KR102801218B1 - 디스플레이 모듈 패키지 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 I-I' 절단면을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 절단면을 나타내는 평면도이다.
도 4 내지 도 10은 도 1의 디스플레이 모듈 패키지의 제조 방법을 나타내는 측단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 12 내지 도 15는 도 11의 디스플레이 모듈 패키지의 제조 방법을 나타내는 측단면도들이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 17a 및 도 17b는 도 16의 III-III' 절단면을 예시적으로 나타내는 평면도들이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 20 내지 도 25는 도 19의 디스플레이 모듈 패키지의 제조 방법을 나타내는 측단면도들이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈 패키지를 나타내는 측단면도이다.
110: 제1 배선 부재 112: 제1 배선층
114: 연결 단자들 120: 반도체 칩
124: 접속 부재들 125: 언더필 수지
130: 상호 연결 부재 140: 제1 몰딩 부재
150: 제2 배선 부재 151: 절연층
152: 제2 배선층 153: 배선 비아
154: 연결 비아 155: 연결 패턴
160: 발광 소자 집합체 162: 접속 패드
164: 본딩 와이어 170: 제2 몰딩 부재
171: 개구부
Claims (20)
- 제1 배선층을 갖는 제1 배선 부재;
상기 제1 배선 부재 상에 배치되며, 상기 제1 배선 부재의 제1 배선층과 전기적으로 연결되는 반도체 칩;
상기 제1 배선 부재 상에 배치되며, 상기 반도체 칩의 적어도 일부를 봉합하는 제1 몰딩 부재;
상기 반도체 칩 및 상기 제1 몰딩 부재 상에 배치되며, 제2 배선층을 갖는 제2 배선 부재;
상기 제1 배선 부재 및 상기 제2 배선 부재 사이에 배치되어 상기 제1 배선층과 상기 제2 배선층을 전기적으로 연결하는 상호 연결 부재;
상기 제2 배선 부재 상에 배치되며, 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 배선 부재를 향하는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대측인 제2 면을 가지며, 상기 제2 면 상에 배치되는 복수의 발광 소자들을 포함하는 발광 소자 집합체; 및
상기 제2 배선 부재 상에 배치되며, 상기 복수의 발광 소자들이 노출되도록 상기 발광 소자 집합체를 부분적으로 덮는 제2 몰딩 부재를 포함하고,
상기 복수의 발광 소자들은 각각 디스플레이의 픽셀을 정의하는 복수의 발광 소자 그룹들을 포함하고,
상기 복수의 발광 소자 그룹들 각각은 적색 광을 방출하도록 구성된 제1 발광 소자, 녹색 광을 방출하도록 구성되는 제2 발광 소자, 및 청색 광을 방출하도록 구성된 제3 발광 소자를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 배선 부재는 상기 반도체 칩 및 상기 제1 몰딩 부재 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 상기 제2 배선층, 및 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 배선층과 상기 상호 연결 부재를 전기적으로 연결하는 배선 비아를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 반도체 칩의 하면에 배치되며, 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결되는 접속 부재들,
상기 제1 배선 부재와 상기 반도체 칩의 사이에 배치되며, 상기 접속 부재들을 덮는 언더필 수지, 및
상기 제1 배선 부재의 하면에 배치되며, 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결되는 연결 단자들을 더 포함하고,
상기 연결 단자들 중 적어도 일부는 수직적으로 상기 반도체 칩과 중첩되지 않는 영역에 배치되는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 배선 부재의 하면은 상기 반도체 칩의 상면과 접촉하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제4 항에 있어서,
상기 반도체 칩의 상면은 상기 제1 몰딩 부재의 상면과 동일한 면에 있는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제5 항에 있어서,
상기 상호 연결 부재의 상면은 상기 제1 몰딩 부재의 상면과 동일한 면에 있는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 몰딩 부재는 상기 반도체 칩의 상면을 덮으며,
상기 제2 배선 부재의 하면은 상기 제1 몰딩 부재의 상면과 접촉하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제7 항에 있어서,
상기 제2 배선 부재는 상기 제1 몰딩 부재의 상면에 배치되는 연결 패턴 및 상기 제1 몰딩 부재의 일부를 관통하여 상기 연결 패턴과 상기 상호 연결 부재를 연결하는 연결 비아를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 배선 부재의 하면은 상기 반도체 칩의 상면 및 상기 제1 몰딩 부재의 상면과 이격되는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 발광 소자 집합체는 상기 복수의 발광 소자들을 둘러싸도록 상기 제2 면의 외곽에 배치되며 상기 복수의 발광 소자들과 전기적으로 연결되는 복수의 접속 패드들을 포함하고,
상기 복수의 접속 패드들은 본딩 와이어에 의해 상기 제2 배선 부재의 제2 배선층과 전기적으로 연결되는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제10 항에 있어서,
상기 제2 몰딩 부재는 상기 복수의 접속 패드들 및 상기 본딩 와이어를 덮도록 배치되는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 발광 소자 집합체는 상기 제1 면에 배치되며 상기 복수의 발광 소자들과 전기적으로 연결되는 복수의 접속 패드들을 포함하고,
상기 복수의 접속 패드들은 도전성 범프에 의해 상기 제2 배선 부재의 제2 배선층과 전기적으로 연결되는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 상호 연결 부재는 상기 반도체 칩을 둘러싸도록 상기 제1 배선 부재의 외곽에 배치되며, 상기 제1 몰딩 부재를 관통하는 도전성 포스트인 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 상호 연결 부재는 절연층, 상기 절연층의 상면 및 하면 상에 각각 배치되며 서로 전기적으로 연결되는 연결 패드를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 몰딩 부재는 실리콘(Silicon)계 수지를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 배선층을 포함하는 제1 배선 부재;
상기 제1 배선 부재 상에 배치되고, 상기 제1 배선층에 전기적으로 연결되는 접속 전극들이 배치되는 활성면, 및 상기 활성면의 반대인 비활성면을 갖는 반도체 칩;
상기 반도체 칩 상에 배치되며, 절연층 및 제2 배선층을 포함하고, 상기 반도체 칩의 상기 비활성면과 접촉하는 제2 배선 부재;
상기 제1 배선 부재와 상기 제2 배선 부재 사이에서 상기 제1 배선층과 상기 제2 배선층을 전기적으로 연결하는 상호 연결 부재;
상기 제2 배선 부재 상에 배치되고, 상기 제2 배선층에 전기적으로 연결되며, 일면에 배치된 복수의 발광 소자들을 포함하는 발광 소자 집합체; 및
상기 제2 배선 부재 상에 배치되며, 상기 발광 소자 집합체를 부분적으로 덮고, 상기 복수의 발광 소자들을 노출시키는 개구부를 갖는 몰딩 부재를 포함하고,
상기 복수의 발광 소자들은 각각 디스플레이의 픽셀을 정의하는 복수의 발광 소자 그룹들을 포함하고,
상기 복수의 발광 소자 그룹들 각각은 적색 광을 방출하도록 구성된 제1 발광 소자, 녹색 광을 방출하도록 구성되는 제2 발광 소자, 및 청색 광을 방출하도록 구성된 제3 발광 소자를 포함하고,
상기 반도체 칩은 상기 복수의 발광 소자들를 제어하는 구동 회로를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제16 항에 있어서,
상기 몰딩 부재의 상기 개구부는 상기 제2 배선 부재에 인접할수록 폭이 좁아지도록 내벽이 테이퍼진 디스플레이 모듈 패키지.
- 제17 항에 있어서,
상기 발광 소자 집합체와 상기 제2 배선 부재를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어;를 더 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제18 항에 있어서,
상기 몰딩 부재는 상기 제2 배선 부재의 단부의 적어도 일부를 노출시키는 디스플레이 모듈 패키지.
- 제1 배선층 및 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결되는 연결 단자들을 포함하는 제1 배선 부재;
상기 제1 배선 부재 상에 배치되며, 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결되는 접속 부재들을 포함하는 반도체 칩;
상기 제1 배선 부재와 상기 반도체 칩 사이에 배치되며, 상기 접속 부재들을 덮는 언더필 수지;
상기 제1 배선 부재 상에 배치되며, 상기 반도체 칩 및 상기 언더필 수지를 봉합하는 제1 몰딩 부재;
상기 반도체 칩 및 상기 제1 몰딩 부재 상에 배치되며, 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 제2 배선 부재;
상기 제1 배선 부재 및 상기 제2 배선 부재 사이에 배치되며, 상기 제1 몰딩 부재를 관통하여 상기 제1 배선 부재와 상기 제2 배선 부재를 전기적으로 연결하는 상호 연결 부재;
상기 제2 배선 부재 상에 배치되며, 일면에 배치되는 복수의 발광 소자들을 포함하며, 본딩 와이어를 통해서 상기 제2 배선 부재와 전기적으로 연결되는 발광 소자 집합체;
상기 제2 배선 부재와 상기 발광 소자 집합체 사이에 배치되는 부착 부재; 및
상기 제2 배선 부재 상에 배치되며, 상기 본딩 와이어 및 상기 발광 소자 집합체를 부분적으로 덮고, 상기 복수의 발광 소자들을 노출시키는 개구부를 갖는 제2 몰딩 부재를 포함하며,
상기 제2 배선 부재는 상기 반도체 칩 및 상기 제1 몰딩 부재와 직접 접촉하고,
상기 복수의 발광 소자들은 각각 디스플레이의 픽셀을 정의하는 복수의 발광 소자 그룹들을 포함하고,
상기 복수의 발광 소자 그룹들 각각은 적색 광을 방출하도록 구성된 제1 발광 소자, 녹색 광을 방출하도록 구성되는 제2 발광 소자, 및 청색 광을 방출하도록 구성된 제3 발광 소자를 포함하는 디스플레이 모듈 패키지.
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Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
| CN112614439B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-11-22 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示装置 |
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| KR20230032587A (ko) * | 2021-08-31 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| US12153268B2 (en) * | 2022-01-03 | 2024-11-26 | Apple Inc. | Technologies for increased volumetric and functional efficiencies of optical packages |
| TWM635724U (zh) * | 2022-08-01 | 2022-12-21 | 葳天科技股份有限公司 | 透明顯示器 |
| CN115113425B (zh) * | 2022-08-03 | 2024-09-24 | 长电科技(滁州)有限公司 | 液晶显示的封装结构及制备方法 |
| CN117293103B (zh) * | 2023-10-13 | 2024-09-13 | 苏州融睿电子科技有限公司 | 芯片封装结构 |
| CN118248819A (zh) * | 2024-04-02 | 2024-06-25 | 上海显耀显示科技有限公司 | 显示面板的封装结构以及光波导结构 |
| CN118213363B (zh) * | 2024-05-22 | 2024-08-27 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 发光器件、灯板和显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012528470A (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールの製造方法 |
| JP2017504959A (ja) * | 2013-12-05 | 2017-02-09 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG | 光学式センサ組立体および光学式センサ組立体の製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3170199B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法及び基板フレーム |
| TWI284402B (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-21 | Advanced Semiconductor Eng | Build-up package and method of an optoelectronic chip |
| JP2010219489A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR101191360B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-10-15 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 어레이 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
| KR101831692B1 (ko) | 2011-08-17 | 2018-02-26 | 삼성전자주식회사 | 기능적으로 비대칭인 전도성 구성 요소들을 갖는 반도체 소자, 패키지 기판, 반도체 패키지, 패키지 적층 구조물 및 전자 시스템 |
| KR20130050077A (ko) * | 2011-11-07 | 2013-05-15 | 삼성전자주식회사 | 스택 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR101384342B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2014-04-14 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 반도체 패키지 |
| US8890284B2 (en) * | 2013-02-22 | 2014-11-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
| US9548289B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-01-17 | Mediatek Inc. | Semiconductor package assemblies with system-on-chip (SOC) packages |
| KR20160047424A (ko) | 2014-09-26 | 2016-05-02 | 인텔 코포레이션 | 와이어-접합 멀티-다이 스택을 구비한 집적 회로 패키지 |
| CN107949922B (zh) * | 2015-09-08 | 2021-04-13 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管封装件 |
| KR102384863B1 (ko) | 2015-09-09 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 패키지 및 이의 제조 방법 |
| US10665578B2 (en) * | 2015-09-24 | 2020-05-26 | Apple Inc. | Display with embedded pixel driver chips |
| KR102420125B1 (ko) * | 2015-12-10 | 2022-07-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| US10276548B2 (en) | 2016-09-14 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor packages having dummy connectors and methods of forming same |
| US20190006339A1 (en) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Three-dimensional integrated fan-out wafer level package |
| US10256218B2 (en) * | 2017-07-11 | 2019-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
| CN109673128B (zh) | 2017-10-13 | 2021-02-12 | 神讯电脑(昆山)有限公司 | 导热模块及其显示装置和可携式电子装置 |
| KR101939046B1 (ko) | 2017-10-31 | 2019-01-16 | 삼성전기 주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
| KR102397905B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-05-13 | 삼성전자주식회사 | 인터포저 기판 및 반도체 패키지 |
| TWI699012B (zh) * | 2018-02-21 | 2020-07-11 | 華立捷科技股份有限公司 | 發光晶片封裝結構及封裝方法 |
| DE102019104325A1 (de) * | 2019-02-20 | 2020-08-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile |
| US11133423B2 (en) * | 2019-07-03 | 2021-09-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Optical device and method of manufacturing the same |
-
2019
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-
2020
- 2020-04-28 US US16/860,255 patent/US11282995B2/en active Active
- 2020-08-28 CN CN202010885240.XA patent/CN112447696B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-14 US US17/693,704 patent/US11942586B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012528470A (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールの製造方法 |
| JP2017504959A (ja) * | 2013-12-05 | 2017-02-09 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG | 光学式センサ組立体および光学式センサ組立体の製造方法 |
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