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KR102810281B1 - 기판 처리 장치들 및 기판 처리 방법들 - Google Patents

기판 처리 장치들 및 기판 처리 방법들 Download PDF

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KR102810281B1
KR102810281B1 KR1020190094522A KR20190094522A KR102810281B1 KR 102810281 B1 KR102810281 B1 KR 102810281B1 KR 1020190094522 A KR1020190094522 A KR 1020190094522A KR 20190094522 A KR20190094522 A KR 20190094522A KR 102810281 B1 KR102810281 B1 KR 102810281B1
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KR
South Korea
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stage
electrode
substrate
substrate processing
processing device
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유키히로 모리
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
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Abstract

기판 처리 장치의 실시예들은 스테이지, 상기 스테이지를 회전시키기 위한 구동 유닛, 상기 스테이지의 외부 가장자리의 일부분만과 대면하는 전극, 상기 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급 유닛, 및 상기 전극과 상기 스테이지 사이의 갭에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치를 포함한다.

Description

기판 처리 장치들 및 기판 처리 방법들{Substrate processing apparatuses and substrate processing methods}
기판 처리 장치 및 상기 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 관한 실시 예들이 기재되어 있다.
반도체 또는 액정 제조 공정에서, 기판의 주변부 또는 후면은 이송 로봇의 핸드와 기계적인 접촉을 하게 된다. 상기 이송 로봇의 핸드가, 예를 들어, 상기 기판의 측면부상에 퇴적된 박막과 접촉하게 되는 경우, 상기 박막은 벗겨져 파티클들의 발생을 초래한다. 이러한 미세한 파티클들은 고도로 집적된 디바이스에 전기적 문제를 일으키고, 심각한 수율 저하를 유발한다. 또한, 기판의 후면의 주변부 주위에 뻗어나가도록(creep) 형성된 도전막은 기판의 정전 흡착을 방해하거나, 또는 기판을 수직으로 관통하는 직류(DC) 전류를 발생시켜서, 후속되는 공정에서 구성 요소들에 손상을 야기할 수 있다.
기판 주변부상의 막의 선택적 제거가 기판의 주변부와의 기계적 접촉으로 인해 발생하는 파티클들을 방지하는 방법으로써 고려된다. 예를 들면, 상기 주변부 주위에 플라즈마를 발생시키기 위하여 기판의 주변부에 반응 가스를 흘리고, 주변부의 위에 설치된 전극에 고주파 전력을 인가한다. 본 방법에서는, 기판의 중심으로 향하는 가스의 확산과 플라즈마의 랩어라운드(wraparound)를 방지하기 위해 전극들 사이의 극도로 작은 간격이 설정된다. 플라즈마의 점화 전압은 파센의 법칙(Paschen's law)에 따라 반응기의 내부 압력 p와 전극 간격 d의 곱 p*d의 함수로 표현된다. 플라즈마의 점화 전압은 1/d에 비례하므로, d가 극도로 작으면 점화 전압이 증가하고, 그리하여 균일하고 안정된 플라즈마를 얻기가 어렵다. 따라서, 기판의 주변부에서 막 형성 또는 막 제거가 불균일해지고, 이는 수율에 악영향을 미친다.
본 명세서에서 기재된 일부 실시 예들은 상술한 문제점들을 해결할 수 있다. 본 명세서에 기재된 일부의 실시 예들은 기판의 가장자리 또는 상기 가장자리 근처의 부분에 대하여 안정된 플라즈마 처리를 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 기판 처리 장치는 스테이지, 상기 스테이지를 회전시키기 위한 구동 유닛, 상기 스테이지의 외부 가장자리의 일부만을 대면하는 전극, 상기 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급 유닛, 및 상기 전극과 상기 스테이지 사이의 갭에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치를 포함한다.
도 1은 기판 처리 장치의 실시예 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 상기 스테이지 및 상기 전극의 평면도이다.
도 3은 처리 결과에 대한 상기 전극의 형상의 영향을 보여주는 그래프이다.
도 4는 다른 예에 따른 기판 처리 장치의 실시예 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 다른 예에 따른 기판 처리 장치의 실시예 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 다른 예에 따른 기판 처리 장치의 실시예 구성을 보여주는 도면이다.
일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치 및 방법이 도면들을 참조하여 설명된다. 동일하거나 또는 대응하는 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내고, 그에 대한 중복적인 설명들은 생략될 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치(2)의 실시예 구성을 보여주는 도면이다. 상기 기판 처리 장치는 챔버(11) 내에 수용된 스테이지(10)을 포함한다. 스테이지(10)는 정전척 전극(ESC 전극)과 같은 전극일 수 있다. 상기 스테이지(10)는 온도-조절가능한 서셉터일 수 있다. 상기 스테이지(10)는 구동 유닛(12)에 의해 회전될 수 있다. 상기 구동 유닛(12)은 y-축을 회전축으로 하여 스테이지(10)를 회전시킨다. 일 실시예에서, 상기 구동 유닛(12)은 모터일 수 있다. 상기 스테이지(10)는 다양한 방법들에 의해 회전될 수 있다.
기판 처리를 위한 타겟인 기판(14)은 상기 스테이지(10) 상에 위치한다. 상기 기판(14)의 직경은 스테이지(10)의 직경보다 크다. 예를 들어, 상기 기판(14)의 직경은 300mm 일 수 있으며, 상기 스테이지(10)보다 클 수 있다. 따라서, 기판의 가장자리 및 상기 가장자리로부터 연장되는 그 주변부(14a)는 상기 스테이지(10)에 의해 지지되지 않는다. 상기 기판(14)은 반도체 디바이스 또는 액정을 제조하기 위한 재료일 수 있다.
기판 처리 장치(2)는 스테이지(10)의 옆에 제공된 전극(16)을 포함할 수 있다. 전극(16)의 형상은 아크(arc) 형상일 수 있다. 기판 처리 장치(2)는 또한 상기 전극(16)에 연결된, 상기 전극(16)에 고주파 전력을 공급하는 AC 전력 공급부(18)를 포함할 수 있다.
도 2는 적어도 스테이지(10), 기판(14) 및 전극(16)을 도시하는 도 1의 기판 처리 장치(2)의 일부의 평면도이다. 스테이지(10)의 외부 가장자리는 파선으로 표시되어 있다. 상기 전극(16)은 상기 스테이지(10)의 외부 가장자리의 단지 일부만과 대면한다. 환원하면, 상기 전극(16)은 스테이지(10)를 둘러싸지 않는다. 전극(16)과 스테이지(10) 사이의 거리는 10mm 이상이 될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극(16)은 스테이지(10)의 외부 가장자리의 1/20 이하와 대면한다.
