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KR102856409B1 - 이미지 센싱 장치 - Google Patents

이미지 센싱 장치

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KR102856409B1
KR102856409B1 KR1020200013091A KR20200013091A KR102856409B1 KR 102856409 B1 KR102856409 B1 KR 102856409B1 KR 1020200013091 A KR1020200013091 A KR 1020200013091A KR 20200013091 A KR20200013091 A KR 20200013091A KR 102856409 B1 KR102856409 B1 KR 102856409B1
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KR
South Korea
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sensing device
image sensing
polarizing element
wires
along
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조민수
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에스케이하이닉스 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 기술의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는, 제 1 면 및 상기 제 1 면과 대향되는 제 2 면을 가지며 상기 제 1 면으로 입사되는 입사광을 광전변환하여 광전하를 생성하는 광전변환영역을 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면 상부에 위치하며, 상기 입사광을 대응되는 상기 광전변환영역으로 집광시키는 복수의 마이크로 렌즈들 및 상기 반도체 기판과 상기 마이크로 렌즈들 사이에 위치하며, 상기 입사광에서 특정 방향의 편광 성분을 갖는 광을 선택적으로 투과시키는 편광 소자를 포함하며, 상기 편광 소자는 에어층을 포함할 수 있다.

Description

이미지 센싱 장치{IMAGE SENSING DEVICE}
본 발명은 이미지 센싱 장치에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 장치이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라, 디지털 카메라, 캠코더, PCS(personal communication system), 게임 기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 또는 로봇 등의 다양한 분야에서 이미지 센서의 수요가 증가하고 있다.
이미지 센서를 이용해 3차원 영상을 얻기 위해서는, 색상(color)에 관한 정보뿐만 아니라 대상 물체(target object)와 이미지 센서 사이의 거리(또는 깊이)에 관한 정보가 필요하다.
대상 물체와 이미지 센서 사이의 상기 거리에 관한 정보를 얻는 방법은 크게 패시브(passive) 방식과 액티브(active) 방식으로 나눌 수 있다.
패시브 방식은 대상 물체로 빛을 조사하지 않고, 대상 물체의 영상 정보만을 이용하여 대상 물체와 이미지 센서 사이의 거리를 계산하는 방식이다. 이러한, 패시브 방식은 스테레오 카메라(stereo camera)에 적용될 수 있다.
액티브 방식으로는 삼각 측량(triangulation) 방식과 TOF(time-of-flight) 방식 등이 있다. 삼각 측량(triangulation) 방식은 이미지 센서로부터 일정 거리에 있는 광원, 예컨대 레이져(laser)에 의해 조사되고 대상 물체로부터 반사된 빛을 감지하고, 감지 결과를 이용하여 대상 물체와 이미지 센서 간의 거리를 계산하는 방식이다. TOF 방식은 대상 물체로 빛을 조사한 후 빛이 대상 물체로부터 반사되어 돌아올 때까지의 시간을 측정하여 대상 물체와 이미지 센서 사이의 거리를 계산하는 방식이다.
본 발명의 실시예는 외부 광에 의한 노이즈를 최소화할 수 있는 이미지 센싱 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 기술의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는, 제 1 면 및 상기 제 1 면과 대향되는 제 2 면을 가지며 상기 제 1 면으로 입사되는 입사광을 광전변환하여 광전하를 생성하는 광전변환영역을 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면 상부에 위치하며, 상기 입사광을 대응되는 상기 광전변환영역으로 집광시키는 복수의 마이크로 렌즈들 및 상기 반도체 기판과 상기 마이크로 렌즈들 사이에 위치하며, 상기 입사광에서 특정 방향의 편광 성분을 갖는 광을 선택적으로 투과시키는 편광 소자를 포함하며, 상기 편광 소자는 에어층을 포함할 수 있다.
본 기술의 다른 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 입사광을 광전변환시켜 픽셀 신호를 출력하는 복수의 유닛 픽셀들이 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 연속적으로 배열되는 픽셀 어레이를 포함할 수 있으며, 상기 픽셀 어레이는 상기 입사광을 광전변환시키는 광전변환영역, 및 상기 광전변환영역 상부에 위치하며 상기 입사광에서 특정 방향의 편광 성분을 갖는 광을 상기 광전변환영역으로 선택적으로 투과시키는 편광 소자를 포함하며, 상기 편광 소자는 에어층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 외부 광에 의한 노이즈를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예들에 따른 이미지 센싱 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도.
