KR102289801B1

KR102289801B1 - 파티클 발생 억제 방법 및 진공 장치

Info

Publication number: KR102289801B1
Application number: KR1020180118983A
Authority: KR
Inventors: 다카시 데츠카; 히로시 나가이케; 마사토모 기타; 지히로 사토; 나오야 스에나가
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2017-10-06
Filing date: 2018-10-05
Publication date: 2021-08-12
Anticipated expiration: 2038-10-05
Also published as: TWI756475B; US20190108987A1; TW201929032A; KR20190039874A; US10643825B2

Abstract

본 발명은, 파티클의 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다.
알루마이트 처리된 부품을 갖는 진공 장치의 파티클 발생 억제 방법으로서, 상기 진공 장치 내를 배기하여 강압하고, 상기 진공 장치 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하는 배기 공정과, 상기 배기 공정 후에, 상기 진공 장치 내를 대기압으로 승압하는 승압 공정과, 상기 승압 공정 후에, 상기 알루마이트 처리된 부품에 수분을 부착시키는 수분 부착 공정을 갖는 파티클 발생 억제 방법이 제공된다.

Description

파티클 발생 억제 방법 및 진공 장치{METHOD FOR SUPPRESSING PARTICLE GENERATION AND VACUUM APPARATUS}

본 발명은, 파티클 발생 억제 방법 및 진공 장치에 관한 것이다.

진공 장치에서 발생하는 파티클의 양은, 진공 장치 내의 수분량과 서로 관련이 있는 것이 알려져 있다. 그래서 프로세스 중의 파티클의 발생을 저감하기 위해서, 진공 처리실 내를 감압한 후, 진공 처리실 내에 불활성 가스를 도입하고, 그 후 다시 진공 처리실 내를 감압한다고 하는 공정을 반복함으로써, 진공 장치 내의 수분량을 저감시키는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).

일본 특허 공개 제2008-305953호 공보

본 개시는, 진공 장치 내에서 발생하는 파티클의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 일 양태에 따르면, 알루마이트 처리된 부품을 갖는 진공 장치의 파티클 발생 억제 방법으로서, 상기 진공 장치 내를 배기하여 강압하고, 상기 진공 장치 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하는 배기 공정과, 상기 배기 공정 후에, 상기 진공 장치 내를 대기압으로 승압하는 승압 공정과, 상기 승압 공정 후에, 상기 알루마이트 처리된 부품에 수분을 부착시키는 수분 부착 공정을 갖는 파티클 발생 억제 방법이 제공된다.

일 측면에 따르면, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

도 1은 일 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 전체 구성의 일례를 나타낸 도면.
도 2는 일 실시형태에 따른 기판 처리실의 구성의 일례를 나타낸 단면도.
도 3은 일 실시형태에 따른 반송실의 구성의 일례를 나타낸 단면도.
도 4는 일 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 처리의 일례를 나타낸 흐름도.
도 5는 일 실시형태에 따른 배기 시간과 이온 전류의 변화의 관계를 나타낸 도면.
도 6은 일 실시형태에 따른 진공 용기에서 발생하는 파티클수의 추이를 나타낸 도면.
도 7은 일 실시형태에 따른 파티클의 추정 모델을 나타낸 도면.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙임으로써 중복된 설명을 생략한다.

[개요]

본 발명자가 행한 실험에 의해, 알루마이트 처리된 부품(이하, 「알루마이트 부품」이라고도 함)을 갖는 진공 장치에서는, 단순히 감압과 불활성 가스의 도입을 반복하는 것만으로는, 파티클의 발생을 억제할 수 없다고 하는 지견을 얻었다. 또한, 신규로 출하된 진공 장치에 있어서 특히 그것이 현저하다고 하는 지견도 얻었다. 그래서, 본 개시는, 이상의 지견을 고려하여 진공 장치 내에서 발생하는 파티클의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.

[반도체 제조 장치의 전체 구성]

우선, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(10)의 종단면의 구성의 일례에 대해서, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1에 도시된 반도체 제조 장치(10)는 클러스터 구조(멀티 챔버 타입)의 장치이며, 반송실(VTM)이나 기판 처리실(PM)은 진공 장치의 일례이다.

도 1의 반도체 제조 장치(10)는, 기판 처리실(Process Module)(PM1∼PM6), 반송실(VTM)(Vacuum Transfer Module), 로드록실(Load Lock Module)(LLM1, LLM2), 로더 모듈(LM)(Loader Module) 및 로드 포트(Load Port)(LP1∼LP3)를 갖는다.

반도체 제조 장치(10)는, 제어부(100)에 의해 제어되고, 기판의 일례인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 「웨이퍼(W)」라고도 함)에 소정의 처리를 행한다.

기판 처리실(PM1∼PM6)은, 반송실(VTM)에 인접하여 배치된다. 기판 처리실(PM1∼PM6)을, 총칭하여, 기판 처리실(PM)이라고도 한다. 기판 처리실(PM1∼PM6)과 반송실(VTM)은, 게이트 밸브(GV)의 개폐에 의해 연통한다. 기판 처리실(PM1∼PM6)은, 소정의 진공 분위기로 감압되고, 그 내부에서 웨이퍼(W)에 에칭 처리, 성막 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등의 처리가 행해진다.

반송실(VTM)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(VA)가 배치되어 있다. 반송 장치(VA)는, 굴신(屈伸) 및 회전이 자유로운 2개의 로봇 아암(AC, AD)을 갖는다. 각 로봇 아암(AC, AD)의 선단부에는, 각각 픽(C, D)이 부착되어 있다. 반송 장치(VA)는, 픽(C, D)의 각각에 웨이퍼(W)를 유지 가능하고, 게이트 밸브(GV)의 개폐에 따라 기판 처리실(PM1∼PM6)과 반송실(VTM) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행한다. 또한, 반송 장치(VA)는, 게이트 밸브(GV)의 개폐에 따라 반송실(VTM)과 로드록실(LLM1, LLM2) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행한다.

로드록실(LLM1, LLM2)은, 반송실(VTM)과 로더 모듈(LM) 사이에 마련되어 있다. 로드록실(LLM1, LLM2)은, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하여, 웨이퍼(W)를 대기측의 로더 모듈(LM)에서 진공측의 반송실(VTM)로 반송하거나, 진공측의 반송실(VTM)에서 대기측의 로더 모듈(LM)로 반송하거나 한다.

로더 모듈(LM)에는, 로드 포트(LP1∼LP3)가 마련되어 있다. 로드 포트(LP1∼LP3)에는, 예컨대 25장의 웨이퍼(W)가 수납된 FOUP(Front Opening Unified Pod) 또는 빈 FOUP가 배치된다. 로더 모듈(LM)은, 로드 포트(LP1∼LP3) 내의 FOUP로부터 반출된 웨이퍼(W)를 로드록실(LLM1, LLM2) 중 어느 하나로 반입하고, 로드록실(LLM1, LLM2) 중 어느 하나로부터 반출된 웨이퍼(W)를 FOUP로 반입한다.

제어부(100)는, CPU(Central Processing Unit)(101), ROM(Read Only Memory)(102), RAM(Random Access Memory)(103) 및 HDD(Hard Disk Drive)(104)를 갖는다. 제어부(100)는, HDD(104)에 한정되지 않고 SSD(Solid State Drive) 등의 다른 기억 영역을 가져도 좋다. HDD(104), RAM(103) 등의 기억 영역에는, 프로세스의 절차, 프로세스의 조건, 반송 조건 등이 설정된 레시피가 저장되어 있다.

CPU(101)는, 레시피에 따라 기판 처리실(PM)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하고, 웨이퍼(W)의 반송을 제어한다. 또한, CPU(101)는, 본 실시형태에 따른 가스 도입, 배기 제어 등의 프로세스 처리 및 파티클의 측정 등을 제어한다. HDD(104)나 RAM(103)에는, 예컨대 기판 반송 처리나 클리닝 처리나 배기 제어 처리 등을 실행하기 위한 프로그램이 기억되어도 좋다. 이들 프로그램은, 기억 매체에 저장하여 제공되어도 좋고, 네트워크를 통해 외부 장치로부터 제공되어도 좋다.

또한, 기판 처리실(PM), 로드록실(LLM) 및 로드 포트(LP)의 수는, 본 실시형태에서 나타내는 개수에 한정되지 않고, 1 이상 설정되어 있으면 좋다.

[기판 처리실의 구성]

다음에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리실(PM)의 구성의 일례에 대해서, 도 2를 참조하면서 설명한다. 여기서, 기판 처리실(PM)은, 진공 용기(11) 내에서 플라즈마를 생성하고, 플라즈마의 작용에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 수행하는 장치이다.

기판 처리실(PM)은, 내부를 밀폐 가능한 통 형상의 진공 용기(11)를 갖고 있다. 진공 용기(11)는, 접지 전위에 접속되어 있다. 진공 용기(11)는, 알루미늄으로 형성되고, 그 표면이 알루마이트 가공되어도 좋다. 기판 처리실(PM) 및 내부의 각 구성 부품의 일부에는, 알루마이트 가공된 부재 또는 부분을 갖는 알루마이트 부품이 이용되고 있다. 알루마이트 부품이란, 알루미늄의 표면을 양극 산화 처리하고, 부재의 표면에 산화알루미늄(Al₂O₃)의 피막을 생성시키는 알루마이트 처리가 행해진 부품이다. 예컨대 알루미늄제의 배기 플레이트(14) 등에 알루마이트 처리가 행해진 것을 알루마이트 부품의 일례로서 들 수 있다. 진공 용기(11)도 알루미늄의 내벽이 알루마이트 처리되어 있는 경우, 알루마이트 부품의 일례가 된다.

또한, 진공 용기(11)는, 게이트 밸브(GV)의 개폐에 의해, 반송실(VTM)과 연통한다. 진공 용기(11)의 내부에는, 도전성 재료, 예컨대 알루미늄 등으로 구성된 배치대(12)가 마련되어 있다. 배치대(12)는, 웨이퍼(W)를 배치하는 원주형의 대이며, 하부 전극을 겸하고 있다. 진공 용기(11)의 측벽과 배치대(12)의 측면 사이에는, 배치대(12)의 위쪽의 가스를 진공 용기(11) 밖으로 배출하는 경로가 되는 배기로(13)가 형성되어 있다. 배기로(13)의 중간에는 배기 플레이트(14)가 배치된다. 배기 플레이트(14)는, 다수의 구멍을 갖는 판형 부재이며, 진공 용기(11)를 상부와 하부로 나누는 칸막이판으로서 기능한다. 배기 플레이트(14)에 의해 나누어진 진공 용기(11)의 상부는, 플라즈마 처리가 실행되는 반응실(17)이다.

또한, 진공 용기(11) 하부의 배기실(매니폴드)(18)에는, 진공 용기(11) 내의 가스를 배출하는 배기관(15)이 접속되어 있다. 배기관(15)에는, 자동 압력 제어(APC: Adaptive Pressure Control) 밸브(16)가 접속되어 있다. 배기 플레이트(14)는, 반응실(17)에서 생성되는 플라즈마를 포착 또는 반사하여 배기실(18)로의 누설을 방지한다. 배기관(15)에는, APC 밸브(16)를 통해 터보 분자 펌프(TMP: Turbo Molecular Pump)(40) 및 드라이 펌프(DP: Dry Pump)(41)가 접속되고, 이들 배기 장치는, 진공 용기(11) 내를 배기하여 감압한다.

구체적으로는, 드라이 펌프(41)는, 진공 용기(11) 내를 대기압에서 중진공 상태(예컨대, 1.3×10 Pa(0.1 Torr) 이하)까지 감압한다. 그 때, 드라이 펌프(41)와 진공 용기(11)를 잇는 배관(바이패스 루트)에 설치된 밸브(43)가 개방되고, TMP(40)와 드라이 펌프(41)를 잇는 배관에 설치된 밸브(42)가 폐쇄된다.

