[go: up one dir, main page]

KR102810016B1 - 형광체 플레이트 및 발광 장치 - Google Patents

형광체 플레이트 및 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102810016B1
KR102810016B1 KR1020227031912A KR20227031912A KR102810016B1 KR 102810016 B1 KR102810016 B1 KR 102810016B1 KR 1020227031912 A KR1020227031912 A KR 1020227031912A KR 20227031912 A KR20227031912 A KR 20227031912A KR 102810016 B1 KR102810016 B1 KR 102810016B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
phosphor
plate
wavelength
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020227031912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220145852A (ko
Inventor
가즈야 스기타
다이요 야마우라
도모히로 노미야마
Original Assignee
덴카 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덴카 주식회사 filed Critical 덴카 주식회사
Publication of KR20220145852A publication Critical patent/KR20220145852A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102810016B1 publication Critical patent/KR102810016B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

본 발명의 형광체 플레이트(100)는, SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물의 소결물인 무기 모재와, 무기 모재 중에 포함되는 형광체를 포함하는 판상의 복합체를 구비하는 형광체 플레이트(100)이며, 형광체는 α형 사이알론 형광체를 포함하고, 당해 형광체 플레이트의, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1이라 했을 때, T1, R1이, 1.5×10-2≤T1/R1≤5.0×10-2를 충족하는 것이다.

Description

형광체 플레이트 및 발광 장치
본 발명은 형광체 플레이트 및 발광 장치에 관한 것이다.
지금까지 형광체 플레이트에 대해서 다양한 개발이 이루어져 왔다. 이러한 종류의 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 유리 매트릭스 중에 무기 형광체가 분산되어 이루어지는 파장 변환 부재가 기재되어 있다(특허문헌 1의 청구항 1). 동 문헌에 의하면, 파장 변환 부재의 형상은 한정되지 않고 판상이어도 된다고 기재되어 있다(단락 0054).
일본특허공개 제2015-199640호 공보
그러나, 본 발명자가 검토한 결과, 상기 특허문헌 1에 기재된 판상의 파장 변환 부재에 있어서, 외부 양자 효율의 점에서 개선의 여지가 있는 것이 판명되었다.
본 발명자는 더욱 검토한바, 상기 무기 형광체로서 α형 형광체를 사용했을 때, 형광체 플레이트에 있어서, 내부 양자 효율이나 외부 양자 효율이 저하될 우려가 있는 것을 발견했다. 이러한 지견에 기초하여 더욱 예의 연구한바, 여기광인 파장 455㎚의 T1/R1을 지표로 함으로써, 형광체 플레이트에 관한 광학 특성을 안정적으로 평가할 수 있고, 지표 T1/R1의 하한을 소정값 이상으로 함으로써, 형광체 플레이트의 외부 양자 효율이 개선되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명에 따르면,
SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물의 소결물인 무기 모재와, 상기 무기 모재 중에 포함되는 형광체를 포함하는 판상의 복합체를 구비하는 형광체 플레이트로서,
상기 형광체는, α형 사이알론 형광체를 포함하고,
하기의 수순으로 측정되는 당해 형광체 플레이트의, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1이라 했을 때,
T1, R1이 1.5×10-2≤T1/R1≤5.0×10-2를 충족하는, 형광체 플레이트가 제공된다.
(수순)
당해 형광체 플레이트에 있어서, 양자 효율 측정 장치를 사용하여, 파장 455㎚ 및 파장 600㎚의 각 파장에 있어서의, 반사광 및 투과광의 강도를 측정한다.
또한 본 발명에 따르면,
III족 질화물 반도체 발광 소자와,
상기 III족 질화물 반도체 발광 소자의 일면 상에 마련된, 상기 형광체 플레이트
를 구비하는, 발광 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 외부 양자 효율이 우수한 형광체 플레이트 및 그것을 사용한 발광 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시 형태의 형광체 플레이트의 구성의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 2의 (a)는 플립 칩형의 발광 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이고, (b)는 와이어 본딩형의 발광 소자의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 마찬가지 구성 요소에는 마찬가지인 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이고, 실제의 치수 비율과는 일치하지 않았다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트를 개략적으로 설명한다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트의 개요를 설명한다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트는, SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물의 소결물인 무기 모재와, 무기 모재 중에 포함되는 α형 사이알론 형광체를 포함하는 판상의 복합체를 구비하는 판상 부재로 구성된다.
형광체 플레이트는, 조사된 청색광을 주황색광으로 변환해서 발광하는 파장 변환체로서 기능할 수 있다.
형광체 플레이트는, 양자 효율 측정 장치를 사용하여 측정되는, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1이라 했을 때, T1, R1이 1.5×10-2≤T1/R1≤5.0×10-2를 충족하도록 구성된다.
본 발명자의 지견에 따르면, 여기광인 파장 455㎚의 T1/R1을 지표로 함으로써, 형광체 플레이트에 관한 광학 특성을 안정적으로 평가할 수 있고, 지표 T1/R1의 하한을 상기 상한값 이상으로 함으로써, 형광체 플레이트의 외부 양자 효율을 향상할 수 있는 것이 발견되었다.
상세한 메커니즘은 분명치는 않지만, 다음과 같이 생각된다.
T1은 파장 455㎚(청색광)의 투과광, R1은 파장 455㎚(청색광)의 반사율을 나타낸다. 이 파장 455㎚의 청색광은, 형광체 플레이트를 발광시키는 위한 여기광이 된다. 그 때문에, 파장 455㎚의 여기광이 형광체 플레이트에 보다 많이 흡수되는 것은, 광학 특성의 향상에 기여하게 된다.
금회, 지표 T1/R1이 커질수록, T1과 R1의 값 차가 커지는 것을 나타낸다. 여기서, T1은 R1과 비교하면 1/100 정도로 매우 작은 값, T1<<R1이 된다. 이 때문에, T1/R1이 커지는 것은, R1이, 작아지는 것, 즉 파장 455㎚의 여기광이 형광체 플레이트에 의해 흡수되어 있는 것을 나타낸다. 따라서, 지표 T1/R1의 하한을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 외부 양자 효율이 커진다고 생각된다.
형광체 플레이트에 있어서, 양자 효율 측정 장치를 사용하여 측정되는, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1, 파장 600㎚의 투과광의 강도를 T2 및 파장 600㎚의 반사광의 강도를 R2라 한다.
측정 대상의 형광체 플레이트는, 두께가 약 0.17㎜ 내지 0.22㎜인 것을 사용 해도 된다.
파장 455㎚나 파장 600㎚의 여기광의 입사각이 90도, 반사각·투과각이 45도로 해도 된다.
T1/R1의 하한은, 1.5×10-2 이상, 바람직하게는 1.6×10-2 이상, 보다 바람직하게는 1.7×10-2 이상이다. 이에 의해, 외부 양자 효율 및 내부 양자 효율을 향상할 수 있다.
T1/R1의 상한은, 예를 들어 5.0×10-2 이하, 바람직하게는 4.0×10-2 이하, 보다 바람직하게는 3.5×10-2 이하여도 된다.
형광체 플레이트는 T1, T2가, 8.0×10-2≤T1/T2≤2.5×10-1을 충족하도록 구성되어도 된다.
T1/T2의 하한은, 8.0×10-2 이상, 바람직하게는 9.0×10-2 이상, 보다 바람직하게는 1.0×10-1 이상이다. 이에 의해, 외부 양자 효율 및 내부 양자 효율을 향상할 수 있다.
T1/T2의 상한은, 예를 들어 2.5×10-1 이하, 바람직하게는 2.3×10-1 이하, 보다 바람직하게는 2.0×10-1 이하여도 된다.
형광체 플레이트는, 8.5×10-1≤T2/R2≤9.5×10-1을 충족하도록 구성되어도 된다.
T2/R2의 하한은, 8.5×10-1 이상, 바람직하게는 8.8×10-1 이상, 보다 바람직하게는 9.0×10-1 이상이다. 이에 의해, 외부 양자 효율 및 내부 양자 효율을 향상할 수 있다.
T2/R2의 상한은, 예를 들어 9.5×10-1 이하, 바람직하게는 9.4×10-1 이하, 보다 바람직하게는 9.3×10-1 이하여도 된다.
형광체 플레이트는 5.0≤R1/R2≤6.5를 충족하도록 구성되어도 된다.
R1/R2의 하한은 5.0 이상, 바람직하게는 5.1 이상, 보다 바람직하게는 5.2 이상이다. 이에 의해, 외부 양자 효율 및 내부 양자 효율을 향상할 수 있다.
R1/R2의 상한은, 예를 들어 6.5 이하, 바람직하게는 6.4 이하, 보다 바람직하게는 6.3이어도 된다.
본 실시 형태에서는, 예를 들어 형광체 플레이트 중의 α형 사이알론 형광체 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량, α형 사이알론 형광체나 형광체 플레이트의 조제 방법 등을 적절하게 선택함으로써, 상기 T1/R1, T1/T2, T2/R2 및 R1/R2를 제어하는 것이 가능하다. 이들 중에서도, 예를 들어 α형 사이알론 형광체의 제조 공정에 있어서 어닐 처리 및 산 처리를 적절하게 행하는 것 등이, 상기 T1/R1, T1/T2, T2/R2 및 R1/R2를 원하는 수치 범위로 하기 위한 요소로서 들 수 있다.
상기 형광체 플레이트에 의하면, 파장 455㎚의 청색광이 조사된 경우, 형광체 플레이트로부터 발해지는 파장 변환광의 피크 파장은 585㎚ 이상 605㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 이것에 의하면, 청색광을 발광하는 발광 소자에 형광체 플레이트를 조합함으로써, 휘도가 높은 주황색을 발광하는 발광 장치를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트의 구성에 대해서 상세하게 설명한다.
상기 형광체 플레이트를 구성하는 복합체 중은, α형 사이알론 형광체와 무기 모재가 혼재한 상태가 된다. 구체적으로는, 복합체는, 무기 모재를 구성하는 유리 매트릭스(SiO2의 소결물) 중에 α형 사이알론 형광체가 분산된 구조를 가져도 된다. 이 α형 사이알론 형광체는, 입자의 상태에서, 무기 모재(금속 산화물의 소결물) 중에 균일하게 분산되어 있어도 된다.
(α형 사이알론 형광체)
본 실시 형태의 α형 사이알론 형광체는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 Eu 원소를 함유하는 α형 사이알론 형광체를 포함하는 것이다.
(M)m(1-x)/p(Eu)mx/2(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n … 일반식 (1)
상기 일반식 (1) 중, M은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타나이드 원소(La와 Ce를 제외한다)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소를 나타내고, p는 M 원소의 가수, 0＜x＜0.5, 1.5≤m≤4.0, 0≤n≤2.0을 나타낸다. n은, 예를 들어 2.0 이하여도 되고, 1.0 이하여도 되고, 0.8 이하여도 된다.
α형 사이알론의 고용 조성은, α형 질화규소의 단위포(Si12N16)의 m개의 Si-N 결합을 Al-N 결합에, n개의 Si-N 결합을 Al-O 결합으로 치환하고, 전기 적중성을 유지하기 위해서, m/p개의 양이온(M, Eu)이 결정 격자 내에 침입 고용하고, 상기 일반식과 같이 표시된다. 특히 M으로서, Ca를 사용하면, 폭넓은 조성 범위에서 α형 사이알론이 안정화하고, 그 일부를 발광 중심이 되는 Eu로 치환함으로써, 자외로부터 청색의 폭넓은 파장 영역의 광으로 여기되어, 황색으로부터 주황색의 가시 발광을 나타내는 형광체가 얻어진다.
일반적으로, α형 사이알론은, 당해α형 사이알론과는 다른 제2 결정상이나 불가피하게 존재하는 비정질상 때문에, 조성 분석 등에 의해 고용 조성을 엄밀하게 규정할 수 없다. α형 사이알론의 결정상으로서는, α형 사이알론 단상이 바람직하고, 기타 결정상으로서 β형 사이알론, 질화알루미늄 또는 그 폴리타이포이드, Ca2Si5N8, CaAlSiN3 등을 포함하고 있어도 된다.
α형 사이알론 형광체의 제조 방법으로서는, 질화규소, 질화알루미늄 및 침입 고용 원소가 화합물을 포함하는 혼합 분말을 고온의 질소 분위기 중에서 가열해서 반응시키는 방법이 있다. 가열 공정에서 구성 성분의 일부가 액상을 형성하고, 이 액상으로 물질이 이동함으로써, α형 사이알론 고용체가 생성한다. 합성 후의 α형 사이알론 형광체는 복수의 등축상의 1차 입자가 소결해서 괴상의 2차 입자를 형성한다. 본 실시 형태에 있어서의 1차 입자란, 입자 내의 결정 방위가 동일해서, 단독으로 존재할 수 있는 최소 입자를 말한다.
α형 사이알론 형광체의 평균 입자경의 하한은, 5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, α형 사이알론 형광체의 평균 입자경의 상한은, 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다. α형 사이알론 형광체의 평균 입자경은 상기 2차 입자에 있어서의 치수이다. α형 사이알론 형광체의 평균 입자경을 5㎛ 이상으로 함으로써, 복합체의 투명성을 보다 높일 수 있다. 한편, α형 사이알론 형광체의 평균 입자경을 30㎛ 이하로 함으로써, 다이서 등으로 형광체 플레이트를 절단 가공할 때에, 칩핑이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
여기서, α형 사이알론 형광체의 평균 입자경이란, 입도 분포 측정 장치(마이크로트랙·벨 가부시키가이샤제 마이크로트랙 MT3000II)에 의해 측정해서 얻어지는 체적 기준 입도 분포에 있어서, 소입경 측으로부터의 통과분 적산(적산 통과분율) 50%의 입자경 D50을 말한다.
α형 사이알론 형광체의 함유량의 하한값은, 복합체 전체에 대하여, 체적 환산으로, 예를 들어 5Vol% 이상, 바람직하게는 10Vol% 이상, 보다 바람직하게는 15Vol% 이상이다. 이에 의해, 박층의 형광체 플레이트에 있어서의 발광 강도를 높일 수 있다. 또한, 형광체 플레이트의 광 변환 효율을 향상할 수 있다. 한편, α형 사이알론 형광체의 함유량의 상한값은, 복합체 전체에 대하여, 체적 환산으로, 예를 들어 50Vol% 이하, 바람직하게는 45Vol% 이하, 보다 바람직하게는 40Vol% 이하이다. 형광체 플레이트의 열전도성의 저하를 억제할 수 있다.
α형 사이알론 형광체 및 무기 모재의 함유량의 하한값은, 예를 들어 복합체 전체에 대하여, 체적 환산으로, 95Vol% 이상, 바람직하게는 98Vol% 이상, 보다 바람직하게는 99Vol% 이상이다. 즉, 형광체 플레이트를 구성하는 복합체는, α형 사이알론 형광체 및 무기 모재를 주성분으로서 포함하는 것을 의미한다. 이에 의해, 내구성을 높일 수 있는 데다가, 안정적인 발광 효율을 실현할 수 있다. 한편, α형 사이알론 형광체 및 무기 모재의 함유량의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 복합체 전체에 대하여, 체적 환산으로, 100Vol% 이하로 해도 된다.
상기 형광체 플레이트의 적어도 주면, 또는 주면 및 이면의 양면에 있어서의 표면이 표면 처리되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 다이아몬드 지석 등을 사용한 연삭, 랩핑, 폴리싱 등의 연마 등을 들 수 있다.
상기 형광체 플레이트의 주면에 있어서의 표면 조도 Ra는, 예를 들어 0.1㎛ 이상 2.0㎛ 이하, 바람직하게는 0.3㎛ 이상 1.5㎛ 이하이다.
한편, 상기 형광체 플레이트의 이면에 있어서의 표면 조도 Ra는, 예를 들어 0.1㎛ 이상 2.0㎛ 이하, 바람직하게는 0.3㎛ 이상 1.5㎛ 이하이다.
상기 표면 조도를 상기 상한값 이하로 함으로써, 광의 취출 효율이나, 면 내 방향에 있어서의 광 강도의 변동을 억제할 수 있다. 상기 표면 조도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 피착체와의 밀착성을 높일 것이 기대된다.
