KR102906810B1

KR102906810B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: KR102906810B1
Application number: KR1020210061833A
Authority: KR
Inventors: 야스하루 이와시타; 고지 가가와; 마사루 아마이; 가츠히로 모리카와
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2020-05-25
Filing date: 2021-05-13
Publication date: 2025-12-31
Anticipated expiration: 2041-05-13
Also published as: JP7422606B2; CN113725117A; JP2021190445A; KR20210145673A

Abstract

본 발명은 오존수로 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 의한 기판 처리 장치는, 기판 회전부와, 오존수 토출부와, 가압부와, 제어부를 구비한다. 기판 회전부는 기판을 유지하여 회전시킨다. 오존수 토출부는, 기판의 반경 이상의 길이를 가지며, 기판에 오존수를 토출한다. 가압부는, 오존수 토출부보다 상류측에서 오존수를 대기압보다 높은 압력으로 가압한다. 제어부는 각부(各部)를 제어 한다. 또한, 제어부는, 기판 회전부에 유지된 기판에 오존수를 토출하고, 오존수를 토출한 후에 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시키고, 오존수의 토출 유량을 감소시킨 후에 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 증가시킨다. 또한, 제어부는, 적어도 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켰을 때에 기판을 회전시킨다. The present invention provides a technology capable of efficiently treating a substrate with ozone water.
A substrate processing device according to one aspect of the present disclosure comprises a substrate rotation unit, an ozone water discharge unit, a pressurizing unit, and a control unit. The substrate rotation unit holds and rotates a substrate. The ozone water discharge unit has a length greater than the radius of the substrate and discharges ozone water onto the substrate. The pressurizing unit pressurizes ozone water to a pressure higher than atmospheric pressure on the upstream side of the ozone water discharge unit. The control unit controls each unit. Furthermore, the control unit discharges ozone water onto the substrate held by the substrate rotation unit, reduces the discharge flow rate of ozone water to the substrate after discharging the ozone water, and increases the discharge flow rate of ozone water to the substrate after reducing the discharge flow rate of ozone water. Furthermore, the control unit rotates the substrate at least when the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced.

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

개시한 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The disclosed embodiment relates to a substrate processing device and a substrate processing method.

종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 칭함) 등의 기판을 오존수로 처리하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조). Conventionally, a technology for treating substrates such as semiconductor wafers (hereinafter also referred to as wafers) with ozone water has been known (see Patent Document 1).

특허문헌 1 : 일본특허공개 제2001-326210호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-326210

본 개시는, 오존수로 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기술을 제공한다. The present disclosure provides a technique for efficiently treating a substrate with ozone water.

본 개시의 일양태에 의한 기판 처리 장치는, 기판 회전부와, 오존수 토출부와, 가압부와, 제어부를 구비한다. 기판 회전부는 기판을 유지하여 회전시킨다. 오존수 토출부는, 상기 기판의 반경 이상의 길이를 가지며, 상기 기판에 오존수를 토출한다. 가압부는, 상기 오존수 토출부보다 상류측에서 오존수를 대기압보다 높은 압력으로 가압한다. 제어부는 각부(各部)를 제어한다. 또한, 상기 제어부는, 상기 기판 회전부에 유지된 상기 기판에 오존수를 토출하고, 상기 오존수를 토출한 후에 상기 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시키고, 상기 오존수의 토출 유량을 감소시킨 후에 상기 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 증가시킨다. 또한, 제어부는, 적어도 상기 기판에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켰을 때에 상기 기판을 회전시킨다. A substrate processing device according to one aspect of the present disclosure comprises a substrate rotation unit, an ozone water discharge unit, a pressurizing unit, and a control unit. The substrate rotation unit holds and rotates a substrate. The ozone water discharge unit has a length greater than a radius of the substrate and discharges ozone water onto the substrate. The pressurizing unit pressurizes ozone water to a pressure higher than atmospheric pressure on an upstream side of the ozone water discharge unit. The control unit controls each unit. Furthermore, the control unit discharges ozone water onto the substrate held by the substrate rotation unit, reduces the discharge flow rate of ozone water to the substrate after discharging the ozone water, and increases the discharge flow rate of ozone water to the substrate after reducing the discharge flow rate of ozone water. Furthermore, the control unit rotates the substrate at least when the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced.

본 개시에 의하면, 오존수로 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. According to the present disclosure, a substrate can be efficiently treated with ozone water.

도 1은, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 2는, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 배관 구성을 나타내는 모식도.
도 3은, 실시형태에 따른 처리 유닛의 구성예를 나타내는 모식도.
도 4는, 실시형태에 따른 토출 노즐의 구성예를 나타내는 상면도.
도 5는, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 기판 처리의 순서를 나타내는 플로우차트.
도 6은, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트.
도 7은, 실시형태의 변형예 1에 따른 토출 노즐의 구성예를 나타내는 상면도.
도 8은, 실시형태의 변형예 1에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트.
도 9는, 실시형태의 변형예 2에 따른 토출 노즐의 구성예를 나타내는 상면도.
도 10은, 실시형태의 변형예 3에 따른 처리 유닛의 구성예를 나타내는 단면도.
도 11은, 실시형태의 변형예 3에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트.
도 12는, 실시형태의 변형예 4에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 13은, 실시형태의 변형예 4에 따른 기판 처리 시스템의 배관 구성을 나타내는 모식도. Fig. 1 is a schematic diagram showing the schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
Fig. 2 is a schematic diagram showing the piping configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
Fig. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a processing unit according to an embodiment.
Fig. 4 is a top view showing an example configuration of a discharge nozzle according to an embodiment.
Fig. 5 is a flowchart showing the sequence of substrate processing performed by a substrate processing system according to an embodiment.
Fig. 6 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by a substrate treatment system according to an embodiment.
Fig. 7 is a top view showing an example of the configuration of a discharge nozzle according to Variation 1 of the embodiment.
Fig. 8 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by a substrate treatment system according to modified example 1 of the embodiment.
Fig. 9 is a top view showing an example of the configuration of a discharge nozzle according to Variation 2 of the embodiment.
Fig. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a processing unit according to Variation 3 of the embodiment.
Fig. 11 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by a substrate treatment system according to variation example 3 of the embodiment.
Fig. 12 is a schematic diagram showing the schematic configuration of a substrate processing system according to Variation 4 of the embodiment.
Fig. 13 is a schematic diagram showing the piping configuration of a substrate processing system according to modified example 4 of the embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 각 실시형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 다른 경우가 있는 것에 유의해야 한다. 또한, 도면 상호 간에도, 서로의 치수의 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 경우가 있다. Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the substrate processing device and substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail. Furthermore, the present disclosure is not limited to the embodiments described below. It should be noted that the drawings are schematic, and the dimensional relationships and ratios of each element may differ from reality. Furthermore, even within drawings, there may be parts where the dimensional relationships and ratios differ from each other.

반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 칭함) 등의 기판을 오존수로 처리하는 기술이 알려져 있다. 그러나, 전술한 종래 기술에서는, 오존수로 기판을 효율적으로 처리하는 데에 있어서 한층 더 개선할 여지가 있었다. A technology for treating substrates such as semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) with ozone water is known. However, the above-mentioned conventional technology has room for further improvement in efficiently treating substrates with ozone water.

따라서, 전술한 문제점을 극복하고, 오존수로 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기술이 기대되고 있다. Therefore, a technology capable of overcoming the aforementioned problems and efficiently treating substrates with ozone water is expected.

<기판 처리 시스템의 개요> <Overview of the substrate processing system>

처음에, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 관해 설명한다. 도 1은, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 또, 기판 처리 시스템(1)은 기판 처리 장치의 일례이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다. First, referring to Fig. 1, a schematic configuration of a substrate processing system (1) according to an embodiment will be described. Fig. 1 is a drawing showing a schematic configuration of a substrate processing system (1) according to an embodiment. In addition, the substrate processing system (1) is an example of a substrate processing device. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis, which are orthogonal to each other, are defined, and the positive direction of the Z-axis is set to be a vertically upward direction.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다. As shown in Fig. 1, the substrate processing system (1) has an import/export station (2) and a processing station (3). The import/export station (2) and the processing station (3) are installed adjacent to each other.

반입 반출 스테이션(2)은, 후프 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 후프 배치부(11)에는, 복수 장의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)로 호칭함)를 수평 상태로 수용하는 복수의 후프(C)가 배치된다. The import/export station (2) is equipped with a hoop placement unit (11) and a return unit (12). In the hoop placement unit (11), a plurality of hoops (C) are placed to horizontally accommodate a plurality of substrates, in this embodiment, semiconductor wafers (W) (hereinafter referred to as wafers (W)).

반송부(12)는, 후프 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 후프(C)와 전달부(14)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The return unit (12) is installed adjacent to the hoop placement unit (11) and has a substrate return device (13) and a transfer unit (14) therein. The substrate return device (13) has a wafer holding mechanism for holding a wafer (W). In addition, the substrate return device (13) is capable of moving in horizontal and vertical directions and rotating about a vertical axis, and uses the wafer holding mechanism to return the wafer (W) between the hoop (C) and the transfer unit (14).

처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)과, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 처리 유닛(16)은 기판 처리부의 일례이다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다. The processing station (3) is installed adjacent to the return section (12). The processing station (3) is equipped with a return section (15) and a plurality of processing units (16). The processing unit (16) is an example of a substrate processing section. The plurality of processing units (16) are installed side by side on both sides of the return section (15).

반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The return unit (15) is provided with a substrate return device (17) therein. The substrate return device (17) is provided with a wafer holding mechanism for holding a wafer (W). In addition, the substrate return device (17) is capable of moving in horizontal and vertical directions and rotating around a vertical axis, and returns the wafer (W) between the delivery unit (14) and the processing unit (16) using the wafer holding mechanism.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 주어진 기판 처리를 행한다. 이러한 처리 유닛(16)의 상세에 관해서는 후술한다. The processing unit (16) performs a given substrate processing on a wafer (W) returned by the substrate return device (17). Details of this processing unit (16) will be described later.

또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. In addition, the substrate processing system (1) is equipped with a control device (4). The control device (4) is, for example, a computer, and is equipped with a control unit (18) and a memory unit (19). The memory unit (19) stores a program that controls various processes executed in the substrate processing system (1). The control unit (18) controls the operation of the substrate processing system (1) by reading out and executing the program stored in the memory unit (19).

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리카드 등이 있다. In addition, such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed from the storage medium into the memory unit (19) of the control device (4). Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, etc.

또한, 기판 처리 시스템(1)은 오존수 생성부(5)를 구비한다. 오존수 생성부(5)는, 주어진 오존 농도를 갖는 오존수를 생성하고, 생성한 오존수를 처리 유닛(16)에 공급한다. 이러한 오존수 생성부(5)의 상세에 관해서는 후술한다. In addition, the substrate treatment system (1) is equipped with an ozone water generation unit (5). The ozone water generation unit (5) generates ozone water having a given ozone concentration and supplies the generated ozone water to a treatment unit (16). Details of the ozone water generation unit (5) will be described later.

상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 후프 배치부(11)에 배치된 후프(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다. In the substrate processing system (1) configured as described above, first, the substrate transport device (13) of the loading/unloading station (2) takes out a wafer (W) from a hoop (C) placed in a hoop placement unit (11) and places the taken out wafer (W) in a transfer unit (14). The wafer (W) placed in the transfer unit (14) is taken out from the transfer unit (14) by the substrate transport device (17) of the processing station (3) and is placed in a processing unit (16).

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 후프 배치부(11)의 후프(C)로 되돌아간다. The wafer (W) loaded into the processing unit (16) is processed by the processing unit (16), then taken out of the processing unit (16) by the substrate return device (17) and placed in the transfer unit (14). Then, the processed wafer (W) placed in the transfer unit (14) is returned to the hoop (C) of the hoop placement unit (11) by the substrate return device (13).

<기판 처리 시스템의 배관 구성> <Piping configuration of the substrate processing system>

다음으로, 기판 처리 시스템(1)의 배관 구성에 관해, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 배관 구성을 나타내는 모식도이다. Next, the piping configuration of the substrate processing system (1) will be described with reference to Fig. 2. Fig. 2 is a schematic diagram showing the piping configuration of the substrate processing system (1) according to the embodiment.

도 2의 예에서는, 하나의 처리 유닛(16)을 포함한 처리 영역(X)이 6개 배치된 경우에 관해 나타내고 있다. 또, 이해를 쉽게 하기 위해, 좌측 아래에 나타낸 처리 영역(X) 이외의 처리 영역(X) 내의 배관 구성은, 도시를 생략한다. In the example of Fig. 2, the case where six processing areas (X) including one processing unit (16) are arranged is shown. In addition, for ease of understanding, the piping configuration within the processing areas (X) other than the processing areas (X) shown on the lower left is omitted from the illustration.

도 2에 나타낸 바와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 오존수 생성부(5)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. As shown in Fig. 2, the substrate processing system (1) according to the embodiment comprises an ozone water generating unit (5) and a plurality of processing units (16).

오존수 생성부(5)는, 주어진 오존 농도를 갖는 오존수를 생성한다. 이러한 「주어진 오존 농도」란, 예를 들면, 웨이퍼(W)(도 1 참조)에 형성되는 레지스트막을 제거(박리)할 수 있는 오존 농도이며, 예를 들면, 100 mg/L∼400 mg/L의 범위이다. The ozone water generation unit (5) generates ozone water having a given ozone concentration. This "given ozone concentration" is, for example, an ozone concentration capable of removing (peeling) a resist film formed on a wafer (W) (see Fig. 1), and is, for example, in the range of 100 mg/L to 400 mg/L.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 오존수 생성부(5)로부터 복수의 처리 유닛(16)에 걸쳐 설치되는 처리액 공급로(21)를 구비한다. 이러한 처리액 공급로(21)는, DIW 공급원(22a)과 처리 유닛(16) 사이를 접속한다. In addition, the substrate treatment system (1) according to the embodiment has a treatment solution supply path (21) installed from an ozone water generation unit (5) to a plurality of treatment units (16). This treatment solution supply path (21) connects between a DIW supply source (22a) and the treatment units (16).

처리액 공급로(21)는, 제1 공급로(22)와, 탱크(23)와, 제2 공급로(24)와, 제3 공급로(60)가 이 순으로 접속되어 구성된다. The treatment solution supply path (21) is configured by connecting a first supply path (22), a tank (23), a second supply path (24), and a third supply path (60) in this order.

