KR20040043242A - Reflecting structure of light emitting diode and fabrication method of reflecting structure - Google Patents
Reflecting structure of light emitting diode and fabrication method of reflecting structure Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040043242A KR20040043242A KR1020020071430A KR20020071430A KR20040043242A KR 20040043242 A KR20040043242 A KR 20040043242A KR 1020020071430 A KR1020020071430 A KR 1020020071430A KR 20020071430 A KR20020071430 A KR 20020071430A KR 20040043242 A KR20040043242 A KR 20040043242A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- reflective
- reflective film
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 발광 다이오드 반사 구조는 사파이어가 하측에 형성되는 발광 다이오드와, 빛이 반사되기 위하여 상기 사파이어의 하측면에 형성되는 은 및/또는 알루미늄이 포함되는 반사막과, 반사막의 하측에 형성되는 플레이트, 및 상기 반사막과 상기 플레이트가 접착되도록 하기 위한 은 및 플라스틱 수지가 혼합되는 접착 페이스트가 포함되는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 발광 다이오드 반사 구조의 제조 방법은 반도체가 적층된 웨이퍼의 배면을 플라즈마 표면 처리하는 단계; 포토 레지스터를 웨이퍼의 배면에 도포하고 백사이드 정렬하여 리프트-오프 패턴을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면에 반사막을 증착한 후에 포토 레지스터를 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 절단하기 위한 스크라이브/브레이크 공정이 수행되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.The light emitting diode reflecting structure according to the present invention includes a light emitting diode in which sapphire is formed on the lower side, a reflecting film including silver and / or aluminum formed on the lower side of the sapphire to reflect light, and a plate formed under the reflecting film. And an adhesive paste in which silver and a plastic resin are mixed to bond the reflective film and the plate. The method of manufacturing a light emitting diode reflective structure according to the present invention includes plasma forming a back surface of a wafer on which semiconductors are stacked. Surface treatment; Applying a photoresist to the back side of the wafer and backside aligning to form a lift-off pattern; Removing the photoresist after depositing a reflective film on the backside of the wafer; And performing a scribe / break process for cutting the wafer.
본 발명에서의 반사막은 견고하게 고정될 수 있어 장시간 사용하더라도 박리되거나, 열화되지 않고, 안정되게 동작될 수 있다.The reflective film in the present invention can be firmly fixed and can be stably operated without being peeled off or deteriorated even when used for a long time.
또한, 개별적인 반사막의 사이에 반사막이 형성되지 않은 공간이 형성됨으로써, 발광 다이오드의 제조 공정 중, 스크라이브/브레이크 중에 정렬라인의 문제가 발생되지 않고, 같은 공정중에 메탈 스컴 또한 발생되지 않으므로, 발광 다이오드의 제조 공정이 단순화되고, 나아가 완성된 발광 다이오드의 신뢰성이 한층 더 향상시킬 수 있다.In addition, since the space in which the reflective film is not formed is formed between the individual reflective films, the problem of the alignment line is not generated during the scribing / breaking during the manufacturing process of the light emitting diode, and no metal scum is generated during the same process. The manufacturing process is simplified, and furthermore, the reliability of the finished light emitting diode can be further improved.
Description
본 발명은 발광 다이오드의 반사 구조 및 그 반사 구조에 제조 방법에 관한 것으로서, 상세히는, 발광 다이오드에서 생성되는 빛이 다이오드 자체 또는 부속되는 구조로 흡수되지 않고, 보다 많은 빛이 외부로 방출될 수 있도록 하기 위한, 발광 다이오드의 반사 구조 및 반사 구조의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective structure of a light emitting diode and a manufacturing method in the reflective structure, in detail, so that the light generated in the light emitting diode is not absorbed by the diode itself or the attached structure, so that more light can be emitted to the outside The present invention relates to a reflective structure of a light emitting diode and a method of forming the reflective structure.
근래들어 발광 다이오드가 청색, 적색, 녹색 삼색의 구현이 모두 가능함으로써, 발광 다이오드의 사용처는 디스플레이 장치등에 까지 확장되고 있는 실정이다. 이러한 배경 하에서 수요자는 광도 향상을 위하여 보다 높은 휘도의 발광 다이오드를 구현하기 위하여 그 노력을 경주하고 있다.In recent years, since the light emitting diode can implement all three colors of blue, red, and green, the use of the light emitting diode is being extended to display devices. Under these circumstances, the consumer is making an effort to realize a light emitting diode having a higher luminance to improve brightness.
한편, 보다 높은 휘도를 구현하기 위하여 발광 다이오드 자체의 광량의 증가또한 연구되고 있지만, 이미 생성된 빛이 보다 완벽하게 외부로 방출될 수 있는 광의 반사 구조에 대해서도 또한 그 연구가 행하여지고 있다.On the other hand, the increase in the amount of light of the light emitting diode itself has also been studied in order to realize higher luminance, but the research has also been conducted on the reflection structure of light in which the generated light can be emitted to the outside more completely.
도 1 및 도 2는 종래 다이오드의 제조 공정을 설명하는 도면이다1 and 2 are diagrams illustrating a manufacturing process of a conventional diode.
도 1을 참조하면, 사파이어 기판(1)의 상면에 다수의 반도체가 적층되는 반도체 층(2)의 웨이퍼가 형성되고, 상기 웨이퍼가 일정한 거리 간격으로 포토 에칭공정, 전극형성, 래핑/폴리싱(lapping/polishing)등이 수행된 뒤에, 소자 별로 절단되어 사용된다.Referring to FIG. 1, a wafer of a semiconductor layer 2, in which a plurality of semiconductors are stacked, is formed on an upper surface of a sapphire substrate 1, and the wafer is formed at a predetermined distance by a photo etching process, electrode formation, and lapping / polishing. (polishing), etc., are then cut and used for each device.
도 3은 종래 발광 다이오드의 반사 구조를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a reflective structure of a conventional light emitting diode.
도 3을 참조하면, 사파이어 기판(1)과, 반도체층(2)이 형성되고, 상기 반도체층(2)의 상면에는 두개의 전극(3)(4)이 형성되고, 상기 전극(3)(4)과 연결되어전류가 인입되는 와이어(5)(6)가 포함된다.Referring to FIG. 3, a sapphire substrate 1 and a semiconductor layer 2 are formed, and two electrodes 3 and 4 are formed on an upper surface of the semiconductor layer 2, and the electrodes 3 ( 4 and wires 5 and 6 into which current is drawn.
특히, 상기 사파이어 기판(1)의 하측에는 발광 다이오드가 놓이는 플레이트(7)가 놓이고, 상기 사파이어 기판(1)과 플레이트(7)와의 접촉면에는 Ag 페이스트(8)가 형성된다. 상기 Ag 페이스트(8)는 순수 Ag(은)이 70%, 플라스틱 수지류가 30%로 조성되어, 발광 다이오드가 플레이트에 본딩될 때, 플레이트(7)와 사파이어 기판(1)의 사이에 개재되어 접착력이 발생되도록 하고, Ag 페이스트(8)의 은에 의해서 발광 다이오드에서 생성된 빛이 반사되어 외부로 방출되도록 한다.In particular, a plate 7 on which a light emitting diode is placed is placed below the sapphire substrate 1, and an Ag paste 8 is formed on the contact surface between the sapphire substrate 1 and the plate 7. The Ag paste 8 is composed of 70% pure Ag (silver) and 30% plastic resin, and is interposed between the plate 7 and the sapphire substrate 1 when the light emitting diode is bonded to the plate. The adhesive force is generated, and the light generated in the light emitting diode is reflected by the silver of the Ag paste 8 to be emitted to the outside.
한편, 상기 플레이트(7)는 골드 플레이트가 사용되어 전극용으로 사용되어, 상기 발광 다이오드가 다이 본딩될 수도 한다.On the other hand, the plate 7 may be a gold plate is used for the electrode, the light emitting diode may be die bonded.
그러나, 상기된 Ag 페이스트(8)는 플라스틱 류가 포함되어 있기 때문에, 그 자체가 빛을 흡수하는 성질이 있어, 빛을 반사하기 위한 용도로서는 적합하지 않다. 그리고, 사파이어 기판(1)의 배면에 있는 이물질과 반응을 일으켜 박리가 되는 일도 잦다.However, since the above-mentioned Ag paste 8 contains plastics, it has a property of absorbing light itself and is not suitable for use for reflecting light. In addition, the sapphire substrate 1 frequently reacts with foreign matter on the back surface and peels off.
이와는 다른 반사막의 형성 기술로서, 플립칩 기판이 소개된 바가 있다. 그러나, 플립칩 기판이 적용되기 위해서는 최적 반사막 및 전극 형성 조건과 플립칩 공정을 위한 장비가 별도로 필요하고, 일반적으로 솔더를 적용한 표면 실장형 기술이 추가됨으로서, 발광 다이오드 칩 제작의 수율면과 가격면에서 문제점이 있다. 나아가, 표면 실장 기술에 사용되는 솔더볼을 제조하는 기술은 솔더볼의 크기가 작기 때문에 일반적인 가공방법으로는 제작하기가 난이한 등 문제가 있어, 정전방지와 같은 특별한 기능외에는 플립 칩을 적용하지 않고 있는 추세이다.As another technology for forming a reflective film, a flip chip substrate has been introduced. However, in order to apply a flip chip substrate, an optimum reflecting film and electrode formation condition and equipment for flip chip processing are separately required, and in general, surface-mount technology using solder is added, so that the yield and price aspects of light emitting diode chip manufacturing are added. There is a problem. In addition, the technology of manufacturing solder balls used in surface mount technology has a problem that it is difficult to manufacture by general processing methods due to the small size of solder balls, and the trend of not applying flip chips other than special functions such as antistatic. to be.
본 발명은 상기된 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 발광 다이오드의 배면에 반사막을 별도로 형성하여, 발광 다이오드의 휘도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.The present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to form a reflective film on a rear surface of a light emitting diode to improve brightness of the light emitting diode.
본 발명의 또 다른 목적은, 종래 플레이트에 고정되는 방식이 그대로 적용되면서도 반사막을 적용할 수 있도록 하는 발광 다이오드의 반사 구조를 제안한다.Still another object of the present invention is to propose a reflective structure of a light emitting diode, which allows a reflective film to be applied while a method fixed to a conventional plate is applied as it is.
도 1 내지 도 2는 종래 다이오드의 제조 공정을 설명하는 도면.1 to 2 illustrate a manufacturing process of a conventional diode.
도 3은 종래 발광 다이오드의 반사 구조를 설명하는 도면.3 is a diagram illustrating a reflection structure of a conventional light emitting diode.
도 4 내지 도 10은 본 발명에 따른 반사 구조의 제조 공정을 설명하는 도면.4 to 10 illustrate a manufacturing process of a reflective structure according to the present invention.
도 11은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하는 흐름도.11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 반사 구조를 설명하는 도면.12 is a diagram illustrating a reflective structure of a light emitting diode according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1, 11 : 사파이어 기판2, 12 : 반도체 층1, 11: sapphire substrate 2, 12: semiconductor layer
3, 4, 15, 16 : 전극5, 6, 17, 18 : 와이어3, 4, 15, 16: electrode 5, 6, 17, 18: wire
7, 20 : 플레이트8 : Ag 페이스트7, 20: plate 8: Ag paste
13 : 리프트-오프 패턴14 : 반사막13 lift-off pattern 14 reflective film
141 : 상부 접착층142 : 반사층141: upper adhesive layer 142: reflective layer
143 : 하부 접착층144 : 보호층143: lower adhesive layer 144: protective layer
21 : 스크라이브/브레이크 라인19 : 접착 페이스트21: scribe / break line 19: adhesive paste
본 발명에 따른 발광 다이오드의 반사 구조는 사파이어가 하측에 형성되는 발광 다이오드와, 빛이 반사되기 위하여 상기 사파이어의 하측면에 형성되는 은 및/또는 알루미늄이 포함되는 반사막과, 반사막의 하측에 형성되는 플레이트, 및 상기 반사막과 상기 플레이트가 접착되도록 하기 위한 은 및 플라스틱 수지가 혼합되는 접착 페이스트가 포함되는 것을 특징으로 한다.The reflective structure of the light emitting diode according to the present invention includes a light emitting diode in which sapphire is formed on the lower side, a reflective film including silver and / or aluminum formed on the bottom surface of the sapphire to reflect light, and a bottom of the reflective film. A plate, and an adhesive paste in which silver and plastic resin for adhering the reflecting film and the plate are included.
