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KR102876179B1 - 반능동 스페이서를 갖는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치용 모듈 및 반능동 스페이서를 사용하기 위한 방법 - Google Patents

반능동 스페이서를 갖는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치용 모듈 및 반능동 스페이서를 사용하기 위한 방법

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KR102876179B1
KR102876179B1 KR1020217015942A KR20217015942A KR102876179B1 KR 102876179 B1 KR102876179 B1 KR 102876179B1 KR 1020217015942 A KR1020217015942 A KR 1020217015942A KR 20217015942 A KR20217015942 A KR 20217015942A KR 102876179 B1 KR102876179 B1 KR 102876179B1
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KR
South Korea
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KR1020217015942A
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틸로 폴라크
디트마어 뒤어
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

본 발명은 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(1, 31)용 모듈(62, 72)에 관한 것으로, 홀더(50, 50') 내에 배열된 적어도 하나의 광학 요소(18, 19, 20, 38)를 포함하고, 적어도 하나의 스페이서(52)가 홀더(50)와 다른 홀더(50') 또는 본체(54) 사이에 배열되고, 스페이서(52)는 그 범위를 반능동적으로 변경하도록 설계된다. 본 발명은 또한 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(1, 31)에 적어도 하나의 홀더(50, 50')를 위치설정하기 위한 방법에 관한 것으로, 반능동 스페이서(52)가 홀더(50, 50')를 위치설정하기 위해 사용된다.

Description

반능동 스페이서를 갖는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치용 모듈 및 반능동 스페이서를 사용하기 위한 방법
본 출원은 그 내용이 본 명세서에 참조로서 완전히 합체되어 있는 독일 특허 출원 DE 10 2018 220 565.5호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 반능동 스페이서(semi-active spacer)를 갖는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치용 모듈 및 반능동 스페이서를 사용하기 위한 방법에 관한 것이다.
반도체 리소그래피용 투영 노광 장치는 홀더 내에 유지된 다수의 광학 요소를 포함하고, 이들 광학 요소는 이어서 서로 연결되어 투영 광학 유닛을 형성하며, 광학 요소는 각각의 설계 사양에 따라 서로에 대해 배열된다. 장착부로서 설계된 홀더의 정렬 중에, 회전 대칭 렌즈 및 가능하게는 미러를 포함하는 굴절 투영 광학 유닛의 경우에, 장착부는 3개의 병진 자유도(x, y, z) 및 회전 자유도(Rot z)에 대해 서로에 대해 정렬된다. 여기서, z 방향은 사용되는 광, 즉 반도체 기판, 소위 웨이퍼 상에 리소그래피 마스크, 예를 들어 위상 마스크, 소위 레티클의 구조를 이미징하기 위해 사용되는 광의 방향에 대응한다. z 방향에서 2개의 광학 요소 사이의 간격은 수 마이크로미터 [㎛] 범위의 두께 공차를 얻는 고도로 정밀한 평면 평행 링으로서 설계된 소위 조정 링에 의해 설정된다. z 방향에 수직으로 정렬된 2개의 다른 병진 자유도(x, y)는 x-y 평면에서 장착부 및 조정 링의 변위에 의해 조정된다. 회전 자유도(Rot z)는 광축에 또한 대응하는 z 축에 대한 장착부의 회전에 의해 해결된다. x 축(Rot x) 및 y 축(Rot y)에 대한 회전은 구형 표면의 경우에, x 및 y 방향에서의 병진에 광학적으로 대응하고, 여기서 이들 자유도는 x-y 평면에서의 변위에 의해 미리 커버된다.
EUV 투영 노광 장치의 경우에, 30 nm 미만, 특히 13.5 nm의 사용된 방사선의 매우 짧은 파장으로 인해 굴절 광학 요소를 더 이상 사용하는 것이 가능하지 않은 경우에, 사용되는 미러는 모듈로 배열된다. 모든 6개의 자유도에서 모듈을 서로에 대해 정렬하기 위해, 이하 스페이서라 칭하는 고정확도 스페이서가 투영 노광 장치의 베이스 프레임에 대한 모듈의 연결들 점 사이에 사용된다. 스페이서는 모듈이 주어진 공차 내에서 서로에 대해 정렬될 때까지 반복적인 프로세스에서 적응된다.
모듈 또는 장착부가 고객에 의해 현장에서 교체되어야 하는 경우, 서로에 대한 광학 요소의 정렬이 교체 전의 정렬에 대응하도록 새로운 모듈이 다시 설치되어야 한다. 여기서, 모듈의 상이한 기하학 형상 및 모듈 내의 광학 요소의 상이한 위치 및 배향이 결정되어야 하고, 이에 기초하여, 새로운 스페이서 세트, 즉 다수의 스페이서가 생성되어야 한다. 나사 연결의 비결정적 영향과 모듈의 기하학 형상 및 그 내의 광학 요소의 위치 및 배향의 결정의 공차로 인해, 상기에 더 설명된 방법에 의한 정렬은 고도로 시간 소모적인 반복적인 단계에 의해서만 가능하다.
설명된 방법의 다른 단점은, 이들에 의해, 10 내지 15 ㎛의 위치 정확도를 달성하는 것만이 가능한데, 여기서 현재 시스템의 요구 사항은, 특히 모듈 또는 장착부가 현장에서 교체되어야 하면, 1 ㎛ 미만의 범위에 있다는 것이다.
이 문제점을 해결하기 위한 하나의 방법은 예를 들어, 압전 액추에이터와 같은 스페이서로서 액추에이터의 사용이다. 그러나, 이들은 액추에이터의 범위를 유지하기 위해, 전압, 소위 오프셋 전압이 인가되어야 하고, 더욱이, 전압 변동 및 재료 고유의 히스테리시스 효과로 인해, 비교적 장시간 기간에 걸쳐 설정 범위를 유지하는 것을 가능하게 하기 위해, 성가신 폐루프 제어가 필요하다는 단점을 갖는다. 다른 변형예에서, 동작 중에 광학 요소를 위치설정하기 위해 사용되는 액추에이터는 모듈의 위치 및 배향을 보정하기 위해 또한 사용될 수도 있다. 이는 액추에이터의 운동 거리(travel)에 대한 요구가 증가하고, 따라서 운동 거리의 크기와 조정의 정확도의 비가 매우 커지게 되는 결과를 갖는데, 이는 생산 비용과 복잡성에 대해 악영향 및 따라서 액추에이터의 결함에 대한 민감성을 가질 수 있다.
본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 단점을 제거하는 디바이스를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 투영 노광 장치에서 반능동 스페이서를 사용하기 위한 방법을 명시하는 것이다.
이 목적은 독립 청구항의 특징을 갖는 디바이스 및 방법에 의해 달성된다. 종속 청구항은 본 발명의 유리한 개선예 및 변형예에 관련한다.
본 발명에 따른 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치용 모듈은 홀더 내에 배열된 적어도 하나의 광학 요소를 포함하고, 적어도 하나의 스페이서가 홀더와 다른 홀더 또는 본체 사이에 배열되고, 이 스페이서는 그 범위를 반능동적으로 변경하도록 설계된다. 광학 요소를 갖는 몇몇 홀더는 투영 렌즈의 부분일 수도 있고, 특히, 광학 요소들 사이의 간격은 반능동 스페이서에 의해 조정된다. 이러한 맥락에서, 반능동은 첫째로 스페이서가 특정 시점에서만, 예를 들어 투영 노광 장치의 초기 셋업 중에만 활성화되는 것을 의미한다. 둘째로, 반능동은, 스페이서가 그 형상이 변경되어야 할 때만 개루프 또는 폐루프 제어 유닛에 연결되어야 하고, 추가의 에너지 공급 없이도 장시간 기간에 걸쳐 수 나노미터의 범위에서, 특히 100 nm 미만, 특히 20 nm 미만, 특히 5 nm 미만으로 안정한 방식으로 변경된 형상을 유지하는 것, 즉 조정을 위해 일시적 에너지 공급만을 요구하는 것을 또한 의미한다.
스페이서는 예를 들어 와셔의 형태일 수도 있는 데, 즉 중앙에 구멍을 갖는 둥근 형상을 포함할 수도 있다. 스페이서의 조립을 위해, 스페이서는 서로에 대한 그 간격이 조정되는 2개의 구성요소 사이에 배열될 수 있다. 2개의 구성요소는 나사에 의해, 특히 확장 나사에 의해 서로 연결될 수도 있고, 여기서, 나사는 이 경우에 스페이서의 구멍을 통해 유도된다.
스페이서는 특히 압전 재료를 포함할 수도 있다. 압전 재료는 일반적으로 형상의 변경을 실행하기 위해 소위 오프셋 전압을 요구한다. 오프셋 전압의 크기는 편향에 비례한다. 오프셋 전압이 감소되거나 피에조가 전압 소스로부터 분리되면, 압전 재료는 다시 그 원래 상태로 복귀하고, 여기서, 편향은 히스테리시스에 영향을 받는다. Physik Instrumente GmbH로부터의 PIRest 시리즈와 같은 새로운 개발품은 전압 소스의 분리 후에 형상을 유지하고, 이와 같이 함으로써 드리프트와 관련하여 고도로 안정적이다.
본 발명의 일 변형예에서, 중간 요소는 홀더와 스페이서 사이 또는 홀더와 본체 사이에 배열될 수도 있다. 중간 요소는 예를 들어 밀리미터 범위에서 큰 간격을 보상하는 역할을 할 수도 있고, 반능동 스페이서는 예를 들어 ㎛ 범위에서 비교적 작은 간격만을 보상할 수 있다.
중간 요소는 더욱이 수동 스페이서로서 설계될 수도 있다. 중간 요소는 예를 들어 2개의 홀더 사이의 간격을 조정하기 위해 현대 시스템에서 사용되는 것과 같은, 소위 조정 링일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 홀더는 정적 결정(statically determinate) 방식으로 제2 홀더 또는 본체 상에 장착될 수도 있다. 통상적으로 3점 장착의 형태를 취하는 정적 장착은, 상부 홀더가 3개의 점에 규정된 방식으로 놓이는 효과를 갖는데, 이는 다른 접촉점으로 인한 나사 연결 중의 홀더의 변형을 유리하게 감소시킬 수 있다.
