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KR102368382B1 - Etching solution composition and manufacturing method of an array substrate for display device using the same - Google Patents

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KR102368382B1
KR102368382B1 KR1020170030601A KR20170030601A KR102368382B1 KR 102368382 B1 KR102368382 B1 KR 102368382B1 KR 1020170030601 A KR1020170030601 A KR 1020170030601A KR 20170030601 A KR20170030601 A KR 20170030601A KR 102368382 B1 KR102368382 B1 KR 102368382B1
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copper
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윤영진
이종문
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 고리형 아졸 화합물, 염소 화합물, 유기산 또는 유기산염 및 물을 포함하는 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition comprising a persulfate, a fluorine compound, an inorganic acid, a cyclic azole compound, a chlorine compound, an organic acid or an organic acid salt and water, a method for manufacturing an array substrate for a display device using the same, and an array substrate for a display device .

Description

식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법{ETCHING SOLUTION COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD OF AN ARRAY SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE USING THE SAME}Etching solution composition and method of manufacturing an array substrate for a display device using the same

본 발명은 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition and a method for manufacturing an array substrate for a display device using the same.

일반적으로 반도체장치 및 평판표시장치에서 기판 위에 금속배선을 형성하는 과정은 스퍼터링에 의한 금속막 형성공정; 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정; 및 식각공정에 의한 단계로 구성되며, 개별적인 단위 공정 전후의 세정공정 등을 포함한다.In general, the process of forming a metal wire on a substrate in a semiconductor device and a flat panel display device includes a metal film forming process by sputtering; a photoresist formation process in a selective area by photoresist application, exposure and development; and a step by an etching process, and includes a cleaning process before and after each unit process.

상기 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 사용하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식 식각 또는 식각액을 사용하는 습식 식각이 사용된다.The etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist as a mask, and typically dry etching using plasma or wet etching using an etchant is used.

근래 들어, 반도체장치나 평판표시장치에서 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 저항은 RC 신호지연을 유발하는 주요 인자이므로, 평판표시장치에서 패널 크기를 증가시키고 고해상도를 실현하는데 있어 매우 중요하다.In recent years, resistance of metal wiring has emerged as a major concern in a semiconductor device or a flat panel display device. Since resistance is a major factor inducing RC signal delay, it is very important for increasing the panel size and realizing high resolution in a flat panel display.

평판표시장치에서 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는 저저항의 물질개발이 필수적이며, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr 비저항:12.7 x 10- 8Ωm), 몰리브덴(Mo 비저항: 5 x 10- 8Ωm), 알루미늄(Al 비저항: 2.65 x10-8Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다. In order to realize the reduction of the RC signal delay, which is essential in flat panel display, it is essential to develop a low - resistance material. x 10 - 8 Ωm), aluminum (Al resistivity: 2.65 x 10 -8 Ωm) and alloys thereof are difficult to use as gates and data wirings used in large-sized TFT LCDs.

이와 같은 배경하에서, 새로운 저저항 금속막 중 하나인 구리막에 대한 관심이 높다. 구리막은 알루미늄막이나 크롬막보다 저항이 현저하게 낮고, 환경적으로도 큰 문제가 없는 장점이 있는 것으로 알려져 있기 때문이다. 그러나, 구리막은 포토레지스트를 도포하고 패터닝하는 공정상 어려운 점들이 많으며, 실리콘 절연막과의 접착력이 나쁜 단점이 발견되었다.Under this background, interest in a copper film, which is one of new low-resistance metal films, is high. This is because the copper film is known to have a significantly lower resistance than the aluminum film or the chromium film, and there is no major environmental problem. However, the copper film has many difficulties in the process of applying and patterning the photoresist, and has a disadvantage in that the adhesion to the silicon insulating film is poor.

이에 따라, 저저항 구리 단일막의 단점을 보완하는 다중 금속막에 대한 연구가 진행되고 있으며, 그 중에서도 특히 각광받는 물질이 구리-티타늄 이중막이다.Accordingly, research on a multi-metal film that compensates for the shortcomings of the low-resistance copper single film is being conducted, and a copper-titanium double film is particularly popular among them.

대한민국 공개특허 제10-2010-0123131호에는 티타늄 및 구리를 포함하는 금속막을 식각하는 식각액 조성물에 대하여 게재하고 있으나, 상기 식각액 조성물은 식각 성능을 유지하는 기간이 짧으며, 식각 속도 성능 저하를 줄이기 위한 무기산 도입에 따른 과침식 등의 문제점을 지니고 있는 바, 구리-티타늄 이중막을 식각하기 위한 식각액 조성물의 개발이 여전히 필요한 상황이다.Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2010-0123131 discloses an etchant composition for etching a metal film containing titanium and copper, but the etchant composition has a short period of maintaining etch performance, and is used to reduce etch rate performance degradation. Since it has problems such as over-erosion due to the introduction of inorganic acids, it is still necessary to develop an etchant composition for etching the copper-titanium double layer.

대한민국 공개특허 제10-2010-0123131호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0123131

본 발명은 식각 프로파일이 우수하며, 금속막 식각시 석출물이 발생하지 않는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an etchant composition having an excellent etch profile and not generating precipitates during etching of a metal film.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 디스플레이 장치용 어레이 기판을 제조하는 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 디스플레이 장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an array substrate for a display device using the etchant composition and an array substrate for a display device manufactured by the manufacturing method.

상기 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above object,

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention relates to the total weight of the composition,

과황산염 0.5 내지 20 중량%;0.5 to 20% by weight of persulfate;

불소 화합물 0.01 내지 2 중량%;0.01 to 2% by weight of a fluorine compound;

무기산 1 내지 10 중량%;1 to 10% by weight of an inorganic acid;

고리형 아민 화합물 0.5 내지 5 중량%;0.5 to 5 wt% of a cyclic amine compound;

염소 화합물 0.01 내지 0.1 중량% 미만;0.01 to less than 0.1% by weight of a chlorine compound;

유기산 또는 유기산염 1 내지 20 중량%; 및1 to 20% by weight of an organic acid or an organic acid salt; and

식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.It provides an etchant composition comprising the remaining amount of water such that the total weight of the etchant composition is 100% by weight.

또한, 본 발명은 (a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;In addition, the present invention comprises the steps of (a) forming a gate wiring on a substrate;

(b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;(b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;

(c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;(c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;

(d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; and

(e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode; In the method of manufacturing an array substrate for a display device comprising:

상기 (a) 단계 및 (d) 단계 중 어느 한 단계 이상이, 상기 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 게이트 배선, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.Array for a display device, characterized in that at least one of steps (a) and (d) includes a step of etching with the etchant composition of the present invention to form respective gate wirings, source and drain electrodes A method of manufacturing a substrate is provided.

또한, 본 발명은 상기 본 발명의 제조방법으로 제조된 디스플레이 장치용 어레이 기판을 제공한다.In addition, the present invention provides an array substrate for a display device manufactured by the manufacturing method of the present invention.

본 발명의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수한 효과를 지니고 있다.The etchant composition of the present invention has an excellent etch profile.

또한, 본 발명의 식각액 조성물은 금속막 식각시 석출물 생성을 억제하여, 석출물로 인한 식각 성능 저하, 배선 불량률 증가, 장비 및 배관 내 석출 문제에 따른 공정상 비용 증가, 폐수 처리 비용 증가 등의 문제점을 예방할 수 있는 효과를 지니고 있다.In addition, the etchant composition of the present invention suppresses the formation of precipitates during metal film etching, thereby reducing the etching performance due to the precipitates, increasing the wiring defect rate, increasing process costs due to deposition problems in equipment and pipes, and increasing wastewater treatment costs. It has a preventable effect.

도 1은 테이퍼 앵글이 우수한 SEM 사진이다.
도 2는 테이퍼 앵글이 불량한 SEM 사진이다.
도 3은 테이퍼 앵글이 불량한 SEM 사진이다.
도 4는 사면 직진성이 우수한 SEM 사진이다.
도 5는 사면 직진성이 불량한 SEM 사진이다.
도 6은 석출물이 발생하지 않은 SEM 사진이다.
도 7은 석출물이 발생한 SEM 사진이다.1 is an SEM photograph showing an excellent taper angle.
2 is an SEM photograph showing a poor taper angle.
3 is an SEM photograph showing a poor taper angle.
4 is an SEM photograph with excellent slope straightness.
5 is an SEM photograph with poor slope straightness.
6 is an SEM photograph in which no precipitates are generated.
7 is an SEM photograph in which a precipitate is generated.

이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention relates to the total weight of the composition,

과황산염 0.5 내지 20 중량%;0.5 to 20% by weight of persulfate;

불소 화합물 0.01 내지 2 중량%;0.01 to 2% by weight of a fluorine compound;

무기산 1 내지 10 중량%;1 to 10% by weight of an inorganic acid;

고리형 아민 화합물 0.5 내지 5 중량%;0.5 to 5 wt% of a cyclic amine compound;

염소 화합물 0.01 내지 0.1 중량% 미만;0.01 to less than 0.1% by weight of a chlorine compound;

유기산 또는 유기산염 1 내지 20 중량%; 및1 to 20% by weight of an organic acid or an organic acid salt; and

식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.It relates to an etchant composition comprising the remaining amount of water such that the total weight of the etchant composition is 100% by weight.

디스플레이 장치용 어레이 기판 위에는 다수의 층이 적층되어 상기 층 간에 원치않는 전기적 단락이 발생하게 된다. 상기 전기적 단락 발생을 방지하기 위해서는 식각 기판의 절단 측면, 즉 식각 프로파일의 표면이 매끄러우면서도 하방이 상방보다 더 넓은 완만한 테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 특히, 최근에는 응답속도를 높이기 위하여 두께가 두꺼운 후막을 사용하기 때문에 식각액 조성물의 우수한 프로파일이 요구되고 있다.A plurality of layers are stacked on the array substrate for a display device to cause an unwanted electrical short between the layers. In order to prevent the occurrence of the electrical short circuit, it is preferable that the cut side of the etched substrate, that is, the surface of the etch profile, has a smooth tapered shape with the lower side wider than the upper side. In particular, in recent years, since a thick film is used to increase the response speed, an excellent profile of the etchant composition is required.

또한, 금속막 식각시 발생하는 석출물은 식각 성능 저하, 배선 불량률 증가, 장비 및 배관 내 석출 문제에 따른 공정상 비용 증가, 폐수 처리 비용 증가 등의 문제를 발생시킨다.In addition, the precipitates generated during metal film etching cause problems such as a decrease in etching performance, an increase in the wiring defect rate, an increase in process costs due to deposition problems in equipment and pipes, and an increase in the cost of wastewater treatment.

따라서, 본 발명에서는 상기 문제점을 해결하기 위하여 식각 프로파일이 우수하며, 금속막 식각시 석출물이 발생하지 않는 식각액 조성물을 제공하고자 하였다.Accordingly, in order to solve the above problems, the present invention has attempted to provide an etchant composition having an excellent etch profile and not generating precipitates during metal film etching.

본 발명의 식각액 조성물은 티타늄계 금속막의 단일막, 구리계 금속막의단일막 또는 티타늄계 금속막/구리계 금속막의 이중막을 식각할 수 있으며, 바람직하게는 티타늄계 금속막/구리계 금속막의 이중막을 식각하며, 상기 이중막을 동시에 일괄식각할 수 있다.The etchant composition of the present invention can etch a single film of a titanium-based metal film, a single film of a copper-based metal film, or a double film of a titanium-based metal film/copper-based metal film, and preferably a dual film of a titanium-based metal film/copper-based metal film. It is etched, and the double layer can be simultaneously etched.

이하, 본 발명의 식각액 조성물을 구성하는 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, components constituting the etchant composition of the present invention will be described.

(A)(A) 과황산염persulfate

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과황산염은 구리계 금속막을 식각하는 주성분이다.The persulfate contained in the etchant composition of the present invention is a main component for etching the copper-based metal film.

상기 과황산염은 과황산칼륨(K2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 및 과황산암모늄((NH4)2S2O8)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The persulfate is at least one selected from the group consisting of potassium persulfate (K 2 S 2 O 8 ), sodium persulfate (Na 2 S 2 O 8 ), and ammonium persulfate ((NH 4 ) 2 S 2 O 8 ) can be used

상기 과황산염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 20 중량%로 포함되며, 바람직하게 8 내지 15 중량%로 포함된다. The persulfate is included in an amount of 0.5 to 20 wt%, preferably 8 to 15 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention.

상기 과황산염을 0.5 중량% 미만으로 포함하면 구리계 금속막의 식각이 이루어지지 않거나 매우 느린 식각속도를 보이고, 20 중량%를 초과하여 포함하면 식각 속도가 전체적으로 빨라져 공정을 컨트롤하는 것이 어려워진다.When the persulfate is included in an amount of less than 0.5 wt %, the copper-based metal film is not etched or an etching rate is very slow, and when the persulfate is included in an amount of more than 20 wt %, the etching rate increases as a whole, making it difficult to control the process.

(B)불소 화합물(B) fluorine compound

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 불소 화합물은 티타늄계 금속막을 식각하는 주성분이며, 식각 시 발생하는 잔사를 제거하여 주는 역할을 한다.The fluorine compound included in the etchant composition of the present invention is a main component for etching the titanium-based metal film, and serves to remove residues generated during etching.

상기 불소 화합물은 용액 내에서 불소 이온 또는 다원자 불소이온이 해리되는 화합물이라면 그 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 바람직하게는 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨(potassium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The type of the fluorine compound is not particularly limited as long as it is a compound in which fluorine ions or polyatomic fluorine ions are dissociated in a solution, but preferably ammonium fluoride, sodium fluoride, or potassium fluoride. , at least one selected from the group consisting of ammonium bifluoride, sodium bifluoride and potassium bifluoride may be used.

상기 불소 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 2 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.1 내지 0.6 중량%로 포함된다. The fluorine compound is included in an amount of 0.01 to 2 wt%, preferably 0.1 to 0.6 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention.

상기 불소 화합물을 0.01 중량% 미만으로 포함하면 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 잔사가 발생할 수 있으며, 2 중량%를 초과하여 포함하면 금속 배선이 형성되는 유리 등의 기판 및 금속 배선과 함께 형성되는 실리콘을 포함하는 절연막에 손상을 일으킬 수 있다.When the fluorine compound is included in an amount of less than 0.01 wt %, the etching rate of the titanium-based metal film may be lowered and residues may be generated. It may cause damage to the insulating film containing silicon.

(C)무기산(C) inorganic acid

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 무기산은 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각을 위한 보조산화제의 역할을 한다.The inorganic acid included in the etchant composition of the present invention serves as an auxiliary oxidizing agent for etching the copper-based metal layer and the titanium-based metal layer.

상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The inorganic acid may be at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and perchloric acid.

또한, 상기 무기산은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 10 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 5 중량%로 포함된다.In addition, the inorganic acid is included in an amount of 1 to 10 wt%, preferably 1 to 5 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention.

상기 무기산을 1 중량% 미만으로 포함하면 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 식각 프로파일 불량해지며, 잔사가 발생할 수 있으며, 10 중량%를 초과하여 포함하면 과식각 및 포토레지스트 균열이 발생하여 약액 침투에 의하여 배선이 단락될 수 있다.When the inorganic acid is included in an amount of less than 1 wt %, the etching rate of the copper-based metal film and the titanium-based metal film is lowered, resulting in a poor etch profile, and residues may be generated. As this occurs, the wiring may be short-circuited due to the penetration of the chemical.

(D)고리형 (D) annular 아민amine 화합물 compound

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 고리형 아민 화합물은 구리계 금속막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.The cyclic amine compound included in the etchant composition of the present invention serves to control the etching rate of the copper-based metal layer.

상기 고리형 아민 화합물은 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 이미다졸(imidazole), 인돌(indole), 푸린(purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘(pyrrolidine), 피롤린(pyrroline), 5-메틸테트라졸(5-methyltetrazole), 1-메틸-5-아미노테트라졸(1-Methyl-5-Aminotetrazole) 및, 1-에틸-5-아미노테트라졸(1-Ethyl-5-Aminotetrazole)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The cyclic amine compound is 5-aminotetrazole, imidazole, indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole, pyrrolidine, pyrroline, 5-methyltetrazole, 1-methyl-5-aminotetrazole, and 1 -Ethyl-5-aminotetrazole (1-Ethyl-5-Aminotetrazole) may be used at least one selected from the group consisting of.

또한, 상기 고리형 아민 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.5 내지 3.0 중량%로 포함된다.In addition, the cyclic amine compound is included in an amount of 0.5 to 5 wt%, preferably 0.5 to 3.0 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention.

상기 고리형 아민 화합물을 0.5 중량% 미만으로 포함하면 구리의 식각 속도를 조절할 수 없어 과식각 및 불균일 식각이 일어날 수 있으며, 5 중량%를 초과하여 포함하면 식각 프로파일이 불량해져 생산 효율이 감소할 수 있다.When the cyclic amine compound is included in an amount of less than 0.5 wt%, the etching rate of copper cannot be controlled, so over-etching and non-uniform etching may occur. there is.

(E)염소 화합물(E) chlorine compound

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 염소 화합물은 구리계 금속막을 식각하는 보조 산화제 역할을 한다.The chlorine compound included in the etchant composition of the present invention serves as an auxiliary oxidizing agent for etching the copper-based metal layer.

일반적으로 금속 배선의 각도가 높으면 금속막 적층시 전기적 과부하가 발생하여 디스플레이 장치용 어레기 기판의 배선이 터지는 현상이 발생하므로, 너무 높지 않은 배선의 각도와 균일한 식각 프로파일이 요구된다. In general, when the angle of the metal wiring is high, an electrical overload occurs when the metal film is laminated, and the wiring of the array substrate for a display device bursts. Therefore, a wiring angle that is not too high and a uniform etching profile are required.

본 발명에서는 염소 화합물을 극소량 포함함으로써 금속 배선의 각도 및 균일한 식각 프로파일을 제공할 수 있으며, 배선 단락 불량률을 최소화할 수 있어 디스플레이 장치용 어레이 기판의 구동 수율을 향상시킬 수 있다.In the present invention, since the chlorine compound is included in a very small amount, the angle and uniform etching profile of the metal wiring can be provided, and the wiring short circuit defect rate can be minimized, so that the driving yield of the array substrate for a display device can be improved.

상기 염소 화합물은 염소 이온으로 해리될 수 있는 화합물을 의미하며, 염산(HCl), 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl), 염화암모늄(NH4Cl), 염화에탄술포닐(C2H5ClO2S) 및 염화메탄술포닐(CH3ClO2S)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The chlorine compound means a compound that can be dissociated into chlorine ions, hydrochloric acid (HCl), sodium chloride (NaCl), potassium chloride (KCl), ammonium chloride (NH 4 Cl), ethanesulfonyl chloride (C 2 H 5 ClO 2 S) and at least one selected from the group consisting of methanesulfonyl chloride (CH 3 ClO 2 S) may be used.

상기 염소 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 0.1 중량% 미만으로 포함되며, 바람직하게는 0.01 내지 0.09 중량%로 포함된다.The chlorine compound is included in an amount of 0.01 to less than 0.1 wt%, preferably 0.01 to 0.09 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention.

상기 염소 화합물을 0.01 중량% 미만으로 포함하면 구리계 금속막의 식각 속도가 저하되어 공정상 적용할 수 없게 되며, 너무 적은 함량으로 인하여 대량 제조를 할 수 없는 단점이 있다. 또한, 0.1 중량%를 초과하여 포함하면 식각 프로파일이 불량해져 생산 효율이 감소할 수 있으며, 석출물이 발생할 수 있다.When the chlorine compound is included in an amount of less than 0.01 wt %, the etching rate of the copper-based metal film is lowered and thus cannot be applied in the process, and there is a disadvantage in that mass production cannot be performed due to the too small content. In addition, when it contains more than 0.1 wt%, the etching profile may be poor, and production efficiency may decrease, and precipitates may occur.

(F)유기산 또는 (F) an organic acid or 유기산염organic acid salt

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 유기산 또는 유기산염은 식각된 금속 이온과의 킬레이팅 작용으로 식각액에 영향을 주는 것을 방지해 줌으로써 결과적으로 처리매수를 증가시켜주는 역할을 한다. The organic acid or organic acid salt included in the etchant composition of the present invention serves to increase the number of treatments by preventing the etchant from being affected by the chelating action with the etched metal ions.

상기 유기산은 니코틴산, 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으며, 상기 유기산염은 상기 유기산의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The organic acids include nicotinic acid, acetic acid, butanoic acid, citric acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, malonic acid, oxalic acid, pentanoic acid, sulfobenzoic acid, sulfosuccinic acid, sulfophthalic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, lactic acid, glyceric acid , succinic acid, malic acid, tartaric acid, isocitric acid, propenoic acid, iminodiacetic acid, and at least one selected from the group consisting of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) may be used, and the organic acid salt is a sodium salt of the organic acid, potassium At least one selected from the group consisting of salts and ammonium salts may be used.

상기 유기산 또는 유기산염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 20 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1.0 내지 10.0 중량%로 포함된다. 상기 유기산 또는 유기산염을 1 중량% 미만으로 포함하면 처리매수 증가 효과가 없고, 20 중량%를 초과하여 포함하면 과식각이 되어 배선의 단락이 발생할 수 있다.The organic acid or organic acid salt is included in an amount of 1 to 20 wt%, preferably 1.0 to 10.0 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention. When the organic acid or organic acid salt is included in an amount of less than 1 wt %, there is no effect of increasing the number of treatments, and when the organic acid or organic acid salt is included in an amount of more than 20 wt %, over-etching may occur and a short circuit of the wiring may occur.

(G)물(G) water

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하며, 상기 탈이온수는 반도체 공정용으로 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.Water included in the etchant composition of the present invention is not particularly limited, but deionized water is preferably used, and it is preferable to use deionized water having a specific resistance of 18 ㏁/cm or more for semiconductor processing.

(H)구리 화합물(H) copper compound

본 발명의 식각액 조성물은 추가로 구리 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 구리 화합물을 포함함으로써 금속막 식각시 씨디스큐(CD skew)가 변동되지 않고 유지될 수 있다.The etchant composition of the present invention may further include a copper compound, and by including the copper compound, CD skew may be maintained without fluctuation during metal film etching.

상기 구리 화합물은 황산 구리, 염화 구리 및 질산 구리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The copper compound may be at least one selected from the group consisting of copper sulfate, copper chloride, and copper nitrate.

상기 구리 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.05 내지 1.0 중량%로 포함된다. 상기 구리 화합물을 0.01 중량% 미만으로 포함하면 씨디 스큐(CD Skew)를 일관되게 식각하는 능력이 없고, 3 중량%를 초과하여 포함하면 한계 식각 능력이 떨어져 식각액의 성능이 저하된다.The copper compound is included in an amount of 0.01 to 3 wt%, preferably 0.05 to 1.0 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the present invention. When the copper compound is included in an amount of less than 0.01 wt %, there is no ability to consistently etch CD skew, and when the copper compound is included in an amount of more than 3 wt %, the limit etching ability is lowered, thereby deteriorating the performance of the etchant.

본 발명의 식각액 조성물은 상기에 언급한 성분들 외에 식각 조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, pH 조절제 및 이에 국한되지 않는 다른 첨가제로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들로부터 선택하여 사용할 수 있다.The etchant composition of the present invention may further include at least one selected from an etch control agent, a surfactant, a metal ion sequestrant, a pH control agent, and other additives, but not limited thereto, in addition to the above-mentioned components. The additive may be selected from additives commonly used in the art in order to further improve the effect of the present invention within the scope of the present invention.

본 발명의 식각액 조성물을 구성하는 성분들은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.The components constituting the etchant composition of the present invention preferably have a purity for semiconductor processing.

또한, 본 발명은Also, the present invention

(a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;(a) forming a gate wiring on the substrate;

(b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;(b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;

(c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;(c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;

(d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; and

(e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode; In the method of manufacturing an array substrate for a display device comprising:

상기 (a) 단계 및 (d) 단계 중 어느 한 단계 이상이, 상기 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 게이트 배선, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.Array for a display device, characterized in that at least one of steps (a) and (d) includes a step of etching with the etchant composition of the present invention to form respective gate wirings, source and drain electrodes It relates to a method of manufacturing a substrate.

