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KR102423818B1 - 정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법 - Google Patents

정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법 Download PDF

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KR102423818B1
KR102423818B1 KR1020150182154A KR20150182154A KR102423818B1 KR 102423818 B1 KR102423818 B1 KR 102423818B1 KR 1020150182154 A KR1020150182154 A KR 1020150182154A KR 20150182154 A KR20150182154 A KR 20150182154A KR 102423818 B1 KR102423818 B1 KR 102423818B1
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electrostatic chuck
temperature
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measurement zone
temperature sensor
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최연석
성정현
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삼성전자주식회사
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Abstract

정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법이 개시된다. 본 발명에 따른 정전척 어셈블리는, 정전기력에 의해 기판을 흡착하며, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존을 구비하는 정전척; 및 정전척에 결합되어 정전척의 기준 온도를 측정하는 기준 온도 센서유닛; 기준 온도 센서유닛에 이격되게 정전척에 결합되어 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 측정존 온도 센서유닛; 및 기준 온도 센서유닛에서 측정된 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 계측 범위 내에서 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛을 포함한다.

Description

정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법{A ELECTROSTATIC CHUCK ASSEMBLY, A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS HAVING THE SAME, AND A TEMPERATURE MESURING METHOD FOR ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은, 정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 온도 측정이 필요한 복수 개의 존(zone)을 갖는 정전척의 온도를 종래보다 효율적으로 측정할 수 있는 정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로, 집적 회로 소자는 기판 또는 유리기판 등을 대상으로 하여 증착 공정, 식각 공정, 포토리소그래피 공정, 이온 주입 공정 등을 수행하여 제조되며, 그 예로는 반도체 소자 또는 디스플레이 소자를 들 수 있다.
이와 같은 공정들 중 예를 들어 반도체 식각 공정은 그 수행을 위한 공간을 제공하는 공정 챔버, 외부로부터 공정 챔버 내로 연결되어 식각 공정에 필요한 공정 가스를 공정 챔버의 내부로 제공하는 가스제공유닛 및 공정 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하면서 정전기력을 이용해 고정하는 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)을 포함하는 반도체 식각 장치에 의해 진행된다.
여기서 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)은, 직류전압을 인가하여 정전장을 형성하고 이러한 정전장과 기판과의 정전 상호 작용으로 기판을 고정한다.
한편, 공정 중 기판의 중심과 테두리 사이에는 온도차가 발생될 수 있고, 이러한 경우에는 품질이 저하되고 공정 불량이 발생할 수 있다. 따라서 이를 개선하기 위하여 온도센서를 정전척에 설치하여 정전척의 온도를 측정하고 정전척 또는 기판의 온도를 제어하여 기판의 중심과 테두리 사이의 온도를 가능한 한 일정하게 유지하도록 하고 있다.
그런데, 온도센서를 정전척의 어느 한 위치 또는 소수 몇 위치에만 측정하는 경우에는 정전척의 영역 간의 온도 차이를 정확히 측정하였다고 할 수 없으므로, 즉 정전척의 온도를 측정하기 위한 온도센서가 적은 경우 측정된 온도가 정전척 또는 기판의 온도를 대표하지 못하여 정전척 온도 산포 불량을 검출할 수 없고 따라서 정전척 또는 기판의 보다 정확한 온도 제어가 곤란하다.
이러한 문제점을 고려하여 최근 정전척의 멀티 존(multi-zone)에 대한 온도 측정과 이에 기초한 개별 존의 온도 제어에 대한 연구 개발이 진행 중이다.
정전척의 멀티 존(multi-zone)의 각 개별 존의 온도 제어를 위해서는 개별 존의 온도 측정이 필요한데, 개별 존의 개수가 증가함에 따라 선형적으로 필요한 온도센서의 개수도 증가하는 문제가 있다.
그리고 온도센서의 개수가 증가하면 이에 따라 정전척의 구조도 복잡해지고 구조가 복잡해지면 결국 정전척의 신뢰성도 저하될 수 있는 문제가 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 하나의 광섬유에 여러 위치에서 온도측정이 가능한 온도센서 예를 들어 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서를 적용하는 방안이 고려될 수 있으나, 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서의 경우에도 계측 온도 범위가 넓을수록 계측을 위해 더 넓은 파장대역을 확보하여야 하며 또한 넓은 파장대역으로 인한 근접 파장간의 간섭을 없애기 위해 계측 파장간 거리를 충분히 확보하여야 한다. 계측 파장간 거리가 충분히 확보되지 못하면 근접 파장 간의 간섭이 생기고 이 경우 어느 파장이 측정하고자 하는 해당 위치에서의 온도신호인지 확인이 어렵게 된다.
그리고 이와 같이 계측 온도 범위가 넓어 계측 파장간 거리를 충분히 확보하여야 하는 경우에는 단일의 광섬유에 상대적으로 적은 수의 섬유 브래그 격자(fiber bragg grating, FGB)를 마련할 수밖에 없고 이는 결과적으로 필요한 위치에서의 온도 측정을 위해서 많은 개수의 광섬유를 사용해야 한다.
만약 많은 개수의 광섬유를 사용하게 되면 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서를 사용하더라도 정전척의 구조도 복잡해지고 구조가 복잡해지면 신뢰성도 저하되는 문제점은 여전히 남게 된다.
미국공개특허 US 2015/0170977 (2015.06.18)
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 온도 측정이 필요한 복수 개의 존(zone)을 갖는 정전척의 온도를 종래보다 효율적으로 측정할 수 있어 정전척의 구조를 종래보다 크게 복잡하게 하지 않으면서도 정전척의 온도 산포를 계측할 수 있는, 정전척 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 제조장치, 그리고 정전척 온도 측정방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 정전기력에 의해 기판을 흡착하며, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존을 구비하는 정전척; 및 상기 정전척에 결합되어 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 기준 온도 센서유닛; 상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되어 상기 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 측정존 온도 센서유닛; 및 상기 기준 온도 센서유닛에서 측정된 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛을 포함하는 정전척 어셈블리가 제공될 수 있다.
상기 측정존 온도 센서유닛은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 상기 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서를 포함할 수 있다.
상기 미리 결정된 온도 범위 내는 상기 기준 온도에 미리 마련된 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내일 수 있다.
상기 측정존 온도센서는, 상기 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서이며, 상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 상기 측정존의 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출할 수 있다.
상기 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)들은 상기 복수의 측정존에 각각 대응되게 배치될 수 있다.
상기 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)들은 상기 정전척의 원주 방향 및 반지름 방향으로 배치될 수 있다.
상기 복수의 측정존은, 상기 정전척의 중앙에서 방사선으로 배치되는 복수의 선과 상기 방사선을 따라 외측으로 갈수록 지름이 증가하는 방향으로 상호 이격된 복수의 원에 의해 구획되되 외측의 구획 수가 내측의 구획 수보다 많도록 마련될 수 있다.
상기 기준 온도 센서유닛은, 상기 측정존 온도 센서유닛과 이격되되 상기 정전척의 평면에서 상기 정전척의 중앙 영역에 배치될 수 있으며, 상기 기준 온도 센서유닛은, 열전대(Thermocouple) 온도센서, 측온저항체(RTD, Resistance Temperature Detector) 온도센서, 광섬유 온도센서 중 어느 하나일 수 있다.
상기 정전척은, 유전층인 상부 세라믹; 상부 세리믹이 결합되는 금속바디; 및 상기 상부 세라믹을 상기 금속바디에 결합시키는 본딩층을 포함하며, 상기 측정존 온도 센서유닛은, 상부 세라믹 및 본딩층 중 적어도 어느 한 곳에 적어도 일부분이 삽입 설치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 제조 공정 수행을 위한 공간을 제공하는 공정 챔버; 및 정전기력에 의해 상기 기판을 흡착하는 정전척 어셈블리를 포함하며, 상기 정전척 어셈블리는, 정전기력에 의해 기판을 흡착하며, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존을 구비하는 정전척; 및 상기 정전척에 결합되어 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 기준 온도 센서유닛; 상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되어 상기 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 측정존 온도 센서유닛; 및 상기 기준 온도 센서유닛에서 측정된 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛을 포함하는 반도체 제조장치가 제공될 수 있다.
상기 측정존 온도 센서유닛은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 상기 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서를 포함할 수 있다.
상기 미리 결정된 온도 범위 내는 상기 기준 온도에 미리 마련된 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내일 수 있다.
상기 측정존 온도센서는, 상기 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서이며, 상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 상기 측정존의 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척에 결합되는 기준 온도 센서유닛으로 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 단계; 상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되는 측정존 온도 센서유닛으로 상기 정전척에 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 단계; 및 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 단계를 포함하는 정전척 온도 측정방법이 제공될 수 있다.
상기 측정존 온도 센서유닛은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 상기 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서를 포함할 수 있다.
상기 미리 결정된 온도 범위 내는 상기 기준 온도에 미리 마련된 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내일 수 있다.
상기 측정존 온도센서는, 상기 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서이며, 상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 상기 측정존의 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출할 수 있다.
상기 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)들은 상기 복수의 측정존에 각각 대응되게 배치될 수 있다.
상기 복수의 측정존은, 상기 정전척의 중앙에서 방사선으로 배치되는 복수의 선과 상기 방사선을 따라 외측으로 갈수록 지름이 증가하는 방향으로 상호 이격된 복수의 원에 의해 구획되되 외측의 구획 수가 내측의 구획 수보다 많도록 마련될 수 있다.
상기 기준 온도 센서유닛은, 상기 측정존 온도 센서유닛과 이격되되 상기 정전척의 평면에서 상기 정전척의 중앙 영역에 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 도 측정이 필요한 복수 개의 존(zone)을 갖는 정전척의 온도를 종래보다 효율적으로 측정할 수 있어 정전척의 구조를 종래보다 크게 복잡하게 하지 않으면서도 정전척의 온도 산포를 계측할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척 어셈블리를 포함하는 반도체 건식 식각 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 정전척 어셈블리의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 요부 부분 단면도이다.
도 4는 도 2의 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이다.
도 5는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)를 포함하는 광섬유를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서에 의한 온도측정의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 온도 측정방법의 순서도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이다.
본 명세서 또는 출원에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
본 발명에 따른 정전척 어셈블리 및 정전척 온도 측정방법은 다양한 반도체 제조 장치에 적용될 수 있을 것이나, 설명의 편의를 위하여 이하 반도체 제조장치 중 반도체 건식 식각 장치에 적용된 경우에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척 어셈블리를 포함하는 반도체 건식 식각 장치의 개략적인 단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척 어셈블리(10, Electrostatic Chuck Assembly)를 포함하는 반도체 건식 식각 장치(1)는, 공정 챔버(100), 가스공급유닛(110), 노즐(120), 상부전극(미도시), 정전척 어셈블리(10) 및 가스배기유닛(140)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 가스유입구(112)와 가스배기구(142)를 갖는다. 가스유입구(112)는 공정 챔버(100)의 상부에 형성된다. 가스배기구(142)는 공정 챔버(100)의 측부에 형성된다.
가스공급유닛(110)은 공정 챔버(100)의 가스유입구(112)에 연결된다. 가스공급유닛(110)은 공정 가스인 식각 가스를 가스유입구(112)를 통해서 공정 챔버(100) 내부로 제공한다.
노즐(120)은 가스유입구(112)에 연결된다. 노즐(120)은 식각 가스를 분사하기 위한 복수개의 노즐공(122)들을 갖는다.
상부전극(미도시)은 공정 챔버(100)의 내부 상부에 배치된다. 상부전극은 노즐(120)을 둘러싸도록 배치된다. 상부전극에는 플라즈마 형성을 위한 RF 파워가 인가될 수 있다.
가스배기유닛(140)은 가스배기구(142)에 연결되어, 미 반응 식각 가스와 식각 부산물들이 가스배기유닛(140)을 통해서 공정 챔버(100)의 외부로 배출된다.
정전척 어셈블리(10)는 공정 챔버(100)의 내부 하부에 배치된다. 이러한 정전척 어셈블리(10)는 상부전극과 함께 식각 가스로부터 플라즈마를 형성한다.
도 2는 도 1의 정전척 어셈블리의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 요부 부분 단면도이며, 도 4는 도 2의 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이며, 도 5는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)를 포함하는 광섬유를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서에 의한 온도측정의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척 어셈블리(10)는, 정전척(20)과, 기준 온도 센서유닛(30)과, 측정존 온도 센서유닛(40)과, 측정존 온도 계측유닛(50)과, 온도조절유닛(60)과, 메인 콘트롤러(70)를 포함한다.
정전척(20)은, 전극캡(25)과 전극(27)을 포함한다. 전극캡(25)은 유전층(11)인 상부 세라믹(25a)과 본딩층(25b), 그리고 금속바디(25c)를 포함한다. 그리고 전극(27)은 전원(28)으로부터 직류전압을 인가받는다. 기판(W)의 전면 상에 플라즈마(plasma)가 형성되면 기판(W)의 온도가 고온으로 상승하게 되어 공정 불량으로 이어질 수 있으므로 기판(W)의 온도를 낮추기 위해 기판(W)의 배면으로 헬륨(He)을 제공하는 채널(26,26a,26b,26c)이 제공된다. 헬륨은 중심채널(26)을 통해 공급되어 각 채널(26,26a,26b,26c)을 통해 기판 배면으로 제공된다.
정전척(20)에는 전극캡(25)을 냉각시키는 냉매의 순환경로를 제공하는 채널(29a,29b)이 마련된다. 채널(29a)을 통해 유입된 냉매는 전극캡(25) 내부를 순환한 후 채널(29b)을 통해 유출된다. 채널(29b)로부터 유출된 냉매는 가령 칠러(chiller)와 같은 온도조절유닛(60)에서 그 온도가 조절된 후 채널(29a)로 제공된다. 온도조절유닛(60)의 냉매 온도 조절은 메인 컨트롤러(17)에 의해 좌우되며, 메인 컨트롤러(17)는 정전척(20)의 복수의 측정존(21)의 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛(50)으로부터 복수의 측정존(21)의 온도 정보를 제공받는다.
또한 정전척(20)은, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존(21)을 구비한다. 본 실시 예에서 복수의 측정존(21)은, 정전척(20)의 중앙에서 방사선으로 배치되는 복수의 선(21a)과, 방사선을 따라 외측으로 갈수록 지름이 증가하는 방향으로 상호 이격된 복수의 원(21b)에 의해 구획된다. 그리고 본 실시 예에서는 외측의 구획 수가 내측의 구획 수보다 많도록 마련되고, 이에 따라 동일 원주 방향의 측정존(21)의 수는 중앙에서 외부로 갈수록 많아지도록 배치된다.
본 실시 예에서 이러한 정전척(20)의 중앙 영역에는 기준 온도 센서유닛(30)이 마련된다. 즉 기준 온도 센서유닛(30)은, 측정존 온도 센서유닛(40)과 이격되되 정전척(20)의 평면에서 정전척(20)의 중앙 영역에 배치된다. 본 실시 예에서는 기준 온도 센서유닛(30)이 정전척(20)의 평면 중앙 영역에 배치되고 정전척(20)의 한 위치에서의 온도를 측정하나, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 정전척(20)의 적절한 곳에 하나 설치될 수도 있고 필요에 따라 복수의 위치에 설치될 수도 있을 것이다.
이러한 기준 온도 센서유닛(30)은, 열전대(Thermocouple) 온도센서, 측온저항체(RTD, Resistance Temperature Detector) 온도센서, 광섬유 온도센서 중 어느 하나일 수 있다.
열전대(Thermocouple) 온도센서는 두 종류의 금속도체 양단을 전기적으로 접속시키고 이 양단에 온도차를 주면 회로 중에 전류가 흐르는데(Zeeback 효과) 이와 같이 한쪽(기준접점)의 온도를 일정온도(원칙적으로 0)로 유지하고 열기전력의 수치를 측정함으로써 다른 끝단(온도 접점)의 온도를 알 수 있는 원리를 이용한 온도센서이며, 측온저항체(RTD, Resistance Temperature Detector) 온도센서는, 온도에 따라 저항값이 달라지는 것을 이용한 온도센서이며, 광섬유 온도센서는 광의 위상, 세기, 편극, 산란, 흡수 성질을 이용하여 외부 대상물의 온도 변화를 감지할 수 있는 온도센서이다.
한편, 측정존 온도 센서유닛(40)은 정전척(20)에 결합되어 복수의 측정존(21)의 측정존 온도신호를 감지한다. 이러한 측정존 온도 센서유닛(40)은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서(41)와, 소정 대역범위의 파장을 광섬유를 통해 각 측정존(21)으로로 전송하는 광 소스(미도시)와, 광 파장을 수신하는 광 검출기(미도시)를 포함한다.
보다 상세하게 본 실시 예에서 측정존 온도센서(41)는, 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자들(43, FBG, Fiber Bragg Gratings)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)이다.
도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)의 광섬유는 클래딩(45)과, 코어(47)와, 코어(47) 내의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 포함한다.
본 실시 예에서 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)의 광섬유는 정전척(20)의 유전층인 상부 세라믹(25a), 그리고 본딩층(25b) 중 적어도 어느 한 곳에 삽입 설치될 수 있다. 본 실시 예에서 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)가 정전척(20)의 유전층인 상부 세라믹(25a)에 삽입 설치되어 있으나 본 발명의 권리범위가 이에 한정되지 않으며, 본딩층(25b)에만 삽입 설치될 수 있거나 상부 세라믹(25a) 및 본딩층(25b) 모두에 설치될 수도 있을 것이다.
또한 본 실시 예에서 복수의 광섬유 브래그 격자들(43, FBG, Fiber Bragg Gratings)은 복수의 측정존(21)에 대응되게 배치된다. 즉 복수의 광섬유 브래그 격자들(43, FBG, Fiber Bragg Gratings)이 각 측정존(21)에 하나씩 배치된다.
이러한 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)에 의한 온도측정의 원리를 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)는 광섬유에 브래그 격자를 일정한 길이에 따라 새긴 후 온도나 강도 등의 외부의 조건변화에 따라 각 격자에서 반사되는 빛의 파장이 달라지는 특성을 이용한 온도센서이다. 즉, 이 격자는 브래그 조건을 만족하는 파장만을 반사하고, 그 외의 파장은 그대로 투과시키는 특징을 갖는다. 이때 격자의 주변 온도가 바뀌거나 격자에 인장이 가해지면, 광섬유의 굴절률이나 길이가 변화되며 이에 따라 반사되는 빛의 파장의 이동이 발생한다.
따라서 광섬유 브래그 격자에서 반사되는 빛의 파장의 이동량을 측정함으로써 온도나 인장, 또는 압력, 구부림 등을 감지할 수 있다. 보다 구체적으로, 도 6의 위측 도면과 같이 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도 센서에 광폭의 파장 대역을 갖는 광원(λ1, λ2, λ3, λ4)이 입사되면, 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)에 이미 형성된 격자에 따라 입사된 파장 대역 중 특정 파장(λ3)의 빛만 반사하게 되고 나머지 파장(λ1, λ2, λ4)은 투과된다. 이때 반사된 빛의 파장은 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)에 형성된 격자의 간격이 변화됨에 따라 이동하게 되며(도 6의 아래측 도면), 따라서 이렇게 파장의 이동으로부터 격자 간격의 변화, 즉 변형율을 도출하게 된다. 이때 변형율은 온도의 함수이므로 반사된 파장의 이동으로부터 계산된 변형율로부터 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating) 위치에서의 온도를 계산할 수 있다.