상기 형광체 플레이트에 있어서, 450㎚의 청색광에 있어서의 광선 투과율의 상한값은, 예를 들어 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 1% 이하이다. 이에 의해, 청색광이 형광체 플레이트를 투과하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 휘도가 높은 주황색을 발광할 수 있다. α형 사이알론 형광체의 함유량이나 형광체 플레이트의 두께를 적절하게 조정함으로써, 450㎚의 청색광에 있어서의 광선 투과율을 저감할 수 있다.
또한, 450㎚의 청색광에 있어서의 광선 투과율의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.01% 이상으로 해도 된다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트의 제조 공정에 대해서 상세하게 설명한다.
본 실시 형태의 형광체 플레이트의 제조 방법은, SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물 및 α형 사이알론 형광체를 포함하는 혼합물을 얻는 공정 (1)과, 얻어진 혼합물을 소성하는 공정 (2)를 가져도 된다.
공정 (1)에 있어서, 원료로서 사용하는 α형 사이알론 형광체나 금속 산화물의 분말은, 가능한 한 고순도인 것이 바람직하고, 구성 원소 이외의 원소의 불순물은 0.1% 이하인 것이 바람직하다.
원료 분말의 혼합은, 건식, 습식의 다양한 방법을 적용할 수 있지만, 원료로서 사용하는 α형 사이알론 형광체 입자가 최대한 분쇄되지 않고, 또한 혼합 시에 장치로부터의 불순물이 최대한 혼입되지 않는 방법이 바람직하다.
원료의 금속 산화물로서, 유리 분말(SiO2를 포함하는 분말)을 사용해도 된다.
유리 분말로서는, SiO2 분말(실리카 분말)이나, 일반적인 유리 원료를 사용할 수 있다. 이들을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
SiO2 분말은, 불가피하게 포함되는 SiO2 이외의 성분을 제외하고, SiO2만을 포함하는 것이다.
SiO2 분말을 소성해서 얻어진 유리(실리카 유리)의 연화점은, 예를 들어 약 1600 내지 1700℃가 된다. 실리카 유리 중의 SiO2의 함유량은, 예를 들어 질량 환산에서 98질량% 이상, 99질량% 이상이어도 된다.
일반적인 유리 원료는, SiO2 외에, 다른 성분을 포함해도 된다. 다른 성분으로서, 예를 들어 Al2O3, BaO, Sb2O3, SrO, Na2O, Na2O3, CaO, MgO, K2O, La2O3, CeO2, Y2O3, ZrO2, ZnO2, As2O3, TiO2, B2O3, Cr2O3, PbO, V2O5, SnO2 등을 들 수 있다. 또한, 열분해에 의해 이들의 금속 산화물이 되는 탄산염, 수산화물, 옥살산 염을 원료로 해서 배합해도 된다. 다른 성분을 포함함으로써 유리의 연화점이 낮아지도록 조정할 수 있다.
공정 (2)에 있어서, SiO2가 소결해서 유리 매트릭스를 구성하고, 그 유리 매트릭스 중에 α형 사이알론 형광체의 입자가 분산되어 이루어지는 형광체 플레이트를 성형한다. 혹은 SiO2를 용융하고, 용융한 유리 중에 형광체를 분산시키고, 라스를 판상으로 성형하고 냉각함으로써, 형광체 플레이트를 성형한다.
α형 사이알론 형광체는, 유리 중에 용융하지 않고 입자 상태에서 존재할 수 있다.
공정 (2)에서는, 소성 온도로서는, 유리의 연화점 ±400℃ 이내로 해도 되고, 바람직하게는 유리의 연화점 ±300℃ 이내여도 된다.
소성 방법은 상압 소결이든 가압 소결이든 상관없지만, α형 사이알론 형광체의 특성 저하를 억제하고, 또한 치밀한 복합체를 얻기 위해서, 상압 소결보다 치밀화시키기 쉬운 가압 소결이 바람직하다.
가압 소결 방법으로서는, 핫 프레스 소결이나 방전 플라스마 소결(SPS), 열간 등방 가압 소결(HIP) 등을 들 수 있다. 핫 프레스 소결이나 SPS 소결의 경우, 압력은 10㎫ 이상, 바람직하게는 30㎫ 이상이 바람직하고, 100㎫ 이하가 바람직하다.
소성 분위기는 α형 사이알론의 산화를 방지할 목적으로, 질소나 아르곤 등의 비산화성의 불활성 가스, 혹은 진공 분위기 하가 바람직하다.
이상에 의해, 본 실시 형태의 형광체 플레이트가 얻어진다.
얻어진 형광체 플레이트 중의 판상의 복합체 표면은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서 연마 처리, 플라스마 처리나 표면 코트 처리 등의 공지된 표면 처리 등이 실시되어도 된다.
본 실시 형태의 발광 장치에 대해서 설명한다.
본 실시 형태의 발광 장치는, III족 질화물 반도체 발광 소자(발광 소자(20))와, III족 질화물 반도체 발광 소자의 일면 상에 마련된 상기 형광체 플레이트(10)를 구비하는 것이다. III족 질화물 반도체 발광 소자는, 예를 들어 AlGaN, GaN, InAlGaN계 재료 등의 III족 질화물 반도체로 구성되는, n층, 발광층 및 p층을 구비하는 것이다. III족 질화물 반도체 발광 소자로서, 청색광을 발광하는 청색 LED를 사용할 수 있다.
형광체 플레이트(10)는 발광 소자(20)의 일면 상에 직접 배치되어도 되지만, 광투과성 부재 또는 스페이서를 개재하여 배치될 수 있다.
발광 소자(20) 상에 배치되는 형광체 플레이트(10)는, 도 1에 도시한 원판 형상의 형광체 플레이트(100)(형광체 웨이퍼)를 사용해도 되지만, 형광체 플레이트(100)를 개편화한 것을 사용할 수 있다.
도 1은 형광체 플레이트의 구성의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 1에 도시한 형광체 플레이트(100)의 두께의 하한은, 예를 들어 50㎛ 이상, 바람직하게는 80㎛ 이상, 보다 바람직하게는 100㎛ 이상이다. 형광체 플레이트(100)의 두께의 상한은, 예를 들어 1㎜ 이하, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하이다.
형광체 플레이트(100)의 두께는, 상기 제조 공정에서 얻어진 후, 연삭 등에 의해, 적당히 조정될 수 있다.
또한, 원판 형상의 형광체 플레이트(100)는, 사각 형상의 경우에 비하여, 각부에 있어서의 절결이나 균열의 발생이 억제되기 때문에, 내구성이나 반송성이 우수하다.
상기 반도체 장치의 일례를, 도 2의 (a), (b)에 나타낸다. 도 2의 (a)는 플립 칩형의 발광 장치(110)의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 2의 (b)는 와이어 본딩형의 발광 장치(120)의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)의 발광 장치(110)는, 기판(30)과, 땜납(40)(다이 본드재)을 개재해서 기판(30)과 전기적으로 접속된 발광 소자(20)와, 발광 소자(20)의 발광면 상에 마련된 형광체 플레이트(10)를 구비한다. 플립 칩형의 발광 장치(110)는, 페이스 업형 및 페이스 다운형의 어느 구조여도 된다.
또한, 도 2의 (b)의 발광 장치(120)는, 기판(30)과, 본딩 와이어(60) 및 전극(50)을 개재해서 기판(30)과 전기적으로 접속된 발광 소자(20)와, 발광 소자(20)의 발광면 상에 마련된 형광체 플레이트(10)를 구비한다.
도 2 중, 발광 소자(20)와 형광체 플레이트(10)란, 공지된 방법으로 첩부되어 있고, 예를 들어 실리콘계 접착제나 열 융착 등의 방법으로 접합되어도 된다.
또한, 발광 장치(110), 발광 장치(120)는, 전체가 투명 밀봉재로 밀봉되어 있어도 된다.
또한, 기판(30)에 실장된 발광 소자(20)에 대하여, 개편화된 형광체 플레이트(10)를 첩부해도 된다. 대면적의 형광체 플레이트(100)에 복수의 발광 소자(20)를 첩부하고 나서, 다이싱에 의해, 형광체 플레이트(10)를 구비한 발광 소자(20) 마다 개편화해도 된다. 또한, 복수의 발광 소자(20)가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼에, 대면적의 형광체 플레이트(100)를 첩부하고, 그 후, 반도체 웨이퍼와 형광체 플레이트(100)를 일괄해서 개편화해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함된다.
실시예
이하, 본 발명에 대해서 실시예를 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재에 전혀 한정되는 것은 아니다.
<α형 사이알론 형광체의 제조>
이하의 수순에 기초하여, α형 사이알론 형광체 A 내지 C를 제작했다.
(실시예 1: α형 사이알론 형광체 A)
<혼합>
글로브 박스 내에서, 원료 분말의 배합 조성으로서, 질화규소 분말(우베 고산 가부시키가이샤제, E10 그레이드)을 62.4질량부, 질화알루미늄 분말(도꾸야마 가부시키가이샤제, E 그레이드)을 22.5질량부, 산화 유로퓸 분말(신에쯔 가가꾸 고교사제 RU 그레이드)을 2.2질량부, 질화 칼슘 분말(고쥰도 가가꾸 겐뀨쇼사제)을 12.9질량부로 하고, 원료 분말을 드라이 블렌드 후, 눈 크기 250㎛의 나일론제 체를 통과시켜서 원료 혼합 분말을 얻었다. 그 원료 혼합 분말 120g을, 내부의 용적이 0.4리터인 덮개를 갖는 원통형 질화붕소제 용기(덴카 가부시키가이샤제, N-1 그레이드)에 충전했다.
<소성>
이 원료 혼합 분말을 용기째로 카본 히터의 전기로로 대기압 질소 분위기 중, 1800℃에서 16시간의 가열 처리를 행하였다. 원료 혼합 분말에 포함되는 질화 칼슘은, 공기 중에서 용이하게 가수 분해하기 쉬우므로, 원료 혼합 분말을 충전한 질화붕소제 용기는 글로브 박스로부터 꺼낸 후, 빠르게 전기로에 세트하고, 즉시 진공 배기하여, 질화 칼슘의 반응을 방지했다. 합성물은 유발로 가볍게 해쇄하고, 눈 크기 150㎛인 체를 전통시켜서, 형광체 분말을 얻었다.
<어닐>
얻어진 형광체 분말을, 내부의 용적이 0.4리터인 덮개를 갖는 원통형 질화붕소제 용기에 충전하고, 전기로로, 수소 분위기 중, 1450℃에서 8시간의 어닐 처리를 행하였다.
<산 처리>
이어서, 50% 불산 50ml와, 70% 질산 50ml를 혼합해서 혼합 원액으로 하였다. 혼합 원액에 증류수 300ml를 더하여, 혼합 원액의 농도를 25%로 희석하고, 혼산 수용액 400ml를 조제했다. 이 혼산 수용액에, 상술한α형 사이알론 형광체 입자를 포함하는 분말 30g을 첨가하고, 혼산 수용액의 온도를 80℃로 유지하고, 자기 교반 막대를 사용해서 회전 속도 500rpm으로 교반하면서, 60분 침지하는 산 처리를 실시했다. 산 처리 후의 분말은, 증류수로 충분히 산을 씻어 버려서 여과하고, 건조시킨 후, 눈 크기 45㎛인 체를 통과시켜서 실시예 1의 α형 사이알론 형광체 입자를 포함하는 분말을 제작했다.
