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KR200169700Y1 - 반도체 장치 - Google Patents

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KR200169700Y1
KR200169700Y1 KR2019970012066U KR19970012066U KR200169700Y1 KR 200169700 Y1 KR200169700 Y1 KR 200169700Y1 KR 2019970012066 U KR2019970012066 U KR 2019970012066U KR 19970012066 U KR19970012066 U KR 19970012066U KR 200169700 Y1 KR200169700 Y1 KR 200169700Y1
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이주형
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김영환
현대반도체주식회사
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    • H10P72/0402
    • H10P72/0432
    • H10P72/0616

Abstract

본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 종래의 반도체 장치는 하나의 가스라인의 외부에 위치하는 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스와 인접한 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도만을 감지함으로써, 다른 두 가스라인 테이프 히터에 이상이 발생하여 가스가 응결되어도 이를 감지할 수 없어 퍼난스의 내부에서 제조되는 반도체소자에 이상증착이 발생하는 문제점과 아울러 이물이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 고안은 다수의 가스라인 테이프 히터의 온도값을 측정하고, 그 값을 열전대의 접속에 따라 각 가스라인 테이프 히터의 온도값이 전체 온도값에 영향을 주는 출력값으로 변환한 후, 기준값과 비교하여 가스라인 테이프 히터를 제어함으로써, 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 다른 경우에 사용자에게 이상이 발생함을 인지시켜 가스의 응결로 인한 이상증착 및 이물의 발생을 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체 장치
본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 퍼난스 등에 사용되는 가스라인의 온도를 일정하게 유지하는 수단인 다수의 가스라인 테이프 히터 각각의 온도를 검출하고 제어하여 가스라인을 일정한 온도로 유지시킴으로써, 반도체 제조공정에서 발생하는 이상증착현상 및 이물발생을 방지하는데 적당하도록 한 반도체 장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 장치는 각 가스라인에 세 개의 가스라인 테이프 히터를 사용하여 그 가스라인을 가열하여 가스라인을 통해 퍼난스 등의 공정장비에 유입되는 가스의 응결현상을 방지하였다. 그러나, 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스 등의 공정장비와 가장 근접한 가스라인 테이프 히터의 온도만을 측정하여 그 측정치를 기준으로 전체 가스라인 테이프 히터의 온도를 제어하였으며 이와 같은 종래의 반도체 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래 반도체 장치의 블록구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 소정의 가스를 저장하는 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)와; 상기 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)에 저장된 가스를 퍼난스(11)로 유입하는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)과; 상기 제 1가스라인(3)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 1 내지 제 3가스라인 테이프 히터(5),(6),(7)와; 상기 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 4 내지 제 6가스라인 테이프 히터(8),(9),(10)와; 상기 제 1가스라인(3) 및 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하는 가스라인 테이프 히터중 퍼난스(11)와 가장 인접한 제 3가스라인 테이프 히터(7) 및 제 6가스라인 테이프 히터(10)의 온도를 측정하여 설정온도보다 낮은 경우, 각 가스라인 테이프 히터(5~10)에 전원을 인가하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)로 구성된다.
이하, 상기와 같이 구성된 종래의 반도체 장치의 동작을 설명한다.
먼저, 반도체 소자의 공정을 위해 요구되는 소정의 가스를 저장하는 가스저장부로 부터 사용자의 밸브(도면 미도시)조작으로인해 가스가 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)을 통해 퍼난스(11)로 유입된다. 이때 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 길이가 길게 되면, 액화 가스는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 내부에서 응결된다. 상기와 같은 액화 가스의 응결을 방지하기 위해 퍼난스(11)에 가장 인접한 제 3가스라인 테이프 히터(7) 및 제 6가스라인 테이프 히터(10)의 온도를 측정하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)은 각 가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 각각의 가스라인 테이프 히터(10)에 전원을 인가한다.
그 다음, 상기 전원을 인가받은 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)는 열을 발생시키고, 그 발생되는 열에 의해 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)를 통과하는 가스는 응결되지 않게 된다.
그러나, 상기한 바와 같이 종래의 반도체 장치는 하나의 가스라인의 외부에 위치하는 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스와 인접한 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도만을 감지함으로써, 다른 두 가스라인 테이프 히터에 이상이 발생하여 가스가 응결되어도 이를 감지할 수 없어 퍼난스의 내부에서 제조되는 반도체소자에 이상증착이 발생하는 문제점과 아울러 이물이 발생하는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 감안한 본 고안은 모든 가스라인 테이프 히터의 온도를 감지하여 하나의 가스라인 테이프 히터라도 이상이 발생하면 공정을 중단하여 반도체소자에 이상증착이 발생함과 이물이 발생함을 방지하는 반도체 장치의 제공에 그 목적이 있다.
도1은 종래 반도체 장치의 블록구성도.
도2는 본 고안에 의한 반도체 장치의 블록구성도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
1,2: 제 1, 제 2가스 저장부3,4: 제 1, 제 2가스라인
5~10:제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터
11:퍼난스12,13:제 1, 제 2온도 제어부
14:열전대15:온도감지부
상기와 같은 목적은 열전대를 사용하여 각 가스라인 테이프 히터의 온도를 측정하고 그 평균값을 측정하여 기준온도와 비교한후, 그 결과에 따라 온도제어부를 사용하여 각 가스라인 테이프 히터의 온도를 제어함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 고안에 의한 반도체 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 고안에 의한 반도체 장치의 블록구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 소정의 가스를 저장하는 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)와; 상기 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)에 저장된 가스를 퍼난스(11)로 유입하는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)과; 상기 제 1가스라인(3)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 1 내지 제 3가스라인 테이프 히터(5),(6),(7)와; 상기 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 4 내지 제 6가스라인 테이프 히터(8),(9),(10)와; 상기 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)의 온도값을 입력받아 상호 상쇄시켜 출력하는 열전대(14)와; 상기 열전대(14)의 출력값을 설정값과 비교출력하는 온도감지부(15)와; 상기 온도감지부(15)의 출력신호에 따라 각 가스라인 테이프 히터(5~10)에 전원을 인가하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)로 구성된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 고안 반도체 장치의 동작을 설명한다.
먼저, 반도체 소자의 공정을 위해 요구되는 소정의 가스를 저장하는 가스저장부로 부터 사용자의 밸브(도면 미도시)조작으로인해 가스가 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)을 통해 퍼난스(11)로 유입된다. 이때 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 길이가 길게 되면, 액화 가스는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 내부에서 응결된다. 상기와 같은 액화 가스의 응결을 방지하기 위해 상기 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)중 특정한 다섯 개의 가스라인 테이프 히터의 온도를 검출하는 열전대(14)는 그 검출되는 온도에 따른 전압값을 극성의 변화없이 직렬로 연결하는 경우에 각 가스라인 테이프 히터의 온도값은 모두 더해진다. 또한, 상기 전압값의 극성이 변화하도록 직렬로 접속하면 각 가스라인 테이프 히터의 온도값은 상쇄되어 결국 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 출력된다. 상기와 같이 극성에 관계없이 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 값이 이상이 있는 경우, 열전대(14)의 출력값은 변화하게 된다.
그 다음, 상기 열전대(14)의 출력값을 인가받은 온도감지부(15)는 제어신호를 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)에 인가함과 아울러 열전대(14)에서 출력되는 온도에 의한 전압값이 기준값과 다른 경우 알람을 발생한다.
그 다음, 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)은 각 가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 각각의 가스라인 테이프 히터(10)에 전원을 인가한다.
그 다음, 상기 전원을 인가받은 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)는 열을 발생시키고, 그 발생되는 열에 의해 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)를 통과하는 가스는 응결되지 않게 된다.
상기한 바와 같이 본 고안 반도체 장치는 다수의 가스라인 테이프 히터의 온도값을 측정하고, 그 값을 열전대의 접속에 따라 각 가스라인 테이프 히터의 온도값이 전체 온도값에 영향을 주는 출력값으로 변환한 후, 기준값과 비교하여 가스라인 테이프 히터를 제어함으로써, 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 다른 경우에 사용자에게 이상이 발생함을 인지시켜 가스의 응결로 인한 이상증착 및 이물의 발생을 방지하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 다수의 가스라인과, 가스라인 테이프 히터와, 상기 가스라인 테이프 히터에 전압을 인가하는 온도제어수단을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 다수의 가스라인 테이프 히터의 온도값을 검출하여 소정의 조합을 통해 각각의 가스라인 테이프 히터 온도값이 전체온도값에 영향을 주도록 구성한 열전대와, 상기 열전대의 출력값과 기준값을 비교하여 이상이 있는 경우 알람을 발생하고, 상기 온도제어수단을 제어하는 온도검출수단을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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