[go: up one dir, main page]

KR102007864B1 - 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 - Google Patents

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 Download PDF

Info

Publication number
KR102007864B1
KR102007864B1 KR1020160143686A KR20160143686A KR102007864B1 KR 102007864 B1 KR102007864 B1 KR 102007864B1 KR 1020160143686 A KR1020160143686 A KR 1020160143686A KR 20160143686 A KR20160143686 A KR 20160143686A KR 102007864 B1 KR102007864 B1 KR 102007864B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive paste
solar cell
electrode
powder
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160143686A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180049352A (ko
Inventor
김충호
노화영
장문석
전태현
김인철
고민수
Original Assignee
엘에스니꼬동제련 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘에스니꼬동제련 주식회사 filed Critical 엘에스니꼬동제련 주식회사
Priority to KR1020160143686A priority Critical patent/KR102007864B1/ko
Priority to CN201780077342.5A priority patent/CN110431671B/zh
Priority to PCT/KR2017/011510 priority patent/WO2018080094A1/ko
Priority to US16/346,070 priority patent/US11309101B2/en
Publication of KR20180049352A publication Critical patent/KR20180049352A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102007864B1 publication Critical patent/KR102007864B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H01L31/022425—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
    • C07F7/0838—Compounds with one or more Si-O-Si sequences
    • H01L31/02167—
    • H01L31/186—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

본 발명은 금속 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 실리콘계 첨가제 및 용제를 포함하는 도전성 페이스트로서, 상기 실리콘계 첨가제는 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산(Trimethylsiloxy terminated Polydimethylsiloxane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공하며, 상기 도전성 페이스트를 이용하여 형성되는 전극의 종횡비(aspect ratio), 즉 선폭 및 선고를 개선함으로써 전도성을 향상시킬 수 있으며, 전극의 선폭이 감소에 따라 수광면이 늘어나 높은 발전 효율을 갖는 태양전지를 제공할 수 있다.

