KR200240816Y1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 이에 의하면, 가스 산포기를 기판의 상측으로 일정 거리를 두고 진공 챔버의 내부에 배치하고 가스 산포기의 본체 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 관통홀들의 총 입구 면적을 넓게 형성한다. 즉, 관통홀들이 가스 산포기의 본체 단위 면적당 동일 수량으로 형성되고 아울러 본체 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 감에 따라 각 관통홀들의 입구 면적이 점차 넓어진다. 또한, 관통홀들이 가스 산포기의 본체 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 감에 따라 본체 단위 면적당 많은 수량으로 형성되고 아울러 각 관통홀들의 입구 면적이 동일 크기로 형성된다.

따라서, 본 고안은 전기장의 세기가 큰 기판의 중심 영역에 단위 면적당 소량의 공정 가스를 공급하나 전기장의 세기가 약한 기판의 가장자리 영역에 단위 면적당 상대적으로 다량의 공정 가스를 공급한다. 그 결과, 유도 코일이나 자석의 변경에 따른 플라즈마 처리 장치의 가격 상승을 크게 초래하지 않으면서도 대면적의 기판에 걸쳐 형성되는 플라즈마의 균일성을 향상하고 나아가 공정 균일성을 향상시킬 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{plasma processing apparatus}

본 고안은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대형 기판의 전면에 걸쳐 균일한 플라즈마를 발생시켜 공정의 균일성을 확보하도록 한 플라즈마처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 각종 전기/전자/광학/자기 소자 등의 제조에 있어서 플라즈마의 이용이 박막 등의 증착이나 식각 뿐만 아니라 기판 내부로의 이온 주입이나 고분자 혹은 가공 용구의 표면 개질 등에 매우 폭 넓게 확산되고 있는 추세에 있다. 고밀도 플라즈마 소스(source)는 공정, 특히 이온주입, 에칭 및 적층과 같은 극소 전자 제조 공정에 응용되는 것이 증가하고 있다고 알려져 있다. 이러한 소스들 중에서 주목받고 있는 소스로는 전자 사이크로트론 공진(Electron Cyclotron Resonance: ECR) 플라즈마, 유도 결합형(Inductively coupled) 플라즈마 또는 변압기 결합형(Transformer Coupled) 플라즈마 소스가 있다. 이러한 소스들은 200mm까지의 직경을 갖는 현행의 대규모 집적회로 및 300mm 정도의 직경을 갖는 미래의 초대규모 집적회로의 제조에 요망되는 고속 프로세싱을 위해 저압(종종 10^-2Torr)에서 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있다.

상기 ECR은 플라즈마에 대해 자기장 코일에 의해 강자기장을 인가하고 그 자기장과 평행하도록 2.45GHz의 마이크로파를 입사하여 플라즈마 밀도를 높인다. 사이크로트론 주파수를 갖는 전자가 플라즈마 내를 침투하는 마이크로파의 파동 에너지를 흡수하여 가속되고 그 결과 중성 입자와 전자의 충돌 빈도가 상승해 플라즈마 밀도가 증가한다. 상기 ICP는 절연체의 용기의 외부에 감은 코일 또는 루프(loop)형 안테나에 100KHz∼100MHz의 RF 고주파 전력을 인가하고, 고주파 전기장을 유도해서 전자를 가속함으로써 플라즈마를 발생시킨다.

그런데, 생산성의 향상을 위해 대면적 기판이 사용됨에 따라 기판의 전체 표면에 대한 플라즈마의 균일성, 예를 들면 기판의 모든 영역에 대한 식각 또는 적층 공정의 균일성을 점차 확보하기가 어려워지고 있다. 이는 수율에 막대한 악영향을 미친다. 따라서, 기판의 모든 영역에 대한 균일한 플라즈마 공정의 구현이 수율의 확보는 물론 기판 상의 미세 라인의 임계 치수의 조절에도 중요하고도 시급한 문제로 인식되고 있다.

일반적으로 플라즈마의 균일성은 플라즈마를 발생시키기 위해 외부에서 인가되는 에너지원, 예를 들어 전기장, 자기장 등의 공간적 균일성에 의해 일차적으로 결정된다. 즉, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부에서 공급되는 에너지원의 공간적 분포가 균일하면, 발생되는 플라즈마 또한 공간적으로 균일한 특성을 갖게 된다. 그렇지만, 실제적인 플라즈마 처리 장치들의 대부분은 외부 에너지원의 분포가 공간적으로 균일하지 못하다.

기존의 상기 ECR의 경우, 인가되는 외부 자기장의 불균일한 분포에 의한 전자 드리프트(drift)로 인해 플라즈마 및 그 공정의 균일성이 매우 불량하다. 그러므로, 고밀도 플라즈마의 장점에도 불구하고 대면적 공정으로의 확장이 매우 어려운 문제점이 있다. 또한, 기존의 ICP의 경우, ECR보다는 플라즈마 균일성이 양호하지만 대면적 공정에 적용할 정도의 균일성을 구현하기 위해서는 RF 코일의 형상을 복잡하게 변화시키거나 영구자석이나 전자석 등을 적절히 배치하여야 하므로 플라즈마 처리 장치가 복잡해지고 가격이 상승하게 된다.

종래 기술에 의한 플라즈마 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다.즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 처리 장치(100)는 진공 챔버(10), 기판 지지대(20), 진공 윈도우(30), 파라데이 차폐부(40), 유도 코일(50), 고주파 매칭 네트워크(60), (62), 고주파 발생기(70),(72) 및 자석(80)을 포함한다. 점선으로 한정된 부분의 내부 영역은 플라즈마 영역(90)이다.

여기서, 상기 진공 챔버(10)는 상측 개방구를 갖는 원통 형상의 용기로서 알루미늄 재질로 이루어지며 외벽이 접지된다. 가스 흡기구(11)가 진공 챔버(10)의 측벽 상측부에 관통하여 설치되고 가스 공급 라인(도시 안됨)을 거쳐 가스 공급 장치(도시 안됨)에 연결된다. 가스 배기구(13)가 진공 챔버(10)의 저면에 관통하여 설치되고 배기 라인(도시 안됨)을 거쳐 터보펌프와 로터리펌프와 같은 진공 배기 장치(도시 안됨)에 연결된다. 기판 지지대(20)는 플라즈마 처리될 기판(1)을 지지한다. 진공 윈도우(30)는 투광성 재질, 예를 들어 석영 재질의 판재로 이루어지며 진공 챔버(10)의 상측 개방구를 밀폐하도록 설치된다. 파라데이 차폐부(40)는 구리나 알루미늄 재질의 판재로서 진공 윈도우(30)의 상부면에 배치되며 전기용량 결합의 효과를 최소화하기 위해 전자파를 차폐하는 역할을 한다. 유도 코일(50)은 파라데이 차폐부(40)의 상부면에 배치된다. 유도 코일(50)에는 고주파 매칭 네트워크(60)를 거쳐 고주파 발생기(70)가 연결되고, 기판 지지대(20)에도 고주파 매칭 네트워크(62)를 거쳐 고주파 발생기(72)가 연결된다. 고주파 발생기(70),(72)는 바람직하게는 13.56MHz의 고주파 전력을 사용하지만 100KHz∼100MHz 대역의 고주파 전력을 사용하는 것도 가능하다. 자석(80)은 전자 코일과 같은 전자석이나 영구자석으로서 진공 챔버(10)의 측벽 외면에 설치되며 도면의 상측부에서 하측부로의 하향 방향으로 또는 하측부에서 상측부로의 상향 방향으로 자력선을 제공한다.

또한, 상기 유도 코일(50)은 도 2a 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 다양한 형태로 구성될 수 있다. 즉, 유도 코일(50)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 평면 소용돌이(planar spiral) 형상의 코일(51)로 이루어지거나, 도 2b에 도시된 바와 같이, 나선(helical spiral) 형상의 코일(53)로 이루어지나, 도 2c에 도시된 바와 같이, 멀티섹션 소용돌이(multi-section spiral) 형상의 코일(55)로 이루어지거나, 도 2d에 도시된 바와 같이, 대면적 소용돌이(large area spiral) 형상의 코일(57)로 이루어질 수 있다.

이와 같은 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 코일(50)이 평면 소용돌이형 코일인 경우, 진공 챔버(10) 내의 방위각 방향(azimuthal)으로의 전기장 또는 플라즈마 밀도가 플라즈마 영역(90)의 중심 영역에 해당하는, 기판(1)의 상부면 중심 영역에서 가장 높고 가장자리 영역으로 갈수록 점차 낮아진다. 그 결과, 상기 플라즈마 처리 장치가 식각공정 장치이면, 기판(1)의 식각속도가 기판(1)의 가장자리영역보다 기판(1)의 중심영역에서 훨씬 크게 나타나는 불균일한 공정 분포가 나타낸다.

이러한 불균일한 분포의 식각속도를 균일화하기 위해 가장 많이 사용되는 방법 중의 하나가 진공 챔버의 외벽에 영구자석이나 전자석과 같은 자석을 이용하여 자기장을 인가해주는 방법이다. 즉, 진공 챔버의 외벽 주위에 자기장을 형성함으로써 플라즈마 내의 전자가 진공챔버의 측벽 내면 쪽으로 확산, 손실되지 못하도록 전자를 자기장 영역 내에 가두어 주는 효과를 이용하는 것이다.

그러나, 이와 같은 방법은 플라즈마의 균일성을 확보하는데 여전히 한계가 있을 뿐만 아니라 자석의 배치를 다르게 하거나 자석의 형태를 변형하는 등의 방법을 사용할 경우, 플라즈마 처리 장치의 구조를 복잡하게 만들고 장치의 가격을 상승시킨다.

따라서, 본 고안의 목적은 플라즈마의 균일성을 확보함과 아울러 공정 균일성을 확보하도록 한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.

본 고안의 다른 목적은 구조의 단순화를 이루면서도 플라즈마의 균일성을 확보하도록 한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.

본 고안의 또 다른 목적은 가격의 상승을 억제하면서도 플라즈마의 균일성을 확보하도록 한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.

도 2a 내지 도 2d는 도 1의 유도 코일에 적용될 수 있는 다양한 통상적인 예를 나타낸 예시도.

도 3은 본 고안에 의한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.

도 4는 도 3의 플라즈마 처리 장치의 전기장 세기를 나타낸 그래프.

도 5는 도 3의 가스 산포기에 형성된 관통홀들의 일예를 나타낸 상세 평면도.

도 6은 도 3의 가스 산포기에 형성된 관통홀들의 다른 일예를 나타낸 상세 평면도.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안에 의한 플라즈마 처리 장치는

공정가스를 유입하는 가스 흡기구와 상기 공정 가스를 배기하는 가스 배기구를 가지며, 플라즈마 반응 공간을 확보하기 위한 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 저면 상에 설치되며, 플라즈마 처리될 기판을 지지하기 위한 기판 지지부; 상기 진공 챔버의 상측 개구부를 밀폐하기 위한 진공 윈도우; 상기 진공 윈도우 상에 배치되며, 전자파를 차폐하는 파라데이 차폐부; 상기 파라데이 차폐부 상에 배치되는 유도 코일; 상기 유도코일 및 상기 기판 지지부에 각각 고주파를 발생하여 공급하기 위한 고주파 발생기들; 상기 유도코일 및 상기 기판 지지부와 상기 고주파 발생기들 사이에 각각 설치되며, 상기 고주파를 매칭시키기 위한 고주파 매칭 네트워크들; 및 상기 기판의 상측으로부터 일정 거리를 두고 위치하도록 상기 진공 챔버의 측벽 내면에 설치된 본체를 가지며, 공간적으로 플라즈마 균일성을 높이기 위해 관통홀들이 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 많은 넓은 면적으로 형성된, 상기 공정 가스를 상기 기판으로 산포하기 위한 가스 산포기를 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 관통홀들이 단위 면적당 동일 수량으로 형성되고 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 상기 관통홀들의 입구 면적이 넓어질 수 있다. 바람직하게는, 상기 관통홀들이 동일한 입구 면적을 가지며, 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 상기 관통홀들의 수량이 많아질 수 있다. 또한, 상기 진공 챔버의 측벽 외면에 자력선을 제공하기 위한 자석이 설치되거나 설치되지 않을 수도 있다.