도 2는 도 1의 픽셀 어레이에 형성된 편광 소자의 일부 영역을 예시적으로 보여주는 평면도.
도 3A는 도 2에서 X1-X1′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도.
도 3B는 도 2에서 Y-Y′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도.
도 4는 도 1의 픽셀 어레이에 형성된 편광 소자의 일부 영역을 예시적으로 보여주는 평면도.
도 5는 도 4에서 X2-X2′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도.
이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예들에 따른 이미지 센싱 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센싱 장치는 TOF(time of flight) 원리를 이용하여 거리를 측정할 수 있다. 이러한 이미지 센싱 장치는 광원(100), 렌즈 모듈(200), 픽셀 어레이(300) 및 제어회로(400)를 포함할 수 있다.
광원(100)은 제어회로(400)로부터의 클락 신호(MLS)에 응답하여 대상 물체(1)에 광을 조사한다. 광원(100)은 적외선 또는 가시광을 발광하는 레이저 다이오드(LD; Laser Diode)나 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode), 근적외선 레이저(NIR; Near Infrared Laser), 포인트 광원, 백색 램프 및 모노크로메이터(monochromator)가 조합된 단색(monochromatic) 조명원, 또는 다른 레이저 광원의 조합일 수 있다. 예를 들어, 광원(100)은 800㎚ 내지 1000㎚의 파장을 가지는 적외선을 발광할 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 하나의 광원(100)만을 도시하였으나, 복수의 광원들이 렌즈 모듈(200)의 주변에 배열될 수도 있다.
렌즈 모듈(200)은 대상 물체(1)로부터 반사된 광을 수집하여 픽셀 어레이(300)의 픽셀들(PX)에 집중 시킨다. 렌즈 모듈(200)은 유리 또는 플라스틱 표면의 집중 렌즈 또는 다른 원통형 광학 원소를 포함할 수 있다. 렌즈 모듈(200)은 볼록한 구조를 가지는 집중 렌즈를 포함할 수 있다.
픽셀 어레이(300)는 2차원 구조로 연속적으로 배열된{예를 들어, 컬럼(column) 방향 및 로우(row) 방향으로 연속적으로 배열된} 복수의 유닛 픽셀들(PX)을 포함한다. 유닛 픽셀들(PX)은 렌즈 모듈(200)을 통해 수신된 입사광을 광전변환시켜 그 입사광에 대응하는 픽셀 신호를 생성하여 출력할 수 있다. 이때, 픽셀 신호는 대상 물체(1)에 대한 색상을 나타내는 신호가 아닌 대상 물체(1)와의 거리를 나타내는 신호일 수 있다. 픽셀 어레이(300)는 렌즈층과 광전변환영역 사이에 위치하는 편광 소자를 포함할 수 있으며, 그 편광 소자는 에어를 포함할 수 있다. 유닛 픽셀(PX)은 입사된 광에 의해 반도체 기판 내에서 생성된 전자들을 전계의 포텐셜 차이를 이용하여 검출하는 CAPD(Current-Assisted Photonic Demodulator) 타입의 픽셀일 수 있다.
제어 회로(400)는 광원(100)을 제어하여 대상 물체(1)에 광을 조사하고, 픽셀 어레이(300)의 유닛 픽셀들(PX)을 구동시켜 대상 물체(1)로부터 반사된 광에 대응되는 픽셀 신호들을 처리하여 대상 물체(1)의 표면에 대한 거리를 측정한다.
이러한 제어 회로(400)는 로우 디코더(410), 광원 드라이버(420), 타이밍 컨트롤러(430), 포토게이트 컨트롤러(440) 및 로직 회로(450)를 포함할 수 있다.
로우 디코더(row decoder; 410)는 타이밍 컨트롤러(timing controller; 430)로부터 출력된 타이밍 신호에 응답하여 픽셀 어레이(300)의 유닛 픽셀들(PX)을 구동시킬 수 있다. 예를 들어, 로우 디코더(410)는 복수의 로우라인들(row lines) 중에서 적어도 어느 하나의 로우라인(row line)을 선택할 수 있는 제어 신호를 생성할 수 있다.
