KR200224621Y1

KR200224621Y1 - Layered and mixed Light-emitting diode

Info

Publication number: KR200224621Y1
Application number: KR2020000027409U
Authority: KR
Inventors: 진유안쳉
Original assignee: 유니티옵토테크노로지주식회사
Priority date: 2000-09-26
Filing date: 2000-09-26
Publication date: 2001-05-15
Anticipated expiration: 2010-09-26

Abstract

본 고안은 계층적 혼합 발광 다이오드에 관한것으로 하나의 본체와 하나 이상의 연결체와 하나의 제1칩과 하나의 제2칩이 있으며 직렬로 쌓여진 제1,2칩으로 서로 다른 파장의 광선을 내게 되며 제1,2칩이 내는 광선은 모든 곳에서 볼 수 있는 스펙트럼중의 어떤 두 종류의 파장의 광선(예를 들면 황색, 파란색 등)은 서로 다른 파장의 광선이 발 할 때 전류 전압의 조절로 혼합해 타 색의 광선을 내게 해 색의 차이를 막을 수가 있고 균등한 혼합광의 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a hierarchical mixed light emitting diode, which has one main body, one or more connectors, one first chip, and one second chip. The first and second chips stacked in series emit light of different wavelengths. The light emitted by the first and second chips is mixed with the control of the current voltage when light of any two kinds of wavelengths (for example, yellow, blue, etc.) in the spectrum can be seen everywhere. It emits rays of different colors to prevent the difference of colors and has the effect of uniformly mixed light.

Description

Layered and mixed light-emitting diode

본 고안이 이루고자 하는 목적은 일종의 계층적 혼합 발광 다이오드로 쌓여진 형태의 1,2칩으로 서로 다른 파장의 광선을 내게 해 아래쪽은 제2칩은 갑(甲)종의 색깔 파장의 광선을 내게 하고 윗쪽의 제1칩은 을(乙)종의 색깔 파장의 광선을 내게 하여 제1,2칩이 내는 광선은 모든 곳에서 볼 수 있는 스펙트럼중의 어떤 두 종류의 파장의 광선(예를 들면 황색, 파란색 등)은 서로 다른 파장의 광선이 발 할때 전류 전압의 조절로 혼합해 타 색의 광선을 내게 해 색의 차이를 막을 수가 있고 균등한 혼합광의 효과를 가지고 있다.The purpose of the present invention is to form a kind of hierarchical mixed light emitting diodes, and the first and second chips, which emit light of different wavelengths, and the second chip emits light of color wavelengths of the abbreviated species. The first chip of the chip emits light of the colored wavelengths, and the light emitted by the first chip and the second chip emits light of any two kinds of wavelengths (e.g. yellow, blue) Etc.) can be mixed by controlling the current voltage when different wavelengths of light are emitted to prevent different color rays and have the effect of equalized mixed light.

일반적으로 사용하는 발광 다이오드는 파란색 광을 일으켜 형광분이 나오게 되어서 백색의 광을 나오게 하거나 파란 및 황색 칩을 이용해 관선의 조합을 이루게 한다. 도면5,6과 같이 발광 다이오드가 가진 단색성 파장의 주기파 최고치의 특성을 이용하고 발광 다이오드(9)의 받침대(91) 상에는 전도 실리콘(92)을 이용해 파란, 황색의 칩(93)(94)을 고정 시키며 받침대(91)에는 전원이 통하기 때문에 파란 칩(93)이 파란색광을 황색 칩(94)이 황색광을 내도록 하고 전류 전압의 조절로 인해 파란색 광과 황색광을 확산 혼합해 백색의 광을 내도록 한다.Commonly used light emitting diodes emit blue light and emit fluorescent light to produce white light, or a combination of pipe lines using blue and yellow chips. As shown in Figs. 5 and 6, the blue and yellow chips 93 and 94 are formed using the characteristics of the peak of the monochromatic wavelength of the light emitting diode and the conductive silicon 92 on the pedestal 91 of the light emitting diode 9. ), And the power supply is applied to the pedestal 91 so that the blue chip 93 causes the blue light to emit yellow light and the yellow chip 94 emits yellow light. Let it shine.

