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KR20120007431A - Low Temperature Curing Polyimide Resin and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

Low Temperature Curing Polyimide Resin and Manufacturing Method Thereof Download PDF

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KR20120007431A
KR20120007431A KR20100138064A KR20100138064A KR20120007431A KR 20120007431 A KR20120007431 A KR 20120007431A KR 20100138064 A KR20100138064 A KR 20100138064A KR 20100138064 A KR20100138064 A KR 20100138064A KR 20120007431 A KR20120007431 A KR 20120007431A
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bis
polyimide resin
dianhydride
polyimide
resin composition
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김상우
신세진
오동현
김경준
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 디아민과 디언하이드라이드를 반응시켜 폴리이미드 수지를 제조하는 방법에 있어, 비점 130~180℃인 용매의 존재하에서 중합시켜 150~250℃의 온도 범위에서 저온 경화가 가능한 폴리이미드 수지를 제공한다.
본 발명의 방법에 따른 폴리이미드는 저온에서도 경화가 가능하여 전자재료로 사용되는 경우 고온공정에 의한 장비 손상 등을 최소화할 수 있으며, 플라스틱 기판 등에도 사용할 수 있어 보다 폭넓은 전자재료의 사용이 가능하다.
The present invention In the method for producing a polyimide resin by reacting diamine and dianhydride, a polymer is polymerized in the presence of a solvent having a boiling point of 130 to 180 ° C to provide a polyimide resin capable of low temperature curing in a temperature range of 150 to 250 ° C.
The polyimide according to the method of the present invention can be cured even at low temperatures, so that when used as an electronic material, it is possible to minimize equipment damage caused by a high temperature process, and can also be used on a plastic substrate. Do.

Description

저온 경화가 가능한 폴리이미드 수지 및 이의 제조 방법{Low temperature curable Polyimide resin and method of preparing the same}Low temperature curable polyimide resin and method of preparing the same

본 발명은 폴리이미드 수지 및 이의 제조방법에 대한 것으로, 보다 자세하게는, 저온 경화가 가능한 폴리이미드 수지와 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a polyimide resin and a method for producing the same, and more particularly, to a polyimide resin capable of low temperature curing and a method for producing the same.

최근 반도체 및 액정표시 소자를 중심으로 하는 반도체 소자 분야에서는 전자 소자의 고집적화, 고밀도화, 고신뢰화, 고속화 등의 움직임이 급격히 확산됨에 따라, 가공성과 고순도화 등이 용이한 유기 재료가 갖는 장점을 이용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. Recently, in the semiconductor device field mainly on semiconductors and liquid crystal display devices, as the movement of high integration, high density, high reliability, and high speed of electronic devices are rapidly spreading, there is an attempt to take advantage of the advantages of organic materials that are easy to process and high purity. Research is actively underway.

특별히 폴리이미드 수지는 고내열성, 우수한 기계적 강도, 저유전율 및 고절연성 등의 우수한 전기특성 이외에도 코팅 표면의 평탄화 특성이 좋고, 소자의 신뢰성을 저하시키는 불순물의 함유량이 매우 낮으며, 용이하게 미세 형상으로 만들 수 있는 장점이 있어, 최근 이를 포함하는 감광성 수지를 비롯한 감광성 절연막의 용도가 반도체뿐만 아니라 디스플레이 분야에까지 확대되고 있다. In particular, the polyimide resin has good flattening characteristics of the coating surface in addition to excellent electrical properties such as high heat resistance, excellent mechanical strength, low dielectric constant, and high insulation, and has a very low content of impurities that degrades the reliability of the device. There is an advantage that can be made, the use of a photosensitive insulating film including a photosensitive resin containing the same has recently been extended to the display field as well as semiconductor.

폴리이미드를 합성하는 방법으로는 2단계 축중합으로서 디아민 성분과 디언하이드라이드 성분을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAc) 및 디메틸포름아마이드(DMF)와 같은 극성 유기용매 내에서 중합시켜 폴리이미드 전구체 용액을 얻고, 이를 실리콘 웨이퍼나 유리 등에 코팅한 후 고온에서 열처리에 의해 경화시키는 방법이 일반적이다. As a method of synthesizing polyimide, it is a two-stage condensation polymerization method in which the diamine component and the dianhydride component have the same polarity as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylacetamide (DMAc) and dimethylformamide (DMF). It is common to polymerize in an organic solvent to obtain a polyimide precursor solution, which is coated on a silicon wafer or glass and then cured by heat treatment at high temperature.

상업화된 전자재료용 폴리이미드 제품은 폴리이미드 전구체 용액 혹은 폴리이미드 필름 상태로 공급되며, 반도체 소자 분야에서는 주로 폴리이미드 전구체 용액 상태로 공급된다.Commercialized polyimide products for electronic materials are supplied in the form of polyimide precursor solution or polyimide film, and are mainly supplied in the form of polyimide precursor solution in the semiconductor device field.

그러나 이와 같이 폴리이미드 중합체를 제조하는 방법은 높은 경화 온도(300℃ 이상)를 필요로 하는 바 열에 취약한 공정에는 사용할 수 없는 문제가 있었고, 고온 경화를 거치더라도 상기 폴리이미드 전구체 용액이 완전히 폴리이미드로 전환되기에도 어려운 문제가 있다. However, this method of preparing a polyimide polymer requires a high curing temperature (300 ° C. or higher) and thus cannot be used in a process that is susceptible to heat, and even after high temperature curing, the polyimide precursor solution is completely converted into polyimide. There is a difficult problem to switch.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 종래 공정에서는 촉매를 이용하여 액상에서 화학적 이미드화를 하는 중합 방법이 개발되었지만 이러한 공정 또한 여전히 고온공정을 필요로 함은 물론 용매 역시 고비점 용매를 그대로 사용하고 있어 상기 중합 공정 이후에 용매를 제거하기 위해서 다시 고온의 경화 공정을 거칠 수밖에 없는 문제가 있다. In order to solve such a problem, a polymerization method for chemical imidization in a liquid phase using a catalyst has been developed in the conventional process, but such a process still requires a high temperature process, and the solvent also uses a high boiling point solvent as it is. In order to remove the solvent after the process, there is a problem that only the high-temperature curing process has to go through again.

또한, 상기 폴리이미드 수지의 제조를 위해 고온의 열처리를 하기 위해서는 생산 효율을 높이고자 하면 열설비가 대형화 되어야 하는 점도 문제가 된다. In addition, in order to increase the production efficiency in order to perform a high temperature heat treatment for the production of the polyimide resin, there is also a problem that the heat facilities must be enlarged.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 발명자들은 폴리이미드의 제조공정에 저비점의 용매를 사용하거나 아울러 상기 저비점 용매와 함께 저비점, 높은 반응성의 아민계 촉매를 첨가함으로써 저온에서도 폴리이미드를 제조할 수 있음을 밝혀내었으며, 이와 같은 방법으로 제조된 저온 폴리이미드는 내열성 및 가공성에 있어서 여전히 우수한 성질을 유지하고 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the inventors have a low temperature by using a low boiling point solvent in the manufacturing process of the polyimide or by adding a low boiling point, high reactivity amine catalyst with the low boiling point solvent Also, it was found that the polyimide can be prepared, and the low-temperature polyimide prepared in this manner was confirmed to maintain excellent properties in heat resistance and processability, thereby completing the present invention.

