KR20080069553A - Curable composition for optical nanoimprint lithography and pattern formation method using the same - Google Patents
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Abstract
신규인 광경화성이 우수한 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 제공한다. 중합성 불포화 단량체 35~99질량%, 광중합 개시제 0.1~15질량%, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성제 중 적어도 1종 0.001~5질량%, 무기 산화물 미립자를 0.1~50질량%을 포함하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물.It provides a novel curable composition for photo nanoimprint lithography excellent in photocurability. 0.00-50 mass% of at least 1 sort (s) of 35-99 mass% of polymerizable unsaturated monomers, 0.1-15 mass% of photoinitiators, a fluorine-type surfactant, a silicone type surfactant, and a fluorine-type silicone surfactant, and 0.1-50 mass% of inorganic oxide fine particles. Curable composition for optical nanoimprint lithography comprising a.
Description
본 발명은 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition for photo nanoimprint lithography and a pattern forming method using the same.
나노 임프린트법은 광 디스크 제작에서는 잘 알려져 있는 엠보스 기술을 발전시켜, 요철의 패턴을 형성한 금형원기(일반적으로 몰드, 스탬퍼, 템플레이트라고 불림)를, 레지스트에 프레스하여 역학적으로 변형시켜서 미세 패턴을 정밀하게 전사하는 기술이다. 몰드를 한번 제작하면, 나노 구조가 간단히 반복하여 성형될 수 있으므로 경제적임과 아울러, 유해한 폐기·배출물이 적은 나노 가공 기술이므로, 최근, 다양한 분야로의 응용이 기대되고 있다.The nanoimprint method develops an embossing technique that is well known in optical disc fabrication, and presses a mold original (commonly called a mold, a stamper, or a template) in which a pattern of irregularities is formed, and mechanically deforms the micro pattern by pressing it with a resist. It is the technique to transfer precisely. Once a mold is produced, since the nanostructure can be simply and repeatedly formed, it is economical and nano-processing technology with less harmful wastes and discharges. Therefore, application to various fields is expected in recent years.
나노 임프린트법에는 피가공 재료로서 열가소성 수지를 사용할 경우(S.Chou et al.: Appl. Phys. Lett. Vol. 67, 3114(1995))와 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 사용할 경우(M.Colbun et al.: Proc. SPIE, Vol. 3676, 379(1999))의 2가지가 제안되어 있다. 열식 나노 임프린트의 경우, 유리 전이 온도 이상으로 가열한 고분자 수지에 몰드를 프레스하고, 냉각 후에 몰드를 박리하는 것으로 미세 구조를 기판상의 수지에 전사하는 것이다. 다양한 수지 재료나 유리 재료에도 응용 가능하기 때문에, 여러가지 방면으로의 응용이 기대되고 있다. 미국 특허 제5, 772, 905호 공보, 미국 특허 제5, 956, 216호 공보에는 열가소성 수지를 사용하고, 나노 패턴을 저렴하게 형성하는 나노 임프린트의 방법이 개시되어 있다. The nanoimprint method uses a thermoplastic resin as a work material (S. Chou et al .: Appl. Phys. Lett. Vol. 67, 3114 (1995)) and a curable composition for photo nanoimprint lithography (M. Colbun et al .: Proc. SPIE, Vol. 3676, 379 (1999)). In the case of thermal nanoimprint, the microstructure is transferred to the resin on the substrate by pressing the mold onto the polymer resin heated to the glass transition temperature or higher, and peeling the mold after cooling. Since it is applicable to various resin materials and glass materials, application to various aspects is expected. US Patent Nos. 5,772, 905 and 5,956, 216 disclose methods of nanoimprint using thermoplastic resins to form nanopatterns at low cost.
한편, 투명 몰드를 통해서 광을 조사하고, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 광경화시키는 광 나노 임프린트 방식에서는, 실온에서의 임프린트가 가능하게 된다. 최근에서는, 이 양자의 장점을 조합시킨 나노 캐스팅법이나 3차원 적층 구조를 제작하는 리버설 임프린트 방법 등의 새로운 전개도 보고되고 있다. 이러한 나노 임프린트법에 있어서는, 이하와 같은 응용이 고려되고 있다. 첫번째로는 성형한 형상, 그것이 기능을 가지고, 여러가지 나노 테크놀로지의 요소부품 또는 구조부재로서 응용할 수 있는 경우로, 각종의 마이크로·나노 광학요소나 고밀도의 기록 매체, 광학 필름, 플랫 패널 디스플레이에 있어서의 구조부재 등이 열거된다. 두번째는 마이크로 구조와 나노 구조의 동시 일체 성형이나, 간단한 층간 위치 조합에 의해 적층 구조를 구축하고, μ-TAS나 바이오칩의 제작에 응용하고자 하는 것이다. 세번째는 고정밀도한 위치 맞춤과 고집적화에 의해, 종래의 리소그래피를 대신해서 고밀도 반도체 집적 회로의 제작이나, 액정 디스플레이의 트랜지스터의 작성 등에 적용하고자 하는 것이다. 최근, 이들 응용에 관한 나노 임프린트법의 실용화로의 대처가 활발해지고 있다. On the other hand, in the optical nanoimprint system which irradiates light through a transparent mold and photocures the curable composition for optical nanoimprint lithography, imprint at room temperature becomes possible. In recent years, new developments such as a nanocasting method combining these advantages and a reversal imprint method for producing a three-dimensional laminated structure have also been reported. In such a nanoimprint method, the following applications are considered. Firstly, the molded shape, which has a function, and can be applied as an element part or structural member of various nanotechnology, is used in various micro-nano optical elements, high-density recording media, optical films, and flat panel displays. Structural members and the like. The second is to build a laminated structure by simultaneous integral molding of micro structure and nano structure or simple interlayer position combination, and to apply it to the production of μ-TAS or biochip. Third, it is intended to be applied to the fabrication of high-density semiconductor integrated circuits, the fabrication of transistors in liquid crystal displays, or the like instead of conventional lithography, by high-precision positioning and high integration. In recent years, the countermeasure to the practical use of the nanoimprint method regarding these applications is becoming active.
나노 임프린트법의 적용예로서, 우선, 고밀도 반도체 집적회로 작성으로의 응용예를 설명한다. 최근, 반도체 집적 회로는 미세화, 집적화가 진행되고 있고, 그 미세가공을 실현하기 위한 패턴 전사 기술로서 포토리소그래피 장치의 고정밀도화가 진행되어 왔다. 그러나, 가공 방법이 광노광의 광원의 파장에 가깝고, 리소그래피 기술도 한계에 이르고 있었다. 그 때문에, 새로운 미세화, 고정밀도화를 진행하기 위해, 리소그래피기술을 대신하고, 하전 입자선 장치의 일종인 전자선 묘화 장치가 사용할 수 있게 되었다. 전자선을 사용한 패턴 형성은 i선, 엑시머 레이저 등의 광원을 사용한 패턴 형성에 있어서의 일괄 노광 방법과는 다르고, 마스크 패턴을 묘화하여 가는 방법을 취하므로, 묘화하는 패턴이 많으면 많은 만큼 노광(묘화)시간이 걸리고, 패턴 형성에 시간이 걸리는 것이 결점으로 되어 있다. 그 때문에, 256메가, 1기가, 4기가로 집적도가 비약적으로 높아짐에 따라, 그 부분 패턴 형성 시간도 비약적으로 길어지게 되고, 스루풋이 현저하게 뒤떨어지는 것이 염려된다. 따라서, 전자빔 묘화 장치의 고속화를 위하여, 각종 형상의 마스크를 조합시켜 그들에 일괄하여 전자빔을 조사해서 복잡한 형상의 전자빔을 형성하는 일괄 도형 조사법의 개발이 진행되고 있다. 그러나, 패턴의 미세화가 진행되는 한편, 전자선 묘화 장치를 대형화하지 않을 수 없는 것 이외에, 마스크 위치를 보다 고정밀도로 제어하는 기구가 필요하게 되는 등, 장치 가격이 높아진다고 하는 결점이 발생되었다. As an application example of the nanoimprint method, first, an application example to the production of a high density semiconductor integrated circuit will be described. In recent years, semiconductor integrated circuits have progressed in miniaturization and integration, and high precision of photolithography apparatuses has been advanced as a pattern transfer technique for realizing the microfabrication. However, the processing method is close to the wavelength of the light source of photoexposure, and lithography has also reached its limit. Therefore, in order to advance new miniaturization and high precision, the electron beam drawing apparatus which is a kind of charged particle beam apparatus can be used instead of the lithography technique. Pattern formation using an electron beam is different from the batch exposure method in pattern formation using a light source such as i-rays or excimer lasers, and a method of drawing a mask pattern is taken. It takes time and takes time for pattern formation to become a drawback. Therefore, as the integration degree is dramatically increased to 256 megabytes, one gigabyte, and four gigabytes, the partial pattern formation time also becomes remarkably long, resulting in remarkably inferior throughput. Therefore, in order to speed up the electron beam drawing apparatus, development of the batch figure irradiation method which combines the mask of various shapes, irradiates an electron beam collectively to them, and forms the electron beam of a complicated shape is advanced. However, while miniaturization of the pattern has progressed, besides the necessity of increasing the size of the electron beam drawing device, a disadvantage arises in that the device price is high, such as a mechanism for more precisely controlling the mask position.
이것에 대하여, 미세한 패턴 형성을 저비용으로 행하기 위한 기술로서 제안된 나노 임프린트 리소그래피가 제안되었다. 예를 들면, 미국 특허 제5, 772, 905호 공보, 미국 특허 제5, 259, 926호 공보에는 실리콘 웨이퍼를 스탬퍼로서 사용하 고, 25나노미터 이하의 미세구조를 전사에 의해 형성하는 나노 임프린트 기술이 개시되어 있다. On the other hand, proposed nanoimprint lithography has been proposed as a technique for performing fine pattern formation at low cost. For example, U.S. Patent Nos. 5,772,905 and U.S. Patents 5,259,926 use a silicon wafer as a stamper, and a nanoimprint that forms a microstructure of 25 nanometers or less by transfer. Techniques are disclosed.
또한, 일본특허공표 2005-527110호 공보에는, 반도체 마이크로리소그래피 분야에 적용되는 나노 임프린트를 사용한 복합 조성물이 개시되어 있다. 한편, 미세 몰드 제작 기술이나 몰드의 내구성, 몰드의 제작 비용, 몰드의 수지로부터의 박리성, 임프린트 균일성이나 얼라이먼트 정밀도, 검사 기술 등 반도체 집적 회로 제작에 나노 임프린트 리소그래피를 적용하기 위한 검토가 활발화하기 시작하였다. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-527110 discloses a composite composition using nanoimprint applied to the field of semiconductor microlithography. On the other hand, studies to apply nanoimprint lithography to semiconductor integrated circuit fabrication such as fine mold fabrication technology, mold durability, mold fabrication cost, mold release from resin, imprint uniformity and alignment accuracy, and inspection technology are being actively promoted. Started to.
다음에, 액정 디스플레이(LCD)나 플라즈마 디스플레이(PDP) 등의 플랫 디스플레이로의 나노 임프린트 리소그래피의 응용예에 대해서 설명한다.Next, application examples of nanoimprint lithography to flat displays such as liquid crystal displays (LCDs) and plasma displays (PDPs) will be described.
LCD나 PDP기판 대형화나 고세밀화의 동향에 따라서, 박막 트랜지스터(TFT)나 전극판의 제조시에 사용하는 종래의 포토리소그래피법을 대신하는 저렴한 리소그래피로서 광나노 임프린트 리소그래피가 최근 주목받고 있다. 그 때문에, 종래의 포토리소그래피법으로 사용되는 에칭 포토레지스트를 대신하는 광경화성 레지스트의 개발이 필요하게 되고 있다.BACKGROUND ART In accordance with the trend of large-sized and high-definition LCDs and PDP substrates, photo-nanoimprint lithography has recently attracted attention as an inexpensive lithography instead of the conventional photolithography method used in the manufacture of thin film transistors (TFTs) and electrode plates. Therefore, the development of the photocurable resist which replaces the etching photoresist used by the conventional photolithographic method is required.
또한, LCD 등의 구조부재로서, 일본특허공개 2005-197699호 공보, 일본특허공개 2005-301289호 공보에 기재되는 투명 보호막 재료, 또는 일본특허공개 2005-301289호 공보에 기재되는 스페이서 등에 대한 광 나노 임프린트 리소그래피의 응용도 검토되기 시작하고 있다. 이러한 구조부재용의 레지스트는 상기 에칭 레지스트와는 다르고, 최종적으로 디스플레이내에 잔존하므로 영구 레지스트 또는 영구막이라고 한다.Moreover, as a structural member of LCD, etc., it is an optical nano to the transparent protective film material of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-197699, 2005-301289, or the spacer of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-301289, etc. Imprint lithography applications are also being considered. The resist for such a structural member is different from the above etching resist and is finally referred to as a permanent resist or a permanent film because it remains in the display.
종래의 포토리소그래피를 적용한 영구막에 대해서 설명한다. 영구막은 상기 에칭 레지스트와 다르고, 그대로 반도체 소자, 기록 매체나 플랫 디스플레이 패널 등에 잔존되는 요소이다. 예를 들면, 액정 패널에 사용되는 컬러 필터용 투명 보호막 재료로서는, 종래, 실록산 폴리머, 실리콘폴리이미드, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등의 광경화성 수지나 열경화성 수지를 사용한 프로세스로 투명 보호막을 형성하고 있었다(일본특허공개 2000-39713호 공보, 일본특허공개 평 6-43643호 공보). 포토리소그래피에 의한 보호막의 형성에 있어서는 도포막의 균일성, 기판밀착성, 적어도 200℃를 초과하는 가열 처리 후의 높은 광투과성, 평탄화 특성, 내용제성, 내촬상성 등의 특성도 요구된다.A permanent film to which conventional photolithography is applied will be described. The permanent film is different from the etching resist and is an element remaining in a semiconductor element, a recording medium, a flat display panel, or the like as it is. For example, as a transparent protective film material for color filters used for a liquid crystal panel, the transparent protective film was conventionally formed by the process using photocurable resins and thermosetting resins, such as a siloxane polymer, a silicone polyimide, an epoxy resin, and an acrylic resin ( Japanese Patent Laid-Open No. 2000-39713, Japanese Patent Laid-Open No. 6-43643). In forming the protective film by photolithography, properties such as uniformity of the coating film, substrate adhesion, high light transmittance after heat treatment exceeding at least 200 ° C, planarization properties, solvent resistance, and imaging resistance are also required.
액정 디스플레이에 있어서의 셀 갭을 규정하는 스페이서도 영구막의 일종이고, 종래의 포토리소그래피에 있어서는 수지, 광중합성 모노머 및 개시제로 이루어지는 광경화성 조성물이 일반적으로 널리 사용되고 있었다(일본특허공개 2004-240241호 공보). 스페이서에는 외부압력에 대한 높은 기계적 특성, 경도, 현상성, 패턴 정밀도, 밀착성 등의 성능이 요구된다.A spacer defining a cell gap in a liquid crystal display is also a kind of permanent film. In conventional photolithography, a photocurable composition composed of a resin, a photopolymerizable monomer and an initiator has been widely used (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-240241). ). Spacers require high mechanical properties, hardness, developability, pattern accuracy, and adhesion to external pressure.
그러나, 지금까지 나노 임프린트법에서 사용하는 투명 보호막, 또는 스페이서 형성을 위한 광경화성 조성물의 바람직한 조성물은 일체 개시되어 있지 않았다. However, until now, the preferred composition of the transparent protective film or photocurable composition for spacer formation used by the nanoimprint method was not disclosed at all.
또한, 도막 균일성에 관해서는 기판의 대형화로 기판의 중앙부와 주변부에 관한 도포막 두께 균일성이나 고해상도화에 의한 치수균일성, 막두께, 형상 등 다양한 부분으로 요구가 엄격해지고 있다. 종래, 소형 유리 기판을 사용한 액정표시소자 제조 분야에 있어서는, 레지스트 도포 방법으로서 중앙 적하 후 스핀하는 방 법이 이용되고 있었다(Electronic Journal 121-123 No.8(2002)). 중앙 적하 후 스핀하는 도포법에서는, 양호한 도포 균일성이 얻어지지만, 예를 들면, 사방 1m 유리의 대형 기판의 경우는, 회전 시(스핀 시)에 떨어져 폐기되는 레지스트량이 상당히 많아지고, 또 고속 회전에 의한 기판의 균열이나, 택트 타임의 확보의 문제가 발생한다. 또한 중앙 적하 후 스핀하는 방법에 있어서의 도포 성능은 스핀 시의 회전속도와 레지스트의 도포량에 의존하므로, 대형화되는 제 5 세대 기판에 더 적용하고자 하면, 필요한 가속도가 얻어지는 범용 모터가 없고, 그러한 모터를 특별 주문하면 부품 비용이 증대한다는 문제가 있었다. 또한, 기판 사이즈나 장치 사이즈가 대형화되어도, 예를 들면, 도포 균일성 ±3%, 택트 타임 60~70초/매 등, 도포 공정에 있어서의 요구 성능은 거의 변하지 않으므로, 중앙 적하 후 스핀하는 방법에서는, 도포 균일성 이외의 요구에 대응하는 것이 어렵게 되어 왔다. 이러한 현상으로부터, 제 4 세대 기판 이후, 특히 제 5 세대 기판 이후의 대형기판에 적용 가능한 새로운 레지스트 도포 방법으로서, 토출 노즐식에 의한 레지스트 도포법이 제안되었다. 토출 노즐식에 의한 레지스트 도포법은 토출 노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판의 도포면 전체면에 포토레지스트 조성물을 도포하는 방법으로, 예를 들면, 복수의 노즐 구멍이 열상으로 배열된 토출구나 슬릿상의 토출구를 갖고, 포토레지스트 조성물을 띠상태로 토출할 수 있는 토출 노즐을 사용하는 방법 등이 제안되어 있다. 또한, 토출 노즐식으로 기판의 도포면 전체면에 포토레지스트 조성물을 도포한 후, 상기 기판을 스핀시켜서 막두께를 조정하는 방법도 제안되어 있다. 따라서, 종래의 포토리소그래피에 의한 레지스트를 나노 임프린트 조성물로 대신하 고, 이들 액정표시소자 제조분야에 적용하기 위해서는, 기판으로의 도포 균일성이 중요하게 된다.In addition, the coating film uniformity has been increasingly demanded in various parts such as the uniformity of the coating film thickness for the center portion and the periphery of the substrate and the dimensional uniformity, the film thickness, and the shape due to the high resolution. Conventionally, in the field of manufacturing a liquid crystal display device using a small glass substrate, a method of spin after center dropping has been used as a resist coating method (Electronic Journal 121-123 No. 8 (2002)). In the coating method which spins after center dropping, favorable coating uniformity is obtained, but, for example, in the case of a large substrate of 1 m square glass, the amount of resist dropped and discarded during rotation (spinning) is considerably increased and high-speed rotation is performed. This causes problems such as cracking of the substrate and securing of tact time. In addition, since the coating performance in the method of spin after central dropping depends on the rotational speed at the time of spin and the coating amount of the resist, there is no general-purpose motor which can obtain the required acceleration when it is further applied to the fifth generation substrate to be enlarged. There was a problem that a special order increased the parts cost. In addition, even if the substrate size and the device size are enlarged, the required performance in the coating process hardly changes, for example, coating uniformity ± 3% and tact time 60 to 70 seconds / sheet. In this case, it has become difficult to meet the requirements other than the coating uniformity. From this phenomenon, a resist coating method by a discharge nozzle type has been proposed as a new resist coating method that can be applied to a large substrate after the fourth generation substrate, in particular after the fifth generation substrate. The resist coating method by the discharge nozzle method is a method of applying the photoresist composition to the entire application surface of the substrate by moving the discharge nozzle and the substrate relatively, for example, in the form of a discharge or slit in which a plurality of nozzle holes are arranged in a column. A method of using a discharge nozzle having a discharge port and capable of discharging the photoresist composition in a band state has been proposed. Moreover, after apply | coating a photoresist composition to the whole surface of the application | coating surface of a board | substrate by a discharge nozzle type, the method of adjusting the film thickness by spinning the said board | substrate is also proposed. Therefore, in order to replace the conventional photolithography resist with a nanoimprint composition and apply it to these liquid crystal display device manufacturing fields, the uniformity of coating on a substrate becomes important.
반도체 집적 회로 제작이나 액정 디스플레이 제작에 사용되는 포지티브형 포토레지스트나 컬러 필터 제작용 안료 분산 포토레지스트 등에서는 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제를 첨가하고, 도포성, 구체적으로는, 기판 상 도포시에 일어나는 스트라이에이션(striation)이나 비늘상의 모양(레지스트막의 건조 얼룩) 등의 도포 불량의 문제를 해결하는 것은 공지이다(일본특허공개 평7-230165호 공보, 일본특허공개 2000-181055호 공보, 일본특허공개 2004-94241호 공보). 또한, 컴팩트 디스크, 광자기 디스크 등의 보호막의 마모성이나 도포성을 개량하기 위해서, 무용제계 광경화성 조성물에 불소계 계면활성제나 실리콘계 계면활성제를 첨가하는 것이 개시되어 있다(일본특허공개 2004-94241호 공보, 일본특허공개 평4-149280호 공보, 일본특허공개 평7-62043호 공보, 일본특허공개 2001-93192호 공보). 동일하게, 일본특허공개 2005-8759호 공보에는 잉크젯용 조성물의 잉크 토출 안정성을 개량하기 위해서, 비이온계의 불소계 계면활성제를 첨가하는 것이 알려져 있다. 또한, 일본특허공개 2003-165930호 공보에는 솔, 붓, 바 코터 등으로 두꺼운 막 도포한 페인팅 조성물을 홀로그램 가공용 몰드로 엠보스 가공할 시에, 중합성 불포화 이중 결합 함유 계면활성제를 1%이상, 바람직하게는 3%이상 첨가하고, 경화막의 수팽윤성을 개량하는 예가 개시되어 있다. 이와 같이, 포지티브형 포토레지스트, 컬러 필터 제작용 안료 분산 포토레지스트나 광자기 디스크 등의 보호막에 계면활성제를 첨가하고, 도포성을 개량하는 기술은 공지의 기술이다. 또한, 상기 잉크젯이나 페 인팅 조성물의 예로 나타내는 바와 같이, 무용제계 광경화성 수지에 계면활성제를 첨가하고, 각각의 용도에서의 특성 개량 때문에, 계면활성제를 첨가하는 기술도 공지이다. 일본특허공개 2007-84625호 공보에는 반도체 집적회로 작성용으로 광 나노 임프린트법을 사용하는 에칭 레지스트로서, 불소계 계면활성제를 포함하는 광경화성 수지를 사용하는 예가 개시되어 있다.In positive type photoresists used in semiconductor integrated circuit fabrication or liquid crystal display fabrication, pigment dispersion photoresist for color filter fabrication, and the like, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are added and coating properties, specifically, occur at the time of application on a substrate. It is well known to solve problems of coating defects such as striation and scaly patterns (dry stains on resist films) (Japanese Patent Laid-Open No. 7-230165, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-181055, and Japanese Patent Laid-Open). 2004-94241). Moreover, in order to improve the abrasion property and applicability | paintability of protective films, such as a compact disc and a magneto-optical disc, adding fluorine type surfactant and a silicone type surfactant to a solvent-free photocurable composition is disclosed (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-94241). , Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 4-149280, Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 7-62043, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-93192). Similarly, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-8759 discloses adding a nonionic fluorine-based surfactant in order to improve ink discharge stability of an inkjet composition. Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-165930 discloses that when embossing a painting composition coated with a thick film with a brush, brush, bar coater or the like into a mold for hologram processing, at least 1% of a polymerizable unsaturated double bond-containing surfactant, The example which adds 3% or more preferably and improves the water swellability of a cured film is disclosed. Thus, the technique which adds surfactant to protective films, such as positive type photoresist, pigment dispersion photoresist for color filter manufacture, and a magneto-optical disk, and improves applicability | paintability is a well-known technique. Moreover, as shown to the said inkjet or painting composition, the technique of adding surfactant to a solvent-free photocurable resin and adding a surfactant for the improvement of the characteristic in each use is also known. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-84625 discloses an example of using a photocurable resin containing a fluorine-based surfactant as an etching resist using the photo nanoimprint method for preparing a semiconductor integrated circuit.
그러나, 영구막에 사용하는 안료, 염료, 유기 용제를 필수성분으로 하지 않는 광경화성 나노 임프린트 레지스트 조성물의 기판 도포성을 향상시키기 위한 방법은 지금까지 알려져 있지 않았다.However, the method for improving the substrate coating property of the photocurable nanoimprint resist composition which does not contain the pigment, dye, and organic solvent which are used for a permanent film as an essential component is not known until now.
또한, 광 나노 임프린트에서는 몰드 오목부의 캐비티내로의 조성물의 유동성을 양호하게 할 필요가 있고, 또한, 몰드의 박리성을 양호하게 하여, 몰드와 레지스트간의 박리성을 양호하게 하고, 레지스트와 기판간의 밀착성을 양호하게 할 필요가 있다. 이 유동성, 박리성, 밀착성을 양립화하는 것은 곤란하였다.In addition, in the photo nanoimprint, it is necessary to improve the fluidity of the composition into the cavity of the mold recess, and also to improve the peelability of the mold, to improve the peelability between the mold and the resist, and the adhesion between the resist and the substrate. It is necessary to make it good. It was difficult to make this fluidity | liquidity, peelability, and adhesiveness compatible.
본 발명의 적용 범위인 광 나노 임프린트에 관한 종래 기술에 대해서 더욱 자세하게 설명한다. 광 나노 임프린트 리소그래피는, 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리, 필름이나 다른 재료, 예를 들면 세라믹 재료, 금속 또는 폴리머 등의 기판 상에 액상의 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 적하하고, 약 수십 nm~수 ㎛의 막두께로 도포하고, 약 수십 nm~수십 ㎛의 패턴 사이즈의 미세한 요철을 갖는 몰드를 누르면서 가압하고, 가압한 상태로 광조사하여 조성물을 경화시킨 후, 도포막으로부터 몰드를 박리하고, 전사된 패턴을 얻는 방법이 일반적이다. 그 때문에, 광 나노 임프린트 리소그래피의 경우, 광 조사를 행하는 경우, 기판 또는 몰드의 적어도 한 쪽이 투명할 필요가 있다. 보통은 몰드측으로부터 광조사할 경우가 일반적이고, 몰드 재료에는 석영, 사파이어 등의 UV광을 투과하는 무기 재료나 광투과성의 수지 등이 많이 사용된다.The prior art regarding the photo nanoimprint which is the application range of this invention is demonstrated in more detail. In photo nanoimprint lithography, a liquid curable composition for photo nanoimprint lithography is added dropwise onto a substrate such as a silicon wafer, quartz, glass, film, or other material, for example, a ceramic material, a metal, or a polymer. After coating with a film thickness of 탆, pressing while pressing a mold having a fine concavo-convex of a pattern size of about several tens of nm to several tens of 탆, and irradiating in a pressurized state to cure the composition, the mold is peeled off from the coating film and transferred It is common to get a printed pattern. Therefore, in the case of photo nanoimprint lithography, at least one of the substrate or the mold needs to be transparent when light is irradiated. Usually, when irradiated with light from the mold side, the inorganic material which permeate | transmits UV light, such as quartz and sapphire, light-transmitting resin etc. is used for a mold material.
광 나노 임프린트법은 열 나노 임프린트법에 대하여, (1)가열/냉각 프로세스가 불필요하고, 높은 스루풋이 예상된다, (2)액상 조성물을 사용하기 때문에 저가압으로의 임프린트가 가능하다, (3)열팽창에 의한 치수변화가 없다, (4)몰드가 투명해서 얼라인먼트가 용이하다, (5)경화 후, 완강한 삼차원 가교체가 얻어지는 등의 주된 우위점이 열거된다. 특히 얼라인먼트 정밀도가 요구되도록 반도체 미세 가공 용도나 플랫 패널 디스플레이 분야의 미세 가공 용도에는 적합하다. In the photo nanoimprint method, (1) the heating / cooling process is unnecessary and high throughput is expected with respect to the thermal nano imprint method. (2) Imprint at low pressure is possible because the liquid composition is used. (3) There are no dimensional changes due to thermal expansion, (4) the mold is transparent, alignment is easy, and (5) major advantages such as a rigid three-dimensional crosslinked product are obtained after curing. It is particularly suitable for semiconductor micromachining applications and micromachining applications in the field of flat panel displays so that alignment accuracy is required.
또한, 광 나노 임프린트법의 다른 특징으로서는, 통상의 광 리소그래피에 비교하여 해상도가 광원파장에 의존하지 않으므로, 나노 미터 오더의 미세 가공 시에도 스테퍼나 전자선 묘화 장치 등의 고가인 장치를 필요로 하지 않는 것이 특징이다. 한편으로, 광 나노 임프린트법은 등배 몰드를 필요로 하고, 몰드와 수지가 접촉하므로, 몰드의 내구성이나 비용에 대해서 염려되고 있다. As another feature of the optical nanoimprint method, since the resolution does not depend on the light source wavelength as compared with conventional optical lithography, an expensive device such as a stepper or an electron beam drawing device is not required even when the nanometer order is finely processed. Is characteristic. On the other hand, the photo-nanoimprint method requires an equal-fold mold, and the mold and the resin contact each other, which is concerned about the durability and cost of the mold.
이와 같이, 열식 및/또는 광 나노 임프린트법을 적용하고, 마이크로 미터, 또는 나노 미터 사이즈의 패턴을 대면적으로 임프린터하기 위해서는, 누르는 압력의 균일성이나 원반(몰드)의 평탄성이 요구될 뿐만 아니라, 상술의 몰드 오목부의 캐비티내로의 조성물의 유동성이나 가압하여 유출하는 조성물의 거동도 제어할 필요가 있다. As described above, in order to apply thermal and / or optical nanoimprinting methods and to imprint a micrometer or nanometer-sized pattern in a large area, not only the pressure uniformity and the flatness of the disk (mold) are required but also It is also necessary to control the fluidity of the composition into the cavity of the above-mentioned mold recessed part and the behavior of the composition which flows out by pressurization.
광 나노 임프린트 리소그래피로 사용되는 몰드는 여러가지 재료, 예를 들면 금속, 반도체, 세라믹, SOG(Spin On Glass) 또는 일정한 플라스틱 등으로부터 제조가능하다. 예를 들면, 국제공개 WO 99/22849호 팜플렛에 기재된 소망의 미세구조를 갖는 유연한 폴리디메틸실록산의 몰드가 제안되어 있다. 이 몰드의 일표면에 3차원의 구조체를 형성하기 위해서, 구조체의 사이즈 및 그 분해능에 대한 사양에 따라서 여러가지 리소그래피 방법이 사용가능하다. 전자 빔 및 X선의 리소그래피는 통상, 300nm미만의 구조체 치수에 사용된다. 다이렉트 레이저 노광 및 UV리소그래피는 보다 큰 구조체에 사용된다.Molds used in photo nanoimprint lithography can be manufactured from a variety of materials, such as metals, semiconductors, ceramics, spin on glass (SOG), or certain plastics. For example, a mold of a flexible polydimethylsiloxane having a desired microstructure described in pamphlet of WO 99/22849 has been proposed. In order to form a three-dimensional structure on one surface of the mold, various lithographic methods can be used depending on the size of the structure and the specification for its resolution. Lithography of electron beams and X-rays is commonly used for structural dimensions of less than 300 nm. Direct laser exposure and UV lithography are used for larger structures.
광 나노 임프린트법에 관해서는 몰드와 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 박리성이 중요하고, 몰드나 몰드의 표면처리, 구체적으로는, 수소화 실세스퀴옥산이나 불소화 에틸렌 프로필렌 공중합체 몰드를 사용해서 부착 문제를 해결하는 시도 등이 지금까지 이루어지고 있어다. Regarding the optical nanoimprint method, the peelability of the mold and the curable composition for optical nanoimprint lithography is important, and the surface treatment of the mold and the mold, specifically, is carried out using a hydrogenated silsesquioxane or a fluorinated ethylene propylene copolymer mold. Attempts to solve the problem have been made so far.
여기서, 광 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 광경화성 수지에 대해서 설명한다. 나노 임프린트에 적용되는 광경화성 수지는 반응 기구의 차이로부터 라디컬 중합 타입과 이온 중합 타입, 또는 그것들의 하이브리드 타입으로 크게 구별된다. 어느 쪽의 조성물도 임프린트 가능하지만, 재료의 선택 범위가 넓은 라디컬 중합형이 일반적으로 사용되고 있다(F.Xu et al.: SPIE Microlithography Conference, 5374, 232(2004)). 라디컬 중합형은 라디컬 중합가능한 비닐기나 (메타)아크릴기를 갖는 단량체(모노머) 또는 올리고머와 광중합 개시제를 포함한 조성물이 일반적으로 사용된다. 광조사하면, 광중합 개시제에 의해 발생한 라디컬이 비닐기를 공격하여 연쇄 중합이 진행되고, 폴리머를 형성한다. 2관능 이상의 다관능 기 모노머 또는 올리고머를 성분으로서 사용하면 가교 구조체가 얻어진다. D.J.Resnick et al.: J.Vac.Sci.Technol.B, Vol.21, No.6, 2624(2003)에는, 저점도의 UV경화 가능한 단량체를 사용함으로써, 저압, 실온에서 임프린팅이 가능한 조성물이 개시되어 있다. Here, the photocurable resin used for photo nanoimprint lithography is demonstrated. Photocurable resins applied to nanoimprints are largely classified into radical polymerization type, ion polymerization type, or hybrid type thereof from the difference in reaction mechanism. Either composition can be imprinted, but a radical polymerization type having a wide range of materials is generally used (F. Xu et al .: SPIE Microlithography Conference, 5374, 232 (2004)). In the radical polymerization type, a composition including a monomer (monomer) or oligomer having a radical polymerizable vinyl group or a (meth) acryl group and a photopolymerization initiator is generally used. When irradiated with light, radicals generated by the photopolymerization initiator attack the vinyl group, thereby causing chain polymerization to form a polymer. When a bifunctional or higher polyfunctional group monomer or oligomer is used as a component, a crosslinked structure is obtained. DJ Resnick et al .: J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 21, No. 6, 2624 (2003), a composition capable of imprinting at low pressure and room temperature by using a low viscosity UV curable monomer. Is disclosed.
광 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 재료의 특성에 대해서 자세하게 설명한다. 재료의 요구 특성은 적용하는 용도에 따라서 다르지만, 프로세스 특성에 관한 요망은 용도에 따르지 않고 공통점이 있다. 예를 들면, 최신 레지스트 재료 핸드북, P1, 103~104(2005년, 정보기구출판)에 나타나 있는 주된 요구 항목은, 도포성, 기판밀착성, 저점도(<5mPa·s), 박리성, 저경화 수축률, 속경화성 등이다. 특히, 저압 임프린트, 잔막율 저감의 필요한 용도로는, 저점도 재료의 요구가 강한 것이 알려져 있다. 한편, 용도별로 요구 특성을 들면, 예를 들면 광학부재에 대해서는, 굴절률, 광의 투과성 등, 에칭 레지스트에 대해서는 에칭 내성이나 잔막 두께 저감 등이 있다. 이들의 요구 특성을 어떻게 제어하고, 모든 특성의 밸런스를 취하느냐가 재료 디자인의 열쇠가 된다. 적어도 프로세스 재료와 영구막에서는 요구 특성이 크게 다르므로 재료는 프로세스나 용도에 따라서 개발할 필요가 있다. 이러한 광 나노 임프린트 리소그래피 용도에 적용하는 재료로서, 최신 레지스트 재료 핸드북, P1, 103~104(2005년, 정보기구출판)에서는, 약 60mPa·s(25℃)의 점도를 갖는 광경화성 재료가 개시되어 있고 공지이다. 동일하게, CMC 출판: 나노 임프린트의 개발과 응용 P159~160(2006)에서는, 모노메타크릴레이트를 주성분으로 하는 점도가 14.4mPa·s의 박리성을 향상시킨 불소 함유 감광성 수지가 개시되어 있다.The properties of the materials used for optical nanoimprint lithography are described in detail. Although the required properties of the material vary depending on the application to be applied, the demands on the process characteristics do not depend on the use but have something in common. For example, the main required items shown in the latest resist material handbook, P1, 103-104 (2005, Information Equipment Publication) are coating properties, substrate adhesion, low viscosity (<5 mPa · s), peelability, and low curing. Shrinkage, fast curing, and the like. In particular, as a necessary use for low pressure imprint and reduction of residual film ratio, it is known that the demand for low viscosity material is strong. On the other hand, the required characteristics for each application include, for example, refractive index, light transmittance, and the like for the optical member, and etching resistance and residual film thickness reduction for the etching resist. How to control these required properties and balance all the properties is key to material design. Since at least the required characteristics of the process material and the permanent film differ greatly, the material needs to be developed according to the process and the application. As a material to be applied to such an optical nanoimprint lithography application, in the latest resist material handbook, P1, 103-104 (2005), a photocurable material having a viscosity of about 60 mPa · s (25 ° C.) is disclosed. And is known. Similarly, CMC Publication: Development and Application of Nanoimprint P159-160 (2006) discloses a fluorine-containing photosensitive resin having a viscosity of 14.4 mPa · s as the main component of monomethacrylate as the main component.
이렇게 광 나노 임프린트로 사용되는 조성물에 관하고, 점도에 관한 요망의 기재는 있지만, 각 용도에 적합시키기 위한 재료의 설계 지침에 관한 보고예는, 지금까지 없었다. As mentioned above, although there is a description of the request regarding viscosity regarding the composition used for the photo nanoimprint, there have been no reports on the design guide of the material for each application.
지금까지 광 나노 임프린트 리소그래피에 적용된 광경화성 수지의 예를 설명한다. 일본특허공개 2004-59820호 공보, 일본특허공개 2004-59822호 공보에는, 릴리프형 홀로그램이나 회절 격자 제작을 위한 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 포함하는 광경화성 수지를 사용하고, 엠보스 가공하는 예가 개시되어 있다. 또한, 일본특허공개 2006-114882호 공보에는 폴리머, 광중합 개시제, 점도조정제를 포함하는 임프린트용 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물이 개시되어 있다. An example of a photocurable resin applied to photo nanoimprint lithography will now be described. Japanese Patent Laid-Open No. 2004-59820 and Japanese Patent Laid-Open No. 2004-59822 disclose examples of embossing using a photocurable resin containing a polymer having an isocyanate group for producing a relief hologram or a diffraction grating. . In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-114882 discloses a curable composition for photo nanoimprint lithography for imprint that includes a polymer, a photopolymerization initiator, and a viscosity modifier.
일본특허공개 2000-143924호 공보에는 몰드와의 박리성을 양호하게 하기 위해서, 불소 함유 경화성 재료를 사용한 패턴 형성 방법이 개시되어 있다. Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-143924 discloses a pattern forming method using a fluorine-containing curable material in order to improve peelability with a mold.
N.Sakai et al.: J.Photopolymer Sci.Technol.Vol.18, No.4, 531(2005)에는 (1)관능성 아크릴 모노머, (2)관능성 아크릴 모노머, (3)관능성 아크릴 모노머와 광중합 개시제를 조합시킨 광경화성 라디컬 중합성 조성물이나 광경화성 에폭시 화합물과 광산발생제를 포함하는 광 양이온 중합성 조성물 등을 나노 임프린트 리소그래피에 적용하고, 열적 안정성이나 몰드 박리성을 조사한 예가 개시되어 있다. N. Sakai et al .: J. Photopolymer Sci. Technol. Vol. 18, No. 4, 531 (2005) include (1) functional acrylic monomers, (2) functional acrylic monomers, and (3) functional acrylic monomers. A photocurable radical polymerizable composition comprising a photopolymerization initiator and a photopolymerization initiator, a photocationic polymerizable composition containing a photocurable epoxy compound and a photoacid generator, and the like are applied to nanoimprint lithography to investigate thermal stability and mold peelability. have.
M.Stewart et al.: MRS Buletin, Vol.30, No.12, 947(2005)에는 광경화성 수지와 몰드의 박리성, 경화 후의 막수축성, 산소 존재 하에서의 광중합 저해에 의한 저감도화 등의 문제를 개량하기 위한 연구로서 (1)관능 아크릴 모노머, (2)관능 아크릴 모노머, 실리콘 함유 1관능 아크릴 모노머 및 광중합 개시제를 포함하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물이 개시되어 있다. M. Stewart et al .: MRS Buletin, Vol. 30, No. 12, 947 (2005) discuss problems such as peelability of photocurable resins and molds, film shrinkage after curing, and reduction in sensitivity by inhibiting photopolymerization in the presence of oxygen. As a study for improvement, the curable composition for optical nanoimprint lithography containing (1) a functional acrylic monomer, (2) a functional acrylic monomer, a silicone containing monofunctional acrylic monomer, and a photoinitiator is disclosed.
T.Beiley et al.: J.Vac.Sci.Technol.B18(6), 3572(2000)에는, 1관능 아크릴 모노머와 실리콘 함유 1관능 모노머와 광중합 개시제를 포함하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 실리콘 기판 상에 형성하고, 표면처리된 몰드를 사용하여 광 나노 임프린트 리소그래피에서 몰드 후의 결함이 저감되는 것이 개시되어 있다. T.Beiley et al .: J.Vac.Sci.Technol.B18 (6), 3572 (2000), discloses a curable composition for photo nanoimprint lithography comprising a monofunctional acrylic monomer, a silicon-containing monofunctional monomer and a photopolymerization initiator. It is disclosed that defects after mold are reduced in photo nanoimprint lithography using a mold formed on a silicon substrate and surface-treated.
B.Vratzov et al.: J.Vac.Sci.Technol.B21(6), 2760(2003)에는 실리콘 모노머와 3관능 아크릴 모노머와 광중합 개시제를 포함하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 실리콘 기판 상에 형성하고, SiO2몰드에 의해, 고해상성, 도포의 균일성이 우수한 조성물이 개시되어 있다.B. Vratzov et al .: J. Vac. Sci. Technol. B21 (6), 2760 (2003) disclose a curable composition for photo nanoimprint lithography comprising a silicone monomer, a trifunctional acrylic monomer and a photopolymerization initiator on a silicon substrate. A composition excellent in high resolution and uniformity of coating is disclosed by a SiO 2 mold.
E.K.Kim et al.: J.Vac.Sci.Technol, B22(1), 131(2004)에는 특정한 비닐 에테르 화합물과 광산발생제를 조합시킨 양이온 중합성 조성물에 의해 50nm 패턴 사이즈를 형성한 예가 개시되어 있다. 점성이 낮고 경화 속도가 빠른 것이 특징이지만, 템플레이트 박리성이 과제라고 서술되어 있다. EKKim et al .: J. Vac. Sci. Technol, B22 (1), 131 (2004) disclose an example in which a 50 nm pattern size is formed by a cationically polymerizable composition combining a specific vinyl ether compound and a photoacid generator. have. Although it is a characteristic that viscosity is low and a hardening rate is fast, it is described that template peelability is a subject.
그러나, N.Sakai et al.: J.Photopolymer Sci.Technol.Vol.18, No.4, 531(2005), M.Stewart et al.: MRS Buletin, Vol.30, No.12, 947(2005), T.Beiley et al.: J.Vac.Sci.Technol.B18(6), 3572(2000), B.Vratzov et al.: J.Vac.Sci.Technol.B21(6), 2760(2003), E.K.Kim et al.: J.Vac.Sci.Technol, B22(1), 131(2004)에 나타낸 바와 같이, 관능기가 다른 아크릴 모노머, 아크릴계 폴리머, 비닐 에테르 화합물을 광 나노 임프린트 리소그래피에 적용한 광경화성 수지가 여러가지 개시되어 있지만, 조성물로서의 바람직한 종류, 최적인 모노머종, 모노머의 조합, 모노머 또는 레지스트의 최적인 점도, 바람직한 레지스트의 용액 물성, 레지스트의 도포성 개량 등의 재료의 설계에 관한 지침이 전혀 개시되어 있지 않다. 그 때문에, 광 나노 임프린트 리소그래피 용도에 조성물을 널리 적용하기 위한 바람직한 조성물이 알려져 있지 않고, 결단코 만족할 수 있는 광 나노 임프린트 레지스트 조성물은 지금까지 제안되지 것이 실상이다.However, N. Sakai et al .: J. Photopolymer Sci. Technol. Vol. 18, No. 4, 531 (2005), M. Stewart et al .: MRS Buletin, Vol. 30, No. 12, 947 (2005). ), T. Beiley et al .: J. Vac. Sci. Technol. B18 (6), 3572 (2000), B. Vratzov et al .: J. Vac. Sci. Technol. B21 (6), 2760 (2003) ), EKKim et al .: J. Vac. Sci. Technol, B22 (1), 131 (2004), a scene in which acrylic monomers, acrylic polymers and vinyl ether compounds having different functional groups are applied to photo nanoimprint lithography. Although various types of chemical conversion resins have been disclosed, there are guidelines for designing materials such as a preferred kind as a composition, an optimal monomer type, a combination of monomers, an optimum viscosity of a monomer or a resist, a preferable solution property of a resist, and improved coating properties of a resist. It is not disclosed at all. Therefore, a preferable composition for widely applying the composition to photo nanoimprint lithography applications is not known, and it is a fact that a photo nanoimprint resist composition which can never be satisfied is not proposed until now.
조성물이 기재되어 있는 B.Vratzov et al.: J.Vac.Sci.Technol.B21(6), 2760(2003), E.K.Kim et al.: J.Vac.Sci.Technol, B22(1), 131(2004)의 조성물에 있어서는 저점도의 것도 있지만, 모두 광경화하여 패턴을 형성하고, 계속해서 가열 처리되었을 경우의 경화막의 투과율이 낮고(착색한다), 또 경도도 불충분해서 영구막으로서 실용을 견디어내는 것이 아니다. 조성물은 알려져 있지 않다. Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F(2006), 과학과 공업, Vol.80, No.7, 322(2006)에는 광기능 가교재 물질로 처리한 실리카졸, (메타)아크릴 모노머, 광중합 개시제의 혼합물로 이루어지는 무기·유기 하이브리드 재료가 제안되고, 광 나노 임프린트 리소그래피로의 응용이 보고되어 있다. Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F(2006), 과학과 공업, Vol.80, No.7, 322(2006)에는 임프린트 재료의 200nm라인의 패턴 형성예나, 몰드 재료로서 600nm의 선폭까지 패터닝 가능한 것이 보고되어 있다. 그런데, 몰드와의 박리성이나 경화막의 경도가 충분하지 않은 등의 문제점이 있어, 반드시 만족할 수 있는 것은 아 니었다. B.Vratzov et al .: J.Vac.Sci.Technol. B21 (6), 2760 (2003), EKKim et al .: J.Vac.Sci.Technol, B22 (1), 131 Although some of the compositions of (2004) have a low viscosity, all of them are photocured to form a pattern, and the transmittance of the cured film in the case of being subsequently heat-treated is low (colored), and the hardness is also insufficient, thus enduring practical use as a permanent film. Not to pay The composition is unknown. Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F (2006), Science and Industry, Vol. 80, No.7, 322 (2006), silica sol treated with optically functional crosslinking material , An inorganic / organic hybrid material composed of a mixture of a (meth) acrylic monomer and a photopolymerization initiator has been proposed, and its application to optical nanoimprint lithography has been reported. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., Vol. 6151, No. Pt2, 61512F (2006), Science and Industry, Vol. 80, No. 7, No. 7, 322 (2006). It has been reported that as a mold material, it can be patterned to a line width of 600 nm. By the way, there existed a problem, such as peelability with a mold and hardness of a cured film, and was not necessarily satisfying.
또한, Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F(2006), 과학과 공업, Vol.80, No.7, 322(2006)의 조성물에 있어서도 저점도의 것도 있지만, 모두 광경화하여 패턴을 형성하고, 계속해서 가열 처리되었을 경우의 경화막의 투과율이 낮고(착색한다), 또 경도도 불충분하다. 특히, 영구막으로서 실용을 견디어내는 조성물은 알려져 있지 않다.In addition, the composition of Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., Vol. 6171, No. Pt2, 61512F (2006), Science and Industry, Vol. 80, No. 7, 322 (2006) also has a low viscosity. However, the light transmittance of the cured film in the case where all of them are photocured to form a pattern and subsequently heat treated is low (colored), and the hardness is also insufficient. In particular, the composition which endures practical use as a permanent film is not known.
또한, 일본특허공개 2000-143924호 공보에는, 표면처리된 콜로이드 실리카, 특정한 (메타)아크릴 모노머, 레벨링제, 광중합 개시제를 함유하는 하드 코트용 조성물이 개시되고, 막경도와 저경화 수축성을 양립시킨 광디스크로의 응용이 보고되어 있지만, 이들의 조성물로는 몰드와의 박리성이나 기판 도포성이 불충분하고, 광 나노 임프린트 리소그래피로의 응용이 곤란하였다. 또한, 광경화 후에 가열 처리했을 경우의 투과율이 낮고(착색한다), 영구막으로서 사용에 견디지 못한다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-143924 discloses a hard coat composition containing a surface-treated colloidal silica, a specific (meth) acrylic monomer, a leveling agent, and a photopolymerization initiator, in which both film hardness and low curing shrinkage are achieved. Although application to optical disks has been reported, these compositions have insufficient peelability with a mold and substrate coating properties, and application to optical nanoimprint lithography has been difficult. Moreover, the transmittance | permeability at the time of heat processing after photocuring is low (colored), and it cannot endure use as a permanent film.
이와 같이, 영구막으로서 실용을 견디어내고, 또한 광 나노 임프린트법을 적용할 수 있는 레지스트 조성물은 지금까지 제안되지 않고 있었던 것이 실상이다.Thus, the resist composition which can endure practical use as a permanent film and to which the photo nanoimprint method can be applied is the fact which has not been proposed until now.
영구막으로서의 주요기술 과제는 패턴 정밀도, 밀착성, 200℃를 초과하는 가열 처리후의 투명성, 높은 기계적 특성(외부 압력에 대한 강도), 내촬상성, 평탄화 특성, 내용제성, 가열 처리시의 아웃 가스 저감 등, 많은 과제가 있다. 광 나노 임프린트용 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 영구막으로서 적용할 경우에는, 종래의 아크릴 수지 등을 사용한 레지스트로와 동일하게, Major technical challenges as permanent films include pattern accuracy, adhesion, transparency after heat treatment above 200 ° C, high mechanical properties (strength to external pressure), imaging resistance, planarization properties, solvent resistance, and outgas reduction during heat treatment. There are many problems. When applying the curable composition for photo nano imprint lithography for a photo nanoimprint as a permanent film, it is the same as the resist which used the conventional acrylic resin etc.,
(1) 도포막의 균일성 (1) Uniformity of coating film
(2) 가열 처리 후의 투명성 (2) transparency after heat treatment
(3) 내촬상성(3) image resistance
의 부여가 중요하다.The grant of is important.
동시에, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물로서는 상기 (1)~(3)의 점에 더해서, 하기 (4), (5)의 관점을 고려할 필요가 있고, 조성물 설계의 기술적 난이도가 한층 높아진다.At the same time, in addition to the points (1) to (3) above, it is necessary to consider the following aspects (4) and (5) as the curable composition for photo nanoimprint lithography, and the technical difficulty of designing the composition is further increased.
(4) 몰드의 오목부로의 레지스트의 유동성을 확보하고, 무용제 또는 소량의 용제 사용하에서의 저점도화가 필요가 되는 것(4) It is necessary to secure the fluidity of the resist to the recess of the mold and to lower the viscosity under the use of a solvent-free or small amount of solvent.
(5) 광경화 후, 몰드와 용이하게 박리시켜, 몰드로의 부착이 발생하지 않는 것(5) After photocuring, the mold is easily peeled off so that adhesion to the mold does not occur.
나노 임프린트용의 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물에 대해서는, 각종 재료가 개시되어 있지만, 지금까지 잉크젯용 조성물이나 광자기 디스크용 보호막의 용도로 알려져 있는 조성물, 또는 에칭 레지스트로서 사용되는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물에 대해서는 영구막에 사용되는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물과 재료에 공통 부분은 있지만, 고온의 가열 처리, 기계적 강도한 관점 등에서 크게 다르고, 잉크젯, 광자기 디스크용 보호막, 에칭 레지스트 용도로 적용하는 광경화성 수지를 그대로 영구막용의 레지스트로서 적용하면, 투명성, 내용제성 등에 실용성을 견디어내는 것이 좀처럼 얻어지지 않는다.Although various materials are disclosed about the curable composition for optical nanoimprint lithography for nanoimprint, the composition known for the use of the composition for inkjets, the protective film for a magneto-optical disk, or the optical nanoimprint lithography used as an etching resist so far The curable composition has a part in common with the curable composition for optical nanoimprint lithography and materials used for permanent films, but differs greatly in terms of high temperature heat treatment, mechanical strength, and the like, and is applied to inkjet, protective films for magneto-optical disks, and etching resists. If the photocurable resin is applied as a resist for a permanent film as it is, hardly enduring practicality with transparency, solvent resistance, etc. is hardly obtained.
본 발명은 상기 실상을 감안하여 완수할 수 있었던 것이고, 신규인 광경화성이 우수한 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 광경화성, 밀착성, 박리성, 잔막성, 패턴 형상, 도포성 및 에칭 적성에 대해서 종합적으로 우수한 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 보호막, 스페이서 등의 영구막으로서 사용했을 때, 우수한 잔막성, 광투과성, 내촬상성 등의 기계특성, 내용제성을 갖는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been accomplished in view of the above-described fact, and an object thereof is to provide a curable composition for photo nanoimprint lithography excellent in novel photocurability. In particular, it aims at providing the composition comprehensively excellent in photocurability, adhesiveness, peelability, residual film property, pattern shape, applicability | paintability, and etching ability. Moreover, when used as a permanent film, such as a protective film and a spacer, it aims at providing the composition which has mechanical characteristics, solvent resistance, such as outstanding residual film property, light transmittance, and imaging resistance.
상기 과제로, 발명자가 예의 검토한 결과, 하기 수단에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.As a result of earnestly examining the inventors by the above problems, the inventors have found that the above problems can be solved by the following means.
(1) 중합성 불포화 단량체 35~99질량%, 광중합 개시제 0.1~15질량%, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성제 중 적어도 1종 을 0.001~5질량%, 무기 산화물 미립자를 0.1~50질량% 함유하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물.(1) 0.001-5 mass% and inorganic oxide fine particle of 35-99 mass% of polymerizable unsaturated monomers, 0.1-15 mass% of photoinitiators, at least 1 sort (s) of a fluorine-type surfactant, a silicone type surfactant, and a fluorine-type silicone surfactant. Curable composition for optical nanoimprint lithography containing -50 mass%.
(2) (1)에 기재된 조성물로서, 상기 중합성 불포화 단량체로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위와 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 적어도 1종을 갖는 부위를 함유하는 1관능 중합성 불포화 단량체를, 적어도 상기 조성물 중에 15질량%이상 함유하고, 또한, 상기 중합성 불포화 단량체를 48~99질량% 함유하는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물.(2) The composition as described in (1), wherein the polymerizable unsaturated monomer contains, as a polymerizable unsaturated monomer, a moiety containing a moiety having an ethylenically unsaturated bond in a molecule and a moiety having at least one of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom. Curable composition for optical nanoimprint lithography which contains a monomer at least 15 mass% or more in the said composition, and contains 48-99 mass% of said polymerizable unsaturated monomers.
(3) 1관능 중합성 불포화 단량체로서, 하기 (a), (b) 및 (c)에서 선택되는 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 (2)에 기재된 조성물.(3) The composition as described in (2) containing at least 1 sort (s) of the compound chosen from following (a), (b) and (c) as a monofunctional polymerizable unsaturated monomer.
(a) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 헤테로 원자를 함유하 는 지방족 환상 부위를 갖는 중합성 불포화 단량체(a) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and an aliphatic cyclic moiety containing a hetero atom;
(b) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 -C(=O)-결합과 NR결합(R는 수소원자 또는 메틸기)을 갖는 중합성 불포화 단량체(b) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and a -C (= O) -bond and an NR bond (R is a hydrogen atom or a methyl group)
(c) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 탄소수가 6~12개의 지환 부위를 갖는 중합성 불포화 단량체(c) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and an alicyclic moiety having 6 to 12 carbon atoms
(4) 상기 (a)의 1관능 중합성 불포화 단량체의 헤테로 원자가 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 어느 1종이상인 (3)에 기재된 조성물.(4) The composition according to (3), wherein the hetero atom of the monofunctional polymerizable unsaturated monomer of (a) is at least one of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.
(5) 상기 1관능 중합성 불포화 단량체가 하기 일반식(I)~(VIII)에서 선택되는 어느 1종 이상인 (2)~(4) 중 어느 1항에 기재된 조성물.(5) The composition according to any one of (2) to (4), wherein the monofunctional polymerizable unsaturated monomer is any one or more selected from the following General Formulas (I) to (VIII).
일반식(I)Formula (I)
(일반식(I) 중, R11은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R12, R13, R14, R15는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. n1은 1 또는 2, m1은 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. Z11은 메틸렌기, 산소원자, -NH-기를 나타내고, 2개의 Z11은 서로 달라도 좋다. W11은 -C(=O)- 또는 -SO2-를 나 타낸다. R12과 R13 및 R14와 R15는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.)(In General Formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 12 , R 13 , R 14 , and R 15 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a methoxy group, and an ethoxy group. represents. n1 is 1 or 2, m1 is 0, 1, represents any one of 2. Z 11 represents a methylene group, an oxygen atom, -NH-, Z 11 is a single 2 may be different from each other. W 11 is -C (= O)-or -SO 2 -R 12 and R 13 and R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring.)
일반식(II)Formula (II)
(일반식(II) 중, R21은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R22, R23, R24 및 R25는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. R22와 R23, 및 R24와 R25는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. n2는 1, 2, 3 중 어느 하나이고, m2는 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. Y21은 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다.)(In General Formula (II), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 22 , R 23 , R 24, and R 25 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group, An ethoxy group is represented by R 22 and R 23 ; And R 24 and R 25 may be bonded to each other to form a ring. n2 is any one of 1, 2, 3, and m2 represents any of 0, 1, 2. Y 21 represents a methylene group or an oxygen atom.)
일반식(III)General formula (III)
(일반식(III) 중 R32, R33, R34 및 R35는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. n3은 1, 2, 3 중 어느 하나 이고, m3은 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. X31은 -C(=O)-, 메틸렌기, 에틸렌기를 나타내고, 2개의 X31은 서로 달라도 좋다. Y32는 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다.)(In Formula (III), R 32 , R 33 , R 34 and R 35 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group and an ethoxy group. N3 represents 1, 2, 3 and any of one, m3 is 0, 1, represents any one of the 2 X 31 is -C (= O) -.. , represents a methylene, ethylene, 2 X 31 is Y or different from each other is 32-methylene Group or oxygen atom.)
일반식(IV)General formula (IV)
(일반식(IV) 중, R41은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. R42 및 R43은 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. W41은 단일 결합, 무결합, 또는 -C(=O)-을 나타낸다. n4는 2, 3, 4 중 어느 하나를 나타낸다. X42는 -C(=O)-, -C=C-, -C=N-, 또는 메틸렌기를 나타내고, 각각의 X42는 같아도 달라도 좋다. M41은 탄소수가 1~4개의 탄화수소 연결기, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, 각각의 M41은 같아도 달라도 좋다.)(In General Formula (IV), R 41 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 42 and R 43 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group, an ethoxy group.) 41 represents a single bond, no bond, or -C (= 0)-n4 represents any of 2, 3 and 4. X 42 represents -C (= 0)-, -C = C-,- C = N- or a methylene group, and each X 42 may be the same or different, M 41 may represent a hydrocarbon linking group, an oxygen atom or a nitrogen atom having 1 to 4 carbon atoms, and each M 41 may be the same or different.)
일반식(V)General formula (V)
(일반식(V) 중, R51은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. Z52는 산소원자, -CH=N- 또는 메틸렌기를 나타낸다. W52는 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다. Y52는 단일 결합 또는 -C(C=O)-을 나타낸다. Y53은 단일 결합 또는 -C(C=O)-을 나타낸다. R54 및 R55는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타내고, R54와 R55는 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. X51은 단일 결합 또는 무결합이어도 좋다. m5는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. W52, Z52, R54, R55 중 적어도 하나는 산소원자 또는 질소원자를 함유한다.)(In formula (V), R 51 represents a hydrogen atom or a methyl group. Z 52 represents an oxygen atom, —CH = N- or a methylene group. W 52 represents a methylene group or an oxygen atom. Y 52 represents a single bond) Or —C (C═O) — Y 53 represents a single bond or —C (C═O) — R 54 and R 55 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen An atom, a methoxy group, an ethoxy group, R 54 and R 55 may be bonded to each other to form a ring X 51 may be a single bond or an unbonded m5 is any one of 0, 1, and 2. W 52 , At least one of Z 52 , R 54 , and R 55 contains an oxygen atom or a nitrogen atom.)
일반식(VI)General formula (VI)
(일반식(VI) 중, R61은 수소원자 또는 메틸기, R62 및 R63은 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 히드록시에틸기, 프로필기, (CH3)2N-(CH2)m6 -(m6은 1, 2 또는 3), CH3CO- (CR64R65)p6-(R64 및 R65는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, p6은 1, 2 또는 3중 어느 하나이다), (CH3)2-N-(CH2)p6-(p6은 1, 2 또는 3 중 어느 하나이다.). 단, 상기 일반식(VI) 중의 -NR62(R63)의 부분이 -N=C=O기이어도 좋다. 또한 R62 및 R63은 동시에 수소원자가 되는 것은 아니다. 또한 X6은 -CO-, -COCH2-, -COCH2CH2-, -COCH2CH2CH2-, -COOCH2CH2- 중 어느 하나이다.)(In formula (VI), R 61 is a hydrogen atom or a methyl group, R 62 and R 63 are each a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a hydroxyethyl group, a propyl group, (CH 3 ) 2 N- (CH 2 ) m 6- (m6 is 1, 2 or 3), CH 3 CO- (CR 64 R 65 ) p6- (R 64 and R 65 each represent a hydrogen atom or a methyl group, p6 is either 1, 2 or 3), ( CH 3 ) 2 -N- (CH 2 ) p6- (p6 is either 1, 2 or 3.) provided that -NR 62 (R 63 ) in Formula (VI) is -N = C Or a group O. R 62 and R 63 are not hydrogen atoms at the same time, and X 6 is -CO-, -COCH 2- , -COCH 2 CH 2- , -COCH 2 CH 2 CH 2 -,- COOCH 2 CH 2 -is any one.)
일반식(VII)Formula (VII)
(일반식(VII) 중 R71 및 R72는 각각 수소원자 또는 메틸기이고, R73은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타낸다.)(In formula (VII), R 71 and R 72 each represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 73 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.)
일반식(VIII)General formula (VIII)
(일반식(VIII) 중 R81은 수소원자, 메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다. R82, R83, R84, R85는 각각 수소원자, 수산기, 메틸기, 에틸기, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 프로필기 및 부틸기를 나타내고, R82, R83, R84 및 R85 중 적어도 2개가 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. W81은 메틸렌기, -NH-, -N(CH3)-, -N(C2H5)-이다. W82는 단일 결합 또는 -C(=O)-을 나타낸다. W82가 단일 결합인 경우, R82, R83, R84 및 R85는 모두 수소원자가 아니다. n7은 0부터 8의 정수를 나타낸다.).(In formula (VIII), R 81 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxymethyl group. R 82 , R 83 , R 84 , and R 85 each represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a methyl group, an ethyl group, a hydroxymethyl group, or a hydroxyethyl group.) , A propyl group and a butyl group, and at least two of R 82 , R 83 , R 84 and R 85 may be bonded to each other to form a ring, wherein W 81 is a methylene group, -NH-, -N (CH 3 )-, -N (C 2 H 5 )-W 82 represents a single bond or -C (= O)-When W 82 is a single bond, R 82 , R 83 , R 84 and R 85 are all hydrogen atoms. No. n7 represents an integer from 0 to 8.).
(6) (1)~(5) 중 어느 1항에 기재된 조성물로서, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 실리콘 원자 및/또는 인원자를 함유하는 제 2 중합성 불포화 단량체를 상기 중합성 불포화 단량체 중 0.1질량%이상 함유하는 (1)~(5) 중 어느 1항에 기재된 조성물.(6) The composition according to any one of (1) to (5), wherein the second polymerizable unsaturated monomer containing a moiety having at least one ethylenically unsaturated bond and a silicon atom and / or a person atom is polymerized. The composition according to any one of (1) to (5), which contains 0.1% by mass or more in the monomer.
(7) 무기 산화물 미립자가 콜로이드 실리카인 (1)~(6) 중 어느 1항에 기재된 조성물.(7) The composition according to any one of (1) to (6), wherein the inorganic oxide fine particles are colloidal silica.
(8) 콜로이드 실리카가 표면처리된 콜로이드 실리카인 (7)에 기재된 조성물.(8) The composition as described in (7), wherein the colloidal silica is a surface treated colloidal silica.
(9) 콜로이드 실리카가 반응성 (메타)아크릴레이트기를 갖는 화합물로 표면처리된 콜로이드 실리카인 (8)에 기재된 조성물.(9) The composition according to (8), wherein the colloidal silica is colloidal silica surface-treated with a compound having a reactive (meth) acrylate group.
(10) 산화 방지제를 함유하는 (1)~(9) 중 어느 1항에 기재된 조성물.(10) The composition according to any one of (1) to (9), which contains an antioxidant.
(11) (1)~(10) 중 어느 1항에 기재된 조성물로서, 25℃에 있어서의 점도가 25mPa·S이하인 (1)~(10) 중 어느 1항에 기재된 조성물.(11) The composition according to any one of (1) to (10), wherein the viscosity at 25 ° C. is 25 mPa · S or less.
(12) (1)~(11) 중 어느 1항에 기재된 조성물을 도포하는 공정, 광투과성 몰드를 기판 상의 레지스트층에 가압하고, 상기 도포한 조성물을 변형시키는 공정, 몰드 이면 또는 기판 이면에서 광을 조사하고, 도포막을 경화하고, 소망의 패턴에 맞춘 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 광투과성 몰드를 도포막으로부터 탈착하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.(12) The process of apply | coating the composition in any one of (1)-(11), the process of pressurizing a light-transmissive mold to the resist layer on a board | substrate, and deforming the said apply | coated composition, the back surface of a mold, or a board | substrate back surface Irradiating, curing the coating film, forming a resist pattern according to a desired pattern, and removing the light-transmissive mold from the coating film.
본 발명에 의해, 에칭 레지스트로서 사용하면, 광경화성, 밀착성, 박리성, 잔막성, 패턴 형상, 도포성, 및 에칭 적성에 대해서 종합적으로 뛰어난 조성물을 제공하는 것이 가능하게 되었다. 또한, 영구막으로서 사용하면, 잔막성, 광투과성, 내촬상성 등의 기계 특성, 내용제성이 종합적으로 뛰어난 조성물을 얻는 것이 가능하게 되었다.According to the present invention, when used as an etching resist, it is possible to provide a composition which is excellent in overall photocurability, adhesiveness, peelability, residual film property, pattern shape, coating property, and etching ability. Moreover, when used as a permanent film, it became possible to obtain the composition excellent in mechanical properties, such as residual film property, light transmittance, and imaging resistance, and solvent resistance comprehensively.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본원 명세서에 있어서 「~」란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the content of this invention is demonstrated in detail. In addition, it is used by the meaning which includes with "-" the numerical value described before and after that as a lower limit and an upper limit in this specification.
이하에 있어서 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 메타(아크릴레이트)는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, 메타(아크릴)은 아크릴 및 메타크릴을 나타내고, 메타(아크릴로일)은 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 단량체와 모노머는 동일하다. 본 발명에 있어서의 단량체는 올리고머, 폴리머와 구별되고, 질량 평균 분자량이 1, 000 이하인 화합물을 말한다. 본 명세서 중에 있어서, 관능기는 중합에 관여하는 기를 말한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, this invention is demonstrated in detail. In addition, in this specification, a meta (acrylate) shows an acrylate and a methacrylate, a meta (acryl) shows an acryl and methacryl, and a meta (acryloyl) shows acryloyl and a methacryloyl. Indicates. In addition, in this specification, a monomer and a monomer are the same. The monomer in this invention is distinguished from an oligomer and a polymer, and a mass mean molecular weight says the compound which is 1,000 or less. In this specification, a functional group refers to the group which participates in superposition | polymerization.
또한, 본 발명에 말하는 나노 임프린트란, 대략 수 ㎛로부터 수 십nm의 사이즈의 패턴 전사를 말한다. 즉, 나노 오더의 임프린트에 한정되는 것이 아닌 것은 말할 필요도 없다. In addition, the nanoimprint referred to in this invention means pattern transfer of the size of about several micrometers to several tens of nm. That is, needless to say, it is not limited to the imprint of the nano order.
본 발명의 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물(이하, 단지「본 발명의 조성물」이라고 하는 경우가 있다)은, 예를 들면, 경화 전에 있어서는 광투과성이 높고, 미세요철 패턴의 형성 능력, 도포 적성 및 그 밖의 가공 적성이 우수함과 아울러 경화 후에 있어서는 감도(속경화성), 해상성, 선가장자리 조도성, 도막 강도, 몰드와의 박리성, 잔막 특성, 에칭 내성, 저경화 수축성, 기판 밀착성 또는 다른 모든 점에 있어서 종합적으로 우수한 도막 물성이 얻어진다. 그 때문에, 본 발명의 조성물은 광 나노 임프린트 리소그래피에 널리 사용될 수 있다. The curable composition for optical nanoimprint lithography of the present invention (hereinafter may be referred to only as the "composition of the present invention") is, for example, high in light transmittance before curing, and has an ability to form a fine rough pattern, coating aptitude and In addition to excellent workability, after curing, sensitivity (fast curing), resolution, line edge roughness, film strength, peelability with a mold, residual film properties, etching resistance, low curing shrinkage, substrate adhesion, or all other points In general, excellent coating film physical properties are obtained. Therefore, the composition of the present invention can be widely used for photo nanoimprint lithography.
즉, 본 발명의 조성물은 광 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 경우, 이하와 같은 특징을 갖는 것으로 할 수 있다.That is, when the composition of this invention is used for photo nanoimprint lithography, it can be set as having the following characteristics.
(1) 실온에서의 용액 유동성이 우수하므로, 몰드 오목부의 캐비티내에 상기 조성물이 흘러 들어 오기 쉽고, 대기가 혼입되기 어렵기 때문에 버블 결함을 야기하지 않고, 몰드 볼록부, 오목부 중 어느 하나에 있어서도 광경화 후에 잔사가 남기 어렵다.(1) Since the fluidity of the solution at room temperature is excellent, the composition easily flows into the cavity of the mold recessed portion, and since the atmosphere is hardly mixed, it does not cause bubble defects. It is hard to leave residue after anger.
(2) 경화 후의 경화막은 기계적 성질이 우수하고, 도막과 기판의 밀착성이 우수하고, 도막과 몰드의 박리성이 우수하므로, 몰드를 박리할 때에 패턴 붕괴나 도막 표면에 실끌림(cobwebbing)이 발생하여 표면 조도를 야기하지 않으므로 양호한 패턴을 형성할 수 있다.(2) Since the cured film after curing has excellent mechanical properties, excellent adhesion between the coating film and the substrate, and excellent peelability between the coating film and the mold, pattern collapse and cobwebbing occur on the surface of the coating film when the mold is peeled off. Since it does not cause surface roughness, a good pattern can be formed.
(3) 광경화 후의 체적 수축이 적고, 몰드 전사 특성이 우수하므로, 미세 패턴의 정확한 부형성이 가능하다.(3) Since the volume shrinkage after photocuring is small and the mold transfer characteristic is excellent, accurate shaping of a fine pattern is possible.
(4) 도포 균일성이 우수하므로 대형기판으로의 도포·미세 가공 분야 등에 적합하다.(4) Because of the uniformity of coating, it is suitable for application to large substrates and fine processing.
(5) 막의 광경화 속도가 높으므로, 생산성이 높다.(5) Since the photocuring speed of a film | membrane is high, productivity is high.
(6) 에칭 가공 정밀도, 에칭 내성 등이 우수하므로, 반도체 디바이스나 트랜지스터 등의 기판 가공용 에칭 레지스트로서 바람직하게 사용될 수 있다.(6) Since the etching processing accuracy, the etching resistance and the like are excellent, it can be suitably used as an etching resist for processing substrates such as semiconductor devices and transistors.
(7) 에칭 후의 레지스트 박리성이 우수하고, 잔사를 발생하지 않으므로, 에칭 레지스트로서 바람직하게 사용될 수 있다. (7) Since the resist peelability after etching is excellent and no residue is generated, it can be preferably used as an etching resist.
(8) 광투과성, 잔막성, 내촬상성 등의 기계특성, 내용제성이 높으므로 각 종의 영구막으로서 바람직하게 사용될 수 있다.(8) Since the mechanical properties such as light transmittance, residual film resistance, and imaging resistance and solvent resistance are high, it can be suitably used as permanent films of various kinds.
