KR102818489B1

KR102818489B1 - 표시 장치

Info

Publication number: KR102818489B1
Application number: KR1020200065861A
Authority: KR
Inventors: 주선규; 오근찬; 김장수; 박재철; 이각석
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-06-01
Filing date: 2020-06-01
Publication date: 2025-06-11
Anticipated expiration: 2040-06-01
Also published as: US20210376021A1; EP3937249A2; US12490619B2; CN113764481A; KR20210149271A; EP3937249A3

Abstract

표시 장치는 하부 기판, 하부 기판 상에 배치되고, 제1 개구 및 제1 개구로부터 제1 방향으로 이격된 제2 개구를 포함하는 화소 정의막, 제1 개구 및 제2 개구에 각기 배치되는 발광층, 발광층 상에 배치되는 상부 기판 및 상부 기판 상에 배치되고, 제1 개구와 부분적으로 중첩하는 제3 개구 및 제2 개구와 부분적으로 중첩하는 제4 개구를 포함하는 차광 부재를 포함하고, 상부 기판의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 개구와 제3 개구가 중첩된 제1 형상과 제2 개구와 제4 개구가 중첩된 제2 형상은 가상선 에 대하여 대칭일 수 있다. 이에 따라, 표시 장치는 상부 구조물과 하부 구조물의 결합 시 가로 방향으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 상부 구조물 및 하부 구조물을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.

최근 양자점층 및 컬러 필터를 포함하는 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 표시 장치는 하부 기판 및 상부 기판을 포함할 수 있다. 표시 장치의 제조 과정에 있어서, 상기 하부 기판의 상면 상에서 반도체 소자들, 하부 전극들, 발광층, 상부 전극 등이 형성될 수 있고, 상기 상부 기판의 저면 상에서 상기 양자점층 및 상기 컬러 필터가 형성될 수 있다. 그 다음, 상기 하부 기판의 상기 상면과 상기 상부 기판의 상기 저면이 마주보도록 위치시킨 후, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판이 실링 부재에 의해 결합되어 상기 표시 장치가 제조될 수 있다. 다만, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판이 실링되는 공정에서, 얼라인 틀어짐이 발행하여 상기 표시 장치의 불량이 발생하고 있다.

본 발명의 목적은 상부 구조물 및 하부 구조물을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.

그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 하부 기판, 상기 하부 기판 상에 배치되고, 제1 개구 및 상기 제1 개구로부터 제1 방향으로 이격된 제2 개구를 포함하는 화소 정의막, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구에 각기 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 상부 기판 및 상기 상부 기판 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 부분적으로 중첩하는 제3 개구 및 상기 제2 개구와 부분적으로 중첩하는 제4 개구를 포함하는 차광 부재를 포함하고, 상기 상부 기판의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 제1 개구와 상기 제3 개구가 중첩된 제1 형상과 상기 제2 개구와 상기 제4 개구가 중첩된 제2 형상은 가상선 에 대하여 대칭일 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 상기 제2 개구에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광은 동일한 색을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재의 상기 제3 개구 및 상기 제4 개구에 각기 배치되는 제1 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 컬러 필터는 제1 색을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 컬러 필터 아래에 배치되고, 상기 제1 색을 투과시키는 제1 광학 필터를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층과 상기 하부 기판 사이에 배치되는 제1 및 제2 하부 전극들을 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 하부 전극의 일부가 상기 화소 정의막의 상기 제1 개구에 의해 노출되고, 상기 제2 하부 전극의 일부가 상기 화소 정의막의 상기 제2 개구에 의해 노출될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각은 제1 부분 및 상기 제1 부분과 마주보는 제2 부분을 포함하고, 상기 차광 부재는 상기 제1 하부 전극의 상기 제1 부분 및 상기 제2 하부 전극의 제2 부분과 중첩할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 제1 개구와 상기 제2 개구 사이에 위치하는 제5 개구 및 상기 제2 개구로부터 상기 제1 방향으로 이격된 제6 개구를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 제5 개구와 중첩하고, 상기 제5 개구보다 큰 제7 개구 및 상기 제6 개구와 중첩하고, 상기 제6 개구보다 큰 제8 개구를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 제5 개구와 부분적으로 중첩하는 제7 개구 및 상기 제6 개구와 부분적으로 중첩하는 제8 개구를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 기판의 상기 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 제5 개구와 상기 제7 개구가 중첩된 제3 형상과 상기 제6 개구와 상기 제8 개구가 중첩된 제4 형상은 상기 가상선 에 대하여 대칭일 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 형상과 상기 제3 형상은 동일하고, 상기 제2 형상과 상기 제4 형상은 동일할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재의 상기 제7 개구 및 상기 제8 개구에 각기 배치되는 제2 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 컬러 필터는 제2 색을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 컬러 필터 아래에 배치되고, 상기 제2 색을 투과시키는 제2 광학 필터를 더 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 상부 기판의 저면 상에 배치될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 가상선 은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 형상과 상기 제2 형상 사이에 위치할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 기판은 상기 하부 기판과 대향할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 제1 무기 박막 봉지층, 상기 제1 무기 박막 봉지층 상에 배치되는 유기 박막 봉지층 및 상기 유기 박막 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 상부 구조물과 하부 구조물의 결합 시 가로 방향으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 상부 구조물과 하부 구조물의 결합 시 가로 방향 및 세로 방향으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 정의막을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 'A'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 7은 도 6의 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 도 6의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 내지 도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16은본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 17은 도 16의 'B'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 18은 도 17의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다.
도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 19의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 22는 도 21의 표시 장치에 포함된 화소 정의막을 설명하기 위한 평면도이다.
도 23은 도 21의 표시 장치에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 24는 도 21의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다.
도 25는 도 21의 'C'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 26 내지 28은 도 21의 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 29는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 30은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 정의막을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 도 1의 표시 장치에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다.

도 1, 2, 3 및 4를 참조하면, 표시 장치(100)는 하부 구조물(500) 및 상부 구조물(600)을 포함할 수 있다. 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)은 직접적으로 접촉할 수 있고, 표시 장치(100)의 최외곽에 배치되는 실링 부재에 의해 밀봉 결합될 수 있다. 예를 들면, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)이 서로 독립적으로 제조될 수 있고, 하부 구조물(500) 상에 상부 구조물(600)을 위치시킨 후, 상기 실링 부재에 의해 밀봉 결합될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 영역(10)은 복수의 화소 영역들(30)을 포함할 수 있다. 복수의 화소 영역들(30)은 매트릭스 형태로 표시 영역(10)에 전체적으로 배열될 수 있다. 화소 영역들(30) 각각은 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33)을 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)의 상면과 평행한 제1 방향(D1)을 따라 제2 서브 화소 영역(32), 제3 서브 화소 영역(33) 및 제1 서브 화소 영역(31)이 순서대로 배열될 수 있고, 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각의 크기보다 제1 서브 화소 영역(31)의 크기가 상대적으로 더 작을 수 있다.

예를 들면, 표시 영역(10)에는 화소 구조물들(예를 들어, 반도체 소자, 발광 구조물 등)이 배치될 수 있고, 주변 영역(20)에는 상기 실링 부재, 신호 배선들, 전원 배선들 등이 배치될 수 있다.

다만, 본 발명에 있어서, 화소 영역들(30) 각각에 포함된 제2 서브 화소 영역(32), 제3 서브 화소 영역(33) 및 제1 서브 화소 영역(31)의 배열이 제1 방향(D1)을 따라 배열되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 서브 화소 영역(31)이 제2 서브 화소 영역(32)으로부터 제1 방향(D1)과 반대되는 제2 방향(D2)으로 이격하여 위치할 수도 있다. 이와는 달리, 제1 서브 화소 영역(31)이 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33)으로부터 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 직교하는 제3 방향(D3) 또는 제3 방향(D3)에 반대되는 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치할 수도 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 제2 서브 화소 영역(32)의 크기와 제3 서브 화소 영역(33)의 크기가 동일한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제2 서브 화소 영역(32)의 크기가 제3 서브 화소 영역(33)의 크기보다 크거나 작을 수도 있다. 다만, 제2 서브 화소 영역(32)의 크기가 제3 서브 화소 영역(33)의 크기보다 작더라도, 제2 서브 화소 영역(32)의 크기는 제1 서브 화소 영역(31)보다 클 수 있다.

또한, 본 발명의 화소 영역(30)이 3개의 서브 화소 영역들(31, 32, 33)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 화소 영역(30)은 2개의 서브 화소 영역들 또는 적어도 4개의 서브 화소 영역들을 포함할 수도 있다.

더욱이, 본 발명의 표시 영역(10), 주변 영역(20), 화소 영역(30), 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 하부 구조물(500)은 하부 기판(110), 화소 정의막(310) 등을 포함할 수 있다. 하부 기판(110) 상에 화소 정의막(310)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 화소 개구들(311) 및 소형 화소 개구들(312)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 개구들(311)은 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각과 대응될 수 있고, 소형 화소 개구들(312)은 제1 서브 화소 영역(31)과 대응될 수 있다. 다시 말하면, 화소 개구들(311) 각각의 크기는 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있고, 소형 화소 개구들(312) 각각의 크기는 제1 서브 화소 영역(31)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상부 구조물(600)은 상부 기판(410), 차광 부재(420) 등을 포함할 수 있다. 상부 기판(410)의 저면 상에 차광 부재(420)가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구들(422)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 개구들(311) 상에 개구들(421)이 각기 위치할 수 있고, 소형 화소 개구들(312) 상에 소형 개구들(422)이 각기 위치할 수 있다. 또한, 개구들(421) 각각의 크기는 화소 개구들(311) 각각의 크기보다 클 수 있고, 소형 개구들(422) 각각의 크기는 소형 화소 개구들(312) 각각의 크기보다 클 수 있다.

예를 들면, 화소 정의막(310)의 화소 개구들(311) 및 소형 화소 개구들(312)에 발광층이 배치될 수 있고, 상기 발광층으로부터 방출된 광이 차광 부재(420)의 개구들(421) 및 소형 개구들(422)을 통해 외부로 방출될 수 있다.

도 5는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이고, 도 6은 도 5의 'A'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다. 도 7은 도 6의 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 설명하기 위한 평면도이다.

도 5, 6 및 7을 참조하면, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 화소 개구들(311)과 개구들(421)이 각기 중첩하여 위치할 수 있다. 다시 말하면, 개구들(421) 각각은 화소 개구들(311) 각각을 완전히 커버할 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 소형 화소 개구들(312) 각각과 소형 개구들(422) 각각이 부분적으로 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 소형 화소 개구들(312) 각각은 소형 개구들(422) 각각을 부분적으로 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소형 개구들(422) 중 일부는 소형 화소 개구(312) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 상기 소형 화소 개구(312)의 좌측부와 중첩하지 않을 수 있고, 소형 개구들(422) 중 나머지는 소형 화소 개구(312) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 소형 화소 개구(312)의 우측부와 중첩하지 않을 수 있다.

예를 들면, 도 6에는 도시된 바와 같이, 화소 개구들(311)은 제1 화소 개구(311_1)(예를 들어, 제5 개구), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3)(예를 들어, 제6 개구) 및 제4 화소 개구(311_4)를 포함할 수 있고, 소형 화소 개구들(312)은 제1 소형 화소 개구(312_1)(예를 들어, 제1 개구) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)(예를 들어, 제2 개구)를 포함할 수 있다. 또한, 개구들(421)은 제1 개구(421_1)(예를 들어, 제7 개구), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3)(예를 들어, 제8 개구) 및 제4 개구(421_4)를 포함할 수 있고, 소형 개구들(422)은 제1 소형 개구(422_1)(예를 들어, 제3 개구) 및 제2 소형 개구(422_2)(예를 들어, 제4 개구)를 포함할 수 있다.

제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2) 및 제1 소형 화소 개구(312_1)가 제1 화소 영역에 대응될 수 있고, 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)가 상기 제1 화소 영역과 인접하여 위치하는 제2 화소 영역에 대응될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 소형 화소 개구(312_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제2 소형 화소 개구(312_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제1 소형 화소 개구(312_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제1 소형 개구(422_1)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색과 제2 소형 화소 개구(312_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제2 소형 개구(422_2)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

또한, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제1 개구(421_1)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제3 개구(421_3)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

더욱이, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제2 개구(421_2)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제4 개구(421_4)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3) 및 제4 화소 개구(311_4) 각각의 폭은 제1 폭(a)을 가질 수 있고, 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3) 및 제4 개구(421_4) 각각의 폭은 제2 폭(b)을 가질 수 있다. 여기서, 제1 폭(a)은 제2 폭(b)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각의 폭은 제3 폭(c)을 가질 수 있고, 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2) 각각의 폭은 제4 폭(d)을 가질 수 있다. 여기서, 제3 폭(c)은 제4 폭(d)보다 작을 수 있다.

제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3) 및 제4 개구(421_4)는 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3) 및 제4 화소 개구(311_4)와 각기 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3) 및 제4 개구(421_4)는 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3) 및 제4 화소 개구(311_4)를 각기 완전히 커버할 수 있다. 즉, 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3) 및 제4 개구(421_4) 각각의 크기는 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3) 및 제4 화소 개구(311_4) 각각의 크기보다 클 수 있다.

이와는 달리, 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)는 제1 소형 화소 개구(312_1)및 제2 소형 화소 개구(312_2)와 각기 부분적으로 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)는 제1 소형 화소 개구(312_1)및 제2 소형 화소 개구(312_2)를 각기 부분적으로 커버할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 소형 화소 개구(312_1)로부터 제2 소형 화소 개구(312_2)가 제1 방향(D1)으로 이격되어 위치할 수 있고, 제1 소형 개구(422_1)로부터 제2 소형 개구(422_2)가 제1 방향(D1)으로 이격되어 위치할 수 있다.

또한, 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각의 좌측부를 제1 부분 및 우측부를 제2 부분으로 정의한다. 제1 소형 개구(422_1)는 제1 소형 화소 개구(312_1) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 제1 소형 화소 개구(312_1)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제2 소형 개구(422_2)는 제2 소형 화소 개구(312_2) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 제2 소형 화소 개구(312_2)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제1 형상(S1)과 제2 형상(S2) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 수직한 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다. 한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 화소 정의막(310)과 하부 기판(110) 사이에는 하부 전극들이 배치될 수 있고, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 중첩하는 하부 전극을 제1 하부 전극 및 제2 소형 화소 개구(312_2)와 중첩하는 하부 전극을 제2 하부 전극으로 정의한다. 제1 소형 화소 개구(312_1)는 제1 하부 전극의 상면의 일부를 노출시킬 수 있고, 제2 소형 화소 개구(312_2)는 제2 하부 전극의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)이 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각의 외곽부를 커버할 수 있고, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각은 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각은 제1 부분 및 상기 제1 부분과 마주보는 제2 부분을 포함하고, 차광 부재(420)는 상기 제1 하부 전극의 상기 제1 부분 및 상기 제2 하부 전극의 제2 부분과 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제1 소형 개구(422_1)가 제1 방향(D1)으로 시프트되어 형성됨으로써 상기 제1 하부 전극의 좌측부가 차광 부재(420)와 중첩할 수 있고, 제2 소형 개구(422_2)가 제2 방향(D2)으로 시프트되어 형성됨으로써 상기 제2 하부 전극의 우측부가 차광 부재(420)와 중첩할 수 있다.

예를 들면, 종래의 표시 장치에 있어서, 수명, 구동 전류량, 제조 특성 등을 고려하여 특정 광(예를 들어, 청색광)이 방출되는 제1 서브 화소 영역의 크기(예를 들어, 화소 정의막의 제1 개구)를 작게 형성하는 경우가 있다. 따라서, 다른 광(예를 들어, 적색광 또는 녹색광)이 방출되는 제2 서브 화소 영역(예를 들어, 화소 정의막의 제2 개구)의 크기는 상대적으로 클 수 있다. 차광 부재를 포함하는 상부 구조물과 화소 정의막을 포함하는 하부 구조물을 결합 시 얼라인 틀어짐이 발생하는 경우, 상기 차광 부재의 차단부(예를 들어, 인접한 개구들 사이)가 상기 제1 및 제2 서브 화소 영역들 각각과 중첩할 수 있다 이러한 경우, 상기 제2 서브 화소 영역에 비해 상기 특정 광이 방출되는 상기 제1 서브 화소 영역은 상대적으로 크기가 작기 때문에 외부로 방출되는 상기 특정 광의 휘도 변화량이 상대적으로 클 수 있다. 다시 말하면, 상기 상부 구조물과 상기 하부 구조물이 정확하게 결합되는 것은 실질적으로 불가능하기 때문에, 결함 마진 범위 내에서 상기 상부 구조물과 상기 하부 구조물이 결합되어 있다. 다만, 상기 종래의 표시 장치의 해상도가 증가됨에 따라 상기 제1 서브 화소 영역은 더욱 작아지고, 얼라인 틀어짐에 따른 종래의 표시 장치의 불량이 더욱 야기되고 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)는 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각과 부분적으로 중첩하는 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 포함할 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 따라서, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)을 결합 시 얼라인 틀어짐이 발생하더라도, 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 통해 외부로 방출되는 광의 총량이 일정할 수 있다.

예를 들면, 상부 구조물(600)이 제2 방향(D2)으로 시프트되는 얼라인 틀어짐이 발생할 경우, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)의 중첩되는 면적은 증가할 수 있고, 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)의 중첩되는 면적은 감소할 수 있다. 이와는 달리, 상부 구조물(600)이 제1 방향(D1)으로 시프트되는 얼라인 틀어짐이 발생할 경우, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)의 중첩되는 면적은 감소할 수 있고, 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)의 중첩되는 면적은 증가할 수 있다. 즉, 발광층으로부터 방출된 광이 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 통해 표시 장치(100)의 외부로 방출될 경우, 상기 외부로 방출되는 광의 총량이 상기 얼라인 틀어짐의 발생에 관계없이 일정할 수 있다. 다시 말하면, 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각과 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2) 각각이 부분적으로 중첩함으로써, 상대적으로 상기 외부로 방출되는 광의 양이 기설정된 수준으로 조금 감소되지만, 상기 얼라인 틀어짐이 발생하더라도 상기 외부로 방출되는 광의 양은 상기 기설정된 수준으로 유지될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 상부 구조물(600)과 하부 구조물(500)의 결합 시 가로 방향(예를 들어, 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2))으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

도 8은 도 6의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 8, 11 및 14를 참조하면, 표시 장치(100)는 하부 구조물(500) 및 상부 구조물(600)을 포함할 수 있다.

하부 구조물(500)은 하부 기판(110), 제1 반도체 소자(250_1), 제2 반도체 소자(250_2), 제3 반도체 소자(250_3), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 하부 전극(290_1), 제2 하부 전극(290_2), 제3 하부 전극(290_3), 화소 정의막(310), 발광층(330), 상부 전극(340), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 하부 전극(290_1), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제1 서브 화소 구조물로 정의하고, 제2 하부 전극(290_2), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제2 서브 화소 구조물로 정의하며, 제3 하부 전극(290_3), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제3 서브 화소 구조물로 정의한다. 제1 반도체 소자(250_1)는 제1 액티브층(130_1), 제1 게이트 전극(170_1), 제1 소스 전극(210_1) 및 제1 드레인 전극(230_1)을 포함할 수 있고, 제2 반도체 소자(250_2)는 제2 액티브층(130_2), 제2 게이트 전극(170_2),제2 소스 전극(210_2) 및 제2 드레인 전극(230_2)을 포함할 수 있으며, 제3 반도체 소자(250_3)는 제3 액티브층(130_3), 제3 게이트 전극(170_3), 제3 소스 전극(210_3) 및 제3 드레인 전극(230_3)을 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 화소 개구들(311) 및 소형 화소 개구(312)를 포함할 수 있다.

상부 구조물(600)은 제1 보호 절연층(490), 제2 보호 절연층(495), 복수의 광학 필터들(530), 중간층(497), 복수의 컬러 필터들(510), 차광 부재(420), 차광막(430), 상부 기판(410) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 광학 필터들(530)은 제1 양자점 패턴(531)(예를 들어, 제2 광학 필터), 산란 패턴(532)(예를 들어, 제1 광학 필터) 및 제2 양자점 패턴(533)을 포함할 수 있다. 더욱이, 컬러 필터들(510)은 제1 컬러 필터(513), 제2 컬러 필터(511) 및 제3 컬러 필터(512)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구(422)를 포함할 수 있다.

도 2에 도시된 제2 서브 화소 영역(32)에 상기 제1 서브 화소 구조물이 배치될 수 있고, 제3 서브 화소 영역(33)에 상기 제2 서브 화소 구조물이 배치될 수 있으며, 제1 서브 화소 영역(31)에 상기 제3 서브 화소 구조물이 배치될 수 있다. 표시 장치(100)는 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들을 통해 화상을 표시할 수 있다.

도 8을 다시 참조하면, 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 하부 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 베리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등을 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.

하부 기판(110) 상에 버퍼층이 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 반도체 소자 및 상기 서브 화소 구조물로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 하부 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 하부 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 하부 기판(110)의 유형에 따라 하부 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.

하부 기판(110) 상에 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)이 서로 이격하여 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3) 각각은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있고, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.

제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 덮을 수 있으며, 하부 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)의주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산탄화물(SiOC), 실리콘 탄질화물(SiCN), 알루미늄 산화물(AlO), 알루미늄 질화물(AlN), 탄탈륨 산화물(TaO), 하프늄 산화물(HfO), 지르코늄 산화물(ZrO), 티타늄 산화물(TiO) 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

게이트 절연층(150) 상에 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)이 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 전극(170_1)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제1 액티브층(130_1)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있고, 제2 게이트 전극(170_2)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제2 액티브층(130_2)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있으며, 제3 게이트 전극(170_3)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제3 액티브층(130_3)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 각각은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WN), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiN), 크롬 질화물(CrN), 탄탈륨 질화물(TaN), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnO), 인듐 산화물(InO), 갈륨 산화물(GaO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

층간 절연층(190) 상에는 제1 소스 전극(210_1), 제1 드레인 전극(230_1), 제2 소스 전극(210_2), 제2 드레인 전극(230_2), 제3 소스 전극(210_3) 및 제3 드레인 전극(230_3)이 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 소스 전극(210_1)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 액티브층(130_1)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 제1 드레인 전극(230_1)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 액티브층(130_1)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 또한, 제2 소스 전극(210_2)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제3 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제2 액티브층(130_2)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 제2 드레인 전극(230_2)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제4 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제2 액티브층(130_2)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 더욱이, 제3 소스 전극(210_3)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제5 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 액티브층(130_3)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 제3 드레인 전극(230_3)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제6 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 액티브층(130_3)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3) 각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

이에 따라, 제1 액티브층(130_1), 제1 게이트 전극(170_1), 제1 소스 전극(210_1) 및 제1 드레인 전극(230_1)을 포함하는 제1 반도체 소자(250_1)가 배치될 수 있고, 제2 액티브층(130_2), 제2 게이트 전극(170_2), 제2 소스 전극(210_2) 및 제2 드레인 전극(230_2)을 포함하는 제2 반도체 소자(250_2)가 배치될 수 있으며, 제3 액티브층(130_3), 제3 게이트 전극(170_3), 제3 소스 전극(210_3) 및 제3 드레인 전극(230_3)을 포함하는 제3 반도체 소자(250_3)가 배치될 수 있다.

다만, 표시 장치(100)가 3개의 트랜지스터들(예를 들어, 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3))을 포함하는 구성을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 장치(100)는 복수의 트랜지스터들 및 복수의 커패시터들을 포함하는 구성을 가질 수도 있다.

또한, 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 각각이 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 각각은 하부 게이트 구조 및/또는 더블 게이트 구조를 가질 수도 있다.

더욱이, 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 각각의 구성에 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)이 포함되지 않는 것으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 각각의 구성에 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)이 포함될 수도 있다.

층간 절연층(190) 및 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.

평탄화층(270) 상에 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3)이 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 하부 전극(290_1)이 평탄화층(270)의 제1 부분에 배치될 수 있고, 제2 하부 전극(290_2)이 평탄화층(270)의 제2 부분에 배치될 수 있으며, 제3 하부 전극(290_3)이 평탄화층(270)의 제3 부분에 배치될 수 있다. 여기서, 평탄화층(270)의 상기 제3 부분은 상기 제1 부분으로부터 이격하여 위치할 수 있고, 평탄화층(270)의 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 상기 제3 부분 사이에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 화소 개구들(311)과 중첩할 수 있고, 상기 제3 부분은 소형 화소 개구(312)와 중첩할 수 있다.

제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 평탄화층(270)을 관통하여 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3)에 각기 접속될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

화소 정의막(310)은 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 일부 및 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 양측부(예를 들어, 외곽부)를 덮을 수 있고, 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)은 제1 및 제2 하부 전극들(290_1, 290_2) 각각의 상면의 일부를 노출시키는 화소 개구들(311) 및 제3 하부 전극(290_3)의 상면의 일부를 노출시키는 소형 화소 개구(312)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 개구들(311) 각각은 제1 폭(a)을 가질 수 있고, 소형 화소 개구(312)의 폭은 제3 폭(c)을 가질 수 있다. 여기서, 제1 폭(a)이 제3 폭(c)보다 클 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based resin), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실록산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등을 포함할 수 있다.

발광층(330)은 화소 정의막(310) 및 화소 정의막(310)에 의해 노출된 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 상면 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 하부 기판(110) 상에서 연속적으로 배치될 수 있고, 일체로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 청색광을 방출시킬 수 있는 발광 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 발광층(330)이 청색광을 방출하기 때문에 상기 청색광이 산란 패턴(532)을 통과한 후 제1 컬러 필터(513)를 통해 외부로 방출되는 청색광의 광 손실률은 상대적으로 적을 수 있다. 따라서, 소형 화소 개구(312)가 상대적으로 작게 형성될 수 있다.

이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.

상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

이에 따라, 제1 하부 전극(290_1), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 상기 제1 서브 화소 구조물이 배치될 수 있고, 제2 하부 전극(290_2), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 상기 제2 서브 화소 구조물이 배치될 수 있으며, 제3 하부 전극(290_3), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 상기 제3 서브 화소 구조물이 배치될 수 있다.

상부 전극(340) 상에 제1 무기 박막 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.

제1 무기 박막 봉지층(451) 상에 유기 박막 봉지층(452)이 배치될 수 있다. 유기 박막 봉지층(452)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들을 보호할 수 있다. 유기 박막 봉지층(452) 가요성을 갖는 유기 물질들을 포함할 수 있다.

유기 박막 봉지층(452) 상에 제2 무기 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 유기 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 유기 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 제1 무기 박막 봉지층(451)과 함께 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 무기 박막 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 무기 박막 봉지층(451) 및 유기 박막 봉지층(452)과 함께 상기 제1 내지 제3 서브 화소 구조물들을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 상기 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.

이에 따라, 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 차광막(430)과 상부 전극(340) 사이에 배치될 수 있다. 선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조로 구성될 수도 있다.

이와 같이, 하부 기판(110), 제1 반도체 소자(250_1), 제2 반도체 소자(250_2), 제3 반도체 소자(250_3), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 하부 전극(290_1), 제2 하부 전극(290_2), 제3 하부 전극(290_3), 화소 정의막(310), 발광층(330), 상부 전극(340) 및 박막 봉지 구조물(450)을 포함하는 하부 구조물(500)이 제공될 수 있다.

박막 봉지 구조물(450) 상에 상부 기판(410)이 배치될 수 있다. 상부 기판(410)은 하부 기판(110)과 마주보도록(또는 대향하도록) 배치될 수 있다. 상부 기판(410)과 하부 기판(110)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(410)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다.

상부 기판(410)의 저면 상에 제1 컬러 필터(513)가 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(513)는 개구들(513a, 513b)을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 컬러 필터(513)는 청색광을 투과할 수 있고, 청색(예를 들어, 제1 색)을 갖는 컬러 필터일 수 있다.

차광 부재(420)가 제1 컬러 필터(513)의 저면 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 차광 부재(420)는 상부 기판(410)의 저면 상에 배치될 수 있고, 제1 컬러 필터(513)와 차광막(430) 사이에 개재될 수 있다. 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구(422)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구(422)를 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(513)의 개구들(513a, 513b)은 차광 부재(420)의 개구들(421)과 중첩할 수 있고, 소형 개구(422)는 제1 컬러 필터(513)의 저면의 일부를 노출시킬 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(513)에서 소형 개구(422)에 의해 노출된 상기 부분이 컬러 필터로 기능할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(420)의 개구들(421) 각각은 제2 폭(b)을 가질 수 있고, 차광 부재(420)의 소형 개구(422)는 제4 폭(d)을 가질 수 있다. 여기서, 제2 폭(b)은 제4 폭(d)보다 클 수 있고, 제2 폭(b)은 제1 폭(a)보다 클 수 있으며, 제4 폭(d)은 제3 폭(c)보다 클 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 개구들(421) 각각은 화소 개구들(311)과 중첩할 수 있고, 화소 개구들(311)을 완전히 커버할 수 있다. 또한, 소형 개구(422)는 소형 화소 개구(312)와 부분적으로 중첩할 수 있고, 차광 부재(420)가 제3 하부 전극(290_3)의 우측부와 중첩할 수 있다. 이와는 달리, 인접한 화소 영역(예를 들어, 제1 화소 영역)에 위치하는 소형 개구(422)는 소형 화소 개구들(312)과 부분적으로 중첩할 수 있고, 차광 부재(420)가 제3 하부 전극(290_3)의 좌측부와 중첩할 수 있다. 즉, 도 8은 도 6의 제2 화소 영역을 도시하고 있고, 상기 제1 화소 영역에서는 도 8에 도시된 차광 부재(420)의 소형 개구(422)와 화소 정의막(310)의 소형 화소 개구(312)가 중첩하는 형상과 대칭인 형상이 도시될 수 있다.

차광 부재(420)는 외부로부터 입사하는 광을 차단 또는 흡수할 수 있다. 차광 부재(420)는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 차광 부재(420)는 실질적으로 불투명할 수 있다. 예를 들면, 차광 부재(420)는 광을 흡수하기 위해 차광 재료를 더 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙(carbon black), 산질화 티타늄(titanium nitride oxide), 티타늄 블랙(titanium black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black), 블랙 수지(black resin) 등을 포함할 수 있다.

상부 기판(410)의 저면 상의 제1 컬러 필터(513)의 개구(513a) 및 개구(513a)와 중첩하는 차광 부재(420)의 개구(421)에는 제2 컬러 필터(511)가 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터(511)의 일부는 차광 부재(420)의 저면의 일부 상에도 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 컬러 필터(511)는 적색광을 투과할 수 있고, 적색(예를 들어, 제2 색)을 갖는 컬러 필터일 수 있다.

상부 기판(410)의 저면 상의 제1 컬러 필터(513)의 개구(513b) 및 개구(513b)와 중첩하는 차광 부재(420)의 개구(421)에는 제3 컬러 필터(512)가 배치될 수 있다. 제3 컬러 필터(512)의 일부는 차광 부재(420)의 저면의 일부 상에도 배치될 수 있고, 차광 부재(420)의 저면 상에서 제2 컬러 필터(511)와 접촉 또는 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 컬러 필터(512)는 녹색광을 투과할 수 있고, 녹색 컬러 필터일 수 있다.

이에 따라, 제1 컬러 필터(513), 제2 컬러 필터(511) 및 제3 컬러 필터(512)를 포함하는 컬러 필터들(510)이 배치될 수 있다. 컬러 필터들(510)은 감광성 수지, 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.

다만, 본 발명의 컬러 필터들(510)이 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 및 적색 컬러 필터를 포함하는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 컬러 필터들(510)은 황색(Yellow) 컬러 필터 패턴, 청남색(Cyan) 컬러 필터 패턴 및 자주색(Magenta) 컬러 필터 패턴을 포함할 수도 있다.

또한, 본 발명의 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터가 순서대로 배열되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 컬러 필터들의 배열은 변경될 수도 있다.

더욱이, 본 발명의 제1 컬러 필터(513)의 개구들(513a, 513b)에 제2 및 제3 걸러 필터들(511, 512)이 배치되는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 차광 부재(420)의 소형 개구(422)에 제1 컬러 필터(513)가 배치되고, 차광 부재(420)의 개구들(421)에 제2 및 제3 걸러 필터들(511, 512)이 각기 배치될 수도 있다.

컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420) 아래에 제1 보호 절연층(490)이 배치될 수 있다. 상부 기판(410)의 저면 상에서 제1 보호 절연층(490)은 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 덮을 수 있다. 예를 들면, 제1 보호 절연층(490)은 상부 기판(410)의 저면 상에서 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 덮으며, 균일한 두께로 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제1 보호 절연층(490)은 상부 기판(410)의 저면 상에서 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 충분히 덮을 수 있으며, 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제1 보호 절연층(490)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 보호 절연층(490)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

제1 보호 절연층(490)의 저면 상에 컬러 필터들(510)과 중첩하여 광학 필터들(530)이 배치될 수 있다. 광학 필터들(530)은 청색광을 적색광으로 변환시키는 제1 양자점 패턴(531), 청색광을 녹색광으로 변환시키는 제2 양자점 패턴(533) 및 청색광을 투과시키는 산란 패턴(532)을 포함할 수 있다.

제1 양자점 패턴(531)은 제2 컬러 필터(511)와 중첩하여 제2 컬러 필터(511) 아래에 배치될 수 있고, 제2 양자점 패턴(533)은 제3 컬러 필터(512)와 중첩하여 제3 컬러 필터(512) 아래에 배치될 수 있으며, 산란 패턴(532)은 제1 컬러 필터(513)와 중첩하여 제1 컬러 필터(513) 아래에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 양자점 패턴(531)은 상기 제1 서브 화소 구조물 상에 배치될 수 있고, 제2 양자점 패턴(533)은 상기 제2 서브 화소 구조물 상에 배치될 수 있으며, 산란 패턴(532)은 상기 제3 서브 화소 구조물 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)은 서로 이격하여 배치될 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 양자점 패턴(531)은 청색광을 흡수하고 적색광을 방출하는 복수의 양자점들을 포함할 수 있고, 제2 양자점 패턴(533)은 청색광을 흡수하고 녹색광을 방출하는 복수의 양자점들을 포함할 수 있으며, 산란 패턴(532)은 청색광을 그대로 방출하는 산란 물질을 포함할 수 있다.

예를 들면, 제1 양자점 패턴(531) 및 제2 양자점 패턴(533)에 포함된 상기 양자점들은 실리콘(Si)계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중에서 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다. II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. III-V족계 화합물 반도체 나노결정은GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe일 수 있다.

제1 및 제2 양자점 패턴들(531, 532)에 포함된 상기 양자점들이 동일한 물질을 포함하더라도, 양자점의 크기에 따라 발광 파장이 달라질 수 있다. 예를 들면, 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 광을 방출할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 양자점 패턴들(531, 532)에 포함된 양자점의 크기를 조절함으로써 원하는 가시광선 영역대의 광을 방출할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 양자점 패턴(531) 및 제2 양자점 패턴(533)에 포함되는 상기 양자점들이 동일한 재질로 형성될 수 있고, 제1 양자점 패턴(531)에 포함되는 상기 양자점의 크기를 제2 양자점 패턴(533)에 포함되는 상기 양자점의 크기보다 크게 형성할 수 있다.

산란 패턴(532)은 TiO, ZrO, AlO₃, In₂O₃, ZnO, SnO₂, Sb₂O₃, ITO 등을 포함할 수 있다. 다만, 산란 패턴(532)의 물질은 이에 한정되지 아니하며, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 다양하게 변형될 수 있다.

본 발명의 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)이 순서대로 배열되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)의 배열은 변경될 수도 있다.

이에 따라, 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)을 포함하는 광학 필터들(530)이 배치될 수 있다.

광학 필터들(530) 및 제1 보호 절연층(490) 아래에 제2 보호 절연층(495)이 배치될 수 있다. 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 제2 보호 절연층(495)은 광학 필터들(530)을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 보호 절연층(495)은 광학 필터들(530)이 서로 이격된 부분에서 제1 보호 절연층(490)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제2 보호 절연층(495)은 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 광학 필터들(530)을 덮으며, 균일한 두께로 광학 필터들(530)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제2 보호 절연층(495)은 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 광학 필터들(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 광학 필터들(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제2 보호 절연층(495)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 보호 절연층(495)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

제2 보호 절연층(495)의 저면 상에 차광막(430)이 배치될 수 있다. 차광막(430)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 광학 필터들(530)이 서로 이격된 상기 부분에 배치될 수 있다. 차광막(430)은 복수의 개구들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)은 복수의 개구를 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있다.

차광막(430)은 인접한 광학 필터들(530)에서 발생할 수 있는 혼색 현상을 방지할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)이 형성되지 않는 경우, 제2 양자점 패턴(533)으로 입사한 광의 일부가 제1 양자점 패턴(531)으로 입사하고, 상기 광의 나머지가 산란 패턴(532)으로 입사할 수도 있다. 이러한 경우, 혼색 현상이 발생할 수 있다. 선택적으로, 차광막(430)은 외부로부터 입사하는 광을 차단 또는 흡수할 수 있고, 발광층(330)으로부터 방출된 광을 반사시킬 수도 있다. 차광막(430) 및 차광 부재(420)는 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)은 유기 물질 및 차광 재료를 포함할 수 있다.

차광막(430) 및 제2 보호 절연층(495) 아래에 중간층(497)이 배치될 수 있다. 중간층(497)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 차광막(430)을 덮도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 중간층(497)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 차광막(430)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있다. 다시 말하면, 중간층(497)은 박막 봉지 구조물(450) 상에 배치될 수 있다. 중간층(497)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다.

하부 기판(110)과 상부 기판(410) 사이의 주변 영역(20)에 실링 부재가 배치될 수도 있다. 예를 들면, 상기 실링 부재는 표시 영역(10)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 상기 실링 부재는 상부 기판(410)의 저면 및 하부 기판(110)의 상면과 접촉할 수 있다. 선택적으로, 상기 실링 부재의 저면과 하부 기판(110)의 상면 사이에 적어도 하나의 절연층(예를 들어, 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 제1 무기 박막 봉지층(451), 제2 무기 박막 봉지층(453) 등)이 개재될 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실링 부재는 비도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 실링 부재는 프릿(frit) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 실링 부재는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다.예를 들면, 상기 실링 부재는 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 혼합물에 자외선(UV), 레이저 광, 가시광선 등을 조사하여 경화시켜 상기 실링 부재를 수득할 수 있다.상기 실링 부재에 포함되는 상기 광 경화성 물질은 에폭시 아크릴레이트(epoxy acrylate)계 수지, 폴리에스테르 아크릴레이트(polyester acrylate)계 수지, 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate)계 수지, 폴리부타디엔 아크릴레이트(polybutadine acrylate)계 수지, 실리콘 아크릴레이트(silicon acrylate)계 수지, 알킬 아크릴레이트(alkyl acrylate)계 수지 등을 포함할 수 있다.

예를 들면, 상기 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물에 레이저 광이 조사될 수 있다. 이러한 레이저 광의 조사에 따라, 상기 혼합물이 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 상기 혼합물은 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 상기 혼합물의 상태 변화에 따라 상부 기판(410)이 하부 기판(110)에 대해 밀봉되면서 결합될 수 있다.

이에 따라, 제1 보호 절연층(490), 제2 보호 절연층(495), 복수의 광학 필터들(530), 중간층(497), 복수의 컬러 필터들(510), 차광 부재(420), 차광막(430) 및 상부 기판(410)을 포함하는 상부 구조물(600)이 제공될 수 있고, 도 8에 도시된 하부 구조물(500) 및 상부 구조물(600)을 포함하는 표시 장치(100)가 제공될 수 있다.

다만, 본 발명의 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치를 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것을 아니다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)는 액정 표시 장치(liquid crystal display device LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device FED), 플라즈마 표시 장치(plasma display device PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic image display device EPD)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 광학 필터들(530), 컬러 필터들(510) 등이 배치된 상부 기판(410)이 상기 액정 표시 장치, 상기 전계 방출 표시 장치, 상기 플라즈마 표시 장치 및 상기 전기 영동 표시 장치 각각의 상부 기판으로 사용될 수 있다.

도 9 내지 도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.

도 9를 참조하면, 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다.

선택적으로, 하부 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 하부 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 순서대로 적층된 구성을 가질 수 있다. 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 형성한 후, 상기 절연층 상에 반도체 소자들, 서브 화소 구조물 등이 형성될 수 있다. 상기 반도체 소자들 및 상기 서브 화소 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 반도체 소자들 및 상기 서브 화소 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 반도체 소자들 및 상기 서브 화소 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 하부 기판(110)으로 이용될 수 있다.

하부 기판(110) 상에 버퍼층이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 하부 기판(110)의 유형에 따라 하부 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 형성되지 않을 수도 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.

하부 기판(110) 상에 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)이 서로 이격하여 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3) 각각은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있고, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.

제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3) 상에는 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 덮을 수 있으며, 하부 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)의주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 내지 제3 액티브층들(130_1, 130_2, 130_3)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 SiO, SiN, SiON, SiOC, SiCN, SiOC, AlO, AlN, TaO, HfO, ZrO, TiO 등을 포함할 수 있다.

게이트 절연층(150) 상에 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)이 서로 이격하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 전극(170_1)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제1 액티브층(130_1)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있고, 제2 게이트 전극(170_2)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제2 액티브층(130_2)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있으며, 제3 게이트 전극(170_3)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 제3 액티브층(130_3)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 각각은 Au, Ag, Al, Pt, Ni, Ti, Pd, Mg, Ca, Li, Cr, Ta, W, Cu, Mo, Sc, Nd, Ir, 알루미늄을 함유하는 합금, AlN, 은을 함유하는 합금, WN, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, TiN, CrN, TaN, SrRuO, ZnO, ITO, SnO, InO, GaO, IZO 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3) 상에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 내지 제3 게이트 전극들(170_1, 170_2, 170_3)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.

층간 절연층(190) 상에는 제1 소스 전극(210_1), 제1 드레인 전극(230_1), 제2 소스 전극(210_2), 제2 드레인 전극(230_2), 제3 소스 전극(210_3) 및 제3 드레인 전극(230_3)이 서로 이격하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 소스 전극(210_1)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 액티브층(130_1)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 제1 드레인 전극(230_1)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 액티브층(130_1)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 또한, 제2 소스 전극(210_2)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제3 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제2 액티브층(130_2)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 제2 드레인 전극(230_2)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제4 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제2 액티브층(130_2)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 더욱이, 제3 소스 전극(210_3)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제5 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 액티브층(130_3)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 제3 드레인 전극(230_3)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제6 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 액티브층(130_3)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3) 각각은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다시 말하면, 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.

이에 따라, 제1 액티브층(130_1), 제1 게이트 전극(170_1), 제1 소스 전극(210_1) 및 제1 드레인 전극(230_1)을 포함하는 제1 반도체 소자(250_1)가 형성될 수 있고, 제2 액티브층(130_2), 제2 게이트 전극(170_2), 제2 소스 전극(210_2) 및 제2 드레인 전극(230_2)을 포함하는 제2 반도체 소자(250_2)가 형성될 수 있으며, 제3 액티브층(130_3), 제3 게이트 전극(170_3), 제3 소스 전극(210_3) 및 제3 드레인 전극(230_3)을 포함하는 제3 반도체 소자(250_3)가 형성될 수 있다.

도 10을 참조하면, 층간 절연층(190) 및 제1 내지 제3 반도체 소자들(250_1, 250_2, 250_3) 상에 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 제1 내지 제3 소스 전극들(210_1, 210_2, 210_3) 및 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.

평탄화층(270) 상에 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3)이 서로 이격하여 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 평탄화층(270)을 관통하여 제1 내지 제3 드레인 전극들(230_1, 230_2, 230_3)에 각기 접속될 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다시 말하면, 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.

화소 정의막(310)은 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 일부 및 평탄화층(270) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(310)은 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 양측부를 덮을 수 있고, 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 각각의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)은 제1 및 제2 하부 전극들(290_1, 290_2) 각각의 상면의 일부를 노출시키는 화소 개구들(311) 및 제3 하부 전극(290_3)의 상면의 일부를 노출시키는 소형 화소 개구(312)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 개구들(311) 각각은 제1 폭(a)을 가질 수 있고, 소형 화소 개구(312)의 폭은 제3 폭(c)을 가질 수 있다. 여기서, 제1 폭(a)이 제3 폭(c)보다 클 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.

도 11을 참조하면, 발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 노출된 제1 내지 제3 하부 전극들(290_1, 290_2, 290_3) 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 하부 기판(110) 상에서 연속적으로(또는 일체로) 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 청색광을 방출시킬 수 있는 발광 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.

상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

이에 따라, 제1 하부 전극(290_1), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 제1 서브 화소 구조물이 형성될 수 있고, 제2 하부 전극(290_2), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 제2 서브 화소 구조물이 형성될 수 있으며, 제3 하부 전극(290_3), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 제3 서브 화소 구조물이 형성될 수 있다.

상부 전극(340) 상에 제1 무기 박막 봉지층(451)이 형성될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.

제1 무기 박막 봉지층(451) 상에 유기 박막 봉지층(452)이 형성될 수 있다. 유기 박막 봉지층(452) 가요성을 갖는 유기 물질들을 포함할 수 있다.

유기 박막 봉지층(452) 상에 제2 무기 박막 봉지층(453)이 형성될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 유기 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 유기 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 상기 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.

이에 따라, 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 형성될 수 있고, 하부 기판(110), 제1 반도체 소자(250_1), 제2 반도체 소자(250_2), 제3 반도체 소자(250_3), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 하부 전극(290_1), 제2 하부 전극(290_2), 제3 하부 전극(290_3), 화소 정의막(310), 발광층(330), 상부 전극(340) 및 박막 봉지 구조물(450)을 포함하는 하부 구조물(500)이 제공될 수 있다.

도 12를 참조하면, 상부 기판(410)이 제공될 수 있다. 상부 기판(410)과 하부 기판(110)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(410)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다.

상부 기판(410)의 저면 상에 제1 컬러 필터(513)가 형성될 수 있다. 제1 컬러 필터(513)는 개구들(513a,513b)을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 컬러 필터(513)는 청색광을 투과할 수 있고, 청색을 갖는 컬러 필터일 수 있다.

차광 부재(420)가 제1 컬러 필터(513)의 저면 상에 형성될 수 있다. 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구(422)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광 부재(420)는 개구들(421) 및 소형 개구(422)를 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(513)의 개구들(513a, 513b)은 차광 부재(420)의 개구들(421)과 중첩할 수 있고, 소형 개구(422)는 제1 컬러 필터(513)의 저면의 일부를 노출시킬 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(513)에서 소형 개구(422)에 의해 노출된 상기 부분이 컬러 필터로 기능할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(420)의 개구들(421) 각각은 제2 폭(b)을 가질 수 있고, 차광 부재(420)의 소형 개구(422)는 제4 폭(d)을 가질 수 있다. 여기서, 제2 폭(b)은 제4 폭(d)보다 클 수 있고, 제2 폭(b)은 제1 폭(a)보다 클 수 있으며, 제4 폭(d)은 제3 폭(c)보다 클 수 있다.

차광 부재(420)는 외부로부터 입사하는 광을 차단 또는 흡수할 수 있다. 차광 부재(420)는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 차광 부재(420)는 실질적으로 불투명할 수 있다. 예를 들면, 차광 부재(420)는 광을 흡수하기 위해 차광 재료를 더 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙, 산질화 티타늄, 티타늄 블랙, 페닐렌 블랙, 아닐린 블랙, 시아닌 블랙, 니그로신산 블랙, 블랙 수지 등을 포함할 수 있다.

도 13을 참조하면, 상부 기판(410)의 저면 상의 제1 컬러 필터(513)의 개구(513a) 및 개구(513a)와 중첩하는 차광 부재(420)의 개구(421)에는 제2 컬러 필터(511)가 형성될 수 있다. 제2 컬러 필터(511)의 일부는 차광 부재(420)의 저면의 일부 상에도 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 컬러 필터(511)는 적색광을 투과할 수 있고, 적색을 갖는 컬러 필터일 수 있다.

상부 기판(410)의 저면 상의 제1 컬러 필터(513)의 개구(513b) 및 개구(513b)와 중첩하는 차광 부재(420)의 개구(421)에는 제3 컬러 필터(512)가 형성될 수 있다. 제3 컬러 필터(512)의 일부는 차광 부재(420)의 저면의 일부 상에도 형성될 수 있고, 차광 부재(420)의 저면 상에서 제2 컬러 필터(511)와 접촉 또는 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 컬러 필터(512)는 녹색광을 투과할 수 있고, 녹색 컬러 필터일 수 있다.

이에 따라, 제1 컬러 필터(513), 제2 컬러 필터(511) 및 제3 컬러 필터(512)를 포함하는 컬러 필터들(510)이 형성될 수 있다. 컬러 필터들(510)은 감광성 수지, 컬러 포토레지스트를 사용하여 형성될 수 있다.

컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420) 아래에 제1 보호 절연층(490)이 형성될 수 있다. 상부 기판(410)의 저면 상에서 제1 보호 절연층(490)은 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 덮을 수 있다. 예를 들면, 제1 보호 절연층(490)은 상부 기판(410)의 저면 상에서 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 덮으며, 균일한 두께로 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 선택적으로, 제1 보호 절연층(490)은 상부 기판(410)의 저면 상에서 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)를 충분히 덮을 수 있으며, 컬러 필터들(510) 및 차광 부재(420)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제1 보호 절연층(490)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.

제1 보호 절연층(490)의 저면 상에 컬러 필터들(510)과 중첩하여 광학 필터들(530)이 형성될 수 있다. 광학 필터들(530)은 청색광을 적색광으로 변환시키는 제1 양자점 패턴(531), 청색광을 녹색광으로 변환시키는 제2 양자점 패턴(533) 및 청색광을 투과시키는 산란 패턴(532)을 포함할 수 있다.

제1 양자점 패턴(531)은 제2 컬러 필터(511)와 중첩하여 제2 컬러 필터(511) 아래에 형성될 수 있고, 제2 양자점 패턴(533)은 제3 컬러 필터(512)와 중첩하여 제3 컬러 필터(512) 아래에 형성될 수 있으며, 산란 패턴(532)은 제1 컬러 필터(513)와 중첩하여 제1 컬러 필터(513) 아래에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)은 서로 이격하여 형성될 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 양자점 패턴(531)은 청색광을 흡수하고 적색광을 방출하는 복수의 양자점들을 포함할 수 있고, 제2 양자점 패턴(533)은 청색광을 흡수하고 녹색광을 방출하는 복수의 양자점들을 포함할 수 있으며, 산란 패턴(532)은 청색광을 그대로 방출하는 산란 물질을 포함할 수 있다.

예를 들면, 제1 양자점 패턴(531) 및 제2 양자점 패턴(533)에 포함된 상기 양자점들은 실리콘계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중에서 어느 하나의 나노결정을 사용하여 형성될 수 있다.

제1 및 제2 양자점 패턴(531, 532)에 포함된 상기 양자점들이 동일한 물질을 포함하더라도, 양자점의 크기에 따라 발광 파장이 달라질 수 있다. 예를 들면, 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 광을 방출할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 양자점 패턴(531, 532)에 포함된 양자점의 크기를 조절함으로써 원하는 가시광선 영역대의 광을 방출할 수 있다.