이에, 본 발명의 하나의 목적은 저비점의 용매를 사용하여 저온에서도 이미드화가 가능한 폴리이미드 수지의 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, one object of the present invention is to provide a method for producing a polyimide resin which can be imidized even at low temperature by using a solvent having a low boiling point.

또한, 상기 저비점의 용매와 함께 저비점, 높은 반응성의 특정 촉매를 사용하여 저온에서도 이미드화가 가능한 폴리이미드 수지의 제조방법을 제공하는데 있다.In addition, the present invention provides a method for producing a polyimide resin capable of imidization even at low temperature by using a low boiling point solvent and a specific catalyst having a low boiling point and high reactivity.

또한, 본 발명의 추가의 다른 목적은 상기 폴리이미드 수지를 포함하는 감광성 조성물 및 프린트용 잉크 조성물을 제공하는 데 있다. Further, another object of the present invention is to provide a photosensitive composition and an ink composition for printing comprising the polyimide resin.

아울러, 본 발명의 또 다른 목적은 저온 경화가 가능한 폴리이미드 수지를 제공하는 데 있다. In addition, another object of the present invention to provide a polyimide resin capable of low-temperature curing.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폴리이미드 수지의 제조방법은 비점 130~180℃인 저비점 용매를 이용하여 폴리이미드 수지를 중합하는 단계를 포함할 수 있다.Method for producing a polyimide resin of the present invention for achieving the above object may include the step of polymerizing the polyimide resin using a low boiling point solvent having a boiling point of 130 ~ 180 ℃.

상기 저비점 용매는 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 디프로피렌글리콜 디메틸에테르, 사이클로헥사논 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The low boiling point solvent is diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, methyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-ethoxy propionate, propylene glycol Methyl ether propionate, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone and It may be at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA).

상기 저비점 용매는 폴리이미드 수지 제조를 위한 모노머 100중량부에 대하여 20~2000중량부로 포함되는 것일 수 있다.The low boiling point solvent may be included in 20 to 2000 parts by weight based on 100 parts by weight of the monomer for producing a polyimide resin.

본 발명의 방법에 의하면, 상기 폴리이미드는 폴리아믹산 전구체 제조단계를 거치지 않고, 직접 폴리이미드 수지를 제조하는 것일 수 있다.According to the method of the present invention, the polyimide may be to prepare a polyimide resin directly, without passing through the polyamic acid precursor manufacturing step.

상기 폴리이미드 수지는 비점 60~100℃인 촉매 존재 하에서 제조하는 것일 수 있다.The polyimide resin may be prepared in the presence of a catalyst having a boiling point of 60 to 100 ℃.

상기 촉매는 N, N-디에틸메틸아민, N,N-디메틸이소프로필아민, N-메틸피롤리딘(N-Methylpyrrolidine), 피롤리딘(pyrrolidine), 및 트리에틸아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The catalyst is selected from the group consisting of N, N-diethylmethylamine, N, N-dimethylisopropylamine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidine, and triethylamine. It may be one or more.

상기 촉매는 폴리이미드 수지의 출발 원료인 디아민과 디언하이드라이드 100중량부에 대하여 0.5 ~ 30 중량부로 포함될 수 있다.The catalyst may be included in an amount of 0.5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of diamine and dianhydride which are starting materials of the polyimide resin.

본 발명의 방법에 의하면, 상기 중합은 120 ~ 200℃의 온도에서 수행될 수 있다. According to the method of the present invention, the polymerization may be carried out at a temperature of 120 ~ 200 ℃.

상기 폴리이미드 수지는 The polyimide resin

Figure pat00001
및 3,5-디아미노벤조산으로부터 유래되는 2가의 유기기 등 페놀성 수산기, 카르복실기 또는 수산기를 포함하는 2가의 유기기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; 1,6-헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄, 1,2-비스-(2-아미노에톡시)에탄, 비스(3-아미노프로필)에테르, 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 지방족 디아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 디아민을 출발 원료로 사용하는 것일 수 있다.
Figure pat00001
And at least one aromatic diamine selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group or a divalent organic group including a hydroxyl group, such as a divalent organic group derived from 3,5-diaminobenzoic acid; p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 4,4 '-Diaminodiphenylether, 3,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2 , 6-dimethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'- Methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine, m-tolidine, 3, 3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4 -(3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, and 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane At least one aromatic diamine selected from the group consisting of; 1,6-hexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 4,4 '-Diaminodicyclohexylmethane, and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane, 1, 2-bis- (2-aminoethoxy) ethane, bis (3-aminopropyl) ether, 1,4-bis (3-aminopropyl) piperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2, At least one diamine selected from the group consisting of at least one aliphatic diamine selected from the group consisting of 4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane It may be to use as a starting material.

상기 폴리이미드 수지는 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트 라카르복실산 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 비시클로[2.2.2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물 및 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 산무수물 및 그 유도체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 디언하이드라이드를 출발원료로 사용하는 것일 수 있다.The polyimide resin Pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 ' -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropylidene dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 '-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 1,2 , 3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetramethyl-1, 2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracar Dissolved dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclo Hexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2.2.2] octo-7-ene-2,3,5,6 1 selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofuranthracarboxylic dianhydride and 3,5,6-tricarboxy-2-norbornane acetic dianhydride At least one dianhydride selected from the group consisting of at least one acid anhydride and derivatives thereof may be used as a starting material.

본 발명은 상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 비점 130~180℃인 저비점 용매를 이용하여 제조된 폴리이미드 수지를 제공하는 것일 수 있다.The present invention may be to provide a polyimide resin prepared using a low boiling point solvent having a boiling point of 130 ~ 180 ℃ in order to achieve the other object.

상기 폴리이미드의 유리전이온도는 150~400℃인 것이 바람직하다. It is preferable that the glass transition temperature of the said polyimide is 150-400 degreeC.

상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 1,000 ~ 100,000 인 것이 바람직하다. It is preferable that the weight average molecular weight of the said polyimide resin is 1,000-100,000.

상기 폴리이미드 수지 내의 잔류 촉매량이 폴리이미드 수지 총 중량 중 0.001 ~ 0.1 중량%인 것이 바람직하다.The amount of residual catalyst in the polyimide resin is preferably 0.001 to 0.1% by weight of the total weight of the polyimide resin.

본 발명은 상기 추가의 다른 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 저온 경화가 가능한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.The present invention can provide a photosensitive resin composition capable of low-temperature curing, including the polyimide resin prepared by the above method, in order to achieve the above further another object.

상기 감광성 수지 조성물은 150~250℃에서 경화 가능한 것을 특징으로 한다. The photosensitive resin composition is characterized in that it is curable at 150 ~ 250 ℃.

