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KR102408004B1 - 표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법 - Google Patents

표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법 Download PDF

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KR102408004B1
KR102408004B1 KR1020200123758A KR20200123758A KR102408004B1 KR 102408004 B1 KR102408004 B1 KR 102408004B1 KR 1020200123758 A KR1020200123758 A KR 1020200123758A KR 20200123758 A KR20200123758 A KR 20200123758A KR 102408004 B1 KR102408004 B1 KR 102408004B1
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surface acoustic
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Abstract

본 발명에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는, 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 제1 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 제1 IDT 전극 주변에 형성되는 제1 접속 전극과, 상기 제1 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 제1 표면탄성파 소자; 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 제2 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 제2 IDT 전극 주변에 형성되는 제2 접속 전극과, 상기 제2 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 제2 표면탄성파 소자를 포함하고, 상기 제1 표면탄성파 소자와 상기 제2 표면탄성파 소자는 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 접속 패드로부터 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법{Surface Acoustic Wave element assembly and manufacturing method thereof}
본 발명은 표면탄성파 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2개의 표면탄성파 소자를 포함하는 표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
통신산업이 발달되면서, 무선통신 장치는 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되어 가고 있다. 이러한 경향에 맞추어 무선통신 장치에 사용되는 부품, 예를 들어, 필터, 듀플렉서등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있다.
이러한 부품의 일예로서, 도 1에 도시된 바와 같이 표면탄성파(Surface Acoustic Wave, SAW) 소자는 압전 단결정 베어칩인 압전기판(1)과, 그 상부면에 빗살형태로 서로 마주하도록 형성되는 한쌍의 IDT(Inter digital transducer)전극(2)과, 이에 연결된 접속 전극(3, 4)으로 이루어진다.
가령 표면탄성파 소자가 필터로 동작하는 경우, 접속 전극(3)을 통해 전기적인 신호가 인가되면, 상기 서로 마주하는 IDT 전극(2)간의 겹쳐지는 전극길이만큼 압전효과에 의한 압전왜곡이 발생되고, 상기 압전왜곡에 의하여 압전기판(1)에 전달되는 표면탄성파가 발생되고, 이를 접속 전극(4)을 통해 전기신호로 변환하여 출력하는 것으로서, 이때, 상기 IDT 전극(2)의 간격, 전극폭이나 길이 등과 같은 여러 인자들에 의해서 결정된 소정 주파수 대역의 전기신호만이 필터링된다.
한편, 일반적으로 무선통신 장치에는 2 이상의 표면탄성파 소자가 실장될 수 있다. 예를 들면, 송수신기(transceiver)에는 송신용(TX) 필터로 동작하는 표면탄성파 소자와 수신용(RX) 필터로 동작하는 표면탄성파 소자가 함께 실장될 수 있다. 이러한 2 이상의 표면탄성파 소자는 송수신기를 구성하는 기판에 평면적으로 배치된다. 따라서 적어도 각각의 표면탄성파 소자가 차지하는 영역만큼 실장 면적이 요구되므로, 장치의 소형화에 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 2개 이상의 표면탄성파 소자 또는 표면탄성파 소자와 회로칩을 수직으로 중첩되게 배치함으로써 실장 면적을 줄여 장치의 소형화 또는 고집적화에 유리한 표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는, 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 제1 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 제1 IDT 전극 주변에 형성되는 제1 접속 전극과, 상기 제1 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 제1 표면탄성파 소자; 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 제2 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 제2 IDT 전극 주변에 형성되는 제2 접속 전극과, 상기 제2 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 제2 표면탄성파 소자를 포함하고, 상기 제1 표면탄성파 소자와 상기 제2 표면탄성파 소자는 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 접속 패드로부터 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성될 수 있다.
상기 제1 접속 패드는, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 상기 제2 접속 패드에 대하여 상기 제2 기판의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다.
상기 표면탄성파 소자 어셈블리는, 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면 사이의 공간을 외부로부터 차단하도록 형성되는 봉지부를 더 포함할 수 있다.
상기 접속 단자는, 시드메탈층; 및 상기 시드메탈층 상에 형성되는 도금층을 포함할 수 있다.
상기 접속 단자는 도금층일 수 있다.
상기 제1 표면탄성파 소자의 상기 제1 접속 패드는, 제1 신호를 제공하기 위한 제1 신호 패드 및 상기 제1 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제1 더미 패드를 포함하고, 상기 제2 표면탄성파 소자의 상기 제2 접속 패드는, 제2 신호를 제공하기 위한 제2 신호 패드, 및 상기 제2 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제2 더미 패드를 포함하고, 상기 제1 신호 패드와 상기 제2 더미 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 더미 패드와 상기 제2 신호 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합될 수 있다.
상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 메탈 본딩에 의해 서로 전기적으로 접합될 수 있다.
상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 그 사이의 도전성 범프에 의해 서로 전기적으로 접합될 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법은, 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 제1 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 제1 IDT 전극 주변에 형성되는 제1 접속 전극과, 상기 제1 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 제1 표면탄성파 소자, 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 제2 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 제2 IDT 전극 주변에 형성되는 제2 접속 전극과, 상기 제2 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 제2 표면탄성파 소자를 준비하는 단계; 상기 제1 표면탄성파 소자와 상기 제2 표면탄성파 소자를, 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 및 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 배치하는 단계; 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드를 서로 전기적으로 접합하는 단계; 및 상기 제1 접속 패드로부터 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 접속 단자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접속 단자를 형성하는 단계는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 상기 접속 단자를 형성할 수 있다.
상기 제1 접속 패드는, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 상기 제2 접속 패드에 대하여 상기 제2 기판의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다.
상기 접합하는 단계와 상기 접속 단자를 형성하는 단계 사이에, 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면 사이의 공간을 외부로부터 차단하도록 봉지부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 표면탄성파 소자의 상기 제1 접속 패드는, 제1 신호를 제공하기 위한 제1 신호 패드 및 상기 제1 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제1 더미 패드를 포함하고, 상기 제2 표면탄성파 소자의 상기 제2 접속 패드는, 제2 신호를 제공하기 위한 제2 신호 패드, 및 상기 제2 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제2 더미 패드를 포함하고, 상기 접합하는 단계를 통해, 상기 제1 신호 패드와 상기 제2 더미 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 더미 패드와 상기 제2 신호 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합될 수 있다.
상기 접합하는 단계는, 메탈 본딩을 이용할 수 있다.
상기 접합하는 단계는, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드 사이의 도전성 범프를 이용할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는, 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 바디와, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 회로칩; 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 IDT 전극 주변에 형성되는 접속 전극과, 상기 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 표면탄성파 소자를 포함하고, 상기 회로칩과 상기 표면탄성파 소자는 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 접속 패드로부터 상기 기판의 측면을 따라 상기 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 기판의 측면을 따라 상기 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성될 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는, 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 IDT 전극 주변에 형성되는 접속 전극과, 상기 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 표면탄성파 소자; 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 바디와, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 회로칩을 포함하고, 상기 표면탄성파 소자와 상기 회로칩은 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 접속 패드로부터 상기 바디의 측면을 따라 상기 바디의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 바디의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 바디의 측면을 따라 상기 바디의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성될 수 있다.
상기된 본 발명에 의하면, 2개 이상의 표면탄성파 소자 또는 표면탄성파 소자와 회로칩을 수직으로 중첩되게 배치함으로써 실장 면적을 줄여 장치의 소형화 또는 고집적화에 유리한 표면탄성파 소자 어셈블리 및 그 제작 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 표면탄성파 소자의 일 예를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 2개의 표면탄성파 소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 2개의 표면탄성파 소자의 배치 관계의 예를 나타낸다.
도 5a 내지 5h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 제작 방법을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 표면탄성파 소자와 회로칩의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 표면탄성파 소자와 회로칩의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 2개의 표면탄성파 소자의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
본 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는 제1 표면탄성파 소자(100)와 제2 표면탄성파 소자(200)가 수직으로 중첩되게 배치되는 구조를 가진다. 이를테면, 제1 표면탄성파 소자(100) 위에 제2 표면탄성파 소자(200)가 뒤집혀져 배치된다. 그리고 표면탄성파 소자 어셈블리는 봉지부(300)와 접속 단자(400)를 더 포함한다.
제1 표면탄성파 소자(100)는, 제1 기판(110)과, 제1 IDT 전극(120)과, 제1 접속 전극(130)과, 제1 접속 패드(140)를 포함한다. 제1 기판(110)은 제1-1 면(110a) 및 그 반대면인 제1-2 면(110b)을 가진다. 제1 IDT 전극(120)은 제1-1 면(110a) 상에 형성되고, 제1 접속 전극(130)은 제1-1 면(110a) 상에 제1 IDT 전극(120) 주변에 형성된다. 제1 접속 패드(140)는 제1 접속 전극(130) 상에 형성된다.
