KR102810965B1

KR102810965B1 - 전자장치

Info

Publication number: KR102810965B1
Application number: KR1020190068705A
Authority: KR
Inventors: 이정형; 문제민; 유진아
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-06-11
Filing date: 2019-06-11
Publication date: 2025-05-20
Anticipated expiration: 2039-06-11
Also published as: US11357999B2; KR20200141764A; US20200391047A1; CN112057746B; CN112057746A

Abstract

본 발명의 실시예는 전자장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 배면에 다수의 돌출부가 일체로 구비된 기판, 기판 상에 배치된 다수의 보조 전극, 기판 상에 배치되되, 보조 전극과 중첩되고, 보조 전극과 미 중첩된 영역에서 적어도 하나의 오픈영역을 포함하는 제1 전극, 보조 전극과 중첩되고 제1 전극의 일부와 중첩되며, 제1 전극의 오픈영역을 덮으면서 배치된 절연막, 절연막 및 제1 전극 상에 배치된 유기층과 제2 전극 및 기판의 배면에 배치되고, 액티브 영역과 대응되는 영역에 구비된 파장변환층을 포함할 수 있다. 이를 통해, 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 파장의 광이 방출되는 전자장치를 제공할 수 있다.

Description

전자장치{ELECTRONIC DEVICE}

본 발명의 실시예들은 전자장치에 관한 것이다.

피부는 세포의 노화, 특정 얼굴 표정의 반복, 외부 환경으로의 지속적인 노출(자외선, 미세먼지 등), 스트레스 등으로 인해 손상될 수 있다. 예컨대 세포의 노화나 특정 얼굴 표정의 반복은 피부의 주름을 유발할 수 있고, 외부 환경으로의 지속적인 노출이나 스트레스 등은 여드름, 기미와 같은 각종 트러블을 유발할 수 있다.

이러한 피부의 손상을 방지하거나 최소화하기 위한 피부 관리는, 잡티가 없고 청결하며 부드러운 피부의 유지를 목표로 하고, 특히 신체 부위 중 얼굴의 피부 관리에 대하여 가장 많은 관심이 형성되어 있다. 따라서, 사람들은 얼굴의 피부 관리를 위해 마사지를 받거나, 기능성 화장 제품을 바르거나, 각종 세정 제품을 사용하여 피부를 청결하게 유지하고자 한다.

최근에는 사용자의 얼굴에 부착 또는 착용되어 광을 출력하는 기기(예컨대, 마스크형 피부 관리 기기 등)가 등장하고 있다. 이러한 광 출력 기기에는 복수의 광원이 배치되어, 사용자의 안면 피부 등을 향해 광을 출력할 수 있다.

그러나, 이러한 전자장치의 개발이 초기 단계이며, 다양한 사람들의 필요성에 맞게 설계될 필요가 있다.

본 발명의 실시예들의 목적은, 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 파장의 광이 방출되는 전자장치를 제공하는 데 있다.

본 발명의 실시예들의 목적은, 인종 및 사용자의 피부 두께에 관계 없이 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 있는 전자장치를 제공하는 데 있다.

본 발명의 실시예들의 목적은, 수명이 긴 광원을 포함하는 피부 관리용 또는 피부 치료용 전자장치를 제공하는 데 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치는, 제1 발광영역을 포함하는 액티브 영역 및 액티브 영역의 외곽에 배치된 넌 액티브 영역을 포함하고, 배면에 다수의 돌출부가 일체로 구비된 기판, 기판 상에 배치된 다수의 보조 전극, 기판 상에 배치되되, 보조 전극과 중첩되고, 보조 전극과 미 중첩된 영역에서 적어도 하나의 오픈영역을 포함하는 제1 전극, 보조 전극과 중첩되고 제1 전극의 일부와 중첩되며, 제1 전극의 오픈영역을 덮으면서 배치된 절연막, 절연막 및 제2 전극 상에 배치된 유기층, 유기층 상에 배치된 제2 전극 및 기판의 배면에 배치되고, 액티브 영역과 대응되는 영역에 구비된 파장변환층을 포함할 수 있다.

제1 전극은 투명도전물질을 포함하고, 제2 전극은 반사성 금속을 포함할 수 있다.

제1 발광영역은 제1 전극이 배치되되, 제1 전극이 절연막과 미 중첩된 영역과 대응되고, 하나의 돌출부는 하나의 제1 발광영역과 대응되도록 배치될 수 있다.

유기층은 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 유기층으로부터 발광된 광의 파장은 파장변환층에 의해 변경된 파장보다 낮을 수 있다.

파장변환층을 거쳐 발광된 광은 600nm 내지 850nm의 파장을 가질 수 있다.

파장변환층은 서로 이격하여 배치된 제1 파장변환영역, 제2 파장변환영역 및 제3 파장변환영역을 포함할 수 있다.

제1 파장변환영역, 제2 파장변환영역 및 제3 파장변환영역 각각은 유기층으로부터 발광된 광을 서로 다른 파장으로 변환시킬 수 있다.

제1 파장변환영역은 제2 발광영역에 대응되고, 제2 파장변환영역은 제3 발광영역에 대응되며, 제3 파장변환영역은 제4 발광영역에 대응되고, 제2 내지 제4 발광영역 각각은 하나의 제1 발광영역과 중첩되되, 제2 내지 제4 발광영역 각각의 면적은 제1 발광영역의 면적보다 클 수 있다.

파장변환층은 서로 다른 파장변환영역 사이에 배치된 적어도 1개의 격벽을 포함할 수 있다.

격벽의 높이는 제1 내지 제3 파장변환영역의 높이보다 높을 수 있으며, 격벽은 절연막과 중첩될 수 있다.

격벽의 굴절률은 제1 내지 제3 파장변환층 및 기판의 굴절률보다 낮을 수 있다.

기판은 돌출부와 인접한 다른 돌출부 사이에서 최소 두께를 갖고, 적어도 1개의 기판이 최소 두께를 갖는 영역은 절연막과 중첩될 수 있다.

기판과 파장변환층 사이에 접착층이 배치될 수 있다.

접착층은 상기 기판의 하나의 돌출부와 인접한 다른 돌출부 사이의 영역과 대응되는 영역에서 최대 두께를 가질 수 있다.

전자장치는, 제2 전극을 덮으면서 배치된 캐핑층, 캐핑층을 덮으면서 배치된 봉지층, 봉지층이 배치된 기판 상에 배치된 점착층 및 점착층 상에 배치된 금속 필름을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 파장의 광이 방출되는 전자장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 인종 및 사용자의 피부 두께에 관계 없이 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 있는 전자장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 수명이 긴 광원을 포함하는 피부 관리용 또는 피부 치료용 전자장치를 제공할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 실시예에 다른 전자장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 X 영역에 대한 구체적인 평면도이다.
도 2는 도 1a의 X 영역에 대한 단면도이다.
도 3은 광의 파장 별로 사용자의 피부에 침투되는 깊이를 도시한 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 전자장치의 단면도이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 구조를 나타낸 사시도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

또한, 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예들에서의 구성 요소들을 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

또한, 본 발명의 실시예들에서의 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것일 뿐이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.

또한, 본 발명의 실시예들에서의 특징들(구성들)이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 또는 분리 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예는 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

이하에서는, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1a는 본 발명의 실시예에 다른 전자장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 X 영역에 대한 구체적인 평면도이다.

도 1a 및 도 1b 를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 다수의 유기발광소자(OLED)가 배치된 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA)의 외곽에 배치된 넌 액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 넌 액티브 영역(NA)은 다수의 패드 전극(131, 161)을 포함할 수 있다.

액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)이 넌 액티브 영역(NA)으로 연장되어, 패드 전극(131)의 역할을 할 수 있고, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극 역시 넌 액티브 영역(NA)으로 연장되어 패드 전극(161)의 역할을 할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

예를 들면, 도 1b의 보조 전극(140)이 넌 액티브 영역(NA)의 연장되어 패드 전극의 역할을 할 수 있으며, 보조 전극(140), 제1 전극(130) 및 제2 전극으로부터 연장된 패드 전극들이 중첩하여 배치될 수도 있다.

넌 액티브 영역(NA)에 배치된 다수의 패드 전극(131, 161)은 외부와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 넌 액티브 영역(NA)을 통해서, 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)에 신호(예를 들면, 직류 전압(DC Voltage))가 인가될 수 있다.

유기발광소자(OLED)에 신호가 인가됨에 따라 유기발광소자(OLED)가 발광됨으로써, 액티브 영역(AA)을 통해 광이 전자장치(100) 외부로 출사될 수 있다.

또한, 유기발광소자(OLED) 상에는 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있는 봉지 부재(190)가 배치될 수 있다.

봉지 부재(190)는 액티브 영역(AA) 및 넌 액티브 영역(NA)에 배치될 수 있다.

후술하는 설명에서는 설명의 편의를 위해, 본 발명의 전자장치(100)의 액티브 영역(AA)의 구조를 중심으로 설명한다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)과 중첩된 보조 전극(140)을 포함한다.

도 1b를 참조하면, 기판(110) 상에 보조 전극(140)이 배치될 수 있다.

보조 전극(140)은 액티브 영역(AA) 전체에 걸쳐 얇은 폭의 매트릭스 형상 또는 메쉬(Mesh) 형상일 수 있으며, 보조 전극(140)이 메쉬 형상으로 배열될 경우, 보조 전극(140)의 오픈 영역은 육각형이나 팔각형 형상, 또는 원 형상 등으로 배치되어 액티브 영역(AA) 전체의 제1 전극(130)에 균일한 전류가 인가되도록 하여 대면적 전자 장치(100)에서 균일한 휘도의 발광이 가능하게 한다.

보조 전극(140)은 제1 방향으로 연장되는 다수의 제1 보조 전극(141)과, 제1 방향과 교차하는 방향인 제2 방향으로 연장되는 다수의 제2 보조 전극(142)을 포함할 수 있다.

이러한 보조 전극(140)은 액티브 영역(AA)에서 적어도 하나의 오픈영역(OPN)을 구비할 수 있다.

예를 들면, 2개의 제1 보조 전극(141)과 2개의 제2 보조 전극(142)이 교차하여 하나의 오픈영역(OPN)이 마련될 수 있다.

유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)의 일부는 보조 전극(140)에 의해 마련된 오픈영역(OPN)과 중첩될 수 있다. 그리고, 제1 전극(130)의 일부는 보조 전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 전극(130)은 보조 전극(140)과 전기적으로 연결된 제1 부분(131)과, 제1 부분(131)과 연결되되 제1 부분(131)이 연장되는 방향과 다른 방향으로 연장된 제2 부분(132) 및 제2 부분(132)과 연결되되 플레이트 형상인 제3 부분(133)을 포함할 수 있다.

구체적으로, 제2 부분(132)은 제3 부분(133)과 연결되되, 제3 부분(133)으로부터 제1 방향으로 연장되는 영역일 수 있고, 제1 부분(131)은 제2 부분(132)으로부터 제2 방향으로 연장되는 영역일 수 있다.

다만, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 전극(130) 전극의 제3 부분(133)으로부터 분기되어 보조 전극(140)과 연결되는 부분이 하나이거나, 세 개 이상일 수도 있다.

그리고, 보조 전극(140)과 중첩하고 제1 전극(130)의 일부와 중첩되는 절연막(125)이 배치될 수 있다.

여기서, 절연막(125)은 SiOx나 SiNx 등의 무기물질로 구성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 포토아크릴과 같은 유기물질로 구성될 수도 있고, 무기물질 및 유기물질의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.

절연막(125)은 보조 전극(140)과 중첩하면서, 보조 전극(140)에 의해 마련된 오픈영역(OPN)의 일부와 중첩되도록 배치될 수 있다. 여기서, 절연막(125)은 제1 전극(130)의 제1 부분(131) 및 제2 부분(132)과 중첩될 수 있으며, 이와 더불어 절연막(125)은 제1 전극(130)의 제3 부분(133)의 일부와 중첩될 수 있다.

다른 측면으로, 절연막(125)은 제3 부분(133)의 일부와 미 중첩될 수 있다.

이와 같이, 액티브 영역(AA)에 배치된 절연막(125)은 보조 전극(140) 및 보조 전극(140) 상부에 배치된 제1 전극(130)을 덮도록 구성되나, 유기발광소자(OLED)의 광이 발광하는 발광영역에는 절연막(125)이 배치되지 않는다.

특히, 액티브 영역(AA)의 절연막(125)은 보조 전극(140)을 둘러싸도록 형성되어 보조 전극(140)에 의한 단차를 감소시킴으로써, 이후 형성되는 구성들이 단선되지 않고 안정적으로 형성되도록 할 수 있다.

이러한 절연막(125)이 배치된 기판(110) 상에는 유기발광소자(OLED)의 유기층 및 제2 전극이 차례로 배치될 수 있다. 유기층은 보조전극(140), 제1 전극(130), 절연막(125) 및 제2 전극과 중첩되는 영역을 포함할 수 있다.

이러한 평면 구조를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)의 액티브 영역(AA)은 다수의 발광영역과 다수의 비 발광영역을 포함할 수 있다.

예를 들면, 액티브 영역(AA)은 제1 발광영역을 포함할 수 있다 제1 발광영역은 절연막(125)과 미 중첩된 영역일 수 있다.

액티브 영역(AA)은 제1 비 발광영역을 포함할 수 있다. 제1 비 발광영역은 절연막(125)이 배치된 영역과 대응되는 영역일 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)의 액티브 영역(AA)의 구조를 도 2를 참조하여 검토하면 다음과 같다.

도 2는 도 1a의 X 영역에 대한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 배면에 다수의 돌출부가 일체로 구비된 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 유기발광소자(OLED), 기판(110)의 배면에 배치되고, 액티브 영역(AA)과 대응되는 영역에 구비된 파장변환층(280)을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 유기발광소자(OLED)를 포함하는 조명장치일 수 있다. 예를 들면, 유기발광소자(OLED)를 포함하는 미용 장치 또는 치료 장치일 수 있다.

기판(110)은 투과율이 높은 연성 물질로 이루어질 수 있다. 이에, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 굽힘 또는 접힘이 가능할 수 있다.

예를 들면, 기판(110)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름 형태일 수 있다. 구체적으로, 기판(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리실란 (polysilane), 폴리실록산 (polysiloxane), 폴리실라잔 (polysilazane), 폴리카르보실란 (polycarbosilane), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate), 폴리메타크릴레이트 (polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트 (polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트 (polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트 (polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머 (COC), 사이클릭 올레핀 폴리머 (COP), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리이미드 (PI), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리스타이렌 (PS), 폴리아세탈 (POM), 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 폴리에스테르설폰 (PES), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자 (PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머 (SAN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.

이러한 기판(110) 상에는 버퍼층(220)이 배치될 수 있다.

도 2에서는 버퍼층(220)이 단일층으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 버퍼층(220)은 다중층으로 이루어진 멀티 버퍼층일 수 있다.

버퍼층(220)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(220)은 SiOx, SiNx 및 SiON 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

버퍼층(220) 상에는 다수의 보조 전극(140)이 배치될 수 있다. 도 2에서는 보조 전극(140)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층일 수도 있다.

보조 전극(140) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)이 배치될 수 있다.

제1 전극(130)의 일부는 보조 전극(140)과 컨택될 수 있다.

제1 전극(130)은 보조 전극(140)의 전기저항보다 높은 물질을 포함할 수 있다.

예를 들면, 예를 들면, 보조 전극(140)은 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄)(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 그리고, 제1 전극(130)은 투명 도전 물질, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

제1 전극(130)은 투명 도전 물질로 형성되어 발광되는 광을 투과한다는 장점을 가지지만, 불투명 금속에 비해 전기저항이 매우 높다는 단점이 있다.

따라서, 투명 도전물질의 큰 저항으로 인해 액티브 영역으로 인가되는 전류의 분포가 고르지 않게 되며, 이러한 불균일한 전류분포는 전자장치(100)의 균일한 휘도의 발광을 불가능하게 한다.

본 발명에서는, 액티브 영역(AA) 전체에 걸쳐 보조 전극(140)을 배치함으로써, 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)에 균일한 전류가 인가되도록 하여 대면적의 전자장치(100)의 액티브 영역(AA)의 위치마다 휘도가 균일한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 유기발광소자(OLED) 중, 적어도 하나의 유기발광소자(OLED)에 이물이 삽입될 경우, 이물이 삽입된 위치에 있는 제1 전극(130)에 전압이 집중되어, 액티브 영역(AA)에 배치된 다른 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전압이 구동 전압보다 낮아져, 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)들의 발광이 이루어지지 않을 수 있다.

그러나, 본 발명의 실시예에 따른 제1 전극(130)의 구조를 통해, 조명 장치(LD)의 단락 축소(Short Reduction) 효과를 얻을 수 있다.

구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)은 보조 전극(140)과 컨택될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 전극(130)의 비 저항이 보조 전극(140)의 비 저항보다 높으므로, 보조 전극(140)에 연결된 제1 전극(130)은 저항 성분으로 작용될 수 있다.

이에, 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 유기발광소자(OLED) 중, 적어도 하나의 유기발광소자(OLED)에 이물이 삽입되어, 이물이 삽입된 위치에 있는 제1 전극(130)에 전압이 집중되더라도, 액티브 영역(AA)에 배치된 다른 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전압의 차이와 크지 않게 되어, 이물이 삽입되지 않은 유기발광소자(OLED)는 이물이 삽입된 유기발광소자(OLED)와 관계 없이 발광될 수 있다.

그리고, 이물이 존재하는 영역에 배치된 유기발광소자(OLED)는 이물로 인해 전기저항이 높아져, 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전류의 양을 크게 감소시키므로, 발광되지 않을 수 있다.

정리하면, 본 발명에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130)과 보조 전극(140)을 컨택시킴으로써, 이물이 존재하는 영역에 배치된 유기발광소자(OLED)만이 비 발광되어, 조명 장치의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

이러한 구조를 갖는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(130) 상에는 보조 전극(140)과 중첩되는 절연막(125)이 배치될 수 있다.

제1 전극(130)은 보조 전극(140)과 미 중첩된 영역에서 오픈영역(OPN)을 구비할 수 있다. 그리고, 오픈영역(OPN)에 절연막(125)이 배치될 수 있다.

절연막(125)은 보조 전극(140)을 둘러싸도록 형성되어 보조 전극(140)에 의한 단차를 감소시킴으로써, 이후 형성되는 구성들이 단선되지 않고 안정적으로 형성되도록 할 수 있다.

액티브 영역(AA)에서, 절연막(125)이 배치된 기판(110) 상에는 유기층(250)이 배치될 수 있다.

유기층(250)은 절연막(125)을 덮으면서 배치될 수 있다.

도 2에는 도시하지 않았으나, 유기층(250)은 다층구조일 수 있으며, 적어도 1층의 발광층을 포함할 수 있다.

그리고, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(260)은 유기층(250)을 덮으면서 배치될 수 있다.

이러한 제2 전극(260)은 반사성 금속을 포함할 수 있다.

예를 들면, 제2 전극(260)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 은(Ag)과 같은 금속, 또는 몰리브덴 티타늄(MoTi)과 같은 합금을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

유기층(250)과 제2 전극(260)은 액티브 영역(AA)의 전면에 구비될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 유기층(250)으로부터 발광된 광이 기판(110) 방향으로 출사되는 하부 발광(Bottom Emission) 방식일 수 있다.

제2 전극(260) 상에는 유기발광소자(OLED)에 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있는 봉지 부재(190)가 배치될 수 있다.

전자장치(100)는 액티브 영역(AA)에서 제1 발광영역(EA1) 및 제1 비 발광영역(NEA)을 포함할 수 있다.

제1 발광영역(EA1)은 절연막(125)과 미 중첩된 영역과 대응되는 영역일 수 있다. 제1 비 발광영역(NEA1)은 절연막(125)이 배치된 영역과 대응되는 영역일 수 있다.

본 발명의 실시예에서 기판(110)은, 기판(110) 일 면에 일체로 구비된 다수의 돌출부(211)를 포함할 수 있다.

도 2에는 다수의 돌출부(211) 각각이 단면 상으로 반원 형상인 구성으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다수의 돌출부(211)의 단면 형상은 타원형 또는 다각형 형상일 수 있다. 또한, 액티브 영역(AA)에 배치된 적어도 2개의 돌출부(211)의 단면 형상이 서로 상이할 수도 있다.

다수의 돌출부(211)는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L) 중 전자장치(100) 내부에 갇혀 전자장치(100) 외부로 추출되지 못하는 현상을 억제할 수 있는 역할을 할 수 있다.

구체적으로, 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)은 기판(110)으로 향한다. 기판(110)에 구비된 돌출부(211)를 구성하는 면은 기판(110)이 연장되는 방향(수평방향)을 기준으로 기울기(slope)가 존재한다.

이러한 돌출부(211)를 구성하는 면의 기울기는 광의 전반사를 유도할 수 있으며, 이를 통해, 전자장치(100) 내부에 갇히는 광을 전자장치(100) 외부로 추출할 수 있다.

다수의 돌출부(211)를 구성하는 면은 수평면과 이루는 각이 40도 내지 60도이거나, 수평면과 이루는 각이 120도 내지 140도일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

다수의 돌출부(211)를 포함하는 기판(110)의 배면에는 파장변환층(280)이 배치될 수 있다. 파장변환층(280)은 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장을 바꾸는 역할을 할 수 있다.

유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)은 청색 광 또는 녹색 광일 수 있고, 파장변환층(280)을 거쳐 전자장치(100) 외부로 추출된 광은 600nm 내지 850nm의 파장을 가질 수 있다.

파장변환층(280)은 접착층(270)을 통해 기판(110)의 배면에 부착될 수 있다.

유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광은 접착층(270)을 통과하여 전자장치(100) 외부로 추출될 수 있는데, 광이 접착층(270)에 대량 흡수되는 것을 방지하기 위해, 접착층(270)은 투명한 유기물질로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

파장변환층(280)은 액티브 영역(AA)에 구비될 수 있다.

이러한 파장변환층(280)은 서로 이격하여 배치된 제1 파장변환영역(281), 제2 파장변환영역(282) 및 제3 파장변환영역(283)을 포함할 수 있다.

제1 파장변환영역(281), 제2 파장변환영역(282) 및 제3 파장변환영역(283) 각각은 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)을 서로 다른 파장으로 변환시킬 수 있다.

제1 파장변환영역(281), 제2 파장변환영역(282) 및 제3 파장변환영역(283)을 거쳐 전자장치(100)의 외부로 추출된 광의 파장은 600nm 내지 850nm일 수 있다.

또한, 제1 파장변환영역(281)을 통과한 광의 최대 피크(max peak)가 나타나는 파장은 제2 파장변환영역(282) 및 제3 파장변환영역(283)을 통과한 광의 최대 피크가 나타나는 파장보다 짧을 수 있다.

그리고, 제2 파장변환영역(282)을 통과한 광의 최대 피크가 나타나는 파장은 제3 파장변환영역(283)을 통과한 광의 최대 피크가 나타나는 파장보다 짧을 수 있다.

예를 들면, 제1 파장변환영역(281)을 통과한 광은 600nm 내지 680nm의 파장을 갖고, 최대 피크가 나타나는 파장은 630nm일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제2 파장변환영역(282)을 통과한 광은 680nm 초과, 780nm이하의 파장을 갖고, 최대 피크가 나타나는 파장은 730nm일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제3 파장변환영역(283)을 통과한 광은 780nm 초과, 850nm 이하의 파장을 갖고, 최대 피크가 나타나는 파장은 830nm일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

정리하면, 제1 파장변환영역(281)을 통과한 광은 적색광일 수 있고, 제2 파장변환영역(282)을 통과한 광 역시 적색광일 수 있으나, 제1 파장변환영역(281)을 통과한 광보다는 긴 파장을 갖는 적색광일 수 있다. 또한, 제3 파장변환영역(283)을 통과한 광은 적외선일 수 있다.

제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283) 각각은 수지층(286, 287, 288)에 다수의 파장변환입자(286a, 287a, 288a)가 분산된 구성일 수 있다.

구체적으로, 제1 파장변환영역(281)은 제1 수지층(286)에 다수의 제1 파장변환입자(286a)가 분산된 구성일 수 있다. 여기서, 다수의 제1 파장변환입자(286a)는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장을 600nm 내지 680nm의 파장의 광으로 변경시킬 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제2 파장변환영역(282)은 제2 수지층(287)에 다수의 제2 파장변환입자(287a)가 분산된 구성일 수 있다. 여기서, 다수의 제2 파장변환입자(287a)는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장을 680nm 초과, 780nm이하의 파장의 광으로 변경시킬 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제3 파장변환영역(283)은 제3 수지층(288)에 다수의 제3 파장변환입자(288a)가 분산된 구성일 수 있다. 여기서, 다수의 제3 파장변환입자(288a)는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장을 780nm 초과, 850nm 이하의 파장의 광으로 변경시킬 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)는 양자점일 수 있다.

예를 들면, 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a) 각각은 서로 독립적으로 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs,GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs, CdSe-ZnS, InP-ZnS, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)는 서로 다른 물질이 선택될 수도 있고, 입자의 크기가 상이할 수도 있다.

상술한 바와 같이, 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)은 청색 광 또는 녹색 광일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)은 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에의해 변경된 광의 파장보다 짧은 파장을 갖는 광이면 충분하다.

다시 말해, 유기발광소자(0LED)로부터 발광된 광(L)의 파장은 600nm 미만일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장이 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에의해 변경된 광의 파장보다 짧다는 것은 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 에너지가 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에의해 변경된 광의 에너지보다 높다는 것을 의미한다.

즉, 에너지가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 이동하는 것이 에너지가 낮은 쪽에서 높은 쪽으로 이동하는 것에 비해 효율이 좋으므로, 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에의해 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)의 파장이 변경되는 과정에서 광 손실을 최소화할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)에서, 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)은 기판(110), 접착층(270)을 거친 후 제1 파장변환영역(281), 제2 파장변환영역(282) 또는 제3 파장변환영역(283)을 거쳐 전자장치(100) 외부로 추출될 수 있다.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치가 유기발광소자(OLED)를 포함하는 미용 장치 또는 치료 장치일 경우, 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)으로부터 출사된 광은 사람의 피부에 침투될 수 있다.

파장변환층(280)의 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283) 각각으로부터 출사된 광의 파장은 서로 다르므로, 사람 피부에 침투되는 깊이가 상이할 수 있다.

이를 도 3을 참조하여 검토하면 다음과 같다.

도 3은 광의 파장 별로 사용자의 피부에 침투되는 깊이를 도시한 도면이다.

도 3을 참조하면, 600nm 내지 700nm 정도의 파장을 갖는 광은 사람 피부의 표피 및 진피에 침투될 수 있다. 또한, 800nm 정도의 파장을 갖는 광은 사람 피부의 표피, 진피 및 하피(피하조직)까지 침투될 수 있다.

630nm 내지 830nm 파장의 광은 사람 피부의 표피, 진피 및 하피에 침투되어 염증치료와 피부재생 효과를 얻는데 주요한 파장이다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100) 외부로 추출된 광은 600nm 내지 850nm의 파장을 가지므로, 전자장치(100)가 유기발광소자(OLED)를 포함하는 미용 장치 또는 치료 장치로 사용될 경우, 염증치료와 피부재생 부분에서 현저한 효과를 얻을 수 있다.

다만, 인종과 개개인의 피부 두께에 따라 효과적인 광의 파장은 달라질 수 있는데, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)로부터 추출된 광은 넓은 파장대(600nm 내지 850nm)를 가지므로, 인종 및 피부 두께에 따른 염증치료 및 피부재생에 대한 효과의 편차도 줄어들 수 있다.

다시 말해, 인종 및 사용자 마다 다른 피부 두께에 관계 없이, 염증 치료 및 피부 재생 효과를 얻을 수 있다.

또한, 유기발광소자(OLED)를 이용하여 780nm 이상의 파장을 갖는 광을 발광하는 전자장치(100)를 제공함으로써, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100) 이용 시, 염증치료와 피부재생이 원활하게 이루어질 수 있다.

특히, 일반적인 미용 또는 치료 장치가 피부 재생을 위해 적색의 파장대만을 발광하는데 반해, 본 발명의 실시예에 다른 전자장치(100)는 적외선 파장대의 광을 발광하므로, 피부 재생에 유리할 수 있다.

도 2의 전자장치(100)에서, 유기발광소자(OLED)의 굴절률과 기판(110)의 굴절률은 유사하거나, 기판(110)의 굴절률이 유기발광소자(OLED)의 굴절률보다 높을 수 있다.

예를 들면, 유기발광소자(OLED)의 굴절률은 1.6 내지 1.9일 수 있고, 기판(110)의 굴절률 역시 1.6 내지 1.9일 수 있고, 또 다른 예로 기판(110)의 굴절률이 1.7이상일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

버퍼층(220)의 굴절률 역시 1.6 내지 1.9일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

따라서, 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)이 기판(110)과 유기발광소자(OLED) 내에 갇히지 않고 기판(110) 외부로 추출될 수 있다.

또한, 기판(110)의 굴절률은 접착층(270) 및 파장변환층(280)의 제1 내지 제3 수지층(286, 287, 288)의 굴절률이 유사할 수 있다.

이에, 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)이 기판(110)을 통과하고, 접착층(270)과 파장변환층(280) 내에 갇히지 않고 전자장치(100) 외부로 추출될 수 있다.

한편, 제1 파장변환영역(281)에 포함된 제1 파장변환입자(286a), 제2 파장변환영역(282)에 포함된 제2 파장변환입자(287a) 및 제3 파장변환영역(283) 에 포함된 제3 파장변환입자(288a) 각각의 굴절률은 1.6 내지 2.0일 수 있다.

다만, 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)의 굴절률은 기판(110)의 굴절률에서 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)의 굴절률을 뺀 절대값이 0.2 이하인 값으로 설정될 수 있다.

기판(110)의 굴절률에서 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)의 굴절률을 뺀 절대값이 0.2를 초과할 경우, 유기발광소자(OLED)로부터 제공된 광이 전자장치(100) 외부로 추출되지 못하고 파장변환층(380)에 갇힐 수 있다.

제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)의 물질에 따라 굴절률을 변동될 수 있으며, 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)의 굴절률이 제1 내지 제3 수지층(286, 287, 288)의 굴절률보다 클 경우, 제1 내지 제3 수지층(286, 287, 288)은 산란입자를 더 포함할 수도 있다.

산란입자는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광(L)이 파장변환층에 갇히지 않고 전자장치(100) 외부로 추출될 수 있도록 한다.

파장변환층(280)은 서로 다른 파장변환영역 사이에 배치된 적어도 1개의 격벽(285)을 포함할 수 있다.

예를 들면, 제1 파장변환영역(281)과 제2 파장변환영역(282) 사이, 제2 파장변환영역(282)과 제3 파장변환영역(283) 사이 및 제3 파장변환영역(282)과 제1 파장변환영역(281) 사이에 격벽(285)이 배치될 수 있다.

격벽(285)은 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에 입사된 광이, 입사된 파장변환영역이 아닌 이웃한 다른 파장변환영역으로 넘어가지 않도록 하는 역할을 할 수 있다. 이에, 상호 간섭에 의한 광 손실을 최소화할 수 있다.

이러한 격벽(285)은 기판(110)의 굴절률보다 낮을 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 격벽(285)의 굴절률은 1.5이하일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

이와 같이, 격벽(285)의 굴절률이 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 굴절률 보다 낮게 이루어짐으로써, 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)에서 격벽(285) 방향으로 입사된 광은 격벽(285) 내에 갇히게 되어 이웃한 다른 파장변환영역으로 넘어가지 못하게 된다.

이러한 격벽(285)의 높이(H1)는 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 높이(H2)보다 높을 수 있다. 여기서, 격벽(285)의 높이(H1)와 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 높이(H2)는 기판(110) 표면에서 유기발광소자(OLED)의 구성들이 적층되는 방향(수직방향)을 기준으로 한 최단 길이 일 수 있다.

도 2에서는 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 높이(H2)가 각각 대응되는 구성이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 높이는 서로 상이할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 각각의 높이가 격벽(285)의 높이(H1)보다 낮은 구성이면 충분하다.

격벽(285)의 높이(H1)가 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283)의 높이(H2)보다 높게 이루어짐으로써, 파장변환층(280) 제조 시, 제1 내지 제3 수지층(286, 287, 288)의 물질 및 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)입자가 격벽(285)위로 흘러 넘쳐 서로 다른 파장변환영역에 침투하는 것을 방지할 수 있다.

제1 파장변환영역(281)은 전자장치(100)의 제2 발광영역(EA2)에 대응될 수 있고, 제2 파장변환영역(282)은 전자장치(100)의 제3 발광영역(EA3)에 대응될 수 있으며, 제3 파장변환영역(283)은 전자장치(100)의 제4 발광영역(EA4)에 대응될 수 있다.

제2 발광영역(EA2)과 제3 발광영역(EA3) 사이, 제3 발광영역(EA3)과 제4 발광영역(EA4) 사이 및 제4 발광영역(EA4)과 제2 발광영역(EA2) 사이에는 제2 비 발광영역(NEA2)이 배치될 수 있다. 제2 비 발광영역(NEA2)은 격벽(285)이 배치된 영역과 대응되는 영역일 수 있다.

제2 내지 제4 발광영역(EA2, EA3, EA4) 각각은 하나의 제1 발광영역(EA1)과도 대응될 수 있다.

이 때, 제2 내지 제4 발광영역(EA2, EA3, EA4) 각각의 면적은 제1 발광영역(EA1)의 면적보다 클 수 있다.

이는, 파장변환층(280)의 다수의 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)에 의해 확산(산란에 의한 확산)되어 넓은 영역에서 광이 방출될 수 있기 때문이다.

이에, 제1 발광영역(EA1)의 면적보다 전자장치(100)의 외부초로 광이 방출되는 실질적인 영역인 제2 내지 제4 발광영역(EA2, EA3, EA4)의 면적이 더 클 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)의 구조가 도 2에 한정되는 것은 아니다.

도 4를 참조하여 다른 실시예에 따른 전자장치(100)의 구조를 검토하면 다음과 같다.

도 4는 다른 실시예에 따른 전자장치의 단면도이다.

도 4는 도 1a의 X 영역과 대응되는 영역의 단면 구조를 나타낸 것이다.

후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 보조 전극(140), 절연막(125) 및 유기발광소자(OLED)가 배치될 수 있다.

유기발광소자(OLED)의 제2 전극(260) 상에는 봉재 부재(490)가 배치될 수 있다.

봉지 부재(490)는 캐핑층(491), 봉지층(492), 점착층(493) 및 금속 필름(494)을 포함할 수 있다.

캐핑층(491)은 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(260) 상에 배치될 수 있다. 캐핑층(491)은 제2 전극(260)을 덮으면서 배치될 수 있다.

캐핑층(491)은 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(260)을 보호하는 역할을 하는 구성으로, 유기재료로 이루어진 단일층으로 구성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 캐핑층(491)은 무기물질을 포함할 수도 있고, 다중층으로 이루어질 수도 있다.

캐핑층(491) 상에는 봉지층(492)이 배치될 수 있다. 봉지층(492)은 캐핑층(491)을 덮으면서 배치될 수 있다.

이러한 봉지층(492)은 SiOx나 SiNx 등의 무기물질로 구성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 4에서는 봉지층(492)이 단일층인 구성이 도시되어 있으나, 봉지층(492)은 다중층으로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 봉지층(492)은 무기막 및 유기막이 교번하여 배치되는 구성일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.

봉지층(492) 상에는 점착층(493)이 배치될 수 있다. 점착층(493)은 봉지층(492)을 덮으면서 배치될 수 있다. 또한, 점착층(493)은 흡습제 등을 더 포함할 수도 있다.

점착층(493) 상에는 금속 필름(494)이 배치될 수 있다.

점착층(493)은 점착층(493) 상에 배치된 금속 필름(494)을 봉지층(492)이 배치된 기판(110) 상에 접착시키는 역할을 하는 동시에, 유기발광소자(OLED)에 수분 또는 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있다.

기판(110)은, 액티브 영역(AA)에서 기판(110) 배면에서 일체로 구비된 다수의 돌출부(211)를 포함할 수 있다.

구체적으로, 기판(110)은 하나의 돌출부(211)와, 인접한 다른 돌출부(211)를 연결하는 연결부(411)를 포함할 수 있다.

한편, 기판(110)의 연결부(411)를 구성하는 면은 수평면과 이루는 각이 40도 내지 60 또는 120도 내지 140도가 아닐 수 있다.

따라서, 기판(110)의 연결부(411)에서는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광의 전반사가 일어날 확률이 매우 낮을 수 있다. 다시 말해, 기판(110)의 연결부(411)와 대응되는 영역에서는 기판(110)의 돌출부(211)와 대응되는 영역에서보다 추출되는 광의 양을 적을 수 있다.

기판(110)은 연결부(411)와 대응되는 영역에서 최소 두께(T1)를 가질 수 있다. 여기서, 기판(110)의 두께는 기판(110) 표면에서 유기발광소자(OLED)의 구성들이 적층되는 방향(수직방향 또는 제2 방향)을 기준으로 한 최단 길이 일 수 있다.

액티브 영역(AA)에서 기판(110)의 연결부(411)는 기판(110) 상에 배치된 절연막(125)이 배치된 영역과 중첩될 수 있다.

즉, 기판(110)이 최소 두께(T1)를 갖는 영역(즉, 연결부와 대응되는 영역)은 제1 비 발광영역(NEA1)과 중첩될 수 있다.

다시 말해, 하나의 제1 발광영역(EA1)과, 인접한 다른 제1 발광영역(EA1) 사이에 기판(110)의 연결부(411)가 배치될 수 있다.

예를 들어, 연결부(411)가 제1 발광영역(EA1)과 대응되는 영역에 배치될 때, 연결부(411)는 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광의 전반사를 유도하지 못하는 영역이므로, 파장변환층(480) 방향으로 추출되는 광량이 적어질 수 있다.

따라서, 하나의 돌출부(211)는 하나의 제1 발광영역(EA1)과 대응될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 1개를 초과하는 개수의 돌출부(211)가 하나의 제1 발광영역(EA1)과 중첩될 수도 있다.

이러한 기판(110) 배면에는 접착층(270)이 배치될 수 있다.

접착층(270)이 최대 두께(T2)를 갖는 영역은 기판(110)의 연결부(411)와 대응되는 영역일 수 있다.

접착층(270)은 유기발광소자(OLED)가 배치된 기판(110)과 파장변환층(480)을 접착시키는 역할을 할 수 있다.

본 실시예에서 파장변환층(480)은 제1 파장변환영역(281), 제2 파장변환영역(282), 제3 파장변환영역(283), 격벽(285), 장벽층(481) 및 버퍼층(482)을 포함할 수 있다.

장벽층(481)은 접착층(270)에 접착되는 구성일 수 있다.

장벽층(481)은 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283) 각각에 포함된 제1 내지 제3 파장변환입자(286a, 287a, 288a)에 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.

제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283) 배면에는 버퍼층(482)이 배치될 수 있다. 버퍼층(482)은 제1 내지 제3 파장변환영역(281, 282, 283) 및 격벽(285)을 지지하는 역할을 할 수 있다.

이어서, 도 5 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)의 제조 방법을 검토하면 다음과 같다.

도 5 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 5를 참조하면, 희생기판(510) 상에 희생층(500)이 배치될 수 있다. 희생층(500) 상에는 포토레지스트(520)가 배치될 수 있다.

여기서, 희생기판(510)은 유리기판일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

희생층(500)은 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 패터닝 될 수 있는 물질로 이루어질 수 있다.

도 5에 도시된 포토레지스트(520)가 배치된 상태에서 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 희생층(500)이 패터닝될 수 있다.

희생층(500)이 패터닝되면, 도 6에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(520)가 배치되지 않는 영역의 희생층(601)은 패터닝되고, 포토레지스트(520)가 배치된 영역의 희생층(601)은 패터닝되지 않을 수 있다.

포토리소그래피 공정을 통해 패터닝된 희생층(601)은 다수의 오목부(602)와, 다수의 오목부(602) 사이를 연결하는 희생층(601)의 연결부(603)가 형성될 수 있다.

이 후, 도 8에 도시된 바와 같이, 희생층(601) 상에는 기판(110)이 배치될 수 있다.

기판(110)은 패터닝된 희생층(601)의 모폴로지(morphology)를 따라 형성될 수 있다.

구체적으로, 도7 및 8을 참조하면, 희생층(601)의 오목부(602)와 대응되는 영역에서 기판(110)의 돌출부(211)가 형성될 수 있다. 그리고, 희생층(601)의 연결부(603)와 대응되는 영역에서 기판(110)의 연결부(411)가 형성될 수 있다.

이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 다수의 돌출부(211) 및 연결부(411)가 형성된 기판(110) 상에 보조 전극(140), 제1 전극(130), 절연막(125), 유기층(250), 제2 전극(260) 및 봉지 부재(190)가 차례로 형성될 수 있다.

한편, 도 9에는 봉지 부재(190)가 도2에 도시된 구조로 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판(110) 상에는 도 4에 도시된 봉지 부재(490)가 배치될 수도 있다.

이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 보조 전극(140), 제1 전극(130), 절연막(125), 유기층(250), 제2 전극(260) 및 봉지 부재(190)가 배치된 기판(110)의 배면으로부터 희생층 및 희생기판이 분리될 수 있다.

이때, 기판(110)의 배면에 레이저를 조사하여 희생층과 희생 기판을 분리시키는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 등의 공정을 통해 기판(110) 배면에 배치된 희생층과 희생기판을 분리시킬 수 있으나, 기판(110)으로부터 희생층과 희생기판을 분리시키는 공정이 이에 한정되는 것은 아니다.

접착층 물질(1070)과 접착층 물질(1070)의 일면에 부착된 파장변환층(380)이 부착된다.

접착층 물질(1070)이 기판(110)의 배면에 부착되면 접착층 물질(1070)이 기판(110)과 접하는 표면에서 기판(110) 하부 표면의 모폴로지와 대응되는 형상을 갖는 접착층(270)이 형성될 수 있다.

접착층(270)은 파장변환층(480)을 기판(110) 배면에 부착시켜주는 역할을 할 수 있다.

한편, 도 10에는 파장변환층(480)의 구조가 도 4에 해당하는 구조인 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 2에 도시된 파장변환층(280)의 구조일 수도 있다.

이러한 전자장치(100)는 유기발광소자(OLED)를 포함하는 미용 장치 또는 치료 장치일 수 있다. 예를 들면 도 11에 도시된 바와 같이, 피부 관리용 광 출력 기기 또는 피부 치료용 광 출력 기기일 수 있다.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 구조를 나타낸 사시도이다.

도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(1100)는 전면 커버(1121), 기판(110), 후면 커버(1125) 및 착용 장치(1126)를 포함할 수 있다.

전면 커버(1121)는 전자장치(1100)의 전면에 배치되고, 후면 커버(1125)와의 사이에 구비된 기판(110)을 외부의 충격이나 접촉 등으로부터 보호할 수 있다. 이를 위해, 전면 커버(1121)는 각종 플라스틱이나 세라믹 등으로 구현될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

전면 커버(1121)에는 사용자의 착용시 사용자의 시야를 확보하기 위한 개구부(1111)가 형성될 수 있다. 사용자가 전자장치(1100)를 착용하는 경우 사용자의 눈이 개구부(1111)에 위치하게 되어, 사용자는 개구부(1111)를 통해 시야를 확보할 수 있다.

경우에 따라, 개구부(1111)를 통해 이물질이 사용자의 눈과 접촉하거나 충돌하는 것을 방지하기 위해, 개구부(1111)를 덮는 개구부 보호 커버(1112)가 구비될 수 있다. 개구부 보호 커버(1112)는 투명 재질의 아크릴이나 플라스틱 등으로 구현될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

기판(110)은 도 2 및 도 4에 도시된 다수의 돌출부(211)가 일체로 구비된 기판(110)일 수 있다. 이러한 기판(110) 일 면에는 보조 전극(140), 절연막(125), 유기발광소자(OLED) 및 봉지 부재(190)가 배치될 수 있고, 기판(110)의 다른 일 면에는 접착층(270) 및 파장변환층(280, 480)이 배치될 수 있다.

도면에는 도시하지 않았으나, 기판(110)은 적어도 하나의 광원의 광 출력 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함할 수 있다. 제어부는 IC(integrated circuit), 마이크로컴퓨터, 임베디드 프로세서(embedded processor), AP(application processor) 등으로 구현될 수 있다. 실시 예에 따라, 제어부는 후술할 사용자 조작 장치에 포함될 수도 있다.

또한, 마스크 형상을 갖는 전자장치(1100)에 구비되는 기판(110)은 적어도 일부가 곡면을 이루도록 형성될 수 있다.

후면 커버(1125)는, 전면 커버(1121) 및 기판(110)과 체결되어, 기판(110)의 일 면을 덮도록 형성될 수 있다. 전면 커버(1121)와 후면 커버(1125)는, 내부에 배치되는 기판(110)으로 물이나 기타 이물질이 침투하는 것을 방지하여, 기판(110)에 배치된 광원이나 기타 구성 요소들의 고장이나 손상을 방지할 수 있다.

후면 커버(1125)는, 기판(110)에 구비된 광원으로부터 방출되는 광이 사용자의 안면 피부로 조사되기 위해, 투명 재질의 플라스틱이나 아크릴 등으로 구현될 수 있다. 또한, 후면 커버(1125)는 사용자의 시야를 확보하기 위한 개구부(1124)를 구비할 수 있다.

착용 장치(1126)는, 전자장치(1100)를 사용자가 착용함에 따라 전자장치(1100)를 사용자에 대해 고정시킬 수 있다. 착용 장치(1126)는 후면 커버(1125)와 체결될 수 있다. 예컨대 착용 장치(1126)는 사용자의 코와 귀에 안착되어 착용될 수 있는 안경 형상을 가질 수 있다.

이러한 전자장치(1100)의 외부로 추출된 광은 600nm 내지 850nm의 파장을 가질 수 있으므로, 염증치료와 피부재생 부분에서 현저한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(1100)로부터 추출된 광은 넓은 파장대(600nm 내지 850nm)를 가지므로, 인종 및 피부 두께에 따른 염증치료 및 피부재생에 대한 효과의 편차도 줄어들 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 의하면, 염증치료와 피부재생 효과를 얻을 수 파장의 광이 방출되는 전자장치를 제공할 수 있다.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 전자장치
110: 기판
125: 절연막
130: 제1 전극
140: 보조 전극
190: 봉지 부재
211: 돌출부
250: 유기층
260: 제2 전극
280: 파장변환층

Claims

제1 발광영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽에 배치된 넌 액티브 영역을 포함하고, 배면에 다수의 돌출부가 일체로 구비된 기판;
상기 기판 상에 배치된 메쉬 형상의 보조 전극;
상기 기판 상에 배치되되, 상기 보조 전극과 중첩되고, 상기 보조 전극과 미 중첩된 영역에서 적어도 하나의 오픈영역을 포함하는 제1 전극;
상기 보조 전극과 중첩되고 제1 전극의 일부와 중첩되며, 상기 제1 전극의 상기 오픈영역을 덮으면서 배치된 절연막;
상기 절연막 및 상기 제1 전극 상에 배치된 유기층;
상기 유기층 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 기판의 배면에 배치되고, 상기 액티브 영역과 대응되는 영역에 구비된 파장변환층을 포함하고,
상기 기판은 상기 돌출부와 인접한 다른 돌출부 사이에서 최소 두께를 갖고,
하나의 상기 돌출부는 하나의 상기 제1 발광영역과 1:1 대응되도록 배치되고,
상기 파장변환층은 서로 이격하여 배치된 제1 파장변환영역, 제2 파장변환영역 및 제3 파장변환영역과 서로 다른 파장변환영역 사이에 배치된 적어도 1개의 격벽을 포함하고,
상기 기판이 최소 두께를 갖는 영역은 상기 격벽과 중첩되는 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 투명도전물질을 포함하고,
상기 제2 전극은 반사성 금속을 포함하는 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 발광영역은 상기 제1 전극이 배치되되, 상기 제1 전극이 상기 절연막과 미 중첩된 영역과 대응되는 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 유기층은 적어도 1층의 발광층을 포함하고,
상기 유기층으로부터 발광된 광의 파장은 상기 파장변환층에 의해 변경된 파장보다 낮은 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 파장변환층을 거쳐 발광된 광은 600nm 내지 850nm의 파장을 갖는 전자장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환영역, 상기 제2 파장변환영역 및 상기 제3 파장변환영역 각각은 유기층으로부터 발광된 광을 서로 다른 파장으로 변환시키는 전자장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 파장변환영역은 제2 발광영역에 대응되고,
상기 제2 파장변환영역은 제3 발광영역에 대응되며,
상기 제3 파장변환영역은 제4 발광영역에 대응되고,
상기 제2 내지 제4 발광영역 각각은 하나의 상기 제1 발광영역과 중첩된 전자장치.
제8항에 있어서,
상기 제2 내지 제4 발광영역 각각의 면적은 상기 제1 발광영역의 면적보다 큰 전자장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 격벽의 높이는 상기 제1 내지 제3 파장변환영역의 높이보다 높은 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 격벽은 상기 절연막과 중첩된 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 격벽의 굴절률은 상기 제1 내지 제3 파장변환층 및 상기 기판의 굴절률보다 낮은 전자장치.
제1항에 있어서,
적어도 1개의 상기 기판이 최소 두께를 갖는 영역은 상기 절연막과 중첩된 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 파장변환층 사이에 접착층이 배치된 전자장치.
제15항에 있어서,
상기 접착층은 상기 기판의 하나의 돌출부와 인접한 다른 돌출부 사이의 영역과 대응되는 영역에서 최대 두께를 갖는 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 전자장치는 상기 제2 전극 상에 배치된 봉지 부재를 더 포함하고,
상기 봉지 부재는,
상기 제2 전극을 덮으면서 배치된 캐핑층;
상기 캐핑층을 덮으면서 배치된 봉지층;
상기 봉지층이 배치된 기판 상에 배치된 점착층; 및
상기 점착층 상에 배치된 금속 필름을 더 포함하는 전자장치.
제1항에 있어서,
상기 전자장치는 피부 미용 또는 피부 치료용인 전자장치.