KR20030015207A

KR20030015207A - 결상 시스템

Info

Publication number: KR20030015207A
Application number: KR1020027011882A
Authority: KR
Inventors: 리우쿠오-칭; 레벤쇼운
Original assignee: 로보틱비젼시스템스인코포레이티드
Priority date: 2000-03-10
Filing date: 2001-03-07
Publication date: 2003-02-20
Anticipated expiration: 2021-03-07
Also published as: CA2402632A1; WO2001069206A1; AU2001242020A1; KR100876471B1; EP1266203A1; US6407810B1

Abstract

물체를 화상으로 형성하기 위한 시스템이 설명된다. 이러한 시스템은 물체(210)를 조사하는 광원(200) 및 제1 파장을 갖는 광원(200)으로부터의 빛을 포함한다. 이러한 시스템은 화상 포획 장치(240) 및 필터 장치(220)를 더 포함한다. 필터 장치(220)는 제1 파장과 다른 파장을 갖는 빛을 전달시켜 제1 파장을 갖는 빛을 굴절시키고, 화상 포획 장치(240)는 필터 장치(220)를 통해 전송되는 빛을 사용하여 물체(210)의 적어도 일부의 화상을 포획한다. 이러한 시스템은 제1 광원(200)에 의한 조사와 동시에, 또는 제1 광원(200)에 의한 조사에 대해 연속적으로 물체를 조사하기 위한 암 영역 조사 시스템(400)을 더 포함한다.

Description

결상 시스템 {IMAGING SYSTEM}

기계 관찰 시스템(Machine Vision System)은 고속 검사를 위해 산업에서 널리 사용되고 있다. 특히, 이러한 시스템은 물체가 소정의 사양에 대하여 "만족할 만한" 품질인지 여부를 컴퓨터로 결정하기 위하여 물체의 디지털 상을 얻는데 사용된다.

기계 관찰 시스템에 대한 적용례는 반도체 칩 및 반도체 기기 패키지, 리드 및 그리드 배열 모두의 검사이다. 이러한 시스템에서, 리드 패키지에 대하여, 기계 관찰을 이용하는 자동 검사가 수행되고, 특히, 결함 리드 및 리드 상의 결함에 대하여 수행된다. 전형적인 시스템에 있어서, 다수의 패키지가 그들의 이송 트레이 내에 있으면서 형상화되고, 컴퓨터는 최초에 저장된 기기 패키지 사양과 상을 비교한다. 많은 이러한 시스템은 리스 상에서 발견되는 슬리버(sliver) 또는 버(burr)와 같은 금속의, 고반사적인 결함을 감지하는데 매우 양호하다. 그러나, 이러한 종래의 시스템은 섬유 또는 다른 오염물과 같은 외부의 비금속 물질을 감지하는데 어려움이 있다.

배경 조명 기술들이 리드 패키지를 위해 사용될 수 있으나, 그들은 깨지기쉬운 리드에 잠재적으로 손상을 입히는 각각의 기기 및 모든 기기의 조작을 필요로 한다. 배경 조명은 칩 또는 그리드 배열 패키지에 사용될 수 없다.

본 발명은 상 시스템에 관한 것이다.

도1은 본 발명에 따른 제1 예의 시스템을 도시한다.

도2는 본 발명에 따른 제2 예의 시스템을 도시한다.

도3은 본 발명에 따라 캡쳐된 상의 예를 도시한다.

도4는 본 발명에 따른 제3 예의 시스템을 도시한다.

도5는 본 발명에 따른 암 시야 조사 시스템을 사용하여 캡쳐된 상의 예를 도시한다.

도6은 본 발명에 따른 제4 예의 시스템을 도시한다.

도7은 도2에 도시된 예를 사용하여 캡쳐된 상의 처리를 도시한 흐름도이다.

도8은 도4에 따른 예의 시스템을 사용하여 캡쳐된 상의 처리를 도시한 흐름도이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 시스템은 물체를 결상하기 위해 제공된다. 시스템은 빛으로 물체를 비추기 위한 광원을 포함하고, 광원으로부터의 빛은 제1 파장을 갖는다. 본 시스템은 상 캡쳐 장치 및 필터 장치를 추가로 포함한다. 필터 장치는 제1 파장과 상이한 파장을 갖는 광을 전달하고 상 캡쳐 장치는 필터 장치를 통해 전달된 광을 사용하는 목표물의 적어도 일부의 상을 캡쳐한다. 이러한 시스템은 암 시야 조사 시스템(dark field illumination system)을 포함할 수 있다.

도1은 본 발명에 따른 제1 예의 시스템을 도시한다.

시스템은 광으로써 물체(110)를 조사하기 위한 광원(100)을 포함하며, 광원(100)으로부터의 광은 제1 파장을 가진다. 또한, 시스템은 한편으로 제1 파장과 상이한 파장을 가지는 광에 대해서는 전달성을 가지며, 다른 한편으로, 제1 파장을 가지는 광에 대해서는 반사성을 가지는 필터 장치(120)를 포함한다. 상 캡쳐 장치(130)는 필터 장치를 통해 전달된 광을 사용하면서 적어도 물체(100)의 일부의 상을 캡쳐한다.

제1 실시예의 일 예시 작동에서, 광원(100)은 물체(110)에 자외선을 조사한다. 예컨대, 물체의 금속성, 비형광 부분을 충격하면서, 물체(110)의 표면에 충돌하는 광의 일부는 물체에 의하여 상 캡쳐 장치(130)를 향해 반사된다. 예컨대, 자외선 광을 반사하기 위해 구성된 필터 장치(120)는 이 반사광(140)을 상 캡쳐 장치(130)로부터 멀어지게 유도한다.

예컨대, 물체 상의 비금속성, 형광 이물질을 충격하면서, 물체(110)의 표면에 충돌하는 광의 일부는 상기 물질에 의해 흡수되고 그 후 결과적으로 형광을 낸다. 물체에 의해 상 캡쳐 장치(130)를 향해 방출되는 광(150), 예컨대, 가시광(즉, 광원보다 긴 파장을 가지는)은 필터 장치9120)를 통해 전달된다. 상 캡쳐 장치(130)는 전달된 광(150)을 사용하면서 물체의 상을 캡쳐한다.

도2는 본 발명의 제2 실시예를 도시한다. 이 제2 실시예는 리드식 장치 검사 시스템에 관해서 설명된다. 그렇지만, 다른 응용도 물론 가능하다.

도2에 도시되어진 바와 같이, 운송 트레이에 놓여져 있는 리드식 장치 패키지(210)를 자외선을 조사하기 광원(200)이 제공된다. 광원(200)으로부터의 여기 광은 렌즈 시스템을 통해 필터 및 예컨대, 롱 패스 필터로 배열된 비임 스플리터(220)로 투과된다. 필터 및 비임 스플리터(220)는 패키지(210) 상에 광을 반사한다.

패키지(210) 부분, 예컨대 비-형광 금속 리드 및 플라스틱 본체는 그 위에서 부딪히는 광을 반사한다. 장치 패키지(210)의 부분으로부터 반사된 광은 광, 본 명세서에서는 자외선과 동일한 파장을 유지한다. 따라서, 이러한 장치 부분으로부터 필터 및 비임 스플리터를 향해 반사된 광은 필터 및 비임 스플리터(220) 즉, 렌즈 시스템(230) 및 대전 결합된 장치(CCD) 카메라(240)로부터 떨어진 방향으로 더 반사된다.

제2 실시예에 따라, 자외선은 장치 패키지 상에서 이물질에 의해 흡수되며, 그 결과 이물질은 형광을 발생한다. 본 실시예에서, 이물질에 의해 방출된 광은 자외선보다 더 긴 파장을 갖는다. 예컨대, 방출된 광은 가시광 스펙트럼 내에 놓여질 수 있다. 필터 및 비임 스플리터(220)의 방향에서 방출된 광은 필터 및 비임 스플리터(220)를 통해 투과된다.

필터 및 비임 스플리터(220)를 통해 투과된 광은 투과된 광을 CCD(240)로 집중시키고 향하게 하는 렌즈 시스템(230)으로 향한다. CCD(240)는 프레임 그래버(250) 및 프로세서(260)에 결합되며, 투과된 광을 이용하여 물체의 상을 함께 포착한다. 시스템의 사용자에게 포착된 상을 나타내기 위해 디스플레이장치(270)가 이용될 수 있다. 포착된 상을 이용하여, 장치 상의 이물질이 식별될 수 있다.

도3은 패키지의 일부의 예시적인 상을 도시하고 있다.

