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KR102900120B1 - 표시 패널 및 전자 기기 - Google Patents

표시 패널 및 전자 기기

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Publication number
KR102900120B1
KR102900120B1 KR1020247037186A KR20247037186A KR102900120B1 KR 102900120 B1 KR102900120 B1 KR 102900120B1 KR 1020247037186 A KR1020247037186 A KR 1020247037186A KR 20247037186 A KR20247037186 A KR 20247037186A KR 102900120 B1 KR102900120 B1 KR 102900120B1
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KR
South Korea
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display panel
display
display area
housing
oxide semiconductor
Prior art date
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KR1020247037186A
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요시하루 히라카타
순페이 야마자키
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority to KR1020257041292A priority Critical patent/KR20260003377A/ko
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Abstract

본 발명의 표시 패널은 플렉시블 기판, 제 1 표시 영역, 제 2 표시 영역, 및 제 3 표시 영역을 포함한다. 제 1 표시 영역은 사각형 윤곽을 갖고, 상기 윤곽의 제 1 모서리부를 형성하는 제 1 변 및 제 2 변을 포함한다. 제 2 표시 영역은 제 1 변과 접촉되고 제 1 변에 평행한 방향에서의 제 2 표시 영역의 폭이 제 1 변의 길이와 일치한다. 제 3 표시 영역은 제 2 변과 접촉되고 제 2 변에 평행한 방향에서의 제 3 표시 영역의 폭은 제 2 변의 길이와 일치한다. 상기 기판은 제 1 모서리부를 개재하여 제 1 표시 영역과 대향하는 영역에 상당하는 노치부를 포함한다.

Description

표시 패널 및 전자 기기{DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 조명 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는 곡면에 표시가 가능한 표시 패널(표시 장치)에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 곡면에 표시가 가능한 표시 장치를 포함하는 전자 기기, 발광 장치, 또는 조명 장치, 또는 이들의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 표시 장치는 다양한 용도에 응용되는 것이 기대되고, 다양화되어 있다. 예를 들어, 터치 패널을 포함하는 스마트폰 또는 태블릿 단말 등의 휴대형 정보 단말의 두께의 저감, 성능의 향상, 및 다기능화가 진행되고 있다.
특허문헌 1에는 필름 기판 위에 유기 EL 소자 및 스위칭 소자로서 기능하는 트랜지스터가 제공되는 플렉시블 액티브 매트릭스 발광 장치가 개시(開示)된다.
일본국 특개 제2003-174153호 공보
본 발명의 일 형태의 목적은 신규 전자 기기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 또 다른 목적은 다양한 표시가 가능한 전자 기기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 또 다른 목적은 다양한 방법으로 조작할 수 있는 전자 기기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 또 다른 목적은 이런 전자 기기에 사용될 수 있는 표시 장치(표시 패널)를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 또 다른 목적은 신규 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 이들 목적의 기재는 다른 목적의 존재를 방해하지 않는다. 또한, 본 발명의 일 형태에서, 모든 목적을 달성할 필요는 없다. 상술한 목적 외의 목적은 명세서 등의 기재로부터 명백해지고, 명세서 등의 기재로부터 얻을 수 있다.
본 발명의 일 형태는 플렉시블 기판, 제 1 표시 영역, 제 2 표시 영역, 및 제 3 표시 영역을 포함하는 표시 패널이다. 제 1 표시 영역은 사각형 윤곽을 갖고, 상기 윤곽의 제 1 모서리부를 형성하는 제 1 변 및 제 2 변을 포함한다. 제 2 표시 영역은 제 1 변과 접촉되고 제 1 변에 평행한 방향에서의 제 2 표시 영역의 폭이 제 1 변의 길이와 일치한다. 제 3 표시 영역은 제 2 변과 접촉되고 제 2 변에 평행한 방향에서의 제 3 표시 영역의 폭은 제 2 변의 길이와 일치한다. 상기 기판은 제 1 모서리부를 개재(介在)하여 제 1 표시 영역과 대향하는 영역에 노치부(notch portion)를 갖는다.
상기 표시 패널은 복수의 화소를 포함하고 화소들 각각은 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 표시 패널은 복수의 화소를 포함하고 화소들 각각은 채널이 형성되는 반도체층에 다결정 실리콘을 포함하는 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 표시 패널은 신호를 제 1 표시 영역 및 제 2 표시 영역에 출력하는 제 1 구동 회로 및 신호를 제 3 표시 영역에 출력하는 제 2 구동 회로를 더 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 구동 회로가 제 1 변과 반대쪽에 있는 제 2 표시 영역의 변을 따라 제공되고, 제 2 구동 회로는 제 1 변이 연장되는 방향에서의 제 3 표시 영역의 변을 따라 제공되는 것이 바람직하다. 제 1 구동 회로 및 제 2 구동 회로는 배선을 통하여 서로 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
또는, 표시 패널은 신호를 제 1 표시 영역, 제 2 표시 영역, 및 제 3 표시 영역에 출력하는 구동 회로를 더 포함하는 것이 바람직하다. 구동 회로가 제 1 변과 반대쪽에 있는 제 2 표시 영역의 변을 따라 제공되고, 이 구동 회로와 제 3 표시 영역은 배선을 통하여 서로 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
제 1 변과 반대쪽에 있는 제 1 표시 영역의 제 3 변과 접촉되는 제 4 표시 영역이 제공되는 것이 바람직하다.
제 1 변과 반대쪽에 있는 제 1 표시 영역의 제 3 변과 접촉되는 제 4 표시 영역 및 제 2 변과 반대쪽에 있는 제 1 표시 영역의 제 4 변과 접촉되는 제 5 표시 영역이 제공되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태는 상술한 표시 패널 중 어느 하나 및 하우징을 포함하는 전자 기기다. 상기 하우징은, 상면, 뒷면, 제 1 측면, 제 1 측면과 접촉되는 제 2 측면, 제 1 측면과 반대쪽의 제 3 측면, 및 제 2 측면과 반대쪽의 제 4 측면을 갖는다. 제 1 측면 및 제 2 측면 각각은 상면으로부터 뒷면까지 연속된 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 표시 패널의 제 1 표시 영역은 상면을 따라 제공되고, 이의 제 2 표시 영역은 제 1 측면을 따라 제공되고, 이의 제 3 표시 영역은 제 2 측면을 따라 제공되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태는 상술한 표시 패널 및 하우징을 포함하는 전자 기기다. 상기 하우징은, 상면, 뒷면, 제 1 측면, 제 1 측면과 접촉되는 제 2 측면, 제 1 측면과 반대쪽의 제 3 측면, 및 제 2 측면과 반대쪽의 제 4 측면을 갖는다. 제 1 측면, 제 2 측면, 및 제 3 측면 각각은 상면으로부터 뒷면까지 연속된 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 표시 패널의 제 1 표시 영역은 상면을 따라 제공되고, 이의 제 2 표시 영역은 제 1 측면을 따라 제공되고, 이의 제 3 표시 영역은 제 2 측면을 따라 제공되고, 이의 제 4 표시 영역은 제 3 측면을 따라 제공되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태는 상술한 표시 패널 및 하우징을 포함하는 전자 기기다. 상기 하우징은, 상면, 뒷면, 제 1 측면, 제 1 측면과 접촉되는 제 2 측면, 제 1 측면과 반대쪽의 제 3 측면, 및 제 2 측면과 반대쪽의 제 4 측면을 갖는다. 제 1 측면, 제 2 측면, 제 3 측면, 및 제 4 측면 각각은 상면으로부터 뒷면까지 연속된 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 표시 패널의 제 1 표시 영역은 상면을 따라 제공되고, 이의 제 2 표시 영역은 제 1 측면을 따라 제공되고, 이의 제 3 표시 영역은 제 2 측면을 따라 제공되고, 이의 제 4 표시 영역은 제 3 측면을 따라 제공되고, 이의 제 5 표시 영역은 제 4 측면을 따라 제공되는 것이 바람직하다.
상술한 전자 기기 중 어느 하나는 표시 패널과 중첩되는 위치에 터치 센서가 더 제공되는 것이 바람직하고, 이 터치 센서는 하우징의 제 1 측면, 제 2 측면, 제 3 측면, 및 제 4 측면 중 적어도 하나와 상면을 따라 제공되는 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에서, 표시 장치는 이하의 모듈 중 어느 것을 범주에 포함할 수 있다: 표시 패널(표시 장치)에 FPC(flexible printed circuit) 또는 TCP(tape carrier package) 등의 커넥터가 부착된 모듈, 끝에 프린트 배선판이 제공된 TCP를 갖는 모듈, 및 위에 표시 소자가 형성된 기판 위에 COG(chip on glass) 방식에 의하여 직접 실장된 IC(integrated circuit)를 갖는 모듈이다.
본 발명의 일 형태에 따라, 신규 전자 기기를 제공할 수 있다. 또는 다양한 표시가 가능한 전자 기기를 제공할 수 있다. 또는 다양한 방법으로 조작될 수 있는 전자 기기를 제공할 수 있다. 또는 이런 전자 기기에 사용될 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 신규 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태는, 상술한 모든 목적을 달성할 필요는 없다. 다른 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 명백해지고, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 얻을 수 있다.
첨부되는 도면에서:
도 1의 (A) 및 (B)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 2의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 3의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 4는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 6의 (A)~(C)는 실시형태의 표시 패널의 구조예를 도시한 것이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 실시형태의 표시 패널의 구조예를 도시한 것이다.
도 8의 (A)~(C)는 실시형태의 표시 패널 및 터치 센서의 구조예를 도시한 것이다.
도 9의 (A)~(C)는 실시형태의 표시 패널의 구조예를 도시한 것이다.
도 10의 (A)~(C)는 실시형태의 표시 패널의 구조예를 도시한 것이다.
도 11의 (A)~(C)는 실시형태의 표시 패널의 구조예를 도시한 것이다.
도 12의 (A)~(D)는 CAAC-OS의 단면의 Cs보정 고해상도 TEM 이미지 및 CAAC-OS의 단면 개략도다.
도 13의 (A)~(D)는 CAAC-OS의 평면의 Cs보정 고해상도 TEM 이미지다.
도 14의 (A)~(C)는 XRD에 의한 CAAC-OS 및 단결정 산화물 반도체의 구조 분석을 나타낸 것이다.
도 15의 (A) 및 (B)는 CAAC-OS의 전자 회절 패턴을 나타낸 것이다.
도 16은 전자 조사로 인한 In-Ga-Zn 산화물의 결정부의 변화를 나타낸 것이다.
도 17의 (A) 및 (B)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 18의 (A) 및 (B)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 19의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 20의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
도 21의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 실시형태의 전자 기기의 구조예를 도시한 것이다.
실시형태를 도면을 참조하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 기재에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않고, 다양하게 변경 및 변형할 수 있다는 것은, 당업자에 의하여 쉽게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 내용에 한정되도록 해석되지 말아야 한다.
또한, 이하에 설명되는 발명의 구조에서, 같은 부분 또는 비슷한 기능을 갖는 부분은 상이한 도면에서 같은 부호로 나타내어지고, 이런 부분의 설명은 반복하지 않는다. 또한, 같은 해치 패턴을 비슷한 기능을 갖는 부분에 적용하고 상기 부분은 부호에 의하여 특별히 나타내어지지 않는 경우가 있다.
또한, 본 명세서에서 설명하는 각 도면에서, 각 구성 요소의 사이즈, 층 두께, 또는 영역은 명료를 위하여 과장되는 경우가 있다. 따라서, 본 발명의 실시형태는 이런 범위에 한정될 필요는 없다.
또한, 본 명세서 등에서, "제 1", "제 2" 등의 서수사는 구성 요소들 사이의 혼동을 피하기 위하여 사용되고 숫자에 한정되지 않는다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서, 본 발명의 일 형태의 전자 기기 및 상기 전자 기기에 사용될 수 있는 표시 패널(표시 장치라고도 함)을 도면을 참조하여 설명한다.
[전자 기기의 예]
도 1의 (A)는 이하에서 설명하는 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 1의 (B)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다.
도 1의 (A) 및 (B)에 도시된 전자 기기는 하우징(101) 및 하우징(101)의 표면에 제공된 표시 패널(110)을 포함한다.
하우징(101)은 상면, 뒷면, 제 1 측면, 제 1 측면과 접촉되는 제 2 측면, 제 1 측면과 반대쪽의 제 3 측면, 및 제 2 측면과 반대쪽의 제 4 측면을 갖는다.
표시 패널(110)은 하우징(101) 상면과 중첩되는 제 1 표시 영역(111), 하우징(101)의 측면들 중 하나와 중첩되는 제 2 표시 영역(112), 및 하우징(101)의 측면 중 또 다른 하나와 중첩되는 제 3 표시 영역(113)을 포함한다. 여기서, 하우징(101)의 제 1 측면이 제 2 표시 영역(112)과 중첩되고, 하우징(101)의 제 2 측면이 제 3 표시 영역(113)과 중첩된다고 가정한다.
하우징(101)의 4개의 측면 중, 적어도 표시 패널(110)과 중첩되는 영역은 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상면과 측면 사이 및 측면과 뒷면 사이에는 모서리부가 없고, 이들 표면이 연속되는 것이 바람직하다. 또한, 측면은, 하우징(101)의 상면으로부터 뒷면까지 접선의 경사가 연속되는 바와 같은 곡면인 것이 바람직하다. 특히, 측면은 팽창 및 수축 없이 평면을 변형함으로써 얻어진 전개 가능한 면을 갖는 것이 바람직하다.
도 1의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 제 2 표시 영역(112)은, 하우징(101)의 제 1 측면을 따라 제공되고 하우징(101)의 뒷면으로 연장되어도 좋다. 제 3 표시 영역(113)은, 하우징(101)의 제 2 측면을 따라 제공되고 하우징(101)의 뒷면으로 연장되어도 좋다. 또는 도 17의 (A) 및 (B)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 17의 (A)는 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 17의 (B)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다. 또는 도 18의 (A) 및 (B)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 18의 (A)는 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 18의 (B)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다.
표시 패널(110)에 더하여, 하드웨어 버튼, 외부 접속 단자 등이 하우징(101)의 표면에 제공되어도 좋다.
도 1의 (A) 및 (B)에는 하우징(101)의 2개의 측면이 표시 영역으로서 사용되는 경우를 나타냈지만, 표시 영역은 또 다른 측면과 중첩되어도 좋다.
도 2의 (A1) 및 (A2)는 제 4 표시 영역(114)이, 제 1 측면과 반대쪽에 있는 하우징(101)의 제 3 측면과 중첩되는 구조를 도시한 것이다. 도 2의 (B1) 및 (B2)는 제 2 측면과 반대쪽에 있는 하우징(101)의 제 4 측면과 중첩되는 제 5 표시 영역(115)이 이에 더하여 제공되는 구조를 도시한 것이다. 또는 도 19의 (A1) 및 (A2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 19의 (A1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 19의 (A2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다. 또는 도 19의 (B1) 및 (B2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 19의 (B1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 19의 (B2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다. 또는 도 20의 (A1) 및 (A2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 20의 (A1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 20의 (A2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다. 또는 도 20의 (B1) 및 (B2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 20의 (B1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 20의 (B2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다.
도 3의 (A1) 및 (A2)는 하우징(101)의 제 1 측면과 중첩되는 제 2 표시 영역(112) 및 제 1 측면과 반대쪽에 있는 하우징(101)의 제 3 측면과 중첩되는 제 4 표시 영역(114)이 제공되는 구조를 도시한 것이다. 도 3의 (B1) 및 (B2)는 하우징(101)의 제 2 측면과 중첩되는 제 3 표시 영역(113)만이 제공되는 구조를 도시한 것이다. 또는 도 21의 (A1) 및 (A2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 21의 (A1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 21의 (A2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다. 또는 도 21의 (B1) 및 (B2)에 도시된 구조가 채용되어도 좋다. 도 21의 (B1)은 전자 기기의 상면 쪽을 도시한 개략 투시도이고, 도 21의 (B2)는 이의 뒷면 쪽을 도시한 개략 투시도다.
이런 구조에 의하여, 종래의 전자 기기와 같은 하우징의 상면에 평행한 면뿐이 아니라 하우징의 측면에 평행한 면에도 표시를 수행할 수 있다. 특히, 표시의 다양성이 더 증가되기 때문에 표시 영역은 하우징의 2개 이상의 측면을 따라 제공되는 것이 바람직하다.
하우징(101)의 상면을 따라 제공되는 제 1 표시 영역(111) 및 하우징(101)의 측면을 따라 제공되는 표시 영역이 독립적으로 표시 영역으로서 사용되어 상이한 화상 등을 표시하여도 좋고, 또는 2종 이상의 표시 영역이 하나의 화상 등을 표시하여도 좋다. 예를 들어, 연속된 화상이 하우징(101)의 상면을 따라 제공되는 제 1 표시 영역(111), 하우징(101)의 측면을 따라 제공되는 제 2 표시 영역(112) 등에 표시되어도 좋다.
도 4는 도 2의 (A1) 및 (A2)에 도시된 전자 기기의 사용 상태의 예를 나타낸 것이다. 도 4에서, 텍스트 데이터(122), 애플리케이션 등에 관련된 복수의 아이콘(121) 등이 하우징(101)의 상면을 따라 제공되는 제 1 표시 영역(111)에 표시된다. 애플리케이션 등에 관련된 아이콘(123) 등은 하우징(101)의 제 1 측면을 따라 제공되는 제 2 표시 영역(112)에 표시된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 표시는 텍스트 데이터(124) 등이 하우징(101)의 측면을 따라 제공되는 복수의 표시 영역(여기서, 제 3 표시 영역(113) 및 제 2 표시 영역(112))에 걸쳐 흐르도록(이동되도록) 수행될 수 있다. 이와 같이, 하우징의 2개 이상의 면에 걸쳐 표시가 수행됨으로써, 예컨대 전화를 수신할 때 전자 기기의 방향에 상관없이 표시된 데이터를 사용자가 놓치는 것을 방지할 수 있다.
또한, 예컨대 전화 또는 e-메일을 수신할 때, 송신자 정보(예컨대 송신자의 이름, 전화번호, e-메일 어드레스 등)가 제 1 표시 영역(111)뿐이 아니라 제 2 표시 영역(112) 등의 측면을 따라 제공되는 표시 영역에도 표시되어도 좋다. 도 4는 e-메일이 수신되면 송신자 정보가 제 2 표시 영역(112) 및 제 3 표시 영역(113)에 걸쳐 흐르도록 표시되는 경우의 예를 나타낸 것이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 상기와 상이한 전자 기기의 사용 상태의 예를 나타낸 것이다. 도 5의 (A)에서, 복수의 아이콘(121)이 제 1 표시 영역(111)에 표시되고 슬라이드 바(125)가 제 2 표시 영역(112)에 표시된다. 슬라이드 바가 위 또는 아래로 이동되도록 슬라이드 바(125)를 손가락(126) 등으로 터치함으로써, 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이 제 1 표시 영역(111)에 표시되는 아이콘(121) 등의 표시 내용이 이에 따라 위 및 아래로 슬라이드된다. 도 5의 (A) 및 (B)는 손가락(126)으로 슬라이드 바(125)를 아래로 슬라이드함으로써 복수의 아이콘(121) 등의 화상이 제 1 표시 영역(111)으로부터 제 3 표시 영역(113)으로 위로 슬라이드되는 상태를 도시한 것이다.
여기서 제 1 표시 영역(111)에 표시되는 화상이 아이콘인 경우를 나타내지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않으며, 시작된 애플리케이션에 따라, 텍스트, 정지화상, 및 동영상 등의 다양한 데이터를 표시 및 슬라이드할 수 있다. 슬라이드 바(125)의 위치는 제 2 표시 영역(112)에 한정되지 않고, 슬라이드 바(125)는 제 1 표시 영역(111), 제 3 표시 영역(113), 제 4 표시 영역(114) 등에 제공되어도 좋다.
전자 기기가 사용되지 않는 대기 시간 동안, 하우징(101)의 상면을 따라 제공되는 제 1 표시 영역(111)에서의 표시가 오프(예컨대 검은색 표시)되어도 좋고, 데이터가 측면을 따라 제공되는 제 2 표시 영역(112) 등에만 표시되어도 좋다. 다른 표시 영역의 면적보다 큰 면적을 갖는 제 1 표시 영역(111)에서의 표시가 수행되지 않음으로써 대기 시간에서의 소비전력을 저감할 수 있다.
표시 패널(110)과 중첩되는 위치, 구체적으로는 표시 영역과 중첩되는 영역에 터치 센서가 제공되는 것이 바람직하다. 터치 센서로서, 시트 형태의 정전용량 터치 센서가 표시 패널(110)과 중첩되도록 제공될 수 있다. 또는 터치 센서 기능을 갖는 소위 인셀 터치 패널이 표시 패널(110) 자체로서 제공되어도 좋다. 인셀 터치 패널에 정전용량 터치 센서가 사용되어도 좋고 또는 광전 변환 소자를 사용하는 광학 터치 센서가 사용되어도 좋다.
예를 들어, 도 4에 도시된 구조에서, 제 1 표시 영역(111), 제 2 표시 영역(112), 제 3 표시 영역(113), 및 제 4 표시 영역(114)에 대한 터치 조작의 조합이 애플리케이션 동작과 관련되는 것이 바람직하다.
제 2 표시 영역(112), 제 3 표시 영역(113), 및 제 4 표시 영역(114)에 대한 터치 조작의 조합과 애플리케이션 동작 사이의 관계의 예를 이하의 표에 나타낸다. 예를 들어, 전원 온/오프 동작은, 3개 모든 표시 영역이 터치될 때 수행된다. 제 2 표시 영역(112)과 제 4 표시 영역(114)이 동시에 터치될 때, e-메일과 관련되는 애플리케이션이 시작되고 e-메일의 내용을 동시에 표시한다. 제 2 표시 영역(112)과 제 3 표시 영역(113)이 동시에 터치될 때, 전화를 걸기 위한 애플리케이션이 시작된다. 제 3 표시 영역(113)과 제 4 표시 영역(114)이 동시에 터치될 때, 브라우저가 시작된다.
[표 1]
터치 조작과 애플리케이션 사이의 상술한 조합은 일례이고, 운영 체계 또는 애플리케이션 소프트웨어의 개발자 또는 사용자가 적절히 조합을 결정할 수 있는 것이 바람직하다.
또는 애플리케이션 동작은, 제 1 표시 영역(111)이 터치되는 상태에서 제 2~제 4 표시 영역 중의 1개 이상을 터치함으로써 수행되고, 이 경우 의도하지 않는 동작이 시작되기 어렵게 될 수 있다.
상술한 바와 같이, 복수의 영역에서의 터치 조작의 조합과 애플리케이션 동작을 관련지음으로써 직관적인 동작이 가능하고, 따라서, 사용자 친화적(user-friendly)인 휴먼 인터페이스를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 형태의 전자 기기는 하우징의 상면뿐이 아니라 2개 이상의 측면을 따라 표시를 수행할 수 있어, 표시는 종래의 전자 기기에 비하여 다양한 방법으로 수행할 수 있다. 또한, 터치 센서는 각 표시 영역에 제공되어 종래의 전자 기기에 비하여 다양한 조작이 수행될 수 있고 더 직관적인 조작이 가능한 전자 기기를 얻을 수 있다.
또한, 표시 패널(110)을 사용하여 다양한 표시가 수행되는 경우의 예를 여기서 나타내지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상황 또는 조건에 따라, 데이터가 반드시 표시될 필요는 없다. 예로서, 전자 기기는 표시 패널(110)이 아니라 조명 장치로서 사용되어도 좋다. 조명 장치로서 기기를 사용함으로써 매력적인 디자인을 갖는 인테리어 조명으로서 사용될 수 있다. 또는, 다양한 방향을 비출 수 있는 조명으로서 사용될 수 있다. 또는 표시 패널(110)이 아니라 광원, 예컨대 백 라이트 또는 프런트 라이트로서 사용되어도 좋다. 바꿔 말하면 표시 패널을 위한 조명 장치로서 사용되어도 좋다.
[표시 패널의 구조예]
다음에, 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 사용될 수 있는 표시 패널의 구조예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 6의 (A)는 이하에서 설명하는 표시 패널(110)의 상면 개략도다. 표시 패널(110)은 플렉시블 기판(102) 및 상기 기판(102) 위의 복수의 화소를 포함한다. 표시 패널(110)은 제 1 표시 영역(111), 제 2 표시 영역(112), 제 3 표시 영역(113), 및 제 4 표시 영역(114)을 포함한다. 또한, 표시 영역의 상이한 해칭 패턴이 명시를 위하여 여기서 사용된다.
제 1 표시 영역(111)의 윤곽은 사각형이다. 제 2 표시 영역(112)은 제 1 표시 영역(111)의 윤곽을 형성하는 4개의 변 중 하나(제 1 변(131))에 접촉하여 제공된다. 제 1 표시 영역(111)의 폭은 제 1 변(131)과 평행한 방향에서의 제 2 표시 영역(112)의 폭과 일치하는 것이 바람직하다. 제 3 표시 영역(113)은 제 1 변(131)에 접촉되는 제 2 변(132)과 접촉하여 제공된다. 제 1 표시 영역(111)의 폭은 제 2 변(132)과 평행한 방향에서의 제 3 표시 영역(113)의 폭과 일치하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 변(131)과 제 2 변(132)에 의하여 형성되는 모서리부(제 1 모서리부)는 제 2 표시 영역(112)의 모서리부들 중 하나 및 제 3 표시 영역(113)의 모서리부들 중 하나와 합쳐지는 것이 바람직하다.
도 6의 (A)에 도시된 바와 같이, 기판(102)은, 제 1 변(131)과 제 2 변(132)에 의하여 형성되는 제 1 모서리부를 개재하여 제 1 표시 영역(111)과 대향하는 영역에서 노치부(138)를 포함한다. 노치부(138)로 인하여, 제 2 표시 영역(112) 및 제 3 표시 영역(113)을 상이한 방향으로 굽힐 수 있다.
도 6의 (A)는 제 4 표시 영역(114)이 제 1 변(131)과 반대쪽의 제 3 변(133)과 접촉되어 제공되는 구조를 도시한 것이다. 제 4 표시 영역(114)의 모서리부들 중 하나는 제 2 변(132)과 제 3 변(133)에 의하여 형성된 제 2 모서리부와 합쳐지는 것이 바람직하다. 기판(102)은, 제 2 모서리부를 개재하여 제 1 표시 영역(111)과 대향하는 영역에서 노치부(138)와 비슷한 노치부를 포함한다. 이런 구조에 의하여 제 4 표시 영역(114) 및 제 3 표시 영역(113)을 상이한 방향으로 굽힐 수 있다.
기판(102)의 일부에는 화소를 구동하기 위한 신호 및 전력을 공급하는 FPC(103)가 제공된다. 도 6의 (A)에는 IC(104)가 COF법에 의하여 FPC(103)에 실장되는 구조를 도시하였지만 IC(104)는 반드시 제공될 필요는 없다. IC(104)는 COF법에 의하여 기판(102)에 직접 실장되어도 좋다. 여기서, FPC(103)의 폭은 제 1 표시 영역(111)보다 작은 것이 바람직하다. 따라서, 특히 제 2 표시 영역(112) 및 제 4 표시 영역(114)이 구부러지고 제 1 표시 영역(111)이 평탄한 경우에, FPC(103)와 기판(102)의 접합부가 구부러지지 않아 FPC(103)가 벗겨지는 것을 방지할 수 있다.
도 6의 (B)는 도 6의 (A)에서의 영역(A)이 확장된 상면 개략도다.
도 6의 (B)에서, 제 1 표시 영역(111) 및 제 2 표시 영역(112)에 대하여 제 1 표시 영역(111) 및 제 2 표시 영역(112)에 포함되는 화소를 구동하기 위한 신호를 출력하는 제 1 구동 회로(141) 및 제 3 표시 영역(113)에 대하여 제 3 표시 영역(113)에 포함되는 화소를 구동하기 위한 신호를 출력하는 제 2 구동 회로(142)가 제공된다. 제 1 구동 회로(141)는 제 1 변(131)과 반대쪽에 있는 제 2 표시 영역(112)의 변을 따라 제공된다. 제 2 구동 회로(142)는 제 1 변(131)이 연장되는 방향에서의 변인 제 3 표시 영역(113)의 변을 따라 제공된다. 제 1 구동 회로(141) 및 제 2 구동 회로(142)는 배선(145)을 통하여 서로 전기적으로 접속되고 FPC(103)로부터 입력된 신호는 배선(145)을 통하여 제 2 구동 회로(142)에 공급될 수 있다.
도 6의 (C)는 도 6의 (B)와 상이한 구조를 도시한 것이다. 도 6의 (C)에서, 구동 회로(143)는 제 1 구동 회로(141) 대신에 제공된다. 구동 회로(143)는 제 1 표시 영역(111) 및 제 2 표시 영역(112)에 포함되는 화소를 구동하기 위한 신호 및 제 3 표시 영역(113)에 포함되는 화소를 구동하기 위한 신호를 출력할 수 있다. 구동 회로(143)로부터 출력되는 신호는 배선(146)을 통하여 제 3 표시 영역(113)에서의 화소에 전기적으로 접속되는 배선에 출력할 수 있다.
제 1 구동 회로(141), 제 2 구동 회로(142), 및 구동 회로(143) 각각으로서, 예컨대 게이트 구동 회로 또는 소스 구동 회로로서 기능하는 회로가 사용될 수 있고, 바람직하게는 게이트 구동 회로가 사용된다. 이 경우, IC(104)는 소스 구동 회로로서의 기능을 갖는 것이 바람직하다.
기판(102) 위에 구동 회로를 포함하는 소위 드라이버 통합형 표시 패널을 여기서 설명하지만, 구동 회로가 반드시 기판(102) 위에 제공될 필요는 없다.
상술한 바와 같이, 제 3 표시 영역(113)에 포함되는 화소를 구동하기 위한 신호를 출력하는 제 2 구동 회로(142) 또는 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 공급하는 배선(146)이 제 3 표시 영역(113)의 변을 따라 제공되어, 노치부(138)의 면적을 증가시킬 수 있고 표시 패널(110)의 표면적에 대한 비표시부의 면적을 저감할 수 있다. 도 5의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 제 3 표시 영역(113)이 구부러지는 경우, 도 6의 (C)에 도시된 바와 같이, 구동 회로가 굽힘부에 제공되지 않는 구조가 바람직하다. 구동 회로에서의 트랜지스터 등의 반도체 소자의 전기 특성이 구부러짐으로 인한 응력 때문에 변화될 수 있으므로, 구동 회로로부터의 출력 신호의 불안정을 이런 구조에 의하여 방지할 수 있다.
도 6의 (A)~(C)는 제 1~제 4 표시 영역이 제공되는 구조를 도시한 것이지만, 제 1~제 3 표시 영역이 제공되어도 좋고, 또는 제 5 표시 영역(115)이 추가적으로 제공되어도 좋다. 도 7의 (A)는 제 5 표시 영역(115)이 제공되는 경우를 나타내는 상면 개략도다. 제 5 표시 영역(115)과 제 2 표시 영역(112) 사이의 배선 및 구동 회로는 도 6의 (B) 또는 (C)에서의 것과 비슷한 구조를 가질 수 있다.
또한, 도 7의 (B)는 FPC(103a)가 제공되는 구조의 예를 도시한 것이다. FPC(103a)는 예컨대 상술한 구동 회로에 신호 및 전력을 공급하는 기능을 갖는다. 표시 패널(110)이 구동 회로를 포함하지 않는 경우, IC는 COF법 등에 의하여 FPC(103a)에 실장되어도 좋다.
여기서, 표시 패널(110)에서의 표시 영역에 포함되는 화소 또는 구동 회로에 사용되는 트랜지스터 등의 반도체 장치에 산화물 반도체가 사용되는 것이 바람직하다. 특히, 실리콘보다 넓은 밴드갭을 갖는 산화물 반도체가 사용되는 것이 바람직하다. 트랜지스터의 오프 상태 전류가 저감되기 때문에 실리콘보다 넓은 밴드갭 및 낮은 캐리어 밀도를 갖는 반도체 재료가 사용되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 산화물 반도체는 적어도 인듐(In) 또는 아연(Zn)을 포함하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 산화물 반도체는 In-M-Zn계 산화물(M은 Al, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, 또는 Hf 등의 금속)에 의하여 나타내어지는 산화물을 포함한다.
반도체층으로서, c축이 산화물 반도체막이 형성되는 면 또는 산화물 반도체막의 상면에 수직으로 정렬되고 인접된 결정부들이 그레인 바운더리를 갖지 않는 복수의 결정부를 포함하는 산화물 반도체막을 사용하는 것이 바람직하다.
이런 산화물 반도체에는 그레인 바운더리가 없으므로 표시 패널이 구부러질 때의 응력으로 인한, 산화물 반도체막에서의 크랙의 발생이 방지된다. 그러므로, 이런 산화물 반도체는 구부러진 상태에서 사용되는 플렉시블 표시 패널 등에 바람직하게 사용될 수 있다.
반도체층에 이런 재료를 사용함으로써 전기 특성에서의 변화가 억제되는, 신뢰성이 높은 트랜지스터를 제공할 수 있다.
트랜지스터의 오프 상태 전류가 낮기 때문에 트랜지스터를 통하여 커패시터에 축적된 전하를 긴 시간 유지할 수 있다. 이런 트랜지스터가 화소에 사용될 때, 각 표시 영역에 표시된 화상의 그레이 스케일이 유지되면서, 구동 회로는 정지될 수 있다. 결과적으로 매우 낮은 소비 전력을 갖는 전기 기기를 얻을 수 있다.
또한, 반도체층에 사용될 수 있는 산화물 반도체의 바람직한 형태 및 형성 방법의 상세는 이하의 실시형태에서 설명한다.
또는, 다결정 반도체가 표시 패널(110)에서의 표시 영역에 포함되는 화소 또는 구동 회로에 사용되는 트랜지스터 등의 반도체 장치에 사용되어도 좋다. 예를 들어, 다결정 실리콘 등이 바람직하게 사용된다. 다결정 실리콘은 단결정 실리콘보다 낮은 온도로 형성될 수 있고, 비정질 실리콘보다 높은 전계 효과 이동도 및 높은 신뢰성을 갖는다. 이런 다결정 반도체가 화소에 사용되면, 화소의 구경비를 향상시킬 수 있다. 화소가 매우 높은 해상도로 제공되는 경우조차 게이트 구동 회로 및 소스 구동 회로는 위에 화소가 형성된 기판 위에 형성될 수 있고, 전자 기기의 구성 요소의 개수를 저감할 수 있다.
여기서, 도 8의 (A)~(C)는 시트 형태의 터치 센서가 표시 패널(110)과 중첩되도록 제공되는 예를 도시한 것이다.
도 8의 (A)는 FPC(103)가 제공된 표시 패널(110)의 일부가 구부러지는 상태를 도시한 것이다. 도 8의 (B)는 시트 형태의 터치 센서(105)가 표시 패널(110)의 곡면을 따라 구부러지는 상태를 도시한 것이다. 터치 센서(105)에는 FPC(106)가 제공된다.
도 8의 (C)는 표시 패널(110)과 터치 센서(105)가 서로 중첩되는 상태를 도시한 것이다. 여기서, 도 8의 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110)에 제공된 FPC(103)와 터치 센서(105)에 제공된 FPC(106)가 서로 중첩되지 않는 것이 바람직하다. 그러므로 표시 패널(110) 및 터치 센서(105)는 같은 형상을 갖지 않는 것이 바람직하고, FPC(103) 또는 FPC(106)가 부착된 영역에서 표시 패널(110) 및 터치 센서(105)는 서로 중첩되지 않도록 상이한 형상을 갖는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 표시 패널(110)과 시트 형태의 터치 센서(105)가 서로 중첩되고 하우징(101)에 내장되어, 터치 기능이 하우징의 상면뿐이 아니라 측면 및 뒷면의 일부에도 부가될 수 있다.
본 실시형태의 적어도 일부는 본 명세서에 설명된 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합하여 실행될 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서, 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 사용될 수 있는 터치 패널의 구조를 도 9의 (A)~(C)를 참조하여 설명한다.
도 9의 (A)는 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 사용될 수 있는 터치 패널의 구조를 도시한 상면도다.
도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 선 A-B 및 선 C-D를 따른 단면도다.
도 9의 (C)는 도 9의 (A)의 선 E-F를 따른 단면도다.
<상면도>
본 실시형태에서 예로서 설명하는 터치 패널(300)은 표시부(301)를 포함한다(도 9의 (A) 참조).
표시부(301)는 복수의 화소(302) 및 복수의 이미징(imaging) 화소(308)를 포함한다. 이미징 화소(308)는 표시부(301)에 대한 손가락 등의 터치를 검지할 수 있다. 따라서 이미징 화소(308)를 사용하여 터치 센서를 형성할 수 있다.
각 화소(302)는 복수의 부화소(예컨대 부화소(302R))를 포함한다. 또한, 부화소에는 발광 소자와, 발광 소자를 구동하기 위한 전력을 공급할 수 있는 화소 회로가 제공된다.
화소 회로는 선택 신호를 공급하는 배선 및 화상 신호를 공급하는 배선에 전기적으로 접속된다.
또한, 터치 패널(300)에는 선택 신호를 화소(302)에 공급할 수 있는 주사선 구동 회로(303g(1))와, 화상 신호를 화소(302)에 공급할 수 있는 화상 신호선 구동 회로(303s(1))가 제공된다.
이미징 화소(308)는 광전 변환 소자와, 이 광전 변환 소자를 구동시키는 이미징 화소 회로를 포함한다.
이미징 화소 회로는 제어 신호를 공급하는 배선 및 전원 전위를 공급하는 배선에 전기적으로 접속된다.
제어 신호의 예에는, 기록된 이미징 신호가 판독되는 이미징 화소 회로를 선택하기 위한 신호, 이미징 화소 회로를 초기화하기 위한 신호, 및 이미징 화소 회로가 광을 검지하는 데 걸리는 시간을 결정하기 위한 신호가 포함된다.
터치 패널(300)에는 제어 신호를 이미징 화소(308)에 공급할 수 있는 이미징 화소 구동 회로(303g(2))와, 이미징 신호를 판독하는 이미징 신호선 구동 회로(303s(2))가 제공된다.
<단면도>
터치 패널(300)은 기판(310)과, 기판(310)과 대향하는 카운터 기판(370)을 포함한다(도 9의 (B) 참조).
기판(310)은 플렉시블 기판(310b), 발광 소자로의 의도하지 않은 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(310a), 및 배리어막(310a)을 기판(310b)에 부착하는 부착층(310c)이 적층된 적층체다.
카운터 기판(370)은 플렉시블 기판(370b), 발광 소자로의 의도하지 않은 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(370a), 및 배리어막(370a)을 기판(370b)에 부착하는 부착층(370c)을 포함하는 적층체다(도 9의 (B) 참조).
실란트(360)는 카운터 기판(370)과 기판(310)을 부착시킨다. 광학 부착층으로서도 기능하는 실란트(360)는 굴절률이 대기보다 높다. 화소 회로 및 발광 소자(예컨대 발광 소자(350R))는 기판(310)과 카운터 기판(370) 사이에 제공된다.
≪화소의 구조≫
각 화소(302)는 부화소(302R), 부화소(302G), 및 부화소(302B)를 포함한다(도 9의 (C) 참조). 부화소(302R)는 발광 모듈(380R)을 포함하고, 부화소(302G)는 발광 모듈(380G)을 포함하고, 부화소(302B)는 발광 모듈(380B)을 포함한다.
예를 들어, 부화소(302R)는 발광 소자(350R)와, 발광 소자(350R)에 전력을 공급할 수 있으며 트랜지스터(302t)를 포함하는 화소 회로를 포함한다(도 9의 (B) 참조). 또한, 발광 모듈(380R)은 발광 소자(350R)와, 광학 소자(예컨대 착색층(367R))를 포함한다.
발광 소자(350R)는 하부 전극(351R), 상부 전극(352), 및 하부 전극(351R)과 상부 전극(352) 사이의 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(353)을 포함한다(도 9의 (C) 참조).
발광성 유기 화합물을 포함하는 층(353)은 발광 유닛(353a), 발광 유닛(353b), 및 발광 유닛(353a)과 발광 유닛(353b) 사이의 중간층(354)을 포함한다.
발광 모듈(380R)은 카운터 기판(370)에 착색층(367R)을 포함한다. 착색층은 특정 파장의 광을 투과시키고, 예컨대 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 선택적으로 투과시키는 층이다. 또한, 발광 소자로부터 방출되는 광을 그대로 투과시키는 영역이 제공되어도 좋다.
발광 모듈(380R)은 예컨대, 발광 소자(350R) 및 착색층(367R)과 접촉되는 실란트(360)를 포함한다.
착색층(367R)은 발광 소자(350R)와 중첩되는 영역에 위치된다. 따라서, 발광 소자(350R)로부터 방출되는 광의 일부는 광학 부착층으로서도 기능하는 실란트(360) 및 착색층(367R)을 통과하여 도 9의 (B) 및 (C) 중 화살표로 가리켜진 바와 같이 발광 모듈(380R) 외부로 방출된다.
또한 여기서 발광 소자가 표시 소자로서 사용되는 경우를 설명하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 본 명세서 등에서, 표시 소자, 표시 소자를 포함하는 장치인 표시 장치, 발광 소자, 및 발광 소자를 포함하는 장치인 발광 장치는 다양한 형태를 채용할 수 있거나 또는 다양한 소자를 포함할 수 있다. 표시 소자, 표시 장치, 발광 소자, 또는 발광 장치의 예에는, 전자기적 작용에 의하여 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화되는 표시 매체인, EL(electroluminescent) 소자(예컨대 유기 및 무기 재료를 포함하는 EL 소자, 유기 EL 소자, 또는 무기 EL 소자), LED(예컨대 백색 LED, 적색 LED, 녹색 LED, 또는 청색 LED), 트랜지스터(전류에 따라 광을 방출하는 트랜지스터), 전자 방출체, 액정 소자, 전자 잉크, 전기 영동 소자, GLV(grating light valve), PDP(plasma display panel), MEMS(micro electro mechanical system), DMD(digital micromirror device), DMS(digital micro shutter), MIRASOL(등록 상표), IMOD(interferometric modulator display) 소자, 전기 습윤 소자, 압전 세라믹 디스플레이, 또는 카본 나노튜브가 포함된다. EL 소자를 갖는 표시 장치의 예에는 EL 디스플레이가 포함된다. 전자 방출체를 포함하는 표시 장치의 예에는 FED(field emission display) 및 SED 방식의 평판 디스플레이(SED: surface-conduction electron-emitter display)가 포함된다. 액정 소자를 포함하는 표시 장치의 예에는 액정 디스플레이(예컨대 투과형 액정 디스플레이, 반투과형(transflective) 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 또는 투사형 액정 디스플레이)가 포함된다. 전자 잉크 또는 전기 영동 소자를 갖는 표시 장치에는 전자 페이퍼 등이 포함된다.
≪터치 패널의 구조≫
터치 패널(300)은 카운터 기판(370)에 차광층(367BM)을 포함한다. 차광층(367BM)은 착색층(예컨대 착색층(367R))을 둘러싸도록 제공된다.
터치 패널(300)은 표시부(301)와 중첩되는 영역에 위치된 반사 방지층(367p)을 포함한다. 반사 방지층(367p)으로서 예컨대 원편광판을 사용할 수 있다.
터치 패널(300)은 절연막(321)을 포함한다. 절연막(321)은 트랜지스터(302t)를 덮는다. 또한, 절연막(321)은 화소 회로로 인한 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용될 수 있다. 트랜지스터(302t) 등으로의 불순물의 확산을 방지할 수 있는 층이 적층된 절연막을 절연막(321)으로서 사용할 수 있다.
터치 패널(300)은 절연막(321) 위에 발광 소자(예컨대 발광 소자(350R))를 포함한다.
터치 패널(300)은 절연막(321) 위에, 하부 전극(351R)의 단부와 중첩되는 격벽(328)을 포함한다(도 9의 (C) 참조). 또한, 격벽(328) 상에 기판(310)과 카운터 기판(370) 사이의 거리를 제어하는 스페이서(329)가 제공된다.
≪화상 신호선 구동 회로의 구조≫
화상 신호선 구동 회로(303s(1))는 트랜지스터(303t) 및 커패시터(303c)를 포함한다. 또한, 상기 구동 회로는 화소 회로와 같은 기판 위에 같은 공정으로 형성될 수 있다. 도 9의 (B)에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(303t)는 절연막(321) 위에 제 2 게이트를 포함하여도 좋다. 제 2 게이트는 트랜지스터(303t)의 게이트와 전기적으로 접속되어도 좋고 또는 상이한 전위가 이들에 공급되어도 좋다. 제 2 게이트는 필요가 있으면 이하에 설명된 트랜지스터(308t), 트랜지스터(302t) 등에 제공되어도 좋다.
≪이미징 화소의 구조≫
각 이미징 화소(308)는 광전 변환 소자(308p)와, 광전 변환 소자(308p)에 의하여 받아들인 광을 검지하기 위한 이미징 화소 회로를 포함한다. 이미징 화소 회로는 트랜지스터(308t)를 포함한다.
예를 들어, PIN 포토다이오드를 광전 변환 소자(308p)로서 사용할 수 있다.
≪다른 구조≫
터치 패널(300)은 신호를 공급할 수 있는 배선(311)을 포함한다. 배선(311)에는 단자(319)가 제공된다. 또한, 화상 신호 또는 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(309(1))가 단자(319)에 전기적으로 접속된다.
또한, PWB(printed wiring board)가 FPC(309(1))에 부착되어도 좋다.
같은 공정에서 형성된 트랜지스터가 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 트랜지스터(308t) 등으로서 사용될 수 있다.
보텀 게이트형, 톱 게이트형 등의 트랜지스터가 사용될 수 있다.
트랜지스터의 게이트, 소스, 및 드레인, 및 터치 패널에 포함되는 배선 또는 전극으로서, 알루미늄, 타이타늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 몰리브데넘, 은, 탄탈럼, 및 텅스텐의 금속 중 어느 것, 또는 이들 금속 중 어느 것을 주성분으로서 포함하는 합금을 사용한 단층 구조 또는 적층 구조를 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘을 포함하는 알루미늄막의 단층 구조, 타이타늄막 위에 알루미늄막이 적층되는 2층 구조, 텅스텐막 위에 알루미늄막이 적층되는 2층 구조, 구리-마그네슘-알루미늄 합금막 위에 구리막이 적층되는 2층 구조, 타이타늄막 위에 구리막이 적층되는 2층 구조, 텅스텐막 위에 구리막이 적층되는 2층 구조, 타이타늄막 또는 질화 타이타늄막, 알루미늄막 또는 구리막, 및 타이타늄막 또는 질화 타이타늄막이 이 차례로 적층되는 3층 구조, 몰리브데넘막 또는 질화 몰리브데넘막, 알루미늄막 또는 구리막, 및 몰리브데넘막 또는 질화 몰리브데넘막이 이 차례로 적층되는 3층 구조 등을 들 수 있다. 또한, 산화 인듐, 산화 주석, 또는 산화 아연을 포함하는 투명 도전 재료가 사용되어도 좋다. 에칭에 의한 형상의 제어성이 증가되므로 망가니즈를 포함하는 구리가 사용되는 것이 바람직하다.
상술한 산화물 반도체는 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 또는 트랜지스터(308t) 등의 트랜지스터의 채널이 형성되는 반도체로서 사용되는 것이 바람직하다. 산화물 반도체의 바람직한 형태의 상세는 이하의 실시형태에서 설명한다.
또는 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 또는 트랜지스터(308t) 등의 트랜지스터의 채널이 형성되는 반도체로서 실리콘이 사용되어도 좋다. 실리콘으로서 비정질 실리콘이 사용되어도 좋지만, 결정성을 갖는 실리콘이 특히 바람직하다. 예를 들어, 미결정 실리콘, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 등이 사용되는 것이 바람직하다. 특히, 다결정 실리콘이 단결정 실리콘보다 낮은 온도로 형성될 수 있고, 비정질 실리콘보다 높은 전계 효과 이동도 및 높은 신뢰성을 갖는다. 이런 다결정 반도체가 화소에 사용될 때, 화소의 구경비를 향상시킬 수 있다. 화소가 매우 높은 선명도로 포함되는 경우조차 게이트 구동 회로 및 소스 구동 회로는 위에 화소가 형성된 기판 위에 형성될 수 있고, 전자 기기에 포함되는 구성 요소의 개수를 저감할 수 있다.
여기서, 플렉시블 표시 패널을 형성하는 방법을 설명한다.
여기서, 화소 및 구동 회로를 포함하는 구조 또는 컬러 필터 등의 광학 부재를 포함하는 구조를 편의상 소자층이라고 한다. 예를 들어, 소자층은 표시 소자를 포함하고, 표시 소자에 더하여 표시 소자에 전기적으로 접속된 배선, 또는 화소 또는 회로에 사용된 트랜지스터 등의 소자를 포함하여도 좋다.
여기서, 위에 소자층이 형성된 절연 표면이 제공된 지지체를 모재(base material)라고 부른다.
가요성을 갖는 절연 표면이 제공된 모재 위에 소자층을 형성하기 위한 방법으로서, 소자층을 모재 위에 직접 형성하는 방법, 및 소자층을 모재와 다른, 강성(stiffness)을 갖는 지지 모재 위에 형성하고 나서, 소자층을 지지 모재로부터 분리하고 모재로 이동하는 방법이 있다.
모재의 재료가 소자층을 형성하기 위한 공정에서의 가열 온도에 견딜 수 있는 경우, 소자층을 모재 위에 직접 형성하면, 제조 공정을 단순화시킬 수 있어 바람직하다. 이때, 소자층을 모재가 지지 모재에 고정되는 상태로 형성하는 경우, 장치에서의 및 장치들 사이에서의 소자층의 이동을 쉽게 할 수 있어 바람직하다.
소자층을 지지 모재 위에 형성하고 나서 모재로 이동하는 방법을 채용하는 경우, 먼저, 분리층 및 절연층을 지지 모재 위에 적층하고 나서, 소자층을 상기 절연층 위에 형성한다. 이 후, 소자층을 지지 모재로부터 분리하고 나서, 모재로 이동한다. 이때, 재료는 지지 모재와 분리층 사이의 계면, 분리층과 절연층 사이의 계면, 또는 분리층에서 분리가 일어나도록 선택된다.
예를 들어, 텅스텐 등의 고융점 금속 재료를 포함하는 층과, 상기 금속 재료의 산화물을 포함하는 층의 적층이 분리층으로서 사용되고, 질화 실리콘층 및 산화질화 실리콘층 등의 복수의 층의 적층이 분리층 위에 사용되는 것이 바람직하다. 소자층을 형성하는 공정의 자유도가 증가될 수 있기 때문에 고융점 금속 재료가 사용되는 것이 바람직하다.
분리는, 기계적인 힘의 부여, 분리층의 에칭, 분리 계면의 일부에 액체를 흘려 분리 계면 전체에 스며드는 것 등에 의하여 수행되어도 좋다. 또는 분리는 열팽창 계수의 차이를 이용함으로써 분리 계면을 가열함으로써 수행되어도 좋다.
박리가 지지 모재와 절연층 사이의 계면에서 일어날 수 있는 경우, 박리층은 반드시 제공될 필요는 없다. 예를 들어, 유리가 지지 모재로서 사용되고, 폴리이미드 등의 유기 수지가 절연층으로서 사용되고, 레이저광 등에 의하여 유기 수지의 일부를 국부적으로 가열함으로써 박리의 계기가 형성되고, 박리가 유리와 절연층 사이의 계면에서 수행되어도 좋다. 또는 금속층이 지지 모재와 유기 수지로 형성되는 절연층 사이에 제공되고, 전류를 상기 금속층에 공급함으로써 상기 금속층을 가열함으로써 금속층과 절연층 사이의 계면에서 분리가 수행되어도 좋다. 이 경우, 유기 수지로 형성된 절연층은 모재로서 사용될 수 있다.
가요성을 갖는 이런 모재의 예에는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 및 폴리염화바이닐 수지가 포함된다. 특히, 열팽창 계수가 낮은, 예컨대 30×10-6/K 이하의 재료가 바람직하고, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리이미드 수지, 또는 PET를 적합하게 사용할 수 있다. 섬유체에 수지가 함침(含浸)된 기판(프리프레그라고도 함), 또는 무기 필러(filler)를 유기 수지에 섞어서 열팽창 계수를 저감시킨 기판을 사용할 수도 있다.
상술한 재료에 섬유체가 포함되는 경우, 섬유체로서는 유기 화합물 또는 무기 화합물의 고강도 섬유를 사용한다. 고강도 섬유는 구체적으로, 인장 탄성률이 높은 섬유 또는 영률(Young's modulus)이 높은 섬유다. 이의 대표적인 예에는 폴리바이닐알코올계 섬유, 폴리에스터계 섬유, 폴리아마이드계 섬유, 폴리에틸렌계 섬유, 아라미드계 섬유, 폴리파라페닐렌벤조비스옥사졸 섬유, 유리 섬유, 및 탄소 섬유가 포함된다. 유리 섬유로서, E유리, S유리, D유리, Q유리 등을 사용한 유리 섬유를 사용할 수 있다. 이들 섬유는 직포(woven fabric) 또는 부직포(nonwoven fabric) 상태로 사용되어도 좋고, 이 섬유체에는 수지가 함유되고 이 수지를 경화시킨 구조체를 플렉시블 기판으로서 사용하여도 좋다. 플렉시블 기판으로서 섬유체와 수지를 포함하는 구조체를 사용하는 경우, 구부림 또는 국소적인 압력으로 인한 파괴에 대한 신뢰성을 증가시킬 수 있어 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 위하여, 액티브 소자가 화소에 포함되는 액티브 매트릭스 방식 또는 액티브 소자가 화소에 포함되지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식에서, 액티브 소자(비선형 소자)로서 트랜지스터뿐만 아니라 다양한 액티브 소자(비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal), TFD(Thin Film Diode) 등을 사용할 수도 있다. 이와 같은 소자는 제조 공정수가 적으므로 제조 비용이 저감될 수 있거나 또는 수율이 향상될 수 있다. 또는, 상기 소자의 크기는 작기 때문에 구경비를 향상시킬 수 있어, 소비 전력을 저감할 수 있거나 또는 높은 휘도를 달성할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식 이외의 방식으로서, 액티브 소자(비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수도 있다. 액티브 소자(비선형 소자)가 사용되지 않으면, 제조 공정수가 적어, 제조 비용이 저감될 수 있거나 또는 수율이 향상될 수 있다. 또는, 액티브 소자(비선형 소자)가 사용되지 않으면, 구경비를 향상시킬 수 있어, 예컨대 소비 전력을 저감할 수 있거나 또는 높은 휘도를 달성할 수 있다.
본 실시형태의 적어도 일부는 본 명세서에 설명된 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합하여 실행될 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서, 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 사용될 수 있는 접을 수 있는 터치 패널의 구조를 도 10의 (A)~(C)를 참조하여 설명한다.
도 10의 (A)~(C)는 터치 패널(500)의 단면도다.
터치 패널(500)은 표시부(501) 및 터치 센서(595)를 포함한다. 또한, 터치 패널(500)은 기판(510), 기판(570), 및 기판(590)을 포함한다. 또한, 기판(510), 기판(570), 및 기판(590)은 각각 가요성을 갖는다.
표시부(501)는 기판(510), 기판(510) 위의 복수의 화소, 및 화소들에 신호를 공급하는 복수의 배선(511)을 포함한다. 복수의 배선(511)은 기판(510)의 주변부까지 리드되고, 복수의 배선(511)의 일부는 단자(519)를 형성한다. 단자(519)는 FPC(509(1))에 전기적으로 접속된다.
<터치 센서>
기판(590)은 터치 센서(595), 및 터치 센서(595)에 전기적으로 접속되는 복수의 배선(598)을 포함한다. 복수의 배선(598)은 기판(590)의 주변부까지 리드되고, 복수의 배선(598)의 일부는 단자를 형성한다. 이 단자는 FPC(509(2))에 전기적으로 접속된다.
터치 센서(595)로서, 정전용량 터치 센서를 사용할 수 있다. 정전용량 터치 센서의 예는 표면 정전용량 터치 센서 및 투영 정전용량 터치 센서다.
투영 정전용량 터치 센서의 예는, 구동 방법이 주로 다른 자기 정전용량 터치 센서 및 상호 정전용량 터치 센서다. 상호 정전용량 터치 센서를 사용하면 다수의 점을 동시에 검지할 수 있어 바람직하다.
투영 정전용량 터치 센서를 사용한 예를 이하에서 설명한다.
또한, 손가락 등의 검지 대상의 접근 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서가 사용될 수 있다.
투영 정전용량 터치 센서(595)는 전극(591) 및 전극(592)을 포함한다. 전극(591)은 복수의 배선(598) 중 어느 것에 전기적으로 접속되고, 전극(592)은 나머지 배선(598)들 중 어느 것에 전기적으로 접속된다.
배선(594)은 전극(592)이 사이에 위치된 2개의 전극(591)을 전기적으로 접속한다. 전극(592)과 배선(594)의 교차되는 면적은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 이런 구조는 전극이 제공되지 않는 영역의 면적을 축소시켜 투과율의 불균등성이 저감된다. 결과적으로, 터치 센서(595)로부터의 광의 휘도의 불균등성을 저감할 수 있다.
또한, 전극(591) 및 전극(592)의 형상은 다양한 형상 중 어느 것일 수 있다. 예를 들어, 복수의 전극(591)은 전극(591)들 사이의 공간이 가능한 한 저감되도록 제공되고, 복수의 전극(592)은, 전극(591)과 전극(592) 사이에 절연층을 끼우고 전극(591)과 중첩되지 않는 영역을 형성하기 위하여 서로 떨어지도록 공간을 두고 제공되어도 좋다. 이 경우, 인접한 2개의 전극(592)들 사이에, 이들 전극과 전기적으로 절연된 더미 전극을 제공함으로써, 투과율이 상이한 영역의 면적을 저감할 수 있어 바람직하다.
터치 센서(595)는 기판(590), 기판(590) 위에 엇갈림 배열(staggered arrangement)로 제공된 전극(591) 및 전극(592), 전극(591) 및 전극(592)을 덮는 절연층(593), 및 인접한 전극(591)들을 서로 전기적으로 접속하는 배선(594)을 포함한다.
부착층(597)은, 터치 센서(595)가 표시부(501)와 중첩되도록 기판(590)과 기판(570)을 접착시킨다.
전극(591) 및 전극(592)은 투광성 도전 재료를 사용하여 형성된다. 투광성 도전 재료로서는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 또는 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 전도성 산화물 또는 그래핀을 사용할 수 있다.
전극(591) 및 전극(592)은, 스퍼터링법에 의하여 기판(590)에 투광성 도전 재료를 퇴적하고 나서, 포토리소그래피 등의 다양한 패터닝 기술 중 어느 것에 의하여 불필요한 부분을 제거함으로써 형성될 수 있다. 그래핀은 CVD법에 더하여 산화 그래핀이 확산된 용액을 도포하고 환원함으로써 형성되어도 좋다.
절연층(593)의 재료의 예에는, 아크릴 또는 에폭시 수지 등의 수지, 실록산 결합을 갖는 수지, 및 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 또는 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료가 있다.
또한, 전극(591)에 도달하는 개구가 절연층(593)에 형성되고, 배선(594)이 인접한 전극(591)들을 전기적으로 접속한다. 터치 패널의 구경비가 증가될 수 있기 때문에 배선(594)으로서 투광성 도전 재료를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 전기 저항을 저감시킬 수 있기 때문에 전극(591) 및 전극(592)의 전도성보다 높은 전도성을 갖는 재료를 바람직하게 사용할 수 있다.
하나의 전극(592)은 한 방향으로 연장되고, 복수의 전극(592)이 스트라이프 형상으로 제공된다.
배선(594)은 전극(592)과 교차된다.
인접한 전극(591)들은 하나의 전극(592)을 개재하여 제공된다. 배선(594)은 인접한 전극(591)들을 전기적으로 접속한다.
또한, 복수의 전극(591)은 반드시 하나의 전극(592)과 직교되는 방향으로 배열될 필요는 없고, 90도 미만의 각도로 하나의 전극(592)과 교차되도록 배열되어도 좋다.
하나의 배선(598)은 전극(591) 및 전극(592) 중 어느 것에 전기적으로 접속된다. 배선(598)의 일부는 단자로서 기능한다. 배선(598)에는, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 타이타늄, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료나, 또는 이들 금속 재료 중 어느 것을 포함하는 합금 재료를 사용할 수 있다.
또한, 터치 센서(595)를 보호하기 위하여 절연층(593) 및 배선(594)을 덮는 절연층이 제공되어도 좋다.
또한, 접속층(599)은 배선(598)과 FPC(509(2))를 전기적으로 접속한다.
접속층(599)으로서는, ACF(Anisotropic Conductive Film), ACP(Anisotropic Conductive Paste) 등 중 어느 것을 사용할 수 있다.
부착층(597)은 투광성을 갖는다. 예를 들어, 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지를 사용할 수 있고, 구체적으로는 아크릴 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 또는 실록산 결합을 갖는 수지 등의 수지를 사용할 수 있다.
<표시부>
표시부(501)는 매트릭스로 배치된 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 표시 소자, 및 표시 소자를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다.
본 실시형태에서, 백색광을 방출하는 유기 일렉트로루미네선스 소자를 표시 소자로서 사용하는 예를 설명하지만, 표시 소자는 이러한 소자에 한정되지 않는다.
유기 일렉트로루미네선스 소자 외에, 전기 영동 방식, 전자 분류체(電子紛流體, electronic liquid powder) 방식 등에 의하여 표시를 수행하는 표시 소자(전자 잉크), MEMS 셔터 표시 소자, 및 광간섭 방식의 MEMS 표시 소자 등의 다양한 표시 소자 중 어느 것을 사용할 수 있다. 채용되는 표시 소자에 적합한 구조를 화소 회로의 다양한 구조 중에서 선택할 수 있다.
기판(510)은 플렉시블 기판(510b), 발광 소자에 대한 의도하지 않는 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(510a), 및 배리어막(510a)과 기판(510b)을 접착시키는 부착층(510c)이 적층된 적층체다.
기판(570)은 플렉시블 기판(570b), 발광 소자에 대한 의도하지 않는 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(570a), 및 배리어막(570a)과 기판(570b)을 접착시키는 부착층(570c)이 적층된 적층체다.
실란트(560)는 기판(510)과 기판(570)을 접착시킨다. 실란트(560)는 공기보다 높은 굴절률을 갖는다. 실란트(560) 측으로 광을 추출하는 경우에는, 실란트(560)는 광학 부착층으로서 기능한다. 화소 회로 및 발광 소자(예컨대 발광 소자(550R))는 기판(510)과 기판(570) 사이에 제공된다.
≪화소의 구조≫
화소는 부화소(502R)를 포함하고, 부화소(502R)는 발광 모듈(580R)을 포함한다.
부화소(502R)는 발광 소자(550R), 및 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있으며 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 포함한다. 또한, 발광 모듈(580R)은 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예를 들어 착색층(567R))를 포함한다.
발광 소자(550R)는 하부 전극, 상부 전극, 및 하부 전극과 상부 전극 사이의 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 포함한다.
발광 모듈(580R)은 광 추출 측에 착색층(567R)을 포함한다. 착색층은 특정 파장의 광을 투과시키고, 예컨대 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 선택적으로 투과시키는 층이다. 또한, 또 다른 부화소에, 발광 소자로부터 방출된 광을 그대로 투과시키는 영역이 제공되어도 좋다.
실란트(560)가 광 추출 측에 제공되는 경우, 실란트(560)는 발광 소자(550R) 및 착색층(567R)과 접촉된다.
착색층(567R)은 발광 소자(550R)와 중첩되는 영역에 위치된다. 따라서, 발광 소자(550R)로부터 방출되는 광의 일부는 착색층(567R)을 통과하고, 도 10의 (A)에서의 화살표로 가리켜진 바와 같이 발광 모듈(580R)의 외부로 방출된다.
≪표시부의 구조≫
표시부(501)는 광 추출 측에 차광층(567BM)을 포함한다. 차광층(567BM)은 착색층(예컨대 착색층(567R))을 둘러싸도록 제공된다.
표시부(501)는 화소와 중첩되는 영역에 위치된 반사 방지층(567p)을 포함한다. 반사 방지층(567p)으로서는, 예컨대 원편광판을 사용할 수 있다.
표시부(501)는 절연막(521)을 포함한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮는다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 의하여 생긴 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용될 수 있다. 불순물의 확산을 방지할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(521)으로서 사용할 수 있다. 이로써, 의도하지 않는 불순물의 확산에 의하여 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
표시부(501)는 절연막(521) 위에 발광 소자(예컨대 발광 소자(550R))를 포함한다.
표시부(501)는, 절연막(521) 위에, 하부 전극의 단부와 중첩되는 격벽(528)을 포함한다. 또한, 격벽(528) 위에 기판(510)과 기판(570) 사이의 거리를 제어하는 스페이서가 제공된다.
≪주사선 구동 회로의 구조≫
주사선 구동 회로(503g(1))는 트랜지스터(503t) 및 커패시터(503c)를 포함한다. 또한, 구동 회로는 화소 회로와 같은 공정에서 같은 기판 위에 형성될 수 있다.
≪기타 구조≫
표시부(501)는 신호를 공급할 수 있는 배선(511)을 포함한다. 배선(511)에는 단자(519)가 제공된다. 또한, 화상 신호 또는 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(509(1))가 단자(519)에 전기적으로 접속된다.
또한, FPC(509(1))에는 PWB가 접착되어도 좋다.
<표시부의 변형예 1>
각종 트랜지스터 중 어느 것을 표시부(501)에 사용할 수 있다.
표시부(501)에 보텀 게이트 트랜지스터를 사용한 경우의 구조를 도 10의 (A) 및 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 도 10의 (A)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에서, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 함유한 반도체층이 사용될 수 있다.
예를 들어, 다결정 실리콘 등을 포함하는 반도체층이 도 10의 (B)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 사용될 수 있다.
표시부(501)에 톱 게이트 트랜지스터를 사용하는 경우의 구조를 도 10의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘, 전이된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층이 도 10의 (C)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 사용될 수 있다.
본 실시형태의 적어도 일부는 본 명세서에 설명된 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합하여 실행될 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 사용될 수 있는, 접을 수 있는 터치 패널의 구조를 도 11의 (A)~(C)를 참조하여 설명한다.
도 11의 (A)~(C)는 터치 패널(500B)의 단면도다.
본 실시형태에서 설명하는 터치 패널(500B)은, 표시부(501)가 수신된 화상 데이터를 트랜지스터가 제공되는 측에 표시하고, 표시부의 기판(510) 측에 터치 센서가 제공되는 점에서 실시형태 3에서 설명한 터치 패널(500)과 상이하다. 상이한 구조를 이하에서 자세히 설명하고, 비슷한 나머지 구조에는 상술한 설명이 참조된다.
<표시부>
표시부(501)는 매트릭스로 배열된 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 표시 소자, 및 표시 소자를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다.
≪화소의 구조≫
화소는 부화소(502R)를 포함하고, 부화소(502R)는 발광 모듈(580R)을 포함한다.
부화소(502R)는, 발광 소자(550R), 및 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있으며 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 포함한다.
발광 모듈(580R)은 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예컨대 착색층(567R))를 포함한다.
발광 소자(550R)는 하부 전극, 상부 전극, 및 하부 전극과 상부 전극 사이의 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 포함한다.
발광 모듈(580R)은 광 추출 측에 착색층(567R)을 포함한다. 착색층은 특정 파장의 광을 투과시키고, 예컨대 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 선택적으로 투과시키는 층이다. 또한, 또 다른 부화소에, 발광 소자로부터 방출된 광을 그대로 투과시키는 영역이 제공되어도 좋다.
착색층(567R)은 발광 소자(550R)와 중첩되는 영역에 위치한다. 도 11의 (A)에 도시된 발광 소자(550R)는 트랜지스터(502t)가 제공되는 측으로 광을 방출한다. 따라서, 발광 소자(550R)로부터 방출되는 광의 일부는 착색층(567R)을 통과하고, 도 11의 (A)에서의 화살표로 가리켜진 바와 같이 발광 모듈(580R)의 외부로 방출된다.
≪표시부의 구조≫
표시부(501)는 광 추출 측에 차광층(567BM)을 포함한다. 차광층(567BM)은 착색층(예컨대 착색층(567R))을 둘러싸도록 제공된다.
표시부(501)는 절연막(521)을 포함한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮는다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 의하여 생긴 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 불순물의 확산을 방지할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(521)으로서 사용할 수 있다. 이로써, 착색층(567R)으로부터의 의도하지 않는 불순물의 확산으로 인하여 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
<터치 센서>
터치 센서(595)는 표시부(501)의 기판(510) 측에 제공된다(도 11의 (A) 참조).
부착층(597)은 기판(510)과 기판(590) 사이에 제공되고 터치 센서(595)와 표시부(501)를 접착시킨다.
<표시부의 변형예 1>
각종 트랜지스터 중 어느 것을 표시부(501)에 사용할 수 있다.
표시부(501)에 보텀 게이트 트랜지스터를 사용한 경우의 구조를 도 11의 (A) 및 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 도 11의 (A)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 포함하는 반도체층이 사용될 수 있다.
예를 들어, 도 11의 (B)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에, 다결정 실리콘 등을 포함하는 반도체층이 사용될 수 있다.
표시부(501)에 톱 게이트 트랜지스터를 사용한 경우의 구조를 도 11의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 도 11의 (C)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에, 다결정 실리콘, 전이된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층이 사용될 수 있다.
본 실시형태의 적어도 일부는 본 명세서에 설명된 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합하여 실행될 수 있다.
(실시형태 5)
본 발명의 일 형태의 표시 패널에 사용될 수 있는 반도체 장치의 반도체층에 알맞은 산화물 반도체를 본 실시형태에서 설명한다.
산화물 반도체는, 3.0eV 이상의 넓은 에너지 갭을 갖는다. 산화물 반도체를 적절한 조건에서 가공하고, 산화물 반도체의 캐리어 밀도를 충분히 저감함으로써 얻어진 산화물 반도체막을 포함하는 트랜지스터는, 오프 상태에서의 소스와 드레인 사이의 누설 전류(오프 상태 전류)를, 실리콘을 포함하는 종래의 트랜지스터보다 매우 낮게 할 수 있다.
적용 가능한 산화물 반도체는, 적어도 인듐(In) 또는 아연(Zn)을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, In과 Zn을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 산화물 반도체를 사용하는 트랜지스터의 전기 특성의 변동을 저감시키기 위한 스태빌라이저로서, 갈륨(Ga), 주석(Sn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 타이타늄(Ti), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 및 란타노이드(예컨대 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 또는 가돌리늄(Gd))로부터 선택된 하나 이상이 포함되는 것이 바람직하다.