도 2는, 시스템(17), AC 전력 공급부(18)(예를 들면, RF 발생기) 및 예를 들면, 전극(16)에 고주파 전력을 인가하기 위해 제공된 정합 회로(19)를 포함하는 것을 보여준다. 상기 AC 전력 공급부(18)는 정합 회로(19)를 통해 전극(16)에 고주파 전력을 공급하기 위하여 상기 시스템(17)으로부터의 명령을 수신할 수 있다. 상기 시스템(17), AC 전력 공급부(18) 및 정합 회로(19)는 전극(16)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전력 공급 유닛의 하나의 예이며, 기판 처리 장치(2)는 시스템(17), AC 전력 공급부(18) 및 정합 회로(19) 중의 적어도 하나를 대신하는 또는 적어도 하나와 함께하는 임의의 다른 적합한 고주파 전력 공급 유닛을 포함할 수 있다는 것을 알 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 동작 동안 기판(14)의 일부분으로부터 물질의 제거를 방지하는 마스크 블럭(mask block, 20)을 포함할 수 있다. 마스크 블럭(20)은 스테이지(10)의 상방에 스테이지(10)로부터 이격되도록 설치된다. 마스크 블럭(20)의 재료는 절연체(예를 들면, 세라믹 재료) 또는 다른 적합한 재료일 수 있다. 상기 마스크 블럭(20)과 상기 스테이지(10) 사이의 거리는 상기 기판(14)의 두께보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 마스크 블럭(20)과 스테이지(10) 사이의 거리는 적어도 1mm, 1 내지 3mm, 또는 1 내지 5mm일 수 있다. 마스크 블럭(20)은 수직으로 관통하여 연장되는 관통-홀(20a)을 정의할 수 있다. 관통-홀(20a)에는 예를 들어, 퍼지 가스 공급장치(22)를 관통홀(20a)에 연결하는 튜브를 통해 퍼지 가스 공급장치(22)로부터 퍼지 가스가 공급된다. 그 결과, 퍼지 가스는 관통-홀(20a)을 통해 스테이지(10), 기판(14) 또는 마스크 블럭(20) 중 적어도 둘 사이에 형성되고, 적어도 둘에 의해 정의되는 공간(20b)으로 공급된다. 퍼지 가스는 상기 공간(20b)을 통해 상기 스테이지(10)에 대하여 방사상으로 흐를 수 있다. 상기 퍼지 가스 공급 장치(22)에 의해 공급된 퍼지 가스는 Ar, N2 또는 He일 수 있다.
기판 처리 장치(2)는 예를 들어, 관을 통해 전극(16)과 스테이지(10) 사이에 형성되고, 그리고 이들에 의해 정의되는 갭(23)으로 가스를 공급하는 가스 공급 장치(24)를 포함할 수 있다. 가스 공급 장치(24)는 상기 갭(23)에 성막을 위해 사용된 식각 가스(예를 들어, O2, NF3, He 또는 Ar) 또는 재료 가스를 공급할 수 있다.
가스 공급장치(24)로부터의 가스 및 퍼지 가스 공급 장치(22)로부터의 퍼지 가스의 가스 유량은 질량 유동 제어기(mass flow controller, 도시되지 않음), 시스템(17), 컨트롤러(26) 또는 임의의 다른 적합한 컨트롤러에 의해 제어될 수 있다. 질량 유동 제어기는 가스 공급 장치(24) 또는 퍼지 가스 공급 장치(22)에 연통가능하게(communicably) 결합될 수 있으며, 이들의 동작을 적어도 부분적으로 제어할 수 있다.
기판 처리 장치(2)는 퍼지 가스 공급 장치(22)로부터 공급된 퍼지 가스 및 가스 공급 장치(24)로부터 공급된 가스를 배출할 수있는 배기관(25)을 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(2)는 또한 컨트롤러(26)에 의해 적어도 부분적으로 제어되는 제어 밸브(27) 및 배기 펌프(28)를 포함할 수 있으며, 그리하여 챔버(11) 내의 압력을 최적화 할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 장치(24)로부터 공급된 가스가 주로 챔버(11) 내에 충전되도록 제어 밸브(27) 및 배기 펌프(28)가 제어된다. 배기관(25), 제어 밸브(27) 및 배기 펌프(28)는 집합적으로 배기 통로를 형성할 수 있다.
기판 처리 장치(2)는 상기 전극(16)과 대면하도록 제공된 임피던스 조정 전극(30)을 포함할 수 있다. 상기 임피던스 조정 전극(30)은 가변 커패시터(32)를 통해 접지되어있다. 임피던스 조정 전극(30)은 스테이지(10)의 위에 또는 아래에 설치될 수 있다. 임피던스 조정 전극(30)은 스테이지(10)와는 다른 접지선을 제공하고, 전극(16)에 인접하며, 그리고 방전 플러그로서 기능한다. 방전 안정성을 향상시키기 위해 수정될 수 있는(예를 들어, 최적화될 수 있는) 고주파 임피던스가 가변 캐패시터(32)의 용량을 조정함으로써 생성될 수 있다.
기판 처리 장치(2)는 스테이지(10) 위에 제공되는 측정 장치(34)를 포함할 수 있다. 측정 장치(34)는 카메라, 온도계 또는 막 두께 측정 장치 중 적어도 하나일 수 있다. 측정 장치(34)는 기판(14)의 주변부(14a)를 상측으로부터 관찰하기 위해 제공된다. 기판(14)의 주변부는 기판(14)에서 가장자리를 따라 연장되는 환형 부이다. 예를 들면, 주변부(14a)에서 막의 제거의 완료 또는 막 형성의 완료는 측정 장치(34)에 의해 실시간 기준으로 모니터링된다 .
도 1 및 도 2의 기판 처리 장치(2)를 사용한 기판 처리 방법의 일 실시예는, 스테이지(10)보다 큰 직경을 갖는 기판(14)을 스테이지(10) 상에 위치시키는 단계를 포함할 수 있다. 결과적으로, 기판(14)의 주변부(14a)는 도 1 및 도 2에서 보여지는 바와 같이, 스테이지(10)의 외부 가장자리로부터 돌출한다. 예를 들어, 기판(14)은 스테이지(10) 상에 기판(14)을 정확히 위치시키고 그리고 전극(16)으로부터의 방전을 안정화시킬 수 있는 스테이지(10)의 정전 척에 의해 스테이지(10)에 밀착 접촉된다.
다음으로, 기판 처리 장치(2)가 전극(16)과 스테이지(10) 사이에 플라즈마 (16a)를 발생시키면서 스테이지(10)를 회전시킨다. 예를 들면, AC 전력 공급부(18)로부터 전극(16)에 고주파 전력이 공급되고, 가스 공급 장치(24)로부터 전극(16)과 스테이지(10) 사이의 갭(23)으로 가스가 공급되어 플라즈마를 발생시킨다. 전극(16)과 스테이지(10)는 두 개의 용량 결합 전극들(capacitively-coupled electrodes)을 구성할 수 있고, 그리하여 용량 결합 플라즈마를 발생시킨다. 전극(16)은 소형 방전 플러그로서 기능할 수 있다. 스테이지(10)의 직경은 기판 (14)의 외경보다 작게 설정되어, 기판(14)의 후면의 주변부(14a)를 플라즈마에 노출시킨다.
상기 전극(16)을 위한 방전 조건을 조정함으로써 안정된 플라즈마가 생성된다. 예를 들면, 임피던스 조정 전극(30) 및 가변 커패시터(32)에 의해 임피던스가 국부적으로 변화될 수 있어서, 플라즈마 생성을 촉진하고 그리고 플라즈마를 안정화시킬 수 있다. 예를 들어, 가변 커패시터(32)는 임피던스의 최적화를 가능하게 하도록 조정될 수 있다.
플라즈마 처리를 실행하는 동안, 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급 장치(22)로부터 마스크 블럭(20)의 관통-홀(20a)에 공급되어, 퍼지 가스를 스테이지(10), 기판(14), 또는 마스크 블럭(20)의 적어도 둘 사이의 공간(20b)을 통해 흐르게 한다. 결과적으로, 가스 공급 장치(24)로부터 공급된 가스가 기판(14)의 상부 표면에 도달하는 것이 실질적으로 방지될 수 있다. 상기 마스크 블럭(20)과 상기 퍼지 가스 공급 장치(22)에 의해 제공되는 퍼지 가스에 의해 상당한 플라즈마 처리가 기판(14)의 상부 표면측 상에서 실질적으로 감소되거나 및/또는 방지될 수 있다.
기판 (14)의 주변부(14a)는, 기판(14)이 구동 유닛(12)에 의해 도 2의 화살표에 의해 지시되는 바와 같이 회전하는 동안에 연속적으로 플라즈마 처리된다. 플라즈마 처리는 기판(14)의 측면 및 후면에 형성된 막이 제거되도록 하거나, 또는 기판(14)의 측면 및 후면 상에 막이 형성되도록 할 수 있다. 기판(14)의 주변부(14a)는 안정된 플라즈마에 의해 플라즈마 처리되며, 그리하여 일부 실시예들에서 균일한 성막(및/또는 개선된 균일도를 갖는 성막), 또는 균일한 막 제거(및/또는 개선된 균일도를 갖는 막 제거)를 수행하는 것이 가능하다.
나아가, 기판(14)의 주변부(14a)의 상태는 측정 장치(34)에 의해 모니터링 될 수 있다. 예를 들어, 주변부(14a)에서 막이 제거되었는지 확인될 수 있으며, 또는 성막이 주변부(14a)에서 실시간 기준으로 수행되었는지 확인될 수 있다. 이러한 모니터링을 가능하게 하기 위해, 주변부(14a)의 바로 위의 위치를 제외하고는 마스크 블럭(20)이 제공될 수 있다.
도 3은 처리 결과에 대한 전극 형상의 영향을 나타내는 그래프이다. 도 3의 실시예에서는, 접지측 전극으로서 기능하는 스테이지의 외경을 295㎜로 설정하고 있다. 스테이지 상에 실리콘으로 이루어지는 직경 300mm의 기판을 위치시킨다. 기판은 그 위에 형성된 비정질 탄소 막을 포함한다. 본 실시예에서는, 기판(14)의 주변부의 막은 10분 동안 산소 가스의 플라즈마에 의해 제거된다.
일 실시예에서, 기판 처리 장치의 전극은 알루미늄으로 형성된 40mm의 폭을 갖는 방전 플러그를 포함한다. 스테이지가 회전하는 동안 방전이 야기되도록 방전 플러그에 고주파 전력이 인가되어, 기판의 주변부 전체가 플라즈마 처리된다. 방전 플러그를 사용한 후 검출된 막 두께 프로파일은 도 3에 도시된 실선으로 표시된다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치의 전극은 알루미늄으로 형성되고 스테이지를 둘러싸는 링-형상 전극을 포함하며, 스테이지의 외부 가장자리의 전체와 대면한다. 스테이지가 회전/정지 상태로 유지하는 동안 방전을 야기하도록 상기 링-형상의 전극에 고주파 전력이 인가되어, 기판의 주변부 전체가 플라즈마 처리된다. 상기 링-형상 전극을 사용한 후 검출된 막 두께 프로파일은 도 3에 도시된 파선으로 표시된다.
도 3의 실선의 데이터 및 파선의 데이터는 모두 기판의 외부 가장자리로부터 2mm 내측 위치에서 측정된다. 두 경우 모두에서, 전극들(예를 들어, 방전 플러그 또는 링-형상 전극)과 스테이지(10) 사이의 거리가 12㎜로 설정되고, 상기 전극에 인가되는 고주파 전력의 주파수는 13.56 MHz로 설정된다.
도 3의 실선과 파선 사이의 비교로부터, 스테이지를 둘러싸는 링-형상 전극이 사용되는 경우와 비교하여, 상기 스테이지의 외부 가장자리의 일부분에만 대면하는 방전 플러그를 제공함으로써, 막 두께의 면내(in-plnae) 균일성이 향상된다는 것을 알 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 전극(16)은 스테이지(10)의 외부 가장자리의 일부에만 대면하고, 스테이지(10)를 둘러싸지 않도록 형성되어야 한다. 스테이지(10)를 둘러싸는 링-형상 전극이 상기 전극(16)으로서 사용되는 경우, 전극(16)과 스테이지(10)가 서로 대면하는 전체 부분에 걸쳐 균일한 가스 유동 및 플라즈마를 얻는 것이 어려울 수 있고, 탄소막의 두께는 위치에 따라 크게 변화한다. 한편, 일부 실시예들에서, 전극(16)으로서 링-형상 전극을 사용하는 제한된 장소에서 안정된 방전을 야기시키는 것이 가능하며, 따라서 전극(16)이 소형화되고 그리고 스테이지(10)의 외부 가장자리의 일부분에만 대면하게 되는 경우와 같이, 개선된 균일성으로 막 제거를 수행할 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2')의 구성 예를 도시하는 도면이다. 본 명세서에 달리 개시된 것을 제외하고, 상기 기판 처리 장치(2')는 본 명세서에 개시된 임의의 기판 처리 장치와 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 도 4를 참조하면, 스테이지(10)는 가변 커패시터(50)를 통해 접지된다. 가변 커패시터(50)의 커패시턴스를 조정함으로써, 플라즈마가 생성될 때 임피던스가 조정(예를 들어, 최적화)될 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2'')의 구성 예를 도시하는 도면이다. 본 명세서에 달리 개시된 것을 제외하고, 기판 처리 장치(2'')는 본 명세서에 개시된 임의의 기판 처리 장치와 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 도 5를 참조하면, 가스 공급 장치(52)에 의해 스테이지(10)의 하측으로부터 전극(16)과 스테이지(10)의 갭(23)으로 가스가 공급된다. 그 결과, 가스 공급 장치(52)로부터 기판(14)의 후면 측으로 충분한 가스가 공급될 수 있어서, 특히 기판(14)의 후면 상에서 의도한 플라즈마 처리가 수행될 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(2''')의 구성 예를 도시하는 도면이다. 본 명세서에 달리 개시된 것을 제외하고는, 기판 처리 장치(2''')는 본 명세서에 개시된 임의의 기판 처리 장치와 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 도 6을 참조하면, 전극(16A)은 기판(14)과 동일한 레벨, 스테이지(10)의 상단, 또는 단지 상기 상단 아래의 중의 하나 이상에 제공된다. 그 결과, 플라즈마는 주로 기판(14)의 측면 옆 및 기판(14)의 후면 아래에서 발생한다. 이 경우, 기판(14)의 상면에 대한 플라즈마 처리가 충분히 억제되면서, 기판(14)의 측면 및 후면에서 플라즈마 처리가 수행될 수 있다. 전극의 형상은 변경될 수 있거나 또는 전극과 스테이지(10) 사이의 거리는 다른 방법들로 조정될 수 있다.

Claims (10)

  1. 스테이지;
    상기 스테이지를 회전시키기 위한 구동 유닛;
    상기 스테이지의 외부 가장자리의 일부분만과 대면하는 전극;
    상기 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급 유닛;
    상기 전극과 상기 스테이지 사이의 갭에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치; 및
    상기 전극과 대면하며, 가변 커패시터를 통해 접지된 임피던스 조정 전극을 포함하며, 상기 임피던스 조정 전극은 상기 스테이지 위에 제공되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스테이지로부터 이격되도록 상기 스테이지 위에 제공된 마스크 블럭; 및
    상기 스테이지에 대하여 방사상으로 이동하는 가스 유동을 생성하도록 상기 스테이지와 상기 마스크 블럭 사이의 공간에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급 장치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 전극의 형상은 아크-형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 스테이지 위에 제공된 측정 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 측정 장치는 카메라, 온도계 또는 막 두께 측정 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 스테이지 상에, 상기 스테이지보다 큰 직경을 갖는 기판을 위치시키는 단계;
    상기 스테이지와 상기 스테이지의 외부 가장자리의 일부분과만 대면하는 전극 사이의 갭에서, 상기 전극에 고주파 전력을 공급하며 상기 전극을 관통하지 않고 상기 스테이지 위 또는 아래면으로부터 상기 갭에 가스를 공급함으로써, 플라즈마가 생성되는 동안 상기 스테이지를 회전시키는 단계; 및
    상기 전극과 대면하면서 가변 커패시터를 통해 접지된 임피던스 조정 전극으로 임피던스를 조정하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 플라즈마는 상기 기판의 측면 및 후면 상에 형성된 막을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 플라즈마는 상기 기판의 측면 및 후면 상에 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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