KR20020002498A - Surface mount ic stacking method and device - Google Patents
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Abstract
매치되는 상단부 콘택과 바닥부 콘택을 갖는 패키지 표면 실장(SMT) 칩이 적층된다. 칩 특성은 제조를 보다 쉬운 제조로 칩층 사이에 원하는 결합력을 제공하도록 선택된다. 일 실시예에서, 추가의 공간 및 경로층이 층 사이에 선택적으로 제공된다. 다른 실시예에서, 칩은 상이한 도체 및/또는 비휘발성 셀 구성을 선택적으로 제공함으로써 구별된다. 또다른 실시예에서, 기판의 콘택의 소수는 공간층의 유전체 영역과 또는 적층 칩들 사이에 매우 낮은 용량성 신호 경로를 형성하도록 기판이 정렬되도록 구성된다.Package surface mount (SMT) chips with matching top and bottom contacts are stacked. Chip characteristics are chosen to provide the desired bonding force between chip layers with easier manufacturing. In one embodiment, additional spaces and path layers are optionally provided between the layers. In other embodiments, chips are distinguished by selectively providing different conductor and / or nonvolatile cell configurations. In another embodiment, a minority of the contacts of the substrate are configured such that the substrate is aligned to form a very low capacitive signal path between the dielectric region of the spacer layer or between the stacked chips.
Description
몇 년 동안, 전자 및 전기기계적 시스템 제조업자는 IC 적층 방법 및 적층 장치가 때때로 기판의 주어진 영역에 많은 부품의 실장을 허용한다는 것을 인식하고 있었다. 예를 들어, 미국 특허 5,612,570호(Eide 등에 의해 1995년 4월 13일 출원)에는 다수개의 프레임 각각에 한 개의 칩을 적층시키고, 프레임들을 적층시키기 위한 구성이 개시되어 있다. 칩 리드와 프레임 사이의 신호 경로는 프레임을 통해 경로가 정해진 트레이스에 의해 제공된다.For many years, manufacturers of electronic and electromechanical systems have recognized that IC stacking methods and stacking devices sometimes allow mounting of many components in a given area of the substrate. For example, US Patent 5,612, 570 (filed April 13, 1995 by Eide et al.) Discloses a configuration for stacking one chip on each of a plurality of frames and stacking the frames. The signal path between the chip lead and the frame is provided by a trace routed through the frame.
공지된 다수의 적층 방법은 원하는 PCB 분포 밀도를 제공할 수 있지만, 아직도 적절히 처리되지 않은 첫 번째 문제는 적어도 수직으로 정렬된 그룹에 동일한(또는 매우 유사한) 칩들이 칩층으로서 다수의 인터페이스를 함유한 경로(즉, 수평으로의 옵셋 수직 도체)를 요구한다는 것이다. 칩층과 인터페이스 구조 사이의 교대마다 스택을 조립하는데 요구되는 처리 장치의 비용이 부가된다.While many known lamination methods can provide the desired PCB distribution density, the first problem that is still not properly addressed is the path where at least vertically aligned groups of identical (or very similar) chips contain multiple interfaces as chip layers. (Ie, offset vertical conductors horizontally). Each alternation between the chip layer and the interface structure adds to the cost of the processing device required to assemble the stack.
미국 특허 4,956,694호(Eide 등에 의해 1988년 11월 4일 출원)는 큰 기판 상에 측면으로 실장될 수 있는 작은 기판 상에 약간 상이한 LCC 칩을 적층하는 구성을 개시한다. 이렇게 적층된 장치는 기능을 위해 다이 사이의 약간의 차이에 의존하게 되는데, 이는 병렬로 정확하게 연결된 정확히 동일한 IC 다이는 개별적인 논리 기능을 수행하지 못하게 때문이다. 기술상 아직도 적절히 처리되지 않은 두 번째 문제는 이러한 형태의 적층 장치 구성은 다이가 상이한 마스크를 사용하여 제조되어, 개별 인벤트리에서 유지되는 것이 요구된다는 것이다. 동일하게 제조되고 차후 제조 단계에서 개별 칩으로 구성되는 다이로 이루어질 수 있는 적층 장치에 대한 필요성이 요구된다.US Patent 4,956,694 (filed Nov. 4, 1988 by Eide et al.) Discloses a configuration for stacking slightly different LCC chips on a small substrate that can be laterally mounted on a large substrate. These stacked devices rely on slight differences between the dies for their functionality, because exactly the same IC dies that are correctly connected in parallel will not be able to perform their individual logic functions. A second problem, which is still technically not properly handled, is that this type of stacking device configuration requires that the die be manufactured using different masks and maintained in a separate inventory. There is a need for a stacking device that can be made identically and made up of dies that consist of individual chips in subsequent manufacturing steps.
기술상 존재하는 세 번째 문제는 상이한 다이 상의 내부 회로 엘리먼트 사이에 제공된 도관(conduit)의 캐패시턴스가 길고, 매우 높다는 것이다. 부수적으로 종래의 일부 적층 구성은 기판의 내부 트레이스(trace)를 포함하는 전기적 경로에 비해 상기 도관의 길이 및 용량을 감소시켰지만, 공지된 모든 구성은 제조의 어려움 또는 상대적으로 낮은 성능으로 인한 문제가 있다.A third problem that exists in technology is that the capacitance of conduits provided between internal circuit elements on different dies is long and very high. Incidentally, some conventional stacking configurations have reduced the length and capacity of the conduits compared to the electrical paths comprising the internal traces of the substrate, but all known configurations suffer from manufacturing difficulties or relatively low performance. .
본 발명은 인쇄 회로 기판(PCB)과 같은 기판에 위치된 집적 회로(IC)의 밀도를 증가시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 표면 실장 기술(SMT) 칩 패키지를 포함하는 칩을 적층하는 방법 및 장치에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for increasing the density of integrated circuits (ICs) located on a substrate, such as a printed circuit board (PCB), and in particular, a method of stacking chips comprising surface mount technology (SMT) chip packages And to an apparatus.
도 1은 종래 기술의 패키지 메모리 칩 및 경로층을 나타내는 도면.1 illustrates a prior art package memory chip and path layer.
도 2는 도 1의 칩을 포함하는 공지된 적층 장치를 나타내는 도면.FIG. 2 shows a known stacking device including the chip of FIG. 1. FIG.
도 3은 본 발명에 의해 유용할 수 있는 일반적인 형태의 복잡한 제어기 보드를 갖는 종래의 전기기계적 시스템을 나타내는 도면.3 illustrates a conventional electromechanical system having a complex controller board of the general type that may be useful by the present invention.
도 4는 본 발명의 적층 장치의 대체로 인해 도 3의 시스템이 변조된, 본 발명의 복잡한 제어기 보드를 나타내는 도면.4 shows a complex controller board of the present invention wherein the system of FIG. 3 has been modulated due to the replacement of the stacking device of the present invention.
도 5는 제조 스테이지의 계속으로 본 발명의 적층 장치의 단면도.5 is a cross-sectional view of the lamination apparatus of the present invention as a continuation of the manufacturing stage.
도 6은 도 5와 호환가능한, 본 발명의 상세한 방법을 나타내는 도면.6 illustrates a detailed method of the present invention, compatible with FIG.
도 7은 본 발명의 적층 장치의 확대도로, 칩 밑면이 드러나도록 상향 경사져 있고, 장치는 골-윙 형 리드 및 가열 싱크를 갖춘 패키지 형상이다.7 is an enlarged view of the stacking device of the present invention, inclined upward to reveal the underside of the chip, and the device is packaged with a bone-winged lead and heating sink.
도 8은 도 7의 적층 장치의 단면도.8 is a cross-sectional view of the lamination device of FIG. 7.
도 9는 본 발명의 리드-온-리드 적층 장치의 단면도.9 is a cross-sectional view of the lead-on-lead lamination apparatus of the present invention.
도 10은 층당 1개 이상의 칩을 나타내는 적층 구성도로, 칩의 풋프린트 외측의 경로에 대해 넓은 부분을 갖는 단일 부품의 경로층의 형상이다.FIG. 10 is a stack configuration showing one or more chips per layer, in the shape of a single layer path layer with a wider portion of the path outside the footprint of the chip.
도 11은 3개의 칩과 2개의 인터페이스를 포함하는 발명의 적층 장치의 부분적 확대도.11 is a partially enlarged view of a stacking device of the invention comprising three chips and two interfaces.
도 12는 자체 내부(발명의 형상을 나타내는) 및 칩들(일반적으로 도시된) 사이의 인터페이스를 나타내기 위해 경사져 분리된 적층 LLC의 상세도.FIG. 12 is a detailed view of the stacked LLC inclined to show its interior (representing the shape of the invention) and the interface between the chips (generally shown).
도 13은 적층되는 칩의 주어진 세트에 대해, 특히 유사하지 않은 칩에 대해 적절한 패키지 사이즈를 조사하기 위한 벤 다이어그램.13 is a Venn diagram for investigating the appropriate package size for a given set of chips being stacked, especially for dissimilar chips.
도 14는 2개 이상의 층을 결합하기 위해 조절된 도 13과 같은 벤 다이어그램.FIG. 14 is a Venn diagram as in FIG. 13 adjusted to combine two or more layers.
도 15는 거의 동일한 칩을 구별하기 위한 다른 형상을 나타내는, 도 12와 유사한 본 발명의 적층 장치를 나타내는 도면.FIG. 15 shows a stacking device of the invention similar to FIG. 12, showing another shape for distinguishing approximately identical chips. FIG.
도 16은 2층의 적층 장치의 각각의 칩과 개별 신호 결합을 위한 인-패키지 도관 및 연결되지 않은 콘택의 구성을 나타내는 도면.FIG. 16 shows the configuration of in-package conduits and unconnected contacts for individual signal coupling with each chip of a two-layer stacking device.
도 17은 도 15와 거의 일치하는 적층 장치의 칩을 구별하기 위한 연결되지 않은 콘택의 또다른 구성을 나타내는 도면.FIG. 17 illustrates another configuration of an unconnected contact for distinguishing chips of a stacking device that closely matches FIG. 15.
도 18은 도 17과 호환성이 있는 본 발명의 방법의 흐름도.18 is a flow chart of the method of the present invention compatible with FIG.
도 19는 도 15, 16 및 20과 호환성이 있는 본 발명의 또다른 흐름도.FIG. 19 is another flow chart of the present invention compatible with FIGS. 15, 16 and 20. FIG.
도 20은 3층 적층부의 도 19와 호환성이 있는 본 발명의 구성에서 다수개의 연결되지 않은 콘택을 나타내는 도면.FIG. 20 illustrates a number of unconnected contacts in a configuration of the present invention that is compatible with FIG. 19 of a three-layer stack. FIG.
이러한 문제들을 해결할 수 있는 방법 및 장치가 제시된다. 본 발명은 패키지의 외측으로 연장하는 도체를 특징으로 하는 패키지 표면 실장(SMT) 칩을 적층하는데 유용하며, 각각의 도체는 실장되는 적층 장치 상의 기판을 기준으로 상단부 콘택 및 바닥부 콘택을 갖는 형태이다. 상단부층 각각의 칩의 상단부 콘택은 완전히 연결되지 않는 것이 바람직하며, 바닥부층 각각의 칩의 바닥부 콘택은 평면 기판 표면과 결합되도록 구성되는 것이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 방법 및 장치는 결국 구별되야 하는 칩이 제조 공정에서 보다 오래 거의 동일하게 유지되게 함으로써 간단히 달성된다.A method and apparatus are provided that can solve these problems. The present invention is useful for stacking package surface mount (SMT) chips that feature conductors extending out of the package, each conductor having a top contact and bottom contact relative to a substrate on the stacking device being mounted. . The top contact of each chip of the top layer is preferably not fully connected, and the bottom contact of each chip of the bottom layer is preferably configured to engage the planar substrate surface. Preferred methods and apparatus of the present invention are simply achieved by keeping the chips, which must eventually be distinguished, remain about the same longer in the manufacturing process.