(실시예 2: α형 사이알론 형광체 B)
실시예 1에서 사용한 혼산 수용액을 사용하여, 혼산 수용액의 온도를 80℃로 유지하고, 자기 교반 막대를 사용해서 회전 속도 300rpm으로 교반하면서, 60분 침지하는 산 처리를 실시한 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지인 수순으로 실시예 2의 α형 사이알론 형광체 입자를 포함하는 분말을 제작했다.
(비교예 1: α형 사이알론 형광체 C)
<혼합>
글로브 박스 내에서, 원료 분말의 배합 조성으로서, 질화규소 분말(우베 고산 가부시키가이샤제, E10 그레이드)을 62.4질량부, 질화알루미늄 분말(도꾸야마 가부시키가이샤제, E그레이드)을 22.5질량부, 산화 유로퓸 분말(신에쯔 가가꾸 고교사제 RU그레이드)을 2.2질량부, 질화 칼슘 분말(고쥰도 가가꾸 겐뀨쇼사제)을 12.9질량부로 하고, 원료 분말을 드라이 블렌드 후, 눈 크기 250㎛의 나일론제 체를 통과시켜서 원료 혼합 분말을 얻었다. 그 원료 혼합 분말 120g을, 내부의 용적이 0.4리터인 덮개를 갖는 원통형 질화붕소제 용기(덴카 가부시키가이샤제, N-1 그레이드)에 충전했다.
<소성>
이 원료 혼합 분말을 용기째로 카본 히터의 전기로로 대기압 질소 분위기 중, 1800℃에서 16시간의 가열 처리를 행하였다. 원료 혼합 분말에 포함되는 질화 칼슘은, 공기 중에서 용이하게 가수 분해하기 쉬우므로, 원료 혼합 분말을 충전한 질화붕소제 용기는 글로브 박스로부터 꺼낸 후, 빠르게 전기로에 세트하고, 즉시 진공 배기하여, 질화 칼슘의 반응을 방지했다. 합성물은 유발로 가볍게 해쇄하고, 눈 크기 150㎛인 체를 전통시켜서, α형 사이알론 형광체 C를 포함하는 형광체 분말을 얻었다.
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 얻어진 형광체 분말에 대해서, CuKα선을 사용한 분말 X선 회절 측정(XRD 측정)에 의해 결정상을 조사한바, 결정상은, 모두 Eu 및 Ca를 포함하는 α형 사이알론인 것을 확인했다. 또한, α형 사이알론형 형광체 A 내지 C 모두, 상기의 일반식 (1)을 충족하는 것이었다.
(실시예 1)
실시예 1의 형광체 플레이트의 원료로서, 유리 분말, Ca-α형 사이알론 형광체(얻어진 α형 사이알론 형광체 A, 평균 입경 D50: 15㎛)를 사용했다. 유리 분말과, Ca-α형 사이알론 형광체 분말을 소정량비로, 마노 유발에 의해 건식 혼합했다. 혼합 후의 원료를 눈 크기 75㎛의 나일론제 메쉬체를 통과시켜서 응집을 풀고, 원료 혼합 분말을 얻었다. 또한, 원료의 진밀도(유리 분말: 3.70g/㎤, Ca-α형 사이알론 형광체: 3.34g/㎤)로부터 산출한 배합비는, 유리 분말: Ca-α형 사이알론 형광체=70:30체적%이다.
약 11g의 원료 혼합 분말을 카본제 하부 펀치를 세트한 내경 30㎜의 카본제 다이스에 충전하고, 카본제 상부 펀치를 세트하고, 원료 분말을 끼워 넣었다. 또한, 원료 혼합 분말과 카본 지그 사이에는 고착 방지를 위해, 두께 0.127㎜의 카본 시트(GraTech사 제조, GRAFOIL)를 세트했다.
이 원료 혼합 분말을 충전한 핫 프레스 지그를 카본 히터의 다목적 고온 로(후지 덴파 고교 가부시키가이샤제, 하이 멀티 5000)에 세트했다. 로 내를 0.1㎩ 이하까지 진공 배기하고, 감압 상태를 유지한 채, 상하 펀치를 55㎫의 프레스압으로 가압했다. 가압 상태를 유지한 채, 매분 5℃의 속도로 1450℃까지 승온했다. 1450℃에 도달 후, 가열을 멈추고, 실온까지 서랭하고, 제압했다. 그 후, 외경 30㎜의 소성물을 회수하고, 평면 연삭반과 원통 연삭반을 사용하여, 외주부를 연삭하고, 직경 25㎜, 두께 1.5㎜인 원판상의 형광체 플레이트를 얻었다.
실시예 1의 형광체 플레이트를 연마해서 SEM 관찰을 실시한 결과, 유리 매트릭스상 사이에 Ca-α형 사이알론 형광체 입자가 분산한 상태가 관찰되었다.
또한, JIS B0601:1994에 준거하여, 표면 조도 측정기(미츠토요제, SJ-400)를 사용하여 측정한 실시예 1의 형광체 플레이트의 주면의 표면 조도 Ra가 1.0㎛이고, 주면과는 반대측의 이면의 표면 조도 Ra가 1.0㎛였다.
(실시예 2)
Ca-α형 사이알론 형광체로서, 얻어진 α형 사이알론 형광체 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 원판상의 형광체 플레이트를 얻었다.
(비교예 1)
Ca-α형 사이알론 형광체로서, 얻어진 α형 사이알론 형광체 C를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 원판상의 형광체 플레이트를 얻었다.
Figure 112022096648180-pct00001
표 1 중, T1은, 파장 455㎚ 투과광의 강도, T2는, 파장 600㎚ 투과광의 강도, R1은, 파장 455㎚ 반사광의 강도, R2는, 파장 600㎚ 반사광의 강도를 나타낸다.
얻어진 형광체 플레이트에 대해서 이하의 평가 항목에 대해서 평가를 행하였다.
얻어진 두께 1.5㎜인 원판상의 형광체 플레이트의, 표 1에 나타내는 두께까지 얇게 가공하고, 시험용 플레이트를 제작했다.
[광학 특성]
얻어진 시험용 플레이트를 사용하여, 발광 스펙트럼을 측정했다. 그 결과, 어느 발광 스펙트럼에 있어서, 파장이 595㎚ 이상 605㎚, 즉 주황색광(Orange)의 파장 영역에, 최대의 발광 강도를 나타냈다.
[반사광, 투과광의 강도]
얻어진 시험용 플레이트에 대해서, 여기광: 455㎚ 및 600㎚에 있어서의, 반사광(R1, R2)이나 투과광(T1, T2)을, 독립적으로 평가하는 시스템을 갖는 양자 효율 측정 장치(QE-2100HMB, 오츠카 덴시 가부시키가이샤제)를 사용하여 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[흡수율, 반사율, 투과율, 외부 양자 효율, 내부 양자 효율]
또한, 얻어진 시험용 플레이트에 대해서, [반사광, 투과광의 강도]와 마찬가지로 하여, 양자 효율 측정 장치(QE-2100HMB, 오츠카 덴시 가부시키가이샤제)를 사용하여, 455㎚에 있어서의, 흡수율, 반사율, 투과율, 외부 양자 효율, 내부 양자 효율을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
즉, 측정하는 실시예, 비교예의 형광체 플레이트를, 적분구의 개구부에 설치했다. 이 적분구 내에, 발광 광원(Xe 램프)으로부터 455㎚의 파장으로 분광한 단색광을, 광 파이버를 사용해서 형광체의 여기광으로서 도입했다. 이 단색광을 형광체 플레이트에 조사하고, 형광체 플레이트의 형광 스펙트럼을 양자 효율 측정 장치를 사용하여 측정했다.
얻어진 스펙트럼 데이터로부터, 여기 반사광 포톤수(Qref) 및 형광 포톤수(Qem)를 산출했다. 여기 반사광 포톤수는, 여기광 포톤수와 동일한 파장 범위에서, 형광 포톤수는, 480 내지 800㎚의 범위에서 산출했다.
또한 동일한 장치를 사용하여, 적분구의 개구부에 반사율이 99%인 표준 반사판(Labsphere사제 스펙트랄론(등록상표))을 설치하고, 파장 455㎚의 여기광의 스펙트럼을 측정했다. 그 때, 435 내지 470㎚의 파장 범위의 스펙트럼으로부터 여기광 포톤수(Qex)를 산출했다.
실시예, 비교예의 각 형광체에 455㎚ 광 흡수율, 내부 양자 효율, 다음에 나타내는 계산식에 의해, 구하였다.
455㎚ 광 흡수율=((Qex-Qref)/Qex)×100
내부 양자 효율=(Qem/(Qex-Qref))×100
또한, 외부 양자 효율은, 이하에 나타내는 계산식에 의해 구해지고,
외부 양자 효율=(Qem/Qex)×100
따라서, 상기 식으로부터 외부 양자 효율은 이하에 나타내는 관계가 된다.
외부 양자 효율=455㎚ 광 흡수율×내부 양자 효율
실시예 1, 2의 형광체 플레이트는, 비교예 1에 비하여, 내부 양자 효율 및 외부 양자 효율이 우수한 결과를 나타냈다. 따라서, 실시예 1, 2의 형광체 플레이트를 사용함으로써, 휘도가 우수한 발광 장치를 실현할 수 있다.
이 출원은 2020년 3월 4일에 출원된 일본출원 특원2020-036876호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시 모두를 여기에 도입한다.
10 : 형광체 플레이트
20 : 발광 소자
30 : 기판
40 : 땜납
50 : 전극
60 : 본딩 와이어
70 : 오목부
100 : 형광체 플레이트
100 : 발광 장치
120 : 발광 장치
130 : LED 패키지

Claims (10)

  1. SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물의 소결물인 무기 모재와, 상기 무기 모재 중에 포함되는 형광체를 포함하는 판상의 복합체를 구비하는 형광체 플레이트로서,
    상기 형광체는, α형 사이알론 형광체를 포함하고,
    하기의 수순으로 측정되는 당해 형광체 플레이트의, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1이라 했을 때,
    T1, R1이, 1.5×10-2≤T1/R1≤5.0×10-2를 충족하는, 형광체 플레이트.
    (수순)
    당해 형광체 플레이트에 있어서, 양자 효율 측정 장치를 사용하여, 파장 455㎚ 및 파장 600㎚의 각 파장에 있어서의, 반사광 및 투과광의 강도를 측정한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 수순으로 측정되는 당해 형광체 플레이트의, 파장 455㎚의 투과광의 강도를 T1, 파장 600㎚의 투과광의 강도를 T2라 했을 때,
    T1, T2가, 8.0×10-2≤T1/T2≤2.5×10-1을 충족하는, 형광체 플레이트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기의 수순으로 측정되는 당해 형광체 플레이트의, 파장 600㎚의 투과광의 강도를 T2, 파장 600㎚의 반사광의 강도를 R2라 했을 때,
    T2, R2가, 8.5×10-1≤T2/R2≤9.5×10-1을 충족하는, 형광체 플레이트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기의 수순으로 측정되는 당해 형광체 플레이트의, 파장 455㎚의 반사광의 강도를 R1, 파장 600㎚의 반사광의 강도를 R2라 했을 때,
    R1, R2가, 5.0≤R1/R2≤6.5를 충족하는, 형광체 플레이트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 α형 사이알론 형광체의 함유량이, 상기 α형 사이알론 형광체와 상기 SiO2를 포함하는 2종류 이상의 금속 산화물과의 합계 체적 100Vol% 중, 체적 환산으로, 5Vol% 이상 50Vol% 이하인, 형광체 플레이트.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 α형 사이알론 형광체의 평균 입자경 D50이, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인, 형광체 플레이트.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 당해 형광체 플레이트의 두께가, 50㎛ 이상 300㎛ 이하인, 형광체 플레이트.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조사된 청색광을 주황색광으로 변환해서 발광하는 파장 변환체로서 사용하는, 형광체 플레이트.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 455㎚의 청색광에 있어서의 광선 투과율이 10% 이하인, 형광체 플레이트.
  10. III족 질화물 반도체 발광 소자와,
    상기 III족 질화물 반도체 발광 소자의 일면 상에 마련된 제1항 또는 제2항에 기재된 형광체 플레이트
    를 구비하는, 발광 장치.
KR1020227031912A 2020-03-04 2021-02-01 형광체 플레이트 및 발광 장치 Active KR102810016B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020036876 2020-03-04
JPJP-P-2020-036876 2020-03-04
PCT/JP2021/003451 WO2021176912A1 (ja) 2020-03-04 2021-02-01 蛍光体プレート、及び発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220145852A KR20220145852A (ko) 2022-10-31
KR102810016B1 true KR102810016B1 (ko) 2025-05-21

Family

ID=77614005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227031912A Active KR102810016B1 (ko) 2020-03-04 2021-02-01 형광체 플레이트 및 발광 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230113551A1 (ko)
JP (1) JP7432705B2 (ko)
KR (1) KR102810016B1 (ko)
TW (1) TWI865724B (ko)
WO (1) WO2021176912A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12284848B2 (en) * 2019-10-23 2025-04-22 Denka Company Limited Phosphor plate, light emitting device, and method for manufacturing phosphor plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
JP2019105826A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102643645B (zh) * 2006-05-10 2014-05-07 电气化学工业株式会社 赛隆荧光粉及其制备方法以及使用该荧光粉的照明器具和发光元件
JP2007324475A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
US8337032B2 (en) * 2008-03-26 2012-12-25 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting apparatus
JP5614675B2 (ja) 2010-02-16 2014-10-29 独立行政法人物質・材料研究機構 波長変換部材の製造方法
EP3133135B1 (en) * 2011-01-18 2019-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
JP2014003070A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Sharp Corp 発光装置および照明装置
JP2014201726A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 スタンレー電気株式会社 セラミック蛍光体、その製造方法及び発光装置
EP3211462A4 (en) * 2014-10-24 2018-07-11 Denka Company Limited Wavelength converter, light-emitting device using same, and production method for wavelength converter
US10324242B2 (en) * 2015-09-07 2019-06-18 Nichia Corporation Optical component and light emitting device
TWI642755B (zh) * 2016-02-12 2018-12-01 Materion Corporation 藉由使用表面奈米結構來強化光泵磷光體的輸出
EP3438229B1 (en) * 2016-03-29 2021-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation Fluorescent body, light-emitting device, illuminating apparatus, and image display apparatus
DE102016220928B4 (de) * 2016-10-25 2023-02-23 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
JP7078509B2 (ja) * 2018-10-04 2022-05-31 デンカ株式会社 複合体、発光装置および複合体の製造方法
JP7249299B2 (ja) * 2020-02-21 2023-03-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法
JP7249298B2 (ja) * 2020-02-21 2023-03-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
JP2019105826A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202135344A (zh) 2021-09-16
JPWO2021176912A1 (ko) 2021-09-10
US20230113551A1 (en) 2023-04-13
TWI865724B (zh) 2024-12-11
KR20220145852A (ko) 2022-10-31
JP7432705B2 (ja) 2024-02-16
WO2021176912A1 (ja) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7519372B2 (ja) 蛍光体プレート、発光装置および蛍光体プレートの製造方法
JP7676481B2 (ja) 蛍光体プレートおよびそれを用いた発光装置
KR102810016B1 (ko) 형광체 플레이트 및 발광 장치
KR102859702B1 (ko) 형광체 플레이트 및 그것을 사용한 발광 장치
KR102859701B1 (ko) 형광체 플레이트 및 그것을 사용한 발광 장치
KR102826140B1 (ko) 형광체 플레이트 및 발광 장치
KR102823757B1 (ko) 형광체 플레이트 및 발광 장치
JP7587680B2 (ja) 蛍光体プレート、及び発光装置
KR102921856B1 (ko) 형광체 플레이트, 발광 장치 및 형광체 플레이트의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20220915

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20240919

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20250429

PG1601 Publication of registration