제1 공급로(22)는, 오존수의 원료가 되는 DIW(DeIonized Water : 탈이온수)를 탱크(23)에 공급한다. 제1 공급로(22)는, 상류측으로부터 순서대로 DIW 공급원(22a)과, 탈기 모듈(22b)과, 냉각기(22c)와, 밸브(22d)와, 정압 밸브(22e)와, 유량계(22f)를 갖는다. The first supply line (22) supplies DIW (Deionized Water), which is the raw material for ozone water, to the tank (23). The first supply line (22) has, in order from the upstream side, a DIW supply source (22a), a degassing module (22b), a cooler (22c), a valve (22d), a pressure regulator valve (22e), and a flow meter (22f).

DIW 공급원(22a)은, 예를 들면, DIW를 저류하는 탱크이다. 탈기 모듈(22b)은, DIW 공급원(22a)으로부터 공급되는 DIW 내에 용해되어 있는 질소 등의 용존 가스를 제거한다. 이러한 탈기 모듈(22b)로 DIW에 포함되는 용존 가스를 제거하는 것에 의해, DIW에 오존 가스를 효율적으로 용해시킬 수 있다. The DIW supply source (22a) is, for example, a tank that stores DIW. The degassing module (22b) removes dissolved gases, such as nitrogen, contained in the DIW supplied from the DIW supply source (22a). By removing the dissolved gases contained in the DIW with the degassing module (22b), ozone gas can be efficiently dissolved in the DIW.

냉각기(22c)는, 제1 공급로(22)를 흐르는 DIW를 주어진 온도(예를 들면, 10℃∼20℃)로 냉각시킨다. 이러한 냉각기(22c)로 DIW를 냉각시키는 것에 의해, DIW에 오존 가스를 효율적으로 용해시킬 수 있다. The cooler (22c) cools the DIW flowing through the first supply path (22) to a given temperature (e.g., 10°C to 20°C). By cooling the DIW with the cooler (22c), ozone gas can be efficiently dissolved in the DIW.

정압 밸브(22e)는, 유량계(22f)로 계측되는 DIW의 유량에 기초하여, 탱크(23)에 공급되는 DIW의 유량을 조정한다. 즉, 정압 밸브(22e)는, 유량계(22f)로 계측되는 DIW의 유량에 기초한 피드백 제어를 실시한다. The pressure regulator (22e) adjusts the flow rate of DIW supplied to the tank (23) based on the flow rate of DIW measured by the flow meter (22f). That is, the pressure regulator (22e) performs feedback control based on the flow rate of DIW measured by the flow meter (22f).

제1 공급로(22)에서의 유량계(22f)의 하류측에는 합류부(27)가 설치된다. 그리고, 이러한 합류부(27)에는 산계 약액 공급부(26)가 접속된다. A junction (27) is installed downstream of the flow meter (22f) in the first supply path (22). Then, an acid-based chemical solution supply unit (26) is connected to this junction (27).

산계 약액 공급부(26)는, 유기산(시트르산, 아세트산 등), 염산, 황산 등의 산계 약액을 처리액 공급로(21)의 제1 공급로(22)에 공급한다. 실시형태에서는, DIW에 산계 약액을 공급하여 DIW의 pH를 산성으로 조정하는 것에 의해, 이러한 DIW에 용해되는 오존의 농도를 증가시킬 수 있다. The acid chemical supply unit (26) supplies acid chemical solutions such as organic acids (citric acid, acetic acid, etc.), hydrochloric acid, and sulfuric acid to the first supply path (22) of the treatment solution supply path (21). In the embodiment, by supplying the acid chemical solution to DIW and adjusting the pH of DIW to acidity, the concentration of ozone dissolved in the DIW can be increased.

산계 약액 공급부(26)는, 산계 약액 공급로(26a)의 상류측으로부터 순서대로, 산계 약액 공급원(26b)과, 밸브(26c)와, 정압 밸브(26d)와, 유량계(26e)를 갖는다. 산계 약액 공급원(26b)은, 예를 들면, 산계 약액을 생성 가능한 캐비닛이나 순환 라인 등이다. The acid chemical supply unit (26) has, in order from the upstream side of the acid chemical supply path (26a), an acid chemical supply source (26b), a valve (26c), a pressure regulator valve (26d), and a flow meter (26e). The acid chemical supply source (26b) is, for example, a cabinet or circulation line capable of producing an acid chemical.

정압 밸브(26d)는, 유량계(26e)로 계측되는 산계 약액의 유량에 기초하여, 제1 공급로(22)에 공급되는 산계 약액의 유량을 조정한다. 즉, 정압 밸브(26d)는, 유량계(26e)로 계측되는 산계 약액의 유량에 기초한 피드백 제어를 실시한다. The pressure regulator (26d) adjusts the flow rate of the acid-based chemical solution supplied to the first supply path (22) based on the flow rate of the acid-based chemical solution measured by the flow meter (26e). That is, the pressure regulator (26d) performs feedback control based on the flow rate of the acid-based chemical solution measured by the flow meter (26e).

제1 공급로(22)에서의 합류부(27)의 하류측에는, 필터(28)와, 농도계(29)가 설치된다. 필터(28)는, 제1 공급로(22)를 흐르는 DIW나 산계 약액 공급로(26a)를 흐르는 산계 약액에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 농도계(29)는, 제1 공급로(22)를 흐르는 DIW의 pH를 측정한다. A filter (28) and a concentration meter (29) are installed downstream of the confluence (27) in the first supply path (22). The filter (28) removes contaminants such as particles contained in the DIW flowing in the first supply path (22) or the acidic chemical solution flowing in the acidic chemical solution supply path (26a). The concentration meter (29) measures the pH of the DIW flowing in the first supply path (22).

그리고, 합류부(27)에서 산계 약액과 혼합되어 pH가 조정된 DIW는, 탱크(23)에 저류된다. 이러한 탱크(23)의 바닥부에는 제2 공급로(24)가 접속된다. And, the DIW, which is mixed with the acid solution at the junction (27) and has its pH adjusted, is stored in the tank (23). A second supply line (24) is connected to the bottom of the tank (23).

또한, 탱크(23)는, 밸브(31)를 통해 드레인부(DR)에 접속된다. 이것에 의해, 제어부(18)(도 1 참조)는, 탱크(23) 내의 DIW를 교환할 때 등에 밸브(31)를 제어하여, 탱크(23) 내의 DIW를 드레인부(DR)에 배출할 수 있다. In addition, the tank (23) is connected to the drain section (DR) via a valve (31). By this, the control section (18) (see Fig. 1) can control the valve (31) to discharge the DIW in the tank (23) to the drain section (DR) when exchanging the DIW in the tank (23), etc.

제2 공급로(24)는, 탱크(23)과 복수의 분기부(50) 사이에 설치되고, 상류측으로부터 순서대로 혼입부(32)와, 펌프(33)와, 필터(34)와, 유량계(35)와, 농도계(36)와, 밸브(37)를 갖는다. 펌프(33)는 가압부의 일례이다. 또한, 혼입부(32)에는 오존 가스 공급로(38)가 접속된다. The second supply line (24) is installed between the tank (23) and the plurality of branch sections (50), and has, in order from the upstream side, a mixing section (32), a pump (33), a filter (34), a flow meter (35), a concentration meter (36), and a valve (37). The pump (33) is an example of a pressurizing section. In addition, an ozone gas supply line (38) is connected to the mixing section (32).

오존 가스 공급로(38)는, 오존 가스를 혼입부(32)에 공급한다. 오존 가스 공급로(38)는, 상류측으로부터 순서대로 오존 가스 생성부(39)와, 필터(40)와, 밸브(41)와, 체크 밸브(42)를 갖는다. The ozone gas supply path (38) supplies ozone gas to the mixing section (32). The ozone gas supply path (38) has, in order from the upstream side, an ozone gas generating section (39), a filter (40), a valve (41), and a check valve (42).

오존 가스 생성부(39)는, 공지의 기술에 의해 산소 가스로부터 오존 가스를 생성한다. 오존 가스의 원료가 되는 산소 가스는, 산소 가스 공급부(44)로부터 오존 가스 생성부(39)에 공급된다. 산소 가스 공급부(44)는, 산소 가스 공급로(44a)의 상류측으로부터 순서대로, 산소 가스 공급원(44b)과, 정압 밸브(44c)와, 밸브(44d)를 갖는다. 산소 가스 공급원(44b)은, 예컨대, 산소 가스를 저류하는 탱크이다. The ozone gas generating unit (39) generates ozone gas from oxygen gas using a known technology. Oxygen gas, which is a raw material for ozone gas, is supplied to the ozone gas generating unit (39) from an oxygen gas supply unit (44). The oxygen gas supply unit (44) has, in order from the upstream side of the oxygen gas supply path (44a), an oxygen gas supply source (44b), a pressure regulator valve (44c), and a valve (44d). The oxygen gas supply source (44b) is, for example, a tank that stores oxygen gas.

또, 도 2에는 도시하지 않지만, 오존 가스 생성부(39)에는, 냉각수를 공급하는 냉각수 공급부와, 사용된 냉각수를 배출하는 냉각수 배출부가 접속된다. In addition, although not shown in Fig. 2, a cooling water supply unit for supplying cooling water and a cooling water discharge unit for discharging used cooling water are connected to the ozone gas generation unit (39).

필터(40)는, 오존 가스 공급로(38)를 흐르는 오존 가스에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 체크 밸브(42)는, 오존 가스가 혼입부(32)로부터 역류하는 것을 방지한다. The filter (40) removes contaminants such as particles contained in the ozone gas flowing through the ozone gas supply path (38). The check valve (42) prevents the ozone gas from flowing back from the mixing portion (32).

또한, 실시형태에 따른 오존수 생성부(5)는, 밸브(45)를 통해 오존 가스 제거부(46)에 접속된다. 오존 가스 제거부(46)는, 오존 가스를 무해화하고, 무해화된 오존 가스를 배기부(EXH)로부터 외부로 배출한다. In addition, the ozone water generation unit (5) according to the embodiment is connected to an ozone gas removal unit (46) through a valve (45). The ozone gas removal unit (46) detoxifies ozone gas and discharges the detoxified ozone gas to the outside through an exhaust unit (EXH).

이것에 의해, 제어부(18)는, 오존 가스 생성부(39)의 시동시 등에 충분한 품질의 오존 가스를 생성할 수 없는 경우에, 밸브(45)를 개방 상태로 하는 것에 의해, 불충분한 품질의 오존 가스를 오존 가스 제거부(46)로 무해화할 수 있다. By this, when the control unit (18) cannot generate ozone gas of sufficient quality, such as when the ozone gas generating unit (39) is started, the control unit (18) can neutralize the ozone gas of insufficient quality by opening the valve (45) to the ozone gas removing unit (46).

따라서, 실시형태에 의하면, 충분한 품질의 오존 가스에 한해서 혼입부(32)에 공급할 수 있기 때문에, 양호한 품질의 오존수를 생성할 수 있다. Therefore, according to the embodiment, only ozone gas of sufficient quality can be supplied to the mixing unit (32), so that ozone water of good quality can be produced.

혼입부(32)는, pH가 조정되고, 제2 공급로(24)를 흐르는 DIW의 액 중에, 오존 가스 공급로(38)로부터 공급되는 오존 가스를 혼입시켜 DIW에 오존을 용해시킨다. 혼입부(32)는, 예를 들면, 세공이 열린 버블러를 이용하는 버블링법이나, 고속의 수류에 오존 가스를 불어 넣는 이젝터법에 의해, pH가 조정된 DIW에 오존을 용해시킬 수 있다. The mixing unit (32) dissolves ozone in the DIW by mixing ozone gas supplied from the ozone gas supply channel (38) into the DIW liquid having an adjusted pH and flowing through the second supply channel (24). The mixing unit (32) can dissolve ozone in the DIW having an adjusted pH by, for example, a bubbling method using a bubbler with open pores or an ejector method in which ozone gas is blown into a high-speed water stream.

또, 실시형태에 따른 혼입부(32)는, 버블링법이나 이젝터법에 의해 DIW에 오존를 용해시키는 장치에 한정되지 않고, 예를 들면, 투과막을 이용한 막용해법 등에 의해 DIW에 오존 가스를 혼입시켜도 좋다. In addition, the mixing unit (32) according to the embodiment is not limited to a device that dissolves ozone in DIW by a bubbling method or an ejector method, and may also mix ozone gas in DIW by, for example, a membrane dissolution method using a permeable membrane.

펌프(33)는, DIW에 오존이 용해된 혼합액을 대기압보다 높은 압력으로 가압한다. 이와 같이, DIW에 오존이 용해된 혼합액을 가압하는 것에 의해, 주어진 오존 농도를 갖는 오존수를 효율적으로 생성할 수 있다. The pump (33) pressurizes the mixed solution containing ozone dissolved in DIW to a pressure higher than atmospheric pressure. In this way, by pressurizing the mixed solution containing ozone dissolved in DIW, ozone water having a given ozone concentration can be efficiently produced.

왜냐하면, 원료액인 DIW에 용해된 오존 가스의 몰분률 M은, 이하의 식(1)로 표시되는 헨리의 법칙에 따른다고 추정되고, 이 헨리의 법칙에서는, 용해된 오존 가스의 몰분률 M이 기체 중의 오존의 분압 P에 비례하기 때문이다. This is because the mole fraction M of ozone gas dissolved in the raw material liquid DIW is estimated to follow Henry's law expressed by the following equation (1), and in this Henry's law, the mole fraction M of dissolved ozone gas is proportional to the partial pressure P of ozone in the gas.

M=H^-1·P … (1) M=H ^-1 ·P … (1)

H : 헨리 정수H: Henry Jeongsu

또한, 실시형태에서는, 펌프(33)에 의해 제2 공급로(24) 내의 오존수를 가압하는 것에 의해, 복수의 처리 유닛(16)에 균등하게 오존수를 공급할 수 있다. In addition, in the embodiment, ozone water can be supplied evenly to a plurality of treatment units (16) by pressurizing ozone water in the second supply path (24) by a pump (33).

필터(34)는, 제2 공급로(24)를 흐르는 오존수에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 또, 필터(34)에는, 오존수에 혼입된 가스를 배기하여 탱크(23)로 되돌리는 벤트 라인이 접속되어 있지만, 이러한 벤트 라인의 도시는 생략한다. The filter (34) removes contaminants such as particles contained in the ozone water flowing through the second supply path (24). In addition, a vent line is connected to the filter (34) to exhaust gas mixed in the ozone water and return it to the tank (23), but the drawing of this vent line is omitted.