광원 드라이버(light source driver; 420)는 타이밍 컨트롤러(430)의 제어에 따라 광원(100)을 구동시킬 수 있는 클락 신호(MLS)를 생성할 수 있다. 광원 드라이버(42)는 클락 신호(MLS) 또는 클락 신호(MLS)에 대한 정보를 포토 게이트 컨트롤러(28)로 공급할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(430)는 로우 디코더(410), 광원 드라이버(420), 포토게이트 컨트롤러(440) 및 로직 회로(450)의 동작을 제어하기 위한 타이밍 신호를 생성할 수 있다.
포토게이트 컨트롤러(photogate controller; 440)는 타이밍 컨트롤러(430)의 제어에 따라 포토 게이트 컨트롤 신호들을 생성하여 이들을 픽셀 어레이(300)로 공급할 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위하여 포토게이트 컨트롤러(28)에 대해서만 설명하나, 제어 회로(400)는 타이밍 컨트롤러(430)의 제어에 따라 복수의 포토다이오드 컨트롤 신호들을 생성하여 이들을 픽셀 어레이(40)로 공급하는 포토다이오드 컨트롤러를 포함할 수 있다.
로직 회로(logic circuit; 450)는 타이밍 컨트롤러(430)의 제어에 따라 픽셀 어레이(300)로부터의 픽셀 신호들을 처리하여 대상 물체(1)와의 거리를 계산할 수 있다. 로직 회로(450)는 픽셀 어레이(100)로부터 출력된 픽셀 신호들에 대해 상관 이중 샘플링(correlated double sampling)을 수행하기 위한 상관 이중 샘플러(CDS: correlated double sampler)를 포함할 수 있다. 또한, 로직 회로(450)는 상관 이중 샘플러로부터의 출력 신호들을 디지털 신호들로 변환하기 위한 아날로그-디지털 컨버터를 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 픽셀 어레이에 형성된 편광 소자의 일부 영역을 예시적으로 보여주는 평면도이다. 도 3A는 도 2에서 X1-X1′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도이며, 도 3B는 도 2에서 Y-Y′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 2, 도 3A 및 도 3B를 참조하면, 픽셀 어레이(300)는 기판층(310), 편광 소자(320), 평탄화층(330) 및 렌즈층(340)을 포함할 수 있다.
기판층(310)은 기판(312) 및 기판(312) 내에 형성된 광전변환영역(314)을 포함할 수 있다.
기판(312)은 광이 입사되는 제 1 면 및 제 1 면과 대향되는 제 2 면을 갖는 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(312)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다.
광전변환영역(314)은 제 1 면을 통해 입사되는 광을 광전변환시켜 광전하를 생성할 수 있다. 예를 들어, 광전변환영역(316)은 입사된 광에 응답하여 전자와 정공 쌍을 발생시킬 수 있다. 광전변환영역(316)은 서로 다른 타입의 불순물 영역들이 수직 방향으로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광전변환영역(316)은 N형 불순물 영역과 P형 불순물 영역이 수직 방향으로 적층된 포토다이오드(PD: Photo Diode)를 포함할 수 있다.
편광 소자(320)는 기판(312)의 제 1 면 상부에서 기판(312)과 렌즈층(340) 사이에 형성될 수 있으며, 렌즈층(340)을 투과한 입사광에서 특정 방향의 편광 성분만을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 광원(100)에서 조사된 광이 대상 물체(1)로부터 반사되는 경우, 반사광에는 광원(100)에서 조사된 광의 편광 성분뿐만 아니라 외부의 광원에 의한 편광 성분(노이즈)도 포함될 수 있다. 따라서, 편광 소자(320)는 이미지 센싱 장치에 입사되는 광에서, 대상 물체(1)에 조사한 광의 편광 성분과 같은 편광 성분을 갖는 광만을 통과시키고 다른 편광 성분들(노이즈)은 차단할 수 있다.