제2 표면탄성파 소자(200)는, 제2 기판(210)과, 제2 IDT 전극(220)과, 제2 접속 전극(230)과, 제2 접속 패드(240)를 포함한다. 제2 기판(210)은 제2-1 면(210a) 및 그 반대면인 제2-2 면(210b)을 가진다. 제2 IDT 전극(220)은 제2-1 면(210a) 상에 형성되고, 제2 접속 전극(230)은 제2-1 면(210a) 상에 제2 IDT 전극(220) 주변에 형성된다. 제2 접속 패드(240)는 제2 접속 전극(230) 상에 형성된다.
기판(110, 210)으로는 예컨대 LiTa2O3, LiNbO3 등으로 이루어진 압전 기판이 사용될 수 있다. 기판(110, 210)은 표면탄성파 소자 어셈블리의 전체 높이를 제한하기 위해 기존이 표면탄성파 소자의 기판의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 접속 패드(140, 240)는 Au, Al, Ti, Cu 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 접속 패드(140, 240)의 두께는 예컨대 약 1~2㎛일 수 있다.
제1 표면탄성파 소자(100)와 상기 제2 표면탄성파 소자(200)는 IDT 전극 등이 형성된 제1-1 면(110a)과 제2-1 면(210a)이 서로 마주보도록 배치된다. 이러한 배치에서, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1 접속 전극(130) 및 제1 접속 패드(140)와 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2 접속 전극(230) 및 제2 접속 패드(240)는 서로 대응한다. 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합된다. 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)는 메탈 본딩을 이용하여 직접 서로 전기적으로 접합될 수 있다. 대안적으로, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240) 사이에 도전성 범프를 배치하여, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)가 도전성 범프를 통해 서로 전기적으로 접합되도록 할 수도 있다.
이러한 제1 표면탄성파 소자(100)와 제2 표면탄성파 소자(200)의 배치에 의해, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1-1 면(110a)과 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2-1 면(210a)으로 한정되는 공간(S)으로서, IDT 전극(120, 220)을 수용하는 공간(S)이 형성된다. 공간(S)의 높이는 대체로 접속 패드(140, 240)의 두께에 의존하며, 예컨대 약 2~4㎛일 수 있다.
제1 접속 전극(130)은, 제2 접속 전극(230)과 중첩되지 않고 제2 기판(210)의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 제2 접속 전극(230)에 대하여 제2 기판(210)의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제1 접속 패드(140)는, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 제2 기판(210)의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 제2 접속 패드(240)에 대하여 제2 기판(210)의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다. 이것은 후술하는 바와 같이 제1 접속 패드(140)와 직접 연결되는 접속 단자(400)를 형성하기 위함이다.
봉지부(300)는 제2 표면탄성파 소자(200)의 측면 둘레 및 상면(즉, 제2 기판(210)의 제2-2 면(210b))을 감싸도록 형성된다. 봉지부(300)는 최외곽이 제1 접속 패드(140)의 최외곽보다 안쪽에 위치하도록 형성된다. 봉지부(300)는 공간(S)을 외부로부터 차단하여, 수분이나 이물질이 공간(S)으로 침투하는 것을 방지한다. 예를 들어, 봉지부(300)는 후술하는 다이싱 공정(도 5h 참조)에서 발생하는 이물질이 공간(S)으로 침투하는 것을 방지한다. 봉지부(300)는 예컨대 고상, 액상 또는 필름형 에폭시 또는 포토레지스트 등의 재질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서, 제2 표면탄성파 소자(200)의 측면 둘레 및 상면을 감싸도록 형성되는 봉지부(300) 대신에, 공간(S)을 외부로부터 차단할 수 있도록, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1-1 면(110a)과 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2-1 면(210a) 사이의 공간(S)의 둘레를 둘러싸는 벽 형태의 봉지부가 형성될 수도 있다.
접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(140)의, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 제2 기판(210)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분으로부터, 제2 기판(210)의 측면을 따라 제2 기판(210)의 제2-2 면(210b) 위로 연장되도록 형성된다. 봉지부(300)가 제2 표면탄성파 소자(200)를 둘러싸고 있으므로, 접속 단자(400)는 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성된다. 접속 단자(400)는 Ti, Cu, Sn, Ni, Au 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 구체적으로 접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(140)의, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 제2 기판(210)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분 및 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성되는 시드메탈층(410)과, 시드메탈층(410) 상에 형성되는 도금층(420)을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서, 접속 단자(400)는, 시드메탈층(410) 없이 도금층만으로 형성될 수 있다. 이 경우 도금층은 무전해 도금을 통해 형성될 수 있다.
접속 단자(400)는 표면탄성파 소자 어셈블리와 다른 요소(이를테면, PCB 등) 간의 전기적 연결을 위한 매개체 역할을 한다. 예컨대, 접속 단자(400)와 도전성 범프가 접합되고 도전성 범프와 PCB의 단자 패드가 접합되어, 접속 단자(400)와 PCB의 단자 패드 간에 전기적 연결이 이루어질 수 있다. 그러면, PCB의 단자 패드와 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1 접속 전극(130)은 접속 단자(400) 및 제1 접속 패드(140)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, PCB의 단자 패드와 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2 접속 전극(230)은 접속 단자(400), 제1 접속 패드(140) 및 제2 접속 패드(240)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 2개의 표면탄성파 소자의 배치 관계의 예를 나타낸다. 여기서, 제1 표면탄성파 소자(100)와 제2 표면탄성파 소자(200)는 각각 송신용 필터와 수신용 필터인 것을 예로 들었으나, 그 반대일 수도 있고, 필터 이외의 다른 부품일 수도 있다. 이해를 돕기 위해 도 4는 제1 표면탄성파 소자(100)와 제2 표면탄성파 소자(200)는 전개된 상태로 도시되었다.
제1 표면탄성파 소자(100)는, 제1 접속 패드(140)로서, 송신 신호 패드(141), 제1 접지 패드(142), 제1 안테나 패드(143), 제1 더미 패드(144)를 포함한다. 송신 신호 패드(141)와 제1 안테나 패드(143)는 제1 IDT 전극(미도시)을 통해 연결되어, 송신 신호 패드(141)로 송신 신호가 제공(입력)되면 제1 안테나 패드(143)는 필터링된 송신 신호를 제공(출력)한다. 제1 안테나 패드(143)는 송수신 안테나와 전기적으로 연결된다. 제1 접지 패드(142)는 접지를 제공한다. 제1 더미 패드(144)는 제1 표면탄성파 소자(100) 내에서 전기적으로 격리된다. 즉, 제1 더미 패드(144)는 제1 IDT 전극(미도시) 및 다른 접속 패드와 전기적으로 연결되지 않는다.
제2 표면탄성파 소자(200)는, 제2 접속 패드(240)로서, 수신 신호 패드(241), 제2 접지 패드(242), 제2 안테나 패드(243), 제2 더미 패드(244)를 포함한다. 수신 신호 패드(241)와 제2 안테나 패드(243)는 제2 IDT 전극(미도시)을 통해 연결되어, 제2 안테나 패드(243)(송수신 안테나와 전기적으로 연결되는)로 수신 신호가 제공(입력)되면 수신 신호 패드(241)는 필터링된 수신 신호를 제공(출력)한다. 제2 접지 패드(242)는 접지를 제공한다. 제2 더미 패드(244)는 제2 표면탄성파 소자(200) 내에서 전기적으로 격리된다. 즉, 제2 더미 패드(244)는 제2 IDT 전극(미도시) 및 다른 접속 패드와 전기적으로 연결되지 않는다.
제2 표면탄성파 소자(200)가 뒤집혀져 제1 표면탄성파 소자(100) 상에 배치되면(점선 화살표 참조), 송신 신호 패드(141)와 제2 더미 패드(244)가 중첩되어 서로 전기적으로 연결되고, 제1 더미 패드(144)와 수신 신호 패드(241)가 중첩되어 서로 전기적으로 연결되고, 각 제1 접지 패드(142)와 각 제2 접지 패드(242)가 중첩되어 서로 전기적으로 연결되고, 제1 안테나 패드(143)와 제2 안테나 패드(243)가 중첩되어 서로 전기적으로 연결된다. 송신 신호 패드(141), 제1 접지 패드(142), 제1 안테나 패드(143), 제1 더미 패드(144)에 각각 접속 단자(미도시)가 형성된다.
송신 신호 패드(141)에 형성되는 접속 단자가 PCB의 송신 단자 패드와 전기적으로 연결되면, PCB의 송신 단자 패드로부터의 송신 신호가 접속 단자를 통해 송신 신호 패드(141)로 전달될 수 있다. 제1 더미 패드(144)에 형성되는 접속 단자가 PCB의 수신 단자 패드와 전기적으로 연결되면, 수신 신호 패드(241)로부터의 수신 신호가 제1 더미 패드(144) 및 접속 단자를 통해 PCB의 수신 단자 패드로 전달될 수 있다.
도 5a 내지 5h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 제작 방법을 나타낸다.