Description

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 {Electrode Paste For Solar Cell's Electrode And Solar Cell using the same}
본 발명은 태양전지의 전극 형성에 사용되는 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서 일반적으로 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다. 도 1은 일반적인 태양전지 소자의 구조로서, 태양 전지 소자는 일반적으로 두께가 180~250㎛인 p형 실리콘 반도체 기판(10)을 이용하여 구성된다. 실리콘 반도체 기판의 수광면측에는, 두께가 0.3~0.6㎛인 n형 불순물층(20)과, 그 위에 반사 방지막(30)과 전면 전극(100)이 형성되어 있다. 또한, p형 실리콘 반도체 기판의 이면측에는 배면 전극(50)이 형성되어 있다. 전면 전극(100)은 은을 주성분으로 하는 도전성 입자(silver powder), 유리 프릿(glass frit), 유기 비히클(organic vehicle) 용제 및 첨가제 등을 혼합한 도전성 페이스트를 반사 방지막(30) 상에 도포한 후 소성하여 전극을 형성하고 있으며, 배면 전극(50)은 알루미늄 분말, 유리 프릿, 유기 비히클(organic vehicle) 및 첨가제로 이루어지는 알루미늄 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후, 660℃(알루미늄의 융점) 이상의 온도에서 소성함으로써 형성되어 있다. 이 소성시에 알루미늄이 p형 실리콘 반도체 기판의 내부로 확산됨으로써, 배면 전극과 p형 실리콘 반도체 기판 사이에 Al-Si 합금층이 형성됨과 동시에, 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p+층(40)이 형성된다. 이러한 p+층의 존재에 의해 전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과가 얻어진다. 배면 알루미늄 전극(50) 하부에는 배면 실버 전극(60)이 더 위치될 수 있다.
태양전지의 전면 전극은 금속 전극으로 인한 빛 흡수나 반사로 인한 손실을 최소화해야 하기 때문에 전극의 선폭은 감소되어야 하며 전극 저항을 위하여 전극의 높이는 증가시켜야 한다. 일반적으로 선폭/높이의 종횡비(aspect ratio)를 높이기 위하여 인쇄공정의 스크린 메쉬 디자인을 변경하거나 적층인쇄, 그라비어 옵셋 인쇄 공정 도입 등 인쇄공법을 변경하는 방법, 도전성 페이스트의 레올로지(rheological) 특성을 조절함으로써 높이는 방법(비특허문헌 1) 등을 통해 이루어지고 있다.
그러나 인쇄 공정의 변경 시 공정 비용이 증가하는 문제가 있으며, 도전성 페이스트의 레올로지 특성을 조절하는 방법은 점도를 높여서 선폭을 줄이는 방법에 그치는 등의 한계가 있었다.
본 발명은 도전성 페이스트의 조성 변경을 통한 종횡비를 높이는 방법을 제공하고자 한다.
1. 한국공개특허 제2013-0139022호 (2013.12.20.)
1. 결정질 실리콘 태양전지의 고종횡비 전면전극 구현을 위한 페이스트의 리올로지 특성 조절, 홍준의(2013)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 태양전지 전극 패턴의 종횡비를 높일 수 있는 도전성 페이스트의 조성을 제공함으로써, 제조된 도전성 페이스트를 이용하여 형성되는 전극을 포함하는 태양전지의 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 금속 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 실리콘계 첨가제 및 용제를 포함하며, 상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 1로 표현되는 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산(Trimethylsiloxy terminated Polydimethylsiloxane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112016106299840-pat00001
(이 때, n은 1 내지 300의 정수이다.)
또한 상기 실리콘계 첨가제는 상기 도전성 페이스트 전체 중량에 대하여 0.01 내지 0.3 중량%로 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 2로 표현되는 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산(Polyether modified Polydimethylsiloxane)을 상기 실리콘계 첨가제 전체 중량에 대하여 20wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
<화학식 2>
Figure 112016106299840-pat00002
(이 때, R1 및 R2는 독립적으로 수소 및 메틸기 중에서 선택되며, 한 분자내에 수소와 메틸기가 함께 존재할 수 있으며, m은 5~100의 정수이고, n은 1~10의 정수이며, x는 1~300의 정수이고, y는 1~100의 정수이다.)
또한 상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현되는 옥타메틸사이클로테트라실록산(Octamethyl Cyclotetrasiloxane)을 상기 실리콘계 첨가제 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
<화학식 3>
Figure 112016106299840-pat00003
또한 상기 용제는 미네랄스프릿(mineral spirits), YK-D40, YK-D80, YK-D100, YK-D110 및 YK-D130로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 탄화수소계(hydrocarbon) 용제를 상기 용제 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 기재 상부에 전면 전극을 구비하고, 기재 하부에 배면 전극을 구비한 태양전지에 있어서, 상기 전면 전극은 도전성 페이스트를 도포한 후 소성시켜 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공한다.
본 발명은 태양전지 전극용 도전성 페이스트에 사용되는 첨가제 및 용제의 조성을 조절하여, 제조된 도전성 페이스트를 이용하여 형성되는 전극의 종횡비(aspect ratio), 즉 선폭 및 선고를 개선함으로써 전도성을 향상시킬 수 있으며, 전극의 선폭이 감소에 따라 수광면이 늘어나 높은 발전 효율을 갖는 태양전지를 제공할 수 있다.
또한 상기의 조성을 갖는 도전성 페이스트를 이용하여 동일한 인쇄 조건 및 열처리 공정에서도 전극의 선폭을 감소시킬 수 있으며, 소성 후 전극의 선폭이 증가하는 것을 현저히 저감시켜 미세 패턴을 형성하는데 유리한 효과를 제공한다.
또한 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 기존의 저가의 스크린 인쇄 공정에 적용 가능하여 패턴 디자인 및 인쇄 공정을 변경하지 않고도 높은 종횡비를 갖는 전극을 형성할 수 있다.
도 1은 일반적인 태양전지 소자의 개략 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 전극의 선폭 측정 이미지를 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 페이스트는 태양전지 전극 형성에 사용되기 적합한 페이스트로서, 실리콘계 첨가제를 포함하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다. 더욱 구체적으로 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 금속 분말, 유리 프릿, 바인더, 실리콘계 첨가제 및 용제를 포함하여 이루어진다. 이하 각 성분을 구체적으로 설명한다.
상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 1로 표현되는 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산(Trimethylsiloxy terminated Polydimethylsiloxane)을 포함한다. 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산을 첨가제로서 첨가하는 경우 금속 분말간의 응집성(cohension)이 강해지며, 웨이퍼(wafer)와의 표면장력도 더 커지기 때문에, 제조된 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 전극의 선폭 개선 효과가 우수하다.
<화학식 1>
Figure 112016106299840-pat00004
화학식 2에서 n은 1 내지 300의 정수이다.
또한 상기 실리콘계 첨가제로서 하기 화학식 2로 표현되는 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산(Polyether modified Polydimethylsiloxane)을 실리콘계 첨가제 조성물 전체 중량에 대하여 20wt% 이하로 더 포함할 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112016106299840-pat00005
여기서, R1 및 R2는 독립적으로 수소 및 메틸기 중에서 선택되며 한 분자내에 수소와 메틸기가 함께 존재할 수 있으며, m은 5~100의 정수이고, n은 1~10의 정수이며, x는 1~300의 정수이고, y는 1~100의 정수이다.
또한, R1이 독립적으로 수소와 메틸기가 함께 선택되어 한 분자내에 에틸렌 옥사이드기(R1이 수소인 경우)와 프로필렌 옥사이드기(R1가 메틸기인 경우)가 공존하는 경우 에틸렌 옥사이드기와 프로필렌 옥사이드기의 몰비율은 2:8 내지 8:2일 수 있다. 폴리에테르 변성을 통해 고극성 특성을 가져 표면 장력 저하 효과를 주어 소성시 선폭 증가를 감소시킬 수 있는 것으로 예측된다. 에틸렌 옥사이드기가 프로플렌 옥사이드기에 비해 보다 고극성이어서 에틸렌 옥사이드기와 프로필렌 옥사이드기의 몰비율은 바람직하기로는 6:4 내지 8:2 가 좋다. 화학식 1에서 m은 5~100의 정수이고, n은 1~10의 정수이며, x는 1~300의 정수이고, y는 1~100의 정수이며, x : y는 10 : 1 ~ 100 : 1이 바람직하다.
또한 상기 실리콘계 첨가제는 환상 실록산(cyclosiloxane)을 미량 더 포함할 수 있으며, 하기 화학식 3으로 표현되는 옥타메틸사이클로테트라실록산(Octamethyl Cyclotetrasiloxane)을 실리콘계 첨가제 조성물 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함할 수 있다.