그리고, 본 발명에 따른 발광 다이오드의 반사 구조의 제조 방법은 반도체가 적층된 웨이퍼의 배면을 플라즈마 표면 처리하는 단계; 포토 레지스터를 웨이퍼의 배면에 도포하고 백사이드 정렬하여 리프트-오프 패턴을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면에 반사막을 증착한 후에 포토 레지스터를 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 절단하기 위한 스크라이브/브레이크 공정이 수행되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a reflective structure of a light emitting diode according to the present invention comprises the steps of: plasma treatment of the back surface of a wafer on which semiconductors are stacked; Applying a photoresist to the back side of the wafer and backside aligning to form a lift-off pattern; Removing the photoresist after depositing a reflective film on the backside of the wafer; And performing a scribe / break process for cutting the wafer.
상기된 구조 및 제조 방법에 의해서 발광 다이오드로 부터 방출되는 빛의 광도를 한층 더 높힐 수 있고, 나아가 반사막의 열화없이 신뢰성있게 동작될 수 있다.By the above-described structure and manufacturing method, the luminous intensity of light emitted from the light emitting diode can be further increased, and furthermore, it can be reliably operated without deterioration of the reflecting film.
도 4 내지 도 10은 본 발명에 따른 반사 구조의 제조 공정을 설명하는 도면이다.4 to 10 are diagrams illustrating a manufacturing process of the reflective structure according to the present invention.
도 4에는 사파이어 기판(11)과, 반도체층(12)이 증착된 것이 도시되고, 증착된 반도체층(12)의 상측에는 포토에칭공정, 전극형성, 래핑/폴리싱(lapping/polishing )공정이 수행된 것이 도 5에 도시되어 있다.In FIG. 4, the sapphire substrate 11 and the semiconductor layer 12 are deposited, and a photoetching process, an electrode formation, and a lapping / polishing process are performed on the deposited semiconductor layer 12. Is shown in FIG. 5.
래핑/폴리싱 공정이 사파이어 기판(11)의 배면에 수행된 뒤에는 반사막이 견고하게 형성되도록 하기 위하여 사파이어 기판(11) 배면에 대해서 플라즈마 표면 처리를 수행한다.After the lapping / polishing process is performed on the back surface of the sapphire substrate 11, plasma surface treatment is performed on the back surface of the sapphire substrate 11 in order to form a reflective film firmly.
상세하게는, 상기 플라즈마 표면 처리는 아르곤, 산소 및 수소를 사용하여, 사파이어 기판(11)의 배면을 세척하는데, 아르곤 플라즈마는 사파이어 기판(11) 배면의 오염물을 세척하고, 수소 플라즈마는 산소를, 산소 플라즈마는 이산화탄소등의 오염물을 제거한다. 이는 래핑/폴리싱 공정 및/또는 반도체의 제조 공정에서 부착된 여러 오염물을 제거하여, 박막의 내식성, 절연성, 표면강도, 접착성 및 광투과성을 향상시키기 위한 것이다.Specifically, the plasma surface treatment uses argon, oxygen, and hydrogen to clean the back surface of the sapphire substrate 11, wherein the argon plasma cleans the contaminants on the back surface of the sapphire substrate 11, and the hydrogen plasma uses oxygen, Oxygen plasma removes contaminants such as carbon dioxide. This is to remove various contaminants adhering in the lapping / polishing process and / or the semiconductor manufacturing process to improve the corrosion resistance, insulation, surface strength, adhesion and light transmittance of the thin film.
도 6을 참조하면, 사파이어 기판(11)의 배면이 플라즈마 처리에 의해서 표면처리된 다음에는, 사파이어 기판(11)의 배면을 포토 레지스터를 코팅하고 백 사이드(Back-side)정렬에 의해서 Lift-off(리프트-오프) 패턴(13)을 형성한다.Referring to FIG. 6, after the back surface of the sapphire substrate 11 is surface treated by plasma treatment, the back surface of the sapphire substrate 11 is coated with a photoresist and lift-off by back-side alignment. (Lift-Off) The pattern 13 is formed.
특히, 상기 포토 레지스터는 웨이퍼가 절단되어 각각의 발광 다이오드로 분리되는 경계부에 형성된다. 상세히는 각각의 발광 다이오드 칩의 패턴과 일치되도록 형성되는 것이다.In particular, the photoresist is formed at the boundary where the wafer is cut and separated into respective light emitting diodes. In detail, it is formed to match the pattern of each light emitting diode chip.
