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KR102201879B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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KR102201879B1
KR102201879B1 KR1020180106782A KR20180106782A KR102201879B1 KR 102201879 B1 KR102201879 B1 KR 102201879B1 KR 1020180106782 A KR1020180106782 A KR 1020180106782A KR 20180106782 A KR20180106782 A KR 20180106782A KR 102201879 B1 KR102201879 B1 KR 102201879B1
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South Korea
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substrate
processing
processing space
space
ions
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이복규
김희환
이지영
이재명
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
기판 처리 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되고 처리 공간을 가지는 컵과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 이온을 공급하여 정전기를 제거하는 제전 유닛과; 상기 처리 공간으로 외부의 기체를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하고, 상기 제전 유닛은, 상기 이온은 상기 기체와 함께 상기 처리 공간으로 유입되도록 상기 하우징의 외부에 배치될 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate.
The substrate processing apparatus includes a housing; A cup provided in the housing and having a processing space; A substrate support unit supporting a substrate in the processing space; An antistatic unit that removes static electricity by supplying ions to the processing space; And an airflow supply unit supplying an external gas to the processing space, and the antistatic unit may be disposed outside the housing so that the ions are introduced into the processing space together with the gas.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판 표면에 발생하는 정전기를 제거하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for removing static electricity generated on a surface of a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정 단계의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great influence on the characteristics and production yield of semiconductor devices. For this reason, a cleaning process that removes various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate is performed in steps before and after each unit process step of manufacturing a semiconductor.

일반적으로 기판의 세정은 케미칼과 같은 처리액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 처리 공정, 순수를 이용하여 기판상에 잔류하는 처리액을 제거하는 린스 공정, 그리고 건조 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.In general, the cleaning of the substrate is a treatment process that removes metallic foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate using a treatment liquid such as a chemical, and a rinse process that removes the treatment liquid remaining on the substrate using pure water. , And a drying process of drying the substrate using a drying gas or the like.

그러나, 기판에 형성되는 패턴면에 순수가 공급되면, 패턴면과 순수의 마찰로 정전기가 발생한다. 이 상태에서 처리액을 패턴면에 분사하면 기판의 표면에 누적된 전하가 처리액이 접하는 부분으로 빠져나가면서 아킹 현상이 발생하고, 이에 기판의 패턴이 손상된다. 이에, 기판의 표면에 발생하는 정전기의 제거가 요구된다.However, when pure water is supplied to the pattern surface formed on the substrate, static electricity is generated due to friction between the pattern surface and the pure water. In this state, when the treatment liquid is sprayed onto the pattern surface, the electric charge accumulated on the surface of the substrate escapes to a portion where the treatment liquid contacts, thereby causing an arcing phenomenon, which damages the pattern of the substrate. Accordingly, it is required to remove static electricity generated on the surface of the substrate.

그러나, 종래에는 처리액이 공급되어 기판이 처리되는 처리 공간에 정전기를 제거하는 제전체가 위치한다. 이 경우, 제전체는 처리액 등에 직접적인 노출 된다. 이에 제전체에 처리액의 액적 또는 흄(Fume) 등이 누적되어 제전체 등의 손상이 발생될 수 있다. 또한, 제전체가 이온을 생성하는 과정에서 염이 발생하여 기판에 흡착될 수 있다.However, in the related art, an antistatic agent for removing static electricity is located in a processing space where a processing liquid is supplied and a substrate is processed. In this case, the ionizer is directly exposed to the treatment liquid or the like. Accordingly, droplets or fumes of the treatment liquid may accumulate in the anti-static agent, and damage to the anti-static agent may occur. In addition, salt may be generated in the process of generating ions by the anti-static agent and may be adsorbed to the substrate.

본 발명은 기판의 표면에 발생하는 정전기를 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of removing static electricity generated on a surface of a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 표면에서 발생하는 아킹 현상 및 기판의 패턴 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of preventing arcing and pattern damage occurring on the surface of a substrate.

또한, 본 발명은 제전 유닛의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of preventing damage to an antistatic unit.

또한, 본 발명은 기판의 표면에 발생하는 정전기를 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently removing static electricity generated on the surface of a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되고 처리 공간을 가지는 컵과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 이온을 공급하여 정전기를 제거하는 제전 유닛과; 상기 처리 공간으로 외부의 기체를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하고, 상기 제전 유닛은, 상기 이온은 상기 기체와 함께 상기 처리 공간으로 유입되도록 상기 하우징의 외부에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an apparatus for processing a substrate includes: a housing; A cup provided in the housing and having a processing space; A substrate support unit supporting a substrate in the processing space; An antistatic unit that removes static electricity by supplying ions to the processing space; And an airflow supply unit supplying an external gas to the processing space, and the antistatic unit may be disposed outside the housing so that the ions are introduced into the processing space together with the gas.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 내부 공간을 가지고, 상기 하우징의 상부에 위치되는 커버와; 상기 커버와 하우징 사이에 배치되어 상기 커버의 내부 공간으로 유입된 상기 기체를 상기 처리 공간으로 공급하는 팬을 가지고, 상기 제전 유닛은, 상기 커버의 내부 공간 내에 제공되어 상기 이온을 발생시키는 이온발생부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the airflow supply unit includes: a cover having an inner space and positioned above the housing; An ion generating member disposed between the cover and the housing to supply the gas flowing into the inner space of the cover to the processing space, and the antistatic unit is provided in the inner space of the cover to generate the ions It may include.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 처리 공간으로 유입되는 상기 기체를 필터링하는 필터를 더 포함하되, 상기 필터는 상기 팬의 하부에 위치할 수 있다.According to an embodiment, the airflow supply unit further includes a filter that filters the gas flowing into the processing space, and the filter may be located under the fan.

일 실시예에 의하면, 상기 제전 유닛은, 상기 처리 공간의 정전기의 양 또는 상기 기판의 정전기 충전 상태를 측정하는 이온측정부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the antistatic unit may include an ion measuring member that measures an amount of static electricity in the processing space or an electrostatic charge state of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 커버의 내부 공간에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급 라인을 포함하고, 상기 제전 유닛은 상기 이온발생부재에 전압을 인가하는 전원을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the airflow supply unit includes a carrier gas supply line for supplying a carrier gas to the inner space of the cover, and the antistatic unit may further include a power supply for applying a voltage to the ion generating member. .

일 실시예에 의하면, 상기 캐리어 가스 공급라인은 상기 캐리어 가스를 상기 이온발생부재의 상부에서 아래 방향으로 공급하고, 상기 캐리어 가스는 상기 이온발생부재가 발생시키는 상기 이온을 상기 커버의 내부 공간에 확산시킬 수 있다.According to an embodiment, the carrier gas supply line supplies the carrier gas downward from the top of the ion generating member, and the carrier gas diffuses the ions generated by the ion generating member into the inner space of the cover. I can make it.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 제전 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 이온측정부재가 측정하는 상기 기판의 정전기 충전 상태에 따라 상기 이온발생부재가 발생시키는 상기 이온의 종류를 달리하도록 상기 이온발생부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the device further comprises a controller for controlling the antistatic unit, wherein the controller includes the ions generated by the ion generating member according to an electrostatic charge state of the substrate measured by the ion measuring member. The ion generating member may be controlled to be different types.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 이온측정부재가 측정하는 상기 처리 공간의 상기 정전기의 양에 따라 상기 기류 공급 유닛이 상기 처리 공간에 공급하는 상기 기체의 단위시간당 공급 유량을 조절하도록 상기 기류 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a controller for controlling the airflow supply unit, wherein the controller includes the airflow supply unit performing the processing according to the amount of static electricity in the processing space measured by the ion measuring member. The air flow supply unit may be controlled to adjust the supply flow rate per unit time of the gas supplied to the space.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 기류 공급 유닛과 상기 제전 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 처리 공간에 상기 기판이 반송되기 전 상기 이온을 상기 처리 공간에 공급하도록 상기 기류 공급 유닛과 상기 제전 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further comprises a controller for controlling the airflow supply unit and the anti-static unit, wherein the controller is configured to supply the ions to the processing space before the substrate is transferred to the processing space. It is possible to control the airflow supply unit and the antistatic unit.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 기류 공급 유닛은 상기 처리 공간에 저습 가스를 공급하는 저습 가스 공급 라인을 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판을 건조시 상기 저습 가스를 공급하도록 상기 기류 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a controller for controlling the air flow supply unit, the air flow supply unit further comprises a low humidity gas supply line for supplying a low humidity gas to the processing space, and the controller, When drying the substrate, the airflow supply unit may be controlled to supply the low humidity gas.

또한, 본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 방법은, 하우징 내부의 처리 공간에 제공되는 기판에 이온을 공급하여 정전기를 제거하고, 상기 이온은 상기 처리 공간의 외부에서 유입될 수 있다.Further, an embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, in a method of processing a substrate, static electricity is removed by supplying ions to a substrate provided in a processing space inside a housing, and the ions may be introduced from outside the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 이온은, 상기 처리 공간으로 유입되는 외부의 기체와 함께 상기 처리 공간으로 유입될 수 있다.According to an embodiment, the ions may be introduced into the processing space together with an external gas flowing into the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 처리 공간 내의 정전기의 양을 측정하되, 측정된 상기 이온의 양에 따라 상기 처리 공간으로 유입되는 상기 기체의 단위시간당 공급유량을 조절할 수 있다.According to an embodiment, the amount of static electricity in the processing space is measured, and the supply flow rate of the gas flowing into the processing space per unit time may be adjusted according to the measured amount of ions.

일 실시예에 의하면, 상기 기판의 정전기 충전 상태를 측정하되, 측정된 상기 정전기 충전 상태에 따라 상기 처리 공간으로 공급하는 상기 이온의 종류를 달리할 수 있다.According to an embodiment, an electrostatic charge state of the substrate may be measured, and the type of the ions supplied to the processing space may be changed according to the measured electrostatic charge state.

일 실시예에 의하면, 상기 기판이 상기 처리 공간에 반송되기 전 상기 이온을 상기 처리 공간에 공급할 수 있다.According to an embodiment, the ions may be supplied to the processing space before the substrate is transferred to the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 단계와, 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되, 상기 건조 단계에는 상기 기판에 저습 가스를 공급하고, 상기 저습 가스는 상기 기류 및 상기 이온과 함께 상기 처리 공간으로 유입될 수 있다.According to an embodiment, a substrate processing step of supplying and processing a processing liquid to the substrate, and a drying step of drying the substrate, wherein a low humidity gas is supplied to the substrate, and the low humidity gas is the It may be introduced into the processing space together with airflow and the ions.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 표면에 발생하는 정전기를 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, static electricity generated on the surface of the substrate can be removed.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 표면에서 발생하는 아킹 현상 및 기판의 패턴 손상을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent arcing and damage to the pattern of the substrate that occur on the surface of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제전 유닛이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent damage to the antistatic unit.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 표면에 발생하는 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently remove static electricity generated on the substrate surface.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 경로를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치에 기판이 반입되기 전의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 경로를 보여주는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a path through which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.
4 is a diagram illustrating an embodiment in which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.
5 is a diagram illustrating an embodiment in which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.
6 is a view showing an embodiment in which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.
7 is a view showing a state before a substrate is carried into the substrate processing apparatus of FIG. 2.
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
9 is a diagram illustrating a path through which the substrate processing apparatus of FIG. 8 supplies ions to a substrate.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from above, perpendicular to the first direction 12 The direction is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 to accommodate the substrates W in a state horizontally disposed with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240. The process chambers 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetric with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement. Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c are used when the substrate W is transferred from the carrier 130 to the process processing module 20. ) Can be used when returning. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a liquid processing process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Unlike this, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are the same, and the substrate processing provided in the process chambers 260 belonging to different groups. The structure of the device 300 may be provided differently from each other.

기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. The substrate processing apparatus 300 liquid-processes the substrate W. In this embodiment, the liquid treatment process of the substrate is described as a cleaning process. This liquid treatment process is not limited to the cleaning process, and can be applied in various ways, such as photography, ashing, and etching.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는, 하우징(310), 컵(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 상부 유체 공급 유닛(380), 저면 유체 공급 유닛(400), 기류 공급 유닛(500), 제전 유닛(600), 그리고 제어기(700)를 포함한다. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a cup 320, a substrate support unit 340, an elevating unit 360, an upper fluid supply unit 380, and a bottom fluid supply unit ( 400), an airflow supply unit 500, an antistatic unit 600, and a controller 700.

하우징(310)은 내부에 공간을 가지는 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출이비되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단한다.The housing 310 is provided in a shape having a space therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening functions as an inlet through which the substrate W can be carried out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. The door blocks the opening when the substrate processing process proceeds.

컵(320)은 내부에 기판이 처리되는 처리 공간(321)을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The cup 320 provides a processing space 321 in which a substrate is processed. The cup 320 has a cylindrical shape with an open top. The cup 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326. Each of the recovery vessels 322 and 326 recovers different treatment liquids among treatment liquids used in the process. The internal recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340, and the external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 326. The inner space 322a and the internal recovery container 322 of the internal recovery container 322 function as a first inlet 322a through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322. The space 326a between the internal recovery container 322 and the external recovery container 326 functions as a second inlet 326a through which the treatment liquid flows into the external recovery container 326. According to an example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights. Recovery lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the recovery bins 322 and 326. The treatment liquids introduced into each of the recovery bins 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through recovery lines 322b and 326b and may be reused.

기판 지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. The substrate support unit 340 supports the substrate W in the processing space. The substrate support unit 340 supports and rotates the substrate W during the process. The substrate support unit 340 has a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a rotation driving member. The support plate 342 is provided in a generally circular plate shape, and has an upper surface and a lower surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The upper and lower surfaces are positioned so that their central axes coincide with each other.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the support plate 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the upper surface of the support plate 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the original position when the support plate 342 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 342. The outer position is a position farther from the center of the support plate 342 compared to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded on the support plate 342, the chuck pin 346 is positioned at an outer position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the side portions of the chuck pin 346 and the substrate W are in contact with each other, and the outer position is a position where the chuck pin 346 and the substrate W are separated from each other.

회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다. The rotation driving members 348 and 349 rotate the support plate 342. The support plate 342 is rotatable about a magnetic center axis by rotation driving members 348 and 349. The rotation driving members 348 and 349 include a support shaft 348 and a driving part 349. The support shaft 348 has a cylindrical shape facing the third direction 16. The upper end of the support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 342. According to an example, the support shaft 348 may be fixedly coupled to the center of the bottom surface of the support plate 342. The driving unit 349 provides a driving force to rotate the support shaft 348. The support shaft 348 is rotated by the driving part 349, and the support plate 342 is rotatable together with the support shaft 348.

승강 유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵 (320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 컵 (320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 with respect to the support plate 342 is changed. In the lifting unit 360, when the substrate W is loaded or unloaded on the support plate 342, the cup 320 is lowered so that the support plate 342 protrudes upward from the cup 320. In addition, when the process is in progress, the height of the cup 320 is adjusted so that the treatment liquid can flow into the preset collection bins 322 and 326 according to the type of treatment liquid supplied to the substrate W. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the cup 320, and a moving shaft 364, which is moved in the vertical direction by the actuator 366, is fixedly coupled to the bracket 362. Optionally, the lifting unit 360 may move the support plate 342 in the vertical direction.

상부 유체 공급 유닛(380)은 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 기판의 상면은 패턴이 형성된 패턴면일 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381) 및 노즐(390)을 포함한다. The upper fluid supply unit 380 supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W. The upper surface of the substrate may be a pattern surface on which a pattern is formed. A plurality of upper surface liquid supply units 380 are provided, each of which may supply different types of treatment liquids. The upper surface liquid supply unit 380 includes a moving member 381 and a nozzle 390.

이동 부재(381)는 노즐(390)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(390)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(390)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(390)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.The moving member 381 moves the nozzle 390 to a process position and a standby position. Here, the process position is a position where the nozzle 390 faces the substrate W supported by the substrate support unit 340, and the standby position is defined as a position where the nozzle 390 deviates from the process position. According to an example, the process location includes a pre-treatment location and a post-treatment location. The pre-treatment position is a position where the nozzle 390 supplies the processing liquid to the first supply position, and the post-treatment position is a position where the nozzle 390 supplies the processing liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including the end of the substrate. Optionally, the second supply position may be a region adjacent to the end of the substrate.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 컵(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(390)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.The moving member 381 includes a support shaft 386, an arm 382, and a driver 388. The support shaft 386 is located on one side of the cup 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces a third direction. The support shaft 386 is provided to be rotatable by a driver 388. The support shaft 386 is provided so as to be able to move up and down. The arm 382 is coupled to the upper end of the support shaft 386. The arm 382 extends vertically from the support shaft 386. The nozzle 390 is fixedly coupled to the end of the arm 382. As the support shaft 386 is rotated, the nozzle 390 can swing together with the arm 382. The nozzle 390 may swing to move to a process position and a standby position. Optionally, the arm 382 may be provided to enable forward and backward movement toward its longitudinal direction. When viewed from above, the path through which the nozzle 390 moves may coincide with the central axis of the substrate W at the process position. For example, the treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse liquid may be pure (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) liquid.

저면 유체 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면을 세정 및 건조 처리한다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면으로 액을 공급한다. 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 상부 유체 공급 유닛(380)과 동시에 액을 공급할 수 있다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 회전되지 않게 고정될 수 있다.The bottom fluid supply unit 400 cleans and dries the bottom surface of the substrate W. The bottom fluid supply unit 400 supplies liquid to the bottom surface of the substrate W. The bottom surface of the substrate W may be a non-patterned surface opposite to the surface on which the pattern is formed. The bottom fluid supply unit 400 may supply liquid simultaneously with the upper fluid supply unit 380. The bottom fluid supply unit 400 may be fixed so as not to rotate.

기류 공급 유닛(500)은 처리 공간(321)으로 외부의 기체를 공급한다. 이에 기류 공급 유닛(500)은 하우징(310)의 내부에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 유닛(500)은 커버(510), 기체 공급 라인(520), 팬(530), 그리고 필터(540)를 포함할 수 있다.The airflow supply unit 500 supplies external gas to the processing space 321. Accordingly, the airflow supply unit 500 forms a downward airflow inside the housing 310. The airflow supply unit 500 may include a cover 510, a gas supply line 520, a fan 530, and a filter 540.

커버(510)는 하우징(310)의 상부에 위치하여 내부 공간(511)을 가진다. 내부 공간(511)에는 외부의 기체가 유입되고, 후술하는 제전 유닛(600)이 이온을 발생시키는 공간일 수 있다. 또한, 커버(510)의 내부 공간(511)에는 팬(530)이 위치할 수 있다.The cover 510 is located above the housing 310 and has an inner space 511. An external gas may be introduced into the inner space 511, and an antistatic unit 600 described later may be a space in which ions are generated. In addition, the fan 530 may be located in the inner space 511 of the cover 510.

기체 공급 라인(520)은 내부 공간(511)으로 외부의 기체를 공급할 수 있다. 기체 공급 라인(520)이 공급하는 기체는 온도 또는 습도가 조절된 기체일 수 있다. 또한 기체 공급 라인(520)에는 기체 공급 밸브(521)가 설치될 수 있다. 기체 공급 밸브(521)는 온/오프 밸브이거나 유량 조절 밸브 일 수 있다. 기체 공급 밸브(521)는 내부 공간(511)으로 유입되는 기체의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply line 520 may supply external gas to the inner space 511. The gas supplied by the gas supply line 520 may be a gas whose temperature or humidity is controlled. In addition, a gas supply valve 521 may be installed in the gas supply line 520. The gas supply valve 521 may be an on/off valve or a flow control valve. The gas supply valve 521 may adjust the flow rate of gas flowing into the internal space 511.

팬(530)은 내부 공간(511)으로 유입된 기체를 처리 공간(321)으로 공급한다. 팬(530)은 하우징(310)의 상부면에서 중앙 영역에 대응되도록 위치될 수 있다. 또한, 팬(530)은 하우징(310)의 상부면에서 일정거리 이격되어 위치될 수 있다. 기체 공급 라인(520)으로부터 외부의 기체가 내부 공간(511)으로 유입되면 팬(530)은 하강 기류를 형성할 수 있다. The fan 530 supplies the gas introduced into the internal space 511 to the processing space 321. The fan 530 may be positioned so as to correspond to the central region on the upper surface of the housing 310. In addition, the fan 530 may be positioned to be spaced apart a predetermined distance from the upper surface of the housing 310. When external gas flows into the inner space 511 from the gas supply line 520, the fan 530 may form a downward airflow.

필터(540)는 기체 공급 라인(520)으로부터 제공되는 기체를 필터링한다. 필터(540)는 기체에 포함된 파티클(Particle)이나 불순물을 제거한다.The filter 540 filters gas provided from the gas supply line 520. The filter 540 removes particles or impurities contained in the gas.

제전 유닛(600)은 처리 공간(321)으로 이온을 공급하여 기판의 표면에 발생하는 정전기를 제거한다. 제전 유닛(600)은 이온발생부재(610), 캐리어 가스 공급 라인(620), 전원(630), 그리고 이온측정부재(640)를 포함할 수 있다.The antistatic unit 600 removes static electricity generated on the surface of the substrate by supplying ions to the processing space 321. The antistatic unit 600 may include an ion generating member 610, a carrier gas supply line 620, a power source 630, and an ion measuring member 640.

이온발생부재(610)는 커버(510)가 가지는 내부 공간(511)에 위치할 수 있다. 이온발생부재(610)는 내부 공간(511)에서 이온을 발생시킬 수 있다. 또한, 이온발생부재(610)는 전원(630)과 연결되어, 인가되는 전압의 크기나 극성에 따라 발생시키는 이온을 조절할 수 있다. 예컨대, 이온발생부재(610)는 발생시키는 이온의 양을 조절할 수 있다. 또한, 이온발생부재(610)는 발생시키는 이온의 극성을 달리 할 수 있다. 일 예로, 이온발생부재가(610)가 발생시키는 이온은 양극 또는 음극을 가질 수 있다.The ion generating member 610 may be located in the inner space 511 of the cover 510. The ion generating member 610 may generate ions in the inner space 511. In addition, the ion generating member 610 is connected to the power source 630 and may control ions generated according to the magnitude or polarity of the applied voltage. For example, the ion generating member 610 may control the amount of ions to be generated. In addition, the ion generating member 610 may have different polarities of generated ions. For example, ions generated by the ion generating member 610 may have an anode or a cathode.

캐리어 가스 공급 라인(620)은 내부 공간(511)으로 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 캐리어 가스 공급 라인(620)은 이온발생부재(610)의 상부에 위치하여, 이온발생부재(610)의 상부에서 아래 방향으로 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 이에, 캐리어 가스는 이온발생부재(610)가 발생시킨 이온을 내부 공간(511)에 확산시킬 수 있다. 또한, 캐리어 가스 공급 라인(620)에는 캐리어 가스 공급 밸브(621)가 설치 될 수 있다. 캐리어 가스 공급 밸브(621)는 온/오프 밸브이거나 유량 조절 밸브 일 수 있다. 캐리어 가스 공급 밸브(621)는 내부 공간(511)으로 유입되는 기체의 유량을 조절할 수 있다.The carrier gas supply line 620 may supply a carrier gas to the inner space 511. The carrier gas supply line 620 is located above the ion generating member 610 and may supply a carrier gas from the upper portion of the ion generating member 610 downward. Accordingly, the carrier gas may diffuse ions generated by the ion generating member 610 into the inner space 511. In addition, a carrier gas supply valve 621 may be installed in the carrier gas supply line 620. The carrier gas supply valve 621 may be an on/off valve or a flow control valve. The carrier gas supply valve 621 may adjust the flow rate of gas flowing into the inner space 511.

이온측정부재(640)는 처리 공간(321)의 정전기의 양 또는 기판(W)의 정전기 충전 상태를 측정할 수 있다. 예컨대, 이온측정부재(640)는 기판(W)의 표면에 발생된 정전기의 양을 측정하거나, 기판(W)의 표면에 발생된 정전기의 극성을 측정할 수 있다. 도 2에는 이온측정부재(640)가 하우징(310)의 내벽면에 설치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 이온측정부재(640)는 컵(320)이나 기판 지지 유닛(340)에 설치되어 동일한 기능을 수행할 수 있다. The ion measuring member 640 may measure an amount of static electricity in the processing space 321 or an electrostatic charge state of the substrate W. For example, the ion measuring member 640 may measure the amount of static electricity generated on the surface of the substrate W or may measure the polarity of static electricity generated on the surface of the substrate W. 2 illustrates that the ion measuring member 640 is installed on the inner wall surface of the housing 310, it is not limited thereto and may be modified in various forms. For example, the ion measuring member 640 may be installed on the cup 320 or the substrate support unit 340 to perform the same function.

제어기(700)는 기류 공급 유닛(500)과 제전 유닛(600)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(700)는 기류 공급 유닛(500)이 공급하는 기체의 단위시간당 공급 유량을 조절할 수 있다. 또한, 제어기(700)는 제전 유닛(600)이 발생시키는 이온들의 양을 조절하거나, 이온들의 극성을 달리 할 수 있다. 또한, 제어기(700)는 제전 유닛(600)이 내부 공간(511)에 공급하는 캐리어 가스의 단위시간당 공급 유량을 조절할 수 있다.The controller 700 may control the airflow supply unit 500 and the antistatic unit 600. For example, the controller 700 may adjust the supply flow rate per unit time of gas supplied by the airflow supply unit 500. In addition, the controller 700 may adjust the amount of ions generated by the antistatic unit 600 or change the polarity of the ions. In addition, the controller 700 may adjust the supply flow rate per unit time of the carrier gas supplied to the internal space 511 by the antistatic unit 600.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 경로를 보여주는 도면이다.3 is a diagram illustrating a path through which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.

도 3을 참조하면, 이온 발생 부재(610)는 내부 공간(511)에 이온들을 발생시킨다. 내부 공간(511)에 발생된 이온들은 캐리어 가스 공급 라인(620)이 공급하는 캐리어 가스에 의해 내부 공간(511)에 확산될 수 있다. 또한, 기체 공급 라인(520)이 공급하는 외부의 기체는 내부 공간(511)으로 유입될 수 있다. 기체 공급 라인(520)이 공급하는 외부의 기체는 이온발생부재(610)가 발생시킨 이온과 캐리어 가스와 함께 팬(530)이 형성하는 하강 기류로 인하여 아래 방향으로 흐를 수 있다. 이에 기체 공급 라인(520)이 공급하는 기체와 이온발생부재(610)가 발생시킨 이온들은 함께 팬(530)을 거쳐 처리 공간(321)으로 유입될 수 있다. 또한, 처리 공간(321)으로 유입되는 기체는 필터(540)에 의해 필터링 된다. 이에 처리 공간(321)으로 유입되는 기체가 포함하고 있는 불순물이나 파티클 등은 필터(540)에 의해 제거 될 수 있다.Referring to FIG. 3, the ion generating member 610 generates ions in the inner space 511. Ions generated in the inner space 511 may be diffused into the inner space 511 by the carrier gas supplied by the carrier gas supply line 620. In addition, external gas supplied by the gas supply line 520 may flow into the internal space 511. The external gas supplied by the gas supply line 520 may flow downward due to a downward airflow formed by the fan 530 together with ions and carrier gas generated by the ion generating member 610. Accordingly, the gas supplied by the gas supply line 520 and the ions generated by the ion generating member 610 may be introduced into the processing space 321 together through the fan 530. In addition, gas flowing into the processing space 321 is filtered by a filter 540. Accordingly, impurities or particles contained in the gas flowing into the processing space 321 may be removed by the filter 540.

종래에는, 이온을 발생시키는 제전 장치가 기판을 처리하는 공간에 위치되었다. 이에 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 경우, 제전장치는 처리액에 직접적으로 노출된다. 이 경우, 공급되는 처리액의 액적 또는 기판을 처리하면서 발생하는 흄(Fume) 등이 제전장치에 부착된다. 제전장치에 부착되는 처리액의 액적이나 흄(Fume) 등은 제전 장치의 수명을 저하시킨다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제전 유닛(600)의 이온발생부재(610)는 기판이 처리되는 처리 공간(321)의 외부에서 이온들을 발생시킨다. 이에 이온발생부재(610)는 기판에 공급되는 처리액으로부터 직접적인 노출을 피할 수 있다. 또한, 외부의 기체와 함께 이온이 기판에 공급되면서, 외부의 기체가 포함하고 있는 불순물이나 파티클들이 기판에 공급되는 문제가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기체가 흐르는 경로에 필터(540)를 설치함으로써 상술한 문제를 해결할 수 있다.Conventionally, an antistatic device for generating ions has been placed in a space for processing a substrate. Accordingly, when processing the substrate by supplying the processing liquid to the substrate, the antistatic device is directly exposed to the processing liquid. In this case, droplets of the supplied treatment liquid or fume generated while processing the substrate are attached to the antistatic device. Droplets or fumes of the treatment liquid adhered to the antistatic device reduce the life of the antistatic device. However, according to an embodiment of the present invention, the ion generating member 610 of the antistatic unit 600 generates ions outside the processing space 321 in which the substrate is processed. Accordingly, the ion generating member 610 can avoid direct exposure from the processing liquid supplied to the substrate. In addition, as ions are supplied to the substrate together with the external gas, impurities or particles contained in the external gas may be supplied to the substrate. However, according to an embodiment of the present invention, the above-described problem can be solved by installing the filter 540 in the path through which the gas flows.

다음에는, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판의 표면에 발생된 정전기를 제거하는 다양한 실시예에 대하여 설명한다.Next, various embodiments of removing static electricity generated on the surface of a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described.

도 4는 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 일 실시예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 이온측정부재(640)가 측정하는 기판(W)의 정전기 충전 상태에 따라 이온발생부재(610)가 발생시키는 이온의 종류를 달리 할 수 있다. 예컨대, 이온측정부재(640)가 기판(W)의 표면에 발생된 정전기의 극성이 음(-)의 값을 갖는다고 측정이 되면, 제어기(700)는 이온발생부재(610)가 발생시키는 이온의 극성이 양(+)의 값을 갖도록 이온발생부재(610)를 제어할 수 있다. 이 경우, 외부의 기체와 함께 처리 공간(321)내로 유입되는 이온들의 극성은 양(+)의 값을 가질 수 있다. 이에, 기판(W)의 표면에 발생된 정전기를 더 효율적으로 제거 할 수 있다. 4 is a diagram illustrating an embodiment in which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate. Referring to FIG. 4, the type of ions generated by the ion generating member 610 may be changed according to the state of electrostatic charge of the substrate W measured by the ion measuring member 640. For example, when the ion measuring member 640 is measured that the polarity of static electricity generated on the surface of the substrate W has a negative (-) value, the controller 700 The ion generating member 610 may be controlled so that the polarity of is positive (+). In this case, the polarity of the ions flowing into the processing space 321 together with the external gas may have a positive (+) value. Accordingly, static electricity generated on the surface of the substrate W can be more efficiently removed.

도 4에는 기판(W)의 표면에 발생된 정전기의 극성이 음(-)의 값을 갖는 것을 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 기판(W)의 표면에 발생된 정전기의 극성이 양(+)의 값을 갖는다고 측정이 되면, 제어기(700)는 이온발생부재(610)가 음(-)의 값을 갖는 이온을 발생시키도록 이온발생부재(610)를 제어할 수 있으며, 이로 인해 얻어지는 효과는 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 생략한다.4 illustrates that the polarity of static electricity generated on the surface of the substrate W has a negative (-) value, but is not limited thereto. As an example, when it is measured that the polarity of static electricity generated on the surface of the substrate W has a positive (+) value, the controller 700 determines that the ion generating member 610 has a negative (-) value. It is possible to control the ion generating member 610 to generate, and the effect obtained thereby is the same as or similar to the above-described contents, and thus will be omitted.

도 5와 도 6은 도 2의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.5 and 6 are views illustrating an embodiment in which the substrate processing apparatus of FIG. 2 supplies ions to a substrate.

도 5 와 도 6을 참조하면, 이온측정부재(640)가 측정하는 처리 공간(321)의 정전기의 양에 따라, 처리 공간(321)으로 유입되는 이온의 양을 조절할 수 있다. 일 예로, 이온측정부재(640)가 측정하는 처리 공간(321)의 정전기의 양에 따라, 기류 공급 유닛(500)이 내부 공간(511)에 공급하는 기체의 단위시간 당 공급 유량을 조절할 수 있다. 내부 공간(511)에 공급된 기체는 이온들과 함께 처리 공간(321)으로 유입되기 때문에, 기체의 단위시간당 공급 유량을 조절하여 처리 공간(321)에 공급되는 이온의 양을 조절할 수 있다.5 and 6, the amount of ions flowing into the processing space 321 may be adjusted according to the amount of static electricity in the processing space 321 measured by the ion measuring member 640. For example, according to the amount of static electricity in the processing space 321 measured by the ion measuring member 640, the airflow supply unit 500 may adjust the supply flow rate per unit time of gas supplied to the internal space 511. . Since the gas supplied to the internal space 511 flows into the processing space 321 together with the ions, the amount of ions supplied to the processing space 321 can be adjusted by adjusting the supply flow rate of the gas per unit time.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 처리 공간(321)의 정전기의 양이 상대적으로 많은 경우, 기류 공급 유닛(500)이 공급하는 기체의 단위시간당 공급 유량을 크게 하여, 처리 공간(321)에 공급되는 이온의 양을 크게 할 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이 처리 공간(321)의 정전기의 양이 상대적으로 적은 경우, 기류 공급 유닛(500)이 공급하는 기체의 단위시간당 공급 유량을 작게 하여, 처리 공간(321)에 공급되는 이온의 양을 크게 할 수 있다. 이온측정부재(640)가 측정하는 처리 공간(321)의 정전기의 양에 따라, 공급되는 이온들의 양을 유연하게 조절할 수 있으므로, 기판(W)의 표면에 발생된 정전기를 보다 효율적으로 제거할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, when the amount of static electricity in the processing space 321 is relatively large, the supply flow rate per unit time of the gas supplied by the air flow supply unit 500 is increased, and the processing space 321 is The amount of ions supplied can be increased. In addition, as shown in FIG. 6, when the amount of static electricity in the processing space 321 is relatively small, the supply flow rate per unit time of the gas supplied by the air flow supply unit 500 is reduced and supplied to the processing space 321 It is possible to increase the amount of ions. Since the amount of ions supplied can be flexibly adjusted according to the amount of static electricity in the processing space 321 measured by the ion measuring member 640, static electricity generated on the surface of the substrate W can be more efficiently removed. have.

상술한 예에서는, 처리 공간(321)으로 공급되는 이온의 양을 조절하는 방법으로써, 기류 공급 유닛(500)이 공급하는 기체의 단위시간당 공급 유량을 조절하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 캐리어 가스 공급 라인(620)이 공급하는 캐리어 가스의 단위시간당 공급유량을 조절하여 상술한 내용과 동일 또는 유사한 기능을 수행할 수 있다. In the above-described example, as a method of adjusting the amount of ions supplied to the processing space 321, it has been described as an example of adjusting the supply flow rate per unit time of the gas supplied by the air flow supply unit 500, but is limited thereto no. For example, by adjusting the supply flow rate per unit time of the carrier gas supplied by the carrier gas supply line 620, the same or similar functions as described above may be performed.

도 7은 도 2의 기판 처리 장치에 기판이 반입되기 전의 모습을 보여주는 도면이다.7 is a view showing a state before a substrate is carried into the substrate processing apparatus of FIG. 2.

도 7을 참조하면, 제어기(700)는 처리 공간(321)에 기판(W)이 반송되기 전 이온들을 처리 공간에 공급하도록 기류 공급 유닛(500)과 제전 유닛(600)을 제어할 수 있다. 일반적으로 하우징(310)의 내벽에서 사용하는 내화학성의 수지류는 기판에 전기장을 축적시키기 용이한 특성을 가지고 있다. 이에, 기판(W)이 처리 공간(321)으로 반송되기 전 처리 공간(321)에 이온들을 공급하여 정전기가 제거된 상태를 유지할 수 있다. 이에 처리 공간(321)에 잔류하는 정전기로 인하여 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 7, the controller 700 may control the airflow supply unit 500 and the antistatic unit 600 to supply ions to the processing space before the substrate W is transferred to the processing space 321. In general, chemical-resistant resins used on the inner wall of the housing 310 have a property that it is easy to accumulate an electric field on the substrate. Accordingly, before the substrate W is conveyed to the processing space 321, ions are supplied to the processing space 321 to maintain a state in which static electricity is removed. Accordingly, it is possible to prevent damage to the substrate W due to static electricity remaining in the processing space 321.

상술한 예에서는 기판(W)이 처리 공간(321)으로 반송되기 전 이온들이 처리 공간(321)에 공급되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 기판(W)이 처리 공간에 반송된 이후, 그리고 기판(W)이 처리 공간에서 반출된 이후에도 이온들을 처리 공간(321)으로 공급할 수 있다. In the above-described example, ions are supplied to the processing space 321 before the substrate W is transported to the processing space 321, but is not limited thereto. For example, ions may be supplied to the processing space 321 after the substrate W is transported to the processing space and even after the substrate W is taken out of the processing space.

도 8은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 9는 도 8의 기판 처리 장치가 기판에 이온을 공급하는 경로를 보여주는 도면이다.8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 9 is a diagram illustrating a path through which the substrate processing apparatus of FIG. 8 supplies ions to a substrate.

도 8과 도 9를 참조하면, 기류 공급 유닛(500)은 저습 가스 공급 라인(550)을 더 포함할 수 있다. 저습 가스 공급 라인(550)은 커버(510)와 연결되어 커버(510)의 내부 공간(511)으로 저습 가스를 공급할 수 있다.8 and 9, the airflow supply unit 500 may further include a low humidity gas supply line 550. The low humidity gas supply line 550 may be connected to the cover 510 to supply the low humidity gas to the inner space 511 of the cover 510.

기판 처리 장치는 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와, 기판(W)을 건조하는 건조 단계로 나뉘어질 수 있는데, 저습 가스 공급 라인(550)은 건조 단계에 내부 공간(511)으로 저습 가스를 공급할 수 있다. 내부 공간(511)에 공급된 저습 가스는 내부 공간(511)에서 발생된 이온들과 함께 처리 공간(321)으로 유입될 수 있다. The substrate processing apparatus may be divided into a substrate processing step of supplying a processing liquid to the substrate W to process the substrate, and a drying step of drying the substrate W, and the low humidity gas supply line 550 is internal to the drying step. Low humidity gas can be supplied to the space 511. The low humidity gas supplied to the inner space 511 may flow into the processing space 321 together with ions generated in the inner space 511.

예컨대, 저면 유체 공급 유닛(400)이 기판(W)의 하면에 건조 가스를 공급하여 기판(W)을 처리하는 경우에는 처리 공간(321)에 공급되는 외부의 기체의 습도를 낮추어야 한다. 또한, 기판(W)의 하면에 공급되는 건조 가스와 기판(W)의 마찰로 정전기가 발생할 수 있다. 그러나, 건조 단계에서 저습가스가 처리 공간(321)으로 유입되면서, 건조 효율을 높일 수 있다. 또한, 저습가스는 내부 공간(511)에서 발생된 이온들과 함께 처리 공간(321)으로 유입되므로, 건조 단계에서 기판(W)에 발생하는 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다.For example, when the bottom fluid supply unit 400 processes the substrate W by supplying dry gas to the bottom surface of the substrate W, the humidity of the external gas supplied to the processing space 321 must be lowered. In addition, static electricity may be generated due to friction between the drying gas supplied to the lower surface of the substrate W and the substrate W. However, as the low humidity gas flows into the processing space 321 in the drying step, drying efficiency may be improved. In addition, since the low humidity gas flows into the processing space 321 together with the ions generated in the internal space 511, static electricity generated on the substrate W in the drying step can be efficiently removed.

500 : 기류 공급 유닛
600 : 제전 유닛
700 : 제어기500: air flow supply unit
600: antistatic unit
700: controller

Claims (16)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
하우징과;
상기 하우징 내에 제공되고 처리 공간을 가지는 컵과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 이온을 공급하여 정전기를 제거하는 제전 유닛과;
상기 처리 공간으로 외부의 기체를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하고,
상기 기류 공급 유닛은,
내부 공간을 가지고, 상기 하우징의 상부에 위치되는 커버와;
상기 내부 공간으로 온도 또는 습도가 조절된 기체를 공급하는 기체 공급 라인을 포함하고,
상기 제전 유닛은,
상기 내부 공간에 위치되고, 상기 이온을 발생시키는 이온발생부재와;
상기 내부 공간으로 상기 이온발생부재가 발생시킨 이온을 상기 내부 공간에 확산시키는 캐리어 가스 공급 라인과;
상기 캐리어 가스 공급 라인에 설치되는 캐리어 가스 공급 밸브를 포함하고,
상기 이온은,
상기 캐리어 가스, 그리고 상기 기체와 함께 상기 내부 공간에서 상기 처리 공간으로 유입되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A housing;
A cup provided in the housing and having a processing space;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
An antistatic unit that removes static electricity by supplying ions to the processing space;
And an airflow supply unit for supplying an external gas to the processing space,
The airflow supply unit,
A cover having an inner space and positioned above the housing;
It includes a gas supply line for supplying a temperature or humidity controlled gas to the internal space,
The antistatic unit,
An ion generating member positioned in the inner space and generating the ions;
A carrier gas supply line for diffusing ions generated by the ion generating member into the inner space into the inner space;
And a carrier gas supply valve installed in the carrier gas supply line,
The ions are,
The substrate processing apparatus flowing into the processing space from the inner space together with the carrier gas and the gas. 제1항에 있어서,
상기 기류 공급 유닛은,
상기 커버와 하우징 사이에 배치되어 상기 커버의 내부 공간으로 유입된 상기 기체를 상기 처리 공간으로 공급하는 팬을 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The airflow supply unit,
A substrate processing apparatus having a fan disposed between the cover and the housing to supply the gas flowing into the inner space of the cover to the processing space. 제2항에 있어서,
상기 기류 공급 유닛은,
상기 처리 공간으로 유입되는 상기 기체를 필터링하는 필터를 더 포함하되,
상기 필터는 상기 팬의 하부에 위치하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The airflow supply unit,
Further comprising a filter for filtering the gas flowing into the processing space,
The filter is a substrate processing apparatus located under the fan. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제전 유닛은,
상기 처리 공간의 정전기의 양 또는 상기 기판의 정전기 충전 상태를 측정하는 이온측정부재를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The antistatic unit,
A substrate processing apparatus comprising an ion measuring member for measuring an amount of static electricity in the processing space or an electrostatic charge state of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 제전 유닛은 상기 이온발생부재에 전압을 인가하는 전원을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The anti-static unit further includes a power supply for applying a voltage to the ion generating member. 제5항에 있어서,
상기 캐리어 가스 공급 라인은 상기 캐리어 가스를 상기 이온발생부재의 상부에서 아래 방향으로 공급하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The carrier gas supply line supplies the carrier gas from the top of the ion generating member in a downward direction. 제6항에 있어서,
상기 장치는 상기 제전 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 이온측정부재가 측정하는 상기 기판의 정전기 충전 상태에 따라 상기 이온발생부재가 발생시키는 상기 이온의 종류를 달리하도록 상기 이온발생부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device further comprises a controller for controlling the antistatic unit,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the ion generating member to vary the type of the ions generated by the ion generating member according to the state of electrostatic charge of the substrate measured by the ion measuring member. 제6항에 있어서,
상기 장치는 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 이온측정부재가 측정하는 상기 처리 공간의 상기 정전기의 양에 따라 상기 기류 공급 유닛이 상기 처리 공간에 공급하는 상기 기체의 단위시간당 공급 유량을 조절하도록 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device further comprises a controller for controlling the airflow supply unit,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the air flow supply unit so that the air flow supply unit adjusts a supply flow rate of the gas supplied to the processing space per unit time according to the amount of static electricity in the processing space measured by the ion measuring member. 제6항에 있어서,
상기 장치는 상기 기류 공급 유닛과 상기 제전 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 처리 공간에 상기 기판이 반송되기 전 상기 이온을 상기 처리 공간에 공급하도록 상기 기류 공급 유닛과 상기 제전 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device further comprises a controller for controlling the airflow supply unit and the antistatic unit,
The controller,
A substrate processing apparatus that controls the airflow supply unit and the anti-static unit to supply the ions to the processing space before the substrate is transported to the processing space. 제6항에 있어서,
상기 장치는 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 기류 공급 유닛은 상기 처리 공간에 저습 가스를 공급하는 저습 가스 공급 라인을 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판을 건조시 상기 저습 가스를 공급하도록 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device further comprises a controller for controlling the airflow supply unit,
The airflow supply unit further includes a low humidity gas supply line for supplying a low humidity gas to the processing space,
The controller,
A substrate processing apparatus that controls the airflow supply unit to supply the low humidity gas when drying the substrate. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 처리 공간에 제공되는 기판에 이온을 공급하여 정전기를 제거하고,
상기 이온은 상기 내부 공간에서 상기 처리 공간으로 유입되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
Supplying ions to the substrate provided in the processing space to remove static electricity,
The substrate processing method wherein the ions flow into the processing space from the internal space. 제11항에 있어서,
상기 이온은,
상기 처리 공간으로 유입되는 상기 기체와 함께 상기 처리 공간으로 유입되는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The ions are,
A substrate processing method that flows into the processing space together with the gas flowing into the processing space. 제12항에 있어서,
상기 처리 공간 내의 정전기의 양을 측정하되,
측정된 상기 정전기의 양에 따라 상기 처리 공간으로 유입되는 상기 기체의 단위시간당 공급유량을 조절하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
Measure the amount of static electricity in the processing space,
A substrate processing method for controlling a supply flow rate per unit time of the gas flowing into the processing space according to the measured amount of static electricity. 제12항에 있어서,
상기 기판의 정전기 충전 상태를 측정하되,
측정된 상기 정전기 충전 상태에 따라 상기 처리 공간으로 공급하는 상기 이온의 종류를 달리하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
Measuring the state of electrostatic charge of the substrate,
The substrate processing method of varying the type of the ions supplied to the processing space according to the measured electrostatic charge state. 제12항에 있어서,
상기 기판이 상기 처리 공간에 반송되기 전 상기 이온을 상기 처리 공간에 공급하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
A substrate processing method for supplying the ions to the processing space before the substrate is conveyed to the processing space. 제12항에 있어서,
상기 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 단계와,
상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되,
상기 건조 단계에는 상기 기판에 저습 가스를 공급하고,
상기 저습 가스는 상기 기체 및 상기 이온과 함께 상기 처리 공간으로 유입되는 기판 처리 방법.
The method of claim 12,
A substrate processing step of supplying and processing a processing liquid to the substrate,
Including a drying step of drying the substrate,
In the drying step, a low humidity gas is supplied to the substrate,
The low-humidity gas flows into the processing space together with the gas and the ions.
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