrate, but is not limited thereto. The rigid substrate may be, for example, a silicon wafer, glass, ceramic, glass-ceramic, metal or metal oxide, but is not limited thereto. The flexible substrate may be, for example, polycarbonate, PET, polyethersulfone or polyimide, but is not limited thereto.

상기 포토레지스트(20)막은 스핀코팅법을 통해 상기 기재(10)위에 균일하게 도포한 후, 포토레지스트(20)막에 패턴을 형성한다. 예를 들어, 포토레지스트에 패턴을 형성하는 방법은 전자빔 리소그라피 방법을 이용하여 패턴을 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.  The film of the photoresist 20 is uniformly applied onto the substrate 10 by a spin coating method, and then a pattern is formed on the film of the photoresist 20. For example, a method of forming a pattern on a photoresist can form a pattern using an electron beam lithography method, but is not limited thereto.

이어서, 도 1b 에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(20)막에 패턴을 형성한다. 이 때, 포토레지스트(20) 패턴의 형상은 몰드(30)에 형성되는 패턴과 반대되는 현상을 가진다. 즉, 상기 몰드(30) 상에서 음각 부분과 대응되는 부분은 돌출되어 있는 양각 부분으로 형성되고, 상기 몰드(30) 상에서 양각 부분과 대응되는 부분은 음각 부분을 형성한다. Then, as shown in FIG. 1B, a pattern is formed on the photoresist film 20. At this time, the shape of the photoresist 20 pattern is opposite to the pattern formed on the mold 30. That is, a portion corresponding to the engraved portion on the mold 30 is formed as a protruding relief portion, and a portion corresponding to the relief portion on the mold 30 forms a relief portion.

다음으로, 포토레지스트(20) 패턴이 형성된 상기 기재(10)상에 본원의 일 구현예에 따라 PDMS(poly dimethyl siloxane) 혼합물(30')을 도포한다. PDMS는 기재상의 넓은 영역에 안정적으로 점착할 수 있어 평탄하지 않은 표면에 대해서도 균일하게 도포될 수 있고, 내구성이 강하기 때문에 몰드로 제작시 오래 사용할 수 있으며, 표면 장력이 낮아 PDMS로 다른 폴리머를 몰딩할때, 접착이 잘 일어나지 않아 성형가공성이 좋은 등의 장점이 있다. 이 때, 상기 PDMS 혼합물(30')은 도 1c 에 도시된 바와 같이, 기재(10) 상에 형성되어 있는 포토레지스트(20)패턴을 완전히 덮을 수 있는 정도의 두께로 형성한다. 본 발명에서 사용하는 PDMS 혼합물질(30 )은 실가드(sylgard)와 경화제를 약 10 : 1 의 중량비로 혼합한 것이다.  Next, a PDMS (poly dimethyl siloxane) mixture 30 'is applied on the substrate 10 on which the pattern of the photoresist 20 is formed according to one embodiment of the present invention. PDMS can stably adhere to a wide area on a substrate, uniformly applied to a non-flat surface, and can be used for a long time in a mold because of its high durability. There is an advantage such that adhesion is not generated well and molding processability is good. At this time, the PDMS mixture 30 'is formed to a thickness enough to completely cover the pattern of the photoresist 20 formed on the substrate 10, as shown in FIG. 1C. The PDMS mixed material 30 used in the present invention is a mixture of a sylgard and a curing agent at a weight ratio of about 10: 1.

다음으로 도포된 PDMS 혼합물질(30')을 경화한다. 경화하는 방법은 여러 가지가 가능하나, 본원의 실시예에서는 열 경화 방법을 이용한다. 예를 들어, PDMS혼합물질(30')이 도포된 기재(10)를 오븐에 투입하고, 약 80℃의 온도에서 약 1 시간 동안 경화할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Next, the applied PDMS mixed material 30 'is cured. There are various methods of curing, but in the embodiment of the present invention, a thermosetting method is used. For example, the substrate 10 to which the PDMS mixed material 30 'is applied may be put into an oven and cured at a temperature of about 80 DEG C for about 1 hour, but the present invention is not limited thereto.

이렇게 해서 경화된 PDMS 혼합물질(30')은 단단한 구조를 가지며, 상기 몰드(30)를 상기 기재(10)로부터 분리하면 도 1d 와 같이 몰드(30)가 완성된다. The cured PDMS mixed material 30 'has a rigid structure. When the mold 30 is separated from the substrate 10, the mold 30 is completed as shown in FIG. 1D.

도 2a 내지 도 2b 는 수득한 상기 몰드(30)의 친수화 과정을 도시한 단면도이다. FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating the hydrophilization process of the obtained mold 30. FIG.

먼저, 도 2a 에 도시된 바와 같이, 상기 몰드(30) 의 표면에 플라즈마 처리를 하여 상기 몰드(30)의 표면에 하이드록실기(OH-)를 형성시켜 표면을 친수화 시킨다. 예를 들어, 상압 플라즈마를 N2 400 slm(standard litters per minute), Air 10 slm, 12 kV 조건 하에 약 1 분 동안 조사하여 시편의 표면에 OH-기를 형성시켜 표면을 친수화 시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 2A, a surface of the mold 30 is subjected to a plasma treatment to form a hydroxyl group (OH-) on the surface of the mold 30 to hydrophilize the surface. For example, the surface can be hydrophilized by irradiating atmospheric plasma with N 2 400 slm (standard litters per minute), Air 10 slm, 12 kV for about 1 minute to form OH groups on the surface of the specimen. But is not limited to.

상기 친수화된 몰드(30)의 표면에 도 2b 에 도시된 바와 같이, 친수성 용매(40)를 에틸알콜에 희석하여 도포한다. 상기 친수성 용매(40)는 PVP (poly(4-vinylphenol)), PMF (poly(melamine-co-formaldehyde)), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.On the surface of the hydrophilized mold 30, the hydrophilic solvent 40 is diluted with ethyl alcohol and applied as shown in FIG. 2B. The hydrophilic solvent 40 may be a solvent selected from the group consisting of poly (4-vinylphenol), PMF (polyamine-co-formaldehyde), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) But are not limited thereto.

상기 친수성 용매(40)는 기화기를 통한 표면 처리 방법, 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 도포되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 스핀 코팅법으로 친수성 용매(40)를 도포하는 경우, 스프레이 코팅법에 비해 상기 몰드(30)상에 상기 친수성 용매(40)를 균일하게 도포할 수 있다. The hydrophilic solvent 40 may be applied by a surface treatment method using a vaporizer, a spin coating method, a roll-to-roll coating method, a spray coating method, a dip coating method or a flow coating method, but is not limited thereto. For example, when the hydrophilic solvent 40 is applied by the spin coating method, the hydrophilic solvent 40 can be uniformly coated on the mold 30 as compared with the spray coating method.

도 3a 및 도 3d 는 본원의 일 구현예에 따른 용매 패턴의 전사 방법을 도시한 단면도이다. 3A and 3D are sectional views showing a transfer method of a solvent pattern according to an embodiment of the present invention.

먼저, 통상적인 방법에 따라, 기재(100)를 세척하여 준비한다. 이렇게 기재(100)를 세척하는 것은 기재(100) 상에 존재하는 유기물을 제거하기 위한 것이다. 상기 기재(100)상에 유기물이 존재하는 경우에는, 후속하는 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolyars, SAMs)(110) 형성 공정에서 상기 자기조립 단분자막(110)을 균일하게 도포할 수 없는 문제가 있다. 상기 기재(100)를 세제에 일정 시간 동안 담그고 난 후, 상기 기재(100)를 린싱(Rinsing) 하는 순서로 유기물을 제거한다. 이 때 사용하는 세제는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 4 : 1 비율로 혼합하여 제조한다. 상기 기재(100)를 린싱하는 단계에서는 기재의 재오염을 막기 위하여 DI (Deionized) Water 를 사용하여 상기 기재(100)의 표면을 세척하는 것이 바람직하다. 상기 기재(100)는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리카보네이트, PET, 폴리에테르설폰 또는 폴리이미드 기재등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.First, the substrate 100 is prepared by washing according to a conventional method. Washing the substrate 100 in this way is for removing organic matter present on the substrate 100. When the organic material exists on the substrate 100, there is a problem that the self-assembled monolayer 110 can not be uniformly applied in a subsequent self-assembled monolayer (SAMs) 110 forming process. After immersing the substrate 100 in the detergent for a predetermined period of time, the organic material is removed in the order of rinsing the substrate 100. The detergent used is prepared by mixing sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) at a ratio of 4: 1. In the step of rinsing the substrate 100, it is preferable to clean the surface of the substrate 100 by using DI (Deionized) Water to prevent re-contamination of the substrate. The substrate 100 is not particularly limited and may be, for example, a silicon wafer, glass, ceramic, glass-ceramic, metal, metal oxide, polycarbonate, PET, polyethersulfone or polyimide substrate. But is not limited to.

도 1a 에 도시된 바와 같이, 깨끗이 세정된 기재(100) 상에 자외선을 조사한다. 예를 들어, 184 nm, 254 nm 파장의 자외선을 조사하는 공정을 수행하면, 상기 기재(100) 의 표면에 하이드록실기(-OH)가 형성된다. As shown in Fig. 1A, ultraviolet rays are irradiated onto the cleaned substrate 100. For example, when a step of irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 184 nm and 254 nm is performed, a hydroxyl group (-OH) is formed on the surface of the substrate 100.

이어서, 도 3b 에 도시된 바와 같이, 상기 기재(100)의 표면에 자기조립 단분자막(110)을 형성할 수 있다. 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayers, SAMs)이란, 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막을 뜻하며, 도 4 에 도시된 바와 같이 세개의 부분으로 이루어져있다. 먼저, 기질과 결합하는 머리 부분의 반응기(11), 규칙적인 분자막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칼사슬(12), 그리고 분자막의 기능을 좌우하는 꼬리 부분의 작용기(13)로 나누어진다. 자기조립 단분자막은 기질의 표면과 막을 이루게 되는 분자들 사이에 직접적인 화학 결합이 있는 경우가 많아서 매우 튼튼한 막을 만들 수 있다. 또한, 기질의 모양이나 크기에 영향을 받지 않아 복잡한 모양의 기질 위에서도 제조가 가능하며 대면적화에도 용이하다. Subsequently, as shown in FIG. 3B, a self-assembled monolayer 110 may be formed on the surface of the substrate 100. Self Assembled Monolayers (SAMs) refers to regularly aligned organic molecules spontaneously deposited on the surface of a given substrate, and consists of three parts as shown in FIG. First, the reactor 11 of the head part coupled to the substrate, the long alkalic chain 12 of the body part enabling regular molecular film formation, and the functional part 13 of the tail part, which functions as a molecular membrane, Loses. Self-assembled monolayers often have direct chemical bonds between the surface of the substrate and the molecules that make up the membrane, making it very robust. In addition, it is not affected by the shape and size of the substrate, and thus it is possible to manufacture the substrate even on complicated shaped substrates, and it is easy to maximize the size.

상기 자기조립 단분자막은 APS ((3-aminopropyl)trimethoxysilane), MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET ((3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine), EDA (N-[2-aminoethyl]-3-aminopropyltrimethoxysilane) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The self-assembled monolayer may be formed by a combination of APS (3-aminopropyl) trimethoxysilane, MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET (3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, EDA (N- Combinations thereof, but are not limited thereto.

상기 자기조립 단분자막(110)의 형성 방법으로서는 딥핑 코팅(dipping coating)방법, 스핀 코팅 방법, 롤투롤 방법 또는 기상 증착 방법을 사용해서 상기 자기조립 단분자막을 증착할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 딥핑 코팅법을 사용하는 경우, 기상 증착 방법에 비해 대면적인 기재에 자기조립 단분자막을 증착할 수 있다. The self-assembled monolayer 110 may be formed by a dipping coating method, a spin coating method, a roll-to-roll method, or a vapor deposition method, but the present invention is not limited thereto. For example, in the case of using the dip coating method, the self-assembled monolayer can be deposited on a substrate as opposed to the vapor deposition method.

이어서, 도 3c 에 형성된 바와 같이, 도 2b 에서 형성된 상기 몰드(30)와 상기 기재(100)를 접촉시켜 상기 기재(100)에 상기 몰드(30)에 형성된 친수성 용매 패턴(40)을 전사한다. 예를 들어, 상기 기재(100)와 상기 몰드(30)의 접촉 방법은 마이크로 컨택 프린팅 방법, 임프린팅 방법, 롤 투 롤 방법 또는 딥 펜 리소그라피 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 3C, the hydrophilic solvent pattern 40 formed on the mold 30 is transferred to the substrate 100 by contacting the mold 30 and the substrate 100 formed in FIG. 2B. For example, the method of contacting the substrate 100 with the mold 30 may be a microcontact printing method, an imprinting method, a roll-to-roll method, or a dip pen lithography method, but is not limited thereto.

상기 몰드(30)와 상기 기재(100)를 접촉시키면, 상기 몰드(30)의 양각 부분에 형성된 친수성 용매(40)는 기재(100)표면과 접촉하여 기재의 자기조립 단분자막(110)과 결합한다. 그러나 상기 몰드(30)의 음각 부분에 형성된 친수성 용매(40)는 상기 기재(100)의 표면과 접촉하지 못한다. 따라서, 도 3d 에 도시된 바와 같이, 상기 몰드(30)의 양각 부분에 형성된 친수성 용매(40)만 상기 기재(110)로 전사되는 것이다. 상기 몰드(30)를 상기 기재(100)에서 분리한 후, 진공 오븐에서 어닐링 과정을 통해 박막처리된 용액에서 끓는 점의 차이로 인해 저온에서 기화가 일어나는 에틸알콜만을 선택적으로 제거함과 동시에 PVP를 가교시켜 패턴을 형성한다. When the mold 30 is brought into contact with the substrate 100, the hydrophilic solvent 40 formed on the embossed portion of the mold 30 is brought into contact with the surface of the substrate 100 and bonded to the self-assembled monolayer 110 of the substrate . However, the hydrophilic solvent 40 formed on the engraved portion of the mold 30 does not contact the surface of the substrate 100. 3D, only the hydrophilic solvent 40 formed on the embossed portion of the mold 30 is transferred to the substrate 110. As shown in FIG. After the mold 30 is separated from the substrate 100, only ethyl alcohol vaporized at a low temperature is selectively removed due to a difference in boiling points of the thin-film-treated solution through an annealing process in a vacuum oven, Thereby forming a pattern.

<실시예><Examples>

기재로써 SiO2 기재를 사용하였으며, 스핀 코팅을 이용하여 상기 기재 상에 5 um 으로 포토레지스트층을 형성하였다. 상기 포토레지스트층은 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴 형성을 수행하였다. 상기 패턴 형성된 기재에 실가드(sylgard) 와 경화제를 10: 1 로 약 10 분간 중합하였다. 중합된 용액을 상기 기재 위에 부어준 뒤, 80℃ 오븐에서 약 1 시간 동안 경화하였다. A SiO 2 substrate was used as a substrate, and a photoresist layer was formed on the substrate by spin coating at 5 μm. The photoresist layer was patterned by an electron beam lithography method. The patterned substrate was polymerized with a sylgard and a curing agent at a ratio of 10: 1 for about 10 minutes. The polymerized solution was poured onto the substrate and cured in an oven at 80 DEG C for about 1 hour.

단단하게 경화된 PDMS 몰드를 기재에서 제거하고, 상압 플라즈마를 N2 400 slm(standard litters per minute), Air 10 slm , 12 kV 의 조건하에 약 1 분간 시편에 조사하여 표면에 하이드록실기 (OH-) 를 형성시켜 상기 몰드의 표면을 친수화 시켰다. The hardened PDMS mold was removed from the substrate and the normal pressure plasma was irradiated to the specimen for about 1 minute under conditions of N 2 400 slm (standard litters per minute), Air 10 slm, and 12 kV to form a hydroxyl group (OH- ) Was formed to hydrophilize the surface of the mold.

상기 몰드에 친수성 용매를 스핀코팅을 통해 도포해 주었다. 상기 친수성 용매는 PVP 용액으로, PVP (4vinylphenol) 3 wt% 와 PMF(poly(melamine-co-formaldehyde)) 1.5 wt% 를 PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) 용매에 녹여 약 24 시간 교반해서 제조하였다. 상기 몰드에 상기 PVP 용액을 500 rpm에서 5 초, 3500 rpm에서 35 초간 스핀코팅하여 상기 몰드 위에 상기 PVP 용액을 도포하였다. A hydrophilic solvent was applied to the mold through spin coating. The hydrophilic solvent was prepared by dissolving 3 wt% of PVP (polyvinylphenol) and 1.5 wt% of poly (melamine-co-formaldehyde) in a solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) for about 24 hours as a PVP solution. The PVP solution was spin-coated on the mold at 500 rpm for 5 seconds and at 3500 rpm for 35 seconds to apply the PVP solution onto the mold.

한편, 피라냐 클리닝(H2SO4:H2O2=4:1)된 SiO2기재 위에 자외선을 조사하여 상기 기재의 표면에 하이드록실기(OH-)를 형성하여 상기 기재의 표면을 친수화 시켰다. 상기 기재에 APS((3-aminopropyl)trimethoxysilane) 0.1 mM , 아세틱애씨드 1 uM 를 50 mL 에틸알콜에 넣어준 후, 약 1 시간 동안 딥핑(dipping)하여 상기 기재의 표면에 APS자기조립 단분자막을 코팅해주어 상기 기재의 표면을 친수화 시켰다. On the other hand, ultraviolet rays are irradiated onto a SiO 2 substrate subjected to piranha cleaning (H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 4: 1) to form a hydroxyl group (OH-) on the surface of the substrate, . 0.1 mM of APS ((3-aminopropyl) trimethoxysilane) and 1 uM of acetic acid were added to 50 mL of ethyl alcohol, followed by dipping for about 1 hour to coat APS self-assembled monolayer The surface of the substrate was made hydrophilic.

PVP 용액이 도포된 상기 몰드를 마이크로 컨택 프린팅(micro contact printing, 미세 접촉 인쇄) 방법을 통하여 상기 기재에 선택적으로 용액을 전사시켰다. The mold onto which the PVP solution was applied was selectively transferred to the substrate through a micro contact printing method.

상기 몰드를 상기 기재에서 분리한 후, 상기 기재를 200℃ 에서 약 2 시간 동안 진공 오븐에서 가열해주어 박막 처리된 용액에서 끓는 점의 차이로 인해 저온에서 기화가 일어나는 에틸알콜만을 선택적으로 제거함과 동시에 PVP를 가교시켜 패턴을 형성한다. After separating the mold from the substrate, the substrate was heated in a vacuum oven at 200 ° C for about 2 hours to selectively remove only ethyl alcohol vaporized at low temperatures due to differences in boiling point in the thinned solution, and PVP Are crosslinked to form a pattern.

기존 방법대로 실험을 한 패턴의 사진을 도 5에, 상기 실시예에 따른 패턴의 사진을 도 6에 나타내었다. 도 5 와 같이, 기존 방법으로 패턴을 전사할 경우, 기재와의 낮은 접착력으로 인해 상기 PVP 용매 전사가 균일하게 이루어 지지 않았으며, 상기 몰드와 상기 기재의 분리 시, 패턴이 뜯겨 나간 부분을 확인할 수 있었다. Fig. 5 shows a photograph of a pattern experimented according to the conventional method, and Fig. 6 shows a photograph of a pattern according to the embodiment. As shown in FIG. 5, when the pattern is transferred by the conventional method, the PVP solvent transfer is not uniformly carried out due to the low adhesive force with the substrate, and when the mold and the substrate are separated from each other, there was.

그러나 본원의 실시예에 따른 사진을 참조하면, 도 6 에 도시한 바와 같이, 표면 전체에 PVP 용매가 전사되었음을 알 수 있었다. 자기조립 단분자막 처리를 함으로써 용매 패턴과 기재간의 강한 접착력으로 인해 상기 PVP 용매가 균일하게 전사됨을 알 수 있었다. However, referring to the photograph according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, it was found that the PVP solvent was transferred to the entire surface. It was found that the PVP solvent was uniformly transferred due to strong adhesive force between the solvent pattern and the substrate by the self-assembled monolayer process.

도 7 은 상기 기재에 전사된 상기 PVP 용매의 AFM 이미지이다. 도 7을 참조하면, 상기 PVP 용매가 일정한 폭과 높이로 전사되었음을 알 수 있으며, 상기 PVP 용매의 높이는 약 450 nm 인 것을 알 수 있었다. Figure 7 is an AFM image of the PVP solvent transferred to the substrate. Referring to FIG. 7, it can be seen that the PVP solvent was transferred at a constant width and height, and the height of the PVP solvent was about 450 nm.

이와 같이, 친수성 자기조립 단분자막이 형성된 기재와 친수성 용매 패턴을 형성한 몰드를 컨택 프린팅을 통해서 용매 패턴을 기재로 전사시킬 경우, 같은 성질을 가진 용매와 기재간의 강한 접착력으로 선명하게 패턴을 전사할 수 있음은 물론, 표면 개질을 이용한 대면적 패턴도 가능해지고, 용매를 이용하는 유기물질의 패턴이 가능해질 수 있다.In this manner, when a base material on which a hydrophilic self-assembled monolayer film is formed and a mold on which a hydrophilic solvent pattern is formed are transferred onto a base material through contact printing, a pattern can be transferred clearly with a strong adhesive force between the base material and the base material As a matter of course, a large area pattern using the surface modification becomes possible, and a pattern of an organic material using a solvent can be made possible.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

10 : 기재
20 : 포토 레지스트
30 : PDMS몰드
30': PDMS 혼합 물질
40 : 친수성 용매
100 : 기재
110 : 자기조립 단분자막
10: substrate
20: Photoresist
30: PDMS mold
30 ': PDMS mixed material
40: hydrophilic solvent
100: substrate
110: self-assembled monolayer

Claims (11)

기재에 친수성 자기조립 단분자막을 형성하여 상기 기재의 표면을 개질하는 단계 ;
패턴된 몰드를 수득하는 단계;
상기 패턴된 몰드에 친수성 용매를 도포하여 상기 패턴된 몰드 표면에 친수성 용매 패턴을 형성하는 단계; 및
친수성 자기조립 단분자막이 형성된 상기 기재에 친수성 용매 패턴이 형성된 상기 몰드를 접촉시켜, 상기 몰드의 친수성 용매 패턴을 상기 기재에 전사하는 단계
를 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법
Modifying the surface of the substrate by forming a hydrophilic self-assembled monolayer on the substrate;
Obtaining a patterned mold;
Applying a hydrophilic solvent to the patterned mold to form a hydrophilic solvent pattern on the patterned mold surface; And
Contacting the mold having a hydrophilic self-assembled monolayer formed thereon with a hydrophilic solvent pattern to transfer the hydrophilic solvent pattern of the mold to the substrate
, A method of transferring a solvent pattern
제 1 항에 있어서,
상기 기재는 쿼츠(quartz), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리카보네이트, PET, 폴리에테르설폰 또는 폴리이미드인, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a quartz, silicon wafer, glass, ceramic, glass-ceramic, metal, metal oxide, polycarbonate, PET, polyethersulfone or polyimide.
제 1 항에 있어서,
상기 기재의 표면을 개질하는 단계 전에, 상기 기재의 표면에 UV를 조사하여 상기 기재의 표면에 OH-기를 형성시키는 단계를 추가 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of irradiating the surface of the substrate with UV to form an OH- group on the surface of the substrate before the step of modifying the surface of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 친수성 자기조립 단분자막은 APS((3-aminopropyl)trimethoxysilane), MUA(11-mercaptoundecanoic acid), DET((3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine), EDA(N-[2-aminoethyl]-3-aminopropyltrimethoxysilane) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 자기조립 단분자막을 포함하는 것인, 용매패턴의 전사방법.
The method according to claim 1,
The hydrophilic self-assembled monolayer may be formed by a combination of APS (3-aminopropyl) trimethoxysilane, MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET (3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, EDA (N- 2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, Wherein the self-assembled monolayer is selected from the group consisting of combinations of:
제 1 항에 있어서,
상기 기재에 상기 친수성 자기조립 단분자막을 형성하는 것은 딥핑 코팅 (dipping coating)방법, 스핀 코팅 방법, 롤투롤 방법 또는 기상 증착방법에 의해 형성된 것인, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the hydrophilic self-assembled monolayer is formed on the substrate by a dipping coating method, a spin coating method, a roll-to-roll method, or a vapor deposition method.
제 1 항에 있어서,
상기 몰드는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mold is selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), polyurethane, polyimides, and combinations thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 친수성 용매는 PVP(poly(4-vinylphenol)), PMF(poly(melamine-co-formaldehyde)), PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것인, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the hydrophilic solvent comprises a solvent selected from the group consisting of poly (4-vinylphenol), PMF (polyamine-co-formaldehyde), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) Of the solvent pattern.
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 친수성 용매는 기화기를 통한 표면 처리 방법, 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법 에 의해 도포되는 것인, 용매 패턴의 전사 방법.
8. The method of claim 1 or 7,
Wherein the hydrophilic solvent is applied by a surface treatment method using a vaporizer, a spin coating method, a roll-to-roll coating method, a spray coating method, a dipping coating method or a flow coating method.
제 1 항에 있어서,
상기 기재와 상기 몰드를 접촉시키는 방식은 마이크로 컨택 프린팅 (micro-contact printing)방식, 임프린팅(Imprinting) 방식, 롤 투 롤(Roll to Roll)방식 또는 딥 펜 리소그라피 (Dip pen lithography) 방식에 의해 이루어지는, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
The method of bringing the substrate into contact with the mold may be a micro-contact printing method, an imprinting method, a roll-to-roll method, or a dip pen lithography method. , A solvent pattern transfer method.
제 1 항에 있어서,
상기 패턴된 몰드의 표면에 친수화 처리가 이루어지는 것을 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법.
The method according to claim 1,
And a hydrophilic treatment is performed on the surface of the patterned mold.
제 10 항에 있어서,
상기 친수화 처리는 상압 플라즈마 처리인, 용매 패턴의 전사 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the hydrophilic treatment is an atmospheric plasma treatment.
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