본 발명의 제 1 실시예는 적층부의 칩 사이에 임의의 옵셋 도체 또는 수평 경로를 샌드위치 시킴으로써 간단한 어셈블리를 특징으로 하는 적층 방법 및 장치를 제공한다. 이는 완전히 동일한 칩이라도 수용될 수 있도록 개별 신호 결합을 위한 메커니즘을 제공한다. 도 4-12에 상세한 예를 도시한다. 이들은 테스트를 위한 특정 장치, 가열 싱크, 싱귤레이션(singulation), 및 인터페이스 구성을 포함한다.A first embodiment of the present invention provides a stacking method and apparatus characterized by a simple assembly by sandwiching any offset conductor or horizontal path between chips of the stack. This provides a mechanism for combining individual signals so that even the exact same chip can be accommodated. 4-12 shows a detailed example. These include specific devices for testing, heat sinks, singulation, and interface configurations.
본 발명의 제 2 실시예는 적층부에 수직으로 정렬되도록 구성되고, 상이한 도체 및/또는 비휘발성 셀 구성을 제공함으로써 구별되는 칩을 특징으로 하는 적층 방법 및 장치를 제공한다. 이는 모든 다이 및 패키지 사이의 공통성(commonality)이 적어도 도체가 장착될 때까지 적어도 유지되도록 허용한다. 상세한 예가 도 12-20에 도시된다. 이들은 기판 결합력을 제어하고, 유사하지 않은 칩을 수용하고, 동일한 칩을 수용하고, 칩을 적층하기 전후에 동일한 장치를 구별하고, 전기적, 기계적 또는 광학적 수단을 사용하여 칩을 변조시키기 위한 특정 장치를 포함한다.A second embodiment of the present invention provides a stacking method and apparatus characterized by a chip configured to be aligned perpendicular to the stack and distinguished by providing different conductor and / or nonvolatile cell configurations. This allows the commonality between all dies and packages to be at least maintained until at least the conductors are mounted. A detailed example is shown in FIGS. 12-20. These include specific devices for controlling substrate bonding, accommodating dissimilar chips, accommodating the same chip, distinguishing the same device before and after stacking chips, and modulating the chip using electrical, mechanical, or optical means. Include.
본 발명의 제 3 실시예는 공간층 또는 기판 공간의 유전체 영역과 정렬되도록 구성된 소수의 칩의 콘택을 특징으로 하는 적층 방법 및 장치를 제공한다. 이는 매우 쉽게 제조 가능한 구성으로 적층 칩 사이에 매우 짧고, 낮은 캐패시턴스의신호 경로를 허용한다. 상세한 예는 도 5, 12, 15 및 17에 도시된다. 이는 어셈블리, 기판 표면상에 제한된 수평한 경로, 및 내부칩 경로를 위한 특정 장치를 포함한다.A third embodiment of the present invention provides a stacking method and apparatus characterized by the contact of a few chips configured to align with a dielectric region of a space layer or substrate space. This is a very easily manufacturable configuration that allows for very short, low capacitance signal paths between stacked chips. Detailed examples are shown in FIGS. 5, 12, 15 and 17. This includes assembly, limited horizontal paths on the substrate surface, and specific devices for internal chip paths.
다수의 실시예 각각은 본 발명을 당업자가 실시할 수 있도록 충분히 상세히 설명되며, 본 발명으로서 간주되는 주요한 문제는 임의의 일 실시예 보다 범위가 넓다. 본 발명의 범위는 본 명세서의 마지막에 있는 청구항에 명백하게 정의된다. 본 명세서에서 사용되는 다양한 용어의 정의는 일관적으로 기술상 공통적으로 사용되나 보다 특이성을 갖고 있다.Each of the plurality of embodiments is described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention, and the main problem contemplated as the invention is broader in scope than any one embodiment. The scope of the invention is clearly defined in the claims at the end of this specification. The definitions of various terms used in the present specification are used consistently in technology but have more specificity.
본 발명의 적층 장치는 기판과 결합되도록 구성된다. 본 명세서에서 사용되는 "상단부(top)", "바닥부(bottom)", "최상부(upper)" 등은 적층 장치 "아래에" 있는, 또는 적층이 측면으로 실장되는 적층 장치의 임의로 선택된 "바닥부"에 있는 기판을 기준으로 설명된다.The lamination apparatus of the present invention is configured to be coupled with a substrate. As used herein, "top", "bottom", "upper" and the like are either "below" the lamination device, or an arbitrarily selected "bottom" of the lamination device in which the lamination is laterally mounted. It is described with reference to the substrate in "part."
"도체(conductor)"는 금속과 거의 같은 전기적 전도도를 갖는 연속하는 구조 또는 물질이다. "콘택"은 물리적 및 전기적 연결을 동시에 형성하도록 다른 도체의 일부와 접촉하도록 구성된 도체 표면이다. 본 명세서에서 사용되는 IC 다이의 "콘택"은 다이의 외부에 있는 콘택으로 간주된다.A "conductor" is a continuous structure or material that has about the same electrical conductivity as a metal. A "contact" is a conductor surface configured to contact a portion of another conductor to simultaneously form a physical and electrical connection. As used herein, a "contact" of an IC die is considered to be a contact external to the die.
IC 칩 상에 있는 "내부 회로(internal circuitry)"는 레지스터 및 활성 소자를 포함하나, 다이 콘택 부근에 연결된 통상의 신호 트레이스 및 가용성 링크는 제외한다.“Internal circuitry” on an IC chip includes resistors and active devices, but excludes the usual signal traces and availability links connected near the die contacts.
본 명세서에서 사용되는 "직접 결합(coupled directly)"은 물체가 물리적으로 접촉하는 있는 것을 의미한다. 2개의 아이템이 제 3의 아이템 또는 결합제(binder)와 직접 결합되는 경우는 이들은 물리적으로 "간접" 결합된다고 한다. 물리적 결합에 상관없이, 2개의 도체 사이에 연속하는 전도성 경로가 있는 경우, 2개의 도체는 "전기적으로 결합"된다. 2개의 도체가 IC 패키지와 같은 물체 내에서 양쪽으로 연장되고 물체내의 2의 도체 사이에 연속하는 전도성 경로가 존재하는 경우 2개 도체는 전기적으로 "내부적으로" 결합된다.As used herein, "coupled directly" means that the object is in physical contact. When two items are directly bonded to a third item or binder, they are said to be physically "indirect". Regardless of the physical coupling, when there is a continuous conductive path between the two conductors, the two conductors are “electrically coupled”. The two conductors are electrically "internally" coupled when two conductors extend both sides in the same object as the IC package and there is a continuous conductive path between the two conductors in the object.
본 명세서에서 사용되는 IC "패키지(package)"는 의도한 패키지를 위한 다이(들)를 수용하기에 충분히 큰 캐비티를 갖는 유전체 바디를 갖춘 표면 실장 기술(SMT) 패키지이다. 또한, 다이(들)와의 전기적 결합을 위한 바디가 내부에 접촉되고 내부 콘택과 전기적으로 결합되는 바디가 외부에 접촉된다. 본 명세서에서 사용되는 패키지는 칩 적층이 용이하도록 구성되고 매치된 "최상부" 및 "최하부" 콘택을 각각 갖는 다수개의 도체를 갖는다. 패키지의 맞은편 표면상에 존재하는 "매치된" 콘택 쌍은 서로 접촉되지 않게 된다.As used herein, an IC “package” is a surface mount technology (SMT) package with a dielectric body having a cavity large enough to accommodate the die (s) for the intended package. In addition, a body for electrical coupling with the die (s) is contacted therein and a body electrically coupled with the inner contact is externally contacted. The package used herein has a plurality of conductors each configured to facilitate chip stacking and having matched "top" and "bottom" contacts, respectively. "Matched" contact pairs present on opposite surfaces of the package are not in contact with each other.
본 발명의 IC 패키지는 IC 다이를 사용하기 위한 종래의 세라믹 또는 플라스틱 패키지를 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 "패키지"란 용어는 일반적으로 패키지 내부에 부가된 부품(예를 들어, 베어(bare) 다이, TAB 부품과 같은 테이프-기재 다이 캐리어 및 본드 와이어)과, 에폭시-코팅 다이는 제외시키나, 패키지 리드 및 콘택 도체는 포함한다. 전형적으로 각각의 도체는 IC 다이에 전기적으로 결합되도록 구성된 내부 콘택 및 소켓, PCB 패드, 점퍼, 또는 다른 도체와 전기적으로 결합되는 1개 이상의 외부 콘택을 포함한다. 외부 콘택은 예를 들어, 골-윙(gull-wing) 또는 평탄한 팩(pack)의 상단부 일부 및 바닥부 일부를 포함할 수 있다.The IC package of the present invention includes a conventional ceramic or plastic package for using an IC die. As used herein, the term "package" generally refers to components added within a package (e.g., bare die, tape-based die carriers and bond wires such as TAB components), and epoxy-coated dies But includes package leads and contact conductors. Each conductor typically includes internal contacts configured to be electrically coupled to an IC die and one or more external contacts electrically coupled to a socket, PCB pad, jumper, or other conductor. The outer contact may include, for example, a portion of the top and a portion of the gull-wing or flat pack.
종래의 IC 패키지 각각은 의도된 패키지를 위한 다이(들)를 수용하기에 충분한 캐비티를 갖는 유전체 바디를 포함한다. 또한 다이(들)와의 전기적 결합을 위해 바디 내부와 접촉되고 내부 콘택과 전기적으로 결합된 바디와 외부 접촉된다. 본 발명에 사용되는 표면 실장 IC 패키지는 칩 적층이 용이하도록 오버랩되지 않은 "최상부" 및 "최하부" 외부 콘택과 매치된다. 일반적으로 종래의 패키지는 돌출될수 있는 리드(lead)의 외측에 직사각형 솔리드와 같은 단순한 바디 형상을 갖는다. 2개의 IC 패키지는 외부적으로 돌출하는 리드가 동일하거나 또는 동일하지 않던 간에, 패키지 내부의 부분이 동일한 경우 "내부적으로 동일한"이라고 말한다.Each conventional IC package includes a dielectric body having a cavity sufficient to receive the die (s) for the intended package. It is also in external contact with the body in electrical contact with the interior of the body for electrical coupling with the die (s). The surface mount IC package used in the present invention is matched with "top" and "bottom" external contacts that do not overlap to facilitate chip stacking. Conventional packages generally have a simple body shape, such as a rectangular solid, on the outside of a lead that can protrude. The two IC packages are said to be "internally identical" if the externally protruding leads are the same or not the same, if the parts inside the package are identical.
본 명세서에서 사용되는 "내부적으로 결합가능한"이란 용어는 도체 및 전도성 콘택이 내부 전기적 결합을 제공하도록 쉽게 결합될 수 있도록 구성된다는 것을 의미한다. 본 명세서에서 사용되는 "연결되지 않은"이란 용어는 물품이 타겟 도체(즉, IC 다이 및/또는 패키지)와 내부적으로 연결가능하게 구성된 구성되나, 유전체에 의해 타겟으로부터 분리되는 것을 의미한다. "비-접속(no-connect)"란 용어는 두갈래로 나뉜 도체 및 이들의 콘택을 설명하는 기술상 공지된 또다른 용어이다. 앞 문장을 제외하고, 본 명세서 곳곳에서 사용되는 "도체(conductor)"란 용어는 연속하는 도체를 의미한다.As used herein, the term "internally bondable" means that the conductor and conductive contacts are configured to be easily coupled to provide internal electrical coupling. As used herein, the term "unconnected" means that the article is configured to be internally connectable with the target conductor (ie, an IC die and / or package), but is separated from the target by a dielectric. The term "no-connect" is another technically known term for describing bifurcated conductors and their contacts. Except for the preceding sentence, the term "conductor" as used throughout this specification means a continuous conductor.