편광 소자(320)는 직사각 형상의 슬릿 영역들(350)을 정의하는 격자 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 편광 소자(320)는 제 1 방향(X 방향)을 따라 연장되는 복수의 제 1 와이어들(320a) 및 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향(Y방향)을 따라 연장되는 복수의 제 2 와이어들(320b)이 격자 구조로 연결되는 와이어 그리드 타입으로 형성될 수 있다.
제 1 와이어들(320a)은 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 연속적으로 배치될 수 있으며, 제 2 와이어들(320b)은 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 연속적으로 배치될 수 있다. 이때, 제 2 방향을 따라 배치되는 제 1 와이어들(320a)의 형성 주기(제 1 주기)는 유닛 픽셀(PX)의 제 2 방향의 길이에 대응될 수 있다. 예를 들어, 제 1 와이어들(320a)은 제 2 방향을 따라 인접한 유닛 픽셀들(PX)의 경계 영역들 마다 배치될 수 있다. 제 1 방향을 따라 배치되는 제 2 와이어들(320b)의 형성 주기(제 2 주기)는 유닛 픽셀(PX)의 제 1 방향의 길이 보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 제 2 와이어들(320b)은 제 1 방향을 따라 인접한 유닛 픽셀들(PX)의 경계 영역들 및 그 경계 영역들 사이의 영역에 배치될 수 있다.
입사광이 통과하는 슬릿 영역(350)은 이러한 편광 소자(320)에 의해 Y 방향의 길이가 X 방향의 길이보다 긴 직사각 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 편광 소자(320)는 입사광에서 Y 방향의 편광 성분을 갖는 광만을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 이때 슬릿 영역(350)의 장축 길이는 유닛 픽셀(PX)의 제 2 방향의 길이에 대응될 수 있으며, 슬릿 영역(350)의 단축 길이는 유닛 픽셀(PX)의 제 1 방향의 길이보다 짧게 형성될 수 있다. 슬릿 영역(350)에는 평탄화층(330)과 같은 물질이 매립될 수 있다.
특히, 본 실시예에서의 편광 소자(320)는 에어층(air layer)을 포함하는 에어 와이어 그리드 타입으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 편광 소자(320)는 메탈층(322), 에어층(324) 및 캡핑막(326)을 포함할 수 있다.
메탈층(322)은 기판(312)의 제 1 면 상에 형성될 수 있으며, 텅스텐(W)을 포함할 수 있다. 에어층(324)은 메탈층(322) 상부에 형성될 수 있다. 캡핑막(326)은 편광 소자(320)의 최외곽에 형성되는 물질막으로서, 메탈층(322) 및 에어층(324)을 캡핑할 수 있다. 캡핑막(326)은 슬릿 영역(350)까지 연장되게 형성될 수 있다. 예를 들어, 슬릿 영역(350)에는 평탄화층(330) 물질뿐만 아니라 캡핑막(326)이 형성될 수 있다. 캡핑막(326)은 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 저온산화(ULTO: Ultra Low Temperature Oxide)막을 포함할 수 있다.
도 3A 및 도 3B에서는 편광 소자(320)가 메탈층(322)과 에어층(324)의 적층 구조를 포함하는 경우를 예시적으로 도시하고 있으나, 편광 소자(320)는 메탈층(322)을 포함하지 않을 수도 있다. 즉, 편광 소자(320)는 에어층(324) 및 에어층(324)을 커버하는 캡핑막(326)으로만 구성될 수도 있다.
편광자가 그리드 구조로 형성되는 경우, 편광자의 주기(그리드 간격)는 입사광의 파장 대비 1/10 보다 작아야 한다. 예를 들어, 입사광(IR)의 파장이 1000 nm이고, 편광자가 그리드 구조로 형성되는 경우, 편광자의 주기는 100 nm(= 1000 nm/10) 보다 작아야 한다.
이때, 편광자를 구성하는 물질의 굴절률까지 고려하면, 편광자의 주기는 더 짧아져야 한다. 예를 들어, 편광자의 굴절률이 2라고 가정하면, 편광자의 주기는 50 nm(= 100 nm/2)가 되어야 한다. 이처럼, 편광자의 주기가 짧아지는 경우, 편광자를 형성하는 공정이 어려워지며 편광자를 투과하는 광량도 감소되어 광효율이 감소될 수 있다.