<화학식 3>
Figure 112016106299840-pat00006
상기 실리콘계 첨가제의 함량은 전체 페이스트 조성물 기준 0.01 중량% ~ 0.3 중량% 범위내가 좋다. 상기 범위 미만에서는 선폭 감소 효과가 미미하며, 상기 범위를 넘는 경우 태양전지 전극의 전기적 특성이 불리하거나 전극과 실리콘 기판의 부착을 저하시켜 컨택을 방해하는 문제가 있을 수 있다.
상기 금속 분말로는 은(Ag) 분말, 금(Au) 분말, 백금(Pt) 분말, 니켈(Ni) 분말, 구리(Cu) 분말 등이 사용될 수 있는데, 금속 분말은 상술한 분말 중 하나가 단독으로 사용되거나, 상술한 금속의 합금이 사용되거나, 상술한 분말 중 적어도 두 개가 혼합된 혼합 분말로 사용될 수 있다. 또한 상기 금속 분말의 표면을 친수성 처리 등 표면처리한 금속 분말을 사용할 수 있다.
이 중에서도 우수한 전기전도도를 가져 전면 전극용으로 주로 사용되는 은(Ag) 분말을 사용하는 것이 좋다. 은 분말은 순은 분말이 바람직하며, 이외에, 적어도 표면이 은층으로 이루어지는 은 피복 복합 분말이나, 은을 주성분으로 하는 합금 등을 사용할 수 있다. 또한, 다른 금속 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들면 알루미늄, 금, 팔라듐, 동, 니켈 등을 들 수 있다.
금속 분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 60 내지 98 중량%가 바람직하다. 40 중량% 미만인 경우 형성된 전극의 비저항이 높을 수 있으며, 95 중량% 초과인 경우 다른 성분의 함량이 충분하지 않아 금속 분말이 균일하게 분산되지 않는 문제점이 있다.
은 분말의 평균입경은 0.1 내지 10㎛ 일 수 있으며, 페이스트화 용이성 및 소성시 치밀도를 고려할 때 0.5 내지 5㎛가 바람직하며, 그 형상이 구상(球狀), 침상(針狀), 판상(板狀) 그리고 무정상(無定狀) 중 적어도 1종 이상일 수 있다. 은 분말은 평균 입자지름이나 입도 분포, 형상 등이 다른 2종 이상의 분말을 혼합하여 이용해도 좋다.
상기 유리 프릿의 조성이나 입경, 형상에 있어서 특별히 제한을 두지 않는다. 유연 유리 프릿뿐만 아니라 무연 유리 프릿도 사용 가능하다. 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 10 ~ 29 mol%, TeO2는 20 ~ 34 mol%, Bi2O3는 3 ~ 20 mol%, SiO2 20 mol% 이하, B2O3 10 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 및 알칼리 토금속(Ca, Mg 등)은 10 ~ 20 mol%를 함유하는 것이 좋다. 상기 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해 전극 선폭 증가를 막고 고면저항에서 접촉저항을 우수하게 할 수 있으며, 단략전류 특성을 우수하게 할 수 있다.
특히, PbO의 함량이 너무 높으면 친환경적이지 않고, 용융 시 점도가 너무 낮아져서 소성 시 전극의 선폭이 커지는 문제점이 존재하며, 따라서 PbO는 유리 프릿 내에서 상기 범위 내로 포함되는 것이 좋다. 더 나아가 PbO가 30mol%를 넘고, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속의 함량이 상기 범위에 미달하는 경우에는 절연층 중 Al2O3층 제거 성능이 떨어져 바람직하지 않다.
유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.5 내지 10㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균 입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균 입경(D50)이 3㎛ 이상 5㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소성 시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성 시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 유리 프릿의 유리전이온도(Tg)는 제한되지 않으나 200 ~ 600℃ 일 수 있으며, 바람직하기로는 유리전이온도는 200℃ 이상 300℃ 미만의 범위 내가 좋다. 300℃ 미만의 낮은 유리전이온도의 유리 프릿을 사용함으로써 용융 균일도를 높일 수 있으며, Cell 특성 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 저온/급속 소성시에도 우수한 접촉 특성을 확보할 수 있으며, 고면저항(90~120Ω/sq) 태양전지에 최적화될 수 있다.
유리 프릿의 결정화 특성은 중요한 인자로 다루어질 수 있다. 기존의 유리 프릿은 DSC 측정시 최초의 결정화 온도는 대체로 550℃ 이상에서 일어나는데, 본 발명에서는 유리 프릿의 DSC 측정 데이터 상 최초 결정화 피크가 400℃ 미만에서 이루어지도록 함으로써 소성시 보다 빨리 결정화가 일어나 소성 과정 중에 전극의 선폭이 커지는 것을 현저히 감소시킴으로써 전기적 특성을 우수하게 할 수 있다. 바람직하기로는 DSC 데이터 상에서 결정화 피크가 400℃ 미만에서 최초 발생하고, 2차 결정화 피크가 400℃ 이상 500℃ 미만에서 발생하는 것이 좋다. 더 좋기로는 DSC 데이터 상에서 400℃ 미만에서 결정화 피크가 모두 발생하는 것이 좋다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 1 내지 15 중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 15 중량% 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
상기 유기 바인더와 용제를 포함하는 유기 비히클은 금속 분말과 유리 프릿 등이 균일하게 혼합된 상태를 유지하는 특성이 요구되며, 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트가 기재에 도포될 때에, 도전성 페이스트를 균질하게 하여, 인쇄 패턴의 흐려짐 및 흐름을 억제하고, 또한 스크린판으로부터의 도전성 페이스트의 토출성 및 판분리성을 향상시키는 특성이 요구된다.
유기 바인더는 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
유기 바인더는 제한되지 않으나 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1 내지 15 중량%가 바람직하다. 유기 바인더의 함량이 1 중량% 미만이면 조성물의 점도, 형성된 전극 패턴의 접착력이 떨어질 수 있으며, 15 중량% 초과하면 금속 분말, 용제, 분산제 등의 양이 충분하지 않을 수 있다.
상기 용제는 디메틸 아디페이트(Dimethyl adipate), 디에틸렌 글리콜 부틸에테르 아세테이트(diethylene glycol butyl ether acetate), 텍사놀(texanol), 디옥틸 프탈레이트(Dioctyl phthalate), 디부틸 프탈레이트(Dibutyl phthalate), 디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 에틸렌 글리콜 부틸 에테르(ethylene glycol buthyl ether), 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 아세테이트(ethylene glycol butyl ether acetate), 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(diethylene glycol butyl ether) 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용된다. 바람직하게는 디메틸 아디페이트(Dimethyl adipate), 디에틸렌 글리콜 부틸에테르 아세테이트(diethylene glycol butyl ether acetate)를 사용하는 것이 좋다.
상기 용제의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 10 내지 25 중량%가 바람직하다.
또한 상기 용제는 미네랄스프릿(mineral spirits), YK-D40, YK-D80, YK-D100, YK-D110, YK-D130 등의 탄화수소계(hydrocarbon) 용제를 더 포함하여 사용한다. 상기 탄화수소계 용제는 상기 용제 조성물 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 목적하는 효과를 달성하기 위하여 실리콘계 첨가제로서 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산(Trimethylsiloxy terminated Polydimethylsiloxane)을 포함하여 동일한 스크린 인쇄 조건 및 열처리 공정에서 전면 전극의 선폭을 감소시킬 수 있으며, 이 경우 탄화수소계 용제를 더 포함하여 도전성 페이스트를 제조하는 경우 미세 패턴 형성에 유리한 효과를 제공한다.
탄화수소계 용제 및 실리콘계 첨가제를 포함하는 도전성 페이스트를 이용하여 형성되는 전극의 종횡비(aspect ratio), 즉 선폭 및 선고를 개선함으로써 전도성을 향상시킬 수 있으며, 전극의 선폭이 감소에 따라 수광면이 늘어나 높은 발전 효율을 갖는 태양전지를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 도전성 페이스트 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 기타 첨가제, 예를 들면, 분산제, 레벨링제, 가소제, 점도 조정제, 계면활성제, 산화제, 금속 산화물, 금속 유기 화합물 등을 더 포함할 수 있다. 상기 기타 첨가제는 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 5 중량%로 포함된다.
상술한 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물은 금속 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 용제 및 첨가제 등을 혼합 및 분산한 다음 여과 및 탈포하여 제조될 수 있다.
본 발명은 또한 상기 도전성 페이스트를 기재 위에 도포하고, 건조 및 소성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다. 본 발명의 태양전지 전극 형성방법에서 상기 특성의 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하는 것을 제외하고, 기재, 인쇄, 건조 및 소성은 통상적으로 태양전지의 제조에 사용되는 방법들이 사용될 수 있음은 물론이다.
일예로 상기 기재는 실리콘 웨이퍼일 수 있으며, 본 발명의 페이스트로 제조되는 전극은 전면의 핑거 전극, 버스바 전극일 수 있으며, 상기 인쇄는 스크린 인쇄, 옵셋 인쇄일 수 있으며, 상기 건조는 90 내지 250 ℃에서 이루어 질 수 있으며, 상기 소성은 600 내지 950 ℃에서 이루어질 수 있다. 바람직하기로는 상기 소성이 800 내지 950 ℃, 더욱 바람직하게는 850 내지 900 ℃에서 5초 내지 1분간 이루어지는 고온/고속 소성을 하는 것이 좋으며, 상기 인쇄는 20 내지 60 ㎛의 두께로 인쇄를 하는 것이 좋다. 구체적인 일예로 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0108550호, 제10-2006-0127813호, 일본국 공개특허공보 특개2001-202822 및 특개2003-133567에 기재된 태양전지의 구조 및 이의 제조방법을 들 수 있다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 나타낸 바와 같은 조성으로 유리 프릿, 유기 바인더(Ethyl cellulose resin), 용제(Dimethyl adipate), 탄화수소계 용제(Mineral spirit) 및 실리콘계 첨가제를 넣고 삼본밀을 사용하여 분산한 후, 실버 파우더(구상, 평균 입경 1㎛)를 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조하였다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예1
Ethyl cellulose resin 0.5 0.5 0.5 0.5
Dimethyl adipate 6.3 6.3 6.0 6.6
Mineral spirit 0.3
Wax 0.5 0.5 0.5 0.5
실버파우더 90 90 90 90
유리 프릿 1.5 1.5 2.2 1.5
분산제 1(Byk180) 0.3 0.3 0.3 0.3
분산제 2(EFKA-4330) 0.2 0.2 0.2 0.2
실리콘계 첨가제 1 0.3
실리콘계 첨가제 2 0.3 0.3
* 실리콘계 첨가제 1 : polyether modified polydimethylsiloxane
* 실리콘계 첨가제 2 : trimethylsiloxy terminated polydimethylsiloxane
실험예
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 도전성 페이스트를 Wafer의 전면에 35㎛ 메쉬의 스크린 프린팅 기법으로 패턴 인쇄하고, 벨트형 건조로를 사용하여 200~350 ℃에서 20초에서 30초 동안 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 Al paste를 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 500 내지 900 ℃사이로 20초에서 30초간 소성하여 태양전지 cell을 제조하였다.
제조된 Cell은 태양전지 효율측정장비(Halm社, cetisPV-Celltest 3)를 사용하여, Isc, Voc, Rseries, Rshadow, 효율성능을 관찰하여 비교예의 값 100을 기준으로 상대적 값을 하기 표 2에 나타내었다. 또한 전면 전극의 선폭 및 선고를 측정하여 하기 표 3에 나타내었으며, 전극 이미지를 도 2에 나타내었다.
Isc Voc Eff FF Rs
실시예 1 100.42 100.00 100.37 100.21 99.81
실시예 2 100.74 100.00 100.66 100.39 99.12
실시예 3 100.73 100.00 100.69 100.42 98.99
비교예 1 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00
블리딩 선폭
(μm)		 선폭
(μm)		 선고 종횡비 단선횟수
실시예 1 51.375 38.531 15.3 0.40 7
실시예 2 50.152 34.861 16.9 0.48 5
실시예 3 50.321 34.871 16.8 0.48 0
비교예 1 54.433 44.647 13.2 0.30 10
통상적으로 태양전지는 효율을 0.2% 단위로 나누며, 0.2% 효율 증가는 매우 큰 의미를 갖는 수치인 것을 감안할 때, 상기 표 2에 나타나는 것과 같이 본 발명에 따른 용제를 포함하는 도전성 페이스트로 제조된 전극을 포함하는 태양전지의 경우 비교예와 비교하여 변환 효율이 높아 태양전지의 발전 효율이 개선된 것을 알 수 있다.
또한 상기 표 3에 나타나는 것과 같이 본 발명에 따라 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산을 실리콘계 첨가제로 포함하는 도전성 페이스트를 이용하여 동일한 인쇄 조건 및 열처리 공정에서도 비교예와 비교할 때 전극의 선폭이 감소하고 높은 종횡비를 갖는 것을 알 수 있으며, 탄화수소계 용제를 함께 사용한 실시예 3의 경우에 미세 패턴을 형성하는데 가장 유리한 효과를 제공하는 것을 알 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : P형 실리콘 반도체 기판
20 : N형 불순물층
30 : 반사 방지막
40 : P+층(BSF : back surface field)
50 : 배면 알루미늄 전극
60 : 배면 실버 전극
100 : 전면 전극

Claims (10)

  1. 금속 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 실리콘계 첨가제 및 용제를 포함하는 도전성 페이스트로서,
    상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 1로 표현되는 트리메틸실록시 말단 폴리디메틸실록산(Trimethylsiloxy terminated Polydimethylsiloxane)을 상기 도전성 페이스트 전체 중량에 대하여 0.01 내지 0.3 중량%로 포함하고,
    <화학식 1>
    Figure 112018090858216-pat00012

    (이 때, n은 1 내지 300의 정수이다.)
    상기 용제는 디메틸 아디페이트(Dimethyl adipate), 디에틸렌 글리콜 부틸에테르 아세테이트(diethylene glycol butyl ether acetate), 텍사놀(texanol), 디옥틸 프탈레이트(Dioctyl phthalate), 디부틸 프탈레이트(Dibutyl phthalate), 디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 에틸렌 글리콜 부틸 에테르(ethylene glycol buthyl ether), 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 아세테이트(ethylene glycol butyl ether acetate) 및 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(diethylene glycol butyl ether) 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 상기 도전성 페이스트 전체 중량에 대하여 10 내지 25 중량%로 포함하며,
    미네랄스프릿(mineral spirits), YK-D40, YK-D80, YK -D100, YK-D110 및 YK-D130로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 탄화수소계(hydrocarbon) 용제를 포함하는 탄화수소계(hydrocarbon) 용제를 상기 용제 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘계 첨가제는 상기 도전성 페이스트 전체 중량에 대하여 0.01 내지 0.3 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 2로 표현되는 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산(Polyether modified Polydimethylsiloxane)을 상기 실리콘계 첨가제 전체 중량에 대하여 20wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
    <화학식 2>
    Figure 112019012564686-pat00008

    (이 때, R1 및 R2는 독립적으로 수소 및 메틸기 중에서 선택되며, 한 분자내에 수소와 메틸기가 함께 존재할 수 있으며, m은 5~100의 정수이고, n은 1~10의 정수이며, x는 1~300의 정수이고, y는 1~100의 정수이다.)
  4. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘계 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현되는 옥타메틸사이클로테트라실록산(Octamethyl Cyclotetrasiloxane)을 상기 실리콘계 첨가제 전체 중량에 대하여 5wt% 이하로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
    <화학식 3>
    Figure 112016106299840-pat00009

  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속 분말은 평균 입경이 0.1 내지 10㎛ 인 분말이며, 은(Ag) 분말, 금(Au) 분말, 백금(Pt) 분말, 니켈(Ni) 분말, 구리(Cu) 분말로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 평균 입경이 0.5 내지 10㎛ 이며, 유리전이온도(Tg)가 200 내지 300 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 셀룰로오스 에스테르계 화합물, 셀룰로오스 에테르 화합물, 아크릴계 화합물, 비닐계 화합물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  10. 기재 상부에 전면 전극을 구비하고, 기재 하부에 배면 전극을 구비한 태양전지에 있어서,
    상기 전면 전극은, 제1항 내지 제4항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 도포한 후 소성시켜 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지.
KR1020160143686A 2016-10-31 2016-10-31 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 Active KR102007864B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143686A KR102007864B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN201780077342.5A CN110431671B (zh) 2016-10-31 2017-10-18 太阳能电池电极用导电性浆料以及使用上述浆料制造的太阳能电池
PCT/KR2017/011510 WO2018080094A1 (ko) 2016-10-31 2017-10-18 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
US16/346,070 US11309101B2 (en) 2016-10-31 2017-10-18 Conductive paste for solar cell electrode and solar cell manufactured by using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143686A KR102007864B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180049352A KR20180049352A (ko) 2018-05-11
KR102007864B1 true KR102007864B1 (ko) 2019-08-07

Family

ID=62023859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160143686A Active KR102007864B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11309101B2 (ko)
KR (1) KR102007864B1 (ko)
CN (1) CN110431671B (ko)
WO (1) WO2018080094A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007864B1 (ko) * 2016-10-31 2019-08-07 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR102152842B1 (ko) * 2018-11-30 2020-09-07 엘에스니꼬동제련 주식회사 요변성 및 슬립성이 향상된 태양전지 전극용 도전성 페이스트 제조방법
JP6614560B1 (ja) * 2019-03-29 2019-12-04 株式会社メンテック 汚染防止剤組成物
KR102413679B1 (ko) * 2019-12-31 2022-06-24 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN113035408B (zh) * 2020-03-17 2024-02-02 深圳市百柔新材料技术有限公司 太阳能电池栅线浆料及其制备方法，太阳能电池
KR20210119732A (ko) * 2020-03-25 2021-10-06 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
CN114429830B (zh) * 2022-02-22 2023-02-03 中南大学 一种流动性和均匀性好的金属浆料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133466B1 (ko) 2008-09-08 2012-04-09 주식회사 에프피 태양전지용 저온 건조형 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법
JP2015065141A (ja) 2013-08-29 2015-04-09 ダイソー株式会社 電池電極用バインダー、およびそれを用いた電極ならびに電池

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2010113708A1 (ja) * 2009-03-30 2012-10-11 三菱マテリアル株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
KR101181190B1 (ko) * 2010-07-30 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물
CN103237644B (zh) * 2010-09-30 2016-02-10 陶氏环球技术有限责任公司 制造柔性的、具有改进的层粘合力的多层电子制品的方法
JP5706667B2 (ja) * 2010-11-08 2015-04-22 出光興産株式会社 ポリカーボネート系樹脂組成物、成形品、及び太陽光発電用構造部材
WO2012135551A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Sun Chemical Corporation High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes
JP5704049B2 (ja) * 2011-10-13 2015-04-22 信越化学工業株式会社 導電性回路形成方法
JP5828829B2 (ja) * 2011-11-04 2015-12-09 ダイキン工業株式会社 塗料、塗膜、太陽電池モジュールのバックシート、及び、太陽電池モジュール
US20130139022A1 (en) 2011-11-28 2013-05-30 Lsi Corporation Variable Sector Size LDPC Decoder
KR20130139022A (ko) * 2012-06-12 2013-12-20 주식회사 동진쎄미켐 도전성 페이스트 조성물
WO2014050560A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 独立行政法人産業技術総合研究所 パターンの形成方法
WO2014059577A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-24 Dow Global Technologies Llc Conductive composition
EP2917282B1 (en) * 2012-11-12 2020-03-25 Dow Silicones Corporation Method of forming an electronic article
US10593439B2 (en) * 2016-10-21 2020-03-17 Dupont Electronics, Inc. Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
KR102007864B1 (ko) * 2016-10-31 2019-08-07 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
SG11201809762PA (en) * 2016-12-20 2018-12-28 Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd Siloxane-containing solar cell metallization pastes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133466B1 (ko) 2008-09-08 2012-04-09 주식회사 에프피 태양전지용 저온 건조형 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법
JP2015065141A (ja) 2013-08-29 2015-04-09 ダイソー株式会社 電池電極用バインダー、およびそれを用いた電極ならびに電池

Also Published As

Publication number Publication date
CN110431671A (zh) 2019-11-08
KR20180049352A (ko) 2018-05-11
US11309101B2 (en) 2022-04-19
CN110431671B (zh) 2023-12-08
WO2018080094A1 (ko) 2018-05-03
US20200098487A1 (en) 2020-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102007864B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR100798255B1 (ko) 전기전도성 후막 조성물, 이로부터 형성된 전극 및 태양전지
TWI621600B (zh) 用於太陽能電池前電極的糊料組合物以及使用其之太陽能電池
KR102007858B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN107004457A (zh) 导电性组合物
JP2016127212A (ja) 導電性組成物
KR20180116424A (ko) 도전성 페이스트 및 태양 전지
TWI689481B (zh) 太陽能電池電極用導電漿料及使用其之太陽能電池
KR101733161B1 (ko) 태양전지용 전극 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR102060425B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이에 포함되는 유리 프릿, 그리고 태양 전지
CN103222011B (zh) 银糊组合物及使用其的太阳能电池和太阳能电池前电极
CN113366587A (zh) 太阳能电池电极用导电性浆料及使用其制造的太阳能电池
KR101930284B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20140048465A (ko) 전극형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지
KR102152837B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
KR20170064570A (ko) 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN110402469B (zh) 太阳能电池电极用导电性浆料以及使用上述浆料制造的太阳能电池
KR101930283B1 (ko) 태양전지용 기판 및 이를 구비한 태양전지
KR20170066716A (ko) 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR102007863B1 (ko) 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20210119732A (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
KR20210086184A (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 7