도 5a를 참조하면, 공통된 제1 기판(110')을 가지는 다수의 제1 표면탄성파 소자(100)의 배열체와, 각각의 제1 표면탄성파 소자(100)에 대응하는 제2 표면탄성파 소자(200)를 준비한다. 그리고 제1 표면탄성파 소자(100)와 제2 표면탄성파 소자(200)를, 제1-1 면(110a)과 상기 제2-1 면(210a)이 서로 마주보도록 및 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)가 수직 방향으로 중첩되도록 배치한다.
도 5b를 참조하면, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1 접속 패드(140)와 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2 접속 패드(240)를 서로 전기적으로 접합한다. 이때, 메탈 본딩을 이용하여 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)를 직접 서로 접합하거나, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240) 사이에 도전성 범프를 배치하여, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(240)가 도전성 범프를 통해 전기적으로 접합되도록 할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 제2 표면탄성파 소자(200)의 측면 둘레 및 상면(즉, 제2 기판(210)의 제2-2 면(210b))을 감싸도록 봉지부(300)를 형성한다.
도 5d를 참조하면, 도 5c의 결과물 전체에 시드메탈층(410')을 형성한다.
도 5e를 참조하면, 접속 단자(400)를 형성할 부분을 제외한 나머지 부분을 포토레지스트(500)로 마스킹한다.
도 5f를 참조하면, 도금 공정을 통해, 포토레지스트(500)로 마스킹된 부분 이외의 부분에 도금층(420)을 형성한다.
도 5g를 참조하면, 포토레지스트(500)를 제거하고 시드메탈층(410') 중 도금층(420)이 형성되지 않은 부분을 제거함으로써, 시드메탈층(410)과 도금층(420)으로 이루어지는 접속 단자(400)를 형성한다. 이로써, 공통된 제1 기판(110')을 가지는 다수의 표면탄성파 소자 어셈블리의 배열체가 형성된다.
도 5h를 참조하면, 제1 기판(110')을 다이싱하여 각각의 표면탄성파 소자 어셈블리를 얻는다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 표면탄성파 소자와 회로칩의 단면도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
본 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는 회로칩(600)과 표면탄성파 소자(200)가 수직으로 중첩되게 배치되는 구조를 가진다. 이를테면, 회로칩(600) 위에 표면탄성파 소자(200)가 뒤집혀져 배치된다. 그리고 표면탄성파 소자 어셈블리는 봉지부(300)와 접속 단자(400)를 더 포함한다.
회로칩(600)은 집적회로 칩으로서, 예컨대 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA) 등의 증폭기, 또는 스위치 등을 포함할 수 있다. 회로칩(600)은, 바디(610)와 제1 접속 패드(640)를 포함한다. 바디(610)는 제1-1 면(610a) 및 그 반대면인 제1-2 면(610b)을 가진다. 제1 접속 패드(640)는 제1-1 면(110a) 상에 형성된다.
표면탄성파 소자(200)는, 기판(210)과, IDT 전극(220)과, 접속 전극(230)과, 제2 접속 패드(240)를 포함한다. 기판(210)은 제2-1 면(210a) 및 그 반대면인 제2-2 면(210b)을 가진다. IDT 전극(220)은 제2-1 면(210a) 상에 형성되고, 접속 전극(230)은 제2-1 면(210a) 상에 IDT 전극(220) 주변에 형성된다. 제2 접속 패드(240)는 접속 전극(230) 상에 형성된다.
회로칩(600)과 표면탄성파 소자(200)는 제1-1 면(610a)과 제2-1 면(210a)이 서로 마주보도록 배치된다. 이러한 배치에서, 회로칩(600)의 제1 접속 패드(640)와 표면탄성파 소자(200)의 제2 접속 패드(240)는 서로 대응한다. 제1 접속 패드(640)와 제2 접속 패드(240)는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합된다. 제1 접속 패드(640)와 제2 접속 패드(240)는 메탈 본딩을 이용하여 직접 서로 전기적으로 접합될 수 있다. 대안적으로, 제1 접속 패드(640)와 제2 접속 패드(240) 사이에 도전성 범프를 배치하여, 제1 접속 패드(640)와 제2 접속 패드(240)가 도전성 범프를 통해 서로 전기적으로 접합되도록 할 수도 있다.
이러한 회로칩(600)과 표면탄성파 소자(200)의 배치에 의해, 회로칩(600)의 제1-1 면(610a)과 표면탄성파 소자(200)의 제2-1 면(210a)으로 한정되는 공간(S)으로서, IDT 전극(220)을 수용하는 공간(S)이 형성된다. 공간(S)의 높이는 대체로 접속 패드(640, 240)의 두께에 의존하며, 예컨대 약 2~4㎛일 수 있다.
제1 접속 패드(640)는, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 기판(210)의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 제2 접속 패드(240)에 대하여 기판(210)의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다. 이것은 후술하는 바와 같이 제1 접속 패드(640)와 직접 연결되는 접속 단자(400)를 형성하기 위함이다.
봉지부(300)는 표면탄성파 소자(200)의 측면 둘레 및 상면(즉, 기판(210)의 제2-2 면(210b))을 감싸도록 형성된다. 봉지부(300)는 최외곽이 제1 접속 패드(640)의 최외곽보다 안쪽에 위치하도록 형성된다. 봉지부(300)는 공간(S)을 외부로부터 차단하여, 수분이나 이물질이 공간(S)으로 침투하는 것을 방지한다. 실시예에 따라서, 표면탄성파 소자(200)의 측면 둘레 및 상면을 감싸도록 형성되는 봉지부(300) 대신에, 공간(S)을 외부로부터 차단할 수 있도록, 회로칩(600)의 제1-1 면(610a)과 표면탄성파 소자(200)의 제2-1 면(210a) 사이의 공간(S)의 둘레를 둘러싸는 벽 형태의 봉지부가 형성될 수도 있다.
접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(640)의, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 기판(210)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분으로부터, 기판(210)의 측면을 따라 기판(210)의 제2-2 면(210b) 위로 연장되도록 형성된다. 봉지부(300)가 표면탄성파 소자(200)를 둘러싸고 있으므로, 접속 단자(400)는 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성된다. 구체적으로 접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(640)의, 제2 접속 패드(240)와 중첩되지 않고 제2 기판(210)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분 및 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성되는 시드메탈층(410)과, 시드메탈층(410) 상에 형성되는 도금층(420)을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서, 접속 단자(400)는, 시드메탈층(410) 없이 도금층만으로 형성될 수 있다. 이 경우 도금층은 무전해 도금을 통해 형성될 수 있다.
접속 단자(400)는 표면탄성파 소자 어셈블리와 다른 요소(이를테면, PCB 등) 간의 전기적 연결을 위한 매개체 역할을 한다. 예컨대, 접속 단자(400)와 도전성 범프가 접합되고 도전성 범프와 PCB의 단자 패드가 접합되어, 접속 단자(400)와 PCB의 단자 패드 간에 전기적 연결이 이루어질 수 있다. 그러면, PCB의 단자 패드와 회로칩(600)의 제1 접속 패드(640)는 접속 단자(400)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, PCB의 단자 패드와 제2 표면탄성파 소자(200)의 제2 접속 전극(230)은 접속 단자(400), 제1 접속 패드(640) 및 제2 접속 패드(240)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리를 구성하는 표면탄성파 소자와 회로칩의 단면도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리의 단면도이다.
본 실시예에 따른 표면탄성파 소자 어셈블리는 표면탄성파 소자(100)와 회로칩(700)이 수직으로 중첩되게 배치되는 구조를 가진다. 이를테면, 표면탄성파 소자(100) 위에 회로칩(700)이 배치된다. 그리고 표면탄성파 소자 어셈블리는 봉지부(300)와 접속 단자(400)를 더 포함한다.
표면탄성파 소자(100)는, 기판(110)과, IDT 전극(120)과, 접속 전극(130)과, 제1 접속 패드(140)를 포함한다. 기판(110)은 제1-1 면(110a) 및 그 반대면인 제1-2 면(110b)을 가진다. IDT 전극(120)은 제1-1 면(110a) 상에 형성되고, 접속 전극(130)은 제1-1 면(110a) 상에 IDT 전극(120) 주변에 형성된다. 제1 접속 패드(140)는 접속 전극(130) 상에 형성된다.
회로칩(600)은 집적회로 칩으로서, 예컨대 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA) 등의 증폭기, 또는 스위치 등을 포함할 수 있다. 회로칩(700)은, 바디(710)와 제2 접속 패드(740)를 포함한다. 바디(710)는 제2-1 면(710a) 및 그 반대면인 제2-2 면(710b)을 가진다. 제2 접속 패드(740)는 제2-1 면(710a) 상에 형성된다.
제1 표면탄성파 소자(100)와 회로칩(700)은 제1-1 면(110a)과 제2-1 면(710a)이 서로 마주보도록 배치된다. 이러한 배치에서, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1 접속 패드(140)와 회로칩(700)의 제2 접속 패드(740)는 서로 대응한다. 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(740)는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합된다. 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(740)는 메탈 본딩을 이용하여 직접 서로 전기적으로 접합될 수 있다. 대안적으로, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(740) 사이에 도전성 범프를 배치하여, 제1 접속 패드(140)와 제2 접속 패드(740)가 도전성 범프를 통해 서로 전기적으로 접합되도록 할 수도 있다.
이러한 제1 표면탄성파 소자(100)와 회로칩(700)의 배치에 의해, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1-1 면(110a)과 회로칩(700)의 제2-1 면(710a)으로 한정되는 공간(S)으로서, IDT 전극(120)을 수용하는 공간(S)이 형성된다. 공간(S)의 높이는 대체로 접속 패드(140, 740)의 두께에 의존하며, 예컨대 약 2~4㎛일 수 있다.
접속 전극(130)과 제1 접속 패드(140)는, 제2 접속 패드(740)와 중첩되지 않고 바디(710)의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 제2 접속 패드(240)에 대하여 바디(710)의 바깥쪽으로 넓게 형성될 수 있다. 이것은 후술하는 바와 같이 제1 접속 패드(140)와 직접 연결되는 접속 단자(400)를 형성하기 위함이다.
봉지부(300)는 회로칩(700)의 측면 둘레 및 상면(즉, 바디(710)의 제2-2 면(210b))을 감싸도록 형성된다. 봉지부(300)는 최외곽이 제1 접속 패드(140)의 최외곽보다 안쪽에 위치하도록 형성된다. 봉지부(300)는 공간(S)을 외부로부터 차단하여, 수분이나 이물질이 공간(S)으로 침투하는 것을 방지한다. 실시예에 따라서, 회로칩(700)의 측면 둘레 및 상면을 감싸도록 형성되는 봉지부(300) 대신에, 공간(S)을 외부로부터 차단할 수 있도록, 제1 표면탄성파 소자(100)의 제1-1 면(110a)과 회로칩(700)의 제2-1 면(710a) 사이의 공간(S)의 둘레를 둘러싸는 벽 형태의 봉지부가 형성될 수도 있다.
접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(140)의, 제2 접속 패드(740)와 중첩되지 않고 바디(710)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분으로부터, 바디(710)의 측면을 따라 바디(710)의 제2-2 면(710b) 위로 연장되도록 형성된다. 봉지부(300)가 회로칩(700)를 둘러싸고 있으므로, 접속 단자(400)는 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성된다. 구체적으로 접속 단자(400)는, 제1 접속 패드(140)의, 제2 접속 패드(740)와 중첩되지 않고 바디(710)의 바깥쪽(또한, 봉지부(300)의 바깥쪽)에 위치하는 부분 및 봉지부(300)의 측면 및 상면 상에 형성되는 시드메탈층(410)과, 시드메탈층(410) 상에 형성되는 도금층(420)을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서, 접속 단자(400)는, 시드메탈층(410) 없이 도금층만으로 형성될 수 있다. 이 경우 도금층은 무전해 도금을 통해 형성될 수 있다.
접속 단자(400)는 표면탄성파 소자 어셈블리와 다른 요소(이를테면, PCB 등) 간의 전기적 연결을 위한 매개체 역할을 한다. 예컨대, 접속 단자(400)와 도전성 범프가 접합되고 도전성 범프와 PCB의 단자 패드가 접합되어, 접속 단자(400)와 PCB의 단자 패드 간에 전기적 연결이 이루어질 수 있다. 그러면, PCB의 단자 패드와 제1 표면탄성파 소자(100)의 접속 전극(130)은 접속 단자(400) 및 제1 접속 패드(140)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, PCB의 단자 패드와 회로칩(700)의 제2 접속 패드(740)는 접속 단자(400) 및 제1 접속 패드(140)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 제1 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 제1 IDT 전극 주변에 형성되는 제1 접속 전극과, 상기 제1 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 제1 표면탄성파 소자; 및
    제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 제2 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 제2 IDT 전극 주변에 형성되는 제2 접속 전극과, 상기 제2 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 제2 표면탄성파 소자를 포함하고,
    상기 제1 표면탄성파 소자와 상기 제2 표면탄성파 소자는 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고,
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고,
    상기 제1 접속 패드로부터 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드는, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 상기 제2 접속 패드에 대하여 상기 제2 기판의 바깥쪽으로 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면 사이의 공간을 외부로부터 차단하도록 형성되는 봉지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접속 단자는,
    시드메탈층; 및
    상기 시드메탈층 상에 형성되는 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접속 단자는 도금층인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면탄성파 소자의 상기 제1 접속 패드는, 제1 신호를 제공하기 위한 제1 신호 패드 및 상기 제1 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제1 더미 패드를 포함하고,
    상기 제2 표면탄성파 소자의 상기 제2 접속 패드는, 제2 신호를 제공하기 위한 제2 신호 패드, 및 상기 제2 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제2 더미 패드를 포함하고,
    상기 제1 신호 패드와 상기 제2 더미 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고,
    상기 제1 더미 패드와 상기 제2 신호 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 메탈 본딩에 의해 서로 전기적으로 접합되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 그 사이의 도전성 범프에 의해 서로 전기적으로 접합되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  10. 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 제1 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 제1 IDT 전극 주변에 형성되는 제1 접속 전극과, 상기 제1 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 제1 표면탄성파 소자, 및 제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 제2 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 제2 IDT 전극 주변에 형성되는 제2 접속 전극과, 상기 제2 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 제2 표면탄성파 소자를 준비하는 단계;
    상기 제1 표면탄성파 소자와 상기 제2 표면탄성파 소자를, 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 및 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 배치하는 단계;
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드를 서로 전기적으로 접합하는 단계; 및
    상기 제1 접속 패드로부터 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 접속 단자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 접속 단자를 형성하는 단계는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 제2 기판의 측면을 따라 상기 제2 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 상기 접속 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드는, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 제2 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분을 제공하도록, 상기 제2 접속 패드에 대하여 상기 제2 기판의 바깥쪽으로 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 접합하는 단계와 상기 접속 단자를 형성하는 단계 사이에, 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면 사이의 공간을 외부로부터 차단하도록 봉지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 표면탄성파 소자의 상기 제1 접속 패드는, 제1 신호를 제공하기 위한 제1 신호 패드 및 상기 제1 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제1 더미 패드를 포함하고,
    상기 제2 표면탄성파 소자의 상기 제2 접속 패드는, 제2 신호를 제공하기 위한 제2 신호 패드, 및 상기 제2 표면탄성파 소자 내에서 전기적으로 격리된 제2 더미 패드를 포함하고,
    상기 접합하는 단계를 통해, 상기 제1 신호 패드와 상기 제2 더미 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고, 상기 제1 더미 패드와 상기 제2 신호 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 접합하는 단계는, 메탈 본딩을 이용하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 접합하는 단계는, 상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드 사이의 도전성 범프를 이용하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리 제작 방법.
  17. 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 바디와, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 회로칩; 및
    제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 기판과, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 IDT 전극과, 상기 제2-1 면 상에 상기 IDT 전극 주변에 형성되는 접속 전극과, 상기 접속 전극 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 표면탄성파 소자를 포함하고,
    상기 회로칩과 상기 표면탄성파 소자는 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고,
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고,
    상기 제1 접속 패드로부터 상기 기판의 측면을 따라 상기 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 기판의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 기판의 측면을 따라 상기 기판의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  19. 제1-1 면 및 그 반대면인 제1-2 면을 가지는 기판과, 상기 제1-1 면 상에 형성되는 IDT 전극과, 상기 제1-1 면 상에 상기 IDT 전극 주변에 형성되는 접속 전극과, 상기 접속 전극 상에 형성되는 제1 접속 패드를 포함하는 표면탄성파 소자; 및
    제2-1 면 및 그 반대면인 제2-2 면을 가지는 바디와, 상기 제2-1 면 상에 형성되는 제2 접속 패드를 포함하는 회로칩을 포함하고,
    상기 표면탄성파 소자와 상기 회로칩은 상기 제1-1 면과 상기 제2-1 면이 서로 마주보도록 배치되고,
    상기 제1 접속 패드와 상기 제2 접속 패드는 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되어 서로 전기적으로 접합되고,
    상기 제1 접속 패드로부터 상기 바디의 측면을 따라 상기 바디의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 접속 단자는, 상기 제1 접속 패드의, 상기 제2 접속 패드와 중첩되지 않고 상기 바디의 바깥쪽에 위치하는 부분으로부터, 상기 바디의 측면을 따라 상기 바디의 상기 제2-2 면 위로 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 어셈블리.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160294354A1 (en) 2013-12-27 2016-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP2020145596A (ja) 2019-03-06 2020-09-10 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102556333B1 (ko) * 2015-12-18 2023-07-17 (주)와이솔 표면 탄성파 웨이퍼 레벨 패키지 및 이를 위한 pcb 제작 방법
JP6547617B2 (ja) * 2015-12-22 2019-07-24 株式会社村田製作所 電子部品
KR102064380B1 (ko) * 2018-06-22 2020-01-10 (주)와이솔 표면 탄성파 소자 패키지 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160294354A1 (en) 2013-12-27 2016-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and manufacturing method thereof
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