KR19990008190A

KR19990008190A - 전위 측정 회로를 내장한 전자 인코더에 사용되는 장치 및 방법

Info

Publication number: KR19990008190A
Application number: KR1019970707715A
Authority: KR
Inventors: 휴이트켄트; 스미트윌렘
Original assignee: 채프맨 씨. 필립; 마이크로칩테크놀로지인코포레이티드
Priority date: 1996-03-05
Filing date: 1997-02-21
Publication date: 1999-01-25
Anticipated expiration: 2017-02-21
Also published as: KR100396188B1; EP0830687A1; WO1997033286A1; DE69727273D1; US5675534A; EP0830687B1; EP0830687A4; TW307071B; JP2002515158A

Abstract

본 발명에 의하면, 무단으로 데이터를 엑세스 하는 것을 방지한 전자 인코딩(encoding) 장치에서 비휘발성 메모리의 데이터를 읽는 방법을 제공한다. 한가지의 실시예는, 첫번째 데이터 세트를 비휘발성 메모리에 기입하는 단계; 기입할 때에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압을 나타내는 전압 측정 신호를 생성하는 단계; 전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적으로 수행되었는가를 결정하는 단계; 그 결정에 의거하여 비휘발성 메모리로부터 데이터를 읽는 단계 등을 포함하는 방법이다.

Description

전위 측정 회로를 내장한 전자 인코더에 사용되는 장치 및 방법

본 발명은 주로 전자 인코딩(encoding)과 디코딩(decoding)의 분야에 관한 것으로서, 특히 원격 조종 장치의 비밀 신호를 발신 및 수신하는데 사용되는 인코더(encoder)와 디코더(decoder)에 관한 것이다.

원격 조종에 의해서 시스템과 장치를 제어하는 것이 점점 더 많이 응용되어지고 있다. 이러한 응용의 예는 많이 있지만 그 중에 가장 일반적인 것으로는 빌딩의 보안 시스템, 자동차의 보안 시스템, 차고의 문 또는 출입문의 개폐기 등과 같은 것들이 있다. 이들 시스템들은 대개 원하는 동작을 시행하도록 하기 위하여 인코드 된 신호를 내보내는 발신기와 그 신호를 디코드 할 수 있는 수신기를 가지고 있다. 물론 이런 시스템들이 더욱 더 광범위하게 사용되면 될수록 이런 시스템들을 불법으로 무력화시키려는 노력도 증가하게 된다.

예를 들면, 비교적 간단한 시스템의 경우에, 한가지 고정된 코드가 이러한 특정한 코드에 대해서만 반응하여 작동하도록 지정된 수신기로 발신된다. 그러나 이런 고정 코드 시스템은 몇 가지 방법에 의해 쉽게 무력화될 수 있다. 한가지 방법으로는 모든 가능한 조합의 고정 코드를 발신할 수 있는 코드 스캐너(code scanner)라고 일컬어 지는 장치를 사용할 수 있다. 예를 들어서 여덟 개의 딥 스위치를 사용하여 코드를 선정하는 시스템에서는 모두 256가지의 조합이 가능하다. 코드 스캐너(code scanner)는 보통 이정도 숫자의 조합은 32초 이내에 발신할 수 있다. 65,536 가지의 조합을 가능케 하는 16 비트의 키를 사용하는 시스템의 경우에도 모든 조합을 시도하는데는 약 두시간 남짓 걸린다고 한다. 더욱이, 스캐너는 이런 최고 시간 보다 훨씬 짧은 시간 내에 엑세스 할 수 있고 실제로는 평균적으로 최고 시간의 절반 정도가 된다.

무단으로 침입하는 또 다른 방법은 신호를 가로챈 후에 간단히 재 발신하는 방법이다. 예를 들면, 자동차용 보안 및 원격 조종 장치 등에 사용되는 일반적인 원격 조종 발신기에는 어떤 특정한 주파수로 코드 번호를 발신하는 소형 라디오 발신기가 포함되어 있다.

이 코드 번호는 보통 집적회로 인코더에 의해 생성 된다. 발신 주파수는 일반적으로 특정 국가의 법에 의해 지정되어 있으므로 이러한 모든 발신기로부터 나오는 신호를 수신할 수 있는 수신기를 제작할 수 있다. 이런 수신기는 원래의 수신기에 의해 수신되어야 할 신호를 기입하는 회로와 함께 사용된다. 이런 장치는 코드 혹은 키 그래버(grabber)로 불리며 이를 사용하여 보호 구역 혹은 원격 조종 보안 장치가 설치된 자동차에 침입할 수 있다.

이런 무단 침입을 봉쇄하기 위하여, 원격 조종 장치들이 굉장히 복잡하여 졌다.

고정 코드 시스템의 한계를 극복하기 위하여 사용되는 방법 중의 한가지로 코드하핑(code-hopping) 인코더를 사용하는 것이 있다. 코드하핑(code-hopping) 인코더는 보통 발신기가 작동할 때 마다 다른 코드를 생성하는 알고리즘(algorithm)을 사용한다. 수신기에서는 수신된 신호를 해독할 수 있도록 같은 알고리즘이 디코더(decoder)에 제공 된다.

코드하핑(code-hopping) 인코더에 사용된 알고리즘(algorithm)은 보통 제조사에서 제공한 한가지 이상의 암호화(encryption) 키를 최종 출력 코드를 생성하는데 있어서 변수로 사용한다. 이런 시스템의 한 예가 도 1에 보여진다. 메모리에 저장된 암호 키(10)가 암호화 될 데이터(12)와 함께 암호화 알고리즘(14)으로 보내어 진다. 발신될 데이터에는 동기화 카운터 및 장치의 일련 번호 등의 정보가 포함 된다. 이런 정보는 원격 수신기가 유효한 발신기로부터 발신 신호를 받고 있는지 그리고 그 신호를 디코드(decode) 하여야 하는지를 결정 하는데 사용된다. 암호화 알고리즘(14)은 암호 키(10)와 같이 사용되어서 데이터(12)를 암호화하여 발신기(16)에 보낸다. 그런 다음에 발신기(16)는 암호화된 데이터를 무선 주파수, 적외선, 혹은 다른 적절한 송신 수단을 사용하여 수신기로 발신하게 된다.

이러한 암호화 키는 보통 전원이 장치로부터 끊어져도 암호화(encryption) 키를 잃어 버리지 않도록 EEPROM과 같은 비휘발성 메모리에 저장된다.

인코딩(encoding) 장치가 정상적으로 작동될 때에는 암호화 키는 발신되지 않거나 암호화된 형식으로 발신된다. 그러므로 암호화 키가 무단으로 엑세스 되는 위험은 전혀 없다. 그러나, 암호화 코드가 암호화 되지 않은 상태로 EEPROM으로부터 읽혀질 수 있는 인코딩(encoding) 장치의 또 다른 운용 모드도 제공된다. 예를 들면, 이러한 장치들이 제조될 때, 제조자들이 메모리에 프로그램이 제대로 되었는지 알아볼 수 있도록 프로그램이 된 직후에 제조자들이 EEPROM의 메모리를 읽을 수 있어야 한다. 그러므로 인코더는 암호화(encryption) 알고리즘(algorithm)을 거치지 않고 EEPROM 혹은 비휘발성 메모리를 직접 엑세스 할 수 있는 운용 모드를 제공 해야 한다. 이는 허가 없이 무단으로 인코딩(encoding) 장치를 프로그램 모드에 놓고 EEPROM의 메모리를 읽음으로써 암호화 키를 알아낼 수 있는 위험성을 제공하게 된다.