농도계(36)는, 제2 공급로(24)를 흐르는 오존수의 오존 농도를 측정한다. 제어부(18)는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도에 기초하여, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 조정한다. The concentration meter (36) measures the ozone concentration of the ozone water flowing through the second supply path (24). The control unit (18) adjusts the ozone concentration of the ozone water generated in the ozone water generation unit (5) based on the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36).

예를 들면, 제어부(18)는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도가 주어진 오존 농도보다 낮은 경우, 산계 약액 공급부(26)로부터 공급되는 산계 약액의 유량을 증가시킨다. 이것에 의해, 제1 공급로(22)로부터 공급되는 DIW의 pH가 내려가기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 증가시킬 수 있다. For example, if the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36) is lower than the given ozone concentration, the control unit (18) increases the flow rate of the acid chemical solution supplied from the acid chemical solution supply unit (26). As a result, since the pH of the DIW supplied from the first supply path (22) decreases, the ozone concentration of the ozone water generated from the ozone water generation unit (5) can be increased.

또한, 제어부(18)는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도가 주어진 오존 농도보다 낮은 경우, 오존 가스 공급로(38)로부터 공급되는 오존 가스의 유량 및 농도 중 적어도 한쪽을 증가시켜도 좋다. In addition, the control unit (18) may increase at least one of the flow rate and concentration of ozone gas supplied from the ozone gas supply path (38) when the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36) is lower than the given ozone concentration.

이것에 의해, 혼입부(32)에서 혼합되는 오존 분자의 양이 증가하기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 증가시킬 수 있다. By this, since the amount of ozone molecules mixed in the mixing section (32) increases, the ozone concentration of the ozone water generated in the ozone water generation section (5) can be increased.

한편, 제어부(18)는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도가 주어진 오존 농도보다 높은 경우, 산계 약액 공급부(26)로부터 공급되는 산계 약액의 유량을 감소시킨다. Meanwhile, the control unit (18) reduces the flow rate of the acid solution supplied from the acid solution supply unit (26) when the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36) is higher than the given ozone concentration.

이것에 의해, 제1 공급로(22)로부터 공급되는 DIW의 pH가 올라가기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 감소시킬 수 있다. By this, since the pH of the DIW supplied from the first supply path (22) increases, the ozone concentration of the ozone water generated from the ozone water generation unit (5) can be reduced.

또한, 제어부(18)는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도가 주어진 오존 농도보다 높은 경우, 오존 가스 공급로(38)로부터 공급되는 오존 가스의 유량 및 농도 중 적어도 한쪽을 감소시켜도 좋다. In addition, the control unit (18) may reduce at least one of the flow rate and concentration of ozone gas supplied from the ozone gas supply path (38) when the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36) is higher than a given ozone concentration.

이것에 의해, 혼입부(32)에서 혼합되는 오존 분자의 양이 감소하기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 감소시킬 수 있다. By this, since the amount of ozone molecules mixed in the mixing section (32) is reduced, the ozone concentration of the ozone water generated in the ozone water generation section (5) can be reduced.

이와 같이, 실시형태에서는, 농도계(36)로 계측되는 오존수의 오존 농도에 기초하여, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수의 오존 농도를 피드백 제어한다. 이것에 의해, 주어진 오존 농도의 오존수를 안정적으로 처리 유닛(16)에 공급할 수 있다. In this way, in the embodiment, the ozone concentration of the ozone water generated in the ozone water generation unit (5) is feedback-controlled based on the ozone concentration of the ozone water measured by the concentration meter (36). As a result, ozone water with a given ozone concentration can be stably supplied to the treatment unit (16).

제2 공급로(24)에서의 밸브(37)보다 하류측에서는, 이러한 제2 공급로(24)가 병렬이 되도록 분기된다. 그리고, 병렬로 분기된 제2 공급로(24)에 설치되는 분기부(50)로부터 제3 공급로(60)가 더 분기되고, 이러한 제3 공급로(60)가 처리 유닛(16)에 접속된다. Downstream of the valve (37) in the second supply path (24), the second supply path (24) is branched so as to be parallel. Then, a third supply path (60) is further branched from a branch section (50) installed in the second supply path (24) branched in parallel, and this third supply path (60) is connected to the processing unit (16).

도 2의 예에서는, 제2 공급로(24)가 3병렬이 되도록 분기되고, 분기된 제2 공급로(24)는, 각각 2개의 처리 유닛(16)에 오존수를 공급한다. In the example of Fig. 2, the second supply path (24) is branched to form three parallel paths, and the branched second supply paths (24) supply ozone water to two processing units (16), respectively.

제3 공급로(60)는, 상류측으로부터 순서대로 정압 밸브(61)와, 유량계(62)와, 밸브(63)와, 히터(64)를 갖는다. 정압 밸브(61)는, 유량계(62)로 계측되는 오존수의 유량에 기초하여, 제3 공급로(60)를 흐르는 오존수의 유량을 조정한다. 즉, 정압 밸브(61)는, 유량계(62)로 계측되는 오존수의 유량에 기초한 피드백 제어를 실시한다. The third supply path (60) has, in order from the upstream side, a pressure regulator valve (61), a flow meter (62), a valve (63), and a heater (64). The pressure regulator valve (61) adjusts the flow rate of ozone water flowing through the third supply path (60) based on the flow rate of ozone water measured by the flow meter (62). In other words, the pressure regulator valve (61) performs feedback control based on the flow rate of ozone water measured by the flow meter (62).

히터(64)는, 제2 공급로(24)를 흐르는 오존수를 주어진 온도(예를 들면, 60℃)로 가열한다. 이것에 의해, 가열된 오존수를 처리 유닛(16)에 공급할 수 있기 때문에, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 처리 성능을 향상시킬 수 있다. The heater (64) heats the ozone water flowing through the second supply path (24) to a given temperature (e.g., 60°C). By this, the heated ozone water can be supplied to the processing unit (16), thereby improving the performance of processing wafers (W) using ozone water.

또한, 처리 유닛(16)은, 배출로(65)를 통해 드레인부(DR)에 접속된다. 이것에 의해, 처리 유닛(16) 내에서 웨이퍼(W)의 처리에 사용된 처리액을 드레인부(DR)에 배출할 수 있다. In addition, the processing unit (16) is connected to the drain section (DR) through the discharge path (65). By this, the processing liquid used for processing the wafer (W) within the processing unit (16) can be discharged to the drain section (DR).

여기까지 설명한 바와 같이, 실시형태에서는, 혼입부(32)에서 DIW에 오존 가스를 혼입시켜 오존수를 생성한 후에, 이러한 오존수를 펌프(33)로 대기압보다 높은 압력으로 가압한다. 이것에 의해, 고농도의 오존수를 효율적으로 생성할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 오존수로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. As described thus far, in the embodiment, ozone gas is mixed into DIW in the mixing unit (32) to generate ozone water, and then the ozone water is pressurized to a pressure higher than atmospheric pressure using a pump (33). This allows for efficient generation of high-concentration ozone water. Therefore, according to the embodiment, the wafer (W) can be efficiently treated with ozone water.

또한, 실시형태에서는, 오존수를 펌프(33)로 가압한 후, 웨이퍼(W)에 토출하기 직전에 히터(64)로 가열한다. 이것에 의해, 펌프(33)로 오존수를 가압하기 전, 또는 혼입부(32)에서 오존수를 생성하기 전에 가열하는 경우에 비교하여, 주어진 오존 농도를 갖는 오존수를 효율적으로 생성할 수 있다. 왜냐하면, 온도가 높은 DIW에는 오존이 용해되기 어려워지기 때문이다. In addition, in the embodiment, after pressurizing the ozone water with the pump (33), it is heated with the heater (64) immediately before being discharged onto the wafer (W). By this, ozone water having a given ozone concentration can be efficiently generated compared to the case where the ozone water is heated before being pressurized with the pump (33) or before being generated in the mixing unit (32). This is because ozone becomes difficult to dissolve in DIW at a high temperature.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 복수의 제2 공급로(24)가 순환로(70)를 통해 오존수 생성부(5)에 접속된다. In addition, in the substrate processing system (1) according to the embodiment, a plurality of second supply paths (24) are connected to the ozone water generation unit (5) through a circulation path (70).

이것에 의해, 처리 유닛(16)에서 사용되지 않은 오존수를, 순환로(70)를 통해 오존수 생성부(5)로 되돌릴 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 미사용의 오존수를 활용하여 오존수를 더 생성할 수 있기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 오존수를 효율적으로 생성할 수 있다. By this, ozone water not used in the processing unit (16) can be returned to the ozone water generation unit (5) through the circulation path (70). Therefore, according to the embodiment, since more ozone water can be generated by utilizing the unused ozone water, ozone water can be efficiently generated in the ozone water generation unit (5).

순환로(70)는, 분기부(71)에서 순환로(70a) 및 순환로(70b)로 분기된다. 순환로(70a)는, 상류측으로부터 순서대로 밸브(72)와, 정압 밸브(73)와, 유량계(74)와, 냉각기(75)를 가지며, 오존수 생성부(5)의 탱크(23)에 접속된다. 순환로(70b)는, 상류측으로부터 순서대로 밸브(76)와, 정압 밸브(77)를 가지며, 제2 공급로(24)에서의 혼입부(32)의 상류측에 접속된다.The circulation path (70) branches into a circulation path (70a) and a circulation path (70b) at a branch point (71). The circulation path (70a) has, in order from the upstream side, a valve (72), a pressure regulator (73), a flow meter (74), and a cooler (75), and is connected to the tank (23) of the ozone water generation unit (5). The circulation path (70b) has, in order from the upstream side, a valve (76) and a pressure regulator (77), and is connected to the upstream side of the mixing unit (32) in the second supply path (24).

정압 밸브(73)는, 유량계(74)로 계측되는 오존수의 유량에 기초하여, 탱크(23)로 되돌리는 오존수의 유량을 조정한다. 즉, 정압 밸브(73)는, 유량계(74)로 계측되는 오존수의 유량에 기초한 피드백 제어를 실시한다. The pressure regulator (73) adjusts the flow rate of ozone water returned to the tank (23) based on the flow rate of ozone water measured by the flow meter (74). That is, the pressure regulator (73) performs feedback control based on the flow rate of ozone water measured by the flow meter (74).

냉각기(75)는, 순환로(70a)를 흐르는 오존수를 주어진 온도(예를 들면, 10℃∼20 ℃)로 냉각시킨다. 실시형태에서는, 이러한 냉각기(75)로 순환로(70)를 흐르는 오존수를 냉각시키는 것에 의해, DIW 공급원(22a)으로부터 탱크(23)에 공급되는 DIW의 온도가 상승하는 것을 억제할 수 있다. The cooler (75) cools the ozone water flowing through the circulation path (70a) to a given temperature (e.g., 10°C to 20°C). In the embodiment, by cooling the ozone water flowing through the circulation path (70) with the cooler (75), the temperature of the DIW supplied from the DIW supply source (22a) to the tank (23) can be suppressed from rising.

따라서, 실시형태에 의하면, 오존수 생성부(5)에서 원하는 농도의 오존수를 안정적으로 생성할 수 있다. Therefore, according to the embodiment, ozone water of a desired concentration can be stably generated in the ozone water generation unit (5).

실시형태에서는, 제어부(18)가, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수가 주어진 오존 농도가 되기까지의 동안에, 순환로(70a)의 밸브(72)를 개방 상태로 제어하고, 순환로(70b)의 밸브(76)를 폐쇄 상태로 제어한다. 그리고, 제어부(18)는, 오존수 생성부(5)에서 생성되는 오존수를 순환로(70) 및 순환로(70a)를 통해 오존수 생성부(5)의 탱크(23)로 되돌린다. In the embodiment, the control unit (18) controls the valve (72) of the circulation path (70a) to be open and the valve (76) of the circulation path (70b) to be closed until the ozone water generated in the ozone water generation unit (5) reaches a given ozone concentration. Then, the control unit (18) returns the ozone water generated in the ozone water generation unit (5) to the tank (23) of the ozone water generation unit (5) through the circulation path (70) and the circulation path (70a).

이것에 의해, 실시형태에서는, 주어진 오존 농도의 오존수를 단시간에 효율적으로 생성할 수 있다. By this, in the embodiment, ozone water having a given ozone concentration can be efficiently generated in a short period of time.

그리고, 주어진 오존 농도의 오존수가 생성되고, 처리 유닛(16)에서 웨이퍼(W)의 처리가 시작될 때에, 제어부(18)는, 순환로(70a)의 밸브(72)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 변경하고, 순환로(70b)의 밸브(76)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다. And, when ozone water of a given ozone concentration is generated and processing of a wafer (W) starts in the processing unit (16), the control unit (18) changes the valve (72) of the circulation path (70a) from an open state to a closed state, and changes the valve (76) of the circulation path (70b) from a closed state to an open state.

이와 같이, 한번 생성된 고농도의 오존수를 혼입부(32)의 직전으로 되돌리는 것에 의해, 한번 생성된 오존수의 오존 농도가, 다음 오존수 생성시까지 저하되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 고농도의 오존수를 더욱 효율적으로 생성할 수 있다. In this way, by returning the high-concentration ozone water once generated to the point immediately before the mixing section (32), the ozone concentration of the ozone water once generated can be suppressed from decreasing until the next ozone water generation. Therefore, according to the embodiment, high-concentration ozone water can be generated more efficiently.

<처리 유닛의 구성> <Composition of the processing unit>

다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 관해, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 3은, 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성예를 나타내는 모식도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 케이스(80)와, 기판 회전부(90)와, 액공급부(100)와, 회수컵(110)과, 가스 도입부(120)를 구비한다. Next, the configuration of the processing unit (16) will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the processing unit (16) according to the embodiment. As shown in FIG. 3, the processing unit (16) includes a case (80), a substrate rotation unit (90), a liquid supply unit (100), a recovery cup (110), and a gas introduction unit (120).

케이스(80)는, 기판 회전부(90)와, 액공급부(100)와, 회수컵(110)을 수용한다. 케이스(80)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(81)가 설치된다. FFU(81)는, 케이스(80) 내에 다운플로우를 형성한다. The case (80) accommodates a substrate rotation unit (90), a liquid supply unit (100), and a recovery cup (110). An FFU (Fan Filter Unit) (81) is installed on the ceiling of the case (80). The FFU (81) forms a downflow within the case (80).

