KR102066267B1 - Apparatus for bonding semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
반도체칩 접합장치가 개시된다. 본 발명의 반도체칩 접합장치은, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 일체화되도록 접합시키는 반도체칩 접합장치에 있어서, 표면에 격벽으로 구획되어 다수의 안내공간이 관통 형성되는 금형본체; 상기 금형본체의 안내공간에 승강 가능하게 설치되고, 상기 금형본체의 하부에 설치되는 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 자중으로 하강되어 일정한 가압력을 전달하도록 형성되는 가압블록; 및 상기 금형본체의 상부에 설치되고, 상기 가압블록의 상부 이탈을 방지하도록 형성되는 커버;를 포함하며, 상기 안내공간은, 상기 가압블록의 승강 동작을 안정적으로 안내하고 승강 동작시 마찰을 최소화할 수 있도록 내부의 각 모서리영역에 승강안내부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 접합시 고온에 의한 금형본체의 휨 변형에 관계없이 개벌적으로 하강되는 가압블록의 자중에 의해 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 일정한 가압력을 제공하여 접합할 수 있고, 가압블록의 승강 동작을 승강안내부에 의해 안내하여 안정적인 승강 동작 및 마찰을 최소화할 수 있는 구조를 제공함으로써 가압블록의 작동성을 향상시키면서도 자중의 손실없이 반도체칩을 가압할 수 있다.A semiconductor chip bonding apparatus is disclosed. The semiconductor chip bonding apparatus of the present invention is a semiconductor chip bonding apparatus for bonding a semiconductor chip temporarily bonded up and down by an adhesive so as to be integrated in a high temperature chamber, wherein a mold body is partitioned on a surface and formed with a plurality of guide spaces. ; A pressure block which is installed to be elevated in a guide space of the mold body, is lowered to its own weight to a semiconductor chip aligned with a seating plate installed at a lower portion of the mold body, and is formed to transmit a constant pressing force; And a cover installed at an upper portion of the mold body and configured to prevent the upper departure of the pressing block. The guide space may stably guide the lifting operation of the pressing block and minimize friction during the lifting operation. It is characterized in that the lifting guide portion is formed to protrude in each corner region therein.
According to the present invention, a semiconductor chip temporarily bonded up and down by an adhesive is aligned to a seating plate by the weight of a pressure block that is individually lowered regardless of the bending deformation of the mold body due to the high temperature when bonding in a high temperature chamber. The semiconductor chip can be bonded by providing a constant pressing force, and the lifting operation of the pressing block is guided by the lifting guide to provide a structure that minimizes the lifting and friction of the lifting block. The semiconductor chip can be pressurized without loss of.
Description
본 발명은 반도체칩 접합장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 일체화되도록 접합시 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 금형본체의 가압력을 일정하게 전달할 수 있는 반도체칩 접합장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor chip bonding apparatus, and more particularly, to apply a pressing force of a mold body to a semiconductor chip aligned and seated on a seating plate upon bonding so as to integrate the semiconductor chip temporarily bonded up and down by an adhesive in a high temperature chamber. The present invention relates to a semiconductor chip bonding apparatus that can be constantly transmitted.
일반적으로, 전자, 통신 산업 관련 제품이 소형화, 고밀도화, 다기능화됨에 따라 반도체가 실장될 공간은 계속 줄어들고 있다. 반면에 더욱 다기능화된 전자제품은 더욱 많은 수의 반도체를 사용할 수밖에 없다. 따라서 반도체의 단위체적당 실장효율을 높일 수밖에 없는 상황이다.In general, as electronics and telecommunications products become smaller, more dense, and more versatile, space for semiconductors is shrinking. On the other hand, more versatile electronics are forced to use more semiconductors. Therefore, there is no choice but to increase the mounting efficiency per unit volume of the semiconductor.
최근에는 이러한 요구에 부응하기 위하여 접착제에 의해 반도체칩과 반도체칩을 상하로 적층하여 일체화되도록 접합함으로써 반도체의 전체 용량을 확장시켜 사용하고 있다.Recently, in order to meet these demands, the semiconductor chip and the semiconductor chip are stacked up and down by an adhesive and bonded together so as to be integrated to expand the total capacity of the semiconductor.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체칩 접합장치를 개략적으로 보인 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체칩 접합장치의 단면을 보인 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 반도체칩 접합장치가 고온의 챔버에서 변형된 상태를 보인 도면이다.1 is a view schematically showing a semiconductor chip bonding apparatus according to the prior art, FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor chip bonding apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a semiconductor chip bonding apparatus shown in FIG. The figure shows the deformed state in a high temperature chamber.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체칩 접합장치는 상부에 다수의 독립된 안착공간(12)이 마련되는 하부금형(10)과, 하부금형(10)의 상부에 결합되며 하부에 안착공간(12)과 대응되는 가압돌기(22)가 돌출 형성되도록 마련되는 상부금형(20)을 포함한다. 한편, 하부금형(20)의 안착공간(12)에는 접착제(2)에 의해 상하로 적층되도록 가접착된 상태의 반도체칩(1)이 안착된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor chip bonding apparatus includes a
이러한 구성에 따라, 하부금형(10)의 안착공간(12)에 가접착된 상태의 반도체칩(1)이 안착된 상태에서 가압돌기(22)가 안착공간(12)에 안착된 반도체칩(1)의 표면에 밀착되어 일정한 가압력을 제공하도록 상부금형(20)이 하부금형(10)의 상부에 결합된 후 대략 260℃∼300℃의 온도로 예열된 고온의 챔버(도면에 미도시)에 일정시간 동안 수용됨으로써 하부금형(10)의 안착공간(12)에 안착된 반도체칩(1)은 접착제(2)에 의한 융착과 상부금형(20)으로부터 작용하는 가압력에 의해 일체화되도록 접합되는 것이다.According to this configuration, the
하지만, 이러한 종래의 반도체칩 접합장치는 고온의 챔버에 일정시간 동안 수용됨에 따라 도 3과 같이 상부금형(20)은 챔버의 고온에 의해 중앙영역을 제외한 양측영역이 하부금형(10)의 상부 표면으로부터 들리게 되는 휨 변형이 발생되고, 이에 따라 상부금형(20)의 양측영역에서는 가압돌기(22)로 하부금형(10)의 안착공간(12)에 안착된 반도체칩(1)에 일정한 가압력을 제공할 수 없는 문제가 있다.However, as the conventional semiconductor chip bonding apparatus is accommodated in a high temperature chamber for a predetermined time, as shown in FIG. 3, the
즉, 가압돌기(22)는 상부금형(20)의 하부에 일체로 돌출 형성되는 구조를 채택하고 있기 때문에 상부금형(20)의 휨 변형에 따라 상부금형(20)의 양측영역에 배치된 가압돌기(22)가 반도체칩(1)의 표면으로부터 이격되어 반도체칩(1)에 일정한 가압력을 제공할 수 없게 되고, 이에 따라 반도체칩(1)을 일체화되도록 접합시 불량률을 높임으로써 작업의 효율성을 저하시키는 요인으로 작용하게 되는 것이다.That is, since the
따라서, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 일체화되도록 접합시 고온에 의한 상부금형의 휨 변형에 방해받지 않으면서도 하부금형에 안착된 반도체칩에 상부금형의 가압력이 일정하게 작용할 수 있는 반도체칩 접합장치에 관한 연구개발이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, the pressing force of the upper mold may be constantly applied to the semiconductor chip seated on the lower mold without being disturbed by the bending deformation of the upper mold due to the high temperature when bonding the semiconductor chip temporarily bonded up and down by the adhesive in a high temperature chamber. There is a demand for research and development on semiconductor chip bonding apparatuses.
본 발명의 기술적 과제는, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 일체화되도록 접합시 고온에 의한 금형본체의 휨 변형에 관계없이 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 금형본체의 가압력을 일정하게 전달할 수 있는 반도체칩 접합장치를 제공하는 것이다.The technical problem of the present invention is that the mold body is placed on a semiconductor chip that is aligned and seated on a mounting plate regardless of the bending deformation of the mold body due to the high temperature at the time of bonding so that the semiconductor chip temporarily bonded up and down by the adhesive is integrated in a high temperature chamber. It is to provide a semiconductor chip bonding apparatus capable of transmitting a constant pressure.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.
상기 기술적 과제는, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 일체화되도록 접합시키는 반도체칩 접합장치에 있어서, 표면에 격벽으로 구획되어 다수의 안내공간이 관통 형성되는 금형본체; 상기 금형본체의 안내공간에 승강 가능하게 설치되고, 상기 금형본체의 하부에 설치되는 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 자중으로 하강되어 일정한 가압력을 전달하도록 형성되는 가압블록; 및 상기 금형본체의 상부에 설치되고, 상기 가압블록의 상부 이탈을 방지하도록 형성되는 커버;를 포함하며, 상기 안내공간은, 상기 가압블록의 승강 동작을 안정적으로 안내하고 승강 동작시 마찰을 최소화할 수 있도록 내부의 각 모서리영역에 승강안내부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체칩 접합장치에 의해 달성된다.The technical problem is a semiconductor chip bonding apparatus for bonding a semiconductor chip temporarily bonded up and down by an adhesive so as to be integrated in a high temperature chamber, comprising: a mold body partitioned by a partition on a surface thereof and having a plurality of guide spaces therethrough; A pressure block which is installed to be elevated in the guide space of the mold body, is lowered to its own weight to a semiconductor chip which is aligned with a seating plate installed at a lower portion of the mold body, and is formed to transmit a constant pressing force; And a cover installed at an upper portion of the mold body and formed to prevent the upper departure of the pressing block. The guide space may stably guide the lifting operation of the pressing block and minimize friction during the lifting operation. It is achieved by a semiconductor chip bonding apparatus characterized in that the lifting guide portion is formed to protrude in each corner region of the inside.
상기 가압블록은, 상부 양측에 외측 방향으로 돌출되는 다수의 돌기부가 형성되고, 상기 금형본체는, 상기 격벽의 상부에 상기 돌기부와 대응되는 요홈이 형성되며, 상기 가압블록은 상기 금형본체와 커버 사이에서 상기 요홈에 의해 일정한 상하 유동이 허용되는 것을 특징으로 한다.The pressing block has a plurality of protrusions protruding outwardly on both sides of the upper portion, and the mold body has grooves corresponding to the protrusions on the partition wall, and the pressing block is formed between the mold body and the cover. In the groove is characterized in that the constant up and down flow is allowed.
상기 요홈은, 상기 돌기부의 두께보다 더 큰 깊이로 형성되는 것을 특징으로 한다.The groove is characterized in that formed in a depth greater than the thickness of the protrusion.
상기 승강안내부는, 상기 가압블록을 상기 안내공간 내로 원할하게 삽입할 수 있도록 그 상부에 안내경사면이 형성되는 것을 특징으로 한다.The lifting guide portion, characterized in that the guide inclined surface is formed on the upper portion so as to smoothly insert the pressure block into the guide space.
본 발명에 의하면, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩을 고온의 챔버에서 접합시 고온에 의한 금형본체의 휨 변형에 관계없이 개별적으로 하강되는 가압블록의 자중에 의해 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 일정한 가압력을 제공하여 접합할 수 있고, 가압블록의 승강 동작을 승강안내부에 의해 안내하여 안정적인 승강 동작 및 마찰을 최소화할 수 있는 구조를 제공함으로써 가압블록의 작동성을 향상시키면서도 자중의 손실없이 반도체칩을 가압할 수 있는 유용한 효과를 갖는다.According to the present invention, the semiconductor chip temporarily bonded up and down by the adhesive is aligned and seated on the mounting plate by the weight of the pressure block which is lowered individually regardless of the bending deformation of the mold body due to the high temperature when bonding in a high temperature chamber. The semiconductor chip can be bonded by providing a constant pressing force, and the lifting operation of the pressing block is guided by the lifting guide to provide a structure that can minimize the lifting and friction of stable lifting and improve the operability of the pressing block. It has a useful effect of pressing the semiconductor chip without loss.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체칩 접합장치를 개략적으로 보인 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체칩 접합장치의 내부를 보인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 반도체칩 접합장치에 의해 반도체칩의 접합시 고온에 의해 휨 변형된 상태를 보인 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치의 상부를 보인 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치의 하부를 보인 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치의 분리상태를 보인 사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치에 마련된 금형본체의 안내공간을 확대하여 보인 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 금형본체의 안내공간을 확대하여 보인 단면도이다.
도 9는 도 7에 도시된 금형본체의 안내공간을 확대하여 보인 평면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치에 마련된 가압블록을 보인 사시도이다.
도 11은 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치의 요부를 확대하여 보인 단면도이다.
도 12는 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치에 의해 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩을 가압하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor chip bonding apparatus according to the prior art.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the inside of the semiconductor chip bonding apparatus illustrated in FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the semiconductor chip bonding apparatus illustrated in FIG. 1 is warped and deformed due to high temperature when the semiconductor chip is bonded.
4 is a perspective view showing an upper portion of a semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
5 is a perspective view showing a lower portion of the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
6 is a perspective view showing a separated state of the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
7 is an enlarged perspective view of a guide space of a mold body provided in a semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
8 is an enlarged cross-sectional view of the guide space of the mold body illustrated in FIG. 7.
9 is an enlarged plan view of the guide space of the mold body illustrated in FIG. 7.
10 is a perspective view showing a pressing block provided in the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
11 is an enlarged cross-sectional view of the main portion of the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
12 is a cross-sectional view for explaining a process of pressing a semiconductor chip aligned and seated on a mounting plate by a semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in the following description of the present invention, a description of a known function or configuration will be omitted to clarify the gist of the present invention.
본 발명에 따른 반도체칩 접합장치는, 도 4 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 금형본체(10)와, 가압블록(20)과, 그리고 커버(30)를 포함한다.4 to 11, the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention includes a
즉, 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치는, 반도체칩(1)이 접착제에 의해 상하로 가접착된 후 다수 정렬되어 안착된 안착플레이트(2)의 상부에 금형본체(10)를 설치한 후 고온의 챔버 내에서 가압블록의 자중에 의한 가압력으로 반도체칩(1)을 가압하여 접합하는 구조로 된 것이다.That is, in the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention, after the
금형본체(10)는 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치의 메인 프레임을 형성하도록 마련되며, 가압블록(20)과 커버(30)가 일체로 조립되도록 설치된다. 즉, 금형본체(10)는 일정 면적을 갖는 판재 형상으로 형성되며, 표면에 격벽(12)으로 구획되는 다수의 안내공간(14)이 관통 형성된다.The
안내공간(14)은 내부의 각 모서리영역에 승강안내부(16)가 돌출 형성된다. 이러한 승강안내부(16)는 가압블록(20)의 승강 동작을 안정적으로 안내하고 승강 동작시 격벽(12)과 가압블록(20) 간의 마찰을 최소화하는 역할을 담당한다.In the
즉, 승강안내부(16)는 안내공간(14) 내에서 가압블록(20)의 모서리영역만을 안내함으로써, 가압블록(20)의 승강 동작을 안정적으로 안내하면서도 승강 동작시 격벽(12)과 가압블록(20) 간의 마찰을 최소화할 수 있는 구조를 제공할 수 있게 된다. 이에 따라, 가압블록(20)은 승강 동작시 원활하게 작동될 수 있게 되는 것이다.That is, the
또한, 승강안내부(16)는 그 상부에 안내공간(14)의 내부로 경사지는 안내경사면(18)이 형성된다. 이에 따라 가압블록(20)은 안내공간(14) 내로 삽입되는 경우 안내경사면(18)에 의해 원활하게 삽입될 수 있게 된다.In addition, the
격벽(12)은 후술하는 가압블록(20)에 마련된 다수의 돌기부(22)와 대응되는 상부 위치에 요홈(121)이 형성된다. 이때, 요홈(121)은 돌기부(22)의 두께보다 더 큰 깊이로 형성된다.The
가압블록(20)은 금형본체(10)의 안내공간(14)에 설치되도록 마련된다. 이러한 가압블록(20)은 안내공간(14) 내에서 승강 동작 가능하게 설치되고 자중에 의해 하강되어 안착플레이트(2)에 정렬되어 안착된 반도체칩(1)을 가압하는 구조를 갖는다.The
또한, 가압블록(20)은 상부 양측에 외측 방향으로 돌출되는 다수의 돌기부(22)가 형성된다. 돌기부(22)는 격벽(12)의 상부에 형성되는 요홈(121)에 안착된다. 이에 따라, 가압블록(20)은 돌기부(22)와 요홈(121)에 의해 금형본체(10)의 하부로 이탈 방지되는 구조를 갖는다.In addition, the
커버(30)는 금형본체(10)의 상부에 설치되도록 마련된다. 즉, 커버(30)는 일정한 두께를 갖는 판재 형상으로 형성되어 금형본체(10)의 상부에 설치된다.The
이러한 커버(30)는 가압블록(20)의 상부 이탈을 방지하는 역할을 담당한다. 즉, 커버(30)는 표면에 다수의 안내공간(14)을 합친 크기의 관통공(32)이 형성되고, 관통공(32)은 돌기부(22)의 상부 이탈을 방지하는 구조를 제공하게 된다. 이에 따라 가압블록(20)은 돌기부(22)와 관통공(32) 간의 걸림 구조에 의해 금형본체(10)의 상부로 이탈 방지되게 된다.The
또한, 가압블록(20)은 금형본체(10)와 커버(30) 사이에서 요홈(121)에 의해 일정한 상하 유동이 허용될 수 있게 된다. 즉, 격벽(12)은 돌기부(22)의 두께보다 더 큰 깊이로 형성됨으로써, 가압블록(20)은 요홈(121)의 깊이만큼 일정한 상하 유동이 가능할 수 있게 되는 것이다.In addition, the
이하, 도 12를 참조하여 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치에 의해 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩을 가압하여 접합하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of pressing and bonding a semiconductor chip aligned and seated on a mounting plate by the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 12.
먼저, 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치는, 가압블록(20)이 금형본체(10)의 안내공간(14) 내로 삽입 설치된다. 이때, 승강안내부(16)에 형성된 안내경사면(18)에 의해 가압블록(20)의 삽입을 안내함으로써 가압블록(20)은 안내공간 내로 원활하게 삽입될 수 있게 된다.First, in the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention, the
이후, 금형본체(10)의 상부에 커버(30)가 조립되도록 설치된다. 이에 따라, 가압블록(20)은 금형본체(10)와 커버(30) 사이에서 상하 방향으로 이탈 방지되며, 요홈(121) 내에서 돌기부(22)에 의해 일정한 상하 유동이 허용될 수 있게 된다.Thereafter, the
도 12에 도시된 바와 같이, 금형본체(10)에 가압블록(20) 및 커버(30)의 조립이 완료되면, 금형본체(10)의 하부에 안착플레이트(2)가 설치된다. 이때, 안착플레이트(2)에는 가압블록(20)과 대응되도록 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩(1)이 정렬되어 안착된다.As shown in FIG. 12, when the assembling of the
상기와 같이, 금형본체(10)의 하부에 안착플레이트(2)가 설치되면, 가압블록(20)은 자중에 의해 하강되어 반도체칩(1)에 밀착되며, 이에 따라 가압블록(20)의 자중으로 반도체칩(1)에 일정한 가압력을 제공할 수 있게 된다.As described above, when the mounting
즉, 가압블록(20)은 금형본체(10)에 대해 개별적으로 하강되는 구조를 제공함으로써, 고온의 챔버 내에서 금형본체(10)의 휨 변형이 발생하는 경우에도 반도체칩(1)에 안정적인 가압력을 제공하여 접합시킬 수 있게 되는 것이다.That is, the
또한, 금형본체(10)는 안내공간(14) 내에서 승강안내부(16)에 의해 가압블록(20)의 모서리영역만을 안내함으로써, 가압블록(20)은 승강안내부(16)에 안정적인 승강 동작이 가능하면서도 승강 동작시 격벽(12)과 가압블록(20) 간의 마찰을 최소화하여 원활한 작동성을 확보할 수 있게 된다.In addition, the mold
즉, 가압블록(20)은 승강안내부(16)의 안내구조에 의해 안정적인 승강 동작은 물론 마찰을 최소화함으로써, 가압블록(20)의 자중을 반도체칩(1)에 그대로 전달할 수 있게 되는 것이다.That is, the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치는, 접착제에 의해 상하로 가접착된 반도체칩(1)을 고온의 챔버에서 접합시 고온에 의한 금형본체(10)의 휨 변형에 관계없이 개별적으로 하강되는 가압블록(20)의 자중에 의해 안착플레이트(2)에 정렬되어 안착된 반도체칩(1)에 일정한 가압력을 제공하여 접합할 수 있다.As described above, in the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention, the
또한, 본 발명에 따른 반도체칩 접합장치는, 가압블록(20)의 승강 동작을 승강안내부(16)에 의해 안내하여 안정적인 승강 동작 및 마찰을 최소화할 수 있는 구조를 제공함함으로써 가압블록(20)의 작동성을 향상시키면서도 자중의 손실없이 반도체칩을 가압할 수 있다.In addition, the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention, by providing a structure that can guide the lifting operation of the
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.While specific embodiments of the invention have been described and illustrated above, it is to be understood that the invention is not limited to the described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention. It is self-evident to those who have. Therefore, such modifications or variations are not to be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention, the modified embodiments will belong to the claims of the present invention.
10: 금형본체
12: 격벽
121: 요홈
14: 안내공간
16: 승강안내부
18: 안내경사면
20: 가압블록
22: 돌기부
30: 커버
32: 관통공10: mold body
12: bulkhead
121: groove
14: Information space
16: Lift Guide
18: Guide slope
20: pressure block
22: protrusion
30: cover
32: through hole
Claims (4)
표면에 격벽으로 구획되어 다수의 안내공간이 관통 형성되는 금형본체;
상기 금형본체의 안내공간에 승강 가능하게 설치되고, 상기 금형본체의 하부에 설치되는 안착플레이트에 정렬되어 안착된 반도체칩에 자중으로 하강되어 일정한 가압력을 전달하도록 형성되는 가압블록; 및
상기 금형본체의 상부에 설치되고, 상기 가압블록의 상부 이탈을 방지하도록 형성되는 커버;를 포함하며,
상기 금형본체는 상기 가압블록의 승강 동작을 안정적으로 안내하고 승강 동작시 마찰을 최소화할 수 있도록 상기 안내공간 내부의 각 모서리영역에 승강안내부가 돌출 형성되고, 상기 승강안내부는 상기 가압블록을 상기 안내공간 내로 원할하게 삽입할 수 있도록 상부에 안내경사면이 형성되며,
상기 가압블록은 상부 양측에 외측 방향으로 돌출되는 다수의 돌기부가 형성되고,
상기 금형본체는 상기 격벽의 상부에 상기 돌기부와 대응되는 요홈이 형성되며, 상기 가압블록은 상기 금형본체와 커버 사이에서 상기 요홈에 의해 일정한 상하 유동이 허용되며,
상기 요홈은 상기 돌기부의 두께보다 큰 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체칩 접합장치.A semiconductor chip bonding apparatus for bonding a semiconductor chip temporarily bonded up and down by an adhesive so as to be integrated in a high temperature chamber,
A mold body partitioned on a surface by a partition wall to form a plurality of guide spaces therethrough;
A pressure block which is installed to be elevated in a guide space of the mold body, is lowered to its own weight to a semiconductor chip aligned with a seating plate installed at a lower portion of the mold body, and is formed to transmit a constant pressing force; And
And a cover installed at an upper portion of the mold body and formed to prevent the upper departure of the pressing block.
The mold main body guides the lifting operation of the pressure block in a stable manner and minimizes the friction during the lifting operation, the lifting guide portion is formed in each corner area of the guide space, the lifting guide portion guides the pressure block to the pressure block Guide inclined surface is formed on the top so that it can be inserted into the space smoothly,
The pressing block has a plurality of protrusions protruding in an outward direction on both upper sides,
The mold body is provided with a groove corresponding to the protrusion on the upper portion of the partition wall, the pressure block is allowed a constant vertical flow by the groove between the mold body and the cover,
The groove is a semiconductor chip bonding apparatus, characterized in that formed in a depth greater than the thickness of the projection.
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| KR100874923B1 (en) | 2007-04-02 | 2008-12-19 | 삼성전자주식회사 | Multi-stack package, manufacturing method thereof and semiconductor package mold for manufacturing same |
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-
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- 2019-07-02 KR KR1020190079150A patent/KR102066267B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990069035A (en) * | 1998-02-04 | 1999-09-06 | 구본준 | Stacked semiconductor package unit, method of manufacturing stacked semiconductor package using same and apparatus therefor |
| KR100874923B1 (en) | 2007-04-02 | 2008-12-19 | 삼성전자주식회사 | Multi-stack package, manufacturing method thereof and semiconductor package mold for manufacturing same |
| KR101478328B1 (en) * | 2014-10-24 | 2015-01-02 | 성기욱 | Apparatus for bonding semiconductor chip |
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