TMP(40)는, 드라이 펌프(41)와 협동하여 진공 용기(11) 내를 중진공 상태보다 낮은 압력인 고진공 상태(예컨대, 1.3×10^-3 Pa(1.0×10^-5 Torr) 이하)까지 감압한다. 그 때, 밸브(43)가 폐쇄되고, 밸브(42)가 개방된다.

제1 고주파 전원(19)은, 정합기(20)를 통해 배치대(12)에 접속되고, 예컨대 400 kHz∼13.56 MHz의 바이어스용 고주파 전력을 배치대(12)에 공급한다. 정합기(20)는, 배치대(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 억제하여, 바이어스용 고주파 전력의 배치대(12)로의 공급 효율을 최대로 한다.

배치대(12)의 상부에는, 정전 전극판(21)을 내부에 갖는 정전척(22)이 배치되어 있다. 정전척(22)은, 하부 원판형 부재 위에, 하부 원판형 부재보다 직경이 작은 상부 원판형 부재를 중첩시킨 형상을 갖는다. 또한, 정전척(22)은 알루미늄으로 이루어지고, 상면에는 세라믹 등이 용사되어 있다. 배치대(12)에 웨이퍼(W)를 배치할 때, 웨이퍼(W)는, 정전척(22)의 상부 원판형 부재 위에 놓여진다.

정전 전극판(21)에는, 직류 전원(23)이 접속되어 있다. 정전 전극판(21)에 플러스의 직류 전압이 인가되면, 웨이퍼(W)의 이면(정전척(22)측의 면)에 부전위가 발생하여 정전 전극판(21) 및 웨이퍼(W)의 이면 사이에 전위차가 생긴다. 웨이퍼(W)는, 이 전위차에 기인하는 쿨롱력에 의해, 정전척(22)에 있어서의 상부 원판형 부재 상에 정전 흡착되어, 유지된다.

또한, 정전척(22)에는, 웨이퍼(W)의 주연부를 둘러싸도록, 원환형의 포커스링(24)이 배치된다. 포커스링(24)은, 도전성 부재, 예컨대 실리콘으로 이루어지며, 반응실(17)에 있어서 플라즈마를 웨이퍼(W)의 표면을 향해 수속하고, 에칭 처리의 효율을 향상시킨다.

또한, 배치대(12)의 내부에는, 예컨대 원주 방향으로 연장되는 환형의 냉매실(25)이 마련된다. 이 냉매실(25)에는, 냉매용 배관(26)을 통해 칠러 유닛으로부터 저온의 냉매, 예컨대 냉각수나 갈덴(galden)(등록상표)이 순환 공급된다. 이 저온의 냉매에 의해 냉각된 배치대(12)는, 정전척(22)을 통해 웨이퍼(W) 및 포커스링(24)을 냉각한다.

정전척(22)에 있어서의 상부 원판형 부재 상의 웨이퍼(W)가 흡착되는 면(흡착면)에는, 복수의 전열 가스 공급 구멍(27)이 개구되어 있다. 이들 복수의 전열 가스 공급 구멍(27)에는, 전열 가스 공급 라인(28)을 통해 헬륨(He) 가스 등의 전열 가스가 공급된다. 전열 가스는, 전열 가스 공급 구멍(27)을 통해 정전척(22)의 흡착면과 웨이퍼(W)의 이면과의 간극에 공급된다. 그 간극에 공급된 전열 가스는, 웨이퍼(W)의 열을 정전척(22)에 전달한다.

진공 용기(11)의 천장부에는, 배치대(12)와 대향하도록 샤워 헤드(29)가 배치되어 있다. 제2 고주파 전원(31)은, 정합기(30)를 통해 샤워헤드(29)에 접속되고, 예컨대 40 MHz 정도의 플라즈마 여기용 고주파 전력을 샤워 헤드(29)에 공급한다. 즉, 샤워 헤드(29)는, 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(30)는, 샤워 헤드(29)로부터의 고주파 전력의 반사를 억제하여, 플라즈마 여기용 고주파 전력의 배치대(12)로의 공급 효율을 최대로 한다.

샤워 헤드(29)는, 다수의 가스 구멍(32)을 갖는 천장 전극판(33)과, 천장 전극판(33)을 착탈 가능하게 매달아 지지하는 쿨링 플레이트(34)와, 쿨링 플레이트(34)를 덮는 덮개(35)를 갖는다. 또한, 쿨링 플레이트(34)의 내부에는, 버퍼실(36)이 마련되고, 버퍼실(36)에는 가스 도입관(37)이 접속되어 있다. 샤워 헤드(29)는, 가스 도입관(37)으로부터 버퍼실(36)에 공급된 가스를, 다수의 가스 구멍(32)을 통해 반응실(17) 내에 공급한다.

진공 용기(11)의 상부에는, 샤워 헤드(29)를 포함하고, 진공 용기(11)에 대하여 착탈 가능한 덮개(38)가 배치되어 있다. 진공 용기(11)와 덮개(38) 사이에는, 주위를 시일하는 O링 등의 시일 부재(39)가 마련되어 있다. 진공 용기(11)로부터 덮개(38)를 이탈시키면, 작업자는 진공 용기(11)의 벽면이나 구성 부품에 직접 닿을 수 있다. 이에 따라, 작업자는, 진공 용기(11)의 벽면이나 구성 부품의 표면을 클리닝할 수 있어, 진공 용기(11)의 벽면 등에 부착된 부착물을 제거할 수 있다.

기판 처리실(PM)에서는, 바이어스용 고주파 전력은, 인가되어도 좋고, 인가되지 않아도 좋다. 반응실(17) 내에 적어도 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가함으로써, 샤워 헤드(29)로부터 공급된 가스로부터 플라즈마가 생성되고, 그 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 에칭 등의 플라즈마 처리가 행해진다.

또한, 기판 처리실(PM)의 각 구성 부품의 동작은, 반도체 제조 장치(10)의 전체를 제어하는 제어부(100)와 제어부(200)가 연계되어 제어하여도 좋다.

[반송실의 구성]

다음에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반송실(VTM)의 종단면의 구성의 일례에 대해서, 도 3을 참조하면서 설명한다. 여기서, 반송실(VTM)은, 반송 장치(VA)를 이용하여 기판 처리실(PM1∼PM6)과 로드록실(LLM1, LLM2) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 장치이다.

반송실(VTM)은, 내부를 밀폐 가능한 통 형상의 진공 용기(51)를 갖고 있다. 진공 용기(51)는, 알루미늄에 의해 형성되고, 그 표면이 알루마이트 가공되어도 좋다. 진공 용기(51)는, 게이트 밸브(GV)의 개폐에 의해, 기판 처리실(PM1∼PM6)과 연통한다. 진공 용기(51)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(VA)가 배치되어 있다. 반송 장치(VA)는, 굴신 및 회전이 자유로운 2개의 로봇 아암(AC, AD)을 가지며, 각 로봇 아암(AC, AD)의 선단부에는, 각각 픽(C, D)이 부착되어 있다.

반송실(VTM)의 각 구성 부품의 일부에는, 알루마이트 부품이 이용되고 있다. 예컨대, 반송 장치(VA)의 알루미늄제의 로봇 아암(AC, AD) 등이 알루마이트 부품이다. 진공 용기(51)도, 알루미늄의 내벽이 알루마이트 처리되어 있는 경우, 알루마이트 부품의 일례가 된다.

또한, 진공 용기(51)의 하부에는, 진공 용기(51) 내의 가스를 배출하는 배기관(52)이 접속되어 있다. 배기관(52)에는, 드라이 펌프(DP: Dry Pump)(53)가 접속되고, 드라이 펌프(53)는, 진공 용기(51) 내를 배기하여 감압한다. 구체적으로는, 드라이 펌프(53)는, 진공 용기(51) 내를 대기압에서 중진공 상태(예컨대, 1.3×10 Pa(0.1 Torr) 이하)까지 감압한다.

진공 용기(51)의 측벽에는, 진공 용기(51)의 내부에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급 라인(54)과, 건조 가스 공급 라인(54)을 개폐하는 밸브(55)가 설치되어, 밸브(55)의 개폐에 의해 건조 가스를 진공 용기(51)의 내부에 공급할 수 있도록 되어 있다. 건조 가스로는, 드라이 에어 등의 건조 기체나, 질소(N₂) 가스나 희가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다. 또한, 진공 용기(11)에도 마찬가지로, 건조 가스의 공급 라인과 밸브가 설치되어, 드라이 에어 등의 건조 가스를 진공 용기(11)의 내부에 공급할 수 있도록 되어 있어도 좋다.

또한, 진공 용기(51)의 천장부는, 알루미늄의 표면이 알루마이트 가공되고, 진공 용기(51)에 마련된 개구부(56)를 폐색하는 덮개(57)가 배치되어 있다. 또한, 진공 용기(51)와 덮개(57) 사이에는 개구부(56)의 주위를 시일하는 O링 등의 시일 부재(58)가 마련되어 있다.

덮개(57)는, 진공 용기(51)에 대하여 착탈 가능하고, 덮개(57)를 개방하면, 작업자는 진공 용기(51)의 벽면이나 구성 부품에 직접 닿을 수 있다. 이에 따라, 작업자는, 진공 용기(51)의 벽면이나 구성 부품의 표면을 클리닝할 수 있어, 진공 용기(51)의 벽면 등에 부착된 부착물을 제거할 수 있다.

또한, 진공 용기(51)의 내부에는, 진공 용기(51) 내의 수분량을 모니터링하기 위해서, 4중극형 질량 분석 장치(QMS: Quadrupole Mass Spectrometer)(59)가 부착되어 있다. QMS(59)는, 4중극 매스 필터를 이용하여, 분석 대상인 시료 유래의 이온을 질량 전하비에 따라 분리하고, 검출하는 질량 분석 장치의 일례이다.

이에 따라, 피측정 공간 내에 존재하는 분자의 양을 확인할 수 있다. 여기서는, QMS(59)는, 검출한 진공 용기(51) 내의 수분량에 비례하는 이온 전류를 출력한다. 또한, 진공 용기(51) 내의 수분량을 검출할 수 있는 것이면, 적외 흡수·발광 분석 장치나 ICP 질량 분석 장치 등, 어느 장치를 이용하여도 좋다. 또한, 진공 용기(11)에도 마찬가지로, QMS 등이 부착되어도 좋다.

반송실(VTM)의 각 구성 부품의 동작은, 반도체 제조 장치(10)의 전체를 제어하는 제어부(100)와 제어부(300)가 연계되어 제어하여도 좋다.

[파티클 발생 억제 방법]

다음에, 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 처리의 일례를 나타낸 흐름도이다. 본 실시형태에서는, 반송실(VTM)의 진공 용기(51)의 파티클 발생 억제에 대해서 설명하지만, 기판 처리실(PM)의 진공 용기(11)의 파티클 발생 억제에 대해서도 동일하다. 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 처리는, 주로 제어부(100)에 의해 실행되지만, 반송실(VTM)의 제어부(300)에 의해 또는 제어부(100)와 연계되어 실행되어도 좋다.

우선, 제어부(100)는, 드라이 펌프(53)에 의해 클린룸 내에 설치한 반송실(VTM)의 진공 용기(51)의 배기를 시작하고(단계 S11), 진공 용기(51) 내의 압력을 대기압에서 중진공 상태(예컨대, 1.3×10 Pa(0.1 Torr) 정도)까지 감압한다.

계속해서, 제어부(100)는, 반송실(VTM)과 기판 처리실(PM) 사이의 게이트 밸브(GV)를 개방한다(단계 S12). 다음에, 제어부(100)는, 반송실(VTM)의 진공 용기(51)를 기판 처리실(PM)의 TMP(40)에 의해 배기하고, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내의 압력이 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하가 되도록 제어한다(단계 S13).

여기서, 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 한 것은, 진공 용기(51) 내의 알루마이트 부품에 포함되는 수분의 제거를 충분히 수행하기 위해서, 기판 처리실(PM)의 TMP(40)로 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내를 진공화함으로써 도달 가능한 진공이며, 반송실(VTM)의 드라이 펌프(53)만으로는 도달 불가능한 진공도로서 설정한 것이다.

계속해서, 제어부(100)는, 배기 시간이 제1 설정 시간을 경과할 때까지 대기하고(단계 S14), 경과 후, 반송실(VTM)과 기판 처리실(PM) 사이의 게이트 밸브(GV)를 폐쇄한다(단계 S16). 또한, 제1 설정 시간은, 진공 용기 내에 건조 가스를 도입하기 전에 TMP(40)에 의해 배기한 시간이다.

다음에, 제어부(100)는, 건조 가스 공급 라인(54)을 개폐하는 밸브(55)를 개방하여 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하고, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내를 대기압으로 한다(단계 S17). 이에 따라, 덮개(57)가 개방 가능한 상태가 된다. 그래서, 다음에, 반송실(VTM)의 덮개(57)가 개방된다(단계 S18). 덮개(57)가 개방됨으로써, 진공 용기(51) 내부가 대기에 노출된다.

계속해서, 반송실(VTM)의 덮개(57)가 폐쇄된다(단계 S19). 다음에, 제어부(100)는, 드라이 펌프(53)에 의한 반송실(VTM)의 배기를 시작한다(단계 S20). 다음에, 제어부(100)는, 반송실(VTM)을 드라이 펌프(53)에 의해 배기하고 있는 상태에서, 반송실(VTM) 내에 웨이퍼(W)를 반입한다. 반송실(VTM) 내에서 웨이퍼(W)를 픽으로 유지한 채로 일정 기간 방치(시팅)하고, 그 후, FOUP에 반송한다(단계 S21). 계속해서, 제어부(100)는, 반송실(VTM)과 기판 처리실(PM) 사이의 게이트 밸브(GV)를 개방한다(단계 S22).

다음에, 제어부(100)는, 반송실(VTM)의 진공 용기(51)를 기판 처리실(PM)의 TMP(40)에 의해 배기하고, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내의 압력이 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하가 되도록 제어한다(단계 S23).

계속해서, 제어부(100)는, 배기 시간이 제2 설정 시간을 경과할 때까지 대기하고(단계 S24), 경과 후, 반송실(VTM)과 기판 처리실(PM) 사이의 게이트 밸브(GV)를 폐쇄한다(단계 S25).

다음에, 제어부(100)는, 반송실(VTM)을 드라이 펌프(53)에 의해 배기하고 있는 상태에서, 반송실(VTM) 내에 웨이퍼(W)를 시팅한 후, 시팅 후의 웨이퍼(W)를 FOUP에 반송한다(단계 S26). 계속해서, 파티클 측정기에 그 FOUP를 세트하고, 단계 S21 및 단계 S26에서 반송실(VTM) 내에 시팅한 웨이퍼(W) 상의 파티클의 수를 측정한다(단계 S27). 다음에, 측정한 파티클수가 임계값을 하회했는지가 판정된다(단계 S28). 웨이퍼(W) 상의 파티클의 수는, 파티클에 의한 산란광을 검출하는 검출기를 이용하여 카운트할 수 있다.

측정한 파티클수가 임계값을 하회한 경우, 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능한 정도로 반송실(VTM) 내의 배기를 행했다고 판단되어, 본 처리를 종료한다. 한편, 측정한 파티클수가 임계값을 하회하고 있지 않은 경우, 단계 S12로 되돌아가, 재차, 반송실(VTM) 내의 진공화가 시작되고, 단계 S12 이후의 처리를 행한다. 측정한 파티클수가 임계값을 하회했다고 판정할 때까지, 단계 S12∼S28의 처리가 반복된다. 또한, 단계 S28의 판정은, 파티클 측정기의 측정 결과에 기초하여 오퍼레이터가 수행하여도 좋고, 제어부(100)가 수행하여도 좋다.

이와 같이 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법에서는, TMP(40)에 의한 제1 설정 시간의 진공화를 수행하여, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하는 배기 공정에서, 진공 용기(51) 내의 알루마이트 부품에 내재하는 수분을 충분히 제거한다. 그 후, 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하여 진공 용기(51) 내를 대기압으로 승압하는 승압 공정을 행한다. 그리고, 승압 공정 후에 진공 용기(51)의 덮개(57)를 개방하고, 진공 용기(51) 내를 대기에 노출시키는 노출 공정을 행한다. 이에 따라, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내의 알루마이트 부품으로부터의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법에서는, 노출 공정 후에, 소정 조건에 기초하여 파티클수의 측정을 수행하여, 파티클수가 임계값을 하회했는지 여부를 판정한다. 즉, 배기 공정, 승압 공정 및 노출 공정은, 측정한 파티클수가 임계값을 하회할 때까지 반복하여 행해진다. 이에 따라, 진공 용기(51) 내의 파티클의 발생을 확실하게 억제할 수 있다. 단, 시팅 및 이것에 따르는 파티클 측정은, 반드시 수행하지는 않아도 좋다.

또한, 노출 공정 후에 소정 조건에 기초하여 수행하는 진공 용기(51) 내의 파티클수의 측정에 있어서의 소정 조건으로는, 노출 공정 후의 진공화에 관한 조건 및 진공 용기(51) 내의 파티클수의 측정에 관한 조건을 포함한다. 진공화에 관한 조건으로는, 진공화 시간(제2 설정 시간) 등을 일례로서 들 수 있고, 파티클수의 측정에 관한 조건으로는, 웨이퍼(W)를 진공 용기(51)에 시팅하는 시간 등을 일례로서 들 수 있다.

여기서, 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법에 의한 결과의 일례를, 도 5를 참조하면서 설명한다. 배기 공정에서는, 진공 용기(51) 내를 드라이 펌프(53)에 의해 배기한 후, TMP(40)에 의해 72시간 배기하였다. 그 후, 승압 공정에서는, 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하여 진공 용기(51) 내를 대기압으로 하였다. 그 후, 덮개(57)를 개폐하여, 진공 용기(51) 내를 드라이 펌프(53)로 배기한 후, TMP(40)로 110시간 배기한 경우에 있어서의 진공 용기(51) 내의 수분량을 측정하였다. 도 5에 도시된 배기 공정의 배기 시간은, 제1 설정 시간의 일례이다. 또한, 덮개를 개방 후 행한 배기 시간은, 제2 설정 시간의 일례이다. 이 때의 진공 용기(51) 내의 수분량의 감소의 정도는, 도 5의 종축의 이온 전류에 의해 간접적으로 표시된다.

도 5에 있어서, TMP(40)에 의해 진공 용기(51) 내를 72시간 연속하여 진공화함으로써, 진공 용기(51) 내의 수분량은 연속적으로 감소하고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 배기 공정 및 승압 공정에 의해, TM의 진공 용기(51) 내의 수분을 충분히 제거함으로써, 알루마이트 부품으로부터의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

기판 처리실(PM)의 TMP(40)에 의한 진공화(배기 공정)는, 이온 전류의 감소량이 보합 상태(즉, 계속하여도 감소를 기대할 수 없는 상태)가 될 때까지 계속된다. 배기 공정 사이에 시팅에 의한 파티클 측정을 수행하여, 상기 결과로 판단하여도 좋다. 또한, 이들 결과로부터 제1 설정 시간을 미리 설정하여도 좋다. 그 후, 건조 가스를 도입하여 대기압까지 승압을 수행하고(승압 공정), 그 후 덮개를 개방한다(노출 공정).

덮개 개방에 의해, 일시적으로 수분량(이온 전류량)이 증가하지만, 그 후의 드라이 펌프(53) 및 TMP(40)에 의한 진공화에 의해, 노출 공정 이전에서 보합 상태로 되어 있던 수분량(이온 전류량)이 더욱 감소하고 있는 것을 알 수 있다.

이상으로 설명한 노출 공정 후에, 반송실(VTM)의 진공 용기(51)에 설치된 드라이 펌프(53)에 의해 진공 용기(51) 내를 배기하는 제3 배기 공정을 행한다. 또한, 제3 배기 공정 후에, 기판 처리실(PM)과 반송실(VTM) 사이에 설치된 게이트 밸브(GV)를 개방하는 개방 공정과, 기판 처리실(PM)에 설치된 TMP(40)에 의해 진공 용기(51) 내를 배기하는 제4 배기 공정이 행해진다.

[진공 용기에서 발생하는 파티클의 수]

다음에, 노출 공정 전후에서, 설정한 소정 조건(진공화 조건, 시팅 시간) 하에서 파티클수를 측정한 결과의 일례에 대해서, 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5와 도 6은 각각 본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법을 실행한 결과이다.

여기서, 드라이 펌프(53)로 진공 용기(51) 내를 배기한 후, TMP(40)에 의해 진공 용기(51) 내를 진공화하고 있는 동안, 진공 용기(51)에서 발생하는 파티클의 수를 단속적으로 측정하였다. 이 때의 파티클의 수의 추이를 도 6에 나타낸다. 도 6의 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 파티클의 수의 추이를 대수 표시로 나타내고 있다. 예컨대, 제1 배기 공정인 드라이 펌프(DP)에 의한 배기시, 제2 배기 공정인 TMP(40)에 의한 배기 개시로부터 1시간 경과 후, 24시간 경과 후, 48시간 경과 후, 96시간 경과 후에 파티클의 수를 단속적으로 측정하였다.

도 6에 있어서, 드라이 펌프(53)로 진공 용기(51) 내를 배기한 후, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내를 TMP(40)로 진공화한다. 즉, 배기 공정은, 반송실(VTM)의 진공 용기(51)에 설치된 제1 펌프의 일례인 드라이 펌프(53)에 의해 진공 용기(51)를 배기하는 제1 배기 공정과, 기판 처리실(PM)과 반송실(VTM) 사이에 설치된 게이트 밸브(GV)를 개방하는 개방 공정과, 기판 처리실(PM)에 설치된 제2 펌프의 일례인 TPM(40)에 의해 반송실(VTM) 내를 배기하는 제2 배기 공정을 포함한다.

이 때, 제2 배기 공정은, 1시간 이상 수행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도 6에 도시된 DP∼TMP(1 h)에 있어서, 알루마이트 부품에 내재하는 수분이 제거되는 과정에 있어서 파티클의 수가 증가하여, 파티클의 발생이 촉진되고 있는 것을 알 수 있다. 또한 TMP(1 h)∼TMP(24 h)에 있어서, 알루마이트 부품에 내재하는 수분이 제거되고, 파티클의 발생이 더 촉진되고 있는 것을 알 수 있다.

그 후, TMP(40)에 의한 진공 용기(51) 내의 진공화를 계속함으로써, 알루마이트 부품에 내재하는 수분량이 감소하고, TMP(24 h)∼TMP(96 h)에 있어서, 발생하는 파티클의 수가 저감되어, 파티클의 발생이 억제되고 있는 것을 알 수 있다.

계속해서, 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하여 진공 용기(51) 내를 대기압으로 되돌려, 덮개(57)를 개폐하지 않고, 진공 용기(51) 내를 DP 및 TMP(40)(1 h)로 진공화하였다. TMP(40)로 1시간 진공화를 행함으로써, 파티클의 수가 더욱 감소하고 있지만, 대폭으로는 감소하고 있지 않는 것을 알 수 있다.

계속해서, 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하여 진공 용기(51) 내를 대기압으로 되돌려, 덮개(57)를 개폐하고(노출 공정), 진공 용기(51) 내를 DP에 의해 감압하며(제3 배기 공정), TMP(40)(1 h)로 더욱 진공화하였다(제4 배기공정). 대기압으로 되돌릴 뿐만 아니라, 덮개(57)의 개폐를 행함으로써, 파티클의 수가, 승압 공정에 있어서의 TMP(40)에 의한 배기 개시로부터 1시간 경과 후의 파티클수보다 한 자릿수 이상 감소하고 있는 것을 알 수 있다.

도 6의 예에서는, 덮개(57)의 개폐 후에 있어서의 진공화에 의해, 파티클의 수의 측정값이 미리 정한 임계값을 하회했다고 판단하였다. 한편, 측정값이 미리 정한 임계값을 상회한다고 판단된 경우, 배기 공정으로 되돌아가, 측정값이 임계값을 하회할 때까지, 배기 공정, 승압 공정 및 노출 공정을 반복한다. 이에 따라, 진공 용기(51) 내의 수분량을 충분히 저감하고, 알루마이트 부품으로부터 파티클이 발생하는 것을 보다 확실하게 회피할 수 있다.

또한, 도 4에서는, 측정한 파티클수가 임계값을 하회했다고 판정할 때까지, 단계 S12∼S28의 처리가 반복된다. 이 경우, 제3 배기 공정은 제1 배기 공정에 상당하고, 제4 배기 공정은 제2 배기 공정에 상당한다.

[알루마이트 부품으로부터 발생하는 파티클의 추정 모델]

다음에, 알루마이트 부품으로부터 발생하는 파티클의 추정 모델에 대해서, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7의 (a)∼(e)는 본 실시형태에 따른 파티클의 추정 모델을 나타낸 도면이다. 알루마이트 부품(300)은, 알루마이트층의 표면에 형성된 미세 구멍(202)에 수분 및 미세한 이물을 포함하고 있다(도 7의 (a)).

반송실(VTM)의 진공 용기(51)를 터보 분자 펌프로 진공화함으로써 진공 용기(51) 내의 수분압이 저하되면, 미세 구멍(202)에 내재하는 수분이 기화하여 진공 용기(51) 내로 방출된다. 이 때, 미세 구멍(202)에 내재하는 수분과 함께 미세한 이물이 배출되어, 파티클(P)이 발생한다(도 7의 (b)). 따라서, 진공화의 초기(도 6에 있어서의 배기 개시로부터 1시간 경과 후 및 24시간 경과 후)에 있어서는, 파티클(P)이 증가한다. 또한, 여기서 발생하는 파티클(P)의 주성분은 알루미늄(Al)인 것을 확인하고 있다. 따라서, 미세 구멍(202)에 포함되는 이물은, 알루마이트층의 표면에 형성된 취약층(201)으로부터 발생하고 있다고 생각된다.

또한, 연속하여 진공 용기(51)를 터보 분자 펌프로 진공화하면(도 6에 있어서의 배기 개시로부터 48시간 경과 후 및 96시간 경과 후), 미세 구멍(202)에 내재하는 수분이 더 제거된다(도 7의 (c)). 이 때문에, 수분과 함께 배출되는 이물의 양이 감소하기 때문에, 파티클의 수가 감소한다. 그러나, 진공 용기(51)의 진동 등에 의해 이물은 계속해서 배출되기 때문에, 어느 정도의 파티클이 발생한다. 여기서, 진공 용기(51) 내에 건조 가스를 도입하여 진공 용기(51) 내의 압력을 대기압까지 승압하고, 덮개를 개방한다. 이에 따라, 진공 용기(51) 밖의 대기가 유입되어, 대기에 포함된 수분이 알루마이트층의 표면에 형성된 미세 구멍(202)에 재차 흡착된다(도 7의 (d)).

이 상태에서 진공 용기(51)를 진공화함으로써, 미세 구멍(202)에 내재하는 수분과 함께 미세한 이물이 배출되고, 미세 구멍(202)에 내재하는 미세한 이물이 충분히 제거된다(도 7의 (e)). 이에 따라, 알루마이트층 표면의 미세 구멍(202)으로부터 발생하는 파티클(P)이 대폭 감소하는 것으로 생각된다.

본 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법은, 신규로 출하되기 전의 미사용의 진공 장치 또는 내부의 알루마이트 부품이 교환된 후의 진공 장치에 적용되어도 좋다. 이것에 따르면, 신품의 진공 장치나 신품의 알루마이트 부품을 이용하여 최초로 웨이퍼의 처리를 실행하기 전에, 진공 장치 내에 설치된 알루마이트 부품으로부터 수분을 제거하고, 그 수분 제거 과정에 있어서 사전에 파티클을 발생시킬 수 있다. 이에 따라, 미사용의 진공 장치여도, 사용 후의 진공 장치와 마찬가지로, 파티클이 발생하기 어려운, 안정된 상태로 사용할 수 있다. 이에 따라, 수율의 저하를 방지하고, 생산성을 향상시킬 수 있다.

이상, 파티클 발생 억제 방법을 상기 실시형태에 따라 설명하였으나, 본 발명에 따른 파티클 발생 억제 방법은, 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법은, 반송실(VTM)의 진공 용기(51) 내의 파티클 발생 억제에 한정되지 않고, 기판 처리실(PM)에도 적용 가능하다. 이에 따라, 기판 처리실(PM)에 사용되는 알루마이트 부품으로부터 발생하는 파티클을 저감시킬 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 덮개를 개방하고, 수분을 포함하는 대기를 도입하는 노출 공정에 의해 수분을 재흡착시켰다. 그러나, 수분을 재흡착시키는 수단으로는, 덮개를 개방하는 것만으로 한정되지 않는다. 예컨대, 클린룸 내의 상대 습도는 통상, 40∼50%이기 때문에, 덮개 개방을 하지 않고서 클린룸의 습도에 상당하는 40∼50%의 수분을 포함하는 가스를, 진공 장치 내에 공급하여 수분을 재흡착시켜도 좋다. 또한, 더욱 효율적으로 단시간에 수분을 재흡착시키기 위해서, 50∼100%의 높은 습도의 가스를 진공 장치 내에 공급하거나, 진공 장치의 내벽 표면을 직접 물로 닦는 등으로 재흡착시켜도 좋다. 또한, 진공 장치 내를 대기압으로 승압할 때에, 이들 수분을 포함하는 가스를 도입하여도 좋다. 또한, 이들 수분을 포함하는 가스의 도입은, 제어부(100)에 의해 제어하여도 좋다. 이들은 수분 부착 공정의 일례이며, 노출 공정도 수분 부착 공정의 일례이다.

또한, 반송실(VTM) 또는 기판 처리실(PM)에 이용된 알루마이트 부품에 한정되지 않고, 예컨대 조립하기 전의 알루마이트 부품이나 다른 용도에 이용되는 알루마이트 부품에 대해서도, 상기 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법을 적용 가능하다. 이에 따라, 알루마이트 부품으로부터 발생하는 파티클을 저감시킬 수 있다. 예컨대, 조립하기 전의 알루마이트 부품에 대하여, 임의의 진공 장치로 상기 실시형태에 따른 파티클 발생 억제 방법을 실행하여, 알루마이트 부품으로부터 발생하는 파티클을 저감시킨 후, 장치의 조립을 수행하여도 좋다.

또한, 상기 실시형태에 있어서, TMP(40)를 가동시킨 후에, 크라이오 펌프 또는 가열을 수행하면 수분 제거가 빨라지고, 결과적으로 파티클을 빨리 줄일 수 있는 방법을 사용하여도 좋다. 크라이오 펌프나 상기 방법을 이용함으로써, 진공 용기(51) 내의 수분의 분압을 저하시킬 수 있어, 진공 용기(51)의 연속 진공화 시간을 단축시킬 수 있게 될 가능성이 있다.

또한, 기판 처리실(PM) 및 반송실(VTM)은, 알루마이트 처리된 부품을 구비한 진공 장치의 일례이며, 본 발명에 따른 파티클 발생 억제 방법은, 진공 장치 내를 1 mTorr 이하로 유지할 수 있는 배기 시스템에 이용될 수 있다.

본 발명에 따른 진공 장치가, 기판 처리실(PM)에 적용되는 경우, 기판 처리실에는, 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 장치, 레이디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR: Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 좋다. 또한, 반응성 가스와 열에 의해 에칭이나 성막 처리를 수행하는 플라즈마리스 장치여도 좋다.

또한, 본 명세서에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼에 대해서 설명하였으나, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.

10: 반도체 제조 장치 11: 진공 용기
38: 덮개 51: 진공 용기
57: 덮개 59: QMS
300: 알루마이트 부품 PM: 기판 처리실
VTM: 반송실

Claims

알루마이트 처리된 부품을 갖는 진공 장치의 파티클 발생 억제 방법에 있어서,
상기 진공 장치 내를 배기하여 강압하고, 상기 진공 장치 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하는 배기 공정과,
상기 배기 공정 후에, 상기 진공 장치 내를 대기압으로 승압하는 승압 공정과,
상기 승압 공정 후에, 상기 알루마이트 처리된 부품에 수분을 부착시키는 수분 부착 공정
을 포함하는 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 진공 장치는 반도체 제조 장치의 반송실이고,
상기 배기 공정은,
상기 반송실에 설치된 제1 펌프에 의해 상기 반송실 내를 배기하는 제1 배기 공정과,
기판 처리실과 상기 반송실 사이에 설치된 게이트 밸브를 개방하는 제1 개방 공정과,
상기 기판 처리실에 설치된 제2 펌프에 의해 상기 반송실 내를 배기하는 제2 배기 공정
을 포함하는 것인 파티클 발생 억제 방법.
제2항에 있어서,
상기 제2 배기 공정은 적어도 1시간 동안 수행되는 것인 파티클 발생 억제 방법.
제2항에 있어서,
상기 제1 펌프는 드라이 펌프이고, 상기 제2 펌프는 터보 분자 펌프인 것인 파티클 발생 억제 방법.
제2항에 있어서,
상기 수분 부착 공정 후에, 상기 반송실에 설치된 상기 제1 펌프에 의해 상기 반송실 내를 배기하는 제3 배기 공정을 더 포함하는 파티클 발생 억제 방법.
제5항에 있어서,
상기 제3 배기 공정 후에, 상기 기판 처리실과 상기 반송실 사이에 설치된 게이트 밸브를 개방하는 제2 개방 공정과,
상기 기판 처리실에 설치된 상기 제2 펌프에 의해 상기 반송실 내를 배기하는 제4 배기 공정
을 포함하는 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 수분 부착 공정은, 상기 진공 장치의 덮개를 개방하는 것과, 상기 진공 장치 내를 대기에 노출시키는 것을 포함하는 것인 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 수분 부착 공정은, 상기 진공 장치 내에, 수분을 포함하는 가스를 도입하는 것을 포함하는 것인 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 승압 공정은, 상기 진공 장치 내에 건조 가스를 도입하는 것을 포함하고, 상기 건조 가스는, 드라이 에어, 질소 가스 또는 희가스 중 어느 하나인 것인 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 진공 장치는, 출하하기 전의 미사용의 진공 장치 또는 상기 알루마이트 처리된 부품을 교환한 후의 진공 장치인 것인 파티클 발생 억제 방법.
제1항에 있어서,
상기 알루마이트 처리된 부품은 상기 진공 장치의 내벽인 것인 파티클 발생 억제 방법.
알루마이트 처리된 부품과 제어부를 갖는 진공 장치에 있어서,
상기 제어부는,
상기 진공 장치 내를 배기하여 강압하고, 상기 진공 장치 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하고,
상기 진공 장치를 진공화한 후에, 상기 진공 장치 내에 수분을 포함하는 가스를 도입하여 상기 진공 장치 내를 대기압으로 승압하도록
제어하게끔 구성되는 것인 진공 장치.
알루마이트 처리된 부품과 제어부를 갖는 진공 장치에 있어서,
상기 제어부는,
상기 진공 장치 내를 배기하여 강압하고, 상기 진공 장치 내의 압력을 1.3×10^-1 Pa(1 mTorr) 이하로 진공화하고,
상기 진공 장치를 진공화한 후에, 상기 진공 장치 내에 건조 가스를 도입하여 상기 진공 장치 내를 대기압으로 승압하며,
상기 진공 장치 내를 승압한 후에, 상기 진공 장치의 덮개를 개방하도록
제어하게끔 구성되는 것인 진공 장치.