산란 패턴(532)은 TiO, ZrO, AlO₃, In₂O₃, ZnO, SnO₂, Sb₂O₃, ITO 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다만, 산란 패턴(532)의 물질은 이에 한정되지 아니하며, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 다양하게 변형될 수 있다.

이에 따라, 제1 양자점 패턴(531), 제2 양자점 패턴(533) 및 산란 패턴(532)을 포함하는 광학 필터들(530)이 형성될 수 있다.

도 14를 참조하면, 광학 필터들(530) 및 제1 보호 절연층(490) 아래에 제2 보호 절연층(495)이 형성될 수 있다. 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 제2 보호 절연층(495)은 광학 필터들(530)을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 보호 절연층(495)은 광학 필터들(530)이 서로 이격된 부분에서 제1 보호 절연층(490)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제2 보호 절연층(495)은 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 광학 필터들(530)을 덮으며, 균일한 두께로 광학 필터들(530)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 선택적으로, 제2 보호 절연층(495)은 제1 보호 절연층(490)의 저면 상에서 광학 필터들(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 광학 필터들(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제2 보호 절연층(495)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.

제2 보호 절연층(495)의 저면 상에 차광막(430)이 형성될 수 있다. 차광막(430)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 광학 필터들(530)이 서로 이격된 상기 부분에 형성될 수 있다. 차광막(430)은 복수의 개구들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)은 복수의 개구를 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있다.

차광막(430)은 인접한 광학 필터들(530)에서 발생할 수 있는 혼색 현상을 방지할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)이 형성되지 않는 경우, 제2 양자점 패턴(533)으로 입사한 광의 일부가 제1 양자점 패턴(531)으로 입사하고, 상기 광의 나머지가 산란 패턴(532)으로 입사할 수도 있다. 이러한 경우, 혼색 현상이 발생할 수 있다. 선택적으로, 차광막(430)은 외부로부터 입사하는 광을 차단 또는 흡수할 수 있고, 발광층(330)으로부터 방출된 광을 반사시킬 수도 있다. 차광막(430) 및 차광 부재(420)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 차광막(430)은 유기 물질 및 차광 재료를 사용하여 형성될 수 있다.

차광막(430) 및 제2 보호 절연층(495) 아래에 중간층(497)이 형성될 수 있다. 중간층(497)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 차광막(430)을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 중간층(497)은 제2 보호 절연층(495)의 저면 상에서 차광막(430)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 중간층(497)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.

이에 따라, 제1 보호 절연층(490), 제2 보호 절연층(495), 복수의 광학 필터들(530), 중간층(497), 복수의 컬러 필터들(510), 차광 부재(420), 차광막(430) 및 상부 기판(410)을 포함하는 상부 구조물(600)이 제공될 수 있다.

하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 실링 부재가 형성될 수도 있다. 선택적으로, 상기 실링 부재가 상부 기판(410) 상의 주변 영역(20)에 형성될 수도 있다. 상기 실링 부재는 비도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 실링 부재는 프릿 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 실링 부재는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다.예를 들면, 상기 실링 부재는 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물을 포함할 수 있다.상기 실링 부재에 포함되는 상기 광 경화성 물질은 에폭시 아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르 아크릴레이트계 수지, 우레탄 아크릴레이트계 수지, 폴리부타디엔 아크릴레이트계 수지, 실리콘 아크릴레이트계 수지, 알킬 아크릴레이트계 수지 등을 포함할 수 있다.

도 15를 참조하면, 상기 실링 부재가 형성된 후, 상기 실링 부재 상에 상부 기판(410)의 저면이 접촉할 수 있다. 여기서, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)을 결합 시, 얼라인 틀어짐이 발생할 수 있다.

예를 들면, 도 6, 7 및 15를 참조하여, 상부 구조물(600)이 제2 방향(D2)으로 시프트되는 얼라인 틀어짐이 발생할 경우, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)의 중첩되는 면적은 증가할 수 있고, 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)의 중첩되는 면적은 감소할 수 있다. 이와는 달리, 상부 구조물(600)이 제1 방향(D1)으로 시프트되는 얼라인 틀어짐이 발생할 경우, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)의 중첩되는 면적은 감소할 수 있고, 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)의 중첩되는 면적은 증가할 수 있다. 즉, 발광층(330)으로부터 방출된 광이 제1 소형 개구(422_1)및 제2 소형 개구(422_2)를 통해 외부로 방출될 경우, 상기 외부로 방출되는 광의 총량이 상기 얼라인 틀어짐의 발생에 관계없이 일정할 수 있다. 다시 말하면, 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각과 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2) 각각이 부분적으로 중첩함으로써, 상대적으로 상기 외부로 방출되는 광의 양이 기설정된 수준으로 조금 감소되지만, 상기 얼라인 틀어짐이 발생하더라도 상기 외부로 방출되는 광의 양은 상기 기설정된 수준으로 유지될 수 있다. 다만, 제1 소형 개구(422_1)가 제1 방향(D1)으로 시프트되어 제3 화소 개구(311_3)와 중첩되는 얼라인 틀어짐이 발생하는 경우 또는 제2 소형 개구(422_2)가 제2 방향(D2)으로 시프트되어 제4 화소 개구(311_4)와 중첩되는 얼라인 틀어짐이 발생하는 경우에는 상기 외부로 방출되는 광의 총량이 변경될 수 있다. 따라서, 제1 소형 개구(422_1)가 제3 화소 개구(311_3)와 중첩되지 않는 제1 방향(D1)으로의 시프트되는 최대 거리가 제1 방향으로의 얼라인 틀어짐에 대한 공정 마진으로 정의될 수 있고, 제2 소형 개구(422_2)가 제4 화소 개구(311_4)와 중첩되지 않는 제2 방향(D2)으로의 시프트되는 최대 거리가 제2 방향(D2)으로의 얼라인 틀어짐에 대한 공정 마진으로 정의될 수 있다.

그 다음, 상기 실링 부재 상에 자외선, 레이저 광, 가시광선 등이 조사될 수 있다. 예를 들면, 상기 실링 부재에 레이저 광이 조사될 수 있다. 이러한 레이저 광의 조사에 따라, 상기 혼합물이 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 상기 혼합물은 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 상기 혼합물의 상태 변화에 따라 상부 기판(410)이 하부 기판(110)에 대해 밀봉되면서 결합될 수 있다.

이에 따라, 도 1 내지 8에 도시된 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상부 구조물(600)과 하부 구조물(500)의 결합 시 가로 방향(예를 들어, 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2))으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

도 16은본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 17은 도 16의 'B'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다. 도 18은 도 17의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다. 도 16, 17 및 18에 예시한 표시 장치(700)는 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩하는 제1 형상(S1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩하는 제2 형상(S2)을 제외하면 도 1 내지 8을 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 16 내지 18에 있어서, 도 1 내지 8을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 16, 17 및 18을 참조하면, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 화소 개구들(311)과 개구들(421)이 각기 중첩하여 위치할 수 있다. 예를 들면, 개구들(421) 각각은 화소 개구들(311) 각각을 완전히 커버할 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 소형 화소 개구들(312) 각각과 소형 개구들(422) 각각이 부분적으로 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 소형 화소 개구들(312) 각각은 소형 개구들(422) 각각을 부분적으로 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소형 개구들(422) 중 일부는 소형 화소 개구(312) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 상기 소형 화소 개구(312)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 소형 개구들(422) 중 나머지는 소형 화소 개구(312) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 소형 화소 개구(312)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다.

예를 들면, 도 17에 도시된 바와 같이, 화소 개구들(311)은 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3) 및 제4 화소 개구(311_4)를 포함할 수 있고, 소형 화소 개구들(312)은 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)를 포함할 수 있다. 또한, 개구들(421)은 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3) 및 제4 개구(421_4)를 포함할 수 있고, 소형 개구들(422)은 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 포함할 수 있다.

또한, 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각의 우측부 및 하부를 제1 부분으로 정의하고, 좌측부 및 상부를 제2 부분으로 정의한다.

제1 소형 개구(422_1)는 제1 소형 화소 개구(312_1) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 제1 소형 화소 개구(312_1)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제2 소형 개구(422_2)는 제2 소형 화소 개구(312_2) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 제2 소형 화소 개구(312_2)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 도 18에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제1 형상(S1)과 제2 형상(S2) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(700)는 제1 소형 화소 개구(312_1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2) 각각과 부분적으로 중첩하는 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 포함할 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 따라서, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)을 결합 시 얼라인 틀어짐이 발생하더라도, 제1 소형 개구(422_1) 및 제2 소형 개구(422_2)를 통해 표시 장치(700)의 외부로 방출되는 광의 총량이 일정할 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(700)는 상부 구조물(600)과 하부 구조물(500)의 결합 시 가로 방향(예를 들어, 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)) 및 세로 방향(예를 들어, 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4))으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 20은 도 19의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이다. 도 19 및 20에 예시한 표시 장치(800)는 제1 소형 화소 개구(312_1)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩하는 제1 형상(S1) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩하는 제2 형상(S2)을 제외하면 도 16 내지 18을 참조하여 설명한 표시 장치(700)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 19 및 20에 있어서, 도 16 내지 18을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 19 및 20을 참조하면, 제1 소형 화소 개구(312_1)및 제1 소형 화소 개구(312_1)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제3 소형 화소 개구(312_3) 상에 제1 소형 개구(422_1)가 부분적으로 중첩하여 위치할 수 있다. 또한, 제2 소형 화소 개구(312_2) 및 제2 소형 화소 개구(312_2)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제4 소형 화소 개구(312_4) 상에 제2 소형 개구(422_2)가 부분적으로 중첩하여 위치할 수 있다. 다시 말하면, 하나의 소형 개구(422)는 소형 화소 개구들(312) 중 인접한 두 개의 소형 화소 개구들(312)과 부분적으로 중첩할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 소형 화소 개구(312_1)및 제3 소형 화소 개구(312_3)와 제1 소형 개구(422_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제2 소형 화소 개구(312_2) 및 제4 소형 화소 개구(312_4)와 제2 소형 개구(422_2)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제1 형상(S1)과 제2 형상(S2) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다.