등의 특징을 갖는 것으로 할 수 있다.It is possible to have such characteristics as.
예를 들면, 본 발명의 조성물은 지금까지 전개는 어려웠던 반도체 집적 회로나 액정 디스플레이의 박막 트랜지스터 등의 미세 가공 용도, 액정 컬러 필터의 보호막, 스페이서에 바람직하게 적용할 수 있고, 그 밖의 용도, 예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽재, 플랫 스크린, 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 센서 소자, 광디스크, 고밀도 메모리 디스크 등의 자기 기록 매체, 회절 격자나 릴리프 홀로그램 등의 광학부품, 나노 디바이스, 광학 디바이스, 광학 필름이나 편광소자, 유기 트랜지스터, 컬러 필터, 오버코트층, 주재, 액정 배향용 리브재, 마이크로렌즈 어레이, 면역분석칩, DNA 분리칩, 마이크로 리액터, 나노 바이오 디바이스, 광도파로, 광학 필터, 포토닉 액정 등의 제작에도 폭넓게 적용할 수 있도록 된다.For example, the composition of the present invention can be suitably applied to microfabricated applications such as semiconductor integrated circuits and thin film transistors of liquid crystal displays, protective films of liquid crystal color filters, and spacers, which have been difficult to develop until now, and other applications, examples For example, bulkheads for plasma display panels, flat screens, microelectromechanical systems (MEMS), sensor elements, optical disks, magnetic recording media such as high density memory disks, optical components such as diffraction gratings and relief holograms, nanodevices, optical devices, Optical film, polarizing element, organic transistor, color filter, overcoat layer, base material, liquid crystal alignment rib material, microlens array, immunoassay chip, DNA separation chip, micro reactor, nano bio device, optical waveguide, optical filter, photonic The present invention can be widely applied to production of liquid crystals and the like.
본 발명의 조성물의 점도에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서의 점도는 특별히 언급하지 않는 한, 25℃에 있어서의 점도를 말한다. 본 발명의 조성물은 25℃에 있어서의 점도가 바람직하게는 25mPa·s이하, 보다 바람직하게는 20mPa·s이하, 더욱 바람직하게는 3~18mPa·s이하이다. 이러한 점도로 함으로써, 경화 전의 미세 요철 패턴의 형성 능력, 도포 적성 및 그 밖의 가공 적성을 부여할 수 있고, 경화 후에 있어서는 해상성, 선가장자리 조도성, 잔막 특성, 기판 밀착성 또는 다른 모든 점에 있어서 우수한 도막 물성을 부여할 수 있다. 본 발명의 조성물의 점도를 3mPa·s이하로 함으로써, 기판 도포 적성의 문제나 막의 기계적 강도의 저하가 발생하기 어려운 경향이 있다. 구체적으로는, 점도를 3mPa·s이상으로 함으로써, 조성물의 도포 시에 면불균일이 발생하거나, 도포 시에 기판으로부터 조성물이 흘러 나오거나 하는 것을 억제할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. 한편, 본 발명의 조성물의 점도를 25mPa·s이하로 함으로써, 미세한 요철 패턴을 갖는 몰드를 조성물에 밀착시켰을 경우라도, 몰드의 오목부의 캐비티내에도 조성물이 흘러 들어 오고, 대기가 혼입되기 어려워지기 때문에, 버블 결함을 야기하기 어려워져, 몰드 볼록부에 있어서 광경화 후에 잔사가 어렵게 되어 바람직하다. The viscosity of the composition of this invention is demonstrated. The viscosity in this invention says the viscosity in 25 degreeC unless there is particular notice. The viscosity of the composition of the present invention at 25 ° C is preferably 25 mPa · s or less, more preferably 20 mPa · s or less, and still more preferably 3 to 18 mPa · s or less. By setting it as such a viscosity, the formation ability, application | coating suitability, and other processing ability of the fine uneven | corrugated pattern before hardening can be provided, and after hardening, it is excellent in resolution, line edge roughness, residual film characteristic, board | substrate adhesiveness, or everything else. Coating film properties can be imparted. By making the viscosity of the composition of this invention into 3 mPa * s or less, there exists a tendency which the problem of a board | substrate application | coating suitability and the fall of the mechanical strength of a film | membrane hardly arise. Specifically, the viscosity is set to 3 mPa · s or more, so that there is a tendency that surface unevenness may occur during application of the composition, or that the composition may flow out of the substrate during application, which is preferable. On the other hand, when the viscosity of the composition of the present invention is 25 mPa · s or less, even when a mold having a fine concavo-convex pattern is brought into close contact with the composition, the composition flows into the cavity of the recessed portion of the mold, and the atmosphere becomes difficult to mix. It is preferable to cause bubble defects and to make the residue difficult after photocuring in the mold convex portion.
본 발명의 조성물은 중합성 불포화 단량체 35~99질량%, 광중합 개시제 0.1~15질량, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성 제 중 적어도 1종 0.001~5질량%, 무기 산화물 미립자를 0.1~50질량%를 포함한다.The composition of the present invention comprises 35 to 99% by mass of the polymerizable unsaturated monomer, 0.1 to 15% by mass of the photopolymerization initiator, 0.001 to 5% by mass of at least one of the fluorine-based surfactant, the silicone-based surfactant and the fluorine-silicone-based surfactant, and the inorganic oxide fine particles. It contains 0.1-50 mass%.
중합성 불포화 단량체Polymerizable unsaturated monomers
본 발명의 조성물은 바람직하게는, 중합성 불포화 단량체를 취하여, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위와 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 적어도 1종을 갖는 부위를 함유하는 1관능 중합성 불포화 단량체를 함유하고, 또한, 상기 1관능 중합성 불포화 단량체를 함유하는 중합성 불포화 단량체의 함량이 48~99질량%인 조성물이다. 보다 바람직하게는 1관능 중합성 불포화 단량체를 상기 조성물의 15질량%이상, 더욱 바람직하게는 25~60질량% 함유하는 조성물이다. The composition of the present invention preferably takes a polymerizable unsaturated monomer and comprises a monofunctional polymerizable unsaturated monomer containing a moiety having an ethylenically unsaturated bond in the molecule and a moiety having at least one of an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom. It is a composition which the content of the polymerizable unsaturated monomer containing the said monofunctional polymerizable unsaturated monomer is 48-99 mass%. More preferably, it is a composition which contains 15 mass% or more, more preferably 25-60 mass% of monofunctional polymerizable unsaturated monomers.
1관능 중합성 불포화 단량체는 바람직하게는, 하기 (a), (b) 및 (c)에서 선택되는 1관능 중합성 불포화 단량체이다.The monofunctional polymerizable unsaturated monomer is preferably a monofunctional polymerizable unsaturated monomer selected from the following (a), (b) and (c).
(a) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 헤테로 원자(바람직하게는, 산소원자, 질소원자 및 황원자)를 함유하는 지방족 환상 부위를 갖는 중합성 불포화 단량체(a) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and an aliphatic cyclic moiety containing a hetero atom (preferably an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom)
(b) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 -C(=O)-결합과 NR결합(R은 수소원자 또는 메틸기)을 갖는 중합성 불포화 단량체(b) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and a -C (= 0) -bond and an NR bond (R is a hydrogen atom or a methyl group);
(c) 1분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 탄소수가 6~12개의 지환 부위를 갖는 중합성 불포화 단량체(c) a polymerizable unsaturated monomer having a moiety having an ethylenically unsaturated bond in one molecule and an alicyclic moiety having 6 to 12 carbon atoms
본 발명에서 사용하는 1관능 중합성 불포화 단량체는 바람직하게는, 하기 일반식(I)~일반식(VIII) 중 어느 하나로 나타내어지는 중합성 불포화 단량체이다.The monofunctional polymerizable unsaturated monomer used in the present invention is preferably a polymerizable unsaturated monomer represented by any one of the following general formulas (I) to (VIII).
일반식(I)Formula (I)
(일반식(I) 중, R11은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R12, R13, R14, R15는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. n1은 1 또는 2, m1은 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. Z11은 메틸렌기, 산소원자, -NH-기를 나타내고, 2개의 Z11은 서로 달라도 좋다. W11은 -C(=O)- 또는 -SO2-을 나타낸다. R12와 R13, 및 R14와 R15는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.)(In General Formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 12 , R 13 , R 14 , and R 15 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a methoxy group, and an ethoxy group. represents. n1 is 1 or 2, m1 is 0, 1, represents any one of 2. Z 11 represents a methylene group, an oxygen atom, -NH-, Z 11 is a single 2 may be different from each other. W 11 is -C (= O)-or -SO 2-, R 12 and R 13 , And R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring.)
여기서, R11은 수소원자가 바람직하다. R12, R13, R14, R15는 각각 수소원자, 메틸기가 바람직하고, 수소원자가 보다 바람직하다. m1은 0 또는 1이 바람직하다. Z11은 적어도 한 쪽이 산소원자인 것이 바람직하다. W11은 -C(=O)-이 바람직하다. Here, R 11 is preferably a hydrogen atom. R 12 , R 13 , R 14 and R 15 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a hydrogen atom. m1 is preferably 0 or 1. At least one of Z 11 is preferably an oxygen atom. W 11 is preferably -C (= 0)-.
n1이 2이상일 때, R14, R15는 각각 같아도 좋고, 달라도 좋다. When n1 is two or more, R <14> , R <15> may be the same respectively and may differ.
일반식(I)로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(I-1)~(I-19)이 열거될 수 있다.Specific examples of the compound represented by General Formula (I) include the following Formulas (I-1) to (I-19).
일반식(II)Formula (II)
(일반식(II) 중 R21은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R22, R23, R24 및 R25는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. R22와 R23 및 R24와 R25는 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다. n2는 1, 2, 3 중 어느 하나이고, m2는 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. Y21은 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다.) (In Formula (II), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 22 , R 23 , R 24, and R 25 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group, and an ethoxy group). R 22 and R 23 and R 24 and R 25 may be bonded to each other to form a ring, n2 is any one of 1, 2 and 3, and m2 represents any one of 0, 1 and 2. Y 21 represents a methylene group or an oxygen atom.
R21은 수소원자가 바람직하다. R22, R23, R24 및 R25는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기가 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하다. n2는 1 또는 2가 바람직하다. m2는 0 또는 1이 바람직하다.R 21 is preferably a hydrogen atom. R 22 , R 23 , R 24 and R 25 are each preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, and more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. n2 is preferably 1 or 2. m2 is preferably 0 or 1.
일반식(II)로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(II-1)~(II-9)를 열거할 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include the following formulas (II-1) to (II-9).
일반식(III)General formula (III)
(일반식(III) 중, R32, R33, R34 및 R35는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. n3은 1, 2, 3 중 어느 하나이고, m3은 0, 1, 2 중 어느 하나를 나타낸다. X31은 -C(=O)-, 메틸렌기, 에틸렌기를 나타내고, 2개의 X31은 서로 달라도 좋다. Y32는 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다.)(In General Formula (III), R 32 , R 33 , R 34 and R 35 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group and an ethoxy group. N3 is 1, 2). , and any one of three, m3 is 0, 1, represents any one of the 2 X 31 is -C (= O) -.. , represents a methylene, ethylene, 2 X 31 is Y or different from each other is 32 Methylene group or oxygen atom.)
R32, R33, R34 및 R35는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기가 바람직하 고, 수소원자가 보다 바람직하다. n3은 1 또는 2가 바람직하다.R 32 , R 33 , R 34 and R 35 are each preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a propyl group, and more preferably a hydrogen atom. n3 is preferably 1 or 2.
일반식(III)으로 나타내지는 화합물의 구체예로서는, 하기 식(III-1)~(III-11)을 열거할 수 있다.As a specific example of a compound represented by general formula (III), following formula (III-1)-(III-11) can be mentioned.
일반식(IV)General formula (IV)
(일반식(IV) 중 R41은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. R42 및 R43은 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다. W41은 단일 결합, 무결합, 또는 -C(=O)-을 나타낸다. n4는 2, 3, 4 중 어느 하나를 나타낸다. X42는 -C(=O)-, -C=C-, -C=N- 또는 메틸렌기를 나타내고, 각각의 X42는 같아도 달라도 좋다. M41은 탄소수가 1~4개의 탄화수소 연결기, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, 각각의 M41은 같아도 달라도 좋다.)(In Formula (IV), R 41 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 42 and R 43 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen atom, a methoxy group, or an ethoxy group.) W 41 Represents a single bond, an unbonded bond, or -C (= 0)-n4 represents any one of 2, 3 and 4. X 42 represents -C (= 0)-, -C = C-, -C = N- or a methylene group, and each X 42 may be the same or different, M 41 represents a C1-C4 hydrocarbon linking group, an oxygen atom or a nitrogen atom, and each M 41 may be the same or different.)
R41은 수소원자가 바람직하다. R42 및 R43은 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 수소원자가 보다 바람직하다. M41은 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 중 어느 하나인 것이 바람직하다.R 41 is preferably a hydrogen atom. R 42 and R 43 are each preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom. M 41 is preferably any one of a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.
일반식(IV)로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(IV-1)~(IV-13)을 열거할 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (IV) include the following formulas (IV-1) to (IV-13).
일반식(V)General formula (V)
(일반식(V) 중, R51은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. Z52는 산소원자, -CH=N- 또는 메틸렌기를 나타낸다. W52는 메틸렌기 또는 산소원자를 나타낸다. Y52는 단일 결합 또는 -C(C=O)-을 나타낸다. Y53은 단일 결합 또는 -C(C=O)-을 나타낸다. R54 및 R55는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 할로겐 원자, 메톡시기, 에톡시기를 나타내고, R54와 R55는 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. X51은 단일 결합 또는 무결합이어도 좋다. m5는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. W52, Z52, R54, R55 중 적어도 하나는 산소원자 또는 질소원자를 함유한다.)(In formula (V), R 51 represents a hydrogen atom or a methyl group. Z 52 represents an oxygen atom, —CH = N- or a methylene group. W 52 represents a methylene group or an oxygen atom. Y 52 represents a single bond) Or —C (C═O) — Y 53 represents a single bond or —C (C═O) — R 54 and R 55 each represent a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a halogen An atom, a methoxy group, an ethoxy group, R 54 and R 55 may be bonded to each other to form a ring X 51 may be a single bond or an unbonded m5 is any one of 0, 1, and 2. W 52 , At least one of Z 52 , R 54 , and R 55 contains an oxygen atom or a nitrogen atom.)
여기서, X51이 무결합의 경우란, 후술하는 일반식(V)의 예시 화합물의 (V-7), (V-8)과 같은 결합 형태를 말한다. Here, the case where X 51 is a nonbonding means the coupling | bonding form like (V-7) and (V-8) of the exemplary compound of general formula (V) mentioned later.
R51은 수소원자가 바람직하다. R54 및 R55는 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 수소원자, 메틸기가 보다 바람직하다. m5은 1 또는 2가 바람직하다.R 51 is preferably a hydrogen atom. R 54 and R 55 are each preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom or a methyl group. m5 is preferably 1 or 2.
일반식(V)로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(V-1)~(V-8)을 열거할 수 있다.As a specific example of a compound represented by general formula (V), following formula (V-1)-(V-8) can be mentioned.
일반식(VI)General formula (VI)
(일반식(VI) 중, R61은 수소원자 또는 메틸기, R62 및 R63은 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 히드록시에틸기, 프로필기, (CH3)2N-(CH2)m6- (m6은 1, 2 또는 3), CH3CO-(CR64R65)p6- (R64 및 R65는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, p6은 1, 2 또는 3 중 어느 하나이다.), (CH3)2-N-(CH2)p6- (p6은 1, 2 또는 3 중 어느 하나이다.). 단, 상기 일반식(VI) 중의 -NR62(R63)의 부분이 -N=C=O기이어도 좋다. 또한 R62 및 R63은 동시에 수소 원자가 되는 것은 아니다. 또한 X6은 -CO-, -COCH2-, -COCH2CH2-, -COCH2CH2CH2-, -COOCH2CH2- 중 어느 하나이다.)(In formula (VI), R 61 is a hydrogen atom or a methyl group, R 62 and R 63 are each a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a hydroxyethyl group, a propyl group, (CH 3 ) 2 N- (CH 2 ) m 6- (m6 is 1, 2 or 3), CH 3 CO- (CR 64 R 65 ) p6- (R 64 and R 65 each represent a hydrogen atom or a methyl group, p6 is either 1, 2 or 3), (CH 3 ) 2 -N- (CH 2 ) p6- (p6 is any one of 1, 2 or 3.) provided that the portion of -NR 62 (R 63 ) in the formula (VI) is -N = Or a C═O group, and R 62 and R 63 are not simultaneously hydrogen atoms, and X 6 represents —CO—, —COCH 2 —, —COCH 2 CH 2 —, —COCH 2 CH 2 CH 2 —, -COOCH 2 CH 2 -is any one.)
일반식(VII)Formula (VII)
일반식(VI)에서 나타내지는 화합물의 구체예로서는, 하기 식(VI-1)~(VI-10)을 열거할 수 있다.As a specific example of a compound represented by general formula (VI), following formula (VI-1)-(VI-10) can be mentioned.
일반식(VII)Formula (VII)
(일반식(VII) 중, R71 및 R72는 각각 수소원자 또는 메틸기이고, R73은 수소원자, 메 틸기 또는 에틸기를 나타낸다.)(In General Formula (VII), R 71 and R 72 each represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 73 represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group.)
일반식(VII)로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(VII-1)~(VII-3)을 열거할 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (VII) include the following formulas (VII-1) to (VII-3).
일반식(VIII)General formula (VIII)
(일반식(VIII) 중 R81은 수소원자, 메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다. R82, R83, R84, R85는 각각 수소원자, 수산기, 메틸기, 에틸기, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 프로필기 및 부틸기를 나타내고, R82, R83, R84 및 R85 중 적어도 2개가 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. W81은 메틸렌기, -NH-, -N(CH3)-, -N(C2H5)-이다. W82는 단일 결합 또는 -C(=O)-을 나타낸다. W82가 단일 결합인 경우, R82, R83, R84 및 R84는 모두 수소원자가 아니다. n7은 0부터 8의 정수를 나타낸다.).(In formula (VIII), R 81 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxymethyl group. R 82 , R 83 , R 84 , and R 85 each represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a methyl group, an ethyl group, a hydroxymethyl group, or a hydroxyethyl group.) , A propyl group and a butyl group, and at least two of R 82 , R 83 , R 84 and R 85 may be bonded to each other to form a ring, wherein W 81 is a methylene group, -NH-, -N (CH 3 )-, -N (C 2 H 5 )-W 82 represents a single bond or -C (= O)-When W 82 is a single bond, R 82 , R 83 , R 84 and R 84 are all hydrogen atoms. No. n7 represents an integer from 0 to 8.).
R81은 수소원자가 바람직하다.R 81 is preferably a hydrogen atom.
일반식(VIII)으로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 하기 식(VIII-1)~(VIII-14)를 열거할 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (VIII) include the following formulas (VIII-1) to (VIII-14).
제 2 의 중합성 불포화 단량체 Secondary polymerizable unsaturated monomers
본 발명에서는 상기 중합성 불포화 단량체의 다른 중합성 불포화 단량체를 함유하고 있어도 좋다. 예를 들면, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위 및 실리콘 원자 및/또는 인원자를 함유하는 중합성 불포화 단량체가 열거된다. 이러한 제 2 의 중합성 불포화 단량체는 1관능 중합성 불포화 단량체, 다관능 중합성 불포화 단량체이어도 좋다. 이러한 중합성 불포화 단량체는 중합성 불포화 단량체 중 0.1질량%이상 함유하는 것이 바람직하다.In this invention, you may contain the other polymerizable unsaturated monomer of the said polymerizable unsaturated monomer. For example, polymerizable unsaturated monomers containing a site having an ethylenically unsaturated bond and a silicon atom and / or a person group are enumerated. The second polymerizable unsaturated monomer may be a monofunctional polymerizable unsaturated monomer or a polyfunctional polymerizable unsaturated monomer. It is preferable that such a polymerizable unsaturated monomer contains 0.1 mass% or more in a polymerizable unsaturated monomer.
제 2 중합성 불포화 단량체로서는 예를 들면, 하기(IX-1)~(IX-23)을 채용할 수 있다. As a 2nd polymerizable unsaturated monomer, following (IX-1)-(IX-23) can be employ | adopted, for example.
본 발명의 조성물은 막경도, 가요성 등의 개량을 목적으로, 에틸렌성 불포화결합 함유기를 1개 갖는 중합성 불포화 단량체(1관능의 중합성 불포화 단량체)를 병용해도 좋다. 구체적으로는, 2-아크릴로일옥시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시2-히드록시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필프탈레이트, 2-에틸-2-부틸프로판디올아크릴레이트, 2-에틸헥실(메 타)아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴산 다이머, 지방족 에폭시(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 부탄디올모노(메타)아크릴레이트, 부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 세틸(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성(이하 「EO」라고 한다.) 크레졸(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시화 페닐(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소미리스틸(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린(이하,「ECH」라고 한다.) 변성 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, EO변성 숙신산(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메 타)아크릴레이트, 트리부로모페닐(메타)아크릴레이트, EO변성 트리부로모페닐(메타)아크릴레이트, 트리도데실(메타)아크릴레이트, p-이소프로페닐페놀, 스티렌, α-메틸스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐카르바졸, 이소시아네이트메틸(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트에틸(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트이소프로필(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트 n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트 이소부틸(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트 sec-부틸(메타)아크릴레이트, 이소시아네이트 tert-부틸(메타)아크릴레이트 등의 이소시아네이트알킬(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로일메틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일n-프로필이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소프로필이소시아네이트, (메타)아크릴로일n-부틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소부틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일sec-부틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일tert-부틸이소시아네이트 등의 (메타)아크릴로일알킬이소시아네이트가 예시된다. The composition of this invention may use together the polymerizable unsaturated monomer (monofunctional polymerizable unsaturated monomer) which has one ethylenically unsaturated bond containing group for the purpose of improving film hardness, flexibility, etc. Specifically, 2-acryloyloxyethyl phthalate, 2-acryloyloxy 2-hydroxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalate, 2-acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl- 2-butylpropanediol acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl carbitol (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) Acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, acrylic acid dimer, Aliphatic epoxy (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, butanediol mono (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, ethylene oxide modified (Hereinafter referred to as "EO") Cresol ( (2) acrylate, dipropylene glycol (meth) acrylate, ethoxylated phenyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) ) Acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, methoxydipropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, methoxyethylene glycol (meth) acrylic Late, methyl (meth) acrylate, neopentyl glycol benzoate (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, Paracumylphenoxyethylene glycol (meth) acrylate, epichlorohydrin (henceforth "ECH") Modified phenoxyacrylate, phenoxyethyl (meth) arc Relate, phenoxydiethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy hexaethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy tetraethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol polypropylene glycol ( Meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate , EO-modified tribromophenyl (meth) acrylate, tridodecyl (meth) acrylate, p-isopropenylphenol, styrene, α-methylstyrene, acrylonitrile, vinylcarbazole, isocyanate methyl (meth) acryl Elate, isocyanate ethyl (meth) acrylate, isocyanate n-propyl (meth) acrylate, isocyanate isopropyl (meth) acrylate, this Isocyanate alkyl (meth) acrylates such as isocyanate n-butyl (meth) acrylate, isocyanate isobutyl (meth) acrylate, isocyanate sec-butyl (meth) acrylate and isocyanate tert-butyl (meth) acrylate; (Meth) acryloylmethyl isocyanate, (meth) acryloylethyl isocyanate, (meth) acryloyl n-propyl isocyanate, (meth) acryloyl isopropyl isocyanate, (meth) acryloyl n-butyl isocyanate, (Meth) acryloyl alkyl isocyanates, such as (meth) acryloyl isobutyl isocyanate, (meth) acryloyl sec-butyl isocyanate, and (meth) acryloyl tert- butyl isocyanate, are illustrated.
본 발명에서 사용되는 다른 중합성 불포화 단량체로서는, 에틸렌성 불포화 결합 함유기를 2개 이상 갖는 다관능 중합성 불포화 단량체를 사용하는 것이 바람직하다. As another polymerizable unsaturated monomer used by this invention, it is preferable to use the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer which has 2 or more of ethylenically unsaturated bond containing groups.
본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 에틸렌성 불포화 결합 함유기를 2개 갖는 2관능 중합성 불포화 단량체의 예로서는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(메타)아크릴레이트, 디메틸올디시클로펜탄디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴화 이소시아누레이트, 1, 3-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1, 4-부탄디올디(메타)아 크릴레이트, EO변성 1, 6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, ECH변성 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 아릴옥시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 1, 9-노난디올디(메타)아크릴레이트, EO변성 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, PO변성 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, 변성 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, EO변성 비스페놀F디(메타)아크릴레이트, ECH변성 헥사히드로프탈산디아크릴레이트, 히드록시피바린산 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, EO변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌옥시드(이후「PO」라고 한다.) 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 카프로락톤 변성 히드록시피바린산 에스테르네오펜틸글리콜, 스테아린산 변성 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, ECH변성프탈산디(메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메타)아크릴레이트, 폴리(프로필렌 글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(디)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, ECH변성 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 실리콘디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, EO변성 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리글리세롤디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디비닐에틸렌 요소, 디비닐프로필렌 요소가 예시된다. Examples of the bifunctional polymerizable unsaturated monomer having two ethylenically unsaturated bond-containing groups which can be preferably used in the present invention include diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, dimethyloldicyclopentanedi (meth) acrylate, di ( Meta) acrylated isocyanurate, 1,3-butylene glycoldi (meth) acrylate, 1,4-butanedioldi (meth) acrylate, EO-modified 1,6-hexanedioldi (meth) acrylate, ECH modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, aryloxypolyethylene glycol acrylate, 1, 9-nonanediol di (meth) acrylate, EO modified bisphenol A di (meth) acrylate, PO modified bisphenol A Di (meth) acrylate, modified bisphenol A di (meth) acrylate, EO modified bisphenol Fdi (meth) acrylate, ECH modified hexahydrophthalic acid diacrylate, hydroxy pivalate neopentyl glycol di (meth) acrylic Yate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, EO modified neopentyl glycol diacrylate, propylene oxide (hereinafter referred to as "PO") modified neopentyl glycol diacrylate, caprolactone modified hydroxy pivaric acid ester Neopentylglycol, stearic acid modified pentaerythritol di (meth) acrylate, ECH modified phthalic acid di (meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene glycol) Di (meth) acrylate, polyester (di) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, ECH modified propylene glycol di (meth) acrylate, silicone di (meth) Acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, dimethylol tricyclode Di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropanedi (meth) acrylate, tripropylene glycoldi (meth) acrylate, EO-modified tripropylene glycoldi (meth) acrylate, triglyceroldi (meth) acrylic Laterate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, divinyl ethylene urea, divinyl propylene urea are exemplified.
이들 중에서 특히, 1, 9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 히드록시피바린산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트등이 본 발명에 바람직하게 사용된다.Among these, 1, 9-nonanediol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and hydroxy pivarine neopentyl glycol di (meth) acryl Elate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, and the like are preferably used in the present invention.
에틸렌성 불포화 결합 함유기를 3개 이상 갖는 다관능 중합성 불포화 단량체의 예로서는, ECH변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, EO변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, PO변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, EO변성 인산트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, EO변성트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, PO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카푸로락톤변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리(메타)아크릴레이트, 알킬 변성디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트 등이 열거된다. Examples of the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having three or more ethylenically unsaturated bond-containing groups include ECH-modified glycerol tri (meth) acrylate, EO-modified glycerol tri (meth) acrylate, PO-modified glycerol tri (meth) acrylate, and penta Erythritol triacrylate, EO-modified phosphate triacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, caprolactone-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethyl All propane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, capurolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hydroxypenta (Meth) acrylate, alkyl modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaeryth Lithol poly (meth) acrylate, alkyl modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol ethoxy tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate And the like.
이들 중에서 특히, EO변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, PO변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, EO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, PO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라(메 타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트 등이 본 발명에 바람직하게 사용된다. Among them, EO-modified glycerol tri (meth) acrylate, PO-modified glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylol Propane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol ethoxy tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and the like are preferably used in the present invention.
1분자내에 광중합성 관능기를 2개이상 갖는 것을 사용할 경우에는, 상기한 바와 같이 조성물에 다량의 광중합성 관능기가 도입되므로, 조성물의 가교 밀도가 대단히 커지고, 경화 후의 모든 물성을 향상시키는 효과가 높다. 경화 후의 모든 물성 중에서도, 특히 내열성 및 내구성(내마모성, 내약품성, 내수성)이 가교 밀도의 증대에 의하여 향상하고, 고열, 마찰 또는 용제에 노출되어도, 미세 요철 패턴의 변형, 소실, 손상이 일어나기 어려워진다.When using two or more photopolymerizable functional groups in one molecule, since a large amount of photopolymerizable functional groups are introduce | transduced into a composition as mentioned above, the crosslinking density of a composition becomes very large and the effect of improving all the physical properties after hardening is high. Among all the physical properties after curing, in particular, heat resistance and durability (wear resistance, chemical resistance, water resistance) are improved by increasing the crosslinking density, and even when exposed to high heat, friction, or solvent, deformation, loss and damage of the fine uneven pattern are less likely to occur. .
본 발명의 조성물에서는 가교 밀도를 더욱 향상시킬 목적으로, 상기 다관능 중합성 불포화 단량체보다도 더욱 분자량이 큰 다관능 올리고머나 폴리머를 본 발명의 목적을 달성하는 범위로 배합할 수 있다. 광 라디컬 중합성을 갖는 다관능 올리고머로서는 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 폴리에폭시아크릴레이트 등의 각종 아크릴레이트올리고머, 포스파겐 골격, 아다만탄 골격, 카르도 골격, 노르보르넨 골격 등의 부피가 큰 구조를 갖는 올리고머 또는 폴리머 등이 열거된다.In the composition of the present invention, for the purpose of further improving the crosslinking density, a polyfunctional oligomer or polymer having a higher molecular weight than that of the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer can be blended in a range that achieves the object of the present invention. Examples of the polyfunctional oligomer having optical radical polymerizability include various acrylate oligomers such as polyester acrylate, polyurethane acrylate, polyether acrylate and polyepoxy acrylate, phosphogen skeleton, adamantane skeleton, cardo skeleton, Oligomers or polymers having a bulky structure such as a norbornene skeleton and the like.
본 발명에서 사용되는 중합성 불포화 단량체로서, 옥실란환을 갖는 화합물도 채용할 수 있다. 옥실란환을 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 다염기산의 폴리글리시딜에스테르류, 다가 알코올의 폴리글리시딜에테르류, 폴리옥시알킬렌글리콜의 폴리글리시딜에테르류, 방향족 폴리올의 폴리글리시딜에테르류, 방향족 폴리올의 폴리글리시딜에테르류의 수소첨가 화합물류, 우레탄폴리에폭시 화합물 및 에폭시화 폴리부타디엔류 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 그 일종을 단독으로 사용할 수도 있고, 또한, 그 2종 이상을 혼합해서 사용할 수도 있다. As a polymerizable unsaturated monomer used by this invention, the compound which has an oxirane ring can also be employ | adopted. Examples of the compound having an oxysilane ring include polyglycidyl esters of polybasic acids, polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols, polyglycidyl ethers of polyoxyalkylene glycols, and polyglycidyl of aromatic polyols. Ethers, hydrogenated compounds of polyglycidyl ethers of aromatic polyols, urethane polyepoxy compounds, epoxidized polybutadienes, and the like. These compounds may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
바람직하게 사용할 수 있는 에폭시 화합물로서는, 예를 들면 비스페놀A 디글리시딜에테르, 비스페놀F 디글리시딜에테르, 비스페놀S 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀A 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀F 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀S 디글리시딜에테르, 수첨 비스페놀A 디글리시딜에테르, 수첨 비스페놀F 디글리시딜에테르, 수첨 비스페놀S 디글리시딜에테르, 1, 4-부탄디올디글리시딜에테르, 1, 6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르류; 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세린 등의 지방족 다가 알코올에 1종 또는 2종이상의 알킬렌 옥사이드를 부가하는 것에 의해 얻어지는 폴리에테르폴리올의 폴리글리시딜에테르류; 지방족 장쇄 이염기산의 디글리시딜에스테르류; 지방족 고급 알코올의 모노글리시딜에테르류; 페놀, 크레졸, 부틸페놀 또는 이들에 알킬렌 옥사이드를 부가해서 얻어지는 폴리에테르알코올의 모노글리시딜에테르류; 고급 지방산의 글리시딜에스테르류 등을 예시할 수 있다. As an epoxy compound which can be used preferably, Bisphenol A diglycidyl ether, Bisphenol F diglycidyl ether, Bisphenol S diglycidyl ether, Brominated bisphenol A diglycidyl ether, Brominated bisphenol F diglycol, for example Cedyl ether, brominated bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol S diglycidyl ether, 1, 4-butanediol diglycidyl ether 1, 6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether; Polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or two or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin; Diglycidyl esters of aliphatic long-chain dibasic acids; Monoglycidyl ethers of aliphatic higher alcohols; Monoglycidyl ethers of polyether alcohols obtained by adding alkylene oxide to phenol, cresol, butylphenol or these; And glycidyl esters of higher fatty acids.
글리시딜기 함유 화합물로서 바람직하게 사용할 수 있는 시판품으로서는, UVR-6216(유니언 카바이드사 제작), 글리시돌, AOEX24, 사이크로머 A200(이상, 다이셀가가쿠고교(주) 제작), 에피코트 828, 에피코트 812, 에피코트 1031, 에피코트 872, 에피코트 CT508(이상, 유우카셀(주) 제작), KRM-2400, KRM-2410, KRM-2408, KRM-2490, KRM-2720, KRM-2750(이상, 아사히덴카 고교(주) 제작) 등을 열거할 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종이상 조합시켜서 사용할 수 있다. As a commercial item which can be used suitably as a glycidyl-group containing compound, UVR-6216 (made by Union Carbide), glycidol, AOEX24, the cyclomer A200 (above, the Daicel Chemical Co., Ltd. make), Epicoat 828, Epicoat 812, Epicoat 1031, Epicoat 872, Epicoat CT508 (above, manufactured by Yuka Cell), KRM-2400, KRM-2410, KRM-2408, KRM-2490, KRM-2720, KRM-2750 Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) etc. are mentioned above. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
또한, 이들의 옥실란환을 갖는 화합물은 그 제법은 관계되지 않지만, 예를 들면, 마루젠 KK출판, 제4판 실험 화학 강좌 20 유기합성II, 213~, 평성 4년, Ed.by Alfred Hasfner, The chemistry of heterocyclic compounds-Small Ring Heterocycles part3 Oxiranes, John & Wiley and Sons, An Interscience Publication, New York, 1985, 요시무라, 접착, 29권 12호, 32, 1985, 요시무라, 접착, 30권 5호, 42, 1986, 요시무라, 접착, 30권 7호, 42, 1986, 일본특허공개 평 11-100378호 공보, 특허 제2906245호 공보, 특허 제2926262호 공보 등의 문헌을 참고로 해서 합성할 수 있다.In addition, although the compound which has these oxirane rings is not related to the manufacturing method, For example, Maruzen KK Publishing, 4th edition Experimental Chemistry Course 20 Organic Synthesis II, 213-4 years, Ed.by Alfred Hasfner, The chemistry of heterocyclic compounds-Small Ring Heterocycles part3 Oxiranes, John & Wiley and Sons, An Interscience Publication, New York, 1985, Yoshimura, Adhesion, Vol. 29, 12, 32, 1985, Yoshimura, Adhesion, Vol. 30, 5, 42 , 1986, Yoshimura, Adhesion, 30, 7, 42, 1986, Japanese Patent Laid-Open No. 11-100378, Japanese Patent No. 2906245, Japanese Patent No. 2926262, and the like.
본 발명에서 사용되는 중합성 불포화 단량체로서, 비닐에테르 화합물을 병용해도 좋다.As a polymerizable unsaturated monomer used by this invention, you may use a vinyl ether compound together.
