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KR102120819B1 - 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR102120819B1
KR102120819B1 KR1020180143140A KR20180143140A KR102120819B1 KR 102120819 B1 KR102120819 B1 KR 102120819B1 KR 1020180143140 A KR1020180143140 A KR 1020180143140A KR 20180143140 A KR20180143140 A KR 20180143140A KR 102120819 B1 KR102120819 B1 KR 102120819B1
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Abstract

글래스 기판과 상기 글래스 기판의 일면에 형성된 금속 패턴이 형성되며 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 포토마스크의 금속 패턴은, 상기 글래스 기판의 상면에 형성된 크롬층; 상기 크롬층의 상면에 형성된 산화 크롬층; 상기 산화 크롬층 상면과 상기 노출된 글래스 기판에 형성된 제1 투명금속산화물층; 및 상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 형성된 제2 투명금속산화물층;을 포함하며, 상기 제1 투명금속산화물층은 전도성을 가지는 금속산화물로 이루어지고, 상기 제2 투명금속산화물층은 내화학성을 가지는 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법{PHOTOMASK FOR PREVENTING STATIC ELECTRICITY, HAVING CHEMICAL RESISTANCE AND HIGH TRANSMITTANCE, AND METHOD FOR MANUFATURING THE SAME}
본 발명은 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접촉식 포토리소그래피 공정에서 정전기를 방지하고, 포토마스크 세정 시 내화학성을 가짐에 따라 전도성 투명금속산화물층의 손상을 방지하는 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 포토마스크는 빛을 이용하여 회로 등의 패턴을 패터닝화하는 포토리소그래피 공정에 사용되고 있다. 이러한 포토마스크는 반도체나 디스플레이용 패널을 포함하는 고도의 정밀성을 요구하는 전자장치의 제조에 사용되며, 통상 감광액(포토레지스트)이 입혀진 웨이퍼나 스테인리스, 디스플레이 패널용 글래스 기판 위에 노광공정을 통해서 회로패턴이 형성되게 한다.
이러한 포토마스크로는 통상 에멀전마스크 또는 크롬마스크가 사용되고 때로는 마스크용 필름과 유리기판을 접 합한 것을 사용하기도 하는데, 포토마스크를 포토마스크지그 등에 고정시킨 후 노광공정에 의한 회로패턴이 형성되게 한다.
한편, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크의 경우 정전기 방전(ESD, Electro-Static Discharge)이 주요 손상 원인 중 하나이다.
종래의 포토마스크를 사용하는 접촉식 포토리소그래피 공정에 있어 포토마스크와 제품 간의 지속적인 탈부착이 반복되기 때문에 포토마스크 상부에 위치한 금속 패턴에 정전기 전하가 발생 및 축적된다. 이 경우 포토마스크에 축적된 정전기가 표면 항복 전압을 초과할 경우 금속 패턴이 용융되거나 기화되어 포토마스크 패턴이 손상되는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크의 탈부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기로부터 포토마스크의 손상을 최소화하고, 고투과율을 가짐으로써 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 포토마스크 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 글래스 기판과 상기 글래스 기판의 일면에 형성된 금속 패턴이 형성되며, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크에 있어서, 상기 금속 패턴은, 상기 글래스 기판의 상면에 형성된 크롬층; 상기 크롬층의 상면에 형성된 산화 크롬층; 상기 산화 크롬층 상면과 상기 노출된 글래스 기판에 형성된 제1 투명금속산화물층; 및 상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 형성된 제2 투명금속산화물층;을 포함하며, 상기 제1 투명금속산화물층은 전도성을 가지는 금속산화물로 이루어지고, 상기 제2 투명금속산화물층은 내화학성을 가지는 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 제공한다.
상기 제1 투명금속산화물층은 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제2 투명금속산화물층은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어질 수 있고, 두께는 60nm~100nm일 수 있다.
상기 글래스 기판의 두께는 1.6~13mm이고, 상기 크롬층의 두께는 90nm~100nm이고, 상기 산화 크롬층의 두께는 10nm~20nm이고, 상기 제1 투명금속산화물층의 두께는 20~40nm이고, 상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm일 수 있다.
또한, 본 발명은 글래스 기판의 상면에 크롬층, 산화 크롬층 및 포토레지스트를 순차적으로 적층한 후 상기 포토레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 노광 및 현상하는 단계; 상기 포토레지스트에 의해 덮이지 않은 산화 크롬층과 그 하측의 크롬층을 식각하고 상기 포토레지스트를 박리하여 금속 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화 크롬층과 노출된 글래스 기판에 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 제1 투명금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 제2 투명금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법을 제공함으로써 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 제1 투명금속산화물층은 스퍼터링 공정에 의해 20~40nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 제2 투명금속산화물층은 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정에 의해 60nm~100nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 산화 크롬층에 적층된 제1 투명금속산화물층(전도성 투명금속산화물)을 통해 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크의 탈착 및 부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기를 미연에 방지할 수 있고, 제1 투명금속산화물층에 적층된 제2 투명금속산화물층(저굴절 투명금속산화물)을 통해 포토마스크의 세정 공정에서 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품에 대하여 제1 투명금속산화물층을 보호하고 고투과율을 유지함으로써 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 3은 UV광의 400nm 파장을 조사 시 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크에 제2 투명금속산화물층을 SiO2와 Al2O3로 적용한 각 경우에 대하여 제2 투명금속산화물층의 두께별 투과율을 나타내는 실험 데이터이다. 도 2 및 3의 실험데이터는 광학박막 설계를 위한 공지의 광학 Macleod simulation을 통해 얻은 결과이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 도면들이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 그 밖에도, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크(1)는 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크로서 5인치의 소형부터 65인치 이상의 다양한 크기의 대형 디스플레이 제조 공정에 사용될 수 있다. 이에 따라, 대전 방지 포토마스크(1)의 크기는 제조하고자 하는 디스플레이 크기에 대응하도록 5인치부터 65인치 이상의 대형으로 제작될 수 있다.
또한, 대전 방지 포토마스크(1)는 기본적으로 노광 공정에서 빛이 투과되어야 하므로 대전 방지 포토마스크(1)를 이루는 각 층이 소정의 투과율을 가지도록 형성된다.
도 1을 참조하면, 대전 방지 포토마스크(1)는 글래스 기판(10), 크롬층(11a), 산화 크롬층(13a), 제1 투명금속산화물층(15a) 및 제2 투명금속산화물층(17a)을 포함할 수 있다. 여기서 크롬층(11a), 산화 크롬층(13a), 제1 투명금속산화물층(15a) 및 제2 투명금속산화물층(17a)은 소정의 패턴을 이루는 박막의 패턴층을 이룬다.
글래스 기판(10)은 1.6~13mm의 두께로 형성될 수 있다.
크롬층(11a)은 글래스 기판(10)의 상면에 적층되며, 글래스 기판(10)의 두께 보다 현저히 얇은 두께, 예를 들면 90~100nm의 두께로 형성될 수 있다.
산화 크롬층(13a)은 크롬층(11a)의 상면에 적층되며, 크롬층(11a)의 두께보다 작은 두께, 예를 들면 10~20nm의 두께로 형성될 수 있다.
제1 투명금속산화물층(15)은 일부(15a)가 산화 크롬층(13a)의 상면에 적층되고 나머지(15b)는 패턴 형성을 위해 진행하는 식각 공정에 의해 노출된 글래스 기판(10)의 상면 일부에 적층될 수 있다.
제1 투명금속산화물층(15)은 접촉식 포토리소그래피 공정 중 발생하는 정전기 의한 포토마스크(1) 내 패턴의 손상을 방지하기 위해 전도성이 있으면서 높은 투명율을 가진 물질일 수 있다. 예를 들면, 제1 투명금속산화물층은 전도성 투명금속산화물인 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 또는 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide)로 이루어질 수 있다.
제1 투명금속산화물층(15)의 두께는 산화 크롬층(13a)의 두께보다 크고 크롬층(11a)의 두께 보다 작은 20~40nm의 두께로 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 투명금속산화물층(15)은 표면저항이 400Ω/□ 수준으로 높은 전도 특성을 가짐에 따라, 산화 크롬층(13a)을 전기적으로 연결해주면서 전하의 이동통로를 형성한다.
제2 투명금속산화물층(17)은 일부(17a)가 제1 투명금속산화물층(15)의 일부(15a)의 상면에 적층되고, 나머지(17b)가 제1 투명금속산화물층(15)의 나머지(15b)의 상면에 적층될 수 있다.
제2 투명금속산화물층(17)은 포토마스크(1) 세정 시 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품으로부터 제1 투명금속산화물층(15a)를 보호할 수 있도록 높은 내화학성을 가지는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 제2 투명금속산화물층(17)은 저굴절 금속산화물 중 내화학성을 가지며 높은 투과도를 가지는 저굴절 투명금속산화물인 SiO2 또는 Al2O3 일 수 있다. 여기서 SiO2 또는 Al2O3의 저굴절의 범위는 1.2~1.8일 수 있다.
제2 투명금속산화물층(17)의 두께는 제1 투명금속산화물층(15)의 두께보다 큰 60~100nm의 두께로 형성될 수 있다. 이와 같은 제2 투명금속산화물층(17)의 두께는 디스플레이 패널 제작공정 시 노광 공정에서 400nm 파장의 UV광을 사용할 때 광 투과율이 90% 이상이 되도록 고려한 것이다.
도 2 및 3은 UV광의 400nm 파장을 조사 시 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크에 제2 투명금속산화물층을 SiO2와 Al2O3로 적용한 각 경우에 대하여 제2 투명금속산화물층의 두께별 투과율을 나타내는 실험 데이터이다. 도 2 및 3의 실험데이터는 광학박막 설계를 위한 공지의 광학 Macleod simulation을 통해 얻은 결과이다.
도 2를 참조하면, 제2 투명금속산화물층(17)이 저굴절 투명금속산화물인 SiO2로 이루어진 경우, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 20nm 및 40nm일 때 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 80.6%와 84.4%로 90% 미만이다.
반면 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60nm, 80nm 및 100nm인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 91.4%와 96.0%로 93.6%로 모두 90% 이상이다. 특히, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 80nm일 때 가장 높은 투과율을 보였다.
하지만 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 100nm를 초과하는 120nm의 두께에서는 400nm 파장의 UV광 투과율이 86.0%로 다시 90% 미만으로 하락했다.
따라서, 제2 투명금속산화물층(17)이 SiO2인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율을 90% 이상 유지하기 위해서는 제2 투명금속산화물층(17)의 두께를 60nm~100nm 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 제2 투명금속산화물층(17)이 저굴절 투명금속산화물인 Al2O3로 이루어진 경우, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 20nm 및 40nm일 때 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 79.1%와 83.4%로 90% 미만이다.
또한 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60nm, 80nm 및 100nm인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 91.9%와 95.9%로 90.1%로 모두 90% 이상이다. Al2O3 역시 SiO2인 경우와 마찬가지로 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 80nm일 때 가장 높은 투과율을 보였다.
제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 100nm를 초과하는 120nm의 두께에서는 400nm 파장의 UV광 투과율이 81.9%로 90% 미만을 나타냈다.
따라서, 제2 투명금속산화물층(17)이 Al2O3 로 이루어진 경우에도 SiO2로 이루어진 경우와 마찬가지로 400nm 파장의 UV광 투과율을 90% 이상 유지하기 위해서는 제2 투명금속산화물층(17)의 두께를 60nm~100nm 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다.
한편, 도 2 및 3에서와 같이, 제2 투명금속산화물층(17)이 없는 경우(두께가 0인 경우) 400nm 파장의 UV광 투과율은 82.1%로 90% 미만이다. 따라서,
이하, 도면을 참조하여 포토마스크(1)를 제조하는 과정을 순차적으로 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 글래스 기판(10)의 상면에 크롬층(11)을 90~100nm 두께로 형성하고, 크롬층(11)의 상면에 산화 크롬층(13)을 10~20nm 두께로 형성한다.
이어서, 포토레지스트(14)를 산화 크롬층(13)의 상면에 약 1000nm의 두께로 형성한다.
이 상태에서 포토레지스트(14)를 노광 및 현상 공정을 순차적으로 진행하여 원하는 형상의 패턴을 형성한다. 이때 산화 크롬층(13)의 일부는 패턴 형상을 한 포토레지스트(14a)에 의해 덮히지 않기 때문에 외부로 노출된다.
상기와 같이 포토레지스트(14a)가 소정의 패턴 형상의 갖도록 처리한 후, 식각 공정을 통해 포토레지스트(14a)의해 노출된 산화 크롬층(13)과 크롬층(11)의 일부가 제거되고 포토레지스트(14a)에 덮여 있는 산화 크롬층(13a)과 그 하부의 크롬층(11a)이 남게 된다.
이어서 박리 공정을 통해 포토레지스트(14a)를 제거한다. 크롬층(11a)과 산화 크롬층(13a)은 포토레지스트(14a)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된다.
계속해서 스퍼터링 공정을 통해 정전기에 의한 대전을 방지하기 위한 제1 투명금속산화물층(15)과 제2 투명금속산화물층(17)을 순차적으로 적층 형성한다.
도 4b를 참조하면, 제1 투명금속산화물층(15)과 제2 투명금속산화물층(17)은 스퍼터링 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 스퍼터링 공정을 이용하여 금속산화물 형성하기 위하여 사용전력의 종류에 따라 직류 펄스 전력(DC pulse power)을 이용한 방법과 고주파 전력(RF power)를 이용하여 형성할 수 있다.
고주파 전력을 이용한 스퍼터링 공정(이하, 'RF 스퍼터링 공정')을 통해 제1 투명금속산화물층(15)을 산화 크롬층(13a)과 일부 노출된 글래스 기판(10)에 각각 박막 형성하는 경우, 직류 펄스 전력을 이용한 스퍼터링 공정(이하, 'DC 스퍼터링 공정')보다 박막의 성장 속도가 느리며 공정에 소요되는 비용도 높다.
한편 RF 스퍼터링 공정의 경우 대면적 박막 형성이 어려운 반면 DC 스퍼터링 공정에서는 대면적의 고른 두께를 가지는 박막 형성이 가능하다.
전술한 바와 같이 본 발명의 포토마스크(1)가 소형부터 대형까지 다양한 크기로 제작할 수 있으나, 본 실시예에서는 대형 포토마스크(1)를 제작하는 것을 예로 들어 설명하므로 제1 및 제2 투명금속산화물층(15,17)은 DC 스퍼터링 공정을 통해 형성하는 것으로 설명한다.
또한, 본 실시예에서 제1 투명금속산화물층(15)은 전도성 투명금속산화물인 ITO로 형성하고, 제2 투명금속산화물층(17)은 저굴절 투명금속산화물인 SiO2로 형성하는 것으로 설명한다.
먼저 DC 스퍼터링 공정에서 ITO 박막을 산화 크롬층(13a)과 노출된 글래스 기판(10)에 약 20~40nm 두께로 형성한다. 이 경우 DC 스퍼터링 공정의 조건은 타겟은 ITO 타겟을 사용하고, 작업 진공도는 3mTorr이하이고, Ar:O2 비율은 4:1이고, 전력은 1500~2000W일 수 있다.
이와 같이 산화 크롬층(13a)에 전도성을 가지는 제1 투명금속산화물층(15)을 적층함에 따라 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크(1)의 탈착 및 부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기에 의해 패턴(제1 투명금속산화물층(15a), 산화 크몰층(13a) 및 크롬층(11a)) 및 글래스 기판(10)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 제1 투명금속산화물층(15)의 상면에 제2 투명금속산화물층(17)을 형성한다.
특히 제2 투명금속산화물층(17)을 형성 시 직류 펄스 전력을 이용한 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정(이하, '리액티브 스퍼터링 공정')으로 진행할 수 있다. 상기 리액티브 방식은 일반 스퍼터링 공정에 Ar가스와 산소를 주입시켜 반응을 만들어 내고, 그 반응을 통하여 금속물질에서 금속산화물을 형성하는 방법이다.
리액티브 스퍼터링 공정으로 제2 투명금속산화물층(17)을 형성하기 위해서는 일정한 진공도와 안정적인 플라즈마 형성이 이루어져야 한다. 이를 위해 리액티브 스퍼터링 공정의 조건으로, Si 타겟을 이용하고, 작업 진공도는 3mtorr 이하로 설정하고, Ar:O2 비율은 4:1이고, 전력은 2000~2500W일 수 있다. 이러한 조건 하에서 두께가 60~100nm의 SiO2 박막인 제2 투명금속산화물층(17)이 형성된다.
전술한 바와 같이 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60~100nm로 형성되는 경우 400nm 파장의 UV광 투과율이 90% 이상될 수 있다.
이와 같이, 제1 투명금속산화물층(15a)에 내화학성 가지는 제2 투명금속산화물층(17a)을 적층함에 따라 포토마스크(1)를 세정하는 공정에서 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품에 의해 제1 투명금속산화물층(15)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2 투명금속산화물층(17)은 400nm 파장의 UV광 투과율이 90% 이상을 유지하는 고투과율을 가짐에 따라 포토마스크(1)의 제기능에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.
10: 글래스 기판
11,11a: 크롬층
13,13a: 산화 크롬층
14,14a: 포토레지스트
15,15a,15b: 제1 투명금속산화물층
17,17a,17b: 제2 투명금속산화물층

Claims (8)

  1. 글래스 기판과 상기 글래스 기판의 일면에 형성된 금속 패턴이 형성되며, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크에 있어서,
    상기 금속 패턴은,
    상기 글래스 기판의 상면에 형성된 크롬층;
    상기 크롬층의 상면에 형성된 산화 크롬층;
    식각 공정을 통해 상기 크롬층과 상기 산화 크롬층의 일부가 제거됨에 따라 노출된 상기 글래스 기판의 상면과 상기 산화 크롬층 상면에 형성된 제1 투명금속산화물층; 및
    상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 형성된 제2 투명금속산화물층;을 포함하며,
    상기 제1 투명금속산화물층은 전도성을 가지는 금속산화물로 이루어지고, 상기 제2 투명금속산화물층은 내화학성을 가지는 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 투명금속산화물층은 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 투명금속산화물층은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 글래스 기판의 두께는 1.6~13mm이고,
    상기 크롬층의 두께는 90nm~100nm이고,
    상기 산화 크롬층의 두께는 10nm~20nm이고,
    상기 제1 투명금속산화물층의 두께는 20~40nm이고,
    상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 글래스 기판의 상면에 크롬층, 산화 크롬층 및 포토레지스트를 순차적으로 적층한 후 상기 포토레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 노광 및 현상하는 단계;
    상기 포토레지스트에 의해 덮이지 않은 산화 크롬층과 상기 산화 크롬층의 하측에 위치한 상기 크롬층을 식각하고 상기 포토레지스트를 박리하여 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 산화 크롬층과 노출된 글래스 기판에 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 제1 투명금속산화물층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 제2 투명금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 투명금속산화물층은 스퍼터링 공정에 의해 20~40nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제2 투명금속산화물층은 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정에 의해 60nm~100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
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