기판 회전부(90)는, 유지부(91)와, 지주부(92)와, 구동부(93)와, 가열 기구(94)를 구비하고, 배치된 웨이퍼(W)에 액처리를 행한다. 유지부(91)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(92)는, 수직 방향으로 연장된 부재이며, 기단부가 구동부(93)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에서 유지부(91)를 수평으로 지지한다. 구동부(93)는, 지주부(92)를 수직축 둘레에 회전시킨다. The substrate rotation unit (90) is equipped with a holding unit (91), a support unit (92), a driving unit (93), and a heating mechanism (94), and performs liquid treatment on a placed wafer (W). The holding unit (91) holds the wafer (W) horizontally. The support unit (92) is a member extending in a vertical direction, and a base portion is rotatably supported by a driving unit (93), and a tip portion horizontally supports the holding unit (91). The driving unit (93) rotates the support unit (92) around a vertical axis.

이러한 기판 회전부(90)는, 구동부(93)를 이용하여 지주부(92)를 회전시키는 것에 의해 지주부(92)에 지지된 유지부(91)를 회전시키고, 이것에 의해, 유지부(91)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. This substrate rotation unit (90) rotates the support unit (92) by using the driving unit (93) to rotate the support unit (91) supported on the support unit (92), thereby rotating the wafer (W) held on the support unit (91).

기판 회전부(90)가 구비하는 유지부(91)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(91a)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(91a)에 의해 유지부(91)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. 또, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 위로 향하게 한 상태로 유지부(91)에 유지된다. A holding member (91a) for holding a wafer (W) from the side is installed on the upper surface of a holding member (91) provided in a substrate rotation unit (90). The wafer (W) is held horizontally by the holding member (91a) in a state slightly spaced apart from the upper surface of the holding member (91). In addition, the wafer (W) is held on the holding member (91) in a state where the surface on which substrate processing is performed faces upward.

가열 기구(94)는, 유지부(91)에 유지되는 웨이퍼(W)를 주어진 온도로 가열한다. 가열 기구(94)는, 예를 들면, 유지부(91)에 유지되는 웨이퍼(W)의 하면측에서 상하로 이동 가능하게 설치된다. 그리고, 가열 기구(94)는, 웨이퍼(W)의 하면 전체에 접근 또는 접촉하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체를 균등하게 가열할 수 있다. The heating mechanism (94) heats the wafer (W) held in the holding member (91) to a given temperature. The heating mechanism (94) is, for example, installed so as to be able to move up and down on the lower surface side of the wafer (W) held in the holding member (91). In addition, the heating mechanism (94) can evenly heat the entire wafer (W) by approaching or contacting the entire lower surface of the wafer (W).

또, 기판 회전부(90)에는, 웨이퍼(W)의 하면에 처리액이 순환되지 않도록, 웨이퍼(W)의 하면에 불활성 가스를 토출하는 가스 토출부(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 좋다. In addition, the substrate rotation unit (90) may be provided with a gas discharge unit (not shown) that discharges an inert gas to the lower surface of the wafer (W) to prevent the treatment liquid from circulating on the lower surface of the wafer (W).

액공급부(100)는, 웨이퍼(W)에 대하여 오존수를 공급한다. 액공급부(100)는, 토출 노즐(101)과, 이러한 토출 노즐(101)을 수평으로 지지하는 아암(102)과, 아암(102)을 선회 및 승강시키는 이동 기구(103)를 구비한다. The liquid supply unit (100) supplies ozone water to the wafer (W). The liquid supply unit (100) is equipped with a discharge nozzle (101), an arm (102) that horizontally supports the discharge nozzle (101), and a moving mechanism (103) that rotates and elevates the arm (102).

토출 노즐(101)은, 오존수 토출부의 일례이며, 처리액 공급로(21)의 제3 공급로(60)에 접속되는 노즐이다. 이러한 토출 노즐(101)의 하면(101a)은 웨이퍼(W)의 상면에 대향하고 있다. 이러한 토출 노즐(101)의 상세에 관해서는 후술한다. The discharge nozzle (101) is an example of an ozone water discharge unit and is a nozzle connected to the third supply path (60) of the treatment liquid supply path (21). The lower surface (101a) of this discharge nozzle (101) faces the upper surface of the wafer (W). The details of this discharge nozzle (101) will be described later.

회수컵(110)은, 유지부(91)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(91)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(110)의 바닥부에는 배액구(111)가 형성되어 있고, 회수컵(110)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(111)로부터 밸브(113)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. The recovery cup (110) is arranged to surround the holding portion (91) and collects the treatment liquid flying from the wafer (W) by the rotation of the holding portion (91). A drainage port (111) is formed at the bottom of the recovery cup (110), and the treatment liquid collected by the recovery cup (110) is discharged from the drainage port (111) to the outside of the processing unit (16) through a valve (113).

또한, 회수컵(110)의 바닥부에는 배기구(112)가 형성되어 있고, FFU(81)로부터 공급되는 기체는, 이러한 배기구(112)로부터 밸브(114)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. In addition, an exhaust port (112) is formed at the bottom of the recovery cup (110), and the gas supplied from the FFU (81) is discharged from the exhaust port (112) to the outside of the processing unit (16) through a valve (114).

가스 도입부(120)는, 케이스(80)의 내부에 불활성 가스를 도입한다. 가스 도입부(120)는, 가스 공급로(120a)의 상류측으로부터 순서대로, 불활성 가스 공급원(120b)과, 정압 밸브(120c)와, 밸브(120d)를 갖는다. 불활성 가스 공급원(120b)은, 예를 들면, 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 저류하는 탱크이다. The gas introduction unit (120) introduces an inert gas into the interior of the case (80). The gas introduction unit (120) has, in order from the upstream side of the gas supply path (120a), an inert gas supply source (120b), a pressure regulator valve (120c), and a valve (120d). The inert gas supply source (120b) is, for example, a tank that stores an inert gas such as nitrogen gas or argon gas.

도 4는, 실시형태에 따른 토출 노즐(101)의 구성예를 나타내는 상면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 토출 노즐(101)은, 기판 회전부(90)(도 3 참조)에 유지되는 웨이퍼(W)의 상면 전체를 덮도록 설치된다. Fig. 4 is a top view showing an example of the configuration of a discharge nozzle (101) according to an embodiment. As shown in Fig. 4, the discharge nozzle (101) is installed so as to cover the entire upper surface of a wafer (W) held on a substrate rotation unit (90) (see Fig. 3).

그리고, 토출 노즐(101)의 하면(101a)(도 3 참조)에는, 웨이퍼(W)의 상면에서의 모든 영역과 각각 마주보는 복수의 토출구(104)가 형성된다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 토출 노즐(101)은, 웨이퍼(W)의 전체에 동시에 오존수를 토출할 수 있다. And, on the lower surface (101a) of the discharge nozzle (101) (see Fig. 3), a plurality of discharge ports (104) are formed, each facing an entire area on the upper surface of the wafer (W). By this, the discharge nozzle (101) according to the embodiment can discharge ozone water simultaneously to the entire wafer (W).

또, 발명자에 의한 평가에 의해, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 박리하기 위해서는, 레지스트막에 토출 노즐로부터의 오존수를 직접 접촉시키는 것이 효과적이라는 것을 알 수 있다. In addition, it can be seen from the evaluation by the inventor that in order to peel off the resist film on the wafer (W), it is effective to directly contact the resist film with ozone water from the discharge nozzle.

일례로서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막을 형성하고, 이러한 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주에 반경 방향으로 연장되는 장척 노즐을 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W) 상에 오존수를 토출했다. As an example, a resist film was formed on a wafer (W), and ozone water was sprayed onto the wafer (W) while rotating the wafer (W) using a long nozzle extending radially from the center of the wafer (W) to the outer periphery.

그리고, 이 처리에 의해, 레지스트막은, 장척 노즐에 형성된 토출구의 간격으로 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주부까지 원환형으로 박리되었다. 즉, 오존수가 레지스트막에 직접 닿은 장소가 박리되어 있는 것을 알 수 있다. And, by this treatment, the resist film was peeled off in a circular shape from the center to the outer periphery of the wafer (W) at the interval of the discharge port formed in the long nozzle. In other words, it can be seen that the resist film was peeled off at the location where the ozone water directly came into contact with it.

예를 들면, 하기의 화학식 1에도 나타난 바와 같이, 레지스트막과 오존수가 반응하면, 레지스트막이 수용성 폴리머로 변화하여 레지스트막이 제거되는 한편, 오존이 분해되어 없어진다는(즉, 오존수가 실활하는) 것이 생각된다. For example, as shown in the chemical formula 1 below, when a resist film and ozone water react, it is thought that the resist film changes into a water-soluble polymer and is removed, while ozone is decomposed and disappears (i.e., the ozone water becomes inactive).

따라서, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 처리에서는, 웨이퍼(W)의 상면 전체에 직접 오존수를 토출하여 접촉시키는 것이 바람직하다. Therefore, in treating a wafer (W) with ozone water, it is preferable to directly spray ozone water on the entire upper surface of the wafer (W) and bring it into contact with it.

<기판 처리의 순서> <Substrate processing sequence>

계속해서, 실시형태에 따른 기판 처리의 순서에 관해, 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 5는, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 순서를 나타내는 플로우차트이다. Continuing, the sequence of substrate processing according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a flowchart showing the sequence of substrate processing executed by the substrate processing system (1) according to the embodiment.

처음에, 제어부(18)는, 처리 유닛(16) 등을 제어하여, 처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)를 기판 회전부(90)의 유지부(91)로 유지한다(단계 S101). 그리고, 제어부(18)는, 가열 기구(94) 등을 제어하여, 웨이퍼(W)를 주어진 온도로 가열한다(단계 S102). Initially, the control unit (18) controls the processing unit (16) and the like to hold the wafer (W) loaded into the processing unit (16) in the holding unit (91) of the substrate rotation unit (90) (step S101). Then, the control unit (18) controls the heating mechanism (94) and the like to heat the wafer (W) to a given temperature (step S102).

실시형태에서는, 계속해서 행해지는 오존수 처리에 앞서 웨이퍼(W)를 가열하는 것에 의해, 높은 온도 환경에서 웨이퍼(W)의 오존수 처리를 실시할 수 있기 때문에, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 처리 성능을 향상시킬 수 있다. In the embodiment, since the ozone water treatment of the wafer (W) can be performed in a high temperature environment by heating the wafer (W) prior to the ozone water treatment that is continuously performed, the performance of the treatment of the wafer (W) by the ozone water can be improved.

다음으로, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)를 오존수로 처리하는 오존수 처리를 실시한다(단계 S103). 이러한 오존수 처리의 상세에 관해서는 후술한다. 그리고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)에 설치되는 린스액 토출 노즐(도시하지 않음)을 제어하여, DIW 등의 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리를 실시한다(단계 S104). Next, the control unit (18) performs ozone water treatment to treat the wafer (W) with ozone water (step S103). Details of this ozone water treatment will be described later. Then, the control unit (18) controls a rinse solution discharge nozzle (not shown) installed in the processing unit (16) to perform a rinse treatment of the wafer (W) with a rinse solution such as DIW (step S104).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)에 설치되는 세정액 토출 노즐(도시하지 않음)을 제어하여, SC-1(수산화암모늄과 과산화수소를 포함하는 수용액) 등의 세정액에 의한 웨이퍼(W)의 세정 처리를 실시한다(단계 S105). 그리고, 제어부(18)는, 전술한 린스액 토출 노즐을 제어하여, DIW 등의 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리를 실시한다(단계 S106). Next, the control unit (18) controls the cleaning solution discharge nozzle (not shown) installed in the processing unit (16) to perform a cleaning process on the wafer (W) using a cleaning solution such as SC-1 (aqueous solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide) (step S105). Then, the control unit (18) controls the aforementioned rinsing solution discharge nozzle to perform a rinsing process on the wafer (W) using a rinsing solution such as DIW (step S106).

마지막으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 건조 처리(예를 들면, 스핀 건조)를 실시하고, (단계 S107), 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리가 완료한다. Finally, the control unit (18) controls the processing unit (16) to perform drying processing (e.g., spin drying) of the wafer (W), and (step S107) a series of processing for the wafer (W) is completed.

도 6은, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트이다. 처음에, 제어부(18)는, 오존수 처리의 반복수를 카운트하기 위한 카운터 n에 1을 설정한다(단계 S201). Fig. 6 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by the substrate treatment system (1) according to the embodiment. Initially, the control unit (18) sets 1 to the counter n for counting the number of repetitions of ozone water treatment (step S201).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 처리 공간을 대기압보다 높은 압력으로 고압화한다(단계 S202). Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to pressurize the processing space of the wafer (W) to a pressure higher than atmospheric pressure (step S202).

구체적으로는, 우선, 제어부(18)는, 케이스(80)에 설치되는 웨이퍼(W)의 반입구(도시하지 않음)를 폐쇄함과 더불어, 배액구(111)의 밸브(113) 및 배기구(112)의 밸브(114)를 폐쇄 상태로 변경한다. 이것에 의해, 제어부(18)는, 케이스(80)의 내부를 외부 공간으로부터 격리한다. Specifically, first, the control unit (18) closes the inlet (not shown) of the wafer (W) installed in the case (80), and also changes the valve (113) of the drain port (111) and the valve (114) of the exhaust port (112) to a closed state. By this, the control unit (18) isolates the interior of the case (80) from the external space.

다음으로, 제어부(18)는, 가스 도입부(120)를 제어하여, 외부 공간으로부터 격리된 케이스(80)의 내부에 불활성 가스를 도입한다. 이것에 의해, 제어부(18)는, 케이스(80) 내에 설치되는 웨이퍼(W)의 처리 공간을 대기압보다 높은 압력으로 고압화할 수 있다. Next, the control unit (18) controls the gas introduction unit (120) to introduce an inert gas into the interior of the case (80) isolated from the external space. By this, the control unit (18) can pressurize the processing space of the wafer (W) installed in the case (80) to a pressure higher than the atmospheric pressure.

웨이퍼(W)의 처리 공간을 고압화하는 처리에 이어서, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 기판 회전부(90)에 유지되는 웨이퍼(W)의 상면에 오존수를 토출한다(단계 S203). Following the process of pressurizing the processing space of the wafer (W), the control unit (18) controls the processing unit (16) to discharge ozone water onto the upper surface of the wafer (W) held in the substrate rotation unit (90) (step S203).

또, 이 단계 S203의 처리는 웨이퍼(W)를 회전시키지 않은 상태(즉, 웨이퍼(W)의 회전수가 제로)로 실시되고, 토출 노즐(101)에 의해 샤워형의 오존수가 웨이퍼(W)의 상면 전체에 토출된다. 또한, 토출 노즐(101)에 의해 토출되는 오존수는, 히터(64)(도 2 참조)에 의해 주어진 온도로 가열되고 있다. In addition, the processing of this step S203 is performed in a state where the wafer (W) is not rotated (i.e., the rotation speed of the wafer (W) is zero), and shower-type ozone water is discharged to the entire upper surface of the wafer (W) by the discharge nozzle (101). In addition, the ozone water discharged by the discharge nozzle (101) is heated to a given temperature by the heater (64) (see FIG. 2).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출을 정지한다(단계 S204). 즉, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출 유량을 제로로 한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the discharge of ozone water to the wafer (W) (step S204). That is, the control unit (18) sets the discharge flow rate of ozone water to the wafer (W) to zero.

이것에 의해, 토출된 오존수는, 표면장력에 의해 웨이퍼(W)의 상면에 머무르고, 오존수가 웨이퍼(W)의 상면에 담겨져, 오존수의 층(소위 패들)이 형성된다. By this, the discharged ozone water stays on the upper surface of the wafer (W) due to surface tension, and the ozone water is absorbed into the upper surface of the wafer (W), forming a layer of ozone water (so-called paddle).

그리고, 제어부(18)는, 오존수의 패들이 형성된 상태로, 주어진 시간 웨이퍼(W)를 유지한다. 이것에 의해, 전술한 바와 같이 패들 내의 오존과 웨이퍼(W) 상면의 레지스트막이 반응하여, 이러한 레지스트막이 웨이퍼(W)로부터 제거된다. And, the control unit (18) maintains the wafer (W) for a given period of time in a state where the ozone water paddles are formed. As a result, as described above, the ozone in the paddles reacts with the resist film on the upper surface of the wafer (W), and the resist film is removed from the wafer (W).

여기서, 실시형태에서는, 전술한 단계 S202의 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 처리 공간이 고압화되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)에 토출된 오존수의 오존 농도가, 처리 공간에서의 압력 저하를 원인으로 감소하는 것을 억제할 수 있다. Here, in the embodiment, since the processing space of the wafer (W) is pressurized in the processing of the aforementioned step S202, the ozone concentration of the ozone water discharged to the wafer (W) can be suppressed from decreasing due to a decrease in pressure in the processing space.

즉, 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 처리 공간을 고압화하는 것에 의해, 토출한 후에도 오존수의 농도를 유지할 수 있기 때문에, 오존수에 의한 웨이퍼(W)의 처리 성능을 향상시킬 수 있다. That is, in the embodiment, since the concentration of ozone water can be maintained even after discharge by pressurizing the processing space of the wafer (W), the performance of processing the wafer (W) using ozone water can be improved.

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 처리 공간을 대기압과 동일한 압력으로 상압화한다(단계 S205). 구체적으로는, 우선, 제어부(18)는, 가스 도입부(120)를 제어하여, 케이스(80)의 내부로의 불활성 가스의 도입을 정지한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to pressurize the processing space of the wafer (W) to the same pressure as the atmospheric pressure (step S205). Specifically, first, the control unit (18) controls the gas introduction unit (120) to stop the introduction of the inert gas into the interior of the case (80).

다음으로, 제어부(18)는, 배액구(111)의 밸브(113) 및 배기구(112)의 밸브(114)를 개방 상태로 변경한다. 이것에 의해, 제어부(18)는, 케이스(80) 내에 설치되는 웨이퍼(W)의 처리 공간을 대기압과 동일한 압력으로 상압화할 수 있다. Next, the control unit (18) changes the valve (113) of the drain port (111) and the valve (114) of the exhaust port (112) to the open state. By this, the control unit (18) can pressurize the processing space of the wafer (W) installed in the case (80) to the same pressure as the atmospheric pressure.

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 주어진 회전수로 회전시킨다(단계 S206). 이것에 의해, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)의 상면에 형성되어 있던 오존수의 패들을 털어서 제거한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to rotate the wafer (W) at a given rotational speed (step S206). By this, the control unit (18) removes the pads of ozone water formed on the upper surface of the wafer (W).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다(단계 S207). 즉, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)의 회전수를 제로로 한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the rotation of the wafer (W) (step S207). That is, the control unit (18) sets the rotation speed of the wafer (W) to zero.

다음으로, 제어부(18)는, 카운터 n이 주어진 횟수 N 이상인지 아닌지를 판정한다(단계 S208). 또, 이러한 주어진 횟수 N에 관한 정보는, 기억부(19)에 미리 기억되어 있다. Next, the control unit (18) determines whether the counter n is greater than or equal to the given number of times N (step S208). In addition, information regarding the given number of times N is stored in advance in the memory unit (19).

그리고, 카운터 n이 주어진 횟수 N 이상인 경우(단계 S208, Yes), 제어부(18)는, 오존수 처리에 관한 일련의 처리를 완료한다. And, if the counter n is greater than the given number of times N (step S208, Yes), the control unit (18) completes a series of processes related to ozone water treatment.

한편, 카운터 n이 주어진 횟수 N 이상이 아닌 경우(단계 S208, No), 제어부(18)는, 오존수 처리의 반복수를 카운트하기 위한 카운터 n을 인크리멘트하고(단계 S209), 단계 S202의 처리로 되돌아간다. Meanwhile, if the counter n is not greater than the given number of times N (step S208, No), the control unit (18) increments the counter n for counting the number of repetitions of ozone water treatment (step S209) and returns to the processing of step S202.

여기까지 설명한 바와 같이, 실시형태에 따른 오존수 처리에서는, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출을 정지하여 패들을 형성한 후에 웨이퍼(W)를 회전시켜 패들을 털어내고, 다시 웨이퍼(W)의 회전을 정지한 후에 오존수를 토출하여 웨이퍼(W)에 패들을 형성한다. As explained so far, in the ozone water treatment according to the embodiment, the discharge of ozone water to the wafer (W) is stopped to form a paddle, the wafer (W) is rotated to shake off the paddle, and then the rotation of the wafer (W) is stopped again to discharge ozone water to form a paddle on the wafer (W).

즉, 실시형태에 따른 오존수 처리에서는, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출과 정지를 반복하여, 오존수의 토출을 정지시켰을 때에 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 환언하면, 실시형태에 따른 오존수 처리에서는, 오존수의 패들을 웨이퍼(W)에 형성하는 처리를 주어진 횟수만큼 반복하여 실시한다. That is, in the ozone water treatment according to the embodiment, the discharge and stop of ozone water to the wafer (W) is repeated, and when the discharge of ozone water is stopped, the wafer (W) is rotated. In other words, in the ozone water treatment according to the embodiment, the process of forming a paddle of ozone water on the wafer (W) is repeated a given number of times.

이것에 의해, 실활(失活)하지 않은 새로운 오존수를 이용하여 반복하여 오존수 처리를 실시할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 오존수로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. By this, ozone water treatment can be repeatedly performed using new ozone water that has not been deactivated. Therefore, according to the embodiment, the wafer (W) can be efficiently treated with ozone water.

또, 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 회전수를 제로로 한 상태로 오존수를 웨이퍼(W)에 토출하는 예에 관해 나타냈지만, 반드시 회전수를 제로로 할 필요는 없고, 웨이퍼(W) 상면의 오존수를 털어내는 회전수보다 작은 회전수이면 된다. In addition, in the embodiment, an example is shown in which ozone water is discharged onto the wafer (W) with the rotation speed of the wafer (W) set to zero, but the rotation speed does not necessarily have to be zero, and a rotation speed lower than the rotation speed for shaking off the ozone water from the upper surface of the wafer (W) is sufficient.

즉, 단계 S203∼S204 및 단계 S207의 처리에서의 웨이퍼(W)의 회전수는, 단계 S206의 처리에서의 웨이퍼(W)의 회전수보다 작은 값이면 된다. That is, the rotation speed of the wafer (W) in the processing of steps S203 to S204 and step S207 may be a value smaller than the rotation speed of the wafer (W) in the processing of step S206.

한편, 웨이퍼(W)의 회전수를 제로로 한 상태로 오존수를 웨이퍼(W)에 토출하는 것에 의해, 기판 회전부(90)의 동작을 정지시킬 수 있기 때문에, 케이스(80)의 내부를 보다 좋은 고압 상태로 유지할 수 있다. Meanwhile, by discharging ozone water onto the wafer (W) with the rotation speed of the wafer (W) set to zero, the operation of the substrate rotation part (90) can be stopped, so that the inside of the case (80) can be maintained in a better high-pressure state.

따라서, 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 회전수를 제로로 한 상태로 오존수를 웨이퍼(W)에 토출하는 것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. Therefore, according to the embodiment, by discharging ozone water onto the wafer (W) with the rotation number of the wafer (W) set to zero, the wafer (W) can be treated more efficiently with ozone water.

또한, 실시형태에서는, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출 유량을 제로로 한 상태로 웨이퍼(W)의 오존수를 털어내는 예에 관해 나타냈지만, 반드시 오존수의 토출 유량을 제로로 하고 나서 오존수를 털어내는 것을 시작할 필요는 없다. In addition, in the embodiment, an example of shaking off ozone water from the wafer (W) while the discharge flow rate of ozone water to the wafer (W) is set to zero is shown, but it is not necessary to start shaking off ozone water after the discharge flow rate of ozone water is set to zero.

즉, 단계 S204의 처리에서의 오존수의 토출 유량은, 단계 S203의 처리에서의 오존수의 토출 유량보다 작은 값이면 된다. That is, the discharge flow rate of ozone water in the processing of step S204 must be a value smaller than the discharge flow rate of ozone water in the processing of step S203.

한편, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출 유량을 제로로 한 상태로 웨이퍼(W)의 오존수를 털어내는 것에 의해, 오존수의 사용량을 삭감할 수 있다. Meanwhile, by shaking off the ozone water from the wafer (W) while setting the discharge flow rate of ozone water to the wafer (W) to zero, the amount of ozone water used can be reduced.

또한, 실시형태에서는, 토출 노즐(101)을 이용하여 웨이퍼(W)의 전체에 동시에 오존수를 토출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 회전수가 작은 경우(예를 들면, 회전수가 제로)에도, 웨이퍼(W) 전체에 오존수의 양호한 패들을 형성할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the embodiment, by simultaneously discharging ozone water over the entire wafer (W) using the discharge nozzle (101), a good paddle of ozone water can be formed over the entire wafer (W) even when the rotation speed of the wafer (W) is low (for example, the rotation speed is zero). Therefore, according to the embodiment, the wafer (W) can be treated more efficiently with ozone water.

<변형예 1> <Variation 1>

계속해서, 실시형태의 각종 변형예에 관해, 도 7∼도 13을 참조하면서 설명한다. 도 7은, 실시형태의 변형예 1에 따른 토출 노즐(101)의 구성예를 나타내는 상면도이다. Continuing, various modification examples of the embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 13. FIG. 7 is a top view showing an example of the configuration of a discharge nozzle (101) according to modification example 1 of the embodiment.

도 7에 나타낸 바와 같이, 변형예 1의 토출 노즐(101)은 바노즐이다. 이러한 토출 노즐(101)의 선단부(101b)는, 웨이퍼(W)의 중앙부에서의 상측에 배치되고, 토출 노즐(101)의 기단부(101c)는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에서의 상측에 배치된다. As shown in Fig. 7, the discharge nozzle (101) of Variation 1 is a bar nozzle. The tip end (101b) of the discharge nozzle (101) is positioned above the center portion of the wafer (W), and the base end (101c) of the discharge nozzle (101) is positioned above the peripheral edge portion of the wafer (W).

또한, 토출 노즐(101)의 하면(101a)에는, 선단부(101b)로부터 기단부(101c)에 걸쳐 직선형으로 나열된 복수의 토출구(104)가 형성된다. 그리고, 변형예 1에서는, 웨이퍼(W)를 기판 회전부(90)(도 2 참조)로 회전시키면서 토출 노즐(101)로 오존수를 토출하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 전체에 오존수를 토출할 수 있다. In addition, a plurality of discharge ports (104) arranged in a straight line from the tip end (101b) to the base end (101c) are formed on the lower surface (101a) of the discharge nozzle (101). In addition, in modified example 1, by discharging ozone water through the discharge nozzle (101) while rotating the wafer (W) with the substrate rotation unit (90) (see Fig. 2), ozone water can be discharged to the entire wafer (W).

도 8은, 실시형태의 변형예 1에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트이며, 도 5에 나타낸 단계 S103의 처리에 대응하는 처리의 순서를 나타내고 있다. Fig. 8 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by the substrate treatment system (1) according to modified example 1 of the embodiment, and shows the sequence of treatment corresponding to the treatment of step S103 shown in Fig. 5.

처음에, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 저속으로 회전시킨다(단계 S301). 여기서, 「저속으로 회전시킨다」란, 웨이퍼(W) 상에 토출된 오존수를 털어내지 않을 정도의 회전수로 회전시키는 것이다. First, the control unit (18) controls the processing unit (16) to rotate the wafer (W) at a low speed (step S301). Here, “rotating at a low speed” means rotating the wafer (W) at a rotation speed that does not shake off the ozone water discharged on the wafer (W).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 바노즐인 토출 노즐(101)로부터 저속으로 회전하는 웨이퍼(W)의 상면에 오존수를 토출한다(단계 S302). 이것에 의해, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)의 상면 전체에 오존수를 토출한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to discharge ozone water from the discharge nozzle (101), which is a bar nozzle, onto the upper surface of the wafer (W) rotating at a low speed (step S302). As a result, the control unit (18) discharges ozone water onto the entire upper surface of the wafer (W).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)에 대한 오존수의 토출을 정지한다(단계 S303). 그리고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킨다(단계 S304). 이것에 의해, 제어부(18)는, 웨이퍼(W) 상면의 오존수를 털어내어 제거한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the discharge of ozone water to the wafer (W) (step S303). Then, the control unit (18) controls the processing unit (16) to rotate the wafer (W) at high speed (step S304). As a result, the control unit (18) removes the ozone water from the upper surface of the wafer (W).

즉, 「고속으로 회전시킨다」란, 웨이퍼(W) 상에 토출된 오존수를 털어낼 수 있을 정도의 회전수로 회전시키는 것이다. 따라서, 단계 S304의 처리에서의 웨이퍼(W)의 회전수는, 단계 S301의 처리에서의 웨이퍼(W)의 회전수보다 큰 값이다. That is, “rotating at high speed” means rotating at a rotation speed that can shake off the ozone water discharged on the wafer (W). Therefore, the rotation speed of the wafer (W) in the processing of step S304 is a value greater than the rotation speed of the wafer (W) in the processing of step S301.

마지막으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고(단계 S305), 오존수 처리에 관한 일련의 처리를 완료한다. Finally, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the rotation of the wafer (W) (step S305) and complete a series of processes related to ozone water treatment.

이와 같이, 바노즐인 토출 노즐(101)을 이용하는 경우에도, pH가 산성으로 조정된 저온의 원료액에 오존 가스를 혼입시킴과 더불어, 생성된 오존수를 펌프(33)로 가압하는 것에 의해, 고농도의 오존수를 생성할 수 있다. 따라서, 변형예 1에 의하면, 고농도의 오존수로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. In this way, even when using a discharge nozzle (101) which is a bar nozzle, high-concentration ozone water can be generated by mixing ozone gas into a low-temperature raw material solution whose pH has been adjusted to be acidic, and pressurizing the generated ozone water with a pump (33). Therefore, according to Modification Example 1, a wafer (W) can be efficiently processed with high-concentration ozone water.

또한, 변형예 1에서는, 토출 직전의 오존수를 히터(64)로 가열함과 더불어, 가열 기구(94)로 웨이퍼(W)를 가열하는 것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in Variation 1, by heating the ozone water immediately before discharge with a heater (64) and heating the wafer (W) with a heating device (94), the wafer (W) can be treated more efficiently with ozone water.

<변형예 2> <Variation 2>

도 9는, 실시형태의 변형예 2에 따른 토출 노즐(101)의 구성예를 나타내는 상면도이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 변형예 2의 토출 노즐(101)은 변형예 1과는 상이한 바노즐이다. Fig. 9 is a top view showing an example of the configuration of a discharge nozzle (101) according to Variation 2 of the embodiment. As shown in Fig. 9, the discharge nozzle (101) of Variation 2 is a bar nozzle different from that of Variation 1.

이러한 토출 노즐(101)의 선단부(101b)는, 이동 기구(103)로부터 가장 먼 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 걸리도록 배치되고, 토출 노즐(101)의 기단부(101c)는, 이동 기구(103)에 가장 가까운 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 걸리도록 배치된다. The tip (101b) of the discharge nozzle (101) is positioned so as to be caught on the peripheral edge of the wafer (W) that is furthest from the moving mechanism (103), and the base (101c) of the discharge nozzle (101) is positioned so as to be caught on the peripheral edge of the wafer (W) that is closest to the moving mechanism (103).

또한, 토출 노즐(101)의 하면(101a)에는, 선단부(101b)로부터 기단부(101c)에 걸쳐 직선형으로 형성된 슬릿형의 토출구(104)가 형성된다. 그리고, 변형예 2에서는, 이동 기구(103)로 토출 노즐(101)을 토출구(104)가 연장되는 방향과는 대략 수직으로 이동시키면서 토출 노즐(101)로 오존수를 토출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 전체에 오존수를 토출할 수 있다. In addition, a slit-shaped discharge port (104) formed in a straight line from the tip end (101b) to the base end (101c) is formed on the lower surface (101a) of the discharge nozzle (101). In addition, in modified example 2, by discharging ozone water through the discharge nozzle (101) while moving the discharge nozzle (101) approximately perpendicular to the direction in which the discharge port (104) extends by the moving mechanism (103), ozone water can be discharged to the entire upper surface of the wafer (W).

이러한 토출 노즐(101)을 이용하는 경우에도, pH가 산성으로 조정된 저온의 원료액에 오존 가스를 혼입시킴과 더불어, 생성된 오존수를 펌프(33)로 가압하는 것에 의해, 고농도의 오존수를 생성할 수 있다. 따라서, 변형예 2에 의하면, 고농도의 오존수로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. Even when using such a discharge nozzle (101), high-concentration ozone water can be generated by mixing ozone gas into a low-temperature raw material solution whose pH has been adjusted to be acidic, and pressurizing the generated ozone water with a pump (33). Therefore, according to Modification Example 2, the wafer (W) can be efficiently processed with high-concentration ozone water.

또한, 변형예 2에서는, 토출 직전의 오존수를 히터(64)로 가열함과 더불어, 가열 기구(94)로 웨이퍼(W)를 가열하는 것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in Variation 2, by heating the ozone water immediately before discharge with a heater (64) and heating the wafer (W) with a heating device (94), the wafer (W) can be treated more efficiently with ozone water.

<변형예 3> <Variation 3>

도 10은, 실시형태의 변형예 3에 따른 처리 유닛(16)의 구성예를 나타내는 단면도이다. 이러한 변형예 3에서는, 기판 회전부(90)(도 3 참조)에 댐부(95)가 설치되는 점이 실시형태와 상이하다. Fig. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a processing unit (16) according to Variation 3 of the embodiment. In this Variation 3, a point that a dam section (95) is installed in the substrate rotation section (90) (see Fig. 3) is different from the embodiment.

이러한 댐부(95)는, 처리 유닛(16) 내에서 이동 가능하게 구성되고, 그리고, 댐부(95)는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 예컨대 웨이퍼(W)의 단부(Wa)에 접함과 더불어, 상단부(95a)가 웨이퍼(W)의 상면(Wb)보다 높은 위치에 배치 가능하게 구성된다. This dam part (95) is configured to be movable within the processing unit (16), and, as shown in Fig. 10, the dam part (95) is configured to be positioned so that, for example, the upper end (95a) is in contact with the end (Wa) of the wafer (W) and is higher than the upper surface (Wb) of the wafer (W).

이것에 의해, 토출 노즐(101)로부터 샤워형의 오존수(L)가 웨이퍼(W)에 토출될 때에, 댐부(95)로 웨이퍼(W) 상에 오존수(L)를 저장하면서 처리할 수 있다. 또한, 변형예 3에서는, 토출 노즐(101)로 새로운 오존수(L)를 공급하면서 웨이퍼(W)를 처리할 수 있기 때문에, 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. By this, when shower-type ozone water (L) is discharged from the discharge nozzle (101) onto the wafer (W), the ozone water (L) can be stored on the wafer (W) by the dam section (95) while being processed. In addition, in modified example 3, since the wafer (W) can be processed while supplying new ozone water (L) to the discharge nozzle (101), the wafer (W) can be efficiently processed with the ozone water (L).

도 11은, 실시형태의 변형예 3에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 오존수 처리의 순서를 나타내는 플로우차트이며, 도 5에 나타낸 단계 S103의 처리에 대응하는 처리의 순서를 나타내고 있다. Fig. 11 is a flowchart showing the sequence of ozone water treatment performed by the substrate treatment system (1) according to modified example 3 of the embodiment, and shows the sequence of treatment corresponding to the treatment of step S103 shown in Fig. 5.

처음에, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 댐부(95)를 웨이퍼(W)의 단부(Wa)에 배치한다(단계 S401). 또, 이 단계 S401의 처리는 웨이퍼(W)를 회전시키지 않은 상태로 실시된다. Initially, the control unit (18) controls the processing unit (16) to place the dam unit (95) on the end (Wa) of the wafer (W) (step S401). In addition, the processing of this step S401 is performed without rotating the wafer (W).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 샤워 노즐인 토출 노즐(101)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 오존수(L)를 토출한다(단계 S402). 이것에 의해, 제어부(18)는, 웨이퍼(W) 상에 오존수(L)를 저장하면서, 댐부(95)로부터 오존수(L)를 넘치게 하면서 웨이퍼(W)를 오존수(L)로 처리한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to discharge ozone water (L) from the discharge nozzle (101), which is a shower nozzle, onto the upper surface of the wafer (W) (step S402). By this, the control unit (18) stores the ozone water (L) on the wafer (W) while causing the ozone water (L) to overflow from the dam (95), thereby treating the wafer (W) with the ozone water (L).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)에 대한 오존수(L)의 토출을 정지한다(단계 S403). 그리고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 댐부(95)를 웨이퍼(W)로부터 이격시킨다(단계 S404). Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the discharge of ozone water (L) to the wafer (W) (step S403). Then, the control unit (18) controls the processing unit (16) to separate the dam (95) from the wafer (W) (step S404).

다음으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 주어진 회전수로 회전시킨다(단계 S405). 이것에 의해, 제어부(18)는, 웨이퍼(W) 상의 오존수(L)를 털어내어 제거한다. Next, the control unit (18) controls the processing unit (16) to rotate the wafer (W) at a given rotational speed (step S405). By this, the control unit (18) removes the ozone water (L) on the wafer (W).

마지막으로, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고(단계 S406), 오존수 처리에 관한 일련의 처리를 완료한다. Finally, the control unit (18) controls the processing unit (16) to stop the rotation of the wafer (W) (step S406) and complete a series of processes related to ozone water treatment.

이와 같이, 댐부(95)를 이용하여 오존수 처리를 행하는 경우에도, pH가 산성으로 조정된 저온의 원료액에 오존 가스를 혼입시킴과 더불어, 생성된 오존수(L)를 펌프(33)로 가압하는 것에 의해, 고농도의 오존수(L)를 생성할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 의하면, 고농도의 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. In this way, even when performing ozone water treatment using the dam unit (95), by mixing ozone gas into a low-temperature raw material solution with an acidic pH and pressurizing the generated ozone water (L) with a pump (33), high-concentration ozone water (L) can be produced. Therefore, according to Modification Example 3, wafers (W) can be efficiently treated with high-concentration ozone water (L).

또한, 변형예 3에서는, 토출 직전의 오존수(L)를 히터(64)로 가열함과 더불어, 가열 기구(94)로 웨이퍼(W)를 가열하는 것에 의해, 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in Variation 3, by heating the ozone water (L) immediately before discharge with a heater (64) and heating the wafer (W) with a heating mechanism (94), the wafer (W) can be treated more efficiently with the ozone water (L).

<변형예 4> <Variation 4>

여기까지 설명한 실시형태 및 각종 변형예에서는, 웨이퍼(W)를 매엽 처리로 오존수 처리한 예에 관해 나타냈지만, 실시형태에 따른 오존수 처리는 매엽 처리에 한정되지 않는다. 도 12는, 실시형태의 변형예 4에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. In the embodiments and various modifications described so far, an example of treating a wafer (W) with ozone water as a single-wafer treatment has been shown, but the ozone water treatment according to the embodiments is not limited to single-wafer treatment. Fig. 12 is a schematic diagram showing the outline configuration of a substrate processing system (1A) according to a modification example 4 of the embodiment.

도 12에 나타내는 변형예 1의 기판 처리 시스템(1A)은, 기판 처리 장치의 별도의 일례이며, 복수의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 처리할 수 있다. 변형예 4에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 캐리어 반입 반출부(202)와, 로트 형성부(203)와, 로트 배치부(204)와, 로트 반송부(205)와, 로트 처리부(206)와, 제어 장치(207)를 구비한다. The substrate processing system (1A) of Variation 1 shown in Fig. 12 is a separate example of a substrate processing device and can process multiple wafers (W) at once. The substrate processing system (1A) according to Variation 4 comprises a carrier loading/unloading unit (202), a lot forming unit (203), a lot placement unit (204), a lot transport unit (205), a lot processing unit (206), and a control device (207).

캐리어 반입 반출부(202)는, 캐리어 스테이지(220)와, 캐리어 반송 기구(221)와, 캐리어 스톡(222, 223)과, 캐리어 배치대(224)를 구비한다. The carrier loading/unloading unit (202) is equipped with a carrier stage (220), a carrier return mechanism (221), a carrier stock (222, 223), and a carrier placement table (224).

캐리어 스테이지(220)는, 외부로부터 반송된 복수의 캐리어(210)를 배치한다. 캐리어(210)는, 복수(예를 들면, 25장)의 웨이퍼(W)를 수평 자세로 상하로 나열하여 수용하는 용기이다. 캐리어 반송 기구(221)는, 캐리어 스테이지(220), 캐리어 스톡(222, 223) 및 캐리어 배치대(224)의 사이에서 캐리어(210)의 반송을 행한다. The carrier stage (220) places a plurality of carriers (210) returned from the outside. The carrier (210) is a container that accommodates a plurality (e.g., 25) of wafers (W) arranged vertically in a horizontal position. The carrier return mechanism (221) returns the carriers (210) between the carrier stage (220), carrier stocks (222, 223), and the carrier placement table (224).

캐리어 배치대(224)에 배치된 캐리어(210)로부터는, 처리되기 전의 복수의 웨이퍼(W)가 후술하는 기판 반송 기구(230)에 의해 로트 처리부(206)에 반출된다. 또한, 캐리어 배치대(224)에 배치된 캐리어(210)에는, 처리된 복수의 웨이퍼(W)가 기판 반송 기구(230)에 의해 로트 처리부(206)로부터 반입된다. From the carrier (210) placed on the carrier arrangement stand (224), a plurality of wafers (W) before being processed are transported to the lot processing unit (206) by the substrate transport mechanism (230) described later. In addition, a plurality of processed wafers (W) are transported from the lot processing unit (206) to the carrier (210) placed on the carrier arrangement stand (224) by the substrate transport mechanism (230).

로트 형성부(203)는, 기판 반송 기구(230)를 가지며, 로트를 형성한다. 이러한 로트는, 하나 또는 복수의 캐리어(210)에 수용된 웨이퍼(W)를 조합하여 동시에 처리되는 복수(예를 들면, 50장)의 웨이퍼(W)로 구성된다. 하나의 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 서로의 판면을 대향시킨 상태로 일정한 간격을 두고 배열된다. The lot forming unit (203) has a substrate return mechanism (230) and forms a lot. This lot is composed of a plurality of wafers (W) (e.g., 50 sheets) that are processed simultaneously by combining wafers (W) accommodated in one or more carriers (210). The plurality of wafers (W) forming one lot are arranged at a certain interval with their plate surfaces facing each other, for example.