본 명세서에서 사용되는 "칩(chip)"이란 용어는 적어도 하나의 다이를 포함하는 패키지를 의미하며, 상기 패키지는 적어도 하나의 다이의 전기적으로 동작하는 콘택의 적어도 일부와 전기적으로 결합된 외부 콘택을 갖는다.As used herein, the term "chip" refers to a package that includes at least one die, the package comprising an external contact that is electrically coupled with at least a portion of the electrically operated contacts of the at least one die. Have
본 명세서에서 사용되는 "풋프린트(footprint)"란 용어는 2차원 평면, 레이아웃, 또는 칩의 실장 레이아웃과 같이 주어진 평면에서의 소자의 돌출 영역을 의미한다.The term "footprint" as used herein refers to the protruding areas of a device in a given plane, such as a two-dimensional plane, a layout, or a mounting layout of a chip.
본 명세서에서 사용되는 "유사한(similar)" 다이란 용어는 동일하게 제조된 다이 및 공통으로 거의 모두가 전기적으로 동작하는 콘택을 갖는 다이로, 다수가 정확하게 동일한 시퀀스 및 각각의 내부 회로를 기준으로 동일한 공칭 위치에 있는것을 의미한다. 본 명세서에서 사용되는 "거의 모두"란 용어는 약 90% 이상을 의미한다. 따라서, 복잡한 다이를 수용할 수 있는 패키지는 사실상 "유사"하나 단순한 다이를 수용할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "유사하지 않은(dissimilar)"이란 용어는 이러한 의미를 따르지 않는 다이, 또는 유사하지 않은 다이를 포함한 칩에 사용된다.The term " similar " die as used herein is a die having the same manufactured die and a contact that is almost all electrically operated in common, many of which are identical based on the exact same sequence and each internal circuit. Means nominal position. As used herein, the term "almost all" means at least about 90%. Thus, a package that can accommodate a complex die is in fact "similar" but can accommodate a simple die. As used herein, the term "dissimilar" is used for chips that do not follow this meaning, or for chips that include dissimilar dies.
본 명세서에서 사용되는 "거의 동일한(substantially identical)"이란 용어는 다이중 하나가 다른 다이들처럼 내부 회로를 기준으로 동일한 공칭 위치에서 모두가 전기적으로 동작가능한 콘택을 갖는 것을 의미한다. 다이는 동일한 데이터 파일로부터 형성된 마스크로 구성된 것이거나 또는 동일한 공칭 배열에서 모두가 동일한 구조를 갖는 "거의 동일한" 것이다. 콘택에 또는 2개에 의해 상이한 다이라도 다이가 다른 다이의 의도된 응용을 수행할 수 있고 주어진 제조자에게 할당된 제품 요구수가 변경되지 않게 차이가 있다면 "거의 동일한"이라 간주된다. 단일 제품과 관련하여 다수의 교정수는 IC 산업에서 일반적이다.As used herein, the term "substantially identical" means that one of the dies has all electrically operable contacts in the same nominal position relative to the internal circuitry as the other dies. The die may be composed of masks formed from the same data file, or "almost the same", all having the same structure in the same nominal arrangement. Different dies in contact or by two are considered "almost the same" if the die can perform the intended application of another die and there is a difference such that the number of product requirements assigned to a given manufacturer does not change. In the case of a single product, many calibration water is common in the IC industry.
본 명세서에서 사용되는 "동일한(idnetical)"이란 용어는 전기적으로 동작가능한 모든 콘택이 동일하게 구성된 다이를 의미한다. 처리 변화로 인한 제조 차이 또는 동일하게 제조된 마스크 사이에서의 차이는 2개의 다이가 동일해지는 것을 방지하지 못해, 이들중 하나가 다른 의도된 목적을 위한 기능을 할 수 있게 제공된다. 본 명세서에서 사용되는 "상이한(different)"이란 용어는 다이가 "동일한" 이란(다이가 "거의 동일" 하더라도 변조된 전기적 특성을 갖는다) 용어를 충족시키지 못하다는 것을 의미한다.As used herein, the term " idnetical " means a die in which all electrically operable contacts are identically configured. Manufacturing differences due to process variations or differences between identically manufactured masks do not prevent two dies from becoming identical, so that one of them is provided to function for the other intended purpose. The term "different" as used herein means that the die does not meet the term "same" (even though the die is "almost the same") with the modulated electrical properties.
2개의 패키지는 본 명세서에서 이들 하나가 다른 의도된 목적을 위한 기능을 할 수 있는 경우 "동일한" 것으로 간주한다. 2개의 패키지는 이들이 패키지 바디로부터 돌출하는 리드 형상을 제외하고 동일한 경우 "내부적으로" 동일하다. 패키지는 캐비티의 내용물이 서로 상이하더라도 내부적으로 동일하다 할 수 있다. 2개의 패키지는 이들의 콘택이 콘택 또는 2개에 의해 상이하더라도 "거의" 동일하다할 수 있고, 이들은 거의 모두가 전기적으로 동작가능한 콘택이 이들의 의도된 응용으로의 동일한 일반적 배열을 갖는 경우 "유사하다".Two packages are considered "identical" in this specification if one of them can function for another intended purpose. The two packages are "internally" identical if they are identical except for the shape of the leads protruding from the package body. The package may be internally identical even if the contents of the cavity are different from each other. The two packages may be "almost" identical even if their contacts are different by the contacts or the two, and they are "similar" if almost all of the electrically operable contacts have the same general arrangement for their intended application. Do".
본 명세서에서 사용되는 패키지 "내부(interior)"란 용어는 패키지의 바디 및 패키지 캐비티의 내용물을 의미한다. 일반적으로 이러한 내용물은 "도관 구성"에 의해 다이 콘택과 연결된 내부 콘택을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 "도관 구성"란 용어는 패키지내에 위치된 도관의 수를 의미하며, 도관에 의해 전기적으로 결합된 다이 및 패키지 내부 콘택의 선택, 및 이들 콘택의 적절한 위치는 다이 또는 패키지 내부를 기준으로 한다. 따라서, 와이어 본딩 머신에 의해 요구되는 다이 및 패키지 설명 정보를 포함하는 "본드 맵(bond map)"은 루프 높이에 대한 설명 정보가 부족하더라도, 충분히 완벽한 "도관 구성"의 예가 된다.As used herein, the term package “interior” refers to the body of the package and the contents of the package cavity. This content generally includes internal contacts connected with the die contacts by " conduit construction ". As used herein, the term "conduit configuration" refers to the number of conduits located in a package, the choice of die and package internal contacts electrically coupled by the conduits, and the appropriate location of these contacts being defined within the die or package. It is a standard. Thus, a "bond map" containing the die and package description information required by the wire bonding machine is an example of a sufficiently complete "conduit configuration" even if the description information for the loop height is lacking.
본 명세서에서 사용되는 "인터페이스(interface)"란 용어는 2개의 엔트리 각각에 있는 콘택과 이들 콘택에 결합된 도체 및 디들 도체 외측에 2개의 엔트리를 포함하는 구조 부재와 함께 주어진 셋트를 의미한다. 본 명세서에서 사용되는 다이 인터페이스는 각각 적어도 2개의 IC 패키지를 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 칩 인터페이스는 납땜 패턴 이외에 어느 것도 포함하지 않을 수 있다.As used herein, the term "interface" refers to a set given with a structural member comprising a contact in each of the two entries and two entries outside the conductor and the middle conductor coupled to the contacts. As used herein, die interfaces each include at least two IC packages. As used herein, the chip interface may not include anything other than a soldering pattern.
도 1은 종래 기술의 패키지 메모리 칩(616) 및 경로층(606)을 나타낸다. 패키지 칩(616)은 18개의 골 윙 리드(699)를 포함하며, 각각은 경로층(606) 상에 대응 내부 콘택(696)에 대해 위치된 바닥부 콘택(691)을 포함한다. 경로층(606)은 내부 콘택(696)을 서로 절연시키며 몇 개의 외부 콘택(697)에 내부 전도성 경로를 제공한다. 또한 각각의 외부 콘택(697)은 경로층(606) 밑면 상의 바닥부 콘택(698)에 전기적으로 연결된다. 외부 콘택(697)의 대부분은 "정상(ordinary)" 수직 도체(693)를 경유하여 연결되나, 외부 콘택(697)의 일부는 "옵셋(offset)" 수직 도체(694)를 경유하여 연결된다.1 shows a prior art package memory chip 616 and path layer 606. Package chip 616 includes eighteen goal wing leads 699, each comprising a bottom contact 691 positioned relative to corresponding inner contact 696 on path layer 606. Path layer 606 insulates inner contacts 696 from each other and provides an inner conductive path to several outer contacts 697. Each outer contact 697 is also electrically connected to a bottom contact 698 on the bottom of the path layer 606. Most of the outer contact 697 is connected via an "ordinary" vertical conductor 693, while some of the outer contact 697 is connected via an "offset" vertical conductor 694.
도 2는 US 특허 5,612,570호에 개시된 것처럼 기판(605)에 장착된 공지된 적층 장치(600)을 나타낸다. 장치(600)는 몇 개의 동일한 경로층(606, 607, 608)으로 형성되며 각각 대응 패키지 칩(616, 617, 618)을 보유한다. 바닥부 경로층(606)의 외부 콘택(697) 각각은 제 2 경로층(607) 밑면 상의 대응 바닥부 콘택(698)에 직접 연결된다. 유사하게, 바닥부 경로층(606)의 밑면 상의 바닥부 콘택(698)은 기판(605) 상의 콘택(도시되지 않음)과 직접 연결된다.2 shows a known lamination apparatus 600 mounted to a substrate 605 as disclosed in US Pat. No. 5,612,570. The device 600 is formed of several identical path layers 606, 607, 608 and has corresponding package chips 616, 617, 618, respectively. Each of the outer contacts 697 of the bottom path layer 606 is directly connected to a corresponding bottom contact 698 on the bottom of the second path layer 607. Similarly, bottom contact 698 on the bottom of bottom path layer 606 is directly connected with a contact (not shown) on substrate 605.
옵셋 도체(694)와 수직 도체(693)를 조합하는 공지된 표면 실장 장착 인터페이스 구성에 의해, 패키지 칩(616, 617, 618) 각각은 "개별 신호 결합(coupling)", 즉, 적층 장치(600)에 있는 다른 패키지 칩으로부터 전기적으로 절연된 1개 이상의 신호 경로를 갖는다. 이는 동일한 패키지 칩이 사용되더라도, 패키지 칩(606, 607, 608) 각각이 단독으로 어드레스되도록 허용한다.By a known surface mount mounting interface configuration combining the offset conductor 694 and the vertical conductor 693, each of the package chips 616, 617, 618 is " individual signal coupling ", ie, the stacking device 600. Has one or more signal paths that are electrically isolated from other package chips in the array. This allows each of the package chips 606, 607, 608 to be addressed alone, even if the same package chip is used.
도 3은 기록 이전에 시판되는 시게이트의 Cheetah 18LP 디스크 드라이브의확대 형태를 나타낸 것이다. 이하 설명되는 것처럼, 이러한 전기기계적 시스템은 그의 형성 팩터 설명으로 따르는 적층 IC 장치를 필요로 한다. 간단히 말해서, 디스크 드라이브(10)는 하우징 베이스(42) 및 상부 커버(490)를 포함하며, 디스크 드라이브(10) 안쪽의 세척 환경을 유지하는 밀폐된 하우징을 형성하도록 가스켓(495)과 맞물린다. 다수의 디스크(46)가 스핀들 모터 후브(44) 상에서의 회전을 위해 장착된다. 다수의 변환기 헤드(60)가 엑츄에이터 바디(56)에 장착된다. 액츄에이터 바디(56)는 아치형 경로(62)를 따라 원하는 트랙(48)으로 헤드(60)를 제어가능하게 이동시키기 위해 보이스 코일(54) 및 자석(50)을 포함하는 보이스 코일 모터(VCM) 아래에서 피봇 동작을 위해 조절된다. VCM 및 헤드(60)를 제어하는데 사용되는 신호는 가요성 회로(64) 및 연결기(68)를 경유하여 제어기 보드(500) 상의 전기 회로로 그리고 전기회로로부터 통과된다. 도시된 것처럼, 제어기 보드(500)는 파이버(fibre) 채널 인터페이스(550), 시리얼 포트 연결기(560), 및 스핀들 연결기(570)를 포함한다. 사실, 보드(500)는 매우 복잡하다.Figure 3 shows an enlarged form of Seagate's Cheetah 18LP disc drive sold before recording. As will be described below, such an electromechanical system requires a stacked IC device that follows its formation factor description. In short, the disk drive 10 includes a housing base 42 and a top cover 490 and engages the gasket 495 to form a sealed housing that maintains a cleaning environment inside the disk drive 10. Multiple disks 46 are mounted for rotation on the spindle motor hub 44. Multiple transducer heads 60 are mounted to the actuator body 56. The actuator body 56 is below the voice coil motor (VCM) comprising the voice coil 54 and the magnet 50 to controllably move the head 60 along the arcuate path 62 to the desired track 48. Is adjusted for the pivoting operation. The signals used to control the VCM and the head 60 are passed to and from the electrical circuits on the controller board 500 via the flexible circuit 64 and the connector 68. As shown, the controller board 500 includes a fiber channel interface 550, a serial port connector 560, and a spindle connector 570. In fact, the board 500 is very complicated.
도 4는 본 발명의 적층 장치(580, 581)의 대체에 의해 도 3의 보드(500)로부터 변조된 제어기 보드(501)를 나타낸다. 한 개의 적층 장치(580)의 최상부 외부 콘택 모두는 공기중에 완전히 노출되며, 이는 외부 리드 및 시각적으로 표시된 리드 밑에 공간층 세그먼트(584)를 형성한다. 또다른 적층 장치(581)의 최상부 외부 콘택 모두는 증착 에폭시와 같은 보호(솔리드) 유전체(585)로 완전히 코팅된다. 도시된 모든 칩은 단일 리플로우 작업에 의해 보드(501)에 바람직하게 결합된다.4 shows a controller board 501 modulated from the board 500 of FIG. 3 by replacement of the stacking devices 580, 581 of the present invention. All of the top outer contacts of one lamination device 580 are fully exposed to air, which forms a space layer segment 584 under the outer leads and the visually marked leads. All of the top outer contacts of another lamination device 581 are completely coated with a protective (solid) dielectric 585, such as a deposition epoxy. All chips shown are preferably coupled to the board 501 by a single reflow operation.
도 5는 본 발명의 적층 장치의 다양한 제조 단계의 단면도를 나타낸다. 인쇄 회로 보드와 같은 스페이서층(880)은 그의 맞은편 표면 상의 콘택(891, 892)에 땜납 페이스트가 제공된다. 층을 준비한 후에, 적어도 하나의 칩(270)이 작업 표면(83) 상에 위치된다. 공간층(880)을 포함하는 어셈블리 부품이 각각의 칩(270)의 리드와 접촉되게 위치된다. 적어도 하나의 칩층(170)은 콘택의 일부가 땜납(87)으로 공간층(880) 상의 콘택(892)과 직접 연결되도록 제공된다. 기능하는 적층 장치(580, 581)를 테스트하기 위해 전기적 프로브(86)가 사용된다. 클램핑 표면(88)이 루터와 같은 절단 장치(79)를 사용하여 개별 유닛(단일화된)으로 분리시키면서 장치를 고정하는데 사용된다. 단일화된 장치가 어셈블리 고정부(83, 88)로부터 제거된다. 이들은 콘택(592)에서의 납땜에 의해 내부 도체(568)를 갖는 기판(503)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 적층 장치의 적어도 하나의 바닥부 콘택은 기판의 유전체 영역에만 결합되며 적층부에서 상부 칩(270)의 상부 콘택 모두는 유전체(585)로 코팅된다. 선택적으로, 적층 장치(580)에 결합된 적어도 하나 이상의 기판 콘택(592)은 기판의 임의의 내부 도체(568)로부터 전기적으로 절연된다.5 is a cross-sectional view of various manufacturing steps of the lamination apparatus of the present invention. The spacer layer 880, such as a printed circuit board, is provided with solder paste in the contacts 891, 892 on its opposite surface. After preparing the layer, at least one chip 270 is positioned on the working surface 83. An assembly component comprising a space layer 880 is positioned in contact with the leads of each chip 270. At least one chip layer 170 is provided such that a portion of the contact is directly connected with a contact 892 on the space layer 880 with solder 87. Electrical probes 86 are used to test the functional stacking devices 580, 581. Clamping surfaces 88 are used to secure the device while separating it into individual units (unified) using a cutting device 79 such as a luther. The unitized device is removed from the assembly fixtures 83, 88. These may be connected to the substrate 503 having the inner conductor 568 by soldering at the contacts 592. In one embodiment, at least one bottom contact of the stacking device is coupled to only the dielectric region of the substrate and all of the top contacts of the top chip 270 in the stack are coated with a dielectric 585. Optionally, at least one substrate contact 592 coupled to the stacking device 580 is electrically insulated from any inner conductor 568 of the substrate.
도 6은 도 5와 호환성 있는 본 발명의 방법의 상세하게 도시한다. 인쇄 회로 기판(들)은 공지된 방식으로서 검사되고(1220), 준비되어(1225) 납땜 페이스트로 스크린 인쇄된다(1230). 리플로우 팰릿(1245, 1250) 상에서 칩이 선택되고 먼저 위치되고(1240), 추가의 보드(들) 및 칩이 리플로우 팰릿(1245, 1250) 상에 위치된다. 리플로우 팰릿의 상부 커버가 위치되고(1255) 리플로우가 공지된 방식으로 수행된다(1265). 장치의 전기적 테스트가 수행된다(1270). 바람직한 실시예에서, 단계(1270)는 특히 적층부에 수직으로 정렬된 칩 각각, 또는 이들 모두 또는 이들중 하나의 전기적 특성을 변조시키는 단계를 포함한다. 단계가 특징화되고(1280) 검사되고(1285) 임의의 필요한 재가공이 기판 상에 장착 이전에 수행된다(1290).FIG. 6 illustrates in detail the method of the present invention compatible with FIG. The printed circuit board (s) are inspected (1220), prepared (1225) and screen printed (1230) with solder paste in a known manner. Chips are selected and placed first on reflow pallets 1245, 1250 (1240), and additional board (s) and chips are located on reflow pallets 1245, 1250. The top cover of the reflow pallet is positioned (1255) and the reflow is performed in a known manner (1265). An electrical test of the device is performed (1270). In a preferred embodiment, step 1270 includes modulating the electrical properties of each, or both, or one of the chips, particularly aligned perpendicular to the stack. The steps are characterized (1280) and inspected (1285) and any necessary rework is performed before mounting on the substrate (1290).
도 7은 본 발명의 적층 장치(582)의 확대도로, 적층부에 칩(180, 280)의 밑면(171, 271)이 드러나도록 상향 경사져 있다. 바닥부 칩(180)은 하향 및 상향 돌출하는 골-윙 리드를 갖는 18개의 도체(101-118)를 포함하는 패키지 장치이다. 도시된 것처럼, 도체(101-118) 각각은 2개 부품의 공간층(880)과의 직접 콘택을 위해 구성된 최상부 콘택(192)과 제 1 PCB(도시되지 않음)과 직접 콘택을 위해 구성될 수 있는 최하부 콘택(191)을 포함한다.7 is an enlarged view of the stacking apparatus 582 of the present invention, and is inclined upwardly so that the bottom surfaces 171 and 271 of the chips 180 and 280 are exposed in the stacking portion. The bottom chip 180 is a package device including eighteen conductors 101-118 having valley-wing leads projecting downward and upward. As shown, each of conductors 101-118 may be configured for direct contact with a top contact 192 and a first PCB (not shown) configured for direct contact with two component spatial layers 880. The bottommost contact 191.
히터 싱크(780)는 수직 세그먼트에 의해 연결된 2개의 폭이 좁은 세그먼트로 대문자 "I" 형상으로 제공된다. 선택적으로, 바닥부 칩(180)과 직접적으로 접촉하며 고온 실리콘 접착제로 접착된다. 히터 싱크가 일반적으로 큰 칩에서만 사용되지만, 히터 싱크(780)는 도시를 위해서 일반적인 것과는 달리 작은 칩(180, 280)으로 도시된다. 인터페이스(199)는 도시된 공간층(880)과 옵셋 도체 경로층(980)을 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, L 칩층을 갖는 적층은 적절한 신호 경로를 위한 인터페이스 만을(L-1) 필요로 한다. 공간층(880) 및 경로층(980)은 칩(180, 280)으로의 어셈블리 이전에 서로 바람직하게 고정된다. 이들 층(880, 890)의 대부분의 도체(801-818, 901-918)는 다른층의 콘택과의 직접적 연결을 위해 구성된 콘택을 포함하여, 고정은 납땜 페이스트를 사용하여 적절히 수행된다.The heater sink 780 is provided in capital letter "I" shape in two narrow segments connected by vertical segments. Optionally, it is in direct contact with the bottom chip 180 and bonded with a high temperature silicone adhesive. Although heater sinks are generally used only in large chips, heater sinks 780 are shown as small chips 180 and 280 as opposed to typical for the sake of illustration. The interface 199 includes the illustrated spatial layer 880 and the offset conductor path layer 980. In accordance with a preferred embodiment of the present invention, a stack having an L chip layer only requires an interface (L-1) for the proper signal path. Space layer 880 and path layer 980 are preferably secured to each other prior to assembly to chips 180 and 280. Most of the conductors 801-818, 901-918 of these layers 880, 890 include contacts configured for direct connection with contacts in other layers, so that the fixation is properly performed using solder paste.
도시된 것처럼, 경로층(980)의 바닥부(971) 상의 트레이스(168)는 도체(901)와 도체(913)를 연결하여, 4개의 패키지 도체(101, 113, 201, 213)가 연결된다. 적층부의 칩(180, 280)이 동일한 경우, 이들 트레이스는 패키지 도체(101, 113, 201, 213)와의 개별적 신호 결합을 이룰 수 없다. 그럼에도 불구하고 적층 IC 패키지(180)의 2개 이상의 측면 상에 도체와의 결합을 위해 조절된 도체를 갖는 경로층 상의 트레이스는 2개 부품의 공간층(880) 또는 도 1의 단독의 프레임(606) 위에 새로운 위도를 제공한다. 즉, 도시된 경로층(980)은 가열 싱크(780)가 생략되더라도, 적층 장치(582)의 풋프린트에 분명히 부가되지 않는다.As shown, the trace 168 on the bottom 971 of the path layer 980 connects the conductor 901 and the conductor 913 so that the four package conductors 101, 113, 201, 213 are connected. . If the chips 180, 280 of the stack are the same, these traces may not achieve individual signal coupling with the package conductors 101, 113, 201, 213. Nevertheless, the trace on the path layer with the conductors adjusted for coupling with the conductors on two or more sides of the stacked IC package 180 may be a two-part spatial layer 880 or a single frame 606 of FIG. 1. Provide a new latitude above). That is, the illustrated path layer 980 is not explicitly added to the footprint of the stacking device 582 even if the heat sink 780 is omitted.
도시된 것처럼, 경로 보드(980)는 개별 신호 결합을 제공하는 또다른 형상이다. 경로층(980)의 콘택을 포함하는 다른 도체(901-911, 913-918)와는 달리, 도시된 것처럼 도체(912)는 그의 표면(971, 972)중 하나 위에만 콘택(991, 992)을 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 당업자에게 공지된 방법에 의해 구성된 적어도 하나의 옵셋 도체(169)를 특징으로 하는 경로층을 특징으로 한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 도체(114, 214)는 연결되지 않고(즉, 칩의 내부 회로와 내부적으로 연결되지 않은 콘택을 포함하는 패키지 콘택) 칩(180, 280)은 동일하다. 따라서, 도시된 것처럼, 도체(112)는 정확히 한 개의 칩(180)에 전기적으로 연결되며 도체(114)는 정확히 한 개의 칩(280)에 전기적으로 연결되어 개별 신호 결합의 실시가 용이하다.As shown, the path board 980 is another shape that provides separate signal coupling. Unlike other conductors 901-911, 913-918 that include contacts of the path layer 980, the conductor 912, as shown, only contacts the contacts 991, 992 over one of its surfaces 971, 972. Include. Preferred embodiments of the invention feature a path layer featuring at least one offset conductor 169 constructed by methods known to those skilled in the art. In a preferred embodiment of the present invention, the conductors 114 and 214 are not connected (ie, package contacts comprising contacts not internally connected to the chip's internal circuits) and the chips 180 and 280 are identical. Thus, as shown, the conductor 112 is electrically connected to exactly one chip 180 and the conductor 114 is electrically connected to exactly one chip 280 to facilitate the implementation of individual signal combinations.
또한 도 7과 관련하여, 가열 싱크(780)의 최상부 표면은 칩(160, 260) 사이의 경로층(980) 상에 도체(168)와의 전기적 결합을 방지하기 위해 유전체 코팅으로바람직하게 코팅된다. 가열 싱크(780)를 위해 사용가능한 물질은 공지되어 있으나, 대부분 전기적으로 전도성이다. 선택적으로, 경로층(980)(도시된) 아래의 클리어런스를 허용하기에 충분히 두꺼운 공간층(880)이 경로층(980)으로부터 떨어져 부착된 가열 싱크(780)와 관련하여 사용될 수 있다.Also in connection with FIG. 7, the top surface of the heat sink 780 is preferably coated with a dielectric coating to prevent electrical coupling with the conductor 168 on the path layer 980 between the chips 160, 260. Materials usable for the heat sink 780 are known, but most are electrically conductive. Optionally, a space layer 880 thick enough to allow clearance below the path layer 980 (shown) may be used in connection with the heat sink 780 attached away from the path layer 980.
도 8은 도 7의 적층 장치(582)의 단면도를 나타낸다. 경로 보드(980) 밑면의 도체(168)는 보드(980)와 가열 싱크 사이의 유전체(195)에 의해 가열 싱크(780)로부터 전기적으로 절연된다. 가열 싱크가 바닥부 칩(180)에 부착되는 경우, 유전체(195)는 에어 갭이 될 수 있다. 그렇지 않다면, 유전체(195)는 가열 싱크 또는 보드(980)의 표면상에 코팅을 포함할 수 있다. 도시된 것처럼, 외부적으로 동일한 패키지를 갖는 평면형 구성에서, 공간 세그먼트(584)는 바람직하게 1개의 가열 싱크(780)가 더해진 1개의 칩(180) 두께보다도 두꺼운 두께(881)를 갖는다. 도 7과 도 8에 도시된 것처럼, 각각의 공간 세그먼트(584)는 수평 트레이스 경로가 없고 대략 폭(882)과 같이 큰 두께(881)를 갖는다.8 is a sectional view of the lamination device 582 of FIG. 7. The conductor 168 on the bottom of the path board 980 is electrically insulated from the heat sink 780 by the dielectric 195 between the board 980 and the heat sink. When the heat sink is attached to the bottom chip 180, the dielectric 195 may be an air gap. Otherwise, dielectric 195 may include a coating on the surface of heat sink or board 980. As shown, in a planar configuration with an externally identical package, the spatial segment 584 preferably has a thickness 881 thicker than the thickness of one chip 180 plus one heat sink 780. As shown in FIGS. 7 and 8, each spatial segment 584 has no horizontal trace path and has a large thickness 881 such as approximately a width 882.
도 8에 도시된 것과 같은 다른 실시예에서, 최하부 칩(180)의 바디는 리드(179)의 바닥부보다 밑으로 연장된다. 제 1 보드는 최하부 칩의 바디를 수용하기에 충분히 큰 오목부를 제공함으로써 이러한 칩을 수용할 수 있고, 이는 예를 들어 편평한 패키지 리드를 수용하는데 바람직하다(도 11참조).In another embodiment, as shown in FIG. 8, the body of the bottommost chip 180 extends below the bottom of the lid 179. The first board can accommodate such a chip by providing a recess large enough to accommodate the body of the bottommost chip, which is desirable for example to accommodate flat package leads (see FIG. 11).
도 9는 최하부 칩(180)의 리드(179) 보다 긴 패키지 리드(279)를 갖는 최상부 칩(280)을 포함하는 적층 장치(583)의 단면도를 나타낸다. 최상부 패키지(280)의 도체는 각각 최상부 측면(268)과 최하부 측면(267)을 갖는 리드(279)를 포함한다. 도시된 것처럼, 각각의 리드의 최하부 측면부는 최하부 외부 콘택(191, 291)이 된다. 외부 리드의 형태의 변형은 공지되어 있다. 도 9의 형태에서 경로 또는 공간층 대신에, 긴 리드(279)의 최하부 외부 콘택(291)이 최하부 패키지(180)의 도체 콘택의 최상부 외부 콘택(192)과 직접 연결된다. 높은 전류를 갖는 큰 칩(및/또는 4개의 측면 상의 리드)을 수용하도록, 큰 가열 싱크(780)가 도시된다. 내부적으로 동일한 패키지를 위한 상이한 리드 형태가 도 5-8 및 도 12-20에 도시된 실시예와 관련하여 선택적으로 사용된다.9 shows a cross-sectional view of a stacking device 583 that includes a top chip 280 with a package lead 279 longer than the lead 179 of the bottom chip 180. The conductors of the top package 280 include leads 279 having a top side 268 and a bottom side 267, respectively. As shown, the bottom side surface of each lead is the bottom outer contact 191, 291. Deformation of the form of the outer lead is known. Instead of the path or space layer in the form of FIG. 9, the bottom outer contact 291 of the long lead 279 is directly connected with the top outer contact 192 of the conductor contact of the bottom package 180. Large heat sink 780 is shown to accommodate large chips (and / or leads on four sides) with high current. Internally different lead shapes for the same package are optionally used in connection with the embodiment shown in FIGS. 5-8 and 12-20.
도 10은 도 7에 도시된 것과 상이한 3가지 중요한 특성이 있는 적층 형태를 나타낸다. 첫 번째로, 인터페이스(199)는 각각의 최하부 도체(101-118)와 개별 최상부 도체(201-218) 사이에 공간을 제공하는 단일 부품 경로층(980)을 포함한다. 경로층은 돌출하는 적어도 하나의 칩(180)에 적어도 하나의 오목부(994)를 포함한다. 오목부(994)는 4개의 측면상에 단자를 갖는 칩(180)을 위한 배치튜브 형상일 수 있다. 두 번째로, 칩층(180, 280)의 각각은 다수의 칩을 포함한다. 이는 일부 칩 적층 시스템과 호환되지 않는 유용한 공간 절약 특성이다. 세 번째로, 설명된 경로층(980)은 적층 장치 풋프린트 사이즈의 최소 증가로(즉, 약 5% 이하) 임의의 적층 칩(180, 280)의 풋프린트 바깥으로 연장되는 트레이스(968)를 허용하기에 충분히 폭이 넓은 넓은 부분(996)을 포함한다. 도시된 것처럼, 상기 넓은 부분(996)은 적어도 하나의 트레이스(968)가 층(980)의 바깥 부분에(즉, 가장 가까운 칩의 풋프린트 외측) 재위치되도록 허용한다. 결국, 이는 도 7의 각각의 최하부 표면 트레이스(168) 대신에 최상부 표면 트레이스(968)가 사용되도록 허용하여,경로층(980)과 가열 싱크(780) 사이에 절연체의 필요성을 제거한다. 최소의 변형으로, 당업자는 본 명세서에서 설명되는 도 5-7 또는 도 10-13에 도시된 실시예를 사용하기 위해 이들 3가지 특성을 임으로 조절할 수 있다.FIG. 10 shows a stacked form with three important properties different from that shown in FIG. 7. First, the interface 199 includes a single component path layer 980 that provides a space between each bottom conductor 101-118 and the individual top conductors 201-218. The path layer includes at least one recess 994 in the protruding at least one chip 180. The recess 994 may be shaped as a placement tube for the chip 180 with terminals on four sides. Secondly, each of the chip layers 180, 280 includes a plurality of chips. This is a useful space saving feature that is incompatible with some chip stacking systems. Third, the described path layer 980 provides traces 968 that extend out of the footprint of any stacked chip 180, 280 with a minimum increase in stack device footprint size (ie, about 5% or less). It includes a wide portion 996 that is wide enough to allow. As shown, the wide portion 996 allows at least one trace 968 to be repositioned outside of layer 980 (ie, outside the footprint of the nearest chip). In turn, this allows the top surface trace 968 to be used instead of each bottom surface trace 168 of FIG. 7, eliminating the need for insulators between the path layer 980 and the heat sink 780. With minimal variation, one skilled in the art can arbitrarily adjust these three characteristics to use the embodiments shown in FIGS. 5-7 or 10-13 described herein.
도 11은 수직 도체(도시되지 않음)로 완전히 채워진 프레임 형상 공간층(880)을 각각 포함하는 2개의 인터페이스(199, 299)와 3개의 칩(180, 280, 380)을 포함하는 적층 장치의 부분 확대도이다. 최상부 인터페이스의 공간층(880)은 테이퍼된 단부(889)를 갖는 어셈블리 탭(888)을 포함한다. 공간층은 이들의 테이퍼된 단부에서 결합되는 다수의 개별층(880)을 포함하며, 적층 어셈블리 이전에 각각의 콘택에 스크린 인쇄된 리플로우 페이스트를 갖는 시트에 바람직하게 제조된다. 다수의 바닥부 칩(180)은 리플로우 팰릿(81)과 같은 작업 표면의 오목부(82) 각각에 로봇식 어셈블리 장치에 의해 그리드 속으로 배열될 수 있다. 리플로우 동안에, 적층부는 플랜지 플런저(85) 등에 의해 인가된 하향 힘에 의해 바람직하게 고정되고 압착된다. 리플로우 후에, 적층 장치는 이들의 테이퍼된 단부에서 공간층을 차단함으로써 단일화될 수 있다.11 shows a portion of a stacking device comprising two interfaces 199 and 299 and three chips 180, 280, and 380, respectively, comprising a frame-shaped space layer 880 completely filled with vertical conductors (not shown). It is an enlarged view. The spatial layer 880 of the top interface includes an assembly tab 888 with a tapered end 889. The space layer comprises a number of individual layers 880 joined at their tapered ends, and is preferably made in a sheet having a reflow paste screen printed on each contact prior to the lamination assembly. A number of bottom chips 180 may be arranged into the grid by robotic assembly devices in each of the recesses 82 of the work surface, such as the reflow pallet 81. During reflow, the stack is preferably fixed and compressed by downward force applied by flange plungers 85 or the like. After reflow, the stacking device can be unified by blocking the spacer layer at their tapered ends.
도 12는 본 발명에 따른 제 1 보드(502) 상에 장착된 적층 장치의 상세도를 나타낸다. 본 실시예에서, IC 다이는 "리드리스(leadless)" 칩 캐리어(LCC) 패키지(160, 260)에서 패키지처리되며, 이들의 도체(101-158, 182, 191, 192)가 패키지의 바디의 기본 형상 외측으로 크게 돌출하지 않기 때문에 그렇게 불린다. 도 12에서, 바닥부 LCC 패키지(160)는 이들의 상부 측면(172)이 보이도록 하향 경사져 있다. 높은, 적층 LCC 패키지(1160)는 그의 바닥부 측면(1171)이, 58개의 외부 라인(198)(개략적으로 도시된 절반의 패키지에서 "외부" 라인)의 절반으로 보이도록 상향 경사져 있다.12 shows a detailed view of a lamination apparatus mounted on a first board 502 in accordance with the present invention. In this embodiment, the IC dies are packaged in "leadless" chip carrier (LCC) packages 160 and 260, with their conductors 101-158, 182, 191 and 192 of the body of the package. It is so called because it does not protrude significantly outside the basic shape. In FIG. 12, the bottom LCC package 160 is inclined downward so that their upper side 172 is visible. The high, stacked LCC package 1160 is inclined upwardly such that its bottom side 1171 appears to be half of the 58 outer lines 198 ("outer" lines in the half package shown schematically).
도 12에서, 인터페이스(199)는 도체(101)와 도체(1101) 사이 및 2개의 최하부 패키지의 57개의 매치된 쌍의 도체 각각 사이에 단순히 납땜을 포함할 수 있다. 선택적으로, 도 7에 도시된 것과 같은 공간층 및/또는 가열 싱크를 포함할 수 있다. 선택적으로 본 발명은 그의 상부 표면(2172) 상에 58개의 개구부 콘택을 갖는 최하부 패키지(160, 161)와 동일한 제 2 적층 패키지(2160)를 포함한다. 바닥부 LCC 패키지(160)는 패키지의 최상부 표면(172) 상의 각각의 최상부 콘택(192) 및 패키지의 최하부 표면(171) 상의 각각의 최하부 콘택(191)과 다수개의 내부 라인(197)에 의해 연결된 내부 회로를 갖는 다이를 포함한다. 이들 내부 라인(197)의 각각은 제 1 다이의 외부 콘택(181) 및 패키지의 내부 콘택(182), 뿐만 아니라 패키지의 2개 외부 콘택(191, 192)을 포함한다. 최하부 외부 콘택(191)의 적어도 절반은 제 1 보드(502) 상의 대응 콘택(592)과 각각 직접적으로 연결된다. 그러나, 이하 설명되는 것처럼, 적은 수의 바닥부 LCC의 최하부 외부 콘택(191)은 제 1 보드(502) 상의 유전체(590)와 물리적으로 연결되는 것처럼, 선택적으로 연결되지 않는다. 실시예가 이하 도체(130, 146, 150)에 도시된다. 본 발명의 도체(146, 1146)에 도시된 것처럼, 본 발명의 적층 구조는 장착된 적층 장치 상의 보드(502) 내부와의 전기적으로 절연으로 인해 매우 낮은 캐패시턴스 부하를 갖는 칩 도체 사이에서 선택적으로 1 개 이상의 결합을 특징으로 한다.In FIG. 12, interface 199 may simply include solder between conductor 101 and conductor 1101 and between each of the 57 matched pairs of conductors in the two bottom packages. Optionally, it may include a space layer and / or a heat sink as shown in FIG. 7. Optionally, the present invention includes a second stacked package 2160 identical to the bottommost packages 160, 161 with 58 opening contacts on its top surface 2172. The bottom LCC package 160 is connected by a plurality of internal lines 197 with each top contact 192 on the top surface 172 of the package and each bottom contact 191 on the bottom surface 171 of the package. It includes a die having an internal circuit. Each of these inner lines 197 includes an outer contact 181 of the first die and an inner contact 182 of the package, as well as two outer contacts 191 and 192 of the package. At least half of the lowermost outer contacts 191 are each directly connected with corresponding contacts 592 on the first board 502. However, as will be described below, the lowermost outer contact 191 of the small number of bottom LCCs is not selectively connected, as is physically connected with the dielectric 590 on the first board 502. An embodiment is shown below in conductors 130, 146, 150. As shown in the conductors 146 and 1146 of the present invention, the laminated structure of the present invention is selectively chosen between chip conductors having a very low capacitance load due to the electrical isolation from the inside of the board 502 on the mounted lamination device. It is characterized by more than one combination.
바람직하게, 각각의 패키지(160, 1160)는 패키지 내부 다이의 내부회로(100, 1100) 외측에 적어도 하나의 연결되지 않은 콘택(189,1189)을 포함한다. 전형적으로, 패키지(1160)에 대해 명백히 도시된 것처럼, 패키지 도체(1134) 또는 내부 회로 라인(1186)은 각각 연결되지 않은 콘택(1189)의 한쪽 측면에 전기적으로 연결된다. 연결되지 않은 콘택(189, 1189)은 다이의 일부(어떠한 본드 와이어도 부착되지 않은 본딩 패드) 또는 패키지의 일부(어떠한 본드 와이어도 부착되지 않은 본드 핑거)일 수 있다. 이하 설명되는 것처럼, 연결되지 않은 콘택(189)의 적절한 사용은 성능 강화 및 이전에 이용할 수 없었던 제조의 용이함으로 허용한다.Preferably, each package 160, 1160 includes at least one unconnected contact 189, 1189 outside the internal circuits 100, 1100 of the die inside the package. Typically, as shown explicitly for package 1160, package conductor 1134 or internal circuit lines 1186 are each electrically connected to one side of unconnected contact 1149, respectively. Unconnected contacts 189 and 1189 may be part of a die (bonding pad with no bond wire attached) or part of the package (bond finger with no bond wire attached). As described below, the proper use of unconnected contacts 189 allows for enhanced performance and ease of manufacture that were not previously available.
도 12에는 패키지(160)의 내부에 다양한 콘택(181, 182, 189), 또한 외부 콘택(191, 192) 또는 내부 회로(100)와 전기적으로 연결되지 않은 콘택(189)을 연결할 수 있는 도체를 도시하지 않았다. 연결되지 않은 콘택(189, 1189)과 이들과 부착된 도체는 일반적으로 "비-접속(no-connect)"이라 부른다.12 shows a conductor capable of connecting various contacts 181, 182, and 189 to the interior of the package 160, as well as contacts 189 that are not electrically connected to the external contacts 191 and 192 or the internal circuit 100. Not shown. Unconnected contacts 189 and 1189 and their attached conductors are generally referred to as "no-connect".
다이 콘택(181)의 일부가 연결되지 않은 콘택(189, 289)일 수 있지만, 패키지(160) 각각에서의 외부 다이 콘택(181)의 대부분은 대응 내부 회로(100) 및 대응 패키지 콘택(182)에 전형적으로 전기적으로 연결된다. 어떤 조건에 있어서는, 2개 이상의 패키지 콘택(1116, 1117)과 전기적으로 연결된 1개 이상의 내부 라인(1185)을 갖는 것이 바람직하다.Although some of the die contacts 181 may be unconnected contacts 189 and 289, the majority of the outer die contacts 181 in each of the packages 160 may be corresponding internal circuit 100 and corresponding package contacts 182. Is typically electrically connected to. In some conditions, it is desirable to have one or more internal lines 1185 electrically connected to two or more package contacts 1116 and 1117.
도 13은 적층되는 칩의 주어진 세트에 대해, 특히 덜 유사한 칩에 유용한 패키지 크기를 조사하기 위한 벤 다이어그램을 나타낸다. 원(160, 1160) 각각은 패키지를 나타내며 원에서의 "x" 각각은 대응 패키지 내부로 연장하는 도체를 나타낸다. 따라서 영역(21)은 양쪽 패키지(160, 1160)속으로 연장하는 도체를 포함한다. 14개의 내부적으로 연결된 패키지 도체(101, 108, 111, 114, 117, 118, 119, 125, 130, 133, 138, 146, 150, 152)가 도 12에서 대응 내부적으로 연결된 패키지 도체와 각각 연결되는 리콜링으로 14개의 결합이 교점 영역(21)에서 "x"로서 각각 도시된다. 유사하게, 13개의 다른 연결기가 칩(160)에 연결되나 영역(11)에서 "x"로 표시된 칩(1160)은 연결되지 않는다. 도 12 또는 도 13을 다시 보면, 칩(160)의 전체 27개의 패키지 도체가 (칩(160) 내부의 내부 회로(100)와)내부적으로 연결된다는 것을 알 수 있다. 상기 설명된 것처럼, 본 발명의 일부 면은 공백의 "독점" 영역(11, 22)을 갖는 초기의 칩(160, 1160)의 전도성을 변화시키는 내부 신호 결합에 관한 것이다.13 shows a Venn diagram for investigating the package size useful for a given set of chips being stacked, especially for less similar chips. Circles 160 and 1160 each represent a package and each "x" in the circle represents a conductor extending into the corresponding package. Thus region 21 includes conductors extending into both packages 160, 1160. Fourteen internally connected package conductors 101, 108, 111, 114, 117, 118, 119, 125, 130, 133, 138, 146, 150, 152 are respectively connected with corresponding internally connected package conductors in FIG. 12. Fourteen bonds are shown as "x" in the intersection region 21 in recalling, respectively. Similarly, thirteen other connectors are connected to the chip 160 but the chip 1160 marked "x" in the region 11 is not connected. 12 or 13, it can be seen that all 27 package conductors of the chip 160 are internally connected (with the internal circuit 100 inside the chip 160). As described above, some aspects of the invention relate to internal signal coupling that changes the conductivity of early chips 160, 1160 with blank " exclusive " regions 11, 22. FIG.
도 14는 2개 이상의 층이 결합되도록 조절된 도 13과 유사한 벤 다이어 그램을 나타낸다. 도시된 것처럼, 도 14는 3개의 유사하지 않은 칩(160, 1160, 2160)의 적층이 어떻게 도 12와 일관된 거의 비-평행한 구성으로 구성될 수 있는지를 나타내도록 개조된다. 도시된 것처럼, 3개의 원(2000)은 상부 칩(2160)을 나타낸다. 영역(44)에서 10개의 도체는 3개의 칩 모두와 공유되며, 단지 최하부 칩(160, 1160)에 의해 공유되는 영역(21)은 단지 4개의 "복합" 도체를 갖는다. 일반적으로, 각각의 원(160, 1160, 2000)은 기판(502)과 같이 선택적으로 제공된 공면 콘택을 갖는 다이 또는 다른층을 나타낸다.FIG. 14 shows a Venn diagram similar to FIG. 13 adjusted to combine two or more layers. As shown, FIG. 14 is modified to show how a stack of three dissimilar chips 160, 1160, 2160 can be configured in an almost non-parallel configuration consistent with FIG. As shown, three circles 2000 represent the upper chip 2160. Ten conductors in region 44 are shared with all three chips, and region 21 shared by only the bottommost chips 160, 1160 has only four "composite" conductors. In general, each circle 160, 1160, 2000 represents a die or other layer having coplanar contacts optionally provided, such as substrate 502.
도 15는 도 12와 다소 유사한 본 발명의 적층 장치로, 칩을 구별하는 방법을 나타낸다. 본 명세서에서 개시된 제조후 유도 칩 차이를 검사하는 기술은 공지되어 있다. 이러한 기술의 도움으로, 당업자는 이들 차이에 반응하는 적절한 내부회로를 제공하기 위해 디자인 선택만 하면 된다. IC 칩(100)은 저장 셀(190)을 포함하며, 이는 레이저 변조 부재와 같이 공지된 임의의 비휘발성 저장 장치일 수 있다. 보다 바람직하게, 셀(190)은 EEPROM 또는 다른 판독 전용 메모리 셀 또는 가용성 링크를 포함한다. 또한 IC 다이 상에 1개 이상의 광 감지 성분이 클리어 IC 패키지 커버와 함께 사용될 수 있다.FIG. 15 is a stacking device of the present invention somewhat similar to FIG. 12, illustrating a method of distinguishing chips. Techniques for examining the post-production induction chip differences disclosed herein are known. With the help of this technique, the skilled person only needs to make design choices to provide the appropriate internal circuitry to respond to these differences. IC chip 100 includes storage cell 190, which may be any known nonvolatile storage device such as a laser modulating member. More preferably, cell 190 includes an EEPROM or other read-only memory cell or fusible link. One or more light sensing components on the IC die may also be used with the clear IC package cover.
도시된 것처럼, 다이(1100) 및 패키지(1160)는 각각 다이(100, 160)와 거의 동일하다. 일 실시예에서, 설명된 증착 장치는 저장 셀(190, 1190)이 상이하게 구성되기 때문에 기능을 할 수 있다. 다른 실시예에서, 1개 칩에 있는 연결되지 않은 콘택(189, 1189)은 적층부의 서로 다른 칩에서는 결여된다.As shown, die 1100 and package 1160 are nearly identical to die 100, 160, respectively. In one embodiment, the described deposition apparatus may function because the storage cells 190 and 1190 are configured differently. In another embodiment, the unconnected contacts 189 and 1189 on one chip are missing on the different chips in the stack.
도 16은 2층의 적층 장치(즉, 2층의 칩을 갖는 장치) 각각의 칩과 개별 신호 결합을 위해 연결되지 않은 콘택(189, 289)의 구성을 나타낸다. 상기 설명된 것처럼 이는 도 15와 거의 일치하나, 패키지(160, 260)의 측면(163)으로부터 후방의 외부 콘택(191, 192) 셋트를 나타낸다. 내부 회로(100)를 갖는 집적 회로 다이(170)는 바닥부 IC 패키지(160) 내부에 장착된다. 바닥부 패키지(160) 내에, 내부 라인(197) 각각은 패키지(160)의 외부 콘택(191, 192)과 내부 콘택(182) 사이에 결합부, 본드 와이어, 다이(170) 상의 콘택(181), 및 내부 회로(100)로 신호 트레이스를 유도하는 부분을 포함한다. 도 16에서 바닥부 패키지(160) 내에 연결되지 않은 콘택(189)은 내부 회로(100)에 전기적으로 연결되고, 그렇지 않으면 큰 유전체 갭에 의해 임의의 외부 콘택(191, 192)으로부터 분리되는 것을 알 수 있다.FIG. 16 shows the configuration of contacts 189 and 289 which are not connected for individual signal coupling with each chip of a two-layer stacking device (ie, a device having two layers of chips). As described above, this is almost identical to FIG. 15, but represents a set of external contacts 191, 192 rearward from the side 163 of the package 160, 260. Integrated circuit die 170 with internal circuit 100 is mounted inside bottom IC package 160. Within the bottom package 160, each of the inner lines 197 is connected between the outer contacts 191, 192 and the inner contacts 182 of the package 160, the contacts 181 on the bonds, bond wires, and dies 170. And a portion for inducing signal traces to the internal circuit 100. In FIG. 16 it can be seen that the contacts 189 that are not connected within the bottom package 160 are electrically connected to the internal circuit 100 or otherwise separated from any external contacts 191 and 192 by a large dielectric gap. Can be.
거의 동일한 집적 회로 다이(270)는 거의 동일한 적층 IC 패키지(260) 내부에 유사하게 장착되나, 상이한 보드 와이어 형태와 연결된다. 특히, 최상부 다이(270) 상에 연결되지 않은 콘택(289)은 동일한 최하부 다이의 연결되지 않은 콘택(189)의 상부와 직접 연결되지 않는다. 바람직하게, 2개의 다이(170, 270)는 동일하고 동일한 적층 패키지(160, 260)에 조립되며, 하나의 다이는 또다른 다이 상에 있는 동일한 연속하는 콘택(281)에 대응하는 제 1 및 제 연속 콘택(181)을 갖고, 하나의 패키지(160)는 제 2 다이의 제 2 콘택에 연결된 도체(242)의 대응 내부 콘택을 갖는다. 다른 말로, 동일 다이(170, 270) 각각은 바람직하게 다른 칩의 연결되지 않은 콘택(289, 189)으로부터 옵셋되는(즉, 대응하지 않는) 연결되지 않는 콘택(189, 289)을 갖는다. 보다 바람직한 실시예에서, 2개의 동일한 다이(170, 270)의 연속 콘택(181, 182)은 각각의 다이의 내부 회로에 있는 인버터(541, 542)를 통해 서로 연결된다.Nearly identical integrated circuit die 270 is similarly mounted within a nearly identical stacked IC package 260, but connected with different board wire shapes. In particular, unconnected contacts 289 on top die 270 are not directly connected to the top of unconnected contacts 189 of the same bottom die. Preferably, the two dies 170, 270 are assembled in the same and identical stacked packages 160, 260, one die corresponding to the first and the first corresponding to the same continuous contact 281 on another die. With a continuous contact 181, one package 160 has a corresponding inner contact of conductor 242 connected to a second contact of a second die. In other words, each of the same dies 170, 270 preferably has unconnected contacts 189, 289 offset (ie, not corresponding) from the unconnected contacts 289, 189 of the other chip. In a more preferred embodiment, the continuous contacts 181, 182 of two identical dies 170, 270 are connected to each other through inverters 541, 542 in the internal circuit of each die.
도 17은 상기 설명된 것처럼 도 15와 거의 유사하며, 적층 장치의 칩을 구별하기 위해 연결되지 않은 콘택(189, 289)의 또다른 발명의 구성을 나타낸 것이다. 도 17에서, 칩 인터페이스(199)는 공간층(880)을 포함하며, 이는 패키지(160, 260) 사이에 기류(air flow) 및/또는 가열 싱크 구조를 허용한다. 개시된 공간층(880)은 최하부 콘택(891) 각각과 최상부 콘택(892)을 연결하는 수직 도체(893)를 포함한다. 최상부 패키지(260)의 최하부 콘택(291)의 적어도 일부는 공간층(880)의 최상부 콘택(892)과 직접 연결된다. 적어도 하나는 스페이서(880)의 유전체 영역(890)과의 직접적 연결을 통해 연결되지 않는다. 도시된 것처럼, 적어도 일부의 패키지 도체(110, 112)의 최하부 콘택(191)은 제 1 보드(502)와의 적접적 연결을 위해 유사하게 구성된다.FIG. 17 is similar to FIG. 15 as described above, and illustrates another inventive configuration of contacts 189 and 289 that are not connected to distinguish chips in a stacking device. In FIG. 17, the chip interface 199 includes a space layer 880, which allows for air flow and / or heat sink structures between the packages 160, 260. The disclosed spatial layer 880 includes vertical conductors 893 that connect each of the bottom contacts 891 and the top contacts 892. At least a portion of the bottom contact 291 of the top package 260 is directly connected with the top contact 892 of the space layer 880. At least one is not connected through direct connection with the dielectric region 890 of the spacer 880. As shown, the bottom contact 191 of at least some package conductors 110, 112 is similarly configured for direct connection with the first board 502.
도 17은 각각의 다이(170, 270)가 융해된 링크의 상이한 구성을 갖도록 블로잉처리된 가용성 링크(186, 187, 286, 287)를 나타낸다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 동일하게 제조된 모든 IC 다이가 패키지 처리되며 링크를 블로잉시키기 이전에 동일하게 전기적으로 연결된다. 이는 인벤토리(inventory)에서 유지되어야 하는 부품의 변형을 감소시키고, 최상부 및 최하부 패키지 장치 사이의 차가 생성되는 시간을 지연시킴으로써 제조를 용이하게 한다. 과단성 있게 링크가 사용되는 경우, 2개의 도시된 링크는 4개의 임의의 형태로 블로우될 수 있다. 각각의 다이는 도 17의 가용성 링크(186, 286)와 같은 적어도 하나의 구성(configuration) 도체를 갖는다. 적어도 log2L 구성 도체가 사용되며, 여기서 L은 적층부에서 층의 수이다. 도 17에서, 일부 패키지 단자(112, 212)는 이들과 연결되는 여분의 링크(187, 287)를 포함하며, 각각의 신호 결합은 2개의 층 적층에 대해 단지 각각의 다이 상에서 log22=1 가용성 링크(186, 286)로만 달성된다는 것으로 간주될 수 있다. 따라서 본 발명의 일실시예는 각각의 다이 상에 여분의 링크(187, 287)를 생략한다. 그러나, 동일한 다이(170, 270)가 적층 장치가 조립될 때까지 2,3 또는 4층의 적층부에 사용되든 안되든 결정없이 인벤토리에서 패키지처리되고 유지될 수 있기 때문에, 이러한 여분의 링크(187, 287)를 갖는 것이 바람직하다.FIG. 17 shows blown fusible links 186, 187, 286, and 287 so that each die 170, 270 has a different configuration of fused links. In a preferred embodiment of the invention, all identically manufactured IC dies are packaged and equally electrically connected prior to blowing the link. This reduces the deformation of the parts that must be maintained in the inventory and facilitates manufacturing by delaying the time that the difference between the top and bottom package devices is created. If a link is used in a redundant manner, the two illustrated links may be blown in four arbitrary forms. Each die has at least one configuration conductor, such as the fusible links 186 and 286 of FIG. At least log 2 L constituent conductors are used, where L is the number of layers in the stack. In FIG. 17, some package terminals 112, 212 include redundant links 187, 287 connected to them, each signal coupling being only log 2 2 = 1 on each die for a two layer stack. It can be considered to be achieved only with fusible links 186 and 286. Thus, one embodiment of the present invention omits extra links 187 and 287 on each die. However, since the same dies 170, 270 can be packaged and maintained in the inventory without determination whether or not to be used in a stack of two, three or four layers until the stacking device is assembled, such redundant links 187, 287).
도 18은 도 17과 호환성이 있는 본 발명의 방법의 흐름도를 나타낸다. 적층되는 칩들은 비휘발성 구성 엘리먼트로 적층된다. 이는 도 15를 참조로 상기 설명된 것과 같은 셀(190), 도 17을 참조로 상기 설명된 것과 같은 가용성 링크(186), 또는 공지된 기술의 유사한 아이템일 수 있다. 바람직하게, 선택된 엘리먼트는 굽힘, 납땜, 또는 절단과 같은 기계적 동작 없이 쉽게 변조되는 형태의 것이다. 고체 상태의 프로그래밍 방법에 응답하는 많은 비휘발성 엘리먼트가 이미 설명된 것처럼 이용될 수 있다.FIG. 18 shows a flowchart of the method of the present invention compatible with FIG. 17. The stacked chips are stacked with nonvolatile component elements. This may be a cell 190 as described above with reference to FIG. 15, a fusible link 186 as described above with reference to FIG. 17, or a similar item of known technology. Preferably, the selected element is of a type that is easily modulated without mechanical action such as bending, soldering, or cutting. Many non-volatile elements responsive to the solid state programming method can be used as already described.
내부 칩 특성이 변조되고(1830) 상기 설명된 것처럼 적층 장치가 조립된다(1840). 일 실시예에서, 패키지 도체는 거의 동일한 칩의 3개 이상의 층의 적층부에 측면 콘택(도 7-12에 도시된 것처럼)을 갖는다.Internal chip characteristics are modulated (1830) and the stacking device is assembled (1840) as described above. In one embodiment, the package conductor has side contacts (as shown in FIGS. 7-12) in a stack of three or more layers of approximately identical chips.
다시 도 17을 참조로, 각각의 패키지(160, 260)에 대한 프로그래밍 도체(111, 211)가 도시된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 프로그래밍 도체에 대한 측면 콘택을 제공한다(이러한 측면 콘택의 구성은 기술상 공지되어 있다). 단지 하나의 패키지 상에서 한번에 프로그래밍 라인으로의 액서스를 제공하기 위해 상단부 또는 바닥부 콘택 대신에 측면 콘택이 사용될 수 있거나, 또는 도 17에서와 같은 유전체 영역(890)을 갖는 공간층을 사용할 수 있다. 거의 동일한 다수개의 칩층의 적층을 위해서, 도 18의 변조 단계(1830)는 바람직하게 프로그래밍 도체와 같은 것을 사용하여 각각 수직으로 정렬되는 세트에서 칩을 구별하는 단계를 포함한다.Referring again to FIG. 17, programming conductors 111, 211 for each package 160, 260 are shown. Preferred embodiments of the present invention provide side contacts for programming conductors (the construction of such side contacts is known in the art). Side contacts may be used in place of top or bottom contacts to provide access to the programming lines at a time on only one package, or a space layer having a dielectric region 890 as in FIG. 17 may be used. For stacking a plurality of chip layers that are nearly identical, the modulating step 1830 of FIG. 18 preferably includes identifying chips in a set that are each vertically aligned using such a programming conductor.
또다른 실시예에서, 3개의 동일한 칩은 도 17과 정확히 일치하게 공간층으로 적층된다(제 2 스페이서층과 제 3 적층 칩은 도시되지 않음). 본 실시예의 적층 장치는 내부 칩 특성이 변조(1830)되기 이전에 바람직하게적층된다(조립된다)(1840). 바람직하게, 이는 적층이 조립된 후 까지 칩의 추적의 필요성을 제거한다. 바닥부 다이(170)는 도체(110, 111) 사이에 큰 전류를 제공하고, 링크(186)를 블로잉시킴으로써 다른 다이(270, 370)와 구별된다. 상단부 다이(370)는 패키지 도체(312)에 연결된 링크를 블로잉시킴으로써 다른 다이(170, 270)와 구별된다. 적어도 일부의 칩 구별(1830) 및 조립(1840) 후에, 적층 장치가 기판 상에 설치되기 쉽다(1850).In another embodiment, three identical chips are stacked in a space layer exactly as in FIG. 17 (the second spacer layer and the third stacked chip are not shown). The stacking device of this embodiment is preferably stacked (assembled) 1840 before the internal chip characteristics are modulated 1830. Preferably, this eliminates the need for tracking of the chip until after the stack is assembled. Bottom die 170 provides a large current between conductors 110 and 111 and is distinguished from other dies 270 and 370 by blowing link 186. Top die 370 is distinguished from other dies 170 and 270 by blowing a link connected to package conductor 312. After at least some chip differentiation 1830 and assembly 1840, the stacking device is likely to be installed on the substrate (1850).
도 19는 도 15, 16 및 도 20과 호환성이 있는 본 발명의 또다른 흐름도를 나타낸다. 다이는 구별되지 않고, 일반적인 원리를 일부 이용하여 패키지 상에 장착된다(1920). 제 1 도관 구성이 제 1 다이의 필요 콘택을 결합시키기 위해 제 1 패키지 속으로 도관을 설치하는데 사용된다(1930). 제 2 패키지속으로 도관을 설치하기 위해(1940), 제 1 도관 구성과 상이한 제 2 도관 구성이 사용되어, 칩이 구별된다. 이러한 설치 후에, IC 칩이 적층된다(1950).FIG. 19 shows another flow chart of the present invention compatible with FIGS. 15, 16 and 20. FIG. The die is not distinguished and is mounted on the package (1920) using some general principles. A first conduit configuration is used (1930) to install the conduit into the first package to engage the required contacts of the first die. In order to install the conduit into the second package (1940), a second conduit configuration different from the first conduit configuration is used to distinguish the chips. After such installation, IC chips are stacked (1950).
도 20은 상기 설명된 것처럼, 3-층 적층부에, 도 19와 호환성있는 본 발명의 구성에서 몇 개의 연결되지 않은 콘택(189, 289, 389)을 나타낸다. 집적 회로 다이(170, 270, 370)는 각각의 집적 회로 패키지(160, 260, 360) 내부에서 패키지처리된다. 최상부 칩(380)의 상부 외부 콘택(392)은 유전체 갭(380) 및 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같은 에어 또는 증착 코팅(585)와 같은 완벽한 유전체 커버(395)에 의해 서로 물리적으로 모두 분리된다. 최하부 칩(190, 280)의 최상부 외부 콘택(192, 292)은 마찬가지로 유전체 갭(196, 296)에 의해 분리되나, 임의의 대응 유전체 커버링의 저어도 일부를 변위시키는 외부 라인(198, 298)을 갖는다.FIG. 20 shows, in the three-layer stack, several unconnected contacts 189, 289, 389 in the inventive configuration compatible with FIG. 19, as described above. Integrated circuit dies 170, 270, and 370 are packaged within respective integrated circuit packages 160, 260, and 360. The top outer contacts 392 of the top chip 380 are both physically separated from each other by the dielectric gap 380 and the complete dielectric cover 395 such as the air or deposition coating 585 as shown in FIGS. 4 and 5. Are separated. The top outer contacts 192, 292 of the bottom chip 190, 280 are likewise separated by dielectric gaps 196, 296, but with outer lines 198, 298 displacing at least a portion of any corresponding dielectric covering. Have
상기 설명된 모든 단계 및 구조를 당업자는 인식할 수 있을 것이며, 부당한 실험없이 본 발명을 실시할 수 있을 것이다. 본 발명의 다양한 실시예의 다양한 특성 및 장점을 본 발명의 구조 및 다양한 실시예의 기능의 상세한 설명과 함께 상기 설명에서 설명했지만, 이는 단지 예시적인 것이다. 상세한 설명에서, 특히 첨부된 실시예를 설명하는 용어의 광범위한 용어에 의해 넓은 범위로 지시된 본 발명의 원리 내에서 부품의 배열 및 구조에서 변경이 있을 수 있다. 예를 들어, 특정 엘리먼트는 본 발명의 범주 및 정신을 이탈하지 않고, 동일한 기능을 유지하면서 본 시스템을 위한 특정 응용에 따라 변형될 수 있다. 또한 본 명세서에서 기술된 바람직한 실시예는 주로 PCB의 점유 밀도를 증가시키고 적층 장치에 대한 부품의 제조를 간단화시키는 것에 관한 것이지만, 당업자는 본 발명의 설명이 본 발명의 정신 및 범주를 이탈하지 않고 다른 성능면에서 개선될 수 있도록 적용될 수 있다는 것을 알 것이다.All steps and structures described above will be apparent to those skilled in the art and may practice the invention without undue experimentation. While the various features and advantages of the various embodiments of the invention have been described in the foregoing description, along with a detailed description of the structure of the invention and the functionality of the various embodiments, these are merely exemplary. In the detailed description, modifications may be made in the arrangement and structure of parts, particularly within the principles of the invention as broadly indicated by the broad terms of the terms describing the appended embodiments. For example, certain elements may be modified in accordance with the particular application for the system without departing from the scope and spirit of the invention, while maintaining the same functionality. Further, while the preferred embodiments described herein relate primarily to increasing the occupancy density of PCBs and simplifying the manufacture of components for lamination devices, those skilled in the art will appreciate that the description of the invention may be modified without departing from the spirit and scope of the invention. It will be appreciated that it can be applied to improve performance.
본 발명을 요약하기 위해, 칩(들)층(280, 380)이 어셈블리 고정부의 플로어(81, 82, 83)상에 바로 위치된다. 공간 및/또는 경로층(584, 880)이 칩(들)의 콘택(291, 292) 상에 바로 위치되고, 추가의 칩(들)층(180, 280)이 층(584, 880) 상에 바로 위치된다. 납땜 리플로우(1265)에 의해 층을 결합시킨 후, 방법에 따라 구성된 적층 장치(580)가 고정부로부터 제거되기 이전에 선택적으로 테스트된다(1270).To summarize the present invention, chip (s) layers 280 and 380 are positioned directly on the floors 81, 82, 83 of the assembly fixture. Space and / or path layers 584, 880 are located directly on the contacts 291, 292 of the chip (s), and additional chip (s) layers 180, 280 are disposed on the layers 584, 880. It is located right away. After bonding the layers by solder reflow 1265, the lamination device 580 constructed in accordance with the method is optionally tested 1270 before being removed from the fixture.
또다른 방법은 패키지(160, 260)(유사하거나 또는 동일할 수 있다)속에 장착 다이(170, 270)(또한 유사하거나 또는 동일할 수 있다)를 포함한다. 상기 방법으로 구성된 칩(180, 280)은 각각의 속에 상이한 구성의 도관(예를 들어 본드 와이어(183) 및 비-접속부(189))을 설치하거나(1940) 그렇지 않으면 이들의 전기적 특성을 변조시킴으로써(1830)(링크(186) 블로잉 또는 셀(190) 프로그래밍에 의해) 구별된다. 설치 단계(1930, 1940)는 하나의 비접속부(189)가 다른 비접속부(289)로부터 수평으로 옵셋되어 간단하게 구별될 수 있다.Another method includes mounting dies 170, 270 (also may be similar or identical) in packages 160, 260 (which may be similar or identical). The chips 180 and 280 constructed in this manner can be constructed by installing different configurations of conduits (e.g., bond wires 183 and non-connections 189) (1940) or otherwise modulating their electrical properties within each other. 1830 (by link 186 blowing or cell 190 programming). The installation steps 1930 and 1940 can be easily distinguished from one non-connected portion 189 horizontally offset from the other unconnected portion 289.
또다른 방법에서, 기판(503)은 다수의 전도성 콘택(592) 및 다수의 내부 트레이스(568)를 갖게 구성된다. 적층 장치(580, 582)는 다수개의 거의 공면의 전도성 콘택(191)으로 조립된다. 장치 콘택(191)의 일부는 기판 상의 콘택(592)과 물리적으로 연결되나, 장치 콘택(191)중 적어도 하나는 기판 콘택(592)과의 공면인 유전체 영역(590)을 제공하고 장치 콘택(191)중 적어도 하나와의 정렬에 의해, 모든 내부 트레이스(568)와 전기적으로 절연된다.In another method, the substrate 503 is configured with a plurality of conductive contacts 592 and a plurality of internal traces 568. Stacking devices 580, 582 are assembled into a plurality of nearly coplanar conductive contacts 191. A portion of the device contact 191 is physically connected to a contact 592 on the substrate, but at least one of the device contacts 191 provides a dielectric region 590 coplanar with the substrate contact 592 and the device contact 191 By an alignment with at least one of them), it is electrically insulated from all internal traces 568.
이러한 각각의 방법에 의해 구성되거나 또는 설명된 구조를 갖는 장치는 본 발명의 실시예이다. 이러한 장치는 상단부 및 바닥부 직사각형 패키지(160, 260)를 포함하며, 각각은 적어도 2개의 측면으로부터 외향 및 하향 돌출하는 골 윙 리드를 포함한다. 리드를 물리적으로 연결하기 위한 수단이 상기 설명된 것처럼 제공되고, 선태적으로 상단부 및 바닥부 패키지의 리드 사이에 2개의 연장된 인쇄 회로 기판(PCB) 세그먼트(584)를 포함한다. 리드를 전기적으로 연결하기 위한 수단은 마찬가지로 설명되었고, 선택적으로 PCB 세그먼트(584) 내에 1개 이상의 수평 회로 트레이스를 포함한다.Apparatus having a structure constructed or described by each of these methods is an embodiment of the invention. Such devices include top and bottom rectangular packages 160, 260, each comprising a goal wing lead projecting outwardly and downwardly from at least two sides. Means for physically connecting the leads are provided as described above and optionally include two elongated printed circuit board (PCB) segments 584 between the leads of the top and bottom packages. Means for electrically connecting the leads have been described as well, and optionally include one or more horizontal circuit traces in the PCB segment 584.
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