이러한 위험성을 배제하기 위하여 EEPROM을 소거하거나 기입한 직후에 일회에 한해서 비휘발성 메모리를 읽을 수 있는 인코딩(encoding) 장치를 고안할 수 있다. 이론적으로는, 메모리의 내용이 재기입 되어야만 메모리의 내용을 읽을 수 있기 때문에 비휘발성 메모리를 무단으로 읽는 것을 방지할 수 있다. 그러나 실제로는 이런 인코딩(encoding) 장치를, 예를 들면, 이 장치를 고온 하에서 낮은 전압을 공급하는 것과 같은, 어떤 특정 상태로 만들어서 비휘발성 메모리에 기입하는 것이 실패하도록 만들 수 있다. 그런 후에, 메모리의 내용을 재기입 하지 않으면서도 메모리에 기입하는 기능을 수행할 수 있고, 이 장치는 시스템이 기입되었다고 인식하게 된다. 그리고 이 장치는 비휘발성 메모리를 읽는 것을 허락하여 암호화 키를 불법 사용자에게 제공하게 된다.

그러므로 본 발명은 상기 문제점들을 극복할 수 있는 방법 및 장치를 제공하며 아래의 명세에서 잘 나타나듯이 현재 사용되는 장치들 보다 훨씬 좋은 이점을 제공한다.

[발명의요약]

본 발명은 전자 인코딩(encoding) 장치의 비휘발성 메모리의 데이터를 무단으로 엑세스 하지 못하도록 하면서 데이터를 읽을 수 있는 방법을 제공 한다.

이의 실시예는, 비휘발성 메모리에 첫 세트의 데이터를 기입하는 순서; 기입시에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압(source voltage)을 나타낼 수 있는 전압 측정 신호를 발생 시키는 것; 전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적이었는지를 결정하는 것; 그리고 이러한 결정에 따라 비휘발성 메모리의 데이터를 읽는 것 등으로 구성되어 진다.

본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 전자 인코딩(encoding) 장치의 비휘발성 메모리의 데이터를 무단으로 엑세스 하지 못하도록 하면서 데이터를 읽을 수 있는 시스템이 제공 된다. 더 나아가서, 기입시에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압을 나타낼 수 있는 전압 측정 신호를 발생 시키는 수단; 전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적이었는지를 결정하는 수단; 그리고 이러한 결정에 따라 비휘발성 메모리의 데이터를 읽을 수 있도록 하는 수단 등으로 구성되어 진다.

본 발명의 또 다른 실시예로, 전자 인코딩(encoding) 장치가 제공 된다. 이의 실시예은 전자 인코딩(encoding) 장치는 비휘발성 메모리; 비휘발성 메모리를 엑세스할 수 있는 컨트롤러; 비휘발성 메모리를 엑세스할 수 있는 인코더 로직; 컨트롤러와의 전자 통신의 입력 로직; 비휘발성 메모리와의 전자 통신의 출력 로직; 그리고 비휘발성 메모리를 읽을 수 있도록 하기 위하여 비휘발성 메모리 기입 전압에 반응하는 신호를 제공하는 전위측정 회로 등으로 구비 되어진다.

본 발명은 다음의 도면을 예로 더 자세히 설명되고 있다:

도 1 은 코드하핑(code-hopping) 인코더의 블록 다이어그램(block diagram) 이다.

도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 전자 인코딩(encoding) 장치의 블록 다이어그램(block diagram)이다.

도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리로부터 읽는 단계를 보여 주는 풀로우 챠트(flow chart)이다.

도 4 는 본 발명에 따른 메모리를 읽을 수 있도록 하는 전위 측정 신호를 제공하는 회로의 블록 다이어그램(block diagram)이다.

도 5 는 본 발명의 발전된 실시예에 따른 메모리를 읽을 수 있도록 하는 신호를 제공하는 회로이다.

도 6 은 본 발명의 더욱 발전된 실시예에 따른 전자 인코딩(encoding) 장치의 블록 다이어그램(block diagram)이다.