본 실시예에서는 편광 소자(320)에 에어를 적용하여 편광 소자(320)의 굴절률을 낮춰줌으로써, 편광 소자(320)를 그리드 구조로 형성하더라도 편광 소자(320)의 그리드 간격을 에어를 적용하지 않는 경우에 비해 상대적으로 넓게 형성할 수 있다. 따라서, 편광 소자(320)는 그 형성 공정이 용이해지며 편광 소자(320)를 투과하여 광전변환영역(314)으로 입사되는 광량을 증가시킬 수 있어 광효율을 개선할 수 있다.
평탄화층(330)은 편광 소자(320) 상부 및 편광 소자(320)에 의해 정의되는 슬릿 영역(350)에 형성되어 편광 소자(320)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 평탄화층(330)은 렌즈층(340)을 통해 입사된 광이 광전변환영역(314) 쪽으로 통과되도록 하는 반사 방지막의 역할을 수행할 수 있다. 이러한 평탄화층(330)은 SiO2나 SiN과 같은 광 투과성 물질로 형성될 수 있다.
렌즈층(340)은 입사광을 집광시켜 대응되는 광전변환영역(314)에 입사되도록 할 수 있다. 렌즈층(340)은 반사방지막(342) 및 마이크로 렌즈(344)를 포함할 수 있다. 마이크로 렌즈(344)는 각 유닛 픽셀(PX) 마다 형성될 수 있다.
도 4는 도 1의 픽셀 어레이에 형성된 편광 소자의 일부 영역을 예시적으로 보여주는 평면도이며, 도 5는 도 4에서 X2-X2′의 절취선을 따라 절단된 단면의 모습을 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 편광 소자(320′)는 직사각 형상의 슬릿 영역들(350′)을 정의하는 격자 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 편광 소자(320′)는 제 1 방향(X 방향)을 따라 연장되는 복수의 제 1 와이어들(320a) 및 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향(Y방향)을 따라 연장되는 복수의 제 2 와이어들(320b′)이 격자 형태로 연결되는 와이어 그리드 타입으로 형성될 수 있다.
제 1 와이어들(320a)은 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있으며, 제 2 와이어들(320b′)은 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다.
이때, 제 1 와이어들(320a)은, 도 2에서의 제 1 와이어들(320a)과 같이, 제 2 방향을 따라 인접한 유닛 픽셀들(PX)의 경계 영역들 마다 배치될 수 있다. 제 2 와이어들(320b′)은, 도 2에서의 제 2 와이어들(320b)과 비교하여, 형성 주기는 제 2 와이어들(320b)과 동일하게 형성되되 형성되는 위치가 제 2 와이어들(320b)과 다를 수 있다. 예를 들어, 제 2 와이어들(320b′)은 제 1 방향을 따라 인접한 유닛 픽셀들(PX)의 경계 영역에는 배치되지 않고 그 경계 영역들 사이의 영역에만 배치될 수 있다.
입사광이 통과하는 슬릿 영역(350′)은 각 유닛 픽셀(PX)에서의 형성 위치가 도 2의 슬릿 영역(350)과 차이가 있을 뿐 그 크기는 슬릿 영역(350)과 동일하게 형성될 수 있다.