따라서, 특정 대역의 파장만을 반사시킬 수 있는 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 하나의 광섬유에 직렬로 연결시키고, 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)마다 반사되는 빛의 파장을 모두 다르게 함으로써 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 위치하는 영역에서의 온도측정이 동시에 가능하게 된다.
전술한 바와 같이 본 실시예에서 복수의 광섬유 브래그 격자들(Fiber Bragg Gratings)이 복수의 측정존(21)에 대응되게 배치되어 있으므로 각 측정존(21)의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사된 파장의 이동을 알 수 있다. 즉 각 측정존(21)의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)로부터의 온도신호 즉 본 실시 예에서 반향 파장을 감지할 수 있게 된다.
본 실시예에서 복수의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)은 하나의 광섬유(23)에 직렬로 연결 시 상대적으로 조밀하게 연결할 수 있다. 이는 본 실시 예에서 하나의 광섬유에 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)들을 조밀하게 직렬로 연결하더라도 각 측정존(21)의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사된 파장을 본 실시 예의 측정존 온도 계측유닛(50)이 기준 온도 센서유닛(30)에서 측정된 기준 온도를 기준으로 하여 측정 및 계산할 수 있기 때문이다. 이에 대해서는 측정존 온도 계측유닛(50)의 설명에서 자세히 후술하기로 한다.
한편 광 소스(미도시)는 소정 대역범위의 파장을 광섬유를 통해 각 측정존(21)의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)로 전송하며, 광 검출기(미도시)는 반사된 광 파장을 수신한다. 이때 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에 대하여 상이한 광 신호를 구별하기 위하여 시분할 멀티플렉싱 (TDM, Time Division Multiplexing) 등이 사용될 수 있다.
그리고 감지된 측정존(21)의 온도신호 즉 본 실시 예에서 반향 파장은 측정존 온도 계측유닛(50)에서 온도로 산출된다. 전술한 바와 같이 광 소스에서 소정 대역범위의 파장을 광섬유를 통해 직렬로 이격 배치된 복수의 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)로 전송하면, 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating) 각각은 기 설정된 특정파장에 대해서만 반사하고 그 외의 파장들은 모두 투과시킨다.
이때 각 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)는 측정존(21)의 자신이 놓여있는 영역의 온도에 반응하여 브래그 격자의 변형을 유발하게 되며, 이로 인해 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사되는 파장은 변형률에 대응하는 값만큼 이동하게 된다.
측정존 온도 계측유닛(50)은 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사되는 파장의 이동량을 측정 및 계산하여 이를 온도로 산출하되, 이때 기준 온도 센서유닛(30)으로부터 정전척(20)의 기준 온도에 대한 신호를 입력받고 이 기준 온도를 활용한다.
이를 보다 자세히 설명하면, 측정존 온도 계측유닛(50)은, 기준 온도 센서유닛(30)에서 측정된 기준 온도를 기준으로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 그 계측 범위 내에서 측정존 온도 센서유닛(40)에서 감지한 파장의 이동량을 측정 및 계산하여 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 위치한 측정존(21)의 각 측정존 온도를 산출하게 된다.
보다 상세하게는, 본 실시 예에서는 기준 온도 센서유닛(30)에서 측정된 기준 온도에 미리 마련된 정전척(20)의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 그 파장 범위 내에 있는 신호를 계측하여 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 위치한 측정존(21)의 측정존 온도를 산출한다.
이에 대하여 보다 상세히 설명하면, 기준 온도가 80도이고 편차가 10도이라면 70도 내지 90도에 해당하는 온도 범위를 계측 범위로 하되 그 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위 내에 있는 신호를 측정 및 계산함으로써 측정존 온도를 계측할 수 있게 된다.
종래 기술에서 전술한 바와 같이 계측 온도범위가 넓을수록 계측을 위해 더 넓은 파장대역을 확보하여야 하는데, 넓은 파장대역을 확보하된 계측 파장 간 거리를 충분히 확보하지 않으면 근접 파장간의 간섭이 발생될 수 있기 때문에 복수의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 하나의 광섬유에 직렬로 연결시킬 때 일정한 거리를 확보하여야 하고 이 경우 하나의 광섬유에 직렬로 연결시킬 수 있는 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)의 개수가 제한될 수 있다.
이러한 제한을 보다 감소시켜 하나의 광섬유에 많은 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 직렬로 연결시킬 수 있도록, 본 실시 예에서는 기준 온도 센서유닛을 사용하여 기준 온도를 측정하고 이 기준 온도에 정전척(20)의 온도 편차를 부가한 온도범위를 파장범위로 역산하고 역산된 파장범위로 감지된 반향 파장을 검출, 예를 들어 피크(peak)치를 검출하여 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 위치한 측정존(21)의 각 측정존 온도를 산출함으로써, 하나의 광섬유에 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 상대적으로 조밀하게 직렬로 연결되어 있더라도, 즉 근접 파장 간의 간섭이 발생하더라도 각 측정존(21)의 온도를 측정할 수 있도록 하고 있다.
이와 같이 하나의 광섬유에 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 상대적으로 조밀하게 직렬로 연결하여도 각 측정존(21)의 온도를 측정할 수 있고, 그 경우 정전척(20)의 온도 측정에 필요한 광섬유의 개수를 줄일 수 있으며 이에 의하여 정전척(20)의 구조를 단순화할 수 있게 되고 정전척(20)의 구조가 단순화되면 정전척(20)의 신뢰성도 향상될 수 있다.
이하에서는 도 1 내지 도 6 외에 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척 온도 측정 방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 실시 예에 따른 정전척 온도 측정방법은, 정전기력에 의해 기판(W)을 흡착하는 정전척(20)에 결합되는 기준 온도 센서유닛(30)으로 정전척(20)의 기준 온도를 측정하는 단계(S100)와, 정전척(20)에 결합되는 측정존 온도 센서유닛(40)으로 정전척(20)에 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존(21)의 각 측정존 반향 파장을 감지하는 단계(S200)와, 기준 온도를 기준으로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고(S300) 그 계측 범위 내에서 측정존 온도 센서유닛(40)에서 감지한 반향 파장을 계측하여 측정존 온도를 산출하는 단계(S400)를 포함한다.
우선 광섬유에 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 직렬로 연결된 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)가 정전척(20)에 설치된다. 이 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)에 대해서는 캘리브레이션(Calibration)을 통하여 온도와 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating) 반사 신호의 관계 데이터가 마련된다.
다음으로 본 실시 예에서 정전척(20)의 중앙 영역에 설치된 기준 온도 센서유닛(30)으로 정전척(20)의 기준 온도를 측정한다(S100).
그런 다음에 복수의 측정존(21)에 설치된 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)들을 통하여 각 복수의 측정존(21)의 반향 파장을 감지한다(S200).
즉 광 소스에서 소정 대역범위의 파장을 광섬유를 통해 직렬로 이격 배치된 복수의 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)로 전송하면, 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating) 각각은 기 설정된 특정파장에 대해서만 반사하고 그 외의 파장들은 모두 투과시킨다.
이때 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)는 측정존(21)의 자신이 놓여있는 영역의 온도에 반응하여 브래그 격자의 변형을 유발하게 되며, 이로 인해 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사되는 파장은 변형률에 대응하는 값만큼 이동하게 된다.
측정존 온도 계측유닛(50)은 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)에서 반사되는 파장의 이동량을 측정 및 계산하여 이를 각 측정존(21)의 온도로 산출하게 된다.
이때 측정존 온도 계측유닛(50)은, 기준 온도 센서유닛(30)에서 측정된 기준 온도에 정전척(20)의 온도 편차를 부가한 온도범위를 파장범위로 역산하고(S300) 역산된 파장범위로 감지된 측정존 반향 파장을 검출, 예를 들어 피크(peak)치를 검출하여 각 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)가 위치한 측정존(21)의 각 측정존 온도를 산출하게 된다.
이와 같은 방법에 의하면, 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)를 조밀하게 하여도 측정존(21)의 온도를 측정할 수 있게 되며, 정전척(20)의 복수의 측정존(21)의 측정존 온도를 측정하는 데 필요한 광섬유의 개수를 줄일 수 있으며 이에 의하여 정전척(20)의 구조를 단순화할 수 있게 된다.
한편 측정존 온도 계측유닛(50)에 측정된 측정존 온도는 메인 콘트롤러(70)로 제공되고 메인 콘트롤러(70)는 이에 기초하여 온도조절유닛(60)을 제어하여 정전척(20)의 온도 또는 기판(W)의 온도의 개별 존 제어가 수행된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이다. 이에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리는 전술한 일 실시 예에 비하여 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서의 정전척에서의 평면 배치가 다르다. 이하 전술한 일 실시예와 동일한 부분은 설명의 편의를 위하여 생략하고 다른 부분만 설명하기로 한다.
본 실시 예에서는 광섬유 브래그 격자(43a, 43b, FBG, Fiber Bragg Grating)가 원주 방향과 반지름 방향으로 각각 배치된다. 이와 같이 아주 인접한 곳에 광섬유 브래그 격자(43a, 43b, FBG, Fiber Bragg Grating)를 원주 방향과 반지름 방향으로 설치하면 온도와 스트레인(strain)의 영향을 분리할 수 있다.
보다 상세히 설명하면, 정전척의 외곽의 아주 인접한 곳에 광섬유 브래그 격자(43a, 43b, FBG, Fiber Bragg Grating)를 원주 방향과 반지름 방향으로 설치하면 온도는 거의 일정하다고 가정할 수 있고 정전척의 외곽이 구속되어 있으므로 원주 방향의 스트레인은 없다고 가정할 수 있으므로 원주 방향과 반지름 방향으로 각각 배치된 광섬유 브래그 격자(43a, 43b,, FBG, Fiber Bragg Grating)의 반향 파장을 분석함으로써 반지름 방향의 스트레인을 확인할 수 있다. 그리고 이와 같이 확인된 반지름 방향의 스트레인을 보정하게 되면 스트레인의 영향을 분리할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리의 정전척의 개략적인 평단면도이다. 평단면도이다. 이에 도시된 바와 같이 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 정전척 어셈블리는 전술한 일 실시예에 비하여 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서의 정전척에서의 평면 배치가 다르고 전술한 다른 실시 예에 비하여 응답 특성이 다른 두 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)를 인접하게 배치하고 있다. 이하 전술한 일 실시예와 동일한 부분은 설명의 편의를 위하여 생략하고 다른 부분만 설명하기로 한다.
본 실시 예에서는 광섬유 브래그 격자(43c, 43d, 43e 43f, FBG, Fiber Bragg Grating)가 원주 방향과 반지름 방향으로 각각 배치되되 응답 특성이 다른 두 광섬유 브래그 격자(43c, 43d, 43e 43f, FBG, Fiber Bragg Grating)를 원주 방향과 반지름 방향 각각으로 인접하게 배치하고 있다. 이와 같이 원주 방향과 반지름 방향 각각으로 상호 아주 인접하게 배치된 같은 방향의 두 광섬유 브래그 격자(43c 및 43d, 43e 및 43f, FBG, Fiber Bragg Grating)의 반향 파장을 각각 분석하면 온도와 스트레인(strain)의 영향을 분리할 수 있다. 한편 전술한 실시 예에서는 측정존 온도센서(41)가 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(43, FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서(41)인 것에 대하여 상술하였으나 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 다른 종류의 센서들도 적용될 수 있을 것이다.
또한 전술한 실시 예에서는 측정존 온도 센서유닛(40)과 측정존 온도 계측유닛(50)이 물리적으로 분리된 것에 대하여 상술하였으나, 측정존 온도 센서유닛(40)과 측정존 온도 계측유닛(50)이 하나의 장치로 구현될 수도 있을 것이며, 측정존 온도 계측유닛(50)이 물리적으로 메인 콘트롤러(70) 내에 구현될 수도 있을 것이다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10 : 정전척 에셈블리 20 : 정전척
30 : 기준 온도 센서유닛 40 : 측정존 온도 센서유닛
50 : 측정존 온도 계측유닛 60 : 온도조절유닛
70 : 메인 콘트롤러

Claims (10)

  1. 정전기력에 의해 기판을 흡착하며, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존을 구비하는 정전척; 및
    상기 정전척에 결합되어 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 기준 온도 센서유닛;
    상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되어 상기 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 측정존 온도 센서유닛; 및
    상기 기준 온도 센서유닛에서 측정된 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛을 포함하되,
    상기 측정존 온도 센서유닛은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 상기 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서를 포함하는 정전척 어셈블리.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 측정존 온도센서는, 상기 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서이며,
    상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 상기 측정존의 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출하는 정전척 어셈블리.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)들은 상기 정전척의 원주 방향 및 반지름 방향으로 배치되는 정전척 어셈블리.
  5. 반도체 제조 공정 수행을 위한 공간을 제공하는 공정 챔버; 및
    정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척 어셈블리를 포함하며,
    상기 정전척 어셈블리는,
    정전기력에 의해 기판을 흡착하며, 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존을 구비하는 정전척; 및
    상기 정전척에 결합되어 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 기준 온도 센서유닛;
    상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되어 상기 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 측정존 온도 센서유닛; 및
    상기 기준 온도 센서유닛에서 측정된 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 측정존 온도 계측유닛을 포함하되,
    상기 측정존 온도 센서유닛은, 광섬유에 들어가서 나온 광의 파라미터들에 기초하여 상기 광섬유를 따르는 상이한 위치들에서의 온도를 결정할 수 있는 측정존 온도센서를 포함하는 반도체 제조장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 측정존 온도센서는, 상기 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서이며,
    상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 상기 측정존의 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출하는 반도체 제조장치.
  8. 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전척에 결합되는 기준 온도 센서유닛으로 상기 정전척의 기준 온도를 측정하는 단계;
    상기 기준 온도 센서유닛에 이격되게 상기 정전척에 결합되는 측정존 온도 센서유닛으로 상기 정전척에 복수의 구획으로 구분된 복수의 측정존의 측정존 온도신호를 감지하는 단계; 및
    측정존 온도 계측유닛이 상기 기준 온도를 기초로 미리 결정된 온도 범위 내로 계측 범위를 설정하고 상기 계측 범위 내에서 상기 측정존 온도 센서유닛에서 감지한 상기 측정존 온도신호를 계측하여 측정존 온도를 산출하는 단계를 포함하되,
    상기 측정존 온도센서는, 광섬유의 길이를 따르는 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)을 포함하는 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating) 온도센서인 정전척 온도 측정방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 측정존 온도 계측유닛은 상기 기준 온도에 상기 정전척의 온도 편차를 부가한 온도 범위 내에 해당하는 파장 범위를 산출하고 상기 파장 범위 내에서 측정존 반향 파장을 계측하여 상기 측정존 온도를 산출하는 정전척 온도 측정방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 광섬유 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)들은 상기 복수의 측정존에 각각 대응되게 배치되는 정전척 온도 측정방법.
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Families Citing this family (274)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2105496B1 (en) 2000-12-08 2013-02-20 Life Technologies Corporation Methods and compositions for synthesis of nucleic acid molecules using multiple recognition sites
EP2484687A3 (en) 2003-08-08 2012-11-14 Life Technologies Corporation Methods and compositions for seamless cloning of nucleic acid molecules
EP2287341B1 (en) 2003-12-01 2013-02-13 Life Technologies Corporation Nucleic acid molecules containing recombination sites and methods of using the same
US20120184007A1 (en) 2009-07-09 2012-07-19 Stephen Picataggio Engineered microorganisms with enhanced fermentation activity
EP2729564B1 (en) 2011-07-06 2019-09-18 Radici Chimica S.p.A. Biological methods for preparing a fatty dicarboxylic acid
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
EP2795501A2 (en) 2011-12-21 2014-10-29 Life Technologies Corporation Methods and systems for in silico experimental designing and performing a biological workflow
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10861682B2 (en) 2014-07-31 2020-12-08 iSenseCloud, Inc. Test wafer with optical fiber with Bragg Grating sensors
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
EP3652300A4 (en) 2017-07-13 2021-06-23 Radici Chimica S.p.A. BIOLOGICAL PROCEDURES FOR MODIFYING CELLULAR CARBON FLOW
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
JP6578391B2 (ja) * 2018-02-23 2019-09-18 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品、半導体製造装置用部品の温度分布測定方法、および、半導体製造装置用部品の温度分布測定装置
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
WO2020023295A1 (en) * 2018-07-25 2020-01-30 Lam Research Corporation Substrate support temperature sensing systems and methods
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
KR20210008310A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 조립체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
KR20210021266A (ko) 2019-08-14 2021-02-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
CN113432737A (zh) * 2020-03-19 2021-09-24 长鑫存储技术有限公司 晶圆卡盘温度量测及温度校准的方法和温度量测系统
KR102762679B1 (ko) * 2020-03-27 2025-02-04 램 리써치 코포레이션 기판 지지부 온도 프로브 진단 및 관리
TWI896439B (zh) * 2020-03-30 2025-09-01 美商蘭姆研究公司 基板處理系統及基板支座溫度控制方法
TWI868119B (zh) * 2020-03-30 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 基板處理系統及基板支座溫度控制方法
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
JP7703376B2 (ja) 2020-06-24 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー シリコンを備える層を形成するための方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
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US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
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KR102299002B1 (ko) * 2021-03-16 2021-09-07 주식회사 엘케이엔지니어링 정전척 테스트 장치
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US12062565B2 (en) 2021-06-29 2024-08-13 Asm Ip Holding B.V. Electrostatic chuck, assembly including the electrostatic chuck, and method of controlling temperature of the electrostatic chuck
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
WO2024055100A1 (en) * 2022-09-12 2024-03-21 Photon Control Inc. Temperature measurement system using fiber bragg grating

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667622A (en) * 1995-08-25 1997-09-16 Siemens Aktiengesellschaft In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools
US5996353A (en) * 1998-05-21 1999-12-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system with a thermoelectric cooling/heating device
JP2001228027A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 放射温度測定方法
JP2002071323A (ja) 2000-08-29 2002-03-08 Mitsubishi Cable Ind Ltd 面状センサ
US6495802B1 (en) 2001-05-31 2002-12-17 Motorola, Inc. Temperature-controlled chuck and method for controlling the temperature of a substantially flat object
US7921802B2 (en) 2002-12-09 2011-04-12 Nxp B.V. System and method for suppression of wafer temperature drift in cold-wall CVD systems
JP2004219263A (ja) 2003-01-15 2004-08-05 Tokyo Electron Ltd 放射温度計及び放射温度計を備えた半導体製造装置
US7297894B1 (en) * 2006-09-25 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Method for multi-step temperature control of a substrate
JP2009236631A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd 温度測定装置、これを有する載置台構造及び熱処理装置
JP5038220B2 (ja) 2008-04-18 2012-10-03 日鐵住金溶接工業株式会社 Fbg温度センサ
KR101514098B1 (ko) 2009-02-02 2015-04-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치와 온도 측정 방법 및 장치
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof

Also Published As

Publication number Publication date
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