비닐에테르 화합물은 적당히 선택하면 좋고, 예를 들면, 2-에틸헥실비닐에테르, 부탄디올-1, 4-디비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 1, 2-프로판디올디비닐에테르, 1, 3-프로판디올디비닐에테르, 1, 3-부탄디올디비닐에테르, 1, 4-부탄디올디비닐에테르, 테트라메틸렌글리콜디비닐에테르, 네오펜틸글리콜디비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르, 트리메틸올에탄트리비닐에테르, 헥산디올디비닐에테르, 테트라에틸렌글리콜디비닐에테르, 펜타에리스리톨디비닐에테르, 펜타에리스리톨트리비닐에테르, 펜타에리스리톨테트라비닐에테르, 소르비톨테트라비닐에테르, 소르비톨펜타비닐에테르, 에틸렌글리콜디에틸렌비닐에테르, 트 리에틸렌글리콜디에틸렌비닐에테르, 에틸렌글리콜디프로필렌비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸렌비닐에테르, 트리메틸올프로판트리에틸렌비닐에테르, 트리메틸올프로판디에틸렌비닐에테르, 펜타에리스리톨디에틸렌비닐에테르, 펜타에리스리톨트리에틸렌비닐에테르, 펜타에리스리톨테트라에틸렌비닐에테르, 1, 1, 1-트리스[4-(2-비닐옥시에톡시)페닐]에탄, 비스페놀A 디비닐옥시에틸에테르 등이 열거된다. The vinyl ether compound may be appropriately selected. For example, 2-ethylhexyl vinyl ether, butanediol-1, 4-divinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, Triethylene glycol divinyl ether, 1, 2- propanediol divinyl ether, 1, 3- propanediol divinyl ether, 1, 3- butanediol divinyl ether, 1, 4- butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl Ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylol propane trivinyl ether, trimethylol ethane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol Tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, ethylene glycol diethylene vinyl ether, triethylene glycol Cold diethylene vinyl ether, ethylene glycol dipropylene vinyl ether, triethylene glycol diethylene vinyl ether, trimethylol propane triethylene vinyl ether, trimethylol propane diethylene vinyl ether, pentaerythritol diethylene vinyl ether, pentaerythritol triethylene vinyl ether, Pentaerythritol tetraethylene vinyl ether, 1, 1, 1- tris [4- (2-vinyl oxyethoxy) phenyl] ethane, bisphenol A divinyl oxyethyl ether, etc. are mentioned.
이들의 비닐에테르 화합물은 예를 들면, Stephen.C.Lapin, Polymers Paint Colour Journal.179(4237), 321(1988)에 기재되어 있는 방법, 즉 다가 알코올 또는 다가 페놀과 아세틸렌의 반응, 또는 다가 알코올 또는 다가 페놀과 할로겐화 알킬비닐에테르의 반응에 의해 합성할 수 있고, 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These vinyl ether compounds are described, for example, in the methods described in Stephen. C. Lapin, Polymers Paint Color Journal. 179 (4237), 321 (1988), i.e., reactions of polyhydric alcohols or polyhydric phenols with acetylene, or polyhydric alcohols. Or it can synthesize | combine by reaction of polyhydric phenol and a halogenated alkyl vinyl ether, These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
본 발명에서 사용하는 중합성 불포화 단량체로서, 스티렌 유도체도 채용할 수 있다. 스티렌 유도체로서는, 예를 들면, p-메톡시스티렌, p-메톡시-β-메틸스티렌, p-히드록시스티렌 등을 들 수 있다.As a polymerizable unsaturated monomer used by this invention, a styrene derivative can also be employ | adopted. As a styrene derivative, p-methoxy styrene, p-methoxy- (beta) -methylstyrene, p-hydroxy styrene, etc. are mentioned, for example.
그 외, 본 발명의 1관능 중합체와 병용할 수 있는 스티렌 유도체로서는 예를 들면, 스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, β-메틸스티렌, p-메틸-β-메틸스티렌, α-메틸스티렌, p-메톡시-β-메틸스티렌, p-히드록시스티렌 등을 들 수 있고, 비닐나프탈렌 유도체로서는, 예를 들면, 1-비닐나프탈렌, α-메틸-1-비닐나프탈렌, β-메틸-1-비닐나프탈렌, 4-메틸-1-비닐나프탈렌, 4-메톡시-1-비닐나프탈렌 등을 들 수 있다. In addition, as a styrene derivative which can be used together with the monofunctional polymer of this invention, styrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, (beta) -methylstyrene, p-methyl- (beta) -methylstyrene, (alpha)- Methyl styrene, p-methoxy- (beta) -methylstyrene, p-hydroxy styrene, etc. are mentioned, As a vinyl naphthalene derivative, 1-vinyl naphthalene, (alpha) -methyl- 1-vinyl naphthalene, (beta) -methyl, for example. -1-vinyl naphthalene, 4-methyl-1-vinyl naphthalene, 4-methoxy-1-vinylnaphthalene, etc. are mentioned.
또한, 몰드와의 박리성이나 도포성을 향상시킬 목적으로 트리플루오로에틸 (메타)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메타)아크릴레이트, (퍼플루오로부틸)에틸(메타)아크릴레이트, 퍼플루오로부틸-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, (퍼플루오로헥실)에틸(메타)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메타)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메타)아크릴레이트, 테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트 등의 불소원자를 갖는 화합물도 병용할 수 있다.Moreover, trifluoroethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, (perfluorobutyl) ethyl (meth) acrylate, and perfluoro for the purpose of improving peelability and applicability | paintability with a mold. Robutyl-hydroxypropyl (meth) acrylate, (perfluorohexyl) ethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tetrafluoropropyl Compounds having fluorine atoms such as (meth) acrylate can also be used in combination.
본 발명에서 사용하는 중합성 불포화 단량체로서, 프로페닐에테르 및 부테닐에테르를 배합할 수 있다. 예를 들면, 1-도데실-1-프로페닐에테르, 1-도데실-1-부테닐에테르, 1-부텐옥시메틸-2-노르보르넨, 1-4-디(1-부텐옥시)부탄, 1,10-디(1-부텐옥시)데칸, 1, 4-디(1-부텐옥시메틸)시클로헥산, 디에틸렌글리콜디(1-부테닐)에테르, 1, 2, 3-트리(1-부텐옥시)프로판, 프로페닐에테르프로필렌카보네이트 등을 바람직하게 적용할 수 있다. As the polymerizable unsaturated monomer used in the present invention, propenyl ether and butenyl ether can be blended. For example, 1-dodecyl-1-propenyl ether, 1-dodecyl-1-butenyl ether, 1-buteneoxymethyl-2-norbornene, 1-4-di (1-buteneoxy) butane , 1,10-di (1-buteneoxy) decane, 1,4-di (1-buteneoxymethyl) cyclohexane, diethylene glycoldi (1-butenyl) ether, 1, 2, 3-tri (1 -Buteneoxy) propane, propenyl ether propylene carbonate, etc. can be preferably applied.
다음에, 본 발명의 조성물에 있어서의 중합성 불포화 단량체의 바람직한 블렌드 형태에 대해서 설명한다. 본 발명의 조성물은 산소, 질소, 또는 황 원소의 적어도 1종을 갖는 부위를 함유하는 중합성 불포화 단량체를 필수 성분으로 하여 다관능 중합성 불포화 단량체를 더 포함하고 있는 것이 바람직하다. Next, the preferable blend form of a polymerizable unsaturated monomer in the composition of this invention is demonstrated. It is preferable that the composition of this invention contains the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer further as a essential component the polymerizable unsaturated monomer containing the site | part which has at least 1 type of oxygen, nitrogen, or a sulfur element.
1관능의 중합성 불포화 단량체는 통상, 반응성 희석제로서 사용되고, 본 발명의 조성물의 점도를 저하시키는데 유효하고, 통상, 전체 중합성 불포화 단량체의 15질량%이상 첨가된다. 바람직하게는 20~80질량%, 보다 바람직하게는 25~70질량%, 특히 바람직하게는 30~60질량%의 범위로 첨가된다.A monofunctional polymerizable unsaturated monomer is normally used as a reactive diluent and is effective in lowering the viscosity of the composition of the present invention, and usually 15% by mass or more of the total polymerizable unsaturated monomer is added. Preferably it is 20-80 mass%, More preferably, it is 25-70 mass%, Especially preferably, it is added in the range of 30-60 mass%.
상기 (a), (b) 및 (c)에서 선택되는 1관능의 중합성 불포화 단량체의 비율 을 80질량%이하로 함으로써, 본 발명의 조성물을 경화한 경화막의 기계적인 강도, 에칭 내성, 내열성이 보다 양호가 되는 경향이 있고, 광 나노 임프린트의 몰드재로서 사용되는 경우에는, 몰드가 팽윤하여 몰드가 열화하는 것을 억제할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. 한편, 상기 1관능의 중합성 불포화 단량체는 반응성 희석제로서 보다 양호하기 때문에, 전체 중합성 불포화 단량체의 15질량%이상 첨가되는 것이 바람직하다. By setting the proportion of the monofunctional polymerizable unsaturated monomer selected from the above (a), (b) and (c) to 80 mass% or less, the mechanical strength, etching resistance, and heat resistance of the cured film cured of the composition of the present invention When it is used as a mold material of an optical nanoimprint, it exists in the tendency to become more favorable, and since it exists in the tendency which can suppress that a mold swells and deteriorates, it is preferable. On the other hand, since the said monofunctional polymerizable unsaturated monomer is more favorable as a reactive diluent, it is preferable to add 15 mass% or more of all the polymerizable unsaturated monomers.
불포화 결합 함유기를 2개 갖는 단량체(2관능 중합성 불포화 단량체)는 전체 중합성 불포화 단량체의 바람직하게는 90질량%이하, 보다 바람직하게는 80질량%이하, 특히 바람직하게는 70질량%이하의 범위로 첨가된다. 1관능 및 2관능 중합성 불포화 단량체의 비율은 전체 중합성 불포화 단량체의 바람직하게는 1~95질량%, 보다 바람직하게는 3~95질량%, 특히 바람직하게는 5~90질량%의 범위로 첨가된다. 불포화 결합 함유기를 3개이상 갖는 다관능 중합성 불포화 단량체의 비율은 전체 중합성 불포화 단량체의 바람직하게는 80질량%이하, 보다 바람직하게는 70질량%이하, 특히 바람직하게는 60질량%이하의 범위로 첨가된다. 중합성 불포화 결합 함유기를 3개이상 갖는 중합성 불포화 단량체의 비율을 80질량%이하로 함으로써, 조성물의 점도를 저하할 수 있으므로 바람직하다. The monomer having two unsaturated bond-containing groups (bifunctional polymerizable unsaturated monomer) is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, particularly preferably 70% by mass or less of the total polymerizable unsaturated monomer. Is added. The proportion of the monofunctional and bifunctional polymerizable unsaturated monomers is preferably 1 to 95% by mass, more preferably 3 to 95% by mass, particularly preferably 5 to 90% by mass of the total polymerizable unsaturated monomer. do. The proportion of the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having three or more unsaturated bond-containing groups is preferably 80% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, particularly preferably 60% by mass or less of the total polymerizable unsaturated monomer. Is added. Since the viscosity of a composition can be reduced by making the ratio of the polymerizable unsaturated monomer which has three or more polymerizable unsaturated bond containing groups into 80 mass% or less, it is preferable.
특히, 본 발명의 조성물에서는 중합성 불포화 단량체 성분이 1관능 중합성 불포화 단량체 15~80질량%, 2관능 중합성 불포화 단량체 0~60질량%, 3관능 이상의 다관능 중합성 불포화 단량체 1~60질량%의 비율로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 1관능 중합성 불포화 단량체 20~70질량%, 2관능 중합성 불포화 단량체 0~50질량%, 3관능 이상의 다관능 중합성 불포화 단량체 2~50질량%의 비율로 구성되어 있는 것이 더욱 바람직하다.In particular, in the composition of this invention, 15-80 mass% of monofunctional polymerizable unsaturated monomers, 0-60 mass% of bifunctional polymerizable unsaturated monomers, and 1 to 60 mass of polyfunctional polymerizable unsaturated monomers more than trifunctional It is preferable that it is comprised by the ratio of%, and 20-50 mass% of monofunctional polymerizable unsaturated monomers, 0-50 mass% of bifunctional polymerizable unsaturated monomers, and 2-50 mass% of polyfunctional polymerizable unsaturated monomers more than trifunctional It is more preferable that it is comprised by the ratio.
특히, 본 발명의 조성물에서는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위, 및 실리콘 원자 및/또는 인원자를 함유하는 중합성 불포화 단량체를 블렌드 하는 것이 바람직하다. 상기 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위, 및 실리콘 원자 및/또는 인원자를 함유하는 중합성 불포화 단량체는 통상, 몰드와의 박리성이나 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로 전체 중합성 불포화 단량체 중의 0.1질량%첨가된다. 바람직하게는 0.2~10질량%, 보다 바람직하게는 0.3~7질량%, 특히 바람직하게는 0.5~5질량%의 범위로 첨가된다. 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위의 수(관능기의 수)는 1~3이 바람직하다.In particular, in the composition of the present invention, it is preferable to blend a site having at least one ethylenically unsaturated bond and a polymerizable unsaturated monomer containing a silicon atom and / or a person group. The polymerizable unsaturated monomer containing the site | part which has the said at least 1 ethylenically unsaturated bond, and a silicon atom and / or a person group is usually contained in all the polymerizable unsaturated monomers for the purpose of improving peelability with a mold and adhesiveness with a board | substrate. 0.1 mass% is added. Preferably it is 0.2-10 mass%, More preferably, it is 0.3-7 mass%, Especially preferably, it is added in the range of 0.5-5 mass%. As for the number (number of functional group) of the site | part which has an ethylenically unsaturated bond, 1-3 are preferable.
또한, 본 발명의 조성물은 조제시에 있어서의 수분량이 바람직하게는 2.0질량%이하, 보다 바람직하게는 1.5질량%, 더욱 바람직하게는 1.0질량%이하이다. 조제시에 있어서의 수분량을 2.0질량%이하로 함으로써, 본 발명의 조성물의 보존성을 보다 안정하게 할 수 있다. Moreover, the water content at the time of preparation of the composition of this invention becomes like this. Preferably it is 2.0 mass% or less, More preferably, it is 1.5 mass%, More preferably, it is 1.0 mass% or less. By making water content at the time of preparation into 2.0 mass% or less, the shelf life of the composition of this invention can be made more stable.
또한, 본 발명의 조성물은 유기용제의 함유량이 전체 조성물 중 3질량%이하인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 조성물은 바람직하게는 특정한 1관능 및/또는 2관능의 단량체를 반응성 희석제로서 포함하기 때문에, 본 발명의 조성물의 성분을 용해시키기 위한 유기용제는 반드시 함유될 필요가 없다. 또한, 유기용제를 함유하지 않으면, 용제의 휘발을 목적으로 한 베이킹 공정이 불필요하므로, 프로세스 간략화에 유효하게 되는 등의 메리트가 크다. 따라서, 본 발명의 조성물에서는 유기 용제의 함유량은 바람직하게는 3질량%이하, 보다 바람직하게는 2질량%이하이고, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 이와 같이, 본 발명의 조성물은 반드시 유기용제를 함유하는 것은 아니지만, 반응성 희석제에서는 용해하지 않는 화합물 등을 본 발명의 조성물로서 용해시킬 경우나 점도를 미조정할 때 등, 임의로 첨가해도 좋다. 본 발명의 조성물에 바람직하게 사용할 수 있는 유기용제의 종류로서는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물이나 포토레지스트에서 일반적으로 사용되고 있는 용제이고, 본 발명에서 사용하는 화합물을 용해 및 균일 분산시키는 것이면 좋고, 또한 이들의 성분과 반응하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다.Moreover, it is preferable that content of the organic solvent of the composition of this invention is 3 mass% or less in all the compositions. That is, since the composition of the present invention preferably contains a specific monofunctional and / or bifunctional monomer as a reactive diluent, the organic solvent for dissolving the components of the composition of the present invention does not necessarily need to be contained. In addition, if the organic solvent is not contained, a baking step for volatilization of the solvent is unnecessary, so that the merit of simplifying the process is large. Therefore, in the composition of this invention, content of the organic solvent becomes like this. Preferably it is 3 mass% or less, More preferably, it is 2 mass% or less, It is especially preferable not to contain. Thus, although the composition of this invention does not necessarily contain an organic solvent, you may add arbitrarily, such as when dissolving the compound etc. which do not melt | dissolve in a reactive diluent as a composition of this invention, when adjusting a viscosity finely. As a kind of organic solvent which can be used suitably for the composition of this invention, it is a solvent generally used in the curable composition for photo nanoimprint lithography, and a photoresist, What is necessary is just to melt | dissolve and uniformly disperse the compound used by this invention, and these It will not specifically limit, if it does not react with the component of.
상기 유기용제로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄놀 등의 알코올류; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-헵타논 등의 케톤류; 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 히드록시아세트산 에틸, 2-히드 록시-2-메틸부탄산 메틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 락트산 에스테르류 등의 에스테르류 등이 열거된다.As said organic solvent, For example, Alcohol, such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran; Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; Diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol ethyl ether acetate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and 2-heptanone; Ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetic acid, 2-hydroxy-2-methylbutanoic acid Esters such as lactic acid esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, and ethyl lactate This is listed.
또한, N-메틸포름아미드, N, N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N, N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포름, 카푸론산, 카푸릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질 알코올, 아세트산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트 등의 고비점 용제를 첨가할 수도 있다. 이들은 1종을 단독 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 상관없다.Furthermore, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether , Dihexyl ether, acetonyl acetone, isoform, capuronic acid, capuryl acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone And high boiling point solvents such as ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate. These may be used individually by 1 type and may use two or more types together.
이들 중에서도, 메톡시프로필렌글리콜아세테이트, 2-히드록시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 락트산 에틸, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논 등이 특히 바람직하다.Among these, methoxy propylene glycol acetate, 2-hydroxy propionate ethyl, 3-methoxy propionate methyl, 3-ethoxy propionate ethyl, ethyl lactate, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, etc. are especially preferable. Do.
광중합 개시제Photopolymerization initiator
본 발명의 조성물에는 광중합 개시제를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광중합 개시제는 전체 조성물 중, 예를 들면, 0.1~15질량%함유하고, 바람직하게는 0.2~12질량%이며, 더욱 바람직하게는, 0.3~10질량%이다. 2종류이상의 광중합 개시제를 사용할 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 된다. A photoinitiator can be used for the composition of this invention. The photoinitiator used by this invention contains 0.1-15 mass% in whole composition, Preferably it is 0.2-12 mass%, More preferably, it is 0.3-10 mass%. When using two or more types of photoinitiators, the total amount becomes said range.
광중합 개시제의 비율은 0.1질량%이상으로 함으로써, 감도(속경화성), 해상 성, 선가장자리 조도성, 도포막 강도가 향상하는 경향이 있어 바람직하다. 한편, 광중합 개시제의 비율을 15질량%이하로 함으로써, 광투과성, 착색성, 취급성 등이 향상하는 경향이 있어 바람직하다. 지금까지, 염료 및/또는 안료를 함유하는 잉크젯용 조성물이나 액정 디스플레이 컬러필터용 조성물에 있어서는 바람직한 광중합 개시제 및/또는 광산발생제의 첨가량이 여러가지 검토되어 왔지만, 나노 임프린트용 등의 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물에 대한 바람직한 광중합 개시제 및/또는 광산발생제의 첨가량에 대해서는 보고되지 않고 있다. 즉, 염료 및/또는 안료를 함유하는 계에서는 이들이 라디컬 트랩제로서 작용하는 경우가 있고, 광중합성, 감도에 영향을 미친다. 그 점을 고려하고, 이들의 용도로는, 광중합 개시제의 첨가량이 최적화된다. 한편으로, 본 발명의 조성물에서는 염료 및/또는 안료는 필수성분이 아니고, 광중합 개시제의 최적범위가 잉크젯용 조성물이나 액정디스플레이 컬러필터용 조성물 등의 분야의 것과는 다른 경우가 있다. Since the ratio of a photoinitiator shall be 0.1 mass% or more, since it exists in the tendency for a sensitivity (fast curing property), resolution, line edge roughness, and coating film strength to improve, it is preferable. On the other hand, when the ratio of a photoinitiator is 15 mass% or less, there exists a tendency for light transmittance, coloring property, handleability, etc. to improve, and it is preferable. Until now, various addition amounts of preferred photopolymerization initiators and / or photoacid generators have been studied in the composition for inkjets and liquid crystal display color filters containing dyes and / or pigments, but for photo nanoimprint lithography such as for nanoimprints. There is no report on the addition amount of the preferable photoinitiator and / or the photo-acid generator to curable composition. That is, in systems containing dyes and / or pigments, these may act as radical trapping agents and affect photopolymerization and sensitivity. In view of this, the addition amount of a photoinitiator is optimized by these uses. On the other hand, in the composition of this invention, dye and / or a pigment are not an essential component, and the optimal range of a photoinitiator may differ from the thing of the field | areas, such as a composition for inkjets and a composition for liquid crystal display color filters.
본 발명에서 사용되는 광중합 개시제는 사용하는 광원의 파장에 대하여 활성을 갖는 것이 배합되고, 적절한 활성종을 발생시키는 것을 사용한다. 또한, 광중합 개시제는 1종류만으로도, 2종류이상 사용해도 좋다. As a photoinitiator used by this invention, what has activity with respect to the wavelength of the light source to be used is mix | blended, and the thing which produces suitable active species is used. In addition, you may use only one type or two or more types of photoinitiators.
본 발명에서 사용되는 라디컬 광중합 개시제는, 예를 들면, 시판되어 있는 개시제를 이용할 수 있다. 이들의 예로서는 Ciba사로부터 입수가능한 Irgacure(등록상표) 2959(1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, Irgacure(등록상표) 184(1-히드록시시클로헥실페닐케톤), Irgacure(등록상표) 500 (1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조페논), Irgacure(등록상표) 651(2,2-디메톡시 -1, 2-디페닐에탄-1-온 ), Irgacure(등록상표) 369(2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)부타논-1), Irgacure(등록상표) 907(2-메틸-1[4-메틸티오페닐]-2-몰포리노프로판-1-온 , Irgacure(등록상표) 819(비스(2, 4, 6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, Irgacure(등록상표) 1800(비스(2, 6-디메톡시벤조일)-2, 4, 4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드, 1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤), Irgacure(등록상표) 1800(비스(2, 6-디메톡시벤조일)-2, 4, 4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로판-1-온), Irgacure(등록상표)OXE01 (1, 2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-2-(O-벤조일옥심), Darocur(등록상표) 1173(2-히드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로판-1-온), Darocur(등록상표) 1116, 1398, 1174 및 1020, CGI242(에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), BASF사에서 입수가능한 Lucirin TPO(2, 4, 6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드), Lucirin TPO-L(2, 4, 6-트리메틸벤조일페닐에톡시포스핀옥사이드), ESACUR니혼 시베르헤그너사에서 입수가능한 ESACURE 1001M(1-[4-벤조일페닐술파닐]페닐]-2-메틸-2- (4-메틸페닐술포닐)프로판-1-온, N-1414 아사히덴카샤에서 입수가능한 아데카옵토머(등록상표)N-1414(카르바졸·페논계), 아데카옵토머(등록상표)N-1717(아크리딘계), 아데카옵토머(등록상표)N-1606(트리아진계), 산와케미컬 제작의 TFE-트리아진(2-[2-(푸란-2-일)비닐]-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1, 3, 5-트리아진), 산와케미컬 제작의 TME-트리아진(2-[2-(5-메틸푸란-2-일)비닐]-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1, 3, 5-트리아진), 산와케미컬 제작의 MP-트리아진(2-(4-메톡시페닐)-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1, 3, 5-트리아진), 미도리 가가쿠 제작 TAZ-113(2-[2-(3, 4- 디메톡시페닐)에테닐]-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1, 3, 5-트리아진), 미도리 가가쿠 제작 TAZ-108(2-(3, 4-디메톡시페닐)-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1, 3, 5-트리아진), 벤조페논, 4, 4'-비스디에틸아미노벤조페논, 메틸-2-벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 4-페닐벤조페논, 에틸미히러즈 케톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 4-이소프로필티옥산톤, 2, 4-디에틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 티옥산톤 암모늄염, 벤조인, 4, 4'-디메톡시벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤질디메틸케탈, 1, 1, 1-트리클로로아세토페논, 디에톡시아세토페논 및 디벤조스베론, o-벤조일 안식향산 메틸, 2-벤조일나프탈렌, 4-벤조일비페닐, 4-벤조일디페닐에테르, 1, 4-벤조일벤젠, 벤질, 10-부틸-2-클로로아크리돈, [4-(메틸페닐티오)페닐]페닐메탄), 2-에틸안트라퀴논, 2, 2-비스(2-클로로페닐) 4, 5, 4', 5'-테트라키스(3, 4, 5-트리메톡시페닐) 1, 2'-비이미다졸, 2, 2-비스(o-클로로페닐), 4, 5, 4', 5'-테트라페닐-1, 2-비이미다졸, 트리스(4-디메틸아미노페닐)메탄, 에틸-4-(디메틸아미노)벤조에이트, 2-(디메틸아미노)에틸벤조에이트, 부톡시에틸-4- (디메틸아미노)벤조에이트 등이 열거된다. The radical photoinitiator used by this invention can use a commercially available initiator, for example. Examples thereof include Irgacure® 2959 (1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, available from Ciba, Irgacure ( 184 (1-hydroxycyclohexylphenylketone), Irgacure (R) 500 (1-hydroxycyclohexylphenylketone, benzophenone), Irgacure (R) 651 (2,2-dimethoxy-1) , 2-diphenylethan-1-one), Irgacure® 369 (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1), Irgacure® 907 ( 2-methyl-1 [4-methylthiophenyl] -2-morpholinopropan-1-one, Irgacure® 819 (bis (2, 4, 6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, Irgacure (registered) 1800 (bis (2, 6-dimethoxybenzoyl) -2, 4, 4-trimethyl-pentylphosphineoxide, 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone), Irgacure® 1800 (bis (2) , 6-dimethoxybenzoyl) -2, 4, 4-trimethyl-pentylphosphineoxide, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propan-1-one ), Irgacure® OXE01 (1, 2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -2- (O-benzoyloxime), Darocur® 1173 (2-hydroxy-2 -Methyl-1-phenyl-1-propan-1-one), Darocur® 1116, 1398, 1174 and 1020, CGI242 (ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl)- 9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Lucirin TPO (2, 4, 6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide) available from BASF, Lucirin TPO-L (2, 4 , 6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide), ESACURE 1001M (1- [4-benzoylphenylsulfanyl] phenyl] -2-methyl-2- (4-methylphenylsulfonyl) available from ESACUR Nihon Siberhegner ) Propan-1-one, adekaoptomer (registered trademark) N-1414 (carbazole phenone system), adekaoptomer (registered trademark) N-1717 (acridine system) available from Asahi Denkasha ), Adekaoptomer (registered trademark) N-1606 (triazine type), TFE-triazine (2- [2- (furan-2-yl) vinyl] -4, 6-bis (trichloro) produced by Sanwa Chemical Methyl) -1,3,5-triazine), TME-triazine (2- [2- (5-methylfuran-2-yl) vinyl] -4, 6-bis (trichloromethyl) manufactured by Sanwa Chemical -1, 3, 5-triazine), MP-triazine (2- (4-methoxyphenyl) -4, 6-bis (trichloromethyl) -1, 3, 5-triazine) manufactured by Sanwa Chemical , TAZ-113 (2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4, 6-bis (trichloromethyl) -1, 3, 5-triazine) produced by Midori Kagaku, Midori Kaga Co., Ltd. TAZ-108 (2- (3, 4-dimethoxyphenyl) -4, 6-bis (trichloromethyl) -1, 3, 5-triazine), benzophenone, 4, 4'-bisdiethyl Aminobenzophenone, methyl-2-benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide, 4-phenylbenzophenone, ethylmylerus ketone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2 Isopropyl thioxanthone, 4-isopropyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 1-chloro-4-propoxycytoxanthone, 2-methyl thioxanthone, thioxanthone ammonium salt, benzo Phosphorus, 4, 4'-dimethoxybenzoin, benzoinmethyl Tere, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyldimethyl ketal, 1, 1, 1-trichloroacetophenone, diethoxyacetophenone and dibenzosverone, methyl o-benzoyl benzoate, 2-benzoylnaphthalene, 4-benzoylbiphenyl, 4-benzoyldiphenylether, 1, 4-benzoylbenzene, benzyl, 10-butyl-2-chloroacridone, [4- (methylphenylthio) phenyl] phenylmethane) , 2-ethylanthraquinone, 2, 2-bis (2-chlorophenyl) 4, 5, 4 ', 5'-tetrakis (3, 4, 5-trimethoxyphenyl) 1, 2'-biimidazole , 2, 2-bis (o-chlorophenyl), 4, 5, 4 ', 5'-tetraphenyl-1, 2-biimidazole, tris (4-dimethylaminophenyl) methane, ethyl-4- (dimethyl Amino) benzoate, 2- (dimethylamino) ethyl benzoate, butoxyethyl-4- (dimethylamino) benzoate, etc. are mentioned.
또한, 본 발명의 조성물에는 광중합 개시제 이외에, 광증감제를 가하여 UV영역의 파장을 조정할 수도 있다. 본 발명에 있어서 사용할 수 있는 전형적인 증감제로서는, 크리벨로[J.V.Crivello, Adv.in Polymer Sci, 62, 1(1984)]에 개시되어 있는 것이 열거되고, 구체적으로는, 피렌, 페릴렌, 아크리딘 오렌지, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 벤조플라빈, N-비닐카르바졸, 9, 10-디부톡시안트라센, 안트라 퀴논, 쿠마린, 케토쿠마린, 페난트렌, 캄파퀴논, 페노티아진 유도체 등을 열거할 수 있다.In addition to the photopolymerization initiator, the photosensitizer may be added to the composition of the present invention to adjust the wavelength of the UV region. As a typical sensitizer which can be used in this invention, what is disclosed by J. Crivello, Adv. In Polymer Sci, 62, 1 (1984) is mentioned, Specifically, pyrene, perylene, and acre Dean orange, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, benzoflavin, N-vinylcarbazole, 9, 10-dibutoxyanthracene, anthraquinone, coumarin, ketocoumarin, phenanthrene, campaquinone, phenothiazine Derivatives and the like.
본 발명의 조성물에 있어서의 광증감제의 함유 비율은 상기 조성물 중 15질량%이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 8질량%이하, 특히 바람직하게는 5질량%이하가 바람직하다. 광증감도제 함유 비율의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 효과를 발현하기 위해서는, 광증감제 함유 비율의 하한은 0.1질량%정도이다. It is preferable that the content rate of the photosensitizer in the composition of this invention is 15 mass% or less in the said composition, More preferably, it is 8 mass% or less, Especially preferably, 5 mass% or less is preferable. Although the minimum of a photosensitizer content rate is not specifically limited, In order to express an effect, the minimum of a photosensitizer content rate is about 0.1 mass%.
본 발명의 조성물에는 광경화 반응의 촉진 등의 목적으로, 자외선 등의 에너지 선을 받는 것에 의해 광중합을 개시시키는 광산발생제를 첨가해도 좋다. You may add the photo-acid generator which starts photopolymerization to the composition of this invention by receiving energy rays, such as an ultraviolet-ray, for the purpose of accelerate | stimulating a photocuring reaction.
광산발생제의 시판품으로서는, IRGACURE261, IRGACURE OXE01, IRGACURE CGI-1397(이상, 치바·스페셜티·케미컬즈(주) 제작) 등이 열거될 수 있다. 상기의 광산발생제는 1종 단독으로 또는 2종이상 조합시켜서 사용할 수 있다.As a commercial item of a photo-acid generator, IRGACURE261, IRGACURE OXE01, IRGACURE CGI-1397 (above, Chiba Specialty Chemicals make), etc. are mentioned. Said photo-acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
또한, 상기 산발생제는 상기 광중합 개시제로서 조합시켜서 사용할 수 있다. 이 경우, 광산발생제는 0.05~3.0질량%의 범위로 사용하고, 광중합 개시제와 광산발생제를 병용하여, 0.5~15.0질량%의 범위로 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 중합 개시를 위한 광은 자외광, 근자외광, 원자외광, 가시광, 적외광 등의 영역의 파장의 광 또는 전자파뿐만 아니라, 방사선도 포함되고, 방사선에는, 예를 들면, 마이크로파, 전자선, EUV, X선이 포함된다. 또 248nm엑시머 레이저, 193nm엑시머 레이저, 172nm엑시머 레이저 등의 레이저광도 사용할 수 있다. 이들의 광은 광학 필터를 통한 모노 크롬 광(단일 파장광)을 사용해도 좋고, 복수의 파장의 다른 광(복합 광)이어도 좋다. 노광은 다중 노광도 가능하고, 막강도, 에칭 내성을 높이는 등의 목적으로 패턴 형성한 후, 더욱 전체면 노광하는 것도 가능하다. In addition, the said acid generator can be used in combination as said photoinitiator. In this case, it is preferable to use a photo-acid generator in the range of 0.05-3.0 mass%, use a photoinitiator and a photo-acid generator together, and to use in the range of 0.5-15.0 mass%. The light for initiating the polymerization of the present invention includes not only light or electromagnetic waves in the wavelength range of ultraviolet light, near ultraviolet light, far ultraviolet light, visible light, infrared light and the like, but also radiation, and the radiation includes, for example, microwaves, electron beams, EUV and X-rays are included. Moreover, laser beams, such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, and a 172 nm excimer laser, can also be used. These light may use monochromatic light (single wavelength light) through an optical filter, and may be other light of multiple wavelengths (composite light). Multiple exposure is also possible, and after forming a pattern for the purpose of raising film strength, etching resistance, etc., it is also possible to expose whole surface further.
본 발명에서 사용되는 광중합 개시제는 사용하는 광원의 파장에 대하여 적시에 선택할 필요가 있지만, 몰드 가압·노광 중에 가스를 발생시키지 않는 것이 바람직하다. 가스가 발생하면, 몰드가 오염되므로 빈번하게 몰드를 세정하지 않으면 안되거나, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물이 몰드내에서 변형되고, 전사패턴 정밀도를 열화시키는 등의 문제를 발생한다. 가스를 발생시키지 않는 것은 몰드가 오염되기 어렵게 하고, 몰드의 세정 빈도가 감소하거나, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물이 몰드내에서 변형하기 어려우므로 전사패턴 정밀도를 열화시키기 어려운 등의 관점에서 바람직하다.Although the photoinitiator used by this invention needs to be selected timely with respect to the wavelength of the light source to be used, it is preferable not to generate gas during mold pressurization and exposure. When the gas is generated, the mold is contaminated, so that the mold must be frequently cleaned, or the curable composition for photo nanoimprint lithography deforms in the mold, and deteriorates the accuracy of the transfer pattern. The absence of gas is preferable from the viewpoint of making the mold hard to be contaminated, reducing the frequency of cleaning of the mold, or making it difficult to deform the curable composition for photo nanoimprint lithography in the mold, thereby deteriorating the transfer pattern precision.
계면활성제Surfactants
본 발명의 조성물은 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성제 중 적어도 1종을 0.001~5질량% 함유한다. 조성물 중의 상기 계면활성제 비율은 0.002~4질량%가 바람직하고, 특히 0.005~3질량%가 바람직하다.The composition of this invention contains 0.001-5 mass% of at least 1 sort (s) of a fluorine-type surfactant, a silicone type surfactant, and a fluorine-silicone surfactant. 0.002-4 mass% is preferable, and, as for the said surfactant ratio in a composition, 0.005-3 mass% is especially preferable.
불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성제가 조성물 중 0.001미만으로는, 도포의 균일성의 효과가 불충분하고, 한편, 5질량%을 초과하면, 몰드 전사특성을 악화시키므로 바람직하지 않다. 본 발명에서 사용하는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소·실리콘계 계면활성제는 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합시켜서 사용해도 좋다. 본 발명에서는 불소계 계면활성제와 실리콘계 계면활성제의 양쪽 또는 불소·실리콘계 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다.If the fluorine-based surfactant, the silicone-based surfactant, and the fluorine-silicone-based surfactant are less than 0.001 in the composition, the effect of uniformity of coating is insufficient. On the other hand, if the content exceeds 5% by mass, the mold transfer property is deteriorated. The fluorine-based surfactant, silicone-based surfactant, and fluorine-silicone-based surfactant used in the present invention may be used alone or in combination of two or more kinds thereof. In this invention, it is preferable to contain both a fluorine-type surfactant and a silicone type surfactant, or a fluorine-silicone surfactant.
특히, 불소·실리콘계 계면활성제를 함유하는 것이 가장 바람직하다. In particular, it is most preferable to contain a fluorine-silicone surfactant.
여기서, 불소·실리콘계 계면활성제란, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제의 양쪽의 요건을 아울러 가지는 것을 말한다.Here, a fluorine-silicone surfactant means having both the requirements of a fluorine-type surfactant and a silicone type surfactant together.
이러한 계면활성제를 사용함으로써, 본 발명의 조성물을 반도체 소자 제조용의 실리콘 웨이퍼나, 액정 소자 제조용의 사방이 유리인 기판, 크롬막, 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 탄탈막, 탄탈합금막, 질화규소막, 아모르포스 실리콘막, 산화 주석을 도프한 산화 인듐(ITO)막이나 산화 주석막 등의 각 종의 막이 형성되는 등 기판 상의 도포 시에 일어나는 스트라이에이션이나 비늘상의 모양(레지스트 막의 건조 얼룩) 등의 도포 불량의 문제를 해결할 목적, 및 몰드 오목부의 캐비티내로의 조성물의 유동성을 양호하게 하고, 몰드와 레지스트간의 박리성을 양호하게 하고, 레지스트와 기판간의 밀착성을 양호하게 하는 조성물의 점도를 저하하는 등이 가능하게 된다. 특히, 본 발명의 조성물에 있어서, 상기 계면활성제를 첨가함으로써, 도포 균일성을 대폭 개량할 수 있고, 스핀 코터나 슬릿스캔 코터를 사용한 도포에 있어서, 기판 사이즈에 의존하지 않는 양호한 도포 적성이 얻어진다. By using such a surfactant, the composition of this invention is used for the silicon wafer for semiconductor element manufacture, the board | substrate whose glass is four sides for liquid crystal element manufacture, a chromium film, a molybdenum film, a molybdenum alloy film, a tantalum film, a tantalum alloy film, a silicon nitride film, Coatings such as striations or scaly patterns (dry stains on the resist film) that occur during application on the substrate, such as an amorphous silicon film, an indium oxide (ITO) film doped with tin oxide, or a tin oxide film are formed. The purpose of solving the problem of the defect, and to improve the fluidity of the composition into the cavity of the mold recess, to improve the peelability between the mold and the resist, to lower the viscosity of the composition to improve the adhesion between the resist and the substrate, and the like It becomes possible. In particular, in the composition of the present invention, by adding the surfactant, coating uniformity can be greatly improved, and in a coating using a spin coater or a slit scan coater, good coating aptitude not depending on the substrate size is obtained. .
본 발명에 사용되는 비이온성 불소계 계면활성제의 예로서는, 상품명 플로라이드 FC-430, FC-431(스미토모쓰리엠사 제작), 상품명 서프레온「S-382」(아사히글라스사 제작), EFTOP 「EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127, MF-100」(토켐 프로덕츠사 제작), 상품 명PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520(모두 OMNOVA사 제작), 상품명 프터젠트 FT250, FT251, DFX18(모두 (주)네오스사 제작), 상품명 유니다인 DS-401, DS-403, DS-451(모두 다이킨고교(주)사 제작), 상품명메가팩 171, 172, 173, 178K, 178A(모두 다이니폰잉크가가쿠고교사 제작)이 열거되고, 비이온성 규소계 계면활성제의 예로서는, 상품명 SI-10시리즈(타케모토유지사 제작), 메가팩 페인택드 31(다이니폰잉크가가쿠고교사 제작), KP-341(신에츠가가쿠고교사 제작)이 열거된다. Examples of the nonionic fluorine-based surfactants used in the present invention include the brand name Floride FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo ThreeM Co., Ltd.), the brand name Supreon "S-382" (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), and the EFTOP "EF-122A". , 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127, MF-100 '' (manufactured by Tochem Products, Inc.), product name PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520 (all manufactured by OMNOVA Corporation) ), Brand name gent 250, FT251, DFX18 (all made by Neos Co., Ltd.), brand name Unidine DS-401, DS-403, DS-451 (all made by Daikin Kogyo Co., Ltd.), brand name Mega Pack 171 , 172, 173, 178K, 178A (both manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) are listed, and examples of nonionic silicon-based surfactants include the trade name SI-10 series (manufactured by Takemoto Yuji Co., Ltd.) and MegaPack Painttack 31 ( Dainippon Ink and Chemical Industries, Ltd.) and KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) are listed.
본 발명에서 사용되는 불소·실리콘계 계면활성제의 예로서는 상품명 X-70-090, X-70-091, X-70-092, X-70-093(모두 신에츠가가쿠고교사 제작), 상품명 메가팩 R-08, XRB-4(모두 다이니폰잉크가가쿠고교사 제작)가 열거된다. Examples of the fluorine-silicone surfactant used in the present invention include trade names X-70-090, X-70-091, X-70-092, and X-70-093 (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), trade name Megapack R. -08 and XRB-4 (all are manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.).
본 발명의 조성물에는, 상기 이외에 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 유연성 등을 개량할 목적으로, 다른 비이온계 계면활성제를 병용해도 좋다. 비이온계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 타케모토유지(주)사 제작의 파이오닌시리즈의 D-3110, D-3120, D-3412, D-3440, D-3510, D-3605 등 폴리옥시에틸렌알킬아민, 타케모토유지(주)사 제작의 파이오닌시리즈의 D-1305, D-1315, D-1405, D-1420, D-1504, D-1508, D-1518 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 타케모토유지(주)사 제작의 파이오닌시리즈의 D-2112-A, D-2112-C, D-2123-C 등의 폴리옥시에틸렌모노지방산 에스테르, 타케모토유지(주)사 제작의 파이오닌시리즈의 D-2405-A, D-2410-D, D-2110-D 등의 폴리옥시에틸렌디지방산 에스테르, 타케모토유지(주)사 제작의 파이오닌시리즈의 D-406, D-410, D-414, D-418 등의 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 닛신가가쿠고교(주)사 제작의 서피놀시리즈의 104S, 420, 440, 465, 485 등의 폴리옥시에틸렌테트라메틸데신디올디에틸 등이 예시된다. 또한, 중합성 불포화기를 갖는 반응성 계면활성제도 본 발명에서 사용되는 계면활성제와 병 용할 수 있다. 예를 들면, 알릴옥시폴리에틸렌글리콜모노메타아크릴레이트(일본유지(주) 상품명: 브렘머 PKE시리즈), 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜모노메타아크릴레이트(일본유지(주) 상품명: 브렘머 PNE시리즈), 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜모노메타아크릴레이트(일본유지(주) 상품명: 브렘머 PNP시리즈), 노닐페녹시폴리(에틸렌글리콜-프로필렌글리콜)모노메타아크릴레이트(일본유지(주) 상품명: 브렘머 PNEP-600), 아쿠아론 RN-10, RN-20, RN-30, RN-50, RN-2025, HS-05, HS-10, HS-20(다이이치고교제약(주)사 제작) 등이 열거된다. 다른 비이온계 계면활성제의 첨가량은 0.001~5질량%가 바람직하고, 0.005~3질량%가 보다 바람직하다.You may use together another nonionic surfactant for the composition of this invention in order to improve the flexibility, etc. of the curable composition for optical nanoimprint lithography in addition to the above. As a commercial item of a nonionic surfactant, it is poly, such as D-3110, D-3120, D-3412, D-3440, D-3510, D-3605 of the pioneer series by Takemoto Yuji Co., Ltd., for example. Polyoxyethylene alkyl, such as D-1305, D-1315, D-1405, D-1420, D-1504, D-1508, D-1518 of the oxyethylene alkylamine and the pionein series by Takemoto Yuji Co., Ltd. Ether, polyoxyethylene monofatty acid esters, such as D-2112-A, D-2112-C, and D-2123-C of the pioneine series by Takemoto Yuji Co., Ltd. and pionein by Takemoto Yuji Co., Ltd. Polyoxyethylene difatty acid esters, such as D-2405-A, D-2410-D, and D-2110-D of the series, and D-406, D-410, and D- of the Pioneer series manufactured by Takemoto Yuji Co., Ltd. Polyoxyethylene alkyl phenyl ethers, such as 414 and D-418, Polyoxyethylene tetramethyl decyne diol diethyl, such as 104S, 420, 440, 465, 485 of SUFINOL series made by Nisshin Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned. Is illustrated. Moreover, the reactive surfactant which has a polymerizable unsaturated group can also be used together with surfactant used in this invention. For example, allyloxy polyethylene glycol monomethacrylate (Japanese fats and oils brand name: Bremermer PKE series), nonylphenoxy polyethylene glycol monomethacrylate (Japanese fats and oils company brand name: Bremermer PNE series), nonyl Phenoxy polypropylene glycol monomethacrylate (Japanese fats and oils) brand name: Bremmer PNP series, nonyl phenoxy poly (ethylene glycol-propylene glycol) monomethacrylate (Japanese fats and oils) brand name: Bremmer PNEP- 600), Aquaron RN-10, RN-20, RN-30, RN-50, RN-2025, HS-05, HS-10, HS-20 (made by Daiichi Kogyo Pharmaceutical Co., Ltd.) do. 0.001-5 mass% is preferable, and, as for the addition amount of another nonionic surfactant, 0.005-3 mass% is more preferable.
무기 산화물 미립자 Inorganic oxide fine particles
본 발명의 조성물에는 무기 산화물 미립자가 포함된다.The composition of the present invention contains inorganic oxide fine particles.
본 발명의 조성물에 유용한 무기 산화물 미립자는 광경화성 수지 조성물의 내열성, 택성, 경도 등의 향상이나 내촬상성, 내마모성, 역학 특성 등의 기계 강도를 향상시킬 목적으로 주로 첨가되는 것이고, 얻어지는 조성물이 투명이 되는 것이라면, 그 종류나 입자 사이즈, 형태는 특별히 제한되지 않는다. 또한, 무기 산화물 미립자의 첨가는 경화 수축에 따르는 기판 밀착성의 악화를 개선하기 위해서도 유효하다. 무기 산화물 미립자의 예로서는 실리카(특히, 콜로이드 실리카), 알루미나, 산화 티탄, 산화 주석, 이종원소 도프 산화 주석(ATO 등), 산화 인듐, 이종 원소 도프 산화 인듐(ITO 등), 산화 카드뮴, 산화 안티몬, 산화 아연, 산화 세륨, 산화 지르코늄 등이 열거된다. 이들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상 조합시켜서 사용해도 좋다. 이러한 무기 산화물 미립자는 분말상 또는 용제 분산졸의 모두 를 사용할 수 있다. 용제 분산졸일 경우, 다른 성분과의 상용성, 분산성의 관점에서, 분산매는 유기 용제가 바람직하다. 이러한 유기 용제로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄놀, 이소프로판올, 부탄올, 옥탄올 등의 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르류; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류가 열거될 수 있다. 그 중에서도, 메탄올, 이소프로판올, 부탄올, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 톨루엔, 크실렌이 바람직하다. 용제 분산졸을 본 발명의 조성물에 배합할 경우, 용제도 동시에 배합되는 것이기 때문에, 그 때, 유기용제의 함유량이 전체 조성물 중 3질량%이하가 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 유기용제를 포함하지 않으면, 용제의 휘발을 목적으로 하는 베이킹 공정이 불필요하게 되므로, 프로세스 간략화에 유효가 되는 등의 메리트가 크다. 따라서, 본발명의 조성물에서는 유기용제의 함유량은 바람직하게는 3질량%이하, 보다 바람직하게는 2질량%이하이고, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 따라서, 용제 분산졸을 첨가하는 것 보다도 분체 또는 본 발명의 반응성 단량체(희석제)에 분산되어진 입자를 첨가하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 입자의 분산성을 개량하기 위해서 각종의 계면활성제, 분산제, 아민류를 첨가해도 좋다. The inorganic oxide fine particles useful in the composition of the present invention are mainly added for the purpose of improving the heat resistance, the tackiness, the hardness, and the mechanical strength such as the imaging resistance, the wear resistance, the mechanical properties, etc. of the photocurable resin composition, and the resulting composition is transparent. If it becomes, the kind, particle size, and form will not be restrict | limited in particular. In addition, the addition of the inorganic oxide fine particles is also effective for improving the deterioration of the substrate adhesion due to the curing shrinkage. Examples of the inorganic oxide fine particles include silica (especially colloidal silica), alumina, titanium oxide, tin oxide, hetero element dope tin oxide (ATO, etc.), indium oxide, hetero element dope indium oxide (ITO, etc.), cadmium oxide, antimony oxide, Zinc oxide, cerium oxide, zirconium oxide and the like. These may be used independently and may be used in combination of 2 or more types. These inorganic oxide fine particles can use either powder form or a solvent dispersion sol. In the case of a solvent dispersion sol, the organic solvent is preferably used as the dispersion medium from the viewpoint of compatibility with other components and dispersibility. As such an organic solvent, For example, Alcohol, such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, an octanol; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate and γ-butyrolactone; Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like can be enumerated. Especially, methanol, isopropanol, butanol, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, butyl acetate, toluene, and xylene are preferable. When mix | blending a solvent dispersion sol with the composition of this invention, since a solvent is also mix | blended simultaneously, it is preferable to mix | blend so that content of the organic solvent may be 3 mass% or less in all the compositions. As described above, if the organic solvent is not contained, the baking step for volatilization of the solvent becomes unnecessary, so that the merit of simplifying the process is large. Therefore, in the composition of this invention, content of the organic solvent becomes like this. Preferably it is 3 mass% or less, More preferably, it is 2 mass% or less, It is especially preferable not to contain. Therefore, it is particularly preferable to add the particles dispersed in the powder or the reactive monomer (diluent) of the present invention rather than adding the solvent dissolving sol. Moreover, in order to improve the dispersibility of particle | grains, you may add various surfactant, a dispersing agent, and amines.
본 발명에 사용되는 무기 산화물 미립자의 형상은 특별히 정해진 것은 아니 지만, 구상, 중공상, 다공질상, 봉상, 판상, 섬유상, 또는 부정형상이 열거되고, 바람직하게는 구상이다.Although the shape of the inorganic oxide fine particle used for this invention is not specifically determined, spherical shape, hollow shape, porous shape, rod shape, plate shape, fibrous form, or irregular shape is mentioned, Preferably it is spherical shape.
무기 산화물 미립자의 입자 사이즈는 얻어지는 광경화성 수지 조성물층의 투명성의 관점에서, 통상은 200nm이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 100nm이하이고, 더욱 바람직하게는 50nm이하이다. 또한, 무기 산화물 미립자의 첨가량은 본 발명의 조성물에 대하여, 0.1~50질량%의 범위로 포함한다. 바람직하게는, 1~40질량%, 더욱 바람직하게는 5~30질량%의 범위로 포함하는 것이 바람직하다. 무기 산화물 미립자의 첨가량이 0.1질량%미만인 경우에는, 내촬상성, 내마모성, 역학특성 등의 기계 강도의 향상 효과가 확인되지 않는 경우가 있고, 또 첨가량이 50질량%를 초과할 경우에는 광경화성 수지조성물의 액점도가 높아져 보존 안정성이나 투명성이 저하하는 경우가 있다.It is preferable that the particle size of an inorganic oxide fine particle is 200 nm or less normally from a transparency viewpoint of the photocurable resin composition layer obtained. More preferably, it is 100 nm or less, More preferably, it is 50 nm or less. In addition, the addition amount of an inorganic oxide microparticle is included in the range of 0.1-50 mass% with respect to the composition of this invention. Preferably, it is 1-40 mass%, More preferably, it is preferable to include in the range of 5-30 mass%. When the addition amount of the inorganic oxide fine particles is less than 0.1% by mass, the effect of improving mechanical strength such as imaging resistance, abrasion resistance, and mechanical properties may not be confirmed, and when the addition amount exceeds 50% by mass, the photocurable resin The liquid viscosity of a composition may become high and storage stability and transparency may fall.
본 발명에서 사용되는 무기 산화물 미립자의 시판품으로서는, 예를 들면, 알루미나의 수분산품으로서는, 닛산가가쿠고교(주) 제작, 상품명: 알루미나졸-100, -200, -520; 산화 티탄의 수분산품으로서는, 이시하라산교우(주) 제작, 상품명: TTO-W5; 안티몬산 아연 분말의 수분산품으로서는 닛산가가쿠고교(주) 제작, 상품명: 셀낙스; 알루미나, 산화 티탄, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연 등의 분말 및 용제 분산품으로서는, 시아이 카세이(주) 제작, 상품명: 나노텍; 산화 티탄, 산화 주석의 복합 산화물의 수분산품으로서는 닛산가가쿠고교(주) 제작, 상품명:HIT-15W1; 안티몬 도프 산화 주석의 수분산졸로서는, 이시하라산교우(주) 제작, 상품명: SN-100D; ITO분말로서는 미츠비시 마테리얼(주) 제작의 제품; 산화 세륨 수분 산액으로서는, 다키가가쿠(주) 제작, 상품명: 니도랄, 산화 주석의 수분산품으로서는, 이시하라산교우(주) 제작, 상품명: SN-38F, SN-88F; 산화 지르코늄의 수분산품으로서는, 스미토모오사카시멘트(주) 제작, 상품명: FFT-150W, 닛산가가쿠고교(주) 제작, 상품명: HZ-307W6; 등을 들 수 있다.As a commercial item of the inorganic oxide microparticles | fine-particles used by this invention, As a water dispersion product of an alumina, Nissan Chemical Industries, Ltd. make, brand names: alumina sol-100, -200, -520; As an aqueous dispersion of titanium oxide, Ishihara Sangyo Co., Ltd. make, brand name: TTO-W5; As a water dispersion product of the zinc antimonate powder, Nissan Chemical Co., Ltd. make, brand names: Celnax; As powder and solvent dispersion products, such as an alumina, a titanium oxide, a tin oxide, an indium oxide, and a zinc oxide, the product made by Shia Kasei Co., Ltd., brand name: Nanotech; As a water dispersion product of the composite oxide of titanium oxide and tin oxide, Nissan Chemical Co., Ltd. make, brand name: HIT-15W1; As an aqueous dispersion sol of antimony dope tin oxide, Ishihara Sangyo Co., Ltd. make, brand names: SN-100D; As ITO powder, the product made by Mitsubishi Material Co., Ltd .; As the cerium oxide water dispersion, Takigaku Co., Ltd. make, brand name: nidoral, and tin oxide are water dispersion products, Ishihara Sangyo Co., Ltd. make, brand names: SN-38F, SN-88F; As a water dispersion product of zirconium oxide, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. make, brand name: FFT-150W, Nissan Chemical Industries, Ltd. make, brand name: HZ-307W6; Etc. can be mentioned.
본 발명에서 사용되는 무기 산화물 미립자 중에서도, 입수의 용이성이나 가격면, 얻어지는 광경화성 수지 조성물층의 투명성이나 역학 특성 발현의 관점에서, (중략) 예를 들면, 콜로이드 실리카로서, Nalcoag 1034A(미국 Nalco Chemical Company의 상표명), 닛산가가쿠고교(주) 제작 상품명: 메탄올실리카졸, IPA-ST, MEK-ST, MIBK-ST, NBA-ST, XBA-ST, DMAC-ST, EAC-ST, ST-UP, ST-OUP, ST-20, ST-40, ST-C, ST-N, ST-O, ST-50, ST-OL, 후소가가쿠고교(주) 제작, 상품명: PL-1-MA, PL-1-TOL, PL-1-IPA, PL-1-MEK, PL-1-PGME, PL-2L-MA, PL-2L-IPA 등을 열거할 수 있다. 또 분체 실리카로서는, 니폰 아에로질(주) 제작, 상품명: 아에로질 130, 아에로질 300, 아에로질 380, 아에로질 TT600, 아에로질 OX50, 아사히글라스(주) 제작, 상품명: 실덱스 H31, H32, H51, H52, H121, H122, 니폰 실리카 고교(주) 제작, 상품명 :E220A, E220, 후지 실리시아(주) 제작, 상품명: SYLYSIA 470, 니폰시트 글라스(주) 제작, 상품명: SG프레이크 등을 들 수 있다. 시판의 물 또는 유기용제에 분산된 콜로이드 실리카를 본 발명의 조성물에 그대로 사용하면, 물이나 유기용제도 그대로 배합되므로 시판의 콜로이드 실리카 분산체를 그대로 사용할 경우에는 실리카 성분으로서 5질량%이하의 배합량이 바람직하다.Among the inorganic oxide fine particles used in the present invention, from the viewpoint of the availability and the price, the transparency of the photocurable resin composition layer obtained and the expression of the mechanical properties, (omitted), for example, as colloidal silica, Nalcoag 1034A (Nalco Chemical, USA) Company brand name), Nissan Gakugyo Co., Ltd. product name: methanol silicazol, IPA-ST, MEK-ST, MIBK-ST, NBA-ST, XBA-ST, DMAC-ST, EAC-ST, ST-UP, ST-OUP, ST-20, ST-40, ST-C, ST-N, ST-O, ST-50, ST-OL, Fusogakuku Kogyo Co., Ltd. make, brand name: PL-1-MA, PL -1-TOL, PL-1-IPA, PL-1-MEK, PL-1-PGME, PL-2L-MA, PL-2L-IPA and the like. Moreover, as powder silica, Nippon Aerosil Co., Ltd. make, a brand name: Aerosil 130, Aerosil 300, Aerosil 380, Aerosil TT600, Aerosil OX50, Asahi glass ( Co., Ltd. make, brand name: Sildex H31, H32, H51, H52, H121, H122, Nippon Silica High School Co., Ltd. make, brand name: E220A, E220, Fuji Silysia Co., Ltd. make, brand name: SYLYSIA 470, Nippon sheet glass The make, brand name: SG flake etc. are mentioned. If colloidal silica dispersed in commercial water or an organic solvent is used as it is in the composition of the present invention, water or an organic solvent is also blended as it is. Therefore, when a commercial colloidal silica dispersion is used as it is, a compounding amount of 5 mass% or less is used as a silica component. desirable.
CH2=C(R2)COO(CH2)pSiR3n(OR1)3-n (1) CH 2 = C (R 2 ) COO (CH 2 ) p SiR 3 n (OR 1 ) 3-n (1)
(식 중, R1은 수소원자 또는 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, R2는 수소원자 또는 메틸기를 의미하고, R3은 에테르 결합, 에스테르 결합, 에폭시 결합, 메르캅토 결합 또는 아미노 결합을 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, n은 0~2의 정수이고, p는 1~6의 정수이다.)Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon residue of 1 to 10 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 3 represents an ether bond, ester bond, epoxy bond, mercapto bond or amino bond Hydrocarbon residues having 1 to 10 carbon atoms, which may have n, n is an integer of 0 to 2, and p is an integer of 1 to 6.
식 중에 복수의 R1 및/또는 R3이 포함될 경우, 이들의 R1 및/또는 R3은 각각같아도 달라도 좋다. When several R <1> and / or R <3> is included in a formula, these R <1> and / or R <3> may be same or different, respectively.
알릴기를 갖는 실란 화합물은, 예를 들면, 하기 구조식(2)으로 나타내어진다.The silane compound which has an allyl group is represented, for example by following structural formula (2).
CH2=CHCH2R2SiR3 n(OR1)3-n (2)CH 2 = CHCH 2 R 2 SiR 3 n (OR 1 ) 3-n (2)
(식 중 R1은 수소원자 또는 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 에테르 결합, 에스테르 결합, 에폭시 결합, 메르캅토 결합 또는 아미노 결합을 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, n은 0~2의 정수이다.)Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon residue of 1 to 10 carbon atoms, and R 2 and R 3 each represent 1 to 10 carbon atoms which may have an ether bond, an ester bond, an epoxy bond, a mercapto bond or an amino bond. 10 hydrocarbon residues are represented, n is an integer of 0-2.)
식 중에 복수의 R1 및/또는 R3이 포함될 경우, 이들의 R1 및/또는 R3은 각각 동일하여도 달라도 좋다.When several R <1> and / or R <3> is included in a formula, these R <1> and / or R <3> may be same or different, respectively.
CH2=CHSiR2 n(OR1)3-n (3)CH 2 = CHSiR 2 n (OR 1 ) 3-n (3)
(식 중 R1은 수소원자 또는 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, R2는 에테르 결합, 에스테르 결합, 에폭시 결합, 메르캅토 결합 또는 아미노 결합을 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, n은 0~2의 정수이다.)Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon residue of 1 to 10 carbon atoms, and R 2 represents a hydrocarbon residue of 1 to 10 carbon atoms which may have an ether bond, an ester bond, an epoxy bond, a mercapto bond or an amino bond. N is an integer of 0 to 2).
식 중에 복수의 R1 및/또는 R2가 포함될 경우, 이들의 R1 및/또는 R2는 각각 같아도 달라도 좋다.When several R <1> and / or R <2> is included in a formula, these R <1> and / or R <2> may be same or different, respectively.
(식 중 R1은 수소원자 또는 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, R2는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R3은 에테르 결합, 에스테르 결합, 에폭시 결합, 메르캅토 결합 또는 아미노 결합을 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~10개의 탄화수소 잔기를 나타내고, n은 0~2의 정수이다)Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon residue of 1 to 10 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 has an ether bond, an ester bond, an epoxy bond, a mercapto bond or an amino bond Hydrocarbon residues having 1 to 10 carbon atoms may be present, and n is an integer of 0 to 2).
식 중에 복수의 R1 및/또는 R3이 포함될 경우, 이들의 R1 및/또는 R3은 각각 같아도 달라도 좋다.When several R <1> and / or R <3> is included in a formula, these R <1> and / or R <3> may be same or different, respectively.
c가 2이상의 경우, 각각의 R1은 같아도 달라도 좋다.When c is 2 or more, each R 1 may be the same or different.
또한, 라디컬 중합성 실란 화합물과 비라디컬 중합성 실란 화합물과 병용해도 좋고, 그 사용 몰비는 1:99~99:1의 범위에 있는 것이 바람직하고, 2:98~98:2의 범위가 보다 바람직하고, 5:95~95:5의 범위가 더욱 바람직하고, 특히 10:90~80:20의 범위가 가장 바람직하다. Moreover, you may use together with a radically polymerizable silane compound and a non-radically polymerizable silane compound, It is preferable that the use molar ratio exists in the range of 1: 99-99: 1, and the range of 2: 98-98: 2 is More preferably, the range of 5: 95-95: 5 is still more preferable, The range of 10: 90-80: 20 is especially preferable.
또한, 가수분해·축합반응을 온화하게 또는 균일하게 행하기 위해서 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 이 용매로서 실리카의 분산매를 그대로 사용해도 좋고, 새로운 용매를 필요량 가해도 좋다. 새롭게 가하는 용매로서는 물;메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 메틸이소부틸케톤(MIBK) 등의 케톤류; 디옥산, 테트라히드로푸란(THF) 등의 에테르류를 열거할 수 있다.In addition, it is preferable to use a solvent in order to perform a hydrolysis-condensation reaction gently or uniformly. As this solvent, the dispersion medium of silica may be used as it is, and a required amount of new solvent may be added. As a newly added solvent, Water; Alcohol, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and methyl isobutyl ketone (MIBK); And ethers such as dioxane and tetrahydrofuran (THF).
산화 방지제 Antioxidant
또한, 본 발명의 조성물에는 공지의 산화 방지제를 함유시킬 수 있다. 산화 방지제는 열이나 광조사에 의한 퇴색 및 오존, 활성산소, NOx, SOx(X는 정수) 등의 각종의 산화성 가스에 의한 퇴색을 억제하는 것이다. 특히 본 발명에서는 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있거나 또는 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있다고 하는 이점이 있다. 이러한 산화 방지제로서는, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 질소함유 복소환 메르캅토계 화합물, 티오에테르계 산화 방지제, 힌더드 페놀계 산화 방지제, 아스코르빈산류, 황산아연, 티오시안 산염류, 티오요소 유도체, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 열거할 수 있다. 이 중에서는, 특히 힌더드페놀계 산화 방지제, 티오에테르계 산화 방지제가 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 바람직하다. Moreover, the composition of this invention can contain a well-known antioxidant. Antioxidant suppresses the discoloration by heat or light irradiation and the discoloration by various oxidizing gases, such as ozone, active oxygen, NOx, and SOx (X is an integer). In particular, in the present invention, by adding the antioxidant, there is an advantage that the coloring of the cured film can be prevented or the reduction in film thickness due to decomposition can be reduced. Examples of such antioxidants include hydrazides, hindered amine antioxidants, nitrogen-containing heterocyclic mercapto compounds, thioether antioxidants, hindered phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, and thiocyanate salts. , Thiourea derivatives, sugars, nitrites, sulfites, thiosulfates, hydroxylamine derivatives and the like. Among these, especially a hindered phenol type antioxidant and a thioether type antioxidant are preferable from a viewpoint of coloring of a cured film, and reduction of a film thickness.
산화 방지제의 시판품으로서는, Irganox 1010, 1035, 1076, 1222(이상, 치바가이기(주) 제작), Antigene P, 3C, FR, 스미라이저 S, 스미라이저 GA-80(스미토모고교가가쿠 제작), 아데카 스탑 AO70, AO80, AO503((주)ADEKA제작) 등이 열거되고, 이들은 단독으로 사용해도 좋고, 혼합해서 사용해도 좋다. 산화 방지제는 본 발명의 조성물의 전체량에 대하여, 0.01~10질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하고, 0.2~5질량%의 비율로 배합하는 것이 더욱 바람직하다. As a commercial item of antioxidant, Irganox 1010, 1035, 1076, 1222 (above, Chiba-Geigi Co., Ltd. product), Antigene P, 3C, FR, Sumiiser S, Sumiiser GA-80 (Sumitomo Kogyo Gakuku Co., Ltd.), Adeka stop AO70, AO80, AO503 (made by ADEKA Corporation) etc. are mentioned, These may be used independently and may be used in mixture. It is preferable to mix | blend antioxidant in the ratio of 0.01-10 mass% with respect to the whole amount of the composition of this invention, and it is more preferable to mix | blend in the ratio of 0.2-5 mass%.
그 밖의 성분Other ingredients
본 발명의 조성물에는 상기 성분 이외에 필요에 따라서, 이형제, 실란커플링제, 중합 금지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 노화 방지제, 가소제, 밀착 촉진제, 열중합 개시제, 착색제, 엘라스토머 입자, 광산증식제, 광염기 발생제, 염기성 화합물, 유동 조정제, 소포제, 분산제 등을 첨가해도 좋다. In the composition of the present invention, a release agent, a silane coupling agent, a polymerization inhibitor, a ultraviolet absorber, a light stabilizer, an anti-aging agent, a plasticizer, an adhesion promoter, a thermal polymerization initiator, a colorant, an elastomeric particle, a photoacid multiplier, a light, as necessary, in addition to the above components You may add a base generator, a basic compound, a flow regulator, an antifoamer, a dispersing agent, etc.
본 발명의 조성물에는, 미세 요철 패턴을 갖는 표면 구조의 내열성, 강도, 또는 금속 증착층과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 유기 금속 커플링제를 배합해도 좋다. 또한, 유기 금속 커플링제는, 열경화 반응을 촉진시키는 효과도 가지기 때문에 유효하다. 유기 금속 커플링제로서는, 예를 들면, 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 지르코늄 커플링제, 알루미늄 커플링제, 주석 커플링제 등의 각종 커플링제를 사용할 수 있다. You may mix | blend an organometallic coupling agent with the composition of this invention in order to improve the heat resistance of a surface structure which has a fine uneven | corrugated pattern, intensity | strength, or adhesiveness with a metal vapor deposition layer. Moreover, since an organometallic coupling agent also has the effect of accelerating a thermosetting reaction, it is effective. As an organometallic coupling agent, various coupling agents, such as a silane coupling agent, a titanium coupling agent, a zirconium coupling agent, an aluminum coupling agent, a tin coupling agent, can be used, for example.
상기 유기 금속 커플링제는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 고형분 전체량 중에 0.001~10질량%의 비율로 임의로 배합할 수 있다. 유기 금속 커플링제의 비율을 0.001질량%이상으로 함으로써, 내열성, 강도, 증착층과의 밀착성의 부여의 향상에 대해서 보다 효과적인 경향이 있다. 한편, 유기 금속 커플링제의 비율을 10질량%이하로 함으로써, 조성물의 안정성, 막형성성의 결함을 억제할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. The said organic metal coupling agent can be mix | blended arbitrarily in the ratio of 0.001-10 mass% in solid content whole quantity of the curable composition for optical nanoimprint lithography. By making the ratio of an organometallic coupling agent into 0.001 mass% or more, there exists a tendency which is more effective about the improvement of provision of heat resistance, intensity | strength, and adhesiveness with a vapor deposition layer. On the other hand, since the ratio of an organometallic coupling agent is 10 mass% or less, there exists a tendency which can suppress the defect of stability of a composition, and film formation, and it is preferable.
자외선흡수제의 시판품으로서는, Tinuvin P, 234, 320, 326, 327, 328, 213 (이상, 치바가이기(주) 제작), Sumisorb 110, 130, 140, 220, 250, 300, 320, 340, 350, 400(이상, 스미토모가가쿠고교(주) 제작) 등이 열거된다. 자외선 흡수제는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 전체량에 대하여 임의로 0.01~10질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. As a commercial item of a ultraviolet absorber, Tinuvin P, 234, 320, 326, 327, 328, 213 (above, Chiba-Geigi Co., Ltd.), Sumisorb 110, 130, 140, 220, 250, 300, 320, 340, 350 , 400 (above, Sumitomo Chemical Co., Ltd. make) etc. are mentioned. It is preferable to mix | blend a ultraviolet absorber in the ratio of 0.01-10 mass% arbitrarily with respect to the whole amount of the curable composition for photo nanoimprint lithography.
광안정제의 시판품으로서는, Tinuvin 292, 144, 622LD (이상, 치바가이기(주) 제작), 사놀 LS-770, 765, 292, 2626, 1114, 744(이상, 산쿄카세이고교(주) 제작) 등이 열거된다. 광안정제는 조성물의 전체량에 대하여, 0.01~10질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. Commercially available products of the light stabilizer include Tinuvin 292, 144, 622LD (above, produced by Chiba-Geigi Co., Ltd.), Sanol LS-770, 765, 292, 2626, 1114, 744 (above, manufactured by Sankyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), etc. This is listed. It is preferable to mix | blend an optical stabilizer in the ratio of 0.01-10 mass% with respect to the whole amount of a composition.
노화 방지제의 시판품으로서는 Antigene W, S, P, 3C, 6C, RD-G, FR, AW (이상, 스미토모가가쿠고교(주) 제작) 등이 열거된다. 노화 방지제는 조성물의 전체량에 대하여, 0.01~10질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. Examples of commercially available anti-aging agents include Antigene W, S, P, 3C, 6C, RD-G, FR and AW (above, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.). It is preferable to mix | blend an antioxidant at the ratio of 0.01-10 mass% with respect to the whole amount of a composition.
본 발명의 조성물에는 기판과의 접착성이나 막의 유연성, 경도 등을 조정하기 위해서 가소제를 첨가하는 것이 가능하다. 바람직한 가소제의 구체예로서는 예 를 들면, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 트리에틸렌글리콜디카프릴레이트, 디메틸글리콜프탈레이트, 트리크레질포스페이트, 디옥틸아디페이트, 디부틸세바케이트, 트리아세틸글리세린, 디메틸아디페이트, 디에틸아디페이트, 디(n-부틸)아디페이트, 디메틸스베레이트(dimethyl suberate), 디에틸스베레이트, 디(n-부틸)스베레이트 등이 있고, 가소제는 조성물 중의 30질량%이하로 임의로 첨가할 수 있다. 바람직하게는 20질량%이하이고, 보다 바람직하게는 10질량%이하이다. 가소제의 첨가 효과를 얻기 위해서는 0.1질량%이상이 바람직하다. In order to adjust adhesiveness with a board | substrate, flexibility of a film | membrane, hardness, etc., it is possible to add a plasticizer to the composition of this invention. Specific examples of preferred plasticizers include, for example, dioctylphthalate, didodecyl phthalate, triethylene glycol dicaprylate, dimethyl glycol phthalate, tricresylphosphate, dioctyl adipate, dibutyl sebacate, triacetylglycerine, and dimethyl adipate. , Diethyl adipate, di (n-butyl) adipate, dimethyl suberate, diethylsverate, di (n-butyl) sverate, and the like, and the plasticizer is optionally 30 mass% or less in the composition. Can be added. Preferably it is 20 mass% or less, More preferably, it is 10 mass% or less. In order to acquire the effect of adding a plasticizer, 0.1 mass% or more is preferable.
본 발명의 조성물을 경화시킬 경우, 필요에 따라서 열중합 개시제도 첨가할 수 있다. 바람직한 열중합 개시제로서는, 예를 들면 과산화물, 아조 화합물을 들 수 있다. 구체예로서는, 벤조일퍼옥사이드, tert-부틸-퍼옥시벤조에이트, 아조비스이소부티로니트릴 등을 열거할 수 있다.When hardening the composition of this invention, a thermal polymerization initiator can also be added as needed. As a preferable thermal polymerization initiator, a peroxide and an azo compound are mentioned, for example. Specific examples thereof include benzoyl peroxide, tert-butyl-peroxybenzoate, azobisisobutyronitrile and the like.
본 발명의 조성물은 패턴 형상, 감도 등을 조정할 목적으로, 필요에 따라서 광염기 발생제를 첨가해도 좋다. 예를 들면, 2-니트로벤질시클로헥실카르바메이트, 트리페닐메탄올, O-카르바모일히드록실아미드, O-카르바모일옥심, [[(2, 6-디니트로벤질)옥시]카르보닐]시클로헥실아민, 비스[[(2-니트로벤질)옥시]카르보닐]헥산 1, 6-디아민, 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-몰포리노에탄, (4-몰포리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, N-(2-니트로벤질옥시카르보닐)피롤리진, 헥사암민코발트(III)트리스(트리페닐메틸보레이트), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논, 2, 6-디메틸-3, 5-디아세틸-4-(2', 4'-디니트로페닐)-1, 4-디히드로피리딘, 2, 6-디메틸-3, 5-디아세틸-4-(2', 4'-디니트로페닐)-1, 4-디히드로피리딘 등이 바람직한 것으로서 열거된다. The composition of this invention may add a photobase generator as needed for the purpose of adjusting pattern shape, a sensitivity, etc. For example, 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate, triphenylmethanol, O-carbamoylhydroxyamide, O-carbamoyl oxime, [[(2, 6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] Cyclohexylamine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane 1, 6-diamine, 4- (methylthiobenzoyl) -1-methyl-1-morpholinoethane, (4-morpholinobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane, N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidin, hexaammine cobalt (III) tris (triphenylmethylborate), 2-benzyl-2-dimethylamino-1 -(4-morpholinophenyl) -butanone, 2, 6-dimethyl-3, 5-diacetyl-4- (2 ', 4'-dinitrophenyl) -1, 4-dihydropyridine, 2, 6 -Dimethyl-3, 5-diacetyl-4- (2 ', 4'-dinitrophenyl) -1, 4-dihydropyridine and the like are listed as preferred.
본 발명의 조성물에는 도막의 시인성을 향상하는 등의 목적으로, 착색제를 임의로 첨가해도 좋다. 착색제는 UV잉크젯 조성물, 컬러 필터용 조성물 및 CCD이미지 센서용 조성물 등으로 사용되는 있는 안료나 염료를 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위로 이용할 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 안료로서는 종래 공지의 각종 무기안료 또는 유기안료를 이용할 수 있다. 무기안료로서는 금속산화물, 금속착염 등으로 나타내어지는 금속화합물이고, 구체적으로는 철, 코발트, 알루미늄, 카드뮴, 납, 구리, 티탄, 마그네슘, 크롬, 아연, 안티몬 등의 금속 산화물, 금속 복합 산화물이 열거된다. 유기안료로서는 C.I.Pigment Yellow 11, 24, 31, 53, 83, 99, 108, 109, 110, 138, 139, 151, 154, 167, C.I.Pigment Orange 36, 38, 43, C.I.Pigment Red 105, 122, 149, 150, 155, 171, 175, 176, 177, 209, C.I.Pigment Violet 19, 23, 32, 39, C.I.Pigment Blue 1, 2, 15, 16, 22, 60, 66, C.I.Pigment Green 7, 36, 37, C.I.Pigment Brown 25, 28, C.I.Pigment Black 1, 7 및 카본블랙을 예시할 수 있다. 착색제는 조성물의 전체량에 대하여, 0.001~2질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하다.You may add a coloring agent to the composition of this invention arbitrarily for the purpose of improving the visibility of a coating film. A coloring agent can use the pigment and dye which are used for UV inkjet composition, the composition for color filters, the composition for CCD image sensors, etc. in the range which does not impair the objective of this invention. As a pigment which can be used by this invention, various conventionally well-known inorganic pigments or organic pigments can be used. Examples of the inorganic pigments are metal compounds represented by metal oxides, metal complex salts, and the like, and specific examples include metal oxides such as iron, cobalt, aluminum, cadmium, lead, copper, titanium, magnesium, chromium, zinc and antimony, and metal complex oxides. do. As organic pigments, CIPigment Yellow 11, 24, 31, 53, 83, 99, 108, 109, 110, 138, 139, 151, 154, 167, CIPigment Orange 36, 38, 43, CIPigment Red 105, 122, 149, 150, 155, 171, 175, 176, 177, 209, Cigigment Violet 19, 23, 32, 39, Cigigment Blue 1, 2, 15, 16, 22, 60, 66, CIPigment Green 7, 36 , 37, CIPigment Brown 25, 28, CIPigment Black 1, 7 and carbon black can be exemplified. It is preferable to mix | blend a coloring agent in the ratio of 0.001-2 mass% with respect to the whole amount of a composition.
또한, 본 발명의 조성물에서는 기계적 강도, 유연성 등을 향상하는 등의 목적으로, 임의 성분으로서 엘라스토머 입자를 첨가해도 좋다.Moreover, in the composition of this invention, you may add elastomer particle as an arbitrary component for the purpose of improving mechanical strength, flexibility, etc.
본 발명의 조성물에 임의 성분으로서 첨가할 수 있는 엘라스토머 입자는 평균 입자 사이즈가 바람직하게는 10nm~700nm, 보다 바람직하게는 30~300nm이다. 예를 들면, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 부타디엔/아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌 /부타디엔 공중합체, 스티렌/이소프렌 공중합체, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/α-올레핀계 공중합체, 에틸렌/α-올레핀계/폴리엔 공중합체, 아크릴 고무, 부타디엔/(메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 스티렌/부타디엔 블록 공중합체, 스티렌/이소프렌 블록 공중합체 등의 엘라스토머의 입자이다. 또한 이들 엘라스토머 입자를 메틸메타아크릴레이트폴리머, 메틸메타아크릴레이트/글리시딜메타아크릴레이트 공중합체 등으로 피복한 코어/셀형의 입자를 사용할 수 있다. 엘라스토머 입자는 가교 구조를 취하고 있어도 좋다. As for the elastomer particle which can be added as an arbitrary component to the composition of this invention, average particle size becomes like this. Preferably it is 10 nm-700 nm, More preferably, it is 30-300 nm. For example, polybutadiene, polyisoprene, butadiene / acrylonitrile copolymer, styrene / butadiene copolymer, styrene / isoprene copolymer, ethylene / propylene copolymer, ethylene / α-olefin copolymer, ethylene / α-olefin It is particle | grains of elastomer, such as a system / polyene copolymer, an acrylic rubber, butadiene / (meth) acrylic acid ester copolymer, a styrene / butadiene block copolymer, and a styrene / isoprene block copolymer. In addition, core / cell type particles in which these elastomer particles are coated with a methyl methacrylate polymer, a methyl methacrylate / glycidyl methacrylate copolymer, or the like can be used. The elastomer particles may have a crosslinked structure.
이들 엘라스토머 입자는 단독으로, 또는 2종이상 조합시켜서 사용할 수 있다. 본 발명의 조성물에 있어서의 엘라스토머 성분의 함유 비율은 바람직하게는 1~35질량%이고, 보다 바람직하게는 2~30질량%, 특히 바람직하게는 3~20질량%이다.These elastomer particles may be used alone or in combination of two or more thereof. Preferably the content rate of the elastomer component in the composition of this invention is 1-35 mass%, More preferably, it is 2-30 mass%, Especially preferably, it is 3-20 mass%.
본 발명의 조성물에는 경화 수축의 억제, 열안정성을 향상시키는 등의 목적으로, 염기성 화합물을 임의로 첨가해도 좋다. 염기성 화합물로서는 아민 및 퀴놀린 및 퀴놀리진 등 질소함유 복소환 화합물, 염기성 알칼리 금속화합물, 염기성 알칼리 토류 금속 화합물 등이 열거된다. 이들 중에서도 광중합성 모노머와의 상용성의 면으로부터 아민이 바람직하고, 예를 들면, 옥틸아민, 나프틸아민, 크실렌디아민, 디벤질아민, 디페닐아민, 디부틸아민, 디옥틸아민, 디메틸아닐린, 퀴누크리딘, 트리부틸아민, 트리옥틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 테트라메틸-1, 6-헥사메틸렌디아민, 헥사메틸렌테트라민 및 트리에탄올아민 등이 열거된다.You may arbitrarily add a basic compound to the composition of this invention for the purpose of suppressing hardening shrinkage, improving thermal stability, etc. Examples of the basic compound include nitrogen-containing heterocyclic compounds such as amine, quinoline, and quinolysin, basic alkali metal compounds, basic alkaline earth metal compounds, and the like. Among these, an amine is preferable from a compatibility with a photopolymerizable monomer, For example, octylamine, naphthylamine, xylenediamine, dibenzylamine, diphenylamine, dibutylamine, dioctylamine, dimethylaniline, qui Nuclidine, tributylamine, trioctylamine, tetramethylethylenediamine, tetramethyl-1, 6-hexamethylenediamine, hexamethylenetetramine, triethanolamine and the like.
본 발명의 조성물에는 광경화성 향상을 위하여, 연쇄이동제를 첨가해도 좋다. 구체적으로는, 4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄, 1, 3, 5-트리스(3-메르캅토 부틸옥시에틸) 1, 3, 5-트리아진-2, 4, 6(1H, 3H, 5H)-트리온 , 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트)를 열거할 수 있다. In order to improve photocurability, you may add a chain transfer agent to the composition of this invention. Specifically, 4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, 1, 3, 5-tris (3-mercapto butyloxyethyl) 1, 3, 5-triazine-2, 4, 6 (1H) , 3H, 5H) -trione, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate) can be enumerated.
본 발명의 조성물에는 필요에 따라서 대전 방지제를 첨가해도 좋다. You may add antistatic agent to the composition of this invention as needed.
다음에, 본 발명의 조성물을 사용한 패턴(특히, 미세요철 패턴)의 형성 방법에 대해서 설명한다. 본 발명에서는 본 발명의 조성물을 도포해서 경화하여 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 기판 또는 지지체 상에 적어도 본 발명의 조성물로 이루어지는 패턴 형성층을 도포하고, 필요에 따라서 건조시켜서 본 발명의 조성물로 이루어지는 층(패턴 형성층)을 형성하여 패턴 수용체를 제작하고, 그 패턴 수용체의 패턴 형성층 표면에 몰드를 압접하고, 몰드 패턴을 전사하는 가공을 행하고, 미세요철 패턴 형성층을 노광해서 경화시킨다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 의한 광 임프린트 리소그래피는, 적층화나 다중 패터닝도 할 수 있고, 통상의 열 임프린트와 조합시켜서 사용할 수도 있다. Next, the formation method of the pattern (especially fine concavo-convex pattern) using the composition of this invention is demonstrated. In the present invention, the composition of the present invention can be applied and cured to form a pattern. Specifically, at least a pattern forming layer made of the composition of the present invention is applied onto a substrate or a support, dried as necessary to form a layer (pattern forming layer) made of the composition of the present invention to form a pattern acceptor, and the pattern acceptor The mold is pressed onto the surface of the pattern forming layer of C, and a process of transferring the mold pattern is performed to expose the fine concave-convex pattern forming layer and to harden it. The optical imprint lithography according to the pattern formation method of the present invention can also be laminated or multi-patterned, and can be used in combination with a normal thermal imprint.
한편, 본 발명의 조성물의 응용으로서, 기판 또는 지지체 상에 본 발명의 조성물을 도포하고, 상기 조성물로 이루어지는 층을 노광, 경화, 필요에 따라서 건조(베이킹), 오버코트층이나 절연막 등의 영구막을 제작할 수도 있다.On the other hand, as an application of the composition of the present invention, the composition of the present invention is applied onto a substrate or a support, and a layer made of the composition is exposed and cured, and if necessary, drying (baking), an overcoat layer or an insulating film can be produced. It may be.
이하에 있어서, 본 발명의 조성물을 사용한 패턴 형성 방법, 패턴 전사 방법에 대해서 설명한다. Below, the pattern formation method and pattern transfer method using the composition of this invention are demonstrated.
본 발명의 조성물은 일반적으로 잘 알려져진 도포방법, 예를 들면, 딥 코트법, 에어나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 압출성형 코트법, 스핀 코트 방법, 슬릿 스캔법 등에 의해, 도포함으로써 형성할 수 있 다. 본 발명의 조성물로 이루어지는 층의 막두께는 사용하는 용도에 따라서 달라지지만, 0.05㎛~30㎛이다. 또한, 본 발명의 조성물은 다중도포하여도 좋다.The composition of the present invention is generally well known coating methods, for example, dip coating method, air knife coating method, curtain coating method, wire bar coating method, gravure coating method, extrusion molding method, spin coating method, slit scan It can be formed by coating, for example. Although the film thickness of the layer which consists of a composition of this invention changes with uses, it is 0.05 micrometer-30 micrometers. In addition, the composition of the present invention may be multi-coated.
본 발명의 조성물을 도포하기 위한 기판 또는 지지체는 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속기판, 종이, SOG, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 등의 폴리머 기판, TFT어레이 기판, PDP의 전극판, 유리나 투명 플라스틱 기판, ITO나 금속 등의 도전성기재, 절연성 기재, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리 실리콘, 산화 실리콘, 아모르포스 실리콘 등의 반도체 제작 기판 등 특별히 제약되지 않는다. 기판의 형상은 판상이어도 좋고, 롤상이어도 좋다. The substrate or support for applying the composition of the present invention may be quartz, glass, optical film, ceramic material, vapor deposition film, magnetic film, reflecting film, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, Fe, paper, SOG, polyester film, poly Polymer substrates such as carbonate films, polyimide films, TFT array substrates, PDP electrode plates, glass or transparent plastic substrates, conductive substrates such as ITO and metals, insulating substrates, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, amorphous silicon It does not restrict | limit especially, such as semiconductor manufacturing substrates. The shape of a board | substrate may be plate shape, and a roll shape may be sufficient as it.
본 발명의 조성물을 경화시키는 광으로서는 특별히 한정되지 않지만, 고에너지 전리 방사선, 근자외, 원자외, 가시, 적외 등의 영역의 파장의 광 또는 방사선이 열거된다. 고에너지 전리 방사선원으로서는, 예를 들면, 콕크로프트형 가속기, 반데그라프형 가속기, 리니아 액셀레이터, 베타트론, 사이클로 트론 등의 가속기에 의해 가속된 전자선이 공업적으로 가장 편리하면서 경제적으로 사용되지만, 그 밖에 방사성 동위원소나 원자로 등으로부터 방사되는 γ선, X선, α선, 중성자선, 양자선 등의 방사선도 사용할 수 있다. 자외선원으로서는 예를 들면, 자외선 형광등, 저압수은등, 고압수은등, 초고압수은등, 크세논등, 탄소아크등, 태양등 등이 열거된다. 방사선에는 예를 들면 마이크로파, EUV가 포함된다. 또한, LED, 반도체 레이저광, 또는 248nm의 KrF엑시머 레이저광이나 193nm ArF엑시머 레이저 등의 반도체의 미세가공으로 사용되고 있는 레이저광도 본 발명에 바람직하게 사용될 수 있다. 이들의 광은 모노크롬광을 사용해도 좋고, 복수의 파장의 다른 광(믹스 광)이어도 좋다.Although it does not specifically limit as light which hardens the composition of this invention, Light or radiation of the wavelength of the area | regions, such as high energy ionizing radiation, near-ultraviolet, far-ultraviolet, visible, and infrared, is mentioned. As the high-energy ionizing radiation source, for example, electron beams accelerated by accelerators such as cockcroft accelerators, van degraf accelerators, linia accelerators, betatrons and cyclotrons are used most industrially and economically. Radiation such as γ-rays, X-rays, α-rays, neutron rays, quantum rays and the like emitted from isotopes, nuclear reactors and the like can also be used. Examples of the ultraviolet source include ultraviolet fluorescent lamps, low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, xenon lamps, carbon arc lamps and solar lamps. Radiation includes, for example, microwave and EUV. In addition, laser light used for microfabrication of semiconductors such as LED, semiconductor laser light, or 248 nm KrF excimer laser light or 193 nm ArF excimer laser can also be preferably used in the present invention. Monochrome light may be used for these lights, and other lights (mixed light) of several wavelength may be sufficient as them.
다음에 본 발명에 사용할 수 있는 몰드 재료에 대해서 설명한다. 본 발명의 조성물을 사용한 광 나노 임프린트 리소그래피는 몰드 재료 및/또는 기판의 적어도 한 방쪽은 광투과성의 재료를 선택할 필요가 있다. 본 발명에 적용되는 광 임프린트리소그래피에서는 기판 상에 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 도포하고, 광투과성 몰드를 가압하고, 몰드의 이면에서 광을 조사하고, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 경화시킨다. 또한, 광투과성 기판 상에 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 도포하고, 몰드를 가압하고, 몰드의 이면으로부터 광을 조사하고, 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물을 경화시킬 수도 있다.Next, the mold material which can be used for this invention is demonstrated. In optical nanoimprint lithography using the composition of the present invention, at least one of the mold material and / or the substrate needs to select a light transmissive material. In optical imprint lithography applied to the present invention, a curable composition for photo nanoimprint lithography is applied onto a substrate, the light-transmissive mold is pressed, light is irradiated from the back side of the mold, and the curable composition for photo nanoimprint lithography is cured. Moreover, the curable composition for optical nanoimprint lithography may be apply | coated on a transparent substrate, a mold may be pressed, the light may be irradiated from the back surface of a mold, and the curable composition for optical nanoimprint lithography may be hardened.
광조사는 몰드를 부착된 상태로 행해도 좋고, 몰드 박리 후에 행해도 좋지만, 본 발명에서는 몰드를 밀착시킨 상태로 행하는 것이 바람직하다. Although light irradiation may be performed in the state to which a mold was affixed, you may carry out after mold peeling, but in this invention, it is preferable to carry out in the state which stuck a mold.
본 발명에서 사용할 수 있는 몰드는 전사되어야 할 패턴을 갖는 몰드가 사용되어진다. 몰드는 예를 들면, 포토리소그래피나 전자선 묘화법 등에 의해, 소망하는 가공 정밀도에 따라서 패턴을 형성할 수 있지만, 본 발명에서는 몰드 패턴 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다.As the mold usable in the present invention, a mold having a pattern to be transferred is used. Although the mold can form a pattern according to desired processing precision, for example by photolithography, an electron beam drawing method, etc., the mold pattern formation method is not specifically limited in this invention.
본 발명에 있어서 사용되는 광투과성 몰드재는 특별히 한정되지 않지만, 소정의 강도, 내구성을 갖는 것이면 좋다. 구체적으로는 유리, 석영, PMMA, 폴리카보네이트 수지 등의 광투명성 수지, 투명금속 증착막, 폴리디메틸실록산 등의 유연 막, 광경화막, 금속막 등이 예시된다. The light-transmissive mold material used in the present invention is not particularly limited, but may be one having predetermined strength and durability. Specific examples include light-transparent resins such as glass, quartz, PMMA, and polycarbonate resins, flexible films such as transparent metal vapor deposition films, and polydimethylsiloxane, photocuring films, and metal films.
본 발명의 투명기판을 사용한 경우에서 사용되어지는 비광투과형 몰드재로서는, 특별히 한정되지 않지만, 소정의 강도를 갖는 것이면 좋다. 구체적으로는, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속기판, SiC, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리 실리콘, 산화 실리콘, 아모르포스 실리콘 등의 기판 등이 예시되고, 특별히 제약되지 않는다. 형상은 판상 몰드, 롤상 몰드 중 어느 하나이어도 좋다. 롤상 몰드는 특별히 전사의 연속 생산성이 필요할 경우에 적용된다.The non-transmissive mold material to be used in the case of using the transparent substrate of the present invention is not particularly limited, but may be one having a predetermined strength. Specific examples include ceramic materials, vapor deposition films, magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, Fe, substrates such as SiC, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, and the like. It is not particularly limited. The shape may be either a plate mold or a roll mold. Roll-shaped molds are especially applied where continuous productivity of transfer is required.
상기 본 발명에서 사용되는 몰드는 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물과 몰드와의 박리성을 향상시키기 위해서 이형 처리를 행한 것을 사용해도 좋다. 실리콘계나 불소계 등의 실란커플링제에 의한 처리를 행한 것, 예를 들면, 다이킨고교 제작, 옵툴(OPTOOL) DSX나 스미토모쓰리엠 제작, Novec EGC-1720 등의 시판의 이형제도 바람직하게 사용될 수 있다.The mold used in the present invention may be one that has been subjected to a release treatment in order to improve the peelability between the curable composition for optical nanoimprint lithography and the mold. Treatment with a silane coupling agent such as silicon or fluorine, for example, commercial release agents such as manufactured by Daikin Kogyo Co., Ltd., OPTOOL DSX, Sumitomo 3M, and Novec EGC-1720 can be preferably used.
본 발명을 사용해서 광 임프린트 리소그래피를 행할 경우, 통상, 몰드의 압력이 10기압이하로 행하는 것이 바람직하다. 몰드 압력을 10기압이하로 함으로써, 몰드나 기판이 변형하기 어려워 패턴 정밀도가 향상하는 경향이 있고, 또한, 가압이 낮기 때문에 장치를 축소할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. 몰드의 압력은 몰드 볼록부의 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 잔막이 적어지는 범위에서, 몰드 전사의 균일성을 확보할 수 있는 영역을 선택하는 것이 바람직하다.In the case of performing optical imprint lithography using the present invention, it is usually preferable to perform the pressure of the mold to 10 atm or less. When the mold pressure is 10 atm or less, the mold and the substrate are hardly deformed, the pattern accuracy tends to be improved, and since the pressurization is low, the apparatus tends to be reduced, which is preferable. It is preferable to select the area | region which can ensure uniformity of mold transfer in the range in which the residual film of the curable composition for optical nanoimprint lithography of a mold convex part becomes small in the pressure of a mold.
본 발명에 있어서, 광 임프린트 리소그래피에 있어서의 광조사는 경화에 필요한 조사량보다도 충분히 크면 좋다. 경화에 필요한 조사량은 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 불포화 결합의 소비량이나 경화막의 택키니스(tackiness)를 조사하여 결정된다.In the present invention, the light irradiation in optical imprint lithography may be sufficiently larger than the irradiation amount required for curing. The dose required for curing is determined by examining the consumption of unsaturated bonds in the curable composition for photo nanoimprint lithography or the tackiness of the cured film.
또한, 본 발명에 적용되는 광 임프린트리소그래피에 있어서는 광조사 시의 기판 온도는, 통상, 실온에서 행하여지지만, 반응성을 높이기 위해서 가열을 하면서 광조사해도 좋다. 광조사 전단계로서, 진공상태로 두면, 기포혼입 방지, 산소혼입에 의한 반응성 저하의 억제, 몰드와 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 밀착성 향상에 효과가 있으므로, 진공상태로 광조사해도 좋다. 본 발명에 있어서, 바람직한 진공도는 10-1Pa부터 상압의 범위에서 행하여진다.Moreover, in the optical imprint lithography applied to this invention, although the board | substrate temperature at the time of light irradiation is normally performed at room temperature, you may irradiate light while heating in order to improve reactivity. As a pre-light irradiation step, when placed in a vacuum state, it is effective in preventing bubble mixing, suppressing a decrease in reactivity due to oxygen mixing, and improving adhesion between the mold and the curable composition for photo nanoimprint lithography. Therefore, light irradiation may be performed in a vacuum state. In the present invention, the preferred degree of vacuum is performed in the range of 10 −1 Pa to atmospheric pressure.
본 발명의 조성물은 상기 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면, 구경 0.05㎛~5.0㎛의 필터로 여과함으로써 용액으로 하여 조제할 수 있다. 광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 혼합·용해는, 통상, 0℃~100℃의 범위에서 행하여진다. 여과는 다단계로 행해도 좋고, 다수회 반복하여도 좋다. 또한, 여과한 액을 재여과할 수도 있다. 여과에 사용하는 재질은 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 불소수지, 나일론 수지 등의 것을 사용할 수 있지만, 특별히 한정되지 않는다. After mixing each said component, the composition of this invention can be prepared as a solution by filtering with a filter of 0.05 micrometer-5.0 micrometers in diameter, for example. The mixing and dissolution of the curable composition for photo nanoimprint lithography are usually performed in the range of 0 ° C to 100 ° C. Filtration may be performed in multiple stages, and may be repeated many times. The filtrate can also be filtered again. Although the material used for filtration can use a polyethylene resin, a polypropylene resin, a fluororesin, a nylon resin, etc., It does not specifically limit.
본 발명의 조성물을 에칭 레지스트에 적용할 경우에 대해서 설명한다. 에칭 공정으로서는, 공지의 에칭 처리 방법 중에서 적당히 선택한 방법에 의해 행할 수 있고, 레지스트 패턴으로 덮어져 있지 않은 언더코트 부분을 제거하기 위해서 행하여 박막의 패턴을 얻는다. 에칭액에 의한 처리(웨트 에칭), 또는 감압 하에서 반응성 가스를 플라즈마 방전으로 활성화시킨 처리(드라이 에칭) 중 어느 하나를 행한 다. The case where the composition of this invention is applied to an etching resist is demonstrated. As an etching process, it can carry out by the method suitably selected from the well-known etching process methods, and is performed in order to remove the undercoat part which is not covered by a resist pattern, and obtains a thin film pattern. Either a treatment with an etchant (wet etching) or a treatment (dry etching) in which the reactive gas is activated by plasma discharge under reduced pressure is performed.
상기 웨트 에칭을 행할 경우의 에칭액에는 염화 제이철/염산계, 염산/초산계, 브롬화 수소산계 등을 대표예로서, 많은 에칭액이 개발되어 사용되고 있다. Cr용에는 질산 세륨 암모늄 용액이나 질산 세륨·과산화 수소수의 혼합액, Ti용에는 희석 불소산, 비산·질산 혼합액, Ta용에는 암모늄 용액과 과산화 수소수의 혼합액, Mo용에는 과산화 수소수, 암모니아수·과산화 수소수의 혼합물, 인산·질산의 혼합액, MoW, Al에는 인산·질산 혼합액, 비산·질산의 혼합액, 인산·질산·아세트산의 혼합액 ITO용에는 희석왕수, 염화 제이철 용액, 요오드화 수소수, SiNx나 SiO2에는 완충 불소산, 불소산·불화 암모늄 혼합액, Si, 폴리 Si에는 비산·질산·아세트산의 혼합액, W에는 암모니아수·과산화 수소수의 혼합액, PSG에는 질산·불소산의 혼합액, BSG에는 불소산·불화 암모늄 혼합액 등이 각각 사용된다.As the etchant in the case of performing the wet etching, a large number of etchants have been developed and used, for example, ferric chloride / hydrochloric acid, hydrochloric acid / acetic acid, hydrobromic acid, and the like. A mixture of cerium ammonium nitrate solution or cerium nitrate / hydrogen peroxide solution for Cr, dilute hydrofluoric acid, arsenic acid / nitrate mixture solution for Ti, a mixture solution of ammonium solution and hydrogen peroxide solution for Ta, hydrogen peroxide solution, ammonia solution A mixture of hydrogen peroxide solution, a mixture of phosphoric acid and nitric acid, a mixture of phosphoric acid and nitric acid for MoW and Al, a mixture of arsenic acid and nitric acid, and a mixture of phosphoric acid and nitric acid and acetic acid. Buffered hydrofluoric acid, a mixture of fluoric acid and ammonium fluoride in SiO2, a mixture of arsenic acid, nitric acid and acetic acid in Si and poly Si, a mixture of ammonia water and hydrogen peroxide in W, a mixture of nitric acid and fluoric acid in PSG, and fluoric acid and BSG in BSG Ammonium fluoride liquid mixture and the like are used.
웨트 에칭은 샤워 방식이라도 좋고, 딥 방식이라도 좋지만, 에칭 레이트, 면내 균일성, 배선폭의 정밀도는 처리 온도에 크게 의존하므로, 기판 종류, 용도, 선폭에 따라서 조건 최적화할 필요가 있다. 또한, 상기 웨트 에칭을 행할 경우는 에칭액의 침투에 의한 언더컷을 방지하기 위해서 포스트 베이크를 행하는 것이 바람직하다. 보통 이들의 포스트 베이크는 90℃~140℃정도로 행하여지지만, 반드시 이들에 한정되지는 않는다.Although wet etching may be a shower system or a dip system, the precision of an etching rate, in-plane uniformity, and wiring width largely depends on processing temperature, and it is necessary to optimize conditions according to a board type, a use, and a line width. In addition, when performing the said wet etching, it is preferable to perform post-baking in order to prevent the undercut by the penetration of etching liquid. Usually, these post-baking is performed about 90 to 140 degreeC, but it is not necessarily limited to these.
드라이 에칭은 기본적으로 진공장치내에 1쌍의 평행하게 배치된 전극을 갖고, 한 쪽의 전극상에 기판을 설치하는 평행 평판형의 드라이 에칭 장치가 사용된다. 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전원이 기판을 설치하는 측의 전극에 접속 되던지, 반대의 전극에 접속되던지에 의해, 이온이 주로 관여하는 반응성 이온 에칭(RIE) 모드와 라디컬이 주로 관여하는 플라즈마 에칭(PE) 모드로 분류된다.Dry etching basically has a pair of parallelly arranged electrodes in a vacuum apparatus, and a parallel flat type dry etching apparatus is used in which a substrate is provided on one electrode. The high-frequency power source for generating the plasma is connected to the electrode on the side where the substrate is placed or to the opposite electrode, so that the reactive ion etching (RIE) mode mainly involving ions and the plasma etching mainly involving radicals are generated. Are classified into (PE) mode.
상기 드라이 에칭에 있어서 사용디는 에천트 가스로서는, 각각의 막종류에 적합한 에천트 가스가 사용된다. a-Si/n+이나 s-Si용에는 4불화 탄소(염소)+산소, 4불화 탄소(6불화 황)+염화수소(염소), a-SiNx용에는 4불화 탄소+산소, a-SiOx용에는 4불화 탄소+산소, 3불화 탄소+산소, Ta용에는 4불화 탄소(6불화 황)+산소, MoTa/MoW용에는 4불화 탄소+산소, Cr용에는 염소+산소, Al용에는 3염화 붕소+염소, 브롬화 수소, 브롬화 수소+염소, 요오드화 수소 등이 열거된다. 드라이 에칭의 공정에서는 이온 충격이나 열에 의해 레지스트의 구조가 크게 변질되는 경우가 있어, 박리성에도 영향을 준다. As the etchant gas used in the dry etching, an etchant gas suitable for each film type is used. Carbon tetrafluoride (chlorine) + oxygen for a-Si / n + or s-Si, carbon tetrafluoride (sulfur hexafluoride) + hydrogen chloride (chlorine), carbon tetrafluoride + oxygen for a-SiNx, a-SiOx Carbon tetrafluoride + oxygen, carbon trifluoride + oxygen, carbon tetrafluoride (sulfur hexafluoride) + oxygen for Ta, carbon tetrafluoride + oxygen for MoTa / MoW, chlorine + oxygen for Cr, trichloride for Al Boron + chlorine, hydrogen bromide, hydrogen bromide + chlorine, hydrogen iodide and the like. In the dry etching process, the structure of the resist may be largely altered by ion bombardment or heat, which also affects the peelability.
에칭 후 하층 기판으로의 패턴 전사에 사용한 레지스트를 박리하는 쪽에 대해서 설명한다. 박리는 액으로 제거(웨트 박리)하던지, 또는 감압 하에서의 산소 가스의 플라즈마 방전에 의해 산화시켜서 가스상으로 하여 제거(드라이 박리/애싱)하던지, 또는 오존과 UV광에 의해 산화시켜서 가스상으로 하여 제거(드라이 박리/UV 애싱)하는 등, 몇 개의 박리 방법에 의해 레지스트 제거를 행할 수 있다. 박리액에는 수산화 나트륨 수용액, 수산화 칼륨 수용액, 오존 용해수와 같은 수용액계와 아민과 디메틸술폭시드나 N-메틸피롤리돈의 혼합물과 같은 유기용제계가 일반적으로 알려져 있다. 후자의 예로서는 모노에탄올아민/디메틸술폭시드 혼합물(질량 혼합비=7/3)이 잘 알려져 있다.The method of peeling the resist used for pattern transfer to the underlayer substrate after etching will be described. Peeling is removed by liquid (wet peeling), or oxidized by plasma discharge of oxygen gas under reduced pressure to be removed in gaseous form (dry peeling / ashing), or oxidized by ozone and UV light to be removed in gaseous form (dry Resist removal can be performed by several peeling methods, such as peeling / UV ashing). As the stripping solution, aqueous solutions such as sodium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution and ozone dissolved water and organic solvent systems such as a mixture of amine and dimethyl sulfoxide or N-methylpyrrolidone are generally known. As the latter example, a monoethanolamine / dimethylsulfoxide mixture (mass mixing ratio = 7/3) is well known.
레지스트 박리 속도는 온도·액량·시간·압력 등이 크게 관여하고, 기판 종류, 용도에 따라서 최적화할 수 있다. 본 발명에서는 실온~100℃ 정도의 온도 범위에서, 기판을 침지하고(수 분~수 십분), 아세트산 부틸 등의 용제 린스, 수세를 행하는 것이 바람직하다. 박리액 자체의 린스성, 파티클 제거성, 내부식성을 향상시키는 관점에서, 수세만이어도 좋다. 수세, 순수한 물 샤워, 건조는 에어 나이프 건조가 바람직한 예로서 열거된다. 기판 상에 비결정질 실리콘이 노출되어 있을 경우에는, 물과 공기의 존재로 산화막이 형성되므로, 공기를 차단하는 것이 바람직하다. 또한, 애싱(회화)와 약액에 의한 박리를 병용하는 방법도 적용해도 좋다. 애싱은 플라즈마 애싱, 다운플로우 애싱, 오존을 사용한 애싱, UV/오존 애싱이 열거된다. 예를 들면, 드라이 에칭으로 Al기판을 가공할 경우에는, 일반적으로 염소계의 가스를 사용하지만, 염소와 Al의 생성물인 염화 알루미늄 등이 Al을 부식시킬 경우가 있다. 이들을 방지하기 위해서, 방부제 함유의 박리액을 사용해도 좋다.The resist peeling rate is largely involved in temperature, liquid amount, time, pressure, and the like, and can be optimized according to the substrate type and application. In this invention, it is preferable to immerse a board | substrate (a few minutes-several ten minutes) in the temperature range of room temperature-about 100 degreeC, and to perform solvent rinsing, such as butyl acetate, and water washing. Only water washing may be sufficient from a viewpoint of improving the rinse property, particle removal property, and corrosion resistance of peeling liquid itself. Water washing, pure water showering and drying are listed as preferred examples of air knife drying. When amorphous silicon is exposed on the substrate, since an oxide film is formed in the presence of water and air, it is preferable to block the air. Moreover, you may also apply the method of using ashing (painting) and peeling by a chemical liquid together. Ashing includes plasma ashing, downflow ashing, ashing with ozone, UV / ozone ashing. For example, when the Al substrate is processed by dry etching, a chlorine-based gas is generally used, but aluminum chloride, which is a product of chlorine and Al, may corrode Al. In order to prevent these, you may use the peeling liquid containing preservative.
상기의 에칭 공정, 박리 공정, 린스 공정, 수세 이외의 그 밖의 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 패턴 형성에 있어서의 공정 중에서 적당히 선택하는 것이 열거된다. 예를 들면, 경화 처리 공정 등이 열거된다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 경화 처리 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 예를 들면, 전체면 가열 처리나 전체면 노광 처리 등이 바람직하게 열거된다.There is no restriction | limiting in particular as said etching process, a peeling process, a rinse process, and other processes other than water washing, What selects suitably among the processes in well-known pattern formation is mentioned. For example, a hardening process process etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. There is no restriction | limiting in particular as a hardening process process, Although it can select suitably according to the objective, For example, a whole surface heat processing, a whole surface exposure process, etc. are mentioned preferably.
상기 전체면 노광 처리의 방법으로서는, 예를 들면, 형성된 패턴의 전체면을 노광하는 방법이 열거된다. 전체면 노광에 의해, 상기 감광층을 형성하는 조성물 중의 경화가 촉진되고, 상기 패턴의 표면이 경화되므로 에칭 내성을 높일 수 있다. 상기 전체면노광을 행하는 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서, 적당히 선택할 수 있지만, 예를 들면, 초고압 수은등 등의 UV노광기가 바람직하게 열거된다.As a method of the said whole surface exposure process, the method of exposing the whole surface of the formed pattern is mentioned, for example. By whole surface exposure, hardening in the composition which forms the said photosensitive layer is accelerated | stimulated, and since the surface of the said pattern hardens, etching tolerance can be improved. There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface exposure, Although it can select suitably according to the objective, For example, UV exposure machines, such as an ultrahigh pressure mercury lamp, are mentioned preferably.
(실시예)(Example)
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적당히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예로 한정되는 것이 아니다.An Example is given to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely. The materials, the amounts used, the ratios, the treatment contents, the treatment sequences, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific example shown below.
중합성 불포화 단량체Polymerizable unsaturated monomers
<1관능 단량체><Monofunctional monomer>
R-1: 화합물(I-2) 감마-부티로락톤아크릴레이트(GBLA:ENF사 제작)R-1: Compound (I-2) gamma-butyrolactone acrylate (GBLA: manufactured by ENF)
R-2: 화합물(I-3) α-아크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤(Aldrich사 제작 시약)R-2: Compound (I-3) α-acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone (Aldrich's reagent)
R-3: 화합물(I-4) 메발로닉 락톤(메타)아크릴레이트(합성품: 일본특허공개 2004-2243호 공보에 따른 합성)R-3: Compound (I-4) mechatronic lactone (meth) acrylate (synthesis: Synthesis according to JP-A-2004-2243)
R-4: 화합물(II-3) 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸2-에틸-1,3-디옥솔란(비스코트 MEDOL10:오사카오가닉케미컬인더스트리사 제작)R-4: Compound (II-3) 4-acryloyloxymethyl-2-methyl2-ethyl-1,3-dioxolane (Bisco MEDOL 10: manufactured by Osaka Organic Chemicals Co., Ltd.)
R-5: 화합물(II-5) 4-아크릴로일옥시메틸-2-시클로헥실1,3-디옥솔란(비스코트 HDOL10 오사카오가닉케미컬인더스트리 제작) R-5: Compound (II-5) 4-acryloyloxymethyl-2-cyclohexyl 1,2-dioxolane (made by Biscot HDOL10 Osaka Organic Chemical Industries)
R-6: 화합물(II-7)(3-메틸3-옥세타닐)메틸아크릴레이트(비스코트 OXE10 오사카오가닉케미컬인더스트리 제작)R-6: Compound (II-7) (3-methyl3-oxetanyl) methylacrylate (made by Biscot OXE10 Osaka Organic Industries)
R-7: 화합물(III-2) N-비닐숙신이미드(합성품) Doklady Akademii Nauk Respubliki Uzbekistan(1), 39물-49(1993)에 따라서 합성R-7: Compound (III-2) N-vinylsuccinimide (synthetic product) Synthesis according to Doklady Akademii Nauk Respubliki Uzbekistan (1), 39 Water-49 (1993)
R-8: 화합물(III-6) N-피페리디노에틸아크릴레이트(합성품) Journal fuer Praktische Chemie(Leipzig), 7, 308-10.(1959)에 따라서 합성R-8: Compound (III-6) N-piperidinoethylacrylate (synthetic) Synthesis according to Journal fuer Praktische Chemie (Leipzig), 7, 308-10. (1959)
R-9: 화합물(III-7) 2-프로펜산2-메틸옥시라닐메틸에스테르(합성품) Gaofen zi Xuebao(1), 109-14, (1993)에 따라서 합성R-9: Compound (III-7) 2-propenoic acid 2-methyloxyranylmethyl ester (synthetic) Synthesis according to Gaofen zi Xuebao (1), 109-14, (1993)
R-10: 화합물(III-8) N-몰포리노에틸아크릴레이트(합성품) American Chemical Society, 71, 3164-5, (1949)에 따라서 합성R-10: Compound (III-8) N-morpholinoethylacrylate (synthetic) Synthesis according to American Chemical Society, 71, 3164-5, (1949)
R-11: 화합물(IV-1) N-비닐2-피롤리돈(아로닉스M-150: 도아고세이사 제작)R-11: Compound (IV-1) N-vinyl 2-pyrrolidone (Aronix M-150: manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
R-12: 화합물(IV-2) N-비닐카푸로락톤(Aldrich사 제작 시약)R-12: Compound (IV-2) N-vinyl capurolactone (Aldrich's reagent)
R-13: 화합물(IV-3) N-비닐숙신이미드(합성품) Kunststoffe Plastics, 4, 257-64, (1957)에 따라서 합성R-13: Compound (IV-3) N-vinylsuccinimide (synthetic) Synthesis according to Kunststoffe Plastics, 4, 257-64, (1957)
R-14: 화합물(IV-5) 1-비닐이미다졸(Aldrich사 제작 시약)R-14: Compound (IV-5) 1-vinylimidazole (Reagent manufactured by Aldrich)
R-15: 화합물(IV-8) N-아크릴로일몰포린(ACMO:코진사 제작)R-15: Compound (IV-8) N-acryloyl morpholine (ACMO: Co., Ltd. product)
R-16: 화합물(V-1) 4-비닐-1-시클로헥산-1,2-에폭시드(셀록사이드 2000 다이셀가가쿠고교사 제작)R-16: Compound (V-1) 4-vinyl-1-cyclohexane-1,2-epoxide (Celoxide 2000 produced by Daicel Chemical Co., Ltd.)
R-17: 화합물(V-2) 2-비닐2-옥사졸린(VOZO:코진사 제작)R-17: Compound (V-2) 2-vinyl 2-oxazoline (VOZO: Co., Ltd. product)
R-18: 화합물(V-6) 4-비닐-1,3-디옥솔란2-온(Aldrich사 제작 시약)R-18: Compound (V-6) 4-vinyl-1,3-dioxolane2-one (Reagent manufactured by Aldrich)
R-19: 화합물(VI-1) 이소보르닐아크릴레이트(아로닉스 M-156: 도아고세이사 제작)R-19: Compound (VI-1) isobornyl acrylate (Aronix M-156: manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
R-20: 화합물(VI-10) 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(카인즈 MOI: 쇼와덴코사 제작)R-20: Compound (VI-10) 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Kains MOI: manufactured by Showa Denko)
R-21: 화합물(VII-2) N-히드록시에틸아크릴아미드(HEAA:코진사 제작)R-21: Compound (VII-2) N-hydroxyethylacrylamide (HEAA: Co., Ltd. product)
R-22: 화합물(VII-1) N-비닐포름아미드(빔세트770: 아라카와가가쿠고교 제작)R-22: Compound (VII-1) N-vinylformamide (Beamset 770: manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.)
R-23: 화합물(IX-2) 아크릴산3-(트리메톡시실릴)프로필에스테르(도쿄카세이 제작 시약)R-23: compound (IX-2) acrylic acid 3- (trimethoxysilyl) propyl ester (Tokyo Kasei reagent)
R-24: 화합물(IX-20) 2-메타크릴옥시에틸액시드포스페이트(라이트에스테르 P-1M: 쿄에이샤 가가쿠 제작)R-24: compound (IX-20) 2-methacryloxyethyl acid phosphate (light ester P-1M: the Kyowa Co., Ltd. make)
R-25: 에톡시지에틸렌글리콜아크릴레이트(라이트아크릴레이트 EC-A: 쿄에이샤 가가쿠사 제작)R-25: ethoxyji ethylene glycol acrylate (light acrylate EC-A: the Kyogisha Co., Ltd. make)
R-26: 벤질아크릴레이트(비스코트#160: 오사카오가닉케미컬인더스트리사 제작)R-26: benzyl acrylate (BISCOTT # 160: manufactured by Osaka Organic Chemical Industries, Ltd.)
R-27: 페녹시에틸아크릴레이트(라이트아크릴레이트 PO-A: 쿄에이샤유지사 제작)R-27: Phenoxyethyl acrylate (light acrylate PO-A: the Kyoeisha Oil Corporation)
R-28: 에폭시아크릴레이트(에베크릴 3701: 다이셀 UCB사 제작)R-28: Epoxyacrylate (Ebecryl 3701: manufactured by Daicel UCB)
R-29: α-메틸스티렌(도쿄카세이샤에서 입수한 시약)R-29: α-methylstyrene (a reagent obtained from Tokyo Kasei Co., Ltd.)
R-30: 화합물(IX-20) 2-메타크릴옥시에틸액시드포스페이트(라이트에스테르 P-1M: 쿄에이샤 가가쿠 제작)R-30: compound (IX-20) 2-methacryloxyethyl acid phosphate (light ester P-1M: the Kyogisha Co., Ltd. make)
<2관능 단량체><Bifunctional monomer>
S-01: 화합물(IX-23)에틸렌옥사이드 변성 인산 디메타크릴레이트(카야마 PM-21: 닛폰카야쿠사 제작)S-01: compound (IX-23) ethylene oxide modified phosphate dimethacrylate (Kayama PM-21: produced by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
S-02: 히드록시피발린산네오펜틸글리콜디아크릴레이트(컬러야드 MANDA: 니혼카야쿠사 제작)S-02: hydroxy pivaline neopentyl glycol diacrylate (color yard MANDA: Nihon Kayaku Co., Ltd.)
S-03: 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트(뉴프론티아 PE-300: 다이이치고교 세이야쿠사 제작)S-03: Polyethylene glycol diacrylate (New Frontia PE-300: Daiichichikyo Seiyaku Co., Ltd.)
S-04: 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트(컬러야드 TPGDA: 니혼카야쿠사 제작)S-04: tripropylene glycol diacrylate (color yard TPGDA: produced by Nihon Kayaku Co., Ltd.)
S-05: 에틸렌옥사이드 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트(포토마4160: 산노푸코사 제작)S-05: Ethylene oxide modified neopentyl glycol diacrylate (Photoma 4160: manufactured by Sanofoko Corp.)
S-06: 1,6-헥산디올디아크릴레이트(프론티아 HDDA: 다이이치고교 세이야쿠사 제작)S-06: 1,6-hexanediol diacrylate (Frontia HDDA: produced by Daiichi-kyo Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)
S-07: 에틸렌옥사이드 변성 비스페놀A 디아크릴레이트(SR-602: 카야쿠 사토마사 제작)S-07: ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate (SR-602: manufactured by Kayaku Satoma Co., Ltd.)
S-08: 에틸렌옥사이드변성 비스페놀A 디아크릴레이트(아로닉스 M-211B: 도아고세이사 제작)S-08: ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate (Aronix M-211B: manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
S-09: 트리시클로데칸디메탄올아크릴레이트(컬러야드 R684: 니혼카야쿠사 제작)S-09: tricyclodecane dimethanol acrylate (color yard R684: made by Nihon Kayaku Co., Ltd.)
S-10:에틸렌글리콜디메타크릴레이트(라이트에스테르 EG: 쿄에이샤 가가쿠사 제작)S-10: Ethylene Glycol Dimethacrylate (Light Ester EG: manufactured by Kyoeisha Co., Ltd.)
<3관능 이상의 단량체, 올리고머><3-functional monomer or oligomer>
S-11: 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(SR-454: 카야쿠사토마사 제작)S-11: ethylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate (SR-454: manufactured by Kayakusato Co., Ltd.)
S-12: 프로필렌옥시드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(뉴프론티아TMP-3P: 다이이치 고교 세이야쿠사 제작)S-12: Propylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate (New Frontia TMP-3P: Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)
S-13: 펜타에리스리톨에톡시테트라아크릴레이트(Ebercryl 40: 다이셀 UCB사 제작)S-13: pentaerythritol ethoxy tetraacrylate (Ebercryl 40: manufactured by Daicel UCB)
S-14: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(컬러야드 DPHA: 니혼카야쿠사 제작)S-14: dipentaerythritol hexaacrylate (color yard DPHA: produced by Nihon Kayaku Co., Ltd.)
S-15: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(아로닉스M-309:도아고세이사 제작) S-15: trimethylol propane triacrylate (Aronix M-309: manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
S-16: 아쿠아론 RN-20: 다이이치고교 세이야쿠사 제작S-16: Aquaron RN-20: Daiichichikyo Seiyakusa
본 발명의 실시예 및 비교예에 사용한 광중합 개시제, 광산발생제의 약호는 이하와 같다The symbol of the photoinitiator and the photo-acid generator used for the Example and comparative example of this invention is as follows.
<광중합 개시제><Photoinitiator>
P-1: 2,4,6-트리메틸벤조일에톡시페닐포스핀옥시드(Lucirin TPO-L: BASF사 제작)P-1: 2,4,6-trimethylbenzoylethoxyphenylphosphine oxide (Lucirin TPO-L: manufactured by BASF Corporation)
P-2: 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(Irgacure 651: 치바·스페셜티·케미컬즈사 제작)P-2: 2, 2-dimethoxy- 1, 2-diphenyl ethane- 1-one (Irgacure 651: Chiba Specialty Chemicals company make)
P-3: 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온(Darocure1173: 치바스페셜티·케미컬즈사 제작)P-3: 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one (Darocure1173: Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.)
P-4: 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥시드와 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온의 혼합물(Darocure 4265: 치바스페셜티·케미컬즈사 제작)P-4: A mixture of 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one (Darocure 4265: manufactured by Chivas Specialty Chemicals)
P-5: 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논-1과 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 혼합물(Irgacure1 300: 치바스페셜티·케미컬즈사 제작)P-5: A mixture of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one (Irgacure1 300: Chiba specialty chemicals company production)
P-6: 1-[4-벤조일페닐술파닐]페닐]-2-메틸-2-(4-메틸페닐술포닐)프로판-1-온(ESACUR 1001M: 니폰 시베르헤그너사 제작)P-6: 1- [4-benzoylphenylsulfanyl] phenyl] -2-methyl-2- (4-methylphenylsulfonyl) propan-1-one (ESACUR 1001M: manufactured by Nippon Seeber Hegner)
P-7: 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판」(Irgacure-907: 치바·스페셜티케미컬즈사 제작)P-7: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane "(Irgacure-907: produced by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.)
P-8: 히드록시시클로헥실페닐케톤(치바·스페셜티케미컬즈사 제작: Irgacure-184)P-8: hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Ciba Specialty Chemicals make: Irgacure-184)
본 발명의 실시예 및 비교예에서 사용한 계면활성제, 첨가제의 약호는 이하와 같다The symbol of surfactant and additive used in the Example and comparative example of this invention is as follows.
<계면활성제><Surfactant>
W-1: 불소계 계면활성제(토켐 프로덕츠사 제작: 불소계 계면활성제)W-1: Fluorine-type surfactant (Tochem Products Co., Ltd. make: Fluorine-type surfactant)
W-2: 실리콘계 계면활성제(다이니폰잉크가가쿠고교사 제작: 메가팩 파인태드 31)W-2: Silicone type surfactant (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. make: Mega Pack Fine Tide 31)
W-3: 불소·실리콘계 계면활성제(다이니폰잉크가가쿠고교사 제작: 메가팩 R-08)W-3: Fluorine-silicone surfactant (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. make: Megapack R-08)
W-4: 불소·실리콘계 계면활성제(다이니폰잉크가가쿠고교사 제작: 메가팩XRB-4)W-4: Fluorine-silicone surfactant (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. make: Megapack XRB-4)
W-5: 불소계 계면활성제(다이니폰잉크가가쿠고교사 제작: F-173)W-5: Fluorine-type surfactant (made by Dainippon Ink & Chemicals, F-173)
W-6: 불소계 계면활성제(스리토모쓰리엠사 제작: FC-430)W-6: Fluorine-based surfactant (Sritomo Three M Co., Ltd .: FC-430)
CS-1:콜로이드 실리카(닛산가가쿠고교사 제작: MIBK-ST, 30% 메틸이소부틸케톤 용액)CS-1: colloidal silica (Nissan Chemical Industries, Ltd .: MIBK-ST, 30% methyl isobutyl ketone solution)
CS-2:산화주석의 수분산품(이시하라산교사 제작:SN-38F)를 프로필렌카보네이트 용제 환산한 용액, 30%질량)CS-2: A solution in which propylene carbonate solvent is converted into an aqueous dispersion of tin oxide (manufactured by Ishihara Sangyo: SN-38F), 30% by mass
CS-3: 합성예 1로 합성한 표면처리 실리카CS-3: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 1
CS-4: 합성예 2로 합성한 표면처리 실리카CS-4: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 2
CS-5: 합성예 3으로 합성한 표면처리 실리카CS-5: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 3
CS-6: 합성예 4로 합성한 표면처리 실리카CS-6: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 4
CS-7: 합성예 5로 합성한 표면처리 실리카CS-7: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 5
CS-8: 합성예 6로 합성한 표면처리 실리카CS-8: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 6
CS-9: 합성예 7로 합성한 표면처리 실리카CS-9: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 7
CS-10: 합성예 8로 합성한 표면처리 실리카CS-10: Surface-treated silica synthesized in Synthesis Example 8
<첨가제><Additive>
A-1: 2-클로로티옥산톤A-1: 2-chlorothioxanthone
A-2: 9,10-디부톡시안트라센(가와사키카세이고교사 제작)A-2: 9, 10-dibutoxy anthracene (made by Kawasaki Kasei Co., Ltd.)
A-3: 실란커플링제(비닐트리에톡시시란)(신에츠실리콘사 제작)A-3: Silane Coupling Agent (Vinyl Triethoxy Silane) (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.)
A-4: 실리콘오일(닛폰유니카사 제작: L-7001)A-4: silicone oil (made by Nippon Unicar Company: L-7001)
A-5: 2-디메틸아미노에틸벤조에이트A-5: 2-dimethylaminoethylbenzoate
A-6: 벤조페논A-6: Benzophenone
A-7: 4-디메틸아미노 안식향산 에틸A-7: 4-dimethylamino benzoate
A-8: 변성 디메틸폴리실록산(빅케미·재팬사 제작: BYK-307)A-8: modified dimethyl polysiloxane (Bikkemi Japan company make: BYK-307)
A-9: 적색 225호(스단 III)A-9: Red 225 (Sdan III)
A-10: 폴리에테르 변성 디메틸실리콘오일(빅케미·재판사 제작: BYK302)A-10: polyether modified dimethylsilicone oil (by Big Chemie, Judge make: BYK302)
<광 나노 임프린트 리소그래피용 경화성 조성물의 평가><Evaluation of the curable composition for optical nanoimprint lithography>
실시예 1~27 및 비교예 1~13에 의해 얻어진 조성물의 각각에 대해서, 하기의 평가 방법에 따라서 측정, 평가하였다.About each of the compositions obtained by Examples 1-27 and Comparative Examples 1-13, it measured and evaluated in accordance with the following evaluation methods.
표 1, 표 4는 조성물에 사용한 중합성 불포화 단량체의 배합비(실시예, 비교예)를 각각 나타낸다.Table 1 and Table 4 show the compounding ratios (Examples and Comparative Examples) of the polymerizable unsaturated monomers used in the composition.
표 2, 표 5는 조성물의 각종 성분의 배합비(실시예, 비교예)를 각각 나타낸다.Table 2 and Table 5 show the compounding ratios (Examples and Comparative Examples) of various components of the composition, respectively.
표 3, 표 6은 조성물의 평가 방법(실시예, 비교예)을 각각 나타낸다.Table 3 and Table 6 show evaluation methods (Examples and Comparative Examples) of the compositions, respectively.
<점도 측정><Viscosity measurement>
점도의 측정은 토키산교(주)사 제작의 RE-80L형 회전 점도계를 사용하고, 25±0.2℃로 측정하였다.The viscosity was measured at 25 ± 0.2 ° C using a RE-80L rotary viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.
측정시의 회전 속도는 0.5mPa·s이상 5mPa·s미만은 100rpm, 5mPa·s이상 10mPa·s미만은 50rpm, 10mPa·s이상 30mPa·s미만은 20rpm, 30mPa·s이상 60mPa· s미만은 10rpm, 60mPa·s이상 120mPa·s미만은 5rpm, 120mPa·s이상은 1rpm 또는 0.5rpm으로 각각 행하였다.Rotational speed at the time of measurement is more than 0.5 mPa · s More than 5 mPa · s 100 rpm, More than 5 mPa · s 10 rpm More than 50 rpm, More than 10 mPa · s More than 30 mPa · s More than 20 rpm, less than 30 mPa · s Less than 60 mPa · s More than 10 rpm , 60 mPa · s or more and 120 mPa · s or less were performed at 5 rpm and 120 mPa · s or more at 1 rpm or 0.5 rpm, respectively.
<광경화 속도(광경화성)의 측정><Measurement of photocuring speed (photocurability)>
광경화성의 측정은 고압 수은등을 광원으로 사용하고, 모노머의 810cm-1의 흡수의 변화를 프리에 변환형 적외 분광 장치(FT-IR)를 사용하고, 경화 반응 속도(모노머 소비율)을 리얼타임으로 행하였다. A는 경화 반응 속도가 0.2/초이상의 경우를 나타내고, B는 경화 반응 속도가 0.2/초미만의 경우를 나타낸다.The measurement of photocurability is carried out using a high-pressure mercury lamp as a light source, a change in absorption of 810 cm -1 of a monomer using a free-transform infrared spectrometer (FT-IR), and the curing reaction rate (monomer consumption) in real time. It was. A represents a case where the curing reaction rate is 0.2 / second or more, and B represents a case where the curing reaction rate is less than 0.2 / second.
<밀착성><Adhesiveness>
밀착성은 광경화한 광경화성 레지스트 패턴 표면에, 점착 테이프를 붙이고, 박리했을 때에 테이프측에 광경화한 광경화성 레지스트 패턴이 부착되어 있는지의 여부를 육안 관찰로 판단하고, 이하와 같이 평가하였다.Adhesiveness was affixed on the surface of the photocurable resist pattern which photocured, and it was judged by visual observation whether the photocurable resist pattern photocurable adhered to the tape side when peeling, and evaluated as follows.
A: 테이프측에 패턴의 부착이 없음A: No sticking of the pattern on the tape side
B: 테이프측에 극히 엷게 나오기는 있지만 패턴의 부착이 확인됨B: Very thin on the tape side, but the pattern is confirmed
C: 테이프측에 확실하게 패턴의 부착이 확인됨 C: The pattern is firmly confirmed on the tape side
<박리성>Peelability
박리성은 광경화 후에 몰드를 박리했을 때, 미경화물이 몰드에 잔류하는지의 여부를 광학현미경으로 관찰하고, 이하와 같이 평가하였다.When peeling a mold after photocuring, the peelability observed with an optical microscope whether the unhardened | cured material remains in a mold, and evaluated as follows.
A: 잔류물 없슴 A: no residue
B: 부분적으로 잔류물이 있음B: partially residue
C: 전체면에 잔류물이 있음C: residue on entire surface
<잔막성과 패턴 형상의 관찰>Observation of Remnant and Pattern Shape
전사 후의 패턴의 형상, 전사패턴의 잔사를 주사형 전자 현미경에 의해 관찰하고, 잔막성 및 패턴 형상을 이하와 같이 평가하였다.The shape of the pattern after transfer and the residue of the transfer pattern were observed with a scanning electron microscope, and the residual film property and the pattern shape were evaluated as follows.
(잔막성)(Residuality)
A: 잔사가 관찰되지 않음A: No residue was observed
B: 잔사가 조금 관찰됨 B: Some residue is observed
C: 잔사가 많이 관찰됨C: Many residues are observed
(패턴 형상)(Pattern shape)
A: 몰드의 패턴 형상의 원래가 되는 원판 패턴과 거의 동일함A: Almost same as original pattern of original of pattern shape of mold
B: 몰드의 패턴 형상의 원래가 되는 원판 패턴 형상과 일부 다른 부분(원판 패턴과 20%미만의 범위)이 있음B: The original pattern shape of the mold is different from the original pattern shape and some parts (less than 20% of the original pattern shape)
C: 몰드의 패턴 형상의 원래가 되는 원판 패턴과 확실하게 다르거나 또는 패턴의 막두께가 원판 패턴과 20%이상 다름C: Certainly different from the original pattern of the original pattern shape of the mold, or the film thickness of the pattern is 20% or more different from the original pattern
<스핀 도포 적성><Spin coating suitability>
도포성(I)Applicability (I)
본 발명의 조성물을 막두께 4000옹스트롬의 알루미늄(Al) 피막을 형성한 4인치의 0.7mm두께의 유리 기판 상에 두께가 5.0㎛가 되도록 스핀 코트한 후, 상기 유리 기판을 1분간 정치하고, 면상 관찰을 행하고, 이하와 같이 평가하였다.After spin-coating the composition of this invention so that thickness may be set to 5.0 micrometers on the 4-inch 0.7 mm-thick glass substrate which formed the aluminum (Al) film of 4,000 angstrom of film thickness, the said glass substrate was left to stand for 1 minute, and it was planar. Observation was performed and it evaluated as follows.
A: 튐와 도포 결함(스트라이에이션)이 관찰되지 않음 A: No coating defects (stripes) were observed
B: 도포 결함이 약간 관찰됨 B: Application defects are slightly observed
C: 튐 또는 도포 결함이 강하게 관찰됨 C: Striking or application defects are strongly observed
<슬릿 도포 적성><Slit application suitability>
도포성(II)Applicability (II)
본 발명의 조성물을 대형 기판 도포용의 슬릿코터 레지스트 도포장치(히라타키코우(주)사 제작 헤드코터 시스템)을 사용하고, 막두께 4000옹스트롬의 알루미늄(Al) 피막을 형성한 4인치의 0.7mm두께의 유리 기판(550mm×50mm) 상에 도포하고, 막두께 3.0㎛의 레지스트 피막을 형성하고, 종횡으로 나오는 줄무늬상의 불균일의 유무를 관찰하고, 이하와 같이 평가하였다.0.7 mm of 4 inches which formed the aluminum (Al) film of 4000 angstroms of film thickness using the slit coat resist coating apparatus (the head coater system made by Hirata Koku Co., Ltd.) for the application of a large size board | substrate for the composition of this invention. It applied on the glass substrate (550 mm x 50 mm) of thickness, the resist film of 3.0 micrometers in thickness was formed, the presence or absence of the stripe-shaped nonuniformity which emerged vertically and horizontally was evaluated, and it evaluated as follows.
A: 줄무늬상의 불균일이 관찰되지 않았음A: No striped irregularity was observed
B: 줄무늬상의 불균일이 약하게 관찰되었음B: Stripe unevenness was weakly observed
C: 줄무늬상의 불균일이 강하게 관찰되거나 또는 레지스트 피막에 튐이 관찰되었음 C: Stripe unevenness was strongly observed or shock was observed on the resist film
<에칭성><Etchability>
유리 기판에 형성한 전기 알루미늄(Al) 상에 본 발명의 조성물을 패턴상으로 형성, 경화 후에 알루미늄 박막을 인질산 에천트에 의해 에칭을 행하고, 10㎛의 라인/스페이스를 육안 및 현미경 관찰하고, 이하와 같이 평가하였다.After forming and hardening the composition of this invention in the pattern shape on the electric aluminum (Al) formed in the glass substrate, the aluminum thin film is etched with a phosphate etchant, and 10 micrometers line / space is observed visually and a microscope, It evaluated as follows.
A: 선폭 10±2.0㎛의 알루미늄의 라인이 얻어짐A: A line of aluminum having a line width of 10 ± 2.0 μm is obtained
B: 라인의 선폭의 편차(차이) ±2.0㎛을 초과하는 라인이 얻어짐B: Line deviation of the line width of the line (difference) ± 2.0 μm is obtained
C: 라인의 결손 부분이 부분적으로 존재하거나 또는 부분적으로 라인간이 연 결되고 있었음C: The missing part of a line is partially present or partly connected between lines
D: 전체면에 결손 부분이 존재하거나 또는 라인간이 연결되어 있었음D: Defects existed on the whole surface or lines were connected
<종합 평가><Comprehensive Evaluation>
종합 평가는 이하의 기준으로 행하였다. 실질 B랭크 이상으로 실용에 견디어낸다.The comprehensive evaluation was performed based on the following criteria. Withstands practical use above actual B rank.
A: B랭크가 1항목이내.A: Rank 1 is less than 1 item.
B: B랭크가 2항목.B: B rank is 2 items.
C: B랭크가 3항목이상, 또는 C랭크가 1항목이라도 있는 경우.C: 3 or more items of B rank or 1 item of C rank.
D: D랭크가 1항목이라도 있는 경우.D: When there is even one item of D rank.
합성예 1: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-3의 합성 Synthesis Example 1 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-3
이소프로판올 120g, Nalcoag 1034A(Nalco Chemical Co. 제작, 35% 콜로이드 실리카 수분산액) 60.6g, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 5.8g의 혼합물을 80℃에서 가열해서 3시간 환류시킨 후, 감압하에서 용제를 반정도 제거하고, 또한 이 용액에 140g의 부톡시에탄올을 첨가, 용제를 제거하고, 표면이 실란화합물로 처리된 실리카의 에톡시부탄올 30질량% 용액(CS-3)을 얻었다.A mixture of 120 g of isopropanol, 60.6 g of Nalcoag 1034A (manufactured by Nalco Chemical Co., 35% colloidal silica aqueous dispersion), and 5.8 g of γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane was heated to reflux at 80 ° C for 3 hours, and then under reduced pressure. The solvent was half removed, and 140 g of butoxyethanol was added to this solution to remove the solvent, thereby obtaining a 30 mass% solution of ethoxybutanol (CS-3) of silica whose surface was treated with a silane compound.
합성예 2: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-4의 합성Synthesis Example 2 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-4
tert-부탄올 50부, Nalcoag 1034A 16.6g, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 1.4g의 혼합물을 가열하여 5분간 환류시킨 후, 감압 하에서 용제를 반정도 제거하고, 또한 이 용액에 140g의 부톡시에탄올을 첨가, 감압 하에서 용제를 제거하여, 표면이 실란화합물로 처리된 실리카의 에톡시 부탄올 30질량% 용액(CS-4)을 얻었다.A mixture of 50 parts of tert-butanol, 16.6 g of Nalcoag 1034A and 1.4 g of γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane was heated to reflux for 5 minutes, and then the solvent was removed halfway under reduced pressure. Toxic ethanol was added and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a 30 mass% solution (CS-4) of ethoxy butanol of silica whose surface was treated with a silane compound.
합성예 3: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-5의 합성 Synthesis Example 3: Surface treatment of colloidal silica; Synthesis of CS-5
교반기, 콘덴서 및 온도계를 구비한 플라스크에, IPA-ST(이소프로판올 분산 콜로이드 실리카졸, 닛산가가쿠고교(주) 제작, 실리카 입자 사이즈 15nm, 실리카 고형분 30질량%) 63.0g과 중합 금지제로서 MEHQ를 0.0012부, 가수 분해 촉매로서 희염산 수용액 50g을 가하고, 교반하면서 온욕의 온도를 80℃로 승온하였다. 환류가 시작됨과 동시에, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교(주) 제작, 상품명 KBM 503, 분자량 290) 11.7g, 트리메틸메톡시실란(신에츠가가쿠고교(주) 제작, 상품명 LS-510, 분자량 104) 1.6g의 혼합 용액을 약 30분 걸쳐서 적하하고, 적하가 종료된 후, 약 2시간 가열교반함으로써, 이소프로판올 중에 분산되고, 표면이 실란화합물로 처리된 실리카의 30질량% 용액(CS-5)을 얻었다.In a flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 63.0 g of IPA-ST (isopropanol-dispersed colloidal silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., silica particle size 15 nm, silica solid content 30 mass%) and MEHQ as 0.0013 were used as a polymerization inhibitor. In addition, 50 g of diluted hydrochloric acid aqueous solution was added as a hydrolysis catalyst, and the temperature of the warm bath was heated up at 80 degreeC, stirring. At the same time as reflux, γ-acryloyloxypropyl trimethoxysilane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., brand name KBM 503, molecular weight 290) 11.7g, trimethyl methoxysilane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1.6 g of a mixed solution of trade name LS-510, molecular weight 104) was added dropwise over about 30 minutes, and after the dropping was completed, the mixture was heated and stirred for about 2 hours to disperse in isopropanol, and the surface was treated with a silane compound. Mass% solution (CS-5) was obtained.
합성예 4: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-6의 합성Synthesis Example 4 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-6
고형분이 20.0질량%의 메탄올 분산콜로이드 실리카 20.0g에 트리메틸메톡시실란(도레이다우코닝(주) 제작) 0.6g을 가하고, 60℃에서 3시간 가열 교반하였다. 그 후, 메톡시프로판올 14.0g을 가하고, 온도 80℃에서 농축을 행하여, 고형분 30.0질량%의 분산 콜로이드 실리카(CS-6)를 얻었다.0.6 g of trimethylmethoxysilane (made by Toray Dow Corning Co., Ltd.) was added to 20.0 g of methanol dispersion colloidal silica of 20.0 mass% of solid content, and it stirred at 60 degreeC for 3 hours. Thereafter, 14.0 g of methoxypropanol was added, and the mixture was concentrated at a temperature of 80 ° C to obtain dispersed colloidal silica (CS-6) having a solid content of 30.0% by mass.
합성예 5: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-7의 합성Synthesis Example 5 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-7
PL-1-IPA(이소프로판올 분산 콜로이드 실리카, 후소가가쿠고교(주) 제작, 실리카 고형분 12.5중량%) 300g에 이소프로판올 1200g과 아세트산 15g, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 9.20g과 n-헥실트리메톡시실란 8.20g을 가하고, 가열 환류하였다. 그 후 이소프로판올을 제거하여 고형분 12질량%로 분산된 표면처리 실리카(CS-7)를 얻었다.300 g of PL-1-IPA (isopropanol dispersed colloidal silica, manufactured by Fusogakuku Kogyo Co., Ltd., 12.5% by weight of silica) 1200 g of isopropanol, 15 g of acetic acid, 9.20 g of γ-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, and n- 8.20 g of hexyltrimethoxysilane was added and heated to reflux. After that, isopropanol was removed to obtain surface-treated silica (CS-7) dispersed in a solid content of 12% by mass.
합성예 6: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-8의 합성Synthesis Example 6 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-8
MEK-ST(메틸에틸케톤 분산 콜로이드 실리카, 닛산가가쿠고교(주) 제작, 실리카 고형분 30중량%) 30g에 메틸에틸케톤 200g과 희염산수용액 2.0g, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 2.5g을 가하고, 가열 환류하여 표면처리 실리카(CS-8)를 얻었다.To 30 g of MEK-ST (methyl ethyl ketone dispersed colloidal silica, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., 30% by weight of silica), 200 g of methyl ethyl ketone, 2.0 g of dilute hydrochloric acid solution, and γ-methacryloyloxypropyl trimethoxysilane 2.5 g was added and heated to reflux to obtain surface treated silica (CS-8).
합성예 7: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-9의 합성Synthesis Example 7 Surface Treatment of Colloidal Silica; Synthesis of CS-9
300g의 메탄올 중에, 실리카 고형분 20중량%의 메탄올 분산 콜로이드 실리카 100g, 포름산 5.0g, γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 1.00g과 n-데실트리메톡시실란 2.60g을 가하고, 실온에서 24시간 교반하였다. 그 후에 80도로 가열하여 메탄올을 제거하면서 80g의 메틸이소부틸케톤을 가하고, 메틸이소부틸케톤 분산 표면 처리 실리카(CS-9)를 얻었다.In 300 g of methanol, 100 g of methanol-dispersed colloidal silica having 20% by weight of silica solids, 5.0 g of formic acid, 1.00 g of gamma -acryloyloxypropyltrimethoxysilane and 2.60 g of n-decyltrimethoxysilane were added, and at room temperature, 24 g was added. Stirred for time. Thereafter, 80 g of methyl isobutyl ketone was added while heating to 80 degrees to remove methanol, thereby obtaining methyl isobutyl ketone dispersed surface-treated silica (CS-9).
합성예 8: 콜로이드 실리카의 표면처리; CS-10의 합성Synthesis Example 8: Surface treatment of colloidal silica; Synthesis of CS-10
91.3g의 IPA-ST에 1%아세트산수용액 1.0g과 γ-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 8.35g을 가하여 3시간 가열 환류한 후, 헥사메틸디실라잔 1.47g을 가하여 1시간 더 가열 환류하여 표면처리 실리카(CS-10)를 얻었다.1.0 g of 1% acetic acid aqueous solution and 8.35 g of γ-acryloyloxypropyltrimethoxysilane were added to 91.3 g of IPA-ST, followed by heating to reflux for 3 hours, and then 1.47 g of hexamethyldisilazane was added thereto, followed by heating under reflux for 1 hour. To obtain surface-treated silica (CS-10).
실시예 1Example 1
중합성 불포화 단량체로서, 감마-부티로락톤아크릴레이트 단량체(R-01) 19.096g, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 단량체(S-04) 66.84g, 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 단량체(S-11) 9.548g, 광중합 개시제로서, 2, 4, 6-트리메틸벤조일-에톡시페닐-포스핀 옥시드(BASF사 제작 Lucirin TPO-L)(P-1) 2.50g, 계면활성제로서, EFTOP EF-122A(불소계 계면활성제, W-1) 0.02g, 콜로이드 실리카(닛산가가쿠고교사 제작: MIBK-ST, 30% 메틸이소부틸케톤 용액) 6.67g을 칭량하고, 실온에서 메틸에틸케톤이 2질량%미만이 될 때 까지 교반하고, 균일 용액으로 하였다. 여기서 사용한 중합성 불포화 단량체의 조성비를 표 1에, 조성물의 고형분 배합비를 표 2에 나타내었다.As the polymerizable unsaturated monomer, 19.096 g of gamma-butyrolactone acrylate monomer (R-01), 66.84 g of tripropylene glycol diacrylate monomer (S-04), ethylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate monomer (S- 11) 9.548 g, as a photopolymerization initiator, 2.50 g of 2,4,6-trimethylbenzoyl-ethoxyphenyl-phosphine oxide (Lucirin TPO-L, manufactured by BASF) (P-1), as a surfactant, EFTOP EF- 0.02 g of 122 A (fluorine-based surfactant, W-1) and 6.67 g of colloidal silica (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd .: MIBK-ST, 30% methyl isobutyl ketone solution) were weighed, and methyl ethyl ketone was less than 2% by mass at room temperature. It stirred until it became and used as a homogeneous solution. The composition ratio of the polymerizable unsaturated monomer used here is shown in Table 1, and the solid content compounding ratio of the composition is shown in Table 2.
이 조정한 조성물을 막두께 4000옹스트롬의 알루미늄(Al) 피막을 형성한 4인치의 0.7mm두께의 유리 기판 상에 두께가 5.0㎛가 되도록 스핀코트하였다. 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 가압력 0.8kN, 노광 중의 진공도는 10Torr이고, 10㎛의 라인/스페이스 패턴을 갖고, 홈깊이가 5.0㎛의 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작, SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 100mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 레지스트 패턴을 얻었다. 이어서, 인질산 에천트에 의해 레지스트로 피복되어 있지 않은 알루미늄(Al)부를 제거하고, 알루미늄(Al)제의 전극 패턴을 형성하였다. 또한, 레지스트 박리를 모노에탄올아민/디메틸술폭시드 혼합 박리액을 사용하고, 80℃에서 3분간 침지 처리하였다. 그 결과를 표 3에 나타내었다. 표 3의 결과로부터 본 발명의 조성물은 밀착성, 박리성, 잔막성, 패턴 형상, 도포성(스핀 도포성, 슬 릿 도포성), 에칭성의 모두를 만족할 수 있는 것이었다.This adjusted composition was spin-coated so as to be 5.0 micrometers in thickness on the 4-inch 0.7-mm-thick glass substrate in which the aluminum (Al) film of 4,000 angstroms of film thickness was formed. The spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source, a mold pressing force of 0.8 kN, a vacuum degree of exposure of 10 Torr, and a 10 μm line / space pattern. Exposed to a condition of 100 mJ / cm 2 from the back surface of the mold made of polydimethylsiloxane having a groove depth of 5.0 μm (made by Toray Dow Corning, Inc., cured SILPOT 184 at 80 ° C. for 60 minutes). Then, the mold was peeled off to obtain a resist pattern. Subsequently, the aluminum (Al) part which is not coat | covered with a resist by the phosphate etchant was removed, and the electrode pattern made from aluminum (Al) was formed. Moreover, resist peeling was immersed for 3 minutes at 80 degreeC using the monoethanolamine / dimethyl sulfoxide mixed peeling liquid. The results are shown in Table 3. From the result of Table 3, the composition of this invention was able to satisfy all of adhesiveness, peelability, residual film property, pattern shape, coating property (spin coating property, slit coating property), and etching property.
실시예 2Example 2
중합성 불포화 단량체로서, α-아크릴로일옥시-β, β-디메틸-γ-부티로락톤 단량체(R-2) 38.11g, 히드록시피바린산 네오펜틸글리콜디아크릴레이트 단량체(S-2) 47.74g, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(S-12) 9.547g, 광중합 개시제로서, 2, 4, 6-트리메틸벤조일-에톡시페닐-포스핀옥시드(BASF사 제작 Lucirin TPO-L)(P-1) 2.5g, 계면활성제로서, 다이니폰잉크가가쿠고교사 제작 메가팩 R-08(불소·실리콘계 계면활성제)(W-3), 및 표면처리된 콜로이드 실리카 30질량% 용액 6.67g을 칭량하고, 실온에서 메틸에틸케톤이 2질량%미만이 될 때 까지 교반하고, 균일용액으로 하였다. 상기 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 노광, 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 3에 나타내었다. 표 3의 결과로부터, 본 발명의 조성물은 밀착성, 박리성, 잔막성, 패턴 형상, 도포성(스핀 도포성, 슬릿 도포성), 에칭성에 대해서 종합적으로 만족할 수 있는 것이 확인되었다.As a polymerizable unsaturated monomer, 38.11 g of (alpha)-acryloyloxy- (beta)-(beta)-dimethyl- (gamma)-butyrolactone monomers (R-2), and hydroxy pivarin neopentyl glycol diacrylate monomer (S-2) 47.74 g, propylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate (S-12), 2, 4, 6-trimethylbenzoyl-ethoxyphenyl-phosphine oxide (Lucirin TPO-L manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator (P-1) 2.5g, as a surfactant, Megapack R-08 (fluorine-silicone-based surfactant) (W-3) manufactured by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd., and 6.67 g of a 30 mass% solution of surface-treated colloidal silica. Was weighed and stirred until the methyl ethyl ketone was less than 2% by mass at room temperature to obtain a homogeneous solution. The composition was exposed and patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 3. From the result of Table 3, it was confirmed that the composition of this invention can satisfy | fill comprehensively about adhesiveness, peelability, residual film property, pattern shape, applicability | paintability (spin coating property, slit coating property), and etching property.
실시예 3~실시예 27Example 3-Example 27
실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 1에 나타내는 비율로 혼합하고, 표 2에 기재의 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 상기 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 4에 나타내었다. 실시예 3~27의 모든 조성물은 광경화성, 밀착성, 박리성, 잔막성, 패턴 형상, 도포성 (스핀 도포성, 슬릿도포성), 에칭성에 대해서 종합적으로 만족할 수 있는 것이었다.In the same manner as in Example 1, the polymerizable unsaturated monomer was mixed at a ratio shown in Table 1, and the compositions described in Table 2 were adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 4. All the compositions of Examples 3-27 were able to satisfy | fill comprehensively about photocurability, adhesiveness, peelability, residual film property, pattern shape, applicability | paintability (spin coating property, slit coating property), and etching property.
비교예 1Comparative Example 1
일본특허공개 평7-70472호 공보에 개시되어 있는 광디스크 보호막용 자외선경화 도료의 실시예 4에 기재된 조성물을, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 4에 나타내는 비율로 혼합하고, 표 5에 기재된 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 상기 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition described in Example 4 of the ultraviolet curable coating material for an optical disc protective film disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-70472 is the same as that in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomer is shown in Table 4. It mixed and the composition of Table 5 was adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 1의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 1 was not generally satisfactory.
비교예 2Comparative Example 2
일본특허공개 평4-149280호 공보에 개시되어 있는 광디스크 오버코트 조성물의 실시예에 기재된 조성물을, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다. The composition described in the examples of the optical disc overcoat composition disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-149280 was the same as in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomers were mixed in the proportions shown in Table 5 to obtain the composition. Adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 2의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 2 was not generally satisfactory.
비교예 3Comparative Example 3
일본특허공개 평7-62043호 공보에 개시되어 있는 보호 코트 조성물의 실시예 1에 기재된 조성물을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체 를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하고, 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition described in Example 1 of the protective coat composition disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-62043 is the same as that in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomer is mixed at a ratio shown in Table 5, and the composition Was adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 3의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 3 was not generally satisfactory.
비교예 4Comparative Example 4
일본특허공개 2001-93192호 공보에 개시되어 있는 보호 코트 조성물의 비교예 2에 기재된 조성물을, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타낸 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition described in Comparative Example 2 of the protective coat composition disclosed in JP 2001-93192 was made in the same manner as in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomers were mixed in the proportions shown in Table 5 to prepare the composition. Adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 4의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 4 was not comprehensively satisfactory.
비교예 5Comparative Example 5
일본특허공개 2001-270973호 공보에 개시되어 있는 자외선 및 전자선 경화성 조성물의 실시예 2에 기재된 조성물을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 해서 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition described in Example 2 of the ultraviolet ray and electron beam curable composition disclosed in JP 2001-270973 was made the same as in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomer was mixed at a ratio shown in Table 5 to obtain a composition. Was adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 5의 조성물은 잔막성, 패턴 형상, 도포 성(I), 에칭성에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 5 was not satisfactory overall in addition to being poor in residual film property, pattern shape, coating property (I), and etching property.
비교예 6Comparative Example 6
일본특허공개 7-53895호 공보에 개시되어 있는 보호 코트 조성물의 실시예 1에 기재된 조성물을, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 해서 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다. The composition described in Example 1 of the protective coat composition disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-53895 was the same as in Example 1 of the present invention, and a polymerizable unsaturated monomer was mixed at a ratio shown in Table 5 to prepare a composition. Adjusted. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 6의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 6 was not generally satisfactory.
비교예 7Comparative Example 7
일본특허공개 2003-165930호 공보에 개시되어 있는 페인팅 조성물의 실시예 1에 기재의 조성물을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 해서 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition described in Example 1 of the painting composition disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-165930 is made the same as in Example 1 of the present invention, and the polymerizable unsaturated monomers are mixed in the proportions shown in Table 5 to adjust the composition. It was. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 7의 조성물은 밀착성, 잔막성, 패턴 형상, 에칭성에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 7 was not good enough in terms of adhesiveness, residual film property, pattern shape, and etching property, but was not generally satisfactory.
비교예 8Comparative Example 8
공업조사회, 2005연간의「비기너스북 38은 최초의 나노 임프린트 기술」의 157페이지에 기재된 NVP(N-비닐피롤리돈)을 함유하는 조성물을, 본원 실시예 1과 동일하게 패터닝하고, 조성물 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The Society of Industrial Engineers, 2005. The Beginners Book 38 patterned the composition containing NVP (N-vinylpyrrolidone) described on page 157 of the first nanoimprint technology in the same manner as in Example 1 of the present application, and the composition characteristics Was investigated. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 8의 조성물은 도포성, 에칭성에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 8 was not satisfactory overall in addition to being poor in applicability and etching property.
비교예 9Comparative Example 9
일본특허공개 2006-63244호 공보에 개시되어 있는 하드 코트용 수지 조성물의 실시예 5에 기재된 조성물(점도 35cP)을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다.The composition (viscosity 35cP) of Example 5 of the resin composition for hard-coats disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-63244 is made the same as Example 1 of this invention, and the polymerizable unsaturated monomer is shown in Table 5. The composition was adjusted by mixing with. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6.
표 6에 나타낸 바와 같이, 도포성에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것은 아니었다.As shown in Table 6, in addition to being poor in applicability | paintability, it was not able to be satisfied also comprehensively.
비교예 10 Comparative Example 10
Proc. SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F(2006)에 개시되어 있는 광 나노 임프린트 조성물(샘플명: KRIP-09, 점도 8.29cP)을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하고, 조성물을 조정하였다. 상기 문헌에는 구체적인 (메타)아크릴 단량체의 화학명은 기재되어 있지 않으므로, 시판의 단량체를 임의로 선택하고, 조성물을 조정하였다. 1관능 단량체는 아크릴 모노머, 2관능 단량체는 (메타)아크릴 모노머, 3관능 단량체는 아크릴 모노머를 선택하였다. 광중합 개시제는 상기 문헌에 개시되어 있 는 화합물(DAROCURE 4265)을 1.25% 배합하였다. 상기 문헌에는 계면활성제는 배합되어 있지 않으므로, 배합하지 않았다. 표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 10의 조성물은 박리성, 도포성(II)에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것이 아니었다.Proc. The optical nanoimprint composition (sample name: KRIP-09, viscosity 8.29 cP) disclosed in SPIE Int. Soc. Opt. Eng., Vol. 6151, No. Pt2, 61512F (2006) was compared with Example 1 of the present invention. In the same manner, the polymerizable unsaturated monomers were mixed in the proportions shown in Table 5, and the compositions were adjusted. Since the chemical name of a specific (meth) acryl monomer is not described in the said document, a commercial monomer was arbitrarily selected and the composition was adjusted. As a monofunctional monomer, the acrylic monomer, the bifunctional monomer, the (meth) acryl monomer, and the trifunctional monomer selected the acrylic monomer. The photopolymerization initiator was compounded with 1.25% of the compound (DAROCURE 4265) disclosed in the above document. Since the said surfactant is not mix | blended, it was not mix | blended. As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 10 was not satisfactory in general except for being poor in peelability and coating property (II).
비교예 11Comparative Example 11
Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng., Vol.6151, No.Pt2, 61512F(2006)에 개시되어 있는 광나노 임프린트 조성물(샘플명: KRIP-11, 점도 9.7cP)을 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하고, 조성물을 조정하였다. 상기 문헌에는 구체적인 (메타)아크릴 단량체의 화학명은 기재되어 있지 않으므로, 시판의 단량체를 임의로 선택하고, 조성물을 조정하였다. 1관능 단량체는 아크릴 모노머, 2관능 단량체는 메타크릴 모노머, 3관능 단량체는 아크릴 모노머를 선택하였다. 광중합 개시제는 상기 문헌에 개시되어 있는 화합물(DAROCURE 4265)을 1.25% 배합하였다. 상기 문헌에는 계면활성제는 배합되어 있지 않으므로, 배합하지 않았다. 표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 11의 조성물은 박리성, 도포성(II)에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것이 아니었다.The photonanoimprint composition (sample name: KRIP-11, viscosity 9.7 cP) disclosed in Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., Vol. 6171, No. Pt2, 61512F (2006) was used as an example of the present invention. It carried out similarly to 1, the polymerizable unsaturated monomer was mixed in the ratio shown in Table 5, and the composition was adjusted. Since the chemical name of a specific (meth) acryl monomer is not described in the said document, a commercial monomer was arbitrarily selected and the composition was adjusted. As the monofunctional monomer, an acrylic monomer was selected, a bifunctional monomer was a methacryl monomer, and the trifunctional monomer was an acrylic monomer. The photopolymerization initiator blended 1.25% of the compound (DAROCURE 4265) disclosed in the above document. Since the said surfactant is not mix | blended, it was not mix | blended. As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 11 was not satisfactory in general except for being poor in peelability and coating property (II).
비교예 12Comparative Example 12
본 발명의 1관능 중합성 불포화 단량체(분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부위와 산소, 질소, 또는 황원자 중 적어도 1종을 갖는 1관능 중합성 불포화 단량체)와는 다른 1관능 중합성 불포화 단량체로서 α-메틸스티렌(시약)을 이용해서 실시예 9의 1관능 단량체를 치환하고, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하고, 중합성 불포화 단량체를 표 5에 나타내는 비율로 혼합하고, 조성물을 조정하였다. 단, 비교예 12에서는 무기 산화물 입자를 첨가하지 않았다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다. 표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 12의 조성물은 광경화성, 잔막성, 패턴 형상에 대해서 열악한 것 이외에, 종합적으로도 만족할 수 있는 것은 아니었다.As a monofunctional polymerizable unsaturated monomer different from the monofunctional polymerizable unsaturated monomer of this invention (monofunctional polymerizable unsaturated monomer which has a site | part which has an ethylenically unsaturated bond in a molecule, and at least 1 sort (s) of oxygen, nitrogen, or a sulfur atom), α- The monofunctional monomer of Example 9 was substituted using methyl styrene (reagent), it carried out similarly to Example 1 of this invention, the polymerizable unsaturated monomer was mixed in the ratio shown in Table 5, and the composition was adjusted. However, in Comparative Example 12, inorganic oxide particles were not added. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6. As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 12 was not satisfactory in terms of photocurability, residual film properties, and pattern shape, but could not be comprehensively satisfied.
비교예 13Comparative Example 13
비교예 12에 사용한 조성물에 표면처리 실리카(CS-3)를 배합하고, 본 발명의 실시예 1과 동일하게 하여, 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 실시예 1과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타내었다. 표 6에 나타낸 바와 같이, 비교예 13의 조성물은 종합적으로 만족할 수 있는 것은 아니었다.Surface-treated silica (CS-3) was blended with the composition used in Comparative Example 12, and the composition was adjusted in the same manner as in Example 1 of the present invention. This adjusted composition was patterned in the same manner as in Example 1, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 6. As shown in Table 6, the composition of Comparative Example 13 was not comprehensively satisfactory.
(표 1)Table 1
(표 2)Table 2
(표 3)Table 3
(표 4)Table 4
(표 5)Table 5
(표 6)Table 6
<광경화성 조성물의 평가-II><Evaluation of Photocurable Composition-II>
본 발명의 조성물을 영구막(보호막)으로 하여 평가를 행하였다.The composition of this invention was evaluated as a permanent film (protective film).
<잔막율><Remnant Rate>
유리 기판 상에 본 발명의 광경화성 조성물을 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 고압수은등을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 230℃의 오븐 중에서 150분간 가열하였다. 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 막두께를 Tenkor사 제작의 프로파일러 P11로 측정하고, 가열 후의 잔막율을 구하였다. 결과를 표 7에 나타낸다.The photocurable composition of this invention is spin-coated so that it may become a film thickness of 4 micrometers on a glass substrate, it is set to the nanoimprint apparatus which uses a high pressure mercury lamp as a light source, it exposes on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface of a mold, and exposes it. Then, the mold was peeled off and heated for 150 minutes in 230 degreeC oven. The film thickness of the pattern part of the photocurable resin before and after heating was measured by the profiler P11 by Tenkor company, and the residual film rate after heating was calculated | required. The results are shown in Table 7.
A: 잔막율 90%를 초과 A: Remaining film rate exceeds 90%
B: 잔막율 85~90% B: Residual rate 85-90%
C: 잔막율 85미만 C: Remnant ratio less than 85
<투과율><Transmittance>
유리 기판 상에 본 발명의 광경화성 조성물을 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 고압수은등을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 자외선을 노광하고, 경화막을 형성하였다. 노광 후, 몰드를 박리하고, 230℃의 오븐 중에서 150분간 가열하였다. 가열 후의 광경화성 수지의 패턴부의 광투과율을 분광 광도계를 사용하여, 파장 550nm에 있어서의 광투과율(T/%)을 측정하고, 가열 후의 투과율을 구하였다. 얻어진 광투과율을 이하의 기준으로 판단하였다. 결과를 표 7에 나타낸다.Spin coating the photocurable composition of the present invention on a glass substrate so as to have a film thickness of 4 µm, and setting it in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp as a light source, and exposing ultraviolet light under a condition of 500 mJ / cm 2 from the back of the mold. And a cured film were formed. After exposure, the mold was peeled off and heated for 150 minutes in an oven at 230 deg. The light transmittance (T /%) in wavelength 550nm was measured for the light transmittance of the pattern part of the photocurable resin after heating using the spectrophotometer, and the transmittance | permeability after heating was calculated | required. The obtained light transmittance was judged on the following references | standards. The results are shown in Table 7.
A: 광투과율 90%이상의 값이다.A: The value is 90% or more.
B: 광투과율 85~90%미만의 값이다.B: The light transmittance is less than 85 to 90%.
C: 광투과율 85미만의 값이다.C: The light transmittance is less than 85.
<내촬상성 시험><Image resistance test>
광경화성 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 회전도포한 후, 고압수은 램프를 사용하고, 노광량이 300mJ/cm2이 되도록 자외선을 조사하고, 두께 5㎛의 경화막을 형성하였다. 학진형(學振型) 마모 시험기에 경화막을 놓고, 스틸울 상에 200g의 하중을 가하여 10왕복시켰다. 촬상의 상황을 육안으로 이하의 기준으로 판정하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. After rotationally coating the photocurable composition on a silicon wafer, a high-pressure mercury lamp was used to irradiate ultraviolet rays so that the exposure amount was 300 mJ / cm 2 , and a cured film having a thickness of 5 μm was formed. The cured film was placed in a Hakjin wear tester, and it was reciprocated by applying a 200g load on steel wool. The situation of imaging was visually determined by the following criteria. The results are shown in Table 7.
A: 전혀 흠이 없음 A: No flaw at all
B: 1~3개의 흠이 있음B: 1 to 3 flaws
C: 4~10개의 흠이 있음 C: 4 to 10 flaws
D: 10개이상의 흠이 있음D: 10 or more flaws
<내용제성><Contents Resistance>
유리 기판 상에 본 발명의 광경화성 조성물을 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 고압수은등을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 230℃의 오븐 중에서 150분간 가열하였다. 가열 후, N-메틸피롤리돈(NMP), 5% 수산화 나트륨, 5% 염산의 각 용액에 30분간 침지하고, 침지 전 후의 막두께 변화를 구하였다. 결과를 표 7에 나타낸다.The photocurable composition of this invention is spin-coated so that it may become a film thickness of 4 micrometers on a glass substrate, it is set to the nanoimprint apparatus which uses a high pressure mercury lamp as a light source, it exposes on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface of a mold, and exposes it. Then, the mold was peeled off and heated for 150 minutes in 230 degreeC oven. After heating, it was immersed in each solution of N-methylpyrrolidone (NMP), 5% sodium hydroxide, and 5% hydrochloric acid for 30 minutes, and the film thickness change after before immersion was calculated | required. The results are shown in Table 7.
A: 막두께 변화가 거의 관찰되지 않음(1%미만)A: Almost no change in film thickness was observed (less than 1%).
B: 막두께 변화가 약간 관찰됨(1~5%미만)B: slight change in film thickness is observed (less than 1-5%)
C: 막두께 변화가 다소 관찰됨(5%이상)C: Some change in film thickness was observed (more than 5%).
<종합 평가><Comprehensive Evaluation>
종합 평가는 이하의 기준으로 행했다. 실질 B랭크이상으로 실용을 견디어낸다. 결과를 표 7에 나타낸다. Overall evaluation was performed based on the following criteria. Withstand practical use above real B rank. The results are shown in Table 7.
A: B랭크가 2항목이내.A: B rank is within 2 items.
B: B랭크가 3항목.B: Three ranks of B ranks.
C: B랭크가 4항목이상 또는 C랭크가 1항목이라도 있는 경우.C: 4 or more items of B rank or 1 item of C rank.
D: C랭크가 2항목이상 또는 D랭크가 1항목이라도 있는 경우.D: C rank is two or more items or D rank is one item.
실시예 36Example 36
실시예 3에 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(ADEKA제, 아데카 스탑 AO503)을 2질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하고, 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작SILPOT 184를 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면에서 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 36의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하고 있었다.2 mass% of antioxidant (made by ADEKA, Adeka stop AO503) was added to the composition, without changing the kind of monomer, photoinitiator, surfactant, inorganic oxide particle, and compounding ratio used in Example 3, and it carried out similarly to Example 1 And the composition was adjusted. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane (cured SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes) having a square pattern of 5 mm. It exposed on the back surface on 500 mJ / cm <2> conditions, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, the transmittance | permeability, and the imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 36 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 37Example 37
실시예 7에서 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(ADEKA제, 아데카 스탑 AO 503)을 2질량% 가하여, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조 정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 37의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.2 mass% of antioxidant (made by ADEKA, Adeka stop AO 503) was added to the composition, and the same amount as that of Example 1 was not changed without changing the type, compounding ratio of the monomer, photopolymerization initiator, surfactant, and inorganic oxide particles used in Example 7. To adjust the composition. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (hardened SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 37 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 38Example 38
실시예 15에서 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(스미토모 가가쿠 고교 제작, 스미라이저 GA80)를 2.0질량% 가하여, 실시예 1과 동일하게 하고, 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으 로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전 후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 38의 조성물은, 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.2.0 mass% of antioxidant (Sumitomo Kagaku Kogyo Co., Ltd., Sumiiser GA80) was added to the composition, without changing the kind, compounding ratio of the monomer, photoinitiator, surfactant, inorganic oxide particle used in Example 15, and Example 1 The same was done and the composition was adjusted. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (hardened SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the condition of 500mJ / cm <2> from the back surface, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film rate, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 38 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 39Example 39
실시예 17에 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(스미라이저 GA80 스미토모가가쿠고교 제작)를 2.0질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하고, 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작, SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 39의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.2.0 mass% of antioxidant (Sumiiser GA80 Sumitomo Chemical Co., Ltd. product) was added to the composition, and the kind, compounding ratio of the monomer, photoinitiator, surfactant, and inorganic oxide particle used in Example 17 were added, and it was the same as Example 1. And the composition was adjusted. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (made by Toray Dow Corning Inc., cured SILPOT 184 at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface of, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 39 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 40Example 40
실시예 19에 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자, 증감제의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(스미토모가가쿠고교 제작, 스미라이저 GA80을 2.0질량%, ADEKA 제작, 아데카 스탑 AO503)을 0.5질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 40의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.The monomers, photopolymerization initiators, surfactants, inorganic oxide particles, and sensitizers used in Example 19 were not changed, and the compounding ratio was not changed, and the composition (2.0% by mass of Sumitomo Chemical Chemical Co., Ltd., Smizer GA80, ADEKA, 0.5 mass% of adeka stop AO503) was added, and it carried out similarly to Example 1, and adjusted the composition. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold back pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the back side of the mold made of polydimethylsiloxane (cured SILPOT184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes) having a square pattern of 5 mm. It exposed on 500 mJ / cm <2> conditions, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film rate, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 40 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 41Example 41
실시예 22에서 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자, 증감제의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(스미토모가가쿠고교 제작, 스미라이저 GA80)를 2.0질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작, SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 41의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다. 2.0 mass% of antioxidant (Sumitomo Chemical Co., Ltd. product, Sumifier GA80) was added to the composition, without changing the kind, compounding ratio of the monomer, photoinitiator, surfactant, inorganic oxide particle, sensitizer used in Example 22, and it carried out. The composition was adjusted in the same manner as in Example 1. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (made by Toray Dow Corning Inc., cured SILPOT 184 at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface of, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 41 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 42Example 42
중합성불포화 단량체로서, 벤질아크릴레이트 단량체(R-26) 28g, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트 단량체(KAYARAD NPGDA; 니혼카야쿠 제작) 22.0g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 단량체(S-15) 1.9g, 광중합 개시제로서, 2, 4, 6-트리메틸벤조일-에톡시페닐-포스핀 옥시드(BASF사 제작 Lucirin TPO-L)(P-1) 3.0g, 계면활성제로서, EFTOP EF-122A(불소계 계면활성제, W-1) 0.05g, 산화 방지제(스미토모가가쿠고교 제작, 스미라이저 GA80)을 2.0g, 표면처리된 콜로이드 실리카 30질량%용액 83.3g을 칭량하고, 실온에서 메틸에틸케톤이 2질량%미만이 될때 까지 교반하고, 균일 용액으로 하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다.실시예 42의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.As the polymerizable unsaturated monomer, 28 g of benzyl acrylate monomer (R-26), neopentyl glycol diacrylate monomer (KAYARAD NPGDA; manufactured by Nihon Kayaku), 1.9 g of trimethylolpropane triacrylate monomer (S-15) 2, 4, 6-trimethylbenzoyl-ethoxyphenyl-phosphine oxide (Lucirin TPO-L by BASF) (P-1) 3.0g as a photoinitiator, EFTOP EF-122A (fluorine-type interface as a surfactant) 0.05 g of the activator, W-1), 2.0 g of an antioxidant (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Smizer GA80) and 83.3 g of a 30% by mass solution of surface-treated colloidal silica were weighed, and 2% by mass of methyl ethyl ketone at room temperature. It stirred until it became less than and set it as the homogeneous solution. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (hardened SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 42 was excellent in residual film rate, transmittance, imaging resistance, and solvent resistance, and also excellent in properties as a permanent film.
실시예 43Example 43
실시예 29에서 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(ADEKA 제작, 아데카 스탑 AO503)을 2질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 43의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다. 2 mass% of antioxidant (made by Adeka, Adeka stop AO503) was added to the composition, without changing the kind of monomer, photoinitiator, surfactant, inorganic oxide particle, and compounding ratio used in Example 29, and it carried out similarly to Example 1 To adjust the composition. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (hardened SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 43 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 44Example 44
실시예 31에서 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(ADEKA제, 아데카스타부 AO503)을 2질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워 2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT 184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 44의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.2 mass% of antioxidant (made by ADEKA, Adecastabu AO503) was added to the composition, without changing the kind and compounding ratio of the monomer, photoinitiator, surfactant, and inorganic oxide particles used in Example 31, in the same manner as in Example 1. To adjust the composition. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the mold is made of polydimethylsiloxane having a 5 mm square pattern (hardened SILPOT 184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes). It exposed on the conditions of 500mJ / cm <2> from the back surface, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film ratio, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 44 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
실시예 45Example 45
실시예 36에 사용한 단량체, 광중합 개시제, 계면활성제, 무기 산화물 입자 의 종류, 배합비는 변경하지 않고, 조성물 중에 산화 방지제(ADEKA제작, 아데카 스탑 AO503)을 2질량% 가하고, 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 조정하였다. 이 조정한 조성물을 유리 기판 상에 4㎛의 막두께가 되도록 스핀코트하고, 스핀코트한 도포기막을 ORC사 제작의 고압수은등(램프 파워2000mW/cm2)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세트하고, 몰드 압력은 10kN/cm2, 노광 중의 진공도는 0.2Torr이고, 5mm의 사각 패턴을 갖는 폴리디메틸실록산(도레이·다우코닝사 제작 SILPOT184을 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드의 이면으로부터 500mJ/cm2의 조건으로 노광하고, 노광 후, 몰드를 박리하고, 가열 전후의 광경화성 수지의 패턴부의 잔막율, 투과율, 내촬상성을 측정하였다. 그 후, 광경화막의 내용제성을 조사하였다. 결과를 표 7에 나타낸다. 실시예 45의 조성물은 잔막율, 투과율, 내촬상성, 내용제성이 우수하고, 영구막으로서의 특성도 우수하였다.2 mass% of antioxidant (made by Adeka, Adeka stop AO503) was added to the composition, without changing the kind of monomer, photoinitiator, surfactant, inorganic oxide particle, and compounding ratio used in Example 36, and it carried out similarly to Example 1 To adjust the composition. The adjusted composition was spin-coated to a film thickness of 4 µm on a glass substrate, and the spin-coated coating film was set in a nanoimprint apparatus using a high-pressure mercury lamp (lamp power 2000 mW / cm 2 ) manufactured by ORC as a light source. The mold back pressure is 10 kN / cm 2 , the vacuum degree during exposure is 0.2 Torr, and the back side of the mold made of polydimethylsiloxane (cured SILPOT184 manufactured by Toray Dow Corning Inc. at 80 ° C. for 60 minutes) having a square pattern of 5 mm. It exposed on 500 mJ / cm <2> conditions, and after exposure, the mold was peeled off and the residual film rate, transmittance | permeability, and imaging resistance of the pattern part of the photocurable resin before and after heating were measured. Thereafter, solvent resistance of the photocured film was examined. The results are shown in Table 7. The composition of Example 45 was excellent in residual film rate, transmittance | permeability, imaging resistance, and solvent resistance, and was also excellent in the characteristic as a permanent film.
비교예 14Comparative Example 14
비교예 1에서 사용하고, 조정한 조성물을 실시예 36과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다. 또한, 실시예 36에 첨가한 산화 방지제는 미첨가이다. 비교예 14의 조성물은 잔막율, 투과성, 내용제성(NMP)이 다소 열악한 경향이 있고, 종합적으로도 열악하였다.The composition used in Comparative Example 1 and patterned was adjusted in the same manner as in Example 36, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 7. In addition, the antioxidant added to Example 36 is no addition. The composition of Comparative Example 14 tended to have a somewhat poor residual film ratio, permeability, and solvent resistance (NMP), and was also poor overall.
비교예 15Comparative Example 15
비교예 2에서 사용하고, 조정한 조성물을 실시예 36과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다. 비교예 12의 조 성물은 잔막율, 내용제성(NMP)이 다소 열악한 경향이 있고, 또한, 투과성이 열악하고, 또한 종합적으로도 열악하였다.The composition used in Comparative Example 2 was patterned in the same manner as in Example 36, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 7. The composition of Comparative Example 12 tended to have a somewhat poor residual film ratio and solvent resistance (NMP), poor permeability, and poor overall.
비교예 16Comparative Example 16
비교예 3에서 사용하고, 조정한 조성물을 실시예 36과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다. 비교예 12의 조성물은 잔막율 및 투과율이 열악하고, 내용제성(NMP, HCl)도 다소 열악한 경향이 있고, 종합적으로도 열악하였다.The composition used in the comparative example 3 and adjusted was patterned similarly to Example 36, and the characteristic of the composition was investigated. The results are shown in Table 7. The composition of Comparative Example 12 was poor in residual film rate and transmittance, and also in solvent resistance (NMP, HCl) tended to be somewhat poor, and overall was poor.
비교예 17Comparative Example 17
비교예 4에서 사용하고, 조정한 조성물을 실시예 36과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 5에 나타내었다. 비교예 13의 조성물은 잔막율, 투과율, 내용제성(NMP, HCl)이 다소 열악한 경향이 있고, 또한, 투과성이 열악하고, 또한 종합적으로도 열악하였다.The composition used in Comparative Example 4 and adjusted was patterned in the same manner as in Example 36, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 5. The composition of Comparative Example 13 tended to be somewhat poor in residual film rate, transmittance, and solvent resistance (NMP, HCl), and also poor in permeability and poorly in general.
비교예 18Comparative Example 18
비교예 9에서 사용하고, 조정한 조성물을 실시예 36과 동일하게 하여 패터닝하고, 조성물의 특성을 조사하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다. 비교예 18의 조성물은 잔막율, 투과율, 내용제성 (NaOH)이 다소 열악한 경향이 있고, 또한, 투과성이 열악하고, 또한, 종합적으로도 열악하였다.The composition used in Comparative Example 9 was patterned in the same manner as in Example 36, and the properties of the composition were examined. The results are shown in Table 7. The composition of Comparative Example 18 tended to have a somewhat poor residual film rate, transmittance, and solvent resistance (NaOH), a poor permeability, and a general poor quality.
실시예 1~45Examples 1-45
실시예 1~45의 본 발명의 광경화성 조성물의 점도를 측정한 바, 모두 3~18mPa·s범위이었다.When the viscosity of the photocurable composition of this invention of Examples 1-45 was measured, all were 3-18 mPa * s range.
비교예 1~7, 9, 12, 13Comparative Examples 1-7, 9, 12, 13
비교예 1~7, 9, 12, 13의 광경화성 조성물의 점도를 측정한 바, 모두 20mPa이상이었다.It was all 20 mPa or more when the viscosity of the photocurable composition of Comparative Examples 1-7, 9, 12, and 13 was measured.
비교예 8, 10, 11Comparative Example 8, 10, 11
비교예 8, 10, 11의 광경화성 조성물의 점도를 측정한 바, 모두 5~15mPa의 범위이었다.When the viscosity of the photocurable compositions of Comparative Examples 8, 10 and 11 was measured, they were all in the range of 5-15 mPa.
(표 7)Table 7
본 발명의 조성물은 반도체 집적 회로, 플랫 스크린, 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 센서 소자, 광디스크, 고밀도 메모리 디스크 등의 자기기록매체, 회절 격자나 릴리프 홀로그램 등의 광학 부품, 나노 디바이스, 광학 디바이스, 플랫 패 널 디스플레이 제작을 위한 광학 필름이나 편광 소자, 액정 디스플레이의 박막 트랜지스터, 유기 트랜지스터, 컬러 필터, 오버코트층, 주재, 액정 배향용의 리브재, 마이크로 렌즈 어레이, 면역 분석칩, DNA 분리칩, 마이크로 리액터, 나노 바이오 디바이스, 광도파로, 광학 필터, 포토닉 액정 등의 제작 시에, 미세 패턴 형성을 위한 광 나노 임프린트 레지스트 조성물로서 사용할 수 있다.Compositions of the present invention include semiconductor integrated circuits, flat screens, microelectromechanical systems (MEMS), sensor elements, optical disks, magnetic recording media such as high density memory disks, optical components such as diffraction gratings and relief holograms, nanodevices, optical devices, Optical film or polarizing element for flat panel display, thin film transistor of liquid crystal display, organic transistor, color filter, overcoat layer, host material, rib material for liquid crystal alignment, micro lens array, immunoassay chip, DNA separation chip, micro In the production of reactors, nano biodevices, optical waveguides, optical filters, photonic liquid crystals and the like, it can be used as an optical nanoimprint resist composition for forming a fine pattern.
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