도 7을 참조하면, 리프트-오프 패턴(13)이 형성된 사파이어 기판(11)의 배면에 반사막(14)을 형성한다.Referring to FIG. 7, the reflective film 14 is formed on the rear surface of the sapphire substrate 11 on which the lift-off pattern 13 is formed.
예를 들면, 상기 반사막(14)은 다층일 수 있고, 다층 구조에는 적어도 은이 포함되는 메탈이 이용된다. 도 8은 상기 반사막의 단면 구조를 설명하는 도면이다.For example, the reflective film 14 may be a multilayer, and a metal including at least silver is used for the multilayer structure. 8 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of the reflective film.
도 8을 참조하면, 상기 반사막(14)은 래핑/폴리싱되고, 플라즈마 표면 처리된 사파이어 기판(11)의 하측에 적어도 Cr(크롬), Ni(니켈), Ti(티탄)중 하나는 포함되어 반사막의 접착성이 향상되기 위한 상부 접착층(141)과, 상부 접착층(141)의 하측에 형성되고 은이 포함되는 반사층(142)과, 상기 반사층(142)의 하측에 형성되고, Cr(크롬), Ni(니켈), Ti(티탄)중 적어도 하나는 포함되어 반사층(142)의 접착성을 향상시키기 위한 하부 접착층(143)과, 하부 접착층(143)의 하측에 형성되어 반사막을 보호하기 위하여 적어도 금이 포함되는 보호층(144)이 포함된다.Referring to FIG. 8, the reflective film 14 is wrapped / polished, and at least one of Cr (chromium), Ni (nickel), and Ti (titanium) is included under the plasma surface-treated sapphire substrate 11. Upper adhesive layer 141 for improving the adhesion of the adhesive layer, a reflective layer 142 formed under the upper adhesive layer 141 and containing silver, and a lower side of the reflective layer 142 and formed of Cr (chromium), Ni At least one of (nickel) and Ti (titanium) is included to form a lower adhesive layer 143 for improving the adhesion of the reflective layer 142 and a lower side of the lower adhesive layer 143 so as to protect the reflective film. A protective layer 144 is included.
상세하게, 상기 반사층(142)에는 반사 효율을 향상시키고 제조가를 낮추기 위하여 Al(알루미늄)을 대체하거나, Ag(은)과 알루미늄(Al)이 동시에 사용될 수도 있다. 그리고, 접촉층(141)(143)은 반사층(142)의 접착성을 좋게하여 박리 현상을 막고, 반사광의 휘도를 증가시키기 위한 것이다. 또한, 상기 하부 접촉층(143) 및 보호층(144)은 반사층(142)에 Ag 페이스트가 직접 닿아 발생되는 일렉트로 마이그레이션(electro-migration) 현상을 억제하는 역할을 수행하고, 반사층(142)의 열화를 방지한다. 한편, 경우에 따라서, 상기 상부 접착층(141)은 필요에 따라 제거될 수도 있다.In detail, the reflective layer 142 may be replaced with Al (aluminum) or Ag (silver) and aluminum (Al) may be used simultaneously to improve reflection efficiency and reduce manufacturing cost. In addition, the contact layers 141 and 143 may improve adhesion of the reflective layer 142 to prevent peeling and increase brightness of reflected light. In addition, the lower contact layer 143 and the protective layer 144 play a role of suppressing the electro-migration phenomenon caused by the direct contact of the Ag paste on the reflective layer 142, and deterioration of the reflective layer 142. To prevent. Meanwhile, in some cases, the upper adhesive layer 141 may be removed as necessary.
한편, 상기 반사막(14)은 전자선 증착기(E-beam Evaporator)에 의해서 증착될 수 있다.Meanwhile, the reflective film 14 may be deposited by an E-beam evaporator.
이와 같이 다층 금속 박막을 형성함으로써, 반사막(14)의 열화 및 박리를 방지할 수 있게된다.By forming the multilayer metal thin film in this manner, it is possible to prevent deterioration and peeling of the reflective film 14.
반사막(14)이 증착된 다음에는, 포터 레지스터를 제거하여 패턴화된 반사막(14)만이 남도록 한다. 도 9는 이를 도시하고 있다.After the reflective film 14 is deposited, the porter resistor is removed so that only the patterned reflective film 14 remains. 9 illustrates this.
그리고, 포토 레지스터가 제거됨으로써, 웨이퍼의 전체 가공이 끝난 다음에는, 각각의 발광 다이오드를 분리하기 위하여 스크라이브/브레이크 라인(21)을 따라서 웨이퍼를 정렬하여 각각의 발광 다이오드로 분리하게 된다.After the photoresist is removed, after the entire processing of the wafer is completed, the wafers are aligned along the scribe / break lines 21 to separate the light emitting diodes, and the light emitting diodes are separated into respective light emitting diodes.
특히, 상기 스크라이브/브레이크 공정에서 스크라이브되는 곳은, 포토레지스터가 도포되어 있었던 부분으로 스크라이브 시에는 반사막(14)이 아닌 사파이어가 스크라이브되고, 이로써 반사막(14)으로부터 은과 같은 메탈 스컴이 발생되지 않는다.In particular, in the scribe / break process, the scribed portion is the portion where the photoresist was applied, and sapphire, not the reflective film 14, is scribed at the time of scribing, so that no metal scum such as silver is generated from the reflective film 14. .
상세하게는, 상기 스크라이브/브레이크 라인(21)은 반사층(14)이 형성되지 않은 구역이기 때문에, 웨이퍼의 배면에서 육안으로 보일 수 있고, 이로 인해서 스크라이브/브레이크 공정이 이루어져야 하는 정확한 위치를 알 수 있어, 정렬 라인 문제를 해결할 수 있다. 이 뿐만 아니라, 스크라이브/브레이크 공정의 진행 중에, 반사막(14)이 스크라이브되는 것이 아니므로, 메탈 스컴(metal scum)또한 발생되지 않는다. 그러므로, 발광 다이오드의 다른 위치로 메탈 스컴이 옮겨가지 않기 때문에, 보다 신뢰성있는 반사 구조를 구현할 수도 있다.In detail, since the scribe / break line 21 is a region where the reflective layer 14 is not formed, it can be seen at the back of the wafer, thereby knowing the exact position where the scribe / break process should be performed. This solves the alignment line problem. In addition, since the reflective film 14 is not scribed during the scribing / breaking process, no metal scum is generated. Therefore, since the metal scum does not move to another position of the light emitting diode, a more reliable reflection structure can be realized.
이하에서는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법에 대해서 순서데로 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention will be described in detail.
도 11은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.
도 11을 참조하면, 사파이어 기판 및 반도체가 적층되는 웨이퍼를 형성하고(St 11), 에칭을 하여 P, N극의 전극을 형성한다(St 12).Referring to FIG. 11, a wafer on which a sapphire substrate and a semiconductor are stacked is formed (St 11), and etching is performed to form electrodes of P and N electrodes (St 12).
전극이 형성된 뒤에는, 사파이어 기판(11) 뒷면을 래핑/폴리싱 공정으로 통해서 깨끗히 처리하고(St 13), 아르곤, 수소, 산소 플라즈마를 사용하여 사파이어 기판(11) 배면의 이물질들을 다시 한번 깨끗히 처리하여 반사막(14)의 박리 또는 반사막(14)의 열화를 방지한다.After the electrode is formed, the back surface of the sapphire substrate 11 is cleaned through a lapping / polishing process (St 13), and foreign materials on the back surface of the sapphire substrate 11 are cleaned once again using argon, hydrogen, and oxygen plasma to reflect the film. Peeling of (14) or deterioration of the reflective film 14 is prevented.
그후, 사파이어 기판(11) 배면에 포토 레지스터를 도포하고(St 15), 백 사이드 정렬하여 리트프 오프 패턴(13)을 형성하고(St 16), 적어도 은이 포함되는 다수의 금속을 증착하여 반사막(14)을 형성한다(St 17). 반사막(14)이 형성된 뒤에는 포토 레지스터를 제거하여 반사막(14)만을 남김으로써, 스크라이브/브레이크 공정을 행할 수 있도록 한다(St 18). 그 후에는 스크라이브/브레이크 공정에 의해서 각각의 발광 다이오드가 개별적으로 사용될 수 있도록 한다.Thereafter, a photoresist is applied to the back surface of the sapphire substrate 11 (St 15), and the back side alignment is performed to form the leaf off pattern 13 (St 16), and a plurality of metals containing at least silver are deposited to reflect the film ( 14) (St 17). After the reflective film 14 is formed, the photoresist is removed to leave only the reflective film 14, so that the scribe / break process can be performed (St 18). Thereafter, each light emitting diode can be used individually by a scribe / break process.