상기 게이트 배선, 소스전극 또는 드레인 전극은 바람직하게는 티타늄계 금속막의 단일막, 또는 티타늄계 금속막/구리계 금속막의 이중막일 수 있으며, 상기 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선, 소스전극 또는 드레인 전극을 제조할 수 있다.The gate wiring, the source electrode, or the drain electrode may be a single film of a titanium-based metal film or a double film of a titanium-based metal film/copper-based metal film, and the metal film is etched with the etchant composition of the present invention to form a gate wiring, a source An electrode or a drain electrode can be manufactured.

상기 티타늄계 금속막 및 구리계 금속막에 대한 내용은 상술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.As for the titanium-based metal film and the copper-based metal film, the above-described content may be applied in the same manner.

또한, 상기 디스플레이 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.In addition, the array substrate for the display device may be a thin film transistor (TFT) array substrate.

또한, 본 발명은 상기 본 발명의 제조방법으로 제조된 디스플레이 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.In addition, the present invention relates to an array substrate for a display device manufactured by the manufacturing method of the present invention.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using Examples and Comparative Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the present invention is not limited by the following examples, and may be variously modified and changed. The scope of the present invention will be determined by the technical spirit of the claims to be described later.

실시예Example 1 내지 9 및 1 to 9 and 비교예comparative example 1 내지 6. 1 to 6. 식각액etchant 조성물 제조 composition preparation

하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량으로 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 제조하였으며, 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 탈이온수를 포함하였다.The etchant compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 were prepared with the composition and content shown in Table 1 below, and the remaining amount of deionized water was included so that the total weight of the composition was 100% by weight.

SPSSPS ABFABF 질산nitric acid ATZATZ NaClNaCl NH4ClNH 4 Cl CuSO4 CuSO 4 AcOHAcOH 실시예 1Example 1 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.010.01 -- -- 33 실시예 2Example 2 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.050.05 -- -- 33 실시예 3Example 3 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.090.09 -- -- 33 실시예 4Example 4 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 -- 0.010.01 -- 33 실시예 5Example 5 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 -- 0.050.05 -- 33 실시예 6Example 6 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 -- 0.090.09 -- 33 실시예 7Example 7 88 0.10.1 55 33 0.050.05 -- -- 1010 실시예 8Example 8 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.050.05 -- 0.20.2 33 실시예 9Example 9 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 -- 0.050.05 1One 33 비교예 1Comparative Example 1 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 -- -- -- 33 비교예 2Comparative Example 2 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.10.1 -- -- 33 비교예 3Comparative Example 3 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.70.7 -- -- 33 비교예 4Comparative Example 4 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 0.80.8 -- -- 33 비교예 5Comparative Example 5 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 1.01.0 -- -- 33 비교예 6Comparative Example 6 1515 0.50.5 3.03.0 1.31.3 2.02.0 -- -- 33

SPS : 과황산염,SPS: persulfate;

ABF : 중불화암모늄ABF: Ammonium bifluoride

ATZ : 5-아미노 테트라졸ATZ: 5-amino tetrazole

AcOH : 초산AcOH: acetic acid

실험예Experimental example 1. One. 식각액etchant 조성물의 특성 평가 Evaluation of the properties of the composition

유리기판(100mm100mm)상에 티타늄막/구리막의 이중막을 증착시키고 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 사용하여 식각공정을 실시하였다.After depositing a double layer of titanium film/copper film on a glass substrate (100 mm 100 mm) and forming a photoresist having a predetermined pattern on the substrate through a photolithography process, Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to The etching process was performed using each of the etchant compositions of 6 .

분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 30℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 100초 정도로 진행하였다. 상기 식각공정에서 식각된 티타늄막/구리막의 이중막의 배선 단락과 식각 프로파일인 사면 직진성 및 테이퍼 앵글을 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 하기 표 2에 나타내었으며, 평가 기준은 하기와 같다. Experimental equipment (model name: ETCHER (TFT), SEMES) of the spray-type etching method was used, and the temperature of the etchant composition during the etching process was about 30 ° C. can be changed. The etching time may vary depending on the etching temperature, but was generally performed for about 100 seconds. The wiring short circuit of the double film of the titanium film/copper film etched in the etching process and the slope straightness and taper angle, which are etching profiles, were inspected using SEM (made by Hitachi, model name S-4700), and the results are shown in Table 2 below. , the evaluation criteria are as follows.

<테이퍼 앵글 평가 기준><Taper Angle Evaluation Criteria>

O : 우수(도 1)O: Excellent (FIG. 1)

X : 불량(도 2, 3)X: bad (Fig. 2, 3)

<사면 직진성 평가 기준><Slope straightness evaluation criteria>

O : 우수(도 4)O: Excellent (FIG. 4)

X : 불량(도 5)X: bad (FIG. 5)

공정 특성상 테이퍼 앵글이 너무 낮으면 응답 효율이 떨어지며, 너무 높으면 전기적 과부하가 걸려 배선 터짐이 발생하여 불량의 원인이 되므로, 적정 수준의 우수한 테이퍼 앵글은 55 내지 70°이다.Due to the nature of the process, if the taper angle is too low, the response efficiency decreases, and if the taper angle is too high, an electrical overload occurs, causing wiring to break, causing defects.

또한, 상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물에 구리 3000ppm을 녹인 후, -9에서 최장 90일 까지 저온 보관하면서 석출물 발생 유무를 관찰하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 석출물이 발생하지 않은 것은 도 6과 같이 관찰되었으며, 석출물이 발생한 것은 도 7과 같이 관찰되었다.In addition, after dissolving 3000 ppm of copper in the etchant compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6, the presence or absence of precipitates was observed while storing at -9 for up to 90 days, and the results are shown in Table 2 below. . It was observed that the precipitate did not occur as shown in FIG. 6, and that the precipitate occurred was observed as shown in FIG. 7 .

배선단락
(배선 끊김)short circuit
(Wiring broken) 석출물precipitate 식각 프로파일etch profile 사면직진성slope straightness 테이퍼앵글taper angle 실시예 1Example 1 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 2Example 2 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 3Example 3 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 4Example 4 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 5Example 5 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 6Example 6 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 7Example 7 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 8Example 8 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 실시예 9Example 9 미발생non-occurring 미발생non-occurring OO OO 비교예 1Comparative Example 1 발생Occur 미발생non-occurring OO OO 비교예 2Comparative Example 2 미발생non-occurring 미발생non-occurring XX OO 비교예 3Comparative Example 3 미발생non-occurring 발생Occur XX OO 비교예 4Comparative Example 4 미발생non-occurring 발생Occur OO XX 비교예 5Comparative Example 5 미발생non-occurring 발생Occur OO XX 비교예 6Comparative Example 6 미발생non-occurring 발생Occur OO XX

상기 표 2의 결과에서, 본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1 내지 9는 배선 단락 및 석출물이 발생하지 않았으며, 사면 직진성 및 테이퍼 앵글 등의 식각 프로파일이 매우 우수한 것으로 관찰되었다.From the results of Table 2, it was observed that in Examples 1 to 9, which are the etchant compositions of the present invention, wiring short circuits and deposits did not occur, and etching profiles such as slope straightness and taper angle were very excellent.

반면, 염소 화합물을 포함하지 않은 비교예 1의 식각액 조성물은 배선 단락이 발생하였으며, 염소 화합물의 함량이 본 발명의 함량 범위보다 초과하여 포함된 비교예 2 내지 6의 식각액 조성물은 배선 단락, 석출물, 사면 직진성 및 테이퍼 앵글 중 하나 이상이 불량한 결과를 보였으며, 그 중에서도 특히 석출물이 발생하는 결과를 보였다.On the other hand, in the etchant composition of Comparative Example 1 that did not contain a chlorine compound, a wiring short circuit occurred, and the etchant composition of Comparative Examples 2 to 6 in which the chlorine compound content exceeded the content range of the present invention was included in the wiring short circuit, precipitates, At least one of slope straightness and taper angle showed poor results, and among them, precipitates were particularly generated.

따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수하며, 식각 시 석출물이 발생하지 않는다는 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the etchant composition of the present invention has an excellent etch profile, and no precipitates are generated during etching.

또한, 처리매수 진행에 따른 CD skew 변화를 확인하였다. In addition, CD skew changes according to the number of treated sheets were confirmed.

상기 처리매수는 1500ppm으로 진행하였으며, Ti 및 Cu 파우더를 동일한 비율로 첨가하였고, 200, 400, 600, 800, 1000 및 1500ppm에서의 처리매수 진행에 따른 CD skew를 측정하였으며, 결과를 하기 표 3에 나타내었다.The number of sheets to be treated was 1500 ppm, Ti and Cu powder were added in the same ratio, and CD skew according to the number of sheets to be treated at 200, 400, 600, 800, 1000 and 1500 ppm was measured, and the results are shown in Table 3 below. indicated.

처리매수 진행에 따른, CD Skew (㎛)CD Skew (㎛) according to the number of processed sheets 초기 CD Skew유지Maintain the initial CD Skew 0ppm0ppm 200ppm200ppm 400ppm400ppm 600ppm600ppm 800ppm800ppm 1000ppm1000ppm 1500ppm1500ppm 실시예 1Example 1 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 2Example 2 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 3Example 3 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 4Example 4 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 5Example 5 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 6Example 6 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 7Example 7 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 실시예 8Example 8 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 OO 실시예 9Example 9 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 0.900.90 OO 비교예 1Comparative Example 1 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 비교예 2Comparative Example 2 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 비교예 3Comparative Example 3 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 비교예 4Comparative Example 4 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 비교예 5Comparative Example 5 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX 비교예 6Comparative Example 6 0.900.90 0.900.90 0.820.82 0.860.86 0.900.90 0.900.90 0.900.90 XX

상기 표 3의 결과에서, 황산구리를 포함하지 않는 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물은 처리매수 400 및 600ppm에서 초기 CD skew를 유지하지 못하는 것을 확인할 수 있었다.From the results of Table 3, it was confirmed that the etchant compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 that do not contain copper sulfate did not maintain the initial CD skew at 400 and 600 ppm of treated sheets.

반면, 황산구리를 포함한 실시예 8 및 9의 식각액 조성물은 처리매수가 증가하더라도 초기 CD skew를 유지하였다.On the other hand, the etchant compositions of Examples 8 and 9 containing copper sulfate maintained the initial CD skew even when the number of treated sheets increased.

따라서, 식각액 조성물에 구리 화합물을 추가로 포함하였을 경우, CD skew가 변동되지 않고, 초기의 값을 유지하는 것을 알 수 있었다.Therefore, it was found that when a copper compound was additionally included in the etchant composition, CD skew did not fluctuate, and the initial value was maintained.

Claims (13)

조성물 총 중량에 대하여,
과황산염 0.5 내지 20 중량%;
불소 화합물 0.01 내지 2 중량%;
무기산 1 내지 10 중량%;
고리형 아민 화합물 0.5 내지 5 중량%;
염소 화합물 0.01 내지 0.1 중량% 미만;
유기산 또는 유기산염 1 내지 20 중량%; 및
식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물.with respect to the total weight of the composition,
0.5 to 20% by weight of persulfate;
0.01 to 2% by weight of a fluorine compound;
1 to 10% by weight of an inorganic acid;
0.5 to 5 wt% of a cyclic amine compound;
0.01 to less than 0.1% by weight of a chlorine compound;
1 to 20% by weight of an organic acid or an organic acid salt; and
An etchant composition comprising the remaining amount of water such that the total weight of the etchant composition is 100% by weight. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 티타늄계 금속막으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막 및 구리계 금속막을 포함하는 다층막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1 , wherein the etchant composition etches a single film made of a titanium-based metal film or a multilayer film including the single film and a copper-based metal film. 청구항 1에 있어서, 과황산염은 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 1, wherein the persulfate comprises at least one selected from the group consisting of potassium persulfate, sodium persulfate and ammonium persulfate. 청구항 1에 있어서, 상기 불소 화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 1, wherein the fluorine compound comprises at least one selected from the group consisting of ammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, ammonium bifluoride, sodium bifluoride and potassium bifluoride. 청구항 1에 있어서, 상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, wherein the inorganic acid comprises at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and perchloric acid. 청구항 1에 있어서, 상기 고리형 아민 화합물은 5-아미노테트라졸, 이미다졸, 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리딘, 피롤린, 5-메틸테트라졸, 1-메틸-5-아미노테트라졸 및 1-에틸-5-아미노테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method according to claim 1, wherein the cyclic amine compound is 5-aminotetrazole, imidazole, indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole, pyrrolidine, pyrroline, 5-methyltetrazole, 1-methyl An etchant composition comprising at least one selected from the group consisting of -5-aminotetrazole and 1-ethyl-5-aminotetrazole. 청구항 1에 있어서, 상기 염소 화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨, 염화암모늄, 염화에탄술포닐 및 염화메탄술포닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, wherein the chlorine compound comprises at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid, sodium chloride, potassium chloride, ammonium chloride, ethanesulfonyl chloride and methanesulfonyl chloride. 청구항 1에 있어서, 상기 유기산은 니코틴산, 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며,
상기 유기산염은 상기 유기산의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물. The method according to claim 1, wherein the organic acid is nicotinic acid, acetic acid, butanoic acid, citric acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, malonic acid, oxalic acid, pentanoic acid, sulfobenzoic acid, sulfosuccinic acid, sulfophthalic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, It contains at least one selected from the group consisting of lactic acid, glyceric acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid, isocitric acid, propenoic acid, iminodiacetic acid and ethylenediaminetetraacetic acid,
The organic acid salt is an etchant composition comprising at least one selected from the group consisting of a sodium salt, a potassium salt and an ammonium salt of the organic acid. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 추가로 식각액 조성물 총 중량에 대하여 구리 화합물을 0.01 내지 3 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, wherein the etchant composition further comprises 0.01 to 3% by weight of a copper compound based on the total weight of the etchant composition. 청구항 9에 있어서, 상기 구리 화합물은 황산 구리, 염화 구리 및 질산 구리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 9, wherein the copper compound comprises at least one selected from the group consisting of copper sulfate, copper chloride, and copper nitrate. (a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
(d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (a) 단계 및 (d) 단계 중 어느 한 단계 이상이, 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 게이트 배선, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법.(a) forming a gate wiring on the substrate;
(b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
(c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
(d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; and
(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode; In the method of manufacturing an array substrate for a display device comprising:
Any one or more of steps (a) and (d) comprises a step of etching with the etchant composition of any one of claims 1 to 10 to form gate wirings, source and drain electrodes, respectively A method of manufacturing an array substrate for a display device. 청구항 11에 있어서, 디스플레이 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 11 , wherein the array substrate for a display device is a thin film transistor (TFT) array substrate. 청구항 12항의 제조방법으로 제조된 디스플레이 장치용 어레이 기판.An array substrate for a display device manufactured by the method of claim 12 .
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