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KR102813821B1 - 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR102813821B1
KR102813821B1 KR1020240108345A KR20240108345A KR102813821B1 KR 102813821 B1 KR102813821 B1 KR 102813821B1 KR 1020240108345 A KR1020240108345 A KR 1020240108345A KR 20240108345 A KR20240108345 A KR 20240108345A KR 102813821 B1 KR102813821 B1 KR 102813821B1
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KR
South Korea
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self
layer
sensor capable
buckling phenomenon
manufacturing
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KR1020240108345A
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Inventor
김상우
이동민
강우석
박민재
정장묵
Original Assignee
연세대학교 산학협력단
성균관대학교산학협력단
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Abstract

본 발명은 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 미세한 움직임을 인식하기 위해 삼차원 버클링 구조를 활용하여 고감응성 센서 소자를 구현하고, 자가발전 기술을 기반으로 비배터리 센서를 개시한다. 이를 통해 장기적인 움직임 인식이 가능할 뿐만 아니라, 삼차원 버클링 구조로 인해 다양한 방향의 움직임을 인식하고 작은 움직임도 감지할 수 있을 것으로 기대된다.

Description

버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법 {Self―powered sensor susceptible to buckling phenomenon and method of manufacturing the same}
본 발명은 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 삼차원 버클링 구조 기반의 자가 발전 고감응성 비배터리 센서에 관한 것이다.
기존의 센서는 신호를 감지하거나 전송하기 위해 주로 배터리에 의존하여 전력을 공급받는다. 이러한 배터리 의존성은 센서의 수명을 제한하고, 주기적인 충전이나 교체가 필요하게 만든다. 이는 지속적인 신호 모니터링에 어려움을 초래하며, 특히 센서를 인체 내에 이용한 경우 배터리 교체를 위해 위험한 2차 수술이 필요할 수도 있다.
기존의 자가발전 센서는 대부분 이차원 구조로 설계되어, 단일 평면에서만 에너지를 수집할 수 있다. 이차원 구조는 에너지를 수집할 수 있는 표면적이 제한적이어서, 실제 환경에서 다양한 방향으로부터 발생하는 응력을 효과적으로 활용하지 못한다. 따라서 다양한 방향에서의 응력을 인식하는 데 어려움이 있으며, 수집 가능한 에너지의 양도 제한적이다. 특히, 평면 구조는 수직으로 작용하는 힘 외의 힘을 제대로 인식하거나 에너지를 수집하기 어려운 문제가 있다.
이차원 구조의 센서는 복잡한 입체적인 표면이나 구조에 쉽게 적용하기 어렵다. 단일 평면에만 적합하기 때문에, 곡면이나 불규칙한 표면에 적용할 경우 소재가 쉽게 찢어지거나 주름이 생길 위험이 있다. 이로 인해 다양한 환경에서의 응용 가능성이 제한될 수 있다.
본 발명은 미세한 움직임을 인식하기 위해 삼차원 버클링 구조를 활용하여 고감응성 센서 소자를 구현하고, 자가발전 기술을 기반으로 비배터리 센서를 구축하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서는, 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 자가 발전층을 포함하고, 상기 자가 발전층은 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태이며, 상기 기판 및 상기 자가 발전층 사이에는 스페이스가 형성되어 있고, 상기 스페이스의 형상을 따라서 상기 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어진다.
상기 자가 발전층에 가해지는 외부 압력 또는 힘에 의해 압전 특성 또는 마찰 특성에 의한 전기가 발생된다.
상기 발생된 전기 신호는 전극층을 통해 외부 회로로 전달될 수 있다.
상기 고분자층은 반응성이 낮고 유연한 필름 형태의 고분자를 포함한다.
상기 압전 물질층은 압전 고분자 또는 압전 세라믹을 포함한다.
상기 스페이스는 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있다.
상기 스페이스는 3차원 형태의 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체 중 어느 하나 또는 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체의 2차원적 단면 형태 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법은, 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비하는 단계; 프리 스트레인(pre-strain)되어 있는 기판을 준비하는 단계; 상기 프리 스트레인되어 있는 기판 상에 상기 자가 발전층을 부착하는 단계; 및 프리 스트레인을 릴리스(release)하여 상기 기판 및 상기 자가 발전층 사이에 스페이스를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 스페이스의 형상을 따라서 상기 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어진다.
상기 자가 발전층에 가해지는 외부 압력 또는 힘에 의해 압전 특성 또는 마찰 특성에 의한 전기가 발생된다.
상기 발생된 전기 신호는 전극층을 통해 외부 회로로 전달될 수 있다.
상기 고분자층은 반응성이 낮고 유연한 필름 형태의 고분자를 포함한다.
상기 압전 물질층은 압전 고분자 또는 압전 세라믹을 포함한다.
상기 스페이스는 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있다.
상기 스페이스는 3차원 형태의 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체 중 어느 하나 또는 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체의 2차원적 단면 형태 중 어느 하나일 수 있다.
상기 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비하는 단계는, 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 이중층을 제조하는 단계; 및 상기 이중층의 상기 고분자층이 형성된 면 쪽에 전극층을 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 제안하는 삼차원 버클링 구조의 비배터리 센서 소자는 자가발전 기술을 통해 배터리 없이도 신호 인식이 가능하다. 이를 통해 장기적인 움직임 인식이 가능할 뿐만 아니라, 삼차원 버클링 구조로 인해 다양한 방향의 움직임을 인식하고 작은 움직임도 감지할 수 있을 것으로 기대된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 측단면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서가 작동 원리(출력 원리)를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법의 순서도를 도시한다.
도 4는 실시예에서 제작된 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 모습을 도시한다.
도 5는 제작된 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서에 다양한 방향의 압력에 의한 센서 출력 변화를 확인한 도면이다.
다양한 실시예들이 이제 도면을 참조하여 설명되며, 전체 도면에서 걸쳐 유사한 도면번호는 유사한 엘리먼트를 나타내기 위해서 사용된다. 설명을 위해 본 명세서에서, 다양한 설명들이 본 발명의 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나 이러한 실시예들은 이러한 특정 설명 없이도 실행될 수 있음이 명백하다. 다른 예들에서, 공지된 구조 및 장치들은 실시예들의 설명을 용이하게 하기 위해서 블록 다이아그램 형태로 제시된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명은 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 삼차원 버클링 구조 기반의 자가 발전 고감응성 비배터리 센서에 관한 것이다.
버클링(좌굴, Buckling)은 구조물이 압축력에 의해 불안정해지면서 갑작스럽게 횡방향으로 변형되는 현상을 의미한다. 본 발명에서는 이러한 버클링과 유사한 현상이 발생 가능한 형태의 자가 발전 센서를 제공하고자 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 측단면도를 도시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서는, 평평한 기판(10); 및 상기 기판 상에 형성된 자가 발전층(20)을 포함한다.
기판(10)은 평평한 유연 기판이 이용될 수 있으며, 통상의 압전 소자의 기판으로 이용 가능한 물질이면 어떤 것이든 가능하며, 예를 들어 PDMS(Polydimethylsiloxane), Dragon skin, Silbione, Ecoflex, PEN 기판이 이용될 수 있다. 이러한 기판은 후술하는 것처럼 프리 스트레인 된 상태에서 그 위에 자가 발전층이 부착되고 이후 릴리스 함으로써 기판 및 자가 발전층 사이에 스페이스를 형성할 수 있다.
자가 발전층(20)은 기판 상에 형성되어 있으며, 이러한 자가 발전층은 도 1에서 보는 것처럼, 하부에서부터 차례대로 전극층(22); 고분자층(24); 및 압전 물질층(26)이 적층된 형태이다.
전극층(22)은 전극으로 이용 가능한 물질이면 어떠한 것이든 가능하며, 예를 들어 ITO, silver 등이 이용될 수 있다.
고분자층(24)은 반응성이 낮고 유연한 필름 형태의 고분자를 포함한다. 고분자층으로는 예를 들어 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE, Polytetrafluoroethylene), 폴리에터에테르케톤(PEEK, Polyether ether ketone) 등이 이용될 수 있다.
압전 물질층(26)은 압전 고분자 또는 압전 세라믹을 포함한다. 압전 고분자는 PVDF(Polyvinylidene Fluoride), P(VDF-TrFE)(Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)), P(VDF-TrFE-CFE)(Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)) 등을 포함하고, 압전 세라믹은 BaTiO3, PZT(Lead Zirconate Titanate), ZnO 등을 포함한다.
도 1과 같이 기판(10) 및 자가 발전층(20) 사이에는 스페이스(SPACE)가 형성되어 있고, 이러한 스페이스의 형상(도 1의 경우 단면이 반구 형태와 유사함)을 따라서 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어져 있다. 스페이스 형상을 따라 자가 발전층이 감싸는 형태는 자가 발전층과 기판 사이의 스페이스를 자가 발전층이 감싸는 형태를 의미하며, 이 경우 자가 발전층이 스페이스를 완전히 감싸는 형태도 가능하고 단면으로 볼 때 형태만 감싸는 형태도 가능하다.이와 같이 기판 및 자가 발전층 사이에 스페이스가 형성되어 있음으로써 본 발명의 자가 발전 센서는 버클링 현상이 발생 가능한 것이다.
예시적으로 스페이스는 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있고, 구체적으로 3차원 형태의 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체 중 어느 하나 또는 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체의 2차원적 단면 형태일 수 있다. 다만, 이러한 스페이스의 형태는 반드시 상박하후 형태이거나 위와 같은 형태 중 하나일 필요는 없으며, 반대로 하박상후 형태도 가능할 수 있다. 도 1의 경우 예시적으로 반구 형태(3차원 형태의 반구 형태 또는 이의 2차원적 단면 형태)를 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서는 위에서 설명한 내부에 스페이스를 포함한 구조에 의해 자가 발전층에 가해지는 외부 압력 또는 힘에 의해 압전 특성 또는 마찰 특성에 의한 전기가 발생될 수 있다. 이렇게 발생된 전기 신호는 전극층을 통해 외부 회로로 전달될 수 있다. 외부 회로는 본 발명의 자가 발전 센서와 유선 또는 무선으로 연결되어 있을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서가 작동하는 모습을 도시한다. 외부 압력 또는 힘이 인가될 때 스페이스가 변형되면서 압전 특성 또는 마찰 특성에 의해 압전에 의한 전기 생성 또는 마찰에 의한 전기 생성이 발생될 수 있다. 또한, 이러한 외부 압력 또는 힘이 사라지면 다시 스페이스가 원래 형태로 형성될 수 있다. 즉, 도 2의 좌측 모습의 원래 형태에서 외부 압력 또는 힘이 인가되면 우측과 같은 모습으로 변형될 수 있고, 다시 인가된 외부 압력 또는 힘이 사라지면 좌측과 같은 모습으로 복원될 수 있는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서는 기존의 센서의 이차원 구조로 인한 단일 평면에 수직으로 작용하는 힘 외의 다양한 방향에서 발생하는 에너지를 수집하기 어려운 문제점을 해결하였고, 또한 곡면이나 불규칙한 표면에 응용하기 어렵다는 문제도 해결하였다. 또한, 기존 센서들은 배터리에 대한 의존성이 높아 주기적인 충전 또는 교체가 필요하여 지속적인 신호 모니터링이 어려웠으나, 본 발명의 자가 발전 센서는 이러한 문제점을 해결하였으며, 또한, 인체 내부에 이용시 배터리 교체를 위한 2차 수술이 필요하지 않다는 장점도 갖고 있다.
체내에 센서를 배치할 경우, 본 발명의 센서의 출력은 체내 조직의 미세한 움직임으로 인해 외부 힘이 가해지면서 전하가 재배치되어 물질 내부에 분극(polarization)을 형성하는 압전 특성과 표면 접촉으로 인해 미세한 변형이 발생하여 마찰력이 발생하는 마찰 특성을 이용하여 출력이 발생될 수 있다.
지금까지 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서에 대해 설명하였으며, 이하에서는 이의 제조 방법에 대해 설명하도록 하겠다. 위에서 설명한 부분과 중복되는 부분에 대해서는 반복 설명을 생략하도록 하겠다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법의 순서도를 도시한다.
도 3에서 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법은, 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비하는 단계(S 310); 프리 스트레인(pre-strain)되어 있는 기판을 준비하는 단계(S 320); 상기 프리 스트레인되어 있는 기판 상에 상기 자가 발전층을 부착하는 단계(S 330); 및 프리 스트레인을 릴리스(release)하여 상기 기판 및 상기 자가 발전층 사이에 스페이스를 형성하는 단계(S 340)를 포함한다.
S 310 단계에서는 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비한다. 이 경우 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 이중층을 제조하는 단계; 및 상기 이중층의 상기 고분자층이 형성된 면 쪽에 전극층을 증착하는 단계를 포함한다. S 310 단계에 대한 더욱 자세한 설명은 이하의 실시예에서 설명하도록 하겠다.
S 320 단계에서는 프리 스트레인(pre-strain)되어 있는 기판을 준비한다. 기판은 양 옆으로 프리 스트레인되어 있고, 따라서 이 상태에서 릴리스 됐을 때 스트레인이 릴리스 되면서 위에 부착되는 층에 스페이스를 형성시킬 수 있다.
S 330 단계에서는 프리 스트레인되어 있는 기판 상에 상기 자가 발전층을 부착한다.
S 340 단계에서는 프리 스트레인을 릴리스(release)하여 기판 및 자가 발전층 사이에 스페이스를 형성한다. 이 경우 스페이스의 형상을 따라서 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어진다. 스페이스는 3차원적으로 또는 2차원적으로 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있다.
이하에서는 구체적인 실시예와 함께 본 발명의 내용을 추가적으로 설명하도록 하겠다.
먼저 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 이중층을 제조한다. 이 경우 고분자로는 PI를 이용하였으며, 압전 물질층으로는 P(VDF-TrFE)를 이용하였다.
글라스(glass) 위에 PMMA 4000rpm, 30s 로 스핀 코팅한 후 핫 플레이트에서 180℃, 5분 베이킹(baking)을 하였다. Liquid Polyimide를 1500rpm, 30s로 스핀 코팅을 진행한 후 핫 플레이트에서 110℃ 10분, 160℃ 10분, 250℃ 2시간 베이킹하였다. P(VDF-TrFE)를 4000rpm, 30s 로 스핀 코팅한 후 핫 플레이트에서 80℃, 1시간 베이킹하였다. PMMA 와 PI 는 결합을 잘하지 못해 잘 떨어지므로 PI와 P(VDF-TrFE) 층을 PMMA Film에서 떼어냈다.
위와 같이 이중층을 제조하고 이후 PI가 형성된 면에 스퍼터를 이용해 전극층으로 Au을 증착하여 최종적으로 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 필름 형태로 준비하였다.
다음으로 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서를 제조하였다.
위에서 제작한 자가 발전 필름을 3D 버클링 구조로 만들고자 하는 형태로 레이저 커터를 이용하여 필름을 잘랐다. 이후 프리 스트레인되어 있는 PDMS 기판에 부착한 뒤 스트레인을 릴리스 함으로써 기판 및 자가 발전층 사이에 스페이스를 포함한 구조를 형성하였다. 프리 스트레인되어 있는 기판은 프리 스트레인 지그(jig)를 통해서 준비될 수 있으며, 버클링 구조 형성을 위한 프리 스트레인 지그는 구조물 또는 재료에 사전 변형(pre-strain)을 가하여 의도적으로 버클링을 유도하는 도구이다.
도 4는 실시예에서 제작된 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 모습을 도시한다. 도 5는 제작된 버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서에 다양한 방향의 압력에 의한 센서 출력 변화를 확인한 도면이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (16)

  1. 기판; 및
    상기 기판 상에 형성된 자가 발전층을 포함하고,
    상기 자가 발전층은 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태이며,
    상기 기판 및 상기 자가 발전층 사이에는 스페이스가 형성되어 있고, 상기 스페이스의 형상을 따라서 상기 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어진,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자가 발전층에 가해지는 외부 압력 또는 힘에 의해 압전 특성 또는 마찰 특성에 의한 전기가 발생되는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발생된 전기 신호는 전극층을 통해 외부 회로로 전달될 수 있는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자층은 반응성이 낮고 유연한 필름 형태의 고분자를 포함하는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 압전 물질층은 압전 고분자 또는 압전 세라믹을 포함하는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이스는 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이스는 3차원 형태의 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체 중 어느 하나 또는 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체의 2차원적 단면 형태 중 어느 하나인,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
  8. 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비하는 단계;
    프리 스트레인(pre-strain)되어 있는 기판을 준비하는 단계;
    상기 프리 스트레인되어 있는 기판 상에 상기 자가 발전층을 부착하는 단계; 및
    프리 스트레인을 릴리스(release)하여 상기 기판 및 상기 자가 발전층 사이에 스페이스를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 스페이스의 형상을 따라서 상기 자가 발전층이 감싸는 형태로 이루어진,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 자가 발전층에 가해지는 외부 압력 또는 힘에 의해 압전 특성 또는 마찰 특성에 의한 전기가 발생되는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 발생된 전기 신호는 전극층을 통해 외부 회로로 전달될 수 있는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 고분자층은 반응성이 낮고 유연한 필름 형태의 고분자를 포함하는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 압전 물질층은 압전 고분자 또는 압전 세라믹을 포함하는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 스페이스는 상박하후(上薄下厚) 형태일 수 있는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 스페이스는 3차원 형태의 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체 중 어느 하나 또는 구형, 반구형, 원뿔, 각뿔, 육면체의 2차원적 단면 형태 중 어느 하나인,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부에서부터 차례대로 전극층; 고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 자가 발전층을 준비하는 단계는,
    고분자층; 및 압전 물질층이 적층된 형태의 이중층을 제조하는 단계; 및
    상기 이중층의 상기 고분자층이 형성된 면 쪽에 전극층을 증착하는 단계를 포함하는,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서의 제조 방법.
  16. 제 8 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된,
    버클링 현상이 발생 가능한 자가 발전 센서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6279769B2 (ja) * 2015-01-21 2018-02-14 アルプス電気株式会社 圧電デバイス
KR20240156655A (ko) * 2023-04-20 2024-10-31 경희대학교 산학협력단 압축 좌굴 기반 에너지 하베스터, 그 제조방법 및 이를 이용한 음파 에너지 수확장치

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