도 2 를 보면, 본 발명의 실시예에 의한 전자 인코딩(encoding) 장치의 블록 다이어그램(block diagram)이 나타나 있다. 여기에서는 컨트롤러(controller) (102)를 보조하는 기능을 가진 발진기(oscillator)(106), 원상 복귀(reset) 회로(108), LED 드라이버(driver) (110) 그리고 래칭(latching) 및 개폐(switching) 회로 등과 같은 몇 개의 주변 회로와 전자적으로 연결된 컨트롤러(controller)(102)로 구성되어 있다. 다른 실시예에서는 통신 포트와 같은 부가 회로들이 컨트롤러와 함께 제공되고, 더 나아가서는 이들 회로들이 컨트롤러(102)에 함께 통합될 수도 있다. 정확히 어떤 컨트롤러가 사용되었는가 하는 것은 그리 중요하지 않지만 이 분야의 전문가들은 어떤 컨트롤러가 적절한지 판단할 수 있을 것이다.

컨트롤러(102)는 사용자의 입력을 입력 로직(logic)을 통하여 받아들인다. 실례에서 보듯이 입력 로직은 S0부터S3까지 네 개의 외부 스위치로부터의 입력을 받아들이는 버튼 입력 포트(118)로 구성되어 있다. 그러나, 직렬(serial) 포트나 키보드 등과 같은 다른 적절한 형식의 입력 시스템도 사용될 수도 있다. 컨트롤러(controller)(102)는, 이 경우에서는 EEPROM 메모리(112)인, 비휘발성 메모리를 엑세스 한다. 사용자의 입력에 따라 컨트롤러(102)는 EEPROM 메모리(112)에 기입할 수도 있고 또는 장치(100)에 포함된 출력 로직을 통하여 EEPROM 메모리(112)를 읽을 수도 있다. 여기에서의 출력 로직은 진폭 변조 회로(pulse width modulating circuit)(생략)로 그 내용을 발신하는 32비트 시프트 레지스터(shift register)(116)로 구성 되어 있다.

진폭 변조 회로(pulse width modulating circuit)로 보내진 정보는 원격 수신기의 인코딩(encoding) 장치로 발신 된다. 입력 로직과 마찬가지로 한가지의 출력 로직에 대한 실시예만이 나타나 있지만 이 분야의 전문가들은 다른 방법도 생각할 수 있다. 예를 들면, 다른 발명에서는 EEPROM(112)의 데이터가 직렬 통신 포트로 보내져서 다른 외부 장비를 사용하여EEPROM 메모리(112)의 내용을 알 수도 있다.

또한 인코더 로직(114)도 EEPROM 메모리(112)에 연결되어 있다. 인코더 로직(114)은 발신될 데이터를 인코드 하고 그 인코드된 데이터를 32비트 시프트 레지스터(shift register)로 진폭 변조 회로(pulse width modulating circuit)를 통하여 발신하기 위하여 EEPROM(112)을 엑세스 한다.

상기와 같이, 표준 운용 모드에서는 진폭 변조 회로(pulse width modulating circuit)에서 보내진 데이터는 발신되기 전에 인코더(114)에 의해 인코드 된다. 그러므로, 데이터에 암호화 키가 포함된다고 해도 발신된 코드를 불법으로 가로챘을 경우에는 암호화 키를 알아낼 수가 없다.

그러나, 이 장치(100)가 프로그램 모드에 있을 때에는, EEPROM(112)의 내용을 확인할 수 있도록 EEPROM의 메모리(112)에 기입한 직후에 적어도 한번은 EEPROM(112)의 내용을 읽을 수 있다. 의도적으로 기입을 실패하게 한 직후에 EEPROM의 메모리의 내용을 읽는 것과 같이 무단으로 EEPROM 메모리(112)의 내용을 엑세스 하는 것을 방지하기 위하여 전위 측정 회로(113)가 제공되었다. 이의 한 실시예으로, 전위 측정 회로(113)가 비휘발성 메모리(112)를 읽는 것을 활성화(enable) 또는 비활성화(disable) 시키기 위해 비휘발성 메모리의 기입 전압을 받아서 신호를 생성한다. 이는 EEPROM 메모리(112)에 불완전하게 기입함으로써 인코딩(encoding) 장치(100)가 메모리 읽기를 허락하도록 지정되는 것을 EEPROM 메모리(112)의 데이터가 바뀔 수 있을 정도의 높은 EEPROM 메모리 기입 전압이 있어야만 메모리 읽기가 허락되게 함으로써 방지한다. 그러므로, EEPROM 메모리(112)로부터는 바로 직전에 씌어진 것만이 다시 읽힐 수 있게 된다. 이것은 도 3 에서 더 상세히 설명되어 있다.

