KR102898111B1 - 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 - Google Patents
오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치Info
- Publication number
- KR102898111B1 KR102898111B1 KR1020230033915A KR20230033915A KR102898111B1 KR 102898111 B1 KR102898111 B1 KR 102898111B1 KR 1020230033915 A KR1020230033915 A KR 1020230033915A KR 20230033915 A KR20230033915 A KR 20230033915A KR 102898111 B1 KR102898111 B1 KR 102898111B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- overlay
- aperture
- apertures
- parameter combination
- measurement device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H10P74/203—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H10P74/235—
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
도 2는 도 1에 도시된 오버레이 마크의 하나의 워킹 존으로부터 획득된 신호를 나타낸다.
도 3은 반도체 웨이퍼 상의 측정 사이트들을 점으로 표시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 사이트들로부터 획득된 툴 유도 시프트 값을 X, Y 평면상에 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정 장치의 개략도이다.
도 6은 플레이트형 가변 조리개의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정 장치의 최적화 방법의 순서도이다.
100: 이미징 시스템
110: 조명 광학계
115: 제1 조리개
117: 제2 조리개
120: 결상 광학계
121: 제3 조리개
130: 이미지 검출기
200: 제어기
Claims (20)
- 오버레이 측정 장치의 광 경로 상에 배치되는 복수의 조리개들의 위치 및 개구 형태 중 적어도 하나를 조절하여, 오버레이 측정 장치를 최적화하는 방법으로서,
a) 측정 대상인 오버레이 마크가 형성된 반도체 웨이퍼 상의 적어도 하나의 위치에 대해, 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태에 기초한 초기 파라미터 조합을 이용하여 초기 성능 지표를 측정하는 단계와,
b) 상기 초기 성능 지표에 기초하여, 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태에 기초한 최적 파라미터 조합을 자동으로 획득하는 단계와,
c) 상기 최적 파라미터 조합에 따라서 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태를 변경하는 단계를 포함하며,
상기 조리개들은 적어도 하나의 구경 조리개(Aperture Stop)를 포함하며,
상기 오버레이 측정 장치는 무한 보정 광학계(Infinite Corrected Optical System)이며, 적어도 하나의 상기 구경 조리개는 광선이 평행하게 진행하는 무한 보정 구간에 설치되는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제1항에 있어서,
상기 b) 단계에서,
상기 최적 파라미터 조합은 최적 파라미터 조합을 출력하도록 구성된 기계 학습 모델에 상기 초기 성능 지표를 입력함으로써 획득되는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제1항에 있어서,
상기 b) 단계에서, 상기 최적의 파라미터 조합을 자동으로 획득하는 단계는,
각각의 파라미터 조합에 대한 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태에 기초하여, 복수의 파라미터 조합 각각에 대한 성능 지표들을 획득하는 단계와,
각각의 파라미터 조합의 상기 성능 지표들에 가중치들을 각각 부여하는 단계와,
상기 복수의 파라미터 조합들 중에서 상기 가중치들이 부여된 상기 성능 지표들의 합을 최소화하는 하나의 파라미터 조합을 최적 파라미터 조합으로 선택하는 단계를 포함하는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제1항에 있어서,
상기 성능 지표는 정밀도, 전체 측정 불확실성(TMU, Total Measurement Uncertainty), 툴 유도 시프트(TIS, Tool Induced Shift), 이동, 획득 및 측정(MAM Move, Acquire and Measure) 시간 및 이들 각각의 통계 값 중 적어도 하나를 포함하는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 오버레이 측정 장치는 광을 생성하는 조명원, 광을 수신하여 반도체 웨이퍼를 향하여 광을 지향시키고 상기 반도체 웨이퍼로부터 반사된 광을 수집하는 대물렌즈, 및 수집된 광으로부터 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 오버레이 마크를 검출하고, 오버레이 마크 이미지를 생성하는 이미지 검출기를 포함하며,
적어도 하나의 상기 구경 조리개는 상기 오버레이 측정 장치의 상기 이미지 검출기와 상기 대물렌즈 사이에 배치되는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제1항에 있어서,
상기 조리개의 개구 형태는 원형, 사각형, 링 형태, 십자가 형태 중에서 선택되는 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제1항에 있어서,
복수의 상기 조리개들 중 적어도 하나는 가변 조리개인 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제9항에 있어서,
적어도 하나의 상기 가변 조리개는 개구의 지름이 변경되는 아이리스(Iris)형 가변 조리개인 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 제9항에 있어서,
적어도 하나의 상기 가변 조리개는 형태가 다른 복수의 개구가 형성된 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트를 회전 또는 직선 이동시켜 광 경로 상에 배치되는 상기 개구를 변경시키도록 구성된 오버레이 측정 장치의 최적화 방법. - 오버레이 마크 이미지 획득을 위한 광 경로 상에 배치되는 복수의 조리개들을 포함하는 이미징 시스템과, 상기 이미징 시스템에 통신 가능하게 결합된 제어기를 포함하는 오버레이 측정 장치로서,
상기 제어기는 명령어들을 포함하는 적어도 하나의 메모리와, 상기 적어도 하나의 메모리에 포함된 상기 명령어들을 실행하도록 구성된 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 명령어들을 실행하여,
a) 측정 대상인 오버레이 마크가 형성된 반도체 웨이퍼 상의 적어도 하나의 위치에 대해, 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태에 기초한 초기 파라미터 조합을 이용하여 상기 오버레이 측정 장치의 초기 성능 지표를 측정하는 단계와,
b) 상기 초기 성능 지표에 기초하여, 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태에 기초한 최적 파라미터 조합을 자동으로 획득하는 단계와,
c) 상기 최적 파라미터 조합에 따라서 복수의 상기 조리개들의 위치 및 개구 형태를 변경하는 단계를 수행하며,
상기 조리개들은 적어도 하나의 구경 조리개(Aperture Stop)를 포함하며,
상기 오버레이 측정 장치는 무한 보정 광학계(Infinite Corrected Optical System)이며, 적어도 하나의 상기 구경 조리개는 광선이 평행하게 진행하는 무한 보정 구간에 설치되는 오버레이 측정 장치. - 제12항에 있어서,
상기 성능 지표는 정밀도, 전체 측정 불확실성(TMU, Total Measurement Uncertainty), 툴 유도 시프트(TIS, Tool Induced Shift), 이동, 획득 및 측정(MAM Move, Acquire and Measure) 시간 및 이들 각각의 통계 값 중 적어도 하나를 포함하는 오버레이 측정 장치. - 삭제
- 삭제
- 제12항에 있어서,
상기 오버레이 측정 장치는,
광을 생성하는 조명원;
광을 수신하여 반도체 웨이퍼를 향하여 광을 지향시키고 상기 반도체 웨이퍼로부터 반사된 광을 수집하는 대물렌즈; 및
수집된 광으로부터 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 오버레이 마크를 검출하고, 오버레이 마크 이미지를 생성하는 이미지 검출기를 포함하며,
적어도 하나의 상기 구경 조리개는 상기 오버레이 측정 장치의 상기 이미지 검출기와 상기 대물렌즈 사이에 배치되는 오버레이 측정 장치. - 제12항에 있어서,
상기 조리개의 개구 형태는 원형, 사각형, 링 형태, 십자가 형태 중에서 선택되는 오버레이 측정 장치. - 제12항에 있어서,
복수의 상기 조리개들 중 적어도 하나는 가변 조리개인 오버레이 측정 장치. - 제18항에 있어서,
적어도 하나의 상기 가변 조리개는 개구의 지름이 변경되는 아이리스(Iris)형 가변 조리개인 오버레이 측정 장치. - 제18항에 있어서,
적어도 하나의 상기 가변 조리개는 형태가 다른 복수의 개구가 형성된 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트를 회전 또는 직선 이동시켜 광 경로 상에 배치되는 상기 개구를 변경시키도록 구성된 오버레이 측정 장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230033915A KR102898111B1 (ko) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
| US18/296,502 US20240312847A1 (en) | 2023-03-15 | 2023-04-06 | Optimization method of overlay measurement device and overlay measurement device performing the same |
| PCT/KR2024/095482 WO2024191244A1 (ko) | 2023-03-15 | 2024-03-13 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
| CN202480026064.0A CN120958389A (zh) | 2023-03-15 | 2024-03-13 | 套刻测量装置的优化方法及执行其的套刻测量装置 |
| KR1020250153413A KR20250158952A (ko) | 2023-03-15 | 2025-10-22 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230033915A KR102898111B1 (ko) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020250153413A Division KR20250158952A (ko) | 2023-03-15 | 2025-10-22 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240139798A KR20240139798A (ko) | 2024-09-24 |
| KR102898111B1 true KR102898111B1 (ko) | 2025-12-09 |
Family
ID=92714468
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230033915A Active KR102898111B1 (ko) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
| KR1020250153413A Pending KR20250158952A (ko) | 2023-03-15 | 2025-10-22 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020250153413A Pending KR20250158952A (ko) | 2023-03-15 | 2025-10-22 | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240312847A1 (ko) |
| KR (2) | KR102898111B1 (ko) |
| CN (1) | CN120958389A (ko) |
| WO (1) | WO2024191244A1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220107175A1 (en) * | 2017-08-16 | 2022-04-07 | Kla-Tencor Corporation | Machine Learning in Metrology Measurements |
| US20220317577A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Kla Corporation | Enhancing performance of overlay metrology |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8045786B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Waferless recipe optimization |
| JP2009130071A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2011159753A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Nikon Corp | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、及び露光装置 |
| US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
| US9709903B2 (en) * | 2011-11-01 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corporation | Overlay target geometry for measuring multiple pitches |
| US10419658B1 (en) * | 2014-07-20 | 2019-09-17 | Promanthan Brains LLC, Series Point only | Camera optimizing for several directions of interest |
| EP3477391A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest |
| US10677588B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology |
| JP7257853B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2023-04-14 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、露光装置および物品製造方法 |
| JP7506756B2 (ja) | 2020-04-05 | 2024-06-26 | ケーエルエー コーポレイション | 位置ずれ測定値に対するウェハ傾斜の影響の補正のためのシステムおよび方法 |
-
2023
- 2023-03-15 KR KR1020230033915A patent/KR102898111B1/ko active Active
- 2023-04-06 US US18/296,502 patent/US20240312847A1/en active Pending
-
2024
- 2024-03-13 WO PCT/KR2024/095482 patent/WO2024191244A1/ko not_active Ceased
- 2024-03-13 CN CN202480026064.0A patent/CN120958389A/zh active Pending
-
2025
- 2025-10-22 KR KR1020250153413A patent/KR20250158952A/ko active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220107175A1 (en) * | 2017-08-16 | 2022-04-07 | Kla-Tencor Corporation | Machine Learning in Metrology Measurements |
| US20220317577A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Kla Corporation | Enhancing performance of overlay metrology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240312847A1 (en) | 2024-09-19 |
| KR20250158952A (ko) | 2025-11-07 |
| KR20240139798A (ko) | 2024-09-24 |
| CN120958389A (zh) | 2025-11-14 |
| WO2024191244A1 (ko) | 2024-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4929083A (en) | Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure | |
| KR102045093B1 (ko) | 복수의 피치를 측정하기 위한 오버레이 타겟 지오메트리 | |
| JP4594280B2 (ja) | 偏向リソグラフィーのためのアライメントマークおよびその検出方法 | |
| US5434026A (en) | Exposure condition measurement method | |
| TWI615685B (zh) | 用於測量一目標結構之性質之檢測裝置、操作一光學系統之方法、製造器件之方法 | |
| JP2018526674A (ja) | リソグラフィプロセスのパラメータを測定するための方法及び装置、並びにこの方法で使用される基板及びパターニングデバイス | |
| KR100223228B1 (ko) | 주사형 투영노광장치 및 이를 사용한 소자제조방법 | |
| JP7454325B1 (ja) | モアレパターンを形成するオーバーレイマーク、これを用いたオーバーレイ測定方法、オーバーレイ測定装置、及び半導体素子の製造方法 | |
| JP2009071103A (ja) | 露光システムおよび半導体装置の製造方法 | |
| KR102898111B1 (ko) | 오버레이 측정 장치의 최적화 방법 및 이를 수행하는 오버레이 측정 장치 | |
| JPH04350925A (ja) | 自動焦点合せ装置 | |
| US20090168038A1 (en) | Exposure apparatus, detection method, and method of manufacturing device | |
| CN100559280C (zh) | 一种物镜检验装置以及方法 | |
| CN115066657A (zh) | 用于控制制造过程的方法和关联设备 | |
| KR20240151522A (ko) | 하이브리드 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 측정 장치 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR102919474B1 (ko) | 오버레이 측정 장치 및 오버레이 측정 장치의 세팅 방법 | |
| US10901323B2 (en) | Metrology method and apparatus with increased bandwidth | |
| JPH09306823A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2006078262A (ja) | 位置検出装置、露光装置、計測システム及び位置検出方法 | |
| KR100942202B1 (ko) | 정보처리장치, 정보처리방법 및 컴퓨터 판독가능한 매체 | |
| KR102923174B1 (ko) | 광 결정 층을 구비하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 측정 장치 및 반도체 소자의 제조방법, 광 결정 층을 최적화하는 방법 | |
| KR100762396B1 (ko) | 마스크리스 노광기용 디엠디 정렬 방법 | |
| JP2016218407A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
| KR102844358B1 (ko) | 이미지 기반 오버레이 측정용 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 오버레이 측정 장치, 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR20250094141A (ko) | 참조 패턴을 구비하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 측정 장치 및 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| D22 | Grant of ip right intended |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D22-EXM-PE0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| A16 | Divisional, continuation or continuation in part application filed |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-0-1-A10-A16-DIV-PA0107 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PA0107 | Divisional application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0107 |
|
| F11 | Ip right granted following substantive examination |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-4-F10-F11-EXM-PR0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 |
|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-U10-U11-OTH-PR1002 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| Q13 | Ip right document published |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-Q10-Q13-NAP-PG1601 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |