[go: up one dir, main page]

KR102903037B1 - 정전척 수리방법 - Google Patents

정전척 수리방법

Info

Publication number
KR102903037B1
KR102903037B1 KR1020250138789A KR20250138789A KR102903037B1 KR 102903037 B1 KR102903037 B1 KR 102903037B1 KR 1020250138789 A KR1020250138789 A KR 1020250138789A KR 20250138789 A KR20250138789 A KR 20250138789A KR 102903037 B1 KR102903037 B1 KR 102903037B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal ring
ceramic plate
top surface
electrostatic chuck
step surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020250138789A
Other languages
English (en)
Inventor
이준호
김남출
김성만
최정은
Original Assignee
주식회사 엘케이엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘케이엔지니어링 filed Critical 주식회사 엘케이엔지니어링
Priority to KR1020250138789A priority Critical patent/KR102903037B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102903037B1 publication Critical patent/KR102903037B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288Maintenance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

정전척 수리방법이 소개된다. 바디(20)의 에지부(26)가 둘레방향을 따라 제거되고 스텝면(29)이 가공되며, 스텝면(29)에 금속링(40)이 접합 또는 억지끼움된다. 금속링(40)은 스텝면(90)과 접하는 내측면(43,44)과 스텝면(29)과 접하지 않는 외측면(41,42)을 가지며, 외측면(41,42)은 탑면(21)과 같은 평면상에 놓이는 제1면(41), 및 제1면(41)에 수직한 제2면(42)을 구비한다. 탑면(21) 및 제1면(41)에 접착제가 도포되며, 탑면(21) 및 제1면(41)에 제2 세라믹 플레이트(10a)가 접착된다.

Description

정전척 수리방법{METHOD FOR REPAIRING ELECTROSTATIC CHUCKS}
본 발명은 정전척으로 인하여 발생될 수 있는 품질 결함이나 사고를 미연에 방지하기 위한 정전척 수리방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스들의 제조과정에 기판을 홀딩하기 위한 용도로 정전척이 사용된다. 정전척들은 소재나 제조방법에 따라 세라믹 정전척, 폴리이미드 정전척, 용사코팅 정전척 등으로 구분될 수 있다. 정전척들은 클램핑력의 유도 특성에 따라 쿨롱 타입과 존슨-라벡 타입, 그리고 전극 개수 또는 구조에 따라 모노폴라 타입과 바이폴라 타입으로 구분될 수 있다.
세라믹 정전척은 세라믹 플레이트 및 바디를 구비한다. 세라믹 플레이트는 매설된 정전기 흡착 전극, 흡착 전극 위의 유전층(또는 상부 유전층) 및 그 반대 측 부위의 절연층(또는 하부 유전층)을 구비한다. 세라믹 플레이트의 탑면에 엠보싱, 딤플이나 가스 홈이 마련되고, 하면은 바디에 접합된다. 바디 내부에는 온도 제어를 위한 냉각채널이 마련된다.
정전척에서 흡착전극 위의 유전층은 대략 300~1,000㎛ 정도의 얇은 두께로 형성된다. 이 유전층 두께는 쿨롱 타입 정전척보다 유전층 표면 측으로의 전하 이동이 있는 존슨-라벡 타입 정전척이 조금 더 두껍다. 정전척은 흡착전극 아래에 위치된 제2의 전극, 예로서 히터전극을 가질 수 있다.
식각 공정에서와 같은 고온 및 고밀도의 플라즈마 환경에 노출되는 경우 높은 내식성과 절연 특성을 갖는 정전척이 사용되나, 시간 경과에 따라 화학적 또는 플라즈마 공격에 의해 정전척은 마모, 식각되거나 손상을 입어 정전기적인 특성이 열악하게 된다. 반도체 회로의 선폭이 초미세화되고 다층화됨에 따라 공정시간이 길어지고, 가혹한 플라즈마 환경에 장시간 노출된 정전척들은 수명이 짧다.
정전척들, 특히 반도체 공정에서 사용되는 세라믹 정전척들은 높은 진입 장벽으로 인해 국내에서의 개발이 어려워 매우 고가에 전량 수입되고 있는 실정이며, 해외 제조업체들로부터의 수급 마저도 원활하지 않은 경우가 발생하기도 한다. 손상을 입은 정전척을 폐기하고 새 정전척으로의 교체하기보다는 손상 입은 세라믹 정전척을 수리, 복원해서 재사용하는 것이 유익하다.
세라믹 플레이트의 탑면에 마련된 엠보싱이 마모되거나 평탄도 이상이 발생한 정전척들은 흡착전극 위 유전층의 부분적인 제거 및 복원을 통해 재사용될 수 있다. 세라믹 플레이트와 바디 간의 접합층에 손상이 발생한 경우, 세라믹 플레이트와 바디를 분리하고 접합층을 재시공함을 통해 정전척의 복원이 가능하다.
정전척의 수리는 여러 차례 수행될 수 있지만, 더 이상 표면부의 복원이 불가능할 정도로 세라믹 프레이트의 유전층 두께가 얇아지거나 유전층에 균열이 발생되어 전기적 특성이 열악해진 경우, 해당 세라믹 플레이트는 새 것으로 교체된다. 정전척 제조 비용에서 세라믹 플레이트가 차지하는 비율이 크기에, 세라믹 플레이트의 단순 교체는 물론 수리를 통한 재사용 요구가 있다.
(특허문헌 1) 한국특허공개 제2021-0044899호 (2021.04.23. 공개)
(특허문헌 2) 한국특허공개 제2015-0132341호 (2015.11.25. 공개)
본 발명은 정전척 수리 방법을 제공하고자 한다. 특히 본 발명은 정전척, 특히 수리된 정전척에서 발생될 수 있는 공정 사고나 품질 결함을 미연에 방지할 수 있는 방안을 제공하는 것을 목적으로 한다.
세라믹 플레이트, 전기적인 접속 단자들, 접착제, 실링재 등 정전척에서 수리가 요구되는 부분들은 다양하게 발생한다. 정전척의 수리 시, 어떤 경우 세라믹 플레이트와 바디 간의 분리가 필요하고, 또 어떤 경우에는 세라믹 플레이트와 바디 간의 분리 없이 수리가 가능하다.
수리를 위해 세라믹 플레이트가 바디로부터 분리되는 경우, 제품 복원 단계에서 세라믹 플레이트는 다시 바디에 접합된다. 세라믹 플레이트는 수리된 원래의 것(구품)이거나, 또는 교체된 새것(신품)일 수 있다. 바디는 세라믹 플레이트보다는 대체로 수명이 길며, 표면의 절연 코팅을 복원하는 정도의 수리 후 재사용 가능하다.
정전척이 가혹한 플라즈마 환경에 노출된 경우, 세라믹 플레이트는 물론 바디 또한 손상을 입는다. 특히 세라믹 플레이트가 접합된 바디의 탑면의 에지부는 플라즈마에 노출되어 조금씩 마모되어 직각 형상에서 서서히 커브드 형태로 변하게 된다. 에지부의 형상 변화가 큰 경우, 세라믹 플레이트와 바디 간 접합면에 결함이 발생될 수 있다. 이는 종래에는 인식하지 못했던 문제이다.
본 발명은 바디, 특히 바디 탑면의 에지부에서 발생된 손상으로 인하여 수리된 정전척에서 발생될 수 있는 품질 결함을 방지할 수 있는 방안을 제공하고자 한다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 반드시 위에 언급된 사항에 국한되지 않으며, 미처 언급되지 않은 또 다른 과제들은 이하 기재되는 사항들에 의해서도 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 정전척 수리방법은, 제1 세라믹 플레이트를 바디로부터 분리하는 단계, 바디는 제1 세라믹 플레이트가 접합된 탑면과, 탑면 반대편의 바닥면을 가짐; 탑면의 에지부를 둘레방향을 따라 제거하여 스텝면을 형성하는 단계; 스텝면에 금속링을 접합 또는 억지끼움하는 단계, 금속링은 스텝면과 접하는 내측면과 스텝면과 접하지 않는 외측면을 가지며, 외측면은 탑면과 같은 평면상에 놓이는 제1면, 및 제1면에 수직한 제2면을 구비함; 탑면 및 제1면에 접착제를 도포하는 단계; 및 탑면 및 제1면에 제2 세라믹 플레이트를 접착하는 단계를 포함한다.
상기 제2 세라믹 플레이트는 수리된 제1 세라믹 플레이트, 즉 구품이거나, 또는 제1 세라믹 플레이트와 동일 스펙을 갖는 신품일 수 있다.
일실시예에 의하면, 상기 바디는 탑면에 수직한 측면을 가지며, 제2면은 측면과 동일 선상에 놓인다. 측면과 제2면은, 바디에 제2 세라믹 플레이트를 접착 후, 각각 절연 코팅된다.
일실시예에 의하면, 상기 금속링은, 내측면이 접하는 스텝면의 외경보다 내경이 작도록 형성된다. 금속링은 가열하여 열팽창시킨 후 스텝면에 억지끼움되며, 냉각 후 수축하여 스텝면에 견고하게 밀착된다.
일실시예에 의하면, 상기 스텝면은 탑면과 직교하는 라이저와, 라이저와 직교하는 트레드를 갖는다. 스텝면과 트레드는 평행하다. 금속링은 스텝면에 안착되는 원형의 단일체로 구성되며, 금속링의 내측면은 스텝면과 대응하는 형상을 갖는다.
일실시예에 의하면, 상기 스텝면은 탑면과 제1 예각을 이루는 라이저와, 라이저와 제2 예각을 이루는 트레드를 구비한다. 스텝면과 트레드는 평행하다. 금속링은, 제2 예각을 이루는 라이저와 트레드 사이에 안착될 수 있는 형상으로 구성되니다.
본 발명에 의하면, 상대적으로 수명이 긴 바디의 탑면 에지부에서 발생된 손상으로 인하여, 수리가 완료되었음에도 정전척에서 발생될 수 있는 품질 결함을 미연에 방지할 수 있다.
도 1은 정전척의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전척의 바디에 손상이 발생된 예를 보여준다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 정전척 수리공정을 보여주는 블록도이다.
도 4, 도 5, 도 6, 도 8 및 도 9는 도 3에 도시된 수리공정의 예들을 보여준다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 금속링을 보여준다.
도 10 및 도 11은 또 하나의 실시예에 따른 수리공정의 예들을 보여준다.
실시예들에 대한 설명 및 청구항들에 사용되는 용어들의 일부가 아래에 정의된다.
본질적으로 허용될 수 없는 것이 아닌 한, 어느 요소에 관한 표현들 또는 요소들 간의 관계에 관한 표현들은 광의로 해석된다. 단수로 표현된 것, 예를 들어 'a' 및 'the'는 복수 요소들로 구성될 수 있다. 위(on)', 아래(below), '연결(connected)' 등으로 표현된 제1 요소와 제2 요소 간의 관계에서 이들 사이에 제3 요소가 개재될 수 있다.
'A 및/또는 B'의 표현은 'A', 'B' 또는 'A 및 B'를 포함하는 의미로 해석된다. '또는'은 비배타적으로 사용된다. 'A 또는 B'의 표현은, 본질적으로 허용될 수 없거나 별도 명시되지 않은 한, 둘 중에 오로지 어느 하나만의 선택을 의도하지 않는다.
