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KR102814978B1 - 하전 입자선 화상 처리 장치와 그것을 구비하는 하전 입자선 장치 - Google Patents

하전 입자선 화상 처리 장치와 그것을 구비하는 하전 입자선 장치 Download PDF

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KR102814978B1
KR102814978B1 KR1020220115305A KR20220115305A KR102814978B1 KR 102814978 B1 KR102814978 B1 KR 102814978B1 KR 1020220115305 A KR1020220115305 A KR 1020220115305A KR 20220115305 A KR20220115305 A KR 20220115305A KR 102814978 B1 KR102814978 B1 KR 102814978B1
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Abstract

본 발명은, 라인 패턴의 에지를 포함하는 관찰 상에 대하여 적절한 검사 영역을 설정하는 것이 가능한 하전 입자선 화상 처리 장치를 제공한다. 하전 입자선 장치가 생성하는 관찰 상을 화상 처리하는 하전 입자선 화상 처리 장치이며, 상기 관찰 상의 검사 영역으로부터 라인 패턴의 에지를 추출하는 추출부와, 상기 검사 영역을 복수의 계측점수를 갖는 구획으로 분할하는 분할부와, 상기 구획 각각에 있어서 라인 에지 러프니스를 계측하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 분포 데이터를 생성하는 계측부와, 상기 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스를 산출하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 이론 곡선을 산출하는 산출부와, 상기 분포 데이터와 상기 이론 곡선의 비교에 기초하여, 상기 검사 영역이 적절한지 여부를 판정하는 판정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

하전 입자선 화상 처리 장치와 그것을 구비하는 하전 입자선 장치{CHARGED PARTICLE BEAM IMAGE PROCESSING DEVICE AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은, 반도체의 라인 패턴 검사에 사용되는 하전 입자선 장치가 생성하는 관찰 상의 화상 처리를 행하는 하전 입자선 화상 처리 장치에 관한 것이다.
하전 입자선 장치는, 전자선 등의 하전 입자선을 시료에 조사함으로써, 시료의 미세한 구조를 관찰하기 위한 관찰 상을 생성하는 장치이며, 반도체의 제조 공정 등에 사용된다. 반도체의 제조 공정에서는, 반도체의 라인 패턴의 에지의 요철인 LER(Line Edge Roughness)의 계측이 중요하다.
특허문헌 1에는, LER의 변동을 이론적인 근거에 기초해서 계측하는 것이 개시된다. 구체적으로는, 라인 패턴의 관찰 상의 검사 영역보다도 짧은 계측 영역 내에서 계측되는 복수 개소의 에지의 LER의 공간 주파수 분포를 산출하고, 산출된 공간 주파수 분포에 기초하여 검사 영역의 LER을 산출하는 것이 개시된다.
일본 특허 공개 제2008-116472호 공보
그러나 특허문헌 1에서는, 에지 군의 주기성 평가에 그치고 있어, 에지 군의 연속성 평가에 이르지 못했다. 즉 지나치게 넓은 검사 영역 때문에 에지 군 중의 에지의 간격이 성기게 되면 에지 군의 연속성이 유지되지 않아, 라인 에지 러프니스의 계측 정밀도가 저하된다.
그래서 본 발명은, 라인 패턴의 에지를 포함하는 관찰 상에 대하여 적절한 검사 영역을 설정하는 것이 가능한 하전 입자선 화상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은, 하전 입자선 장치가 생성하는 관찰 상을 화상 처리하는 하전 입자선 화상 처리 장치이며, 상기 관찰 상의 검사 영역으로부터 라인 패턴의 에지를 추출하는 추출부와, 상기 검사 영역을 복수의 계측점수를 갖는 구획으로 분할하는 분할부와, 상기 구획 각각에 있어서 라인 에지 러프니스를 계측하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 분포 데이터를 생성하는 계측부와, 상기 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스를 산출하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 이론 곡선을 산출하는 산출부와, 상기 분포 데이터와 상기 이론 곡선의 비교에 기초하여, 상기 검사 영역이 적절한지 여부를 판정하는 판정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 라인 패턴의 에지를 포함하는 관찰 상에 대하여 적절한 검사 영역을 설정하는 것이 가능한 하전 입자선 화상 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 하전 입자선 화상 처리 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2는 하전 입자선 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 적절한 검사 영역과 샘플링 간격에 대해서 설명하는 도면이다.
도 4는 실시예 1에 관한 처리의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 분포 데이터와 이론 곡선의 비교에 대해서 설명하는 도면이다.
도 6은 샘플링 간격이 적절하지 않은 것을 경고하는 경고 화면의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면에 따라서 본 발명에 관한 하전 입자선 화상 처리 장치의 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 첨부 도면에 있어서, 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략하기로 한다.
[실시예 1]
도 1은 하전 입자선 화상 처리 장치(1)의 하드웨어 구성을 도시하는 도면이다. 하전 입자선 화상 처리 장치(1)는, 연산부(2), 메모리(3), 기억 장치(4), 네트워크 어댑터(5)가 시스템 버스(6)에 의해 신호 송수 가능하게 접속되어 구성된다. 또한 하전 입자선 화상 처리 장치(1)는, 네트워크(9)를 통해서 하전 입자선 장치(10)나 하전 입자선 화상 데이터베이스(11)와 신호 송수 가능하게 접속된다. 또한, 하전 입자선 화상 처리 장치(1)에는, 표시 장치(7)와 입력 장치(8)가 접속된다. 여기서, 「신호 송수 가능하게」란, 전기적, 광학적으로 유선, 무선을 막론하고, 서로 혹은 한쪽에서 다른 쪽으로 신호 송수 가능한 상태를 나타낸다.
연산부(2)는, 각 구성 요소의 동작을 제어하는 장치이며, 구체적으로는 CPU(Central Processing Unit)나 MPU(Micro Processor Unit) 등이다. 연산부(2)는, 기억 장치(4)에 저장되는 프로그램이나 프로그램 실행에 필요한 데이터를 메모리(3)에 로드해서 실행하여, 하전 입자선 화상에 대하여 다양한 화상 처리를 실시한다. 메모리(3)는, 연산부(2)가 실행하는 프로그램이나 연산 처리의 도중 경과를 기억하는 것이다. 기억 장치(4)는, 연산부(2)가 실행하는 프로그램이나 프로그램 실행에 필요한 데이터를 저장하는 장치이며, 구체적으로는 HDD(Hard Disk Drive)나 SSD(Solid State Drive) 등이다. 네트워크 어댑터(5)는, 하전 입자선 화상 처리 장치(1)를 LAN, 전화 회선, 인터넷 등의 네트워크(9)에 접속하기 위한 것이다. 연산부(2)가 취급하는 각종 데이터는 LAN(Local Area Network) 등의 네트워크(9)를 통해서 하전 입자선 화상 처리 장치(1)의 외부와 송수신되어도 된다.
표시 장치(7)는, 하전 입자선 화상 처리 장치(1)의 처리 결과 등을 표시하는 장치이며, 구체적으로는 액정 디스플레이나 터치 패널 등이다. 입력 장치(8)는, 조작자가 하전 입자선 화상 처리 장치(1)에 대하여 조작 지시를 행하는 조작 디바이스이며, 구체적으로는 키보드나 마우스, 터치 패널 등이다. 마우스는 트랙 패드나 트랙볼 등의 다른 포인팅 디바이스이어도 된다.
하전 입자선 장치(10)는, 하전 입자선을 시료에 조사함으로써, 시료를 관찰하기 위한 관찰 상을 생성하는 장치이며, 예를 들어 전자선으로 시료를 주사함으로써 관찰 상을 생성하는 주사 전자 현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)이다. 하전 입자선 화상 데이터베이스(11)는, 하전 입자선 장치(10)에 의해 생성되는 관찰 상이나, 관찰 상에 화상 처리가 실시된 보정 화상 등을 기억하는 데이터베이스 시스템이다.
도 2를 사용해서 하전 입자선 장치(10)의 일례인 주사 전자 현미경의 전체 구성을 설명한다. 또한, 도 2에서, 지면에 수직인 방향을 X축, 세로 방향을 Y축, 가로 방향을 Z축으로 한다. 주사 전자 현미경은, 전자선원(101), 대물 렌즈(103), 편향기(104), 가동 스테이지(106), 검출기(112), 화상 처리부(115), 입출력부(116), 기억부(117), 제어부(119)를 구비한다. 이하, 각 부에 대해서 설명한다.
전자선원(101)은, 소정의 가속 전압에 의해 가속된 1차 전자선(102)을 시료(105)에 조사하는 선원이다.
대물 렌즈(103)는 1차 전자선(102)을 시료(105)의 표면에서 집속시키기 위한 집속 렌즈이다. 대부분의 경우, 대물 렌즈(103)에는 코일과 자극을 갖는 자극 렌즈가 사용된다.
편향기(104)는, 1차 전자선(102)을 편향시키는 자계나 전계를 발생시키는 코일이나 전극이다. 1차 전자선(102)을 편향시킴으로써, 시료(105)의 표면을 1차 전자선(102)으로 주사한다. 또한, 전자선원(101)과 대물 렌즈(103)의 중심을 연결하는 직선은 광축(121)이라고 불리며, 편향기(104)에 의해 편향되지 않는 1차 전자선(102)은 광축(121)을 따라 시료(105)에 조사된다.
가동 스테이지(106)는, 시료(105)를 보유 지지함과 함께, X 방향 및 Y 방향으로 시료(105)를 이동시킨다.
검출기(112)는, 1차 전자선(102)이 조사되는 시료(105)로부터 방출되는 2차 전자(108)를 검출하는 검출기이다. 검출기(112)에는, 신틸레이터·라이트 가이드·광전자 증배관을 포함하는 E-T 검출기나 반도체 검출기가 사용된다. 검출기(112)로부터 출력되는 검출 신호는 제어부(119)를 통해서 화상 처리부(115)에 송신된다.
화상 처리부(115)는, 검출기(112)로부터 출력되는 검출 신호에 기초하여 관찰 상을 생성하는 연산기이며, 예를 들어 MPU(Micro Processing Unit)나 GPU(Graphics Processing Unit) 등이다. 화상 처리부(115)는, 생성된 관찰 상에 대하여 다양한 화상 처리를 실시해도 된다. 또한 도 1을 사용해서 설명한 하전 입자선 화상 처리 장치(1)가 화상 처리부(115)이어도 된다.
입출력부(116)는, 시료(105)를 관찰하기 위한 조건인 관찰 조건이 입력되거나, 화상 처리부(115)에 의해 생성되는 화상이 표시되거나 하는 장치이며, 예를 들어 키보드나 마우스, 터치 패널, 액정 디스플레이 등이다.
기억부(117)는, 각종 데이터나 프로그램이 기억되는 장치이며, 예를 들어 HDD(Hard Disk Drive)나 SSD(Solid State Drive) 등이다. 기억부(117)에는, 제어부(119) 등에 의해 실행되는 프로그램이나 입출력부(116)로부터 입력되는 관찰 조건, 화상 처리부(115)에 의해 생성되는 화상 등이 기억된다.
제어부(119)는, 각 부를 제어함과 함께, 각 부에서 생성되는 데이터를 처리하거나 송신하거나 하는 연산기이며, 예를 들어 CPU(Central Processing Unit)나 MPU 등이다.
이상 설명한 하전 입자선 장치에 의해, 반도체의 라인 패턴을 관찰하기 위한 관찰 상이 생성되고, 관찰 상을 사용해서 라인 패턴의 에지의 요철인 라인 에지 러프니스(LER: Line Edge Roughness)가 계측된다. 라인 에지 러프니스를 고정밀도로 계측하기 위해서는, 관찰 상에 대하여 적절한 검사 영역을 설정하는 것이 중요하다.