부가적으로, 제1 홀더는 정적 중복결정(statically overdeterminate) 방식으로 제2 홀더 또는 본체 상에 장착될 수도 있다. 중복결정 장착의 장점은, 제1 홀더와 제2 홀더 또는 본체 사이의 연결이 정적 장착의 경우에서보다 더 강성이 되도록 설계될 수 있는 것으로 이루어진다. 홀더의 디자인에 따라, 중복결정 장착의 결과로서 발생하는 변형이 최소로 감소될 수 있다.
본 발명의 일 변형예에서, 개루프 및 폐루프 제어 디바이스는 2개의 홀더 사이 또는 홀더와 메인 요소 사이의 간격을 조정하기 위해 적어도 하나의 스페이서를 제어하기 위해 구성될 수도 있다. 개루프 및 폐루프 제어 디바이스는 병렬 및/또는 직렬로 다수의 반능동 스페이서를 제어할 수 있도록 구성될 수도 있다. 이는 개루프 및 폐루프 제어 디바이스의 수가 감소될 수 있는데, 이는 생산 비용에 긍정적인 효과를 가질 수 있다는 장점을 갖는다.
더욱이, 홀더가 스페이서의 이동의 결과로서 변형되도록 다수의 스페이서가 배열될 수도 있다. 여기서, 홀더는 홀더의 변형이 홀더에 의해 유지되는 광학 요소로 전달될 수 있도록 설계될 수도 있다. 이 경우, 스페이서는 간격을 조정하기 위해 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 홀더와 함께 위치 또는 변형 조작기를 형성할 수 있는데, 이는 광학 요소의 타겟화된 변형을 통해 투영 노광 장치의 이미징 품질을 유리하게 개선시킬 수 있다.
특히, 밀봉부가 2개의 홀더 사이 또는 홀더와 본체 사이에 배열될 수도 있다. 상기 밀봉부는 예를 들어, 주위에 대해 투영 광학 유닛의 내부를 밀봉하여, 광학 요소에 대한 제어된 주위 조건이 투영 광학 유닛 내에서 유지될 수 있게 된다. 3점 또는 다점 지지부로서 설계된 반능동 스페이서의 운동 거리는 이 경우에 예를 들어 O-링으로서 설계된 밀봉부의 프리로드에 의해 유발되는 밀봉부의 압축보다 훨씬 더 짧을 수도 있어, 밀봉 작용이 스페이서의 이동에도 불구하고 항상 보장될 수 있게 된다.
본 발명에 따른 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치에 적어도 하나의 홀더를 위치설정하기 위한 방법에 있어서, 반능동 스페이서가 홀더를 위치설정하기 위해 사용된다. 이는 홀더 또는 홀더와 본체 사이의 간격이 홀더를 해제하고, 적응된 스페이서를 조립하고, 나사 연결을 다시 생성하지 않고 수 nm의 범위에서 조정될 수 있는 장점을 갖는다.
특히, 상기 유형의 방법은 이하의 방법 단계:
a) 적어도 하나의 반능동 스페이서를 제1 홀더, 제2 홀더 또는 본체 상에 조립하는 단계,
b) 홀더를 적어도 하나의 스페이서 또는 제2 홀더 또는 본체 상에 조립하는 단계로서, 스페이서는 제1 홀더와 제2 홀더 또는 본체 사이에 배열되는, 조립 단계,
c) 스페이서를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 연결하는 단계,
d) 제2 홀더 또는 본체에 대한 제1 홀더의 위치 및 배향을 결정하는 단계,
e) 설정점 위치 및 설정점 배향으로부터 위치 및 배향의 편차를 결정하는 단계,
f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 결정된 편차에 기초하여 홀더를 정렬하는 단계,
g) 홀더의 위치 및 배향을 확인하는 단계,
h) 설정점 위치와 설정점 배향이 얻어질 때까지 단계 d) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함할 수도 있다.
스페이서의 배열과 수에 따라 상이한 자유도가 조정될 수 있다. 예를 들어, 3개의 스페이서가 120°만큼 오프셋으로 배열된 상태로, 스페이서의 적합한 제어에 의해, 스페이서의 연장 방향에서의 간격 및 연장 방향에 대해 그리고 서로에 대해 수직으로 배열된 2개의 축에 대한 경사도가 조정되는 것이 가능하다. 6개의 스페이서의 경우, 예를 들어 미러의 정렬에 통상적으로 요구되는 바와 같이, 6개의 자유도가 조정되는 것이 가능하다. 다양한 자유도 사이의 누화를 최소로 감소하기 위해 스페이서를 디커플링하기 위해, 상기 스페이서는 디커플링 요소에 연결될 수도 있다.
본 발명의 일 변형예에서, 방법은 이하의 단계:
a) 홀더를 조립하는 단계로서, 중간 요소는 홀더 사이의 간격을 미리 설정하기 위해 적어도 제1 홀더와 제2 홀더 사이에 배열되고, 그리고/또는 적어도 하나의 반능동 스페이서가 홀더 사이의 간격을 조정하기 위해 적어도 제1 홀더와 제2 홀더 사이에 배열되는, 홀더 조립 단계,
b) 스페이서를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 연결하는 단계,
c) 투영 노광 장치의 이미징 수차를 결정하는 단계,
e) 이미징 수차를 보정하기 위해 적어도 하나의 반능동 스페이서의 운동 거리를 결정하는 단계,
f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 스페이서를 이동시키는 단계,
g) 이미징을 확인하는 단계,
h) 이미징이 설정 공차 내에 있을 때까지 단계 c) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 방법은 이하의 방법 단계:
a) 제1 홀더를 제거하는 단계,
b) 반능동 스페이서를 갖는 새로운 홀더를 설치하는 단계,
c) 스페이서를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 연결하는 단계,
d) 제2 홀더 또는 본체에 대한 홀더의 위치 및 배향을 결정하는 단계,
e) 설정점 위치 및 설정점 배향으로부터 위치 및 배향의 편차를 결정하는 단계,
f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 결정된 편차에 따라 홀더를 정렬하는 단계,
g) 홀더의 위치 및 배향을 확인하는 단계,
h) 설정점 위치와 설정점 배향이 얻어질 때까지 단계 d) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함할 수도 있다.
더욱이, 반능동 스페이서가 적어도 일시적으로 개루프 및 폐루프 제어 디바이스에 연결되는 방법은 이하의 단계:
a) 투영 노광 장치의 이미징 수차를 결정하는 단계,
b) 반능동 스페이서의 운동 거리를 결정하는 단계,
c) 일시적 에너지 공급에 의해 미리 결정된 운동 거리만큼 반능동 스페이서를 이동시키는 단계,
d) 이미징 수차를 확인하는 단계,
e) 이미징 수차가 설정 공차 내에 있을 때까지 단계 b) 내지 d)를 반복하는 단계를 포함할 수도 있다.
여기서, 이미징 수차의 결정 후에, 운동 거리는 투영 노광 장치의 모든 이미징 수차가 최소화되도록 결정될 수도 있다. 대안적으로, 운동 거리는 또한 이미징이 의도적으로 디튜닝되도록, 즉 이미징 품질 이외의 프로세스 파라미터에 의해 또한 영향을 받는, 제조 프로세스에 유리한 특정 이미징 수차를 포함하도록 결정될 수도 있다.
더욱이, 반능동 스페이서에 추가하여, 부가의 중간 요소가 수동 스페이서로서 사용될 수도 있다.
특히, 최종 방법 단계 후에, 반능동 스페이서는 개루프 및 폐루프 제어 디바이스로부터 분리될 수도 있다. 이 방식으로, 다수의 반능동 스페이서가 단지 하나의 개루프 및 폐루프 제어 디바이스를 사용하여 활성화할 수 있는데, 이는 투영 노광 장치의 생산 비용에 유리한 효과를 가질 수 있다. 기계의 정렬의 맥락에서 스페이서의 조정 후에, 케이블이 상기 스페이서로부터 탈착될 수 있는데, 이는 첫째로 주위로부터 기계로의 진동의 도입을 감소시키고, 둘째로 구조적 공간을 절약하며, 이 공간은 기계의 동작 중에 다른 목적으로 사용될 수 있다.
여기서, 홀더의 위치 및 배향은 예를 들어 외부 측정 수단에 의해 결정될 수도 있다. 이는 예를 들어 간단한 스위치 또는 간격 센서일 수도 있는데, 이는 구성의 유형에 따라, 하나 또는 양 홀더 또는 홀더 및/또는 본체에 적어도 일시적으로 부착될 수 있다.
더욱이, 홀더의 위치 및 배향은 투영 노광 장치의 파면 측정에 의해 간접적으로 결정될 수도 있다. 투영 노광 장치의 초기 조립 중에, 파면 측정은 홀더의 초기 조립 및 정렬 후에 수행될 수도 있다. 이는 모델, 및 결과로부터 결정된 개별 스페이서의 운동 거리에 기초하여 평가될 수도 있다. 이와 같이 결정된 값은 이어서 예를 들어 중앙 개루프 및 폐루프 제어 디바이스로 전송될 수도 있는데, 이는 반능동 스페이서를 설정점 위치로 이동시킨다. 이 방식으로, 홀더 또는 홀더와 본체 사이의 나사 연결부의 느슨해짐 및 재조임의 결과로서 발생하는 다양한 변형이 회피될 수 있다. 파면의 측정은 스페이서를 변형 조작기로서 사용하기 위해 또한 사용될 수도 있다. 파면 측정에 기초하여, 파면의 보정을 위해 요구된 변형은 모델에 기초하여 결정될 수 있고 마찬가지로 반능동 스페이서의 제어를 위해 개루프 및 폐루프 제어 디바이스로 전달될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예 및 변형예가 도면을 참조하여 이하에 더 상세히 설명되고, 여기서:
도 1은 EUV 투영 노광 장치의 기본 구성을 도시하고 있다.
도 2는 DUV 투영 노광 장치의 기본 구성을 도시하고 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 상세도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 다른 상세도를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 도시하고 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예를 도시하고 있다.
도 1은 본 발명이 사용될 수 있는 마이크로리소그래피 EUV 투영 노광 장치(1)의 기본 구성의 예를 도시하고 있다. 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템은 광원(3)에 추가하여, 대물 평면(6) 내의 대물 필드(5)의 조명을 위한 조명 광학 유닛(4)을 갖는다. 광원(3)에 의해 발생된 광학 사용된 방사선의 형태의 EUV 방사선(14)은, 필드 파셋 미러(2) 상에 입사되기 전에 상기 방사선이 중간 초점 평면(15)의 영역에서 중간 초점을 통과하는 이러한 방식으로, 광원(3) 내에 통합된 집광기에 의해 정렬된다. 필드 파셋 미러(2)의 하류측에서, EUV 방사선(14)은 동공 파셋 미러(16)에 의해 반사된다. 동공 파셋 미러(16)와, 미러(18, 19, 20)를 갖는 광학 조립체(17)의 보조에 의해, 필드 파셋 미러(2)의 필드 파셋은 대물 필드(5) 내로 이미징된다.
대물 필드(5) 내에 배열되고 개략적으로 도시된 레티클 홀더(8)에 의해 유지된 레티클(7)이 조명된다. 단지 개략적으로 도시된 투영 광학 유닛(9)이 이미지 평면(11) 내의 이미지 필드(10) 내에 대물 필드(5)를 이미징하는 역할을 한다. 레티클(7) 상의 구조는 이미지 평면(11) 내의 이미지 필드(10)의 영역에 배열되어 있고 마찬가지로 부분적으로 도시되어 있는 웨이퍼 홀더(13)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(12)의 감광층 상에 이미징된다. 광원(3)은 특히 5 nm 내지 30 nm의 파장 범위의 사용된 방사선을 방출할 수 있다.
본 발명은 도 2에 도시되어 있는 DUV 투영 노광 장치(31)에서 마찬가지로 사용될 수도 있다. 이는 100 nm 내지 300 nm의 파장 범위의 사용된 방사선을 사용한다.
투영 노광 장치(31)는 컴퓨터 칩과 같은 반도체 구성요소의 생산을 위해, 감광성 재료로 코팅되고 일반적으로 주로 실리콘으로 이루어지고 웨이퍼(32)라 칭하는 기판 상의 구조의 노광을 위한 역할을 한다.
투영 노광 장치(31)는 이 경우에 실질적으로 조명 디바이스(33), 웨이퍼(32) 상의 이후의 구조가 결정되는 구조를 구비하는 마스크, 소위 레티클(35)을 수용하여 정확하게 위치설정하기 위한 레티클 스테이지(34), 특히 상기 웨이퍼(32)를 유지하고, 이동시키고, 정확하게 위치설정하기 위한 웨이퍼 스테이지(36) 및 투영 렌즈(37)의 렌즈 하우징(40) 내에 장착부(39)에 의해 유지되는 다수의 광학 요소(38)를 갖는 이미징 디바이스, 구체적으로는 투영 렌즈(37)를 포함한다.
기본 기능 원리는 이 경우에, 레티클(35) 내로 도입된 구조의 이미지가 웨이퍼(32) 상에 투영되는 것을 제공하는데, 이미징은 일반적으로 축소된 스케일이다.
조명 디바이스(33)는 웨이퍼(32) 상의 레티클(35)의 이미징을 위해 요구되는 전자기 방사선의 형태의 투영 빔(41)을 제공한다. 레이저, 플라즈마 소스 등은 이 방사선의 소스로서 사용될 수도 있다. 조명 디바이스(33) 내의 광학 요소는, 레티클(35) 상에 입사될 때, 투영 빔(41)이 파면의 직경, 편광, 형태 등에 관하여 원하는 특성을 갖는 이러한 방식으로 방사선을 성형하는 데 사용된다.
레티클(35)의 이미지는, 이미 전술된 바와 같이, 투영 빔(41)에 의해 생성되고 적절하게 축소된 형태로 투영 렌즈(37)로부터 웨이퍼(32) 상에 전사된다. 이 경우에, 레티클(35) 및 웨이퍼(32)는 동기식으로 이동될 수도 있어, 레티클(35)의 영역의 이미지가 소위 주사 동작 중에 사실상 연속적으로 웨이퍼(32)의 대응 영역 상에 투영되게 된다. 투영 렌즈(37)는 예를 들어, 렌즈 요소, 미러, 프리즘, 종료 플레이트(terminating plate) 등과 같은, 다수의 개별 굴절, 회절 및/또는 반사 광학 요소(38)를 갖고, 여기서, 상기 광학 요소(38)는 예를 들어 본 명세서에 설명된 액추에이터 장치 중 하나 이상에 의해 작동될 수 있다.
도 3은 본체(54), 예를 들어 도 2에 도시되어 있는 렌즈 하우징 및 홀더(50), 예를 들어 도 2에 도시되어 있는 장착부의 개략도이고, 홀더(50)는 플랜지(51)를 포함한다. 반능동 스페이서(52)가 상기 플랜지와 본체(54) 사이에 배열된다. 상기 반능동 스페이서는, 예를 들어 확장 나사로서 설계될 수도 있는 나사(53)가 첫째로 플랜지(51)와 본체(54)를 연결하고, 둘째로 스페이서(52)가 프리로딩되도록 링으로서 설계된다. 연결부를 밀봉하기 위해, O-링(56)으로서 설계된 밀봉부가 마찬가지로 플랜지(51)와 본체(54) 사이에 배열된다. 반능동 스페이서(52)의 운동 거리는 이 경우에 밀봉 작용이 항상 보장되도록, 밀봉부(56)의 압축보다 훨씬 더 짧다. 다른 밀봉부가 스페이서(52)의 다른 측면에 선택적으로 배열될 수도 있다.
도 4는 2개의 홀더(50, 50')의 개략도이고, 제1 홀더(50)는 플랜지(51)를 포함한다. 제2 홀더(50') 상에는, 예를 들어 수동 스페이서로서 설계되고 나사(53)를 위한 관통 구멍(58)을 포함하는 중간 요소(57)가 배열되어 있다. 중간 요소(57)와 제1 홀더(50)의 플랜지(51) 사이에는, 링으로서 설계되고 그 개구를 통해 나사(53)가 제1 홀더(50)와 제2 홀더(50')를 연결하기 위해 연장하는 반능동 스페이서(52)가 배열되어 있다. 마찬가지로 플랜지(51)와 중간 요소(57) 사이에는 예를 들어 O-링(56')으로서 설계된 밀봉부가 배열되어 있다. 중간 요소(57)는 예를 들어, 홀더(50, 50')의 초기 조립 및 광학 요소의 설정점 간격의 결정 후에, 다시 제거되고 재가공될 수도 있다. 재조립 후, 나머지 편차는 반능동 스페이서(52)에 의해 조정될 수 있다. 이는 2개의 홀더(50, 50')의 나사 연결의 결과로서 예측 불가능한 변형이 최소로 감소될 수 있다는 장점을 갖는다.
도 5는 투영 노광 장치의 다른 개략도이고, 여기서, 명확성을 위해, 조명 디바이스는 도시되어 있지 않다. 투영 광학 유닛(37)은 다수의 홀더(52)를 포함하는 상부 렌즈부(60), 모듈로서 설계된 홀더(62), 및 다수의 홀더(52)를 포함하는 하부 렌즈부(61)를 포함한다. 모듈(62)이 교체되어야 하는 경우, 상부 렌즈부(60)가 제거되고 모듈(62)이 교체되고, 모듈(62)은 수동 스페이서로서 설계된 중간 요소(57)에 의해 하부 렌즈부(61)에 대해 정렬된다. 도 3 및 도 4에 설명된 반능동 스페이서(52)는 모듈(62) 상에 배열되고, 그 위에 이어서 상부 렌즈부(60)가 조립된다. 상부 렌즈부(60)는 반능동 스페이서(52)의 이동에 의해 모듈(62)에 대해 정렬되고, 예를 들어, 모듈(62) 상에 상부 렌즈부(60)의 정적 3점 장착은 2개의 축에 대한 경사의 조정 및 투영 광학 유닛의 종축을 따른 조정을 허용한다.
도 6은 모듈(72)로서 설계되고 특히 EUV 투영 노광 장치에서 사용될 수도 있는 홀더의 개략도이다. 모듈(72)은 예를 들어 미러로서 설계되고, 모듈(72)은 6개의 자유도에서 조작 가능하도록 본체(74) 내에 장착된다. 본체(74) 상의 모듈(72)의 위치설정을 위해, 6개의 반능동 스페이서(52)가 모듈(72) 상에 배열되고, 다른 것들은 감춰져 있기 때문에, 단지 3개의 스페이서만이 도 6에 가시화되어 있다. 스페이서(52)는 그 이동을 위해, 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 연결된다. 각각의 다른 스페이서(52)의 이동으로부터 발생하는 스페이서(52)의 기생 이동의 디커플링을 위해, 디커플링 요소(73)는 스페이서(52)와 본체(75) 사이에 배열되고, 이 디커플링 요소는 스페이서(52)의 작용 방향에서만 본체(74)에 강성으로 부착되고, 5개의 다른 자유도에서 가요성으로 부착된다.
이 맥락에서, 가요성은 디커플링 요소의 강성이, 예를 들어 항복 강도 또는 굴곡 강도와 같은, 사용된 재료의 기술적 특성 및 디자인의 맥락에서 가능한 한 낮도록 구성되는 것을 의미하도록 의도된다. 대조적으로, 강성은 사용된 재료의 기술적 특성 및 디자인의 맥락에서 최고 가능한 강성을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
반능동 스페이서(52)는 특히 투영 노광 장치에서 모듈(72)의 초기 정렬 중에, 더 양호한 명확성을 위해 도 6에는 도시되어 있지 않은 투영 노광 장치의 다른 액추에이터가 동작 중에 모듈(72)의 위치설정을 위해 모듈(72)의 정렬을 위해 사실상 운동 거리를 필요로 하지 않은 이러한 정확도를 갖고 모듈(72)을 위치설정하는 데 사용될 수도 있다. 장점은, 정렬 중에 사용된 운동 거리에 대한 동작 중에 사용된 운동 거리의 비가 통상적으로 1:100, 특히 1:50, 특히 1:10인 경우에, 액추에이터가 반능동 스페이서의 사용을 통해, 더 짧은 운동 거리를 갖고 따라서 저가로 구성될 수 있는 것으로 이루어진다.
1: 투영 노광 장치 2: 필드 파셋 미러
3: 광원 4: 조명 광학 유닛
5: 대물 필드 6: 대물 평면
7: 레티클 8: 레티클 홀더
9: 투영 광학 유닛 10: 이미지 필드
11: 이미지 평면 12: 웨이퍼
13: 웨이퍼 홀더 14: EUV 방사선
15: 중간 필드 초점 평면 16: 동공 파셋 미러
17: 조립체 18: 미러
19: 미러 20: 미러
31: 투영 노광 장치 32: 웨이퍼
33: 조명 디바이스 34: 레티클 스테이지
35: 레티클 36: 웨이퍼 스테이지
37: 투영 광학 유닛 38: 광학 요소
39: 장착부 40: 렌즈 하우징
41: 투영 빔 50, 50': 홀더
51: 플랜지 52: 반능동 스페이서
53: 프리로딩 수단(나사) 54: 본체
56, 56': O-링 57: 중간 요소
58: 관통 구멍 59: 개루프 및 폐루프 제어 디바이스
60: 상부 렌즈부 61: 하부 렌즈부
62: 모듈 72: 모듈
73: 디커플링 요소 74: 본체

Claims (26)

  1. 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(1, 31)용 모듈(62, 72)이며, 홀더(50, 50') 내에 배열된 적어도 하나의 광학 요소(18, 19, 20, 38)를 포함하고, 적어도 하나의 스페이서(52)가 홀더(50)와 다른 홀더(50') 또는 본체(54) 사이에 배열되는, 모듈(62, 72)에 있어서,
    스페이서(52)는 그 범위를 반능동적으로 변경하도록 설계되고,
    스페이서(52)는 압전 재료를 포함하고,
    압전 재료는, 에너지 공급에 의해 원래 상태와 상이하도록 변경된 범위를, 에너지 공급의 분리 후에 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    압전 재료는 유지된 범위를 100 nm 미만, 또는 20 nm 미만, 또는 5 nm 미만의 범위에서 안정적인 방식으로 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    중간 요소(57)는 홀더(50, 50')와 스페이서(52) 사이 또는 홀더(50)와 본체(54) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  5. 제4항에 있어서,
    중간 요소(57)는 수동 스페이서로서 설계되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    제1 홀더(50)는 정적 결정 방식으로 제2 홀더(50') 또는 본체(54) 상에 장착되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  7. 제6항에 있어서,
    스페이서(52)가 6개의 자유도의 각각에 대해 홀더(50)와 다른 홀더(50') 또는 본체(54) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    제1 홀더(50)는 정적 중복결정 방식으로 제2 홀더(50') 또는 본체(54) 상에 장착되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  9. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)는 2개의 홀더(50, 50') 사이 또는 홀더(50)와 본체(54) 사이의 간격을 조정하기 위해 적어도 하나의 스페이서(52)를 제어하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  10. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    홀더(50)가 스페이서(52)의 이동에 의해 변형되도록 다수의 스페이서(52)가 배열되고, 홀더(50)는 홀더(50)의 변형이 홀더(50)에 의해 유지되는 광학 요소로 전달되도록 설계되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  11. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    기밀 밀봉부(56, 56')가 2개의 홀더(50, 50') 사이 또는 홀더(50)와 본체(54) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  12. 제11항에 있어서,
    밀봉부(56, 56')는 스페이서(52)를 둘러싸는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  13. 제11항에 있어서,
    밀봉부(56, 56')는 O-링으로서 설계되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  14. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    스페이서(52)는 와셔의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  15. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    디커플링 요소(73)가 스페이서(52)와 본체(54) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  16. 제15항에 있어서,
    디커플링 요소(73)는 스페이서(52)의 작용 방향으로 견고하도록 부착되는 것을 특징으로 하는, 모듈(62, 72).
  17. 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(1, 31)에 적어도 하나의 홀더(50, 50')를 위치설정하기 위한 방법에 있어서,
    홀더(50, 50')를 위치설정하기 위해 반능동 스페이서(52)의 범위를 변경하는 단계를 포함하고,
    반능동 스페이서(52)는 압전 재료를 포함하고,
    에너지 공급에 의해 원래 상태와 상이하도록 변경된 압전 재료의 범위를, 에너지 공급의 분리 후에 유지하는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서, 이하의 방법 단계:
    a) 적어도 하나의 반능동 스페이서(52)를 제1 홀더(50), 제2 홀더(50') 또는 본체(54) 상에 조립하는 단계,
    b) 제1 홀더(50)를 제2 홀더(50') 또는 본체(54)와 조립하는 단계로서, 반능동 스페이서(52)는 제1 홀더(50)와 제2 홀더(50') 또는 본체(54) 사이에 배열되는, 조립 단계,
    c) 반능동 스페이서(52)를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 연결하는 단계,
    d) 제2 홀더(50') 또는 본체(54)에 대한 제1 홀더(50)의 위치 및 배향을 결정하는 단계,
    e) 설정점 위치 및 설정점 배향으로부터 위치 및 배향의 편차를 결정하는 단계,
    f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 결정된 편차에 기초하여 제1 홀더(50)를 정렬하는 단계,
    g) 제1 홀더(50)의 위치 및 배향을 확인하는 단계,
    h) 설정점 위치와 설정점 배향이 얻어질 때까지 단계 d) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제17항에 있어서, 이하의 방법 단계:
    a) 홀더(50, 50')를 조립하는 단계로서, 중간 요소(57)는 홀더(50, 50') 사이의 간격을 미리 설정하기 위해 적어도 제1 홀더(50)와 제2 홀더(50') 사이에 배열되고, 그리고/또는 적어도 하나의 반능동 스페이서(52)가 홀더(50, 50') 사이의 간격을 조정하기 위해 적어도 제1 홀더(50)와 제2 홀더(50') 사이에 배열되는, 홀더 조립 단계,
    b) 반능동 스페이서(52)를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 연결하는 단계,
    c) 투영 노광 장치(1, 31)의 이미징 수차를 결정하는 단계,
    e) 이미징 수차를 보정하기 위해 적어도 하나의 반능동 스페이서(52)의 운동 거리를 결정하는 단계,
    f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 반능동 스페이서(52)를 이동시키는 단계,
    g) 이미징을 확인하는 단계,
    h) 이미징이 설정 공차 내에 있을 때까지 단계 c) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함하는, 방법.
  21. 제17항에 있어서, 이하의 방법 단계:
    a) 제1 홀더(50)를 제거하는 단계,
    b) 반능동 스페이서(52)를 갖는 새로운 홀더(50)를 설치하는 단계,
    c) 반능동 스페이서(52)를 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 연결하는 단계,
    d) 제2 홀더(50') 또는 본체(54)에 대한 새로운 홀더(50)의 위치 및 배향을 결정하는 단계,
    e) 설정점 위치 및 설정점 배향으로부터 위치 및 배향의 편차를 결정하는 단계,
    f) 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 의한 일시적 에너지 공급에 의해 결정된 편차에 따라 새로운 홀더(50)를 정렬하는 단계,
    g) 새로운 홀더(50)의 위치 및 배향을 확인하는 단계,
    h) 설정점 위치와 설정점 배향이 얻어질 때까지 단계 d) 내지 g)를 반복하는 단계를 포함하는, 방법.
  22. 제17항에 있어서, 반능동 스페이서(52)는 적어도 일시적으로 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)에 연결되며, 이하의 단계:
    a) 투영 노광 장치(1, 31)의 이미징 수차를 결정하는 단계,
    b) 반능동 스페이서(52)의 운동 거리를 결정하는 단계,
    c) 일시적 에너지 공급에 의해 미리 결정된 운동 거리만큼 반능동 스페이서(52)를 이동시키는 단계,
    d) 이미징 수차를 확인하는 단계,
    e) 이미징 수차가 설정 공차 내에 있을 때까지 단계 b) 내지 d)를 반복하는 단계를 포함하는, 방법.
  23. 제17항, 제21항 및 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    반능동 스페이서(52)에 추가하여, 적어도 하나의 부가의 중간 요소(57)가 수동 스페이서로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  24. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    최종 방법 단계 후에, 반능동 스페이서(52)는 개루프 및 폐루프 제어 디바이스(59)로부터 분리되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  25. 제17항 또는 제21항에 있어서,
    홀더(50)의 위치 및 배향은 외부 측정 수단에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  26. 제17항, 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    홀더(50)의 위치 및 배향은 투영 노광 장치(1, 31)의 파면 측정에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019214242A1 (de) * 2019-09-18 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102021213168A1 (de) 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100195085A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20130100429A1 (en) 2010-07-01 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system and multi facet mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
US20130242282A1 (en) 2012-02-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Position manipulator for an optical component

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19515165C2 (de) * 1995-04-25 1997-03-06 Eos Electro Optical Syst Vorrichtung zum Herstellen eines Objektes mittels Stereolithographie
JPH1054932A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Nikon Corp 投影光学装置及びそれを装着した投影露光装置
DE10051706A1 (de) * 2000-10-18 2002-05-02 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
DE10160893A1 (de) * 2001-12-12 2003-07-17 Diehl Munitionssysteme Gmbh Verformbarer Spiegel
JP4649136B2 (ja) * 2003-07-31 2011-03-09 キヤノン株式会社 アクチュエータ、露光装置及びデバイス製造方法
US7675607B2 (en) * 2006-07-14 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006047666A1 (de) * 2006-09-28 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für eine Mikrolithographieanlage mit verbesserten Abbildungseigenschaften und Verfahren zum Verbessern der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektives
WO2008122313A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Optical element module with imaging error and position correction
JP2009026862A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc 光学素子位置決めシステム、投影光学系及び露光装置
CN101303532B (zh) * 2008-06-10 2010-06-09 上海微电子装备有限公司 可切换工位的六自由度精密定位台
JP2010224265A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Olympus Corp ファブリ＝ペロー型可変干渉フィルタの傾斜角度制御方法
DE102009021936A1 (de) * 2009-05-19 2010-11-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optisches Filter und ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Filters
IN2012DE00869A (ko) * 2012-03-24 2015-07-17 Director General Defence Res & Dev Org
DE102016221505A1 (de) * 2016-11-02 2016-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit deformationsentkoppelten Komponenten

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100195085A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20130100429A1 (en) 2010-07-01 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system and multi facet mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
US20130242282A1 (en) 2012-02-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Position manipulator for an optical component

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