전후, 좌우 또는 상하 등의 방향 지정은 설명의 편의 및 직관적 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 그 지정된 방향이 유일한 것이 아니며, 그 방향 지정에 의해 본 발명의 권리범위가 한정되지 않는다.
실험이나 측정에 있어서의 오차, 한계 등을 고려하여 약(about)', '대략' 등의 표현들이 사용될 수 있다. 예로서 '약'은 기재된 수치에서 ±10% 만큼 가변 가능한 것으로 해석될 수 있다. 예를 들어, '약 100nm'는 90nm에서 110nm까지의 크기들의 범위를 포괄한다.
다르게 명시되지 않았다면, 백분율은 질량 백분율(wt%)이며, 온도는 ℃이다.
'홀딩', '척킹' 및 '흡착'은 기판에 인력, 특히는 기판 면에 수직한 방향으로 인력을 가하여 지지면에 기판을 밀착 고정하는 것을 표현한다. 예로서 정전기력, 자기력 등이 각각 단독으로 또는 복합적으로 작용하여 기판이 홀딩된다.
이하 본 발명의 여러 특징들 및 양상들을 이해할 수 있도록 실시예들을 들어 보다 구체적으로 살펴본다. 도면들에서 동일 또는 동등한 구성요소들은 동일한 부호로 표시될 수 있고, 도면들은 본 발명의 특징들에 대한 직관적인 이해를 위해 과장되거나 개략적으로 도시될 수 있다.
도 1은 정전척의 개략적인 단면을 보여준다.
도 1을 참조하면, 정전척은 세라믹 플레이트(10), 세라믹 플레이트(10)를 지지하는 바디(20)를 구비한다. 세라믹 플레이트(10)와 바디(20) 사이에 접착층(30)이 개재된다.
세라믹 플레이트(10)는 기판이 지지되는 상면(11), 상면(11) 반대편의 하면(12), 그리고 상면(11)과 하면(12) 사이에 엠베드된 하나 이상의 전극(미도시)을 갖는다. 세라믹 플레이트(10)는 예로서 알루미나 소결체로 이루어지며, 원반 형상을 갖는다.
바디(20)는 세라믹 플레이트(10)가 접합되는 탑면(21), 탑면(21) 반대편의 바닥면(22), 및 측면(23)을 갖는다. 탑면(21)은 세라믹 플레이트(10)의 하면(12)과 동일 크기 및 형상을 가지며, 측면(23)은 탑면(21)과 직교한다. 바디(20)의 측면(23)과 세라믹 플레이트(10)의 측면이 일직선상에 놓인다. 바디(20)의 하단부에는 둘레방향을 따라 연장된 플랜지(24)가 마련된다.
접착층(30)에 의해 바디(20)의 탑면(21)에 세라믹 플레이트(10)의 하면(12)이 접착된다. 접착층(30)에는 실리콘 기반의 절연성 접착제가 사용된다. 접착제는 기계적 또는 열적 성질, 예를 들어 열전도도의 향상을 위해 Al2O3, AlN, Y2O3 등의 충전제를 포함할 수 있다.
도 2는 정전척의 바디(20)에 손상이 발생된 예를 개략적으로 보여준다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 바디(20)에서 탑면(21)의 에지부(26)는 최상단 외곽에 위치한다. 공정 중 에지부(26)는 플라즈마에 노출되며, 단면상으로, 최초의 예리한 직각 형상에서 점차 침식되어 완만하게 굽은 형태로 변하게 된다. 도 2는 탑면(21)의 둘레방향을 따라서 에지부(26)에 발생될 수 있는 손상된 부위(27)를 개략적으로 보여준다.
에지부(26)에서 손상된 부위(27)는 접착층(30)과 탑면(21) 사이에 서로 밀착되지 않는 갭(28)을 야기한다. 갭(28)으로 인해 접착층(30)의 침식이 가속되고, 예정된 점검 일정에 앞서 접착층(30)에 심각한 손상이 발생될 수 있고 공정 중단이 야기될 수 있다. 또한 손상된 부위(27)는 세라믹 플레이트(10)와 바디(20) 간의 접착 불량을 야기한다. 갭(28) 부위에서 세라믹 플레이트(10)는 바디(20)에 완전하게 접착되지 않는다.
도 3은 일실시예에 따른 정전척 수리공정을 보여주는 블록도이다.
도 3을 참조하면, 수리공정은 바디(20)로부터 세라믹 플레이트(10)를 분리하는 공정(S1), 손상된 에지부(26)를 가공하는 공정(S2), 손상된 에지부(26)에 금속링을 접합하는 공정(S3), 탑면(21)에 접착제를 도포하는 공정(S4), 및 바디(20)에 세라믹 플레이트(10)를 접착하는 공정(S5)를 포함한다.
도 4 내지 도 9는 수리공정의 예들을 보여준다. 도 3과 함께 도 4 내지 도 9룰 참조하여 수리공정에 대해 구제척으로 살펴본다.
세라믹 플레이트 분리(S1)
도 2 및 도 4를 참조하면, 수리 대상의 정전척에서, 세라믹 플레이트(10)가 바디(20)로부터 분리된다. 세라믹 플레이트(10)는 하나 이상의 엠베드된 전극, 예로서 기판 흡착용 전극을 갖는다.
정전척은 바디(20)의 탑면(21) 둘레를 따라 에지부(26)에 손상된 부위(27)를 갖는다. 에지부(26) 외에도, 세라믹 플레이트(10) 또는 바디(20)의 다른 부위에 대한 수리가 필요할 수 있다.
수리를 위해 접착층(30)이 제거되고 바디(20)로부터 세라믹 플레이트(10)가 분리된다. 바디(20)의 탑면(21)에 남을 수 있는 접착제는 깨끗하게 제거된다.
손상된 에지부의 가공(S2)
도 5를 참조하면, 에지부(26)의 손상된 부위(27)를 둘레방향을 따라 제거하여 스텝면(29)이 가공된다. 스텝면(29)은 탑면(21)에 직교하는 라이저(29a)와, 라이저(29a)와 직교하는 트레드(29b)를 갖는다. 트레드(29b)는 스텝면(29)과 평행하다. 스텝면(29a,29b: 29)의 가공은 기계적인 연삭 및/또는 연마에 의한다. 스텝면(29)에 의해 에지부(26)의 손상된 부위(27)가 모두 제거된다.
금속링 접합(S3)
도 6 및 도 7을 참조하면, 스텝면(29)에 원형의 금속링(40)이 접합된다. 금속링(40)이 스텝면(29)에 안착 및 밀착될 수 있도록, 사전에 금속링(40)과 스텝면(29)의 형상 및 크기 등의 치수가 규격화된다.
금속링(40)은 스텝면(29)에 안착되는 원형의 단일체로 구성된다. 금속링(40)은 바디(20)와 동일한 알루미늄으로 제작되거나, 또는 기계적, 열적 특성이나, 바디(20)와의 접합 특성 등을 고려하여 다른 금속으로 제작될 수 있다. 스텝면(29)에 금속링(40)의 접합에 브레이징이 이용되거나, 절연성 및 내열성을 갖는 접착제 등이 이용될 수 있다.
금속링(40)은 스텝면(29)과 접하는 내측면(43,44)과 스텝면(29)과 접하지 않는 외측면(41,42)을 갖는다. 내측면(43,44)은 스텝면(29)과 대응하는 형상을 갖는다. 외측면(41,42)은 탑면(21)과 같은 평면상에 놓이는 제1면(41), 및 제1면(41)에 수직한 제2면(42)을 구비한다. 내측면(43,44)은 트레드(29b)와 접하는 수평한 제3면(43), 및 라이저(29a)와 접하는 수직한 제4면(44)을 구비한다.
도 6을 참조하면, 금속링(40)의 제1면(41)은 바디(20)의 탑면(21)과 같은 평면상에 놓이며, 제2면(42)은 바디(20)의 측면(23)과 동일 선상에 놓인다. 바디의 탑면(21)과 제1면(41), 그리고 바디(20)의 측면(23)과 제2면(42)은 각각 서로 간의 이음매가 거의 관찰되지 않을 수 있는 정도로 정밀하게 치수가 관리된다.
다른 실시예로서, 금속링(40)은, 내측면(43,44)이 접하는 스텝면(29)의 외경보다 내경이 작도록 형성된다. 금속링(40)은 가열하여 열팽창시킨 후 스텝면(29)에 억지끼움되며, 냉각 후 수축하여 스텝면에 견고하게 밀착된다. 금속링(40)은 바디(20)와 동일 재질이거나, 바디(20)와 유사한 정도의 열팽창계수를 갖는 소재로 제작될 수 있다. 브레이징 등에 의하지 않고, 금속링(40)을 스텝면(29)에 억지끼움하게 되면, 바디(20) 표면의 코팅 손상을 방지할 수 있다.
접착제 도포(S4)
도 8을 참조하면, 바디(20)의 탑면(21)은 물론 제1면(41)에 접착제(31)가 도포된다. 종래에 손상된 부위(27)로 인해 에지부(26)에 접착제가 제대로 도포되지 않고, 에지부(26)에서 세라믹 플레이트(10)가 탑면(21)에 불완전 접착되는 문제가 있으나, 실시예에 의하면 에지부(26)에서 금속링(40)의 제1면(41)에 세라믹 플레이트(10)가 완전하게 접착될 수 있다.
세라믹 플레이트의 접합(S5)
도 9를 참조하면, 바디(20)의 탑면(21)에 세라믹 플레이트(10a)의 하면(12)이 접착된다. 종래의 경우, 손상된 부위(27)로 인해 에지부(26)에서 접착층(30)의 두께가 중앙부에 비해 얇거나 불균일하게 되는 문제가 있을 수 있으나, 실시예에 의하면 바디(20)의 에지부(26)에서 세라믹 플레이트(10)가 온전히 그리고 중앙부와 동일한 정도로 균일하게 접착될 수 있다.
세라믹 플레이트(10a)는 도 2의 세라믹 플레이트(10)이거나, 또는 세라믹 플레이트(10)와 동일 규격으로 제작된 새로운 플레이트일 수 있다. 세라믹 플레이트(10a)는 수리된 세라믹 플레이트(10)일 수 있다. 도 2의 세라믹 플레이트(10)는 제1 플레이트, 도 9의 세라믹 플레이트(10a)는 제2 플레이트로 지칭될 수 있다.
바디(20)에 세라믹 플레이트(10a) 접합 후, 바디(20)의 측면(23)과 금속링(40)의 제2면(42)이 절연 코팅된다. 하나의 예로서, 측면(23)과 제2면(42)은 절연성의 세라믹 분말을 이용하여 용사 코팅된다. 다른 예로서, 금속링(40)의 외측면(41,42), 또는 전체면(41,42,43,44)은 사전에 절연 코팅될 수 있다.
도 10 및 도 11은 또 하나의 실시예에 따른 수리공정의 예들을 보여준다. 도 10은 S2 단계 및 도 5에 대응하며, 도 11은 S3 단계 및 도 6에 대응한다.
도 10을 참조하면, 에지부(26)의 손상된 부위(27)를 둘레방향을 따라 제거하여 스텝면(29c,29d:29)이 마련된다. 스텝면(29)은 탑면(21)과 제1 예각(α1)을 이루는 라이저(29c)와, 라이저(29c)와 제2 예각(α2)을 이루는 트레드(29d)를 갖는다. 하나의 예로서 제1 예각(α1)과 제2 예각(α2)의 크기는 같다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 스텝면(29)에 원형의 금속링(40)이 접합된다. 금속링(40)은 스텝면(29)에 안착 및 밀착될 수 있도록 스텝면(29)에 대응하는 형상을 갖는다. 금속링(40)은 스텝면(29)과 접하는 내측면(43,44)과 스텝면(29)과 접하지 않는 외측면(41,42)을 갖는다. 외측면(41,42)은 탑면(21)과 같은 평면상에 놓이는 제1면(41), 및 제1면(41)에 수직한 제2면(42)을 구비한다. 내측면(43,44)은 트레드(29d)와 접하는 수평한 제3면(43), 및 라이저(29c)와 접하는 제4면(44)을 구비한다.
금속링(40)은, 서로 제2 예각(α2)으로 만나는 라이저(29c)와 트레드(29d) 사이에 밀착될 수 있는 구조를 갖는다. 금속링(40)은, 제3면(43)과 제4면(44)이 제2 예각(α2)을 이루도록 형성된다.
도 10 및 도 11의 예에 의하면, 바디(20)와 금속링(40) 사이의 밀착면에 기울기, 즉 제2 예각(α2)의 기울기가 마련되고, 이 기울기에 의해 바디(20)와 금속링(40) 간의 경계에서 접속력이 보다 강하게 될 수 있다. 스텝면(29)에 안착된 상태에서 금속링(40)은 라이저(29c)에 의해 트레드(29d)에 가압되는 형태가 되므로, 금속링(40)과 트레드(29d) 사이의 밀착력 및 실링력이 향상된다.
이상 본 발명의 실시예들이 설명되었고, 이들 실시예는 본 발명의 다양한 측면들과 특징들을 이해하는데 도움이 될 것이다. 이 실시예들에서 소개된 특징들 또는 요소들은 다양하게 그리고 선택적으로 서로 조합될 수 있고, 이러한 조합들에 의해 이 명세서에서는 미처 설명되지 못한 또 다른 실시예들이 제시될 수 있다.
보호하고자 하는 발명의 범위가 청구항들에 기재된다. 청구항에 기재된 요소들은, 발명의 본질 또는 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서, 다양하게 변경 및 수정되고 등가물로 대체될 수 있다. 청구항에 기재된 도면부호들은, 만일 기재되어 있다면, 청구된 발명들이나 그 요소들에 대한 쉽고 그리고 직관적인 이해를 돕기 위한 것일 뿐 청구된 발명들의 권리범위를 한정하지 않는다.
10,10a: 세라믹 플레이트 20: 바디
21: 바디의 탑면 22: 바디의 바닥면
23: 바디의 측면 26: 에지부
28: 손상된 부위 29: 스텝면
30,31: 접착층 40: 금속링
41: 금속링의 제1면 42: 금속링의 제2면
43: 금속링의 제3면 44: 금속링의 제4면

Claims (5)

  1. 제1 세라믹 플레이트를 바디로부터 분리하는 단계, 바디는 제1 세라믹 플레이트가 접합된 탑면과, 탑면 반대편의 바닥면을 가짐;
    상기 탑면의 에지부를 둘레방향을 따라 제거하여 스텝면을 형성하는 단계;
    상기 스텝면에 금속링을 접합 또는 억지끼움하는 단계, 금속링은 스텝면과 접하는 내측면과 스텝면과 접하지 않는 외측면을 가지며, 외측면은 탑면과 같은 평면상에 놓이는 제1면, 및 제1면에 수직한 제2면을 구비함;
    상기 탑면 및 제1면에 접착제를 도포하는 단계; 및
    상기 탑면 및 제1면에 제2 세라믹 플레이트를 접착하는 단계를 포함하는 정전척 수리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 바디는 탑면에 수직한 측면을 가지며,
    상기 제2면은 측면과 동일 선상에 놓이고,
    상기 측면과 제2면은, 바디에 제2 세라믹 플레이트를 접착 후, 각각 절연 코팅되는 정전척 수리 방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 금속링은, 내측면이 접하는 스텝면의 외경보다 내경이 작도록 형성되고,
    상기 금속링은 가열 후 스텝면에 억지끼움되는 정전척 수리 방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 스텝면은,
    상기 탑면과 직교하는 라이저와,
    상기 라이저와 직교하며, 스텝면과 평행한 트레드를 구비하며,
    상기 금속링은 스텝면에 안착되는 원형의 단일체로 구성되며, 금속링의 내측면은 스텝면과 대응하는 형상을 갖는 정전척 수리 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 스텝면은,
    상기 탑면과 제1 예각을 이루는 라이저와,
    상기 라이저와 제2 예각을 이루며, 스텝면과 평행한 트레드를 구비하며,
    상기 금속링은 스텝면에 안착되는 원형의 단일체로 구성되며, 금속링의 내측면은 스텝면과 대응하는 형상을 갖는 정전척 수리 방법.
KR1020250138789A 2025-09-25 2025-09-25 정전척 수리방법 Active KR102903037B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020250138789A KR102903037B1 (ko) 2025-09-25 2025-09-25 정전척 수리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020250138789A KR102903037B1 (ko) 2025-09-25 2025-09-25 정전척 수리방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102903037B1 true KR102903037B1 (ko) 2025-12-22

Family

ID=98264773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020250138789A Active KR102903037B1 (ko) 2025-09-25 2025-09-25 정전척 수리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102903037B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5551353B2 (ko) * 1976-06-28 1980-12-23
KR20090086343A (ko) * 2008-02-08 2009-08-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 기판 재치대, 플라즈마 처리 장치 및절연 피막의 성막 방법
KR101196441B1 (ko) * 2011-12-20 2012-11-01 이준호 정전 척의 리페어 방법
JP5551353B2 (ja) 2008-10-30 2014-07-16 株式会社日本セラテック 耐食性部材
KR20170001797A (ko) * 2015-06-25 2017-01-05 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 및 리페어 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5551353B2 (ko) * 1976-06-28 1980-12-23
KR20090086343A (ko) * 2008-02-08 2009-08-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 기판 재치대, 플라즈마 처리 장치 및절연 피막의 성막 방법
JP5551353B2 (ja) 2008-10-30 2014-07-16 株式会社日本セラテック 耐食性部材
KR101196441B1 (ko) * 2011-12-20 2012-11-01 이준호 정전 척의 리페어 방법
KR20170001797A (ko) * 2015-06-25 2017-01-05 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 및 리페어 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2430654B1 (en) Electrostatic chuck with polymer protrusions
CN104685607B (zh) 接合基板的方法
US10395963B2 (en) Electrostatic chuck
JP4402862B2 (ja) 静電チャックおよびその製造方法
JP5769264B2 (ja) 静電チャックおよびその修理方法
KR20060044706A (ko) 웨이퍼 등 지지부재
KR102176064B1 (ko) 정전척 제조방법 및 정전척
KR101196441B1 (ko) 정전 척의 리페어 방법
CN101512749B (zh) 静电吸盘的馈电结构及其制造方法以及静电吸盘的馈电结构的再生方法
WO1999025017A1 (en) Apparatus for retaining a workpiece
KR102903037B1 (ko) 정전척 수리방법
TW200816344A (en) Structure for electrostatic chuck potential supply part and its manufacturing and reproduction method
KR20100090561A (ko) 이종 물질 간 접합구조를 갖는 정전척 및 그 제조방법
KR102893645B1 (ko) 정전척 수리방법
KR20160000970A (ko) 반도체 제조장치용 히터의 제조방법 및 히터 손상부위 처리방법
KR20050091635A (ko) 나선형 전극을 갖는 정전척 및 그 제조 방법
CN218568811U (zh) 一种静电卡盘装置
TW202538960A (zh) 用於非平面基板之高夾緊力靜電卡盤

Legal Events

Date Code Title Description
A12 National or regional application filed

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-0-1-A10-A12-NAP-PA0109 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

D11 Substantive examination requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D11-EXM-PA0201 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D16 Fast track examination requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D16-EXM-PA0302 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

D17 Fast track examination accepted

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D17-EXM-PA0302 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PA0302 Request for accelerated examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D17-exm-PA0302

St.27 status event code: A-1-2-D10-D16-exm-PA0302

D22 Grant of ip right intended

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D22-EXM-PE0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

F11 Ip right granted following substantive examination

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-4-F10-F11-EXM-PR0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-U10-U11-OTH-PR1002 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

Q13 Ip right document published

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-Q10-Q13-NAP-PG1601 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000