상기 감광성 수지 조성물은 경화 후 감광성 수지 조성물 내에 잔류 용매가 존재하지 않는 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition is characterized in that no residual solvent is present in the photosensitive resin composition after curing.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 경화 후 감광성 수지 조성물 내에 잔류 용매가 0.05 중량% 미만인 것을 특징으로 한다. In addition, the photosensitive resin composition is characterized in that the residual solvent in the photosensitive resin composition after curing is less than 0.05% by weight.

상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광막은 예비 소성(pre-bake) 후, EBR solvent(edge bead removal solvent)에 의해 제거될 수 있는 특징을 가진다. The photosensitive film using the photosensitive resin composition has a feature that can be removed by an EBR solvent (edge bead removal solvent) after pre-bake.

상기 감광성 수지 조성물은 드레인 혼용시, 침전 발생 없이 용해되는 특징을 가진다. The photosensitive resin composition is characterized in that when mixed with the drain, it is dissolved without generating precipitation.

본 발명은 또한 상기 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 프린트용 잉크 조성물을 제공할 수 있다. The present invention can also provide a printing ink composition comprising a polyimide resin prepared by the above method.

본 발명은 상기 추가의 다른 목적을 달성하기 위하여, 상기 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 프린트용 잉크 조성물을 제공할 수 있다.The present invention can provide a printing ink composition comprising a polyimide resin prepared by the above method, in order to achieve the above further another object.

본 발명은 또한 상기 감광성 수지 조성물을 포함하여 제조되는 OLED, LCD 또는 반도체 절연막을 제공할 수 있으며, The present invention can also provide an OLED, LCD or semiconductor insulating film prepared by including the photosensitive resin composition,

또한, 상기 프린팅용 잉크 조성물을 포함하여 제조되는 OLED, LCD 또는 반도체 절연막을 제공할 수 있다. In addition, it can provide an OLED, LCD or a semiconductor insulating film prepared by including the printing ink composition.

본 발명에 따르면, 저비점 용매를 사용하여 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산 제조단계 없이, 직접 폴리이미드 수지 제조가 가능하다. According to the present invention, it is possible to prepare a polyimide resin directly without using a low boiling point solvent to prepare a polyamic acid as a polyimide precursor.

또한, 이렇게 제조된 폴리이미드 수지는 저온에서도 경화가 가능하여 전자재료로 사용되는 경우 고온공정에 의한 장비 손상 등을 최소화할 수 있으며, 플라스틱 기판 등에도 사용할 수 있어 보다 폭넓은 전자재료로서 사용이 가능하다.In addition, the polyimide resin prepared in this way can be cured even at low temperatures, and when used as an electronic material, can minimize equipment damage caused by high temperature processes, and can also be used as a plastic substrate, which can be used as a wider electronic material. Do.

본 발명의 제조방법에 따른 폴리이미드 수지는 또한 충분한 기계적 강도를 가지면서 가공성이 우수하여 생산 효율이 높아 다양한 디스플레이의 감광성 수지 조성물뿐만 아니라, 프린트용 잉크 조성물 등에도 사용 가능한 장점이 있다. The polyimide resin according to the manufacturing method of the present invention also has a sufficient mechanical strength and excellent workability and high production efficiency, so that the polyimide resin can be used not only for photosensitive resin compositions of various displays, but also for printing ink compositions and the like.

본 발명에 따른 폴리이미드 수지는 감광성 수지 조성물에 포함되어 전자재료의 감광막으로 사용되는 경우, 예비 소성(pre-bake) 후 EBR solvent(edge bead removal solvent)에 의해 낮은 온도에서도 쉽게 제거될 수 있다. When the polyimide resin according to the present invention is included in the photosensitive resin composition and used as a photosensitive film of an electronic material, the polyimide resin may be easily removed even at low temperature by an EBR solvent (edge bead removal solvent) after pre-bake.

또한 본 발명에 따른 폴리이미드 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물은 드레인 혼용시, 침전 발생 없이 용해되는 특징이 있다. In addition, the photosensitive resin composition including the polyimide resin according to the present invention has a feature of dissolving without mixing when drain mixed.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물의 경화 후 잔류 용매량의 분석 그래프이다.1 and 2 are graphs of the residual solvent amount after curing of the photosensitive resin composition according to the Examples and Comparative Examples of the present invention.

이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a", "an" and "the" may include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise.

또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.Also, as used herein, "comprise" and / or "comprising" specifies the presence of the mentioned shapes, numbers, steps, actions, members, elements and / or groups of these. It is not intended to exclude the presence or the addition of one or more other shapes, numbers, acts, members, elements and / or groups.

본 발명은 디아민과 디언하이드라이드를 반응시켜 폴리이미드 수지를 제조함에 있어, 비점이 낮은 특정 촉매와 용매를 사용함으로써 저온 경화가 가능할 뿐만 아니라, 가용성인 폴리이미드 수지를 제조할 수 있다. In the present invention, in preparing a polyimide resin by reacting diamine and dianhydride, by using a specific catalyst and a solvent having a low boiling point, low temperature curing is possible, and a soluble polyimide resin can be produced.

본 발명의 폴리이미드 수지는 종래와 같이 디아민과 디언하이드라이드(이무수물)로부터 폴리아믹산 전구체를 제조하고, 이를 고온 경화시켜 폴리이미드 필름으로 제조하는 것이 아니라, 상기 디아민과 디언하이드라이드로부터 직접 폴리이미드 수지를 제조하는 것이다. The polyimide resin of the present invention does not prepare a polyamic acid precursor from diamine and dianhydride (anhydride) as in the prior art, and harden it at high temperature to prepare a polyimide film, but directly polyimide from the diamine and dianhydride. It is to prepare a resin.

이는 본 발명에서 저온에서도 폴리이미드 수지의 합성이 가능하도록 하기 위하여 비점 130~180℃인 저비점의 용매를 사용한 데 특징이 있다. This is characterized by using a low boiling point solvent having a boiling point of 130 ~ 180 ℃ to enable the synthesis of polyimide resin at low temperature in the present invention.

통상적으로 폴리이미드 수지의 합성은 폴리아믹산 전구체를 제조하고, 이를 320℃ 이상의 고온에서 경화시킴으로써 제조하였다. 그러나, 본 발명에서는 폴리아믹산 전구체 단계를 거치지 않고, 직접 폴리이미드 수지로 제조하되, 종래보다 더 낮은 온도에서 폴리이미드 수지 합성을 위해 상기와 같이 저비점 용매를 사용하는 것이다. Typically, the synthesis of polyimide resin was prepared by preparing a polyamic acid precursor and curing it at a high temperature of 320 ° C or higher. In the present invention, however, the polyimide resin is directly manufactured without passing through the polyamic acid precursor step, but a low boiling point solvent is used as described above for the synthesis of the polyimide resin at a lower temperature than before.

상기와 같이, 비점 130~180℃인 저비점의 용매의 구체적인 예를 들면, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 디프로피렌글리콜 디메틸에테르, 사이클로헥사논 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA)등으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것이나, 상기 온도 범위의 비점을 가지는 저비점의 용매라면 이에 한정되는 것은 아니다. As mentioned above, the specific example of the low boiling point solvent which has a boiling point of 130-180 degreeC is diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, methyl 3-methoxy 1 type selected from the group consisting of propionate, ethyl 3-ethoxy propionate, propylene glycol methyl ether propionate, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) It is not limited to this as long as it is above and the low boiling point solvent which has a boiling point of the said temperature range.

본 발명에 따른 용매의 비점이 130℃ 미만인 경우 폴리이미드를 만드는데 충분한 에너지가 되지 않아 전환율이 떨어질 수 있으며, 또한, 용매의 비점이 180℃를 초과하는 경우 경화 시 이보다 높은 200℃ 이상의 온도를 가하여야 용매가 잔류하지 않게 되어 경화온도를 낮추기 어렵게 되는 문제가 있어 바람직하지 못하다. When the boiling point of the solvent according to the present invention is less than 130 ℃ may not be enough energy to make a polyimide conversion may fall, and if the boiling point of the solvent exceeds 180 ℃ higher than 200 ℃ higher than this at the time of curing There is a problem that the solvent does not remain, which makes it difficult to lower the curing temperature, which is not preferable.

상기 저비점 용매는 디아민과 디언하이드라이드를 포함하는 총 모노머 100중량부에 대하여 20~2000중량부, 바람직하게는 100~1000 중량부, 가장 바람직하게는 200~400중량부로 포함될 수 있으며, 상기 용매의 함량이 20중량부 미만인 경우 폴리이미드를 충분히 용해하지 못하고, 2000 중량부를 초과하는 경우 기판에 도포시 충분한 두께의 도막을 형성할 수 없는 문제가 있어 바람직하지 못하다. The low boiling point solvent may be included in an amount of 20 to 2000 parts by weight, preferably 100 to 1000 parts by weight, most preferably 200 to 400 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total monomer including diamine and dianhydride. If the content is less than 20 parts by weight, the polyimide may not be sufficiently dissolved, and if it exceeds 2000 parts by weight, there is a problem in that a coating film having a sufficient thickness cannot be formed when applied to the substrate.

본 발명에서는 상기 폴리이미드 수지 제조시, 저비점 촉매를 포함할 수 있다In the present invention, the polyimide resin may include a low boiling point catalyst.

상기 촉매는 저온에서 이미드화가 가능하고 반응 후 제거가 용이한 촉매로서, 저비점이며 높은 반응성을 갖는 촉매가 바람직하다. The catalyst is a catalyst capable of imidization at a low temperature and easily removed after the reaction, and a catalyst having a low boiling point and high reactivity is preferable.

구체적으로, 상기 촉매는 비점이 60~120℃, 바람직하게는 70 ~ 100℃, 가장 바람직하게는 80 ~ 90℃인 것일 수 있다. 촉매의 비점이 60℃ 미만으로 너무 낮으면 중합 도중 모두 증발되어 바람직하지 못하며, 또한 120℃를 초과하게 되면 반응 종료 후 반응성이 큰 촉매가 잔류하여 조성물 제조 시 부반응을 일으킬 수 있다. Specifically, the catalyst may have a boiling point of 60 to 120 ℃, preferably 70 to 100 ℃, most preferably 80 to 90 ℃. If the boiling point of the catalyst is too low, less than 60 ℃ all the evaporation during the polymerization is not preferable, and if it exceeds 120 ℃ may be a highly reactive catalyst after the end of the reaction to cause side reactions in the preparation of the composition.

본 발명에 따른 상기 촉매의 구체적인 예를 들면, N, N-디에틸메틸아민, N,N-디메틸이소프로필아민, N-메틸피롤리딘(N-Methylpyrrolidine), 피롤리딘(pyrrolidine) 및 트리에틸아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것이나, 이에 한정되지 않는다. Specific examples of the catalyst according to the present invention include N, N-diethylmethylamine, N, N-dimethylisopropylamine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidine and tri One or more selected from the group consisting of ethylamine is not limited thereto.

상기 촉매는 폴리이미드 수지의 합성에 사용되는 상기 디아민과 디언하이드라이드를 합한 총 모노머 100중량부에 대하여 0.5 ~ 30 중량부, 바람직하게는 2 ~ 20 중량부, 가장 바람직하게는 5 ~ 10 중량부로 포함될 수 있으며, 상기 촉매의 함량이 0.5 중량부 미만인 경우 촉매량이 부족하여 폴리이미드로의 전환율이 떨어지게 되고, 30중량부를 초과하는 경우 미반응한 촉매의 잔류로 인한 부가반응이 일어날 수 있어 바람직하지 못하다. The catalyst is used for the synthesis of polyimide resin 0.5 to 30 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight, most preferably 5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total monomers of diamine and dianhydride combined, and the content of the catalyst is 0.5 parts by weight. If it is less than the amount of the catalyst is insufficient conversion of the polyimide falls, if more than 30 parts by weight of the addition reaction due to the remaining of the unreacted catalyst may occur is not preferable.

또한, 본 발명의 폴리이미드 수지에 사용되는 모노머인 디아민과 디언하이드라이드는 통상의 폴리이미드 수지 제조시 사용되는 것들이면 특별히 한정되지 않으며, 다만, 소정의 용도에 맞도록 선택하여 사용할 수 있다. In addition, diamine and dianhydride which are monomers used for the polyimide resin of this invention will not be specifically limited if it is those used at the time of manufacture of a normal polyimide resin, However, It can select and use suited for a predetermined use.

예를 들어, 산무수물 또는 그 유도체로는, 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트 라카르복실산 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 비시클로[2.2.2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물 및 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 산무수물 및 그 유도체를 들 수 있다.For example, as an acid anhydride or its derivative (s), pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4- tetracarboxylic acid Dianhydrides, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4 '-Diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropylidene dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydrides, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 3,3', 4,4'-di Phenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1 , 2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic Dianhydrides, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2, 5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2.2 .2] octo-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetetracarboxylic dianhydride and 3,5,6-tricarboxy And at least one acid anhydride selected from the group consisting of -2-norbornane acetic dianhydride and derivatives thereof.

상기 디아민으로서는 방향족 및 지방족 디아민이 사용될 수 있으며, 디아민화합물의 구체적인 예를 들면, As the diamine may be used an aromatic and aliphatic diamine, specific examples of the diamine compound,

Figure pat00002
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및 3,5-디아미노벤조산으로부터 유래되는 2가의 유기기 등 페놀성 수산기, 카르복실기 또는 수산기를 포함하는 2가의 유기기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; 1,6-헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄, 1,2-비스-(2-아미노에톡시)에탄, 비스(3-아미노프로필)에테르, 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]-운데칸, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 지방족 디아민을 들 수 있으며, 상기 방향족 및 지방족 디아민을 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.And at least one aromatic diamine selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group or a divalent organic group including a hydroxyl group, such as a divalent organic group derived from 3,5-diaminobenzoic acid; p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 4,4 '-Diaminodiphenylether, 3,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2 , 6-dimethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'- Methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine, m-tolidine, 3, 3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4 -(3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, and 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane At least one aromatic diamine selected from the group consisting of; 1,6-hexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 4,4 '-Diaminodicyclohexylmethane, and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane, 1,2 -Bis- (2-aminoethoxy) ethane, bis (3-aminopropyl) ether, 1,4-bis (3-aminopropyl) piperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4 And at least one aliphatic diamine selected from the group consisting of 8,10-tetraoxaspiro [5.5] -undecane, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, and the aromatic and aliphatic diamines. It may be used by mixing, but is not limited thereto.