도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 22는 도 21의 표시 장치에 포함된 화소 정의막을 설명하기 위한 평면도이다. 도 23은 도 21의 표시 장치에 포함된 차광 부재를 설명하기 위한 평면도이다. 도 21, 22 및 23에 예시한 표시 장치(900)는 도 1 내지 4를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 21 내지 23에 있어서, 도 1 내지 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 1, 21, 22 및 23을 참조하면, 표시 장치(900)는 하부 구조물(500) 및 상부 구조물(600)을 포함할 수 있다. 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)은 직접적으로 접촉할 수 있고, 표시 장치(900)의 최외곽에 배치되는 실링 부재에 의해 밀봉 결합될 수 있다. 예를 들면, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)이 서로 독립적으로 제조될 수 있고, 하부 구조물(500) 상에 상부 구조물(600)을 위치시킨 후, 상기 실링 부재에 의해 밀봉 결합될 수 있다.

도 21에 도시된 바와 같이, 표시 장치(900)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 영역(10)은 복수의 화소 영역들(30)을 포함할 수 있다. 복수의 화소 영역들(30)은 매트릭스 형태로 표시 영역(10)에 전체적으로 배열될 수 있다. 화소 영역들(30) 각각은 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33)을 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 방향(D1)을 따라 제2 서브 화소 영역(32), 제3 서브 화소 영역(33) 및 제1 서브 화소 영역(31)이 순서대로 배열될 수 있고, 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다.

다만, 본 발명에 있어서, 화소 영역들(30) 각각에 포함된 제2 서브 화소 영역(32), 제3 서브 화소 영역(33) 및 제1 서브 화소 영역(31)의 배열이 제1 방향(D1)을 따라 배열되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 서브 화소 영역(31)이 제2 서브 화소 영역(32)으로부터 제2 방향(D2)으로 이격하여 위치할 수도 있다. 이와는 달리, 제1 서브 화소 영역(31)이 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33)으로부터 제3 방향(D3) 또는 제3 방향(D3)에 반대되는 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치할 수도 있다.

도 22에 도시된 바와 같이, 하부 구조물(500)은 하부 기판(110), 화소 정의막(310) 등을 포함할 수 있다. 하부 기판(110) 상에 화소 정의막(310)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 화소 개구들(311)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 개구들(311)은 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각과 대응될 수 있다. 다시 말하면, 화소 개구들(311) 각각의 크기는 제1 서브 화소 영역(31), 제2 서브 화소 영역(32) 및 제3 서브 화소 영역(33) 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다.

도 23에 도시된 바와 같이, 상부 구조물(600)은 상부 기판(410), 차광 부재(420) 등을 포함할 수 있다. 상부 기판(410)의 저면 상에 차광 부재(420)가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광 부재(420)는 개구들(421)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 개구들(311) 상에 개구들(421)이 각기 위치할 수 있다. 또한, 개구들(421) 각각의 크기는 화소 개구들(311) 각각의 크기보다 클 수 있다.

예를 들면, 화소 정의막(310)의 화소 개구들(311)에 발광층이 배치될 수 있고, 상기 발광층으로부터 방출된 광이 차광 부재(420)의 개구들(421)을 통해 외부로 방출될 수 있다.

도 24는 도 21의 표시 장치에 포함된 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 나타내는 평면도이고, 도 25는 도 21의 'C'영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다. 도 26 내지 28은 도 21의 화소 정의막의 개구 및 차광 부재의 개구가 중첩된 형상을 설명하기 위한 평면도들이다. 도 24, 25, 26, 27 및 28에 예시한 표시 장치(900)는 도 5 내지 7을 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 24 내지 28에 있어서, 도 5 내지 7을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 24, 25, 26, 27 및 28을 참조하면, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 화소 개구들(311)과 개구들(421)이 각기 부분적으로 중첩하여 위치할 수 있다. 다시 말하면, 개구들(421) 각각은 화소 개구들(311)각각을 부분적으로 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 개구들(421) 중 일부는 화소 개구(311) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 상기 화소 개구(311)의 좌측부와 중첩하지 않을 수 있고, 개구들(421) 중 나머지는 화소 개구(311) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 화소 개구(311)의 우측부와 중첩하지 않을 수 있다.

예를 들면, 도 25에는 도시된 바와 같이, 화소 개구들(311)은 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6)를 포함할 수 있다. 또한, 개구들(421)은 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6)를 포함할 수 있다.

제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2) 및 제3 화소 개구(311_3)가 제1 화소 영역에 대응될 수 있고, 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6)가 상기 제1 화소 영역과 인접하여 위치하는 제2 화소 영역에 대응될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제1 개구(421_1)를 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제4 개구(421_4)를 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

또한, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제2 개구(421_2)를 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제5 개구(421_5) 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색과 동일할 수 있다.

더욱이, 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제6 화소 개구(311_6)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제3 개구(421_3)를 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색과 제6 화소 개구(311_6)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제6 개구(421_6)를 통해 표시 장치(900)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6) 각각의 폭은 제1 폭(a)을 가질 수 있고, 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6) 각각의 폭은 제2 폭(b)을 가질 수 있다. 여기서, 제1 폭(a)은 제2 폭(b)보다 작을 수 있다. 즉, 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6) 각각의 크기는 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6) 각각의 크기보다 클 수 있다.

제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6)는 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6)와 각기 부분적으로 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6)는 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6)를 각기 부분적으로 커버할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 화소 개구(311_1)로부터 제4 화소 개구(311_4)가 제1 방향(D1)으로 이격되어 위치할 수 있고, 제2 화소 개구(311_2)로부터 제5 화소 개구(311_5)가 제1 방향(D1)으로 이격되어 위치할 수 있으며, 제3 화소 개구(311_3)로부터 제6 화소 개구(311_6)가 제1 방향(D1)으로 이격되어 위치할 수 있다.

또한, 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6) 각각의 좌측부를 제1 부분 및 우측부를 제2 부분으로 정의한다.

제1 개구(421_1)는 제1 화소 개구(311_1) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 제1 화소 개구(311_1)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제4 개구(421_4)는 제4 화소 개구(311_4) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 제4 화소 개구(311_4)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 도 26에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제1 화소 개구(311_1)와 제1 개구(421_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제4 화소 개구(311_4)와 제4 개구(421_4)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제1 형상(S1)과 제2 형상(S2) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다.

도 25를 다시 참조하면, 제2 개구(421_2)는 제2 화소 개구(311_2) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 제2 화소 개구(311_2)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제5 개구(421_5)는 제5 화소 개구(311_5) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 제5 화소 개구(311_5)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 도 27에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제2 화소 개구(311_2)와 제2 개구(421_2)가 중첩된 제3 형상(S3)과 제5 화소 개구(311_5)와 제5 개구(421_5)가 중첩된 제4 형상(S4)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제3 형상(S3)과 제4 형상(S4) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다.

도 25를 다시 참조하면, 제3 개구(421_3)는 제3 화소 개구(311_3) 상에서 제1 방향(D1)으로 시프트되어 제3 화소 개구(311_3)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제6 개구(421_6)는 제6 화소 개구(311_6) 상에서 제2 방향(D2)으로 시프트되어 제6 화소 개구(311_6)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 도 28에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제3 화소 개구(311_3)와 제3 개구(421_3)가 중첩된 제5 형상(S5)과 제6 화소 개구(311_6)와 제6 개구(421_6)가 중첩된 제6 형상(S6)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 여기서, 가상선(610)은 제5 형상(S5)과 제6 형상(S6) 사이의 중간 지점에 위치하고, 제3 방향(D3)(또는 제4 방향(D4))으로 연장할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(900)는 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6) 각각과 부분적으로 중첩하는 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6)를 포함할 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 화소 개구(311_1)와 제1 개구(421_1)가 중첩된 제1 형상(S1)과 제4 화소 개구(311_4)와 제4 개구(421_4)가 중첩된 제2 형상(S2)은 가상선(610)에 대하여 대칭일 수 있고, 제2 화소 개구(311_2)와 제2 개구(421_2)가 중첩된 제3 형상(S3)과 제5 화소 개구(311_5)와 제5 개구(421_5)가 중첩된 제4 형상(S4)은 가상선(610)에 대하여 대칭일 수 있으며, 제3 화소 개구(311_3)와 제3 개구(421_3)가 중첩된 제5 형상(S5)과 제6 화소 개구(311_6)와 제6 개구(421_6)가 중첩된 제6 형상(S6)은 가상선(610)에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 따라서, 하부 구조물(500)과 상부 구조물(600)을 결합 시 얼라인 틀어짐이 발생하더라도, 제1 개구(421_1) 및 제4 개구(421_4)를 통해 외부로 방출되는 제1 광의 총량, 제2 개구(421_2) 및 제5 개구(421_5)를 통해 외부로 방출되는 제2 광의 총량 및 제3 개구(421_3) 및 제6 개구(421_6)를 통해 외부로 방출되는 제3 광의 총량이 모두 일정할 수 있다.

도 29는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 29에 예시한 표시 장치(1000)는 제1 화소 개구(311_1)와 제1 개구(421_1)가 중첩된 제1 형상(S1), 제4 화소 개구(311_4)와 제4 개구(421_4)가 중첩된 제2 형상(S2), 제2 화소 개구(311_2)와 제2 개구(421_2)가 중첩된 제3 형상(S3), 제5 화소 개구(311_5)와 제5 개구(421_5)가 중첩된 제4 형상(S4), 제3 화소 개구(311_3)와 제3 개구(421_3)가 중첩된 제5 형상(S5) 및 제6 화소 개구(311_6)와 제6 개구(421_6)가 중첩된 제6 형상(S6)을 제외하면 도 21 내지 28을 참조하여 설명한 표시 장치(900)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 29에 있어서, 도 21 내지 28을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 25 및 29를 참조하면, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 화소 개구들(311)과 개구들(421)이 각기 부분적으로 중첩하여 위치할 수 있다. 예를 들면, 개구들(421) 각각은 화소 개구들(311) 각각을 부분적으로 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 개구들(421) 중 일부는 화소 개구(311) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 상기 화소 개구(311)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 개구들(421) 중 나머지는 화소 개구(311) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 화소 개구(311)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다.

예를 들면, 화소 개구들(311)은 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6)를 포함할 수 있다. 또한, 개구들(421)은 제1 개구(421_1), 제2 개구(421_2), 제3 개구(421_3), 제4 개구(421_4), 제5 개구(421_5) 및 제6 개구(421_6)를 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제1 화소 개구(311_1)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제1 개구(421_1)를 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색과 제4 화소 개구(311_4)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제4 개구(421_4)를 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

또한, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제2 화소 개구(311_2)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제2 개구(421_2)를 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색과 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제5 개구(421_5) 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색과 동일할 수 있다.

더욱이, 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 제6 화소 개구(311_6)에 배치되는 발광층으로부터 방출되는 광은 동일한 색을 가지거나, 제3 화소 개구(311_3)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제3 개구(421_3)를 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색과 제6 화소 개구(311_6)에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광이 제6 개구(421_6)를 통해 표시 장치(1000)의 외부로 방출된 광의 색은 동일할 수 있다.

또한, 제1 화소 개구(311_1), 제2 화소 개구(311_2), 제3 화소 개구(311_3), 제4 화소 개구(311_4), 제5 화소 개구(311_5) 및 제6 화소 개구(311_6) 각각의 우측부 및 하부를 제1 부분 및 좌측부 및 상부를 제2 부분으로 정의한다.

제1 개구(421_1)는 제1 화소 개구(311_1) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 제1 화소 개구(311_1)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제4 개구(421_4)는 제4 화소 개구(311_4) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 제4 화소 개구(311_4)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제1 화소 개구(311_1)와 제1 개구(421_1)가 중첩된 제1 형상과 제4 화소 개구(311_4)와 제4 개구(421_4)가 중첩된 제2 형상은 가상선에 대하여 서로 대칭일 수 있다.

제2 개구(421_2)는 제2 화소 개구(311_2) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 제2 화소 개구(311_2)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제5 개구(421_5)는 제5 화소 개구(311_5) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 제5 화소 개구(311_5)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제2 화소 개구(311_2)와 제2 개구(421_2)가 중첩된 제3 형상과 제5 화소 개구(311_5)와 제5 개구(421_5)가 중첩된 제4 형상은 가상선에 대하여 서로 대칭일 수 있다.

제3 개구(421_3)는 제3 화소 개구(311_3) 상에서 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)으로 시프트되어 제3 화소 개구(311_3)의 제1 부분과 중첩하지 않을 수 있고, 제6 개구(421_6)는 제6 화소 개구(311_6) 상에서 제1 방향(D1) 및 제4 방향(D4)으로 시프트되어 제6 화소 개구(311_6)의 제2 부분과 중첩하지 않을 수 있다. 상부 기판(410)의 상면에서 수직한 방향에서 볼 때, 제3 화소 개구(311_3)와 제3 개구(421_3)가 중첩된 제5 형상과 제6 화소 개구(311_6)와 제6 개구(421_6)가 중첩된 제6 형상은 가상선에 대하여 서로 대칭일 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(1000)는 상부 구조물(600)과 하부 구조물(500)의 결합 시 가로 방향(예를 들어, 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)) 및 세로 방향(예를 들어, 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4))으로의 얼라인 틀어짐에 대한 불량률을 감소시킬 수 있다.

도 30은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 30에 예시한 표시 장치(1100)는 도 21 내지 28을 참조하여 설명한 표시 장치(900)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 30에 있어서, 도 21 내지 28을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.

도 25 및 30을 참조하면, 제1 화소 개구(311_1) 및 제1 화소 개구(311_1)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제7 화소 개구 상에 제1 개구(421_1)가 부분적으로 중첩할 수 있다. 제2 화소 개구(311_2) 및 제2 화소 개구(311_2)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제8 화소 개구 상에 제2 개구(421_2)가 부분적으로 중첩할 수 있다. 제3 화소 개구(311_3) 및 제3 화소 개구(311_3)로부터 제4 방향(D4) 이격하여 위치하는 제9 화소 개구 상에 제3 개구(421_3)가 부분적으로 중첩할 수 있다. 제4 화소 개구(311_4) 및 제4 화소 개구(311_4)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제10 화소 개구 상에 제4 개구(421_4)가 부분적으로 중첩할 수 있다. 제5 화소 개구(311_5) 및 제5 화소 개구(311_5)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제11 화소 개구 상에 제5 개구(421_5)가 부분적으로 중첩할 수 있다. 제6 화소 개구(311_6) 및 제6 화소 개구(311_6)로부터 제4 방향(D4)으로 이격하여 위치하는 제12 화소 개구 상에 제6 개구(421_6)가 중첩할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제1 화소 개구(311_1) 및 상기 제7 화소 개구와 제1 개구(421_1)가 중첩된 제1 형상과 제4 화소 개구(311_4) 및 상기 제10 화소 개구와 제4 개구(421_4)가 중첩된 제2 형상은 가상선 에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 또한, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제2 화소 개구(311_2) 및 상기 제8 화소 개구와 제2 개구(421_2)가 중첩된 제3 형상과 제5 화소 개구(311_5) 및 상기 제11 화소 개구와 제5 개구(421_5)가 중첩된 제4 형상은 가상선 에 대하여 서로 대칭일 수 있다. 더욱이, 상부 기판(410)의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 제3 화소 개구(311_3) 및 상기 제9 화소 개구와 제3 개구(421_3)가 중첩된 제5 형상과 제6 화소 개구(311_6) 및 제12 화소 개구가 중첩된 제6 형상은 가상선 에 대하여 서로 대칭일 수 있다.

상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.

10: 표시 영역 20: 주변 영역
30: 화소 영역 31: 제1 서브 화소 영역
32: 제2 서브 화소 영역 33: 제3 서브 화소 영역
100, 700, 800, 900, 1000, 1100: 표시 장치
110: 하부 기판 150: 게이트 절연층
190: 층간 절연층 270: 평탄화층
310: 화소 정의막 311: 화소 개구들
312: 소형 화소 개구들 330: 발광층
340: 상부 전극 410: 상부 기판
420: 차광 부재 421: 개구들
422: 소형 개구들 430: 차광막
450: 박막 봉지 구조물 451: 제1 무기 박막 봉지층
452: 유기 박막 봉지층 453: 제2 무기 박막 봉지층
490: 제1 보호 절연층 495: 제2 보호 절연층
497: 중간층 500: 하부 구조물
510: 컬러 필터들 511: 제2 컬러 필터
512: 제3 컬러 필터 513: 제1 컬러 필터
513a, 513b: 개구들 530: 광학 필터들
531: 제1 양자점 패턴 532: 산란 패턴
533: 제2 양자점 패턴 600: 상부 구조물
130_1, 130_2, 130_3: 제1 내지 제3 액티브층들
170_1, 170_2, 170_3: 제1 내지 제4 게이트 전극들
210_1, 210_2, 210_3: 제1 내지 제3 소스 전극들
230_1, 230_2, 230_3: 제1 내지 제3 드레인 전극들
250_1, 250_2, 250_3: 제1 내지 제3 반도체 소자들
290_1, 290_2, 290_3: 제1 내지 제3 하부 전극들
311_1, 311_2, 311_3, 311_4, 311_5, 311_6: 제1 내지 제6 화소 개구들
312_1, 312_2: 제1 및 소형 화소 개구들
421_1, 421_2, 421_3, 421_4, 421_5, 421_6: 제1 내지 제6 개구들
422_1, 422_2: 제1 및 제2 소형 개구들

Claims

하부 기판;
상기 하부 기판 상에 배치되고, 제1 개구 및 상기 제1 개구로부터 제1 방향으로 이격된 제2 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 제1 개구 및 상기 제2 개구에 각기 배치되는 발광층;
상기 발광층 상에 배치되는 상부 기판;
상기 상부 기판 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 부분적으로 중첩하는 제3 개구 및 상기 제2 개구와 부분적으로 중첩하는 제4 개구를 포함하는 차광 부재;
상기 차광 부재의 상기 제3 개구 및 상기 제4 개구에 각기 배치되고, 제1 색을 갖는 제1 컬러 필터; 및
상기 제1 컬러 필터 아래에 배치되고, 상기 제1 색을 투과시키는 제1 광학 필터를 포함하고,
상기 상부 기판의 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 제1 개구와 상기 제3 개구가 중첩된 제1 형상과 상기 제2 개구와 상기 제4 개구가 중첩된 제2 형상은 가상선에 대하여 대칭이며,
상기 가상선은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 형상과 상기 제2 형상 사이에 위치하고,
상기 제1 개구에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광과 상기 제2 개구에 배치되는 발광층으로부터 방출된 광은 동일한 색을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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삭제
삭제
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 발광층과 상기 하부 기판 사이에 배치되는 제1 및 제2 하부 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 6 항에 있어서, 상기 제1 하부 전극의 일부가 상기 화소 정의막의 상기 제1 개구에 의해 노출되고, 상기 제2 하부 전극의 일부가 상기 화소 정의막의 상기 제2 개구에 의해 노출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각은 제1 부분 및 상기 제1 부분과 마주보는 제2 부분을 포함하고,
상기 차광 부재는 상기 제1 하부 전극의 상기 제1 부분 및 상기 제2 하부 전극의 제2 부분과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 화소 정의막은,
상기 제1 개구와 상기 제2 개구 사이에 위치하는 제5 개구; 및
상기 제2 개구로부터 상기 제1 방향으로 이격된 제6 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 9 항에 있어서, 상기 차광 부재는,
상기 제5 개구와 중첩하고, 상기 제5 개구보다 큰 제7 개구; 및
상기 제6 개구와 중첩하고, 상기 제6 개구보다 큰 제8 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 9 항에 있어서, 상기 차광 부재는,
상기 제5 개구와 부분적으로 중첩하는 제7 개구; 및
상기 제6 개구와 부분적으로 중첩하는 제8 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 11 항에 있어서, 상기 상부 기판의 상기 상면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 제5 개구와 상기 제7 개구가 중첩된 제3 형상과 상기 제6 개구와 상기 제8 개구가 중첩된 제4 형상은 상기 가상선 에 대하여 대칭인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 12 항에 있어서, 상기 제1 형상과 상기 제3 형상은 동일하고, 상기 제2 형상과 상기 제4 형상은 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 10 항에 있어서,
상기 차광 부재의 상기 제7 개구 및 상기 제8 개구에 각기 배치되는 제2 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 14 항에 있어서, 상기 제2 컬러 필터는 제2 색을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 15 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터 아래에 배치되고, 상기 제2 색을 투과시키는 제2 광학 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 상부 기판의 저면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
삭제
제 1 항에 있어서, 상기 상부 기판은 상기 하부 기판과 대향하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 발광층과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 제1 무기 박막 봉지층;
상기 제1 무기 박막 봉지층 상에 배치되는 유기 박막 봉지층; 및
상기 유기 박막 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 박막 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.