도시된 바와 같이, 패키지 본체(300) 및 장치 리드(310)는 거의(전혀) 도시되어 있지 않다. 그러나, 장치의 일부 리드에 부착된 광섬유(315)는 명확히 도시될 수 있다. 여기서, 광섬유(315)는 어두운 배경과 비교하여 밝다.

도4는 본 발명의 제3 실시예를 도시한다. 제3 실시예는 도2에서 도시된 실시예를 강화한다. 특히, 이 실시예에 따르면, 암 시야 조사 시스템(400)은 도2에서 도시된 실시예에 추가된다. 암 시야 조사 시스템(400)은 예를 들어, 패키지 리드 상의 실버 또는 버(burr)와 같은 금속 결점을 검출하기 위해 이용될 수 있다. 실버 및 버는 리드가 인접한 리드에 전기적으로 단락될 수 있는 제조 결점이다.

도4에서 도시된 바와 같이, 암 시야 조사 시스템(400)은 예를 들어, 환형 광(410) 및 환형 광(410)에 의해 방사된 광을 방산하기 위한 방산기(420, diffuser)와 같은 긴 파장 광원을 포함한다. (실시예에서, 환형 광(410)은 적색 발광 다이오드를 포함한다.) 암 시야 조사 시스템(400)이 작동될 때, 환형 광으로부터 광은 패키지(210)를 조사한다. 예를 들어, 패키지(210)의 금속 리드 및 임의의 실버 또는 버와 같은 라이트 임핀징(impinging)은 필터 및 비임 스플리터(220)의 방향으로 광의 적어도 일부가 분산하도록 한다. 광은 CCD(240)상의 렌즈(230)로 필터 및 비임 스플리터(220)를 통해 전송된다. CCD(240) 및 프레임 그래버(250)는 공정을 위해 프로세서(260)로 장치 패키지(210)의 캡쳐된 상을 제공한다.

일 실시예에서, 암 시야 조사 시스템(400) 및 광원(200)은 연속적으로 작동될 수 있다. 특히, 패키지(210)의 제1 영역의 상은 암 시야 조사 시스템(400)을 이용하여 캡쳐될 수 있고, 패키지(210)의 제1 영역의 제2 상은 광원(200)을 이용하여 캡쳐될 수 있다. 그 후, 두 개의 상의 각각은 처리될 수 있고 결점들이 검출되었다. 암 시야 조사 시스템(400)을 사용하여 캡쳐된 상은 금속성 결점을 위해 처리될 수 있지만, 광원(200)을 사용하여 캡쳐한 상은 비금속성 형광 결점을 위해 처리될 수 있다.

다른 실시예에서, 암 시야 조사 시스템(400) 및 광원(200)은 동시에 작동될 수 있다. 즉, 암 시야 조사 시스템(400) 및 광원(200) 둘 다 동시에 실행될 수 있고, 장치 패키지(210)의 영역의 단일 상이 얻어질 수 있다. 이러한 상에서, 금속성 결점과 형광이고 비금속성 결점 둘 다 가시화될 수 있다.

도5는 암 시야 조사 시스템(400)을 사용하여 캡쳐된 상의 예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 패키지의 도선(500) 및 금속성 제조 결점(501)이 명료하게 가시화된다.

도6은 도시적 형태에서 본 발명의 제3의 예시적 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 광학 시스템(600)은 받침대(gantry, 602) 상에 장착되고, 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지(210)와 같은 측정되는 물체 위에 위치된다. 칩은 그들이 제조될 때 웨이퍼 내에 함유되거나 캐리어 트레이에서 단일화될 수 있다. 유사하게, 반도체 장치 패키지는 캐리어 트레이에 있을 수 있다. 예를 들어, 광학 시스템(500)은 예를 들어 조도부, 필터, 빔 스플리터(220) 및 CCD(240)를 포함하는 도2 또는 도4에 도시된 광학 시스템들 중의 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 받침대(602)는 장치 패키지(210) 위에 상이한 X-Y 위치로 광학 시스템(600)을 위치시키기 위해 본 명세서에서 참조로 병합되어 스턴(Stern) 등에 의해 발행된 미국 특허 제5,463,227호에 설명된 바와 같이 (도시되지 않은) 이동 기구를 포함할 수 있다. 운동 기구는 장치 패키지(210) 및 광학 시스템(600) (또는 광학 시스템의 일부)을 상 캡쳐를 위해 서로에 대해 자동식으로 위치시키기 위해 [예로써, 마이크로프로세서(604a), 메모리 장치(604b) 및 프로그램 저장 장치(604c)를 포함하는] 컴퓨터(604)에 의해 조절될 수 있다. 상기 스캐닝축의 위치는 일렉트로닉스(605)를 진행시키기 위해 컴퓨터(604)에 의해 전송된다. (이와 다른 실시예에서, 광학 시스템(604)은 고정된 채로 유지되며, 상기 칩 또는 장치 패키지(210)는 예로써, 컴퓨터(504)에 의해 자동적으로 조절되는 병진 테이블을 통해 이동된다.) 반도체 장치 패키지의 개수는 이러한 시스템을 사용하여 즉, 상 캡쳐를 위한 적절한 시간에서 광학 시스템 또는 반도체 패키지의 각각들 중 어느 하나를 자동적으로 이동시킴으로써 자동적으로 연속적으로 처리될 수 있다.