한편, 본 발명에 따른 폴리이미드 수지의 중합은 120~200℃, 바람직하기로는 130~180℃, 가장 바람직하기로는 140~160℃의 낮은 온도에서 수행될 수 있다. On the other hand, the polymerization of the polyimide resin according to the present invention may be carried out at a low temperature of 120 ~ 200 ℃, preferably 130 ~ 180 ℃, most preferably 140 ~ 160 ℃.

상기와 같은 과정으로 폴리이미드를 제조하는 경우, 중합시 전환율은 90∼ 100 %이고, 폴리이미드 수지 내의 잔류 촉매량은 총 폴리이미드 수지 중 0.001∼0.1중량%인 것이 바람직하다. When manufacturing a polyimide by the above process, it is preferable that the conversion rate at the time of superposition | polymerization is 90 to 100%, and the residual catalyst amount in a polyimide resin is 0.001 to 0.1 weight% of a total polyimide resin.

본 발명에 따른 상기 폴리이미드 제조방법은 비교적 낮은 온도에서 중합함에도 불구하고, 전환율이 높고, 최종 제조된 폴리이미드 수지 내의 잔류 촉매량이 적은 것을 확인할 수 있는바, 이로부터 본 발명에 따른 제조방법으로 폴리이미드 수지를 효과적으로 제조할 수 있다는 것을 알 수 있다. The polyimide manufacturing method according to the present invention can be confirmed that despite the polymerization at a relatively low temperature, the conversion is high, and the amount of residual catalyst in the final polyimide resin produced is low. It can be seen that the mid resin can be produced effectively.

이러한 일련의 과정에 따라 제조된 본 발명에 따른 폴리이미드 수지는 150~250℃의 온도 범위에서 저온 경화가 가능하며 가용성이다.The polyimide resin according to the present invention produced according to this series of processes is capable of low temperature curing in the temperature range of 150 ~ 250 ℃ and is soluble.

따라서, 종래 320℃ 이상의 고온에서 폴리이미드를 경화시켜야 함에 따른 공정상 어려움 및, 열에 취약한 공정에는 사용할 수 없는 문제, 고온 경화를 거치더라도 상기 폴리아믹산 전구체 용액으로부터 폴리이미드 수지로의 낮은 전환율 등의 문제를 해결할 수 있게 된다. Therefore, problems such as difficulties in the process of curing the polyimide at a high temperature of 320 ° C. or higher, problems that cannot be used in a process that is susceptible to heat, and problems such as low conversion rate from the polyamic acid precursor solution to the polyimide resin even after high temperature curing Will be able to solve.

통상 폴리이미드 수지는 용매에 대한 용해도가 지극히 제한적인 것으로 알려져 있는 데 반해, 본 발명에 따라 제조된 폴리이미드 수지는 용해도가 낮은 용매에 대해서도 가용성을 가지는 것일 수 있다.While polyimide resins are generally known to have extremely limited solubility in solvents, the polyimide resins prepared according to the present invention may be soluble in solvents having low solubility.

통상 폴리이미드는 용해도가 매우 낮아서 가용성을 갖기 위해서는 가용성 기능을 부여할 수 있는 모노머를 도입하여야 한다. 그렇게 하더라도 극성이 높은 고비점 용매에 더 잘 녹는 경향이 있다. In general, polyimide has a very low solubility so that a monomer capable of providing a solubility function must be introduced in order to have solubility. Even so, they tend to dissolve better in highly polar, high boiling solvents.

그러나 본 발명에 따른 저온 경화형 폴리이미드는 가용 특성이 우수하여, 본발명에 이용되는 비점이 130~180℃인 용매와 같이 저비점 용매에 대해 우수한 가용성을 갖는다. However, the low temperature curable polyimide according to the present invention has excellent solubility characteristics and has excellent solubility in low boiling point solvents such as solvents having a boiling point of 130 to 180 ° C used in the present invention.

따라서 이미드링을 만들기 위해 도포 후 고온에서 이미드화를 시키지 않아도 되고 용매만 제거하면 폴리이미드막을 얻을 수 있다. 또한 이미 화학적으로 이미드화를 시켜 높은 전환율을 가지고 있어 이미드화되지 않은 폴리아믹산이나 폴리아믹산에스터에서 발생한 out-gassing에 의해 소자의 신뢰도가 떨어지는 문제가 발생하지 않는다. 특히 저비점의 용매를 사용할 시에는 용매의 비점에 따라 이 온도를 더욱 낮출 수 있어 저온공정이 필요한 소자공정에 적용하여 기존 폴리이미드와 같은 높은 기계적, 열적 안정성을 갖는 박막을 형성할 수 있는 잇점을 가질 수 있다. Therefore, in order to make the imid ring, it is not necessary to perform imidization at high temperature after application, and only the solvent is removed to obtain a polyimide membrane. In addition, the chemical imidization has a high conversion rate, so that the reliability of the device is not deteriorated by out-gassing generated from unimidized polyamic acid or polyamic acid ester. In particular, when a low boiling point solvent is used, this temperature can be further lowered according to the boiling point of the solvent, and thus, it may have an advantage of forming a thin film having high mechanical and thermal stability similar to that of a conventional polyimide by applying to a device process requiring a low temperature process. Can be.

본 발명에 따른 상기 폴리이미드 수지의 유리전이온도는 150 ~ 400℃인 것일 것 있다. 아울러, 상기 폴리이미드 수지는 1,000~500,000, 바람직하게는 5,000~100,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. The glass transition temperature of the polyimide resin according to the present invention may be 150 ~ 400 ℃. In addition, the polyimide resin may have a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, preferably 5,000 to 100,000.

상기와 같은 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 저온 경화가 가능한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있으며, 150~250℃의 저온에서 경화 가능한 특징을 가진다. It can provide a photosensitive resin composition capable of low-temperature curing comprising a polyimide resin prepared by the above method, and has a feature capable of curing at a low temperature of 150 ~ 250 ℃.

또한, 본 발명에 따른 상기 감광성 수지 조성물은, 경화 후 감광성 수지 조성물 내의 잔류 용매량이 0.05중량% 미만일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 경화 후 감광성 수지 조성물내에 잔류 용매가 존재하지 않는(0중량%) 것일 수 있다. In addition, in the photosensitive resin composition according to the present invention, the amount of residual solvent in the photosensitive resin composition after curing may be less than 0.05% by weight, and more preferably, no residual solvent is present in the photosensitive resin composition after curing (0% by weight). Can be.

상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광막은 예비 소성(pre-bake) 후, EBR solvent(edge bead removal solvent)에 의해 쉽게 제거될 수 있는 특징을 가진다. 이는 통상의 폴리이미드 중합에 사용하고 있지 않지만 보통의 포토레지스트에는 범용으로 사용되는 glyme계 용매, propionate, PGMEA 등의 용매를 이용하여 중합을 하여 범용 EBR solvent에 의해 낮은 온도에서 제거가 용이한 특징을 가진다. The photosensitive film using the photosensitive resin composition has a feature that can be easily removed by an EBR solvent (edge bead removal solvent) after pre-bake. Although it is not used for general polyimide polymerization, it is polymerized using solvents such as glyme solvent, propionate, PGMEA, etc., which are commonly used for general photoresist, and can be easily removed at low temperature by general purpose EBR solvent. Have

그러므로, 기타 반도체 라인이나, OLED, LCD 등의 디스플레이 라인에서 제조공정시 rework에 사용하는 일반적 용제로 제거가 가능하고, 드레인(drain) 혼용시 발생하는 침전 발생없이 용해되어, 배관 막힘 등을 막을 수 있는 특징을 가진다. Therefore, it can be removed with other solvents used for rework during manufacturing processes in other semiconductor lines, OLED, LCD, etc., and it can be dissolved without sedimentation generated when mixing drains to prevent clogging of pipes. Has the characteristics.

아울러, 프린팅용 조성물의 경우, 통상의 폴리미이드 중합에 사용되는 NMP, GBL, DMAc, DMF 등의 용매는 사용이 불가하나, 본 발명의 폴리미이드 수지는 이러한 용매를 사용하지 않으므로 프린팅용 잉크 조성물에 유리하게 사용될 수 있다.In addition, in the case of the printing composition, solvents such as NMP, GBL, DMAc, DMF, etc., which are used for the conventional polyamide polymerization, cannot be used. However, the polyamide resin of the present invention does not use such a solvent, and thus printing ink It can be used advantageously in the composition.

결론적으로, 본 발명에 따른 폴리이미드 수지는 OLED, LCD 를 포함하는 다양한 전자재료의 감광성 수지 조성물 및 프린팅용 잉크 조성물의 바인더 수지로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In conclusion, the polyimide resin according to the present invention may be used as a binder resin of the photosensitive resin composition and printing ink composition of various electronic materials including OLED and LCD, but is not limited thereto.

따라서 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물을 포함하여 제조된 폴리이미드 필름이나, 상기 프린팅용 잉크 조성물을 포함하여 제조되는 폴리이미드 필름을 제공할 수 있으며, 나아가 상기 폴리이미드 필름들을 이용하여 제조되는 OLED, LCD 또는 반도체 절연막을 제공할 수 있다.
Accordingly, the present invention can provide a polyimide film prepared by including the photosensitive resin composition, or a polyimide film prepared by including the printing ink composition, and further, an OLED and an LCD manufactured using the polyimide films. Alternatively, a semiconductor insulating film can be provided.

이하에서 본 발명을 실시예에 의거하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art.

실시예Example 1: 저온 폴리이미드 중합 예 1: Low Temperature Polyimide Polymerization Example

100ml 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 12.1g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 60g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물 10.2g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액에 11g의 톨루엔과 4g의 트리에틸아민을 넣고 딘-스탁 증류장치(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 150℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 딘-스탁 증류장치의 물을 제거한 후 촉매의 제거를 위하여 2시간 추가 환류시킨 후 상온 냉각하여 가용성 폴리이미드 용액을 얻을 수 있었다. 12.1 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 60 g of propylene glycol monomethyl ether acetate were sequentially added to a 100 ml round bottom flask, followed by slow stirring to completely dissolve the flask. 10.2 g of 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride was slowly added while maintaining in water at room temperature. 11 g of toluene and 4 g of triethylamine were added to the mixed solution, and the mixture was installed to remove water through a dean-stark distillation and refluxed at 150 ° C. for 5 hours. After removing water from the Dean-Stark distillation apparatus, the mixture was further refluxed for 2 hours to remove the catalyst, and then cooled to room temperature to obtain a soluble polyimide solution.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인 하였고, GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지를 중량평균분자량 40,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.5로 확인되었다.
The polyimide production peak was confirmed through IR, and the polyimide resin measured through GPC had a weight average molecular weight of 40,000 and a poly disperse index (PDI) of 1.5.

실시예Example 2: 저온 폴리이미드 중합 예 2: Low Temperature Polyimide Polymerization Example

100ml 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 12.1g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 60g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 부탄-1,2,3,4-테트라카르본산 이무수물 6.5g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액에, 11g의 톨루엔과 4g의 트리에틸아민을 넣고 딘-스탁 증류장치 (dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 150℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 딘-스탁 증류장치의 물을 제거한 후 촉매의 제거를 위하여 2시간 추가 환류시킨 후 상온 냉각하여 가용성 폴리이미드 용액을 얻을 수 있었다. 12.1 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 60 g of propylene glycol monomethyl ether acetate were sequentially added to a 100 ml round bottom flask, followed by slow stirring to completely dissolve the flask. 6.5 g of butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride was slowly added while maintaining the temperature in water. 11 g of toluene and 4 g of triethylamine were added to the mixed solution, and the mixture was installed to remove water through a dean-stark distillation and refluxed at 150 ° C. for 5 hours. After removing water from the Dean-Stark distillation apparatus, the mixture was further refluxed for 2 hours to remove the catalyst, and then cooled to room temperature to obtain a soluble polyimide solution.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 35,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.7로 확인되었다.
The polyimide production peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured through GPC was 35,000, and the polydisperse index (PDI) was 1.7.

비교예Comparative example 1: 고온 폴리이미드 중합 예 1: high temperature polyimide polymerization example

100ml 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 12.1g과 γ-부티로락톤 60g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물 10.2 g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액을 16시간 동안 실온에서 교반한 뒤, 7g의 톨루엔을 넣고 딘-스탁(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후, 180℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 딘-스탁 증류장치의 물을 제거한 후 촉매의 제거를 위하여 2시간 추가 환류시킨 후 상온 냉각하여 가용성 폴리이미드 용액을 얻을 수 있었다. 12.1 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 60 g of γ-butyrolactone were sequentially added to a 100 ml round bottom flask, and slowly stirred to completely dissolve the flask. 10.2 g of 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride was slowly added while maintaining in water at room temperature. After the mixture solution was stirred at room temperature for 16 hours, 7 g of toluene was added and installed to remove water through dean-stark distillation, and then refluxed at 180 ° C. for 3 hours. After removing water from the Dean-Stark distillation apparatus, the mixture was further refluxed for 2 hours to remove the catalyst, and then cooled to room temperature to obtain a soluble polyimide solution.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 40,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.6으로 확인되었다.
The polyimide production peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured through GPC was 40,000, and the poly disperse index (PDI) was 1.6.