산화물 반도체로서, 예컨대 이하 중 어느 것을 사용할 수 있다: 산화 인듐, 산화 주석, 산화 아연, In-Zn계 산화물, Sn-Zn계 산화물, Al-Zn계 산화물, Zn-Mg계 산화물, Sn-Mg계 산화물, In-Mg계 산화물, In-Ga계 산화물, In-Ga-Zn계 산화물(IGZO라고도 함), In-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Zn계 산화물, Sn-Ga-Zn계 산화물, Al-Ga-Zn계 산화물, Sn-Al-Zn계 산화물, In-Hf-Zn계 산화물, In-Zr-Zn계 산화물, In-Ti-Zn계 산화물, In-Sc-Zn계 산화물, In-Y-Zn계 산화물, In-La-Zn계 산화물, In-Ce-Zn계 산화물, In-Pr-Zn계 산화물, In-Nd-Zn계 산화물, In-Sm-Zn계 산화물, In-Eu-Zn계 산화물, In-Gd-Zn계 산화물, In-Tb-Zn계 산화물, In-Dy-Zn계 산화물, In-Ho-Zn계 산화물, In-Er-Zn계 산화물, In-Tm-Zn계 산화물, In-Yb-Zn계 산화물, In-Lu-Zn계 산화물, In-Sn-Ga-Zn계 산화물, In-Hf-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Ga-Zn계 산화물, In-Sn-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Hf-Zn계 산화물, 또는 In-Hf-Al-Zn계 산화물이다.
여기서, "In-Ga-Zn계 산화물"이란, In, Ga, 및 Zn을 주성분으로서 포함하는 산화물을 의미하고 In:Ga:Zn의 비율에 특별한 한정은 없다. In-Ga-Zn계 산화물은 In, Ga, 및 Zn 외의 금속 원소를 포함하여도 좋다.
또는, InMO3(ZnO) m (m>0을 만족시킴, m은 정수가 아님)으로 표시되는 재료를 산화물 반도체로서 사용하여도 좋다. 또한, M은 Ga, Fe, Mn, 및 Co로부터 선택된 하나 이상의 금속 원소, 또는 상술한 스태빌라이저로서의 원소를 나타낸다. 또는, 산화물 반도체로서 In2SnO5(ZnO) n (n>0, n은 정수)의 화학식으로 표시되는 재료를 사용하여도 좋다.
예를 들어, In:Ga:Zn=1:1:1, 1:3:2, 1:3:4, 1:3:6, 3:1:2, 또는 2:1:3의 원자수비를 갖는 In-Ga-Zn계 산화물이나 또는 조성이 상기 조성의 부근에 있는 산화물이 사용될 수 있다.
또한, 산화물 반도체막이 수소를 많이 포함하면, 수소와 산화물 반도체가 서로 결합됨으로써, 수소의 일부가 도너로서 기능하고, 캐리어인 전자를 발생시킨다. 결과적으로, 트랜지스터의 문턱 전압이 마이너스 방향으로 시프트된다. 따라서, 산화물 반도체막의 형성 후에, 탈수화 처리(탈수소화 처리)를 수행하여 산화물 반도체막으로부터 수소 또는 수분을 제거함으로써 불순물이 가능한 한 포함되지 않도록 산화물 반도체막이 고순도화되는 것이 바람직하다.
또한, 탈수화 처리(탈수소화 처리)에 의하여, 산화물 반도체막 내의 산소도 감소되는 경우도 있다. 그러므로, 탈수화 처리(탈수소화 처리)에 의하여 증가한 산소 빈자리를 채우기 위하여 산소를 산화물 반도체막에 첨가하는 것이 바람직하다. 본 명세서 등에서, 산화물 반도체막에 산소를 공급하는 것은, 산소 첨가 처리라고 표현될 수 있고, 또는 산화물 반도체막의 산소 함유량을 화학양론적 조성을 초과하게 하는 처리는 산소 과잉 상태를 만드는 처리라고 표현될 수 있다.
이와 같이 하여, 탈수화 처리(탈수소화 처리)에 의하여, 수소 또는 수분이 산화물 반도체막으로부터 제거되고, 산소 첨가 처리에 의하여 이의 산소 빈자리를 채움으로써, 산화물 반도체막은 i형(진성) 산화물 반도체막 또는 i형 산화물 반도체에 매우 가까운 산화물 반도체막(실질적으로 i형 산화물 반도체)이 될 수 있다. 또한, "실질적으로 진성"이란, 산화물 반도체막이 도너에서 유래되는 캐리어를 매우 적게(제로에 가까움) 포함하고, 그 캐리어 농도가 1×1017/cm3 이하, 1×1016/cm3 이하, 1×1015/cm3 이하, 1×1014/cm3 이하, 또는 1×1013/cm3 이하인 것을 의미한다.
이와 같이 하여, i형 또는 실질적으로 i형 산화물 반도체막을 포함하는 트랜지스터는, 매우 바람직한 오프 상태 전류 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체막을 포함하는 트랜지스터가 실온(25℃)에서 오프 상태에 있을 때의 드레인 전류는, 1×10-18A 이하, 바람직하게는 1×10-21A 이하, 더 바람직하게는 1×10-24A 이하; 또는 85℃에서 1×10-15A 이하, 바람직하게는 1×10-18A 이하, 더 바람직하게는 1×10-21A 이하일 수 있다. 트랜지스터의 오프 상태란, ｎ채널 트랜지스터에서 게이트 전압이 문턱 전압보다 낮은 상태를 말한다. 구체적으로는, 게이트 전압이 문턱 전압보다 1V 이상, 2V 이상, 또는 3V 이상 낮으면, 트랜지스터는 오프 상태에 있다.
산화물 반도체막의 구조를 이하에서 설명한다.
본 명세서에서, "평행"이란 용어는 2개의 직선 사이에 형성되는 각도가 -10° 이상 10° 이하인 것을 가리키기 때문에 상기 각도가 -5° 이상 5° 이하인 경우도 포함한다. 또한, "실질적으로 평행"이란 용어는 2개의 직선 사이에 형성되는 각도가 -30° 이상 30° 이하인 것을 가리킨다. 또한, "수직"이란 용어는, 2개의 직선 사이에 형성되는 각도가 80° 이상 100° 이하인 것을 가리키기 때문에 상기 각도가 85° 이상 95° 이하인 경우를 포함한다. "실질적으로 수직"이란 용어는, 2개의 직선 사이에 형성되는 각도가 60° 이상 120° 이하인 것을 가리킨다.
본 명세서에서, 삼방정계 및 능면체정계(rhombohedral crystal system)는 육방정계에 포함된다.
산화물 반도체는 단결정 산화물 반도체와 비단결정 산화물 반도체로 나뉜다. 비단결정 산화물 반도체의 예에는 CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor), 다결정 산화물 반도체, 미결정 산화물 반도체, 및 비정질 산화물 반도체가 포함된다.
또 다른 관점으로부터 보면, 산화물 반도체는 비정질 산화물 반도체와 결정성 산화물 반도체로 나뉜다. 결정성 산화물 반도체의 예에는 단결정 산화물 반도체, CAAC-OS, 다결정 산화물 반도체, 및 미결정 산화물 반도체가 포함된다.
먼저, CAAC-OS를 설명한다. 또한, CAAC-OS는 CANC(c-axis aligned nanocrystals)를 포함하는 산화물 반도체라고 할 수 있다.
CAAC-OS는 복수의 c축 배향된 결정부(펠릿이라고도 함)를 갖는 산화물 반도체 중 하나다.
TEM(transmission electron microscope)을 사용하여 얻어지는, CAAC-OS의 명시야상 및 회절 패턴의 결합된 분석 이미지(고해상도 TEM 이미지라고도 함)에서, 복수의 펠릿이 관찰될 수 있다. 하지만 고해상도 TEM 이미지에서, 펠릿들 사이의 경계, 즉 그레인 바운더리는 명료하게 관찰되지 않는다. 따라서, CAAC-OS에서, 그레인 바운더리로 인한 전자 이동도에서의 감소는 일어나기 어렵다.
TEM에 의하여 관찰된 CAAC-OS를 이하에서 설명한다. 도 12의 (A)는 샘플 표면에 실질적으로 평행한 방향으로부터 관찰되는 CAAC-OS의 단면의 고해상도 TEM 이미지를 나타낸 것이다. 고해상도 TEM 이미지는 구면 수차 보정(Spherical Aberration Corrector) 기능에 의하여 얻어진다. 구면 수차 보정 기능에 의하여 얻어진 고해상도 TEM 이미지는 특히 Cs보정 고해상도 TEM 이미지라고 한다. Cs보정 고해상도 TEM 이미지는 예컨대 JEOL Ltd.제의 원자 분해능 분석 전자 현미경 JEM-ARM200F에 의하여 얻어질 수 있다.
도 12의 (B)는 도 12의 (A)에서의 영역(1)의 확대된 Cs보정 고해상도 TEM 이미지다. 도 12의 (B)는 펠릿에서, 층상으로 배열된 금속 원자를 나타낸 것이다. 금속 원자의 각 층은, 위에 CAAC-OS가 형성되는 면(이하, 이 면을 형성면이라고 함) 또는 CAAC-OS의 상면의 요철을 반영한 구성을 갖고, CAAC-OS의 형성면 또는 상면에 평행하게 배열된다.
도 12의 (B)에 나타낸 바와 같이, CAAC-OS는 특징적인 원자 배열을 갖는다. 상기 특징적인 원자 배열은 도 12의 (C)에서의 보조선에 의하여 나타내어진다. 도 12의 (B) 및 (C)는 펠릿의 사이즈가 1nm~3nm 정도이고, 펠릿의 기울기로 인한 공간의 사이즈는 0.8nm 정도다. 그러므로 펠릿은 나노결정(nc)이라고도 할 수 있다.
여기서, Cs보정 고해상도 TEM 이미지에 따라, 기판(5120) 위의 CAAC-OS의 펠릿(5100)의 개략적인 배열은 벽돌 또는 블록이 적층된 구조에 의하여 도시되었다(도 12의 (D) 참조). 도 12의 (C)에 관찰된 바와 같이, 펠릿들이 경사진 부분은 도 12의 (D)에 나타낸 영역(5161)에 상당한다.
도 13의 (A)는 샘플 표면에 실질적으로 수직인 방향으로부터 관찰된 CAAC-OS의 평면의 Cs보정 고해상도 TEM 이미지를 나타낸 것이다. 도 13의 (B), (C), 및 (D)는 각각 도 13의 (A)에서의 영역(1), 영역(2), 및 영역(3)의 확대된 Cs보정 고해상도 TEM 이미지다. 도 13의 (B), (C), 및 (D)는, 펠릿에서 금속 원자들이 삼각형, 사각형, 또는 육각형으로 배열되어 있는 것을 가리키고 있다. 하지만, 상이한 펠릿들 사이에서 금속 원자의 배열에 규칙성은 없다.
다음에, X선 회절(XRD: X-ray diffraction)에 의하여 분석한 CAAC-OS를 설명한다. 예를 들어, out-of-plane법에 의하여 InGaZnO4 결정을 포함하는 CAAC-OS의 구조를 분석하면, 도 14의 (A)에 나타낸 바와 같이 회절각(2θ)이 31° 부근에서 피크가 나타난다. 이 피크는 InGaZnO4 결정의 (009)면에서 유래한 것으로, CAAC-OS의 결정이 c축 배향을 갖고 c축이 CAAC-OS의 형성면 또는 상면에 실질적으로 수직인 방향으로 배향되어 있는 것을 가리킨다.
또한, out-of-plane법에 의한 CAAC-OS의 구조 분석에서, 2θ가 31° 부근일 때의 피크에 더하여 2θ가 36° 부근일 때에 또 하나의 피크가 나타날 수 있다. 36° 부근의 2θ의 피크는 CAAC-OS의 일부에 c축 배향을 갖지 않는 결정이 포함되는 것을 가리킨다. out-of-plane법에 의하여 분석한 CAAC-OS에서는, 2θ가 31° 부근일 때 피크가 나타나고 2θ가 36° 부근일 때 피크가 나타나지 않는 것이 바람직하다.
한편, c축에 실질적으로 수직인 방향으로 샘플에 대하여 X선이 입사되는 in-plane법에 의한 CAAC-OS의 구조 분석에서는, 2θ가 56° 부근일 때 피크가 나타난다. 이 피크는 InGaZnO4 결정의 (110)면에 기인한다. CAAC-OS의 경우, 2θ를 56° 부근에 고정하고 샘플 표면의 법선 벡터를 축(φ축)으로 사용하여 샘플을 회전시켜 분석(φ 스캔)을 수행하면, 도 14의 (B)에 나타낸 바와 같이 피크가 명확하게 관찰되지 않는다. 한편, InGaZnO4의 단결정 산화물 반도체의 경우, 2θ를 56° 부근에 고정하여 φ 스캔을 수행하면, 도 14의 (C)에 나타낸 바와 같이 (110)면과 등가인 결정면에서 유래하는 6개의 피크가 관찰된다. 따라서, XRD를 사용한 구조 분석은, CAAC-OS에서 a축 및 b축의 방향이 상이한 것을 나타낸다.
다음에, 전자 회절에 의하여 분석한 CAAC-OS를 설명한다. 예를 들어, 프로브 직경이 300nm인 전자빔이 샘플 표면에 평행한 방향으로 InGaZnO4 결정을 포함하는 CAAC-OS에 입사되면, 도 15의 (A)에 나타낸 회절 패턴(제한 시야 투과 전자 회절 패턴이라고도 함)이 얻어질 수 있다. 이 회절 패턴에는 InGaZnO4 결정의 (009)면에서 유래하는 스폿이 포함된다. 따라서, 전자 회절은 CAAC-OS에 포함되는 펠릿이 c축 배향을 갖고 c축이 CAAC-OS의 형성면 또는 상면에 실질적으로 수직인 방향으로 배향되는 것을 가리킨다. 한편, 도 15의 (B)는, 프로브 직경이 300nm인 전자빔을 샘플 표면에 수직인 방향으로 같은 샘플에 입사함으로써 얻어지는 회절 패턴을 나타낸 것이다. 도 15의 (B)에 나타낸 바와 같이 고리형의 회절 패턴이 관찰된다. 따라서, 전자 회절은, CAAC-OS에 포함되는 펠릿의 a축 및 b축이 규칙적인 배향을 갖지 않는 것도 가리킨다. 도 15의 (B)에서의 제 1 고리는 InGaZnO4 결정의 (010)면, (100)면 등에서 유래하는 것으로 생각된다. 도 15의 (B)에서의 제 2 고리는 (110)면 등에서 유래하는 것으로 생각된다.
또한, CAAC-OS는 결함 상태의 밀도가 낮은 산화물 반도체다. 산화물 반도체의 결함은, 예컨대 불순물로 인한 결함 및 산소 빈자리다. 따라서, CAAC-OS는 불순물 농도가 낮은 산화물 반도체, 또는 산소 빈자리의 개수가 적은 산화물 반도체로 간주될 수 있다.
산화물 반도체에 포함되는 불순물은 캐리어 트랩으로서 기능하거나 또는 캐리어 발생원으로서 기능할 수 있다. 또한, 산화물 반도체에서의 산소 빈자리는 캐리어 트랩으로서 기능하거나, 또는 거기에 수소가 포획되면 캐리어 발생원으로서 기능한다.
또한, 불순물이란 수소, 탄소, 실리콘, 또는 전이 금속 원소 등의, 산화물 반도체의 주성분 외의 원소를 의미한다. 예를 들어, 산화물 반도체에 포함되는 금속 원소보다 산소와의 결합력이 더 높은 원소(구체적으로, 실리콘 등)는 산화물 반도체로부터 산소를 추출하고, 이 결과 산화물 반도체의 원자 배열이 어지러워지고 결정성이 저하된다. 철 또는 니켈 등의 중금속, 아르곤, 이산화탄소 등은 원자 반경(또는 분자 반경)이 크기 때문에, 산화물 반도체의 원자 배열을 어지럽혀 결정성을 저하시킨다.
결함 상태의 밀도가 낮은(산소 빈자리의 개수가 적은) 산화물 반도체는 낮은 캐리어 밀도를 가질 수 있다. 이런 산화물 반도체를 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체라고 한다. CAAC-OS는 불순물 농도가 낮고 결함 상태의 밀도가 낮다. 즉, CAAC-OS는 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체가 되기 쉽다. 따라서, CAAC-OS를 포함하는 트랜지스터는 좀처럼 음의 문턱 전압을 갖지 않는다(좀처럼 노멀리-온이 되지 않는다). 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체는 캐리어 트랩이 적다. 상기 산화물 반도체의 캐리어 트랩에 의하여 포획된 전하는 방출될 때까지 긴 시간이 걸린다. 포획된 전하는 고정 전하처럼 작용할 수 있다. 따라서, 불순물 농도가 높고 결함 상태의 밀도가 높은 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터는 불안정한 전기적 특성을 가질 수 있다. 그러나, CAAC-OS를 포함하는 트랜지스터는 전기적 특성의 변동이 작고 신뢰성이 높다.
CAAC-OS는 결함 상태의 밀도가 낮기 때문에, 광 조사 등에 의하여 생성되는 캐리어가 결함 상태에 포획되기 어렵다. 따라서, CAAC-OS를 사용한 트랜지스터에서, 가시광 또는 자외광의 조사로 인한 전기적 특성에서의 변화가 작다.
다음에, 미결정 산화물 반도체를 설명한다.
미결정 산화물 반도체는 고해상도 TEM 이미지에서 결정부가 관찰되는 영역, 및 결정부가 명확히 관찰되지 않는 영역을 갖는다. 대부분의 경우, 미결정 산화물 반도체에 포함되는 결정부의 사이즈는 1nm 이상 100nm 이하, 또는 1nm 이상 10nm 이하다. 1nm 이상 10nm 이하의 사이즈, 또는 1nm 이상 3nm 이하의 사이즈를 갖는 미결정인 나노 결정(nc)을 포함하는 산화물 반도체를 특히 nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor)라고 한다. nc-OS의 고해상도 TEM 이미지에서, 예컨대 그레인 바운더리가 명확히 관찰되지 않는 경우가 있다. 또한, 나노 결정의 기원은 CAAC-OS의 펠릿과 동일한 가능성이 있다. 그러므로, 이하의 설명에서는 nc-OS의 결정부를 펠릿이라고 하는 경우가 있다.
nc-OS에서 미소한 영역(예컨대 1nm 이상 10nm 이하의 사이즈를 갖는 영역, 특히 1nm 이상 3nm 이하의 사이즈를 갖는 영역)은 주기적인 원자 배열을 갖는다. nc-OS에서 상이한 펠릿들 사이에 결정 배향의 규칙성은 없다. 따라서, 막 전체의 배향이 무질서하다. 따라서, 분석 방법에 따라, nc-OS를 비정질 산화물 반도체와 구별할 수 없다. 예를 들어, 펠릿의 사이즈보다 큰 직경을 갖는 X선을 사용하는 XRD 장치로 out-of-plane법에 의하여 nc-OS의 구조 분석이 수행되면, 결정면을 나타내는 피크가 나타나지 않는다. 또한, 펠릿의 사이즈보다 큰 프로브 직경(예컨대, 50nm 이상)의 전자빔을 사용하여 nc-OS의 전자 회절(이 전자 회절을 제한 시야 전자 회절이라고도 함)이 수행되면, 헤일로(halo) 패턴과 같은 회절 패턴이 관찰된다. 한편, 프로브 직경이 펠릿의 사이즈와 가깝거나 펠릿의 사이즈보다 작은 전자빔을 적용하면, nc-OS의 나노빔 전자 회절 패턴에 스폿이 나타난다. 또한, nc-OS의 나노빔 전자 회절 패턴에, 휘도가 높은 원(고리)형 패턴을 갖는 영역이 나타나는 경우가 있다. nc-OS의 나노빔 전자 회절 패턴에서도 고리형 영역에 복수의 스폿이 나타나는 경우가 있다.
상술한 바와 같이, 펠릿들(나노 결정들) 사이에 결정 배향의 규칙성이 없기 때문에, nc-OS를 RANC(random aligned nanocrystals)를 포함하는 산화물 반도체 또는 NANC(non-aligned nanocrystals)를 포함하는 산화물 반도체라고 할 수도 있다.
nc-OS는 비정질 산화물 반도체에 비하여 규칙성이 높은 산화물 반도체다. 따라서, nc-OS는 비정질 산화물 반도체보다 결함 상태의 밀도가 낮은 경향이 있다. 또한, nc-OS에서 상이한 펠릿들 사이에 결정 배향의 규칙성은 없다. 그러므로, nc-OS는 CAAC-OS보다 결함 상태의 밀도가 높다.
다음에, 비정질 산화물 반도체를 설명한다.
비정질 산화물 반도체는 어지러워진 원자 배열을 갖고 결정부를 갖지 않는 산화물 반도체이며, 석영과 같이 비정질 상태로 존재하는 산화물 반도체에 의하여 예시된다.
비정질 산화물 반도체의 고해상도 TEM 이미지에서 결정부를 찾을 수 없다.
XRD 장치에 의하여 out-of-plane법으로 비정질 산화물 반도체의 구조 분석이 수행되면, 결정면을 나타내는 피크가 나타나지 않는다. 비정질 산화물 반도체에 전자 회절이 수행되면 헤일로 패턴이 관찰된다. 또한, 비정질 산화물 반도체에 나노빔 전자 회절이 수행되면 스폿이 관찰되지 않고 헤일로 패턴만 나타난다.
비정질 구조의 견해는 여러 가지 있다. 예를 들어, 원자 배열이 전혀 질서를 갖지 않는 구조를 완전한 비정질 구조(completely amorphous structure)라고 부른다. 한편, 최근접 원자간 거리 또는 제 2 근접 원자간 거리까지 질서를 갖지만 장거리 질서를 갖지 않는 구조를 비정질 구조라고도 부른다. 따라서 가장 엄격한 정의에서는 원자 배열에 무시하여도 될 정도라도 질서가 있기만 하면, 산화물 반도체를 비정질 산화물 반도체라고 인가(認可)하지 않는다. 적어도 장거리 질서를 갖는 산화물 반도체를 비정질 산화물 반도체라고 부를 수는 없다. 따라서, 예컨대 CAAC-OS 및 nc-OS는 결정부가 존재하기 때문에 비정질 산화물 반도체 또는 완전한 비정질 산화물 반도체라고 부를 수 없다.
또한, 산화물 반도체는 nc-OS와 비정질 산화물 반도체 사이의 중간의 구조를 가져도 좋다. 이러한 구조를 갖는 산화물 반도체를 특히 a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)라고 한다.
a-like OS의 고해상도 TEM 이미지에서는 보이드(void)가 관찰될 수 있다. 또한, 고해상도 TEM 이미지에서 결정부가 명확히 관찰되는 영역, 및 결정부가 관찰되지 않는 영역이 있다.
a-like OS는 보이드를 포함하기 때문에 불안정한 구조를 갖는다. a-like OS가 CAAC-OS 및 nc-OS에 비하여 불안정한 구조를 갖는다는 것을 증명하기 위하여, 전자 조사에 기인하는 구조의 변화를 이하에서 설명한다.
전자 조사를 수행할 샘플로서 a-like OS(샘플 A라고 함), nc-OS(샘플 B라고 함), 및 CAAC-OS(샘플 C라고 함)를 준비한다. 각 샘플은 In-Ga-Zn 산화물이다.
먼저, 각 샘플의 고해상도 단면 TEM 이미지를 얻는다. 고해상도 단면 TEM 이미지는, 모든 샘플이 결정부를 갖는 것을 나타낸다.
또한, 결정부는 다음과 같이 결정된다. InGaZnO4 결정의 단위 격자는, 3개의 In-O층과 6개의 Ga-Zn-O층을 포함하는 9층이 c축 방향으로 적층된 구조를 갖는 것이 알려져 있다. 인접한 층들 사이의 거리는 (009)면의 격자 간격(d값이라고도 함)과 동등하다. 그 값은 결정 구조 분석으로부터 0.29nm로 계산된다. 따라서, 격자 줄무늬(lattice fringe)들 사이의 격자 간격이 0.28nm 이상 0.30nm 이하인 부분을 InGaZnO4의 결정부로 간주된다. 각 격자 줄무늬는 InGaZnO4 결정의 a-b면에 상당한다.
도 16은 각 샘플의 결정부(22지점~45지점)의 평균 사이즈의 변화를 나타낸 것이다. 또한, 결정부 사이즈는 격자 줄무늬의 길이에 상당한다. 도 16은, a-like OS에서의 결정부 사이즈가 누적 전자 선량의 증가에 따라 증대되는 것을 가리킨 것이다. 구체적으로는 도 16에서 (1)로 나타낸 바와 같이, TEM 관찰의 시작에서의 1.2nm 정도의 결정부(초기 핵이라고도 함)가, 누적 전자 선량이 4.2×108e-/nm2에서의 2.6nm 정도의 사이즈로 성장한다. 한편, nc-OS 및 CAAC-OS의 결정부 사이즈는 전자 조사의 시작부터 4.2×108e-/nm2의 누적 전자 선량까지의 변화가 작은 것을 나타낸다. 구체적으로는, 도 16에서 (2) 및 (3)으로 나타낸 바와 같이 누적 전자 선량에 상관없이 nc-OS 및 CAAC-OS의 평균 결정 사이즈는 각각 1.4nm 정도, 및 2.1nm 정도다.
이와 같이, a-like OS에서의 결정부의 성장은 전자 조사에 의하여 유발된다. 한편, nc-OS 및 CAAC-OS에서, 결정부의 성장이 전자 조사에 의하여 거의 유발되지 않는다. 그러므로, a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS에 비하여 불안정한 구조를 갖는다.
a-like OS는 보이드를 포함하기 때문에 nc-OS 및 CAAC-OS보다 밀도가 낮다. 구체적으로, a-like OS의 밀도는 동일한 조성을 갖는 단결정 산화물 반도체의 밀도의 78.6% 이상 92.3% 미만이다. nc-OS 및 CAAC-OS 각각의 밀도는 동일한 조성을 갖는 단결정 산화물 반도체의 밀도의 92.3% 이상 100% 미만이다. 또한, 단결정 산화물 반도체의 밀도의 78% 미만의 밀도를 갖는 산화물 반도체는 퇴적되기 어렵다.
예를 들어, In:Ga:Zn=1:1:1의 원자수비를 갖는 산화물 반도체의 경우, 능면체정 구조를 갖는 단결정 InGaZnO4의 밀도는 6.357g/cm3이다. 따라서 In:Ga:Zn=1:1:1의 원자수비를 갖는 산화물 반도체의 경우, a-like OS의 밀도는 5.0g/cm3 이상 5.9g/cm3 미만이다. 예를 들어, In:Ga:Zn=1:1:1의 원자수비를 갖는 산화물 반도체의 경우, nc-OS 및 CAAC-OS 각각의 밀도는 5.9g/cm3 이상 6.3g/cm3 미만이다.
또한, 특정한 조성을 갖는 산화물 반도체가 단결정 구조로 존재할 수 없을 가능성이 있다. 이 경우, 조성이 상이한 단결정 산화물 반도체들을 적절한 비율로 조합함으로써, 원하는 조성을 갖는 단결정 산화물 반도체의 밀도와 동등한 밀도를 계산할 수 있다. 원하는 조성을 갖는 단결정 산화물 반도체의 밀도는, 조성이 상이한 단결정 산화물 반도체들의 조합비에 따라 가중 평균을 사용하여 계산할 수 있다. 또한, 밀도를 계산하기 위해서는 가능한 한 적은 종류의 단결정 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 산화물 반도체는 다양한 구조와 다양한 특성을 갖는다. 또한, 산화물 반도체는 예컨대, 비정질 산화물 반도체, a-like OS, 미결정 산화물 반도체, 및 CAAC-OS 중 2개 이상의 막을 포함하는 적층이어도 좋다.
예를 들어, CAAC-OS막은 이하의 방법으로 형성된다.
예를 들어, CAAC-OS막은 다결정 산화물 반도체 스퍼터링 타깃에 의한 스퍼터링법으로 형성된다.
퇴적 동안의 기판 온도를 증가시킴으로써, 튀어나온 입자의 마이그레이션이 튀어나온 입자가 기판 표면에 도달된 후에 일어나기 쉽다. 구체적으로 퇴적 동안의 기판 온도는 100℃ 이상 740℃ 이하, 바람직하게는 200℃ 이상 500℃ 이하다. 퇴적 동안의 기판 온도를 증가시킴으로써, 평판 형태 또는 펠릿 형태의 튀어나온 입자가 기판에 도달하면, 마이그레이션이 기판 표면상에서 일어나서, 튀어나온 입자의 평평한 면이 상기 기판에 부착된다. 이때, 튀어나온 입자가 양으로 대전됨으로써 튀어나온 입자는 서로 반발하면서 기판에 부착되어 튀어나온 입자는 서로 무작위로 중첩되지 않고, 균일한 두께를 갖는 CAAC-OS막을 퇴적할 수 있다.
퇴적 중에 CAAC-OS막에 들어가는 불순물량을 저감함으로써, 불순물에 의하여 결정 상태가 깨지는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 증착실 내에 존재하는 불순물(예컨대 수소, 물, 이산화탄소, 또는 질소) 농도를 저감하여도 좋다. 또한, 증착 가스의 불순물 농도를 저감하여도 좋다. 구체적으로는, 이슬점이 -80℃ 이하, 바람직하게는 -100℃ 이하인 증착 가스를 사용한다.
퇴적 시의 플라스마 대미지를 저감하기 위하여 증착 가스 내의 산소 비율을 증가시키고 전력을 최적화시키는 것이 바람직하다. 증착 가스 내의 산소 비율은 30vol％ 이상, 바람직하게는 100vol％다.
또는, 이하의 방법으로 CAAC-OS막을 형성한다.
먼저, 제 1 산화물 반도체막을 1nm 이상 10nm 미만의 두께로 형성한다. 제 1 산화물 반도체막은 스퍼터링법으로 형성된다. 구체적으로, 기판 온도는 100℃ 이상 500℃ 이하, 바람직하게는 150℃ 이상 450℃ 이하로 설정되고, 증착 가스에서의 산소 비율은 30vol% 이상, 바람직하게는 100vol%로 설정된다.
다음에, 가열 처리를 수행하여 제 1 산화물 반도체막을 결정성이 높은 제 1 CAAC-OS막으로 한다. 가열 처리의 온도는 350℃ 이상 740℃ 이하, 바람직하게는 450℃ 이상 650℃ 이하다. 가열 처리 시간은 1분 이상 24시간 이하, 바람직하게는 6분 이상 4시간 이하다. 가열 처리는 불활성 분위기 또는 산화성 분위기에서 수행될 수 있다. 불활성 분위기에서 가열 처리를 수행하고 나서 산화성 분위기에서 가열 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 불활성 분위기에서의 가열 처리에 의하여, 제 1 산화물 반도체막의 불순물 농도를 짧은 시간에 저감할 수 있다. 동시에, 불활성 분위기에서의 가열 처리에 의하여 제 1 산화물 반도체막에 산소 빈자리가 생성될 수 있다. 이 경우, 산화성 분위기에서의 가열 처리에 의하여 상기 산소 빈자리를 저감할 수 있다. 또한, 가열 처리는 1000Pa 이하, 100Pa 이하, 10Pa 이하, 또는 1Pa 이하 등의 감압하에서 수행되어도 좋다. 감압하에서의 가열 처리에 의하여 제 1 산화물 반도체막의 불순물 농도를 더 짧은 시간에 저감할 수 있다.
1nm 이상 10nm 미만의 두께를 갖는 제 1 산화물 반도체막은, 제 1 산화물 반도체막이 10nm 이상의 두께를 갖는 경우에 비하여, 가열 처리에 의하여 결정화되기 쉬울 수 있다.
다음에, 제 1 산화물 반도체막과 동일한 조성을 갖는 제 2 산화물 반도체막을 두께 10nm 이상 50nm 이하로 형성한다. 제 2 산화물 반도체막은 스퍼터링법으로 형성된다. 구체적으로, 기판 온도는 100℃ 이상 500℃ 이하, 바람직하게는 150℃ 이상 450℃ 이하로 설정되고, 증착 가스 내의 산소 비율은 30vol% 이상, 바람직하게는 100vol%로 설정된다.
다음에 가열 처리를 수행하여, 제 1 CAAC-OS막을 사용하여 제 2 산화물 반도체막의 고상 성장을 수행함으로써, 결정성이 높은 제 2 CAAC-OS막을 형성한다. 가열 처리의 온도는 350℃ 이상 740℃ 이하, 바람직하게는 450℃ 이상 650℃ 이하다. 가열 처리 시간은 1분 이상 24시간 이하, 바람직하게는 6분 이상 4시간 이하다. 가열 처리는 불활성 분위기 또는 산화성 분위기에서 수행될 수 있다. 불활성 분위기에서 가열 처리를 수행하고 나서 산화성 분위기에서 가열 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 불활성 분위기에서의 가열 처리에 의하여, 제 2 산화물 반도체막의 불순물 농도를 짧은 시간에 저감할 수 있다. 동시에, 불활성 분위기에서의 가열 처리에 의하여 제 2 산화물 반도체막에 산소 빈자리가 생성될 수 있다. 이 경우, 산화성 분위기에서의 가열 처리에 의하여 상기 산소 빈자리를 저감할 수 있다. 또한, 가열 처리는 1000Pa 이하, 100Pa 이하, 10Pa 이하, 또는 1Pa 이하 등의 감압하에서 수행되어도 좋다. 감압하에서의 가열 처리에 의하여 제 2 산화물 반도체막의 불순물 농도를 더 짧은 시간에 저감할 수 있다.
상술한 바와 같이 하여, 총 두께 10nm 이상의 CAAC-OS막을 형성할 수 있다.
본 실시형태의 적어도 일부는 본 명세서에서 설명하는 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합하여 실행될 수 있다.
101: 하우징, 102: 기판, 103: FPC, 103a: FPC, 104: IC, 105: 터치 센서, 106: FPC, 110: 표시 패널, 111: 표시 영역, 112: 표시 영역, 113: 표시 영역, 114: 표시 영역, 115: 표시 영역, 121: 아이콘, 122: 텍스트 데이터, 123: 아이콘, 124: 텍스트 데이터, 125: 슬라이드 바, 126: 손가락, 131: 변, 132: 변, 133: 변, 138: 노치부, 141: 구동 회로, 142: 구동 회로, 143: 구동 회로, 145: 배선, 146: 배선, 300: 터치 패널, 301: 표시부, 302: 화소, 302B: 부화소, 302G: 부화소, 302R: 부화소, 302t: 트랜지스터, 303c: 커패시터, 303g(1): 주사선 구동 회로, 303g(2): 이미징 화소 구동 회로, 303s(1): 화상 신호선 구동 회로, 303s(2): 이미징 신호선 구동 회로, 303t: 트랜지스터, 308: 이미징 화소, 308p: 광전 변환 소자, 308t: 트랜지스터, 309: FPC, 310: 기판, 310a: 배리어막, 310b: 기판, 310c: 부착층, 311: 배선, 319: 단자, 321: 절연막, 328: 격벽, 329: 스페이서, 350R: 발광 소자, 351R: 하부 전극, 352: 상부 전극, 353: 층, 353a: 발광 유닛, 353b: 발광 유닛, 354: 중간층, 360: 실란트, 367BM: 차광층, 367p: 반사 방지층, 367R: 착색층, 370: 카운터 기판, 370a: 배리어막, 370b: 기판, 370c: 부착층, 380B: 발광 모듈, 380G: 발광 모듈, 380R: 발광 모듈, 500: 터치 패널, 500B: 터치 패널, 501: 표시부, 502R: 부화소, 502t: 트랜지스터, 503c: 커패시터, 503g(1): 주사선 구동 회로, 503t: 트랜지스터, 509: FPC, 510: 기판, 510a: 배리어막, 510b: 기판, 510c: 부착층, 511: 배선, 519: 단자, 521: 절연막, 528: 격벽, 550R: 발광 소자, 560: 실란트, 567BM: 차광층, 567p: 반사 방지층, 567R: 착색층, 570: 기판, 570a: 배리어막, 570b: 기판, 570c: 부착층, 580R: 발광 모듈, 590: 기판, 591: 전극, 592: 전극, 593: 절연층, 594: 배선, 595: 터치 센서, 597: 부착층, 598: 배선, 599: 접속층, 5100: 펠릿, 5120: 기판, 및 5161: 영역.
본 출원은 2013년 11월 15일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2013-236969의 일본 특허 출원 및 2013년 11월 15일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2013-236966의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.

Claims (6)

  1. 하우징과 표시 패널을 갖고,
    상기 하우징은 평면과, 상기 평면으로부터 연장되는 제 1 내지 제 4 측면을 갖고,
    상기 제 1 측면은 상기 제 4 측면과 대향하고,
    상기 제 2 측면은 상기 제 3 측면과 대향하고,
    상기 제 1 측면의 장축 방향 및 상기 제 4 측면의 장축 방향은 상기 제 2 측면의 장축 방향 및 상기 제 3 측면의 장축 방향보다 길고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면 내지 상기 제 4 측면의 각각은 각각의 단축 방향의 단면에서 볼 때 만곡 형상을 갖고,
    상기 표시 패널은 가요성을 갖고,
    상기 표시 패널은 제 1 영역과 제 2 영역을 갖고,
    상기 제 1 영역은 터치 센서로서 기능하는 영역을 갖고,
    상기 제 1 영역은 상기 평면, 상기 제 1 측면 및 상기 제 4 측면과 중첩되고,
    상기 제 2 영역은 상기 제 2 측면과 중첩되고,
    상기 표시 패널은 상기 제 3 측면과 중첩되지 않고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면으로 이루어지는 제 1 모서리부 및 상기 하우징의 상기 제 2 측면과 상기 제 4 측면으로 이루어지는 제 2 모서리부는 상기 표시 패널과 중첩되지 않고,
    상기 제 1 측면 또는 상기 제 4 측면과 중첩되는 상기 표시 패널의 표시부는 아이콘 또는 슬라이드 바를 표시시키는 기능을 갖고,
    상기 표시 패널은 상기 표시부에 복수의 화소를 갖고,
    상기 화소는 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 산화물 반도체는 산화 인듐을 포함하는 전자 기기.
  2. 하우징과 표시 패널을 갖고,
    상기 하우징은 평면과, 상기 평면으로부터 연장되는 제 1 내지 제 4 측면을 갖고,
    상기 제 1 측면은 상기 제 4 측면과 대향하고,
    상기 제 2 측면은 상기 제 3 측면과 대향하고,
    상기 제 1 측면의 장축 방향 및 상기 제 4 측면의 장축 방향은 상기 제 2 측면의 장축 방향 및 상기 제 3 측면의 장축 방향보다 길고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면 내지 상기 제 4 측면의 각각은 각각의 단축 방향의 단면에서 볼 때 만곡 형상을 갖고,
    상기 표시 패널은 가요성을 갖고,
    상기 표시 패널은 제 1 영역과 제 2 영역을 갖고,
    상기 제 1 영역은 터치 센서로서 기능하는 영역을 갖고,
    상기 제 1 영역은 상기 평면, 상기 제 1 측면 및 상기 제 4 측면과 중첩되고,
    상기 제 2 영역은 상기 제 2 측면과 중첩되고,
    상기 표시 패널은 상기 제 3 측면과 중첩되지 않고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면으로 이루어지는 제 1 모서리부 및 상기 하우징의 상기 제 2 측면과 상기 제 4 측면으로 이루어지는 제 2 모서리부는 상기 표시 패널과 중첩되지 않고,
    상기 제 1 측면 또는 상기 제 4 측면과 중첩되는 상기 표시 패널의 표시부는 아이콘 또는 슬라이드 바를 표시시키는 기능을 갖고,
    상기 제 1 측면 및 상기 제 4 측면에는 하드웨어 버튼이 배치되어 있지 않고,
    상기 표시 패널은 상기 표시부에 복수의 화소를 갖고,
    상기 화소는 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 산화물 반도체는 산화 인듐을 포함하는 전자 기기.
  3. 하우징과 표시 패널을 갖고,
    상기 하우징은 평면과, 만곡 형상을 갖는 제 1 측면과, 상기 제 1 측면에 인접하여 제공되고 만곡 형상을 갖는 제 2 측면 및 제 3 측면과, 상기 제 1 측면에 대향하여 제공되고 만곡 형상을 갖는 제 4 측면을 갖고,
    상기 표시 패널은, 상기 평면과 중첩되는 제 1 영역과, 상기 제 1 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 2 영역과, 상기 제 2 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 3 영역과, 상기 제 4 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 4 영역을 갖고,
    상기 표시 패널은 상기 제 3 측면과 중첩되지 않고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면으로 이루어지는 제 1 모서리부 및 상기 하우징의 상기 제 2 측면과 상기 제 4 측면으로 이루어지는 제 2 모서리부는 상기 표시 패널에 중첩되지 않고,
    상기 표시 패널의 표시부는 터치 센서로서 기능하는 영역을 갖고,
    상기 표시 패널의 상기 표시부는 상기 제 2 영역 및 상기 제 4 영역과 중첩되는 영역을 갖고,
    상기 제 2 영역 또는 상기 제 4 영역과 중첩되는 상기 표시 패널의 상기 표시부는 아이콘 또는 슬라이드 바를 표시시키는 기능을 갖고,
    상기 표시 패널은 상기 표시부에 복수의 화소를 갖고,
    상기 화소는 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 산화물 반도체는 산화 인듐을 포함하는 전자 기기.
  4. 하우징과 표시 패널을 갖고,
    상기 하우징은 평면과, 만곡 형상을 갖는 제 1 측면과, 상기 제 1 측면에 인접하여 제공되고 만곡 형상을 갖는 제 2 측면 및 제 3 측면과, 상기 제 1 측면에 대향하여 제공되고 만곡 형상을 갖는 제 4 측면을 갖고,
    상기 표시 패널은, 상기 평면과 중첩되는 제 1 영역과, 상기 제 1 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 2 영역과, 상기 제 2 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 3 영역과, 상기 제 4 측면과 중첩되고 만곡 형상을 갖는 제 4 영역을 갖고,
    상기 표시 패널은 상기 제 3 측면과 중첩되지 않고,
    상기 하우징의 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면으로 이루어지는 제 1 모서리부 및 상기 하우징의 상기 제 2 측면과 상기 제 4 측면으로 이루어지는 제 2 모서리부는 상기 표시 패널에 중첩되지 않고,
    상기 표시 패널의 표시부는 터치 센서로서 기능하는 영역을 갖고,
    상기 표시 패널의 상기 표시부는 상기 제 2 영역 및 상기 제 4 영역과 중첩되는 영역을 갖고,
    상기 제 2 영역 또는 상기 제 4 영역과 중첩되는 상기 표시 패널의 상기 표시부는 아이콘 또는 슬라이드 바를 표시시키는 기능을 갖고,
    상기 제 1 측면 및 상기 제 4 측면에는 하드웨어 버튼이 배치되어 있지 않고,
    상기 표시 패널은 상기 표시부에 복수의 화소를 갖고,
    상기 화소는 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 산화물 반도체는 산화 인듐을 포함하는 전자 기기.
  5. 삭제
  6. 삭제
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