도 3 은 인코더 장치(100)내에서 EEPROM 메모리를 읽는 단계를 보여주는 풀로우 챠트(flow chart)이다. 본 실시예에서는, 인코더 장치(100)가 먼저 302단계에서 프로그램 모드로 전환된다. 다음으로, 304단계에서 EEPROM 메모리의 모든 것이 지워지거나 또는 새로운 데이터로 다시 기입된다. 그런 후에 306단계로 진행하여 EEPROM 메모리(112)의 기입 전압이 그 내용을 변경할 수 있을 정도로 높았는지의 여부를 전위 측정 회로에서 나오는 신호로 테스트 한다. 만일에 전압이 충분히 높지 않을 경우에는, 316단계에서 정지하여 EEPROM 메모리(112)를 읽는 것을 방지한다. 그러나, 전압이 충분히 높았을 경우에는, 308 단계로 진행하여 EEPROM 메모리(112)를 프로그램할 수 있는 데이터를 확보 한다. 본 실시예에서는, EEPROM 메모리(112)의 내용을 모두 소거하는데 이를 다시 말하면 304 단계에서 로직상 제로로 지정한다. 그러므로, 310 단계에서 일련 번호나 암호화 키와 같은 데이터가 EEPROM 메모리(112)에 프로그램 되어진다. 이 데이터는 312 단계에서 EEPROM 메모리(112)의 내용을 확인 하기 위해서 다시 읽혀 지고 모든 순서가 314단계에서 마쳐진다.

도 4 는 본 발명에서 전위 측정 신호를 제공하는데 이용되는 회로의 구성도(schematic diagram)이다. 본 실시예에서는, 한 쌍의 P채널 트랜지스터(202),(204)가 직렬로 연결되어 있다. 트랜지스터 (202)의 소스(source)는 공급 전압 Vdd 혹은 메모리 기입 전압에 연결된다. 트랜지스터(202)의 게이트(gate)는 트랜지스터(204)의 소스(source)에 연결되고 트랜지스터 204의 게이트는 접지(ground)에 연결되어 있다. 인코더 시스템(100)의 전압 요구 조건에 따라 다른 임계 전압(threshold voltage)이 이들 P채널 트랜지스터(202), (204)들에 공급된다. 전압 요구 조건에 따라 이 임계 전압(threshold voltage)이 다른 레벨로 지정될 수도 있다. 예를 들어서, 한계점(trip point)혹은 다시 말해서 EEPROM 메모리(112)를 읽는 것을 허락하는 전압 레벨을 3.5 볼트로 지정하고자 한다면 트랜지스터 (202), (204)의 임계 전압(threshold voltage)은 -1.5 볼트로 지정되어야 한다.

트랜지스터(204)의 드래인(drain)은 N채널 트랜지스터(206)의 소스(source)에 연결 된다. N채널 트랜지스터206의 드래인(drain)은 그라운드(ground)에 연결되고 그 게이트(gate)는 노드(node)208에 연결된다. 본 예에서는, 트랜지스터(206)의 임계 전압은 0.1볼트이다. 그때에 메모리 기입 전압이 충분히 높을 경우에 원하는 한계 전압(trip voltage)이 노드(node)208로 나타난다. 어떤 온도에서든지 기입이 되는 것을 보장할 수 있는 한계 전압을 지정하는 것이 바람직하다. 그러므로, 라인 208에서부터 노드214의 전압 한계 신호(voltage trip signal)까지의 신호 경로를 버퍼 210 및 212를 통하여 제공한다.

노드(214)에서 제공되는 전압 한계 신호(voltage trip signal)는 바로 직전의 EEPROM 메모리(112)의 기입 시에 노드208의 전압이 충분히 높았을 경우에는 로직 1이 되고 그렇지 못할 경우에는 로직 제로가 된다.

물론 도 4 에 보여진 회로는 한가지의 가능한 실시예만을 보여주고 있다. EEPROM 메모리에 기입될 때 적용된 전압을 측정하는 다른 적절한 회로들이 이 분야에 전문가들에 의해 고안될 수 있다. 예를 들면, 도 5 에서는 다른 발명에서 실시된 회로를 보여 주고 있다.

비휘발성 메모리에 적용된 입력 전압(source voltage) 혹은 Vdd를 측정 하기보다는 도 5 에 나타난 회로에서는 비휘발성 메모리 셀에 적용된 기입 전압을 직접 감지한다. 특별히, 비휘발성 메모리에, 이 경우에는 EEPROM 메모리(510)이다, 기입하기 위해서, 충전 펌프(charge pump)(502)가 사용되었다. 충전 펌프(charge pump)(502)는 발진기(oscillator) OSC1 및 OSC2에 의해서 충전 컨덴서(charge capacitor) (504)의 전압 레벨을 EEPROM 메모리(510)에 기입할 수 있기에 충분한 전압까지 올린다. 보통의 기입 전압 레벨은 약 20 볼트 정도이지만, EEPROM(510)에 사용된 회로 및 기술에 따라 바뀔 수 있다. EEPROM(510)에 적용된 기입 전압이 기입이 성공적으로 수행될 수 있을 정도로 높은 것을 보장하기 위하여 전압 클램프 회로(506)가 기입 또는 프로그래밍 전원 노드(518)에 연결 되어 있다. 본 실시예에서는, 전압 클램프 회로(506)는 네 개의 제너(Zener) 다이오드가 직렬로 연결되어 구성되어 있다. 예를 들어, 이것을 설명을 하기 위하여 EEPROM(510)에 성공적으로 기입하려면 20 볼트가 필요하다고 가정을 하자. 그러므로 노드(518)에서 적절한 기입 전압이 발생하면 노드(520)에서의 전압은 5 볼트가 될 것이다.

대칭 전류(current mirror) 또는 저항과 같은 작은 전원(512)이 노드(520)로부터 전류를 방전하는데, 이는 노드(518)가 20볼트 이하로 내려갈 때 노드(520)가 5볼트의 전압을 유지하는 것을 방지하기 위해서 이다.

물론, 충전 펌프(502)가 작동하기 때문에 노드(520)의 전압은 수평 DC 레벨이 아니고 필터(516)에 의해 반드시 부드럽게 되어져야 하는 스파이크(spike) 파형을 나타내게 된다. 어떤 실시예에서는, 필터(516)가 슈미트(Schmidt) 트리거(trigger) 회로로 구성되어 있다. 그러나, 구체적인 필터의 구성은 그렇게 중요하지 않으며 이 분야의 전문가라면 다른 적절한 예를 고안할 수 있을 것이다.

여기서, 필터(516)의 출력을 HVOK신호 라고 부르며, EEPROM 메모리(510)이 성공적으로 기입 되도록 하기 위하여 검사(sample)하게 된다. 노드(518)의 전압이 EEPROM 메모리(510)를 프로그램하기에 충분하지 못하면, HVOK 신호에 이것이 반영되고 이로써 충전 펌프의 작동이 중단되어서 EEPROM 기입 및 프로그래밍 작업이 종료된다. 결과적으로, 인코딩(encoding) 장치가 EEPROM 메모리(510)를 읽는 것을 허가 하지 않게 된다.

도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 의한 인코딩(encoding) 장치로서 도 5 의 회로들을 포함하는 인코딩(encoding) 장치의 블럭 다이어그램이다. 이 경우에, HVOK 회로(115)가 EEPROM(112)의 기입 라인에 적용되는 전위를 상기와 같이 검사하게 된다. 그런 후에 HVOK 신호가 컨트롤러(102)에 전해지고 이것을 가지고 EEPROM(112)에 기입이 성공적으로 이루어 졌는지를 판단하고 이에 따라 뒤이어서 읽기를 허락할 지의 여부를 결정한다. 어떤 실시예에서는, 도 3 의 순서도(flow chart)에서와 거의 동일한 단계로 비휘발성 메모리를 읽게 되지만, 306단계에서 Vdd 한계 신호(trip signal) 대신에 실제 메모리의 기입 전압을 HVOK 신호를 통하여 검사한다.

