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KR20070029993A - Semiconductor module test facility with individual heating means - Google Patents

Semiconductor module test facility with individual heating means Download PDF

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Publication number
KR20070029993A
KR20070029993A KR1020050084707A KR20050084707A KR20070029993A KR 20070029993 A KR20070029993 A KR 20070029993A KR 1020050084707 A KR1020050084707 A KR 1020050084707A KR 20050084707 A KR20050084707 A KR 20050084707A KR 20070029993 A KR20070029993 A KR 20070029993A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor module
heating
semiconductor
motherboard
heating unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020050084707A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤상한
이창호
이배기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050084707A priority Critical patent/KR20070029993A/en
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    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
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    • GPHYSICS
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Abstract

본 발명은 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비에 관한 것으로서, 반도체 모듈의 고온 테스트 시 반도체 모듈에만 개별적으로 고온의 열을 인가하며 테스트하기 위한 것이다. 본 발명은 소켓이 구비된 마더보드와, 소켓에 장착되는 반도체 모듈의 둘레를 감싸며 반도체 모듈을 개별적으로 가열하는 가열 수단을 포함하여 구성되며, 여기서 가열 수단은 직육면체 형상으로 내부에 반도체 모듈이 수용되고, 발열을 위한 열선이 삽입되어 있는 세라믹 히터로 이루어지는 가열부와, 가열부의 온도 및 가열 시간을 제어하는 제어부를 포함한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor module test facility having individual heating means, and to test and apply high temperature heat to only a semiconductor module in a high temperature test of the semiconductor module. The present invention comprises a motherboard provided with a socket, and heating means for wrapping the semiconductor module mounted on the socket and heating the semiconductor module individually, wherein the heating means has a rectangular parallelepiped shape in which the semiconductor module is received. And a heating unit comprising a ceramic heater into which a heating wire for heat generation is inserted, and a control unit for controlling the temperature and the heating time of the heating unit.

이에 의하면, 반도체 모듈을 가열부 내부에 수용하여 개별적으로 가열하며, 다양한 반도체 소자들에 대하여 가열 온도를 조절하며 골고루 열을 공급하게 되므로 테스트의 신뢰성이 높아지는 효과가 있다. 또한, 가열된 열에 의해 마더보드나 주변 기기들이 파손되는 것을 방지할 수 있다.According to this, since the semiconductor module is accommodated in the heating unit and heated individually, the heating temperature is uniformly supplied to the various semiconductor devices, and thus the reliability of the test is increased. In addition, it is possible to prevent the motherboard or peripheral devices from being damaged by the heated heat.

Description

개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비{TEST EQUIPMENTS FOR SEMICONDUCTOR MODULE WITH INDEPENDENT HEATING MEANS}TEST EQUIPMENTS FOR SEMICONDUCTOR MODULE WITH INDEPENDENT HEATING MEANS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비를 개략적으로 나타내는 사시도.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor module test fixture having individual heating means in accordance with an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면을 나타내는 부분 단면도.2 is a partial cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA ′ of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가열부를 개략적으로 나타내는 도면. 3 is a view schematically showing a heating unit according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 가열부의 다른 실시예를 나타내는 도면. 4 is a view showing another embodiment of a heating unit according to the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비를 개략적으로 나타내는 사시도.5 is a perspective view schematically showing a semiconductor module test fixture having individual heating means in accordance with another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100, 300 : 반도체 모듈 테스트 설비 110 : 반도체 모듈100, 300: semiconductor module test equipment 110: semiconductor module

111 : 반도체 소자 112 : 메모리 소자111 semiconductor element 112 memory element

113 : 특수 로직 소자 120 : 마더보드(Mother board)113: special logic element 120: motherboard

121 : 소켓(Socket) 130 : 테이블 121: Socket 130: Table

200, 400 : 개별 가열 수단 210, 410 : 가열부200, 400: individual heating means 210, 410: heating part

211 : 수용부 220, 420 : 제어부211: accommodation unit 220, 420: control unit

212 : 열선 213 : 제 1 열선212: heating wire 213: first heating wire

214 : 제 2 열선 214 : 제 3 열선214: second heating wire 214: third heating wire

230 : 이송 수단230: transfer means

본 발명은 반도체 모듈의 실장 테스트 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온 테스트 시 반도체 모듈에만 개별적으로 고온의 열을 인가하며 조절할 수 있는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a mounting test apparatus for a semiconductor module, and more particularly, to a semiconductor module test facility having individual heating means capable of individually applying and controlling high temperature heat only to a semiconductor module during a high temperature test.

반도체 모듈은 일반적으로 복수개의 반도체 소자들과 기타 전자 소자들을 하나의 기판상에 실장하여 독립적인 회로를 구성한 것을 지칭한다. 이러한 반도체 모듈은 이상 유무를 판별하기 위해 다양한 환경하에서 테스트를 진행하게 되는데, 이 중 실제 소비자가 사용하는 마더보드에 반도체 모듈을 장착하여 테스트하는 공정을 실장 테스트 공정이라 한다. The semiconductor module generally refers to a structure in which a plurality of semiconductor devices and other electronic devices are mounted on one substrate to form an independent circuit. The semiconductor module is tested in various environments to determine whether there is an abnormality, and a process of mounting a semiconductor module on a motherboard used by a real consumer and testing it is called a mounting test process.

이러한 실장 테스트 공정 중, 고온 테스트는 반도체 모듈이 극한 온도 조건 하에서도 정상의 기능을 발휘하는지의 여부 등을 테스트하기 위하여 진행된다. 고온 테스트를 위해 반도체 모듈들은 마더보드에 장착되어 가열 챔버의 내부로 이송되고, 밀폐된 가열 챔버 내에서 소정의 온도 조건하에서 테스트를 진행하게 되며, 이러한 가열 챔버에 관한 예가 한국특허공개공보 제2004-06309호 등에 개시되어 있다.During such a mounting test process, a high temperature test is conducted to test whether the semiconductor module functions normally even under extreme temperature conditions. For high temperature test, semiconductor modules are mounted on a motherboard and transferred into a heating chamber, and the test is performed under a predetermined temperature condition in a sealed heating chamber. An example of such a heating chamber is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-. 06309 and the like.

이에 따르면, 종래의 가열 챔버는 테스트에 적합한 온도 조건을 형성하기 위 하여 히터(heater)를 사용하여 공기를 가열시킨 후, 팬(fan)을 사용해 송풍하는 방식을 주로 이용하고 있다. According to this, the conventional heating chamber mainly uses a method of blowing air by using a fan after heating the air using a heater to form a temperature condition suitable for the test.

그러나 이러한 종래의 가열 방식은 반도체 모듈뿐 아니라, 반도체 모듈이 실장된 마더보드와 이에 장착되는 그래픽 카드(Graphic Card)와 같은 주변 기기들에도 동일한 온도 조건을 형성하게 된다. 따라서, 반도체 모듈의 테스트 온도에 적합하도록 가열 챔버의 온도를 형성하게 되면, 주변 기기들이 동작 가능한 임계 온도보다 높은 온도 조건이 형성되며, 이로 인하여 주변 기기들이 파손되는 문제가 발생된다. However, the conventional heating method forms the same temperature condition not only for the semiconductor module but also for peripheral devices such as a motherboard on which the semiconductor module is mounted and a graphic card mounted thereon. Therefore, when the temperature of the heating chamber is formed to be suitable for the test temperature of the semiconductor module, a temperature condition is formed higher than a threshold temperature at which the peripheral devices can operate, thereby causing a problem in that the peripheral devices are broken.

그리고, 이와 더불어 히터와 근접한 부분은 열 공급이 원활하게 이루어지기 때문에 온도가 높지만 히터와 멀리 이격되어 있는 부분은 열 공급이 상대적으로 적게 이루어져 낮은 온도가 형성되는 등 가열 챔버 내부의 온도가 균일하게 분포되지 않는 문제가 있다. In addition, the temperature near the heater is high because the heat is supplied smoothly, but the temperature in the heating chamber is uniformly distributed. There is no problem.

따라서 본 발명의 목적은 전술된 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고온의 조건에서 반도체 모듈을 테스트하는 경우, 주변 기기들과 독립적으로 반도체 모듈에만 고온의 열을 인가하며 조절할 수 있는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비를 제공하는 데에 있다.Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, when testing the semiconductor module in a high temperature conditions, the individual that can apply and control the high temperature heat only to the semiconductor module independently of the peripheral devices It is to provide a semiconductor module test facility having heating means.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비는 다수개의 반도체 소자들이 실장된 반도체 모듈을 마더보드에 장착하 여 테스트하며, 반도체 모듈이 장착되는 다수개의 소켓이 평행하게 설치되는 마더보드, 소켓들 중 특정 소켓에 장착되는 반도체 모듈의 둘레를 개별적으로 감싸며 반도체 모듈을 가열하는 가열 수단을 포함하고, 가열 수단은 내부에 열선이 삽입되는 세라믹 히터로 이루어지고, 반도체 모듈을 둘러싸며 반도체 소자들을 가열하는 가열부와, 가열부와 연결되어 가열부의 온도 및 가열 시간을 제어하는 제어부를 포함하여 구성되는 것이 특징이다. The semiconductor module test facility having the individual heating means of the present invention for achieving the above object is to test the semiconductor module mounted with a plurality of semiconductor elements mounted on the motherboard, the plurality of sockets in which the semiconductor module is mounted in parallel Motherboard, which is individually wrapped around the semiconductor module mounted in a particular socket of the socket and includes a heating means for heating the semiconductor module, the heating means is made of a ceramic heater with a heating wire inserted therein, surrounding the semiconductor module And a heating unit for heating the semiconductor elements, and a control unit connected to the heating unit to control the temperature and the heating time of the heating unit.

본 발명에 있어서, 열선은 반도체 소자들의 임계 온도에 대응되도록 반도체 소자들과 마주보는 부분에 다수개가 독립적으로 배치되고, 다수개의 열선은 각각 제어부와 연결되어 개별적으로 제어될 수 있다. 또한, 열선은 반도체 소자들의 임계 온도에 대응되도록 반도체 소자들과 마주보는 부분에 서로 다른 밀도로 배치될 수 있다. In the present invention, a plurality of hot wires may be independently disposed at portions facing the semiconductor devices so as to correspond to the threshold temperatures of the semiconductor devices, and the plurality of hot wires may be individually controlled by being connected to the controller. In addition, the hot wire may be disposed at different densities on the portions facing the semiconductor devices so as to correspond to the threshold temperatures of the semiconductor devices.

이러한 경우, 가열부는 반도체 모듈을 내부에 수용하는 직육면체 형상이고, 하면이 개방되어 있어 하면을 통해 소켓에 장착된 반도체 모듈이 수용되는 것이 바람직하다. 이때, 가열 수단은 가열부의 상면에 체결되어 가열부를 x축, y축, z축 방향으로 자유롭게 이동시키는 이송 수단을 더 포함할 수 있다. In this case, it is preferable that the heating portion has a rectangular parallelepiped shape for accommodating the semiconductor module therein and that the lower surface is open to accommodate the semiconductor module mounted on the socket through the lower surface. In this case, the heating means may further include a conveying means fastened to the upper surface of the heating part to move the heating part freely in the x-axis, y-axis, and z-axis directions.

또한, 본 발명에 있어서 가열부는 반도체 모듈을 내부에 수용하는 직육면체 형상이고, 하면이 개방되어 하면으로 특정 소켓이 삽입되도록 마더보드에 체결되며, 상면이 개방되어 있어 상면을 통해 반도체 모듈을 마더보드에 장착할 수 있다. In addition, in the present invention, the heating unit has a rectangular parallelepiped shape for accommodating the semiconductor module therein, the lower surface is open and is fastened to the motherboard so that a specific socket is inserted into the lower surface, and the upper surface is open so that the semiconductor module is connected to the motherboard through the upper surface. I can attach it.

또한, 본 발명에 있어서 가열부는 반도체 소자들과 마주보는 면들이 반도체 모듈과 접촉하거나, 또는 1mm 이하로 이격되는 것 중 어느 하나인 것이 바람직하 다. In the present invention, the heating unit is preferably any one of the surfaces facing the semiconductor elements in contact with the semiconductor module or spaced apart by 1 mm or less.

더하여, 본 발명에 있어서 가열부는 복수개가 설치되는 것이 바람직하다. In addition, in this invention, it is preferable that more than one heating part is provided.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성 요소들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략하며, 실시예들에 따라 변형된 구성 요소를 중심으로 설명하도록 하겠다.In describing the embodiments of the present invention, components having substantially the same configuration and function are given the same reference numerals, and redundant descriptions will be omitted, and the description will be given based on the components modified according to the embodiments. I'll do it.

도 1은 본 발명의 1 실시예에 따른 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면을 나타내는 부분 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor module test facility having individual heating means according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 반도체 모듈 테스트 설비(100)는 마더보드(120)와 테이블(130), 그리고 가열 수단(200)을 포함하여 구성된다.1 and 2, the semiconductor module test fixture 100 of the present embodiment includes a motherboard 120, a table 130, and a heating means 200.

마더보드(120)는 반도체 모듈(110)의 테스트가 실제적으로 진행되는 곳이며, 상면에 반도체 모듈(110)이 장착되는 다수개의 소켓(121)이 평행을 이루며 설치되어 있다. 본 실시에에서는 소켓(121)들이 마더보드(120)의 상면에 위치되고, 다른 주변 기기들(예컨데, CPU, 그래픽 카드 등)은 마더보드(120)의 하면에 설치되는 리버스 보드(Reverse board)를 예시하고 있다. 그러나, 소켓(121)들과 다른 주변 기기들이 모두 상면에 형성되어 있는 프런트 보드(front board)를 사용해도 무방하다. The motherboard 120 is a place where the test of the semiconductor module 110 is actually performed, and a plurality of sockets 121 in which the semiconductor module 110 is mounted is installed in parallel on the upper surface. In this embodiment, the sockets 121 are located on the upper surface of the motherboard 120, and other peripheral devices (for example, a CPU, a graphics card, etc.) are reverse boards installed on the lower surface of the motherboard 120. To illustrate. However, it is also possible to use a front board in which both the sockets 121 and other peripheral devices are formed on the upper surface.