광학 시스템(600)에 의해 조절된 데이터는 아날로그 신호로써 프로세스 일렉트로닉스(605)로 전송된다. 예로써, 디지털 신호 프로세서(DSPs), 디지털에서 아날로그로(D/A)의 변환기, 아날로그에서 디지털로(A/D)의 변환기 및 출력/입력(I/O)과 통신 링크를 포함하는 상기 프로세스 일렉트로닉스(605)는 아날로그 데이터를 수신하여 처리한다. 상기 처리된 데이터는 이후 분석을 위해 컴퓨터(604)로 전송된다. 분석 결과는 출력 장치(606)로 작동자에게 보고된다.

도7은 도2에 도시된 일 예의 시스템을 사용하여 캡쳐된 상의 처리를 도시한 흐름도이다. 상기 얻어진 상이 우선 개시된다.(710단계) 즉, 상기 상의 X-Y좌표 각각에서의 명암도 값은 초기 명암도 값과 비교된다. 만일 명암도 값이 초기 명암도 값보다 작을 경우, X-Y 좌표계에서의 상부는 "백그라운드(background)"로 나타내어지며, 예로써 "0"으로 설정될 수 있다. 그 외의 모든 것은 잠재적으로 외부 재료이며, 예로써 "1"로 설정될 수 있다.

이후, 상기 상은 "1"의 클러스터(cluster) 또는 밝은 상으로 스캐닝 된다.(단계 720) 발견된 각각의 클러스터에 대한 위치가 확인되고(단계 730), 보고된다.(단계 740) 패키지는 예로써, 확인된 클러스터의 개수를 기초로 보고될 수 있다.

도8은 특히, 암 시야 상을 처리 또는 도4의 암 시야 조사 시스템 및 광원(200)을 사용하면서 캡쳐된 상을 처리하기 위하여 도4에 도시된 예가 되는 시스템을 사용하면서 캡쳐된 상의 처리를 도시하는 흐름도이다.

획득된 상은 도7(단계 810)과 관련하여 상기 설명된 바와 같이, 최초로 도입된다. 이러한 상에서, 반도체 장치 패키지의 리드(lead)들은 가시화될 수 있어서, 상은 가시화 리드들에 대해 처음으로 탐색된다. 특히, 상은 제1 리드(단계 820)의 에지에 대해 탐색된다. 제1 리드의 에지가 일단 발견되면, 예를 들어 잔류 리드들은 선저장 장치 패키지 설계서를 사용하면서 위치된다. 상에서의 모든 밝은 영역들은 리드들을 무시하면서(단계 840) 그 후에 (예를 들어, 클러스터들을 탐색하고 X-Y좌표들을 결정함으로써)위치될 수 있다. 이러한 밝은 영역들은 예를 들어, [광원(200)이 어두운 필드 조명 시스템의 추가로 사용되면)슬리버(sliver)들과 같은 금속 결함들의 상들과 비금속성 이물질인 형광물질의 상들을 포함할 수 있다. 이러한 영역들은 이 후 설명될 수 있다(단계 850).

본 발명이 그 양호한 실시예들을 참조하여 특별히 도시되고 설명될 때, 형태 및 상세 사항들에서의 다양한 변화들은 본 발명의 기술 사상과 범위를 크게 벗어나지 않고 행해질 수 있다는 것은 본 기술 분야의 당업자들에 의해 이해될 것이다. 예를 들어, CCD 카메라와 다른 상 캡쳐 장치를 사용하는 것은 가능하다. 예를 들면, 예를 들어 감광 다이오드 또는 다이오드 어레이들을 포함하는 임의의 광감지 장치의 타입이 사용될 수 있다. 또한, 본문에서 설명되는 광원들에 대해서, 상기 설명된 것들과 다른 파장들을 갖는 빛들은 예를 들어, 형광 여기 또는 사용된 필터 장치를 위하여 필요한 파장에 의존하면서 사용될 수 있다.

Claims

물체를 결상하기 위한 시스템이며,

제1 파장을 갖는 광원으로부터의 여기 광으로 물체를 조사하기 위한 광원과,

제3 파장을 갖는 광으로 물체를 조사하기 위한 암 시야 조사 시스템과,

상 캡쳐 장치와,

물체에 의하여 방사된 형광 및 제3 파장의 광을 투과시키는 필터 장치와,

광원으로부터의 여기 광 및 암 시야로부터의 광으로 동시에 물체를 조사하기 위하여 광원과 암 시야 조사 시스템을 작동시키는 프로세서를 포함하고,

형광은 제1 파장과는 다른 제2 파장을 갖고, 필터 장치는 또한 물체로부터 반사된 제1 파장을 갖는 광을 반사시키고, 상 캡쳐 장치는 필터 장치를 통해 투과되는 광을 이용하여 물체의 적어도 일부분의 상을 캡쳐하도록 위치되는 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 광 필터 장치는 제1 파장의 광을 상 캡쳐 장치로부터 멀리 반사시키는 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 광원으로부터의 여기 광은 자외선 광인 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 필터 장치는 롱 패스 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 필터 장치는 물체와 상 캡쳐 장치 사이에서 위치 설정을 위한 것인 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 제2 파장은 제1 파장보다 긴 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 암 시야 조사 시스템은 적색 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제1항에 있어서, 물체의 상이 캡쳐될 수 있도록 물체와 상 캡쳐 장치의 적어도 일부 중 적어도 하나를 자동으로 위치 설정하기 위한 위치 설정 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
물체를 결상하기 위한 시스템이며,

제1 파장을 갖는 광원으로부터의 여기 광으로 물체를 조사하기 위한 광원과,

제3 파장을 갖는 광으로 물체를 조사하기 위한 암 시야 조사 시스템과,

상 캡쳐 장치와,

제1 파장과는 다른 제2 파장을 갖는 형광과 제3 파장을 갖는 광을 투과하고제1 파장을 갖는 광을 반사하는 필터 장치와,

물체를 조명하도록 순차적으로 광원과 암 시야 조사 시스템을 자동으로 작동시키는 프로세서를 포함하며,

상 캡쳐 장치는 필터 장치를 통해 투과되는 광을 이용하여 물체의 적어도 일부의 상을 캡쳐하도록 위치 설정되는 것을 특징으로 하는 시스템.
제9항에 있어서, 제2 파장은 제1 파장보다 긴 것을 특징으로 하는 시스템.
제9항에 있어서, 광원으로부터의 광은 자외선인 것을 특징으로 하는 시스템.
제9항에 있어서, 상기 필터 장치는 물체와 상 캡쳐 장치 사이에 위치되고, 물체와 필터 장치에 의해 반사된 광을 반사하고 물체로부터 상 캡쳐 장치로 방사된 형광을 투과하도록 위치되는 것을 특징으로 하는 시스템.
제9항에 있어서, 상기 장치는 롱 패스 필터인 것을 특징으로 하는 시스템.
제9항에 있어서, 물체의 상이 캡쳐될 수 있도록 물체와 상 캡쳐 장치의 적어도 일부 중 하나를 자동으로 위치 설정하기 위한 위치 설정 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 위한 검사 시스템이며,

제1 파장을 갖는 광원으로부터의 여기 광으로 반도체 칩 또는 반도체 장치를 조사하기 위한 광원과,

상 캡쳐 장치와,

제1 파장과는 다른 제2 파장을 갖는 광을 투과하고 제1 파장을 갖는 광을 반사하는 필터 장치를 포함하며,

상기 상 캡쳐 장치는 필터 장치를 통해 투과되는 광을 이용하여 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지의 적어도 일부의 상을 캡쳐하도록 위치 설정되는 것을 특징으로 하는 시스템.
제15항에 있어서, 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지의 암 시야 조사를 제공하는 암 시야 조사 시스템을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제16항에 있어서, 상기 암 시야 조사 시스템은 환형 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
제16항에 있어서, 상기 암 시야 조사 시스템은 방산기를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
제15항에 있어서, 상기 광원과 암 시야 조사 시스템을 제어하는 프로세서를추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
제19항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 광원과 암 시야 조사 시스템을 동시에 작동하도록 구성된 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
제19항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 광원과 암 시야 조사 시스템을 서로에 대해 연속적으로 작동하도록 구성된 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
제15항에 있어서, 상기 장치 패키지를 상기 조명에 대한 위치로 이동시키는 위치 설정 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
제15항에 있어서, 상기 장치 패키지에 대한 상 캡쳐 시스템의 적어도 일부를 상기 장치 패키지의 상을 캡쳐하기 위한 위치로 이동시키는 위치 설정 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 검사하는 방법이며,

광원으로부터의 제1 파장에 제1 파장을 갖는 여기 광으로 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 조명하는 단계와,

제2 파장에 장치 패키지로부터 방사된 형광을 상 캡쳐 장치로 전달하는 단계와,

상 캡쳐 장치에서 이격된 제1 파장에 반도체 장치 패키지 또는 반도체 칩으로부터 반사된 광을 지향하는 단계와,

형광을 사용하여 반도체 장치 패키지 또는 반도체 칩의 제1 상을 캡쳐하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제24항에 있어서, 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 제1 파장과 다른 제3 파장을 가지는 광으로 조사하는 단계와,

제3 파장의 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지로부터 반사된 광을 화상 포획 장치로 전달하는 단계와,

제3 파장의 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지로부터 반사된 광을 사용하여 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지의 제2 화상을 포획하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제24항에 있어서, 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 광원으로 조사하는 단계와 동시에, 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 제1 파장과 다른 제3 파장을 가지는 광으로 조사하는 단계와,

제3 파장의 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지로부터 반사된 광을 화상 포획 장치로 전달하는 단계를 추가로 포함하고,

제1 화상은 제3 파장의 장치 패키지로부터 반사된 광을 사용하여 포획되는 것을 특징으로 하는 방법.
제24항에 있어서, 조사하기 위해 반도체 칩 또는 반도체 장치 패키지를 자동으로 위치 설정하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
i)물체와, ii) 상 캡쳐 장치의 적어도 일부 중 하나를 제1 위치에 자동적으로 위치시키는 단계와,

제1 파장을 갖는 여기 광으로 물체를 조사하는 단계와,

물체로부터 제2 파장으로 방사된 형광을 상 캡쳐 장치로 전달하는 단계와,

물체로부터 제1 파장으로 반사된 광을 상 캡쳐 장치에서 멀리 지향시키는 단계와,

형광을 사용하여 물체의 제1 상을 캡쳐하는 단계와,

제1 파장과는 다른 제3 파장을 갖는 광으로 물체를 조사하는 단계와,

물체로부터 제3 파장으로 반사된 광을 상 캡쳐 장치로 전달하는 단계와,

물체로부터 제3 파장으로 반사된 광을 사용하여 물체의 제2 상을 캡쳐하는 단계와,

제1 상 및 제2 상 모두가 캡쳐된 후에만 발생하는 재위치 설정은 물체 및 상 캡쳐 장치의 적어도 일부 중 하나를 재위치 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체를 결상하기 위한 방법.
a) 제1 파장을 갖는 여기된 광으로 물체를 조사하는 단계와,

b) 물체로부터 제2 파장으로 방사된 형광을 상 캡쳐 장치로 전달하는 단계와,

c) 상기 a)단계와 동시에, 암 시야 조사 시스템을 사용하여, 제3 파장의 광으로 물체를 조사하는 단계와,

d) 물체에 의해 제2 파장으로 반사된 광을 상 캡쳐 장치로 전달하는 단계와,

e) 장치 패키지로부터 제1 파장으로 반사된 광을 상 캡쳐 장치에서 멀리 지향시키는 단계와,

f) 제2 파장으로 반사된 광과 형광을 사용하여 장치 패키지의 제1 상을 캡쳐하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체를 결상하기 위한 방법.
제29항에 있어서, 제1 상이 캡쳐되도록 i)물체와, ii) 상 캡쳐 장치의 적어도 일부 중 하나를 제1 위치로 자동적으로 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 물체를 결상하기 위한 방법.