비교예Comparative example 2: 폴리이미드 전구체  2: polyimide precursor 중합예Polymerization example

1L 둥근바닥 자켓반응기에 4,4'-옥시다이아닐린 73.3g 및 γ-부티로락톤 300g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 반응기의 자켓 온도를 20℃로 유지하면서 3,3',4,4'-다이페닐술폰테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 55.8g을 천천히 첨가하며 교반시켰다. 상기 혼합용액을 2시간 동안 교반하여 충분히 반응시킨 후, 16시간 동안 실온에서 더 교반시켜, 폴리아믹산을 제조하였다. IR을 통하여 폴리아믹산 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 50,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.6으로 확인되었다.
Into a 1 L round bottom jacket reactor, 73.3 g of 4,4'-oxydianiline and 300 g of γ-butyrolactone were sequentially added and slowly stirred to completely dissolve. Then, the jacket temperature of the reactor was maintained at 20 ° C. and 3,3 ' 55.8 g of, 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dionehydride were slowly added with stirring. The mixed solution was stirred for 2 hours to fully react, followed by further stirring at room temperature for 16 hours to prepare a polyamic acid. The polyamic acid production peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured by GPC was 50,000, and the polydisperse index (PDI) was 1.6.

실험예Experimental Example 1 One

1. One. 이미드화율Imidization rate 평가 evaluation

- 120℃, 4분간 prebake 후, 250℃, 1시간 hardbake 후 각각의 경우의 FT-IR 을 이용하여 측정. After prebake at 120 ° C. for 4 minutes, after hardbake at 250 ° C. for 1 hour, use FT-IR in each case.

- 각 시료의 300℃, 1시간 경화 시료의 CN band 적분값을 전환율 100%로 가정하고 각 경화 조건에서 경화한 시료의 CN band 적분값을 통해 이미드화율을 확인.-Assuming the CN band integral of the sample cured at 300 ° C for 1 hour at 100% conversion rate, the imidation ratio was confirmed through the CN band integral of the sample cured under each curing condition.

Prebake(120℃, 4min) 후After Prebake (120 ℃, 4min) Hardbake (250℃ 1hr) 후After Hardbake (250 ℃ 1hr) 실시예 1Example 1 100%100% 100%100% 실시예 2Example 2 98%98% 98%98% 비교예 1Comparative Example 1 98%98% 98%98% 비교예 2Comparative Example 2 0%0% 0%0%

상기 표 1의 결과에서와 같이, 본 발명의 방법과 같이 저온에서 폴리이미드 수지를 직접 제조한 실시예 1, 2의 경우, 고온에서 제조한 비교예 1에 비해 이미드화율이 동등하게 유지되거나 오히려 우수한 것으로 확인되고 있음을 알 수 있다.
As shown in the results of Table 1, in Examples 1 and 2 in which the polyimide resin was directly manufactured at low temperature as in the method of the present invention, the imidation ratio was maintained to be equivalent to that of Comparative Example 1 prepared at high temperature, or rather. It can be seen that it is confirmed to be excellent.

2. 잔류 2. Residue 촉매량Catalytic amount 분석 analysis

: GC-MS 분석을 통한 잔류 촉매량 정량 분석하고, 결과는 다음 표 2와 같다. : Quantitative analysis of residual catalyst amount through GC-MS analysis, the results are shown in Table 2 below.

잔류 촉매량Residual Catalyst 실시예 1Example 1 Triethylamine 0.02%Triethylamine 0.02% 비교예 1Comparative Example 1 Pyridine 0.5%Pyridine 0.5%

상기 표 2에서와 같이, 본 발명과 같이 저비점 촉매를 사용하는 경우 폴리이미드 수지 내에 잔류하는 촉매량이 비교예 1에 비해 현저하게 줄어든 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터, 본 발명의 방법과 같이 폴리이미드 수지를 제조하는 것이 효과적이라는 것을 알 수 있다.As shown in Table 2, when using a low boiling point catalyst as in the present invention it can be seen that the amount of catalyst remaining in the polyimide resin is significantly reduced compared to Comparative Example 1. From these results, it turns out that it is effective to manufacture polyimide resin like the method of this invention.

실시예Example 3: 감광성 수지 조성물의  3: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드 조성물) (Polyimide Composition)

상기 실시예 1에서 합성한 용해성 폴리이미드 1.6g에 광활성 화합물로서 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물(TPPA 320: OD/(OD+OH)=2/3의 비율에 따라 OH 및 OD 중 선택적으로 주어진다.) 0.5g, 용매 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4g을 가하여 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
To 1.6 g of the soluble polyimide synthesized in Example 1, a diazonaptoquinone ester compound (TPPA 320: OD / (OD + OH) = 2/3 is selectively given among OH and OD as a photoactive compound.) 0.5 g, 4 g of solvent propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) were added thereto, stirred at room temperature for 1 hour, and then filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

비교예Comparative example 3: 감광성 수지 조성물의  3: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드 조성물) (Polyimide Composition)

상기 비교예 1에서 합성한 용해성 폴리이미드 1.6g에 광활성 화합물로서 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물(TPPA 320: OD/(OD+OH)=2/3의 비율에 따라 OH 및 OD 중 선택적으로 주어진다.) 0.5g, γ-부티로락톤(GHL) 4g을 가하여 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
To 1.6 g of the soluble polyimide synthesized in Comparative Example 1, a diazonaptoquinone ester compound (TPPA 320: OD / (OD + OH) = 2/3 is selectively given among OH and OD as a photoactive compound.) 0.5 g and 4 g of γ-butyrolactone (GHL) were added thereto, stirred at room temperature for 1 hour, and then filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

실험예Experimental Example 2 : 잔류  2: residual 용매량Solvent 분석 analysis

: Purge&Trap-GC/MSD 장비 이용 잔류 용매량 분석: Analysis of residual solvent amount using Purge & Trap-GC / MSD equipment

기판에 상기 실시예 3과 비교예 3의 조성물을 도포한 후, 120℃에서 2분간 prebake, 200℃에서 1시간 hard bake하여 도막을 형성하였다. 상기 도막을 280℃에서 각각 2시간 후, 3시간 후, 4시간 후 포집되는 용매량 분석하여 도 1 및 도 2에 기재하였다.After coating the composition of Example 3 and Comparative Example 3 on the substrate, and prebake for 2 minutes at 120 ℃, hard bake for 1 hour at 200 ℃ to form a coating film. The coating films were analyzed in the amount of solvent collected after 2 hours, 3 hours, and 4 hours at 280 ° C., respectively, as shown in FIGS. 1 and 2.

도 1은 실시예 3에 따른 잔류 용매량의 분석 그래프이고, 도 2는 비교예 3의 잔류 용매량의 분석 그래프이다. 도 1에 나타난 것과 같이, 실시예 3의 경우, 잔류 용매에 의한 피크(peak)의 발생이 없음이 확인되었으며, 조성물의 분해에 의한 피크(peak)만 확인되었다. 반면, 도 2에서는 잔류 용매에 의한 피크(peak)에 의하여 GBL의 피크가 280℃ 4시간 포집시까지 확인되고 있음을 알 수 있다. 1 is an analysis graph of the residual solvent amount according to Example 3, and FIG. 2 is an analysis graph of the residual solvent amount of Comparative Example 3. FIG. As shown in FIG. 1, in Example 3, it was confirmed that no peak was generated by the residual solvent, and only a peak due to decomposition of the composition was confirmed. On the other hand, in Figure 2 it can be seen that the peak of the GBL by the peak (peak) due to the residual solvent until the capture of 280 ℃ 4 hours .