기판 반송 기구(230)는, 캐리어 배치대(224)에 배치된 캐리어(210)와 로트 배치부(204)의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 반송한다. The substrate return mechanism (230) returns a plurality of wafers (W) between the carrier (210) placed on the carrier placement table (224) and the lot placement unit (204).

로트 배치부(204)는, 로트 반송대(240)를 가지며, 로트 반송부(205)에 의해 로트 형성부(203)와 로트 처리부(206)의 사이에서 반송되는 로트를 일시적으로 배치(대기)한다. The lot placement unit (204) has a lot return platform (240) and temporarily places (waits for) the lot to be returned between the lot formation unit (203) and the lot processing unit (206) by the lot return unit (205).

로트 반송대(240)는, 로트 형성부(203)에서 형성된 처리되기 전의 로트를 배치하는 로트 배치대(241)와, 로트 처리부(206)에서 처리된 로트를 배치하는 로트 배치대(242)를 갖는다. 로트 배치대(241, 242)에는, 1 로트분의 복수의 웨이퍼(W)가 기립 자세로 전후로 나란히 배치된다. The lot return platform (240) has a lot placement platform (241) for placing lots formed in the lot formation section (203) before being processed, and a lot placement platform (242) for placing lots processed in the lot processing section (206). On the lot placement platforms (241, 242), a plurality of wafers (W) for one lot are placed side by side in a standing position, front to back.

로트 반송부(205)는, 로트 반송 기구(250)를 가지며, 로트 배치부(204)와 로트 처리부(206)의 사이나 로트 처리부(206)의 내부에서 로트의 반송을 행한다. 로트 반송 기구(250)는, 레일(251)과, 이동체(252)와, 기판 유지체(253)를 갖는다. The lot return unit (205) has a lot return mechanism (250) and returns lots between the lot placement unit (204) and the lot processing unit (206) or within the lot processing unit (206). The lot return mechanism (250) has a rail (251), a moving body (252), and a substrate holding body (253).

레일(251)은, 로트 배치부(204) 및 로트 처리부(206)에 걸쳐, X축 방향을 따라 배치된다. 이동체(252)는, 복수의 웨이퍼(W)를 유지하면서 레일(251)을 따라서 이동 가능하게 구성된다. 기판 유지체(253)는, 이동체(252)에 설치되고, 기립 자세로 전후로 나열된 복수의 웨이퍼(W)를 유지한다. The rail (251) is arranged along the X-axis direction across the lot placement unit (204) and the lot processing unit (206). The moving body (252) is configured to be movable along the rail (251) while holding a plurality of wafers (W). The substrate holding body (253) is installed on the moving body (252) and holds a plurality of wafers (W) arranged front to back in an upright position.

로트 처리부(206)는, 1 로트분의 복수의 웨이퍼(W)에 대하여, 에칭 처리나 세정 처리, 건조 처리 등을 한다. 로트 처리부(206)에는, 2대의 전면 처리 유닛(260)과, 세정 처리 장치(270)와, 건조 처리 장치(280)가, 레일(251)을 따라 나란히 설치된다. The lot processing unit (206) performs etching processing, cleaning processing, drying processing, etc. on a plurality of wafers (W) of one lot. In the lot processing unit (206), two front processing units (260), a cleaning processing device (270), and a drying processing device (280) are installed side by side along a rail (251).

전면 처리 유닛(260)은, 1 로트분의 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 오존수 처리 및 린스 처리를 일괄적으로 행한다. 세정 처리 장치(270)는, 기판 유지체(253)의 세정 처리를 행한다. 건조 처리 장치(280)는, 1 로트분의 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 건조 처리를 일괄적으로 행한다. 또한, 전면 처리 유닛(260), 세정 처리 장치(270) 및 건조 처리 장치(280)의 대수는, 도 12의 예에 한정되지 않는다. The front processing unit (260) performs ozone water treatment and rinsing treatment on a plurality of wafers (W) of one lot at a time. The cleaning treatment device (270) performs cleaning treatment on the substrate holder (253). The drying treatment device (280) performs drying treatment on a plurality of wafers (W) of one lot at a time. In addition, the number of the front processing unit (260), the cleaning treatment device (270), and the drying treatment device (280) is not limited to the example of Fig. 12.

전면 처리 유닛(260)은, 오존수 처리용의 처리조(261)와, 린스 처리용의 처리조(262)와, 승강 가능하게 구성되는 기판 유지부(263, 264)를 구비한다. 처리조(261, 262)는, 1 로트분의 웨이퍼(W)를 수용 가능하다. 또한, 처리조(261)에는 오존수(L)(도 13 참조)가 저류된다. 전면 처리 유닛(260)의 처리조(261)의 상세에 관해서는 후술한다. The front processing unit (260) is equipped with a processing tank (261) for ozone water treatment, a processing tank (262) for rinse treatment, and a substrate holding unit (263, 264) configured to be liftable. The processing tanks (261, 262) can accommodate one lot of wafers (W). In addition, ozone water (L) (see Fig. 13) is stored in the processing tank (261). Details of the processing tank (261) of the front processing unit (260) will be described later.

처리조(262)에는 린스 처리용의 린스액이 저류된다. 기판 유지부(263, 264)는, 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)를 기립 자세로 전후로 나열한 상태로 유지한다. A rinse solution for rinsing treatment is stored in the treatment tank (262). The substrate holding unit (263, 264) holds a plurality of wafers (W) forming a lot in an upright position, lined up front and back.

전면 처리 유닛(260)은, 로트 반송부(205)로 반송된 로트를 기판 유지부(263)로 유지하고, 처리조(261)의 오존수(L)에 침지시켜 오존수 처리를 행한다. 또한, 전면 처리 유닛(260)은, 로트 반송부(205)에 의해 처리조(262)에 반송된 로트를 기판 유지부(264)로 유지하고, 처리조(262)의 린스액에 침지시키는 것에 의해 린스 처리를 행한다. The front processing unit (260) holds the lot returned to the lot return unit (205) in the substrate holding unit (263) and performs ozone water treatment by immersing it in ozone water (L) of the processing tank (261). In addition, the front processing unit (260) holds the lot returned to the processing tank (262) by the lot return unit (205) in the substrate holding unit (264) and performs rinsing treatment by immersing it in the rinse liquid of the processing tank (262).

건조 처리 장치(280)는, 처리조(281)와, 승강 가능하게 구성되는 기판 유지부(282)를 갖는다. 처리조(281)에는, 건조 처리용의 처리 가스가 공급된다. 기판 유지부(282)에는, 1 로트분의 복수의 웨이퍼(W)가 기립 자세로 전후로 나란히 유지된다. The drying processing device (280) has a processing tank (281) and a substrate holding unit (282) configured to be liftable. A processing gas for drying processing is supplied to the processing tank (281). In the substrate holding unit (282), a plurality of wafers (W) for one lot are held side by side in an upright position.

건조 처리 장치(280)는, 로트 반송부(205)에 의해 반송된 로트를 기판 유지부(282)로 유지하고, 처리조(281) 내에 공급되는 건조 처리용의 처리 가스를 이용하여 건조 처리를 행한다. 처리조(281)에서 건조 처리된 로트는, 로트 반송부(205)에 의해 로트 배치부(204)에 반송된다. The drying processing device (280) holds the lot returned by the lot return unit (205) in the substrate holding unit (282) and performs drying processing using a processing gas for drying processing supplied into the processing tank (281). The lot dried in the processing tank (281) is returned to the lot placement unit (204) by the lot return unit (205).

세정 처리 장치(270)는, 로트 반송 기구(250)의 기판 유지체(253)에 세정용의 처리액을 공급하고, 건조 가스를 더 공급함으로써, 기판 유지체(253)의 세정 처리를 행한다. The cleaning treatment device (270) supplies a cleaning treatment liquid to the substrate holder (253) of the lot return mechanism (250) and further supplies a drying gas, thereby performing a cleaning treatment on the substrate holder (253).

제어 장치(207)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(208)와 기억부(209)를 구비한다. 기억부(209)에는, 기판 처리 시스템(1A)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(208)는, 기억부(209)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1A)의 동작을 제어한다. The control device (207) is, for example, a computer and includes a control unit (208) and a memory unit (209). The memory unit (209) stores programs that control various processes executed in the substrate processing system (1A). The control unit (208) controls the operation of the substrate processing system (1A) by reading out and executing the programs stored in the memory unit (209).

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(207)의 기억부(209)에 인스톨된 것이어도 좋다. In addition, such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed from the storage medium into the memory unit (209) of the control device (207).

도 13은, 실시형태의 변형예 4에 따른 기판 처리 시스템(1)의 배관 구성을 나타내는 모식도이다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 오존수 처리용의 처리조(261)는, 내조(261a)와 외조(261b)를 구비한다. 내조(261a)는, 상측이 개방된 상자형의 조이며, 내부에 오존수(L)를 저류한다. Fig. 13 is a schematic diagram showing the piping configuration of a substrate processing system (1) according to a modified example 4 of the embodiment. As shown in Fig. 13, a treatment tank (261) for ozone water treatment comprises an inner tank (261a) and an outer tank (261b). The inner tank (261a) is a box-shaped tank with an open top, and stores ozone water (L) therein.

복수의 웨이퍼(W)에 의해 형성되는 로트는, 내조(261a)에 침지된다. 외조(261b)는, 상측이 개방되고, 내조(261a)의 상부 주위에 배치된다. 외조(261b)에는, 내조(261a)로부터 오버플로우한 오존수(L)가 유입된다. A lot formed by a plurality of wafers (W) is immersed in an inner tank (261a). An outer tank (261b) is open at the top and is arranged around the upper portion of the inner tank (261a). Ozone water (L) overflowing from the inner tank (261a) flows into the outer tank (261b).

또한, 도 13에 나타낸 바와 같이, 변형예 4의 기판 처리 시스템(1A)에서는, 내부에서 오존수(L)를 생성 가능한 오존수 생성 유닛(6)을 이용하여 오존수 생성부(5)가 구성되어 있다. In addition, as shown in Fig. 13, in the substrate processing system (1A) of Variation Example 4, an ozone water generation unit (5) is configured using an ozone water generation unit (6) capable of generating ozone water (L) internally.

오존수 생성 유닛(6)에는, 예를 들면, DIW 공급원(22a)으로부터 제1 공급로(22)를 통해 DIW가 공급됨과 더불어, 산계 약액 공급부(26)로부터 산계 약액이 공급된다. 또한, 오존수 생성 유닛(6)과 처리 유닛(16)의 사이에는 제2 공급로(24)가 접속되고, 이러한 제2 공급로(24)의 펌프(33)보다 상류측에는 밸브(48)가 설치된다. In the ozone water generation unit (6), for example, DIW is supplied from a DIW supply source (22a) through a first supply path (22), and an acidic chemical solution is supplied from an acidic chemical solution supply unit (26). In addition, a second supply path (24) is connected between the ozone water generation unit (6) and the treatment unit (16), and a valve (48) is installed upstream of the pump (33) of this second supply path (24).

그리고, 오존수 생성부(5)에서 생성된 오존수(L)는, 제2 공급로(24)를 통해 처리조(261)의 내조(261a)에 공급된다. And, the ozone water (L) generated in the ozone water generation unit (5) is supplied to the inner tank (261a) of the treatment tank (261) through the second supply path (24).

또한, 변형예 4에서는, 처리조(261)의 외조(261b)가, 순환로(300)를 통해 오존수 생성부(5)에 접속된다. 이것에 의해, 내조(261a)로부터 오버플로우하여, 외조(261b)에 유입된 사용 완료한 오존수(L)를 오존수 생성부(5)로 되돌릴 수 있다. In addition, in Variation 4, the outer tank (261b) of the treatment tank (261) is connected to the ozone water generation unit (5) via a circulation path (300). By this, the used ozone water (L) that overflows from the inner tank (261a) and flows into the outer tank (261b) can be returned to the ozone water generation unit (5).

따라서, 변형예 4에 의하면, 사용 완료한 오존수(L)를 활용하여 오존수(L)를 다시 생성할 수 있기 때문에, 오존수 생성부(5)에서 오존수(L)를 효율적으로 생성할 수 있다. Therefore, according to Variation 4, since ozone water (L) can be regenerated by utilizing used ozone water (L), ozone water (L) can be efficiently generated in the ozone water generation unit (5).

순환로(300)는, 상류측으로부터 순서대로 밸브(301)와, 펌프(302)와, 필터(303)와, 냉각기(304)를 가지며, 오존수 생성부(5)의 오존수 생성 유닛(6)에 접속된다. The circulation path (300) has, in order from the upstream side, a valve (301), a pump (302), a filter (303), and a cooler (304), and is connected to the ozone water generation unit (6) of the ozone water generation unit (5).

펌프(302)는, 순환로(300)를 흐르는 오존수(L)의 순환류를 형성한다. 필터(303)는, 순환로(300)를 흐르는 사용 완료한 오존수(L)에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. The pump (302) forms a circulating flow of ozone water (L) flowing through the circuit (300). The filter (303) removes contaminants such as particles contained in the used ozone water (L) flowing through the circuit (300).

냉각기(304)는, 순환로(300)를 흐르는 사용 완료한 오존수(L)를 주어진 온도(예를 들면, 10℃∼20℃)로 냉각시킨다. 변형예 4에서는, 이러한 냉각기(304)로 순환로(300)를 흐르는 오존수(L)를 냉각시키는 것에 의해, DIW 공급원(22a)으로부터 오존수 생성 유닛(6)에 공급되는 DIW의 온도가 상승하는 것을 억제할 수 있다. The cooler (304) cools the used ozone water (L) flowing through the circuit (300) to a given temperature (e.g., 10°C to 20°C). In Variation 4, by cooling the ozone water (L) flowing through the circuit (300) with the cooler (304), it is possible to suppress an increase in the temperature of the DIW supplied from the DIW supply source (22a) to the ozone water generation unit (6).

따라서, 변형예 4에 의하면, 오존수 생성 유닛(6)으로 원하는 농도의 오존수(L)를 안정적으로 생성할 수 있다. Therefore, according to Variation 4, ozone water (L) of a desired concentration can be stably generated using the ozone water generation unit (6).