테이블(130)은 마더보드(120)의 하부에서 마더보드(120)를 지지하며 고정시켜 테스트 도중 마더보드(120)가 움직이는 것을 방지한다. The table 130 supports and fixes the motherboard 120 at the bottom of the motherboard 120 to prevent the motherboard 120 from moving during the test.

가열 수단(200)은 가열부(210), 제어부(220) 및 이송 수단(230)을 포함한다.The heating means 200 includes a heating unit 210, a control unit 220 and a transfer means 230.

가열부(210)는 마더보드(120)의 소켓(121)에 장착되는 반도체 모듈(110)을 내부에 수용할 수 있는 수용부(211)를 갖는 직육면체 형상으로 형성된다. 또한 가열부(210)는 반도체 모듈(110)을 가열시키기 위해 반도체 소자(111)들과 마주보는 부분에 열선(212)이 삽입된다. 따라서, 가열부(210)로는 외부와의 방전 및 누전이 차단되는 재질로 이루어진 세라믹 히터를 사용하는 것이 바람직하다. The heating unit 210 is formed in a rectangular parallelepiped shape having an accommodating part 211 capable of accommodating the semiconductor module 110 mounted in the socket 121 of the motherboard 120 therein. In addition, the heating unit 210 is a heating wire 212 is inserted into a portion facing the semiconductor element 111 to heat the semiconductor module 110. Therefore, as the heating unit 210, it is preferable to use a ceramic heater made of a material to block the discharge and leakage to the outside.

또한, 가열부(210)는 하면이 개방되어 있어 하면을 통해 소켓(121)에 장착된 반도체 모듈(110)이 내부로 수용되며, 이를 가열시키기 위한 열선(212)은 외부와 연결되어 외부로부터 인가되는 전류의 흐름에 따라 발열하게 된다. 더하여, 가열부(210)는 효과적으로 열을 전달하기 위해 반도체 모듈(110)의 반도체 소자(111)들과 이에 대응되는 가열부(210)의 면들이 최소의 간격(예컨데, 1mm 이하의 간격)을 이루도록 설치되며, 서로 접촉되도록 설치되는 것도 가능하다. In addition, the heating unit 210 has an open lower surface so that the semiconductor module 110 mounted on the socket 121 is accommodated through the lower surface, and the heating wire 212 for heating it is connected to the outside and applied from the outside. It generates heat as the current flows. In addition, the heating unit 210 has a minimum spacing (for example, a spacing of 1 mm or less) between the semiconductor elements 111 of the semiconductor module 110 and the surfaces of the heating unit 210 corresponding thereto to effectively transfer heat. It is installed to achieve, it is possible to be installed to contact each other.

여기서, 참조된 도면에는 가열부(210)가 반도체 모듈(110)와 함께 마더보드(120)의 소켓(121)까지 수용부(211)에 수용하도록 도시되어 있지만, 효과적인 열 전달을 위해 반도체 모듈(110)만을 수용부(211)에 포함하며, 반도체 소자(111)들과 가열부(210)가 서로 접촉하도록 형성되는 것도 가능하다. Here, although the heating part 210 is shown to accommodate the semiconductor module 110 together with the semiconductor module 110 in the accommodating part 211 up to the socket 121 of the motherboard 120, the semiconductor module ( Only 110 is included in the accommodating part 211, and the semiconductor elements 111 and the heating part 210 may be formed to contact each other.

제어부(220)는 가열부(210)와 연결되어 가열부(210)의 온도 및 가열 시간 등을 제어한다. 이때, 온도 및 가열 시간 등은 작업자에 의해 미리 설정된다.The controller 220 is connected to the heating unit 210 to control the temperature and heating time of the heating unit 210, and the like. At this time, the temperature, heating time and the like are preset by the operator.

이송 수단(230)은 마더보드(120)의 상부에서 설치되며, 가열부(210)의 상부면과 체결되어 가열부(210)를 x축, y축, z축 방향으로 자유롭게 이동시킨다. 따라 서, 마더보드(120)에 설치되어 있는 다수개의 소켓(121) 중 어떠한 소켓(121)에 반도체 모듈(110)이 장착되더라도 이송 수단(230)을 통해 가열부(210)를 이동시켜 반도체 모듈(110)을 가열할 수 있다. 또한, 도 1에는 하나의 가열부(210)가 도시되어 있지만, 다수개의 가열부(210)를 설치하여 동시에 다수개의 반도체 모듈(110)들을 가열하는 것도 가능하다. The transfer means 230 is installed at the upper portion of the motherboard 120, is fastened to the upper surface of the heating unit 210 to move the heating unit 210 freely in the x-axis, y-axis, z-axis direction. Therefore, even if the semiconductor module 110 is mounted in any socket 121 of the plurality of sockets 121 installed on the motherboard 120, the heating module 210 is moved through the transfer means 230 to move the semiconductor module. 110 may be heated. In addition, although one heating unit 210 is illustrated in FIG. 1, a plurality of heating units 210 may be installed to heat the plurality of semiconductor modules 110 at the same time.

이와 같이 구성되는 개별 가열 수단(200)을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비(100)의 동작을 살펴보면 다음과 같다. The operation of the semiconductor module test facility 100 having the individual heating means 200 configured as described above is as follows.

먼저, 반도체 모듈(110)이 마더보드(120) 소켓(121)에 장착되면, 작업자는 이송 수단(230)을 제어하여 가열 수단(200)의 가열부(210)를 반도체 모듈(110)의 상부로 이동시킨다. 이후, 가열부(210)를 하강시켜 수용부(211)에 반도체 모듈(110)이 수용되도록 위치시킨다. First, when the semiconductor module 110 is mounted on the motherboard 120 socket 121, the operator controls the transfer means 230 to move the heating unit 210 of the heating means 200 to the upper portion of the semiconductor module 110. Move to. Thereafter, the heating unit 210 is lowered to position the semiconductor module 110 in the accommodation unit 211.

반도체 모듈(110)이 수용부(211)에 위치되면, 제어부(220)는 작업자가 미리 설정해 놓은 온도과 가열 시간 등을 기반으로 하여 가열부(210)에 삽입되어 있는 열선(212)을 가열시킨다.When the semiconductor module 110 is located in the accommodating part 211, the controller 220 heats the heating wire 212 inserted into the heating part 210 based on a temperature and a heating time set by a worker in advance.

이에 따라 수용부(211)에 수용되어 있는 반도체 모듈(110)의 반도체 소자(111)들은 열선(212)로부터 전달되는 열에 의해 표면 온도가 상승하게 된다. 반도체 소자(111)들의 표면 온도가 목표 온도(예컨데, 82.5±2.5℃)까지 상승되면, 반도체 모듈 테스트 설비(100)는 반도체 모듈(110)의 테스트를 진행하게 된다. 이때, 목표 온도의 측정은 가열부(210)의 내부에 센서(도시되지 않음)를 설치하여 감지 하거나, 여러 번의 사전 테스트를 통해 가열 시간에 따른 온도 상승값을 산출하여 이를 이용하는 등 다양한 방법을 사용할 수 있다. Accordingly, the surface temperature of the semiconductor devices 111 of the semiconductor module 110 accommodated in the accommodating part 211 is increased by heat transmitted from the heating wire 212. When the surface temperature of the semiconductor devices 111 rises to a target temperature (eg, 82.5 ± 2.5 ° C.), the semiconductor module test facility 100 may test the semiconductor module 110. At this time, the measurement of the target temperature can be detected by installing a sensor (not shown) inside the heating unit 210, or using a variety of methods such as calculating the temperature rise value according to the heating time through several pre-tests. Can be.

반도체 모듈(110)의 테스트가 완료되면, 작업자는 이송 수단(230)을 통해 가열부(210)를 상승시키고, 테스트가 완료된 반도체 모듈(110)을 소켓(121)에서 분리하게 된다.When the test of the semiconductor module 110 is completed, the worker raises the heating unit 210 through the transfer means 230 and separates the tested semiconductor module 110 from the socket 121.

이후, 새로운 반도체 모듈(110)을 소켓(121)에 장착하고, 전술된 방법을 반복하여 반도체 모듈(110)의 테스트를 계속 진행하게 된다.Thereafter, the new semiconductor module 110 is mounted in the socket 121, and the test of the semiconductor module 110 is continued by repeating the above-described method.

여기서, 가열부(210)에 삽입되는 열선(212)의 배치는 테스트되는 반도체 모듈(110)의 특성에 따라 다양하게 변형될 수 있으며, 이하에서 도면을 참조하여 살펴보기로 한다.Here, the arrangement of the heating wire 212 inserted into the heating unit 210 may be variously modified according to the characteristics of the semiconductor module 110 to be tested, which will be described below with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가열부를 개략적으로 나타내는 도면이다. 3 is a view schematically showing a heating unit according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 가열부(210)는 제 1 열선(213), 제 2 열선(214), 제 3 열선(215)으로 분리된 열선을 포함한다. 이러한 열선(213, 214, 215)들은 각각 제어부(220)와 연결되며, 제어부(220)는 각각의 열선(213, 214, 215)들에 대해 동일한 온도로 발열시키거나, 서로 다른 온도로 발열시킬 수 있다. Referring to FIG. 3, the heating unit 210 according to the present exemplary embodiment includes a heating wire divided into a first heating wire 213, a second heating wire 214, and a third heating wire 215. The heating wires 213, 214, and 215 are connected to the control unit 220, respectively, and the control unit 220 generates heat to the same temperature for each of the heating wires 213, 214, and 215, or to different temperatures. Can be.

일반적으로 반도체 모듈(110)에 실장되는 반도체 소자(111)들은 대부분 메모리 소자(112)로 구성된다. 그러나 최근에 개발되고 있는 반도체 모듈(111)의 경우, 메모리 소자(112) 이외에도 특수한 기능을 갖는 특수 로직 소자(113)가 더 실장되고 있으며, 이와 같은 반도체 모듈(110)의 일례가 도 3에 도시되어 있다. 도 3에 도시된 반도체 모듈(110)은 FB(Fully Buffered)-DIMM을 나타낸 것으로, 모듈 기판 양면에 메모리 소자(112)들이 실장되어 있으며, 일면의 중심에는 메모리 소자(112) 와 메모리 컨트롤러(도시되지 않음) 사이에서 버퍼 역할을 하는 특수 로직 소자(예컨데, AMB; Advanced Memory Buffer; 113)가 실장되어 있다. In general, the semiconductor devices 111 mounted on the semiconductor module 110 are mostly composed of the memory devices 112. However, in the case of the recently developed semiconductor module 111, a special logic element 113 having a special function is mounted in addition to the memory element 112. An example of such a semiconductor module 110 is illustrated in FIG. 3. It is. The semiconductor module 110 illustrated in FIG. 3 represents a fully buffered (FB) -DIMM, and memory devices 112 are mounted on both sides of the module substrate, and a memory device 112 and a memory controller (at the center of one surface) are shown. And a special logic element (e.g., AMB; Advanced Memory Buffer; 113) that acts as a buffer between them.

이러한 특수 로직 소자(113)는 동작 시 메모리 소자(112)에 비하여 많은 열을 발생시킨다. 따라서, 가열부(210)에서 메모리 소자(112)와 동일하게 고온의 열을 인가하는 경우, 메모리 소자(112)들보다 높은 표면 온도(예컨데, 약 100℃)를 이루게 되며, 이로 인하여 파손될 수 있다. The special logic element 113 generates more heat than the memory element 112 during operation. Accordingly, when the heating unit 210 applies high temperature heat in the same manner as the memory device 112, the heating unit 210 may have a higher surface temperature (eg, about 100 ° C.) than the memory device 112, and may be damaged. .

이를 위하여, 본 실시예의 가열부(210)는 반도체 모듈(110)에 실장된 반도체 소자(111)들의 위치에 대응되도록 다수개의 열선(213, 214, 215)을 구비하고, 이러한 다수개의 열선(213, 214, 215)들은 제어부(220)와 각각 연결된다. 따라서, 제어부(220)는 메모리 소자(112)에 대응되도록 설치되는 제 1 및 제 3 열선(213, 215)들을 이용하여 메모리 소자(112)가 목표 온도를 유지하도록 제어하며, 특수 로직 소자(113)에 대응되도록 설치되는 제 2 열선(214)을 이용하여 특수 로직 소자(113)가 임계 온도 이하로 온도를 유지하도록 제어한다. To this end, the heating unit 210 of the present exemplary embodiment includes a plurality of heating wires 213, 214, and 215 to correspond to the positions of the semiconductor elements 111 mounted on the semiconductor module 110, and the plurality of heating wires 213. , 214, 215 are connected to the control unit 220, respectively. Accordingly, the controller 220 controls the memory element 112 to maintain a target temperature by using the first and third heating wires 213 and 215 installed to correspond to the memory element 112, and the special logic element 113. The special logic element 113 is controlled to maintain the temperature below the threshold temperature by using the second heating wire 214 that is installed to correspond to the &lt; RTI ID = 0.0 &gt;

도 4는 본 발명에 따른 가열부의 다른 실시예를 나타내는 도면으로, 이를 참조하면, 가열부(210)의 열선(212)은 하나의 열선(212)으로 형성되며, 삽입되어 있는 열선(212)의 밀도는 반도체 모듈(110)을 가열부(210)에 삽입 시 열선(212)과 대응되는 반도체 소자(111)들의 특성에 따라 다르게 형성된다. 4 is a view showing another embodiment of the heating unit according to the present invention. Referring to this, the heating wire 212 of the heating unit 210 is formed of one heating wire 212, the insertion of the heating wire 212 The density is formed differently according to the characteristics of the semiconductor elements 111 corresponding to the heating wire 212 when the semiconductor module 110 is inserted into the heating unit 210.

즉, 메모리 소자(112)에 대응되는 위치에는 높은 밀도로 열선(212)이 형성되어 있으며, 특수 로직 소자(113)에 대응되는 위치에는 낮은 밀도로 열선(212)이 형성되어 있다. 따라서 가열부(210)에 의해 온도가 가해지는 경우, 특수 로직 소자 (113)에는 메모리 소자(112)보다 상대적으로 적은 열이 가해지게 된다. 따라서, 반도체 소자(111)들이 고온의 열에 의해 파손되는 것을 예방할 수 있다. That is, the hot wire 212 is formed at a high density at a position corresponding to the memory element 112, and the hot wire 212 is formed at a low density at a position corresponding to the special logic element 113. Therefore, when the temperature is applied by the heating unit 210, relatively less heat is applied to the special logic element 113 than the memory element 112. Therefore, it is possible to prevent the semiconductor elements 111 from being damaged by high temperature heat.

