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KR20060026816A - Plasma chamber - Google Patents

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KR20060026816A
KR20060026816A KR1020040075688A KR20040075688A KR20060026816A KR 20060026816 A KR20060026816 A KR 20060026816A KR 1020040075688 A KR1020040075688 A KR 1020040075688A KR 20040075688 A KR20040075688 A KR 20040075688A KR 20060026816 A KR20060026816 A KR 20060026816A
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South Korea
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plasma
plate
plasma chamber
chamber
main body
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장경환
이혁범
권순기
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(주)아이씨디
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Abstract

본 발명은 플라즈마 챔버에 관한 것으로서, 특히 용량 결합형 평행평판형 전극구조에서 그라운드 접지된 상부전극과 챔버 내벽에 요철부를 형성시켜 표면적을 증가시킴으로써, 동일한 전원을 사용하여도 하부전극 위의 대상물에 걸리는 전압을 높일 수 있는 플라즈마 챔버가 제공된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma chamber, and in particular, in a capacitively coupled parallel plate type electrode structure, the grounded upper electrode and the uneven portion are formed on the inner wall of the chamber to increase the surface area, thereby increasing the surface area. There is provided a plasma chamber capable of raising the voltage.

플라즈마, 용량 결합형, 평행 평판, 요철부, 표면적Plasma, Capacitively Coupled, Parallel Plates, Concave-Convex, Surface Area

Description

플라즈마 챔버{Plasma chamber}Plasma chamber

도 1은 일반적인 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 챔버의 단면도.1 is a cross-sectional view of a typical capacitively coupled parallel plate plasma chamber.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 단면도.2 is a cross-sectional view of a plasma chamber in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 상부전극의 사시도.3 is a perspective view of the upper electrode of FIG.

도 4는 원형 형상의 요철부를 나타내는 일부 사시도.4 is a partial perspective view showing a concave-convex portion of a circular shape.

도 5는 직선형 형상의 요철부를 나타내는 일부 사시도.5 is a partial perspective view showing the uneven portion of the linear shape.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 내부를 나타내는 일부 사시도.6 is a partial perspective view showing the interior of the plasma chamber according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 내부를 나타내는 일부 사시도.7 is a partial perspective view showing the interior of the plasma chamber according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

2,20..뚜껑 3,30,130,230..본체 4,40..월2,20..Land 3,30,130,230..Main body 4,40..Month

6,60..상부전극 22,42,62,112,212..요철부 110,210..플레이트6,60. Upper electrodes 22, 42, 62, 112, 212 Uneven parts 110, 210 Plates

217..결합턱 220..전도판217. Combination Jaw 220. Conductor Plate

본 발명은 플라즈마 챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 용량 결합형 평행 평판형 전극 구조를 갖는 플라즈마 챔버에서 그라운드 접지된 상부전극과 챔버 내벽의 표면적을 증가시킴으로써, 동일한 전원을 사용하여도 하부전극 위에 놓인 대상물에 걸리는 전압을 높일 수 있는 플라즈마 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma chamber, and more particularly, in a plasma chamber having a capacitively coupled parallel plate type electrode structure, by increasing the surface area of the grounded upper electrode and the inner wall of the chamber, the same power source is placed on the lower electrode. The present invention relates to a plasma chamber capable of increasing a voltage applied to an object.

최근 반도체 소자, LCD, 유기EL, PDP(Plasma Display Panel) 등과 같은 구성부품들은 구조 또는 구성이 보다 정밀해지므로, 이러한 구성부품들의 제조 공정에서는 고정밀 처리 제어가 필요한데, 이러한 고정밀 처리 제어가 가능한 장치 중에 일반적으로 플라즈마 처리 장치가 각광받고 있다.In recent years, components such as semiconductor devices, LCDs, organic ELs, and plasma display panels (PDPs) are more precise in structure or configuration. Therefore, high precision processing control is required in the manufacturing process of these components. In general, plasma processing apparatuses are in the spotlight.

플라즈마 처리 장치로는 유도성 결합 플라즈마 소스(Inductively coupled plasma source), 마이크로파 플라즈마 소스(Microwave plasma source), 또는 용량성 결합 플라즈마 소스(Capacitively coupled plasma source)를 사용하는 장치가 있는데, 일반적으로 용량 결합형 평판 플라즈마 처리 장치가 널리 사용된다.Plasma processing apparatuses include inductively coupled plasma sources, microwave plasma sources, or capacitively coupled plasma sources, which are generally capacitively coupled. Plate plasma processing apparatuses are widely used.

용량 결합형 평판 플라즈마 처리 장치는, 챔버내에 한 쌍의 평행 평판 전극(상부 및 하부 전극)이 배치되며 배기장치가 연결되고, 또한 평행 평판 전극에는 고주파 전원이 접속되어 있다. 이러한 장치에서는, 배기장치의 배기에 의해 진공도를 최대한 높여 챔버내의 불순물을 제거하고, 진공상태로 된 챔버내로 처리 가스를 투입하여 적절한 압력으로 상승시킨 다음, 전극 중 적어도 한쪽에 고주파 전압을 인가하여 전극사이에 고주파 전기장을 형성하여, 이 고주파 전기장에 의해 처리 가스로 플라즈마를 형성시켜 코팅, 에칭(etching), 애싱(ashing), 클리닝 등의 플라즈마 처리를 실시한다.In the capacitively coupled plate plasma processing apparatus, a pair of parallel plate electrodes (upper and lower electrodes) are arranged in a chamber, an exhaust device is connected, and a high frequency power supply is connected to the parallel plate electrode. In such an apparatus, the evacuation device is evacuated to maximize the degree of vacuum to remove impurities in the chamber, the processing gas is introduced into the vacuum chamber to raise the pressure to an appropriate pressure, and a high frequency voltage is applied to at least one of the electrodes. A high frequency electric field is formed therebetween, and plasma is formed from the processing gas by the high frequency electric field to perform plasma treatment such as coating, etching, ashing, and cleaning.

도 1은 일반적인 용량 결합형 평판 플라즈마 챔버의 단면도를 보여준다. 도면을 참조하면, 상기 플라즈마 챔버(10)는 하부가 개방된 직육면체의 형상을 갖는 뚜껑(2)과 상부가 개방된 직육면체의 형상을 가지는 본체(3)를 포함하며, 본체(3)는 다시 월(wall)(4)과 바닥(5)을 포함한다.1 shows a cross-sectional view of a typical capacitively coupled planar plasma chamber. Referring to the drawings, the plasma chamber 10 includes a lid 2 having a shape of a rectangular parallelepiped with an open bottom and a body 3 having a shape of a rectangular parallelepiped with an open top, wherein the main body 3 is again walled. (wall) 4 and bottom 5.

상기 뚜껑(2)의 내부 천정에는 상부전극(6)이 고정되며, 본체(3)의 바닥(5) 상면에 절연판(8)이 위치하고, 절연판(8)의 상부에 하부전극(7)이 고정된다. 상부전극(6), 뚜껑(2) 및 본체(3)는 서로 통전되면서 그라운드에 접지되고, 하부전극(7)은 절연판(8)에 의해 상부전극(6), 뚜껑(2) 및 본체(3)와 절연되면서 고주파 전력을 인가하는 장치(9)와 연결된다. 상부전극(6)을 통해서 공정가스가 투입되고, 상부전극(6)과 하부전극(7)간에 고전압이 걸리면서 플라즈마가 형성되어 소정의 처리를 하게 된다.The upper electrode 6 is fixed to the inner ceiling of the lid 2, and the insulating plate 8 is positioned on the bottom 5 of the main body 3, and the lower electrode 7 is fixed on the insulating plate 8. do. The upper electrode 6, the lid 2 and the main body 3 are grounded to the ground while energizing each other, and the lower electrode 7 is connected by the insulating plate 8 to the upper electrode 6, the lid 2 and the main body 3 Is connected to the device (9) for applying high frequency power. The process gas is introduced through the upper electrode 6, and a high voltage is applied between the upper electrode 6 and the lower electrode 7 to form a plasma to perform a predetermined process.

이러한 용량 결합형 평형 평판형 전극 구조에서는 일반적으로 아래와 같은 관계가 성립한다.In such a capacitively coupled flat plate electrode structure, the following relationship is generally established.

Figure 112004042971360-PAT00001
Figure 112004042971360-PAT00001

여기서, A1은 그라운드에 접지된 그라운드 전극, 즉 그라운드에 접지된 상부전극과 챔버 내벽의 면적을 말하며, V1은 그라운드에 접지된 그라운드 전극, 즉 그라운드에 접지된 상부전극과 챔버 내벽에 걸리는 전압을 말하며, A2는 고주파 전원 에 연결된 전극의 면적을 말하며, V2는 고주파 전원에 연결된 전극의 전압을 말한다. 따라서, 동일한 고주파 전원을 사용하면서도 파워에 연결된 하부전극(7)위의 대상물에 높은 전압이 걸리게 하기 위해서는 A1의 면적, 즉 그라운드에 접지된 상부전극(6)과 뚜껑(2) 및 월(4)의 면적이 커져야 한다.Here, A 1 refers to the ground electrode grounded to the ground, that is, the area of the upper electrode and the chamber inner wall grounded to the ground, V 1 is a ground electrode grounded to the ground, that is, the voltage applied to the upper electrode and the chamber inner wall grounded to the ground A 2 refers to the area of the electrode connected to the high frequency power supply, and V 2 refers to the voltage of the electrode connected to the high frequency power supply. Thus, while using the same high-frequency power supply to the object of the above power lower electrode 7 is connected to take the high voltage area of A 1, that is, the upper electrode 6 and the lid (2) and the month (4 grounded ) Area should be large.

종래에는 그라운드에 접지된 상부전극과 챔버 내벽의 면적을 증가시키기 위해 상부전극과 하부전극 간의 간격을 증가시키는 방식을 채택하였다. 그러나, 이러한 방식에 따르면 상·하부 전극간격이 증가함에 따라 플라즈마 챔버의 크기도 커지게 되어 플라즈마 챔버의 제조비용이 비약적으로 증가할 뿐만 아니라, 플라즈마 챔버 내부의 부피도 커지게 되어 챔버 내부를 감압하는 배기장치의 용량과 공급되는 공정가스량도 더 많이 소요되는 등, 여러가지 문제점을 수반하였다.Conventionally, a method of increasing the distance between the upper electrode and the lower electrode in order to increase the area of the upper electrode and the chamber inner wall grounded to the ground. However, according to this method, as the upper and lower electrode intervals increase, the size of the plasma chamber also increases, which significantly increases the manufacturing cost of the plasma chamber and also increases the volume inside the plasma chamber, thereby reducing the pressure inside the chamber. This entailed a number of problems, including the capacity of the exhaust system and the amount of process gas supplied.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 플라즈마 챔버 내부의 상부전극과 하부전극의 간격을 넓히지 않고도 그라운드에 접지된 상부전극과 챔버 내벽의 표면적을 증가시킴으로써, 동일한 전원을 사용하는 경우에도 하부전극 위의 대상물에 걸리는 전압을 높일 수 있는 플라즈마 챔버를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and by using the same power source by increasing the surface area of the upper electrode and the chamber inner wall grounded to the ground without increasing the distance between the upper electrode and the lower electrode in the plasma chamber In this case, an object of the present invention is to provide a plasma chamber capable of increasing a voltage applied to an object on the lower electrode.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버는, 본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 본체와 뚜껑의 내측면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성된다.In order to achieve the above object, the plasma chamber according to the present invention includes a main body and a lid, and in the plasma chamber in which an upper electrode and a lower electrode are installed therein for generating plasma, an inner surface of the main body and the lid At least one of the uneven portion is formed.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 본체와 뚜껑의 내측면 중 적어도 하나에는, 일면에 요철부가 형성된 적어도 하나 이상의 플레이트가 구비된 플라즈마 챔버가 구비된다.According to still another embodiment of the present invention, a plasma chamber having a main body and a lid and having an upper electrode and a lower electrode installed therein for generating plasma, wherein at least one of the inner surfaces of the main body and the lid is provided on one surface thereof. The plasma chamber is provided with at least one plate having an uneven portion.

바람직하게, 상기 플레이트는 전도성 금속으로 되며, 상기 플레이트끼리 대접하는 측면에 결합턱이 형성될 수 있다.Preferably, the plate is made of a conductive metal, the coupling jaw may be formed on the side of the plate facing each other.

바람직하게, 상기 플레이트와 상기 본체 내벽 사이에 전도판이 개재된다.Preferably, a conductive plate is interposed between the plate and the body inner wall.

또한, 상기 본체 내벽과 이에 접하는 상기 플레이트의 타면에 산화방지처리되는 것이 바람직하다.In addition, the main body inner wall and the other surface of the plate in contact with it is preferably subjected to oxidation treatment.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 상부전극의 내측면에는 요철부가 형성된 플라즈마 챔버가 제공된다.According to still another embodiment of the present invention, a plasma chamber having a main body and a lid and having an upper electrode and a lower electrode installed therein for generating a plasma may include a plasma chamber having an uneven portion formed on an inner surface of the upper electrode. do.

바람직하게, 상기 요철부는 사각형, 원형, 또는 직선형의 형상을 갖는다.Preferably, the uneven portion has a rectangular, circular, or straight shape.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 알루미늄 플라즈마 챔버를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an aluminum plasma chamber according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되는 것은 아니며, 본 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 적절하게 정의되었다. 따라서, 이들의 용어나 단어는 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 그러므로, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해해야 한다.The terms or words used in the present specification and claims are not limited to the ordinary or dictionary meanings, and are properly defined to explain the present invention in the best manner. Therefore, these terms or words should be interpreted as meanings and concepts corresponding to the technical spirit of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be substituted for them at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 챔버(100)를 나타낸다. 도면을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 챔버(100)는 챔버 뚜껑(20)과 본체(30)를 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 본체(30)는 월(wall)(40)과 바닥(50)을 포함한다. 플라즈마 챔버(100) 내부에는 상부전극(60)과 하부전극(70)이 구비된다.2 shows a plasma chamber 100 according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to the drawings, the plasma chamber 100 of the present invention has a rectangular parallelepiped shape including a chamber lid 20 and a main body 30, and the main body 30 has a wall 40 and a bottom 50. It includes. The upper electrode 60 and the lower electrode 70 are provided in the plasma chamber 100.

본 발명에 따르면, 상기 플라즈마 챔버(100)의 뚜껑(20)과 본체(30)의 내측면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성된다.According to the invention, at least one of the inner surface of the lid 20 and the main body 30 of the plasma chamber 100 is formed with an uneven portion.

구체적으로, 월(40)의 내측면 중 적어도 하나에는 요철부(42)가 형성되며, 더욱 바람직하게는 월(40)의 모든 내측면에 요철부(42)가 형성된다. 이러한 요철부(42)에 의해 본체(30) 내벽의 면적을 증가시켜서, 전술한 바와 같이 동일한 전원을 사용하는 경우에도 대상물(미도시)에 걸리는 전압을 높일 수 있다.Specifically, the uneven portion 42 is formed on at least one of the inner surface of the wall 40, more preferably the uneven portion 42 is formed on all the inner surface of the wall 40. The uneven portion 42 increases the area of the inner wall of the main body 30, so that the voltage applied to the object (not shown) can be increased even when the same power source is used as described above.

또한, 본체(30)의 상부에 결합되는 뚜껑(20)의 내측면에도 요철부(22)가 형성될 수 있으며, 전술한 월(40) 내측면의 요철부(42)와 함께 챔버(100) 내부의 면적을 증가시키는 역할을 한다.In addition, the concave-convex portion 22 may be formed on the inner surface of the lid 20 coupled to the upper portion of the main body 30, and the chamber 100 together with the concave-convex portion 42 of the inner surface of the wall 40 described above. It serves to increase the interior area.

상기 뚜껑(20)의 내부 천정에는 상부전극(60)이 고정되는데, 상부전극(60)에도 뚜껑(20) 및 월(40)과 마찬가지로 요철부(62)가 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 구성은 도 3에 상세히 도시되어 있다.The upper electrode 60 is fixed to the inner ceiling of the lid 20, and it is preferable that the uneven portion 62 is formed on the upper electrode 60 similarly to the lid 20 and the wall 40. This configuration is shown in detail in FIG.

도 3을 참조하면, 상부전극(60)은 하면에 요철부(62)가 형성되며, 소정 두께를 갖는 직사각형의 형상을 갖는다. 바람직하게, 상부전극(60)에는 가장자리 및/또는 중앙부에 관통공(64)이 형성되며, 상기 플라즈마 챔버 뚜껑(도 2의 20 참조)의 내부 천정에는 나사산이 형성된 체결공(미도시)이 형성되어, 볼트와 같은 체결부재(66)가 상기 관통공(64)을 관통하여 체결공(미도시)과 체결됨으로써, 상부전극(60)이 플라즈마 챔버 내부 천정에 고정될 수 있다.Referring to FIG. 3, the upper electrode 60 has an uneven portion 62 formed on a lower surface thereof and has a rectangular shape having a predetermined thickness. Preferably, a through hole 64 is formed at an edge and / or a center of the upper electrode 60, and a fastening hole (not shown) having a thread is formed at an inner ceiling of the plasma chamber lid (see 20 of FIG. 2). The fastening member 66 such as a bolt penetrates the through hole 64 to be fastened with a fastening hole (not shown), so that the upper electrode 60 may be fixed to the ceiling inside the plasma chamber.

도 4 및 도 5는 다양한 형상의 요철부를 나타낸다. 본 발명의 실시예에서 요철부(22,42,62: 도 1 참조)는 사각형의 형상을 갖지만, 이에 한정되지는 않으며, 도 4에 도시된 바와 같이 원형 형상, 또는 도 5에 도시된 바와 같이 직선형의 형상 등 표면적을 증대시킬 수 있는 다양한 형상을 가지는 것이 가능하며, 이러한 형상은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채용될 수 있다.4 and 5 show the irregularities of various shapes. In the exemplary embodiment of the present invention, the uneven parts 22, 42, and 62 (see FIG. 1) may have a rectangular shape, but are not limited thereto, and may have a circular shape as shown in FIG. 4, or as shown in FIG. 5. It is possible to have a variety of shapes that can increase the surface area, such as a linear shape, such a shape can be appropriately modified and employed by those skilled in the art to which the present invention belongs.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 챔버 본체(130)를 나타낸다. 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 챔버 본체(130) 내측면에는 일면에 요철부(112)가 형성된 적어도 하나 이상의 플레이트(110)가 구비된다. 바람직하게, 이러한 플레이트(110)는 볼트와 같은 체결부재(116)에 의해 결합되거나 용접 등 기타 다른 방법에 의해 챔버 내벽에 고정된다. 도면에는 편의상 하나의 내벽만 도시되었지만, 바람직하게는 모든 내벽을 따라 상기 플레이트(110)가 결합될 수 있다.6 shows a chamber body 130 according to another embodiment of the present invention. Referring to the drawings, at least one plate 110 having an uneven portion 112 formed on one surface of the chamber body 130 according to the present embodiment is provided. Preferably, this plate 110 is coupled to the chamber inner wall by a fastening member 116 such as a bolt or by other methods such as welding. Although only one inner wall is shown in the figure for convenience, the plate 110 may be preferably coupled along all inner walls.

상기 플레이트(110)는 일정한 두께를 가지며, 바람직하게 본체(130) 내벽의 형상에 대응하여 직사각형의 형상을 갖는다. 플레이트(110)는 전술한 바와 같이 그 라운드에 접지된 그라운드 전극의 역할을 하기 위해서, 알루미늄과 같이 전도성 금속으로 제조되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않으며 다양한 전도성 소재가 채택될 수 있다.The plate 110 has a constant thickness and preferably has a rectangular shape corresponding to the shape of the inner wall of the main body 130. As described above, the plate 110 may be made of a conductive metal, such as aluminum, to serve as a ground electrode grounded in the round, but is not limited thereto. Various conductive materials may be adopted.

상기 플레이트(110)에 형성되는 요철부(112)도 전술한 바와 마찬가지로, 원형 형상, 또는 직선형의 형상 등 표면적을 증대시킬 수 있는 다양한 형상을 갖는 것이 가능하며, 이러한 형상은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채용될 수 있다.As described above, the uneven portion 112 formed on the plate 110 may have various shapes that can increase the surface area, such as a circular shape or a straight shape, and the shape may be a technical field to which the present invention pertains. Can be appropriately modified and employed by those skilled in the art.

전술한 바와 같이 상기 플레이트(110)는 용접 등, 적절한 방법으로 본체(130) 내벽에 결합될 수 있으며, 바람직하게는 플레이트(110)의 가장자리 및 안쪽에 관통공(114)이 형성되고, 챔버 본체(130) 내벽에는 체결공(미도시)이 형성되어, 볼트와 같은 체결부재(116)에 의해 결합된다.As described above, the plate 110 may be coupled to the inner wall of the body 130 by an appropriate method such as welding, and preferably, through holes 114 are formed at the edges and the inside of the plate 110, and the chamber body is provided. A fastening hole (not shown) is formed on the inner wall 130 and is coupled by a fastening member 116 such as a bolt.

챔버 내부는 플라즈마에 의한 손상을 방지하기 위해, 일반적으로 산화막 처리를 하게 되는데, 산화막 처리를 하면 전기가 통하지 않게 되므로, 본체(130) 내벽과 이에 접하는 플레이트(110)의 타면에는 산화막 처리를 하기 전에, 산화방지처리를 하는 것이 바람직하다.In order to prevent damage due to plasma, the inside of the chamber is generally subjected to an oxide film treatment. However, since the oxide film treatment does not allow electricity to pass through, the inner wall of the body 130 and the other surface of the plate 110 in contact therewith are subjected to an oxide film treatment. It is preferable to perform antioxidant treatment.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 챔버 본체(230)를 나타낸다. 도면을 참조하면, 챔버 본체(230) 내측면에는 요철부(212)가 형성된 복수의 플레이트(210)가 볼트와 같은 체결부재(216)에 의해 결합된다. 상기 플레이트(210)는 도 6의 플레이트(110)와 비교하여, 플레이트(210)끼리 대접하는 측면에 결합턱(217)이 형성되며, 플레이트(210)가 본체(230) 내벽과 접하는 타면에 수직방향으로 오목한 결합홈(218)이 형성되어, 상기 결합홈(218)에 전도판(220)이 삽입되는 점에서 차이가 있다.7 shows a chamber body 230 according to another embodiment of the present invention. Referring to the drawings, the inner surface of the chamber body 230, the plurality of plates 210, the concave-convex portion 212 is formed is coupled by a fastening member 216, such as a bolt. Compared to the plate 110 of FIG. 6, the plate 210 has a coupling jaw 217 formed on a side surface of the plate 210, and the plate 210 is perpendicular to the other surface in contact with the inner wall of the body 230. There is a difference in that the coupling groove 218 is formed in the direction, the conductive plate 220 is inserted into the coupling groove 218.

상기 결합턱(217)은 챔버 내부에서 플라즈마가 플레이트(210) 사이로 침입하는 경우에, 침입경로가 꺽이게 함으로써 플라즈마의 침투를 방지하여, 플라즈마가 누설되는 것을 최대한 방지한다.The coupling jaw 217 prevents plasma from penetrating the plasma by leaking the intrusion path when the plasma enters the plate 210 in the chamber, thereby preventing the plasma from leaking as much as possible.

요철부(212)가 형성되지 않은 플레이트(210)의 타면에는, 수직방향으로 결합홈(218)이 형성되어 전도판(220)이 결합홈(218)에 삽입된다. 상기 전도판(220)은 전기가 통하는 알루미늄과 같은 금속으로 제조되는 것이 바람직하며, 본 발명에서는 길게 연장된 직사각형의 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않으며 전기가 통하는 다양한 재질 및 다양한 형상을 갖는다.On the other surface of the plate 210, in which the uneven portion 212 is not formed, a coupling groove 218 is formed in the vertical direction so that the conductive plate 220 is inserted into the coupling groove 218. The conductive plate 220 is preferably made of a metal such as aluminum through which electricity flows. In the present invention, the conductive plate 220 has a rectangular shape that is elongated, but is not limited thereto.

상기 전도판(220)에는 상기 플레이트(210)의 관통공(214)과 마찬가지로 관통공(222)이 형성되며, 볼트와 같은 체결부재(216)에 의해 본체(230) 내벽에 형성된 체결공(232)에 연결된다. 전도판(220)이 결합홈(218)에 삽입되어 결합되면, 전도판(220)은 플레이트(210)와 본체(230) 내벽과 동시에 접하게 되어 플레이트(210)와 본체(230) 내벽간의 전기전도성을 높여주게 된다.The through plate 222 is formed in the conductive plate 220 similarly to the through hole 214 of the plate 210, and the fastening hole 232 formed in the inner wall of the main body 230 by a fastening member 216 such as a bolt. ) When the conductive plate 220 is inserted into and coupled to the coupling groove 218, the conductive plate 220 is brought into contact with the inner wall of the plate 210 and the main body 230 at the same time, so that the electrical conductivity between the plate 210 and the inner wall of the main body 230 is maintained. Will increase.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

본 발명에 따른 플라즈마 챔버에 따르면, 상·하부 전극 간의 간격을 넓히지 않고도 그라운드에 접지된 상부전극과 챔버 본체 내벽의 표면적을 증가시킴으로써, 고주파 전원에 연결된 하부전극 위에 위치한 대상물에 걸리는 전압을 증가시킬 수 있다. According to the plasma chamber according to the present invention, by increasing the surface area of the upper electrode grounded to the ground and the inner wall of the chamber body without increasing the distance between the upper and lower electrodes, the voltage applied to the object placed on the lower electrode connected to the high frequency power source can be increased. Can be.

Claims (8)

본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서, In the plasma chamber having a main body and a lid, the upper electrode and the lower electrode is installed therein for the generation of plasma, 상기 본체와 뚜껑의 내측면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.Plasma chamber, characterized in that the irregularities formed on at least one of the inner surface of the body and the lid. 본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서,In the plasma chamber having a main body and a lid, the upper electrode and the lower electrode is installed therein for the generation of plasma, 상기 본체와 뚜껑의 내측면 중 적어도 하나에는, 일면에 요철부가 형성된 적어도 하나 이상의 플레이트가 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.At least one of the main body and the inner surface of the lid, the plasma chamber, characterized in that provided with at least one plate with an uneven portion formed on one surface. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 플레이트는 전도성 금속으로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.And the plate is made of a conductive metal. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 플레이트끼리 대접하는 측면에 결합턱이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.The plasma chamber, characterized in that the coupling jaw is formed on the side facing the plates. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 플레이트와 상기 본체 내벽 사이에 전도판이 개재된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.And a conductive plate is interposed between the plate and the inner wall of the main body. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 본체 내벽과 이에 접하는 상기 플레이트의 타면에 산화방지처리가 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.And an oxidation treatment on the inner wall of the main body and the other surface of the plate in contact with the inner wall. 본체와 뚜껑을 구비하며, 플라즈마 발생을 위해 그 내부에 상부전극 및 하부전극이 설치된 플라즈마 챔버에 있어서,In the plasma chamber having a main body and a lid, the upper electrode and the lower electrode is installed therein for the generation of plasma, 상기 상부전극의 내측면에는 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.Plasma chamber, characterized in that the irregularities formed on the inner surface of the upper electrode. 제 1항 내지 제 7항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 요철부는 사각형, 원형, 또는 직선형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.The uneven portion is a plasma chamber, characterized in that having a rectangular, circular, or straight shape.
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