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KR102837603B1 - Battery apparatus and switch diagnosis apparatus and method - Google Patents

Battery apparatus and switch diagnosis apparatus and method

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KR102837603B1
KR102837603B1 KR1020200044963A KR20200044963A KR102837603B1 KR 102837603 B1 KR102837603 B1 KR 102837603B1 KR 1020200044963 A KR1020200044963 A KR 1020200044963A KR 20200044963 A KR20200044963 A KR 20200044963A KR 102837603 B1 KR102837603 B1 KR 102837603B1
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switch circuit
switches
transistor
temperature change
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남인호
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주식회사 엘지에너지솔루션
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Abstract

배터리 장치에서, 스위치 회로는 배터리 팩의 출력 단자와 배터리 장치를 외부 장치에 연결하는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함한다. 온도 센서는 스위치 회로의 온도를 측정한다. 처리 회로는 복수의 스위치를 온한 후 소정 시간 동안의 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하고, 측정한 온도 변화량에 기초해서 스위치 회로를 진단한다.In the battery device, the switch circuit includes a plurality of switches connected in parallel between the output terminal of the battery pack and the connection terminal connecting the battery device to an external device. The temperature sensor measures the temperature of the switch circuit. The processing circuit measures the temperature change of the switch circuit for a predetermined period of time after turning on the plurality of switches, and diagnoses the switch circuit based on the measured temperature change.

Description

배터리 장치, 스위치 진단 장치 및 방법{BATTERY APPARATUS AND SWITCH DIAGNOSIS APPARATUS AND METHOD}{BATTERY APPARATUS AND SWITCH DIAGNOSIS APPARATUS AND METHOD}

본 발명은 배터리 장치, 스위치 진단 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a battery device, a switch diagnostic device and a method.

전기 자동차는 주로 배터리를 전원으로 이용하여 모터를 구동함으로써 동력을 얻는 자동차로서, 내연 자동차의 공해 및 에너지 문제를 해결할 수 있는 대안이라는 점에서 연구가 활발하게 진행되고 있다. 또한, 충전이 가능한 배터리는 전지 자동차 이외에 다양한 전자 장치에서 사용되고 있다. 배터리 모듈에서 전지 자동차나 전자 장치와 같이 외부 장치로 전력을 공급하거나 배터리 모듈을 충전하기 위해서, 외부 장치와의 연결을 위한 외부 연결 단자와 배터리 모듈 사이에 릴레이가 제공된다.Electric vehicles are vehicles that mainly use batteries as power sources to drive motors, and research is actively being conducted on them as an alternative to solve pollution and energy problems of internal combustion vehicles. In addition, rechargeable batteries are used in various electronic devices in addition to battery vehicles. In order to supply power to external devices such as battery vehicles or electronic devices from a battery module or to charge a battery module, a relay is provided between the external connection terminal for connection to an external device and the battery module.

최근, 기계식 릴레이를 전자식 스위치, 예를 들면 트랜지스터로 대체하고 있다. 이러한 스위치는 고전압, 고출력의 전기 에너지가 상시 통과하는 부품으로서 고장 발생 여부를 진단하는 것이 중요하다.Recently, mechanical relays are being replaced by electronic switches, such as transistors. These switches are components through which high voltage and high power electric energy constantly passes, and it is important to diagnose whether there is a failure.

본 발명이 이루고자 하는 과제는 스위치의 고장을 진단할 수 있는 배터리 장치, 스위치 진단 장치 및 방법을 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a battery device, a switch diagnostic device, and a method capable of diagnosing a switch failure.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 배터리 팩, 스위치 회로, 온도 센서 및 처리 회로를 포함하는 배터리 장치가 제공된다. 상기 스위치 회로는 상기 배터리 팩의 출력 단자와 상기 배터리 장치를 외부 장치에 연결하는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함한다. 상기 온도 센서는 상기 스위치 회로의 온도를 측정한다. 상기 처리 회로는 상기 스위치 회로의 동작을 제어하며, 상기 복수의 스위치를 온한 후 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하고, 상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단한다.According to one embodiment of the present invention, a battery device including a battery pack, a switch circuit, a temperature sensor, and a processing circuit is provided. The switch circuit includes a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal connecting the battery device to an external device. The temperature sensor measures a temperature of the switch circuit. The processing circuit controls an operation of the switch circuit, measures a temperature change amount of the switch circuit for a predetermined period of time after turning on the plurality of switches, and diagnoses the switch circuit based on the measured temperature change amount.

상기 처리 회로는 상기 측정한 온도 변화량이 상기 복수의 스위치가 정상 동작 시에 상기 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량보다 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단할 수 있다.The above processing circuit can diagnose the switch circuit as faulty if the measured temperature change amount is less than the temperature change amount of the switch circuit for the predetermined time when the plurality of switches are operating normally.

상기 처리 회로는 상기 복수의 스위치 중에서 오픈 스턱(open stuck) 고장이 발생한 스위치가 있는 것으로 진단할 수 있다.The above processing circuit can diagnose that among the plurality of switches, there is a switch that has an open stuck failure.

상기 처리 회로는, 상기 측정한 온도 변화량이 상기 정상 동작 시의 상기 온도 변화량에 소정 비율만큼 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단할 수 있다.The above processing circuit can diagnose the switch circuit as having failed if the measured temperature change amount is less than the temperature change amount during normal operation by a predetermined ratio.

상기 소정 시간은 상기 복수의 스위치의 온 시점부터 측정될 수 있다.The above predetermined time can be measured from the turning on time of the plurality of switches.

각 스위치는 직렬로 연결되어 있는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.Each switch may include a first transistor and a second transistor connected in series.

