KR102815054B1 - High pressure annealing process device - Google Patents
High pressure annealing process device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102815054B1 KR102815054B1 KR1020240124050A KR20240124050A KR102815054B1 KR 102815054 B1 KR102815054 B1 KR 102815054B1 KR 1020240124050 A KR1020240124050 A KR 1020240124050A KR 20240124050 A KR20240124050 A KR 20240124050A KR 102815054 B1 KR102815054 B1 KR 102815054B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- space
- gas diffusion
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
본 발명은 고압 어닐링 장치에 관한 것으로서, 기판에 대한 열처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 내부 챔버와, 내부 챔버를 수용하는 외부 공간을 제공하는 외부 챔버와, 내부 챔버 및 외부 챔버를 하부에서 지지하는 챔버 지지체 및 챔버 지지체에 결합되어 내부 공간으로 복수의 가스를 선택적으로 공급하는 복수의 가스 유닛을 포함하고, 가스 유닛은 가스를 확산시켜 공급함으로써 공급되는 가스의 압력을 조절하는 하나 이상의 가스 확산 장치를 포함하는 고압 어닐링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high-pressure annealing apparatus, comprising: an inner chamber providing an inner space in which a heat treatment process for a substrate is performed; an outer chamber providing an outer space accommodating the inner chamber; a chamber support supporting the inner chamber and the outer chamber from below; and a plurality of gas units coupled to the chamber support to selectively supply a plurality of gases to the inner space, wherein the gas units include at least one gas diffusion device that regulates the pressure of the supplied gas by diffusing and supplying the gas.
Description
본 발명의 실시예는 기판에 대한 어닐링 공정(annealing process)등을 수행하는데 사용되는 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a device used to perform an annealing process or the like on a substrate.
반도체 기판은 다수의 공정을 거쳐 제작되는데, 이온 주입(Ion Implantation) 공정 시 높은 충돌 에너지로 인해 기판의 계면에 데미지가 발생된다. 어닐링 공정은 손상을 입은 기판에 온도 변화를 가하면서 공정 가스를 공급하여 기판 표면의 손상을 복원하는 공정이다.Semiconductor substrates are manufactured through a number of processes, and during the ion implantation process, damage occurs at the interface of the substrate due to high collision energy. The annealing process is a process that restores the damage to the substrate surface by supplying process gas while applying temperature changes to the damaged substrate.
일반적으로, 이와 같은 어닐링 공정을 수행하는데 사용되는 어닐링 장치는, 기판이 처리되는 처리 공간으로 기판을 처리하기 위한 반응 가스가 주입된다. 반응 가스는 수소, 중수소(deuterium), 산소, 암모니아, 염소 등 다양한 열 처리용 반응 가스 중에서 선택되어 처리 공간으로 주입된다. 따라서, 고압 어닐링 장치는 공정 과정별로 다양한 종류의 가스를 각각 공급 및 배기할 수 있는 가스 포트를 요구한다.In general, an annealing device used to perform such an annealing process injects a reaction gas for processing the substrate into a processing space where the substrate is processed. The reaction gas is selected from among various reaction gases for heat treatment, such as hydrogen, deuterium, oxygen, ammonia, and chlorine, and injected into the processing space. Therefore, a high-pressure annealing device requires a gas port that can supply and exhaust various types of gases, respectively, depending on the process.
종래기술은 복수의 가스 포트를 구비하기 위해서 가스 공급 장치가 결합되는 복수의 구조물을 사용하는 방법을 제안한다. 허나, 제안된 방법은 고압 어닐링 장치에서 복수의 가스 포트를 구비하기 위해 부품의 개수가 증가하게 되고, 가스 공급 및 배기 구조가 복잡해지는 문제가 발생하게 된다.The prior art proposes a method of using multiple structures in which gas supply devices are combined to provide multiple gas ports. However, the proposed method has the problem that the number of components increases in order to provide multiple gas ports in a high-pressure annealing device, and the gas supply and exhaust structures become complicated.
한편, 기존의 고압 어닐링 챔버는 반응 가스가 내부 공간으로 주입될 때 높은 분사 압력을 가진 상태로 주입되게 된다. 즉, 반응 가스의 분사 압력이 내부 공간에 위치한 기판에 전달되어 충격이 가해지게 된다. 또는, 반응 가스는 분사 압력으로 인해 내부 공간의 일측으로 집중되게 된다. 따라서, 내부 공간에서 공급된 반응 가스에 의해 온도 분포가 불균일해지는 문제가 발생한다. 즉, 반응 가스의 분사 압력으로 인해 고압 어닐링 처리 공정의 수율이 떨어지게 된다.Meanwhile, in the conventional high-pressure annealing chamber, the reaction gas is injected into the internal space with a high injection pressure. That is, the injection pressure of the reaction gas is transmitted to the substrate located in the internal space, causing an impact. Or, the reaction gas is concentrated on one side of the internal space due to the injection pressure. Therefore, a problem occurs in which the temperature distribution becomes uneven due to the reaction gas supplied in the internal space. That is, the yield of the high-pressure annealing treatment process decreases due to the injection pressure of the reaction gas.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 고압 어닐링 장치의 가스 공급 및 배기 구조를 단순화하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the problems of the prior art as described above, and aims to simplify the gas supply and exhaust structure of a high-pressure annealing device.
또한, 공급 가스의 분사 압력을 낮춤으로써, 분사 압력에 의한 충격이 기판에 가해지는 것을 방지하고, 내부 공간의 온도가 불균일해지는 문제를 해결하고자 한다.In addition, by lowering the injection pressure of the supply gas, it is intended to prevent impact due to the injection pressure from being applied to the substrate and to solve the problem of uneven temperature in the internal space.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The purpose of the present invention is not limited to what has been described above, and other objects and advantages of the present invention that are not mentioned can be understood by the following description.
본 발명의 고압 어닐링 장치는, 기판에 대한 열처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 내부 챔버와, 상기 내부 챔버를 수용하는 외부 공간을 제공하는 외부 챔버와, 상기 내부 챔버 및 외부 챔버를 하부에서 지지하는 챔버 지지체 및 상기 챔버 지지체에 결합되며, 상기 내부 공간으로 복수의 가스를 선택적으로 공급하는 복수의 가스 유닛, 상기 가스 유닛은, 가스를 확산시켜 공급함으로써 공급되는 가스의 압력을 조절하는 하나 이상의 가스 확산 장치를 포함할 수 있다.The high-pressure annealing apparatus of the present invention comprises: an inner chamber providing an inner space in which a heat treatment process for a substrate is performed; an outer chamber providing an outer space accommodating the inner chamber; a chamber support supporting the inner chamber and the outer chamber from below; and a plurality of gas units coupled to the chamber support and selectively supplying a plurality of gases into the inner space; and the gas units may include one or more gas diffusion devices that regulate the pressure of the supplied gas by diffusing and supplying the gas.
일례로서, 상기 챔버 지지체는, 상기 내부 챔버의 하단 및 상기 외부 챔버의 내측에 결합되는 챔버 결합부와, 상기 챔버 결합부의 하단에 위치하고, 측면에 상기 가스 유닛이 각각 결합되는 복수의 삽입홀을 포함하는 가스 유닛 연결부와, 상기 가스 유닛 연결부의 하단을 지지하고, 상기 외부 챔버 하단이 안착되는 하단 결합부를 포함할 수 있다.As an example, the chamber support may include a chamber coupling portion coupled to the lower end of the inner chamber and the inner side of the outer chamber, a gas unit coupling portion positioned at the lower end of the chamber coupling portion and including a plurality of insertion holes on the side to which the gas units are respectively coupled, and a lower coupling portion supporting the lower end of the gas unit coupling portion and on which the lower end of the outer chamber is secured.
일례로서, 상기 가스 유닛은, 상기 내부 공간으로 상기 가스를 주입하는 하나 이상의 가스 공급 유닛과, 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배출하는 하나 이상의 가스 배출 유닛을 더 포함할 수 있다.As an example, the gas unit may further include one or more gas supply units for injecting the gas into the internal space, and one or more gas discharge units for discharging the gas from the internal space.
일례로서, 상기 가스 확산 장치는, 일측이 개방되고, 내부에 제1 가스 확산 공간이 마련되는 원통형 벽을 포함하는 확산장치 결합용 바디와, 상기 제1 가스 확산 공간 상에서 상기 원통형 벽의 내면과 이격되어 설치되고, 다수의 관통홀이 형성된 투과성 벽을 포함하는 가스 확산 부재를 포함하고, 상기 가스 확산 부재를 통해 유입된 가스는 상기 다수의 관통홀을 통과하여 상기 제1 가스 확산 공간에서 확산될 수 있다.As an example, the gas diffusion device includes a diffusion device coupling body including a cylindrical wall having one open side and a first gas diffusion space provided therein, and a gas diffusion member installed spaced apart from an inner surface of the cylindrical wall on the first gas diffusion space and including a permeable wall having a plurality of through holes formed therein, wherein a gas introduced through the gas diffusion member can pass through the plurality of through holes and be diffused in the first gas diffusion space.
나아가서, 상기 가스 확산 부재는, 가스가 유입되어 상기 투과성 벽으로 가스를 전달하는 확산부재 삽입부를 더 포함하고, 상기 투과성 벽의 단면이 상기 확산부재 삽입부의 단면보다 확장 형성되어 상기 투과성 벽의 내부에 제2 가스 확산 공간이 마련되고, 상기 가스 확산 부재로 유입된 가스는 제2 가스 확산 공간에서 1차 확산되고, 상기 제1 가스 확산 공간에서 2차 확산될 수 있다.Furthermore, the gas diffusion member further includes a diffusion member insertion portion through which gas flows in and transmits the gas to the permeable wall, and a cross-section of the permeable wall is formed to be larger than a cross-section of the diffusion member insertion portion so that a second gas diffusion space is provided inside the permeable wall, and gas flowing in to the gas diffusion member can be first diffused in the second gas diffusion space and secondarily diffused in the first gas diffusion space.
더 나아가서, 상기 가스 확산 부재의 투과성 벽은 다공성일 수 있다.Furthermore, the permeable wall of the gas diffusion member may be porous.
일례로서, 상기 확산장치 결합용 바디는 개방된 일측의 반대편에 형성된 결합용 바디 플랜지부를 포함하고, 상기 가스 확산 장치는 상기 결합용 바디 플랜지부에 결합되는 플레이트인 어댑터를 포함하고, 상기 확산부재 삽입부는 상기 확산장치 결합용 바디의 내측에서 상기 어댑터에 결합될 수 있다.As an example, the body for coupling the diffusion device includes a coupling body flange portion formed on an opposite side of an open side, the gas diffusion device includes an adapter which is a plate coupled to the coupling body flange portion, and the diffusion member insertion portion can be coupled to the adapter on the inside of the body for coupling the diffusion device.
일례로서, 상기 가스 챔버 지지체는, 환형의 내부 결합 바디 및 내측 결합 바디를 외측에서 감싸는 환형 외부 결합 바디를 포함하고, 상기 내측 결합 바디 및 외측 결합 바디는 측면에 가스 유닛이 삽입되는 삽입홀인 내측 삽입홀 및 외측 삽입홀을 각각 포함할 수 있다.As an example, the gas chamber support may include an annular inner coupling body and an annular outer coupling body that surrounds the inner coupling body from the outside, and the inner coupling body and the outer coupling body may each include an inner insertion hole and an outer insertion hole, which are insertion holes into which a gas unit is inserted on the side thereof.
나아가서, 상기 내측 삽입홀의 직경이 상기 외측 삽입홀의 직경보다 작게 형성되어 상기 가스 유닛의 삽입 길이를 제한할 수 있다.Furthermore, the diameter of the inner insertion hole may be formed smaller than the diameter of the outer insertion hole to limit the insertion length of the gas unit.
본 발명에 따른 고압 어닐링 장치는 챔버 지지체에 복수의 가스 공급/배출 유닛 연결용 포트를 구비하여 가스를 공급 또는 배출함으로써, 복수의 종류의 가스를 공급 및 배기하는 복잡한 장치 구조를 단순화할 수 있다.The high-pressure annealing device according to the present invention has a plurality of ports for connecting gas supply/discharge units to the chamber support to supply or discharge gas, thereby simplifying the complex device structure for supplying and discharging multiple types of gases.
또한, 가스 공급 유닛 연결용 포트에 가스 확산기를 설치함으로써, 내부 챔버의 반응 공간으로 압력을 분산시켜 가스를 공급할 수 있는 효과가 있다.In addition, by installing a gas diffuser in the port for connecting the gas supply unit, there is an effect of supplying gas by dispersing the pressure to the reaction space of the internal chamber.
특히, 가스 확산기로 공급 가스의 분사 압력을 감소시킴으로써 내부 챔버 반응 공간에 위치한 기판에 가해지는 충격을 방지하고, 반응 공간의 온도 균일도를 향상시킬 수 있다.In particular, by reducing the injection pressure of the supply gas with the gas diffuser, the impact applied to the substrate located in the internal chamber reaction space can be prevented, and the temperature uniformity of the reaction space can be improved.
본 발명의 효과는 위에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art to which the present invention belongs from the description below.
도 1은 본 발명에 따른 고압 어닐링 장치의 일실시예를 나타낸 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 고압 어닐링 장치에 적용한 내부 챔버 및 챔버 지지체의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 고압 어닐링 장치에 적용한 내부 챔버 및 챔버 지지체의 분해도를 도시한다.
도 4는 가스 유닛 연결부와 가스 유닛들을 분리한 분해도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 고압 어닐링 장치의 챔버 지지체 및 챔버 지지체에 장착된 가스 확산 장치의 종단면도이다.
도 6은 본 발명의 고압 어닐링 장치에 적용된 가스 확산 장치의 분해 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a high-pressure annealing device according to the present invention.
Figure 2 is a perspective view of an internal chamber and a chamber support applied to the high-pressure annealing device of the present invention.
FIG. 3 is an exploded view of an inner chamber and chamber support applied to the high-pressure annealing device of the present invention.
Figure 4 shows an exploded view of the gas unit connection and the gas units separated.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a chamber support of a high-pressure annealing apparatus of the present invention and a gas diffusion device mounted on the chamber support.
Figure 6 is an exploded cross-sectional view of a gas diffusion device applied to the high-pressure annealing device of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예들에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings, but the present invention is not limited or restricted by the embodiments.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.In order to explain the present invention, the operational advantages of the present invention, and the purpose achieved by practicing the present invention, preferred embodiments of the present invention will be exemplified and examined with reference thereto.
먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.First, the terminology used in this application is only used to describe specific embodiments, and is not intended to limit the present invention, and the singular expression may include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. Also, in this application, it should be understood that the terms “comprise” or “have” are intended to specify the presence of a feature, number, step, operation, component, part or combination thereof described in the specification, but do not exclude in advance the possibility of the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
본 발명은 고압 어닐링 장치의 챔버 지지체에 복수의 가스 유닛을 장착 및 분리할 수 있도록 복수의 가스 포트를 형성한다. 또한, 가스 유닛 중 일부는 가스 확산 장치가 선택되어 챔버 지지체에 장착될 수 있다.The present invention forms a plurality of gas ports so that a plurality of gas units can be mounted and separated on a chamber support of a high-pressure annealing apparatus. In addition, some of the gas units can be selected to have a gas diffusion device mounted on the chamber support.
장착된 가스 확산 장치는 가스의 압력과 속력을 낮춤으로써 내부 공간으로 가스를 균일하게 공급함으로써 기판에 가해지는 충격을 방지하고, 온도를 균일하게 형성시킬 수 있다.The equipped gas diffusion device can prevent impact on the substrate and form a uniform temperature by uniformly supplying gas into the internal space by lowering the pressure and speed of the gas.
이하에서는 본 발명에 대한 실시예를 참조하여 본 발명에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 고압 어닐링 장치의 일실시예를 나타낸 종단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a high-pressure annealing device according to the present invention.
본 발명에 적용되는 고압 어닐링 장치(1)는, 처리 대상의 어닐링 공정을 위한 공간을 포함하는 내부 챔버(11), 내부 챔버(11)를 수용하는 외부 챔버(12), 서로 이격된 내부 챔버(11)와 외부 챔버(12) 사이의 공간에 배치되는 히팅 모듈(16) 및 챔버 지지체(10)를 포함한 이중 챔버 구조가 적용될 수 있다.The high-pressure annealing device (1) applied to the present invention may have a dual chamber structure including an inner chamber (11) including a space for an annealing process of a processing target, an outer chamber (12) accommodating the inner chamber (11), a heating module (16) arranged in a space between the inner chamber (11) and the outer chamber (12) which are spaced apart from each other, and a chamber support (10).
내부 챔버(11)는 고압 환경에서 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 일례로서, 내부 챔버(11)는 비금속 재질로서, 바람직하게는 석영 재질로 형성될 수 있다. 내부 챔버(11)의 재질은 상황에 따라 적절하게 변경될 수 있다.The inner chamber (11) can perform an annealing process in a high-pressure environment. As an example, the inner chamber (11) can be formed of a non-metallic material, preferably a quartz material. The material of the inner chamber (11) can be appropriately changed depending on the situation.
내부 챔버(11)는 처리 대상에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 내부 공간(13)을 제공할 수 있다. 내부 챔버(11)의 하부에는 도어(미도시)가 선택적으로 체결될 수도 있으며, 도어의 체결에 따라 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)은 밀폐될 수 있다.The inner chamber (11) can provide an inner space (13) for performing a heat treatment process on a processing target. A door (not shown) may be optionally fastened to the lower portion of the inner chamber (11), and the inner space (13) of the inner chamber (11) can be sealed depending on the fastening of the door.
처리 대상은 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)에 위치될 수 있다. 가령, 처리 대상은 웨이퍼로서 웨이퍼 보트(Wafer Boat, 미도시)에 복수층으로 적재되어 내부 챔버(11)의 내부 공간(13) 상에 위치될 수 있다.The processing target may be positioned in the internal space (13) of the internal chamber (11). For example, the processing target may be a wafer, loaded in multiple layers on a wafer boat (not shown) and positioned on the internal space (13) of the internal chamber (11).
외부 챔버(12)는 내부 챔버(11)와 일정거리 이격되어 내부 챔버(11)를 둘러싸도록 구비될 수 있다. 외부 챔버(12)는 내부 챔버(11)를 수용하는 외부 공간(14)을 제공하고, 내부 챔버(11)의 고압에 대응되는 압력으로 외부 공간(14)을 유지하여 내부 챔버(11)를 보호할 수 있다. 보다 구체적으로 외부 공간(14)은 외부 챔버(12)가 제공하는 내부 공간에서 내부 챔버(11)가 차지하는 영역을 제외한 공간일 수 있다.The outer chamber (12) may be provided to surround the inner chamber (11) at a predetermined distance from the inner chamber (11). The outer chamber (12) provides an outer space (14) that accommodates the inner chamber (11) and may protect the inner chamber (11) by maintaining the outer space (14) at a pressure corresponding to the high pressure of the inner chamber (11). More specifically, the outer space (14) may be a space excluding the area occupied by the inner chamber (11) in the inner space provided by the outer chamber (12).
외부 챔버(12)는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 외부 챔버(12)의 재질은 상황에 따라 적절하게 변경될 수 있다.The outer chamber (12) can be formed of a metal material, and the material of the outer chamber (12) can be appropriately changed depending on the situation.
히팅 모듈(16)은 내부 챔버(11)를 둘러싸는 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 히팅 모듈(16)은, 외부 챔버(12)의 일부를 구성하도록 제공될 수 있고, 또는 외부 챔버(12)와 별개로 제공될 수 있다. 히팅 모듈(16)은 히터를 포함하고, 히터가 열선으로 제공되며, 히터를 외측에서 지지하는 히터 지지부재를 더 포함할 수 있다. 히터 지지 부재는 단열성 재질로 제공될 수 있다.The heating module (16) may be formed to have a shape surrounding the inner chamber (11). The heating module (16) may be provided to constitute a part of the outer chamber (12), or may be provided separately from the outer chamber (12). The heating module (16) includes a heater, the heater is provided as a heating wire, and may further include a heater support member that supports the heater from the outside. The heater support member may be provided with an insulating material.
챔버 지지체(10)는 외부 챔버(12)의 하단 내부에 결합되어 내부 챔버(11)를 고정시킬 수 있는 챔버 결합부(300), 챔버 결합부(300)의 하단으로 가스가 공급 또는 배출되는, 후술할 가스 유닛이 장착되는 가스 유닛 연결부(200) 및 챔버 결합부(300)가 결합되는 외부 챔버 하단 내부보다 외부 챔버(12)의 하부에서 결합되는 하단 결합부(100)를 포함할 수 있다. 나아가서, 가스 유닛 연결부(200)는 환형으로서, 내부 공간(13)의 하부에서 가스가 공급, 배출되는 가스 이동 공간(15)을 형성할 수 있다.The chamber support (10) may include a chamber coupling part (300) that is coupled to the lower inside of the outer chamber (12) to fix the inner chamber (11), a gas unit coupling part (200) on which a gas unit to be described later is mounted, through which gas is supplied or discharged to the lower end of the chamber coupling part (300), and a lower coupling part (100) that is coupled at a lower portion of the outer chamber (12) than the lower inside of the outer chamber to which the chamber coupling part (300) is coupled. Furthermore, the gas unit coupling part (200) may be annular and form a gas movement space (15) through which gas is supplied and discharged at the lower end of the inner space (13).
일례로서, 공급되는 열처리 공정 가스인 제1 가스는 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)으로 공급될 수 있다. 제1 가스는 수소, 중수소, 암모니아, 산소, 염소, 질소 등 다양한 열처리 가스 중에서 선택될 수 있다. 제1 가스는 챔버 지지체(10)의 가스 유닛 연결부(200)에 결합된 가스 유닛을 통해 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)으로 공급되거나 또는 가스 유닛 연결부(200)의 가스 이동 공간(15)을 경유하여 내부 공간(13)으로 공급될 수 있다.As an example, the first gas, which is a heat treatment process gas supplied, may be supplied to the internal space (13) of the internal chamber (11). The first gas may be selected from various heat treatment gases such as hydrogen, deuterium, ammonia, oxygen, chlorine, and nitrogen. The first gas may be supplied to the internal space (13) of the internal chamber (11) through a gas unit coupled to a gas unit connection portion (200) of the chamber support (10) or may be supplied to the internal space (13) via a gas movement space (15) of the gas unit connection portion (200).
보호 가스인 제2 가스는 외부 챔버(12)의 외부 공간(14)으로 공급될 수 있다. 즉, 제2 가스는 외부 챔버(12)의 외부 공간(14)으로 공급되어 내부 챔버(11)의 압력과 대응되는 압력으로 외부 공간(14)의 압력을 조절할 수 있다. 일례로서, 제2 가스는 질소 등 다양한 불활성 가스 중에서 선택될 수 있다.The second gas, which is a protective gas, can be supplied to the external space (14) of the external chamber (12). That is, the second gas can be supplied to the external space (14) of the external chamber (12) to control the pressure of the external space (14) to a pressure corresponding to the pressure of the internal chamber (11). As an example, the second gas can be selected from various inert gases such as nitrogen.
내부 챔버(11)에 제1 가스가 공급되면서 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)은 제1 가스로 채워지고, 그에 따라 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)은 제1 압력으로 상승할 수 있다. 여기서 제1 압력은 대기압보다 높은 압력으로서 수 기압(atm) 내지 수백 기압(atm)의 범위에서 선택적으로 조절될 수 있다.When the first gas is supplied to the inner chamber (11), the inner space (13) of the inner chamber (11) is filled with the first gas, and accordingly, the inner space (13) of the inner chamber (11) can rise to the first pressure. Here, the first pressure is a pressure higher than the atmospheric pressure and can be selectively controlled in a range of several atmospheres (atm) to several hundred atmospheres (atm).
또한 외부 챔버(12)에 제2 가스가 공급되면서 외부 챔버(12)의 외부 공간(14)은 제2 가스로 채워지고 그에 따라 외부 챔버(12)의 외부 공간(14)은 제2 압력으로 상승할 수 있다. 여기서 제2 압력은 제1 압력과 대비하여 설정된 안정 범위를 유지하도록 조절 될 수 있다. 가령, 제2 압력은 제1 압력과 동일한 압력이거나 제1 압력보다 약간 높거나 낮도록 조절될 수 있다. 안정 범위는 내부 챔버(11)의 재질 강도와 열처리 공정 프로파일을 고려하여 설정될 수 있다. 바람직하게는 내부 챔버(11)가 손상없이 견딜 수 있는 내부 챔버(11)와 외부 챔버(12) 간의 압력 변화 및 내부 챔버(11)의 온도 변화 등을 고려하여 안정 범위가 설정될 수 있다.In addition, when the second gas is supplied to the outer chamber (12), the outer space (14) of the outer chamber (12) is filled with the second gas, and accordingly, the outer space (14) of the outer chamber (12) can rise to the second pressure. Here, the second pressure can be adjusted to maintain a set stable range in comparison with the first pressure. For example, the second pressure can be adjusted to be the same pressure as the first pressure or slightly higher or lower than the first pressure. The stable range can be set in consideration of the material strength of the inner chamber (11) and the heat treatment process profile. Preferably, the stable range can be set in consideration of the pressure change between the inner chamber (11) and the outer chamber (12) that the inner chamber (11) can withstand without damage, and the temperature change of the inner chamber (11).
나아가서 내부 챔버(11)와 외부 챔버(12)의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 센서(미도시)가 구비될 수 있다. 압력 측정 센서(미도시)는 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)의 압력을 측정하는 내부 압력 센서(미도시)와 외부 챔버(12)의 외부 공간(14)의 압력을 측정하는 외부 압력 센서(미도시)를 포함할 수 있다.Furthermore, a pressure measuring sensor (not shown) for measuring the pressure of the inner chamber (11) and the outer chamber (12) may be provided. The pressure measuring sensor (not shown) may include an internal pressure sensor (not shown) for measuring the pressure of the inner space (13) of the inner chamber (11) and an external pressure sensor (not shown) for measuring the pressure of the outer space (14) of the outer chamber (12).
도 2는 본 발명의 고압 어닐링 장치에 적용된 내부 챔버가 챔버 지지체에 결합된 사시도이고, 도 3은 도 2의 내부 챔버 및 챔버 지지체의 분해도를 나타낸 것이다.FIG. 2 is a perspective view showing an inner chamber applied to a high-pressure annealing device of the present invention coupled to a chamber support, and FIG. 3 is an exploded view showing the inner chamber and chamber support of FIG. 2.
챔버 지지체(10)는 내부 챔버(11)를 지지하고 외부 챔버(12)의 하부와 결합되는 챔버 결합부(300), 가스가 공급 및 배출되는 가스 유닛이 결합되는 복수의 삽입홀을 포함하는 가스 유닛 연결부(200), 가스 유닛 연결부(200)의 하단에서 플랜지로 형성되어 외부 챔버(12)와 결합하는 하단 결합부(100)를 포함한다.The chamber support (10) supports the inner chamber (11) and includes a chamber coupling portion (300) coupled with the lower portion of the outer chamber (12), a gas unit coupling portion (200) including a plurality of insertion holes into which gas units for supplying and discharging gas are coupled, and a lower coupling portion (100) formed as a flange at the lower portion of the gas unit coupling portion (200) and coupled with the outer chamber (12).
챔버 결합부(300)는 외부 챔버(12)에 결합되는 챔버 고정 바디(310), 내부 챔버(11)의 하단에 형성된 플랜지 상면에 접촉하면서 챔버 고정 바디(310)와 결합하여 내부 챔버(11)를 고정시키는 내부 챔버 고정판(320)을 포함한다.The chamber coupling part (300) includes a chamber fixing body (310) coupled to the outer chamber (12), and an inner chamber fixing plate (320) that fixes the inner chamber (11) by combining with the chamber fixing body (310) while contacting the upper surface of a flange formed at the lower end of the inner chamber (11).
도 3을 참조하면, 챔버 고정 바디(310)는 상단에 외부 챔버(12)에 결합되는 환형 플레이트인 외부 챔버 결합부(311)를 포함한다. 챔버 고정 바디(310)는 외부 챔버 결합부(311)의 내측 원주면이 하단으로 연장되어 벽면이 형성된다. 또한, 연장된 벽면의 하단에서 직경방향 내측으로 연장되어 형성된 환형 플레이트인 내부 챔버 안착부(315)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the chamber fixing body (310) includes an external chamber coupling portion (311) which is an annular plate coupled to the external chamber (12) at the top. The chamber fixing body (310) has a wall surface formed by extending the inner circumference of the external chamber coupling portion (311) downward. In addition, the chamber fixing body includes an internal chamber mounting portion (315) which is an annular plate formed by extending diametrically inward from the lower end of the extended wall surface.
일례로서, 외부 챔버 결합부(311)는 상단면의 외경 측에서 원주 방향으로 관통홀이 구비되고, 볼트를 포함한 파스너로 체결되어 외부 챔버(12)의 하단 내부와 상호 결합될 수 있다. 즉, 외부 챔버 결합부(311)와 외부 챔버(12)가 결합됨에 따라 챔버 지지체(10) 및 내부 챔버(11)의 위치가 고정될 수 있다. 한편, 외부 챔버 결합부(311)와 외부 챔버(12) 사이에 히팅 모듈(16)이 설치 되는 경우, 외부 챔버 결합부(311)는 외부 챔버(12)의 하단에 결합되는 히팅 모듈(16)에 결합되어 챔버 지지체(10) 및 내부 챔버(11)의 위치가 고정될 수 있다. 나아가서, 외부 챔버 결합부(311)의 상면에 원주형 홈이 형성되어, O-링 등의 밀폐부재가 삽입될 수 있다.As an example, the outer chamber coupling part (311) is provided with a through hole in the circumferential direction on the outer diameter side of the upper surface, and can be fastened with a fastener including a bolt to be mutually coupled with the lower inner side of the outer chamber (12). That is, as the outer chamber coupling part (311) and the outer chamber (12) are coupled, the positions of the chamber support (10) and the inner chamber (11) can be fixed. Meanwhile, when a heating module (16) is installed between the outer chamber coupling part (311) and the outer chamber (12), the outer chamber coupling part (311) is coupled to the heating module (16) coupled to the lower side of the outer chamber (12), so that the positions of the chamber support (10) and the inner chamber (11) can be fixed. Furthermore, a cylindrical groove is formed on the upper surface of the outer chamber coupling part (311), into which a sealing member such as an O-ring can be inserted.
일례로서, 내부 챔버 안착부(315)는 환형 플레이트로 형성되어 상면에 내부 챔버(11) 하단에 형성된 플랜지의 하면이 안착될 수 있다. 내부 챔버 안착부(315)의 상면에는 외경에 인접한 위치에 원주 방향으로 관통홀이 형성될 수 있다. 또한, 내부 챔버 안착부(315) 상면의 외경과 내경 중간에 원주형 홈이 형성되어 O-링 등의 밀폐부재가 삽입될 수 있다.As an example, the inner chamber mounting portion (315) may be formed as an annular plate, and the lower surface of a flange formed at the bottom of the inner chamber (11) may be mounted on the upper surface. A through hole may be formed in a circumferential direction at a position adjacent to the outer diameter on the upper surface of the inner chamber mounting portion (315). In addition, a cylindrical groove may be formed in the middle of the outer diameter and the inner diameter of the upper surface of the inner chamber mounting portion (315), and a sealing member such as an O-ring may be inserted.
일례로서, 내부 챔버 고정판(320)은 상단이 환형 플레이트로 형성되어, 플레이트의 하면이 내부 챔버(11) 플랜지의 상면에 접촉한다. 또한, 내부 챔버 고정판(320)은 측면에서 아래로 연장되어 형성되는 벽체를 포함할 수 있다. 특히, 연장된 벽체는 내부 챔버(11)의 플랜지 측면을 감싸면서 내부 챔버 안착부(315) 외경에 인접한 상단면에 안착될 수 있다. As an example, the inner chamber fixing plate (320) is formed with an annular plate at the top, so that the lower surface of the plate contacts the upper surface of the inner chamber (11) flange. In addition, the inner chamber fixing plate (320) may include a wall formed by extending downward from the side. In particular, the extended wall may be secured on the upper surface adjacent to the outer diameter of the inner chamber mounting portion (315) while surrounding the flange side of the inner chamber (11).
내부 챔버 고정판(320)은 외경에 인접한 상단면에서 원주 방향으로 관통홀이 구비될 수 있다. 또한, 내부 챔버 안착부(315)의 외경에 인접한 상단면에서 원주 방향으로 관통홀이 구비될 수 있다. 내부 챔버 고정판(320)의 관통홀과 내부 챔버 안착부(315)의 관통홀은 볼트를 포함한 파스너로 체결되어 상호 고정될 수 있다. 즉, 내부 챔버 안착부(315)의 상면에 내부 챔버(11)의 플랜지가 안착되고, 그 위로 내부 챔버 고정판(320)이 내부 챔버(11)의 플랜지를 덮으면서 내부 챔버 안착부(315)와 결합함으로써 내부 챔버(11)의 위치를 고정시킬 수 있다. The inner chamber fixing plate (320) may be provided with a circumferential through hole on the upper surface adjacent to the outer diameter. In addition, the inner chamber mounting portion (315) may be provided with a circumferential through hole on the upper surface adjacent to the outer diameter. The through hole of the inner chamber fixing plate (320) and the through hole of the inner chamber mounting portion (315) may be fastened to each other by a fastener including a bolt. That is, the flange of the inner chamber (11) is secured on the upper surface of the inner chamber mounting portion (315), and the inner chamber fixing plate (320) covers the flange of the inner chamber (11) thereon while being combined with the inner chamber mounting portion (315), thereby fixing the position of the inner chamber (11).
챔버 고정 바디(310)의 일측 하면에는 관통홀이 형성되어, 상부 냉매공급부재(30)가 결합될 수 있다. 일례로서, 상부 냉매공급부재(30)는 챔버 지지체를 기준으로 상부에 형성된 냉각 라인으로 냉매를 공급함으로써, 상부에 구성된 부재들의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 내부 챔버 안착부(315)는 하단에 내경을 따라 함몰된 원통형 홈이 형성되어, 가스 유닛 연결부(200)의 상단 일부가 삽입될 수 있다.A through hole is formed on one side of the lower surface of the chamber fixing body (310), into which an upper refrigerant supply member (30) can be coupled. As an example, the upper refrigerant supply member (30) can control the temperature of the members configured at the top by supplying refrigerant to a cooling line formed at the top based on the chamber support body. In addition, the inner chamber mounting portion (315) has a cylindrical groove formed along the inner diameter at the bottom, into which a portion of the upper end of the gas unit connecting portion (200) can be inserted.
가스 유닛 연결부(200)는 각각의 가스 유닛(50, 60, 70, 80)이 삽입될 수 있는 복수의 삽입홀이 형성된 2개의 환형 부재인 내부 결합 바디(210) 및 외부 결합 바디(250)를 포함한다. 특히, 가스 유닛 연결부(200)는 내부 결합 바디(210)의 외측면과 외부 결합 바디(250)의 내측면이 서로 인접하고, 내부 결합 바디(210) 및 외부 결합 바디(250)의 각각 대응하는 삽입홀들이 서로 정렬되도록 배치될 수 있다. 가스 유닛 연결부(200)의 상부는 내부 챔버 안착부(315)의 하단에 삽입되어 고정될 수 있다. 또한, 가스 유닛 연결부(200)에서 내부 결합 바디(210)의 내부인 가스 이동 공간(15)으로 제1 가스가 주입될 수 있다. 주입된 제1 가스는 내부 결합 바디(210)의 내부인 가스 이동 공간(15)을 경유하여 내부 챔버(11)의 내부 공간(13)으로 공급될 수 있다. 일례로서, 가스 유닛 연결부(200)는 복수의 가스 포트가 형성되어 가스 유닛이 결합될 수 있는 매니폴드일 수 있다.The gas unit connecting portion (200) includes an inner joining body (210) and an outer joining body (250), which are two annular members having a plurality of insertion holes formed into which each gas unit (50, 60, 70, 80) can be inserted. In particular, the gas unit connecting portion (200) may be arranged such that the outer surface of the inner joining body (210) and the inner surface of the outer joining body (250) are adjacent to each other, and the corresponding insertion holes of the inner joining body (210) and the outer joining body (250) are aligned with each other. The upper portion of the gas unit connecting portion (200) may be inserted into and fixed to the lower portion of the inner chamber mounting portion (315). In addition, a first gas may be injected into the gas movement space (15), which is the interior of the inner joining body (210), from the gas unit connecting portion (200). The injected first gas can be supplied to the internal space (13) of the internal chamber (11) via the gas movement space (15) inside the internal coupling body (210). As an example, the gas unit connecting portion (200) can be a manifold in which a plurality of gas ports are formed and gas units can be coupled.
하단 결합부(100)는 가스 유닛 연결부(200)의 하부 일부가 삽입 체결되는 결합 부재(150)와, 환형 플레이트로 내경 측이 결합 부재(150)의 하단과 접촉하고 외경 측이 외부 챔버(12)의 하단과 결합되는 플랜지 부재(110)를 포함한다.The lower joint (100) includes a joint member (150) into which a lower part of the gas unit connection member (200) is inserted and connected, and a flange member (110) which is an annular plate whose inner diameter side contacts the lower end of the joint member (150) and whose outer diameter side is connected to the lower end of the external chamber (12).
결합 부재(150)는 환형으로, 상면 외측에 원주형 슬롯인 결합부재 슬롯(151)이 형성되어 외부 결합 바디(250)의 하단이 삽입될 수 있다. 특히, 결합 부재 슬롯(151)의 일측에는 하나 이상의 관통홀이 형성되어 하부 냉매공급부재(40)가 삽입될 수 있다. 일례로서, 하부 냉매공급부재(40)는 챔버 지지체를 기준으로 상부에 형성된 냉각 라인으로 냉매를 공급함으로써, 상부에 구성된 부재들의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 결합 부재(150)는 내경 측 하단부에 직경 방향으로 돌출된 단차인 결합 부재 내측 단차(152)가 형성되어, 내부 결합 바디(210)의 하단이 삽입될 수 있다. 결합 부재(150)의 외경 측 하단면에 원주방향으로 관통홀이 형성될 수 있다.The joining member (150) is annular, and a joining member slot (151), which is a cylindrical slot, is formed on the outer side of the upper surface, into which the lower end of the outer joining body (250) can be inserted. In particular, one or more through holes are formed on one side of the joining member slot (151), into which the lower refrigerant supply member (40) can be inserted. As an example, the lower refrigerant supply member (40) can control the temperature of the members configured at the upper end by supplying refrigerant to a cooling line formed at the upper end with respect to the chamber support body. In addition, the joining member (150) has a joining member inner step (152), which is a step protruding in the diametric direction, formed at the lower end on the inner diameter side, into which the lower end of the inner joining body (210) can be inserted. A through hole can be formed in the circumferential direction on the lower end surface on the outer diameter side of the joining member (150).
플랜지 부재(110)는 내경에 인접한 상단면에 관통홀이 형성되어 있어, 결합 부재(150)의 외경 측 관통홀과볼트 등의 파스너로 상호 결합될 수 있다. 나아가서, 플랜지 부재(110)의 외경에 인접한 상단면에 관통홀이 형성되어 있어, 볼트를 포함한 파스너를 체결하여 외부 챔버(12)의 하단부와 상호 결합될 수 있다.The flange member (110) has a through hole formed in the upper surface adjacent to the inner diameter, so that it can be mutually connected to the through hole on the outer diameter side of the connecting member (150) using a fastener such as a bolt. Furthermore, the flange member (110) has a through hole formed in the upper surface adjacent to the outer diameter, so that it can be mutually connected to the lower portion of the outer chamber (12) by fastening a fastener including a bolt.
플랜지 부재(110)는 가스 유닛 연결부(200)가 챔버 결합부(300)의 하단에 위치하도록 고정시킬 수 있다. The flange member (110) can be secured so that the gas unit connection part (200) is positioned at the bottom of the chamber coupling part (300).
도 4는 도 3의 가스 유닛 연결부와 가스 공급 및 배출 유닛들이 서로 분리된 분해도를 도시한다.Figure 4 is an exploded view showing the gas unit connection portion and the gas supply and exhaust units of Figure 3 separated from each other.
가스 유닛 연결부(200)는 환형 부재인 내부 결합 바디(210) 및 외부 결합 바디(250)를 포함할 수 있다. 내부 결합 바디(210)의 직경은 외부 결합 바디(250)의 직경보다 작게 형성되어, 내부 결합 바디(210)가 감싸지도록 외부 결합 바디(250)의 내부에 삽입된다. 내부 결합 바디(210) 및 외부 결합 바디(250)는 복수의 삽입홀이 형성되어 가스 확산 장치(50a, 50b), 제1 가스 공급 유닛(60), 가스 배출 유닛(70) 및 제2 가스 공급 유닛(80)이 결합될 수 있다. 특히, 제1 가스 공급 유닛(60) 및 제2 가스 공급 유닛(80)으로 제1 가스인 수소, 중수소, 암모니아, 산소, 염소, 질소 등 다양한 열처리 가스 중에서 선택된 가스를 가스 이동 공간(15) 및 내부 공간(13)으로 공급할 수 있다. 또한, 제1 가스 확산 장치(50a) 및 제2 가스 확산 장치(50b)으로 수소, 중수소, 질소 등 다양한 열처리 가스 중에서 선택된 가스를 가스 이동 공간(15) 또는 내부 공간(13)으로 공급할 수 있다. The gas unit connecting portion (200) may include an inner joining body (210) and an outer joining body (250) which are annular members. The diameter of the inner joining body (210) is formed smaller than the diameter of the outer joining body (250), and the inner joining body (210) is inserted into the inner joining body (250) so as to be wrapped. The inner joining body (210) and the outer joining body (250) may have a plurality of insertion holes formed therein, and a gas diffusion device (50a, 50b), a first gas supply unit (60), a gas discharge unit (70), and a second gas supply unit (80) may be coupled thereto. In particular, a gas selected from among various heat treatment gases such as hydrogen, deuterium, ammonia, oxygen, chlorine, and nitrogen, which are first gases, may be supplied to the gas movement space (15) and the internal space (13) by the first gas supply unit (60) and the second gas supply unit (80). In addition, a gas selected from among various heat treatment gases such as hydrogen, deuterium, and nitrogen can be supplied to the gas movement space (15) or the internal space (13) by the first gas diffusion device (50a) and the second gas diffusion device (50b).
나아가서, 가스 유닛 연결부(200)는 가스 유닛(50, 60, 70, 80)들을 탈부착 가능한 복수의 삽입홀이 형성됨으로써 유지보수를 용이하게 진행할 수 있다. 즉, 가스 유닛들 중 일부 가스 유닛이 고장날 경우, 가스 유닛 연결부(200) 및 다른 가스 유닛 전체를 교체하지 않고 해당 가스 유닛만 교체함으로써 용이하게 보수할 수 있다.Furthermore, the gas unit connection part (200) can be easily maintained by forming a plurality of insertion holes through which gas units (50, 60, 70, 80) can be detached. That is, when some of the gas units break down, the gas unit connection part (200) and other gas units can be easily maintained by replacing only the relevant gas unit without replacing the entire gas unit.
내부 결합 바디(210)는 환형으로, 측면에 제1 가스 확산 장치(50a) 및 제2 가스 확산 장치(50b)가 삽입될 수 있는 제1 내측 삽입홀(211a, 211b)과, 제1 가스 공급 유닛(60)이 삽입될 수 있는 제2 내측 삽입홀(212)과, 가스 배출 유닛(70)이 삽입될 수 있는 제3 내측 삽입홀(213)과, 제2 가스 주입 유닛(514)이 삽입될 수 있는 제 4 내측 삽입홀(214) 및 제1 가스 공급 유닛 및 제2 가스 공급 유닛에 연결되는 가스 어셈블리(미도시)가 거치될 수 있는 내측 돌출부(215)를 포함할 수 있다. 즉, 내부 결합 바디(210)는 복수의 삽입홀이 형성되어 각각의 가스 유닛이 개별적으로 결합 또는 분리 될 수 있다. The inner joining body (210) may be annular and may include a first inner insertion hole (211a, 211b) into which a first gas diffusion device (50a) and a second gas diffusion device (50b) may be inserted on the side, a second inner insertion hole (212) into which a first gas supply unit (60) may be inserted, a third inner insertion hole (213) into which a gas discharge unit (70) may be inserted, a fourth inner insertion hole (214) into which a second gas injection unit (514) may be inserted, and an inner protrusion (215) into which a gas assembly (not shown) connected to the first gas supply unit and the second gas supply unit may be mounted. That is, the inner joining body (210) may have a plurality of insertion holes formed therein so that each gas unit may be individually coupled or separated.