도 3을 사용해서 적절한 검사 영역에 대해서 설명한다. 도 3의 (a), (b), (c)에는, 관찰 상에 대하여 설정된 검사 영역의 크기가 소, 중, 대인 경우가 예시된다. 또한 검사 영역은, 도 3의 (a), (b), (c) 각각에 있어서 세로로 긴 직사각형으로 나타내진다. 또한 검사 영역에서 추출된 에지의 위치는, 도 3의 (a), (b), (c) 각각에 있어서 꺽은 선 그래프로 나타내진다.
도 3의 (a)와 같이 검사 영역이 비교적 작은 경우, 추출되는 에지의 샘플링 간격이 밀해지기 때문에, 에지 군의 연속성이 유지되지만, 에지 군의 주기성의 평가가 불충분해진다. 또한 도 3의 (c)와 같이 검사 영역이 비교적 큰 경우, 추출되는 에지의 샘플링 간격이 소해지기 때문에, 에지 군의 주기성의 평가는 가능하지만, 에지 군의 연속성이 유지되지 않는다. 그래서 도 3의 (b)와 같은, 에지 군의 연속성이 유지되면서 에지 군의 주기성의 평가가 가능한 적절한 검사 영역이 설정되는 것이 필요하다. 실시예 1에서는, 이후에서 설명하는 처리의 흐름에 의해서, 적절한 검사 영역이 설정된다.
도 4를 사용하여, 실시예 1의 처리의 흐름의 일례에 대해서 스텝마다 설명한다.
(S401)
하전 입자선 장치(10)에 의해 생성된 관찰 상에 대하여 검사 영역이 설정된다. 검사 영역은, 연산부(2)에 의해 설정되어도 되고, 입력 장치(8)를 사용하는 조작자에 의해 설정되어도 된다. 또한 연산부(2)는, 설정된 검사 영역에 따라, 에지의 샘플링 간격을 설정한다.
(S402)
연산부(2)는, S401에서 설정된 검사 영역에 있어서, 라인 패턴의 에지를 추출한다. 예를 들어, 검사 영역의 가로 방향으로 배열되는 휘도값의 조인 프로파일에 있어서, 인접하는 휘도값의 차이가 최대로 되는 위치가 에지로서 추출된다. 에지의 추출은, 검사 영역에 설정된 샘플링 간격으로 행하여진다.
(S403)
연산부(2)는, S401에서 설정된 검사 영역을 복수의 구획으로 분할한다. 분할된 구획은, 복수의 계측점수를 갖는다.
(S404)
연산부(2)는, S403에서 분할된 구획 각각에 있어서 라인 에지 러프니스를 계측한다. 라인 에지 러프니스는, 예를 들어 기준선으로부터 각 에지까지의 거리의 표준 편차(σ)로서 다음 식으로 나타내진다. 또한 기준선은, 검사 영역의 전역에 있어서의 에지 군으로부터 산출되는 근사 직선이나, 관찰 상에 있어서 세로 방향으로 설정되는 직선이다.
[수학식 1]
Figure 112022095999425-pat00001
여기서, k는 구획이 갖는 계측점수, i는 1부터 k까지의 정수, xi는 기준선으로부터 각 에지까지의 거리, xk_ave는 각 구획에서의 xi의 평균값이다.
(S405)
연산부(2)는, S404에서 계측된 구획마다의 라인 에지 러프니스의 분포 데이터를 생성한다. 분포 데이터는, 예를 들어 횡축이 라인 에지 러프니스의 구간이며, 종축이 각 구간에서의 빈도인 히스토그램으로서 생성된다.
(S406)
연산부(2)는, S401에서 설정된 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스를 산출한다. 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스(σtrue)는, 예를 들어 다음 식에 의해 산출된다.
[수학식 2]
Figure 112022095999425-pat00002
여기서, n은 검사 영역의 전역에 있어서의 에지의 수, i는 1부터 n까지의 정수, xi는 기준선으로부터 각 에지까지의 거리, xave는 xi의 평균값이다.
(S407)
연산부(2)는, S404에서 계측된 구획마다의 라인 에지 러프니스의 이론 곡선을 산출한다. 이론 곡선은, 예를 들어 계측점수(k)를 갖는 구획마다의 라인 에지 러프니스(σ)의 확률 밀도(f)(σ;k)로서 다음 식에 의해 산출된다.
[수학식 3]
Figure 112022095999425-pat00003
여기서, Γ(k/2)는 다음 식으로 표현되는 감마 함수이다.
[수학식 4]
Figure 112022095999425-pat00004
(S408)
연산부(2)는, S405에서 생성된 분포 데이터와 S407에서 산출된 이론 곡선의 비교에 기초하여, S401에서 설정된 검사 영역이 적절한지 여부를 판정한다. 검사 영역이 적절하면 처리의 흐름은 종료되고, 적절하지 않으면 S401의 처리로 돌아가서 검사 영역이 재설정된다.
도 5를 사용해서 분포 데이터와 이론 곡선의 비교에 대해서 설명한다. 도 5에는, 도 3에 예시되는 각 검사 영역에서 생성된 분포 데이터인 3개의 히스토그램과, 이론 곡선이 예시된다. 도 5의 횡축은 계측점수(k)를 갖는 구획마다의 라인 에지 러프니스인 3σ이며, 분포 데이터의 종축은 좌측의 빈도, 이론 곡선의 종축은 우측의 확률 밀도이다.
샘플링 간격이 소하며 에지 군의 연속성이 유지되어 있지 않은 분포 데이터에는, 3σ>5nm의 비교적 큰 라인 에지 러프니스가 포함된다. 또한 샘플링 간격이 밀하며 주기성의 평가가 불충분한 분포 데이터에서는, 3σ<2.5nm의 비교적 작은 라인 에지 러프니스만이다. 즉 분포 데이터의 라인 에지 러프니스의 최댓값이 소정의 범위, 예를 들어 이론 곡선으로부터 구해지는 상한값과 하한값의 사이라면, 검사 영역이 적절하다고 판정할 수 있다. 또한 분포 데이터의 라인 에지 러프니스의 최댓값이 상한값 이상이라면 샘플링 간격이 소하여 검사 영역이 지나치게 넓고, 하한값 이하라면 샘플링 간격이 밀하여 검사 영역이 지나치게 좁다고 판정할 수 있다.
상한값과 하한값은, 이론 곡선과 횡축으로 둘러싸지는 면적에 기초하여 설정되어도 된다. 이론 곡선이 확률 밀도(f)(σ;k)로서 산출될 경우, 이론 곡선과 횡축으로 둘러싸지는 면적, 즉 확률 밀도(f)(σ;k)를 σ=0부터 σ=∞까지 적분해서 얻어지는 값은 1이 된다. 그래서 이론 곡선과 횡축으로 둘러싸지는 면적이 예를 들어 0.99가 되는 라인 에지 러프니스를 상한값으로 하고, 면적이 0.5가 되는 라인 에지 러프니스를 하한값으로 한다.
또한 S408에서의 판정은, 분포 데이터의 라인 에지 러프니스의 최댓값을 사용하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 분포 데이터와 이론 곡선의 상관 계수가 소정의 범위 내이면 검사 영역이 적절하다고 판정해도 된다. 또한 분포 데이터와 이론 곡선의 상관 계수를 산출함에 앞서, 분포 데이터인 히스토그램의 전체 면적이 1로 되도록 규격화된다. 즉 분포 데이터가 규격화된 규격화 데이터와 이론 곡선의 상관 계수가 산출되고, 산출된 상관 계수가 소정의 범위 내이면 검사 영역이 적절하다고 판정된다.
또한 S408에서 검사 영역이 적절하지 않다고 판정되었을 때, 도 6에 예시되는 경고 화면이 표시 장치(7)에 표시되어도 된다. 도 6의 (a)는 샘플링 간격이 소할 때, (b)는 샘플링 간격이 밀할 때의 경고 화면이며, 추출된 에지가 × 표시로 나타내진다. 샘플링 간격이 소인지 밀인지가 표시됨으로써, 조작자는 검사 영역의 재설정을 적절하게 행할 수 있다.
이상 설명한 처리의 흐름에 의해, 라인 패턴의 에지를 포함하는 관찰 상에 대하여 설정된 검사 영역이 적절한지 여부가 판정되고, 적절하지 않으면 검사 영역이 재설정된다. 즉 실시예 1에 의하면, 적절한 검사 영역을 설정하는 것이 가능한 하전 입자선 화상 처리 장치를 제공할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 설명했다. 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형해서 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시예에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합해도 된다. 또한, 상기 실시예에 나타내지는 전체 구성 요소로부터 몇 가지의 구성 요소를 삭제해도 된다.
1: 하전 입자선 화상 처리 장치 2: 연산부
3: 메모리 4: 기억 장치
5: 네트워크 어댑터 6: 시스템 버스
7: 표시 장치 8: 입력 장치
10: 하전 입자선 장치 11: 하전 입자선 화상 데이터베이스
101: 전자선원 102: 1차 전자선
103: 대물 렌즈 104: 편향기
105: 시료 106: 가동 스테이지
108: 2차 전자 112: 검출기
115: 화상 처리부 116: 입출력부
117: 기억부 119: 제어부
121: 광축

Claims (6)

  1. 하전 입자선 장치가 생성하는 관찰 상을 화상 처리하는 하전 입자선 화상 처리 장치이며,
    상기 관찰 상의 검사 영역으로부터 라인 패턴의 에지를 추출하는 추출부와,
    상기 검사 영역을 복수의 계측점수를 갖는 구획으로 분할하는 분할부와,
    상기 구획 각각에 있어서 라인 에지 러프니스를 계측하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 분포 데이터를 생성하는 계측부와,
    상기 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스를 산출하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 확률밀도를 이론 곡선으로서 산출하는 산출부와,
    상기 분포 데이터와 상기 이론 곡선의 비교에 기초하여, 상기 검사 영역이 적절한지 여부를 판정하는 판정부를 구비하고,
    상기 판정부는, 상기 분포 데이터의 라인 에지 러프니스의 최댓값이, 상기 이론 곡선으로부터 구해지는 상한값과 하한값의 사이에 있을 때 상기 검사 영역이 적절하다고 판정하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 화상 처리 장치.
  2. 하전 입자선 장치가 생성하는 관찰 상을 화상 처리하는 하전 입자선 화상 처리 장치이며,
    상기 관찰 상의 검사 영역으로부터 라인 패턴의 에지를 추출하는 추출부와,
    상기 검사 영역을 복수의 계측점수를 갖는 구획으로 분할하는 분할부와,
    상기 구획 각각에 있어서 라인 에지 러프니스를 계측하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 분포 데이터를 생성하는 계측부와,
    상기 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스를 산출하여, 구획마다의 라인 에지 러프니스의 확률밀도를 이론 곡선으로서 산출하는 산출부와,
    상기 분포 데이터와 상기 이론 곡선의 비교에 기초하여, 상기 검사 영역이 적절한지 여부를 판정하는 판정부를 구비하고,
    상기 판정부는, 상기 분포 데이터의 면적이 1로 되도록 규격화된 규격화 데이터와 상기 이론 곡선의 상관 계수가 소정의 범위 내일 때 상기 검사 영역이 적절하다고 판정하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 화상 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산출부는, 상기 검사 영역의 전역에 있어서의 라인 에지 러프니스와 상기 계측점수에 기초하여, 상기 이론 곡선을 산출하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 화상 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 검사 영역이 적절하지 않다고 판정되었을 때, 샘플링 간격이 소일지 밀일지를 표시하는 표시부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 화상 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 하전 입자선 화상 처리 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  6. 삭제
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