상기의 실시예에서 언급한 인코딩(encoding) 장치에서는 그 내용을 읽기 위해서는 비휘발성 메모리가 반드시 먼저 소거 또는 재기입 되어야 한다. 더 나아가서, EEPROM 메모리(112)의 기입을 고의적으로 실패하게 하여 비휘발성 메모리를 불법으로 엑세스 하는 것을 방지하게 된다.

물론, 상기의 실시예는 본 발명을 간단히 설명한 것에 불과 하며 본 발명의 영역과 취지를 벗어나지 않는 범위 내에서 이 분야의 전문가들은 다른 적절한 실시예를 고안할 수 있을 것이다.

Claims

무단으로 데이터를 엑세스하는 것을 방지한 전자 인코딩 장치에서 비휘발성 메모리의 데이터를 읽는 방법에 있어서,

제 1 데이터 세트를 비휘발성 메모리에 기입하고;

기입할 때에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압을 나타내는 전압 측정 신호를 생성하고;

전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적으로 수행되었는가를 결정하고;

그 결정에 의거하여 비휘발성 메모리로부터 데이터를 읽는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
무단으로 데이터를 엑세스하는 것을 방지한 전자 인코딩 장치에서 비휘발성 메모리의 데이터를 읽는 시스템에 있어서,

제 1 데이터 세트를 비휘발성 메모리에 기입하는 수단;

기입할 때에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압을 나타내는 전압 측정 신호를 생성하는 수단;

전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적으로 수행되었는가를 결정하는 수단;

그 결정에 의거하여 비휘발성 메모리로부터 데이터를 읽는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
비휘발성 메모리;

비휘발성 메모리를 엑세스 할 수 있는 컨트롤러;

비휘발성 메모리를 엑세스 할 수 있는 인코더 로직;

컨트롤러와 전자 통신 할 수 있는 입력 로직;

비휘발성 메모리와 전자 통신 할 수 있는 출력 로직;

비휘발성 메모리의 읽기를 활성화 시키기 위하여 비휘발성 기입 전압에 반응하여 신호를 제공하는 전위 측정 회로를 포함 하는 것을 특징으로 하는 전자 인코딩 장치.
제 1항에서,

상기 전위 측정 회로가 각각의 일차 임계 전압(first threshold voltage)을 갖는 직렬로 연결된 한 쌍의 P채널 트랜지스터;

제 2 임계 전압(second threshold voltage)을 갖는 N채널 트랜지스터;

한 쌍의 P채널 트랜지스터와 직렬로 연결된 N채널 트랜지스터;

컨트롤러와 N채널 트랜지스터의 입력(source) 사이를 잇는 전압 측정 신호 경로를포함하는 것을 특징으로 하는 전자 인코딩 장치
무단으로 데이터를 엑세스하는 것을 방지한 전자 인코딩 장치에서 비휘발성 메모리의 데이터를 읽는 방법에 있어서,

제 1 데이터 세트를 비휘발성 메모리에 기입하고;

기입할 때에 비휘발성 메모리에 적용되는 입력 전압을 나타내는 전압 측정 신호를 생성하고;

전압 측정 신호를 평가하여 기입이 성공적으로 수행되었는가를 결정하고;

그 결정에 의거하여 비휘발성 메모리로부터 데이터를 읽는 것을 특징으로 하는 방법.
비휘발성 메모리;

비휘발성 메모리를 엑세스 할 수 있는 컨트롤러;

비휘발성 메모리를 엑세스 할 수 있는 인코더 로직;

컨트롤러와 전자 통신 할 수 있는 입력 로직;

비휘발성 메모리와 전자 통신 할 수 있는 출력 로직;

비휘발성 메모리의 읽기를 활성화 시키기 위하여 비휘발성 기입 전압에 반응하여 신호를 제공하는 전위 측정 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 인코딩 장치.