KR102856408B1 - 이미지 센싱 장치 - Google Patents
이미지 센싱 장치Info
- Publication number
- KR102856408B1 KR102856408B1 KR1020190087323A KR20190087323A KR102856408B1 KR 102856408 B1 KR102856408 B1 KR 102856408B1 KR 1020190087323 A KR1020190087323 A KR 1020190087323A KR 20190087323 A KR20190087323 A KR 20190087323A KR 102856408 B1 KR102856408 B1 KR 102856408B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- transistor
- transistor array
- sub
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/813—Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
- H10F39/8023—Disposition of the elements in pixels, e.g. smaller elements in the centre of the imager compared to larger elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
도 2는 8-공유 픽셀 구조를 갖는 유닛 픽셀 블록의 일 실시예를 예시적으로 나타낸 레이아웃 도면.
도 3은 도 2의 유닛 픽셀 블록에 대응되는 등가회로도.
도 4는 8-공유 픽셀 구조를 갖는 유닛 픽셀 블록의 다른 실시예를 예시적으로 나타낸 레이아웃 도면.
도 5는 8-공유 픽셀 구조를 갖는 4개의 유닛 픽셀 블록들을 제 1 실시예에 따라 연속적으로 배치한 구조를 예시적으로 보여주는 도면.
도 6은 8-공유 픽셀 구조를 갖는 4개의 유닛 픽셀 블록들을 제 2 실시예에 따라 연속적으로 배치한 구조를 예시적으로 보여주는 도면.
200: 상관 이중 샘플러
300: 아날로그-디지털 컨버터
400: 버퍼
500: 로우 드라이버
600: 타이밍 제너레이터
700: 제어 레지스터
800: 램프 신호 제너레이터
PB, PB1~PB4: 유닛 픽셀 블록
PB_S1, PB_S2: 서브 픽셀 블록
PX1~PX4: 단위 픽셀
PD1~PD8: 광전변환소자
FD1, FD2: 플로팅 디퓨전
TX1~TG8: 전송 트랜지스터
RX1~RX4: 리셋 트랜지스터
DX1, DX2, DX11~DX42: 소스 팔로워 트랜지스터
SX1, SX2, SX11~SX42: 선택 트랜지스터
Claims (20)
- 제 1 및 제 2 유닛 픽셀 블록들이 어레이 형태로 배열되는 픽셀 어레이를 포함하며,
상기 제 1 및 제 2 유닛 픽셀 블록들 각각은
제 1 플로팅 디퓨전 및 상기 제 1 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 제 1 서브 픽셀 블록;
상기 제 1 플로팅 디퓨전과 연결되는 제 2 플로팅 디퓨전 및 상기 제 2 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하며, 제 1 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 일정 간격 이격되게 배치되는 제 2 서브 픽셀 블록;
상기 제 1 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 상기 제 2 서브 픽셀 블록 사이에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이; 및
상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 반대편에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이를 포함하며,
상기 제 1 유닛 픽셀 블록에서, 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않고,
상기 제 2 유닛 픽셀 블록에서, 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 유닛 픽셀 블록의 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이에서, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향의 길이는
상기 제 1 서브 픽셀 블록의 상기 제 2 방향의 길이 및 상기 제 2 서브 픽셀 블록의 상기 제 2 방향의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터는
상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 상기 제 1 방향을 따라 대칭되게 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터는
상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 상기 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향 사이의 사선 방향을 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터는 제 1 사선 방향을 따라 위치하며,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터는 상기 제 1 사선 방향과 교차되는 제 2 사선 방향을 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 플로팅 디퓨전 및 상기 제 2 플로팅 디퓨전은,
대응되는 유닛 픽셀 블록 내에서, 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터의 게이트 및 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터의 게이트와 공통 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향에서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 상기 제 2 방향의 길이와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 상기 제 2 방향의 길이는 서로 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 1 내지 제 4 유닛 픽셀 블록들이 제 1 방향으로 순차적으로 배열된 유닛 픽셀 블록 그룹들이 어레이 형태로 배열되는 픽셀 어레이를 포함하며,
상기 제 1 내지 제 4 유닛 픽셀 블록들 각각은
제 1 플로팅 디퓨전 및 상기 제 1 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 제 1 서브 픽셀 블록;
상기 제 1 플로팅 디퓨전과 연결되는 제 2 플로팅 디퓨전 및 상기 제 2 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하며, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 일정 간격 이격되게 배치되는 제 2 서브 픽셀 블록;
상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 상기 제 2 서브 픽셀 블록 사이에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이; 및
상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 반대편에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이를 포함하며,
상기 제 1 및 제 3 유닛 픽셀 블록들에서, 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않고,
상기 제 2 및 제 4 유닛 픽셀 블록들에서, 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 청구항 13에 있어서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터는 상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 제 1 사선 방향을 따라 위치하며,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터는 상기 제 1 사선 방향과 교차되는 제 2 사선 방향을 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 제 1 내지 제 4 유닛 픽셀 블록들이 제 1 방향으로 순차적으로 배열된 유닛 픽셀 블록 그룹들이 어레이 형태로 배열되는 픽셀 어레이를 포함하며,
상기 제 1 내지 제 4 유닛 픽셀 블록들 각각은
제 1 플로팅 디퓨전 및 상기 제 1 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 제 1 서브 픽셀 블록;
상기 제 1 플로팅 디퓨전과 연결되는 제 2 플로팅 디퓨전 및 상기 제 2 플로팅 디퓨전을 공유하는 복수의 단위 픽셀들을 포함하며, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 일정 간격 이격되게 배치되는 제 2 서브 픽셀 블록;
상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브 픽셀 블록과 상기 제 2 서브 픽셀 블록 사이에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이; 및
상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 반대편에 위치하며, 직렬 연결된 소스 팔로워 트랜지스터와 선택 트랜지스터를 포함하는 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이를 포함하며,
상기 제 1 및 제 2 유닛 픽셀 블록들에서, 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않고,
상기 제 3 및 제 4 유닛 픽셀 블록들에서, 상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하되 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이는 리셋 트랜지스터를 포함하지 않는 이미지 센싱 장치. - 삭제
- 삭제
- 청구항 17에 있어서,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 소스 팔로워 트랜지스터는 상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 대칭되게 위치하고,
상기 제 1 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터와 상기 제 2 픽셀 트랜지스터 어레이의 선택 트랜지스터는 상기 제 1 서브 픽셀 블록을 기준으로 대칭되게 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190087323A KR102856408B1 (ko) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 이미지 센싱 장치 |
| US16/598,836 US11195871B2 (en) | 2019-07-19 | 2019-10-10 | Image sensing device |
| CN201911011262.7A CN112242409B (zh) | 2019-07-19 | 2019-10-23 | 图像感测装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190087323A KR102856408B1 (ko) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 이미지 센싱 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210010018A KR20210010018A (ko) | 2021-01-27 |
| KR102856408B1 true KR102856408B1 (ko) | 2025-09-05 |
Family
ID=74168360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190087323A Active KR102856408B1 (ko) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 이미지 센싱 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11195871B2 (ko) |
| KR (1) | KR102856408B1 (ko) |
| CN (1) | CN112242409B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102855820B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2025-09-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| WO2022215826A1 (ko) * | 2021-04-05 | 2022-10-13 | 엘에스전선 주식회사 | 이종도체 접합부를 갖는 전력케이블 시스템 및 이종도체를 갖는 전력케이블 접속방법 |
| CN116939384B (zh) * | 2022-03-31 | 2025-07-25 | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 | 像素阵列、图像传感器及其控制方法 |
| WO2024204941A1 (ko) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 삼성디스플레이주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3792628B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2006-07-05 | 富士通株式会社 | 固体撮像装置及び画像読み出し方法 |
| KR100692306B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2007-03-09 | 인티그런트 테크놀로지즈(주) | 광대역 주파수의 채널 선택을 위한 트랙킹 필터. |
| KR100830583B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2008-05-22 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 캡쳐가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로 및그것의 구조 |
| JP5292787B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-09-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP5537172B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP5644177B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| JP6003291B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| US20130256509A1 (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Dual source follower pixel cell architecture |
| CN103391407B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-08-17 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种cmos图像传感器的像素结构及该图像传感器 |
| TWI696278B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-06-11 | 日商新力股份有限公司 | 影像感測器、攝像裝置及電子機器 |
| JP6276297B2 (ja) * | 2016-01-08 | 2018-02-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| KR102717094B1 (ko) * | 2016-12-27 | 2024-10-15 | 삼성전자주식회사 | 공유 픽셀을 구비한 이미지 센서 및 그 이미지 센서를 구비한 전자 장치 |
| KR102701855B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2024-09-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| KR102333610B1 (ko) * | 2017-03-06 | 2021-12-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| KR102356913B1 (ko) * | 2017-07-03 | 2022-02-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| KR102489832B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2023-01-18 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| US10734419B2 (en) * | 2018-10-31 | 2020-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Imaging device with uniform photosensitive region array |
| WO2020160195A2 (en) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | Gigajot Technology Inc. | Column-interleaved pixel array |
-
2019
- 2019-07-19 KR KR1020190087323A patent/KR102856408B1/ko active Active
- 2019-10-10 US US16/598,836 patent/US11195871B2/en active Active
- 2019-10-23 CN CN201911011262.7A patent/CN112242409B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210010018A (ko) | 2021-01-27 |
| US20210020681A1 (en) | 2021-01-21 |
| CN112242409B (zh) | 2024-05-14 |
| CN112242409A (zh) | 2021-01-19 |
| US11195871B2 (en) | 2021-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102856408B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| US11121157B2 (en) | Image sensors | |
| TWI783484B (zh) | 用於快速像素合併之雙列選擇像素 | |
| US8717471B2 (en) | Solid-state imaging device applied to CMOS image sensor | |
| KR102856412B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| US7745773B1 (en) | Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines | |
| KR20190091801A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102414030B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102883961B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| CN110098205B (zh) | 包括具有锯齿形排列的像素块的像素阵列的图像传感器 | |
| US12364035B2 (en) | Image sensor including a pixel array having pixel blocks arranged in a zigzag form | |
| KR102834447B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| US11050960B2 (en) | Image sensor | |
| US20190148438A1 (en) | Image sensor and electronic apparatus including the same | |
| CN116939382A (zh) | 图像传感器和用于读出图像传感器的信号的方法 | |
| KR102823755B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| US10163961B2 (en) | Image sensor | |
| US11736817B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| WO2007108129A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US12200382B2 (en) | Image sensing device having pixel group including a plurality of sub pixels | |
| KR102855820B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| JP2025129053A (ja) | イメージセンサ | |
| KR20220118022A (ko) | 이미지 센싱 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| D22 | Grant of ip right intended |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D22-EXM-PE0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| F11 | Ip right granted following substantive examination |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-4-F10-F11-EXM-PR0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-U10-U11-OTH-PR1002 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) Year of fee payment: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| Q13 | Ip right document published |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-Q10-Q13-NAP-PG1601 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |