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KR102816169B1 - 패터닝된 구조체들 상의 지향성 증착 - Google Patents

패터닝된 구조체들 상의 지향성 증착 Download PDF

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KR102816169B1
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Abstract

패터닝된 구조체들 상에 매우 컨포멀하지 않은 (지향성) 증착을 수행함으로써 패터닝을 용이하게 하는 방법들 및 관련된 장치가 본 명세서에 제공된다. 방법들은 하드마스크와 같은 패터닝된 구조체 상에 막들을 증착하는 단계를 수반한다. 증착은, 막들이 에칭될 하부 재료에 대해 고 에칭 선택도를 갖도록 기판-선택적이면서 그리고 패터닝된 구조체의 패턴을 복제하기 위해서 막들이 지향성으로 증착되도록 패턴-선택적일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 증착은 차후의 에칭이 수행될 때 동일한 챔버 내에서 수행된다. 일부 실시예들에서, 증착은 진공 이송 챔버에 의해 에칭 챔버에 연결되는 분리된 챔버 (예를 들어, PECVD 챔버) 내에서 수행될 수도 있다. 증착은 에칭 프로세스 동안 선택된 중단 전에 또는 선택된 중단시 수행될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 증착은 증착 및 처리 프로세스의 복수의 사이클들을 수반한다.

Description

패터닝된 구조체들 상의 지향성 증착{DIRECTIONAL DEPOSITION ON PATTERNED STRUCTURES}
3D-NAND 및 DRAM의 스케일링에서, 최대 64 쌍들의 ONON/OPOP가 채널 홀들로 사용된다. 이들 고 종횡비 홀들의 에칭에서 중요한 과제들 중 일 과제는 에칭 동안의 마스크 손실이다. 통상적인 마스크 선택도는 에칭 선택도의 5 내지 8 배의 범위이며, 이는 홀들의 깊이에 따라 0.5 내지 2 ㎛의 범위에서 필요한 마스크 높이로 변환된다. 보다 긴 마스크들은 홀들의 종횡비들을 증가시키고, 에칭의 어려움을 증가시킨다. 이들 고 종횡비의 홀들을 에칭하기 위해서 사용되는 점진적으로 보다 높은 플라즈마 밀도들 및 이온 에너지들은 에칭 동안 플루오로카본계 폴리머들의 비선택적인 증착에 의한 마스크 부식을 완화시키는 종래의 실행들의 효능을 감소시킨다.
패터닝된 구조체 상의 지향성 증착을 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 제공된다. 일부 구현예들에서, 방법들은 패터닝된 구조체 상에 마스크-빌트 업 (mask-built up) 재료를 증착하도록 멀티-사이클 지향성 증착 프로세스를 수행하는 단계를 수반한다. 사이클 각각은 i) 패터닝된 구조체 상에 제 1 재료를 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 프로세스에 의해 증착하는 단계, 및 ii) 지향성을 개선하도록 제 1 재료를 플라즈마 처리하는 단계를 포함할 수도 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 제 1 재료는 실리콘계 재료, 탄소계 재료, 붕소계 재료 또는 이들의 조합일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 재료는 실리콘, 탄소, 붕소, 인, 비소 및 황 중 2 개 이상을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제 1 재료는 금속-함유 재료이다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 처리는 제 1 재료를 질소계 플라즈마, 산소계 플라즈마, 수소계 플라즈마, 탄화수소계 플라즈마, 아르곤계 플라즈마, 헬륨계 플라즈마, 또는 이들의 조합에 노출시키는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, 방법은 패터닝된 구조체에 의해 마스킹된 (masked) 층을 에칭하는 단계를 포함한다. 패터닝된 구조체는 피처들 상단들 및 피처 측벽들을 가진 상승된 피처들을 포함할 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 제 1 재료를 처리하는 단계는, 제 1 재료를 피처 측벽들로부터 피처 상단들로 재증착하는 단계를 수반할 수도 있다.
일부 실시예들에서, 사이클 각각은 제 2 재료를 형성하도록 제 1 재료를 반응시키는 단계를 수반한다. 일부 실시예들에서, 사이클 각각은 제 1 재료의 재료 속성을 변화시키는 단계를 수반한다. 예를 들어, 제 1 재료의 재료 속성을 변화시키는 단계는 플라즈마 처리, 자외 복사에 대한 노출, 또는 열 어닐링 중 하나 이상을 수반할 수도 있다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 실리콘-함유 전구체, 탄소-함유 전구체, 붕소-함유 전구체, 또는 금속-함유 전구체를 플라즈마 반응기에 도입하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 실란, 할로겐화 실란, 유기실란, 또는 아미노실란으로부터 선택된 실리콘-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 메틸실란, 에틸실란, 이소프로필실란, t-부틸실란, 디메틸실란, 디에틸실란, 디-t-부틸실란, 알릴실란, sec-부틸실란, 덱실실란, 이소아밀실란, t-부틸디실란, 디-t-부틸디실란, 테트라클로로실란, 트리클로로실란, 디클로로실란, 모노클로로실란, 클로로알릴실란, 클로로메틸실란, 디클로로메틸실란, 클로로디메틸실란, 클로로에틸실란, t-부틸클로로실란, 디-t-부틸클로로실란, 클로로이소프로필실란, 클로로-sec-부틸실란, t-부틸디메틸클로로실란, 덱실디메틸클로로실란, 모노-아미노실란, 디-아미노실란, 트리-아미노실란, 테트라-아미노실란, t-부틸아미노실란, 메틸아미노실란, 삼차-부틸실란아민 (tert-butylsilanamine), 비스(삼차부틸아미노)실란 (bis(tertiarybutylamino)silane), 또는 삼차-부틸 실릴카바메이트로부터 선택된 실리콘-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 메탄 (CH4), 아세틸렌 (C2H2), 에틸렌 (C2H4), 프로필렌 (C3H6), 부탄 (C4H10), 사이클로헥산 (C6H12), 벤젠 (C6H6), 및 톨루엔 (C7H8) 으로부터 선택된 탄소-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 보란 (BH3), 디보란 (B2H6), 및 트리보란 (B3H7) 으로부터 선택된 붕소-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스에 의한 증착 단계는 펜타키스(디메틸아미도)탄탈륨, 트리메틸알루미늄, 테트라에톡시티타늄, 테트라키스-디메틸-아미도 티타늄, 하프늄 테트라키스(에틸메틸아미드), 비스(사이클로펜타디에닐)망간, 및 비스(n-프로필사이클로펜타디에닐)마그네슘으로부터 선택된 금속-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, PECVD 프로세스 및 플라즈마 처리 동작 중 하나 또는 양자는 유도 결합 플라즈마, 또는 용량 결합 플라즈마, 또는 마이크로파 플라즈마를 사용한다. 일부 실시예들에서, PECVD 프로세스 및 플라즈마 처리 동작 중 하나 또는 양자는 직접 플라즈마, 또는 리모트 플라즈마, 또는 이들의 조합을 사용한다. 일부 실시예들에서, PECVD 프로세스 및 플라즈마 처리 동작 중 하나 또는 양자는 이온-보조된 프로세스, 또는 라디칼-보조된 프로세스, 또는 이들의 조합이다.
또한 본 명세서에 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 유도 결합 또는 용량 결합 에칭 챔버와 같은 하나 이상의 프로세스 챔버들, 및 방법들을 수행하기 위한 머신-판독 가능 인스트럭션들을 가진 제어기를 포함할 수도 있다.
이들 및 다른 양태들은 도면들을 참조하여 이하에 더 기술된다.
도 1은 하드마스크 상의 지향성 증착을 포함하는 통합 프로세스의 일 예의 동작들을 예시한다.
도 2는 고 종횡비 피처 상의 지향성 증착의 방법의 일 예의 특정한 동작들을 도시한다.
도 3a 내지 도 3d는 지향성 증착 프로세스 동안 3 개의 고 종횡비 패터닝된 하드마스크 피처들의 개략적인 예들을 도시한다.
도 4는 고 종횡비 피처 상의 지향성 증착의 방법의 일 예의 특정한 동작들을 도시한다.
도 5 및 도 6은 개시된 실시예들에 따라 방법들을 수행하기 위한 프로세스 챔버들의 예들의 개략도들이다.
다음의 기술에서, 다수의 특정한 세부 사항들이 제시된 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 개시된 실시예들은 이러한 특정한 세부 사항들 전부 또는 일부 없이도 실시될 수도 있다. 다른 예들에서, 공지된 프로세스 동작들은 개시된 실시예들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다. 개시된 실시예들은 특정한 실시예들과 함께 기술될 것이지만, 이는 개시된 실시예들을 제한하려고 의도된 것이 아님이 이해될 것이다.
반도체 프로세싱에서, 마스킹 방법들은 기판들을 패터닝하고 에칭하도록 사용된다. 또한 마스크 부식으로 지칭되는, 에칭 동안의 마스크 손실은 홀들 및 트렌치들과 같은 고 종횡비 피처들을 에칭하는데 있어서 중요한 과제이다. 마스크 또는 기판 패턴 상에 막들을 증착하는 것을 수반한 방법들이 본 명세서에 제공된다. 증착은 (막들이 기판에 대해 고 에칭 선택도를 갖도록) 기판-선택적이고 그리고 (막들이 패턴 상에 지향성으로 증착되고 그리고 패턴을 복제하도록) 패턴-선택적일 수도 있다. 증착된 재료는 마스크 빌드 업 (build-up) 재료로서 지칭된다. 일부 실시예들에서, 증착은 에칭이 수행되는 챔버와 동일한 챔버 내에서 수행되고, 또한 인 시츄 (in situ) 증착으로서 지칭된다. 일부 실시예들에서, 증착은 이송 챔버에 의해 주 에칭 챔버에 연결되는 분리된 챔버 (예를 들어, PECVD 챔버 또는 상이한 에칭 챔버) 내에서 수행될 수도 있다. 기술이 주로 패터닝된 하드마스크들 상의 증착에 관한 것이지만, 본 명세서에 개시된 방법들은 구조체 패턴을 복제하도록 임의의 패터닝된 구조체 상의 지향성 증착을 포함한다는 것을 주의해야 한다.
마스크 빌드 업 재료의 증착은 에칭 프로세스 동안 선택된 중단 전에 또는 선택된 중단시 수행될 수도 있다. 도 1은 하드마스크 상의 지향성 증착을 포함한 통합 프로세스의 일 예의 동작들을 예시한다. 도 1에서, 10에서, 하드마스크 (105) 및 포토레지스트 (109) 는 에칭될 재료 (101) 상에 형성된다. 하드마스크 (105) 는 유기 또는 무기 하드마스크들을 포함한 임의의 적절한 재료일 수도 있다. 유기 하드마스크들의 예들은 도핑되거나 도핑되지 않은 비정질 탄소 (또한 애시가능한 하드마스크들 또는 AHM들로서 공지됨) 및 유기-실록산 재료들을 포함한다. 무기 하드마스크 재료들의 예들은 폴리-실리콘 및 비정질 실리콘 (폴리-Si, a-Si), 실리콘 옥사이드 (SiO), 실리콘 나이트라이드 (SiN), 실리콘 옥시나이트라이드들 (SiON), 실리콘 카보나이트라이드 (SiCN), 티타늄 나이트라이드 (TiN), 텅스텐 (W) 및 피처 에칭 후에 선택적으로 제거될 수 있는 다른 금속을 포함한다. 하드마스크는 도핑될 수도 있고, 일 예는 붕소-도핑된 AHM이다. 일부 실시예들에서, 하드마스크는 금속 하드마스크 (MHM) 일 수도 있고, 예들은 금속들 (예를 들어, 알루미늄 (Al), 금속 나이트라이드들 (예를 들어, TiN 및 탄탈륨 나이트라이드 (TaN), 텅스텐 (W) 및 금속 옥사이드들 (예를 들어, 알루미나 (Al2O3)) 을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하드마스크는 세라믹 하드마스크 (CHM) 일 수도 있다.
이어서 프로세스는 에칭될 재료를 노출시키도록 포토레지스트 현상 (20) 및 하드마스크 개방 (30) 으로 진행된다. 도 1의 예에서, 재료 (101) 를 에칭하기 전에, 마스크 빌드 업 재료 (111) 는 하드마스크 (105) 의 패터닝된 피처들의 종횡비들을 증가시키도록 하드마스크 (105) 상에 지향성으로 증착된다. 동작 40을 참조하라. 이것은 차후의 에칭으로 하여금 보다 깊은 에칭을 제공하며 보다 긴 시간 동안 진행되게 한다. 이어서 재료 (101) 는 에칭된다. 동작 50을 참조하라. 도 1의 예에서, 마스크 빌드 업 재료 (111) 는 에칭 동안 완전히 제거된다. 그러나, 일부 실시예들에서, 마스크 빌드 업 재료 (111) 의 일부가 남아 있을 수도 있다. 동작 50에서, 에칭이 완료된다면, 하드마스크 (50) 는 적절한 프로세스에 의해 제거될 수도 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, 마스크 빌드 업 재료의 패턴 상 (on-pattern) 지향성 증착은 에칭 프로세스를 계속하기 전에 하드마스크의 패터닝된 피처들의 종횡비들을 증가시키도록 동작 50 후에 수행될 수도 있다. 부식된 마스크 재료는 동일하거나 유사한 재료 또는 상이한 재료로 복구되고 그리고 필요하다면 동일하거나 상이한 프로파일로 복구될 수 있다.
도 2는 고 종횡비 피처 상의 지향성 증착의 방법의 특정한 동작들을 도시한다. 상기에 기술된 바와 같이, 지향성 증착은 에칭될 재료 위에 가로 놓인 마스크의 종횡비를 증가시키도록 에칭 프로세스의 중간에 또는 에칭 프로세스 전에 에칭 챔버 내에서 발생할 수도 있다.
도 2에서, 마스크 빌드 업 재료는 PECVD 프로세스에 의해 고 종횡비 피처들 상에 증착된다. 블록 201. 마스크 빌드 업 재료는 일반적으로 마스크 재료와 상이하고, PECVD에 의해 증착될 수 있고, 그리고 에칭될 재료에 대한 적어도 일부 에칭 선택도를 갖는다. 이와 같이, 마스크 빌드 업 재료는 에칭될 재료 및 사용될 에칭 화학물질에 따라 결정될 것이다. 통상적으로, 마스크 빌드 업 재료는 유전체 재료이다. 예들은 실리콘-함유 막들 및 탄소-함유 막들 및 이들의 조합을 포함한다.
지향성 증착을 용이하게 하도록, 일부 실시예들에서, 증착 화학물질들은 고 부착 계수들 및 저 이동도들을 가진 분자들을 포함할 수도 있다. 부착 계수는 동일한 시간 기간 동안 표면 상에 충돌하는 분자들의 총 수에 대한 표면에 들러붙는 흡착 분자들의 수의 비이다. 부착 계수들은 사이즈 (큰 분자들은 보다 고 부착 계수들을 가짐) 및 표면에 대한 흡착 성질에 따라 결정된다.
이동도는 분자들의 표면 및 가스 확산 레이트들을 지칭한다. 일부 실시예들에서, 폴리머 사슬들을 포함한 증착 화학물질들이 사용될 수도 있다. 이러한 사슬들은 PECVD 프로세스 동안 플라즈마에서 형성될 수도 있다. 예를 들어, 수소 (H2) 와 함께 클로로실란이 챔버로 도입될 수도 있다. 플라즈마는 스트라이킹될 (strike) 수도 있고, (*로 표기된) 라디칼들 및 이온들을 생성하고, 차후의 반응들은 염소화된 폴리실란들을 생성한다.
예시적인 플라즈마 반응들은 다음을 포함한다.
H2 + e- → 2H* + e-
SiCl4 + e- → SiCl3 + Cl* + e-
SiCl4 + H* → SiCl3* + HCl
SiCl4 + 2H* → HSiCl3 + HCl
SiCl3*+ 2H* → SiCl2* + HCl + H*,
또는 → HSiCl2* + Cl* + H*,
또는 → HSiCl3 + H*,
또는 → H2SiCl* + 2Cl*,
n(SiCl2*) + mSiCl3* → Si2Cl6 + ... → Si3Cl8 + ... → SinCl2n+2
n(HSiCl*) + mH2SiCl* → H2Si2Cl4 + ... → HxSinCl2n +2-x
또한 표면 상에서 발생하는 유사한 반응들은 증착 프로세스를 보다 복잡하게 만든다.
염소화된 폴리실란들은 큰 클러스터들일 수도 있다. 클로로실란들 및 염소화된 폴리실란들 양자는 패턴 상 지향성 증착의 제공을 돕는 고 부착 계수들 및 저 이동도들을 갖는다. 다른 예시적인 증착 화학물질들이 이하에 더 논의된다. 블록 201 후에, 고 종횡비 피처 상에 증착된 마스크 빌드 업 재료는 지향성으로 증착될 수도 있고, 증착된 재료는 측벽들을 따라 그리고 피처 하단에서보다 피처의 상단에서 보다 두껍다. 도 3a는 블록 201 후의 고 종횡비 패터닝된 하드마스크 피처들의 개략적인 예를 도시한다. 도 3a의 예에서, 에칭될 재료 (309) 위에 가로 놓인 패터닝된 하드마스크 피처들 (303) 이 도시된다. 패터닝된 하드마스크 피처들 (303) 은 피처 상단들 (305) 및 측벽들 (307) 을 갖는 것을 특징으로 할 수도 있다. 패터닝된 하드마스크 피처들 (303) 은 예를 들어, 콘택트 홀들 또는 트렌치들일 수도 있는 고 종횡비 홀들 (313) 을 형성한다. 홀들 (313) 의 하단들 (311) 은 피처 하단들로서 지칭될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 바이어스 전압은 PECVD 증착 동안 웨이퍼에 인가된다. 이것은 플라즈마 내의 다양한 종의 부착 계수를 증가시킬 수도 있다. 예를 들어, 바이어스 전압은 클로로실란 이온 라디칼들의 부착 계수를 증가시킬 수도 있다.
실리콘-함유 전구체 및 희석 가스들로부터의 가스 혼합물에서 생성된 플라즈마 (301) 는 하드마스크 상에 실리콘 막을 증착하도록 사용된다. 예시적인 플라즈마 종은 SiHyClx* 라디칼들 (302), H* 원자들 (308), 및 염소화된 폴리실란들 (306) 을 포함한다. 염화수소 (HCl) 종 (304) 은 부산물로서 생성된다. 실리콘-함유 종은 패터닝된 하드마스크 피처들 (303) 상에 실리콘 빌드 업 재료 (312) 를 증착한다. 도 3a의 예에서, 증착은 보다 많은 빌드 업 재료 (312) 가 측벽들 (307) 및 하단들 (311) 상보다는 피처 상단들 (305) 상에 증착된다는 점에서 지향성이다. 빌드 업 재료 (312) 의 두께는 피처의 깊이에 따라 감소된다.
도 2를 다시 참조하면, 이어서 증착된 마스크 빌드 업 재료가 지향성을 증가시키도록 처리된다. 블록 203. 지향성을 증가시키는 것은 마스크 빌드 업 재료의 종횡비를 증가시킬 수도 있다. 일부 실시예들에서, 마스크 빌드 업 재료는 패터닝된 하드마스크의 측벽들 상에서 수 나노미터 두께 이하이다. 지향성은 또한 상단:하단 단차 커버리지 또는 상단:측벽 단차 커버리지의 관점에서 특징이 될 수도 있다. 도 3d에서, 예를 들어, 320은 상단 두께를 나타내고, 322는 하단 두께를 나타내고, 그리고 324는 측벽 두께를 나타낸다. 단차 커버리지는 2 개의 두께들의 비, 예를 들어, 상단:하단 단차 커버리지 또는 상단:측벽 단차 커버리지이다. 측벽 두께를 측정할시, 피처 깊이의 중간 지점에서의 두께가 사용될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 처리 동작은 상단:하단 또는 상단:측벽 단차 커버리지를 증가시킨다. 일부 실시예들에서, 블록 203은 또한 증착된 재료의 재료 속성 (예를 들어, 밀도, 화학적 조성, 또는 에칭 저항률) 을 수정한다.
동작 203은 고 이동도를 갖고 그리고 마스크 빌드 업 재료를 에칭할 수 있는 플라즈마 종에 마스크 빌드 업 재료를 노출시키는 것을 수반할 수 있다. 플라즈마 종은 에칭될 재료에 대해 그리고/또는 하드마스크에 대해 선택적으로 마스크 빌드 업 재료를 화학적으로 에칭할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 화학적 에칭의 반응 생성물들은 패터닝된 하드마스크 피처들의 상부 부분 상에 빌드 업 재료로서 재증착된다.
일부 실시예들에서, 수소계 플라즈마가 사용된다. 수소계 플라즈마는 수소 종, 주로 H 라디칼들이 주 처리 종이고 그리고 일부 실시예들에서 주 에칭 종일 수도 있는 플라즈마이다. 일부 실시예들에서, 수소계 플라즈마는 본질적으로 H2로 구성된 가스로부터 형성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 하나 이상 불활성 가스들은 H2와 함께 존재할 수도 있다. 수소계 플라즈마는 옥사이드들을 에칭하지 않고 선택적으로 실리콘을 에칭할 수 있다.
일부 실시예들에서, 다음의 것들 중 하나 이상을 포함한 플라즈마 생성 가스가 플라즈마 종을 생성하도록 플라즈마 생성기에 도입된다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 생성 가스는 하나 이상의 수소-함유 플라즈마들을 포함한다. 이러한 가스들의 예들은 H2, CH4, NH3, C2H2, 및 N2H2를 포함한다. 결과로 발생한 플라즈마는 수소계 플라즈마일 수도 있다.
일부 실시예들에서, 질소계 플라즈마, 산소계 플라즈마, 탄화수소계 플라즈마, 아르곤계 플라즈마, 또는 헬륨계 플라즈마가 사용될 수도 있다. 질소계 플라즈마에서, 주 처리 종은 질소이고, 산소계 플라즈마에서, 주 처리 종은 산소, 등이다. 일부 실시예들에서, 이들은 에칭을 수반하는 처리들을 위한 주 에칭 종일 수도 있다.
도 3b는 블록 203 후의 고 종횡비 패터닝된 하드마스크 피처들의 개략적인 예를 도시한다. 처리 플라즈마 (321) 는 예를 들어, Ar 이온들, Si 이온들, H* 원자들, N 이온들, 및 Cl* 원자들 중 하나 이상을 포함할 수도 있다. 플라즈마로부터 또는 분리된 UV 소스로부터 생성된 자외선은 또한 챔버 내에 있을 수도 있다.
도 3b에서, 처리 플라즈마는 H* 원자들 (308), N 이온들 (309), 및 Ar 이온들 (310) 을 포함한다. 이들은 홀들 (313) 내로 깊게 이동할 수도 있고 그리고 피처들의 측벽들 (307) 및 하단들 (311) 로부터 빌드 업 재료 (312) 를 에칭할 수도 있다. 에칭된 빌드 업 재료의 일부는 피처들의 상단들 (305) 에서 재증착될 수도 있다. 다양한 생성물 종 (315) 이 형성될 수도 있고 재증착을 유발할 수도 있거나 부산물로서 남을 수도 있다. 생성물 종의 예들은 SiClxHy 종, SixHy, 및 NxHy 종을 포함할 수 있다. 이 방식으로, 측벽들 및 하단들에 대한 패터닝된 하드마스크 피처들의 상단으로의 마스크 빌드 업 재료의 지향성이 개선된다. 도 2를 다시 참조하면, 블록들 201 및 203은 목표된 종횡비를 얻도록 1회 이상 반복될 수도 있다. 블록 201은 마스크 빌드 업 재료가 블록 203에서 제거될 수 있도록 피처들의 측벽들 및 하단들 상에 마스크 빌드 업 재료의 박층만을 증착할 정도로만 수행될 수도 있다. 사이클당 예시적인 상단 두께들은 10 Å 내지 500 Å, 또는 10 Å 내지 100 Å의 범위일 수도 있다. 도 3c는 N번째 사이클 및 (N+1)번째 사이클에서의 패터닝된 하드마스크 및 마스크 빌드 업 재료의 개략적인 예를 도시한다.
도 4는 고 종횡비 피처 상의 지향성 증착의 방법의 특정한 동작들을 도시한다. 상기에 기술된 바와 같이, 지향성 증착은 에칭될 재료 위에 가로 놓인 마스크의 종횡비를 증가시키도록 에칭 프로세스의 중간에 또는 에칭 프로세스 전에 에칭 챔버 내에서 발생할 수도 있다. 도 4에 기술된 프로세스는 도 2에 대해 기술된 프로세스와 유사하고, 동작들 201 및 203은 상기에 기술된 바와 같이 수행된다. 그러나, 도 4의 예에서, 패턴 선택도를 증가시키도록 증착된 재료를 처리한 후에, 마스크 빌드 업 재료는 에칭 선택도를 증가시키도록 반응될 수도 있다. 블록 204를 참조하라. 일 예에서, 실리콘 마스크 빌드 업 재료는 실리콘 카바이드를 형성하도록 탄소-함유 가스에 노출될 수도 있다. 이것은 특히 옥사이드들에 대한 고 에칭 선택도를 갖는 마스크 빌드 업 재료를 형성하기에 유용할 수 있다. 다른 예에서, 실리콘 마스크 빌드 업 재료는 실리콘 나이트라이드를 형성하도록 질소-함유 가스에 노출될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 도 4의 동작 204는 마스크 빌드 업 재료가 처리 프로세스 전에 또 다른 재료를 형성하기 위해서 반응되도록 동작 203 전에 수행될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 204는 동작들 203 및 204의 복수의 사이클들 후에만 수행될 수도 있다. 예를 들어, 동작 204는 동작 205 후에 수행될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 선택 가능한 치밀화 동작은 도 2의 동작 203 또는 도 4의 동작 204 후에 수행될 수도 있다. 수행된다면, 치밀화 동작은 예를 들어, 열 어닐링, 자외 복사에 대한 노출, 또는 플라즈마 치밀화 처리를 수반할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 선택 가능한 치밀화 동작은 도 2 또는 도 4의 동작 205 후에 수행될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작들 203 및 204는 적절한 화학물질을 사용하여 동시에 수행될 수도 있다.
증착 및 처리 동안, 프로세스 조건들은 핀치-오프 (pinch-off) 없이 컨포멀하지 않은 증착을 제공하도록 튜닝된다 (tuned). 핀치-오프는 피처들 사이의 영역을 핀치-오프하도록 함께 성장하는 인접한 피처들을 지칭한다. 실험 결과들에 대해 이하에 더 논의되는 바와 같이, 다양한 프로세스 조건들은 PECVD 증착 동안 지향성 증착 그리고 처리 동작 동안 개선된 지향성 및 수직 측벽들을 제공하도록 튜닝될 수도 있다. 처리 동작의 사용 그리고 (연속적인 PECVD보다는) 순환은 일부 실시예들에서, 잘 규정된, 고 종횡비 빌드 업 재료 피처들을 가능하게 하도록 나타난다. PECVD 증착 동안 바이어스 전압은 또한 비컨포멀성 (non-conformality) 을 증가시키고 그리고 핀치-오프를 감소시킬 수도 있다. 증착 동안 체류 시간 (플로우 레이트들) 및 플라즈마 전력은 또한 비컨포멀성 및 핀치-오프에 영향을 준다. 처리 동작 동안 첨가제 가스들의 첨가는 피처들의 상단들에서 이전에 증착된 재료의 에칭을 방지하는 것을 도울 수 있다. 처리 동안 플라즈마 전력 및 노출 시간은 또한 하드마스크 벽들 및 하단에 대한 에칭을 제한하도록 튜닝될 수 있다.
상기 논의는 실리콘계 마스크 빌드 업 재료를 증착하는 것에 초점을 맞추지만, 탄소 막들과 같은 다른 재료들이 사용될 수도 있다. 실리콘을 증착할시에, 실란들 (예를 들어, SiH4), 폴리실란들 (H3Si-(SiH2)n-SiH3) (여기서, n ≥ 1), 유기실란들, 할로겐화 실란들, 및 아미노실란들을 포함한 임의의 적절한 실리콘-함유 전구체가 사용될 수도 있다. 메틸실란, 에틸실란, 이소프로필실란, t-부틸실란, 디메틸실란, 디에틸실란, 디-t-부틸실란, 알릴실란, sec-부틸실란, 덱실실란, 이소아밀실란, t-부틸디실란, 디-t-부틸디실란, 등과 같은 유기실란들이 사용될 수도 있다. 할로겐화 실란은 적어도 하나의 할로겐기를 함유하고 그리고 수소들 및/또는 탄소기들을 함유하거나 함유하지 않을 수도 있다. 할로겐화 실란들의 예들은 이오도실란들, 브로모실란들, 클로로실란들 및 플루오로실란들이다. 구체적인 클로로실란들은 테트라클로로실란 (SiCl4), 트리클로로실란 (HSiCl3), 디클로로실란 (H2SiCl2), 모노클로로실란 (ClSiH3), 클로로알릴실란, 클로로메틸실란, 디클로로메틸실란, 클로로디메틸실란, 클로로에틸실란, t-부틸클로로실란, 디-t-부틸클로로실란, 클로로이소프로필실란, 클로로-sec-부틸실란, t-부틸디메틸클로로실란, 덱실디메틸클로로실란, 등이다. 아미노실란은 실리콘 원자에 결합된 적어도 하나의 질소 원자를 포함하지만 또한 수소들, 산소들, 할로겐들 및 탄소들을 함유할 수도 있다. 아미노실란들의 예들은 모노-아미노실란, 디-아미노실란, 트리-아미노실란 및 테트라-아미노실란 (각각 H3Si(NH2)4, H2Si(NH2)2, HSi(NH2)3 및 Si(NH2)4), 뿐만 아니라 치환된 모노-아미노실란, 디-아미노실란, 트리-아미노실란 및 테트라-아미노실란, 예를 들어, t-부틸아미노실란, 메틸아미노실란, 삼차-부틸실란아민, 비스(삼차부틸아미노)실란 (SiH2(NHC(CH3)3)2 (BTBAS), 삼차-부틸 실릴카바메이트, SiH(CH3)-(N(CH3)2)2, SiHCl-(N(CH3)2)2, (Si(CH3)2NH)3 등이다.
증착된 막들은 일반적으로 비정질이고, 막 조성은 사용된 특정한 전구체 및 공-반응물질들에 따라 결정될 것이고, 유기실란들은 a-SiC:H 막들을 발생시키고 그리고 아미노실란들은 a-SiN:H 또는 a-SiCN:H 막들을 발생시킬 것이다.
탄소 막들을 증착할 시, 임의의 적절한 탄소-함유 전구체가 사용될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 화학식 CxHy의 탄화수소 전구체가 사용될 수도 있고, 여기서 X는 2 내지 10의 정수이고, 그리고 Y는 2 내지 24의 정수이다. 예들은 메탄 (CH4), 아세틸렌 (C2H2), 에틸렌 (C2H4), 프로필렌 (C3H6), 부탄 (C4H10), 사이클로헥산 (C6H12), 벤젠 (C6H6), 및 톨루엔 (C7H8) 을 포함한다.
일부 실시예들에서, 빌드 업 재료는 도핑되거나 붕소 또는 인과 같은 재료를 포함할 수도 있다. 부가적인 도펀트들은 비소, 황 및 셀레늄을 포함한다. 이 방식으로, 하부 막에 대한 에칭 선택도가 개선될 수도 있다. 예를 들어, 도핑된 유전체들 (특히 실리콘 다이옥사이드 기반 유전체들) 에 대해, 프로세스 가스는 붕소-함유 가스, 인-함유 가스, 탄소-함유 가스, 또는 이들의 혼합물과 같은 도펀트 전구체를 포함할 수도 있다. 특정한 실시예에서, 가스는 하나 이상의 붕소-함유 반응물질들 및 하나 이상의 인-함유 반응물질들을 포함하고 그리고 유전체 막은 인-도핑된 실리콘 옥사이드 유리 및 붕소-도핑된 실리콘 옥사이드 유리 (BPSG) 를 포함한다. 적합한 붕소 및 인 전구체 가스들의 예들은 보란 (BH3), 디보란 (B2H6), 및 트리보란 (B3H7) 및 포스핀 (PH3) 을 포함한다. 비소-함유 가스들, 황-함유 가스들, 및 셀레늄-함유 가스들의 예들은 수소 셀레나이드 (H2Se), 수소 알세나이드 (AsH3), 및 수소 설파이드 (H2S) 를 포함한다.
유전체가 옥시나이트라이드 (예를 들어, 실리콘 옥시나이트라이드) 를 함유한다면, 그러면 증착 가스는 N2, NH3, NO, N2O, 및 이들의 혼합물들과 같은 질소-함유 반응물질을 포함할 수도 있다. 증착된 막들의 예들은 붕소-도핑된 실리콘, 실리콘 보라이드, 실리콘 보라이드 탄소, 등을 포함한다.
금속-함유 막들이 또한 증착될 수도 있다. 형성될 수도 있는 금속-함유 막들의 예들은 알루미늄, 티타늄, 하프늄, 탄탈륨, 텅스텐, 망간, 마그네슘, 스트론튬, 등의 옥사이드들 및 나이트라이드들, 뿐만 아니라 원소 금속 막들을 포함한다. 예시적인 전구체들은 금속 알킬아민들, 금속 알콕사이드들, 금속 알킬아미드들, 금속 할라이드들, 금속 β-디케토네이트들, 금속 카보닐들, 유기금속들, 등을 포함할 수도 있다. 적절한 금속-함유 전구체들은 막 내로 통합되도록 목표되는 금속을 포함할 것이다. 예를 들어, 탄탈륨-함유 층은 보조적인 반응물질로서 암모니아 또는 또 다른 환원제와 펜타키스(디메틸아미도)탄탈륨을 반응시킴으로써 증착될 수도 있다. 채용될 수도 있는 금속-함유 전구체들의 추가의 예들은 트리메틸알루미늄, 테트라에톡시티타늄, 테트라키스-디메틸-아미도 티타늄, 하프늄 테트라키스(에틸메틸아미드), 비스(사이클로펜타디에닐)망간, 및 비스(n-프로필사이클로펜타디에닐)마그네슘, 등을 포함한다.
수소에 더하여, 처리 화학물질들의 예들은 질소-함유 처리 화학물질들, 산소-함유 처리 화학물질들, 탄소-함유 처리 화학물질들, 및 할로겐-함유 처리 화학물질들뿐만 아니라 희가스들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 블록들 203 및 204는 결합될 수도 있다. 예를 들어, 동작은 증착된 재료를 동시에 처리하고 증착된 재료와 반응하도록 CH4, NH3, H2Se, H2S, AsH3, 또는 PH3과 같은 수소-함유 화합물에 증착된 재료를 노출시키는 것을 포함할 수도 있다.
장치
일부 실시예들에서, 지향성 증착이 에칭 장치 내에서 수행된다. 예를 들어, 상기에 기술된 방법들은 유도 결합 플라즈마 에칭 장치 또는 용량 결합 플라즈마 에칭 장치 내에서 수행될 수도 있다.
도 5는 본 명세서의 특정한 실시예들에 따른 유도 결합 플라즈마 에칭 장치 (500) 의 단면도를 개략적으로 도시한다. 캘리포니아, 프리몬트 소재의 Lam Research Corp.에 의해 생산된 Kiyo™ 반응기는 본 명세서에 기술된 기법들을 구현하도록 사용될 수도 있는 적합한 반응기의 일 예이다. 유도 결합 플라즈마 에칭 장치 (500) 는 챔버 벽들 (501) 및 윈도우 (511) 에 의해 구조적으로 규정된 전체 에칭 챔버를 포함한다. 챔버 벽들 (501) 은 스테인리스 강 또는 알루미늄으로 제조될 수도 있다. 윈도우 (511) 는 석영 또는 다른 유전체 재료로 제조될 수도 있다. 선택 가능한 내부 플라즈마 그리드 (550) 는 전체 에칭 챔버를 상부 서브-챔버 (502) 및 하부 서브-챔버 (503) 로 분할한다. 대부분의 실시예들에서, 플라즈마 그리드 (550) 는 제거될 수도 있어서, 서브-챔버들 (502 및 503) 로 이루어진 챔버 공간을 활용한다. 척 (517) 은 하단 내측 표면 근방의 하부 서브-챔버 (503) 내에 위치된다. 척 (517) 은 반도체 웨이퍼 (519) 를 수용 및 홀딩하도록 구성되고, 반도체 웨이퍼 위에서 에칭 프로세스가 수행된다. 척 (517) 은 존재한다면 웨이퍼 (519) 를 지지하기 위한 정전 척일 수 있다. 일부 실시예들에서, 에지 링 (미도시) 은 척 (517) 을 둘러싸고, 그리고 웨이퍼 (519) 가 척 (517) 위에 존재한다면 웨이퍼 (519) 의 상단 표면과 거의 편평한 상부 표면을 갖는다. 척 (517) 은 또한 웨이퍼를 척킹 및 디척킹하기 위한 정전 전극들을 포함한다. 필터 및 DC 클램프 전력 공급부 (미도시) 는 이 목적을 위해 제공될 수도 있다. 웨이퍼 (519) 를 척 (517) 으로부터 리프팅하기 위한 다른 제어 시스템들이 또한 제공될 수 있다. 척 (517) 은 RF 전력 공급부 (523) 를 사용하여 전기적으로 대전될 수 있다. RF 전력 공급부 (523) 는 연결부 (527) 를 통해 매칭 회로 (521) 에 연결된다. 매칭 회로 (521) 는 연결부 (525) 를 통해 척 (517) 에 연결된다. 이러한 방식으로, RF 전력 공급부 (523) 가 척 (517) 에 연결된다.
코일 (533) 은 윈도우 (511) 위에 위치된다. 코일 (533) 은 전기적으로 도전성 재료로 제조되고 그리고 적어도 하나의 완전한 턴 (turn) 을 포함한다. 도 5에 도시된 예시적인 코일 (533) 은 3개의 턴들을 포함한다. 코일 (533) 의 단면들이 심볼들로 도시되고, "X"를 갖는 코일들은 페이지 내로 회전하며 연장하는 반면, ""를 갖는 코일들은 페이지로부터 회전하며 연장한다. RF 전력 공급부 (541) 는 코일 (533) 에 RF 전력을 공급하도록 구성된다. 일반적으로, RF 전력 공급부 (541) 는 연결부 (545) 를 통해 매칭 회로 (539) 에 연결된다. 매칭 회로 (539) 는 연결부 (543) 를 통해 코일 (533) 에 연결된다. 이러한 방식으로, RF 전력 공급부 (541) 는 코일 (533) 에 연결된다. 선택 가능한 Faraday 차폐부 (549) 는 코일 (533) 과 윈도우 (511) 사이에 위치된다. Faraday 차폐부 (549) 는 코일 (533) 에 대해 이격된 관계로 유지된다. Faraday 차폐부 (549) 는 윈도우 (511) 바로 위에 배치된다. 코일 (533), Faraday 차폐부 (549), 및 윈도우 (511) 는 각각 서로에 실질적으로 평행하도록 구성된다. Faraday 차폐부는 플라즈마 챔버의 유전체 윈도우 상에 금속 또는 다른 종이 증착되는 것을 방지할 수도 있다.
프로세스 가스들은 상부 챔버 내에 위치된 주요 주입 포트 (560) 를 통해 그리고/또는 때때로 STG로서 지칭되는 측면 주입 포트 (570) 를 통해 공급될 수도 있다. 진공 펌프, 예를 들어, 1 또는 2 단계 기계식 건조 펌프 및/또는 터보분자 펌프 (540) 가 동작 상의 플라즈마 프로세싱 동안, 프로세스 챔버 (524) 로부터 프로세스 가스들을 인출하도록 그리고 쓰로틀 밸브 (미도시) 또는 펜듈럼 밸브 (미도시) 와 같은 폐루프-제어된 플로우 제한 디바이스를 사용함으로써 프로세스 챔버 (524) 내의 압력을 유지하도록 사용될 수도 있다.
장치의 동작 동안, 하나 이상의 반응물질 가스들이 주입 포트들 (560 및/또는 570) 을 통해 공급될 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 가스는 주요 주입 포트 (560) 를 통해서만, 또는 측면 주입 포트 (570) 를 통해서만 공급될 수도 있다. 일부 경우들에서, 주입 포트들은 샤워헤드들에 의해 대체될 수도 있다. Faraday 차폐부 (549) 및/또는 선택 가능한 그리드 (550) 는 챔버로의 프로세스 가스들의 전달을 허용하는 내부 채널들 및 홀들을 포함할 수도 있다. Faraday 차폐부 (549) 및 선택 가능한 그리드 (550) 중 하나 또는 양자는 프로세스 가스들의 전달을 위한 샤워헤드로서 기능할 수도 있다.
RF 전력은 RF 전류로 하여금 코일 (533) 을 통해 흐르게 하도록 RF 전력 공급부 (541) 로부터 코일 (533) 로 공급된다. 코일 (533) 을 통해 흐르는 RF 전류는 코일 (533) 주위에 전자기장을 생성한다. 전자기장은 상부 서브-챔버 (502) 내에 유도 전류를 생성한다. 에칭 프로세스 동안, 웨이퍼 (519) 와 다양한 생성된 이온들 및 라디칼들의 물리적 및 화학적 상호작용들은 선택적으로 웨이퍼의 피처들을 에칭한다.
상부 서브-챔버 (502) 및 하부 서브-챔버 (503) 양자가 있도록 플라즈마 그리드가 사용된다면, 유도 전류는 상부 서브-챔버 (502) 내에 전자-이온 플라즈마를 생성하도록 상부 서브-챔버 (502) 내에 존재하는 가스 상에 작용한다. 선택 가능한 내부 플라즈마 그리드 (550) 는 하부 서브-챔버 (503) 내의 고온 전자들의 양을 제한한다. 일부 실시예들에서, 장치는 하부 서브-챔버 (503) 내에 존재하는 플라즈마가 이온-이온 플라즈마이도록 설계되고 동작된다.
상부 전자-이온 플라즈마 및 하부 이온-이온 플라즈마 양자가 양 이온들과 음 이온들을 포함할 수도 있지만, 이온-이온 플라즈마는 양 이온들에 대한 음 이온들의 보다 큰 비를 가질 것이다. 휘발성 에칭 부산물들은 하부 서브-챔버 (503) 로부터 포트 (522) 를 통해 제거될 수도 있다.
본 명세서에 개시된 척 (517) 은 약 30 ℃ 내지 약 250 ℃ 범위의 상승된 온도들로 동작할 수도 있다. 온도는 에칭 프로세스 동작 및 특정한 레시피에 따라 결정될 것이다. 일부 실시예들에서, 챔버 (501) 는 또한 약 1 mTorr 내지 약 95 mTorr 범위 내의 압력들로 동작할 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 압력은 상기에 개시된 바와 같이 보다 높을 수도 있다.
챔버 (501) 는 챔버 (501) 가 클린 룸 또는 제조 설비 내에 설치될 때 설비들 (미도시) 에 커플링될 수도 있다. 설비들은 프로세싱 가스들, 진공, 온도 제어, 및 환경 입자 제어를 제공하는 배관을 포함한다. 이들 설비들은 챔버 (501) 가 타깃 제조 설비 내에 설치될 때 챔버 (501) 에 커플링된다. 부가적으로, 챔버 (501) 는 로보틱스 (robotics) 로 하여금 통상적인 자동화를 사용하여 챔버 (501) 내외로 반도체 웨이퍼들을 이송하게 하는 이송 챔버에 커플링될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 시스템 제어기 (530) (하나 이상의 물리 또는 로직 제어기들을 포함할 수도 있음) 는 에칭 챔버의 동작들 중 일부 또는 전부를 제어한다. 제어기들은 이하에 더 기술된다.
도 6은 다양한 실시예들에 따른 용량 결합 플라즈마 에칭 장치의 예의 개략도이다. 플라즈마 에칭 챔버 (600) 는 그 사이에 플라즈마가 생성될 수도 있는 상부 전극 (602) 및 하부 전극 (604) 을 포함한다. 상기에 기술된 바와 같은 그리고 상부에 패터닝된 하드마스크 막을 가진 기판 (699) 은 하부 전극 (604) 상에 위치될 수도 있고 그리고 ESC에 의해 제자리에 홀딩될 수도 있다. 다른 클램핑 메커니즘들이 또한 채용될 수도 있다. 플라즈마 에칭 챔버 (600) 는 플라즈마를 기판 위에 유지하고 그리고 챔버 벽들로부터 떨어진 플라즈마 한정 링들 (606) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어 내벽의 역할을 하는 슈라우드 (shroud) 와 같은, 다른 플라즈마 한정 구조체들이 채용될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 에칭 챔버는 임의의 이러한 플라즈마 한정 구조체들을 포함하지 않을 수도 있다.
도 6의 예에서, 플라즈마 에칭 챔버 (600) 는 상부 전극 (602) 에 연결된 RF (radio frequency) 소스 (610) 및 하부 전극 (604) 에 연결된 RF 소스 (612) 를 가진 2 개의 RF 소스들을 포함한다. RF 소스들 (610 및 612) 각각은 2 ㎒, 13.56 ㎒, 27 ㎒, 및 60 ㎒를 포함하는 임의의 적절한 주파수의 하나 이상의 소스들을 포함할 수도 있다. 가스는 하나 이상의 가스 소스들 (614, 616, 및 618) 로부터 챔버 (600) 에 도입될 수도 있다. 예를 들어, 가스 소스 (614) 는 상기에 기술된 바와 같이 증착 또는 에칭 가스들을 포함할 수도 있다. 가스는 배기 펌프 (622) 를 통해 배기된 과잉 가스 및 반응 부산물들을 사용하여 유입부 (620) 를 통해 챔버에 도입될 수도 있다.
채용될 수도 있는 플라즈마 에칭 챔버의 일 예는 캘리포니아 프리몬트 소재의 Lam Research Corp.으로부터 입수 가능한 2300® Flex™ 반응성 이온 에칭 툴이다. 플라즈마 에칭 챔버들의 추가의 기술은 모든 목적들을 위해 참조로서 본 명세서에 인용되는, 미국 특허 제 6,841,943 호 및 제 8,552,334 호에서 발견될 수도 있다.
도 6을 다시 참조하면, 제어기 (530) 는 RF 소스들 (610 및 612) 뿐만 아니라 가스 소스들 (614, 616, 및 618) 과 연관된 밸브들, 그리고 배기 펌프 (622) 에 연결될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제어기 (530) 는 플라즈마 에칭 챔버 (600) 의 모든 액티비티들을 제어한다.
제어기 (530) 의 다음의 논의는 도 5 및 도 6의 제어기 (530) 에 대해 적절하게 적용될 수도 있다. 제어기 (530) 는 대용량 저장 디바이스에 저장되고, 메모리 디바이스 내로 로딩되고, 그리고 프로세서 상에서 실행되는 제어 소프트웨어를 실행할 수도 있다. 대안적으로, 제어 로직은 제어기 (530) 내에서 하드 코딩될 수도 있다. ASIC들 (Applications Specific Integrated Circuits), PLD들 (Progra㎜able Logic Devices) (예를 들어, FPGA들 (field-progra㎜able gate arrays)) 등은 이들 목적들을 위해 사용될 수도 있다. 다음의 논의뿐만 아니라 도 6의 제어기의 논의에서, "소프트웨어" 또는 "코드"가 사용되는 경우에, 기능적으로 비교 가능한 하드 코딩된 로직이 그 위치에서 사용될 수도 있다.
제어 소프트웨어는 다음의 챔버 동작 상의 조건들: 가스들의 조성 및/또는 혼합물, 챔버 압력, 챔버 온도, 웨이퍼/웨이퍼 지지부 온도, 웨이퍼에 인가된 바이어스, 코일들 또는 다른 플라즈마 생성 컴포넌트들에 인가된 전력, 웨이퍼 위치, 웨이퍼 이동 속도, 및 툴에 의해 수행된 특정한 프로세스의 다른 파라미터들 중 임의의 하나 이상의 크기 및/또는 적용의 타이밍을 제어하기 위한 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 제어 소프트웨어는 임의의 적합한 방식으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 프로세스 툴 컴포넌트 서브루틴들 또는 제어 객체들은 다양한 프로세스 툴 프로세스들을 실시하도록 필요한 프로세스 툴 컴포넌트들의 동작들을 제어하도록 작성될 수도 있다. 제어 소프트웨어는 임의의 적합한 컴퓨터 판독가능 프로그래밍 언어로 코딩될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제어 소프트웨어는 상기 기술된 다양한 파라미터들을 제어하기 위한 IOC (input/output control) 시퀀싱 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 제어기와 연관된 대용량 저장 디바이스 및/또는 메모리 디바이스에 저장된 다른 컴퓨터 소프트웨어 및/또는 프로그램들이 일부 실시예들에서 채용될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 프로그램들 또는 프로그램들의 섹션들의 예들은 프로세스 가스 제어 프로그램, 압력 제어 프로그램, 및 RF 소스 제어 프로그램들을 포함한다.
프로세스 가스 제어 프로그램은 가스 조성 (예를 들어, 본 명세서에 기술된 바와 같은 증착 및 처리 가스들) 및 플로우 레이트들을 제어하고 선택 가능하게 챔버 내의 압력을 안정화하도록 증착 전에 챔버 내로 가스를 흘리기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 압력 제어 프로그램은 예를 들어, 챔버의 배기 시스템 내의 쓰로틀 밸브, 챔버 내로의 가스 플로우, 등을 조절함으로써 챔버 내의 압력을 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. RF 소스 제어 프로그램은 본 명세서의 실시예들에 따라 전극들에 인가된 RF 전력 레벨들을 설정하기 위한 코드를 포함할 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제어기 (530) 와 연관된 사용자 인터페이스가 있을 수도 있다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 스크린, 장치 및/또는 프로세스 조건들의 그래픽적인 소프트웨어 디스플레이들, 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들 등과 같은 사용자 입력 디바이스들을 포함할 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제어기 (530) 에 의해 조정된 파라미터들은 프로세스 조건들과 관련될 수도 있다. 비제한적인 예들은 프로세스 가스 조성 및 플로우 레이트들, 온도, 압력, (RF 바이어스 전력 레벨들과 같은) 플라즈마 조건들, 등을 포함한다. 이들 파라미터들은 사용자 인터페이스를 활용하여 입력될 수도 있는, 레시피의 형태로 사용자에게 제공될 수도 있다.
프로세스를 모니터링하기 위한 신호들은 다양한 프로세스 툴 센서들로부터 시스템 제어기 (530) 의 아날로그 입력 접속부 및/또는 디지털 입력 접속부에 의해 제공될 수도 있다. 프로세스를 제어하기 위한 신호들은 플라즈마 에칭 챔버의 아날로그 출력 접속부 및 디지털 출력 접속부 상에 출력될 수도 있다. 모니터링될 수도 있는 센서들의 비제한적인 예들은 질량 유량 제어기들, (압력계들 (manometers) 과 같은) 압력 센서들, 열적 커플링들 (thermocouple), 등을 포함한다. 적절하게 프로그램된 피드백 및 제어 알고리즘들이 프로세스 조건들을 유지하기 위해 이들 센서들로부터의 데이터와 함께 사용될 수도 있다.
제어기 (530) 는 상기 기술된 지향성 증착 프로세스들뿐만 아니라 차후의 에칭 프로세스들을 구현하기 위한 프로그램 인스트럭션들을 제공할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 RF 바이어스 전력 레벨과 같은 다양한 프로세스 파라미터들을 제어할 수도 있다. 인스트럭션들은 본 명세서에 기술된 다양한 실시예들에 따라 마스크 빌드 업 막들을 지향성으로 증착하도록 파라미터들을 제어할 수도 있다.
제어기 (530) 는 통상적으로 본 장치가 개시된 실시예들에 따른 방법을 수행하기 위해 인스트럭션들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 하나 이상의 프로세서들을 포함할 것이다. 개시된 실시예들에 따른 프로세스 동작들을 제어하기 위한 인스트럭션들을 포함하는 머신-판독가능 매체는 예를 들어, 상기에 기술된 바와 같이, 제어기 (530) 와 커플링될 수도 있다.
일부 구현예들에서, 제어기 (530) 는 상술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부인 시스템 제어기의 일부일 수도 있거나 시스템 제어기의 일부를 형성할 수도 있다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이러한 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치에 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부품들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 시스템 제어기는, 시스템의 프로세싱 조건들 및/또는 타입에 따라서, 예를 들어 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, RF 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴들 및 다른 전달 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스를 제어하도록 프로그램될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 시스템 제어기는 인스트럭션들을 수신하고 인스트럭션들을 발행하고 동작을 제어하고 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASIC (application specific integrated circuit) 으로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 시스템 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
시스템 제어기는, 일부 구현예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 되는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 시스템 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 시스템 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세스 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정한, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 이 파라미터들은 시스템 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 시스템 제어기는 예를 들어 서로 네트워킹되어서 함께 공통 목적을 위해서, 예를 들어 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 위해서 협력하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 수 있다.
일부 실시예들에서, PECVD 증착은 리모트, 라디칼-보조된 플라즈마 또는 마이크로파 플라즈마를 채용할 수도 있다. 이러한 증착은 리모트 또는 마이크로파 플라즈마 생성기로 구성된 에칭 챔버 내에서 수행될 수도 있거나 진공 하에서 에칭 챔버에 연결된 증착 챔버 내에서 수행될 수도 있다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 처리 동작은 리모트 라디칼-보조된 플라즈마 또는 마이크로파 플라즈마를 사용하여 수행될 수도 있다.
예시적인 프로세스 파라미터들은 다음과 같이 미리 결정된다. 예시적인 압력 범위들은 5 mT 내지 1000 mT, 그리고 일부 실시예들에서, 40 mT 내지 100 mT이다. 처리 동작에서, 예시적인 압력들은 5 mT 내지 300 mT 범위일 수도 있다.
유도 결합 플라즈마 소스 (예를 들어, 캘리포니아 프리몬트 소재의 Lam Research로부터 입수 가능한 TCP (transformer coupled plasma) 소스) 를 위한 예시적인 플라즈마 전력들은 10 W 내지 1200 W, 20 W 내지 500 W, 또는 50 W 내지 300 W이다. 증착 동작을 위한 예시적인 플라즈마 전력들은 20 W 내지 200 W 범위이다. 처리 동작을 위한 예시적인 플라즈마 전력들은 20 W 내지 1200 W 범위이다.
예시적인 바이어스 전압들은 0 V 내지 -500 V, 0 내지 -80 V, 예를 들어 -50 V 범위이다. 바이어스 전압은 또한 크기의 관점에서, 예를 들어, 0 내지 500 V, 0 내지 80 V, 또는 0 내지 50 V로 표현될 수도 있다. 증착 단계에서 예시적인 플로우 레이트들은 1 sccm 내지 2000 sccm, 1 내지 300 sccm, 또는 100 sccm 범위이다. 처리 단계에서 예시적인 플로우 레이트들은 1 내지 2000 sccm, 1 내지 500 sccm, 또는 300 sccm 범위이다. 예시적인 기판 온도들은 40 ℃ 내지 250 ℃ 또는 60 ℃ 내지 120 ℃ 범위이다. 증착 및 처리 노출 시간은 일부 실시예들에서, 0.5 초 내지 20 초 범위일 수도 있거나, 멀티-사이클 프로세스를 위한 프로세스 시간의 예에서, 3 초 내지 10 초, 또는 4 초 내지 6 초이다. 일부 예들에서, 10 내지 100 개의 사이클들이 수행된다.
실험
다음의 예들은 다양한 실시예들의 양태들을 더 예시하도록 제공된다. 이들 예들은 양태들을 예시하고 양태들을 보다 분명히 예시하도록 제공되고 그리고 제한하려고 의도되지 않는다.
유도 결합 에칭 반응기는 처리하거나 처리하지 않고, 연속적이고 순환적인 증착을 위해 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 재료들을 증착하도록 사용되었다. 증착 프로세스 가스는 처리 단계처럼 H2계 플라즈마와 함께 SiCl4/H2이다. 압력은 20 mT 내지 120 mT로 가변되었다.
연속적인 PECVD에 대해, 빌드 업 재료들은 40 mT에서 60 초 (s) 및 120 초 그리고 60 mT에서 75 초 증착되었다. 마스크 빌드 업 재료들의 핀치-오프는 120 초/40 mT 및 75 초/40 mT에서 관찰되었다. 증착은 컨포멀하지 않았다. 처리 없이 순환적인 PECVD에 대해, 빌드 업 재료들은 40 mT에서 20 사이클들의 3 초 (60 초) 그리고 40 사이클들의 3 초 (120 초) 그리고 60 mT에서 25 사이클들의 3 초 (75 초) 로 증착되었다. 핀치-오프는 60 mT 경우에 관찰되었다. 증착은 컨포멀하지 않았다. 연속적인 CVD의 120 s/40 mT의 결과들과 120 s/40 mT 결과들 (핀치-오프 없음) 의 비교는 사이클링이 잘 형성된 고 종횡비 피처들을 가능하게 한다는 것을 나타낸다. 플라즈마 처리를 가진 순환적인 PECVD에 대해, 빌드 업 재료들은 20 개의 사이클들의 3 초 증착 + 5 초 처리 및 40 mT에서의 40 개의 사이클들의 3 초 증착 + 5 초처리 및 60 mT에서의 25 개의 사이클들의 3 초 증착 + 5 초 처리로 증착되었다. 증착은 컨포멀하지 않았다. 핀치 오프가 관찰되지 않았고, 이는 처리가 넓은 압력 범위에 걸쳐 고 종횡비 피처들의 증착을 가능하게 한다는 것을 나타낸다.
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착-처리 사이클들을 사용하여 SiO2 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. 증착 프로세스 가스는 SiCl4/H2이고, 플라즈마 전력은 50 W이고, 그리고 압력은 60 mT이다. 처리 프로세스 가스는 소량 (대략 5 체적%) 의 N2와 H2이고, 플라즈마 전력은 300 W이고 그리고 기판 상에 바이어스 전압이 없다. 25 개의 증착-처리 사이클들이 수행되었다. 바이어스 전압은 다음의 결과들에 따라 증착에 대해 가변되었다.
PECVD 증착 동안 바이어스 전압 상단 두께 상단:하단 단차 커버리지 상단:측벽 단차 커버리지
0 61 ㎚ 5 5
50 V 109 ㎚ 9 22
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착/처리 사이클들을 사용하여 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. SiCl4/H2 플로우 레이트들은 가변되었다. 핀치-오프는 보다 긴 체류 시간 (보다 저 플로우 레이트) 동안 관찰되었다. 특정한 이론에 매이지 않고, 보다 긴 SiClx 종 체류 시간이 핀치-오프를 야기한다고 여겨진다. H 라디칼들은 플라즈마에서의 반응들에서 Cl을 제거한다 (scavenge). H 라디칼들 및 이온들은 오버행 (overhang) 및 핀치-오프를 제거하고, 효과적인 상단 마스크 에칭 및 수직 측벽 프로파일들을 제공한다.
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착/처리 사이클들을 사용하여 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. 증착 단계 동안 플라즈마 전력은 가변되었다. 보다 고 비컨포멀성은 보다 고 전력으로 달성되었다. 특정한 이론에 매이지 않고, 오버행 및 핀치-오프를 방지하는, H 라디칼들의 농도 및 고 부착 계수를 가진 SiClx 라디칼들의 농도가 증가된다고 여겨진다.
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착/처리 사이클들을 사용하여 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. 처리 단계 동안 가스 조성은 가변되었다. 사용된 100 % H2는 목 부분이 있는 (necked) 프로파일을 발생시켰다. 특정한 이론에 매이지 않고, H2 플라즈마는 이미 증착된 a-Si 막을 덜 반응성으로 만들고, 부착 계수를 감소시킨다고 여겨진다. 증착된 막은 에칭되었고 그리고 트렌치 하단으로부터 상단으로 재증착되었다. 보다 수직인 프로파일들은 첨가제 가스 (5 체적 % N2 또는 5 체적 % CH4) 의 첨가로 관찰되었다. 보다 두꺼운 증착이 트렌치 하단에서 관찰된다.
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착/처리 사이클들을 사용하여 하드마스크들 상에 a-Si 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. 처리 단계 동안 플라즈마 전력은 가변되었다. 처리 가스는 100 % H2이다. 0 W, 50 W, 100 W, 200 W 및 300 W 전력이 사용되었다. 300 W는 목 부분이 있는 프로파일을 발생시켰다. 감소된 전력은 보다 수직인 측벽들뿐만 아니라 보다 두꺼운 트렌치 및 측벽 증착을 발생시켰고, 반면에 0 W는 핀치-오프를 발생시켰다.
유도 결합 에칭 반응기는 복수의 증착/처리 사이클들을 사용하여 하드마스크들 상에 Si-함유 빌드 업 재료들을 증착하도록 사용되었다. 처리 단계 동안 노출 시간은 가변되었다. 1 초, 2 초, 3 초 및 5 초가 사용되었다. 5 초는 목 부분이 있는 프로파일을 발생시켰다. 감소된 노출 시간은 보다 수직인 측벽들뿐만 아니라 보다 두꺼운 트렌치 및 측벽 증착을 발생시켰다.
결론
전술한 실시예들이 이해의 명료성의 목적들을 위해 일부 상세히 기술되지만, 특정한 변화들 및 수정들이 첨부된 청구항들의 범위 내에서 실시될 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 본 실시예들의 프로세스들, 시스템들, 및 장치를 구현하는 많은 대안적인 방식들이 있다는 것을 주의해야 한다. 따라서, 본 실시예들은 예시적인 것이지 제한적인 것으로 고려되지 않고, 본 실시예들은 본 명세서에 제공된 상세사항들에 제한되지 않는다.

Claims (29)

  1. 멀티-사이클 증착 프로세스에서 패터닝된 구조체 상에 재료를 증착하는 단계로서, 상기 패터닝된 구조체는 피처 상단들, 피처 하단들, 및 상기 피처 상단들과 상기 피처 하단들을 연결하는 피처 측벽들을 가진 상승된 피처들을 포함하고, 사이클 각각은,
    i) 피처 하단 상의 제 1 재료의 두께에 대한 피처 상단 상의 상기 제 1 재료의 두께의 비가 1보다 크도록 상기 패터닝된 구조체 상에 제 1 재료를 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 프로세스에 의해 컨포멀하지 않게 (non-conformally) 증착하는 단계; 및
    ii) 상기 제 1 재료를 증착하는 단계 후에, 상기 제 1 재료를 에칭할 수 있는 플라즈마에 상기 제 1 재료를 노출하는 단계를 포함하고,
    상기 패터닝된 구조체는 에칭될 층 상에 배치되고, 상기 멀티-사이클 증착 프로세스는 상기 사이클들 동안 또는 상기 사이클들 사이에서 상기 층을 에칭하지 않고 수행되는, 상기 패터닝된 구조체 상에 상기 재료를 증착하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 재료는 실리콘계 재료, 탄소계 재료, 붕소계 재료 또는 이들의 조합인, 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 재료는 실리콘, 탄소, 붕소, 인, 비소 및 황 중 2 개 이상을 포함하는, 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 ii) 는 상기 제 1 재료를 질소계 플라즈마, 산소계 플라즈마, 수소계 플라즈마, 탄화수소계 플라즈마, 아르곤계 플라즈마, 헬륨계 플라즈마, 또는 이들의 조합에 노출시키는 단계를 포함하는, 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 ii) 는 상기 제 1 재료를 수소-함유 화합물로부터 생성된 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함하는, 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 수소-함유 화합물은 H2, CH4, NH3, C2H2, 및 N2H2 중 하나인, 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 재료는 비정질 실리콘-함유 막인, 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상승된 피처들은 유기 하드 마스크를 포함하는, 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 상승된 피처들은 무기 하드 마스크를 포함하는, 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    ii) 는 상기 피처 하단들로부터 상기 제 1 재료를 에칭하는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    ii) 는 상기 피처 상단들 상에 상기 에칭으로부터 발생한 종들을 재증착하는 단계를 포함하는, 방법
  13. 제 1 항에 있어서,
    ii) 는 플라즈마 종들을 발생시키는 단계 및 상기 플라즈마 종들로 상기 제 1 재료를 화학적으로 에칭하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    ii) 는 상기 피처 하단들 상에 있는 모든 재료의 상기 두께에 대한 상기 피처 상단들 상에 있는 모든 재료의 상기 두께의 비율을 증가시키는, 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 PECVD 프로세스에 의한 상기 증착 단계는 실리콘-함유 재료를 형성하도록 실란, 할로겐화 실란, 유기실란, 또는 아미노실란으로부터 선택된 실리콘-함유 전구체를 사용하는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    ii) 의 상기 플라즈마는 수소 (H2) 를 포함하는 가스로부터 생성된, 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 PECVD 프로세스에 의한 상기 증착 단계는 탄소-함유 재료를 형성하도록 메탄 (CH4), 아세틸렌 (C2H2), 에틸렌 (C2H4), 프로필렌 (C3H6), 부탄 (C4H10), 사이클로헥산 (C6H12), 벤젠 (C6H6), 및 톨루엔 (C7H8) 으로부터 선택된 탄소-함유 전구체를 도입하는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 삭제
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 PECVD 프로세스에 의한 상기 증착 단계는 금속-함유 재료를 형성하도록 금속-함유 전구체를 사용하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 i) 는 상기 PECVD 프로세스 동안 폴리머 사슬들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 폴리머 사슬들은 염소화된 폴리실란들을 포함하는, 방법.
  27. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 i) 는 상기 패터닝된 구조체를 포함하는 기판에 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하는, 방법.
  28. 제 1 항에 있어서,
    PECVD 프로세스에 의해 상기 제 1 재료를 증착하는 단계는 실리콘-함유 전구체 및 수소 (H2) 의 혼합물로부터 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는, 방법.
  29. 기판을 홀딩하도록 구성된 챔버;
    상기 챔버와 통합되거나 상기 챔버에 연결된 플라즈마 생성기; 및
    패터닝된 구조체 상에 마스크-빌트 업 재료를 증착하도록 멀티-사이클 지향성 증착 프로세스를 수행하기 위한 인스트럭션들을 포함한 제어기를 포함하고,
    상기 인스트럭션들은,
    i) 피처 하단 상의 제 1 재료의 두께에 대한 피처 상단 상의 상기 제 1 재료의 두께의 비가 1보다 크도록 상기 패터닝된 구조체 상에 제 1 재료를 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 프로세스에 의해 컨포멀하지 않게 (non-conformally) 증착하는 인스트럭션; 및
    ii) 상기 제 1 재료를 증착하는 단계 후에, 상기 제 1 재료를 에칭할 수 있는 플라즈마에 상기 제 1 재료를 노출하는 인스트럭션을 포함하고,
    상기 패터닝된 구조체는 에칭될 층 상에 배치되고, 상기 멀티-사이클 증착 프로세스는 상기 사이클들 동안 또는 상기 사이클들 사이에서 상기 층을 에칭하지 않고 수행되는, 장치.
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Families Citing this family (447)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US12334332B2 (en) 2012-06-12 2025-06-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of silicon carbide films using silicon-containing and carbon-containing precursors
US20180347035A1 (en) 2012-06-12 2018-12-06 Lam Research Corporation Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interaction
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9922839B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Lam Research Corporation Low roughness EUV lithography
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US20170178899A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Lam Research Corporation Directional deposition on patterned structures
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6757624B2 (ja) * 2016-08-12 2020-09-23 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) * 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) * 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20190035036A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 삼성전자주식회사 박막 형성 장치 및 이를 이용한 비정질 실리콘 막 형성방법
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP6833657B2 (ja) * 2017-11-07 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 基板をプラズマエッチングする方法
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10978302B2 (en) * 2017-11-29 2021-04-13 Lam Research Corporation Method of improving deposition induced CD imbalance using spatially selective ashing of carbon based film
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
TWI757565B (zh) * 2017-12-22 2022-03-11 美商應用材料股份有限公司 在導電表面上沉積阻擋層的方法
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP2019134062A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 東京エレクトロン株式会社 選択的成膜方法および成膜装置
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
SG11202009409WA (en) * 2018-04-24 2020-11-27 Applied Materials Inc Plasma-enhanced chemical vapor deposition of carbon hard-mask
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10566194B2 (en) * 2018-05-07 2020-02-18 Lam Research Corporation Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
CN112469846B (zh) * 2018-07-24 2023-10-27 朗姆研究公司 使用异质前体相互作用的硅碳化物膜的保形沉积
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
KR102550326B1 (ko) * 2018-07-26 2023-07-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 시뮬레이션 시스템을 위한 웨이퍼 층의 에칭 프로파일을 결정하는 방법
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
JP7065728B2 (ja) * 2018-08-17 2022-05-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7018849B2 (ja) * 2018-08-17 2022-02-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR20220056248A (ko) 2018-10-19 2022-05-04 램 리써치 코포레이션 갭 충진 (gapfill) 을 위한 도핑되거나 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 증착 및 원격 수소 플라즈마 노출
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US20200135464A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for patterning substrates using asymmetric physical vapor deposition
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7346218B2 (ja) * 2018-12-06 2023-09-19 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及び基板処理装置
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10886136B2 (en) 2019-01-31 2021-01-05 Tokyo Electron Limited Method for processing substrates
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US12165878B2 (en) 2019-02-27 2024-12-10 Lam Research Corporation Semiconductor mask reshaping using a sacrificial layer
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102717194B1 (ko) 2019-08-28 2024-10-14 삼성전자주식회사 에어 갭 및 씰링층을 포함하는 디램 소자 및 그 제조 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7323409B2 (ja) * 2019-10-01 2023-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、及び、プラズマ処理装置
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
JP7608454B2 (ja) * 2019-11-08 2025-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 材料の表面粗さを減少させる方法
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20220137981A (ko) 2020-02-13 2022-10-12 램 리써치 코포레이션 무한의 선택도로 고 종횡비 에칭
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
WO2021168134A1 (en) 2020-02-19 2021-08-26 Lam Research Corporation Graphene integration
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20220148249A (ko) 2020-02-28 2022-11-04 램 리써치 코포레이션 EUV 패터닝의 결함 감소를 위한 다층 하드마스크 (multi-layer hardmask)
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
CN113808910A (zh) * 2020-06-11 2021-12-17 中国科学院微电子研究所 刻蚀腔室中原位类原子层沉积方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
CN113838794B (zh) 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114334630A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 中国科学院微电子研究所 非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US11756790B2 (en) * 2021-03-09 2023-09-12 Tokyo Electron Limited Method for patterning a dielectric layer
CN113174582A (zh) * 2021-04-22 2021-07-27 安徽新力电业科技咨询有限责任公司 微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜方法
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11538692B2 (en) * 2021-05-21 2022-12-27 Tokyo Electron Limited Cyclic plasma etching of carbon-containing materials
JP2022185488A (ja) * 2021-06-02 2022-12-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12106972B2 (en) * 2021-10-13 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Selective silicon deposition
US12080516B2 (en) * 2021-11-23 2024-09-03 Applied Materials, Inc. High density plasma enhanced process chamber
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US20240162043A1 (en) * 2022-11-16 2024-05-16 Tokyo Electron Limited Sidewall Inorganic Passivation for Dielectric Etching Via Surface Modification
WO2025184425A1 (en) * 2024-03-01 2025-09-04 Lam Research Corporation Low-temperature deposition of protective material in a feature

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110045672A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Applied Materials, Inc. Multi-film stack etching with polymer passivation of an overlying etched layer
US20140187035A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt Method of etching a porous dielectric material
US20140213060A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Chia-Ling Kao Method of patterning a low-k dielectric film

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030881A (en) * 1998-05-05 2000-02-29 Novellus Systems, Inc. High throughput chemical vapor deposition process capable of filling high aspect ratio structures
US6846746B2 (en) 2002-05-01 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Method of smoothing a trench sidewall after a deep trench silicon etch process
US6713365B2 (en) * 2002-09-04 2004-03-30 Macronix International Co., Ltd. Methods for filling shallow trench isolations having high aspect ratios
US7169695B2 (en) * 2002-10-11 2007-01-30 Lam Research Corporation Method for forming a dual damascene structure
US7531679B2 (en) 2002-11-14 2009-05-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
US20050170104A1 (en) 2004-01-29 2005-08-04 Applied Materials, Inc. Stress-tuned, single-layer silicon nitride film
FI117728B (fi) * 2004-12-21 2007-01-31 Planar Systems Oy Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi
TWI255502B (en) * 2005-01-19 2006-05-21 Promos Technologies Inc Method for preparing structure with high aspect ratio
US7241683B2 (en) 2005-03-08 2007-07-10 Lam Research Corporation Stabilized photoresist structure for etching process
US20070049017A1 (en) * 2005-08-29 2007-03-01 Chao-Ching Hsieh Plug fabricating method for dielectric layer
CN101416293B (zh) * 2006-03-31 2011-04-20 应用材料股份有限公司 用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载
JP2007281181A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
CN101473426A (zh) * 2006-06-22 2009-07-01 应用材料股份有限公司 用于从下向上填充间隙的介电材料沉积与回蚀方法
SG140538A1 (en) * 2006-08-22 2008-03-28 Lam Res Corp Method for plasma etching performance enhancement
WO2008062600A1 (fr) * 2006-11-22 2008-05-29 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Structure de silicium à ouverture ayant un rapport hauteur/largeur élevé, procédé, appareil et programme de fabrication de cette structure et procédé de fabrication de masque de gravure pour cette structure de silicium
KR101542267B1 (ko) 2007-09-18 2015-08-06 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 규소 함유 막의 형성 방법
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
US8277670B2 (en) 2008-05-13 2012-10-02 Lam Research Corporation Plasma process with photoresist mask pretreatment
US20110207323A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Robert Ditizio Method of forming and patterning conformal insulation layer in vias and etched structures
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US8722543B2 (en) 2010-07-30 2014-05-13 Headway Technologies, Inc. Composite hard mask with upper sacrificial dielectric layer for the patterning and etching of nanometer size MRAM devices
US8304262B2 (en) * 2011-02-17 2012-11-06 Lam Research Corporation Wiggling control for pseudo-hardmask
US20140023794A1 (en) 2012-07-23 2014-01-23 Maitreyee Mahajani Method And Apparatus For Low Temperature ALD Deposition
US20140030444A1 (en) * 2012-07-30 2014-01-30 Novellus Systems, Inc. High pressure, high power plasma activated conformal film deposition
US9230825B2 (en) * 2012-10-29 2016-01-05 Lam Research Corporation Method of tungsten etching
TW201441408A (zh) 2013-03-15 2014-11-01 應用材料股份有限公司 包含氮化矽之膜的電漿輔助原子層沉積
CN104347490B (zh) * 2013-08-09 2017-12-05 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅通孔填充的方法
US9034748B2 (en) 2013-09-04 2015-05-19 International Business Machines Corporation Process variability tolerant hard mask for replacement metal gate finFET devices
US10084016B2 (en) 2013-11-21 2018-09-25 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same
US9576792B2 (en) 2014-09-17 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of SiN
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9355837B2 (en) 2014-09-25 2016-05-31 Micron Technology, Inc. Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen
US9922839B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Lam Research Corporation Low roughness EUV lithography
US20170178899A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Lam Research Corporation Directional deposition on patterned structures
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110045672A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Applied Materials, Inc. Multi-film stack etching with polymer passivation of an overlying etched layer
US20140187035A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt Method of etching a porous dielectric material
US20140213060A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Chia-Ling Kao Method of patterning a low-k dielectric film

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