외부 결합 바디(250)는 환형으로, 측면에 제1 가스 확산 장치(50a) 및 제2 가스 확산 장치(50b)가 삽입될 수 있는 제1 외측 삽입홀(251a, 251b)과, 제1 가스 공급 유닛(60)이 삽입될 수 있는 제2 외측 삽입홀(252)과, 가스 배출 유닛(70)이 삽입될 수 있는 제3 외측 삽입홀(253)과, 제2 가스 주입 유닛(514)이 삽입될 수 있는 제4 외측 삽입홀(254)을 포함할 수 있다. 즉, 외부 결합 바디(250)는 복수의 삽입홀이 형성되어 각각의 가스 유닛이 개별적으로 결합 또는 분리 될 수 있다.The external coupling body (250) may be annular and may include a first outer insertion hole (251a, 251b) into which a first gas diffusion device (50a) and a second gas diffusion device (50b) may be inserted on the side, a second outer insertion hole (252) into which a first gas supply unit (60) may be inserted, a third outer insertion hole (253) into which a gas discharge unit (70) may be inserted, and a fourth outer insertion hole (254) into which a second gas injection unit (514) may be inserted. That is, the external coupling body (250) may have a plurality of insertion holes formed so that each gas unit may be individually coupled or separated.
나아가서, 외부 결합 바디(250)는 제1 외측 삽입홀(251a, 251b)의 상단에 절개되어 형성되는 삽입홀 절개부(256) 및 외부 결합 바디(250)의 일측이 절개되어 형성되는 결합 바디 절개부(257)를 포함할 수 있다. 일례로서, 제1 외측 삽입홀(251) 상단의 삽입홀 절개부(256)는 온도 변화로 인해 가스 확산 장치(50)를 가압하여 파손시키는 것을 방지할 수 있다. 일례로서, 결합 바디 절개부(257)는 온도 변화로 인해 외부 결합 바디(250)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.Furthermore, the outer coupling body (250) may include an insertion hole cut portion (256) formed by cutting into the upper end of the first outer insertion hole (251a, 251b) and a coupling body cut portion (257) formed by cutting into one side of the outer coupling body (250). As an example, the insertion hole cut portion (256) at the upper end of the first outer insertion hole (251) may prevent the gas diffusion device (50) from being pressurized and damaged due to temperature changes. As an example, the coupling body cut portion (257) may prevent the outer coupling body (250) from being damaged due to temperature changes.
외부 결합 바디(250)는 하부 냉매공급부재(40)가 결합 부재(150)에 삽입될 수 있는 공간이 형성되도록 일정 지점에서 하단이 함몰된 하단 함몰 공간(258)이 형성될 수 있다. 또한, 외부 결합 바디(250)는 상부 냉매공급부재(30)가 챔버 고정 바디(310)에 삽입될 수 있는 공간이 형성되도록, 하단 함몰 공간(258)으로부터 떨어진 일정 지점에서 상단이 함몰된 상단 함몰 공간(259)이 형성될 수 있다. 일례로서, 하부 냉매공급부재(40) 및 상부 냉매공급부재(30)는 외부의 PCW 라인(미도시)에 결합되어 고압 어닐링 장치 내부에 구비된 냉각 라인(미도시)을 따라 냉각수를 공급하여 온도를 조절할 수 있다.The outer coupling body (250) may be formed with a lower recessed space (258) at a certain point so that a space is formed in which the lower coolant supply member (40) can be inserted into the coupling member (150). In addition, the outer coupling body (250) may be formed with an upper recessed space (259) at a certain point away from the lower recessed space (258) so that a space is formed in which the upper coolant supply member (30) can be inserted into the chamber fixing body (310). As an example, the lower coolant supply member (40) and the upper coolant supply member (30) may be coupled to an external PCW line (not shown) to supply cooling water along a cooling line (not shown) provided inside the high-pressure annealing device to control the temperature.
일례로서, 내부 결합 바디(210)의 제1 내지 4 내측 삽입홀(211~214)은 대응하는 외부 결합 바디(250)의 제1 내지 4 외측 삽입홀(251~254)과 상이한 직경으로 형성될 수 있다. 즉, 내부 결합 바디(210)의 삽입홀의 크기가 대응되는 외부 결합 바디(250) 삽입홀의 크기보다 작게 형성되어, 가스 유닛이 삽입되는 깊이를 제한시킬 수 있다.As an example, the first to fourth inner insertion holes (211 to 214) of the inner joining body (210) may be formed with a different diameter from the first to fourth outer insertion holes (251 to 254) of the corresponding outer joining body (250). That is, the size of the insertion hole of the inner joining body (210) may be formed smaller than the size of the insertion hole of the corresponding outer joining body (250), thereby limiting the depth at which the gas unit is inserted.
가스 확산 장치(50)는 다른 종류의 가스를 공급할 수 있도록 제1 가스 확산 장치(50a), 제2 가스 확산 장치(50b)로 구성될 수 있다. 가스 확산 장치(50)는 가스 이동 공간(15)으로 공급되는 가스의 압력을 낮출 수 있다. 즉, 가스 확산 장치(50)는 주입되는 가스의 압력을 낮추는 가스 디퓨저일 수 있으며, 가스 디퓨저는 다공성 필터를 포함할 수 있다. The gas diffusion device (50) may be composed of a first gas diffusion device (50a) and a second gas diffusion device (50b) so as to supply different types of gases. The gas diffusion device (50) may lower the pressure of the gas supplied to the gas movement space (15). That is, the gas diffusion device (50) may be a gas diffuser that lowers the pressure of the gas being injected, and the gas diffuser may include a porous filter.
일례로서, 가스 확산 장치(50)를 통해 공급되는 가스는 제1 가스로서, 질소, 수소, 중수소 등이 선택될 수 있다. 특히, 가스 확산 장치(50)는 고압 어닐링 반응을 위해 주입되는 수소 및 중수소의 주입되는 압력을 낮춤으로써, 내부 공간(13) 일부분의 압력이 순간적으로 증가하여 내부 공간(13)과 외부 공간(14) 간의 압력차가 허용 수준 이상으로 높아지는 것을 방지할 수 있다. As an example, the gas supplied through the gas diffusion device (50) may be selected as the first gas, such as nitrogen, hydrogen, or deuterium. In particular, the gas diffusion device (50) can prevent the pressure of a part of the internal space (13) from increasing momentarily and the pressure difference between the internal space (13) and the external space (14) from increasing beyond an allowable level by lowering the injected pressure of hydrogen and deuterium injected for the high-pressure annealing reaction.
한편, 종래기술의 가스 주입 유닛은 가스 이동 공간(15) 또는 내부 공간(13)으로 가스를 주입할 때, 분사 압력이 발생한다. 따라서, 기판에 충격을 가하거나, 내부 공간(13)의 온도 분포가 균일하지 않게 형성되는 문제가 발생한다. 따라서, 본 발명의 가스 확산 장치(50)는 주입되는 가스의 분사 압력을 낮추고, 주입 가스를 균일하게 확산시킴으로써, 주입 가스의 분사압력을 낮추거나 제거할 수 있다. 일례로서, 가스 확산 장치(50)는 주입된 가스로 인해 내부 공간(13)에서 일정 위치에서 압력이 급상승하여 기판에 충격이 가해지는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 내부 공간(13)의 일정 위치에서 온도가 급격하게 변화하는 문제를 해결할 수 있다.Meanwhile, when the gas injection unit of the prior art injects gas into the gas movement space (15) or the internal space (13), injection pressure is generated. Therefore, a problem occurs in which an impact is applied to the substrate or the temperature distribution of the internal space (13) is formed unevenly. Therefore, the gas diffusion device (50) of the present invention can lower the injection pressure of the injected gas and evenly diffuse the injected gas, thereby lowering or eliminating the injection pressure of the injected gas. As an example, the gas diffusion device (50) can solve a problem in which the pressure in a certain location in the internal space (13) suddenly increases due to the injected gas, thereby applying an impact to the substrate. In addition, the problem in which the temperature in a certain location in the internal space (13) suddenly changes can be solved.
일례로서, 고압 어닐링 장치(1)는 복수의 가스 확산 장치(50)가 구비되어 가스 유닛 연결부(200)에 장착될 수 있다. 제1 가스 확산 장치(50a) 및 제2 가스 확산 장치(50b)는 각각 다른 종류의 가스가 공급될 수 있다. 나아가서, 공급되는 가스의 종류는 제1 가스의 종류에서 선택될 수 있다. 한편, 복수의 가스 확산 장치(50)로 공급되는 가스의 종류는 필요에 따라 동일한 가스가 선택될 수 있다.As an example, the high-pressure annealing device (1) may be equipped with a plurality of gas diffusion devices (50) and mounted on the gas unit connection portion (200). Different types of gas may be supplied to each of the first gas diffusion devices (50a) and the second gas diffusion devices (50b). Furthermore, the type of gas supplied may be selected from the type of the first gas. Meanwhile, the same gas may be selected as the type of gas supplied to the plurality of gas diffusion devices (50) as needed.
제1 가스 공급 유닛(60) 및 제2 가스 공급 유닛(80)은 각각 가스 유닛 연결부(200)와 결합되어 내부 공간(13)으로 제1 가스를 주입시킬 수 있다. 제1 가스 공급 유닛(60)과 제2 가스 공급 유닛(80)은 다른 종류의 가스를 주입시킬 수 있고, 필요에 따라 같은 종류의 가스를 주입시킬 수 있다. 일례로서, 제1 가스 공급 유닛(60) 및 제2 가스 공급 유닛(80)은 내부 공간(13)에서 내부 챔버(11)의 벽면을 따라 길게 형성된 노즐을 포함하는 가스 어셈블리(미도시)와 결합될 수 있다. 즉, 제1 가스 공급 유닛(60) 및 제2 가스 공급 유닛(80)은 가스 어셈블리(미도시)의 노즐을 통해 웨이퍼 보트(Boat)를 통해 내부 공간(13)으로 삽입된 각각의 기판에 제1 가스인 반응 가스를 분사할 수 시킬 수 있다.The first gas supply unit (60) and the second gas supply unit (80) are each coupled to the gas unit connection portion (200) to inject a first gas into the internal space (13). The first gas supply unit (60) and the second gas supply unit (80) can inject different types of gases, and can inject the same type of gas as needed. As an example, the first gas supply unit (60) and the second gas supply unit (80) can be coupled to a gas assembly (not shown) including a nozzle formed long along the wall surface of the internal chamber (11) in the internal space (13). That is, the first gas supply unit (60) and the second gas supply unit (80) can inject the first gas, that is, the reaction gas, onto each substrate inserted into the internal space (13) through the wafer boat through the nozzle of the gas assembly (not shown).
가스 배출 유닛(70)은 가스 이동 공간(15) 및 내부 공간(13)의 가스를 이중 챔버의 외부로 배출시킬 수 있다. 일례로서, 가스 배출 유닛(70)은 가스 배출 장치(미도시)에 연결되어 가스를 외부로 배출시킴으로써, 내부 공간(13)의 압력이 외부 공간(14)의 압력과 일치하도록 조정할 수 있다. 나아가서, 내부 공간(13) 및 외부 공간(14)은 각 공간의 압력을 측정하기 위한 압력 센서가 설치될 수 있다.The gas discharge unit (70) can discharge gas in the gas movement space (15) and the internal space (13) to the outside of the dual chamber. As an example, the gas discharge unit (70) can be connected to a gas discharge device (not shown) to discharge gas to the outside, thereby adjusting the pressure of the internal space (13) to match the pressure of the external space (14). Furthermore, the internal space (13) and the external space (14) can be installed with pressure sensors for measuring the pressure of each space.
본 발명의 고압 어닐링 챔버는, 가스 유닛들(50, 60, 70, 80)이 가스 유닛 연결부(200)에 결합되는 갯수가 제한되지 않으며, 가스 유닛 연결부(200)는 하나 이상의 삽입홀이 추가로 형성되어 더 많은 가스 유닛들이 결합될 수 있다. 일례로서, 가스 유닛 연결부(200)에 삽입홀을 추가로 형성하고 가스 공급 유닛 및 가스 배출 유닛을 추가로 설치함으로써, 내부 공간(13)의 압력을 용이하게 유지하면서 가스의 조성을 변화시킬 수 있다.In the high-pressure annealing chamber of the present invention, the number of gas units (50, 60, 70, 80) connected to the gas unit connection portion (200) is not limited, and the gas unit connection portion (200) may be additionally formed with one or more insertion holes so that more gas units can be connected. As an example, by additionally forming an insertion hole in the gas unit connection portion (200) and additionally installing a gas supply unit and a gas discharge unit, the pressure of the internal space (13) can be easily maintained while changing the composition of the gas.
도 5는 본 발명의 고압 어닐링 장치의 챔버 지지체 및 챔버 지지체에 장착된 가스 확산 장치의 종단면도이고, 도 6은 본 발명의 고압 어닐링 장치에 적용된 가스 확산 장치의 분해단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a chamber support of a high-pressure annealing apparatus of the present invention and a gas diffusion device mounted on the chamber support, and FIG. 6 is an exploded cross-sectional view of a gas diffusion device applied to the high-pressure annealing apparatus of the present invention.
도 5의 가스 확산 장치는 도 6의 가스 확산 장치의 분해 단면도와 함께 설명하도록 한다. 가스 확산 장치(50)는 외측면이 가스 유닛 연결부(200) 내부 결합 바디(210)의 제1 내측 삽입홀(211)과 외부 결합 바디(250)의 제1 외측 삽입홀(251)에 일측이 삽입되는 확산장치 결합용 바디(510), 확산장치 결합용 바디(510)의 타측에 일면이 결합되고 중앙에 형성되는 관통홀인 연결용 삽입홀(521)이 형성되는 어댑터(520), 어댑터(520)의 타면에서 연결용 삽입홀에 일측이 삽입되고 타측은 외부 가스 공급 장치(미도시)에 연결되는 가스 유입 부재(550), 관 형태로 내부에 가스 유입 부재(550)가 삽입되는 하우징(540), 어댑터(520)의 결합용 바디(510)에 인접한 일면의 연결용 삽입홀(521)에 삽입되는 가스 확산 부재(530)를 포함한다.The gas diffusion device of Fig. 5 will be described together with an exploded cross-sectional view of the gas diffusion device of Fig. 6. A gas diffusion device (50) includes a diffusion device coupling body (510) having one side inserted into a first inner insertion hole (211) of an inner coupling body (210) of a gas unit connection part (200) and a first outer insertion hole (251) of an outer coupling body (250), an adapter (520) having one side coupled to the other side of the diffusion device coupling body (510) and having a connection insertion hole (521) formed in the center as a through hole, a gas inlet member (550) having one side inserted into the connection insertion hole on the other side of the adapter (520) and the other side connected to an external gas supply device (not shown), a housing (540) into which the gas inlet member (550) is inserted in a tube shape, and a gas diffusion member (530) inserted into the connection insertion hole (521) on one side adjacent to the coupling body (510) of the adapter (520).
확산장치 결합용 바디(510)는 일측이 개방되어 내부에 가스 확산 공간이 마련되는 장치로서, 내부에 관통홀이 형성된 플레이트로 어댑터(520)와 결합하는 결합용 바디 플랜지부(511), 플랜지부(511)가 어댑터(520)와 결합하는 면의 반대 방향으로 연장되어 형성되는 벽인 원통형 벽(512), 원통형 벽에 의해 형성되는 내부 공간인 제1 가스 확산 공간(515)을 포함한다. The body (510) for coupling the diffusion device is a device in which one side is open to provide a gas diffusion space inside, and includes a coupling body flange portion (511) that is coupled with an adapter (520) by a plate having a through hole formed inside, a cylindrical wall (512) that is formed by extending in the opposite direction of the surface where the flange portion (511) is coupled with the adapter (520), and a first gas diffusion space (515) that is an internal space formed by the cylindrical wall.
결합용 바디 플랜지부(511)는 어댑터(520)와 결합하는 일측면에 관통홀(513)이 형성되어, 볼트를 포함한 파스너를 체결하여 확산장치 결합용 바디(510)와 어댑터(520)를 상호 결합시킬 수 있다. 또한, 결합용 바디 플랜지부(511)는 플레이트의 중앙에 관통홀이 형성되고, 외측면에서 원통형 벽(512)과 단차를 형성할 수 있다. 일례로서, 결합용 바디 플랜지부(511)의 플레이트는 타원형 또는 원의 일부가 현으로 절단된 형상일 수 있다.The body flange portion (511) for coupling has a through hole (513) formed on one side that is coupled with the adapter (520), so that the body (510) for coupling the diffusion device and the adapter (520) can be mutually coupled by fastening a fastener including a bolt. In addition, the body flange portion (511) for coupling has a through hole formed in the center of the plate, and can form a step with the cylindrical wall (512) on the outer side. As an example, the plate of the body flange portion (511) for coupling can have a shape in which a part of an ellipse or a circle is cut into a line.
원통형 벽(512)은 내경이 결합용 바디 플랜지부(511)의 내경보다 크도록 형성되어, 확산장치 결합용 바디(510)의 내부에서 단차를 형성할 수 있다. 나아가서, 원통형 벽(512)은 내측 공간에서 결합용 바디 플랜지부(511)와 함께 제1 가스 확산 공간(515)을 형성할 수 있다.The cylindrical wall (512) is formed so that its inner diameter is larger than that of the coupling body flange portion (511), thereby forming a step inside the diffusion device coupling body (510). Furthermore, the cylindrical wall (512) can form a first gas diffusion space (515) together with the coupling body flange portion (511) in the inner space.
원통형 벽(512)의 외측 벽은 플랜지부(511)의 플레이트보다 작게 형성되어 플랜지부(511)로부터 단차를 형성한다. 또한, 원통형 벽(512)은 제1 내측 삽입홀(211) 및 제1 외측 삽입홀(251)의 내벽과 접촉하여 가스 확산 장치(50)가 내부 결합 바디(210) 및 외부 결합 바디(250)에 결합되어 고정되도록 할 수 있다. 나아가서, 확산장치 결합용 바디(510)는 각 삽입홀(211, 251)과 접촉하는 지점에 사이에 밀폐부재를 더 포함하여 주입되는 가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.The outer wall of the cylindrical wall (512) is formed smaller than the plate of the flange portion (511) to form a step from the flange portion (511). In addition, the cylindrical wall (512) may be in contact with the inner walls of the first inner insertion hole (211) and the first outer insertion hole (251) so that the gas diffusion device (50) may be coupled and fixed to the inner coupling body (210) and the outer coupling body (250). Furthermore, the body (510) for coupling the diffusion device may further include a sealing member between the points where it contacts each insertion hole (211, 251) to prevent the injected gas from leaking out to the outside.
어댑터(520)는 결합용 바디 플랜지부(511)의 일측면에 접촉하여 결합되는 플레이트로서, 어댑터(520)가 결합용 바디 플랜지부(511)와 접촉하는 면에 형성된 원주형 홈인 밀폐부재 삽입홈(523), 밀폐부재 삽입홈(523)의 외측으로 원주면을 따라 형성되는 결합용 관통홀(522), 각각 가스 확산 부재(530) 및 가스 유입 부재(550)가 양방향에서 삽입되어 연결될 수 있도록 중앙에 형성되는 관통홀인 연결용 삽입홀(521)을 포함한다.The adapter (520) is a plate that is coupled by contacting one side of the body flange portion (511) for coupling, and includes a sealing member insertion groove (523) which is a cylindrical groove formed on the surface where the adapter (520) contacts the body flange portion (511) for coupling, a coupling through hole (522) formed along the circumference on the outside of the sealing member insertion groove (523), and a connection insertion hole (521) which is a through hole formed in the center so that a gas diffusion member (530) and a gas introduction member (550) can be inserted and connected in both directions, respectively.
어댑터(520)의 중앙을 관통하는 연결용 삽입홀(521)은 양 끝단에서 직경 방향으로 확장된다. 확산장치 결합용 바디(510)의 반대편에 위치한 연결용 삽입홀(521)의 입구에 가스 유입 부재(550)가 삽입되고, 확산장치 결합용 바디(510)에 인접한 연결용 삽입홀(521)의 입구에 가스 확산 부재(530)가 삽입될 수 있다. 즉, 가스 유입 부재(550)로 유입된 가스는 연결용 삽입홀(521)을 통해 가스 확산 부재(530)로 전달된다.A connecting insertion hole (521) penetrating the center of the adapter (520) is radially expanded at both ends. A gas inlet member (550) can be inserted into the inlet of the connecting insertion hole (521) located on the opposite side of the body (510) for coupling the diffusion device, and a gas diffusion member (530) can be inserted into the inlet of the connecting insertion hole (521) adjacent to the body (510) for coupling the diffusion device. That is, gas introduced into the gas inlet member (550) is transferred to the gas diffusion member (530) through the connecting insertion hole (521).
어댑터(520)는 결합용 관통홀(522)이 결합용 바디 플랜지부(511)에 형성된 관통홀(513)에 정렬되고, 볼트를 포함한 파스너로 상호 체결되어 어댑터(520)가 확산장치 결합용 바디(510)에 고정될 수 있다.The adapter (520) has a through-hole (522) for coupling aligned with a through-hole (513) formed in a body flange portion (511) for coupling, and is fastened to each other with a fastener including a bolt so that the adapter (520) can be fixed to the body (510) for coupling the diffusion device.
가스 유입 부재(550)는 외부 가스 공급 장치(미도시)에 연결되어 제1 가스가 유입되는 부재로서, 하우징(540)의 내부에 삽입되는 유입 부재 원통형 벽(551), 유입 부재 원통형 벽(551)에서 외경이 축소되어 길이 방향으로 연장된 유입 부재 연장부(552), 외부 가스 공급 장치(미도시)에 결합되도록 유입 부재 연장부(552)의 반대편에 형성된 유입 부재 커넥터부(553)를 포함한다.The gas inlet member (550) is a member connected to an external gas supply device (not shown) and into which a first gas is introduced, and includes an inlet member cylindrical wall (551) inserted into the interior of the housing (540), an inlet member extension (552) whose outer diameter is reduced and extended in the longitudinal direction from the inlet member cylindrical wall (551), and an inlet member connector portion (553) formed on the opposite side of the inlet member extension (552) so as to be coupled to an external gas supply device (not shown).
유입 부재 원통형 벽(551) 및 유입 부재 연장부(552)는 내부에 원통형 유로가 형성되어 있어, 유입 부재 커넥터부(553)로 주입된 가스가 유입될 수 있다. 유입 부재 연장부(552)는 결합용 바디 플랜지부(511)의 반대편에서 어댑터(520)의 연결용 삽입홈(521)에 삽입될 수 있다. 유입 부재 커넥터부(553)는 외부에서 제1 가스를 공급하는 외부 가스 공급 장치(미도시)에 연결되도록 커넥터 단자의 일부가 형성될 수 있다.The inflow member cylindrical wall (551) and the inflow member extension (552) have a cylindrical path formed therein, so that gas injected into the inflow member connector portion (553) can be introduced. The inflow member extension portion (552) can be inserted into the connection insertion groove (521) of the adapter (520) on the opposite side of the coupling body flange portion (511). The inflow member connector portion (553) can have a part of a connector terminal formed so as to be connected to an external gas supply device (not shown) that supplies a first gas from the outside.
하우징(540)은 유입 부재 커넥터부(553) 후단에 결합하여 가스 확산 장치(50)가 외부 가스 공급 장치(미도시)에 연결되도록 커넥터를 형성하는 하우징 커넥터부(541), 외측이 육각형으로 형성되어 커넥터 결합 시 가스 확산 장치(50)를 고정시킬 수 있는 너트부(542)를 포함한다.The housing (540) includes a housing connector portion (541) that is coupled to the rear end of the inlet member connector portion (553) to form a connector so that the gas diffusion device (50) can be connected to an external gas supply device (not shown), and a nut portion (542) that has a hexagonal outer surface and can secure the gas diffusion device (50) when the connector is coupled.
가스 확산 부재(530)는 확산장치 결합용 바디(510)의 제1 가스 확산 공간(515)으로 가스를 확산시키는 부재로서, 연결용 삽입홀(521)에 삽입되는 확산부재 삽입부(531), 확산부재 삽입부(531)로부터 직경이 확장되어 형성되는 원통형 벽면인 투과성 벽(532), 투과성 벽(532) 내부 공간에 형성되는 제2 가스 확산 공간(535)을 포함한다.The gas diffusion member (530) is a member that diffuses gas into the first gas diffusion space (515) of the body (510) for coupling the diffusion device, and includes a diffusion member insertion portion (531) inserted into a connection insertion hole (521), a permeable wall (532) that is a cylindrical wall surface formed by expanding the diameter from the diffusion member insertion portion (531), and a second gas diffusion space (535) formed in the internal space of the permeable wall (532).
확산부재 삽입부(531)는 관으로서, 연결용 삽입홀(521)의 확산장치 결합용 바디(510)에 인접한 어댑터(520) 일면의 입구에 삽입되어, 가스 확산 부재(530)를 어댑터(520)에 고정시킬 수 있다. 나아가서, 가스 유입 부재(550)의 유입로부터 유입된 가스가 어댑터(520)의 연결용 삽입홀(521) 및 확산부재 삽입부(531)를 통해 제1 확산 공간(535)으로 전달될 수 있다. The diffusion member insertion part (531) is a tube and is inserted into an inlet on one side of the adapter (520) adjacent to the body (510) for coupling the diffusion device in the connection insertion hole (521), thereby fixing the gas diffusion member (530) to the adapter (520). Furthermore, gas introduced from the introduction of the gas introduction member (550) can be delivered to the first diffusion space (535) through the connection insertion hole (521) of the adapter (520) and the diffusion member insertion part (531).
투과성 벽(532)은 확산부재 삽입부(531)에서 결합용 바디 플랜지부(511)의 반대편으로 연장되어 형성된다. 나아가서, 투과성 벽(532)은 확산부재 삽입부(531)로부터 일정 길이 구간에서 직경이 급격하게 증가하도록 경사면(533)이 형성되고, 그 이후 직경이 일정하도록 연장된다. 또한, 투과성 벽(532)은 끝단이 닫히도록 형성된 원형 벽면을 포함할 수 있다. 나아가서, 원형 벽면은 가스가 통과할 수 없는 불투성 벽면으로 선택될 수 있으나, 필요에 따라 투과성으로 변경될 수 있다. 투과성 벽(532)은 제2 가스 확산 공간(535)으로 공급된 가스가 제1 가스 확산 공간(515)으로 확산될 수 있도록, 도 5의 확대도와 같이 다수의 관통홀이 형성되어 있다. 나아가서, 투과성 벽(532)은 메쉬(mesh)로 형성된 금속관일 수 있다. 또는, 투과성 벽(532)은 다공성 재질의 관 및 튜브로 형성될 수 있다. 나아가서, 투과성 벽(532)의 두께는 조절될 수 있다.The permeable wall (532) is formed to extend from the diffusion member insertion portion (531) to the opposite side of the coupling body flange portion (511). Further, the permeable wall (532) is formed with an inclined surface (533) such that the diameter increases rapidly at a certain length section from the diffusion member insertion portion (531), and then extends so that the diameter remains constant. In addition, the permeable wall (532) may include a circular wall surface formed to have a closed end. Further, the circular wall surface may be selected as an impermeable wall surface through which gas cannot pass, but may be changed to be permeable as needed. The permeable wall (532) is formed with a plurality of through holes as shown in the enlarged view of FIG. 5 so that gas supplied to the second gas diffusion space (535) can diffuse to the first gas diffusion space (515). Further, the permeable wall (532) may be a metal pipe formed of a mesh. Alternatively, the permeable wall (532) may be formed of a pipe or tube made of a porous material. Furthermore, the thickness of the permeable wall (532) may be adjusted.
가스 확산 장치(50)로 주입되는 가스는 가스 유입 부재(550), 연결용 삽입홀(521)을 경유하여 가스 확산 부재(530)로 전달된다. 나아가서, 전달된 가스는 가스 확산 부재(530)의 삽입부(531)를 거쳐 제2 가스 확산 공간(535)으로 공급된다. 특히, 확산부재 삽입부(531)와 투과성 벽(532) 사이에 형성된 경사면(533) 구간을 통과할 때 1차 확산되어, 공급되는 가스의 압력 및 속도가 낮아진다. 제2 가스 확산 공간(535)으로 공급된 가스는 투과성 벽(532)의 다수의 관통홀을 거쳐, 투과성 벽(532)보다 직경이 더 큰 확산장치 결합용 바디(510)의 제1 가스 확산 공간(515)으로 공급된다. 즉, 제1 가스 확산 공간(515)으로 공급된 가스는 2차 확산되어 가스의 압력 및 속도가 낮아진다. 나아가서, 공급된 가스는 내부 결합 바디(210)의 제1 내측 삽입홀(211)을 통해 확산되어 가스 이동 공간(15)을 거쳐 내부 공간(13)으로 확산될 수 있다. 특히, 확산된 가스는 분사 압력이 저감되어 기판에 충격을 주지 않고 내부 공간(13)에 공급될 수 있다. 나아가서, 주입된 가스는 균일하게 확산되어 공급됨으로써, 내부 공간(13)의 온도를 국소적으로 변화시키지 않고 균일하게 형성시킬 수 있다. 더 나아가서, 가스 확산 장치(50)는 가스 이동 공간(15) 및 내부 공간(13)의 압력이 국소적으로 증가하여 기판에 충격이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 다른 일례로서, 가스 확산 장치(50)는 내부 공간(13)의 압력이 국소적으로 증가함에 따라 내부 공간(13)과 외부 공간(14)의 국소적인 압력 차가 발생하여 내부 챔버(11)에 충격이 가해지는 것을 방지할 수 있다. The gas injected into the gas diffusion device (50) is delivered to the gas diffusion member (530) via the gas inlet member (550) and the connection insertion hole (521). Further, the delivered gas is supplied to the second gas diffusion space (535) via the insertion portion (531) of the gas diffusion member (530). In particular, when passing through the inclined surface (533) section formed between the diffusion member insertion portion (531) and the permeable wall (532), the gas is first diffused, thereby lowering the pressure and velocity of the supplied gas. The gas supplied to the second gas diffusion space (535) is supplied to the first gas diffusion space (515) of the diffusion device coupling body (510) having a larger diameter than the permeable wall (532) via the plurality of through holes of the permeable wall (532). That is, the gas supplied to the first gas diffusion space (515) is secondarily diffused, thereby lowering the pressure and velocity of the gas. Furthermore, the supplied gas can be diffused through the first inner insertion hole (211) of the inner joining body (210) and diffused into the inner space (13) through the gas movement space (15). In particular, the diffused gas can be supplied to the inner space (13) without impacting the substrate because the injection pressure is reduced. Furthermore, the injected gas is supplied while being uniformly diffused, so that the temperature of the inner space (13) can be uniformly formed without changing locally. Furthermore, the gas diffusion device (50) can prevent impact from being applied to the substrate due to a local increase in the pressure of the gas movement space (15) and the inner space (13). As another example, the gas diffusion device (50) can prevent impact from being applied to the inner chamber (11) due to a local pressure difference between the inner space (13) and the outer space (14) occurring as the pressure of the inner space (13) locally increases.
본 발명의 가스 확산 장치의 구조는 위에 제한되지 않으며, 필요에 따라 변형될 수 있다. 일례로서, 유입되는 가스에 포함된 미세 파티클을 제거하기 위한 필터가 가스 확산 장치에 구성될 수 있다. 다른 일례로서, 확산 효율을 증가시키기 위한 내부 벽체 구조를 투과성 벽(532) 및 제2 가스 확산 공간(535)에 형성시킬 수 있다. 다른 일례로서, 확산장치 결합용 바디(510)의 원통형 벽(512)의 내부 직경이 일정 구간에서 증가하도록 형성될 수 있다.The structure of the gas diffusion device of the present invention is not limited to the above and may be modified as needed. As an example, a filter for removing fine particles contained in the inflowing gas may be configured in the gas diffusion device. As another example, an internal wall structure for increasing diffusion efficiency may be formed in the permeable wall (532) and the second gas diffusion space (535). As another example, the internal diameter of the cylindrical wall (512) of the body (510) for coupling the diffusion device may be formed to increase at a certain section.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative description of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art will appreciate that various modifications and variations may be made without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within a scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the rights of the present invention.
1: 고압 어닐링 장치
10: 챔버 지지체
11: 내부 챔버
12: 외부 챔버
50: 가스 확산 장치
100: 하단 결합부
200: 가스 유닛 연결부
300: 챔버 결합부1: High pressure annealing device
10: Chamber support
11: Inner chamber
12: Outer chamber
50: Gas diffusion device
100: Bottom joint
200: Gas unit connection
300: Chamber joint
Claims (9)
상기 내부 챔버를 수용하는 외부 공간을 제공하는 외부 챔버;
상기 내부 챔버를 하부에서 지지하며 상기 내부 챔버의 내부 공간과 연결된 가스 이동 공간을 제공하는 챔버 지지체; 및
상기 챔버 지지체에 결합되며, 상기 가스 이동 공간으로 복수의 가스를 선택적으로 공급하는 복수의 가스 유닛;을 포함하고,
복수의 상기 가스 유닛 중 하나 이상은,
상기 챔버 지지체의 가스 이동 공간에 일측 끝단이 연결되는 가스 확산 공간이 내부에 마련되어, 상기 가스 이동 공간의 외부에 위치된 상기 가스 확산 공간을 통해 공급되는 가스의 압력을 조절하여 상기 가스 이동 공간으로 전달하는 가스 확산 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.An internal chamber providing an internal space in which a heat treatment process for the substrate is performed;
An outer chamber providing an external space accommodating the inner chamber;
A chamber support supporting the inner chamber from below and providing a gas movement space connected to the inner space of the inner chamber; and
A plurality of gas units are coupled to the chamber support and selectively supply a plurality of gases to the gas movement space;
One or more of the above gas units,
A high-pressure annealing device characterized in that it includes a gas diffusion device that controls the pressure of gas supplied through the gas diffusion space located outside the gas movement space and delivers the gas to the gas movement space, wherein a gas diffusion space is provided inside the chamber support, one end of which is connected to the gas movement space.
상기 챔버 지지체는,
상기 내부 챔버의 하단 및 상기 외부 챔버 내측에 결합되는 챔버 결합부;
상기 챔버 결합부의 하단에 위치하고, 측면에 상기 가스 유닛이 각각 결합되는 복수의 삽입홀을 포함하는 가스 유닛 연결부; 및
상기 가스 유닛 연결부의 하단을 지지하고, 상기 외부 챔버 하단이 안착되는 하단 결합부;를 포함하며,
상기 가스 확산 장치의 일측은 상기 가스 유닛 연결부의 외측에서 삽입되는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In the first paragraph,
The above chamber support is,
A chamber joint coupled to the lower part of the inner chamber and the inner side of the outer chamber;
A gas unit connection portion located at the bottom of the chamber joint portion and including a plurality of insertion holes on the side into which the gas units are respectively connected; and
A lower joint supporting the lower end of the gas unit connection and on which the lower end of the external chamber is secured;
A high-pressure annealing device, characterized in that one side of the gas diffusion device is inserted from the outside of the gas unit connection part.
상기 가스 유닛은,
상기 내부 공간으로 가스를 주입하는 하나 이상의 가스 공급 유닛; 및
상기 내부 공간으로부터 가스를 배출하는 하나 이상의 가스 배출 유닛;을 포함하는 고압 어닐링 장치.In the first paragraph,
The above gas unit,
One or more gas supply units for injecting gas into the internal space; and
A high pressure annealing apparatus comprising one or more gas exhaust units for exhausting gas from the internal space.
상기 가스 확산 장치는,
상기 챔버 지지체의 일부에 삽입되는 일측이 개방되고, 내부에 제1 가스 확산 공간이 마련되는 원통형 벽을 포함하는 확산장치 결합용 바디; 및
상기 제1 가스 확산 공간 상에서 상기 원통형 벽의 내면과 이격되어 설치되고, 다수의 관통홀이 형성된 투과성 벽을 포함하는 가스 확산 부재;를 포함하고,
상기 가스 확산 부재를 통해 유입된 가스는 상기 다수의 관통홀을 통과하여 상기 제1 가스 확산 공간에서 확산되어 압력이 조절되는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In the first paragraph,
The above gas diffusion device,
A body for coupling a diffusion device including a cylindrical wall having one end open and a first gas diffusion space provided therein, which is inserted into a part of the chamber support; and
A gas diffusion member including a permeable wall having a plurality of through holes formed therein and installed spaced apart from the inner surface of the cylindrical wall on the first gas diffusion space;
A high-pressure annealing device characterized in that the gas introduced through the gas diffusion member passes through the plurality of through holes and diffuses in the first gas diffusion space, thereby controlling the pressure.
상기 가스 확산 부재는,
가스가 유입되어 상기 투과성 벽으로 가스를 전달하는 확산부재 삽입부;를 더 포함하고,
상기 투과성 벽의 단면이 상기 확산부재 삽입부의 단면보다 확장 형성되어 상기 투과성 벽의 내부에 제2 가스 확산 공간이 마련되고,
상기 가스 확산 부재의 내부로 유입된 가스는 제2 가스 확산 공간에서 1차 확산되고, 상기 제1 가스 확산 공간에서 2차 확산되는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In paragraph 4,
The above gas diffusion member is,
Further comprising a diffusion member insert for introducing gas and delivering the gas to the permeable wall;
The cross-section of the permeable wall is formed to be wider than the cross-section of the diffusion member insert portion, so that a second gas diffusion space is provided inside the permeable wall.
A high-pressure annealing device, characterized in that gas introduced into the interior of the gas diffusion member is first diffused in a second gas diffusion space and secondarily diffused in the first gas diffusion space.
상기 가스 확산 부재의 투과성 벽은 다공성인 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In paragraph 4,
A high-pressure annealing apparatus, characterized in that the permeable wall of the gas diffusion member is porous.
상기 확산장치 결합용 바디는 개방된 일측의 반대편에 형성된 결합용 바디 플랜지부를 포함하고,
상기 가스 확산 장치는 상기 결합용 바디 플랜지부에 결합되는 플레이트인 어댑터를 포함하고,
상기 확산부재 삽입부는 상기 확산장치 결합용 바디의 내측에서 상기 어댑터에 결합되는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In paragraph 5,
The above-mentioned body for combining the diffusion device includes a combining body flange portion formed on the opposite side of the open side,
The above gas diffusion device includes an adapter, which is a plate coupled to the coupling body flange portion,
A high-pressure annealing device, characterized in that the diffusion member insertion part is coupled to the adapter on the inside of the body for coupling the diffusion device.
상기 챔버 지지체는,
환형의 내부 결합 바디 및 내측 결합 바디를 외측에서 감싸는 환형 외부 결합 바디를 포함하고,
상기 내측 결합 바디 및 외측 결합 바디는 측면에 상기 가스 유닛이 삽입되는 삽입홀인 내측 삽입홀 및 외측 삽입홀을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In the first paragraph,
The above chamber support is,
It comprises an annular inner joining body and an annular outer joining body that surrounds the inner joining body from the outside,
A high-pressure annealing device, characterized in that the inner and outer coupling bodies each include an inner insertion hole and an outer insertion hole, which are insertion holes into which the gas unit is inserted on the side.
상기 내측 삽입홀의 직경이 상기 외측 삽입홀의 직경보다 작게 형성되어 상기 가스 유닛의 삽입 길이를 제한하는 것을 특징으로 하는 고압 어닐링 장치.In Article 8,
A high-pressure annealing device characterized in that the diameter of the inner insertion hole is formed smaller than the diameter of the outer insertion hole to limit the insertion length of the gas unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020240124050A KR102815054B1 (en) | 2024-09-11 | 2024-09-11 | High pressure annealing process device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020240124050A KR102815054B1 (en) | 2024-09-11 | 2024-09-11 | High pressure annealing process device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102815054B1 true KR102815054B1 (en) | 2025-06-02 |
Family
ID=96018101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020240124050A Active KR102815054B1 (en) | 2024-09-11 | 2024-09-11 | High pressure annealing process device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102815054B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140111731A (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for processing wafers |
| KR20220003748A (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-11 | 주식회사 원익아이피에스 | Boat for mount of Substrates and Vertical type Apparatus for processing substrate Having the Same |
| KR20220150352A (en) * | 2020-03-06 | 2022-11-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | Manifold for substrate container |
| KR20230042317A (en) * | 2020-09-23 | 2023-03-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing device, substrate processing method and program |
-
2024
- 2024-09-11 KR KR1020240124050A patent/KR102815054B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140111731A (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for processing wafers |
| KR20220150352A (en) * | 2020-03-06 | 2022-11-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | Manifold for substrate container |
| KR20220003748A (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-11 | 주식회사 원익아이피에스 | Boat for mount of Substrates and Vertical type Apparatus for processing substrate Having the Same |
| KR20230042317A (en) * | 2020-09-23 | 2023-03-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing device, substrate processing method and program |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2935474B2 (en) | Apparatus and method for processing flat substrates | |
| EP2336389B1 (en) | A showerhead assembly for vacuum processing apparatus | |
| TWI441255B (en) | The plasma reactors reflect the side of the gas chamber | |
| US9536710B2 (en) | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection | |
| TWI405266B (en) | Heat treatment apparatus, heater and manufacturing method thereof | |
| KR20110036933A (en) | Chamber Components for CAD Applications | |
| CA2202074A1 (en) | Method and apparatus for isolating a susceptor heating element from a chemical vapor deposition environment | |
| TWI783963B (en) | Gas spraying apparatus, substrate processing facility including the same, and method for processing substrate using substrate processing facility | |
| KR102815054B1 (en) | High pressure annealing process device | |
| KR102810886B1 (en) | Vacuum chuck, substrate processing apparatus having the same and method of manufacturing vacuum chuck | |
| KR101019953B1 (en) | Gas supply | |
| KR20100013190A (en) | Apparatus for supplying gas, apparatus for and method of treating substrate by plasma | |
| KR100453014B1 (en) | Apparatus for Chemical Vapor Deposition | |
| KR20030008433A (en) | Semiconductor device fabrication apparatus having multi-hole angled gas injection system | |
| KR101131547B1 (en) | Boat and semiconductor deposition apparatus and method including the same | |
| KR100231345B1 (en) | Inductively Coupled Plasma Generator Using Grid Gas Injection | |
| KR20230155835A (en) | Gas injecting device and substrate processing apparatus having the same | |
| KR20230169742A (en) | Substate processing apparatus | |
| KR100702831B1 (en) | Plasma processing equipment | |
| CN101179022A (en) | Gas injection apparatus | |
| CN101440485B (en) | Film processing device | |
| US20250215569A1 (en) | Shower head unit, gas supply unit and substrate processing device having the same | |
| KR101375621B1 (en) | Manufacturing Apparatus For Semiconductor Device | |
| KR102855280B1 (en) | Apparatus for processing substrate | |
| KR20060072528A (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus having vertical diffusion path |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PA0302 | Request for accelerated examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D17-exm-PA0302 St.27 status event code: A-1-2-D10-D16-exm-PA0302 |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| P14-X000 | Amendment of ip right document requested |
St.27 status event code: A-5-5-P10-P14-nap-X000 |
|
| P14 | Amendment of ip right document requested |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-P10-P14-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| P14-X000 | Amendment of ip right document requested |
St.27 status event code: A-5-5-P10-P14-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |