[go: up one dir, main page]

KR102077976B1 - 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102077976B1
KR102077976B1 KR1020190127693A KR20190127693A KR102077976B1 KR 102077976 B1 KR102077976 B1 KR 102077976B1 KR 1020190127693 A KR1020190127693 A KR 1020190127693A KR 20190127693 A KR20190127693 A KR 20190127693A KR 102077976 B1 KR102077976 B1 KR 102077976B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adapter
metal layer
substrate
groove
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020190127693A
Other languages
English (en)
Inventor
김용수
김형원
정희석
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Priority to KR1020190127693A priority Critical patent/KR102077976B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102077976B1 publication Critical patent/KR102077976B1/ko
Priority to CN202010809844.6A priority patent/CN112670152B/zh
Priority to TW109127783A priority patent/TWI746113B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H10P72/72—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 플라즈마로 기판을 처리하는 영역인 챔버; 상부에 상기 기판이 안착되도록 상기 챔버에 위치하는 척; 상기 척의 내측 상부에 위치하는 유전체; 상기 유전체에 내포되고, 정전력을 발생하는 전극 라인; 상기 유전체의 상부에 안착되고 상부에 상기 기판이 안착되는 어댑터; 를 포함하되, 상기 어댑터 상면 내측에 상기 기판이 삽입되는 기판 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치{Adapter and plasma treatment device comprising the same}
본 발명은 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마로 기판(10)을 처리(예를 들어, 식각, 증착 등)하는 장치이다.
플라즈마 처리 장치로 처리하는 기판(10)은 다양한 직경들(예를 들어, 4인치, 8인치 12인치 등)이 있다.
이러한 다양한 직경들의 기판(10)을 플라즈마 처리 장치가 처리하기 위해서는 상부에 기판(10)이 안착되는 척(30)을 다양한 직경들의 기판(10)에 각각 대응되는 직경의 척(30)으로 교체하여야 하는 문제점이 있다.
즉, 기판(10)의 직경이 변경될 때마다 척(30)의 직경도 변경되어야 하는 문제점이 있다.
본 발명은 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마로 기판을 처리하는 영역인 챔버; 상부에 상기 기판이 안착되도록 상기 챔버에 위치하는 척; 상기 척의 내측 상부에 위치하는 유전체; 상기 유전체에 내포되고, 정전력을 발생하는 전극 라인; 상기 유전체의 상부에 안착되고 상부에 상기 기판이 안착되는 어댑터; 를 포함하되, 상기 어댑터 상면 내측에 상기 기판이 삽입되는 기판 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 어댑터 하면에 형성되는 제1 금속층; 상기 어댑터 상면 중에서 상기 기판 홈이 형성되는 상면에 형성된 제2 금속층; 상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 상하로 관통하도록 형성된 홀을 둘러싸는 벽면에 형성되는 제3 금속층; 을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유전체는 상기 제1 금속층과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합되고, 상기 제2 금속층은 상기 기판과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 어댑터를 구성하는 물질은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층이 표면에 형성될 수 있는 물질인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 어댑터를 구성하는 물질은 실리콘인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 증착, 도금 및 스퍼터링 중 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 전극 라인의 폭은 상기 기판 홈의 폭보다 크고, 상기 어댑터의 폭은 상기 전극 라인의 폭보다 큰 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 홈의 측면에 형성되고, 상기 기판의 측면이 적어도 일부가 노출되는 깊이를 구비하는 기판 걸림부; 를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터는, 플라즈마로 처리되는 기판이 상부에 안착되는 어댑터; 상기 어댑터 상면 내측에 상기 기판이 삽입되는 기판 홈; 상기 어댑터 하면에 형성되는 제1 금속층; 상기 어댑터 상면 중에서 상기 기판 홈이 형성되는 상면에 형성된 제2 금속층; 상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 상하로 관통하도록 형성된 홀을 둘러싸는 벽면에 형성되는 제3 금속층; 을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 어댑터를 구성하는 물질은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층이 표면에 형성될 수 있는 물질인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 어댑터를 구성하는 물질은 실리콘인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 증착, 도금 및 스퍼터링 중 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 홈의 측면에 돌출되어 형성되고, 상기 기판 홈의 깊이 이상의 깊이를 구비하는 기판 걸림부; 를 포함한다.
어댑터를 교체함으로써 척의 교체 없이 다양한 직경의 기판을 플라즈마 처리 장치가 처리할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 플라즈마 처리 장치에 관한 도면
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 도면
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포커스링에 관한 입체도 및 단면도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 홈의 배열에 관한 도면
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 홈의 배열에 관한 도면
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 홈의 배열에 관한 도면
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마로 기판(10)을 처리(예를 들어, 식각, 증착 등)하는 장치이다.
플라즈마 처리 장치로 처리하는 기판(10)은 다양한 직경들(예를 들어, 4인치, 8인치 12인치 등)이 있다.
이러한 다양한 직경들의 기판(10)을 플라즈마 처리 장치가 처리하기 위해서는 상부에 기판(10)이 안착되는 척(30)을 다양한 직경들의 기판(10)에 각각 대응되는 직경의 척(30)으로 교체하여야 하는 문제점이 있다.
즉, 기판(10)의 직경이 변경될 때마다 척(30)의 직경도 변경되어야 하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(20), 척(30), 유전체(110), 전극 라인(120) 및 어댑터(200)를 포함한다.
챔버(20)는 플라즈마로 기판(10)을 처리하는 영역이다.
척(30)은 상부에 기판(10)이 안착되도록 챔버(20)에 위치한다.
유전체(110)는 척(30)의 내측 상부에 위치한다.
이러한 유전체(311)를 구성하는 물질은 예를 들어, Polyimid, Al2O3, AlN, Ceramics 중 하나로 구성될 수 있다.
유전체(110)가 내포하는 전극 라인(120)은 정전력(electrostatic force)을 발생한다.
어댑터(200)는 유전체(110)의 상부에 안착되고 상부에 기판(10)이 안착된다.
이때, 어댑터(200) 상면 내측에 기판(10)이 삽입되는 기판 홈(310)이 형성된다.
기판 홈(310)의 직경의 크기에 따라 기판 홈(10)에 삽입되는 기판(10)의 직경을 다르게할 수 있다.
즉, 다른 직경의 척(30)으로 교체 없이, 다른 직경의 기판 홈(310)이 형성된 어댑터(200)로 교체함으로써, 다른 직경의 기판(10)을 플라즈마 처리 장치가 처리할 수 있게 된다.
이와 같이, 어댑터(200)를 교체함으로써 척(30)의 교체 없이 다양한 직경의 기판(10)을 플라즈마 처리 장치가 처리할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 포커스링(40)을 포함한다.
포커스링(40)은 어댑터(200)를 둘러싸도록 척(30)에 안착된다.
이때, 포커스링(40)은 직경이 다른 유전체(110) 및 어댑터(200)를 둘러싸도록 단차가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 금속층(210), 제2 금속층(220) 및 제3 금속층(230)을 포함한다.
제1 금속층(210)은 어댑터(200) 하면에 형성된다.
제2 금속층(220)은 어댑터(200) 상면 중에서 기판 홈(310)이 형성되는 상면에 형성된다.
이때, 어댑터(200) 상면 중에서 기판 홈(310)의 주위에 제2 금속층(220)이 형성되는 경우, 플라즈마에 의해 처리되어 파티클이 형성되므로 어댑터(200) 상면 중에서 기판 홈(310)의 주위에는 제2 금속층(220)이 형성되지 않는 것이 바람직하다.
제3 금속층(230)은 제1 금속층(210) 및 제2 금속층(220)을 상하로 관통하도록 형성된 홀을 둘러싸는 벽면에 형성된다.
제3 금속층(230)은 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 사이를 전기적으로 연결한다.
제3 금속층(230)은 홀을 메우지 않고 유로를 형성함으로써, 척(30)의 온도를 기판(10)에 전달하는 매개 가스가 홀을 통해 기판(10)의 하부에 공급되도록 한다.
유전체(311)는 제1 금속층(210)과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합된다.
제2 금속층(220)은 기판(10)과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합된다.
어댑터(200)를 구성하는 물질은 제1 금속층(210), 제2 금속층(220) 및 제3 금속층(230)이 표면에 형성될 수 있는 물질일 수 있다.
예를 들어, 어댑터(200)를 구성하는 물질은 실리콘일 수 있다.
제1 금속층(210), 제2 금속층(220) 및 제3 금속층(230)은 증착(Deposition), 도금(Plating) 및 스퍼터링(Sputtering) 중 하나의 방법으로 형성될 수 있다.
제1 금속층(210), 제2 금속층(220) 및 제3 금속층(230)을 구성하는 물질은 증착, 도금 및 스퍼터링으로 형성할 수 있는 금속일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 다음 특징을 포함한다.
전극 라인(120)의 폭은 기판 홈(310)의 폭보다 크다.
어댑터(200)의 폭은 전극 라인(120)의 폭보다 크다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 홈(310)의 배열에 따라 다양한 직경의 기판(10)이 어댑터(200) 상부에 안착될 수 있다.
이때, 어댑터(200) 상부에 안착되는 기판(10)은 한개 이상일 수 있으며, 따라서 기판 홈(310)도 한개 이상일 수 있다.
예를 들어, 도 4는 12인치 기판(10)을 어댑터(200) 상부에 안착하기 위한 기판 홈(310)의 배열이고,
도 5는 8인치 기판(10)을 어댑터(200) 상부에 안착하기 위한 기판 홈(310)의 배열이고,
도 6은 4인치 기판(10)을 어댑터(200) 상부에 안착하기 위한 기판 홈(310)의 배열이다.
또한, 도시하지는 않았지만, 8인치 기판(10)과 4인치 기판(10)을 어댑터(200) 상부에 안착하는 것과 같이, 서로 다른 직경의 기판(10)이 어댑터(200) 상부에 안착될 수 있도록 서로 다른 직경의 기판 홈(310)이 어댑터(200)에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 걸림부(320)를 포함한다.
기판 걸림부(320)는 기판 홈(310)의 측면에 돌출되어 형성되고, 기판(10)의 측면이 노출되도록 기판 홈(300)의 깊이와 동일한 깊이 또는 더이상의 깊이를 구비한다.
기판 걸림부(320)는 기판 홈(310)에서 기판(10)을 분리하기 위한 수단이 삽입되는 영역이다.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 청구범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.
10: 기판 20: 챔버
30: 척 40: 포커스링
110: 유전체 120: 전극 라인
200: 어댑터 210: 제1 금속층
220: 제2 금속층 230: 제3 금속층
310: 기판 홈 320: 기판 걸림부

Claims (13)

  1. 플라즈마로 기판을 처리하는 영역인 챔버;
    상부에 상기 기판이 안착되도록 상기 챔버에 위치하는 척;
    상기 척의 내측 상부에 위치하는 유전체;
    상기 유전체에 내포되고, 정전력을 발생하는 전극 라인;
    상기 유전체의 상부에 안착되고 상부에 상기 기판이 안착되는 어댑터; 를 포함하되,
    상기 어댑터 상면 내측에 상기 기판이 삽입되는 기판 홈이 형성되는 것을 특징으로 하고,
    상기 어댑터 하면에 형성되는 제1 금속층;
    상기 어댑터 상면 중에서 상기 기판 홈이 형성되는 상면에 형성된 제2 금속층;
    상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 상하로 관통하도록 형성된 홀을 둘러싸는 벽면에 형성되는 제3 금속층; 을 포함하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유전체는 상기 제1 금속층과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합되고,
    상기 제2 금속층은 상기 기판과 양전하(positive electric charge) 및 음전하(negative electric charge) 간의 인력에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 어댑터를 구성하는 물질은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층이 표면에 형성될 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 어댑터를 구성하는 물질은 실리콘인 것을 특징으로 하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 증착, 도금 및 스퍼터링 중 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극 라인의 폭은 상기 기판 홈의 폭보다 크고,
    상기 어댑터의 폭은 상기 전극 라인의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 홈의 측면에 형성되고, 상기 기판의 측면이 적어도 일부가 노출되는 깊이를 구비하는 기판 걸림부; 를 포함하는,
    어댑터를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 플라즈마로 처리되는 기판이 상부에 안착되는 어댑터;
    상기 어댑터 상면 내측에 상기 기판이 삽입되는 기판 홈;
    상기 어댑터 하면에 형성되는 제1 금속층;
    상기 어댑터 상면 중에서 상기 기판 홈이 형성되는 상면에 형성된 제2 금속층;
    상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 상하로 관통하도록 형성된 홀을 둘러싸는 벽면에 형성되는 제3 금속층; 을 포함하는,
    어댑터.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 어댑터를 구성하는 물질은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층이 표면에 형성될 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는,
    어댑터.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 어댑터를 구성하는 물질은 실리콘인 것을 특징으로 하는,
    어댑터.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 증착, 도금 및 스퍼터링 중 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    어댑터.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판 홈의 측면에 돌출되어 형성되고, 상기 기판 홈의 깊이 이상의 깊이를 구비하는 기판 걸림부; 를 포함하는,
    어댑터.
  13. 삭제
KR1020190127693A 2019-10-15 2019-10-15 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 Active KR102077976B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190127693A KR102077976B1 (ko) 2019-10-15 2019-10-15 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
CN202010809844.6A CN112670152B (zh) 2019-10-15 2020-08-12 承载部及包括其的等离子体处理装置
TW109127783A TWI746113B (zh) 2019-10-15 2020-08-14 承載部及包括其的電漿處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190127693A KR102077976B1 (ko) 2019-10-15 2019-10-15 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102077976B1 true KR102077976B1 (ko) 2020-02-14

Family

ID=69514217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190127693A Active KR102077976B1 (ko) 2019-10-15 2019-10-15 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102077976B1 (ko)
CN (1) CN112670152B (ko)
TW (1) TWI746113B (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148219A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Nikon Corp 基板アダプタ
KR20080026042A (ko) * 2006-09-19 2008-03-24 동경 엘렉트론 주식회사 포커스링 및 플라즈마 처리 장치
KR20160022732A (ko) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 탑 엔지니어링 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5503503B2 (ja) * 2010-11-09 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9685356B2 (en) * 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
GR1009432B (el) * 2015-09-09 2019-01-15 Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων "Δημοκριτος" Διαταξη ατμοσφαιρικου πλασματος για ομοιομορφη επεξεργασια μεγαλων επιφανειων
JP6556046B2 (ja) * 2015-12-17 2019-08-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US10431440B2 (en) * 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
CN105555002A (zh) * 2016-02-01 2016-05-04 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种动态平行板等离子体发生器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148219A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Nikon Corp 基板アダプタ
KR20080026042A (ko) * 2006-09-19 2008-03-24 동경 엘렉트론 주식회사 포커스링 및 플라즈마 처리 장치
KR20160022732A (ko) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 탑 엔지니어링 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN112670152A (zh) 2021-04-16
TW202117793A (zh) 2021-05-01
CN112670152B (zh) 2021-11-19
TWI746113B (zh) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5942039A (en) Self-cleaning focus ring
US6074488A (en) Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
US5900064A (en) Plasma process chamber
EP1474264B1 (en) A plasma processing apparatus and method
CN106920733B (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
US7338578B2 (en) Step edge insert ring for etch chamber
KR20210044906A (ko) 내장형 rf 차폐부를 갖는 반도체 기판 지지부들
KR20160140450A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
EP2610897A1 (en) Plasma-resistant member and method for regenerating same
KR20140016837A (ko) 플라즈마 처리 챔버용 에지 링 어셈블리와 그 제조 방법
JP2024501093A (ja) 摩耗補償閉じ込めリング
KR101526507B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP5232512B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR102077976B1 (ko) 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
CN107452611B (zh) 用于等离子体蚀刻工件的方法及装置
KR102077974B1 (ko) 플라즈마 처리 수직도가 향상된 포커스링을 포함하는 플라즈마 처리 장치
JPH0922934A (ja) 処理中の基板上にプラズマを集中するための装置及び方法
TWI317151B (en) Landing uniformity ring for etch chamber
US8854790B1 (en) Electrostatic chuck assembly
CN116631861A (zh) 等离子体处理方法以及等离子体处理系统
CN112670151B (zh) 改善了等离子体处理垂直度的等离子体处理装置
US20040134617A1 (en) Convex insert ring for etch chamber
KR20180035980A (ko) 플라즈마 식각장치의 포커스 링
KR20020061878A (ko) 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 이온화 금속 플라즈마장치
KR20240112214A (ko) 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

PA0302 Request for accelerated examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D17-exm-PA0302

St.27 status event code: A-1-2-D10-D16-exm-PA0302

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000