하지만 이러한 두 칩(93)(94)과 배열혼합의 발광 다이오드(9)는 도리어 혼합 광선이 불균등의 현상으로 광선의 선명도에 영향과 얼룩거리는 현상이 생길 수 가 있는데, 이러한 주요한 원인은 두 가지의 칩(93)(94) 사이의 거리(D)로 인해 발광 다이오드(9) 양측에 서로 다른 빛깔과 광택의 광선을 야기 시키며, 파란 칩(93)쪽은 황색쪽으로 치우쳐 색을 내기 때문에 색의 불균등을 조성 할 수가 있다. 그러나 제조 공정상 두 칩(93)(94)의 거리(D)를 더 가까이 할 수가 없는 곤란점이 있으며 게다가 두 칩(93)(94)의 거리를 가깝게 하더라도 단락과 누전의 현상으로 인해 제품의 불량률을 높일 수가 있다.However, the two chips 93 and 94 and the array-mixed light emitting diode 9 may have a phenomenon in which the mixed light beam is uneven, which may affect the clarity of the light beam and cause staining. The distance D between the chips 93 and 94 causes light of different colors and gloss to occur on both sides of the light emitting diode 9, and the blue chip 93 is biased toward the yellow color so that color is uneven. You can create However, in the manufacturing process, there is a difficulty in that the distance D between the two chips 93 and 94 can not be closer, and even if the distance between the two chips 93 and 94 is closer, the defect rate of the product due to the short circuit and the short circuit occurs. Can increase.

본 고안은 위에서 상술한 결점을 개량한 구조로 계층적 혼합 발광 다이오드로 하나의 본체와 하나 이상의 연결체와 하나의 제1칩과 하나의 제2칩이 있으며 직렬로 쌓여진 제1칩(1), 제2칩(2)으로 서로 다른 파장의 광선을 내게 되며 제1칩, 제2칩이 내는 광선은 모든 곳에서 볼 수 잇는 스펙트럼중의 어떤 두 종류의 파장의 광선(예를 들면 황색, 파란색 등)은 서로 다른 파장의 광선이 발 할 때 전류 전압의 조절로 혼합해 타 색의 광선을 내게 해 색의 차이를 막을 수가 있고 균등한 혼합광의 효과를 가지고 있다.The present invention is a hierarchical mixed light emitting diode structure that improves the above-described drawbacks, and includes a main body, one or more connectors, a first chip, and a second chip, and stacked in series. The second chip 2 emits light of different wavelengths, and the light emitted by the first chip and the second chip is light of any two kinds of wavelengths (for example, yellow, blue, etc.) that can be seen everywhere. ) Can be mixed by controlling the current voltage when different wavelengths of light are emitted to prevent different colors and have the effect of equally mixed light.

도 1은 본 고안의 제일 실행 예 평면도1 is a plan view of a first embodiment of the present invention

도 2은 제 1도면의 한 부분의 확대한 도면2 is an enlarged view of a portion of the first drawing;

도 3은 본 고안의 제 2 실행 예 도면Figure 3 is a second implementation example of the present invention

도 4은 본 고안의 제 3 실행 예 도면4 is a third implementation example of the present invention

도 5은 일반적으로 사용하는 발광 다이오드 평면도5 is a plan view of a commonly used light emitting diode

도 6은 도면 5의 한 부분을 확대한 도면6 is an enlarged view of a portion of FIG. 5;

사용상태도State of use

(도면의 주요 부분에 대한 부호 설명)(Symbol description for main parts of drawing)

9. 발광 다이오드 91. 받침대9. Light Emitting Diode 91. Pedestal

92. 전도 실리콘 93, 94. 칩92. Conductive Silicon 93, 94. Chip

D.거리D. Distance

1. 제1칩 2. 제2칩1. First Chip 2. Second Chip

3. 본체3. Main Body

5. 절열체 51. 용기부분5. Heater 51. Container part

6. 전도 실리콘6. Conduction Silicone

본 고안은 계층적 환합 발광 다이오드로 도면 1,2를 참조하고 발광 다이오드는 아래 사항이 포함되어 졌는데 본체(3)는 정해진 형태와 투명하게 되었으며 하나 이상의 연결체와 본체(3)가 바같쪽으로 뻗어서 전원을 제공하게 되며(본 도면에는 나타내지 않았다.) 연결체(5)에는 하나의 용기부분(51)이 오게 되며, 본 실행 예에서 연결체(5)가 2개의 받침대로 되었으며 그 중 하나에는 용기부분(51)을 설치하고 용기부분(51)은 오목하게 들어가 홈 형태로 되었다.The present invention is a hierarchical condensed light emitting diode referring to Figs. 1 and 2, and the light emitting diode includes the following matters. The main body 3 is made of a predetermined shape and transparent, and the one or more connectors and the main body 3 extend in the same direction. (Not shown in the figure), the container 5 comes with one container part 51, and in this example, the connector 5 has two pedestals, one of which is the container part. The 51 is provided, and the container portion 51 is recessed to form a groove.

하나의 제1칩과 하나의 제2칩은 연결체(5)의 용기 부분(51)에 설치하고 제1칩과 제2칩은 각각 다른 파장의 갑(甲), 을(乙)종의 색깔 광선이 나오게 되며 제1칩과 제2칩 위에 놓여지게 됨으로 제1칩(1)과 제2칩(2)이 쌓여진 곳은 각각 단일한 외인성 반도체(Extrinsic semiconduction)를 지니고 있으며 본 실행 예 중에서는 제1칩(1)은 질화 알루미늄 인륨 칼륨(AlInGaN)의 투과성(Trasparaent Type)의 4차원 칩이어서 을(乙)종의 색깔 광선이 황색 파장의 광선을 내게 하고 또한 제1칩(1), 제2칩(2)에서 나온 광선은 모든 곳에서 볼 수 있는 스펙트럼중의 어떤 두 종류의 광선(예를 들면 황색, 파란색 등)이고 제1칩(1)의 위,아래 부분은 서로 다른 외인성 반도체을 가지고 있는데 윗 부분은 n형, 아래 부분은 p형으로 되었으며 제2칩(2)은 사파이어를 기초의 질화 인륨 칼륨(InGaN on Sapphire Substrate)로 될 수가 있는데, 갑(甲)종의 색깔은 파란색 파장의 광선을 내게 되며 이 제2칩(2)은 제1칩(1)보다 크고 제2칩(2)의 좌우 양측 부분은 서로 다른 외인성 반도체를 가지고 있는데, 한쪽면은 n형, 다른 한쪽면을 p형이고 제1칩(1)은 제2칩의 좌측에 쌓아 올리게 되며 그 사이는 전도 재료로 된 것 예를들면 전도 실리콘으로 고정 시킨다.One first chip and one second chip are installed in the container portion 51 of the connector 5, and the first chip and the second chip each have a different color of the first and second species of different wavelengths. Since the light is emitted and placed on the first chip and the second chip, the stacked areas of the first chip 1 and the second chip 2 each have a single extrinsic semiconduction. One chip (1) is a four-dimensional chip of Trasparaent Type of aluminum indium potassium nitride (AlInGaN), so that colored rays of light emit yellow rays and the first chips (1), second The light rays coming out of the chip 2 are any two kinds of light rays (for example, yellow, blue, etc.) in the spectrum seen everywhere, and the upper and lower parts of the first chip 1 have different exogenous semiconductors. The upper part is n-type and the lower part is p-type, and the second chip 2 is sapphire-based potassium indium nitride (InGaN on Sapphire Sub). stratospheric species, the color of the first species emits a blue wavelength of light, and the second chip 2 is larger than the first chip 1 and both left and right portions of the second chip 2 It has another exogenous semiconductor, one side is n-type, the other side is p-type, and the first chip 1 is stacked on the left side of the second chip, and the conductive material is made of conductive silicon, for example, Fix it.

본 고안은 연결된 제1칩(1), 제2칩(2)이 서로 다른 파장의 광선을 내게 되는데 이 서로 다른 파장의 광선(파란색과 황색)이 나올 때 전류전압 조절을 통해서 혼합된 타 색의 광석(백색)이 되게 되며 제1칩(1)과 제2칩(2)은 쌓여진 형태로 되어서 제1칩(1), 제2칩(2)사이레 색깔 차이가 일어나지 않아서 발광 다이오드 양측에 서로 다른 빛깔 문제를 막을 수가 있으며 균등한 혼합광의 효과를 가지고 있다.According to the present invention, when the first chip 1 and the second chip 2 which are connected emit light beams having different wavelengths, when the light beams of different wavelengths (blue and yellow) come out, they are mixed in different colors through current voltage control. It becomes ore (white) and the first chip 1 and the second chip 2 are stacked so that the color difference does not occur between the first chip 1 and the second chip 2 so that both sides of the light emitting diode It can prevent other color problems and has the effect of uniformly mixed light.

그리고 본 고안은 제1칩(1), 제2칩(2)은 직렬로 쌓여지게 됨으로 발광되는 색의 균등 뿐만 아니라 직렬로 설치된 제1칩(1), 제2칩(2)사이 거리를 가깝게 할 수가 있어서 단락 이나 누전 같은 현상을 막을 수가 있어서 제품의 불량률을 낮게 할 수가 있으며 제조 공정상 칩 사이의 거리(D)를 가깝게 할 수 없었던 어려움을 극복 할 수가 있다.In addition, since the first chip 1 and the second chip 2 are stacked in series, the present invention provides a close distance between the first chip 1 and the second chip 2 installed in series as well as the color of light emitted. This prevents short circuits and short circuits, thereby lowering the defect rate of the product and overcoming the difficulty of not having a close distance between chips in the manufacturing process.

그위에 본 고안은 앞에서 상술한 예에 국한 되지 않으며 도면3,4와 같이 제2 제3으로 실행할 수가 있는데, 그 중 하나는 제1칩(1),제2(2)를 크게하고 제1칩(1)과 제2칩(2)의 크기 또한 비슷하게 하며 제1칩(1), 제2칩(2) 위 아래 부분에 각각 서로 다른 외인성 반도체 물질이 있어서 서로 고정할 수가 있으며 앞에서 상술한 것과 같은 혼합광의 색 균등의 특징이 있으며 제1칩(1), 제2칩(2)을 바꿔서도 실행 할 수가 있는데 가령 제1칩(1)은 사파이어를 기초의 질화 인륨 칼륨(ingenue on Sapphire Substrate), 탄화규소를 기초의 질화 인륨 칼륨(InGaN on Sic Substrate)로 할 수가 있으며 기타 다른재료를 써서 사용 할 수가 있고 제2칩(2)은 질화 알루미늄 인륨 칼륨(AllnGaN)의 투과성(Trasparaent Type)의 4차원 칩 혹은 기타 다른 재료를 사용 할 수가 있으며 또한 발광색은 앞에서 서술한 색깔에 국한 되지 않으며 녹색과 빨간색으로 사용 할 수가 있으며 서로 다른 색깔의 광선을 혼합해 다른 색깔의 광선을 낼 수가 있다.The present invention is not limited to the above-described example and can be implemented as the second third as shown in Figs. 3 and 4, one of which is to enlarge the first chip 1, the second 2 and the first chip. The size of (1) and the second chip (2) are similar, and there are different exogenous semiconductor materials on the upper and lower portions of the first chip (1) and the second chip (2), so that they can be fixed to each other. There is a characteristic of equalizing color of mixed light, and it can be implemented by changing the first chip 1 and the second chip 2, for example, the first chip 1 is based on sapphire-based potassium nitride (ingenue on Sapphire Substrate), Silicon carbide can be used as the basic InGaN on Sic Substrate, and other materials can be used. The second chip (2) is the four-dimensional Trasparaent Type of Aluminum Indium Potassium Nitride (AllnGaN). Chips or other materials can be used and the luminous color is But not limited to the number you want to use as green and red, and can be mixed with light of different colors to make light of different colors.

본 고안은 쌓여진 제1칩(1),제2칩(2)은 서로 다른 파장의 광선을 내게 되며 아래쪽의 제2칩(2)은 갑(甲)종의 광선이 나오게 되며 위 부분의 칩은 을(乙)종의 색깔의 광선이 나오게 되고 서로 다른 색깔이 서로 혼합 되어서 다른 색깔의 광선이 되는데 혼합된 광선은 서로 균등한 색을 가질 수가 있는 효과가 있으며 색의 차이나 단락과 누전의 현상이 일어 나지 않은 효과가 있으며 제품의 불량률 또한 낮추게 할 수가 있다According to the present invention, the stacked first chip 1 and the second chip 2 emit light beams having different wavelengths, and the second chip 2 at the lower part emits light of a shell type. The light beams of different species come out and different colors are mixed with each other to form different light beams. The mixed light beams have the effect of being equal to each other, and there are differences in colors or short circuits and short circuits. It has no measurable effect and can lower the defective rate of the product.

Claims

One first chip and one second chip are powered, and the first chip and the second chip emit light of different wavelengths. The first chip is stacked on the second chip, so that the first chip and the second chip are Is a hierarchical mixed light emitting diode, characterized in that each has a single exogenous semiconductor.

The hierarchical four-dimensional chip according to claim 7, wherein the first chip and the second chip can be formed into a permeable four-dimensional chip of sapphire-based indium potassium nitride, silicon carbide-based indium potassium nitride or aluminum indium potassium nitride. Mixed light emitting diodes.

8. The hierarchical mixed light emitting diode of claim 7, wherein the upper and lower portions of the first chip and the second chip have different exogenous semiconductors.