한편, 본 실시예들에서는 본 발명에 따른 가열 수단이 FBDIMM에 적용되는 것을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 NGDIMM, UDIMM, RDIMM 등 다양한 반도체 모듈(110)에 적용될 수 있다. Meanwhile, in the present embodiments, the heating means according to the present invention has been exemplified to be applied to the FBDIMM, but is not limited thereto. In addition, the heating means according to the present invention may be applied to various semiconductor modules 110 such as NGDIMM, UDIMM, and RDIMM.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 5 is a perspective view schematically showing a semiconductor module test fixture having individual heating means according to another embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 가열 수단(400)은 전술된 실시예와 유사한 형상으로 이루어지며, 가열부(410)가 이송 수단(도 1의 230)에 의해 이동되지 않고, 마더보드(120)상에 체결되는 점에서 차이를 보인다. The heating means 400 according to the present embodiment has a shape similar to the above-described embodiment, and the heating part 410 is fastened on the motherboard 120 without being moved by the conveying means (230 of FIG. 1). It makes a difference.

가열부(410)는 하면이 개방되어 하면으로 소켓(121)이 삽입되도록 마더보드(120) 상에 체결된다. 이때, 가열부(410)의 상면은 개방되어 있으며, 상면을 통해 반도체 모듈(110)을 소켓(121)에 장착할 수 있다. The heating unit 410 is fastened on the motherboard 120 so that the lower surface is opened and the socket 121 is inserted into the lower surface. In this case, the upper surface of the heating unit 410 is open, and the semiconductor module 110 may be mounted on the socket 121 through the upper surface.

이러한 구성을 갖는 본 실시예에 따른 반도체 모듈 테스트 설비(300)는 반도체 모듈(110)을 소켓(121)에 장착한 후 가열부(410)의 위치 조정 없이 곧바로 반도체 소자들을 가열하게 되며, 테스트 완료 시에도 신속하게 반도체 모듈(110)을 교체할 수 있다.The semiconductor module test facility 300 according to the present exemplary embodiment having such a configuration heats the semiconductor devices immediately without adjusting the position of the heating unit 410 after mounting the semiconductor module 110 to the socket 121, and the test is completed. Even when the semiconductor module 110 can be replaced quickly.

본 실시예의 가열부(410)는 마더보드(120)상에 설치된 다수개의 소켓(121)에 모두 가열부(410)가 설치된 것을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 소켓(121) 또는 특정한 몇몇의 소켓(121)에만 가열부(410)가 설치되는 것도 가 능하다. The heating unit 410 of this embodiment has been illustrated that the heating unit 410 is installed in all of the plurality of sockets 121 installed on the motherboard 120, but is not limited to this, one socket 121 or a specific It is also possible that the heating unit 410 is installed only in some sockets 121.

한편, 본 발명에 따른 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비는 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 가열부는 직육면체 형상으로 형성되었지만 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 모듈을 수용할 수 있는 형상이라면 다양하게 적용될 수 있다. On the other hand, the semiconductor module test facility having individual heating means according to the present invention is not limited to the embodiments, various modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. For example, the heating unit is formed in a rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto. The heating unit may be variously applied as long as it can accommodate a semiconductor module.

또한, 본 실시예에서는 반도체 모듈을 실장하여 테스트하는 설비를 예시하였지만, 이외에도 고온 테스트를 실시하는 모든 설비에 적용될 수 있다. 더하여, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진In addition, in the present embodiment, a facility for mounting and testing a semiconductor module is exemplified, but may be applied to all facilities for high temperature test. In addition, the various elements and regions in the drawings are schematically drawn

것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다.  will be. Accordingly, the present invention is not limited by the relative size or spacing drawn in the accompanying drawings.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비는 반도체 모듈의 실장 테스트 시 반도체 모듈에 개별적으로 고온의 열을 인가하며 조절할 수 있는 개별 가열 수단을 제공한다.As described above, the semiconductor module test facility having the individual heating means of the present invention provides individual heating means capable of individually applying high-temperature heat to the semiconductor module during the mounting test of the semiconductor module.

따라서, 가열된 열에 의해 마더보드나 주변 기기들이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 모듈에 실장되어 있는 다양한 반도체 소자들에 대하여 가열 온도를 조절하며 골고루 열을 공급할 수 있으므로, 테스트의 신뢰성이 높아지는 효과가 있다. Therefore, it is possible to prevent the motherboard or peripheral devices from being damaged by the heated heat. In addition, since the heating temperature can be uniformly supplied to various semiconductor devices mounted in the semiconductor module, the test reliability is improved.

Claims (8)

다수개의 반도체 소자들이 실장된 반도체 모듈을 마더보드에 장착하여 테스트하는 테스트 장치로서,A test apparatus for testing a semiconductor module mounted with a plurality of semiconductor devices mounted on a motherboard, 상기 반도체 모듈이 장착되는 다수개의 소켓이 평행하게 설치되는 마더보드;A motherboard in which a plurality of sockets on which the semiconductor module is mounted are installed in parallel; 상기 소켓들 중 특정 소켓에 장착되는 상기 반도체 모듈의 둘레를 개별적으로 감싸며 상기 반도체 모듈을 가열하는 가열 수단;을 포함하며,And heating means for individually wrapping a circumference of the semiconductor module mounted in a specific one of the sockets and heating the semiconductor module. 상기 가열 수단은,The heating means, 내부에 열선이 삽입되는 세라믹 히터로 이루어지고, 상기 반도체 모듈을 둘러싸며 상기 반도체 소자들을 가열하는 가열부와;A heating unit formed of a ceramic heater having a heating wire inserted therein and surrounding the semiconductor module to heat the semiconductor elements; 상기 가열부와 연결되어 상기 가열부의 온도 및 가열 시간을 제어하는 제어부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.And a control unit connected to the heating unit for controlling the temperature and the heating time of the heating unit. 제 1 항에 있어서, 상기 열선은 상기 반도체 소자들의 임계 온도에 대응되도록 상기 반도체 소자들과 마주보는 부분에 다수개가 독립적으로 배치되고, 상기 다수개의 열선은 각각 상기 제어부와 연결되어 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.The method of claim 1, wherein a plurality of the heating wires are independently disposed at portions facing the semiconductor devices so as to correspond to the threshold temperatures of the semiconductor devices, and the plurality of heating wires are connected to the controller and individually controlled. A semiconductor module test fixture having individual heating means. 제 1 항에 있어서, 상기 열선은 상기 반도체 소자들의 임계 온도에 대응되도 록 상기 반도체 소자들과 마주보는 부분에 서로 다른 밀도로 배치되는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.2. The semiconductor module test fixture of claim 1, wherein the hot wires are disposed at different densities on the portions facing the semiconductor elements so as to correspond to the threshold temperatures of the semiconductor elements. 제 1 항에 있어서, 상기 가열부는,The method of claim 1, wherein the heating unit, 상기 반도체 모듈을 내부에 수용하는 직육면체 형상이고, 하면이 개방되어 있어 상기 하면을 통해 상기 소켓에 장착된 상기 반도체 모듈이 수용되는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.And a rectangular parallelepiped shape for accommodating the semiconductor module therein, the bottom surface of which is open so that the semiconductor module mounted to the socket is accommodated through the bottom surface of the semiconductor module test facility. 제 4 항에 있어서, 상기 가열 수단은,The method of claim 4, wherein the heating means, 상기 가열부의 상면에 체결되어 상기 가열부를 x축, y축, z축 방향으로 자유롭게 이동시키는 이송 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.And a transfer means fastened to the upper surface of the heating part to move the heating part freely in the x-axis, y-axis, and z-axis directions. 제 1 항에 있어서, 상기 가열부는,The method of claim 1, wherein the heating unit, 상기 반도체 모듈을 내부에 수용하는 직육면체 형상이고, 하면이 개방되어 상기 하면으로 상기 특정 소켓이 삽입되도록 상기 마더보드에 체결되며, 상면이 개방되어 있어 상기 상면을 통해 상기 반도체 모듈을 상기 마더보드에 장착하는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.A rectangular parallelepiped shape for accommodating the semiconductor module therein, the bottom surface of which is opened and fastened to the motherboard so that the specific socket is inserted into the bottom surface of the semiconductor module, and the top surface of which is opened to mount the semiconductor module to the motherboard through the top surface A semiconductor module test facility having individual heating means. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열부는 상기 반도체 소자들과 마주보는 면들이 상기 반도체 모듈과 접촉하거나, 또는 1mm 이하로 이격되는 것 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.The individual heating according to any one of claims 1 to 6, wherein the heating portion is any one of surfaces facing the semiconductor elements in contact with the semiconductor module or spaced apart by 1 mm or less. Semiconductor module test fixture with means. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열부는 복수개가 설치되는 것을 특징으로 하는 개별 가열 수단을 갖는 반도체 모듈 테스트 설비.7. The semiconductor module test fixture according to any one of claims 1 to 6, wherein a plurality of said heating units are provided.
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JP2023505855A (en) * 2019-12-11 2023-02-13 マイクロン テクノロジー,インク. Standalone thermal chamber for temperature control components

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