도 12는 본 발명에 따른 발광 다이오드가 설치되는 구조를 설명하는 도면이다.12 is a view illustrating a structure in which a light emitting diode according to the present invention is installed.
도 12를 참조하면, 반사막(14), 사파이어 기판(11), 반도체층(12), 전극(15)(16), 와이어(17)(18), 플레이트(20)가 형성되고, 상기 플레이트(20)와 반사막(14)의 사이에는 접착 페이스트(19)가 접착제로 형성되어 발광 다이오드와 플레이트(20)가 상호간에 접착될 수 있다. 상기 접착 페이스트(19)는 예를 들면 은을 주 성분으로 한다.12, the reflective film 14, the sapphire substrate 11, the semiconductor layer 12, the electrodes 15, 16, the wires 17, 18, and the plate 20 are formed, and the plate ( An adhesive paste 19 may be formed of an adhesive between the 20 and the reflective film 14 so that the light emitting diode and the plate 20 may be bonded to each other. The said adhesive paste 19 has silver as a main component, for example.
상기된 반사 구조를 취함으로써, 발광 다이오드에서 생성된 빛은 대부분 반사막(14)에 의해서 반사되기 때문에, 발광 다이오드에 의한 휘도는 한층 더 향상된다.By taking the above-described reflective structure, since most of the light generated in the light emitting diode is reflected by the reflective film 14, the luminance by the light emitting diode is further improved.
표 1은 본 발명에 따른 Ag 페이스트 및 반사막이 모두 적용되는 반사 구조가 적용되는 것과, 종래 Ag 페이스트만이 적용되는 반사 구조와의 비교 결과를 보이고 있다.Table 1 shows a comparison result between the reflection structure to which both the Ag paste and the reflective film according to the present invention are applied, and the reflection structure to which only the conventional Ag paste is applied.
표 1을 통해서 알 수 있는 바와 같이, 종래 Ag 페이스트만이 사용되는 경우보다, 본 발명과 같이 Ag 페이스트와 반사막이 동시에 사용되는 경우에, 광도가 한층 더 좋아지는 결과를 볼 수가 있다.As can be seen from Table 1, when the Ag paste and the reflecting film are used at the same time as in the present invention as compared with the case where only the conventional Ag paste is used, the result can be seen that the brightness is further improved.
예를 들어, 평균을 대비하면, 종래에 67.61인 발광 다이오드의 광도가 73.21로 개선되고, 종래 60.54인 발광 다이오드의 광도가 65.60으로 개선됨으로써 대략 10% 정도의 광도 향상이 얻어졌다.For example, in comparison with the average, the brightness of the light emitting diode of 67.61 is improved to 73.21 and the brightness of the light emitting diode of 60.54 is improved to 65.60, thereby obtaining about 10% brightness enhancement.
이러한 실험의 결과로부터 볼 때, 본 발명의 발광 다이오드의 반사 구조에의해서 동일한 발광 다이오드에서 광의 효율을 한층 더 높힐 수 있는 것을 알 수 있다. 그리고, 본 발명의 사상은 발광 다이오드의 반사 구조 및 반사 구조의 제조 방법 양면에 모두 존재하고, 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 또 다른 실시예를 용이하게 만들어낼 수 있다.From the results of these experiments, it can be seen that the efficiency of light in the same light emitting diode can be further increased by the reflective structure of the light emitting diode of the present invention. In addition, the idea of the present invention exists on both sides of the reflective structure of the light emitting diode and the manufacturing method of the reflective structure, and a person skilled in the art can easily create another embodiment within the scope of the same idea.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 반사 구조 및 반사 구조의 제조 방법에 의해서 발광 다이오드의 광효율을 한층 더 높힐 수 있는 효과가 있다.The light emitting diode reflecting structure and the method of manufacturing the reflecting structure according to the present invention has an effect that can further increase the light efficiency of the light emitting diode.
그리고, 본 발명에서의 반사막은 견고하게 고정될 수 있어 장시간 사용하더라도 박리되거나, 열화되지 않고, 안정되게 동작될 수 있다.In addition, the reflective film of the present invention can be firmly fixed so that it can be stably operated without being peeled off or deteriorated even if used for a long time.
또한, 개별적인 반사막의 사이에 반사막이 형성되지 않은 공간이 형성됨으로써, 발광 다이오드의 제조 공정 중, 스크라이브/브레이크 중에 정렬라인의 문제가 발생되지 않고, 같은 공정중에 메탈 스컴 또한 발생되지 않으므로, 발광 다이오드의 제조 공정이 단순화되고, 나아가 완성된 발광 다이오드의 신뢰성이 한층 더 향상되는 효과가 있다.In addition, since the space in which the reflective film is not formed is formed between the individual reflective films, the problem of the alignment line is not generated during the scribing / brake during the manufacturing process of the light emitting diode, and no metal scum is generated during the same process. The manufacturing process is simplified, and furthermore, the reliability of the finished light emitting diode is further improved.
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0071430A KR100525540B1 (en) | 2002-11-16 | 2002-11-16 | Reflecting structure of light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0071430A KR100525540B1 (en) | 2002-11-16 | 2002-11-16 | Reflecting structure of light emitting diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040043242A true KR20040043242A (en) | 2004-05-24 |
| KR100525540B1 KR100525540B1 (en) | 2005-10-31 |
Family
ID=37339731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0071430A Expired - Fee Related KR100525540B1 (en) | 2002-11-16 | 2002-11-16 | Reflecting structure of light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100525540B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001144A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing light emitting diode device having heat dissipation rate enhancement |
| KR100959080B1 (en) * | 2005-06-27 | 2010-05-20 | 한빔 주식회사 | Front-emitting type light emitting diode device with improved heat emission and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012030185A2 (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 삼성엘이디 주식회사 | Semiconductor light-emitting diode chip, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11126923A (en) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor element |
| JP3795298B2 (en) * | 2000-03-31 | 2006-07-12 | 豊田合成株式会社 | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor light emitting device |
| KR20020081947A (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-30 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | Light-emitting device with multi-reflective coating layer and the preparation thereof |
-
2002
- 2002-11-16 KR KR10-2002-0071430A patent/KR100525540B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001144A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing light emitting diode device having heat dissipation rate enhancement |
| KR100959080B1 (en) * | 2005-06-27 | 2010-05-20 | 한빔 주식회사 | Front-emitting type light emitting diode device with improved heat emission and manufacturing method thereof |
| KR100959079B1 (en) * | 2005-06-27 | 2010-05-20 | 한빔 주식회사 | Front-emitting type light emitting diode device with improved heat emission and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100525540B1 (en) | 2005-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101027777B (en) | Vertical structure semiconductor devices with improved light output | |
| TWI431798B (en) | Light-emitting diode with conductive metal substrate | |
| US20190157498A1 (en) | Light emitting device and method of forming the same | |
| CN101371338B (en) | Method for manufacturing and separating semiconductor device | |
| KR100969126B1 (en) | Light emitting device | |
| JP2010529658A (en) | Light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| TWI300277B (en) | Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices | |
| JP5693375B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| CN100505351C (en) | Manufacturing method for laser stripping GaN-based light emitting device by using synthesis separation method | |
| CN108767081B (en) | Flip-chip light-emitting diode and method of making the same | |
| CN101465402B (en) | Method for manufacturing film LED chip device based on gapless plane bonding | |
| TWI550909B (en) | A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same, and a flip chip type structure thereof | |
| TWI617052B (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| KR102530758B1 (en) | Semiconductor light emitting device package | |
| CN113257972A (en) | Silicon-based light emitting diode structure and preparation method thereof | |
| CN102694085A (en) | Method for producing group iii nitride semiconductor light emitting element | |
| CN118367070A (en) | Micro-LED display panel and preparation method thereof | |
| CN1998094B (en) | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting diodes | |
| US20050242446A1 (en) | Integrated circuit package with different hardness bump pad and bump and manufacturing method therefor | |
| KR20080102538A (en) | Flip chip type vertical light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US10026864B2 (en) | Package-less LED assembly and method | |
| KR100525540B1 (en) | Reflecting structure of light emitting diode | |
| KR100994567B1 (en) | Semiconductor laser diode and manufacturing method thereof | |
| KR100974784B1 (en) | Light emitting device and method for fabricating the same | |
| JP2008251605A (en) | Manufacturing process of light-emitting element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120905 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130905 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20151026 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20151026 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |