KR20130119132A

KR20130119132A - Light emitting device, lightr emitting module and lighting system

Info

Publication number: KR20130119132A
Application number: KR1020120042059A
Authority: KR
Inventors: 김민철; 원성희
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2012-04-23
Filing date: 2012-04-23
Publication date: 2013-10-31
Anticipated expiration: 2032-04-23
Also published as: KR101946910B1

Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1 및 제2캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체의 제1캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임에 연결된 제1발광 칩; 상기 몸체의 제2캐비티에 배치된 제3 및 제4리드 프레임; 상기 제3 및 제4리드 프레임에 연결된 제2발광 칩; 및 상기 제1 및 제2발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1발광 칩의 제1극성의 전극에 연결되며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1발광 칩의 제2극성의 전극에 연결되며, 상기 제3리드 프레임은 상기 제2발광 칩의 제2극성의 전극과 연결되며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제2발광 칩의 제1극성의 전극과 연결되며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제3리드 프레임의 일부와 대응되며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제1리드 프레임의 일부와 대응되고, 상기 제1 및 제2발광 칩을 직렬 또는 병렬로 연결시켜 주는 기판을 포함한다. According to an embodiment, a light emitting module may include: a body having first and second cavities; First and second lead frames disposed in the first cavity of the body; A first light emitting chip connected to the first and second lead frames; Third and fourth lead frames disposed in the second cavity of the body; A second light emitting chip connected to the third and fourth lead frames; And a molding member covering the first and second light emitting chips, wherein the first lead frame is connected to a first polarity electrode of the first light emitting chip, and the second lead frame is connected to the first light emitting chip. A third lead frame connected to a second polarity electrode of the second light emitting chip, and a fourth lead frame connected to a first polarity electrode of the second light emitting chip. The second lead frame corresponds to a portion of the third lead frame, and the fourth lead frame corresponds to a portion of the first lead frame, and the first and second light emitting chips are connected in series or in parallel. The main includes a substrate.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, a light emitting module,

실시 예는 발광 소자, 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting module, and an illumination system including the same.

정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.As information processing technology develops, display devices such as LCD, PDP and AMOLED are widely used. Of these display devices, the LCD requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

발광 소자에는 복수의 발광 칩을 구비하는 구조가 제시되고 있으며, 복수의 발광 칩의 연결 방식에 따라 발광 소자의 내부 구조가 달라지는 문제가 있다. The light emitting device has a structure including a plurality of light emitting chips, and there is a problem in that the internal structure of the light emitting device varies according to a connection method of the plurality of light emitting chips.

실시 예는 서로 반대의 극성을 갖는 리드 프레임들을 맞은편에서 서로 대응되게 배치하여, 기판의 직렬 연결용 패턴 또는 병렬 연결용 패턴 상에 공통으로 탑재될 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device that can be arranged on a substrate for serial connection or a pattern for parallel connection of substrates by arranging lead frames having opposite polarities to be opposite to each other.

실시 예는 발광 소자 내의 복수의 발광 칩을 기판의 전극 패드의 배열에 따라 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module capable of connecting a plurality of light emitting chips in a light emitting device in series or in parallel according to an arrangement of electrode pads of a substrate.

실시 예는 발광 소자 내에 서로 분리된 복수의 리드 프레임에 복수의 발광 칩을 전기적으로 분리시켜 배치하고, 기판의 아래에 배치된 전극패드를 이용하여 복수의 발광 칩을 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있도록 한 발광 모듈을 제공한다.According to an embodiment, a plurality of light emitting chips are electrically separated and arranged in a plurality of lead frames separated from each other in a light emitting device, and a plurality of light emitting chips may be connected in series or in parallel using an electrode pad disposed under the substrate. It provides a light emitting module.

실시 예는 발광 모듈을 갖는 조명 시스템을 제공한다. The embodiment provides a lighting system having a light emitting module.

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1 및 제2캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체의 제1캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임에 연결된 제1발광 칩; 상기 몸체의 제2캐비티에 배치된 제3 및 제4리드 프레임; 상기 제3 및 제4리드 프레임에 연결된 제2발광 칩; 및 상기 제1 및 제2발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1발광 칩의 제1극성의 전극에 연결되며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1발광 칩의 제2극성의 전극에 연결되며, 상기 제3리드 프레임은 상기 제2발광 칩의 제2극성의 전극과 연결되며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제2발광 칩의 제1극성의 전극과 연결되며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제3리드 프레임의 일부와 대응되며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제1리드 프레임의 일부와 대응된다.The light emitting device according to the embodiment includes a body having a first and a second cavity; First and second lead frames disposed in the first cavity of the body; A first light emitting chip connected to the first and second lead frames; Third and fourth lead frames disposed in the second cavity of the body; A second light emitting chip connected to the third and fourth lead frames; And a molding member covering the first and second light emitting chips, wherein the first lead frame is connected to a first polarity electrode of the first light emitting chip, and the second lead frame is connected to the first light emitting chip. A third lead frame connected to a second polarity electrode of the second light emitting chip, and a fourth lead frame connected to a first polarity electrode of the second light emitting chip. The second lead frame corresponds to a portion of the third lead frame, and the fourth lead frame corresponds to a portion of the first lead frame.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 상기의 발광 소자; 상기 발광 소자의 아래에 복수의 전극 패드를 포함하는 기판을 포함하며, 상기 복수의 전극 패드는, 상기 제1리드 프레임과 연결된 제1전극 패드; 상기 제3리드 프레임과 연결된 제2전극 패드; 상기 제2리드 프레임과 상기 제3리드 프레임의 일부를 서로 연결해 주는 제3전극 패드; 및 상기 제1리드 프레임의 일부와 상기 제4리드 프레임을 서로 연결해 주는 제4전극 패드를 포함한다.The light emitting module according to the embodiment includes the above light emitting device; A substrate including a plurality of electrode pads below the light emitting device, wherein the plurality of electrode pads include: a first electrode pad connected to the first lead frame; A second electrode pad connected to the third lead frame; A third electrode pad connecting the second lead frame and a portion of the third lead frame to each other; And a fourth electrode pad connecting a portion of the first lead frame and the fourth lead frame to each other.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 상기의 발광 소자; 상기 발광 소자의 아래에 복수의 전극 패드를 포함하는 기판을 포함하며, 상기 복수의 전극 패드는, 상기 제1리드 프레임과 연결된 제1전극 패드; 상기 제3리드 프레임과 연결된 제2전극 패드; 및 상기 제2리드 프레임과 상기 제4리드 프레임을 연결해 주는 제5전극 패드를 포함한다.The light emitting module according to the embodiment includes the above light emitting device; A substrate including a plurality of electrode pads below the light emitting device, wherein the plurality of electrode pads include: a first electrode pad connected to the first lead frame; A second electrode pad connected to the third lead frame; And a fifth electrode pad connecting the second lead frame and the fourth lead frame.

실시 예는 기판의 전극 패드의 패턴에 따라 발광 소자내의 발광 칩들을 직렬 또는 병렬로 연결하여 사용할 수 있어, 발광 소자를 공용으로 사용할 수 있는 효과가 있다.According to the embodiment, according to the pattern of the electrode pad of the substrate, the light emitting chips in the light emitting device may be connected in series or in parallel, so that the light emitting devices may be used in common.

실시 예는 발광 소자의 내의 리드 프레임의 구조를 직렬 또는 병렬의 연결 구조에 관계없이 동일한 구조를 사용할 수 있는 효과가 있다. The embodiment has the effect that the same structure can be used for the structure of the lead frame in the light emitting device regardless of the connection structure in series or parallel.

실시 예는 발광 소자의 적용을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the application of the light emitting device.

실시 예는 발광 소자를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a light emitting module having a light emitting element and an illumination system having the same.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 배면도이다.
도 4는 도 1의 발광 모듈의 결합 평면도이다.
도 5는 도 4의 발광 모듈의 A-A 측 단면도이다.
도 6은 도 4의 발광 모듈의 B-B 측 단면도이다.
도 7은 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 발광 모듈의 평면도이다.
도 9는 도 8의 발광 모듈의 C-C 측 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 제3실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이다.
도 12는 도 11의 발광 소자의 D-D 측 단면도이다.
도 13은 도 11의 발광 소자의 E-E 측 단면도이다.
도 14는 도 11의 발광 소자의 F-F 측 단면도이다.
도 15는 도 11의 발광 모듈의 평면도를 나타낸 도면이다.
도 16은 제4실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도이다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자의 변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 18은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 분해 사시도이다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 23 내지 도 25는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 26 및 도 27은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a first embodiment.
2 is a plan view of the light emitting device of FIG.
3 is a rear view of the light emitting device of FIG.
4 is a combined plan view of the light emitting module of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting module of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting module of FIG. 4.
7 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a second embodiment.
8 is a plan view of the light emitting module of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view of the CC side of the light emitting module of FIG. 8.
10 is a view showing a modification of the light emitting device according to the embodiment.
11 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a third embodiment.
12 is a sectional view taken along the line DD of the light emitting device of FIG. 11.
FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the EE side of the light emitting device of FIG. 11.
14 is a sectional view taken along the FF side of the light emitting device of FIG.
FIG. 15 is a plan view illustrating the light emitting module of FIG. 11.
16 is a plan view of a light emitting module according to a fourth embodiment.
17 is a plan view illustrating a modification of the light emitting device according to the embodiment.
18 is an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a fifth embodiment.
19 is a view showing an example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
20 is a view showing another light emitting chip of the light emitting chip according to the embodiment.
21 is a diagram illustrating a display device having a light emitting module according to an embodiment.
22 is a diagram illustrating a display device having a light emitting module according to an embodiment.
23 to 25 are views illustrating a lighting apparatus according to an embodiment.
26 and 27 are diagrams illustrating another example of the lighting apparatus according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

<제1실시 예>&Lt; Embodiment 1 >

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 배면도이며, 도 4는 도 1의 발광 모듈의 결합 평면도이며, 도 5는 도 4의 발광 모듈의 A-A 측 단면도이고, 도 6은 도 4의 발광 모듈의 B-B 측 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 3 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 4 is a view of the light emitting module of FIG. 1. 5 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 4.

도 1 및 도 3을 참조하면, 발광 모듈(201)은 기판(200) 및 상기 기판(200) 위에 배치된 적어도 하나의 발광 소자(100)를 포함한다. 상기의 발광 소자(100)는 상기 기판(200) 상에 적어도 하나 또는 복수개가 배열될 수 있다. 1 and 3, the light emitting module 201 includes a substrate 200 and at least one light emitting device 100 disposed on the substrate 200. At least one or a plurality of light emitting devices 100 may be arranged on the substrate 200.

상기 발광 소자(100)는 몸체(111), 복수의 리드 프레임(121,131,141,151), 및 복수의 발광 칩(171,172)를 포함한다.The light emitting device 100 includes a body 111, a plurality of lead frames 121, 131, 141, and 151, and a plurality of light emitting chips 171, 172.

상기 몸체(111)는 절연 재질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl) 계열의 재질, LCP(Liquid Crystal Polymer) 계열의 재질, PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질, 실리콘, 에폭시 몰딩 재질(EMC: Epoxy molding compounds), 금속을 포함하는 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al₂O₃), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(111)는 반사율이 높고 상기 리드 프레임과의 사출 성형이 용이한 수지 재질 예컨대, PPA 및 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 설명하기로 한다. The body 111 is an insulating material, for example, polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl) -based material, LCP (Liquid Crystal Polymer) -based material, PA9T (Polyamide9T) resin material, silicone, It may be formed of at least one of an epoxy molding compound (EMC), a material including a metal, a photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al ₂ O ₃ ), a printed circuit board (PCB). For example, the body 111 will be described as including a resin material having a high reflectance and easy injection molding with the lead frame, such as at least one of PPA and silicon.

상기 몸체(111)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 각 발광 소자(100)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.A cathode mark may be formed on the upper side of the body 111, but is not limited thereto. The cathode mark can prevent confusion about the polarity direction of each light emitting device 100.

상기 몸체(111)는 복수의 발광 칩(171,172)의 중심을 지나는 방향을 길이 방향(x축 방향)이라 하고, 상기 길이 방향에 수직인 방향을 너비 방향(x축 방향)으로 정의할 수 있다. 상기 몸체(111)는 길이가 너비보다 적어도 2배 이상 긴 길이로 형성될 수 있다. 상기 몸체(111)의 길이는 제1측면(41)과 제2측면(42) 사이의 거리이며, 그 너비는 제3측면(43)과 제4측면(44) 사이의 거리가 될 수 있다.The body 111 may define a direction passing through the centers of the plurality of light emitting chips 171 and 172 as a length direction (x-axis direction), and a direction perpendicular to the length direction as a width direction (x-axis direction). The body 111 may have a length of at least two times longer than the width. The length of the body 111 may be a distance between the first side surface 41 and the second side surface 42, and the width may be a distance between the third side surface 43 and the fourth side surface 44.

상기 몸체(111) 내에는 캐비티(112,113)가 형성되며, 상기 캐비티(112,113)는 상부가 개방된 오목한 홈 형상 또는 리세스 형상을 포함한다. 상기 캐비티(112,113)는 탑 측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(111)는 상기 캐비티(112,113)의 둘레를 커버하게 된다. 상기의 캐비티(112,113)의 영역을 분리하여 도시하였으나, 장벽부(115)가 없이 단일 캐비티 구조로 형성될 수 있다.Cavities 112 and 113 are formed in the body 111, and the cavities 112 and 113 include a concave groove shape or a recess shape in which an upper portion thereof is opened. The cavities 112 and 113 may be formed in a circular shape, an elliptic shape, a polygonal shape, etc. when viewed from the top side, but are not limited thereto. The body 111 covers the circumferences of the cavities 112 and 113. Although the regions of the cavities 112 and 113 are separated from each other, the cavities 112 and 113 may be formed in a single cavity structure without the barrier portion 115.

상기 몸체(111)의 상부 중심 영역에는 장벽부(115)가 배치되며, 상기 장벽부(115)는 제1캐비티(112)와 제2캐비티(113)의 영역으로 분리시켜 준다. 상기 장벽부(115)는 상기 제1캐비티(112)와 제2캐비티(113) 사이의 영역에서 상기 몸체(111)의 단축 방향(Y축)으로 가로질러 형성되며, 직선형 또는 사선형의 구조로 배치될 수 있다. 상기 장벽부(115)는 상기 몸체(111)의 재질과 동일한 재질로 형성되거나, 다른 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 장벽부(115)의 높이는 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)의 상면 높이보다 더 높게 배치될 수 있으며, 이러한 장벽부(115)는 광 반사를 효과적으로 수행할 수 있다.The barrier part 115 is disposed in the upper center area of the body 111, and the barrier part 115 separates the area of the first cavity 112 and the second cavity 113. The barrier part 115 is formed in the region between the first cavity 112 and the second cavity 113 in the short axis direction (Y axis) of the body 111, and has a linear or oblique structure. Can be deployed. The barrier part 115 may be formed of the same material as the material of the body 111 or may be formed of a different material, but is not limited thereto. The height of the barrier portion 115 may be higher than the top heights of the first and second light emitting chips 171 and 172, and the barrier portion 115 may effectively reflect light.

상기 제1캐비티(112)의 둘레는 상기 제1캐비티(112)의 바닥에 대해 경사지거나, 수직하게 배치될 수 있다. 상기 제2캐비티(113)의 둘레는 상기 제2캐비티(113)의 바닥에 대해 경사지거나, 수직하게 배치될 수 있다.The circumference of the first cavity 112 may be inclined or perpendicular to the bottom of the first cavity 112. The circumference of the second cavity 113 may be inclined or perpendicular to the bottom of the second cavity 113.

상기 장벽부(115)의 상면은 상기 몸체(111)의 상면 높이보다 낮은 높이로 형성될 수 있으며, 그 양 측면은 상기 캐비티(112,113)의 바닥에 대해 경사지거나, 수직하게 배치될 수 있다.The top surface of the barrier portion 115 may be formed to a height lower than the top surface of the body 111, both sides may be inclined or perpendicular to the bottom of the cavity (112, 113).

상기 몸체(111)의 제1캐비티(112)의 바닥에는 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)이 서로 분리되어 배치되며, 상기 제2캐비티(113)의 바닥에는 제3리드 프레임(141)과 제4리드 프레임(151)이 서로 분리되어 배치된다.The first lead frame 121 and the second lead frame 131 are separated from each other on the bottom of the first cavity 112 of the body 111, the third lead on the bottom of the second cavity 113. The frame 141 and the fourth lead frame 151 are disposed to be separated from each other.

상기 제1리드 프레임(121) 상에는 제1발광 칩(171)이 배치되고, 상기 제1발광 칩(171)은 상기 제1리드 프레임(121)에 본딩 부재로 접착될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 제2리드 프레임(131)의 면적보다 큰 면적을 갖고, 상기 제1발광 칩(171)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 상기의 본딩 부재는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제를 포함한다.A first light emitting chip 171 may be disposed on the first lead frame 121, and the first light emitting chip 171 may be bonded to the first lead frame 121 by a bonding member. The first lead frame 121 may have an area larger than that of the second lead frame 131, and may effectively dissipate heat generated from the first light emitting chip 171. The bonding member includes an insulating adhesive or a conductive adhesive.

상기 제3리드 프레임(141) 상에는 제2발광 칩(172)이 배치되고, 상기 제2발광 칩(172)은 상기 제3리드 프레임(141) 상에 본딩 부재로 접착될 수 있다. 상기 제3리드 프레임(141)은 상기 제4리드 프레임(151)의 면적보다 큰 면적을 갖고, 상기 제2발광 칩(172)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 상기의 본딩 부재는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제를 포함한다.A second light emitting chip 172 may be disposed on the third lead frame 141, and the second light emitting chip 172 may be bonded to the third lead frame 141 by a bonding member. The third lead frame 141 may have an area larger than that of the fourth lead frame 151 and may effectively dissipate heat generated from the second light emitting chip 172. The bonding member includes an insulating adhesive or a conductive adhesive.

도 2 및 도 5와 같이, 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 몸체(111)의 제1측면(41)으로 돌출된 제1리드부(123) 및 지지를 위해 상기 장벽부(115) 내부로 돌출된 제1지지부(122)를 포함한다. 상기 제1지지부(122)는 상기 몸체(111)와의 결합을 위해 복수개로 형성될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131)은 상기 제1지지부(122)로부터 이격되고, 일부가 상기 장벽부(115)의 내부에 배치된다. As shown in FIGS. 2 and 5, the first lead frame 121 has a first lead portion 123 protruding from the first side 41 of the body 111 and the inside of the barrier portion 115 for support. It includes a first support portion 122 protruding to. The first support part 122 may be formed in plural to be coupled to the body 111. The second lead frame 131 is spaced apart from the first support part 122, and a part of the second lead frame 131 is disposed inside the barrier part 115.

도 2 및 도 6과 같이, 상기 제3리드 프레임(141)은 상기 몸체(111)의 제2측면(42)으로 돌출된 제2리드부(143) 및 지지를 위해 상기 장벽부(115) 내부로 돌출된 제2지지부(142)를 포함한다. 상기 제2리드부(143)는 상기 몸체(111)와의 결합을 위해 복수개로 형성될 수 있다. 상기 제4리드 프레임(151)은 상기 제2지지부(142)로부터 이격되고, 일부가 상기 장벽부(115)의 내부에 배치된다. As shown in FIGS. 2 and 6, the third lead frame 141 has a second lead portion 143 protruding from the second side 42 of the body 111 and the inside of the barrier portion 115 for support. It includes a second support portion 142 protruding to. The second lead part 143 may be formed in plural to be coupled to the body 111. The fourth lead frame 151 is spaced apart from the second support part 142, and a part of the fourth lead frame 151 is disposed inside the barrier part 115.

도 3과 같이, 제1리드 프레임(121), 제2리드 프레임(131), 제3리드 프레임(141) 및 제4리드 프레임(151)은 상기 몸체(111)의 하면에 배치된다. 상기 제2리드 프레임(131)은 상기 제3리드 프레임(141)의 제2지지부(142)과 대응되고 상기 제4리드 프레임(151)과 어긋나게 배치된다. 상기 제4리드 프레임(151)은 상기 상기 제1리드 프레임(121)의 제1지지부(122)와 대응되게 배치되고, 제2리드 프레임(131)과는 어긋나게 배치된다. As shown in FIG. 3, the first lead frame 121, the second lead frame 131, the third lead frame 141, and the fourth lead frame 151 are disposed on the bottom surface of the body 111. The second lead frame 131 corresponds to the second support part 142 of the third lead frame 141 and is disposed to be offset from the fourth lead frame 151. The fourth lead frame 151 is disposed to correspond to the first support part 122 of the first lead frame 121 and is disposed to be offset from the second lead frame 131.

도 2와 같이, 상기 제1리드 프레임(121)의 제1지지부(122)의 너비(D3)는 0.15mm 이상으로 배치될 수 있다. 상기 제3리드 프레임(141)의 제2지지부(142)의 너비는 상기 제1지지부(122)의 너비와 동일할 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131) 중에서 상기 제1캐비티(112)에 노출된 영역의 길이(D1) 및 너비(D2)는 0.15mm 이상일 수 있으며, 상기 제4리드 프레임(141) 중에서 상기 제2캐비티(113)에 노출된 영역의 길이 및 너비는 상기 제2리드 프레임(131)과 동일한 길이 및 너비이거나, 상기 제2리드 프레임(131)에 비해 0.02mm의 오차 범위 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제4리드 프레임(131,151) 중에서 상기 제1 및 제2캐비티(112,113)의 바닥에 노출된 면적은 와이어의 본딩을 위한 최소 면적일 수 있다. As shown in FIG. 2, the width D3 of the first support part 122 of the first lead frame 121 may be 0.15 mm or more. The width of the second support part 142 of the third lead frame 141 may be the same as the width of the first support part 122. The length D1 and the width D2 of the area exposed to the first cavity 112 of the second lead frame 131 may be 0.15 mm or more, and the second cavity of the fourth lead frame 141 may be formed. The length and width of the area exposed to 113 may be the same length and width as the second lead frame 131 or may be disposed within an error range of 0.02 mm compared to the second lead frame 131. An area exposed to bottoms of the first and second cavities 112 and 113 among the second and fourth lead frames 131 and 151 may be a minimum area for bonding the wires.

상기 복수의 리드 프레임(121,131,141,151)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리드 프레임(121,131,141,151)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 그 두께는 0.8mm~2mm로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The plurality of lead frames 121, 131, 141, and 151 may be formed of a metal plate having a predetermined thickness, and another metal layer may be plated on the surface of the metal plate, but is not limited thereto. The lead frames 121, 131, 141, and 151 may be made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), It may include at least one of tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed to have a single layer or a multilayer structure, and the thickness thereof may be formed to be 0.8 mm to 2 mm. It is not limited.

상기 제1발광 칩(171)은 상기 제1리드 프레임(121)과 제1와이어(71)로 연결되고, 상기 제2리드 프레임(131)과 제2와이어(72)로 연결된다. 상기 제2발광 칩(172)는 상기 제3리드 프레임(141)과 제3와이어(73)로 연결되고, 상기 제4리드 프레임(151)과 제4와이어(74)로 연결된다. 상기 제1 및 제4리드 프레임(121,151)은 제1 및 제2발광 칩(171,172)의 정 극성(+)의 전극에 연결된 정 극성 단자로 사용될 수 있으며, 상기 제2 및 제3리드 프레임(131,141)은 제1 및 제2발광 칩(171,172)의 부 극성(-)의 전극에 연결된 부 극성 단자로 사용될 수 있다. 상기의 극성은 서로 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first light emitting chip 171 is connected to the first lead frame 121 and the first wire 71, and is connected to the second lead frame 131 and the second wire 72. The second light emitting chip 172 is connected to the third lead frame 141 and the third wire 73, and is connected to the fourth lead frame 151 and the fourth wire 74. The first and fourth lead frames 121 and 151 may be used as positive polarity terminals connected to electrodes of positive polarity (+) of the first and second light emitting chips 171 and 172, and the second and third lead frames 131 and 141. ) May be used as a negative polarity terminal connected to the negative polarity (−) electrodes of the first and second light emitting chips 171 and 172. The polarity may be changed with each other, but is not limited thereto.

여기서, 상기 제1 및 제2 발광 칩(171,172)은 III족-V족 화합물 반도체를 포함하며, 예컨대 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖고, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 주피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광 칩(171,172)은 수평형 전극 구조를 갖는 칩으로 구현될 수 있다.
The first and second light-emitting chip (171 172) comprises a group III -V compound semiconductor, for example, _{_{_{_{_{In x Al y Ga 1 -x- y}}}}} N (0≤x≤1, 0≤y≤1, It has a semiconductor having a composition formula of 0 ≦ x + y ≦ 1) and can emit a predetermined main peak wavelength within the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band. The first and second light emitting chips 171 and 172 may be implemented as chips having a horizontal electrode structure.

상기의 발광 소자(100)는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1캐비티(112) 및 제2캐비티(113)에 배치된 몰딩 부재(191)를 포함하며, 상기 몰딩 부재(191)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(191)에는 적어도 한 컬러를 발광하는 형광체 또는/및 확산제가 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(191) 위에는 렌즈가 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다.
As illustrated in FIGS. 5 and 6, the light emitting device 100 includes a molding member 191 disposed in the first cavity 112 and the second cavity 113, and the molding member 191. ) May include a translucent resin material such as epoxy or silicone. In addition, the molding member 191 may be provided with a phosphor or / and a diffusing agent for emitting at least one color. A lens may be formed on the molding member 191, and the lens may include a lens having a concave lens shape, a convex lens shape, a concave portion, and a convex portion.

도 1을 참조하면, 상기 발광 소자(100)의 아래에는 기판(200)이 배치된다. 상기 기판(200)은 제1전극 패드(221), 제2전극 패드(223), 상기 제1 및 제2전극 패드(221,223) 사이에 제3전극 패드(225) 및 제4전극 패드(227)를 포함한다. 상기의 제1 내지 제4전극 패드(221,223,225,227)는 서로 분리되고, 상기 제1전극 패드(221)은 제1전원 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제2전극 패드(223)는 제2전원 단자에 전기적으로 연결된다. 상기 제3 및 제4전극 패드(225,227)는 서로 평행하게 배열되며, 무 극성의 연결 단자로 사용된다. 상기 제3전극 패드(225) 및 제4전극 패드(227)는 일자형 패턴 또는 직선 라인형 패턴으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate 200 is disposed under the light emitting device 100. The substrate 200 includes a first electrode pad 221, a second electrode pad 223, and a third electrode pad 225 and a fourth electrode pad 227 between the first and second electrode pads 221 and 223. It includes. The first to fourth electrode pads 221, 223, 225, and 227 are separated from each other, the first electrode pad 221 is electrically connected to a first power supply terminal, and the second electrode pad 223 is connected to a second power supply terminal. Electrically connected. The third and fourth electrode pads 225 and 227 are arranged in parallel to each other and used as connection terminals having no polarity. The third electrode pad 225 and the fourth electrode pad 227 may be formed in a straight pattern or a straight line pattern.

상기의 발광 소자(100)와 상기 기판(200)의 결합 구조를 도 4, 도 5 및 도 6을 참조하기로 한다.The coupling structure of the light emitting device 100 and the substrate 200 will be described with reference to FIGS. 4, 5, and 6.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 소자(100)의 제1리드 프레임(121)은 상기 기판(200)의 제1전극 패드(221) 상에서 접합 부재(231)로 접합되고, 상기 발광 소자(100)의 제3리드 프레임(131)은 상기 기판(200)의 제2전극 패드(223) 상에서 접합 부재(232)로 접합된다. 상기 발광 소자(100)의 제2리드 프레임(131) 및 제3리드 프레임(141)은 상기 기판(200)의 제3전극 패드(225) 상에서 접합 부재(233)로 접합된다. 4 and 5, the first lead frame 121 of the light emitting device 100 is bonded to the bonding member 231 on the first electrode pad 221 of the substrate 200. The third lead frame 131 of 100 is bonded to the bonding member 232 on the second electrode pad 223 of the substrate 200. The second lead frame 131 and the third lead frame 141 of the light emitting device 100 are bonded to the bonding member 233 on the third electrode pad 225 of the substrate 200.

도 4 및 도 6를 참조하면, 상기 발광 소자(100)의 제1리드 프레임(121) 및 제4리드 프레임(151)은 상기 기판(200)의 제4전극 패드(227) 상에 접합 부재(234)로 접합된다. 상기의 접합 부재는 금속 예컨대, 솔더를 포함한다.4 and 6, the first lead frame 121 and the fourth lead frame 151 of the light emitting device 100 are bonded to the fourth electrode pad 227 of the substrate 200. 234). Said joining member contains a metal, for example solder.

도 5를 참조하면, 상기 제2리드 프레임(131)과 상기 제3리드 프레임(141) 사이의 간격(D4)는 0.3mm 이상 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Referring to FIG. 5, an interval D4 between the second lead frame 131 and the third lead frame 141 may be spaced 0.3 mm or more, but is not limited thereto.

도 5 및 도 6를 참조하면, 상기 제1리드 프레임 내지 제4리드 프레임(121,131,141,151)의 단부는 상기 장벽부(115) 및 몸체(111)와 접촉되는 부분의 면적을 개선시켜 주기 위해, 단차 구조로 형성될 수 있다. 상기의 단차 구조는 상기 장벽부(115) 및 몸체(111)와의 접촉 면적이 증가됨으로써, 습기 침투를 억제할 수 있다. 5 and 6, end portions of the first to fourth lead frames 121, 131, 141, and 151 may have a stepped structure in order to improve the area of the contact portion with the barrier part 115 and the body 111. It can be formed as. In the stepped structure, the contact area between the barrier part 115 and the body 111 is increased, thereby preventing moisture penetration.

또한 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131) 사이의 간극부(116)는 하부 너비보다 상면 너비가 더 좁게 형성된다. 또한 상기 제3리드 프레임(141)과 상기 제4리드 프레임(151) 사이의 간극부(117)는 하부 너비보다 상면 너비가 더 좁게 형성된다. In addition, the gap portion 116 between the first lead frame 121 and the second lead frame 131 is formed to have a smaller upper surface width than the lower width. In addition, the gap portion 117 between the third lead frame 141 and the fourth lead frame 151 is formed to have a smaller upper surface width than the lower width.

상기 발광 소자(100) 내에는 상기 발광 칩(171,172)를 보호하기 위한 보호 소자가 배치될 수 있으며 상기 보호소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩(171,172)을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기의 보호 소자는 제2 및 제4리드 프레임(131,151) 상에 각각 배치될 수 있다.
In the light emitting device 100, a protection device may be disposed to protect the light emitting chips 171 and 172. The protection device may be implemented by a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS). Protects the light emitting chips 171 and 172 from electro static discharge (ESD). The protection element may be disposed on the second and fourth lead frames 131 and 151, respectively.

도 5 및 도 6을 참조하여 기판을 설명하기로 한다. 상기 기판(200)은 전극 패드(221,223,225,227)과 같은 배선층을 포함하는 수지계열의 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 모듈 기판(200)은 수지계열의 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), FR-4기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(200) 내에는 비아 홀이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 기판(200) 내에는 복수의 배선층이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 배선층 사이에 절연층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A substrate will be described with reference to FIGS. 5 and 6. The substrate 200 may be a resin-based printed circuit board (PCB) including a wiring layer such as electrode pads 221, 223, 225, and 227. However, the module substrate 200 may include not only a resin-based PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), FR-4 substrate, but is not limited thereto. Do not. Via holes may be formed in the substrate 200, but embodiments are not limited thereto. In addition, a plurality of wiring layers may be disposed in the substrate 200, and an insulating layer may be further disposed between the plurality of wiring layers, but is not limited thereto.

상기 기판(200)은 예컨대, 금속층(211)을 갖는 메탈 코아(Metal Core) PCB을 포함한다. 상기 기판(200)은 금속층(211), 절연층(213), 전극패드(221,223,225,227)를 갖는 배선층, 및 상기 배선층의 둘레 및 상부에 배치된 보호층(215)을 포함한다. The substrate 200 includes, for example, a metal core PCB having a metal layer 211. The substrate 200 includes a metal layer 211, an insulating layer 213, a wiring layer having electrode pads 221, 223, 225, and 227, and a protective layer 215 disposed around and on the wiring layer.

상기 금속층(211)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 실시 예는 상기 금속층(211)은 열 전도율이 높은 알루미늄 금속을 일 예로 설명하기로 한다. 상기 금속층(211)의 두께는 800㎛-1400㎛ 범위로 형성될 수 있다. The metal layer 211 includes aluminum (Al), titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), and tin (Sn). ), Silver (Ag) and phosphorus (P). In the embodiment, the metal layer 211 will be described as an example of aluminum metal having high thermal conductivity. The thickness of the metal layer 211 may be formed in the range of 800㎛-1400㎛.

상기 절연층(213)은 상기 금속층(211) 상에 형성되며, 프리 프레그(Preimpregnated Materials)와 같은 수지 재질을 포함하며, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 포함할 수 있다. 상기 절연층(213)은 내부에 열 전도성 필러(filler)를 포함한다. 상기 필러는 Al₂O₃ _, SiO₂, TiO₂ 중에서 적어도 하나를 포함한다. 상기 절연층(213)은 75~100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 금속층(211)과 다른 두께로 형성될 수 있다. The insulating layer 213 is formed on the metal layer 211, and includes a resin material such as prepregregulated materials, and may include an epoxy resin, a phenol resin, an unsaturated polyester resin, or the like. The insulating layer 213 includes a thermally conductive filler therein. The filler includes at least one of Al ₂ O ₃ _, SiO ₂ , TiO ₂ . The insulating layer 213 may be formed to a thickness of 75 ~ 100㎛, and may be formed to a different thickness than the metal layer 211.

상기 전극패드(221,223,225,227)와 같은 배선층은 Cu, Au, Al, Ag 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 Cu를 포함할 수 있다. 상기 배선층은 25~75㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 절연층(213)의 두께보다 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Wiring layers such as the electrode pads 221, 223, 225, and 227 may include at least one of Cu, Au, Al, and Ag, and may include, for example, Cu. The wiring layer may be formed to a thickness of 25 ~ 75㎛, may be formed thinner than the thickness of the insulating layer 213, but is not limited thereto.

상기 배선층 및 상기 절연층(213) 상에는 보호층(215)이 형성되며, 상기 보호층(215)은 솔더 레지스트를 포함하며, 상기 솔더 레지스터는 상기 기판(200)의 상면에 패드 이외의 영역을 보호하게 된다. 상기 보호층(215)은 15~30㎛의 두께로 형성될 수 있다. A protective layer 215 is formed on the wiring layer and the insulating layer 213, and the protective layer 215 includes solder resist, and the solder resistor protects an area other than a pad on the upper surface of the substrate 200. Done. The protective layer 215 may be formed to a thickness of 15 ~ 30㎛.

상기 기판(200)의 제3 및 제4전극 패드(225,227)는 상기 발광 소자(100) 내에 배치된 제1발광 칩(171)과 제2발광 칩(172)을 서로 병렬로 연결시켜 준다. 상기 발광 소자(100) 내에서 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 전기적으로 분리시키고, 상기 기판(200)의 제3 및 제4전극 패드(225,227)에 의해 병렬로 연결시켜 줄 수 있다.
The third and fourth electrode pads 225 and 227 of the substrate 200 connect the first light emitting chip 171 and the second light emitting chip 172 disposed in the light emitting device 100 in parallel with each other. The first and second light emitting chips 171 and 172 may be electrically separated from each other in the light emitting device 100, and may be connected in parallel by the third and fourth electrode pads 225 and 227 of the substrate 200.

<제2실시 예>&Lt; Embodiment 2 >

도 7 내지 도9는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다. 도 7은 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이고, 도 8은 도 7의 발광 모듈의 평면도이며, 도 9는 도 8의 발광 모듈의 C-C 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다. 상기의 제2실시 예는 제1실시 예의 발광 소자를 이용하여 기판의 전극 패드를 변경하여, 상기 발광 소자 내의 발광 칩들을 직렬로 연결시켜 줄 수 있는 구조이다.7 to 9 illustrate a light emitting module according to a second embodiment. 7 is an exploded perspective view of the light emitting module according to the second embodiment, FIG. 8 is a plan view of the light emitting module of FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. In describing the second embodiment, the same parts as those of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment. In the second embodiment, the electrode pad of the substrate is changed using the light emitting device of the first embodiment to connect the light emitting chips in the light emitting device in series.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 발광 모듈(201)은 발광 소자(100)의 아래에 기판(200A)을 배치하고, 상기 기판(200A)의 제1 및 제2전극 패드(221,223) 사이에 제5전극 패드(226)를 배치한 예이다.7 to 9, the light emitting module 201 may include a substrate 200A under the light emitting device 100, and may be formed between the first and second electrode pads 221 and 223 of the substrate 200A. In this example, the five electrode pads 226 are disposed.

발광 소자(100)는 제1발광 칩(171)이 상기 제1리드 프레임(121)과 제1와이어(71)로 연결되고, 상기 제2리드 프레임(131)과 제2와이어(72)로 연결된다. 제2발광 칩(172)은 상기 제3리드 프레임(141)과 제3와이어(73)로 연결되고, 상기 제4리드 프레임(151)과 제4와이어(74)로 연결된다. 상기 제1 및 제4리드 프레임(121,151)은 정 극성(+) 단자로 사용될 수 있으며, 상기 제2 및 제3리드 프레임(131,141)은 부 극성(-) 단자로 사용될 수 있다. In the light emitting device 100, a first light emitting chip 171 is connected to the first lead frame 121 and the first wire 71, and is connected to the second lead frame 131 and the second wire 72. do. The second light emitting chip 172 is connected to the third lead frame 141 and the third wire 73, and is connected to the fourth lead frame 151 and the fourth wire 74. The first and fourth lead frames 121 and 151 may be used as positive polarity (+) terminals, and the second and third lead frames 131 and 141 may be used as negative polarity (−) terminals.

상기 제5전극 패드(226)는 발광 소자(100)의 제2리드 프레임(131)과 제4리드 프레임(151) 를 연결하기 위해, 절곡된 구조로 배치된다. 상기 제5전극 패드(226)의 제1단부는 상기 제2리드 프레임(131) 아래에 배치되며, 제2단부는 상기 제4리드 프레임(151) 아래에 배치된다. 상기 제5전극 패드(226)는 사선형 패턴 또는 절곡형 패턴 예컨대, 한 번 이상 꺾인 형상을 갖는 패턴일 수 있다. The fifth electrode pad 226 is disposed in a bent structure to connect the second lead frame 131 and the fourth lead frame 151 of the light emitting device 100. The first end of the fifth electrode pad 226 is disposed under the second lead frame 131, and the second end is disposed under the fourth lead frame 151. The fifth electrode pad 226 may be a diagonal pattern or a bent pattern, for example, a pattern having a shape that is bent one or more times.

도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자(100)의 제1리드 프레임(121)은 상기 기판(200A)의 제1전극 패드(221) 상에 접합 부재(231)로 접합되고, 상기 제3리드 프레임(141)은 상기 기판(200A)의 제2전극 패드(223) 상에 접합 부재(232)로 접합된다. 또한 상기 발광 소자(100)의 제2리드 프레임(131)과 제4리드 프레임(151)은 상기 기판(200)의 제5전극 패드(226) 상에 접합 부재(233)로 서로 연결된다. 8 and 9, the first lead frame 121 of the light emitting device 100 is bonded to the first electrode pad 221 of the substrate 200A by a bonding member 231, and the third lead frame 121 is bonded to the third electrode pad 221. The lead frame 141 is bonded to the second electrode pad 223 of the substrate 200A by the bonding member 232. In addition, the second lead frame 131 and the fourth lead frame 151 of the light emitting device 100 are connected to each other by a bonding member 233 on the fifth electrode pad 226 of the substrate 200.

상기 기판(200A)의 제5전극 패드(226)는 상기 발광 소자(100) 내에 서로 분리된 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 서로 직렬로 연결시켜 주게 된다. 즉, 상기 부극성 단자인 제2리드 프레임(131)과 정극성 단자인 제4리드 프레임(151)을 제5전극 패드(226)에 의해 연결해 줌으로써, 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 직렬로 연결시켜 줄 수 있다.The fifth electrode pad 226 of the substrate 200A connects the first and second light emitting chips 171 and 172 separated from each other in the light emitting device 100 in series. That is, the first and second light emitting chips 171 and 172 are connected by connecting the second lead frame 131 as the negative terminal and the fourth lead frame 151 as the positive terminal by the fifth electrode pad 226. Can be connected in series.

실시 예의 발광 소자(100)는 도 1에 도시된 제3 및 제4전극 패드(225,227)를 갖는 기판(200)에 의해 상기 발광 소자(100) 내에 배치된 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 병렬로 연결시켜 줄 수 있고, 또한 도 7에 도시된 제5전극 패드(226)를 갖는 기판(200A)에 의해 상기 발광 소자(100) 내에 배치된 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 서로 직렬로 연결시켜 줄 수 있다. 따라서, 발광 소자(100) 내의 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 직렬 또는 병렬 회로를 연결하기 위해, 상기 발광 소자(100) 내의 리드 프레임의 구조를 변경하지 않고, 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)을 서로 다른 기판(200,200A)을 이용하여 직렬 또는 병렬로 연결하여 사용할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes the first and second light emitting chips 171 and 172 disposed in the light emitting device 100 by the substrate 200 having the third and fourth electrode pads 225 and 227 shown in FIG. 1. And the first and second light emitting chips 171 and 172 disposed in the light emitting device 100 by the substrate 200A having the fifth electrode pad 226 shown in FIG. 7. Can be connected in series with each other. Therefore, in order to connect the first and second light emitting chips 171 and 172 in the light emitting device 100 in series or in parallel, the structure of the lead frame in the light emitting device 100 is not changed, and the first and second light emitting chips 100 are connected to each other. The light emitting chips 171 and 172 may be connected in series or in parallel using different substrates 200 and 200A.

복수의 발광 칩(171,172)을 갖는 발광 소자(100)는 도 1의 병렬 회로용 기판(200)과, 도 7의 직렬 회로용 기판(200A)에 공통적으로 사용될 수 있다.
The light emitting device 100 having a plurality of light emitting chips 171 and 172 may be commonly used for the parallel circuit board 200 of FIG. 1 and the series circuit board 200A of FIG. 7.

도 10은 도 1의 발광 소자의 변형 예이다. 도 10을 설명함에 있어서, 도 1과 동일한 구성 요소는 도 1을 참조하기로 한다. 10 is a modified example of the light emitting device of FIG. 1. In the description of FIG. 10, the same components as those of FIG. 1 will be referred to FIG. 1.

도 10을 참조하면, 발광 소자(100)는 제1발광 칩(173)과 제2발광 칩(174)이 수직 전극 구조를 갖는 칩으로 구현된 예이다. Referring to FIG. 10, the light emitting device 100 is an example in which the first light emitting chip 173 and the second light emitting chip 174 are implemented as chips having a vertical electrode structure.

상기 제1발광 칩(173)은 제1리드 프레임(121)에 전도성의 본딩 부재로 탑재되고, 제2와이어(72)로 제2리드 프레임(131)과 연결된다. 상기 제2발광 칩(174)은 제3리드 프레임(141)에 전도성의 본딩 부재로 탑재되고, 제4와이어(74)로 제4리드 프레임(151)과 연결된다. 상기 제1 및 제2발광 칩(173,174)은 III족-V족 화합물 반도체를 포함하며, 예컨대 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖고, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 주피크 파장을 발광할 수 있다.The first light emitting chip 173 is mounted on the first lead frame 121 as a conductive bonding member and is connected to the second lead frame 131 by a second wire 72. The second light emitting chip 174 is mounted on the third lead frame 141 as a conductive bonding member and is connected to the fourth lead frame 151 by the fourth wire 74. The first and second light-emitting chip (173 174) is a group III -V compound semiconductor includes, for example, _{_{_{_{_{In x Al y Ga 1 -x- y}}}}} N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ It has a semiconductor having a composition formula of x + y ≦ 1) and can emit a predetermined main peak wavelength within the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band.

실시 예에 따른 발광 칩은 다른 예로서, 복수의 리드 프레임 상에 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As another example, the light emitting chip according to the embodiment may be mounted on a plurality of lead frames by a flip chip method, but is not limited thereto.

<제3실시 예>&Lt; Third Embodiment >

도 11 내지 도 16은 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다. 도 11은 제3실시 예에 따른 발광 모듈의 분해 사시도이며, 도 12는 도 11의 발광 소자의 D-D 측 단면도이고, 도 13은 도 11의 발광 소자의 E-E 측 단면도이며, 도 14는 도 11의 발광 소자의 F-F 측 단면도이고, 도 15는 도 11의 발광 모듈의 평면도를 나타낸 도면이다.11 to 16 illustrate a light emitting module according to a third embodiment. FIG. 11 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a third embodiment, FIG. 12 is a DD side sectional view of the light emitting device of FIG. 11, FIG. 13 is a EE side sectional view of the light emitting device of FIG. 11, and FIG. 14 is of FIG. It is FF side sectional drawing of a light emitting element, and FIG. 15 is a top view of the light emitting module of FIG.

도 11 및 도 12를 참조하면, 발광 모듈(203)은 기판(200B) 상에 발광 소자(100B)를 배치한 구조이다. 11 and 12, the light emitting module 203 has a structure in which a light emitting device 100B is disposed on a substrate 200B.

상기 발광 소자(100B)는 몸체(311), 복수의 리드 프레임(321,331,341,351), 및 복수의 발광 칩(371,372)를 포함한다. 상기 복수의 리드 프레임(321,331,341,351) 중에서 제1리드 프레임(321) 내에는 상기 제1캐비티(312)의 바닥보다 더 낮게 오목한 제1오목부(325)를 포함하며, 상기 제3리드 프레임(341) 내에는 상기 제2캐비티(313)의 바닥보다 더 낮게 오목한 제1오목부(345)를 포함한다. The light emitting device 100B includes a body 311, a plurality of lead frames 321, 331, 341 and 351, and a plurality of light emitting chips 371 and 372. Among the plurality of lead frames 321, 331, 341 and 351, the first lead frame 321 includes a first recessed portion 325 which is lower than the bottom of the first cavity 312, and the third lead frame 341. It includes a first recess 345 recessed lower than the bottom of the second cavity (313).

상기 기판(200B)에는 제1 및 제2전극 패드(221,223) 사이에 제3 및 제4전극 패드(235,237)가 나란히 배치된다. 여기서, 상기 기판(200B)의 제3전극 패드(235)와 제4전극 패드(237) 사이의 간격(D6)은 0.15mm 이상 이격될 수 있다.Third and fourth electrode pads 235 and 237 are arranged side by side between the first and second electrode pads 221 and 223 on the substrate 200B. Here, the distance D6 between the third electrode pad 235 and the fourth electrode pad 237 of the substrate 200B may be spaced 0.15 mm or more.

도 12를 참조하면, 상기 제1오목부(325) 상에는 제1발광 칩(371)이 본딩 부재(381)에 의해 부착되며, 상기 제1발광 칩(371)은 제1리드 프레임(321)과 제2리드 프레임(331)에 와이어(71,72)로 연결된다. 상기 제2오목부(345) 상에는 제2발광 칩(372)이 본딩 부재(382)에 의해 부착되며, 상기 제2발광 칩(372)은 제3리드 프레임(341) 및 제4리드 프레임(351)과 와이어(73,74)로 연결된다. 상기 제1 및 제2캐비티(312,313) 내에는 몰딩 부재(391)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 12, a first light emitting chip 371 is attached to the first recess 325 by a bonding member 381, and the first light emitting chip 371 is connected to the first lead frame 321. The wires 71 and 72 are connected to the second lead frame 331. A second light emitting chip 372 is attached to the second recess 345 by a bonding member 382, and the second light emitting chip 372 is a third lead frame 341 and a fourth lead frame 351. ) And wires (73, 74). Molding members 391 may be disposed in the first and second cavities 312 and 313.

상기 제1캐비티(312)와 상기 제2캐비티(313) 사이에 배치된 장벽부(315)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(321,331)과 상기 제3 및 제4리드 프레임(341,351)을 물리적 및 전기적으로 분리시켜 준다.
The barrier part 315 disposed between the first cavity 312 and the second cavity 313 physically controls the first and second lead frames 321 and 331 and the third and fourth lead frames 341 and 351. And electrically separated.

상기 제1리드 프레임(321)의 제1오목부(325)와 제1리드부(323)는 상기 제1리드 프레임(321)로부터 절곡되고 상기 제1캐비티(312)의 바닥보다 낮게 배치되며 상기 몸체(311)의 하면에 노출되고 상기 몸체(311)의 하면과 동일 평면 상에 배치된다. The first recess 325 and the first lead 323 of the first lead frame 321 are bent from the first lead frame 321 and disposed lower than the bottom of the first cavity 312. The lower surface of the body 311 is exposed and disposed on the same plane as the lower surface of the body 311.

상기 제3리드 프레임(341)은 제2오목부(345)와 제2리드부(343)는 상기 제3리드 프레임(341)로부터 절곡되고 상기 제2캐비티(313)의 바닥보다 낮게 절곡되며 상기 몸체(311)의 하면에 노출되고 상기 몸체(311)의 하면과 동일 평면 상에 배치된다. The third lead frame 341 may be bent from the second recess 345 and the second lead part 343 from the third lead frame 341 and bent lower than the bottom of the second cavity 313. The lower surface of the body 311 is exposed and disposed on the same plane as the lower surface of the body 311.

상기 제1리드 프레임(321)의 제1리드부(323)는 상기 몸체(311)의 제1측면(41)으로 돌출될 수 있으며, 상기 제3리드 프레임(341)의 제2리드부(343)는 상기 몸체(311)의 제2측면(42)으로 돌출될 수 있다.The first lead part 323 of the first lead frame 321 may protrude to the first side surface 41 of the body 311, and the second lead part 343 of the third lead frame 341. ) May protrude to the second side 42 of the body 311.

도 13을 참조하면, 상기 제2리드 프레임(331)은 상기 제1캐비티(312)의 바닥에 배치되고, 그 일부인 제3리드부(333)가 상기 몸체(311)의 하면으로 절곡되고 몸체(311)의 제3측면(43)으로 돌출될 수 있다. Referring to FIG. 13, the second lead frame 331 is disposed on the bottom of the first cavity 312, and a third lead part 333 that is a part of the second lead frame 331 is bent to the bottom surface of the body 311 and the body ( It may protrude to the third side 43 of 311.

도 14를 참조하면, 상기 제4리드 프레임(351)은 상기 제2캐비티(313)의 바닥에 배치되고, 그 일부인 제4리드부(353)가 상기 몸체(311)의 하면으로 절곡되고 몸체(311)의 제4측면(44)으로 돌출될 수 있다.
Referring to FIG. 14, the fourth lead frame 351 is disposed at the bottom of the second cavity 313, and a fourth lead part 353 that is a part of the fourth lead frame 351 is bent to the bottom surface of the body 311 and the body ( May protrude to the fourth side 44 of 311.

도 11 및 도 15를 참조하면, 발광 소자(100B)의 제2리드 프레임(331)과 제3리드 프레임(341)은 상기 기판(200B)의 제3전극 패드(235)와 접합 부재로 서로 연결되고, 상기 제1리드 프레임(321)과 제4리드 프레임(351)은 상기 기판(200B)의 제4전극 패드(237)와 접합 부재로 서로 연결된다. 상기 발광 소자(100B)의 제1 및 제2발광 칩(371,372)은 상기 기판(200B)의 제3 및 제4전극 패드(235,237)에 의해 서로 병렬로 연결된다.
11 and 15, the second lead frame 331 and the third lead frame 341 of the light emitting device 100B are connected to each other by a bonding member and the third electrode pad 235 of the substrate 200B. The first lead frame 321 and the fourth lead frame 351 are connected to each other by a bonding member and a fourth electrode pad 237 of the substrate 200B. The first and second light emitting chips 371 and 372 of the light emitting device 100B are connected in parallel to each other by the third and fourth electrode pads 235 and 237 of the substrate 200B.

<제4실시 예><Fourth Embodiment>

도 16은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도로서, 제3실시 예의 발광 소자를 기판(200C)을 이용하여 병렬로 연결한 예이다.16 is a plan view illustrating a light emitting module according to a fourth embodiment, in which a light emitting device of a third embodiment is connected in parallel using a substrate 200C.

도 16을 참조하면, 기판(200C) 상에는 제1전극 패드(221)와 제2전극 패드(223) 사이에 배치된 제5전극 패드(236)를 포함한다. 상기 제5전극 패드(236)는 다단 절곡 형상을 갖고, 그 일단부인 제1단부가 제2리드 프레임(331)의 제3리드부(333) 아래에 배치되고, 그 타단부인 제2단부가 제4리드 프레임(351)의 제4리드부(353) 아래에 배치된다. 상기 제5전극 패드(236)는 상기 발광 소자(100B)의 제2리드 프레임(331)의 제3리드부(333)와 상기 제4리드 프레임(351)의 제4리드부(353) 사이를 연결시켜 준다. 이에 따라 상기 발광 소자(100B)의 제1발광 칩(371)과 제2발광 칩(372)은 상기 기판(200C)의 제5전극 패드(236)에 의해 직렬로 연결된다.
Referring to FIG. 16, the substrate 200C includes a fifth electrode pad 236 disposed between the first electrode pad 221 and the second electrode pad 223. The fifth electrode pad 236 has a multi-stage bending shape, a first end of which is one end thereof is disposed below the third lead part 333 of the second lead frame 331, and a second end of which is the other end thereof. It is disposed under the fourth lead portion 353 of the four-lead frame 351. The fifth electrode pad 236 is disposed between the third lead portion 333 of the second lead frame 331 of the light emitting device 100B and the fourth lead portion 353 of the fourth lead frame 351. Connect it. Accordingly, the first light emitting chip 371 and the second light emitting chip 372 of the light emitting device 100B are connected in series by the fifth electrode pad 236 of the substrate 200C.

상기와 같이, 발광 소자(100B) 내에 배치된 복수의 발광 칩(371,372)은 도 15의 기판(200B)의 제3 및 제4전극 패드(235,237)에 의해 병렬로 연결되며, 도 16의 기판(200C)의 제5전극 패드(236)에 의해 직렬로 연결된다. 상기 발광 소자(100B)는 직렬 연결용 기판(200B) 또는 병렬 연결용 기판(200C)에 공통적으로 사용될 수 있다.
As described above, the plurality of light emitting chips 371 and 372 disposed in the light emitting device 100B are connected in parallel by the third and fourth electrode pads 235 and 237 of the substrate 200B of FIG. 15. The fifth electrode pad 236 of 200C is connected in series. The light emitting device 100B may be commonly used for the serial connection board 200B or the parallel connection board 200C.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자의 변형 예이다. 17 is a modified example of the light emitting device according to the embodiment.

도 17을 참조하면, 발광 소자는 복수의 리드 프레임(121,131,141,151) 중 적어도 하나의 형상을 변경할 수 있다. 예컨대, 제1리드 프레임(121)과 제3리드 프레임(141)은 도 1에 도시된 지지부의 구조를 제거하여 배치할 수 있다. 이 경우, 기판의 일부 전극 패드의 면적을 크게 형성하여 배치할 수 있다. 또한 제1 및 제2캐비티(112,113) 사이에 배치된 장벽부의 구조를 제거하거나, 몸체(111)의 높이로 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Referring to FIG. 17, the light emitting device may change the shape of at least one of the plurality of lead frames 121, 131, 141, and 151. For example, the first lead frame 121 and the third lead frame 141 may be disposed by removing the structure of the supporter illustrated in FIG. 1. In this case, the area of some electrode pads of a board | substrate can be formed large and arrange | positioned. In addition, the structure of the barrier part disposed between the first and second cavities 112 and 113 may be removed, or may be formed at the height of the body 111, but is not limited thereto.

도 18은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.18 is a view showing a light emitting module according to a fifth embodiment.

도 18을 참조하면, 발광 모듈(204)은 기판(600) 및 상기 기판(600) 상에 발광 소자(500)를 포함한다.Referring to FIG. 18, the light emitting module 204 includes a substrate 600 and a light emitting device 500 on the substrate 600.

상기 기판(600)은 제1전극 패드(621), 제2전극 패드(623), 상기 제1 및 제2전극 패드(621,623) 사이에 배치된 제3전극 패드(625) 및 제4전극 패드(627)이 배치된다. 상기 제3전극 패드(625) 및 제4전극 패드(627)는 직렬 연결용 패턴으로 사용될 수 있다. The substrate 600 may include a first electrode pad 621, a second electrode pad 623, a third electrode pad 625 and a fourth electrode pad disposed between the first and second electrode pads 621 and 623. 627 is disposed. The third electrode pad 625 and the fourth electrode pad 627 may be used as a pattern for series connection.

상기 발광 소자(500)는 몸체(511), 복수의 리드 프레임(521,523,531,533,535,541,543), 복수의 발광 칩(571,572,573)을 포함한다. The light emitting device 500 includes a body 511, a plurality of lead frames 521, 523, 531, 533, 535, 541, 543, and a plurality of light emitting chips 571, 572, 573.

상기 몸체(511) 내에는 제1 내지 제3캐비티(512,513,514)를 포함하며, 상기 제1 및 제2캐비티(512,513) 사이에는 제1장벽부(515)가 배치되며, 상기 제2 및 제3캐비티(513,514) 사이에는 제2장벽부(516)가 배치된다.The body 511 includes first to third cavities 512, 513, 514, and a first barrier portion 515 is disposed between the first and second cavities 512, 513, and the second and third cavities. A second barrier portion 516 is disposed between the 513 and 514.

상기 제1캐비티(512)의 바닥에는 제1 및 제2리드 프레임(521,523)이 배치되며, 제2캐비티(513)의 바닥에는 제3 내지 제5리드 프레임(531,533,535)이 배치되며, 제4캐비티(514)의 바닥에는 제6 및 제7리드 프레임(541,543)이 배치된다. 여기서, 상기 제2리드 프레임(523) 및 제4리드 프레임(533)은 제1장벽부(515)에 인접하게 배치되며, 서로 어긋나게 배치된다. 상기 제5리드 프레임(535) 및 제7리드 프레임(543)은 제2장벽부(516)에 인접하게 배치되며, 서로 어긋나게 배치된다. First and second lead frames 521 and 523 are disposed at the bottom of the first cavity 512, and third to fifth lead frames 531, 533 and 535 are disposed at the bottom of the second cavity 513 and a fourth cavity. Sixth and seventh lead frames 541 and 543 are disposed at the bottom of the 514. Here, the second lead frame 523 and the fourth lead frame 533 are disposed adjacent to the first barrier portion 515, and are arranged to be offset from each other. The fifth lead frame 535 and the seventh lead frame 543 are disposed adjacent to the second barrier portion 516 and are disposed to be offset from each other.

제1발광 칩(571)은 제1리드 프레임(521) 상에 배치되고, 제1 및 제2리드 프레임(521,523)과 와이어(81,82)로 연결된다. 제2발광 칩(572)은 제3리드 프레임(531) 상에 배치되고, 제4 및 제5리드 프레임(533,535)과 와이어(83,84)로 연결된다. 제3발광 칩(573)은 제6리드 프레임(541) 상에 배치되며, 제6 및 제7리드 프레임(541,543)과 와이어(85,86)로 연결된다.The first light emitting chip 571 is disposed on the first lead frame 521 and is connected to the first and second lead frames 521 and 523 by wires 81 and 82. The second light emitting chip 572 is disposed on the third lead frame 531 and is connected to the fourth and fifth lead frames 533 and 535 by wires 83 and 84. The third light emitting chip 573 is disposed on the sixth lead frame 541 and is connected to the sixth and seventh lead frames 541 and 543 by wires 85 and 86.

상기 기판(600)의 제1전극 패드(621)는 발광 소자(500)의 제1리드 프레임(521)과 접합 부재(미도시)로 연결되고, 상기 제2전극 패드(623)는 발광 소자(500)의 제6리드 프레임(541)과 접합 부재(미도시)로 연결되고, 상기 제3전극 패드(625)는 발광 소자(500)의 제2 및 제4리드 프레임(523,533)과 접합 부재(미도시)로 연결되고, 상기 제4전극 패드(627)는 발광 소자(500)의 제5 및 제7리드 프레임(535,543)과 접합 부재(미도시)로 연결된다. The first electrode pad 621 of the substrate 600 is connected to the first lead frame 521 of the light emitting device 500 by a bonding member (not shown), and the second electrode pad 623 is a light emitting device ( The sixth lead frame 541 of the 500 is connected to a bonding member (not shown), and the third electrode pad 625 is connected to the second and fourth lead frames 523 and 533 of the light emitting device 500. The fourth electrode pad 627 is connected to the fifth and seventh lead frames 535 and 543 of the light emitting device 500 by a bonding member (not shown).

상기 제1 및 제2발광 칩(571,572)은 기판(600)의 제3전극 패드(625)에 의해 직렬로 연결되며, 상기 제2 및 제3발광 칩(572,573)은 상기 기판(600)의 제4전극 패드(627)에 의해 직렬로 연결된다. 이에 따라 제1 내지 제3발광 칩(571,572,573)은 직렬로 연결될 수 있다.The first and second light emitting chips 571 and 572 are connected in series by a third electrode pad 625 of the substrate 600, and the second and third light emitting chips 572 and 573 are formed of the first and second light emitting chips 557 and 573 of the substrate 600. Four electrode pads 627 are connected in series. Accordingly, the first to third light emitting chips 571, 572, and 573 may be connected in series.

다른 예로서, 기판(600) 상의 제1 및 제2전극 패드(621,623) 사이에 병렬 연결용 패턴을 배치하여, 발광 소자(500) 내에 배치된 복수의 발광 칩(571,572,573)을 병렬로 연결시켜 줄 수 있다.
As another example, a parallel connection pattern is disposed between the first and second electrode pads 621 and 623 on the substrate 600 to connect the plurality of light emitting chips 571, 572 and 573 disposed in the light emitting device 500 in parallel. Can be.

실시 예에 따른 발광 칩은 도 19 및 도 20의 예를 참조하여, 설명하기로 한다. A light emitting chip according to an embodiment will be described with reference to the examples of FIGS. 19 and 20.

도 19는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다. 19 is a view illustrating a light emitting chip according to an embodiment.

도 19를 참조하면, 발광 칩은 기판(11), 버퍼층(12), 발광 구조물(10), 제1전극(16) 및 제2전극(17)을 포함한다. 상기 기판(11)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 19, the light emitting chip includes a substrate 11, a buffer layer 12, a light emitting structure 10, a first electrode 16, and a second electrode 17. The substrate 11 may include a substrate made of a light transmissive or non-transparent material, and may also include a conductive or insulating substrate.

상기 버퍼층(12)은 기판(11)과 상기 발광 구조물(10)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(12)과 상기 발광 구조물(10)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The buffer layer 12 may reduce the lattice constant difference between the substrate 11 and the material of the light emitting structure 10 and may be formed of a nitride semiconductor. A dopant-free nitride semiconductor layer may be further formed between the buffer layer 12 and the light emitting structure 10 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(10)은 제1도전형 반도체층(13), 활성층(14) 및 제2도전형 반도체층(15)를 포함할 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductive semiconductor layer 13, an active layer 14, and a second conductive semiconductor layer 15.

상기 제1도전형 반도체층(13)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(13)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 13 is formed of a group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, and the first conductive semiconductor layer 13 is an n-type semiconductor layer. The conductive dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, Te.

상기 제1도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(14) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(14)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성될 수 있으며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 할 수 있다. A first cladding layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 13 and the active layer 14. The first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap may be formed more than the band gap of the active layer 14. The first cladding layer may be formed as a first conductive type and may serve to restrain the carrier.

상기 활성층(14)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함할 수 있으며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함할 수 있다. 상기 우물층은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있으며, 상기 장벽층은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 14 may optionally include a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure or a quantum dot structure, and may include a period of the well layer and the barrier layer. Can be. The well layer may include a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and the barrier layer may be In _x It may include a composition formula of Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). The period of the well layer / barrier layer may be one or more cycles using a lamination structure of, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, and InAlGaN / InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than a band gap of the well layer.

상기 활성층(14) 위에는 제2도전형 반도체층(15)이 형성될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(15)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(15)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 15 may be formed on the active layer 14. The second conductive semiconductor layer 15 may be formed of any one of a semiconductor doped with a second conductive dopant, for example, a compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, or AlInN. The second conductive semiconductor layer 15 is a p-type semiconductor layer, and the second conductive dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

상기 제2도전형 반도체층(15)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(15)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(14)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 15 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductive semiconductor layer 15 may abnormally diffuse the current included in the voltage to protect the active layer 14.

또한 상기 발광 구조물(10)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(13)은 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(15)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(15) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductive type of the light emitting structure 10 may be disposed to be reversed. For example, the first conductive semiconductor layer 13 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 15 may be an n-type semiconductor layer. can do. The first conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be further disposed on the second conductive semiconductor layer 15.

상기 발광 칩은 상기 제1도전형 반도체층(13), 활성층(14) 및 상기 제2도전형 반도체층(15)을 발광 구조물(10)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(10)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함할 수 있다. The light emitting chip may define the first conductive semiconductor layer 13, the active layer 14, and the second conductive semiconductor layer 15 as a light emitting structure 10, and the light emitting structure 10 may be np. It can be implemented by any one of a junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure. Here, p is a p-type semiconductor layer, n is an n-type semiconductor layer, and-may include a structure in which the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer is in direct contact or indirect contact.

상기 제1도전형 반도체층(13) 상에는 제1전극(16)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(15) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(17)을 포함하며, 상기 제1 및 제2전극(16,17)은 수평형 형태로 배치될 수 있다.
The first electrode 16 is disposed on the first conductive semiconductor layer 13, and the second electrode 17 has a current diffusion layer on the second conductive semiconductor layer 15. The second electrodes 16 and 17 may be arranged in a horizontal form.

도 20은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 20을 설명함에 있어서, 도 19와 동일한 부분은 도 19를 참조하기로 한다.20 is a view showing another example of a light emitting chip according to the embodiment. 20, the same parts as in FIG. 19 will be referred to with reference to FIG. 19.

도 20을 참조하면, 발광 칩은 발광 구조물(10) 아래에 오믹 접촉층(21)이 형성되며, 상기 오믹 접촉층(21) 아래에 반사층(24)이 형성되며, 상기 반사층(24) 아래에 지지부재(25)가 형성되며, 상기 반사층(24)과 상기 발광 구조물(10)의 둘레에 보호층(23)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 20, in the light emitting chip, an ohmic contact layer 21 is formed under the light emitting structure 10, a reflective layer 24 is formed under the ohmic contact layer 21, and under the reflective layer 24. The support member 25 may be formed, and a protective layer 23 may be formed around the reflective layer 24 and the light emitting structure 10.

이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(15) 아래에 오믹 접촉층(21) 및 보호층(23), 반사층(24) 및 지지부재(25)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip is formed by forming an ohmic contact layer 21, a protective layer 23, a reflective layer 24, and a support member 25 under the second conductive semiconductor layer 15, and then removing the growth substrate. Can be.

상기 오믹 접촉층(21)은 발광 구조물(10)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(15)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(21) 내부는 전극(16)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 21 is in ohmic contact with a lower layer of the light emitting structure 10, for example, the second conductive semiconductor layer 15, and the material may be selected from a metal oxide, a metal nitride, an insulating material, and a conductive material. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum (AZO) material consisting of zinc oxide), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and optional combinations thereof It can be formed from. In addition, the metal material and the light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO can be used in a multilayer structure. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / / Ag / Ni or the like. Inside the ohmic contact layer 21, a layer may be further formed to block a current to correspond to the electrode 16.

상기 보호층(23)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO₂, SiO_x, SiO_xN_y,Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(23)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(24)과 같은 금속이 발광 구조물(10)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 23 may be selected from a metal oxide or an insulating material, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), or IGZO. (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO ₂ , SiO _x , SiO _x N _y , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , and TiO ₂ . The protective layer 23 may be formed using a sputtering method or a deposition method, and may prevent a metal such as the reflective layer 24 from shorting the layers of the light emitting structure 10.

상기 반사층(24)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(24)은 상기 발광 구조물(10)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(24)과 상기 지지부재(25) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The reflective layer 24 may be formed of a material made of metal such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. The reflective layer 24 may be formed larger than the width of the light emitting structure 10, which may improve the light reflection efficiency. A metal layer for bonding and a metal layer for heat diffusion may be further disposed between the reflective layer 24 and the support member 25, but the embodiment is not limited thereto.

상기 지지부재(25)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(25)와 상기 반사층(24) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The support member 25 is a base substrate, and may be a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), or a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the support member 25 and the reflective layer 24, and the bonding layer may bond two layers to each other. The disclosed light emitting chip is one example and is not limited to the features disclosed above. The light emitting chip may be selectively applied to the above embodiment of the light emitting device, but is not limited thereto.

<조명 시스템><Lighting system>

상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 모듈은 라이트 유닛과 같은 조명 시스템에 제공될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 21 내지 도 27에 도시된 표시 장치, 또는 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판과 같은 조명 장치를 포함될 수 있다.The light emitting module of the embodiment (s) disclosed above may be provided in a lighting system such as a light unit. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include a display device illustrated in FIGS. 21 to 27, or a lighting device such as a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlamp, or an electronic sign.

도 21은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 21 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 21을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(201)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(201) 및 반사부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 21, the display device 1000 according to the embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 201 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light emitting module 201, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective member 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(201)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 201 provides light to at least one side of the light guide plate 1041 and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(201)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(201)은 실시 예에 따른 기판(200)과 발광 소자(100)를 포함하며, 상기 발광 소자(100)는 실시 예에 따른 기판(200) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 201 is disposed in the bottom cover 1011, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 201 includes a substrate 200 and a light emitting device 100 according to an embodiment, and the light emitting device 100 may be arranged on the substrate 200 according to an embodiment at predetermined intervals.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(100)는 상기 기판(200) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(100)는 상기 도광판(1041)의 일 측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting devices 100 may be mounted on the substrate 200 such that an emission surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device 100 may directly or indirectly provide light to a light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(201) 및 반사부재(1022)를 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 201, and the reflective member 1022. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(201)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 201, but the embodiment is not limited thereto.

도 22는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 22 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.

도 22를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(100)가 어레이된 기판(200), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 22, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 200 on which the light emitting device 100 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(200)과 상기 발광 소자(100)는 발광 모듈(201)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(201), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있다. The substrate 200 and the light emitting device 100 may be defined as a light emitting module 201. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 201, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(201) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(201)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 201 and performs a surface light source, diffuses, or collects light emitted from the light emitting module 201.

도 23 내지 도 25는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.23 to 25 are views illustrating a lighting apparatus according to an embodiment.

도 23은 실시 예에 따른 조명 장치를 위에서 바라본 사시도이고, 도 24는 도 23에 도시된 조명 장치를 아래에서 바라본 사시도이고, 도 25는 도 23에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.FIG. 23 is a perspective view from above of the lighting apparatus according to the embodiment, FIG. 24 is a perspective view from below of the lighting apparatus illustrated in FIG. 23, and FIG. 25 is an exploded perspective view of the lighting apparatus illustrated in FIG. 23.

도 23 내지 도 25를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 모듈을 포함할 수 있다.23 to 25, the lighting apparatus according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a heat radiator 2400, a power supply 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. It may include. Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting module according to an embodiment of the present invention.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light emitter 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광부(2210)들과 커넥터(2250)가 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the heat dissipator 2400, and has a plurality of light emitting parts 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and the connector 2250 of the light emitting unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD (Electrostatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (Electrostatic discharge) protection element and the like, but may not be limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

도 26 및 도 27은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.26 and 27 are diagrams illustrating another example of the lighting apparatus according to the embodiment.

도 26은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이고, 도 27는 도 26에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.FIG. 26 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, and FIG. 27 is an exploded perspective view of the lighting apparatus illustrated in FIG. 26.

도 26 및 도 27을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 발광모듈(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 발광모듈(3200)은 실시 예에 따른 발광소자 및 기판을 포함할 수 있다. 26 and 27, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 3100, a light emitting module 3200, a heat sink 3300, a circuit unit 3400, an inner case 3500, and a socket 3600. can do. The light emitting module 3200 may include a light emitting device and a substrate according to the embodiment.

상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 발광모듈(3200)과 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The cover 3100 has a bulb shape and is hollow. The cover 3100 has an opening 3110. The light emitting module 3200 and the member 3350 may be inserted through the opening 3110.

상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 발광모듈(3200)과 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 발광모듈(3200)과 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사산이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The cover 3100 may be coupled to the radiator 3300 and may surround the light emitting module 3200 and the member 3350. By combining the cover 3100 and the heat sink 3300, the light emitting module 3200 and the member 3350 may be blocked from the outside. The coupling between the cover 3100 and the heat discharging body 3300 may be combined through an adhesive, or may be combined by various methods such as a rotational coupling method and a hook coupling method. The rotation coupling method is a method in which the cover 3100 is coupled with the heat discharging body 3300 by the rotation of the cover 3100 in such a manner that the thread of the cover 3100 is engaged with the thread groove of the heat discharging body 3300 In the hook coupling method, the protrusion of the cover 3100 is inserted into the groove of the heat discharging body 3300, and the cover 3100 and the heat discharging body 3300 are coupled.

상기 커버(3100)는 상기 발광모듈(3200)과 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 발광모듈(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 발광모듈(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The cover 3100 is optically coupled to the light emitting module 3200. In detail, the cover 3100 may diffuse, scatter, or excite light from the light emitting device 3230 of the light emitting module 3200. The cover 3100 may be a kind of optical member. Here, the cover 3100 may have a phosphor on the inside / outside or inside to excite the light from the light emitting module 3200.

상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 발광모듈(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.The inner surface of the cover 3100 may be coated with a milky white paint. Here, the milky white paint may include a diffusing agent for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 3100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 3100. This is to sufficiently scatter and diffuse the light from the light emitting module 3200.

상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 발광모듈(3200)과 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 3100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 3100 may be a transparent material that can be seen by the light emitting module 3200 and the member 3350 from the outside, it may be an invisible opaque material. The cover 3100 may be formed, for example, by blow molding.

상기 발광모듈(3200)은 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 발광모듈(3200)은 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 발광모듈(3200)은 상기 부재(3350)의 측면의 상단부에 배치될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The light emitting module 3200 may be disposed on the member 3350 of the heat sink 3300 and disposed in plural. Specifically, the light emitting module 3200 may be disposed on one or more side surfaces of the plurality of side surfaces of the member 3350. The light emitting module 3200 may be disposed at an upper end of a side surface of the member 3350, but is not limited thereto.

도 27에서, 상기 발광모듈(3200)은 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 발광모듈(3200)은 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(3200)은 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 상기 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. In FIG. 27, the light emitting module 3200 may be disposed on three side surfaces of the six side surfaces of the member 3350. However, the present invention is not limited thereto, and the light emitting module 3200 may be disposed on all sides of the member 3350. The light emitting module 3200 may include a substrate 3210 and a light emitting device 3230. The light emitting device 3230 may be disposed on one surface of the substrate 3210.

상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The substrate 3210 has a rectangular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the substrate 3210 may have a circular or polygonal plate shape. The substrate 3210 may be a printed circuit pattern on an insulator. For example, the substrate 3210 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . &Lt; / RTI > In addition, it is possible to use a Chips On Board (COB) type that can directly bond the LED chip unpacked on the printed circuit board. In addition, the substrate 3210 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface efficiently reflects light, for example, white, silver, or the like. The substrate 3210 may be electrically connected to the circuit unit 3400 housed in the heat discharging body 3300. The substrate 3210 and the circuit portion 3400 may be connected, for example, via a wire. The wire may pass through the heat discharging body 3300 to connect the substrate 3210 and the circuit unit 3400.

상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The light emitting device 3230 may be a light emitting diode chip that emits red, green, or blue light, or a light emitting diode chip that emits UV light. Here, the light emitting diode chip may be a lateral type or a vertical type, and the light emitting diode chip may emit blue, red, yellow, or green light. .

상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The light emitting device 3230 may have a phosphor. The phosphor may be at least one of a garnet system (YAG, TAG), a silicate system, a nitride system, and an oxynitride system. Alternatively, the fluorescent material may be at least one of a yellow fluorescent material, a green fluorescent material, and a red fluorescent material.

상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 발광모듈(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The radiator 3300 may be combined with the cover 3100 to radiate heat from the light emitting module 3200. The heat discharging body 3300 has a predetermined volume and includes an upper surface 3310 and a side surface 3330. A member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. An upper surface 3310 of the heat discharging body 3300 can be engaged with the cover 3100. The upper surface 3310 of the heat discharging body 3300 may have a shape corresponding to the opening 3110 of the cover 3100.

상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of radiating fins 3370 may be disposed on the side surface 3330 of the heat discharging body 3300. The radiating fin 3370 may extend outward from the side surface 3330 of the heat discharging body 3300 or may be connected to the side surface 3330. The heat dissipation fin 3370 may increase the heat dissipation area of the heat dissipator 3300 to improve heat dissipation efficiency. Here, the side surface 3330 may not include the radiating fin 3370.

상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 발광모듈(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. The member 3350 may be integral with the top surface 3310 or may be coupled to the top surface 3310. The member 3350 may be a polygonal pillar. Specifically, the member 3350 may be a hexagonal column. The hexagonal column member 3350 has an upper surface, a lower surface, and six sides. Here, the member 3350 may be a circular column or an elliptic column as well as a polygonal column. When the member 3350 is a circular pillar or an elliptic pillar, the substrate 3210 of the light emitting module 3200 may be a flexible substrate.

상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 발광모듈(3200)이 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 발광모듈(3200)이 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 발광모듈(3200)이 배치될 수도 있다. 도 23에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 발광모듈(3200)이 배치되어 있다. The light emitting module 3200 may be disposed on six side surfaces of the member 3350. The light emitting module 3200 may be disposed on all six sides, or the light emitting module 3200 may be disposed on some of the six sides. In FIG. 23, the light emitting module 3200 is disposed on three sides of six sides.

상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The substrate 3210 is disposed on a side surface of the member 3350. The side surface of the member 3350 may be substantially perpendicular to the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. Therefore, the substrate 3210 and the top surface 310 of the heat sink 3300 may be substantially perpendicular to each other.

상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 발광모듈(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the member 3350 may be a material having thermal conductivity. This is for receiving heat generated from the light emitting module 3200 quickly. The material of the member 3350 may be, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), silver (Ag), tin (Sn) Or the member 3350 may be formed of a thermally conductive plastic having thermal conductivity. Thermally conductive plastics are lighter than metals and have the advantage of having unidirectional thermal conductivity.

상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 발광모듈(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 발광모듈(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The circuit unit 3400 receives power from the outside and converts the received power to the light emitting module 3200. The circuit unit 3400 supplies the converted power to the light emitting module 3200. The circuit unit 3400 may be disposed on the heat discharging body 3300. Specifically, the circuit unit 3400 may be housed in the inner case 3500 and stored in the heat discharging body 3300 together with the inner case 3500. The circuit unit 3400 may include a circuit board 3410 and a plurality of components 3430 mounted on the circuit board 3410.

상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. 상기 회로 기판(3410)은 상기 발광모듈(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. 다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 발광모듈(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 발광모듈(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The circuit board 3410 has a circular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the circuit board 3410 may be in the shape of an oval or polygonal plate. Such a circuit board 3410 may be one in which a circuit pattern is printed on an insulator. The circuit board 3410 is electrically connected to the substrate 3210 of the light emitting module 3200. The electrical connection between the circuit board 3410 and the substrate 3210 may be connected by wire, for example. The wires may be disposed inside the heat discharging body 3300 to connect the circuit board 3410 and the substrate 3210. The plurality of components 3430 may include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light emitting module 3200, and protecting the light emitting module 3200. Electrostatic discharge (ESD) protection element for the purpose may be included.

상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The inner case 3500 houses the circuit portion 3400 therein. The inner case 3500 may have a receiving portion 3510 for receiving the circuit portion 3400. The receiving portion 3510 may have a cylindrical shape as an example. The shape of the accommodating portion 3510 may vary depending on the shape of the heat discharging body 3300. The inner case 3500 may be housed in the heat discharging body 3300. The receiving portion 3510 of the inner case 3500 may be received in a receiving portion formed on the lower surface of the heat discharging body 3300.

상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The inner case 3500 may be coupled to the socket 3600. The inner case 3500 may have a connection portion 3530 that engages with the socket 3600. The connection portion 3530 may have a threaded structure corresponding to the thread groove structure of the socket 3600. The inner case 3500 is an insulator. Therefore, electrical short circuit between the circuit portion 3400 and the heat discharging body 3300 is prevented. For example, the inner case 3500 may be formed of plastic or resin.

상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사산 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The socket 3600 may be coupled to the inner case 3500. Specifically, the socket 3600 may be engaged with the connection portion 3530 of the inner case 3500. The socket 3600 may have a structure such as a conventional conventional incandescent bulb. The circuit portion 3400 and the socket 3600 are electrically connected. The electrical connection between the circuit part 3400 and the socket 3600 may be connected via a wire. Accordingly, when external power is applied to the socket 3600, the external power may be transmitted to the circuit unit 3400. The socket 3600 may have a screw groove structure corresponding to the screw thread structure of the connection part 3550.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.It is not intended to be limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is limited by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100, 100A, 100B, 500: 발광 소자
111,311,511: 몸체
112,113,312,313,512,513,514: 캐비티
121,131,141,151,321,331,341,351,521,523,531,533,535,541,543,: 리드 프레임
171,172,371,372,571,572,573: 발광 칩
191,391: 몰딩 부재
200, 200A, 200B, 200C: 기판
211: 금속층
213: 절연층
215: 보호층
221,223,225,226,227,235,237,621,623,625,627: 전극 패드
231,232,233: 접합 부재100, 100A, 100B, 500: light emitting element
111,311,511: body
112,113,312,313,512,513,514: Cavity
121,131,141,151,321,331,341,351,521,523,531,533,535,541,543
171,172,371,372,571,572,573: light emitting chip
191,391: molding member
200, 200A, 200B, 200C: substrate
211: metal layer
213: insulation layer
215: protective layer
221,223,225,226,227,235,237,621,623,625,627: electrode pad
231,232,233: joint member

Claims

A body having first and second cavities;
First and second lead frames disposed in the first cavity of the body;
A first light emitting chip connected to the first and second lead frames;
Third and fourth lead frames disposed in the second cavity of the body;
A second light emitting chip connected to the third and fourth lead frames; And
A molding member covering the first and second light emitting chips,
The first lead frame is connected to the first polarity electrode of the first light emitting chip,
The second lead frame is connected to the second polarity electrode of the first light emitting chip,
The third lead frame is connected to the second polarity electrode of the second light emitting chip,
The fourth lead frame is connected to the first polarity electrode of the second light emitting chip,
The second lead frame corresponds to a portion of the third lead frame,
The fourth lead frame corresponds to a portion of the first lead frame.

The light emitting device of claim 1, wherein the first light emitting chip is connected to the first and second lead frames by wires, and the second light emitting chip is connected to the third and fourth lead frames by wires, respectively.

2. The light emitting device of claim 1, further comprising a barrier portion between the first cavity and the second cavity of the body that is higher than upper surfaces of the first and second light emitting chips.

The light emitting device of claim 2, wherein an area of the first lead frame is larger than an area of the second lead frame, and an area of the third lead frame is larger than an area of the fourth lead frame.

The light emitting device of claim 4, wherein the first light emitting chip is disposed on the first lead frame, and the second light emitting chip is disposed on the third lead frame.

The method of claim 5, wherein the first lead frame includes a first recessed portion lower than the bottom of the first cavity and the first light emitting chip is disposed,
The third lead frame is lower than the bottom of the second cavity and a light emitting device including a second recessed portion in which the second light emitting chip is disposed.

The apparatus of claim 6, further comprising: a first lead portion protruding from the first lead frame to a first side of the body; And a second lead portion protruding from the third lead frame to the second side surface of the body.

The apparatus of claim 6, further comprising: a third lead portion protruding from the second lead frame to a third side surface of the body; And a fourth lead portion protruding from the fourth lead frame to the fourth side surface of the body.

The body of claim 1, further comprising: a third cavity in the body; A plurality of fifth lead frames on the bottom of the third cavity; And a third light emitting chip connected to the plurality of fifth lead frames.

The light emitting device of any one of claims 1 to 8; And
A substrate including a plurality of electrode pads below the light emitting device;
The plurality of electrode pads,
A first electrode pad connected to the first lead frame;
A second electrode pad connected to the third lead frame;
A third electrode pad connecting the second lead frame and a portion of the third lead frame to each other; And
And a fourth electrode pad connecting a portion of the first lead frame and the fourth lead frame to each other.

The light emitting device of any one of claims 1 to 8; And
A substrate including a plurality of electrode pads below the light emitting device;
The plurality of electrode pads,
A first electrode pad connected to the first lead frame;
A second electrode pad connected to the third lead frame; And
And a fifth electrode pad connecting the second lead frame and the fourth lead frame.

The light emitting module of claim 10, wherein the third and fourth electrode pads are disposed to correspond to each other.

The light emitting module of claim 11, wherein the fifth electrode pad comprises a diagonal pattern or a bent pattern.