또한, 순환로(300)에서의 밸브(301)보다 상류측은, 밸브(305)를 통해 드레인부(DR)에 접속된다. 이것에 의해, 제어부(208)(도 12 참조)는, 외조(261b)나 순환로(300) 내의 사용 완료한 오존수(L)를 제거할 때 등에, 밸브(305)를 제어하여, 이러한 사용 완료한 오존수(L)를 드레인부(DR)에 배출할 수 있다. In addition, the upstream side of the valve (301) in the circulation path (300) is connected to the drain section (DR) via the valve (305). By this, the control section (208) (see Fig. 12) can control the valve (305) to discharge the used ozone water (L) to the drain section (DR) when removing the used ozone water (L) in the outer tank (261b) or the circulation path (300), etc.

이와 같이, 처리조(261)를 이용하여 복수의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 처리하는 경우에도, pH가 산성으로 조정된 저온의 원료액에 오존 가스를 혼입시킴과 더불어, 생성된 오존수(L)를 펌프(33)로 가압하는 것에 의해, 고농도의 오존수(L)를 생성할 수 있다. 따라서, 변형예 4에 의하면, 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. In this way, even when processing multiple wafers (W) at once using a processing tank (261), high-concentration ozone water (L) can be generated by mixing ozone gas into a low-temperature raw material solution whose pH has been adjusted to be acidic and pressurizing the generated ozone water (L) with a pump (33). Therefore, according to Modification Example 4, wafers (W) can be efficiently processed with ozone water (L).

또한, 변형예 4에서는, 전면 처리 유닛(260)에 있어서 복수의 웨이퍼(W)를 오존수(L)에 의해 일괄적으로 처리할 수 있다. 따라서, 변형예 4에 의하면, 레지스트막이 형성된 복수의 웨이퍼(W)를 높은 스루풋으로 처리할 수 있다. In addition, in Variation 4, multiple wafers (W) can be processed at once with ozone water (L) in the front processing unit (260). Therefore, according to Variation 4, multiple wafers (W) on which a resist film is formed can be processed at high throughput.

또한, 변형예 4에서는, 내조(261a)에 토출되기 직전의 오존수(L)를, 제2 공급로(24)에 설치되는 히터(64)로 가열하는 것에 의해, 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in Variation 4, the wafer (W) can be treated more efficiently with the ozone water (L) by heating the ozone water (L) just before being discharged into the inner chamber (261a) with a heater (64) installed in the second supply path (24).

실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))는, 기판 회전부(90)와, 오존수 토출부(토출 노즐(101))와, 가압부(펌프(33))와, 제어부(18)를 구비한다. 기판 회전부(90)는, 기판(웨이퍼(W))을 유지하여 회전시킨다. 오존수 토출부(토출 노즐(101))는, 기판(웨이퍼(W))의 반경 이상의 길이를 가지며, 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출한다. 가압부(펌프(33))는, 오존수 토출부(토출 노즐(101))보다 상류측에서 오존수를 대기압보다 높은 압력으로 가압한다. 제어부(18)는 각부를 제어한다. 또한, 제어부(18)는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출한다. 또한, 제어부(18)는, 오존수를 토출한 후에 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시킨다. 또한, 제어부(18)는, 오존수의 토출 유량을 감소시킨 후에 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 증가시킨다. 또한, 제어부(18)는, 적어도 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켰을 때에, 기판(웨이퍼(W))을 회전시킨다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. A substrate processing device (substrate processing system (1)) according to an embodiment comprises a substrate rotation unit (90), an ozone water discharge unit (discharge nozzle (101)), a pressurizing unit (pump (33)), and a control unit (18). The substrate rotation unit (90) holds and rotates a substrate (wafer (W)). The ozone water discharge unit (discharge nozzle (101)) has a length greater than the radius of the substrate (wafer (W)) and discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)). The pressurizing unit (pump (33)) pressurizes ozone water to a pressure higher than atmospheric pressure from the upstream side of the ozone water discharge unit (discharge nozzle (101)). The control unit (18) controls each unit. In addition, the control unit (18) discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)) held by the substrate rotation unit (90). In addition, the control unit (18) reduces the discharge flow rate of ozone water to the substrate (wafer (W)) after discharging ozone water. In addition, the control unit (18) increases the discharge flow rate of ozone water to the substrate (wafer (W)) after reducing the discharge flow rate of ozone water. In addition, the control unit (18) rotates the substrate (wafer (W)) at least when the discharge flow rate of ozone water to the substrate (wafer (W)) is reduced. As a result, the wafer (W) can be efficiently processed with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 제어부(18)는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출하고, 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출한 후에, 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켜 제로로 한다. 또한, 제어부(18)는, 오존수의 토출 유량을 제로로 한 후에 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 증가시키고, 적어도 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켜 제로로 할 때에, 기판(웨이퍼(W))을 회전시킨다. 이것에 의해, 오존수의 사용량을 삭감할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the control unit (18) discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)) held by the substrate rotation unit (90), and after discharging the ozone water onto the substrate (wafer (W)), reduces the discharge flow rate of the ozone water to the substrate (wafer (W)) to zero. In addition, the control unit (18) increases the discharge flow rate of the ozone water to the substrate (wafer (W)) after reducing the discharge flow rate of the ozone water to zero, and rotates the substrate (wafer (W)) when at least the discharge flow rate of the ozone water to the substrate (wafer (W)) is reduced to zero. Thereby, the amount of ozone water used can be reduced.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 제어부(18)는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출한다. 또한, 제어부(18)는, 오존수를 토출한 후에, 기판(웨이퍼(W))에 대한 오존수의 토출 유량을 감소시켜 제로로 함과 더불어 기판(웨이퍼(W))을 회전시키고, 기판(웨이퍼(W))을 회전시킨 후에, 기판 (웨이퍼(W))의 회전을 정지시키고, 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the control unit (18) discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)) held in the substrate rotation unit (90). In addition, after discharging the ozone water, the control unit (18) reduces the discharge flow rate of the ozone water to the substrate (wafer (W)) to zero, rotates the substrate (wafer (W)), and after rotating the substrate (wafer (W)), stops the rotation of the substrate (wafer (W)) and discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)). Thereby, the wafer (W) can be processed more efficiently with the ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 기판 회전부(90)는, 기판(웨이퍼(W))을 유지할 때에 기판(웨이퍼(W))의 단부를 둘러싸는 댐부(95)를 갖는다. 또한, 제어부(18)는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출하여 댐부(95)로부터 오존수를 넘치게 한다. 이것에 의해, 오존수(L)로 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the substrate rotation unit (90) has a dam unit (95) that surrounds an end of the substrate (wafer (W)) when the substrate (wafer (W)) is held. In addition, the control unit (18) discharges ozone water onto the substrate (wafer (W)) held by the substrate rotation unit (90) so that the ozone water overflows from the dam unit (95). As a result, the wafer (W) can be efficiently processed with the ozone water (L).

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 오존수 토출부(토출 노즐(101))는, 기판(웨이퍼(W))의 전체에 동시에 오존수를 토출한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the ozone water discharge unit (discharge nozzle (101)) discharges ozone water simultaneously to the entire substrate (wafer (W)). As a result, the wafer (W) can be processed more efficiently with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))는, 기판(웨이퍼(W))에 토출되기 직전의 오존수를 가열하는 히터(64)를 더 구비한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment further includes a heater (64) that heats ozone water immediately before it is discharged onto the substrate (wafer (W)). This makes it possible to more efficiently process the wafer (W) with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))을 가열하는 가열 기구(94)를 더 구비한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment further includes a heating mechanism (94) for heating a substrate (wafer (W)) held in a substrate rotation unit (90). By this, the wafer (W) can be processed more efficiently with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 가열 기구(94)는, 기판(웨이퍼(W))의 하면에 접근 또는 접촉하도록 상하로 이동 가능하다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the heating mechanism (94) is movable up and down so as to approach or contact the lower surface of the substrate (wafer (W)). This makes it possible to more efficiently process the wafer (W) with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))은, 기판 회전부(90) 및 오존수 토출부(토출 노즐(101))를 포함하는 처리 공간을 외부 공간과 격리하는 케이스(80)와, 처리 공간에 가스를 도입하는 가스 도입부(120)를 더 구비한다. 또한, 제어부(18)는, 가스 도입부(120)를 제어하여, 처리 공간을 대기압보다 높은 압력으로 한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment further includes a case (80) that isolates a processing space including a substrate rotation unit (90) and an ozone water discharge unit (discharge nozzle (101)) from an external space, and a gas introduction unit (120) that introduces gas into the processing space. In addition, the control unit (18) controls the gas introduction unit (120) to set the processing space to a pressure higher than atmospheric pressure. As a result, the wafer (W) can be processed more efficiently with ozone water.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 시스템(1))에 있어서, 제어부(18)는, 기판 회전부(90)에 유지된 기판(웨이퍼(W))에 오존수를 토출하기 전에, 처리 공간을 대기압보다 높은 압력으로 한다. 이것에 의해, 오존수로 웨이퍼(W)를 더욱 효율적으로 처리할 수 있다. In addition, in the substrate processing device (substrate processing system (1)) according to the embodiment, the control unit (18) sets the processing space to a pressure higher than atmospheric pressure before discharging ozone water onto the substrate (wafer (W)) held in the substrate rotation unit (90). As a result, the wafer (W) can be processed more efficiently with ozone water.

이상, 본 개시의 실시형태에 관해 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한 다양한 변경이 가능하다. Above, the embodiments of the present disclosure have been described, but the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible without departing from the spirit thereof.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로 상기 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는, 첨부한 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다. The embodiments disclosed herein should be considered illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the embodiments described herein may be implemented in various forms. Furthermore, the embodiments described herein may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

W : 웨이퍼(기판의 일례)
1, 1A : 기판 처리 시스템(기판 처리 장치의 일례)
5 : 오존수 생성부
16 : 처리 유닛
18 : 제어부
33 : 펌프(가압부의 일례)
64 : 히터
80 : 케이스
90 : 기판 회전부
94 : 가열 기구
95 : 댐부
101 : 토출 노즐(오존수 토출부의 일례)
120 : 가스 도입부
L : 오존수 W: Wafer (an example of a substrate)
1, 1A: Substrate processing system (an example of a substrate processing device)
5: Ozone water generation unit
16: Processing unit
18: Control unit
33: Pump (example of pressurized part)
64: Heater
80: Case
90: Substrate rotation section
94: Heating device
95: Dambu
101: Discharge nozzle (example of ozone water discharge part)
120: Gas inlet
L: Ozone water

Claims

A substrate rotation unit that rotates the substrate while maintaining it,
An ozone water discharge unit having a length greater than the radius of the substrate and discharging ozone water onto the substrate,
A pressurizing unit that pressurizes ozone water to a pressure higher than atmospheric pressure on the upstream side of the ozone water discharge unit;
Control unit that controls each part
Equipped with,
The above control unit,
Dispense ozone water onto the substrate maintained in the substrate rotation section,
After discharging ozone water, the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced,
After reducing the discharge flow rate of ozone water, increase the discharge flow rate of ozone water to the substrate,
A substrate processing device that rotates the substrate when at least the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced.

In the first paragraph,
The above control unit,
Dispense ozone water onto the substrate maintained in the substrate rotation section,
After discharging ozone water onto the above substrate, the discharge flow rate of ozone water to the above substrate is reduced to zero,
After the discharge flow rate of ozone water is set to zero, the discharge flow rate of ozone water to the substrate is increased,
A substrate processing device that rotates the substrate when reducing the discharge flow rate of ozone water to the substrate to zero.

In claim 1 or 2,
The above control unit,
Dispense ozone water onto the substrate maintained in the substrate rotation section,
After discharging ozone water, the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced to zero, and the substrate is rotated.
A substrate processing device that, after rotating the substrate, stops the rotation of the substrate and discharges ozone water onto the substrate.

In claim 1 or 2,
The above substrate rotation part has a dam part that surrounds the end of the substrate when the substrate is maintained,
A substrate processing device in which the control unit discharges ozone water onto the substrate maintained in the substrate rotation unit, thereby causing ozone water to overflow from the dam unit.

In claim 1 or 2,
The above ozone water discharge unit is,
A substrate treatment device that simultaneously discharges ozone water to the entire substrate.

In claim 1 or 2,
A substrate processing device further comprising a heater for heating ozone water immediately before it is discharged onto the substrate.

In claim 1 or 2,
A substrate processing device further comprising a heating mechanism for heating the substrate maintained in the substrate rotation section.

In paragraph 7,
A substrate processing device wherein the heating mechanism is capable of moving up and down to approach or contact the lower surface of the substrate.

In claim 1 or 2,
It further comprises a case that isolates the processing space including the substrate rotation unit and the ozone water discharge unit from the external space, and a gas introduction unit that introduces gas into the processing space.
The above control unit,
A substrate processing device that controls the above gas introduction unit to make the processing space have a pressure higher than atmospheric pressure.

In paragraph 9,
The above control unit,
A substrate processing device in which, before discharging ozone water onto the substrate maintained in the substrate rotation section, the processing space is set to a pressure higher than atmospheric pressure.

A process of discharging ozone water onto the substrate from an ozone water discharging portion having a length greater than the radius of the substrate,
After the process of discharging ozone water onto the substrate, a process of reducing the discharge flow rate of ozone water onto the substrate,
After the process of reducing the discharge flow rate of ozone water to the above substrate, the process of increasing the discharge flow rate of ozone water to the above substrate
Including,
A substrate treatment method comprising rotating the substrate at least when the discharge flow rate of ozone water to the substrate is reduced.

In Article 11,
A process of discharging ozone water onto the substrate from an ozone water discharging portion having a length greater than the radius of the substrate,
After the process of discharging ozone water onto the substrate, a process of reducing the discharge flow rate of ozone water to the substrate to zero,
After the process of zeroing the discharge flow rate of the ozone water to the substrate, a process of increasing the discharge flow rate of the ozone water to the substrate
Including,
A substrate treatment method comprising rotating the substrate while reducing the discharge flow rate of ozone water to at least the substrate to zero.

In claim 11 or 12,
A process of discharging ozone water onto the substrate held in a substrate rotation section that rotates the substrate while maintaining the substrate;
After the process of discharging ozone water onto the substrate, a process of reducing the discharge flow rate of ozone water to the substrate to zero and rotating the substrate,
After the process of rotating the substrate, the process of stopping the rotation of the substrate and discharging ozone water onto the substrate
A method for processing a substrate including:

In paragraph 11 or 12,
A substrate processing method further comprising, prior to the process of discharging ozone water onto the substrate, a process of setting a processing space for processing the substrate to a pressure higher than atmospheric pressure.