편광 소자(320′) 역시 에어층(air layer)을 포함하는 에어 와이어 그리드 타입으로 형성될 수 있다. 편광 소자(320′)의 구조는 상술한 편광 소자(320)의 구조와 동일하게 형성될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 광원
200: 렌즈 모듈
300: 픽셀 어레이
310: 기판층
320: 편광 소자
330: 평탄화층
340: 렌즈층
400: 제어회로
410: 로우 디코더
420: 광원 드라이버
430: 타이밍 컨트롤러
440: 포토게이트 컨트롤러
450: 로직 회로

Claims (19)

  1. 제 1 면 및 상기 제 1 면과 대향되는 제 2 면을 가지며, 상기 제 1 면으로 입사되는 입사광을 광전변환하여 광전하를 생성하는 광전변환영역을 포함하는 반도체 기판;
    상기 반도체 기판의 상기 제 1 면 상부에 위치하며, 상기 입사광을 대응되는 상기 광전변환영역으로 집광시키는 복수의 마이크로 렌즈들; 및
    상기 반도체 기판과 상기 마이크로 렌즈들 사이에 위치하며, 상기 입사광에서 특정 방향의 편광 성분을 갖는 광을 선택적으로 투과시키는 편광 소자를 포함하며,
    상기 편광 소자는 에어층을 포함하는 와이어들을 포함하며,
    상기 와이어들은
    제 1 방향을 따라 연장되며, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 제 1 주기로 연속적으로 배치되는 복수의 제 1 와이어들; 및
    상기 제 1 와이어들과 연결되면서 상기 제 2 방향을 따라 연장되며, 상기 제 1 방향을 따라 제 2 주기로 연속적으로 배치되는 복수의 제 2 와이어들을 포함하는 이미지 센싱 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 편광 소자는
    직사각 형상의 슬릿 영역들을 정의하는 격자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 편광 소자는
    상기 제 1 주기가 상기 제 2 주기보다 긴 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 제 1 와이어들은
    상기 제 2 방향을 따라 인접한 상기 마이크로 렌즈들의 제 1 경계 영역들에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 제 2 와이어들은
    상기 제 1 방향을 따라 인접한 상기 마이크로 렌즈들의 제 2 경계 영역들 및 상기 제 2 경계 영역들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  7. 청구항 4에 있어서, 상기 제 2 와이어들은
    상기 제 1 방향을 따라 인접한 상기 마이크로 렌즈들의 제 2 경계 영역들에는 배치되지 않고 상기 제 2 경계 영역들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 편광 소자는
    상기 에어층; 및
    상기 에어층을 커버하는 캡핑막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 캡핑막은
    상기 편광 소자에 의해 정의된 슬릿 영역까지 연장되게 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 편광 소자는
    상기 캡핑막에 의해 커버된 영역 내에서 상기 에어층과 상기 반도체 기판 사이에 위치하는 메탈층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 편광 소자 상부 및 상기 편광 소자에 의해 정의된 슬릿 영역에 형성되는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  12. 입사광을 광전변환시켜 픽셀 신호를 출력하는 복수의 유닛 픽셀들이 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 연속적으로 배열되는 픽셀 어레이를 포함하며,
    상기 픽셀 어레이는
    상기 입사광을 광전변환시키는 광전변환영역; 및
    상기 광전변환영역 상부에 위치하며, 상기 입사광에서 특정 방향의 편광 성분을 갖는 광을 상기 광전변환영역으로 선택적으로 투과시키는 편광 소자를 포함하며,
    상기 편광 소자는 에어층을 포함하는 와이어들을 포함하며,
    상기 와이어들은
    제 1 방향을 따라 연장되며, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 제 1 주기로 연속적으로 배치되는 복수의 제 1 와이어들; 및
    상기 제 1 와이어들과 연결되면서 상기 제 2 방향을 따라 연장되며, 상기 제 1 방향을 따라 상기 제 1 주기보다 짧은 제 2 주기로 연속적으로 배치되는 복수의 제 2 와이어들을 포함하는 이미지 센싱 장치.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 편광 소자는
    상기 에어층; 및
    상기 에어층을 커버하는 캡핑막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 편광 소자는
    상기 캡핑막에 의해 커버된 영역 내에서 상기 에어층 아래에 위치하는 메탈층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  15. 청구항 12에 있어서, 상기 편광 소자는
    직사각 형상의 슬릿 영역들을 정의하는 격자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  16. 삭제
  17. 청구항 12에 있어서, 상기 제 1 와이어들은
    상기 제 2 방향을 따라 인접한 상기 유닛 픽셀들의 제 1 경계 영역들에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  18. 청구항 12에 있어서, 상기 제 2 와이어들은
    상기 제 1 방향을 따라 인접한 상기 유닛 픽셀들의 제 2 경계 영역들 및 상기 제 2 경계 영역들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
  19. 청구항 12에 있어서, 상기 제 2 와이어들은
    상기 제 1 방향을 따라 인접한 상기 유닛 픽셀들의 제 2 경계 영역들에는 배치되지 않고 상기 제 2 경계 영역들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
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