따라서, 본 고안은 전기장의 세기가 큰 기판의 중심 영역에 단위 면적당 소량의 공정 가스를 공급하나 전기장의 세기가 약한 기판의 가장자리 영역에 단위 면적당 상대적으로 다량의 공정 가스를 공급한다. 그 결과, 유도 코일이나 자석의 변경에 따른 플라즈마 처리 장치의 가격 상승을 크게 초래하지 않으면서도 대면적의 기판에 걸쳐 형성되는 플라즈마의 균일성을 향상하고 나아가 공정 균일성을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 고안에 의한 플라즈마 처리 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하다. 종래의 부분과 동일 작용 및 동일 구성의 부분에는 동일 부호를 부여한다.

도 3은 본 고안에 의한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 4는 도 3의 플라즈마 처리 장치의 전기장 세기를 나타낸 그래프이고, 도 5는 도 3의 가스 산포기에 형성된 관통홀들의 일예를 나타낸 상세 평면도이고, 도 6은 도 3의 가스 산포기에 형성된 관통홀들의 다른 일예를 나타낸 상세 평면도이다.

도 3을 참조하면, 본 고안의 플라즈마 처리 장치(200)는 진공 챔버(10), 기판 지지대(20), 진공 윈도우(30), 파라데이 차폐부(40), 유도 코일(50), 고주파 매칭 네트워크(60), (62), 고주파 발생기(70),(72) 및 자석(80)을 포함한다. 또한, 가스 산포기(210)를 포함한다. 점선으로 한정된 부분의 내부 영역은 플라즈마 영역(90)이다.

여기서, 상기 진공 챔버(10)는 상측 개방구를 갖는 원통 형상의 용기로서 알루미늄 재질로 이루어지며 외벽이 접지된다. 가스 흡기구(11)가 진공 챔버(10)의 측벽 상측부에 관통하여 설치되고 가스 공급 라인(도시 안됨)을 거쳐 가스 공급 장치(도시 안됨)에 연결된다. 가스 배기구(13)가 진공 챔버(10)의 저면에 관통하여 설치되고 배기 라인(도시 안됨)을 거쳐 터보펌프와 로터리펌프와 같은 진공 배기 장치(도시 안됨)에 연결된다. 기판 지지대(20)는 플라즈마 처리될 기판(1)을 지지한다. 진공 윈도우(30)는 투광성 재질, 예를 들어 석영 재질의 판재로 이루어지며진공 챔버(10)의 상측 개방구를 밀폐하도록 설치된다. 파라데이 차폐부(40)는 구리나 알루미늄 재질의 판재로서 진공 윈도우(30)의 상부면에 배치되며 전기용량 결합의 효과를 최소화하기 위해 전자파를 차폐하는 역할을 한다. 유도 코일(50)은 파라데이 차폐부(40)의 상부면에 배치된다. 유도 코일(50)에는 고주파 매칭 네트워크(60)를 거쳐 고주파 발생기(70)가 연결되고, 기판 지지대(20)에도 고주파 매칭 네트워크(62)를 거쳐 고주파 발생기(72)가 연결된다. 고주파 발생기(70),(72)는 바람직하게는 13.56MHz의 고주파 전력을 사용하지만 100KHz∼100MHz 대역의 고주파 전력을 사용하는 것도 가능하다. 자석(80)은 전자 코일과 같은 전자석이나 영구자석으로서 진공 챔버(10)의 측벽 외면에 설치되며 도면의 상측부에서 하측부로의 하향 방향으로 또는 하측부에서 상측부로의 상향 방향으로 자력선을 제공한다. 본 고안에서는 상기 자석(80)이 도면에 설치된 것으로 도시되어 있으나 설치되지 않아도 무방하다.

또한, 상기 유도 코일(50)은 도 2a 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 다양한 형태로 구성될 수 있다. 즉, 유도 코일(50)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 평면 소용돌이(planar spiral) 형상의 코일(51)로 이루어지거나, 도 2b에 도시된 바와 같이, 나선(helical spiral) 형상의 코일(53)로 이루어지나, 도 2c에 도시된 바와 같이, 멀티섹션 소용돌이(multi-section spiral) 형상의 코일(55)로 이루어지거나, 도 2d에 도시된 바와 같이, 대면적 소용돌이(large area spiral) 형상의 코일(57)로 이루어질 수 있다.

또한, 가스 산포기(210)는 가스 흡기구(11)로부터 유입된 공정 가스를 기판지지대(20) 상에 지지된 기판(1)으로 하향 산포하기 위한 것으로, 본체(211)가 가스 흡기구(11)의 아래에 위치하며 진공 챔버(10)의 측벽 내면에 수평으로 걸쳐진다. 본체(211)에 관통홀들(230)이 수직 관통하여 형성된다. 관통홀들(230)은 원형 형상으로 이루어지는 것이 바람직하고 타원형 등 다양한 형태로 이루어질 수도 있다. 그러나, 관통홀들(230)은 모서리가 뾰족한 형상으로 이루어지는 것이 바람직하지 않은데 이는 모서리 부위에서 아크(arc)가 발생하여 플라즈마의 균일성을 저해하고 안정된 플라즈마를 얻기가 곤란하기 때문이다.

상기 본체(211)는 석영, 알루미나, 스테인레스 재질의 원형 판재로 이루어진다. 관통홀들(230)은 본체(211)의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 관통홀들의 총 입구 면적이 넓어지는 형태로 형성된다.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 본체(211)의 중심 영역에 위치한 관통홀들(231)이 본체(211)의 가장자리 영역에 위치한 관통홀들(233)과 마찬가지로 본체(211)의 단위 면적(A)당 동일 수량, 예를 들어 1개로 형성되지만 각 관통홀들(233)의 입구 면적(d3)은 각 관통홀들(231)의 입구 면적(d1)보다 넓다. 본체(211)의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 영역에 위치한 관통홀들(232)은 상기 중심 영역과 가장자리 영역에 각각 위치한 관통홀들(231),(233)과 마찬가지로 단위 면적(A)당 1개로 형성되지만 각 관통홀들(232)의 입구 면적(d2)은 관통홀들(231)의 입구 면적(d1)보다 넓고 관통홀들(233)의 입구 면적(d3)보다 좁다.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 본체(211)의 중심 영역에 위치한 관통홀들(235)이 본체(211)의 가장자리 영역에 위치한 관통홀들(237)과 마찬가지로동일한 크기의 입구 면적(d5)으로 형성되지만, 관통홀들(237)은 본체(211)의 단위 면적(A)당 예를 들어 4개이고 관통홀들(235)은 본체(211)의 단위 면적(A)당 예를 들어 1개이다. 본체(211)의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 영역에 위치한 관통홀들(236)은 상기 중심 영역과 가장자리 영역에 각각 위치한 관통홀들(235),(237)과 마찬가지로 동일한 크기의 입구 면적(d5)으로 형성되지만, 관통홀들(236)은 단위 면적(A)당 관통홀들(235)의 수량(1개)보다 많고 관통홀들(237)의 수량(4개)보다 적은 수량, 예를 들어 2개이다. 한편, 관통홀들(230)이 설명의 편의상 본체(211)의 중심 영역에서 가장자리 영역으로의 방향에 대해 3단계로 구분하여 설명하고 있으나 실제적으로는 3단계보다 많은 단계로 세분화하여 구분되어 있음은 자명한 사실이다.

따라서, 가스 흡기구(11)로부터 진공 챔버(10)의 내부로 유입된 공정 가스들이 가스 산포기(210)의 관통홀들(230)을 거쳐 기판(1)의 상부면으로 산포될 때 본체(211)의 단위 면적당 중앙 영역에는 공정 가스의 공급량이 적은 반면에 가장자리 영역에는 공정 가스의 공급량이 많아진다. 그 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 영역(90)의 중심 영역에서는 전기장의 세기가 크고 전자의 충돌에 의한 이온화율이 커서 손실이 작은 반면에 상기 중심 영역으로부터 반경(R)에 해당하는 플라즈마 영역(90)의 가장자리 영역에서는 전기장의 세기가 약하고 진공 챔버의 측벽으로의 손실이 크므로 진공 챔버(10)의 플라즈마 영역(90)에서는 공간적으로 균일한 밀도의 플라즈마가 생성될 수 있다. 이는 기판(1)에 균일한 식각속도와 같은 식각공정의 특성을 가능하게 한다.

여기서, 관통홀(230)의 입구 면적은 플라즈마 시스(Sheath) 두께와의 관련하여 제약을 받는다. 관통홀(230)의 입구 면적이 시스 두께보다 넓을 경우에는 관통홀(230) 내에서 홀로우 캐소드 효과(Hollow-cathode Effect)에 의해 핫 스폿(Hot-Spot)이 발생한다. 즉, 플라즈마 시스가 관통홀(230) 내로 침투하여 관통홀(230) 내에서 강력한 플라즈마가 발생하고 이는 방전(arc) 혹은 런어웨이(Run-away) 등의 상황을 초래한다. 이에 의해 관통홀들(230) 주변의 물질이 침식되어 공정 오염을 유발하고 또한 플라즈마 불균일성을 초래한다. 따라서, 관통홀들(230)의 입구 면적은 플라즈마 시스 두께보다 작게 형성되어야 한다. 플라즈마 시스 두께는 여러 가지 공정 조건에 따라 가변되므로 일반적인 관통홀들의 입구 면적을 제시하기는 어렵지만, 통상적인 ICP의 경우에 대한 문헌에 의하면, 수 mm 정도로 제시되어 있으므로 관통홀들(230)의 입구 면적은 이 수치보다 작게 이루어지는 것이 바람직하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의하면, 가스 산포기를 기판의 상측으로 일정 거리를 두고 진공 챔버의 내부에 배치하고 가스 산포기의 본체 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 관통홀들의 총 입구 면적을 넓게 형성한다. 즉, 관통홀들이 가스 산포기의 본체 단위 면적당 동일 수량으로 형성되고 아울러 본체 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 감에 따라 각 관통홀들의 입구 면적이 점차 넓어진다. 또한, 관통홀들이 가스 산포기의 본체 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 감에 따라 본체 단위 면적당 많은 수량으로 형성되고 아울러각 관통홀들의 입구 면적이 동일 크기로 형성된다.

따라서, 본 고안은 전기장의 세기가 큰 기판의 중심 영역에 단위 면적당 소량의 공정 가스를 공급하나 전기장의 세기가 약한 기판의 가장자리 영역에 단위 면적당 상대적으로 다량의 공정 가스를 공급한다. 그 결과, 유도 코일이나 자석의 변경에 따른 플라즈마 처리 장치의 가격 상승을 크게 초래하지 않으면서도 대면적의 기판에 걸쳐 형성되는 플라즈마의 균일성을 향상하고 나아가 공정 균일성을 향상시킬 수 있다.

한편, 본 고안은 도시된 도면과 상한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 고안의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (4)

1. 공정가스를 유입하는 가스 흡기구와 상기 공정 가스를 배기하는 가스 배기구를 가지며, 플라즈마 반응 공간을 확보하기 위한 진공 챔버;

   상기 진공 챔버의 저면 상에 설치되며, 플라즈마 처리될 기판을 지지하기 위한 기판 지지부;

   상기 진공 챔버의 상측 개구부를 밀폐하기 위한 진공 윈도우;

   상기 진공 윈도우 상에 배치되며, 전자파를 차폐하는 파라데이 차폐부;

   상기 파라데이 차폐부 상에 배치되는 유도 코일;

   상기 유도코일 및 상기 기판 지지부에 각각 고주파를 발생하여 공급하기 위한 고주파 발생기들;

   상기 유도코일 및 상기 기판 지지부와 상기 고주파 발생기들 사이에 각각 설치되며, 상기 고주파를 매칭시키기 위한 고주파 매칭 네트워크들; 및

   상기 기판의 상측으로부터 일정 거리를 두고 위치하도록 상기 진공 챔버의 측벽 내면에 설치된 본체를 가지며, 공간적으로 플라즈마 균일성을 높이기 위해 관통홀들이 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 단위 면적당 많은 넓은 면적으로 형성된, 상기 공정 가스를 상기 기판으로 산포하기 위한 가스 산포기를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 관통홀들이 상기 단위 면적당 동일 수량으로 형성되고 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 상기 관통홀들의 입구 면적이 넓어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 관통홀들이 동일한 입구 면적을 가지며, 상기 본체의 중심 영역으로부터 가장자리 영역으로 갈수록 상기 단위 면적당 상기 관통홀들의 수량이 많아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 챔버의 측벽 외면에 자력선을 제공하기 위한 자석이 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.