Claims (23)

비점 130~180℃인 저비점 용매를 이용한 폴리이미드 수지를 중합하는 단계를 포함하는 폴리이미드 수지의 제조방법.
A method for producing a polyimide resin comprising polymerizing a polyimide resin using a low boiling point solvent having a boiling point of 130 to 180 ° C.
제 1항에 있어서, 상기 저비점 용매는 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 디프로피렌글리콜 디메틸에테르, 사이클로헥사논 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method of claim 1, wherein the low boiling point solvent is diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, methyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-ethoxy At least one member selected from the group consisting of propionate, propylene glycol methyl ether propionate, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA). Method for producing a polyimide resin.
제 1항에 있어서, 상기 저비점 용매는 폴리이미드 수지 제조를 위한 모노머 100 중량부에 대하여 20 ~ 2000 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method of claim 1, wherein the low boiling point solvent is characterized in that it comprises 20 to 2000 parts by weight based on 100 parts by weight of the monomer for producing a polyimide resin Method for producing a polyimide resin.
제 1항에 있어서, 폴리아믹산 전구체 제조단계를 거치지 않고, 직접 폴리이미드 수지를 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method of manufacturing a polyimide resin according to claim 1, wherein the polyimide resin is directly prepared without passing through the polyamic acid precursor manufacturing step.
제 1항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는 비점 60~100℃인 촉매 존재 하에서 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method for producing a polyimide resin according to claim 1, wherein the polyimide resin is produced in the presence of a catalyst having a boiling point of 60 to 100 ° C.
제 5항에 있어서, 상기 촉매는 N,N-디에틸메틸아민, N,N-디메틸이소프로필아민, N-메틸피롤리딘(N-Methylpyrrolidine), 피롤리딘(pyrrolidine), 및 트리에틸아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
6. The method of claim 5, The catalyst is selected from the group consisting of N, N-diethylmethylamine, N, N-dimethylisopropylamine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidine, and triethylamine. It is characterized by one or more Manufacturing method.
제 5항에 있어서, 상기 촉매는 폴리이미드 수지의 출발 원료인 디아민과 디언하이드라이드 100중량부에 대하여 0.5 ~ 30 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
6. The method of claim 5, The catalyst is characterized in that it comprises 0.5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of diamine and dianhydride which are starting materials of the polyimide resin. Manufacturing method.
제 1항에 있어서, 상기 중합은 120 ~ 200℃의 온도에서 수행되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the polymerization comprises the step of performing at a temperature of 120 ~ 200 ℃. 제 1항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는
Figure pat00003
및 3,5-디아미노벤조산으로부터 유래되는 2가의 유기기 등 페놀성 수산기, 카르복실기 또는 수산기를 포함하는 2가의 유기기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 디아민; 1,6-헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄, 1,2-비스-(2-아미노에톡시)에탄, 비스(3-아미노프로필)에테르, 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 지방족 디아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 디아민을 출발 원료로 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method of claim 1, The polyimide resin
Figure pat00003
And at least one aromatic diamine selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group or a divalent organic group including a hydroxyl group, such as a divalent organic group derived from 3,5-diaminobenzoic acid; p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 4,4 '-Diaminodiphenylether, 3,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2 , 6-dimethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'- Methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine, m-tolidine, 3, 3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4 -(3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, and 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane At least one aromatic diamine selected from the group consisting of; 1,6-hexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 4,4 '-Diaminodicyclohexylmethane, and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane, 1, 2-bis- (2-aminoethoxy) ethane, bis (3-aminopropyl) ether, 1,4-bis (3-aminopropyl) piperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2, At least one diamine selected from the group consisting of at least one aliphatic diamine selected from the group consisting of 4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane Is used as a starting material.
제 1항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트 라카르복실산 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 비시클로[2.2.2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물 및 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 산무수물 및 그 유도체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 디언하이드라이드를 출발원료로 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조 방법.
The method of claim 1, The polyimide resin Pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 ' -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropylidene dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 '-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 1,2 , 3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetramethyl-1, 2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracar Dissolved dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclo Hexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2.2.2] octo-7-ene-2,3,5,6 1 selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofuranthracarboxylic dianhydride and 3,5,6-tricarboxy-2-norbornane acetic dianhydride At least one dianhydride selected from the group consisting of at least one acid anhydride and derivatives thereof is used as a starting material. Method for producing a polyimide resin.
제 1항의 방법으로 제조된 폴리이미드 수지.
A polyimide resin prepared by the method of claim 1.
제 11항에 있어서, 상기 폴리이미드의 유리전이온도는 150~400℃인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지.
The polyimide resin according to claim 11, wherein the polyimide has a glass transition temperature of 150 to 400 ° C.
제 11항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 1,000 ~ 100,000 인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지.
12. The polyimide resin according to claim 11, wherein the polyimide resin has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000.
제 11항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지 내의 잔류 촉매량이 폴리이미드 수지 총 중량 중 0.001 ~ 0.1 중량%인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지.
12. The polyimide resin according to claim 11, wherein the residual catalyst amount in the polyimide resin is 0.001 to 0.1 wt% of the total weight of the polyimide resin.
제 1항의 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 저온 경화가 가능한 감광성 수지 조성물.
A photosensitive resin composition capable of low temperature curing comprising a polyimide resin prepared by the method of claim 1.
제 15항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 150~250℃에서 경화 가능한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 15, wherein the photosensitive resin composition is curable at 150 to 250 ° C.
제 15항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 경화 후 감광성 수지 조성물 내에 잔류 용매가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 15, wherein the photosensitive resin composition does not have a residual solvent in the photosensitive resin composition after curing.
제 15항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 경화 후 감광성 수지 조성물 내에 잔류 용매량이 0.05 중량% 미만인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 15, wherein the amount of the solvent remaining in the photosensitive resin composition after curing is less than 0.05% by weight.
제 15항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광막은 예비 소성(pre-bake) 후, EBR 용제(edge bead removal solvent)에 의해 제거될 수 있는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 15, wherein the photosensitive film using the photosensitive resin composition can be removed by an EBR solvent (edge bead removal solvent) after pre-bake.
제 15항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 드레인 혼용시, 침전 발생 없이 용해되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 15, wherein the photosensitive resin composition is dissolved without mixing when the drain is mixed.
제 1항의 방법으로 제조된 폴리이미드 수지를 포함하는 프린트용 잉크 조성물.
A printing ink composition comprising a polyimide resin prepared by the method of claim 1.
제15항에 따른 감광성 수지 조성물을 포함하여 제조되는 OLED, LCD 또는 반도체 절연막.An OLED, LCD or semiconductor insulating film prepared by comprising the photosensitive resin composition according to claim 15. 제21항에 따른 프린팅용 잉크 조성물을 포함하여 제조되는 OLED, LCD 또는 반도체 절연막.An OLED, LCD or semiconductor insulating film prepared by including the printing ink composition according to claim 21.
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