상기 처리 회로는, 상기 복수의 스위치의 상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터의 게이트에 하나의 채널로 제어 신호를 전달하는 게이트 드라이버, 그리고 상기 스위치 회로를 진단하는 프로세서를 포함할 수 있다.The above processing circuit may include a gate driver for transmitting a control signal to the gates of the first transistor and the second transistor of the plurality of switches through one channel, and a processor for diagnosing the switch circuit.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 배터리 팩을 포함하는 배터리 장치의 스위치 진단 장치가 제공된다. 상기 스위치 진단 장치는 스위치 회로, 게이트 드라이버, 온도 센서 및 프로세서를 포함한다. 상기 스위치 회로는 상기 배터리 팩의 출력 단자와 상기 배터리 장치를 외부 장치에 연결하는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함하며, 각 스위치는 직렬로 연결되어 있는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 게이트 드라이버는 상기 복수의 스위치의 상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 동시에 온한다. 상기 온도 센서는 상기 스위치 회로의 온도를 측정한다. 상기 프로세서는 상기 복수의 스위치를 온한 후 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하고, 상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단한다.According to another embodiment of the present invention, a switch diagnosis device of a battery device including a battery pack is provided. The switch diagnosis device includes a switch circuit, a gate driver, a temperature sensor, and a processor. The switch circuit includes a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal connecting the battery device to an external device, and each switch includes a first transistor and a second transistor connected in series. The gate driver turns on the first transistor and the second transistor of the plurality of switches simultaneously. The temperature sensor measures the temperature of the switch circuit. The processor measures a temperature change amount of the switch circuit for a predetermined period of time after turning on the plurality of switches, and diagnoses the switch circuit based on the measured temperature change amount.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 배터리 팩, 그리고 상기 배터리 팩의 출력 단자와 외부 장치에 연결되는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함하는 스위치 회로를 포함하는 배터리 장치의 스위치 진단 방법이 제공된다. 상기 스위치 진단 방법은, 상기 복수의 스위치를 온하는 단계, 소정 시간 동안 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하는 단계, 그리고 상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, a method for diagnosing a switch of a battery device is provided, which includes a battery pack, and a switch circuit including a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal connected to an external device. The switch diagnosis method includes a step of turning on the plurality of switches, a step of measuring a temperature change amount of the switch circuit for a predetermined period of time, and a step of diagnosing the switch circuit based on the measured temperature change amount.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 빠르게 스위치 회로의 고장을 진단할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a fault in a switch circuit can be quickly diagnosed.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 배터리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 스위치 진단 회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 스위치 진단 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스위치 진단 회로를 나타내는 도면이다.
FIG. 1 is a drawing showing a battery device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a switch diagnostic circuit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a flowchart illustrating a switch diagnosis method according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a switch diagnostic circuit according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts that are not related to the description are omitted, and similar parts are assigned similar drawing reference numerals throughout the specification.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When it is said that a component is "connected" to another component, it should be understood that it may be directly connected to that other component, but that there may be other components in between. On the other hand, when it is said that a component is "directly connected" to another component, it should be understood that there are no other components in between.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 배터리 장치를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a drawing showing a battery device according to one embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 배터리 장치(100)는 양극 연결 단자(DC(+))와 음극 연결 단자(DC(-))를 통해 외부 장치에 전기적으로 연결될 수 있는 구조를 가진다. 외부 장치가 부하인 경우, 배터리 장치(100)는 부하로 전력을 공급하는 전원으로 동작하여 방전된다. 외부 장치가 충전기인 경우, 배터리 장치(100)는 충전기를 통해 외부 전력을 공급받아 충전된다. 부하로 동작하는 외부 장치는 예를 들면 전자 장치, 이동 수단 또는 에너지 저장 시스템(energy storage system, ESS)일 수 있으며, 이동 수단은 예를 들면 전기 자동차, 하이브리드 자동차 또는 스마트 모빌리티(smart mobility)일 수 있다.Referring to FIG. 1, the battery device (100) has a structure that can be electrically connected to an external device through a positive connection terminal (DC(+)) and a negative connection terminal (DC(-)). When the external device is a load, the battery device (100) operates as a power source that supplies power to the load and is discharged. When the external device is a charger, the battery device (100) is charged by receiving external power through the charger. The external device that operates as a load may be, for example, an electronic device, a means of transportation, or an energy storage system (ESS), and the means of transportation may be, for example, an electric vehicle, a hybrid vehicle, or smart mobility.

배터리 장치(100)는 배터리 팩(110), 스위치 회로, 감시 회로(130) 및 처리 회로(140)를 포함한다.The battery device (100) includes a battery pack (110), a switching circuit, a monitoring circuit (130), and a processing circuit (140).

배터리 팩(110)은 전기적으로 연결되어 있는 복수의 배터리 셀(도시하지 않음)을 포함하며, 양극 출력 단자(PV(+))와 음극 출력 단자(PV(-))를 가진다. 어떤 실시예에서, 배터리 셀은 충전 가능한 2차 전지일 수 있다. 어떤 실시예에서, 배터리 팩(110)은 소정 개수의 배터리 셀이 직렬 연결되어 있는 배터리 모듈을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서, 배터리 팩(110)에서 소정 개수의 배터리 모듈이 직렬 또는 병렬 연결되어 원하는 에너지를 공급할 수 있다.The battery pack (110) includes a plurality of battery cells (not shown) that are electrically connected and have a positive output terminal (PV(+)) and a negative output terminal (PV(-)). In some embodiments, the battery cells may be rechargeable secondary batteries. In some embodiments, the battery pack (110) may include a battery module in which a predetermined number of battery cells are connected in series. In some embodiments, a predetermined number of battery modules in the battery pack (110) may be connected in series or in parallel to supply a desired energy.

스위치 회로는 배터리 팩(110)과 외부 장치(10) 사이에 직렬 연결되어 배터리 팩(110)과 외부 장치(10) 사이의 전기적 연결을 제어한다. 스위치 회로는 배터리 팩(110)의 한 출력 단자, 예를 들면 양극 출력 단자(PV(+))와 배터리 장치(100)의 한 연결 단자, 예를 들면 양극 연결 단자(DC(+)) 사이에 연결되어 있는 스위치(121)를 포함한다. 어떤 실시예에서, 스위치 회로는 배터리 팩(110)의 다른 출력 단자, 예를 들면 음극 출력 단자(PV(-))와 배터리 장치(100)의 한 연결 단자, 예를 들면 음극 연결 단자(DC(-)) 사이에 연결되어 있는 스위치(122)를 더 포함할 수 있다.A switch circuit is connected in series between the battery pack (110) and the external device (10) to control the electrical connection between the battery pack (110) and the external device (10). The switch circuit includes a switch (121) connected between one output terminal of the battery pack (110), for example, a positive output terminal (PV(+)), and one connection terminal of the battery device (100), for example, a positive connection terminal (DC(+)). In some embodiments, the switch circuit may further include a switch (122) connected between another output terminal of the battery pack (110), for example, a negative output terminal (PV(-)), and one connection terminal of the battery device (100), for example, a negative connection terminal (DC(-)).

어떤 실시예에서, 스위치(121)는 병렬로 연결되어 있는 복수의 트랜지스터 쌍을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서, 각 트랜지스터 쌍은 직렬로 연결되어 있는 두 트랜지스터를 포함할 수 있다.In some embodiments, the switch (121) may include a plurality of transistor pairs connected in parallel. In some embodiments, each transistor pair may include two transistors connected in series.

감시 회로(130)는 스위치(121, 122)의 온도를 측정한다. 어떤 실시예에서, 감시 회로(130)는 스위치(121, 122)의 전압을 더 측정할 수 있다.The monitoring circuit (130) measures the temperature of the switches (121, 122). In some embodiments, the monitoring circuit (130) may further measure the voltage of the switches (121, 122).

처리 회로(140)는 스위치(121, 122)의 동작을 제어한다. 어떤 실시예에서, 처리 회로(140)는 프로세서를 포함하는 회로일 수 있으며, 프로세서는 예를 들면 마이크로 제어 장치(micro controller unit, MCU)일 수 있다. 어떤 실시예에서, 처리 회로(140)는 스위치(121, 122)의 동작을 제어하기 위해 게이트 드라이버를 더 포함할 수 있다.The processing circuit (140) controls the operation of the switches (121, 122). In some embodiments, the processing circuit (140) may be a circuit including a processor, and the processor may be, for example, a micro controller unit (MCU). In some embodiments, the processing circuit (140) may further include a gate driver to control the operation of the switches (121, 122).

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 스위치 진단 회로를 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing a switch diagnostic circuit according to one embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 스위치 진단 회로는 스위치 회로(210), 온도 센서(220) 및 처리 회로(230)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the switch diagnostic circuit includes a switch circuit (210), a temperature sensor (220), and a processing circuit (230).

스위치 회로(210)는 병렬로 연결되어 있는 복수의 트랜지스터 쌍을 포함한다. 각 트랜지스터 쌍은 직렬로 연결되어 있는 두 트랜지스터를 포함한다. 도 2에서는 설명의 편의상 스위치 회로(210)가 세 개의 트랜지스터 쌍, 즉 트랜지스터 쌍(FET11, FET12), 트랜지스터 쌍(FET21, FET22), 트랜지스터 쌍(FET31, FET32)을 포함하는 것으로 도시하였다.The switch circuit (210) includes a plurality of transistor pairs connected in parallel. Each transistor pair includes two transistors connected in series. In Fig. 2, for convenience of explanation, the switch circuit (210) is illustrated as including three transistor pairs, namely, a transistor pair (FET11, FET12), a transistor pair (FET21, FET22), and a transistor pair (FET31, FET32).

어떤 실시예에서, 각 트랜지스터는 MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistor)일 수 있다. 한 실시예에서, 도 2에 도시한 것처럼, 각 트랜지스터는 바디 다이오드를 가지는 n채널 트랜지스터, 예를 들면 NMOS 트랜지스터일 수 있다.In some embodiments, each transistor can be a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In one embodiment, each transistor can be an n-channel transistor having a body diode, for example, an NMOS transistor, as illustrated in FIG. 2.

어떤 실시예에서, 스위치 회로(210)는 배터리 팩(도 1의 110)의 양극 출력 단자(PV(+))와 배터리 장치(도 1의 100)의 양극 연결 단자(DC(+)) 사이에 연결되어 있는 스위치일 수 있다. 한 실시예에서, 트랜지스터(FETi1)의 소스와 트랜지스터(FETi2)의 소스가 연결되어 있으며, 트랜지스터(FETi1)의 드레인은 배터리 팩(110)의 양극 출력 단자(PV(+))에 연결되고, 트랜지스터(FETi2)의 드레인은 배터리 장치(100)의 양극 연결 단자(DC(+))에 연결되어 있을 수 있다. 여기서, i는 1에서 3까지의 정수이다. 한 실시예에서, 트랜지스터(FETi1)는 온 시에 배터리 팩(110)에서 외부 장치(도 1의 10)로 전류를 공급하기 위한 방전용 스위치로 동작하고, 트랜지스터(FETi2)는 온 시에 외부 장치(충전기)에서 배터리 팩(110)으로 전류를 공급하기 위한 충전용 스위치로 동작할 수 있다.In some embodiments, the switch circuit (210) may be a switch connected between a positive output terminal (PV(+)) of the battery pack (110 of FIG. 1) and a positive connection terminal (DC(+)) of the battery device (100 of FIG. 1). In one embodiment, a source of the transistor (FETi1) and a source of the transistor (FETi2) may be connected, a drain of the transistor (FETi1) may be connected to the positive output terminal (PV(+)) of the battery pack (110), and a drain of the transistor (FETi2) may be connected to the positive connection terminal (DC(+)) of the battery device (100). Here, i is an integer from 1 to 3. In one embodiment, the transistor (FETi1) may operate as a discharge switch to supply current from the battery pack (110) to an external device (10 in FIG. 1) when turned on, and the transistor (FETi2) may operate as a charge switch to supply current from an external device (charger) to the battery pack (110) when turned on.

온도 센서(220)는 스위치 회로(210)의 온도를 감지하고, 처리 회로(230)는 온도 센서(220)가 감지하는 스위치 회로(210)의 온도를 수신한다. 처리 회로(230)는 게이트 드라이버(231)와 프로세서(232)를 포함한다.The temperature sensor (220) detects the temperature of the switch circuit (210), and the processing circuit (230) receives the temperature of the switch circuit (210) detected by the temperature sensor (220). The processing circuit (230) includes a gate driver (231) and a processor (232).

어떤 실시예에서, 스위치 회로(210)의 제어를 위해, 게이트 드라이버(231)의 출력은 하나의 채널을 가질 수 있다. 이 경우, 게이트 드라이버(231)의 출력이 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)의 게이트에 연결되어 있을 수 있다. 따라서, 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)는 게이트 드라이버(231)의 제어 신호에 따라 동시에 온되거나 오프될 수 있다. 한 실시예에서, 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)가 n채널 트랜지스터인 경우, 게이트 드라이버(231)는 하이 레벨의 제어 신호를 출력해서 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)를 온하고, 로우 레벨의 제어 신호를 출력해서 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)를 오프할 수 있다. 다른 실시예에서, 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)가 p채널 트랜지스터인 경우, 게이트 드라이버(231)는 로우 레벨의 제어 신호를 출력해서 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)를 온하고, 하이 레벨의 제어 신호를 출력해서 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)를 오프할 수 있다.In some embodiments, for controlling the switch circuit (210), the output of the gate driver (231) may have one channel. In this case, the output of the gate driver (231) may be connected to the gates of the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32). Accordingly, the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) may be turned on or off simultaneously according to the control signal of the gate driver (231). In one embodiment, when the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) are n-channel transistors, the gate driver (231) can output a high-level control signal to turn on the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32), and output a low-level control signal to turn off the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32). In another embodiment, when the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) are p-channel transistors, the gate driver (231) can output a low-level control signal to turn on the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32), and output a high-level control signal to turn off the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32).

프로세서(232)는 게이트 드라이버(231)의 동작을 제어한다. 또한 프로세서(232)는 온도 센서(220)에서 감지한 온도의 변화량에 기초해서 스위치 회로(210)의 고장을 진단한다. 이를 위해 프로세서(232)는 스위치 회로(210)가 정상인 경우의 온도 변화량을 저장하고 있을 수 있다.The processor (232) controls the operation of the gate driver (231). In addition, the processor (232) diagnoses a failure of the switch circuit (210) based on the amount of temperature change detected by the temperature sensor (220). For this purpose, the processor (232) may store the amount of temperature change when the switch circuit (210) is normal.

어떤 실시예에서, 온도 센서(220)는 온도에 따라 저항값이 변하는 온도 가변 저항 소자를 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 온도 가변 저항 소자는 서미스터(thermistor)일 수 있다. 한 실시예에서, 온도 가변 저항 소자는 음의 온도 계수(negative temperature coefficient, NTC) 서미스터일 수 있다. 어떤 실시예에서, 온도 가변 저항 소자는 다른 저항(예를 들면, 풀다운 저항)과 직렬로 연결되어, 프로세서(232)는 온도 가변 저항 소자와 저항의 접점의 전압에 기초해서 온도를 측정할 수 있다.In some embodiments, the temperature sensor (220) may include a temperature variable resistor element whose resistance value varies with temperature. In one embodiment, the temperature variable resistor element may be a thermistor. In one embodiment, the temperature variable resistor element may be a negative temperature coefficient (NTC) thermistor. In some embodiments, the temperature variable resistor element may be connected in series with another resistor (e.g., a pull-down resistor), such that the processor (232) may measure the temperature based on the voltage at the junction of the temperature variable resistor element and the resistor.

어떤 실시예에서, 온도 센서(220)는 스위치 회로(210)의 정확한 온도 측정을 위해 스위치 회로(210)의 대략 중앙에 위치할 수 있다. 예를 들면, 스위치 회로(210)가 세 개의 트랜지스터 쌍을 포함하는 경우, 가운데 트랜지스터 쌍(도 2의 FET21, FET22)의 접점에 해당하는 위치에 설치될 수 있다.In some embodiments, the temperature sensor (220) may be located approximately in the center of the switch circuit (210) for accurate temperature measurement of the switch circuit (210). For example, if the switch circuit (210) includes three transistor pairs, it may be installed at a location corresponding to the contact point of the middle transistor pair (FET21, FET22 of FIG. 2).

아래에서는 도 2 및 도 3을 참고로 하여 스위치 진단 방법을 설명한다.Below, a switch diagnosis method is explained with reference to FIGS. 2 and 3.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 스위치 진단 방법을 나타내는 흐름도이다.FIG. 3 is a flowchart illustrating a switch diagnosis method according to one embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참고하면, 먼저 프로세서(232)의 제어에 따라 게이트 드라이버(231)가 스위치 회로(210)의 트랜지스터를 온하기 위한 제어 신호를 출력한다(S310). 이에 따라, 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)가 온된다. 이 경우, 외부 장치(도 1의 10)가 부하인 경우, 배터리 팩(도 1의 110)에서 외부 장치(10)로 전류가 공급될 수 있다. 외부 장치(10)가 충전기인 경우, 외부 장치(10)에서 배터리 팩(110)으로 전류가 공급되어 배터리 팩(110)이 충전될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, first, under the control of the processor (232), the gate driver (231) outputs a control signal to turn on the transistor of the switch circuit (210) (S310). Accordingly, the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) are turned on. In this case, if the external device (10 of FIG. 1) is a load, current can be supplied from the battery pack (110 of FIG. 1) to the external device (10). If the external device (10) is a charger, current can be supplied from the external device (10) to the battery pack (110), so that the battery pack (110) can be charged.

온도 센서(220)는 스위치 회로(210)의 온도를 감지하여서 프로세서(232)로 전달한다(S320). 프로세서(232)는 소정 시간 동안 온도의 변화량을 측정한다(S330).The temperature sensor (220) detects the temperature of the switch circuit (210) and transmits it to the processor (232) (S320). The processor (232) measures the amount of temperature change for a predetermined period of time (S330).

어떤 실시예에서, 프로세서(232)는 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32)를 온하는 시점(t0)에서 온도 센서(220)가 감지한 온도와 t0 시점에서 소정 시간이 경과한 이후에 온도 센서(220)가 감지한 온도의 차이로 온도 변화량을 측정할 수 있다. 한 실시예에서, t0 시점은 게이트 드라이버(231)가 트랜지스터를 온하기 위한 제어 신호를 출력하는 시점일 수 있다. 한 실시예에서, 게이트 드라이버(231)가 트랜지스터를 온하기 위한 제어 신호를 출력하는 시점(t0)은 게이트 드라이버(231)가 트랜지스터를 온하기 위한 제어 신호를 출력하도록 프로세서(232)가 게이트 드라이버(231)에 제어 신호를 인가한 시점일 수 있다.In some embodiments, the processor (232) may measure the temperature change as the difference between the temperature detected by the temperature sensor (220) at the time point (t0) when the transistor (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) is turned on and the temperature detected by the temperature sensor (220) after a predetermined time has elapsed from the time point t0. In one embodiment, the time point t0 may be the time point when the gate driver (231) outputs a control signal for turning on the transistor. In one embodiment, the time point (t0) when the gate driver (231) outputs a control signal for turning on the transistor may be the time point when the processor (232) applies a control signal to the gate driver (231) so that the gate driver (231) outputs a control signal for turning on the transistor.

어떤 실시예에서, 소정 시간은 스위치 회로(210)를 통해 충분히 전류가 흘러서 스위치 회로(210)의 온도가 어떤 온도로 포화되는 시간보다 짧은 시간일 수 있다. 이에 따라, 스위치 회로(210)의 온도로 스위치 회로(210)의 고장을 진단하는 경우보다 짧은 시간 내에서 스위치 회로(210)의 고장을 진단할 수 있다.In some embodiments, the predetermined time may be shorter than the time it takes for sufficient current to flow through the switch circuit (210) such that the temperature of the switch circuit (210) saturates to a certain temperature. Accordingly, a failure of the switch circuit (210) can be diagnosed within a shorter time than when the failure of the switch circuit (210) is diagnosed based on the temperature of the switch circuit (210).

다음, 프로세서(232)는 측정한 온도 변화량과 스위치 회로(210)가 정상인 경우의 온도 변화량을 비교하고(S340), 측정한 온도 변화량이 정상인 경우의 온도 변화량보다 적은 경우에 스위치 회로(210)가 고장인 것으로 진단한다(S350). 즉, 스위치 회로(210)의 트랜지스터(FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) 중에서 어느 하나가 오픈 스턱(open stuck) 고장인 경우, 해당 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 쌍을 통해 전류가 흐르지 못하므로, 스위치 회로(210)의 온도가 증가하는 속도가 느리다. 예를 들면, 앞서 설명한 것처럼, 스위치 회로(210)가 세 개의 트랜지스터 쌍을 포함하는 경우, 하나의 트랜지스터 쌍의 트랜지스터(예를 들면, FET11 또는 FET12)가 오픈 스턱 고장인 경우에, 전류는 두 트랜지스터 쌍(FET21, FET22, FET31, FET32)을 통해서만 흐르므로, 온도 변화량은 정상인 경우의 온도 변화량의 2/3로 측정될 수 있다. 두 개의 트랜지스터 쌍의 트랜지스터(예를 들면, FET11 또는 FET12, FET21 또는 FET22)가 오픈 스턱 고장인 경우에, 전류는 하나의 트랜지스터 쌍(FET31, FET32)을 통해서만 흐르므로, 온도 변화량은 정상인 경우의 온도 변화량의 1/3로 측정될 수 있다.Next, the processor (232) compares the measured temperature change amount with the temperature change amount when the switch circuit (210) is normal (S340), and if the measured temperature change amount is less than the temperature change amount when the switch circuit (210) is normal, the switch circuit (210) is diagnosed as faulty (S350). That is, if any one of the transistors (FET11, FET12, FET21, FET22, FET31, FET32) of the switch circuit (210) is open stuck faulty, current does not flow through the transistor pair including the corresponding transistor, so the temperature of the switch circuit (210) increases slowly. For example, as described above, if the switch circuit (210) includes three transistor pairs, when one transistor of the transistor pair (e.g., FET11 or FET12) has an open-stuck fault, current flows only through two transistor pairs (FET21, FET22, FET31, FET32), and therefore the temperature change can be measured as 2/3 of the temperature change in the normal case. When two transistors of the transistor pairs (e.g., FET11 or FET12, FET21 or FET22) have an open-stuck fault, current flows only through one transistor pair (FET31, FET32), and therefore the temperature change can be measured as 1/3 of the temperature change in the normal case.

어떤 실시예에서, 프로세서(232)는 스위치 회로(210)에 오픈 스턱 고장인 트랜지스터가 있다고 결정한 경우, 고장을 통지할 수 있다(S360).In some embodiments, if the processor (232) determines that there is a transistor in the switch circuit (210) that is in an open stuck fault, it may notify the fault (S360).

한편, 본 발명의 한 실시예와 달리, 스위치 회로(210)의 각 트랜지스터 쌍에 온도 센서를 설치하고, 각 트랜지스터 쌍의 온도에 기초해서 트랜지스터의 고장을 진단할 수 있다. 프로세서는 각 트랜지스터의 온도가 포화 상태에 도달한 이후에, 정상인 경우의 온도에 도달하지 못한 트랜지스터를 확인해서 스위치 회로(210)의 고장을 진단할 수 있다. 이 경우, 트랜지스터의 고장을 개별적으로 진단할 수 있다는 장점은 있지만, 고장 진단을 위해 트랜지스터의 온도가 포화 상태에 도달할 때까지 기다려야 한다는 문제점이 있다.Meanwhile, unlike one embodiment of the present invention, a temperature sensor is installed in each transistor pair of the switch circuit (210), and a failure of the transistor can be diagnosed based on the temperature of each transistor pair. After the temperature of each transistor reaches saturation, the processor can diagnose a failure of the switch circuit (210) by checking a transistor that has not reached a temperature in the normal case. In this case, there is an advantage in that a failure of the transistor can be individually diagnosed, but there is a problem in that the temperature of the transistor must be waited until the temperature of the transistor reaches saturation for the failure diagnosis.

그러나 본 발명의 한 실시예에 따르면, 트랜지스터의 온도가 포화 상태에 도달하기 전에 스위치 회로의 고장을 진단할 수 있으므로, 빠르게 고장에 따른 후속 조치를 취할 수 있다. 또한 하나의 온도 센서만을 사용함으로써 고장 진단을 위한 부품의 단가를 줄일 수 있다.However, according to one embodiment of the present invention, since a failure of a switching circuit can be diagnosed before the temperature of the transistor reaches saturation, follow-up measures can be taken quickly in response to the failure. In addition, by using only one temperature sensor, the unit cost of components for failure diagnosis can be reduced.

이상으로 본 발명의 한 실시예에서는 스위치 회로의 오픈 스턱 고장을 진단하는 경우에 대해서 설명하였지만, 스위치 회로의 클로즈 스턱(close stuck) 고장을 진단할 수도 있다.Although the present invention has been described above with respect to diagnosing an open stuck fault in a switch circuit, it is also possible to diagnose a close stuck fault in a switch circuit.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스위치 진단 회로를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing a switch diagnostic circuit according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 스위치 진단 회로는 스위치 회로(310), 온도 센서(320), 처리 회로(330) 및 전압 측정 회로(340)를 포함한다. 어떤 실시예에서, 처리 회로(330)는 게이트 드라이버(331)와 프로세서(332)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the switch diagnostic circuit includes a switch circuit (310), a temperature sensor (320), a processing circuit (330), and a voltage measurement circuit (340). In some embodiments, the processing circuit (330) may include a gate driver (331) and a processor (332).

스위치 회로(310), 온도 센서(320) 및 처리 회로(330)는 도 2 및 도 3을 참고로 하여 설명한 스위치 회로(210), 온도 센서(220) 및 처리 회로(230)와 유사하게 동작할 수 있다.The switch circuit (310), temperature sensor (320), and processing circuit (330) can operate similarly to the switch circuit (210), temperature sensor (220), and processing circuit (230) described with reference to FIGS. 2 and 3.

전압 측정 회로(340)는 스위치 회로(210)의 전압 측정 포인트의 전압을 측정한다. 어떤 실시예에서, 전압 측정 포인트는 스위치 회로(210)가 배터리 팩(도 1의 110)의 양극 출력 단자(PV(+))와 연결되는 노드(N1) 및 스위치 회로(210)가 배터리 장치(도 1의 100)의 양극 연결 단자(DC(+))와 연결되는 노드(N2)를 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 노드(N1)는 트랜지스터(FET11, FET21, FET31)의 드레인에 연결되고, 노드(N2)는 트랜지스터(FET12, FET22, FET32)의 드레인에 연결될 수 있다.The voltage measurement circuit (340) measures the voltage of a voltage measurement point of the switch circuit (210). In some embodiments, the voltage measurement point may include a node (N1) through which the switch circuit (210) is connected to a positive output terminal (PV(+)) of the battery pack (110 of FIG. 1) and a node (N2) through which the switch circuit (210) is connected to a positive connection terminal (DC(+)) of the battery device (100 of FIG. 1). In one embodiment, the node (N1) may be connected to a drain of a transistor (FET11, FET21, FET31), and the node (N2) may be connected to a drain of a transistor (FET12, FET22, FET32).

이 경우, 프로세서(332)는 전압 측정 회로(340)에서 측정한 두 노드(N1, N2)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에, 스위치 회로(310)에 클로즈 스턱 고장이 발생한 것으로 진단할 수 있다.In this case, the processor (332) can diagnose that a close-stuck failure has occurred in the switch circuit (310) when the voltages of the two nodes (N1, N2) measured by the voltage measurement circuit (340) are substantially the same.

어떤 실시예에서, 전압 측정 포인트는 두 노드(N1, N2) 외에 각 트랜지스터 쌍의 접점(N3, N4, N5)을 더 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 노드(N3)는 두 트랜지스터(FET11, FET12)의 소스에 연결되고, 노드(N4)는 두 트랜지스터(FET21, FET22)의 소스에 연결되고, 노드(N5)는 두 트랜지스터(FET31, FET32)의 소스에 연결될 수 있다.In some embodiments, the voltage measurement points may further include, in addition to the two nodes (N1, N2), contacts (N3, N4, N5) of each transistor pair. In one embodiment, node (N3) may be connected to the sources of two transistors (FET11, FET12), node (N4) may be connected to the sources of two transistors (FET21, FET22), and node (N5) may be connected to the sources of two transistors (FET31, FET32).

이 경우, 프로세서(332)는 노드(N1, N2, N3, N4, N5)의 전압에 기초해서 스위치 회로(310)의 고장을 진단할 수 있다. 예를 들면, 프로세서(332)는 노드(N1)의 전압과 노드(N3)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET11)의 클로즈 스턱 고장을 진단하고, 노드(N1)의 전압과 노드(N4)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET21)의 클로즈 스턱 고장을 진단하고, 노드(N1)의 전압과 노드(N5)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET31)의 클로즈 스턱 고장을 진단할 수 있다. 또한 프로세서(332)는 노드(N2)의 전압과 노드(N3)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET12)의 클로즈 스턱 고장을 진단하고, 노드(N2)의 전압과 노드(N4)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET22)의 클로즈 스턱 고장을 진단하고, 노드(N2)의 전압과 노드(N5)의 전압이 실질적으로 동일한 경우에 트랜지스터(FET32)의 클로즈 스턱 고장을 진단할 수 있다.In this case, the processor (332) can diagnose a failure of the switch circuit (310) based on the voltages of the nodes (N1, N2, N3, N4, N5). For example, the processor (332) can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET11) when the voltage of the node (N1) and the voltage of the node (N3) are substantially the same, can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET21) when the voltage of the node (N1) and the voltage of the node (N4) are substantially the same, and can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET31) when the voltage of the node (N1) and the voltage of the node (N5) are substantially the same. Additionally, the processor (332) can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET12) when the voltage of the node (N2) and the voltage of the node (N3) are substantially the same, can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET22) when the voltage of the node (N2) and the voltage of the node (N4) are substantially the same, and can diagnose a close stuck failure of the transistor (FET32) when the voltage of the node (N2) and the voltage of the node (N5) are substantially the same.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 스위치 회로(310)의 오픈 스턱 고장뿐만 아니라 클로즈 스턱 고장을 진단할 수 있다.In this way, according to another embodiment of the present invention, it is possible to diagnose not only an open stuck failure but also a closed stuck failure of the switch circuit (310).

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

Claims (15)

배터리 장치로서,
배터리 팩,
상기 배터리 팩의 출력 단자와 상기 배터리 장치를 외부 장치에 연결하는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함하는 스위치 회로,
상기 복수의 스위치에 의해 공유되며, 상기 스위치 회로의 온도를 측정하는 온도 센서, 그리고
상기 스위치 회로의 동작을 제어하며, 상기 복수의 스위치를 온한 후 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하고, 상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단하는 처리 회로를 포함하며,
상기 소정 시간은 상기 복수의 스위치의 온 시점부터 측정되는, 배터리 장치.
As a battery device,
battery pack,
A switch circuit comprising a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal for connecting the battery device to an external device,
a temperature sensor shared by the above plurality of switches and measuring the temperature of the switch circuit; and
A processing circuit is included that controls the operation of the above switch circuit, measures the temperature change amount of the above switch circuit for a predetermined period of time after turning on the plurality of switches, and diagnoses the above switch circuit based on the measured temperature change amount.
A battery device, wherein the above predetermined time is measured from the turning on time of the plurality of switches.
제1항에서,
상기 처리 회로는 상기 측정한 온도 변화량이 상기 복수의 스위치가 정상 동작 시에 상기 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량보다 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단하는, 배터리 장치.
In paragraph 1,
A battery device, wherein the processing circuit diagnoses the switch circuit as faulty when the measured temperature change amount is less than the temperature change amount of the switch circuit for the predetermined period of time when the plurality of switches are operating normally.
제2항에서,
상기 처리 회로는 상기 복수의 스위치 중에서 오픈 스턱(open stuck) 고장이 발생한 스위치가 있는 것으로 진단하는, 배터리 장치.
In paragraph 2,
A battery device, wherein the above processing circuit diagnoses that a switch among the plurality of switches has an open stuck failure.
제2항에서,
상기 처리 회로는, 상기 측정한 온도 변화량이 상기 정상 동작 시의 상기 온도 변화량에 소정 비율만큼 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단하는, 배터리 장치.
In paragraph 2,
A battery device wherein the processing circuit diagnoses the switch circuit as having a fault if the measured temperature change amount is less than the temperature change amount during normal operation by a predetermined ratio.
삭제delete 제1항에서,
각 스위치는 직렬로 연결되어 있는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 배터리 장치.
In paragraph 1,
A battery device, each switch comprising a first transistor and a second transistor connected in series.
제6항에서,
상기 처리 회로는,
상기 복수의 스위치의 상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터의 게이트에 하나의 채널로 제어 신호를 전달하는 게이트 드라이버, 그리고
상기 스위치 회로를 진단하는 프로세서
를 포함하는 배터리 장치.
In Article 6,
The above processing circuit,
A gate driver for transmitting a control signal to the gates of the first transistor and the second transistor of the plurality of switches through one channel, and
A processor that diagnoses the above switch circuit
A battery device comprising:
배터리 팩을 포함하는 배터리 장치의 스위치 진단 장치로서,
상기 배터리 팩의 출력 단자와 상기 배터리 장치를 외부 장치에 연결하는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함하며, 각 스위치는 직렬로 연결되어 있는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 스위치 회로,
상기 복수의 스위치의 상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 동시에 온하는 게이트 드라이버,
상기 복수의 스위치에 의해 공유되며, 상기 스위치 회로의 온도를 측정하는 온도 센서, 그리고
상기 복수의 스위치를 온한 후 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하고, 상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단하는 프로세서를 포함하며,
상기 소정 시간은 상기 복수의 스위치의 온 시점부터 측정되는, 스위치 진단 장치.
As a switch diagnostic device for a battery device including a battery pack,
A switch circuit comprising a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal for connecting the battery device to an external device, each switch including a first transistor and a second transistor connected in series;
A gate driver that turns on the first transistor and the second transistor of the plurality of switches simultaneously,
a temperature sensor shared by the above plurality of switches and measuring the temperature of the switch circuit; and
A processor is included that measures the temperature change amount of the switch circuit for a predetermined period of time after turning on the plurality of switches, and diagnoses the switch circuit based on the measured temperature change amount.
A switch diagnostic device, wherein the above-mentioned predetermined time is measured from the on-time of the plurality of switches.
제8항에서,
상기 프로세서는 상기 측정한 온도 변화량이 상기 복수의 스위치가 정상 동작 시에 상기 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량보다 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단하는, 스위치 진단 장치.
In Article 8,
A switch diagnostic device, wherein the processor diagnoses the switch circuit as faulty when the measured temperature change amount is less than the temperature change amount of the switch circuit for the predetermined time when the plurality of switches are operating normally.
제9항에서,
상기 프로세서는 상기 복수의 스위치 중에서 오픈 스턱(open stuck) 고장이 발생한 스위치가 있는 것으로 진단하는, 스위치 진단 장치.
In Article 9,
A switch diagnostic device, wherein the processor diagnoses that a switch among the plurality of switches has an open stuck failure.
배터리 팩, 그리고 상기 배터리 팩의 출력 단자와 외부 장치에 연결되는 연결 단자 사이에 병렬로 연결되어 있는 복수의 스위치를 포함하는 스위치 회로를 포함하는 배터리 장치의 스위치 진단 방법으로서,
상기 복수의 스위치를 온하는 단계,
상기 복수의 스위치가 공유하는 온도 센서를 이용해서 소정 시간 동안 상기 스위치 회로의 온도 변화량을 측정하는 단계, 그리고
상기 측정한 온도 변화량에 기초해서 상기 스위치 회로를 진단하는 단계를 포함하며,
상기 소정 시간은 상기 복수의 스위치의 온 시점부터 측정되는, 스위치 진단 방법.
A method for diagnosing a switch of a battery device comprising a battery pack and a switch circuit including a plurality of switches connected in parallel between an output terminal of the battery pack and a connection terminal connected to an external device, the method comprising:
Step of turning on the above multiple switches,
A step of measuring the temperature change amount of the switch circuit for a predetermined period of time using a temperature sensor shared by the plurality of switches, and
A step of diagnosing the switch circuit based on the measured temperature change amount is included.
A switch diagnostic method, wherein the above-mentioned predetermined time is measured from the on-time of the plurality of switches.
제11항에서,
상기 스위치 회로를 진단하는 단계는 상기 측정한 온도 변화량이 상기 복수의 스위치가 정상 동작 시에 상기 소정 시간 동안의 상기 스위치 회로의 온도 변화량보다 적은 경우에 상기 스위치 회로를 고장으로 진단하는 단계를 포함하는 스위치 진단 방법.
In Article 11,
A switch diagnosis method, wherein the step of diagnosing the switch circuit includes the step of diagnosing the switch circuit as faulty when the measured temperature change amount is less than the temperature change amount of the switch circuit for the predetermined time when the plurality of switches are operating normally.
제12항에서,
상기 스위치 회로를 고장으로 진단하는 단계는 상기 복수의 스위치 중에서 오픈 스턱(open stuck) 고장이 발생한 스위치가 있는 것으로 진단하는 단계를 포함하는 스위치 진단 방법.
In Article 12,
A switch diagnosis method, wherein the step of diagnosing the switch circuit as having a fault includes the step of diagnosing that a switch among the plurality of switches has an open stuck fault.
삭제delete 제11항에서,
각 스위치는 직렬로 연결되어 있는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하며,
상기 복수의 스위치를 온하는 단계는 상기 복수의 스위치의 상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 동시에 온하는 단계를 포함하는
스위치 진단 방법.
In Article 11,
Each switch comprises a first transistor and a second transistor connected in series,
The step of turning on the plurality of switches includes the step of turning on the first transistor and the second transistor of the plurality of switches simultaneously.
How to diagnose a switch.
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