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KR20010097701A - 고주파용 ｆｂａｒ 공진기 및 그 제조방법 - Google Patents

고주파용 ｆｂａｒ 공진기 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20010097701A
KR20010097701A KR1020000021988A KR20000021988A KR20010097701A KR 20010097701 A KR20010097701 A KR 20010097701A KR 1020000021988 A KR1020000021988 A KR 1020000021988A KR 20000021988 A KR20000021988 A KR 20000021988A KR 20010097701 A KR20010097701 A KR 20010097701A
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dielectric material
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forming
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구자홍
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Abstract

본 발명은 공정이 간단하고, 신뢰도 높은 FBAR 공진기를 제공하기 위한 것으로서, 기판 상부에 하부 전극을 형성하는 단계와 상기 하부 전극의 소정 영역 위에 유전 물질을 형성하고, 상기 유전 물질 위에 금속을 입히고 패터닝하여 상부 전극을 형성함으로써 캐패시터를 형성하는 단계 그리고, 상기 하부 전극 상부에 압전 물질을 형성하고, 상기 압전 물질 위에 상부 전극을 형성하는 단계로 이루어진다. 이와 같은 FBAR 공진기는 큰 터닝비(turning ratio)를 갖는 가변 캐패시터와 공진기를 연결하여 기존의 가변 공진기 보다 터닝 범위을 크게함으로써 신뢰도 높은 공진기를 구현할 수 있고, 공정 과정 또한 간단하다.

Description

고주파용 ＦＢＡＲ 공진기 및 그 제조방법{microwave film bulk acoustic resonator and method for fabricating the same}
본 발명은 공진기에 관한 것으로, 특히 고주파용 가변 FBAR 공진기 및 그 제조방법에 관한 것이다.
마이크로 웨이브 공진기는 필터, 멀티플렉서(multiplexers), 오실레이터(osillators) 등과 같은 다양한 마이크로 웨이브 소자나 모듈을 구성하는 구성 블록이다. 1 GHz 아래의 주파수 대역에서 사용되는 통신 시스템이나 모듈에서는 SAW(surface adcoustic wave) 공진기가 널리 사용되고 있다. 하지만 상용 주파수 대역이 1 GHz 이상으로 올라감에 따라서 SAW 소자는 성능이 좋지 못할 뿐 아니라 공정이 복잡하다는 문제점이 야기되고 있다. 따라서 FBAR(film acoustic wave resonators)는 SAW 공진기가 사용되기 어려운 고주파대역에서 좋은 특성을 갖기 때문에 널리 연구되고 있다.
종래의 기술로 만들어진 박막 FBAR 공진기의 구조는 고저항 기판 위에 하부 전극을 형성하고 그 위에 순차적으로 압전 물질 및 상부 전극을 형성함으로써 이루어진다. 최근에는 저가의 공진기를 만들기 위하여 실리콘 기판 위에 공진기를 제작하고 제작된 부분의 실리콘 기판을 식각함으로써 고주파 대역에서의 기판의 손실을 최소화하여 그 성능을 유지하였다. 또한 다양한 주파수 대역에서 FBAR 공진기를 사용하기 위하여 형성된 공진기의 두 전극에 dc 바이어스 전압을 인가함으로써 주파수나 위상을 튜닝(tuning)하거나 가변 캐패시터를 연결하여 튜닝하는 방식 또한 최근에 제안되었다. 그러나 종래의 제안된 공정은 복잡하고 튜닝되는 범위가 미비하다는 등 몇 가지 문제점이 있다. 또한 이들 소자들은 박막 공정을 사용하여 형성되었기 때문에 메탈릭 로스(metallic losses) 문제도 야기되었다.
도 1은 종래 FBAR 공진기의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판 위에 실리콘 질화물을 형성하고, 실리콘 질화물 위에 순차적으로 하부 전극, 압전 물질, 그리고 상부 전극을 형성한 후, 실리콘 기판의 뒷면을 식각한다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 공정 과정이 간단하고, 신뢰성 높은 FBAR 공진기를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 FBAR 공진기의 단면도
도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 단면도
도 3a 내지 도 3b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 평면도
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예를 나타낸 회로도 및 평면도
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예를 나타낸 단면도
도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예를 나타낸 회로도 및 평면도
도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예를 나타낸 단면도
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 3 실시예를 나타낸 단면도
도 9a 내지 도 9e는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 10a 내지 도 10d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 다른 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 11a 내지 도 11d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 12a 내지 도 12d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예의 제조방법을 나타낸 공정단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11: 기판 12: 실리콘 질화물
13: 하부 전극 14: 압전 물질
15: 상부 전극 16: 접지판
17: 유전 물질 18: 공통 전극
19-1 내지 19-3: 희생층 20: 금속 물질
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 특징은 기판 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극의 소정 영역 위에 유전 물질을 형성하고, 상기 유전 물질 위에 금속을 입히고 패터닝하여 상부 전극을 형성함으로써 캐패시터를 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상부에 압전 물질을 형성하고, 상기 압전 물질 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 압전 물질은 상기 유전 물질 상부에 형성되고, 상기 유전 물질과 압전 물질 사이에 금속 물질이 형성됨으로써 캐패시터와 공진기가 병렬로 연결되거나, 상기 압전 물질이 상기 유전 물질과 일정 간격을 갖도록 상기 하부 전극 위에 형성됨으로써 캐패시터와 공진기가 직렬로 연결되도록 한다.
그리고, 상기 하부 전극은 상기 기판과 일정 높이를 갖도록 형성한다. 그리고, 상기 유전 물질 위에 형성된 상부 전극은 상기 유전 물질과 일정 높이를 갖도록 형성한다.
이때, 상기 유전 물질은 인가한 전압에 따라서 유전율이 변하는 것을 사용한다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 FBAR 공진기의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 단면도이다.
도 2a는 기판과 소정 높이를 갖도록 형성된 절연 멤브레인 위에 공진기가 형성된 구조이고, 도 2b는 기판과 소정 높이를 갖도록 형성된 금속 멤브레인 위에 공진기가 형성된 구조이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 소정 높이를 갖도록 실리콘 질화물(12)을 형성하고, 상기 실리콘 질화물(12) 위에 순차적으로 하부 전극(13), 압전 물질(14), 상부 전극(15)이 형성된 구조의 FBAR 공진기이다.
그리고, 도 2b에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 소정 높이를 갖도록 하부 전극(13)을 형성하고, 상기 하부 전극(13) 위에 순차적으로 압전 물질(14), 상부 전극(15)이 형성된 구조의 FBAR 공진기다. 이때, 상기 하부 전극(13)은 멤브레인으로 이용된다.
한편, 기존의 FBAR 공진기는 기판의 뒷면을 식각함으로써 기판으로 인한 손실을 줄였지만 본 발명에서는 설피스 마이크로머시닝(surface micromachining) 기술을 이용하여 기판과 소정 높이를 갖도록 공진기를 형성한다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 평면도이다.
도 3a 내지 도 3b는 도 2a 내지 도 2b에 나타낸 FBAR 공진기의 평면도로서 도 3a는 직각 타입의 상부 전극(15)을 갖고 있고, 도 3b는 원형 타입의 상부 전극(15)을 갖고 있는 공진기의 구조이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예를 나타낸 회로도 및 평면도이다.
도 4a는 FBAR 공진기와 가변 캐패시터를 병렬로 연결한 것을 나타낸 전기적인 등가회로도이다.
도 4b는 실리콘 질화물(12) 멤브레인 위에 형성된 하부 전극(13)과 상기 하부 전극(13) 양측에 형성된 접지판(16)을 나타낸 평면도이다.
도 4c는 도 4b와 같이 형성된 하부 전극(13) 및 접지판(16) 위에 압전 물질(14)과 상기 압전 물질(14)과 일정 간격을 갖도록 형성된 유전 물질(17)을 나타낸 평면도이다.
도 4d는 도 4c와 같이 형성된 압전 물질(14) 및 유전 물질(17) 위에 형성된 상부 전극(15)을 나타낸 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5a는 기판(11) 위에 실리콘 질화물(12)을 형성되고, 상기 실리콘 질화물(12)의 일정 영역에 캐패시터가 형성되고, 상기 캐패시터와 소정 간격을 갖도록 공진기가 형성되어 캐패시터와 공진기가 병렬연결된 구조를 나타낸 단면도이다.
여기서, 캐패시터는 하부 전극(13) 및 상부 전극(15), 상/하부 전극 사이에 유전 물질(17)이 형성된 구조이다. 그리고, 공진기는 하부 전극(13) 및 상부 전극(15), 상/하부 전극 사이에 압전 물질(14)이 형성된 구조이다.
그리고, 상기 캐패시터는 인가한 전압에 따라서 유전율이 변화하는 유전물질(17)인 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)를 사용함으로써 가변된다.
도 5b는 도 5a에 나타낸 구조에서 기판 뒷면의 특정 영역이 식각된 것을 나타낸 단면도이다.
도 5c는 도 5a에 나타낸 구조에서 상기 실리콘 질화물(12) 층이 상기 기판(11)과 일정 높이를 갖도록 형성되는 것을 나타낸 단면도이다.
도 5d는 도 5c에 나타낸 구조에서 상기 유전 물질 위에 상부 전극(15)이 실리콘 질화물(12)의 특정 영역 위에 형성된 금속 물질(20)과 연결되어 있는 구조이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예를 나타낸 회로도 및 평면도이다.
도 6a는 FBAR 공진기와 가변 캐패시터를 직렬로 연결한 것을 나타낸 전기적인 등가회로도이다.
도 6b는 실리콘 질화물(12) 멤브레인 위에 형성된 하부 전극(13)과 상기 하부 전극(13) 양측에 형성된 접지판(16)을 나타낸 평면도이다.
도 6c는 상기 하부 전극(13) 및 접지판(16) 위에 형성된 유전 물질(17)을 나타낸 평면도이다.
도 6d는 상기 유전 물질(17) 위에 형성된 공통 전극(18)을 나타낸 평면도이다.
도 6e는 상기 공통 전극(18) 위에 순차적으로 형성된 압전 물질(14) 및 상부 전극(15)을 나타낸 평면도이다.
도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 7a는 기판(11) 위에 형성된 실리콘 질화물(12) 상의 일정 영역에 캐패시터가 형성되고, 상기 캐패시터 상부에 공진기가 형성되어 캐패시터와 공진기가 직렬연결된 구조를 나타낸 단면도이다. 이때, 기판 위에 공진기를 형성하고, 상기 공진기 위에 캐패시터를 형성할 수 있다.
여기서, 상기 캐패시터는 하부 전극(13) 및 공통 전극(18), 하부 전극(13) 및 공통 전극(18) 사이에 유전 물질(17)이 형성된 구조이다. 그리고, 공진기는 공통 전극(18) 및 상부 전극(15), 공통 전극(18) 및 상부 전극(15) 사이에 압전 물질(14)이 형성된 구조이다.
그리고, 상기 캐패시터는 인가한 전압에 따라서 유전율이 변화하는 유전물질(17)인 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)를 사용함으로써 가변된다.
도 7b는 도 7a에 나타낸 구조에서 상기 압전 물질(14) 위에 형성된 상부 전극(15)이 실리콘 질화물(12)의 특정 영역 위에 형성된 금속 물질(20)과 연결되어 있는 구조이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 3 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 8a는 기판(11) 위에 형성된 실리콘 질화물(12) 소정 영역 상에 하부 전극(13)이 형성되고, 상기 하부 전극(13)의 소정 영역 상에 순차적으로 유전 물질(17) 및 상부 전극(15)이 형성되어 캐패시터가 형성된다. 그리고, 상기 유전 물질(17)과 일정 간격을 갖도록 상기 하부 전극(13) 상에 순착적으로 압전 물질(13) 및 상부 전극(15)이 형성되어 캐패시터와 공진기는 병렬연결된 구조이다.
이때, 상기 유전 물질 상에 형성된 상기 상부 전극(15)은 유전 물질(17)과 일정 높이를 갖도록 형성되고, 인가한 전압에 따라서 기계적으로 움직임으로써 상기 캐패시터의 정전 용량이 변하게 된다. 그리고, 상기 기판(12) 뒷면의 특정 영역은 식각되어 상기 실리콘 질화물(12)층은 릴리즈된다.
도 8b는 도 8a에 나타낸 구조에서 상기 실리콘 질화물(12)층이 기판(11)과 일정 높이를 갖도록 형성되고, 상기 유전 물질(17) 상부에 형성된 상부 전극(15)이 실리콘 질화물(12)의 특정 영역 위에 형성된 금속 물질(20)과 연결되는 구조이다.
도 8c는 기판(11) 위에 형성된 실리콘 질화물(12)의 소정 영역 상에 순차적으로 하부 전극(13), 압전 물질(14), 공통 전극(18), 유전 물질(17) 그리고 상부 전극(15)이 형성된 구조로 캐패시터 및 공진기가 직렬연결된 구조이다.
이때, 상기 상부 전극(15)은 상기 유전 물질(17)과 일정 높이를 갖도록 형성되고, 인가한 전압에 따라서 기계적으로 움직임으로써 상기 캐패시터의 정전 용량이 변하게 된다. 그리고, 상기 상부 전극(15)은 상기 하부 전극(13)의 특정 영역 위에 형성된 금속 물질(20)과 연결된다.
도 9a 내지 도 9e는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
먼저, 도 9a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 폴리실리콘과 같은 제 1 희생층(19-1)을 입히고 패터닝한 후, 낮은 스트레스를 갖는 실리콘 질화물(12)을 입히고 패터닝하여 절연 멤브레인을 형성한다.
그리고, 도 9b에 도시한 바와 같이, 상기 실리콘 질화물(12) 위에 하부 전극(13)을 형성하기 위한 금속을 입히고 패터닝한 후, 압전 물질(14)을 입히고 패터닝한다.
이어, 도 9c에 도시한 바와 같이, 제 2 희생층(19-2)으로서 두꺼운 포토레지스트를 이용하여 코팅하고 패터닝한 후, 금속 물질(20)을 채운다.
그리고, 도 9d에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 희생층(19-2) 전면에 제 3 희생층(19-3)을 입히고 패터닝한 후, 전기도금을 이용하여 금속을 채워서 상부 전극(15)을 형성한다.
마지막으로, 도 9e에 도시한 바와 같이, 상기 제 1, 제 2, 제 3 희생층(19-1, 19-2, 19-3)을 제거하여 공진기를 완성한다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 다른 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
먼저, 도 10a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 기판(11) 위에 폴리실리콘과 같은 제 1 희생층(19-1)을 입히고 패터닝한 후, 상기 제 1 희생층(19-1) 위에 하부 전극(13)을 형성하기 위한 금속을 입히고 패터닝한다.
이때, 상기 하부 전극(13)은 금속 멤브레인으로 이용된다.
이어, 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 하부 전극(13) 위에 압전 물질(14)을 입히고 패터닝한다.
그리고, 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 압전 물질(14) 위에 금속을 입히고 패터닝하여 상부 전극(15)을 형성한다.
마지막으로, 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 희생층(19-1)을 제거하여 공진기를 완성한다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 1 실시예의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 5a에 나타낸 가변 캐패시터와 공진기가 병렬로 연결된 가변 FBAR 공진기의 제조방법을 나타낸 것이다.
먼저, 도 11a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 실리콘 질화물(12)을 형성한 후, 상기 실리콘 질화물(12) 위에 금속을 입히고 패터닝하여 소정 간격을 갖도록 하부 전극(13)을 형성한다. 상기 소정 간격을 두고 형성된 하부 전극(13) 사이에 하부 전극의 한쪽 끝을 감싸도록 소정 영역에 유전 물질(17)을 형성한다.
여기서, 상기 유전 물질(17)은 인가한 전압에 따라서 유전율이 변하는 유전체로서 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)로 한다.
그리고, 도 11b에 도시한 바와 같이, 상기 유전 물질(17) 위에 상기 유전 물질(17)이 형성되지 않은 하부 전극(13)과 연결되도록 상부 전극(15)을 형성한다.
이어, 도 11c에 도시한 바와 같이, 상기 유전 물질(17) 및 상부 전극(15)과소정 간격을 갖도록 상기 하부 전극(13) 위에 압전 물질(14)을 형성한다.
마지막으로, 도 11d에 도시한 바와 같이, 상기 압전 물질(14) 위에 상부 전극(15)을 형성한다.
도 5b 내지 도 5d의 공진기 제작방법은 도 11a 내지 도 11d에 나타낸 5a의 공진기 제작방법과 유사하며 기판 뒷면의 특정 영역을 식각하거나 도 9의 공정 과정과 같이 기판 위에 하부 전극을 띄우는 공정을 이용하면 된다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명에 따른 FBAR 공진기의 제 2 실시예의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 12a 내지 도 12d는 도 7a에 나타낸 가변 캐패시터와 공진기가 직렬로 연결된 가변 FBAR 공진기의 제조방법을 나타낸 것이다.
먼저, 도 12a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 실리콘 질화물(12)을 형성한 후, 상기 실리콘 질화물(12) 위에 금속을 입히고 패터닝하여 소정 간격을 갖도록 하부 전극(13)을 형성한다. 상기 소정 간격을 두고 형성된 하부 전극(13) 사이에 하부 전극의 한쪽 끝을 감싸도록 소정 영역에 유전 물질(17)을 형성한다.
여기서, 상기 유전 물질(17)은 인가한 전압에 따라서 유전율이 변하는 유전체로서 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)로 한다.
그리고, 도 12b에 도시한 바와 같이, 상기 유전 물질(17) 위에 금속을 입히고 패터닝하여 상기 유전 물질(17)의 소정 영역에 공통 전극(18)이 형성되도록 한다.
이어, 도 12c에 도시한 바와 같이, 상기 공통 전극(18) 전면에 압전 물질(14)을 형성한다.
마지막으로, 도 12d에 도시한 바와 같이, 상기 압전 물질(14) 위에 상기 유전 물질(17)이 형성되지 않은 하부 전극(13)과 연결되도록 상부 전극(15)을 형성한다.
도 7b의 공진기의 제조방법은 도 12a 내지 도 12d에 나타낸 도 7a의 공진기의 제조방법과 유사하며 상부 전극 형성 방법이 도 9에 나타낸 공정 과정과 동일하다.
이와 같이, 본 발명에 따른 FBAR 공진기는 금속 멤브레인, 후막(thick film)을 이용하여 공정이 간단하고 기판에 의한 손실을 줄인다.
또한, 본 발명에 따른 FBAR 공진기는 큰 터닝비(turning ratio)를 갖는 가변 캐패시터와 병렬 혹은 직렬로 연결하여 주파수, 위상, 진폭 등을 터닝한다. 기존에 개발된 가변 캐패시터를 이용한 가변 공진기 보다 휠씬 큰 터닝 범위를 갖고 공정 또한 간단하다. 가변 FBAR 공진기를 형성하기 위해 사용된 가변 캐패시터는 인가한 전압에 따라서 유전율이 변화하는 유전체인 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)를 이용한 가변 캐패시터이거나, 인가한 전압에 따라서 상부 전극이 기계적으로 움직임으로써 정전용량이 변화하는 가변 캐패시터를 이용하였다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 FBAR 공진기는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 큰 터닝비(turning ratio)를 갖는 가변 캐패시터와 공진기를 연결하여 기존의 가변 공진기 보다 터닝 범위을 크게함으로써 신뢰도 높은 공진기를 구현할 수 있다.
둘째, 기존의 공진기 보다 공정 과정이 간단하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (14)

  1. 기판 상부의 일정 영역에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극의 소정 영역 위에 유전 물질을 형성하고, 상기 유전 물질 위에 상부 전극을 형성함으로써 캐패시터를 형성하는 단계;
    상기 하부 전극의 소정 영역 상부에 압전 물질을 형성하고, 상기 압전 물질 위에 상부 전극을 형성함으로써 공진기를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 위에 실리콘 질화물이 형성되는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 압전 물질은 상기 유전 물질 상부에 형성되고, 상기 유전 물질과 압전 물질 사이에 금속 물질이 형성됨으로써 캐패시터와 공진기가 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 압전 물질이 상기 유전 물질과 일정 간격을 갖도록 상기 하부 전극 위에 형성됨으로써 캐패시터와 공진기가 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 ??면의 특정 영역이 식각됨으로써 상기 하부 전극을 릴리즈(release)시키는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극은 상기 기판과 일정 높이를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전 물질은 인가한 전압에 따라서 유전율이 변함으로써 캐패시터의 정전용량이 변하는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전 물질은 STO(Strontium Titanium Oxide) 나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)로 하는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전 물질 위에 형성된 상부 전극은 상기 유전 물질과 일정 높이를 갖도록 형성되어 인가되는 전압에 따라 기계적으로 움직임으로써 캐패시터의 정전용량이 변하는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유전 물질은 인가되는 전압에 따라 유전율이 변화하는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기 제조방법.
  11. 기판과,
    상기 기판 상부에 형성된 하부 전극, 유전 물질, 상부 전극으로 이루어진 캐패시터와,
    상기 기판 상부에 형성된 하부 전극, 압전 물질, 상부 전극으로 이루어진 공진기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유전 물질은 STO(Strontium Titanium Oxide)나 BSTO(Barium Strontium Titanium Oxide)로 하는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 유전 물질 상부에 형성된 상부 전극은 상기 유전 물질과 일정 높이를갖는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 하부 전극은 상기 기판과 일정 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 FBAR 공진기.
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